特開 2024-143416 積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024143416

(43)【公開日】2024-10-11

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241003BHJP

   H01G 2/24 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201D

H01G4/30 516

H01G2/24

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023056081

(22)【出願日】2023-03-30

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】竹内 一成

(72)【発明者】

【氏名】下舞 賢一

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 真一

(72)【発明者】

【氏名】末正 里樹

(72)【発明者】

【氏名】小西 幸宏

(72)【発明者】

【氏名】岩崎 誉志紀

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC04

5E001AC09

5E001AD04

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF02

5E001AF06

5E001AH01

5E001AH05

5E001AH06

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ01

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

(57)【要約】

【課題】 高い信頼性を得ることができる積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体を提供する。
【解決手段】 積層セラミック電子部品は、第１内部電極層と第２内部電極層とが誘電体層を挟んで交互に積層され、略直方体形状を有し、前記略直方体形状の第１側面に前記第１内部電極層が引き出され、前記略直方体形状の第２側面に前記第２内部電極層が引き出された素体と、前記第１側面に設けられた第１外部電極と、前記第２側面に設けられた第２外部電極と、を備え、前記第１内部電極層の少なくとも一部の領域および前記第２内部電極層の少なくとも一部の領域は、主成分に加えて副成分を含み、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間で、前記副成分が異なっており、前記第１外部電極と前記第２外部電極とを識別するための視覚的な構成が与えられている。
【選択図】 図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１内部電極層と第２内部電極層とが誘電体層を挟んで交互に積層され、略直方体形状を有し、前記略直方体形状の第１側面に前記第１内部電極層が引き出され、前記略直方体形状の第２側面に前記第２内部電極層が引き出された素体と、
前記第１側面に設けられた第１外部電極と、
前記第２側面に設けられた第２外部電極と、を備え、
前記第１内部電極層の少なくとも一部の領域および前記第２内部電極層の少なくとも一部の領域は、主成分に加えて副成分を含み、
前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間で、前記副成分が異なっており、
前記第１外部電極と前記第２外部電極とを識別するための視覚的な構成が与えられている、積層セラミック電子部品。

【請求項2】

前記第１内部電極層の前記主成分と前記第２内部電極層の前記主成分とが同じである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項3】

前記第１内部電極層は、ニッケルを主成分として鉄を副成分として含み、
前記第２内部電極層は、ニッケルを主成分として金を副成分として含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項4】

前記視覚的な構成は、前記素体の表面に設けられた識別マークである、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項5】

前記視覚的な構成は、前記第１外部電極と前記第２外部電極との間で非対称に異なる形状である、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項6】

請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品と、
前記積層セラミック電子部品の第１外部電極および第２外部電極がそれぞれ接続される複数のランドを備える実装基板と、を備える、回路基板。

【請求項7】

請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品と、
シール面と、前記シール面から窪み、前記積層セラミック電子部品を収容する凹部と、を有するキャリアテープと、
前記シール面に貼り付けられ、前記凹部を覆うトップテープと、
を備える、包装体。

【請求項8】

第１内部電極層と第２内部電極層とが誘電体層を挟んで交互に積層され、略直方体形状を有し、前記略直方体形状の第１側面に前記第１内部電極層が引き出され、前記略直方体形状の第２側面に前記第２内部電極層が引き出された素体を備え、
前記第１内部電極層の少なくとも一部の領域および前記第２内部電極層の少なくとも一部の領域は、主成分に加えて副成分を含み、
前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間で、前記副成分が異なっており、
前記第１側面における前記第１内部電極層の形状と、前記第２側面における前記第２内部電極層の形状とが異なっている、積層セラミック電子部品。

【請求項9】

前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との積層方向に直交する方向において、前記第１側面における前記第１内部電極層の幅と、前記第２側面における前記第２内部電極層の幅とが異なっている、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体に関する。

【背景技術】

【0002】

スマートフォンやパーソナルコンピュータなど多様な電子機器に搭載するための積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Multilayer Ceramic Capacitor）などの積層セラミック電子部品が開発されている（例えば、特許文献１～６参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０２２／２１０６４２号

【特許文献2】国際公開第２０２２／２１０６２９号

【特許文献3】国際公開第２０２２／２１０６２８号

【特許文献4】国際公開第２０２２／２１０６２７号

【特許文献5】国際公開第２０２２／２１０６２５号

【特許文献6】国際公開第２０２２／２１０６２４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

積層セラミック電子部品を小型化かつ大容量化しようとするために、誘電体層が薄層化されている。しかしながら、誘電体層を薄層化しようとすると、誘電体層１層あたりに加わる電界強度が相対的に高くなる。したがって、電圧印加時における信頼性の向上が求められる。

【0005】

信頼性向上の手段として、内部電極に副成分を含ませることが挙げられる。内部電極の副成分によって、誘電体/電極の界面抵抗を高めることができる。しかし、陽極として用いられる内部電極層に含まれる成分と、陰極として用いられる内部電極層に含まれる成分とが同じであると、陽極および陰極の両側の誘電体／内部電極層界面において高い界面抵抗が得られず、高い信頼性が得られないおそれがある。さらに、陽極と陰極が区別されることで、使用時に陽極にマイナス、陰極にプラスという逆の電位を接続するような間違いを予防することが可能となり信頼性が向上する。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高い信頼性を得ることができる積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る積層セラミック電子部品は、第１内部電極層と第２内部電極層とが誘電体層を挟んで交互に積層され、略直方体形状を有し、前記略直方体形状の第１側面に前記第１内部電極層が引き出され、前記略直方体形状の第２側面に前記第２内部電極層が引き出された素体と、前記第１側面に設けられた第１外部電極と、前記第２側面に設けられた第２外部電極と、を備え、前記第１内部電極層の少なくとも一部の領域および前記第２内部電極層の少なくとも一部の領域は、主成分に加えて副成分を含み、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間で、前記副成分が異なっており、前記第１外部電極と前記第２外部電極とを識別するための視覚的な構成が与えられている。

【0008】

上記積層セラミック電子部品において、前記第１内部電極層の前記主成分と前記第２内部電極層の前記主成分とが同じであってもよい。

【0009】

上記積層セラミック電子部品において、前記第１内部電極層は、ニッケルを主成分として鉄を副成分として含み、前記第２内部電極層は、ニッケルを主成分として金を副成分として含んでいてもよい。

【0010】

上記積層セラミック電子部品において、前記視覚的な構成は、前記素体の表面に設けられた識別マークであってもよい。

【0011】

上記積層セラミック電子部品において、前記視覚的な構成は、前記第１外部電極と前記第２外部電極との間で非対称に異なる形状であってもよい。

【0012】

本発明に係る回路基板は、上記積層セラミック電子部品と、前記積層セラミック電子部品の第１外部電極および第２外部電極がそれぞれ接続される複数のランドを備える実装基板と、を備える。

【0013】

本発明に係る包装体は、上記積層セラミック電子部品と、シール面と、前記シール面から窪み、前記積層セラミック電子部品を収容する凹部と、を有するキャリアテープと、前記シール面に貼り付けられ、前記凹部を覆うトップテープと、を備える。

【0014】

本発明に係る他の積層セラミック電子部品は、第１内部電極層と第２内部電極層とが誘電体層を挟んで交互に積層され、略直方体形状を有し、前記略直方体形状の第１側面に前記第１内部電極層が引き出され、前記略直方体形状の第２側面に前記第２内部電極層が引き出された素体を備え、前記第１内部電極層の少なくとも一部の領域および前記第２内部電極層の少なくとも一部の領域は、主成分に加えて副成分を含み、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間で、前記副成分が異なっており、前記第１側面における前記第１内部電極層の形状と、前記第２側面における前記第２内部電極層の形状とが異なっている。

【0015】

上記積層セラミック電子部品において、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との積層方向に直交する方向において、前記第１側面における前記第１内部電極層の幅と、前記第２側面における前記第２内部電極層の幅とが異なっていてもよい。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、高い信頼性を得ることができる積層セラミック電子部品、回路基板、および包装体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。

【図2】図１のＡ－Ａ線断面図である。

【図3】図１のＢ－Ｂ線断面図である。

【図4】（ａ）は第１外部電極付近の拡大断面図であり、（ｂ）は第２外部電極付近の拡大断面図である。

【図5】連続率を例示する図である。

【図6】副成分の濃度勾配を例示する図である。

【図7】積層セラミックコンデンサが実装基板上に実装された回路基板を例示する図である。

【図8】（ａ）～（ｃ）は第１外部電極と第２外部電極とを識別するための視覚的な構成を例示する図である。

【図9】包装体を例示する図である。

【図10】包装体を例示する図である。

【図11】（ａ）は素体において第１内部電極層が引き出される第１側面を例示する図であり、（ｂ）は素体において第２内部電極層が引き出される第２側面を例示する図である。

【図12】第１内部電極層の平面図である。

【図13】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。

【図14】（ａ）および（ｂ）は積層を例示する図である。

【図15】圧着工程を例示する図である。

【図16】塗布工程を例示する図である。

【図17】サイドマージン部の貼り付けを例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

【0019】

（実施形態）
図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する素体１０を備える。素体１０において、積層方向の上面および下面以外の４面を側面と称する。素体１０において、対向する２側面（第１側面および第２側面）に、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとがそれぞれ設けられている。第１外部電極２０ａは、第１側面から隣接する４面に延在している。第２外部電極２０ｂは、第２側面から隣接する４面に延在している。ただし、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとは、互いに離間している。

【0020】

本実施形態においては、一例として、第１外部電極２０ａを陽極として用い、第２外部電極２０ｂを陰極として用いることにする。第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとを区別できるようにマーカー等、外観上の区別をつけると好ましい。

【0021】

なお、図１～図３において、Ｚ軸方向（第１方向）は、積層方向であり、各内部電極層が対向する方向である。Ｘ軸方向（第２方向）は、素体１０の長さ方向であって、素体１０の第１側面と第２側面とが対向する方向であり、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとが対向する方向である。Ｙ軸方向（第３方向）は、内部電極層の幅方向であり、素体１０の４側面のうち第１側面および第２側面以外の２側面（第３側面および第４側面）が対向する方向である。Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向と、Ｚ軸方向とは、互いに直交している。

【0022】

素体１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、内部電極層とが、交互に積層された構成を有する。内部電極層は、複数の第１内部電極層１２ａおよび複数の第２内部電極層１２ｂを備えている。第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、交互に積層されている。第１内部電極層１２ａの端縁は、素体１０の第１外部電極２０ａが設けられた第１側面に引き出されている。第２内部電極層１２ｂの端縁は、素体１０の第２外部電極２０ｂが設けられた第２側面に引き出されている。それにより、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、コンデンサ単位が積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３は、誘電体層１１と組成が同じであっても、異なっていても構わない。なお、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂが積層体の表面の異なる領域に露出して、異なる外部電極に導通していれば、図１から図３の構成に限られない。積層体の表面の異なる領域とは、積層体の対向する面のそれぞれの表面領域であってもよく、積層体の隣接する面のそれぞれの表面領域であってもよく、積層体の同一面のそれぞれ異なる表面領域であってもよい。異なる外部電極は互いに離間していれば、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂがそれぞれ積層体の表面領域に露出している面から他の面に延伸していてもよい。

【0023】

積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ＞幅≧高さであってもよく、幅＞長さ≧高さであってもよく、高さ＞長さ≧幅であってもよく、高さ＞幅≧長さであってもよい。

【0024】

誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主相とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む（０≦α≦１：αは化学量論組成から外れた量を表す：以下、αは省略して表記される）。例えば、当該セラミック材料として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３），ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３），チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３），ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のうち少なくとも１つから選択して用いることができる。Ｂａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウムおよびチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムなどである。例えば、誘電体層１１において、主成分セラミックは、５０ａｔ％以上含まれており、一例として９０ａｔ％以上含まれている。誘電体層１１の厚みは、例えば、５．０μｍ以下であり、３．０μｍ以下であり、１．０μｍ以下であり、０．５μｍ以下であり、０．４μｍ以下であり、０．３μｍ以下であり、０．２μｍ以下である。誘電体層１１の厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の誘電体層１１についてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0025】

誘電体層１１には、添加物が添加されていてもよい。誘電体層１１への添加物として、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム(Ｍｇ）、マンガン(Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム(Ｖ）、クロム(Ｃｒ）、希土類元素(スカンジウム（Ｓｃ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、イットリウム(Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、コバルト(Ｃｏ）、ニッケル(Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0026】

図２で例示するように、第１外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａと第２外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂとが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該電気容量を生じる領域を、容量部１４と称する。すなわち、容量部１４は、異なる外部電極に接続された隣接する内部電極層同士が対向する領域である。

【0027】

第１外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａ同士が、第２外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂを介さずに積層方向に対向する領域を、第１エンドマージン１５ａと称する。また、第２外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂ同士が、第１外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａを介さずに積層方向に対向する領域を、第２エンドマージン１５ｂと称する。各エンドマージンは、同じ外部電極に接続された内部電極層が、異なる外部電極に接続された内部電極層を介さずに積層方向に対向する領域である。第１エンドマージン１５ａおよび第２エンドマージン１５ｂは、電気容量を生じない領域である。第１内部電極層１２ａのうち第１外部電極２０ａ側の端部に位置し第１エンドマージン１５ａを含む領域を、第１領域３０ａと称する。第２内部電極層１２ｂのうち第２外部電極２０ｂ側の端部に位置し第２エンドマージン１５ｂを含む領域を、第２領域３０ｂと称する。

【0028】

図３で例示するように、素体１０において、サイドマージン１６は、誘電体層１１、第１内部電極層１２ａ、および第２内部電極層１２ｂの、第３側面側および第４側面側の端部（Ｙ軸方向の端部）を覆うように設けられた領域である。すなわち、図３においては、サイドマージン１６は、Ｙ軸方向において、容量部１４の外側に設けられた領域である。即ちサイドマージン１６は、積層方向から見た容量部１４に隣接した外側の領域であって、内部電極層が引き出されていない側の容量部１４に隣接した外側の領域である。サイドマージン１６も、電気容量を生じない領域である。

【0029】

図４（ａ）は、第１外部電極２０ａ付近の拡大断面図である。図４（ａ）では、ハッチングを省略している。図４（ａ）で例示するように、第１外部電極２０ａは、下地層２１ａ上に、めっき層２２ａが設けられた構造を有している。下地層２１ａは、ニッケル、銅などを主成分とする。下地層２１ａは、共材としてセラミック粒子を含んでいてもよく、ガラス成分を含んでいてもよい。めっき層２２ａは、ニッケル、銅、アルミニウム、亜鉛、スズなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２２ａは、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、図４では、めっき層２２ａは、下地層２１ａ側から順に、第１めっき層２３ａ、第２めっき層２４ａおよび第３めっき層２５ａが形成された構造を有する。第１めっき層２３ａは、例えば、銅めっき層である。第２めっき層２４ａは、例えば、ニッケルめっき層である。第３めっき層２５ａは、例えば、スズめっき層である。

【0030】

図４（ｂ）は、第２外部電極２０ｂ付近の拡大断面図である。図４（ｂ）では、ハッチを省略している。図４（ｂ）で例示するように、第２外部電極２０ｂは、下地層２１ｂ上に、めっき層２２ｂが設けられた構造を有している。下地層２１ｂは、ニッケル、銅などを主成分とする。下地層２１ｂは、共材としてセラミック粒子を含んでいてもよく、ガラス成分を含んでいてもよい。めっき層２２ｂは、ニッケル、銅、アルミニウム、亜鉛、スズなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２２ｂは、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、めっき層２２ｂは、下地層２１ｂ側から順に、第１めっき層２３ｂ、第２めっき層２４ｂおよび第３めっき層２５ｂが形成された構造を有する。第１めっき層２３ｂは、例えば、銅めっき層である。第２めっき層２４ｂは、例えば、ニッケルめっき層である。第３めっき層２５ｂは、例えば、スズめっき層である。

【0031】

下地層２１ａおよび下地層２１ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。めっき層２２ａおよびめっき層２２ｂは、同じ積層構造を有していてもよいが、異なる積層構造を有していてもよい。例えば、めっき層の積層数が異なっていてもよい。第１めっき層２３ａおよび第１めっき層２３ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。第２めっき層２４ａおよび第２めっき層２４ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。第３めっき層２５ａおよび第３めっき層２５ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。

【0032】

このような積層セラミックコンデンサ１００において、小型化かつ大容量化を実現しようとするためには、誘電体層の薄層化が求められる。しかしながら、誘電体層を薄層化しようとすると、誘電体層１層あたりに加わる電界強度が相対的に高くなる。したがって、電圧印加時における信頼性の向上が求められる。しかしながら、陽極として用いられる内部電極層に含まれる成分と、陰極として用いられる内部電極層に含まれる成分とが同じであると、陽極および陰極の両側の誘電体／内部電極層界面において高い界面抵抗が得られず、高い信頼性が得られないおそれがある。

【0033】

そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、高い信頼性を得ることができる構成を有している。以下、詳細について説明する。

【0034】

第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、主成分に加えて副成分を含んでいる。主成分は、各内部電極層において５０ａｔ％以上含まれている。第１内部電極層１２ａに含まれる副成分と第２内部電極層１２ｂに含まれる副成分とが異なっている。この構成により、第１内部電極層１２ａと誘電体層１１との界面、第２内部電極層１２ｂと誘電体層１１との界面、の双方において高い界面抵抗を得ることができる。それにより、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂのそれぞれを陽極および陰極のいずれかに用いる際に、高い信頼性を得ることができるようになる。

【0035】

第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）等の卑金属やこれらを含む合金を主成分とする。第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの主成分として、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。第１内部電極層１２ａにおける主成分と第２内部電極層１２ｂにおける主成分とは、同じであってもよいが、異なっていてもよい。一例として、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの主成分は、どちらもニッケルで同じであってもよく、どちらも銅で同じであってもよい。

【0036】

第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂにおける副成分は、例えば、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、スズ（Ｓｎ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、ボロン（Ｂ）、レニウム（Ｒｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、マンガン（Ｍｎ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、タリウム（Ｔｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタノイド元素から選択された、主成分と重複しない１種または２種以上である。

【0037】

ここで、第１内部電極層１２ａに含まれる副成分と第２内部電極層１２ｂに含まれる副成分とが異なっていることの効果の詳細について説明する。

【0038】

積層セラミックコンデンサ１００の劣化が進行すると、陰極として用いられる第２外部電極２０ｂに接続される第２内部電極層１２ｂではドナー欠陥（主に酸素欠損）が集積し、電子伝導が支配的になり、陽極として用いられる第１外部電極２０ａに接続される第１内部電極層１２ａではアクセプタ欠陥に付随した正孔伝導が支配的になると考えられる。つまり、両極側で電気伝導のメカニズムが異なるため、両極で同じ元素を副成分として含有しても、高い信頼性が得られないおそれがある。

【0039】

第２内部電極層１２ｂにおいて副成分として仕事関数が高い元素を含有した場合は、電子に対する界面抵抗が高くなり、上述のごとく好ましい結果が得られる。一方で、第１内部電極層１２ａにおいて副成分として仕事関数が高い元素を含有した場合は、正孔に対する界面抵抗が低くなり、望ましい仕事関数とは逆の状態となってしまうため高信頼が得られなくなるおそれがある。

【0040】

同様に、第１内部電極層１２ａにおいて副成分として仕事関数が低い元素を含有した場合は、正孔に対する界面抵抗が高くなり、上述のごとく好ましい結果が得られる一方で、第２内部電極層１２ｂにおいて副成分として仕事関数が低い元素を含有した場合は、電子に対する界面抵抗が低くなり望ましい仕事関数とは逆の状態となってしまうため高信頼が得られなくなるおそれがある。

【0041】

これに対して、本実施形態では、第１内部電極層１２ａに含まれる副成分と第２内部電極層１２ｂに含まれる副成分とを異ならせているのである。

【0042】

このような態様を実現するためには、陽極側を構成する第１内部電極層１２ａの主成分の金属元素と陰極を構成する第２内部電極層１２ｂの主成分の金属元素が以下のような条件であることが好ましい。
１）第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素と第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素が同一であるか、異なっていても仕事関数が等しい場合。
この場合においては、上述のように、第２内部電極層１２ｂにおいて副成分として仕事関数が高い元素を含有し電子に対する界面抵抗を高くなるようにし、第１内部電極層１２ａにおいて副成分として仕事関数が低い元素を含有し正孔に対する界面抵抗を高くなるようにすることで高い信頼性を得ることができる。
２）第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素と第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素が異なった金属元素であってもその仕事関数がほぼ等しいとみなせる近い値である場合。
ここでいう仕事関数がほぼ等しいとみなせる近い値であるとは、例えばその差が０．０５ｅＶ以内であり、好ましくは０．０２ｅＶ以内の差である。このように主成分の金属元素の仕事関数の差異が小さい場合、副成分として含有した金属元素の仕事関数による変化の方が大きくなる、第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素と第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素が同一である場合と同様に扱うことができる。
３）第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素と第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素が異なった金属元素であっても第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の仕事関数が第１内部電極層１２ａを構成する主成分の仕事関数よりも高い場合。
主成分の金属元素のみであっても、第２内部電極層１２ｂの仕事関数は高いことに加え副成分として仕事関数が高い元素を含有することでより一層電子に対する界面抵抗を高くすることができ、第１内部電極層１２ａの仕事関数は低いことに加え副成分として仕事関数が低い元素を含有することでより一層正孔に対する界面抵抗を高くすることができる。主成分金属元素が第１内部電極層１２ａと第２内部電極層１２ｂとで等しい場合に比べてさらに高い信頼性を得ることができる好ましい様態である。

【0043】

第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素と第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素が異なっている場合で、第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素の仕事関数が第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素の仕事関数に比べ０．０５ｅＶよりも大きく、２つの仕事関数の差がほぼ等しいとみなすことができないほど大きい場合、副成分として仕事関数が多少高い元素を含有した場合でも、第２内部電極層１２ｂにおいては主成分の仕事関数の低さを補うことができず、電子に対する界面抵抗を高くすることができないので信頼性を高めるという好ましい結果が得られないおそれがある。同様に、第１内部電極層１２ａについても副成分として仕事関数が多少低い元素を含有した場合でも、第１内部電極層１２ａにおいては主成分の仕事関数の高さを補うことができず、正孔に対する界面抵抗を高くすることができないので信頼性を高めるという好ましい結果が得られないおそれがある。

【0044】

このため、（第１内部電極層１２ａを構成する主成分の金属元素の仕事関数）－（第２内部電極層１２ｂを構成する主成分の金属元素の仕事関数）≦０．０５ｅＶであることが好ましいのである。

【0045】

例えば、第１内部電極層１２ａがニッケルを主成分として、鉄、クロム、スズ、バナジウム、ハフニウム、オスミウム、ルテニウム、ケイ素、ボロン、レニウム、銅、コバルト、タングステン、ゲルマニウム、マンガン、タンタル、銀、ニオブ、モリブデン、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、ジルコニウム、マグネシウム、チタン、タリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタノイド元素から選ばれる少なくとも一種の元素を副成分として含み、例えば、第２内部電極層１２ｂがニッケルを主成分として、金、白金、イリジウム、パラジウム、セレンから選ばれる少なくとも一種の元素を副成分として含むことが好ましい。例えば、第１内部電極層１２ａが銅を主成分として、鉄、クロム、スズ、バナジウム、ハフニウム、タングステン、ゲルマニウム、マンガン、タンタル、銀、ニオブ、モリブデン、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、ジルコニウム、マグネシウム、チタン、タリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタノイド元素から選ばれる少なくとも一種の元素を副成分として含み、例えば、第２内部電極層１２ｂが銅を主成分として、金、白金、イリジウム、パラジウム、セレン、オスミウム、ルテニウム、ロジウム、ケイ素、ボロンから選ばれる少なくとも一種の元素を副成分として含むことが好ましい。例えば、第１内部電極層１２ａと第２内部電極層１２ｂの主成分は同一の金属元素であってもよく、異なった金属元素の組み合わせであってもよい。この場合、各々の内部電極層の主成分毎に副成分元素は選択される。主成分元素に対して副成分元素で第２内部導体電極層が第１内部電極層より仕事関数が高いことが条件になるが、例えば第１内部電極層１２ａの主成分はニッケルであって第２内部電極層１２ｂの主成分は銅であってもよく、例えば例えば第１内部電極層１２ａの主成分は銅であって第２内部電極層１２ｂの主成分はニッケルであってもよい。

【0046】

第１内部電極層１２ａにおいて、副成分は、例えば、０．０１ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下含まれ、または０．０５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下含まれ、または０．１ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含まれる。第２内部電極層１２ｂにおいて、副成分は、例えば、０．０１ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下含まれ、または０．０５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下含まれ、または０．１ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含まれる。

【0047】

副成分は、各内部電極層において偏析していてもよい。例えば、副成分は、各内部電極層において、表面に偏析していてもよい。

【0048】

Ｚ軸方向における第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの１層当たりの平均厚みは、例えば、１．５μｍ以下であり、１．０μｍ以下であり、０．７μｍ以下であり、０．５μｍ以下であり０．３μｍ以下であり、０．１μｍ以下である。第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の内部電極層についてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0049】

また、第１内部電極層１２ａの連続率と第２内部電極層１２ｂの連続率とが異なっていてもよいが、著しく連続性の悪い内部電極層は信頼性を悪化させるため、双方の内部電極層の連続率が５０％以上、好ましくは６０％以上、さらに好ましくは８０％以上であることが好ましい。なお、図５で例示するように、ある内部電極層における長さＬ０の観察領域において、その金属部分の長さＬ１，Ｌ２，・・・，Ｌｎを測定して合計し、金属部分の割合であるΣＬｎ／Ｌ０をその層の連続率と定義することができる。

【0050】

なお、第１内部電極層１２ａの一部に副成分が含まれ、第２内部電極層１２ｂの一部に副成分が含まれていてもよい。例えば、第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部および第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部は、主成分に加えて副成分を含んでいてもよい。この場合においても、第１内部電極層１２ａと誘電体層１１の界面、第２内部電極層１２ｂと誘電体層１１の界面、の双方において高い界面抵抗を得ることができる。それにより、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂのそれぞれを陽極および陰極のいずれかに用いる際に、高い信頼性を得ることができるようになる。特に、電界集中が生じやすい第１外部電極２０ａ付近および第２外部電極２０ｂ付近の内部電極層間の抵抗値が高くなる。それにより、高い信頼性を得ることができる。

【0051】

第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部は、第１エンドマージン１５ａ内の第１内部電極層１２ａを含み、容量部１４の第１内部電極層１２ａの第１エンドマージン１５ａ側の領域を含む第１領域３０ａの全体のことであってもよい。第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部は、第２エンドマージン１５ｂ内の第２内部電極層１２ｂを含み、容量部１４の第２内部電極層１２ｂの第２エンドマージン１５ｂ側の領域を含む第２領域３０ｂの全体のことであってもよい。

【0052】

副成分は、濃度勾配を有していてもよい。例えば、第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部において、図６で例示するように、第１外部電極２０ａに近いほど副成分の濃度が高く、第２外部電極２０ｂに近いほど副成分の濃度が低くなっていてもよい。なお、図６において、横軸の「０」が第１外部電極２０ａと素体１０との境界である。横軸において右側ほど、第２外部電極２０ｂに近づくことになる。すなわち、第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部である第１領域３０ａは、副成分濃度を減少させながら第２外部電極２０ｂに達していてもよい。

【0053】

第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部においても、図６で例示するように、第２外部電極２０ｂに近いほど副成分の濃度が高く、第１外部電極２０ａに近いほど副成分の濃度が低くなっていてもよい。この場合においては、図６の横軸の「０」が第２外部電極２０ｂと素体１０との境界である。横軸において右側ほど、第１外部電極２０ａに近づくことになる。すなわち、第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部である第２領域３０ｂは、副成分濃度を減少させながら第１外部電極２０ａに達していてもよい。

【0054】

第１外部電極２０ａは、第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部に含まれる副成分を含んでいることが好ましい。第１外部電極２０ａと第１内部電極層１２ａとの固着強度が高くなるからである。第２外部電極２０ｂは、第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部に含まれる副成分を含んでいることが好ましい。第２外部電極２０ｂと第２内部電極層１２ｂとの固着強度が高くなるからである。

【0055】

図７は、積層セラミックコンデンサ１００が実装基板２０１上に実装された回路基板を例示する図である。図７で例示するように、積層方向の下面が実装基板２０１上のランドと対向するように配置される。実装基板２０１上のランドに対して、ハンダ２０２を介して第１外部電極２０ａおよび第２第２外部電極２０ｂがそれぞれ独立して実装基板２０１に電気的に接続される。例えば、各ランドは、正負いずれかの端子であるのかが決められている。例えば、第１外部電極２０ａはプラス端子として用いられているランドに接続され、第２外部電極２０ｂはマイナス端子として用いられているランドに接続されている。

【0056】

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００には、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとを識別するための視覚的な構成が与えられている。例えば、図８（ａ）で例示するように、Ｙ軸を対称軸とした場合にＸ軸方向に非対称な形状を有する識別マーク６０が付されている。識別マーク６０は、Ｚ軸を対称軸とした場合にＸ軸方向に非対称な形状を有していてもよい。図８（ａ）の例では識別マーク６０は三角形状を有しているが、矢印などであってもよい。識別マーク６０の位置は、積層セラミックコンデンサ１００の表面に付されていれば特に限定されるものではないが、例えば、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとの間である。この構成によれば、積層セラミックコンデンサ１００の極性を視認できるようになる。それにより、第１外部電極２０ａおよび第２外部電極２０ｂを実装基板２０１に対して適切な極性で接続することができるようになるため、信頼性が向上する。

【0057】

または、第１外部電極２０ａの表面形状と第２外部電極２０ｂの表面形状との間に差異を設ける。例えば、図８（ｂ）で例示するように、素体１０の特定の面において、Ｙ軸方向またはＺ軸方向の中央部で、一方の外部電極を他方の外部電極に向けて突出させ、当該他方の外部電極を凹ませてもよい。または、図８（ｃ）で例示するように、第１外部電極２０ａのＸ軸方向の延在長さと、第２外部電極２０ｂのＸ軸方向の延在長さとを異ならせてもよい。

【0058】

積層セラミックコンデンサ１００は、実装基板２０１に実装する際に包装体３００として包装された状態で準備される。図９および図１０は、包装体３００を例示する図である。図９は、包装体３００の部分平面図である。図１０は、図９のＣ－Ｃ線に沿った包装体３００の断面図である。

【0059】

包装体３００は、積層セラミックコンデンサ１００と、キャリアテープ３１０と、トップテープ３２０と、を備える。キャリアテープ３１０は、Ｙ軸方向に延びる長尺状のテープとして構成されている。キャリアテープ３１０には、積層セラミックコンデンサ１００を１個ずつ収容する複数の凹部３１１がＹ軸方向に間隔をあけて配列されている。

【0060】

キャリアテープ３１０は、Ｚ軸方向と直交する上向きの面であるシール面Ｐを有し、複数の凹部３１１はシール面ＰからＺ軸方向の下向きに窪んでいる。つまり、キャリアテープ３１０は、シール面Ｐ側から複数の凹部３１１内の積層セラミックコンデンサ１００を取り出すことが可能なように構成されている。

【0061】

キャリアテープ３１０では、複数の凹部３１１の列とはＸ軸方向にずれた位置に、Ｙ軸方向に間隔をあけて配列されたＺ軸方向に貫通する複数の送り孔３１２が設けられている。送り孔３１２は、テープ搬送機構がキャリアテープ３１０をＹ軸方向に搬送するために用いられる係合孔として構成される。

【0062】

包装体３００では、トップテープ３２０が複数の凹部３１１の列に沿ってキャリアテープ３１０のシール面Ｐに貼り付けられ、複数の積層セラミックコンデンサ１００を収容した複数の凹部３１１がトップテープ３２０によって一括して覆われている。これにより、複数の積層セラミックコンデンサ１００が複数の凹部３１１内に保持される。

【0063】

図１０に示すように、キャリアテープ３１０の凹部３１１内の積層セラミックコンデンサ１０では、素体１０におけるＺ軸方向上方を向いた主面がトップテープ３２０と対向している。また、素体１０のＺ軸方向下方を向いた主面は、凹部３１１の底面と対向している。凹部３１１内において、Ｘ軸方向のいずれか一方が第１外部電極２０ａであって、他方が第２外部電極２０ｂであることが定められている。第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂ、すなわち陽極と陰極が区別されることで、使用時に陽極にマイナス、陰極にプラスという逆の電位を接続するような間違いを予防することが可能となり信頼性が向上する。

【0064】

なお、第１外部電極２０ａおよび第２外部電極２０ｂを設ける前の状態の素体１０は、第１内部電極層１２ａが引き出される面と、第２内部電極層１２ｂが引き出される面とを識別できる構成を有していてもよい。例えば、図１１（ａ）は、素体１０において第１内部電極層１２ａが引き出される第１側面を例示する図である。図１１（ｂ）は、素体１０において第２内部電極層１２ｂが引き出される第２側面を例示する図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）で例示するように、第１側面に引き出されている部分における第１内部電極層１２ａのＹ軸方向の幅と、第２側面に引き出されている部分における第２内部電極層１２ｂのＹ軸方向の幅とが異なっていてもよい。この場合、素体１０の極性を視認できるようになる。

【0065】

例えば、図１１（ａ）の構成は、第１内部電極層１２ａの幅に変化を持たせることで実現することができる。例えば、図１２で例示するように、第１内部電極層１２ａは、第１外部電極２０ａに接続され幅Ｗ１を有する接続部を含む第１ａ領域１２１と、容量部１４の端面側付近に相当する領域において幅Ｗ２を有する第１ｂ領域１２２とを有する。第１内部電極層１２aの第１領域は第１ａ領域１２１と第１ｂ領域１２２からなる。幅Ｗ１は、幅Ｗ２よりも小さくなっている。幅Ｗ１および幅Ｗ２は、Ｙ軸方向の幅のことである。このような構成により、図１１（ａ）の構成が得られる。

【0066】

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図１３は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

【0067】

（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ_３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、チタン酸バリウムは、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い比誘電率を示す。このチタン酸バリウムは、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。

【0068】

得られたセラミック原料粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム(Ｍｇ）、マンガン(Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム(Ｖ）、クロム(Ｃｒ）、希土類元素(スカンジウム（Ｓｃ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、イットリウム(Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、コバルト(Ｃｏ）、ニッケル(Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0069】

例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、誘電体材料が得られる。

【0070】

次に、サイドマージン１６を形成するための誘電体パターン材料を用意する。誘電体パターン材料は、サイドマージン１６の主成分セラミックの粉末を含む。主成分セラミックの粉末として、例えば、誘電体材料の主成分セラミックの粉末を用いることができる。目的に応じて所定の添加化合物を添加する。

【0071】

（塗工工程）
次に、得られた原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上にセラミックグリーンシート５１を塗工して乾燥させる。基材は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。塗工工程を例示する図は省略した。

【0072】

（内部電極形成工程）
次に、図１３（ａ）で例示するように、セラミックグリーンシート５１の表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、第１内部電極層１２ａ用の第１内部電極パターン５２ａまたは第２内部電極層１２ｂ用の第２内部電極パターン５２ｂを配置する。金属導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。第1内部電極層１２ａ形成用の金属導電ペースト、第２内部電極層１２ｂ形成用の金属導電ペーストには、互いに異なった副成分元素が含まれていてもよい。内部電極形成用の金属導電ペーストには副成分元素が含まれていなくてもよい。この場合、副成分元素は外部電極に含まれ得る。

【0073】

次に、原料粉末作製工程で得られた誘電体パターン材料に、エチルセルロース系等のバインダと、ターピネオール系等の有機溶剤とを加え、ロールミルにて混練して逆パターン層用の誘電体パターンペーストを得る。図１４（ａ）で例示するように、セラミックグリーンシート５１上において、内部電極パターンが印刷されていない周辺領域に誘電体パターンペーストを印刷することで誘電体パターン５３を配置し、内部電極パターンとの段差を埋める。内部電極パターンおよび誘電体パターン５３が印刷されたセラミックグリーンシート５１を積層単位と称する。

【0074】

その後、図１４（ｂ）で例示するように、内部電極層と誘電体層とが互い違いになるように、かつ内部電極層が誘電体層の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極に交互に引き出されるように、積層単位を積層していく。具体的には、第１内部電極パターン５２ａおよび誘電体パターン５３が印刷されたセラミックグリーンシート５１と、第２内部電極パターン５２ｂおよび誘電体パターン５３が印刷されたセラミックグリーンシート５１とを順に積層する。例えば、積層単位の積層数を１００～５００層とする。

【0075】

（圧着工程）
図１５で例示するように、積層単位が積層された積層体の上下にカバーシート５４を所定数（例えば２～１０層）だけ積層して熱圧着する。

【0076】

（塗布工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ_２雰囲気で脱バインダ処理した後に、下地層２１ａ，２１ｂとなる金属ペーストをディップ法で塗布する。

【0077】

（焼成工程）
その後、酸素分圧が１０^－５～１０^－８ａｔｍ、温度範囲１１００℃～１３００℃の還元雰囲気で、５分～１０時間の焼成を行なう。

【0078】

（再酸化処理工程）
還元雰囲気で焼成された誘電体層１１の部分的に還元された主相に酸素を戻すために、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂを酸化させない程度に、約１０００℃でＮ_２と水蒸気の混合ガス中、もしくは５００℃～７００℃の大気中での熱処理を行う。この工程は、再酸化処理工程とよばれる。

【0079】

（識別マーク作成工程）
セラミックス積層体を焼成した後に識別マーク６０用のペーストを塗布して焼き付けたり、メッキやスパッタリング技術によって識別マーク６０を形成してもよい。これにより、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとを識別するための視覚的な構成とすることができる。

【0080】

（めっき処理工程）
その後、下地層２１ａ上に、めっき処理により、銅、ニッケル、スズ等の金属コーティングを行う。また、下地層２１ｂ上に、めっき処理により、銅、ニッケル、スズ等の金属コーティングを行う。以上の工程により、積層セラミックコンデンサ１００が完成する。なお、下地層２１ａと下地層２１ｂに異なるメッキ処理を行うこともできる。メッキの材質、色、つやを変えることにより、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとを識別するための視覚的な構成とすることができる。また、、図８（ａ）～図８（ｃ）の構成は、ディップ法での外部電極ペーストの塗布の際の塗膜厚み、ペースト粘度、塗布位置などを調整することによって得ることができ、第１外部電極２０ａと第２外部電極２０ｂとを識別するための視覚的な構成とすることができる。

【0081】

なお、図６のような構成、すなわち第１内部電極層１２ａについて第１外部電極２０ａに近いほど副成分の濃度が高く、第２外部電極２０ｂに近いほど副成分の濃度が低くなっており、第２内部電極層１２ｂについて第２外部電極２０ｂに近いほど副成分の濃度が高く、第１外部電極２０ａに近いほど副成分の濃度が低くなっているような副成分の濃度勾配を得るためには、第１内部電極パターン５２ａおよび第２内部電極パターン５２ｂの代わりに、互いに副成分を含まない内部電極パターンを用い、図１６で例示するように、セラミック積層体の一方の端面に、下地層２１ａとなる金属ペースト４０ａをディップ法で塗布し、他方の端面に、下地層２１ｂとなる金属ペースト４０ｂをディップ法で塗布し、その後に焼成を行えばよい。例えば、金属ペースト４０ａは、主成分の金属と副成分の金属とを含む。金属ペースト４０ｂは、主成分の金属と副成分の金属とを含む。金属ペースト４０ａの副成分と金属ペースト４０ｂの副成分とを異ならせる。この場合、第１内部電極層１２ａの第１外部電極２０ａ側の端部と、第２内部電極層１２ｂの第２外部電極２０ｂ側の端部とに、異なる副成分の金属元素が拡散する。このような構成とすることで、内部電極を共通の材料とすることができるため、異なる内部電極となるパターンが形成された誘電体シートを交互にハンドリングして積層する煩雑さを解消することができ、また、内部電極の焼結挙動を均一にすることができるため、応力を均一化することができ微細な構造上の欠陥の発生を防ぐことができる。

【0082】

サイドマージン部は、上記積層部分の側面に貼り付けまたは塗布してもよい。具体的には、図１７で例示するように、セラミックグリーンシート５１と、当該セラミックグリーンシート５１と同じ幅の第１内部電極パターン５２ａおよび第２内部電極パターン５２ｂとを積層することで、積層部分を得る。次に、積層部分の側面に、誘電体パターンペーストで形成したシートをサイドマージン部５５として貼り付けてもよい。

【0083】

なお、上記では、外部電極用の下地層とセラミック積層体とを同時に焼成しているが、それに限られない。例えば、セラミックス積層体を焼成した後にＮｉ，Ｃｕ，Ａｇのペーストを塗布して焼き付けたり、メッキやスパッタリング技術によって端子電極を形成させたりしてもよい。

【0084】

また、上記の実施形態は、端子電極が２つの積層セラミックコンデンサについて適用されているが、３端子以上を持つ積層セラミックコンデンサについて適用してもよい。特に、一般的に低ＥＳＬで高周波に用いられる３端子コンデンサではＥＳＲも十分に低くすることが求められるため、上記実施形態で説明した誘電体層は、３端子コンデンサにも適している。

【0085】

なお、上記各実施形態においては、積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の積層セラミック電子部品を用いてもよい。

【0086】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0087】

１０ 素体
１１ 誘電体層
１２ａ 第１内部電極層
１２ｂ 第２内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量部
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
２０ａ 第１外部電極
２０ｂ 第２外部電極
５１ セラミックグリーンシート
５２ａ 第１内部電極パターン
５２ｂ 第２内部電極パターン
５３ 誘電体パターン
５４ カバーシート
５５ サイドマージン部
６０ 識別マーク
１００ 積層セラミックコンデンサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】