特開 2024-143535 光透過性導電性シート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024143535

(43)【公開日】2024-10-11

(54)【発明の名称】光透過性導電性シート

(51)【国際特許分類】

   H01B 5/14 20060101AFI20241003BHJP

   B32B 7/025 20190101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01B5/14 A

B32B7/025

【審査請求】有

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023056264

(22)【出願日】2023-03-30

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003812

【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】藤野 望

【テーマコード（参考）】

4F100

5G307

【Ｆターム（参考）】

4F100AA17B

4F100AA17C

4F100AA28B

4F100AA28C

4F100AH06

4F100AK36

4F100AK41

4F100AK42A

4F100AT00A

4F100BA03

4F100BA07

4F100EH46

4F100EH66B

4F100EH66C

4F100EJ08

4F100EJ423

4F100EJ473

4F100GB41

4F100JA11A

4F100JA12B

4F100JG01B

4F100JG01C

4F100JN01B

4F100JN01C

5G307FA02

5G307FB01

5G307FC10

(57)【要約】

【課題】低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる光透過性導電性シートを提供すること。
【解決手段】光透過性導電性シート１は、基材層２と、光透過性導電層３とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。光透過性導電層３は、第１領域３１と第２領域３２とを厚み方向一方側に向かって順に備える。第１領域３１の主要な領域は、結晶質である。第２領域３２の主要な領域は、非晶質である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材層と、光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記光透過性導電層は、第１領域と第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第１領域の主要な領域が、結晶質であり、
前記第２領域の主要な領域が、非晶質である、光透過性導電性シート。

【請求項2】

前記第２領域の厚みは、前記第１領域の厚みよりも厚い、請求項１に記載の光透過性導電性シート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光透過性導電性シートに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基材と光透過性導電層とを順に備える光透過性導電性シートが知られている。このような光透過性導電性シートは、各種デバイス（例えば、タッチセンサ）において、好適に用いられる。

【0003】

このような光透過性導電性シートとして、例えば、樹脂層と光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、光透過性導電層が、非晶質である第１領域と、結晶質である第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に含む光透過性導電性シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開２０２１／２４１１１８号パンフレット

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

一方、光透過性導電層には、より低い比抵抗が求められる。比抵抗を低くする観点から、光透過性導電層の厚みを厚くすることも検討されるが、光透過性導電層の厚みを厚くすると、屈曲性が低下するという不具合がある。

【0006】

本発明は、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる光透過性導電性シートを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明［１］は、基材層と、光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、前記光透過性導電層は、第１領域と第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第１領域の主要な領域が、結晶質であり、前記第２領域の主要な領域が、非晶質である、光透過性導電性シートである。

【0008】

本発明［２］は、前記第２領域の厚みは、前記第１領域の厚みよりも厚い、上記［１］に記載の光透過性導電性シートを含んでいる。

【発明の効果】

【0009】

本発明の光透過性導電性シートは、基材層と、光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。また、この光透過性導電性シートにおいて、光透過性導電層は、主要な領域が結晶質である第１領域と、主要な領域が非晶質である第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に備える。そのため、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、本発明の光透過性導電性シートの一実施形態を示す。

【図2】図２Ａ～図２Ｄは、光透過性導電性シートの製造方法の一実施形態を示す。図２Ａは、第１工程において、基材を準備する工程を示す。図２Ｂは、第１工程において、基材の厚み方向一方面に、硬化樹脂層を配置する工程を示す。図２Ｃは、第２工程において、基材層の厚み方向一方面に、第１領域を配置する第３工程を示す。図２Ｄは、第２工程において、第１領域の厚み方向一方面に、第２領域を配置する第４工程を示す。

【発明を実施するための形態】

【0011】

図１を参照して、本発明の光透過性導電性シートの一実施形態を説明する。

【0012】

図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向）である。また、紙面上側が、上側（厚み方向一方側）である。また、紙面下側が、下側（厚み方向他方側）である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

【0013】

光透過性導電性シート１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む。）を有する。光透過性導電性シート１は、厚み方向と直交する面方向に延びる。光透過性導電性シート１は、平坦な上面および平坦な下面を有する。光透過性導電性シート１は、好ましくは、可撓性を有する。

【0014】

図１に示すように、光透過性導電性シート１は、基材層２と、基材層２の厚み方向一方側に配置される光透過性導電層３とを備える。具体的には、光透過性導電性シート１は、基材層２と、基材層２の上面（厚み方向一方側）に直接配置される光透過性導電層３とを備える。光透過性導電性シート１は、好ましくは、基材層２と光透過性導電層３とからなる。

【0015】

光透過性導電性シート１の厚みは、例えば、４００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。

【0016】

＜基材層＞
基材層２は、フィルム形状を有する。基材層２は、好ましくは、可撓性を有する。基材層２は、光透過性導電層３の下面に接触するように、光透過性導電層３の下面全面に、配置されている。基材層２は、光透過性導電性シート１の最下層である。

【0017】

基材層２は、基材１１と、基材１１の厚み方向一方側に配置される硬化樹脂層１２とを備える。

【0018】

［基材］
基材１１は、硬化樹脂層１２の下面に接触するように、硬化樹脂層１２の下面全面に、配置されている。基材１１は、光透過性導電性シート１の最下層である。

【0019】

基材１１としては、例えば、高分子フィルム、ガラスが挙げられる。基材１１として、好ましくは、屈曲性の観点から、高分子フィルムが挙げられる。

【0020】

高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、および、ポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられる。（メタ）アクリル樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレートが挙げられる。オレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。セルロース樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロースが挙げられる。

【0021】

高分子フィルムの材料として、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられる。高分子フィルムの材料として、より好ましくは、ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。

【0022】

基材１１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。

【0023】

基材１１の厚みは、ダイヤルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、「ＤＧ－２０５」）を用いて測定できる。

【0024】

また、基材１１は、好ましくは、透明性を有する。具体的には、基材層２の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、８０％以上、好ましくは、８５％以上である。

【0025】

［硬化樹脂層］
硬化樹脂層１２は、光透過性導電層３の下面に接触するように、光透過性導電層３の下面全面に、配置されている。

【0026】

硬化樹脂層１２としては、誘電体層が挙げられる。以下の説明では、硬化樹脂層１２が誘電体層である場合について、詳述する。

【0027】

誘電体層は、基材１１と光透過性導電層３の間を絶縁するための層である。

【0028】

誘電体層として、誘電体層組成物（例えば、メラミン樹脂、アルキド樹脂、有機シラン縮合物）の硬化物が挙げられる。

【0029】

誘電体層の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上、また、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下である。

【0030】

誘電体層は、詳しくは後述するが、基材１１の厚み方向一方面に、誘電体層組成物を塗布し、必要により乾燥させ、硬化させることにより形成される。

【0031】

＜光透過性導電層＞
光透過性導電層３は、フィルム形状を有する。光透過性導電層３は、基材層２の上面に接触するように、基材層２の上面全面に、配置されている。光透過性導電層３は、光透過性導電性シート１の最上層である。

【0032】

光透過性導電層３の材料としては、例えば、導電性酸化物が挙げられる。導電性酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、および、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属または半金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子または半金属原子をドープしていてもよい。

【0033】

導電性酸化物としては、例えば、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物として、例えば、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、および、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。

【0034】

導電性酸化物として、透明性および電気伝導性を向上する観点から、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。以下の説明では、光透過性導電層３の材料が、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）である場合について、詳述する。

【0035】

インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）において、酸化スズの濃度は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、１質量％以上、例えば、３０質量％以下である。

【0036】

光透過性導電層３は、第１領域２１と、第２領域２２とを厚み方向一方側に向かって順に備える。

【0037】

［第１領域］
第１領域２１は、光透過性導電層３における厚み方向他方側部分である。第１領域２１は、光透過性導電層３の厚み方向他方面を含む。また、第１領域２１は、光透過性導電層３における面方向すべてに渡って形成されている。

【0038】

第１領域２１の主要な領域は、結晶質（結晶性）である。詳しくは、第１領域２１は、断面視において、主要な領域として、結晶質である領域を含む。具体的には、このような第１領域２１の態様として、例えば、断面視において、第１領域２１におけるすべての領域が結晶質である態様、例えば、断面視において、第１領域２１において主要な領域が結晶質であり、残りわずかな領域が、非晶質である態様が挙げられる。

【0039】

第１領域２１における結晶性は、断面ＴＥＭ画像の観察によって確認される。また、高倍率の断面ＴＥＭ観察にて、格子縞の有無および格子縞が確認される領域の割合を観察することにより、第１領域２１が結晶質であること、および／または、結晶質が主要な領域であることを同定することができる。また、第１領域２１が結晶質である場合には、例えば、第１領域２１を、５質量％の塩酸水溶液に１５分間浸漬した後、水洗および乾燥し、第１領域２１の表面において１５ｍｍ程度の間の二端子間抵抗を測定し、二端子間抵抗が１０ｋΩ以下である。

【0040】

また、断面視において、第１領域２１における主要な領域の面積比（結晶質の面積比）は、例えば、０．７以上、好ましくは、０．８以上、より好ましくは、０．９以上であり、また、例えば、１以下である。

【0041】

第１領域２１の厚みは、好ましくは、後述する第２領域２２の厚みよりも薄く、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、２０ｎｍ以上、また、例えば、７０ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下、より好ましくは、３０ｎｍ以下である。

【0042】

また、光透過性導電層３の厚みに対する第１領域２１の厚みの比は、例えば、０．１０以上、好ましくは、０．１５以上、また、例えば、０．４０以下、好ましくは、０．２０以下、より好ましくは、０．１７以下である。

【0043】

上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。

【0044】

また、第１領域２１の厚みの測定方法は、後述する実施例において詳述する。

【0045】

また、第１領域２１は、第３領域３１と、第４領域３２とを厚み方向一方側に向かって順に備える。第３領域３１および第４領域３２は、光透過性導電層３における面方向すべてに渡って形成されている。

【0046】

第３領域３１と第４領域３２とは、例えば、ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）および酸化スズ（ＳｎＯ_２）の合計量に対する酸化スズの量の割合（酸化スズ含有割合）が互いに相異なる。好ましくは、低抵抗化の観点から、第３領域３１の酸化スズ含有割合は、第４領域３２の酸化スズ含有割合より大きい。

【0047】

第３領域３１の酸化スズ含有割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、７質量％以上、より好ましくは、９質量％以上、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは。１２質量％以下である。第４領域３２の酸化スズ含有割合は、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、また、例えば、５質量％未満、好ましくは、４質量％以下である。

【0048】

第３領域３１の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上、より好ましくは、１０ｎｍ以上、また、例えば、３５ｎｍ以下、好ましくは、２５ｎｍ以下、より好ましくは、１５ｎｍ以下である。

【0049】

第３領域３１の厚みの割合は、第１領域２１の厚みに対して、例えば、２０％以上、好ましくは、４０％以上、また、例えば、８０％以下、好ましくは、６０％以下である。

【0050】

第４領域３２の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上、より好ましくは、１０ｎｍ以上、また、例えば、３５ｎｍ以下、好ましくは、２５ｎｍ以下、より好ましくは、１５ｎｍ以下である。

【0051】

第４領域３２の厚みの割合は、第１領域２１の厚みに対して、例えば、２０％以上、好ましくは、４０％以上、また、例えば、８０％以下、好ましくは、６０％以下である。

【0052】

［第２領域］
第２領域２２は、光透過性導電層３における厚み方向一方側部分である。第２領域２２は、光透過性導電層３の厚み方向一方面を含む。また、第２領域２２は、第１領域２１の厚み方向一方側に連続する。また、第２領域２２は、光透過性導電層３における面方向すべてに渡って形成されている。

【0053】

第２領域２２の主要な領域は、非晶質（非晶性）である。詳しくは、第２領域２２は、断面視において、主要な領域として、非晶質である領域を含む。具体的には、このような第２領域２２の態様として、例えば、断面視において、第２領域２２におけるすべての領域が非晶質である態様、例えば、断面視において、第２領域２２において主要な領域が非晶質であり、残りわずかな領域が、結晶質である態様が挙げられる。

【0054】

第２領域２２における非晶性は、断面ＴＥＭ画像の観察によって確認される。また、高倍率の断面ＴＥＭ観察にて、格子縞の有無および格子縞が確認される領域の割合を観察することにより、第２領域２２が非晶質であること、および／または、非晶質が主要な領域であることを同定することができる。また、第２領域２２が非晶質である場合には、例えば、第２領域２２を、５質量％の塩酸水溶液に１５分間浸漬した後、水洗および乾燥し、第２領域２２の表面において１５ｍｍ程度の間の二端子間抵抗を測定し、二端子間抵抗が１０ｋΩ超過する。

【0055】

また、断面視において、第２領域２２における主要な領域の面積比（非晶質の面積比）は、例えば、０．６以上、好ましくは、０．８以上、より好ましくは、０．９以上であり、また、例えば、１以下である。

【0056】

第２領域２２の厚みは、屈曲性の観点から、好ましくは、第１領域２１の厚みよりも厚く、例えば、７０ｎｍ超過、好ましくは、８０ｎｍ以上、より好ましくは、９０ｎｍ以上、さらに好ましくは、１００ｎｍ以上、また、低比抵抗の観点から、例えば、１５０ｎｍ以下、好ましくは、１１０ｎｍ以下である。

【0057】

また、光透過性導電層３の厚みに対する第２領域２２の厚みの比は、例えば、０．６０以上、好ましくは、０．８０以上、より好ましくは、０．８３以上、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．８５以下である。

【0058】

上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。

【0059】

第２領域２２の厚みの測定方法は、後述する実施例において詳述する。

【0060】

第２領域２２の厚みが、第１領域の厚みよりも厚ければ、屈曲性をより一層向上することができる。

【0061】

そして、第１領域２１の厚みに対する第２領域２２の厚みの比は、例えば、１超過、好ましくは、２．０以上、より好ましくは、４．０以上、さらに好ましくは、４．５以上、また、例えば、１５０以下、好ましくは、１００以下、より好ましくは、１０以下、さらに好ましくは、５．０以下である。

【0062】

上記比が、上記の範囲内であれば、低い比抵抗を有しながら、屈曲性を向上させることができる。

【0063】

［光透過性導電層の物性］
光透過性導電層３の厚みは、第１領域２１および第２領域２２の総和であって、低抵抗の観点から、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、１１０ｎｍ以上、より好ましくは、１２５ｎｍ以上、また、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、１５０ｎｍ以下である。

【0064】

光透過性導電層３の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、８５％以上、また、例えば、１００％以下である。

【0065】

光透過性導電層３の表面抵抗は、例えば、４０Ω／□以下、好ましくは、３５Ω／□以下、また、例えば、０Ω／□超過である。表面抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定できる。

【0066】

光透過性導電層３の比抵抗は、例えば、２．８×１０^－４Ωｃｍ以下、より好ましくは、２．５×１０^－４Ωｃｍ以下、また、例えば、０Ωｃｍ超過、好ましくは、０．１×１０^－４Ωｃｍ以上、より好ましくは、１．０×１０^－４Ωｃｍ以上である。比抵抗は、表面抵抗に厚みを乗じて得られる。

【0067】

＜光透過性導電性シートの製造方法＞
図２Ａ～図２Ｄを参照して、光透過性導電性シート１の製造方法を説明する。

【0068】

光透過性導電性シート１の製造方法は、基材層２を準備する第１工程と、スパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、光透過性導電層３を配置する第２工程とを備える。また、この方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。このような場合には、搬送速度は、例えば、１．０ｍ／分以上、また、例えば、２０．０ｍ／分以下である。

【0069】

［第１工程］
第１工程では、基材層２を準備する。

【0070】

基材層２を準備するには、図２Ａに示すように、基材１１を準備する。

【0071】

次いで、図２Ｂに示すように、基材１１の厚み方向一方面に、硬化樹脂層１２（誘電体層）を配置する。

【0072】

基材１１の厚み方向一方面に、硬化樹脂層１２（誘電体層）を配置するには、基材１１の厚み方向一方面に、誘電体層組成物を塗布し、必要により乾燥させ、硬化させる。これにより、基材１１の厚み方向一方面に、硬化樹脂層１２（誘電体層）を配置し、基材層２を準備する。

【0073】

［第２工程］
第２工程では、スパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、光透過性導電層３を配置する。

【0074】

詳しくは、第２工程は、基材層２の厚み方向一方面に、第１領域２１を配置する第３工程と、第１領域２１の厚み方向一方面に、第２領域２２を配置する第４工程とを備える。

【0075】

（第３工程）
第３工程では、図２Ｃに示すように、スパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、第１領域２１を配置する。具体的には、スパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、第３領域３１と第４領域３２とを順に配置し、その後、第３領域３１と第４領域３２とを結晶化させる。

【0076】

スパッタリング法によって、基材層２の厚み方向一方面に、第３領域３１と第４領域３２とを順に配置する前に、必要により、基材層２の厚み方向一方面に表面処理を施す。

【0077】

表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、および、ケン化処理が挙げられる。

【0078】

次いで、スパッタリング法では、基材層２の搬送方向に沿って配置される２つの真空チャンバー内のそれぞれに、基材層２の搬送方向に沿って順に、ターゲットとして、第３領域３１の材料と、第４領域３２の材料とを配置する。また、ターゲットは、基材層２と対向配置するように設置される。また、スパッタリングにおいて、基材層２は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。

【0079】

次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を基材層２の表面（厚み方向一方面）に堆積させて、第３領域３１と第４領域３２とを順に配置する。

【0080】

スパッタリングガスとしては、例えば、不活性ガス（例えば、クリプトンガス、アルゴンガス）および酸素ガスが挙げられる。スパッタリングガスとして、好ましくは、不活性ガスおよび酸素ガスを併用する。不活性ガスとして、好ましくは、クリプトンガスが挙げられる。不活性ガスとして、クリプトンガスを用いる場合には、第１領域２１（第３領域３１および第４領域３２）は、クリプトン原子を含む。

【0081】

酸素ガスの導入量は、不活性ガスおよび酸素ガスの総量に対して、例えば、１．０流量％以上、好ましくは、１．５流量％以上、また、例えば、５．０流量％以下、好ましくは、２．０流量％以下である。

【0082】

スパッタリング時の気圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．２Ｐａ以上、また、例えば、２．０Ｐａ以下である。

【0083】

電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、および、ＲＦ電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。

【0084】

放電出力は、例えば、１．０ｋＷ以上、好ましくは、１０．０ｋＷ以上、また、例えば、２０ｋＷ以下である。

【0085】

ターゲットの水平磁場強度は、例えば、１０ｍＴ以上、好ましくは、６０ｍＴ以上、また、例えば、２００ｍＴ以下、好ましくは、１００ｍＴ以下である。

【0086】

また、成膜ロールの温度は、例えば、２０℃以下、好ましくは、１０℃以下、より好ましくは、０℃以下、また、例えば、－５０℃以上、好ましくは、－２５℃以上である。

【0087】

次いで、第３領域３１および第４領域３２を結晶化させる。

【0088】

第３領域３１および第４領域３２を結晶化させるには、第３領域３１および第４領域３２を加熱する。具体的には、スパッタリング後に、加熱ロールを用いて、第３領域３１および第４領域３２を加熱する。

【0089】

加熱条件として、加熱温度は、例えば、１２０℃以上、好ましくは、１５０℃以上、また、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２００℃以下である、また、加熱時間は、３０秒以上、また、例えば、１２０秒以下である。

【0090】

これにより、第３領域３１および第４領域３２が結晶化して、第１領域２１が得られる。以上により、基材層２の厚み方向一方面に、第１領域２１を配置する。

【0091】

（第４工程）
第４工程では、図２Ｄに示すように、スパッタリング法によって、第１領域２１の厚み方向一方面に、第２領域２２を配置する。

【0092】

次いで、スパッタリング法では、真空チャンバー内にターゲット（第２領域２２の材料）および第１領域２１を対向配置する。次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を第１領域２１の表面（厚み方向一方面）に堆積させて、第２領域２２を形成する。また、スパッタリングにおいて、基材層２は、成膜ロールの周方向に沿って、密着している。

【0093】

また、スパッタリングガスとしては、例えば、不活性ガス（例えば、クリプトンガス、アルゴンガス）および酸素ガスが挙げられる。不活性ガスとして、好ましくは、アルゴンガスが挙げられる。不活性ガスとして、アルゴンガスを用いる場合には、第２領域２２は、アルゴン原子を含む。

【0094】

酸素ガスの導入量は、不活性ガスおよび酸素ガスの総量に対して、例えば、０．０５流量％以上、好ましくは、０．１流量％以上、また、例えば、２．０流量％以下、好ましくは、１．０流量％以下である。

【0095】

スパッタリング時の気圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．２Ｐａ以上、また、例えば、２．０Ｐａ以下である。

【0096】

電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、および、ＲＦ電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。

【0097】

放電出力は、例えば、１．０ｋＷ以上、好ましくは、１０．０ｋＷ以上、また、例えば、２０ｋＷ以下である。

【0098】

ターゲットの水平磁場強度は、例えば、１０ｍＴ以上、また、例えば、２００ｍＴ以下、好ましくは、１００ｍＴ以下、より好ましくは、４０ｍＴ以下である。

【0099】

また、成膜ロールの温度は、例えば、２０℃以下、好ましくは、１０℃以下、より好ましくは、０℃以下、また、例えば、－５０℃以上、好ましくは、－２５℃以上である。

【0100】

これにより、第１領域２１の厚み方向一方面に、第２領域２２を配置する。以上により、光透過性導電性シート１が得られる。

【0101】

＜作用効果＞
光透過性導電性シート１は、基材層２と、光透過性導電層３とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。また、この光透過性導電性シート１において、光透過性導電層３は、主要な領域が結晶質である第１領域２１と、主要な領域が非晶質である第２領域２２とを厚み方向一方側に向かって順に備える。そのため、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる。

【0102】

詳しくは、光透過性導電層３には、より低い比抵抗が求められるが、比抵抗を低くする観点から、光透過性導電層３の厚みを厚くすると、屈曲性が低下するという不具合がある。

【0103】

一方、この光透過性導電性シート１では、第１領域２１と第２領域２２とが、所定の順番で配置されている。そのため、低い比抵抗を有しながら、屈曲性に優れる。

【0104】

＜変形例＞
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、第一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

【0105】

上記した説明では、硬化樹脂層１２が誘電体層であるが、硬化樹脂層１２は、ハードコート層であってもよい。

【0106】

ハードコート層は、光透過性導電層３に擦り傷を生じ難くするための擦傷保護層である。

【0107】

ハードコート層として、例えば、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載のハードコート組成物（アクリル樹脂、ウレタン樹脂など）の硬化物が挙げられる。

【0108】

ハードコート層は、基材１１の厚み方向一方面に、ハードコート組成物を塗布し、必要により乾燥させ、硬化させることにより、形成される。

【0109】

ハードコート層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。

【0110】

また、上記した説明では、基材層２は、基材１１と硬化樹脂層１２とを備えるが、硬化樹脂層１２を備えず、基材１１のみを備えることもできる。

【0111】

また、上記した説明では、第１領域２１は、第３領域３１と、第４領域３２とを厚み方向一方側に向かって順に備えるが、第３領域３１および第４領域３２のうちの一方のみを備えることでもできる。好ましくは、第１領域２１は、第３領域３１と、第４領域３２とを厚み方向一方側に向かって順に備える。

【実施例0112】

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替できる。

【0113】

＜光透過性導電性シートの製造＞
実施例１
［第１工程］
基材として、長尺のＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ、東レ社製）を準備した。

【0114】

次いで、基材の厚み方向一方面に、誘電体層組成物（メラミン樹脂：アルキド樹脂：有機シラン縮合物の重量比２：２：１の熱硬化型樹脂 （光の屈折率ｎ＝１．５４））を塗布し、硬化させて、誘電体層（厚み：３５ｎｍ）を形成した。これにより、基材層を準備した。

【0115】

［第２工程］
基材層の厚み方向一方面に、反応性スパッタリング法により、第１領域を配置した。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置（ＤＣマグネトロンスパッタリング装置）を使用した。

【0116】

（第３工程）
具体的には、まず、基材層の厚み方向一方面に、非晶質の第３領域を配置した。

【0117】

詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度は１０質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、－５℃とした。また、スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が０．９×１０^－４Ｐａに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてのクリプトンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．２Ｐａとした。スパッタ成膜装置に導入されるクリプトンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約１．８流量％であった。これにより、基材層の厚み方向一方面に、非晶質の第３領域（１１ｎｍ）を配置した。

【0118】

次いで、第３領域の厚み方向一方面に、非晶質の第４領域を配置した。

【0119】

詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度は３質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、－５℃とした。スパッタリングガスとしてのクリプトンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．２Ｐａとした。スパッタ成膜装置に導入されるクリプトンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約１．８流量％であった。これにより、第３領域の厚み方向一方面に、非晶質の第４領域（１１ｎｍ）を配置した。

【0120】

次いで、第３領域および第４領域を備える基材層を、真空加熱装置内で加熱ロールと接触させた。これにより、第３領域および第４領域を結晶化させた。加熱温度は１６０℃であり、加熱時間は１分であった。これにより、基材層の厚み方向一方面に、第１領域を配置した。

【0121】

（第４工程）
第１領域の厚み方向一方面に、非晶質の第２領域を配置した。

【0122】

詳しくは、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度は１２質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は３０ｍＴとした。スパッタリング装置において、基材層を、成膜ロールの周方向に沿って、密着させた。成膜ロールの温度は、－５℃とした。また、スパッタ成膜装置が備える成膜室内の到達真空度が０．９×１０^－４Ｐａに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、スパッタ成膜装置内に、スパッタリングガスとしてのアルゴンと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、スパッタ成膜装置内の気圧を０．２Ｐａとした。スパッタ成膜装置に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約０．１流量％であった。これにより、第１領域の厚み方向一方面に、非晶質の第２領域（１０８ｎｍ）を配置した。以上により、光透過性導電性シートを製造した。

【0123】

実施例２
実施例１と同様の手順に基づいて、光透過性導電性シートを製造した。但し、第２領域の厚みを変更した。

【0124】

比較例１
実施例１と同様の手順に基づいて、光透過性導電性シートを製造した。但し、第３工程を実施しなかった。また、第４工程において、スパッタ成膜装置に導入するアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を、約２．４流量％とし、第２領域の厚みを変更した。

【0125】

比較例２
実施例１と同様の手順に基づいて、光透過性導電性シートを製造した。但し、第４工程を実施しなかった。

【0126】

比較例３
実施例１と同様の手順に基づいて、光透過性導電性シートを製造した。但し、第３工程において、非晶質の第３領域（１２０ｎｍ）と、非晶質の第４領域（１０ｎｍ）と順に配置して、その後、これらを結晶化させた。また、第４工程を実施しなかった。

【0127】

比較例４
実施例１と同様の手順に基づいて、光透過性導電性シートを製造した。但し、第２工程において、第４工程を実施してから、第３工程を実施した。また、第１領域および第２領域の厚みを、表１の記載に基づき変更した。

【0128】

＜評価＞
［光透過性導電層の厚み］
各実施例および各比較例の光透過性導電層（各領域）の厚みを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、各実施例および各比較例の光透過性導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける光透過性導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」、ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。

【0129】

また、第４領域の厚みは、第１領域の厚み（第３領域の厚みおよび第４領域の厚みの総和）から、第３領域の厚みを差し引くことにより算出した。また、第２領域の厚みは、光透過性導電層全体の厚みから、第１領域の厚みを差し引くことにより算出した。その結果を表１に示す。

【0130】

［抵抗値］
各実施例および各比較例の光透過性導電層の抵抗値（Ｒ０）を、四端子法にて、測定した。５０Ω未満の抵抗値は実数を記載し、５０Ω以上の場合は、５０Ω以上と表記した。その結果を表１に示す。

【0131】

［屈曲性］
各実施例および各比較例の光透過性導電性シートについて、屈曲性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例の光透過性導電性シートを、それぞれ幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍに切断して、サンプルを調製した。次いで、このサンプルを、光透過性導電層が外側となる状態かつ基材の厚み方向他方面がマンドレルと接触する状態となるように、マンドレルの上に配置した。続いて、光透過性導電性シートの長手方向の両端をクリップで留め、そのクリップの中央に１０００ｇの重りを取り付けた。すなわち、光透過性導電性シートの幅に対して１００ｇ／ｍｍの荷重を、下側に向かって印加して、光透過性導電性シートを折り曲げた。この折り曲げ状態を１０秒間持続させた。

【0132】

この折り曲げ状態で、屈曲部にマジック塗りを実施した後、折り曲げ状態を開放し、該マジック部を顕微鏡にて観察した。本試験方法にて、マンドレルの直径を大径から小径に１ｍｍごとに変更していき、このマジック塗り部の顕微鏡において、クラックが確認できなかった最小の径を表１に記載した。本数値が小さいほど、耐屈曲性に優れると評価できる。その結果を表１に示す。

【0133】

なお、上記試験では、マンドレルの直径を大径から小径に１ｍｍごとに変更するが、その変更ごとに、サンプルを変更した。つまり、上記試験では、１つのサンプルについての、折り曲げ回数は１回であり、折り曲げるごとに、別のサンプル（同一条件で製造した別のサンプル）に変更した。

【0134】

【表1】

【符号の説明】

【0135】

１ 光透過性導電性シート
２ 基材層
３１ 第１領域
３２ 第２領域

【図1】

【図2】

【手続補正書】

【提出日】2024-05-22

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

基材層と、光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記光透過性導電層は、第１領域と第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第１領域の主要な領域が、結晶質であり、
前記第２領域の主要な領域が、非晶質であり、
前記光透過性導電層の厚みに対する前記第１領域の厚みの比は、０．１０以上０．４０以下であり、
前記光透過性導電層の厚みに対する前記第２領域の厚みの比は、０．６０以上０．９０以下である、光透過性導電性シート。

【手続補正書】

【提出日】2024-10-01

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

基材層と、光透過性導電層とを、厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記光透過性導電層は、第１領域と第２領域とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記第１領域の主要な領域が、結晶質であり、
前記第２領域の主要な領域が、非晶質であり、
前記光透過性導電層の厚みに対する前記第１領域の厚みの比は、０．１０以上０．４０以下であり、
前記光透過性導電層の厚みに対する前記第２領域の厚みの比は、０．６０以上０．９０以下であり、
前記基材層は、基材と硬化樹脂層とを前記厚み方向一方側に向かって順に備える、光透過性導電性シート。