知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ 株式会社デンソーの特許一覧 ▶ トヨタ自動車株式会社の特許一覧 ▶ 株式会社ミライズテクノロジーズの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024143283
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/52 20060101AFI20241003BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20241003BHJP
H01L 23/14 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L21/52 D
H01L23/12 F
H01L23/14 S
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023055876
(22)【出願日】2023-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】110001128
【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】水谷 厚司
(72)【発明者】
【氏名】加藤 哲弥
(72)【発明者】
【氏名】片山 雅之
(72)【発明者】
【氏名】宮脇 正太郎
(72)【発明者】
【氏名】大竹 伸幸
(72)【発明者】
【氏名】和田 章良
【テーマコード（参考）】
5F047
【Ｆターム（参考）】
5F047AA17
5F047AB06
5F047BA15
5F047BA21
5F047BB11
5F047CA00
(57)【要約】
【課題】接合部材の接合強度を高くする。
【解決手段】半導体チップ２０を用意することと、搭載面１１ａを有する被実装部材１１を用意することと、ディスペンサ法により、搭載面１１ａに、分散媒３２にフィラー３１が分散された塗布液３３を塗布することと、塗布液３３上に半導体チップ２０を配置することと、塗布液３３を焼結して接合部材を構成することと、を行い、半導体チップ２０を用意することおよび被実装部材１０を用意することでは、搭載面１１ａのうちの半導体チップ２０と対向する部分および半導体チップ２０の他面２０ｂのうちの少なくとも一方に凸部１２が形成されることで摩擦力が異なる構成とされたものを用意し、半導体チップ２０を配置することでは、半導体チップ２０と搭載面１１ａとの間に位置する塗布液を、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部側から半導体チップ２０の外縁部側に流動させるようにする。
【選択図】図４Ｃ
【解決手段】半導体チップ２０を用意することと、搭載面１１ａを有する被実装部材１１を用意することと、ディスペンサ法により、搭載面１１ａに、分散媒３２にフィラー３１が分散された塗布液３３を塗布することと、塗布液３３上に半導体チップ２０を配置することと、塗布液３３を焼結して接合部材を構成することと、を行い、半導体チップ２０を用意することおよび被実装部材１０を用意することでは、搭載面１１ａのうちの半導体チップ２０と対向する部分および半導体チップ２０の他面２０ｂのうちの少なくとも一方に凸部１２が形成されることで摩擦力が異なる構成とされたものを用意し、半導体チップ２０を配置することでは、半導体チップ２０と搭載面１１ａとの間に位置する塗布液を、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部側から半導体チップ２０の外縁部側に流動させるようにする。
【選択図】図４Ｃ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
一面（２０ａ）および前記一面と反対側の他面（２０ｂ）を有する半導体チップ（２０）と、
搭載面（１１ａ）を有し、前記搭載面に前記半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、
前記半導体チップの他面と前記被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、
前記接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、
前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップを用意することと、
前記搭載面を有する前記被実装部材を用意することと、
ディスペンサ法により、前記搭載面に、分散媒（３２）に前記フィラーが分散された塗布液（３３）を塗布することと、
前記塗布液上に前記半導体チップを配置することと、
前記塗布液を焼結して前記接合部材を構成することと、を行い、
前記半導体チップを用意することおよび前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面のうちの少なくとも一方に前記凸部が形成されることで摩擦力が異なる構成とされたものを用意し、
前記半導体チップを配置することでは、前記半導体チップと前記搭載面との間に位置する前記塗布液を、前記半導体チップの他面の中心部側から前記半導体チップの外縁部側に流動させる半導体装置の製造方法。
搭載面（１１ａ）を有し、前記搭載面に前記半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、
前記半導体チップの他面と前記被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、
前記接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、
前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップを用意することと、
前記搭載面を有する前記被実装部材を用意することと、
ディスペンサ法により、前記搭載面に、分散媒（３２）に前記フィラーが分散された塗布液（３３）を塗布することと、
前記塗布液上に前記半導体チップを配置することと、
前記塗布液を焼結して前記接合部材を構成することと、を行い、
前記半導体チップを用意することおよび前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面のうちの少なくとも一方に前記凸部が形成されることで摩擦力が異なる構成とされたものを用意し、
前記半導体チップを配置することでは、前記半導体チップと前記搭載面との間に位置する前記塗布液を、前記半導体チップの他面の中心部側から前記半導体チップの外縁部側に流動させる半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記被実装部材を用意することでは、前記半導体チップが配置された際、前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分から外縁部と対向する部分に向かう方向と交差する方向に延びる前記凸部が、前記向かう方向に複数形成され、前記半導体チップの他面よりも摩擦力が大きくされたものを用意する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記半導体チップを用意することでは、円柱状のものを用意し、
前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分を中心とし、複数の前記凸部が同心円状に形成されたものを用意する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分を中心とし、複数の前記凸部が同心円状に形成されたものを用意する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記被実装部材を用意することでは、前記向かう方向において隣合う前記凸部の間隔が前記フィラーの面方向における長辺の平均長さより狭くされているものを用意する請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記被実装部材を用意することでは、前記凸部の高さが前記フィラーの面方向における長辺の平均長さより高くされているものを用意する請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記被実装部材を用意することでは、前記凸部として、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分側の方が、前記半導体チップの他面の外縁部と対向する部分よりも高くされているものを用意する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記被実装部材を用意することでは、前記凸部が前記被実装部材における搭載面と同じ材料で構成されているものを用意する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記被実装部材を用意することでは、凹部（１１）が形成され、前記凹部の底面（１１ａ）が搭載面とされているものを用意する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記被実装部材を用意することでは、前記凹部の側面（１１ｂ）に、前記凹部の深さ方向に沿って複数の凸部（１４）が形成されたものを用意する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記被実装部材を用意することでは、前記凹部の底面と側面との連結部分（１１ｃ）が丸められているものを用意する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記被実装部材を用意することでは、前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分を通って所定方向に延び、前記凸部よりも高さが高くされた仕切板（１５）が形成されたものを用意する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
前記被実装部材を用意することでは、前記半導体チップの他面の外縁部と対向する部分まで前記仕切板が延設されているものを用意する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項13】
前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面側から突出方向に向かって幅が狭くされた前記仕切板を有するものを用意する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記被実装部材を用意することでは、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分側から、前記半導体チップの他面の外縁部と対向する部分側に向かって幅が広くされた前記仕切板を有するものを用意する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項15】
半導体装置であって、
一面（２０ａ）および前記一面と反対側の他面（２０ｂ）を有する半導体チップ（２０）と、
搭載面（１１ａ）を有し、前記搭載面に前記半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、
前記半導体チップの他面と前記被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、
前記接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、
前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている半導体装置。
一面（２０ａ）および前記一面と反対側の他面（２０ｂ）を有する半導体チップ（２０）と、
搭載面（１１ａ）を有し、前記搭載面に前記半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、
前記半導体チップの他面と前記被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、
前記接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、
前記搭載面のうちの前記半導体チップと対向する部分および前記半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている半導体装置。
【請求項16】
前記半導体チップは、円柱状とされ、
前記凸部は、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分を中心として同心円状に複数形成されている請求項１５に記載の半導体装置。
前記凸部は、前記搭載面のうちの前記半導体チップの他面の中心部と対向する部分を中心として同心円状に複数形成されている請求項１５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体チップを被実装部材に接合部材を接合して構成される半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、半導体チップを被実装部材に接合部材を接合して半導体装置を製造する製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この製造方法では、まず、被実装部材上に所定の第１厚さとなるように塗布液を塗布する。そして、この製造方法では、塗布液が第２厚さとなるように半導体チップで塗布液を押圧した後、塗布液を焼結して接合部材を構成することで半導体装置を製造する。なお、塗布液は、板状の粒子で構成されるフィラーが有機溶剤に混入されたものが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－９７０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、上記のような製造方法では、フィラーの面方向がばらばらになり易く、接合部材の接合強度が低下する場合があることが確認された。
【0005】
本発明は上記点に鑑み、接合部材の接合強度を高くできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するための請求項１は、一面（２０ａ）および一面と反対側の他面（２０ｂ）を有する半導体チップ（２０）と、搭載面（１１ａ）を有し、搭載面に半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、半導体チップの他面と被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、搭載面のうちの半導体チップと対向する部分および半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている半導体装置の製造方法であって、半導体チップを用意することと、搭載面を有する被実装部材を用意することと、ディスペンサ法により、搭載面に、分散媒（３２）にフィラーが分散された塗布液（３３）を塗布することと、塗布液上に半導体チップを配置することと、塗布液を焼結して接合部材を構成することと、を行い、半導体チップを用意することおよび被実装部材を用意することでは、搭載面のうちの半導体チップと対向する部分および半導体チップの他面のうちの少なくとも一方に凸部が形成されることで摩擦力が異なる構成とされたものを用意し、半導体チップを配置することでは、半導体チップと搭載面との間に位置する塗布液を、半導体チップの他面の中心部側から半導体チップの外縁部側に流動させる。
【0007】
これによれば、半導体チップを配置する際、塗布液うちの半導体チップの他面側に位置する部分と搭載面側に位置する部分とで印加される摩擦力が異なるため、半導体チップの他面と凹部の底面との間に位置するフィラーの面方向が半導体チップの他面における面方向に沿った状態となり易くなる。このため、このようなフィラーの焼結体で構成される接合部材の接合強度を高くできる。
【0008】
請求項１５は、請求項１の製造方法の発明によって製造される半導体装置であり、一面（２０ａ）および一面と反対側の他面（２０ｂ）を有する半導体チップ（２０）と、搭載面（１１ａ）を有し、搭載面に半導体チップの他面が対向する状態で配置される被実装部材（１０）と、半導体チップの他面と被実装部材の搭載面との間に配置される接合部材（３０）と、を備え、接合部材は、板状のフィラー（３１）が焼結された焼結体で構成されており、搭載面のうちの半導体チップと対向する部分および半導体チップの他面は、少なくとも一方に凸部（１２）が形成されることで摩擦力が異なる構成とされている。
【0009】
これによれば、半導体チップの他面と凹部の底面との間に位置するフィラーの面方向が半導体チップの他面における面方向に沿った状態となるため、接合部材の接合強度を高くできる。
【0010】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図3】接合部材の模式図である。
【図6】第１実施形態の半導体装置におけるフィラー角度と個数との関係を示す図である。
【図7】フィラー角度を説明するための図である。
【図8】比較例の半導体装置におけるフィラー角度と個数との関係を示す図である。
【図9】第１実施形態の半導体装置および比較例の半導体装置と、接合強度との関係を示す図である。
【図10】第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図11】第３実施形態における半導体装置の断面図である。
【図13】第４実施形態における半導体装置の断面図である。
【図14】第５実施形態における半導体装置の断面図である。
【図15】第５実施形態における凹部の平面図である。
【図16A】第５実施形態の変形例における凹部の平面図である。
【図16B】第５実施形態の変形例における凹部の平面図である。
【図16C】第５実施形態の変形例における凹部の平面図である。
【図16D】第５実施形態の変形例における凹部の平面図である。
【図17】第６実施形態における半導体装置の断面図である。
【図18】第６実施形態の変形例における半導体装置の平面図である。
【図19】第７実施形態における凹部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【0013】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、例えば、車両に搭載され、車両に搭載される電子部品を駆動するのに利用されると好適である。
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、例えば、車両に搭載され、車両に搭載される電子部品を駆動するのに利用されると好適である。
【0014】
本実施形態の半導体装置は、図１に示されるように、被実装部材１０に半導体チップ２０が接合部材３０を介して配置されることで構成されている。
【0015】
被実装部材１０は、シリコン基板やプリント基板等で構成され、一面１０ａに凹部１１が形成されている。本実施形態では、凹部１１は、底面１１ａと側面１１ｂとを有しており、底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃが略垂直とされている。また、凹部１１は、開口部および底面１１ａが円状とされている。なお、本実施形態における円状とは、真円状に加え、楕円状も含むものであり、さらに真円および楕円が僅かに歪んだ略円状も含むものである。また、本実施形態では、凹部１１の底面１１ａが搭載面に相当する。
【0016】
凹部１１の底面１１ａには、複数の凸部１２が形成されている。本実施形態では、凸部１２は、円環状とされて複数形成され、凹部１１の底面１１ａの中心に対して同心円状に配置されている。なお、このような凸部１２は、例えば、被実装部材１０にフォトエッチング等を行うことによって形成され、被実装部材１０と同じ材料（すなわち、凹部１１の底面１１ａと同じ材料）で構成される。また、本実施形態の凸部１２は、後述する半導体チップ２０の他面２０ｂにおける算出平均粗さＲａよりも凹部１１の底面１１ａが粗くなるように形成されている。
【0017】
本実施形態の各凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおける径方向に隣合う部分の間隔が、後述するフィラー３１の平均長さよりも狭くされている。また、本実施形態の各凸部１２は、突出方向における高さがそれぞれ同じとされ、かつ高さが後述するフィラー３１の平均長さよりも高くされている。
【0018】
半導体チップ２０は、シリコン基板やシリカガラス等を用いて構成され、ＭＯＳＦＥＴ素子、ＩＧＢＴ素子、ダイオード素子等の半導体素子が適宜形成されて構成されている。なお、ＭＯＳＦＥＴは、Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistorの略であり、ＩＧＢＴは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略である。そして、本実施形態の半導体チップ２０は、一面２０ａ、一面２０ａと反対側の他面２０ｂ、一面１０ａと他面２０ｂを繋ぐ側面２０ｃを有する円柱状とされている。なお、本実施形態における円柱状とは、真円柱状に加え、楕円柱状も含むものであり、さらに真円柱状および楕円柱状が僅かに歪んだ略円状も含むものである。また、本実施形態の半導体チップ２０における他面２０ｂは、略平坦面とされている。
【0019】
接合部材３０は、凹部１１の底面１１ａと半導体チップ２０とを接続するように配置され、図３に示されるように、複数のフィラー３１が焼結された焼結体で構成されている。本実施形態の各フィラー３１は、鱗片状等の板状とされており、面方向における最も長い部分の長さ（以下では、単に最長長さともいう）が１～１０μｍ程度とされている。なお、上記のフィラー３１の平均長さとは、各フィラー３１の最長長さの平均のことである。また、各フィラー３１は、厚さに対する最長長さのアスペクト比が２以上とされている。そして、各フィラー３１は、面方向が半導体チップ２０における他面２０ｂの面方向に沿った状態で焼結されている。なお、フィラー３１は、例えば、導電性である銀フィラーが用いられるが、絶縁性のもので構成されていてもよい。
【0020】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。次に、上記半導体装置における半導体装置の製造方法について説明する。
【0021】
まず、図４Ａに示されるように、一面１０ａに凹部１１が形成されると共に凹部１１の底面１１ａに複数の凸部１２が形成された被実装部材１０を用意する。なお、上記のように、凹部１１は開口部および底面１１ａが円状とされており、各凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおける中心に対して同心円状に形成されている。また、このような凹部１１および凸部１２は、被実装部材１０にフォトエッチング等を行うことで形成される。
【0022】
次に、図４Ｂに示されるように、ディスペンサ４０を用いたディスペンサ法により、フィラー３１を分散材３２に混入させた塗布液３３を凹部１１に塗布する。なお、分散材３２は、粘性を有する有機系材料や高分子材料等が用いられ、例えば、１～１０Ｐａ・Ｓ程度の粘性を有するアルコール系材料やエポキシ樹脂等が用いられる。また、ディスペンサ４０によって塗布された塗布液３３は、各フィラー３１の面方向がばらばらになっている。そして、本実施形態では、後述の図４Ｃの工程において、塗布液３３が凹部１１から溢れ出さないように、塗布液３３の塗布量が調整されている。
【0023】
続いて、図４Ｃに示されるように、凹部１１内に、例えば、１～５Ｎの押し込み力で半導体チップ２０を塗布液３３上に配置する。具体的には、他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａにおける中心部とが対向するように、半導体チップ２０を塗布液３３上に配置する。
【0024】
なお、本実施形態では、他面２０ｂが凸部１２と離れた状態となるように半導体チップ２０が配置される。例えば、半導体チップ２０は、凹部１１の底面１１ａと半導体チップ２０の他面２０ｂとの間隔が１００μｍ程度となるように配置される。また、本実施形態では、他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａにおける中心部とが対向するように半導体チップ２０が配置される。このため、各凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分を中心として同心円状に形成されているともいえる。
【0025】
ここで、半導体チップ２０を凹部１１内に配置した際の塗布液３３の流動について説明する。半導体チップ２０を凹部１１内に配置すると、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置する塗布液３３は、凹部１１の側面１１ｂ側へと押し出される。つまり、塗布液３３は、凹部１１の底面１１ａの中心部側から径方向へと押し出される。言い換えると、塗布液３３は、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部側から外縁部側へと押し出される。
【0026】
この際、本実施形態では、凹部１１の底面１１ａに、凹部１１の底面１１ａを中心した同心円状の複数の凸部１２が形成されている。言い換えると、塗布液３３の流動方向と交差する方向に延びる凸部１２が、塗布液３３の流動方向に沿って複数形成されている。また、半導体チップ２０の他面２０ｂは、略平坦状とされている。このため、塗布液３３は、半導体チップ２０の他面２０ｂ側に位置する部分と、凹部１１の底面１１ａ側に位置する部分とで印加される摩擦力（すなわち、せん断力）が異なる。
【0027】
具体的には、図５に示されるように、塗布液３３には、凹部１１の底面１１ａ側に位置する部分の方が、半導体チップ２０の他面２０ｂ側に位置する部分よりも大きな摩擦力が印加される。つまり、本実施形態では、半導体チップ２０の他面２０ｂおよび凹部１１の底面１１ａには、摩擦力を異ならせる構造が付加されている。このため、塗布液３３は、凹部１１の底面１１ａ側に位置する部分の方が、半導体チップ２０の他面２０ｂ側に位置する部分よりも流速が小さくなる。なお、図５では、フィラー３１を省略して示している。そして、フィラー３１は、上記のように板状とされている。したがって、フィラーは、この流速差により、面方向が半導体チップ２０の面方向と平行な方向に向き易くなる。
【0028】
また、本実施形態では、凸部１２は、径方向に隣合う間隔がフィラー３１の平均長さよりも狭くされている。このため、隣合う凸部１２の間にフィラー３１が完全に入り込み難くなる。つまり、隣合う凸部１２の間に入り込んだフィラー３１は、一部が凸部１２上にはみ出した状態となり易い。したがって、このフィラー３１も摩擦力を高くする要因となり、さらに、凹部１１の底面１１ａ側の摩擦力を高くできる。
【0029】
さらに、本実施形態では、凸部１２は、高さがフィラー３１の平均長さより高くされている。このため、隣合う凸部１２の間に一部が入り込んだフィラー３１は、隣合う凸部１２の間から抜け難くなる。したがって、隣合う凸部１２の間に入り込んだフィラー３１は、継続して凹部１１の底面１１ａ側の摩擦力を高くする要因となる。
【0030】
その後、図４Ｄに示されるように、塗布液３３を加熱してフィラー３１を焼結する。これにより、フィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った焼結体で構成される接合部材３０が形成されて上記の半導体装置が製造される。
【0031】
そして、上記のように製造した半導体チップ２０について発明者らが確認したところ、図６に示される結果が得られた。なお、図６は、図７のように、半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向を０ｄｅｇ、半導体チップ２０の面方向に対する法線方向であって、半導体チップ２０側に向かう方向を＋９０ｄｅｇ、凹部１１の底面側に向かう方向を－９０ｄｅｇとしている。また、凹部１１の底面１１ａに凸部１２が形成されていない半導体装置を比較例の半導体装置とし、本発明者らは、比較例の半導体装置についても確認を行って図８の結果を得た。
【0032】
なお、比較例の半導体装置は、凹部１１の底面１１ａに凸部１２が形成されていないこと以外は、上記の製造方法と同様の製造方法で製造したものである。また、図６および図８は、フィラー３１の大きさが大きいものから順に１００個のフィラー３１を測定した結果である。
【0033】
図６および図８に示されるように、本実施形態の半導体装置では、比較例の半導体装置と比較すると、半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った（すなわち、０ｄｅｇ）フィラー３１の数を多くできることが確認される。
【0034】
そして、本発明者らは、本実施形態の半導体装置と比較例の半導体装置について接合強度を確認し、図９に示される結果を得た。図９に示されるように、本実施形態の半導体装置では、比較例の半導体装置よりも接合強度を高くできることが確認される。なお、図９における接合強度は、引張試験によって得られた結果である。
【0035】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、接合部材３０の接合強度を高くできる。
【0036】
（１）本実施形態では、ディスペンサ４０を用いたディスペンサ法によって塗布液３３を配置している。このため、印刷法等で塗布液３３を配置する場合と比較して、製造工程の簡略化を図ることができる。
【0037】
（２）本実施形態では、半導体チップ２０を円柱状とし、各凸部１２を同心円状に配置している。このため、塗布液３３上に半導体チップ２０を配置した際、各凸部１２が塗布液３３の流動方向と交差する方向に延びる状態となる。このため、塗布液３３における半導体チップ２０側の部分と凹部１１の底面１１ａ側の部分とに印加される摩擦力の大きさを異ならせ易くなり、フィラー３１の面方向を半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った方向とし易くできる。
【0038】
（３）本実施形態では、凸部１２は、径方向に隣合う間隔がフィラー３１の平均長さよりも狭くされている。このため、隣合う凸部１２の間にフィラー３１が完全に入り込み難くなる。つまり、隣合う凸部１２の間に入り込んだフィラー３１は、一部が凸部１２上にはみ出した状態となり易い。したがって、このフィラー３１も摩擦力を高くする要因となり、さらに、凹部１１の底面１１ａ側の摩擦力を高くできる。
【0039】
（４）本実施形態では、凸部１２は、高さがフィラー３１の平均長さより高くされている。このため、隣合う凸部１２の間に一部が入り込んだフィラー３１は、隣合う凸部１２の間から抜け難くなる。したがって、隣合う凸部１２の間に入り込んだフィラー３１は、継続して凹部１１の底面１１ａ側の摩擦力を高くする要因となる。
【0040】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凸部１２の高さを変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凸部１２の高さを変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0041】
本実施形態の半導体装置では、図１０に示されるように、凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分の高さが、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側に位置する部分の高さよりも高くされている。本実施形態の凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分から、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側に位置する部分に向かって順に高さが低くされている。
【0042】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このような半導体装置は、次のように製造される。
【0043】
【0044】
ここで、塗布液３３上に半導体チップ２０を配置した際、塗布液３３の流速は次のようになり易い。すなわち、塗布液２２は、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａとの間に位置する部分の方が、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける外縁部と凹部１１の底面１１ａとの間に位置する部分よりも流速が小さくなり易い。このため、本実施形態のように凹部１１の底面１１ａにおける中心部側の凸部１２の高さを高くすることにより、塗布液３３の流路を狭くすることで流速を大きくできる。したがって、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａとの間に位置する部分のフィラー３１においても、面方向を半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向とし易くできる。
【0045】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0046】
（１）本実施形態では、凸部１２は、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分の高さが、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側に位置する部分よりも高さが高くされている。したがって、塗布液３３上に半導体チップ２０を配置した際、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａとの間に位置する部分のフィラー３１においても、面方向を半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向とし易くできる。したがって、さらに接合強度の向上を図ることができる。
【0047】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凹部１１の側面１１ｂにも凸部を追加したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、凹部１１の側面１１ｂにも凸部を追加したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0048】
本実施形態の半導体装置では、図１１に示されるように、凹部１１の側面１１ｂにも凸部１４が形成されている。本実施形態では、凸部１４は、側面１１ｂに沿って環状に形成されていると共に、側面１１ｂの深さ方向に沿って複数形成されている。なお、半導体チップ２０の側面２０ｃは、略平坦状とされている。
【0049】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このような半導体装置は、次のように製造される。
【0050】
【0051】
この場合、塗布液３３は、図１２に示されるように、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間の部分にも流動する。この際、本実施形態では、凹部１１の側面１１ｂにも凸部１４が形成されているため、塗布液３３は、半導体チップ２０の側面２０ｃ側に位置する部分と、凹部１１の側面１１ｂ側に位置する部分とで印加される摩擦力が異なる。具体的には、塗布液３３には、凹部１１の側面１１ｂ側に位置する部分の方が、半導体チップ２０の側面２０ｃ側に位置する部分よりも大きな摩擦力が付加される。このため、塗布液３３は、凹部１１の側面１１ｂ側に位置する部分の方が、半導体チップ２０の側面２０ｃ側に位置する部分よりも流速が小さくなる。したがって、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間の部分に位置するフィラー３１は、この流速差により、面方向が半導体チップ２０の側面２０ｃにおける面方向と平行な方向になり易くなる。
【0052】
したがって、上記図４Ｄの工程にてフィラー３１を焼結した際、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間に位置する接合部材３０の接合強度も高くできる。
【0053】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0054】
（１）本実施形態では、凹部１１の側面１１ｂにも凸部１４が形成されている。このため、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間に位置する接合部材３０の接合強度も高くできる。
【0055】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対し、凹部１１の底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃを丸めたものである。その他に関しては、第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対し、凹部１１の底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃを丸めたものである。その他に関しては、第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0056】
本実施形態の半導体装置は、図１３に示されるように、凹部１１は底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃに丸みが付けられている。言い換えると、凹部１１は底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃが曲面状とされている。
【0057】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0058】
（１）本実施形態では、凹部１１は、底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃが丸められている。このため、図４Ｃの工程を行う際、底面１１ａと側面１１ｂとの連結部分１１ｃが直角とされている場合と比較して、連結部分１１ｃの近傍に塗布液３３が滞留し難くなり、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間に塗布液３３が流動し易くなる。このため、半導体チップ２０の側面２０ｃと凹部１１の側面１１ｂとの間に位置する部分において、フィラー３１の面方向を半導体チップ２０の側面２０ｃにおける面方向に沿った方向とし易くできる。
【0059】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、仕切板を追加したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、仕切板を追加したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0060】
本実施形態の半導体装置では、図１４および図１５に示されるように、凹部１１の底面１１ａに仕切板１５が備えられている。仕切板１５は、凸部１２よりも高さが高くされ、凹部１１の底面１１ａにおける中心部を複数の領域に分割するように設けられている。言い換えると、仕切板１５は、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と対向する部分を複数の領域に分割するように設けられている。本実施形態では、仕切板１５は、凹部１１の底面１１ａにおける中心部を４分割するように、略＋字状に備えられている。
【0061】
具体的には、凹部１１の底面１１ａの面方向に沿った一方向を第１方向とし、第１方向と交差する方向であって、凹部１１の底面１１ａの面方向に沿った方向を第２方向とすると、仕切板１５は、次のように構成されている。すなわち、仕切板１５は、第１方向に沿って延びる第１仕切板１５ａと、第２方向に沿って延びる第２仕切板１５ｂとを有している。そして、第１仕切板１５ａと第２仕切板１５ｂとは、凹部１１の底面１１ａにおける中心にて交差するように配置されている。
【0062】
また、本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部から外縁部に向かって延設されている。本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、凹部１１の底面１１ａのうちの半導体チップ２０の他面２０ｂと対向する部分に形成されている。
【0063】
また、本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分と、外縁部側に位置する部分との間がスリット１６にて分割されている。言い換えると、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分と、半導体チップ２０の外縁部と対向する部分とが分離されている。以下、第１仕切板１５ａにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分を第１内側仕切板１５１ａともいい、半導体チップ２０の外縁部と対向する部分を第１外側仕切板１５２ａともいう。同様に、第２仕切板１５ｂにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分を第２内側仕切板１５１ｂともいい、半導体チップ２０の外縁部と対向する部分を第２外側仕切板１５２ｂともいう。
【0064】
そして、半導体チップ２０は、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂと当接するように配置されている。
【0065】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このような半導体装置は、次のように製造される。
【0066】
すなわち、上記図４Ａの工程では、凹部１１に仕切板１５が備えられた被実装部材１０を用意する。
【0067】
そして、図４Ｃの工程を行う際には、半導体チップ２０が仕切板１５と当接するように配置する。この際、仕切板１５が備えられているため、塗布液３３は、仕切板１５により、各仕切板１５で囲まれる領域に均等に流動し易くなる。このため、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間において、特定領域の塗布液３３が多くなったり、少なくなったりすることを抑制できる。したがって、部分毎に接合強度がばらつくことを抑制できる。また、本実施形態では、半導体チップ２０が仕切板１５と当接するように配置されている。このため、半導体チップ２０の凹部１１の底面１１ａからの高さがばらつくことを抑制できる。
【0068】
また、本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂにスリット１６が形成されている。このため、スリット１６を通じて各領域の塗布液３３が流動できるため、さらに特定領域の塗布液３３が多くなったり、少なくなったりすることを抑制できる。
【0069】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0070】
（１）本実施形態では、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と対向する部分を複数の領域に分割するように仕切板１５が配置されている。このため、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間において、特定領域の塗布液３３が多くなったり、少なくなったりすることを抑制できる。
【0071】
（２）本実施形態では、半導体チップ２０は、仕切板１５と当接するように配置されている。このため、半導体チップ２０の凹部１１の底面１１ａからの高さがばらつくことを抑制できる。
【0072】
（３）本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂにスリット１６が形成されている。このため、スリット１６を通じて各領域の塗布液３３が流動できるため、さらに特定領域の塗布液３３が多くなったり、少なくなったりすることを抑制できる。
【0073】
（第５実施形態の変形例）
第５実施形態の変形例について説明する。第５実施形態において、図１６Ａに示されるように、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂにスリット１６が形成されていなくてもよい。また、特に図示しないが、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂの一方のみにスリット１６が形成されていてもよい。さらに、図１６Ｂに示されるように、仕切板１５は、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂに加え、第１方向および第２方向と交差する方向に沿って延びる第３仕切板１５ｃを備えるようにしてもよい。なお、図１６Ｂの構成では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂと同様に、第３仕切板１５ｃは、スリット１６にて分割されている。そして、この構成では、第３仕切板１５ｃにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分が第３内側仕切板１５１ｃとなり、半導体チップ２０の外縁部と対向する部分が第３外側仕切板１５２ｃなる。そして、図１６Ｃに示されるように、例えば、第３仕切板１５ｃは、第３外側仕切板１５２ｃのみが形成されていてもよい。この場合、仕切板１５は、凹部１１の底面１１ａにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分より、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける外縁部と対向する部分の方が密の状態となる。このため、領域の大きい外縁部側においても均等に塗布液３３を流し易くできる。さらに、図１６Ｄに示されるように、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分（すなわち、塗布液３３の流れ方向の上流側に位置する部分）が先細り形状とされていてもよい。これによれば、塗布液３３が凹部１１の底面１１ａにおける中心部側から外縁部側へ流れる際の損失を低減できる。また、特に図示しないが、仕切板１５は、第１仕切板１５ａまたは第２仕切板１５ｂの一方のみで構成されるようにしてもよい。
第５実施形態の変形例について説明する。第５実施形態において、図１６Ａに示されるように、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂにスリット１６が形成されていなくてもよい。また、特に図示しないが、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂの一方のみにスリット１６が形成されていてもよい。さらに、図１６Ｂに示されるように、仕切板１５は、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂに加え、第１方向および第２方向と交差する方向に沿って延びる第３仕切板１５ｃを備えるようにしてもよい。なお、図１６Ｂの構成では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂと同様に、第３仕切板１５ｃは、スリット１６にて分割されている。そして、この構成では、第３仕切板１５ｃにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分が第３内側仕切板１５１ｃとなり、半導体チップ２０の外縁部と対向する部分が第３外側仕切板１５２ｃなる。そして、図１６Ｃに示されるように、例えば、第３仕切板１５ｃは、第３外側仕切板１５２ｃのみが形成されていてもよい。この場合、仕切板１５は、凹部１１の底面１１ａにおいて、半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分より、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける外縁部と対向する部分の方が密の状態となる。このため、領域の大きい外縁部側においても均等に塗布液３３を流し易くできる。さらに、図１６Ｄに示されるように、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側に位置する部分（すなわち、塗布液３３の流れ方向の上流側に位置する部分）が先細り形状とされていてもよい。これによれば、塗布液３３が凹部１１の底面１１ａにおける中心部側から外縁部側へ流れる際の損失を低減できる。また、特に図示しないが、仕切板１５は、第１仕切板１５ａまたは第２仕切板１５ｂの一方のみで構成されるようにしてもよい。
【0074】
（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、仕切板１５の形状を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、仕切板１５の形状を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0075】
本実施形態の半導体装置では、図１７に示されるように、第２仕切板１５ｂは、凹部１１の底面１１ａ側から半導体チップ２０の他面２０ｂ側に向かって幅が狭くされている。なお、図１７は、図１５中のXVII－XVII線に沿った断面図に相当している。また、特に図示しないが、第１仕切板１５ａは、凹部１１の底面１１ａ側から半導体チップ２０の他面２０ｂ側に向かって幅が狭くされている。なお、本実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、突出方向の先端が面状とされている。つまり、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、断面台形状とされている。
【0076】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このような半導体装置は、次のように製造される。
【0077】
【0078】
この際、仕切板１５が上記のように構成されているため、塗布液３３の流路が広くなる。特に、半導体チップ２０の他面２０ｂにおける中心部と凹部１１の底面１１ａにおける中心部との間に位置する部分は、塗布液３３の流れ方向における始点となるため、流路を広くすることで塗布液３３の流れを安定させ易くできる。
【0079】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0080】
（１）本実施形態では、仕切板１５は、凹部１１の底面１１ａ側から半導体チップ２０の他面２０ｂ側に向かって幅が狭くされている。このため、塗布液３３の流路を広くすることで塗布液３３の流れを安定させ易くできる。
【0081】
（第６実施形態の変形例）
上記第６実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂの全体をテーパ状とする例について説明した。この場合、塗布液３３に対する整流効果は、塗布液３３の流れ方向における上流側で行われることが好ましい。このため、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、少なくとも第１内側仕切板１５１ａおよび第１外側仕切板１５２ａがテーパ状とされることが好ましい。
上記第６実施形態では、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂの全体をテーパ状とする例について説明した。この場合、塗布液３３に対する整流効果は、塗布液３３の流れ方向における上流側で行われることが好ましい。このため、第１仕切板１５ａおよび第２仕切板１５ｂは、少なくとも第１内側仕切板１５１ａおよび第１外側仕切板１５２ａがテーパ状とされることが好ましい。
【0082】
また、図１８に示されるように、第２仕切板１５ｂは、さらに流路を確保し易くするために突出方向の先端が尖った形状とされていてもよい。同様に、特に図示しないが、第１仕切板１５ａは、突出方向の先端が尖った形状とされていてもよい。
【0083】
（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂの構成を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第７実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂの構成を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0084】
本実施形態の半導体装置は、図１９に示されるように、第１外側仕切板１５２ａは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側から外縁部側に向かって幅が広くなるテーパ状とされている。同様に、第２外側仕切板１５２ｂは、凹部１１の底面１１ａにおける中心部側から外縁部側に向かって幅が広くなるテーパ状とされている。言い換えると、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂは、凹部１１の底面１１ａのうちの半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分から半導体チップ２０の他面２０ｂの外縁部と対向する部分に向かって、幅が広くなるテーパ状とされている。
【0085】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このような半導体装置は、次のように製造される。
【0086】
【0087】
この際、仕切板１５が上記のように構成されているため、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側では塗布液３３の流路が狭くなる。このため、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側の流速をさらに速くでき、さらに凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側のフィラー３１の面方向を半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向にし易くできる。
【0088】
以上説明した本実施形態によれば、半導体チップ２０の他面２０ｂと凹部１１の底面１１ａとの間に位置するフィラー３１の面方向が半導体チップ２０の他面２０ｂにおける面方向に沿った状態で接合部材３０が構成されている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0089】
（１）本実施形態では、第１外側仕切板１５２ａおよび第２外側仕切板１５２ｂは、凹部１１の底面１１ａのうちの半導体チップ２０の他面２０ｂの中心部と対向する部分から半導体チップ２０の他面２０ｂの外縁部と対向する部分に向かって、幅が広くなるテーパ状とされている。このため、凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側の流速をさらに速くでき、さらに凹部１１の底面１１ａにおける外縁部側のフィラー３１の面方向を半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向にし易くできる。
【0090】
（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【0091】
例えば、上記各実施形態では、被実装部材１０にフォトエッチングで凸部１２を形成する例について説明した。しかしながら、凸部１２は、被実装部材１０とは別に用意され、接着剤等で凹部１１の底面１１ａに配置されることで備えられるようにしてもよい。
【0092】
また、上記各実施形態では、凹部１１の底面１１ａに凸部１２を形成する例について説明した。しかしながら、フィラー３１を半導体チップ２０の他面２０ｂの面方向に沿った方向とするためには、半導体チップ２０の他面２０ｂおよび凹部１１の底面１１ａから塗布液３３に印加される摩擦力が異なるようにすればよい。このため、半導体チップ２０の他面２０ｂに凸部を形成してもよい。この場合、塗布液３３には、半導体チップ２０の他面２０ｂ側に位置する部分の方が、凹部１１の底面１１ａ側に位置する部分よりも大きな摩擦力が印加される。また、上記第３、第４実施形態では、半導体チップ２０の側面２０ｃに凸部が形成され、凹部１１の側面１１ｂに凸部１４が形成されていなくてもよい。さらに、半導体チップ２０の他面２０ｂおよび凹部１１の底面１１ａから塗布液３３に印加される摩擦力が異なるのであれば、凹部１１の底面１１ａおよび半導体チップ２０の他面２０ｂの両方に凸部が形成されていてもよい。
【0093】
さらに、上記各実施形態では、被実装部材１０に凹部１１を形成する例について説明した。しかしながら、凹部１１を形成せず、被実装部材１０の一面１０ａに接合部材３０を介して半導体チップ２０を搭載するようにしてもよい。この場合は、被実装部材１０の一面１０ａが搭載面となる。
【0094】
そして、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態を上記第３～第７実施形態に組み合わせ、凸部１２の高さを変更するようにしてもよい。上記第３、第４実施形態を上記第５、第６実施形態に組み合わせ、側面１１ｂに凸部１４を形成するようにしてもよい。また、上記第６実施形態を上記第７実施形態に組み合わせ、仕切板１５の幅を適宜調整するようにしてもよい。さらに、上記各実施形態を組み合わせたもの同士をさらに組み合わせるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0095】
１０ 被実装部材
１２ 凸部
２０ 半導体チップ
２０ａ 一面
２０ｂ 他面
３０ 接合部材
３１ フィラー
３２ 分散媒
３３ 塗布液
１２ 凸部
２０ 半導体チップ
２０ａ 一面
２０ｂ 他面
３０ 接合部材
３１ フィラー
３２ 分散媒
３３ 塗布液
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図17】
【図18】
【図19】