▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024143980
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20241003BHJP
H01L 25/04 20230101ALI20241003BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 Q
H01L25/04 Z
H05K3/46 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023121808
(22)【出願日】2023-07-26
(31)【優先権主張番号】10-2023-0041768
(32)【優先日】2023-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】鄭 治鉉
(72)【発明者】
【氏名】郭 鉉想
(72)【発明者】
【氏名】李 晟煥
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB02
5E316BB03
5E316BB04
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC35
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE01
5E316FF07
5E316FF08
5E316FF09
5E316FF10
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH40
5E316JJ15
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ダイツーダイ相互連結を行うことができるプリント回路基板を提供する。
【解決手段】プリント回路基板は、第１絶縁層１１１、第１絶縁層上又は内に配置される第１配線層１２１及び第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティＣを含む基板部１００、基板部のキャビティＣ内に配置され、第２絶縁層２１２、第２絶縁層上又は内に配置される第２配線層２２２及び第２絶縁層の下面及び側面上に配置される金属層２４０を含む連結部材４００を含む。金属層は、連結部材の最外側に配置される。
【選択図】図４
【解決手段】プリント回路基板は、第１絶縁層１１１、第１絶縁層上又は内に配置される第１配線層１２１及び第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティＣを含む基板部１００、基板部のキャビティＣ内に配置され、第２絶縁層２１２、第２絶縁層上又は内に配置される第２配線層２２２及び第２絶縁層の下面及び側面上に配置される金属層２４０を含む連結部材４００を含む。金属層は、連結部材の最外側に配置される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層、前記第１絶縁層上又は前記第１絶縁層内に配置される第１配線層、及び前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティを含む基板部と、
前記基板部の前記キャビティ内に配置され、第２絶縁層、前記第２絶縁層上又は前記第２絶縁層内に配置される第２配線層、及び前記第２絶縁層の下面及び側面上に配置される金属層を含む連結構造体と、を含み、
前記金属層は前記連結構造体の最外側に配置される、プリント回路基板。
前記基板部の前記キャビティ内に配置され、第２絶縁層、前記第２絶縁層上又は前記第２絶縁層内に配置される第２配線層、及び前記第２絶縁層の下面及び側面上に配置される金属層を含む連結構造体と、を含み、
前記金属層は前記連結構造体の最外側に配置される、プリント回路基板。
【請求項2】
前記連結構造体は、前記金属層と前記第２絶縁層との間に配置される保護層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記金属層の厚さは、前記保護層の厚さより薄い、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス金属（ＳＵＳ）のうち少なくともいずれか一つを含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記金属層は、前記第２絶縁層の下面及び側面に接する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記金属層は、前記キャビティの底面及び壁面と離隔するように配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記基板部は、前記キャビティの底面と前記連結構造体との間に配置される接着層をさらに含む、請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記基板部は、前記第１絶縁層上に配置され、前記連結構造体をカバーするように前記キャビティを充填する第３絶縁層及び前記第３絶縁層上に配置される第３配線層をさらに含む、請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記基板部は、前記第３絶縁層上に配置され、開口を含む半田レジスト層をさらに含む、請求項８に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記第２絶縁層の上面及び前記金属層の上面は同一平面上に位置する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記連結構造体は、前記金属層と前記第２絶縁層との間に配置される保護層をさらに含み、
前記保護層の上面及び前記金属層の上面は同一平面上に位置する、請求項１０に記載のプリント回路基板。
前記保護層の上面及び前記金属層の上面は同一平面上に位置する、請求項１０に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
前記第２配線層の配線密度は、前記第１配線層の配線密度より高い、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項13】
前記第２絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層の厚さより薄い、請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項14】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層はそれぞれ有機材料を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部上に配置され、前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部と電気的に連結される第１半導体チップと、
前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部上に配置され、前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部と電気的に連結され、前記連結構造体を介して前記第１半導体チップと電気的に連結される第２半導体チップと、をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部上に配置され、前記基板部の一部及び前記連結構造体の一部と電気的に連結され、前記連結構造体を介して前記第１半導体チップと電気的に連結される第２半導体チップと、をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項16】
第１絶縁層、前記第１絶縁層上又は前記第１絶縁層内に配置される第１配線層、及び前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティを含む基板部と、
前記基板部の前記キャビティ内に配置され、第２絶縁層、前記第２絶縁層上又は前記第２絶縁層内に配置される第２配線層、前記第２絶縁層の下面及び側面をカバーする保護層、及び前記保護層上に配置される金属層を含む連結構造体と、を含む、プリント回路基板。
前記基板部の前記キャビティ内に配置され、第２絶縁層、前記第２絶縁層上又は前記第２絶縁層内に配置される第２配線層、前記第２絶縁層の下面及び側面をカバーする保護層、及び前記保護層上に配置される金属層を含む連結構造体と、を含む、プリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、人工知能（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ、ＡＩ）技術などの発達により、指数関数的に増加したデータを処理するためのＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ又はＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などのプロセッサチップなどを含むマルチチップパッケージが使用されている。特に、サーバ製品のＣＰＵ、ＧＰＵのコア数が急激に増加するにつれて、効果的にコア数を増加させることができるダイスプリット技術が普遍化しており、ダイツーダイ相互連結が求められている。ダイツーダイ相互連結を行う連結構造体を含むように基板を設計し、単純化された基板及びパッケージ構造を図り、連結構造体の信頼性を向上させながら歩留まりを増大させるための研究が続けられている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明の様々な目的のうち一つは、電子部品及び半導体チップなどを実装するためのプリント回路基板において、ダイツーダイ相互連結を行うことができるプリント回路基板を提供することである。
【0004】
本発明の様々な目的のうち他の一つは、ダイツーダイ相互連結時に基板の内外部の要因から連結構造体を保護することができるプリント回路基板を提供することである。
【0005】
本発明の様々な目的のうち他の一つは、信頼性を向上させることができるプリント回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうち一つは、第１絶縁層、第１絶縁層上又は第１絶縁層内に配置される第１配線層、及び第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティを含む基板部、基板部の上記キャビティ内に配置され、第２絶縁層、第２絶縁層上又は第２絶縁層内に配置される第２配線層、並びに第２絶縁層の下面及び側面上に配置される金属層を含む連結構造体を含み、金属層は連結構造体の最外側に配置されるプリント回路基板を提供することである。
【0007】
本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうち他の一つは、第１絶縁層、第１絶縁層上又は第１絶縁層内に配置される第１配線層、及び第１絶縁層の少なくとも一部を貫通するキャビティを含む基板部、基板部のキャビティ内に配置され、第２絶縁層、第２絶縁層上又は第２絶縁層内に配置される第２配線層、第２絶縁層の下面及び側面をカバーする保護層、並びに保護層上に配置される金属層を含む連結構造体を含むプリント回路基板を提供することである。
【発明の効果】
【0008】
本発明の様々な効果のうち一効果として、電子部品及び半導体チップなどを実装するためのプリント回路基板において、ダイツーダイ相互連結を行うことができるプリント回路基板を提供することができる。
【0009】
本発明の様々な効果のうち他の一効果として、ダイツーダイ相互連結時に基板の内外部の要因から連結構造体を保護することができるプリント回路基板を提供することができる。
【0010】
本発明の様々な効果のうち他の一効果として、信頼性を向上させることができるプリント回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【図3】一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図4】一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図5】他の一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図6】他の一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図7】さらに他の一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図8】さらに他の一例によるプリント回路基板を概略的に示す断面図である。
【図9a】様々な一例による連結構造体を概略的に示す断面図である。
【図9b】様々な一例による連結構造体を概略的に示す断面図である。
【図10a】様々な一例による連結構造体の製造方法を概略的に示す断面図である。
【図10b】様々な一例による連結構造体の製造方法を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。
【0013】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【0014】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0015】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。
【0016】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0017】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0018】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されても又はされなくてもよい他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。
【0019】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0020】
図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【0021】
図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されても又はされなくてもよい他の部品が内部に収容されている。部品１１２０のうち一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0022】
【0023】
図３を参照すると、一例によるプリント回路基板は、基板部１００と連結構造体２００とを含む。基板部１００は、プリント回路基板の信号経路を実現する部分であり、連結構造体２００は、チップなどの構成の間を互いに連結する部分に該当する。連結構造体２００は、微細なチップなどの電子部品に対応して微細な信号経路を実現する部分であって、連結構造体２００を挟んで複数のチップなどの電子部品が配置されることができ、チップなどの電子部品の相互接続を行って電気的信号経路を維持する部分に該当する。
【0024】
基板部１００は、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１上又は内に配置される第１配線層１２１、及び第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通するキャビティを含むことができる。基板部１００は、第１配線層１２１を互いに連結するように第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通する第１ビア層１３１を含むことができる。
【0025】
第１絶縁層１１１は複数の絶縁層で構成されることができ、それぞれの第１絶縁層１１１は絶縁材料を含むことができる。絶縁材料としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。絶縁材料は、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。例えば、第１絶縁層１１１の絶縁材料としては、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などであってもよいが、これらに限定されるものではなく、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などであってもよい。しかし、これらに限定されるものではなく、必要に応じて、それら以外にも他の剛性に優れたその他の高分子材料が用いられてもよい。
【0026】
第１配線層１２１は複数の配線層で構成されることができ、それぞれの第１配線層１２１は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などを使用することができる。第１配線層１２１は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。第１配線層１２１は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン、及び／又はパッド（Ｐａｄ)パターンを含むことができる。
【0027】
第１ビア層１３１は複数のビア層で構成されることができ、それぞれの第１ビア層１３１はマイクロビアを含むことができる。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）であってもよく、又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアはスタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）で配置されることができる。それぞれの第１ビア層１３１は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含むことができる。接続ビア層は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。第１ビア層１３１は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。
【0028】
それぞれの第１配線層１２１及びそれぞれの第１ビア層１３１は互いに一体に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。第１配線層１２１及び第１ビア層１３１は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、又はサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法のうちいずれか一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、プリント回路基板において回路を構成できる工法であれば、制限なく利用可能である。
【0029】
一方、図３では、第１絶縁層１１１が３つの層で構成されるものとして表現されており、これに対応する数の第１配線層１２１及び第１ビア層１３１を有するものとして表現されているが、これに限定されるものではなく、第１絶縁層１１１、第１配線層１２１、及び第１ビア層１３１の層数は設計に応じて変更可能である。特に、第１絶縁層１１１はコアを含むコア絶縁層をさらに含んでもよく、第１配線層１２１は銅箔を含んでもよく、第１ビア層１３１もコア絶縁層を貫通する貫通ビアを含んでもよい。このように、一例によるプリント回路基板の第１絶縁層１１１、第１配線層１２１及び第１ビア層１３１は、プリント回路基板の技術分野において、通常の知識を有する者であれば利用できる構成を有することができる。
【0030】
キャビティＣは、第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通することができる。キャビティＣは、後述するように、連結構造体２００が実装される位置に該当することができる。キャビティＣが第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通することができるとは、複数の第１絶縁層１１１のうち任意の連続した第１絶縁層１１１を全て貫通することを意味することもでき、任意の第１絶縁層１１１の一部のみを貫通することを意味することもでき、これに限定されず、任意の連続した第１絶縁層を貫通しながら他の任意の第１絶縁層１１１の一部のみを貫通することを意味することもできる。図３には示されていないが、キャビティＣが任意の第１絶縁層１１１の一部のみを貫通する場合には、第１絶縁層１１１の上面は段差を有することができる。
【0031】
キャビティＣを形成する工法は、公知のキャビティ形成工程に用いられる工法が制限なく用いられ得る。例えば、レーザ加工などの機械的ドリリング工程又はブラスト工程が用いられてもよいが、これに限定されるものではない。このとき、第１絶縁層１１１に配置される第１配線層１２１の一部がストッパ層の機能を果たすこともでき、別途のストッパ層が第１絶縁層１１１の上面に予め配置された後、キャビティＣ加工後にエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）によって除去されることができる。別途のストッパ層を第１絶縁層１１１の上面に配置する場合には、第１配線層１２１と同時に形成されることができる。第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通するキャビティＣの壁面は、第１絶縁層１１１の側面で構成されることができ、キャビティＣの底面は第１絶縁層１１１の上面で構成されることができる。一方、図３には示されていないが、キャビティＣの底面はストッパ層で構成されてもよい。
【0032】
一例によるプリント回路基板は連結構造体２００を含む。連結構造体２００はキャビティＣ内に配置されることができ、連結構造体２００は、第２絶縁層２１２、第２絶縁層２１２上又は内に配置される第２配線層２２２、並びに第２絶縁層２１２の下面及び側面上に配置される金属層２４０を含むことができる。連結構造体２００は、金属層２４０と第２絶縁層２１２との間に配置される保護層２５０をさらに含むこともできる。
【0033】
第２絶縁層２１２は複数の絶縁層で構成されることができ、それぞれの第２絶縁層２１２は絶縁材料を含むことができる。絶縁材料としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。絶縁材料は、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。例えば、第２絶縁層２１２の絶縁材料としては、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などであってもよいが、これらに限定されるものではなく、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などでもよい。しかし、これらに限定されるものではなく、必要に応じて、それら以外にも他の剛性に優れたその他の高分子材料が用いられてもよい。一方、第２絶縁層２１２は有機絶縁物質を含むことができる。例えば、連結構造体２００は有機ブリッジであってもよい。したがって、連結構造体２００が基板部１００の上側に配置されても、連結構造体２００がシリコンブリッジである場合とは異なり、熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、ＣＴＥ）のミスマッチによる信頼性の問題はほとんど発生しない。また、連結構造体２００が有機絶縁物質を含む場合には、形成のための工程難易度及びコストも低くすることができる。微細回路を形成するための有機絶縁物質としては、感光性絶縁物質（ＰＩＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅ－ａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【0034】
第２配線層２２２は複数の配線層で構成されることができ、それぞれの第２配線層２２２は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などを使用することができる。第２配線層２２２は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。第２配線層２２２は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン、及び／又はパッド（Ｐａｄ)パターンを含むことができる。第２配線層２２２のうち最上側に配置される第２配線層２２２は、第２絶縁層２１２から露出する構造を有することができ、露出した表面上には表面処理層をさらに含むことができる。
【0035】
第２ビア層２３２は複数のビア層で構成されることができ、それぞれの第２ビア層２３２はマイクロビアを含むことができる。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）であってもよく、又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアはスタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）で配置されることができる。それぞれの第２ビア層２３２は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含むことができる。第２ビア層２３２は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。第２ビア層２３２は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。
【0036】
それぞれの第２配線層２２２及びそれぞれの第２ビア層２３２は互いに一体に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。第２配線層２２２及び第２ビア層２３２は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、又はサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法のうちいずれか一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、プリント回路基板又は連結構造体などにおいて回路を構成できる工法であれば、制限なく利用可能である。
【0037】
一方、連結構造体２００は、基板部１００に比べて配線密度がさらに高くてもよい。配線密度がさらに高いとは、相対的な概念であり、例えば、第２配線層２２２に含まれる配線の平均ピッチは、第１配線層１２１に含まれる配線の平均ピッチよりも小さくてもよい。ピッチは、プリント回路基板１００Ａの切断断面を走査顕微鏡で撮影して測定することができ、平均ピッチは、任意の５地点で測定した配線間のピッチの平均値であることができる。また、第２配線層２２２間の層間平均絶縁距離は、複数の第１配線層１２１間の層間平均絶縁距離よりも小さくてもよい。層間絶縁距離も、プリント回路基板の切断断面を走査顕微鏡で撮影して測定することができ、層間平均絶縁距離は、任意の５地点で測定した隣接した配線層間の絶縁距離の平均値であることができる。すなわち、第２配線層２２２に含まれた配線は、第１配線層１２１に含まれた配線よりＬ／Ｓ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ）がさらに小さい高密度回路であることができる。限定されない一例として、第２配線層２２２に含まれた配線は、ライン／スペースが約２／２μｍ程度であってもよいが、これに限定されるものではない。連結構造体２００の配線は基板部１００の配線より密度が高いため、半導体チップなどの電子部品を相互連結する際に効果的であり得る。すなわち、ダイツーダイのインタコネクションに効果的であり得る。
【0038】
このような趣旨から、第２絶縁層２１２の厚さは第１絶縁層１１１の厚さより薄くてもよく、第２配線層２２２の厚さは第１配線層１２１の厚さより薄くてもよい。絶縁層の厚さは、大まかなものを含む概念であり、絶縁層の上面及び下面を垂直に縦断する距離を意味することができる。第２絶縁層２１２の厚さが第１絶縁層１１１の厚さより薄いとは、複数の第２絶縁層２１２のうちいずれか一つの第２絶縁層２１２の厚さが、複数の第１絶縁層１１１のうちいずれか一つの第１絶縁層１１１の厚さより薄いことを意味することができるが、これに限定されるものではない。第１絶縁層１１１及び第２絶縁層２１２の厚さは、プリント回路基板の切断断面を走査顕微鏡で撮影してそれぞれ測定することができ、任意の５地点で測定した絶縁層の厚さの平均値であることができる。このような解釈は、第１金属層２４０及び第２金属層２４０の厚さに対しても同様に適用することができる。
【0039】
一方、図３には示されていないが、連結構造体２００はＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）構造を有することができる。例えば、最上側に配置された第２配線層２２２は、上面が最上側に配置された第２絶縁層２１２の上面から露出するように第２絶縁層２１２の上側に埋め込まれることができる。連結構造体２００をＥＴＳ構造で形成する場合、より微細なピッチで配線設計が可能になることもできる。また、シリコンブリッジに比べて少ないコストで製造することができ、工程もより簡単であり得る。
【0040】
一例によるプリント回路基板の連結構造体２００は、第２絶縁層２１２の下面及び側面上に配置される金属層２４０を含むことができ、金属層２４０及び第２絶縁層２１２との間に配置される保護層２５０を含むことができる。
【0041】
保護層２５０はモールディング材であってもよいが、これに限定されるものではなく、連結構造体２００の第２絶縁層２１２、第２配線層２２２及び第２ビア層２３２を保護するように第２絶縁層２１２の下面及び側面をカバーすることができる。保護層２５０は絶縁材料を含むことができ、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）に該当することができるが、これに限定されるものではなく、第２絶縁層２１２と同じ絶縁材料を含むこともできる。すなわち、保護層２５０は、連結構造体２００の下部又は側部に配置されて第２絶縁層２１２と接するように第２絶縁層２１２をカバーすることができる構成であれば、制限なく用いることができる。保護層２５０は、外部衝撃などから連結構造体２００の他の構成を保護する機能を果たすことができ、金属層２４０との結合力を高めることもできる。一方、場合によっては保護層２５０が省略されてもよい。
【0042】
金属層２４０は、連結構造体２００の最外側に配置されることができ、金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス金属（ＳＵＳ）、又はこれらの合金などを使用することができる。
【0043】
連結構造体２００の配線密度が基板部１００の配線密度より高いため、連結構造体２００に配置される配線は電磁干渉（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、ＥＭＩ）が発生する恐れがあり、これによる影響が大きいという問題が発生することがある。これは、連結構造体２００の内部で発生するものであり得るが、基板部１００で発生することもあり、半導体チップ又は外部で発生することもある。連結構造体２００の最外側に金属層２４０が配置されることにより、連結構造体２００はＥＭＩの遮蔽が可能な効果を得ることができる。すなわち、連結構造体２００の第２絶縁層２１２、第２配線層２２２及び第２ビア層２３２を形成した後、連結構造体２００の下面及び側面に沿って金属層２４０を配置して、連結構造体２００の第２配線層２２２及び第２ビア層２３２が金属層２４０によってＥＭＩ遮蔽された構造を有することができる。連結構造体２００は、半導体チップが実装される領域に該当し、半導体チップを互いに連結する構成に該当するため、連結構造体２００には半導体チップが内蔵されるものではなく、連結構造体２００の金属層２４０は、プリント回路基板の連結構造体２００に含まれる構成である。
【0044】
金属層２４０は薄膜の形態で形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、めっきによって形成されてもよい。金属層２４０が保護層２５０上に薄膜の形態で配置される場合には、保護層２５０上に金属物質をスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）して形成することができるが、金属層２４０を形成する方法はこれに限定されるものではない。このとき、金属層２４０は、連結構造体２００の下面から側面に延びるように一体に形成されることができる。また、上述したように保護層２５０が省略された場合には、第２絶縁層２１２の側面及び下面上に金属層２４０が配置されてもよい。
【0045】
金属層２４０が薄膜の形態で配置されることができるため、金属層２４０の厚さは保護層２５０の厚さより薄くてよい。金属層２４０の厚さは、連結構造体２００の下面に垂直な方向又は側面に垂直な方向に測定される厚さであり得る。すなわち、連結構造体２００の最下側における金属層２４０の厚さは、連結構造体２００の下面に垂直な方向に測定される金属層２４０の厚さを意味することができ、連結構造体２００の最外側の側面における金属層２４０の厚さは、連結構造体２００の側面に垂直な方向に測定される金属層２４０の厚さを意味することができる。金属層２４０の厚さは、プリント回路基板の切断断面を走査顕微鏡で撮影して測定することができ、任意の５地点で測定した金属層２４０の厚さの平均値であることができる。保護層２５０の厚さは、金属層２４０の厚さと同じ方法で測定することができる。
【0046】
金属層２４０の上面は、第２絶縁層２１２の上面と実質的に同一平面上に位置する（ｃｏｐｌａｎａｒ）ことができ、保護層２５０の上面とも実質的に同一平面上に位置することができる。ある２つの面が同一平面上に位置するとは、ある２つの面が段差なく同じ面をなすこと、つまり、共面をなすという概念を含む概念である。実質的に同一平面上に位置するとは、大まかなものを含む概念であって、例えば、製造過程における誤差を含むこともできる。金属層２４０の上面は、連結構造体２００の上面に配置される金属層２４０の一面を意味するものであり、保護層２５０の場合にも同様に解釈することができる。
【0047】
製造段階において、後述するように、接着フィルムＡＤを介して第２絶縁層２１２をキャリア基板Ｃ０に付着させた後に第２絶縁層２１２をカバーするように保護層２５０及び金属層２４０を形成し、その後、キャリア基板Ｃ０及び接着フィルムＡＤを除去するため、金属層２４０の上面、保護層２５０の上面及び第２絶縁層２１２の上面は、互いに実質的に同一平面上に位置することができ、連結構造体２００は上面が平坦な構造を有することができる。
【0048】
一方、図３では、一つの連結構造体２００が含まれるものとして表現されているが、これに限定されるものではなく、複数の連結構造体２００を含むこともできる。
【0049】
一例によるプリント回路基板の基板部１００は、接着層１４０、第３絶縁層１１３、第３配線層１２３、第３ビア層１３３及び半田レジスト層１５０をさらに含むことができる。
【0050】
連結構造体２００は基板部１００のキャビティＣ内に配置され、連結構造体２００は接着層１４０を介してキャビティＣの底面に付着することができる。接着層１４０としては、通常のダイ付着フィルム（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ、ＤＡＦ）等の接着用フィルムを用いることができるが、これに限定されるものではなく、公知のテープ等を使用することもできるなど、プリント回路基板に電子部品又は連結構造体など、他の構成を付着させることができる手段であれば、制限なく用いることができる。
【0051】
連結構造体２００は接着層１４０を介してキャビティＣ内に配置されることができるため、連結構造体２００に含まれた金属層２４０はキャビティの底面及び壁面と離隔することができる。すなわち、金属層２４０は、キャビティの底面及び壁面をなす第１絶縁層１１１と離隔するように配置されることができる。これは、連結構造体２００を製造する段階で連結構造体２００の最外側に金属層２４０を配置するためであり、キャビティＣの内部に他の物質を充填する形態とは区別されることができる。
【0052】
第３絶縁層１１３は、第１絶縁層１１１上に配置され、連結構造体２００をカバーするようにキャビティＣを充填することができる。第３絶縁層１１３は絶縁材料を含むことができ、第１絶縁層１１１と同じ材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。絶縁材料としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。絶縁材料は、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。例えば、第３絶縁層１１３の絶縁材料としては、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などであってもよいが、これらに限定されるものではなく、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などであってもよい。しかし、これらに限定されるものではなく、必要に応じて、それら以外にも、他の剛性に優れたその他の高分子素材が用いられてもよい。なお、図３では、第３絶縁層１１３が一つの絶縁層であるものとして表現しているが、これに限定されるものではなく、第３絶縁層１１３は複数の絶縁層で構成されてもよい。
【0053】
第３配線層１２３は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などを使用することができる。第１配線層１２１は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。第３配線層１２３はその後、半導体チップと連結される手段として用いられることができるが、これに限定されず、設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン、及び／又はパッド（Ｐａｄ)パターンを含むことができる。第３配線層１２３の第３配線は、必要に応じて様々なサイズ又はピッチを有するように設計することができる。すなわち、第１配線層１２１の上側に配置される第３配線と第２配線層２２２の上側に配置される第３配線とは、互いに異なるサイズ及びピッチを有することができる。このとき、第２配線層２２２の上側に配置される第３配線が第１配線層１２１の上側に配置される第３配線よりもさらに微細に実現されることができる。一方、図３では、第３配線層１２３が一つの配線層であるものとして表現しているが、これに限定されるものではなく、第３絶縁層１１３が複数で構成されることができるため、第３配線層１２３は、これに対応するように複数の配線層で構成されることもできる。
【0054】
第３ビア層１３３はマイクロビアを含むことができる。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）であってもよく、又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアはスタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）で配置されることができる。第３ビア層１３３は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含むことができる。第３ビア層１３３は、それぞれシード層として無電解めっき層（又は化学銅）及びめっき層として電解めっき層（又は電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。第３ビア層１３３は、第１配線層１２１又は第２配線層を第３配線層と互いに連結する機能を果たすことができるが、これに限定されず、設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種の信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。一方、図３では、第３ビア層１３３が一つのビア層であるものとして表現しているが、これに限定されるものではなく、第３絶縁層１１３及び第３配線層が複数で構成されることができるため、第３ビア層１３３は、これに対応するように複数のビア層で構成されることもできる。
【0055】
第３配線層１２３及び第３ビア層１３３は、互いに一体に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。第３配線層１２３及び第３ビア層１３３は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、又はサブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法のうちいずれか一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、プリント回路基板において回路パターン及びビアを構成できる工法であれば、制限なく利用可能である。
【0056】
半田レジスト層１５０は、第３絶縁層１１３上に配置され、プリント回路基板の最外側に配置されて外部からプリント回路基板を保護することができる。半田レジスト層１５０は公知の半田レジストを用いることができ、半田レジスト層１５０は熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂に分散された無機フィラーを含むものの、ガラス繊維は含まなくてもよい。絶縁樹脂は感光性絶縁樹脂であってもよく、フィラーは無機フィラー及び／又は有機フィラーであってもよいが、これに限定されるものではなく、必要に応じて、それ以外に、異なるその他の高分子素材が用いられてもよい。半田レジスト層１５０は開口を有することができ、開口を介して第３配線層１２３の少なくとも一部が露出することができる。開口を介して露出した第３配線層１２３は、半導体チップなどの電子部品と連結されることができる。
【0057】
図４を参照すると、一例によるプリント回路基板は、基板部１００の一部及び上記連結構造体２００の一部上に配置される第１半導体チップ３０１、並びに基板部１００の一部及び上記連結構造体２００の一部上に配置される第２半導体チップ３０２を含み、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２をそれぞれ基板部１００及び連結構造体２００と連結させる連結部材４００を含む。第１半導体チップ３０１は、基板部１００の一部及び連結構造体２００の一部と電気的に連結されるように配置されることができ、第２半導体チップ３０２は基板部１００の一部及び連結構造体２００の一部と電気的に連結され、連結構造体２００を介して第１半導体チップ３０１と電気的に連結されることができる。
【0058】
第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、それぞれ数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであってもよいが、これらに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、又はＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）のような他の種類であってもよいことは言うまでもない。例えば、第１半導体チップ３０１はＧＰＵなどのロジックチップを含み、第２半導体チップ３０２はＨＢＭなどのメモリチップを含むことができる。あるいは、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、ダイスプリットによって分割されて互いに異なるコアを有する分割されたロジックチップであってもよい。
【0059】
第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、それぞれアクティブウエハに基づいて形成されたものであってもよく、この場合、本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが使用されてもよい。本体には様々な回路が形成されていてもよい。それぞれの本体には接続パッドが形成されてもよく、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含んでもよい。第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２はベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されてもよい。あるいは、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、パッケージ化されたダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。
【0060】
連結部材４００は、低融点金属、例えば、錫（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）などの半田などで形成されることができるが、これに限定されるものではない。連結部材４００は、多重層又は単一層で形成されてもよい。多層で形成される場合には、銅ピラー（ｐｉｌｌａｒ）及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には、錫－銀半田又は銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。これ以外にも、半導体チップ又は電子部品などが基板部１００及び／又は連結構造体２００と電気的に連結されるように媒介役割を果たすことができる手段であれば、制限なく利用できる。
【0061】
図４では、２つの半導体チップが実装されたものとして表現しているが、これに限定されるものではなく、より多くの半導体チップが実装されてもよく、より多くの半導体チップが連結構造体２００によって電気的に連結されてもよい。
【0062】
一方、一例によるプリント回路基板は、図３及び図４に示す構成に限定されるものではなく、それ以外にも、プリント回路基板の一般的な構成をさらに含むことができる。すなわち、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば利用できる構成をさらに含むことができる。
【0063】
【0064】
図５を参照すると、他の一例によるプリント回路基板の連結構造体２００は、保護層２５０を含まなくてもよい。連結構造体２００が保護層２５０を含まない場合には、第２絶縁層２１２が金属層２４０と直接に接するように配置されることができ、金属層２４０が第２絶縁層２１２をカバーすることができる。
【0065】
保護層２５０が省略された場合には、金属層２４０はめっきによって形成されることができる。連結構造体２００の最外側をめっきする方法としては、エッジプレーティング（ｅｄｇｅ ｐｌａｔｉｎｇ）に用いられる方法であれば制限なく利用できるが、これに限定されるものではなく、公知のめっき方法を用いることもできるなど、金属層２４０を形成する方法には制限がない。めっきによって金属層２４０を形成する場合には、薄膜の形態で形成される場合よりも厚く形成されることができる。
【0066】
図６を参照すると、他の一例によるプリント回路基板は、第１半導体チップ３０１、第２半導体チップ３０２、及び連結部材４００をさらに含むことができる。第１半導体チップ３０１、第２半導体チップ３０２及び連結部材４００に関する説明は、一例によるプリント回路基板と同様であるため、重複説明は省略する。
【0067】
一方、保護層２５０及び金属層２４０以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板と同様の構成は、他の一例によるプリント回路基板にも適用することができるため、これに関する重複説明は省略する。
【0068】
【0069】
図７を参照すると、さらに他の一例によるプリント回路基板の基板部１００は、第３絶縁層１１３、第３配線層１２３及び第３ビア層１３３を含まなくてもよい。すなわち、キャビティＣ内に連結構造体２００を実装した後、第３絶縁層１１３に連結構造体２００を埋め込まなくてもよい。
【0070】
図７では、キャビティＣの幅と連結構造体２００の幅とが一致するものとして表現しているが、これに限定されるものではなく、キャビティＣの壁面と離隔するように連結構造体２００が配置されてもよい。また、基板部１００は、第３絶縁層１１３が省略されるため、第１絶縁層１１１上に半田レジスト層１５０が配置されることができる。半田レジスト層１５０の開口により、第１配線層１２１の少なくとも一部が外部に露出することができる。
【0071】
図８を参照すると、さらに他の一例によるプリント回路基板は、第１半導体チップ３０１、第２半導体チップ３０２、及び連結部材４００をさらに含むことができる。第１半導体チップ３０１、第２半導体チップ３０２、及び連結部材４００に関する説明は、一例によるプリント回路基板と同様であるため、重複説明は省略する。
【0072】
なお、さらに他の一例によるプリント回路基板の連結構造体２００は、一例によるプリント回路基板の連結構造体２００と同じ構成を有するものとして示されているが、これに限定されるものではなく、他の一例によるプリント回路基板の連結構造体２００と同じ構成を有するように、保護層２５０が省略されてもよい。第３絶縁層１１３、第３配線層１２３、及び第３ビア層１３３以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板及び他の一例によるプリント回路基板と同様の構成は、さらに他の一例によるプリント回路基板にも適用することができるため、これに関する重複説明は省略する。
【0073】
【0074】
図９ａに示す連結構造体２００は、一例によるプリント回路基板に含まれる連結構造体２００と同じである。連結構造体２００は、第２絶縁層２１２、第２絶縁層２１２上又は内に配置される第２配線層２２２、第２配線層２２２を互いに連結するように第２絶縁層２１２の少なくとも一部を貫通する第２ビア層２３２、第２絶縁層２１２の下面及び側面に配置されて最外側に配置される金属層２４０、及び金属層２４０と第２絶縁層２１２との間に配置される保護層２５０を含むことができる。
【0075】
図９ｂに示す連結構造体２００は、他の一例によるプリント回路基板に含まれる連結構造体２００と同じである。図９ｂに示す連結構造体２００は、図９ａに示す連結構造体とは異なり、保護層２５０が省略されてもよい。
【0076】
連結構造体２００に対する構成は、一例によるプリント回路基板及び他の一例によるプリント回路基板の連結構造体２００に対する説明と同様であるため、これに関する重複説明は省略する。
【0077】
【0078】
図１０ａは、図９ａに示す連結構造体２００の製造方法を概略的に示す断面図である。第２絶縁層２１２上又は内に第２配線層及び第２ビア層２３２を形成した後、キャリア基板Ｃ０上に接着フィルムＡＤを用いて第２絶縁層２１２を付着する。このとき、第２絶縁層２１２、第２配線層２２２及び第２ビア層２３２は、それぞれの連結構造体ごとに別に製造されてもよく、ストリップ基板の形態で複数個の連結構造体を一括して製造した後、切断（ｓａｗｉｎｇ）などの工程で単一化（ｓｉｎｇｕｌａｔｉｏｎ）を経た段階であってもよい。第２絶縁層２１２、第２配線層２２２及び第２ビア層２３２を製造する方法はこれに限定されるものではなく、ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）等の連結構造体２００を製造する方法であれば、制限なく利用できる。
【0079】
その後、連結構造体２００の活性面を接着フィルムＡＤを用いてキャリア基板Ｃ０に付着させる。このとき、連結構造体２００の活性面とは、連結構造体２００がプリント回路基板に実装され、半導体チップと連結される面を意味する。キャリア基板Ｃ０は、支持層の役割を果たすものであって、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば利用でき、且つ支持基板として使用され、追ってデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）又は除去されることができるものであれば、本発明において特別な制限なく使用可能である。接着フィルムＡＤも、連結構造体２００をキャリア基板Ｃ０に接触させることができるものであれば、如何なるものでも制限なく利用できる。
【0080】
その後、活性面を除く第２絶縁層２１２をカバーするように保護層２５０を形成する。保護層２５０は、第２絶縁層２１２の最外側の側面をカバーすることができ、図１０ａに示すように、それぞれの連結構造体２００を一括してカバーすることもできる。
【0081】
その後、キャリア基板Ｃ０及び接着フィルムＡＤを除去し、それぞれの連結構造体２００を単一化（ｓｉｎｇｕｌａｔｉｏｎ）することができる。キャリア基板Ｃ０及び接着フィルムＡＤを除去する段階は、剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）等の公知の方法を用いることができる。
【0082】
その後、保護層２５０上に金属層２４０を形成することができる。金属層２４０は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によって薄膜の形態で蒸着することができるが、これに限定されるものではなく、保護層２５０等の絶縁材料上に金属層２４０を形成できる工程であれば、如何なるものでも制限なく利用できる。保護層２５０上に金属層２４０を形成することにより、連結構造体２００のＥＭＩ遮蔽の効果を得ることができる。
【0083】
図１０ａでは、３つの連結構造体２００が一括して製造されることを例示として表現しているが、より多くの連結構造体２００がキャリア基板Ｃ０に付着されて製造されてもよいことは言うまでもない。一方、保護層２５０を形成しない場合には、第２絶縁層２１２上に直ちに金属層２４０を形成することができる。
【0084】
【0085】
図１０ｂは、図９ｂに示す連結構造体２００の製造方法を概略的に示す断面図である。第２絶縁層２１２上又は内に第２配線層及び第２ビア層２３２を形成した後、活性面を除く第２絶縁層２１２の側面及び下面に金属層２４０を形成することができる。金属層２４０を形成する段階はめっき工程を用いることができる。例示として、エッジプレーティング（ｅｄｇｅ ｐｌａｔｉｎｇ）方法を用いることができ、このときには、第２絶縁層２１２の外部に露出した第２配線層２２２の一部を用いることができる。一方、金属層２４０を形成する方法は、これに限定されるものではなく、第２絶縁層２１２の側面及び下面上に金属層２４０を形成できる公知のめっき方法であれば、制限なく利用できる。
【0086】
本発明において、断面上における意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上における意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。
【0087】
本発明において、上側、上部、上面などは、便宜上、図面の断面を基準として電子部品が実装可能な面に向かう方向を意味するものとして使用し、下側、下部、下面などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは、説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論である。
【0088】
本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。
【0089】
本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例に説明されている事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。
【0090】
本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0091】
１００：基板部
２００：連結構造体
１１１：第１絶縁層
２１２：第２絶縁層
１２１：第１配線層
２２２：第２配線層
１３１：第１ビア層
２３２：第２ビア層
１１３：第３絶縁層
１２３：第３配線層
１３３：第３ビア層
Ｃ：キャビティ
１４０：接着層
１５０：半田レジスト層
２４０：金属層
２５０：保護層
３０１：第１半導体チップ
３０２：第２半導体チップ
４００：連結部材
Ｃ０：キャリア基板
ＡＤ：接着フィルム
１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラモジュール
１０６０：アンテナモジュール
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリ
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：スマートフォン内部のメインボード
１１２０：スマートフォン内部の電子部品
１１２１：スマートフォン内部のアンテナモジュール
１１３０：スマートフォン内部のカメラモジュール
１１４０：スマートフォン内部のスピーカ
２００：連結構造体
１１１：第１絶縁層
２１２：第２絶縁層
１２１：第１配線層
２２２：第２配線層
１３１：第１ビア層
２３２：第２ビア層
１１３：第３絶縁層
１２３：第３配線層
１３３：第３ビア層
Ｃ：キャビティ
１４０：接着層
１５０：半田レジスト層
２４０：金属層
２５０：保護層
３０１：第１半導体チップ
３０２：第２半導体チップ
４００：連結部材
Ｃ０：キャリア基板
ＡＤ：接着フィルム
１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラモジュール
１０６０：アンテナモジュール
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリ
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：スマートフォン内部のメインボード
１１２０：スマートフォン内部の電子部品
１１２１：スマートフォン内部のアンテナモジュール
１１３０：スマートフォン内部のカメラモジュール
１１４０：スマートフォン内部のスピーカ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9a】
【図9b】
【図10a】
【図10b】
