知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ ＨＯＹＡ株式会社の特許一覧 ▶ 韓国ホーヤ電子株式会社の特許一覧 ▶ 台湾豪雅光電股▲ふん▼有限公司の特許一覧 ▶ 重慶邁特光電有限公司の特許一覧
特開2024-144102位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024144102
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/32 20120101AFI20241003BHJP
【ＦＩ】
G03F1/32
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024003183
(22)【出願日】2024-01-12
(31)【優先権主張番号】P 2023055251
(32)【優先日】2023-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】507066644
【氏名又は名称】韓国ホーヤ電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＨＯＹＡ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＫＯＲＥＡ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】５５，Ｈｙｅｏｎｇｏｋｓａｎｄａｎ－ｒｏ，Ｃｈｅｏｎｇｂｕｋ－ｍｙｅｏｎ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(71)【出願人】
【識別番号】523117959
【氏名又は名称】台湾豪雅光電股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＨＯＹＡ ＭＩＣＲＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＡＩＷＡＮ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ３６， Ｋｅｄｕｎｇ ３ｒｄ Ｒｏａｄ， Ｓｃｉｅｎｃｅ－Ｂａｓｅｄ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ， Ｃｈｕｎａｎ， Ｍｉａｏｌｉ Ｃｏｕｎｔｙ ３５０， Ｔａｉｗａｎ
(71)【出願人】
【識別番号】523117960
【氏名又は名称】重慶邁特光電有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＯＮＧＱＩＮＧ ＭＡＳＴＥＫ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １０２１， ｆｌｏｏｒ １０， Ｎｏ． ３９， Ｙｏｎｇｈｅ Ｒｏａｄ， Ｙｕｚｕｉ ｔｏｗｎ， Ｊｉａｎｇ Ｂｅｉ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ， Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100098268
【弁理士】
【氏名又は名称】永田 豊
(74)【代理人】
【識別番号】100130384
【弁理士】
【氏名又は名称】大島 孝文
(74)【代理人】
【識別番号】100150865
【弁理士】
【氏名又は名称】太田 司
(72)【発明者】
【氏名】中山 憲治
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BA12
2H195BB03
2H195BC09
(57)【要約】
【課題】表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクであって、転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、第１のホール部は、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成され、第２のホール部は、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、位相シフト膜を透過した露光光と、透光部を透過した露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、修正膜を透過した露光光と、透光部を透過した露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さい。
【選択図】図１
【解決手段】透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクであって、転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、第１のホール部は、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成され、第２のホール部は、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、位相シフト膜を透過した露光光と、透光部を透過した露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、修正膜を透過した露光光と、透光部を透過した露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクであって、
前記転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、
前記第１のホール部は、前記透光部の外周の全てが前記位相シフト膜によって構成され、
前記第２のホール部は、前記透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスク。
前記転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、
前記第１のホール部は、前記透光部の外周の全てが前記位相シフト膜によって構成され、
前記第２のホール部は、前記透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項2】
前記位相シフト膜の透過率ＴＰは、１０％以上であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項3】
前記修正膜の透過率ＴＭは、１０％未満であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項4】
前記第２のホール部における修正膜で構成されている外周縁の透光部に掘り込み部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項5】
前記掘り込み部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＤは、１５０度以上２１０度以下であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスク。
【請求項6】
前記掘り込み部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスク。
【請求項7】
前記露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項8】
透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものであり、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものであり、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項9】
前記位相シフト膜の透過率ＴＰは、１０％以上であることを特徴とする請求項８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項10】
前記修正膜の透過率ＴＭは、１０％未満であることを特徴とする請求項８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項11】
前記欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜の外周縁の透光部に掘り込み部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項12】
前記掘り込み部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＤは、１５０度以上２１０度以下であることを特徴とする請求項１１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項13】
前記掘り込み部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項14】
前記露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことを特徴とする請求項８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項15】
請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項16】
請求項８から１４のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法で製造された位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を代表とするＦＰＤ（Flat Panel Display）等の表示装置では、大画面化、広視野角化、折りたたみなどのフレキシブル化とともに、高精細化、高速表示化が急速に進んでいる。この高精細化、高速表示化のために必要な要素の１つが、微細で寸法精度の高い素子および配線等の電子回路パターンを作製することである。この表示装置用電子回路のパターニングにはフォトリソグラフィが用いられることが多い。このため、微細で高精度なパターンが形成された表示装置製造用の位相シフトマスクが必要である。この位相シフトマスクは、バイナリマスクの遮光部に相当する部分を、低い透過率と１８０度の位相シフト量をもつハーフトーン膜によって形成したものである。
【0003】
例えば、特許文献１には、透明基板１上に、半透光膜２がパターニングされてなる半透光部を含む転写用パターンを備えた位相シフトマスクの製造方法であって、半透光部１２は、露光光の代表波長に対して所定の透過率と略１８０度の位相差とを有する位相シフトマスクの製造方法において、半透光部の欠陥を含む所定領域に修正膜４を形成する修正膜形成工程を含み、修正膜は、レーザＣＶＤ法により形成された修正膜Ａ４ａと、集束イオンビーム法により形成された修正膜Ｂ４ｂとを備えた積層膜である、位相シフトマスクの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－２０１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
例えば、上記表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、「ＴＦＴ」）で言えば、ＴＦＴを構成する複数のパターンのうち、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールが、確実に上層及び下層のパターンを接続させる作用をもたなければ正しい動作が保証されない。その一方、表示装置の開口率を極力大きくして、明るく、省電力の表示装置とするためには、コンタクトホールの径が十分に小さいことが求められる。これに伴い、このようなコンタクトホールを形成するためのフォトマスクが備えるホールパターンの径も微細化（例えば３μｍ未満）が望まれている。例えば、径が２．５μｍ以下、更には、径が２．０μｍ以下のホールパターンが必要となり、近い将来、これを下回る１．５μｍ以下の径をもつパターンの形成も望まれると考えられる。こうした背景により、微小なコンタクトホールを確実に転写可能とする、表示装置の製造技術が必要とされている。
【0006】
例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクが有する、位相シフト膜によって形成されたパターン部分に欠陥が生じた場合、これを修正することは必ずしも容易ではない。
一般に、位相シフトマスクに欠陥が生じ、これを修正膜によって修正しようとするとき、修正手段として、ＦＩＢ（集束イオンビーム）装置を用いることが知られている。
しかしながら、ＦＩＢ装置を用いて、単純に位相シフトマスクの欠陥部分に修正膜を堆積する方法では、欠陥が生じていない位相シフトマスクと同様の機能が回復できない場合があることが分かった。ＦＩＢ装置を用い、位相シフトマスクの欠陥部分に修正膜を堆積しても、露光光に対する位相シフト量が略１８０度であり、かつ、正常な部分の位相シフト膜に設定された所望の透過率をもつ修正膜の形成は、容易でないことが分かった。
一方、半透光部を形成する位相シフトマスクの欠陥修正に、レーザＣＶＤ法を用いる方法も知られている。しかしながら、レーザＣＶＤ法を用いる方法の場合、堆積させた修正膜をウェットエッチングによって除去する工程等が不可避的に生じ、微小なホールパターンの欠陥修正を所望の精度で行うことは困難であった。
一般に、位相シフトマスクに欠陥が生じ、これを修正膜によって修正しようとするとき、修正手段として、ＦＩＢ（集束イオンビーム）装置を用いることが知られている。
しかしながら、ＦＩＢ装置を用いて、単純に位相シフトマスクの欠陥部分に修正膜を堆積する方法では、欠陥が生じていない位相シフトマスクと同様の機能が回復できない場合があることが分かった。ＦＩＢ装置を用い、位相シフトマスクの欠陥部分に修正膜を堆積しても、露光光に対する位相シフト量が略１８０度であり、かつ、正常な部分の位相シフト膜に設定された所望の透過率をもつ修正膜の形成は、容易でないことが分かった。
一方、半透光部を形成する位相シフトマスクの欠陥修正に、レーザＣＶＤ法を用いる方法も知られている。しかしながら、レーザＣＶＤ法を用いる方法の場合、堆積させた修正膜をウェットエッチングによって除去する工程等が不可避的に生じ、微小なホールパターンの欠陥修正を所望の精度で行うことは困難であった。
【0007】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスク及びその製造方法、および表示装置の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は上記の課題を解決する手段として、以下の構成を有する。
【0009】
（構成１）透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクであって、
前記転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、
前記第１のホール部は、前記透光部の外周の全てが前記位相シフト膜によって構成され、
前記第２のホール部は、前記透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスク。
前記転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含み、
前記第１のホール部は、前記透光部の外周の全てが前記位相シフト膜によって構成され、
前記第２のホール部は、前記透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成され、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスク。
【0010】
（構成２）前記位相シフト膜の透過率ＴＰは、１０％以上であることを特徴とする構成１記載の位相シフトマスク。
【0011】
（構成３）前記修正膜の透過率ＴＭは、１０％未満であることを特徴とする構成１記載の位相シフトマスク。
【0012】
（構成４）前記第２のホール部における修正膜で構成されている外周縁の透光部に掘り込み部が設けられていることを特徴とする構成１記載の位相シフトマスク。
【0013】
（構成５）前記掘り込み部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＤは、１５０度以上２１０度以下であることを特徴とする構成４記載の位相シフトマスク。
【0014】
（構成６）前記掘り込み部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする構成４記載の位相シフトマスク。
【0015】
（構成７）前記露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことを特徴とする構成１記載の位相シフトマスク。
【0016】
（構成８）透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものであり、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものであり、
前記位相シフト膜を透過した露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＰは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記修正膜を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＭは、１５０度以上２１０度以下であり、
前記露光光に対する修正膜の透過率ＴＭは、前記露光光に対する位相シフト膜の透過率ＴＰよりも小さいことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【0017】
（構成９）前記位相シフト膜の透過率ＴＰは、１０％以上であることを特徴とする構成８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0018】
（構成１０）前記修正膜の透過率ＴＭは、１０％未満であることを特徴とする構成８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0019】
（構成１１）前記欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜の外周縁の透光部に掘り込み部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする構成８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0020】
（構成１２）前記掘り込み部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との間に生じる位相差ΦＤは、１５０度以上２１０度以下であることを特徴とする構成１１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0021】
（構成１３）前記掘り込み部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする構成１１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0022】
（構成１４）前記露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことを特徴とする構成８記載の位相シフトマスクの製造方法。
【0023】
（構成１５）構成１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【0024】
（構成１６）構成８から１４のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法で製造された位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスク及びその製造方法、および表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの一例の、（ａ）平面模式図および（ｂ）断面模式図である。
【図2】本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの他の例の、（ａ）平面模式図および（ｂ）断面模式図である。
【図3】本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの他の例の、（ａ）平面模式図および（ｂ）断面模式図である。
【図4】本発明の第４の実施形態における位相シフトマスクの他の例の、（ａ）平面模式図および（ｂ）断面模式図である。
【図5】本発明の第５の実施形態における位相シフトマスクの他の例の、（ａ）平面模式図および（ｂ）断面模式図である。
【図6】本発明において使用されるリペア装置（ＦＩＢ装置）によって成膜される修正膜における、波長３３４ｎｍの光での位相差と透過率の関係を示すグラフである。
【図7】本発明の実施例１の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図8】本発明の実施例２の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図9】本発明の実施例３の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図10】本発明の実施例４の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図11】本発明の実施例５の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図12】本発明の実施例６の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図13】本発明の実施例７の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図14】本発明の実施例８の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図15】本発明の実施例９の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【図16】本発明の比較例の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
まず、本発明の完成に至る経緯を述べる。本発明者は、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクの構成について、鋭意検討を行った。
ＦＩＢ装置は、主としてガリウムイオンを用い、カーボン系の膜を堆積させるものである。本発明者は、現行のＦＩＢ装置によって成膜される修正膜について、位相差と透過率の関係を調査した。その結果を図６に示す。図６は、本発明の実施形態において使用されるリペア装置（ＦＩＢ装置）によって成膜される修正膜における、波長３３４ｎｍの光での位相差と透過率の関係を示すグラフである。図６に示されるように、位相差と透過率とは反比例の関係となっており、この修正膜において、所望の位相差（例えば１８０度）と所望の透過率（例えば１０％）を両立させることは困難である。なお、上記修正膜の位相差と透過率の関係のグラフは、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の光の場合でも略同じ傾向を有する。また、上記修正膜の位相差と透過率の関係のグラフは、ｈ線（波長４０５ｎｍ）の光の場合でも同様に反比例の傾向を有している。ｈ線の露光光での透過率がより高い位相シフト膜のパターンに対してこの修正膜による修正を行う場合でも、所望の位相差と所望の透過率を両立させることは困難である。
ＦＩＢ装置は、主としてガリウムイオンを用い、カーボン系の膜を堆積させるものである。本発明者は、現行のＦＩＢ装置によって成膜される修正膜について、位相差と透過率の関係を調査した。その結果を図６に示す。図６は、本発明の実施形態において使用されるリペア装置（ＦＩＢ装置）によって成膜される修正膜における、波長３３４ｎｍの光での位相差と透過率の関係を示すグラフである。図６に示されるように、位相差と透過率とは反比例の関係となっており、この修正膜において、所望の位相差（例えば１８０度）と所望の透過率（例えば１０％）を両立させることは困難である。なお、上記修正膜の位相差と透過率の関係のグラフは、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の光の場合でも略同じ傾向を有する。また、上記修正膜の位相差と透過率の関係のグラフは、ｈ線（波長４０５ｎｍ）の光の場合でも同様に反比例の傾向を有している。ｈ線の露光光での透過率がより高い位相シフト膜のパターンに対してこの修正膜による修正を行う場合でも、所望の位相差と所望の透過率を両立させることは困難である。
【0028】
そこで、本発明者は発想を転換し、現行のＦＩＢ装置によって成膜される修正膜について、位相差および透過率のいずれかのみが所望の範囲となるように成膜し、微細なホールパターンを安定して転写できないかを検討した。その結果、修正膜について、位相差が所望の範囲となるように成膜することで、微細なホールパターンを安定して転写できることが判明した。
本発明の位相シフトマスクは、以上の鋭意研究の結果、導き出されたものである。
本発明の位相シフトマスクは、以上の鋭意研究の結果、導き出されたものである。
【0029】
＜第１の実施形態の位相シフトマスク＞
本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの一例を図１に例示する。図１（ａ）は平面模式図であり、図１（ｂ）は断面模式図である。
図１（ｂ）に示すように、位相シフトマスク１００は、透光性基板１と、透光性基板１上に、転写パターン（位相シフトパターン）が形成された位相シフト膜２（以下、単に「位相シフト膜２」という場合がある）を備える。
転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａからなる第１のホール部３Ａと、ホール形状の透光部１Ｂからなる第２のホール部３Ｂを含む。第１のホール部３Ａは、透光性基板１が露出してなる透光部１Ａの外周の全てが、位相シフト膜２によって構成されている。第２のホール部３Ｂは、透光部１Ｂの外周の少なくとも一部が、修正膜４によって構成される（図１には、透光部１Ｂの外周の全てが修正膜４によって構成される第２のホール部３Ｂを示す）。
本発明の第１の実施形態における位相シフトマスクの一例を図１に例示する。図１（ａ）は平面模式図であり、図１（ｂ）は断面模式図である。
図１（ｂ）に示すように、位相シフトマスク１００は、透光性基板１と、透光性基板１上に、転写パターン（位相シフトパターン）が形成された位相シフト膜２（以下、単に「位相シフト膜２」という場合がある）を備える。
転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａからなる第１のホール部３Ａと、ホール形状の透光部１Ｂからなる第２のホール部３Ｂを含む。第１のホール部３Ａは、透光性基板１が露出してなる透光部１Ａの外周の全てが、位相シフト膜２によって構成されている。第２のホール部３Ｂは、透光部１Ｂの外周の少なくとも一部が、修正膜４によって構成される（図１には、透光部１Ｂの外周の全てが修正膜４によって構成される第２のホール部３Ｂを示す）。
【0030】
第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズは、４．０μｍ以下であることが好ましく、３．０μｍ以下であるとより好ましく、２．５μｍ以下であるとさらに好ましい。一方、第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズは、０．８μｍ以上であることが好ましい。また、第２のホール部３Ｂの透光部１Ｂのサイズは、第１のホール部３Ａと同様に、４．０μｍ以下であることが好ましく、３．０μｍ以下であるとより好ましく、２．５μｍ以下であるとさらに好ましい。一方、第２のホール部３Ｂの透光部１Ｂのサイズは、０．８μｍ以上であることが好ましい。
【0031】
なお、図１において、これらのホール部３Ａ，３Ｂの形状が平面視で略正方形状である場合を示しているが、これに限定されるものではない。ホール部３Ａ，３Ｂの形状は、長方形、多角形状、円形状、楕円形状等の他の形状であってもよい。ホール部３Ａ，３Ｂの形状が略正方形の場合、サイズは一辺の長さを意味する。ホール部３Ａ，３Ｂの形状が長方形の場合、サイズは長辺の長さを意味する。ホール部３Ａ，３Ｂの形状が多角形の場合、サイズは、その多角形に内接する円の直径を意味する。ホール部３Ａ，３Ｂの形状が円形の場合、サイズは直径を意味する。ホール部３Ａ，３Ｂの形状が楕円形の場合、サイズは長軸の長さ（長径）を意味する。
【0032】
透光性基板１は、露光光に対して透明である。透光性基板１は、表面反射ロスが無いとしたときに、露光光に対して８５％以上の透過率、好ましくは９０％以上の透過率を有するものである。透光性基板１は、ケイ素と酸素を含有する材料からなり、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、および低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などのガラス材料で構成することができる。
【0033】
位相シフト膜２は、遷移金属と、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料からなることができる。遷移金属としては、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などが好適であり、チタン、モリブデンがより好ましい。また、位相シフト膜は、クロム（Ｃｒ）を含有する材料を用いてもよく、例えば、Ｃｒと、酸素（Ｏ）または窒素（Ｎ）の少なくとも一方を含むクロム系材料を用いることができる。具体的には、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ等が例示される。位相シフト膜２は、ウェットエッチング可能なものが好ましい。
【0034】
露光光としては、例えば、３００～５００ｎｍの波長域をもつ光を使用することができる。表示装置製造用の露光装置の光源としては、例えば、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかまたはその複数を含む光源（例えば、高圧水銀ランプ）が好適に利用できる。露光光の代表波長は、上記波長域に含まれるいずれかの波長とすることができる。
また、パターンの微細化が進み、露光光の波長域の重心を短波長側にずらすことが望まれる場合には、上記波長域より短波長側の波長域（例えば、２５０～４００ｎｍ）をもつ光を露光光とすることもでき、例えば、３１３ｎｍ、３３４ｎｍ、３６５ｎｍのうち２つ以上を含む短波長側の波長域の光を露光光に適用することができる。さらに、ｉ線（３６５ｎｍ）の単一波長の光を露光光に適用することもできる。
このように、露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことが好ましい。
本明細書においては、特記しない限り、ｉ線（３６５ｎｍ）を代表波長の一例として用いる。
また、パターンの微細化が進み、露光光の波長域の重心を短波長側にずらすことが望まれる場合には、上記波長域より短波長側の波長域（例えば、２５０～４００ｎｍ）をもつ光を露光光とすることもでき、例えば、３１３ｎｍ、３３４ｎｍ、３６５ｎｍのうち２つ以上を含む短波長側の波長域の光を露光光に適用することができる。さらに、ｉ線（３６５ｎｍ）の単一波長の光を露光光に適用することもできる。
このように、露光光は、波長３６５ｎｍの光を少なくとも含むことが好ましい。
本明細書においては、特記しない限り、ｉ線（３６５ｎｍ）を代表波長の一例として用いる。
【0035】
位相シフト膜２は、露光光の代表波長に対して位相差ΦＰを有する。すなわち、位相シフト膜２を透過した露光光と、透光部１Ａを透過した前記露光光との間には、位相差ΦＰが生じる。位相差ΦＰは、略１８０度であることが好ましい。本明細書において、略１８０度とは、１５０度以上２１０度以下を意味し、好ましくは、１６０度以上２００度以下、より好ましくは、１７０度以上１９０度以下である。また、位相シフト膜２は、露光光に含まれる主な波長（例えば、ｉ線、ｈ線、ｇ線）のすべてに対して、略１８０度の位相差をもつことが好ましい。
【0036】
露光光に対する位相シフト膜２の透過率は、位相シフト膜２として必要な値を満たす。位相シフト膜２の透過率ＴＰは、露光光に含まれる代表波長の光に対して、１０％以上であることが好ましい。他方、位相シフト膜２の透過率ＴＰは、露光光に含まれる代表波長の光に対して、５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましい。
【0037】
位相シフト膜２の膜厚は、光学的な性能を確保するために、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１８０ｎｍ以下であるとより好ましく、１５０ｎｍ以下であるとさらに好ましい。また、位相シフト膜２の膜厚は、所望の透過率を確保するために、５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であるとより好ましい。
【0038】
位相シフト膜２は、スパッタリング法などの公知の成膜方法により形成することができる。また、転写パターンは、ウェットエッチングなどを用いた公知の方法により形成することができる。
【0039】
修正膜４は、あるべき位相シフト膜２が欠落した白欠陥を含む領域（第２のホール部３Ｂの少なくとも一部を含む領域）に形成される。
修正膜４は、実質的に酸素を含まない金属膜、または炭素含有膜である。なお、本明細書において、実質的に酸素を含まないとは、Ｏの含有量が５％未満であることを意味する。
修正膜４は、実質的に酸素を含まない金属膜、または炭素含有膜である。なお、本明細書において、実質的に酸素を含まないとは、Ｏの含有量が５％未満であることを意味する。
【0040】
修正膜４が炭素含有膜である場合、Ｃの含有量は、９０～１００％であることが好ましい。これにより、耐薬性を向上させることができる。なお、修正膜４は、Ｃ以外の元素（例えば、Ｇａ、Ｓｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等）を含んでいてもよい。
修正膜が金属膜である場合、例えば、ＭｏまたはＣｒを含んだ膜とすることができる。
修正膜が金属膜である場合、例えば、ＭｏまたはＣｒを含んだ膜とすることができる。
【0041】
修正膜４は、露光光の代表波長に対して略１８０度の位相差ΦＭを有する。すなわち、修正膜４を透過した露光光と、透光部１Ｂを透過した露光光との間には、略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＭが生じる。位相差ΦＭは、好ましくは、１６０度以上２００度以下、より好ましくは、１７０度以上１９０度以下である（図１には、位相差ΦＭが１８０度の例を示している）。
【0042】
位相シフト膜２の位相差ΦＰと修正膜４の位相差ΦＭとの差は、絶対値で３０度以内であると好ましく、絶対値で２０度以内であるとより好ましく、絶対値で１０度以内であるとさらに好ましい。
【0043】
修正膜４は、露光光の代表波長に対して透過率ＴＭを有する。露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰよりも小さい。修正膜４の透過率ＴＭは、１０％未満であってもよい。
すなわち、露光光に対する基板１の透過率ＴＳ、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰ、露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭとの間には、ＴＭ＜ＴＰ＜ＴＳの関係が成り立つ。
修正膜４の透過率ＴＭは、１％以上であることが好ましい。
すなわち、露光光に対する基板１の透過率ＴＳ、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰ、露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭとの間には、ＴＭ＜ＴＰ＜ＴＳの関係が成り立つ。
修正膜４の透過率ＴＭは、１％以上であることが好ましい。
【0044】
上記の光学特性を達成するために、修正膜４の膜厚は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１３０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。一方、修正膜４の膜厚は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１６０ｎｍ以下であることがより好ましく、１４５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
第２のホール部３Ｂを構成する修正膜４の幅は、白欠陥を修正できる範囲の幅が確保されていればよく、０．４μｍ以上であることが好ましい。また、修正膜４の幅は、１０μｍ以下であることが好ましい。
第２のホール部３Ｂを構成する修正膜４の幅は、白欠陥を修正できる範囲の幅が確保されていればよく、０．４μｍ以上であることが好ましい。また、修正膜４の幅は、１０μｍ以下であることが好ましい。
【0045】
本発明の第１の実施形態における位相シフトマスク１００は、上述した構成を有することにより、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクとすることができる。
【0046】
＜第２の実施形態の位相シフトマスク＞
本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図２に例示する。図２（ａ）は平面模式図であり、図２（ｂ）は断面模式図である。この第２の実施形態の位相シフトマスク１１０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４、第１のホール部３Ａ、第２のホール部３Ｂに関する事項については、第１の実施形態におけるものと同様であるので、その説明を省略する。
この第２の実施形態の位相シフトマスク１１０は、位相シフト膜２上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。この遮光膜５は、転写パターン以外の領域に、遮光帯を含む遮光パターンを有している（図２には、第１のホール部３Ａを構成する位相シフト膜２のパターンの外側と、第２のホール部３Ｂを構成する修正膜４の外側とに、遮光パターンを形成した例を示している）。
本発明の第２の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図２に例示する。図２（ａ）は平面模式図であり、図２（ｂ）は断面模式図である。この第２の実施形態の位相シフトマスク１１０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４、第１のホール部３Ａ、第２のホール部３Ｂに関する事項については、第１の実施形態におけるものと同様であるので、その説明を省略する。
この第２の実施形態の位相シフトマスク１１０は、位相シフト膜２上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。この遮光膜５は、転写パターン以外の領域に、遮光帯を含む遮光パターンを有している（図２には、第１のホール部３Ａを構成する位相シフト膜２のパターンの外側と、第２のホール部３Ｂを構成する修正膜４の外側とに、遮光パターンを形成した例を示している）。
【0047】
遮光膜５は、位相シフト膜２の上側に配置され、位相シフト膜２をエッチングするエッチング液に対してエッチング耐性を有する（位相シフト膜２とはエッチング選択性が異なる）材料からなる。
遮光膜５は、クロム（Ｃｒ）を含有するクロム系材料から構成されることが好ましい。遮光膜５は、クロムを含有し、実質的にケイ素を含まない材料から構成されることがより好ましい。実質的にケイ素を含まないとは、ケイ素の含有量が２％未満であることを意味する。クロム系材料として、より具体的には、クロム（Ｃｒ）単体からなる材料、または、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つを含有する材料が挙げられる。また、クロム系材料として、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つとを含み、さらに、フッ素（Ｆ）を含む材料が挙げられる。例えば、遮光膜５を構成する材料として、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＦ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、およびＣｒＣＯＮＦが挙げられる。
遮光膜５は、クロム（Ｃｒ）を含有するクロム系材料から構成されることが好ましい。遮光膜５は、クロムを含有し、実質的にケイ素を含まない材料から構成されることがより好ましい。実質的にケイ素を含まないとは、ケイ素の含有量が２％未満であることを意味する。クロム系材料として、より具体的には、クロム（Ｃｒ）単体からなる材料、または、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つを含有する材料が挙げられる。また、クロム系材料として、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つとを含み、さらに、フッ素（Ｆ）を含む材料が挙げられる。例えば、遮光膜５を構成する材料として、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＦ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、およびＣｒＣＯＮＦが挙げられる。
【0048】
遮光膜５は、スパッタリング法などの公知の成膜方法により形成することができる。
【0049】
遮光膜５が露光光の透過を遮る機能を有し、位相シフト膜２と遮光膜５とが積層する部分において、露光光に対する光学濃度は、好ましくは３以上であり、より好ましくは、３．５以上、さらに好ましくは４以上である。なお、本実施形態においては、位相シフト膜２上に遮光膜５を有する構成としたが、位相シフト膜２に対してエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜であってもよい。この場合、位相シフト膜よりも透過率が低い低透過膜であることが好ましい。
【0050】
透光部１Ａと遮光膜５との間に設けられた位相シフト膜２が露出している領域の幅は、０．４μｍ以上であることが好ましい。また、その位相シフト膜２が露出している領域の幅は、１０μｍ以下であることが好ましい。
【0051】
なお、図２に示した第２の実施形態の位相シフトマスクは、透光性基板１上に、位相シフト膜２、遮光膜５がこの順に積層した構成を有するが、遮光膜５、位相シフト膜２の順に積層した構成としてもよい。この場合、先に、透光性基板１上に遮光パターンを有する遮光膜５を形成してから、位相シフト膜２の積層と位相シフトパターンの形成を行うことができるため、位相シフト膜２と遮光膜５との間にエッチング選択性を有していなくてもよい。
【0052】
本発明の第２の実施形態における位相シフトマスク１１０は、上述した構成を有することにより、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクとすることができる。
【0053】
＜第３の実施形態の位相シフトマスク＞
本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図３に例示する。図３（ａ）は平面模式図であり、図３（ｂ）は断面模式図である。この第３の実施形態の位相シフトマスク１２０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｃに関する事項については、以下に記載するものを除き、第１の実施形態におけるものと同様である。
本発明の第３の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図３に例示する。図３（ａ）は平面模式図であり、図３（ｂ）は断面模式図である。この第３の実施形態の位相シフトマスク１２０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｃに関する事項については、以下に記載するものを除き、第１の実施形態におけるものと同様である。
【0054】
この第３の実施形態の位相シフトマスク１２０は、第２のホール部３Ｃにおける修正膜４Ｃで構成されている透光部１Ｃの外周縁に掘り込み部６が設けられている。具体的には、まず、位相シフト膜２のみで外周が構成されている透光部１Ａに比べて、修正膜４Ｃを含む外周で構成されている透光部１Ｃの方がサイズは大きくなっている。さらに、透光部１Ｃの外周縁には、透光部１Ａよりも大きくなっている分の幅で、掘り込み部６が設けられている。よって、掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズと、透光部１Ａのサイズは略同じになっている。
【0055】
掘り込み部６を透過した露光光と、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光との間に生じる位相差ΦＤは、１５０度以上２１０度以下であることが好ましく、１６０度以上２００度以下であるとより好ましく、１７０度以上１９０度以下であるとさらに好ましい。掘り込み部６の深さは、上記の位相差ΦＤとなるような深さとすることが好ましい。
第２のホール部３Ｃにおける、掘り込み部６以外の透光部１Ｃのサイズ（幅寸法）は、第１のホール部３Ａの透光部１Ａと同様であることが好ましい。
掘り込み部６の幅は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であるとより好ましい。掘り込み部６の幅を２μｍよりも大きくしても、それによって得られる効果に差が生じにくい。一方、掘り込み部６の幅は、０．３μｍ以上であることが好ましく０．５μｍ以上であるとより好ましい。掘り込み部６の幅を０．３μｍ未満に加工することは、ＦＩＢ装置による基板掘り込みでは容易ではない。
第２のホール部３Ｃにおける、掘り込み部６以外の透光部１Ｃのサイズ（幅寸法）は、第１のホール部３Ａの透光部１Ａと同様であることが好ましい。
掘り込み部６の幅は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であるとより好ましい。掘り込み部６の幅を２μｍよりも大きくしても、それによって得られる効果に差が生じにくい。一方、掘り込み部６の幅は、０．３μｍ以上であることが好ましく０．５μｍ以上であるとより好ましい。掘り込み部６の幅を０．３μｍ未満に加工することは、ＦＩＢ装置による基板掘り込みでは容易ではない。
【0056】
このような構成とすることにより、掘り込み部６を透過した露光光と、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光との間で位相シフト効果を得ることができるとともに、修正膜４Ｃを透過した露光光と、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光との間でも位相シフト効果を得ることができる。さらに、露光光と、掘り込み部６を含む透光部を、上述した高い透過率ＴＳで透過する。
よって、第２のホール部３Ｃにおいても、第１のホール部３Ａと同様若しくはそれ以上に、位相差のみならず透過率も所望の範囲とすることが可能となる。
よって、第２のホール部３Ｃにおいても、第１のホール部３Ａと同様若しくはそれ以上に、位相差のみならず透過率も所望の範囲とすることが可能となる。
【0057】
本発明の第３の実施形態における位相シフトマスク１２０は、上述した構成を有することにより、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクとすることができる。
【0058】
＜第４の実施形態の位相シフトマスク＞
本発明の第４の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図４に例示する。図４（ａ）は平面模式図であり、図４（ｂ）は断面模式図である。この第４の実施形態の位相シフトマスク１３０は、第２の実施形態と同様に、位相シフト膜上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。そして、この第４の実施形態の位相シフトマスクは、第３の実施形態と同様に、第２のホール部３Ｃにおける修正膜４Ｃで構成されている外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。
この第４の実施形態の位相シフトマスクにおける透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｃ、遮光膜５、掘り込み部６に関する事項については、第１ないし第３の実施形態におけるものと同様である。
本発明の第４の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図４に例示する。図４（ａ）は平面模式図であり、図４（ｂ）は断面模式図である。この第４の実施形態の位相シフトマスク１３０は、第２の実施形態と同様に、位相シフト膜上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。そして、この第４の実施形態の位相シフトマスクは、第３の実施形態と同様に、第２のホール部３Ｃにおける修正膜４Ｃで構成されている外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。
この第４の実施形態の位相シフトマスクにおける透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｃ、遮光膜５、掘り込み部６に関する事項については、第１ないし第３の実施形態におけるものと同様である。
【0059】
本発明の第４の実施形態における位相シフトマスク１３０は、上述した構成を有することにより、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクとすることができる。
【0060】
＜第５の実施形態の位相シフトマスク＞
本発明の第５の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図５に例示する。図５（ａ）は平面模式図であり、図５（ｂ）は断面模式図である。
この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、第２のホール部３Ｄにおける透光部１Ｄの外周の一部を修正膜４Ｄによって構成されたものである（図５には、平面視略正方形状の透光部１Ｄの外周の一側面側に修正膜４Ｄを形成した例を示している。それ以外の透光部１Ｄの外周には、位相シフト膜２が配置されている。）。また、この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、第２のホール部３Ｄにおける修正膜４Ｄで構成されている外周縁の透光部１Ｄに掘り込み部６Ｄが設けられている。そして、この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、位相シフト膜２上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。この遮光膜５は、転写パターン以外の領域に、遮光帯を含む遮光パターンを有している。
この第５実施形態の位相シフトマスク１４０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｄ、遮光膜５、透光部１Ａ、掘り込み部６Ｄに関する事項については、上述した点を除き、第１ないし第４の実施形態におけるものと同様であるので、その説明を省略する。
本発明の第５の実施形態における位相シフトマスクの他の例を図５に例示する。図５（ａ）は平面模式図であり、図５（ｂ）は断面模式図である。
この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、第２のホール部３Ｄにおける透光部１Ｄの外周の一部を修正膜４Ｄによって構成されたものである（図５には、平面視略正方形状の透光部１Ｄの外周の一側面側に修正膜４Ｄを形成した例を示している。それ以外の透光部１Ｄの外周には、位相シフト膜２が配置されている。）。また、この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、第２のホール部３Ｄにおける修正膜４Ｄで構成されている外周縁の透光部１Ｄに掘り込み部６Ｄが設けられている。そして、この第５の実施形態の位相シフトマスク１４０は、位相シフト膜２上に、遮光パターンを有する遮光膜５を有している。この遮光膜５は、転写パターン以外の領域に、遮光帯を含む遮光パターンを有している。
この第５実施形態の位相シフトマスク１４０における透光性基板１、位相シフト膜２、修正膜４Ｄ、遮光膜５、透光部１Ａ、掘り込み部６Ｄに関する事項については、上述した点を除き、第１ないし第４の実施形態におけるものと同様であるので、その説明を省略する。
【0061】
本発明の第５の実施形態における位相シフトマスク１４０は、上述した構成を有することにより、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクとすることができる。
【0062】
次に、本発明の位相シフトマスクの製造方法について説明する。
本発明の位相シフトマスクの製造方法は、透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものである。
本発明の位相シフトマスクの製造方法は、透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備える位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に設けられた前記位相シフト膜にホール形状の透光部からなるホール部を含む転写パターンを形成する工程と、
前記位相シフト膜の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部を特定する工程と、
前記欠陥が存在するホール部に対し、修正膜を用いて欠陥修正を行う工程を有するものである。
【0063】
＜第１の実施形態の位相シフトマスクの製造方法＞
第１の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、透光性基板上に位相シフト膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜の具体的な構成については、転写パターンが形成されていない点を除き、第１の実施形態の位相シフトマスクに形成されている透光性基板１、位相シフト膜２と同様である。
そして、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなるホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成する。例えば、位相シフト膜２の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したホール部３Ａ，３Ｂを含むレジスト膜パターンをマスクにして位相シフト膜２をウェットエッチングすることで、位相シフト膜２にホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成することができる。
位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｂを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｂに対し、修正が必要な領域に、修正膜４を用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においては、欠陥が存在するホール部について、透光部１Ｂの外周の全てに修正膜４を形成する（透光部１Ｂの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
第１の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、透光性基板上に位相シフト膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜の具体的な構成については、転写パターンが形成されていない点を除き、第１の実施形態の位相シフトマスクに形成されている透光性基板１、位相シフト膜２と同様である。
そして、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなるホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成する。例えば、位相シフト膜２の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したホール部３Ａ，３Ｂを含むレジスト膜パターンをマスクにして位相シフト膜２をウェットエッチングすることで、位相シフト膜２にホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成することができる。
位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｂを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｂに対し、修正が必要な領域に、修正膜４を用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においては、欠陥が存在するホール部について、透光部１Ｂの外周の全てに修正膜４を形成する（透光部１Ｂの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
【0064】
修正膜４は、ＦＩＢ装置を用いて形成することができる。修正膜４を形成するためのＦＩＢ装置としては、公知のものを用いることができる。イオン源としては、例えば、Ｇａ（ガリウム）を用いることができる。
修正膜４をＦＩＢ法によって形成するための原料ガスとしては、例えば、ピレン（Ｃ１６Ｈ１０）、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、またはスチレン（Ｃ８Ｈ８）等の炭化水素化合物を含むガス、Ｗ（ＣＯ）６、ＷＦ６、またはＷＣｌ６等のＷを含むガス、ＴＭＯＳと呼ばれるオルトケイ酸テトラメチル（Ｓｉ（ＯＣＨ３）４：Tetramethoxysilane）と酸素との混合ガス、ＤＭＧ（ｈｆａｃ）と呼ばれるジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセトネート（Ｃ７Ｈ７Ｆ６Ｏ２Ａｕ：Dimethyl gold hexafluoro acetylacetonate）、（ＭｅＣｐ）ＰｔＭｅ３ガスと呼ばれる（トリメチル）メチルシクロペンタジエニル白金(IV)（Methylcyclopentadientyl trimethyl platinum)、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと呼ばれるトリメチルビニルシリルヘキサフルオロアセチルアセトナト酸塩銅（Copper(+1) hexafluoro acethylacetonate trimethylvinylsilane）を用いることができる。本実施形態では、ピレンを原料ガスとする場合について説明する。
Ｍｏを含んだ膜の原料ガスとしては、ＭｏＦ６、Ｍｏ（ＣＯ）６、ＭｏＣｌ５等が例示される。Ｃｒを含んだ膜の原料ガスとしては、Ｃｒ（Ｃ６Ｈ６）２等が例示される。
修正膜４をＦＩＢ法によって形成するための原料ガスとしては、例えば、ピレン（Ｃ１６Ｈ１０）、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、またはスチレン（Ｃ８Ｈ８）等の炭化水素化合物を含むガス、Ｗ（ＣＯ）６、ＷＦ６、またはＷＣｌ６等のＷを含むガス、ＴＭＯＳと呼ばれるオルトケイ酸テトラメチル（Ｓｉ（ＯＣＨ３）４：Tetramethoxysilane）と酸素との混合ガス、ＤＭＧ（ｈｆａｃ）と呼ばれるジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセトネート（Ｃ７Ｈ７Ｆ６Ｏ２Ａｕ：Dimethyl gold hexafluoro acetylacetonate）、（ＭｅＣｐ）ＰｔＭｅ３ガスと呼ばれる（トリメチル）メチルシクロペンタジエニル白金(IV)（Methylcyclopentadientyl trimethyl platinum)、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと呼ばれるトリメチルビニルシリルヘキサフルオロアセチルアセトナト酸塩銅（Copper(+1) hexafluoro acethylacetonate trimethylvinylsilane）を用いることができる。本実施形態では、ピレンを原料ガスとする場合について説明する。
Ｍｏを含んだ膜の原料ガスとしては、ＭｏＦ６、Ｍｏ（ＣＯ）６、ＭｏＣｌ５等が例示される。Ｃｒを含んだ膜の原料ガスとしては、Ｃｒ（Ｃ６Ｈ６）２等が例示される。
【0065】
ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＭを有するように、修正膜４を所定の膜厚で形成する。このとき、露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰよりも小さいものとなる（図６参照）。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第１の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第１の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
【0066】
＜第２の実施形態の位相シフトマスクの製造方法＞
第２の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、透光性基板上に位相シフト膜、遮光膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターンが形成されていない点を除き、第２の実施形態の位相シフトマスク１１０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、遮光膜５に遮光パターンを形成し、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなるホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成する。例えば、遮光膜５の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したホール部３Ａ，３Ｂを含むレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜５をウェットエッチングすることで、遮光膜５にホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成することができる。そして、この転写パターンが形成された遮光膜５をマスクとするウェットエッチングを行い、位相シフト膜２に転写パターンを形成する。その後、遮光膜５の上に第２のレジスト膜を形成し、第２のレジスト膜から形成した遮光帯を含む遮光パターンを含むレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜５をウェットエッチングすることで、遮光膜５に遮光パターンを形成することができる。
位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｂを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｂに対し、修正が必要な領域に、修正膜４を用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｂについて、透光部１Ｂの外周の全てに修正膜４を形成する（透光部１Ｂの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
第１の実施形態の位相シフトマスク１００を製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＭを有するように、修正膜４を所定の膜厚で形成する。このとき、露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰよりも小さいものとなる（図６参照）。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第２の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
第２の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、透光性基板上に位相シフト膜、遮光膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターンが形成されていない点を除き、第２の実施形態の位相シフトマスク１１０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、遮光膜５に遮光パターンを形成し、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなるホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成する。例えば、遮光膜５の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜から形成したホール部３Ａ，３Ｂを含むレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜５をウェットエッチングすることで、遮光膜５にホール部３Ａ，３Ｂを含む転写パターンを形成することができる。そして、この転写パターンが形成された遮光膜５をマスクとするウェットエッチングを行い、位相シフト膜２に転写パターンを形成する。その後、遮光膜５の上に第２のレジスト膜を形成し、第２のレジスト膜から形成した遮光帯を含む遮光パターンを含むレジスト膜パターンをマスクにして遮光膜５をウェットエッチングすることで、遮光膜５に遮光パターンを形成することができる。
位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｂを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｂに対し、修正が必要な領域に、修正膜４を用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｂについて、透光部１Ｂの外周の全てに修正膜４を形成する（透光部１Ｂの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
第１の実施形態の位相シフトマスク１００を製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＭを有するように、修正膜４を所定の膜厚で形成する。このとき、露光光に対する修正膜４の透過率ＴＭは、露光光に対する位相シフト膜２の透過率ＴＰよりも小さいものとなる（図６参照）。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第２の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
【0067】
＜第３の実施形態の位相シフトマスクの製造方法＞
第３の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第１の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、透光性基板上に位相シフト膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜の具体的な構成については、転写パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第１の実施形態の位相シフトマスク１２０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２と同様である。
そして、第１の実施形態の位相シフトマスク１００を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなるホール部３Ａ，３Ｃを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｃを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｃに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｃを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｃについて、透光部１Ｃの外周の全てに修正膜４Ｃを形成する（透光部１Ｃの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。このとき、修正膜４Ｃの幅は、次の工程で形成する掘り込み部６を除いた部分の透光部１Ｃのサイズが、透光部１Ａのサイズと略同じになるようにする。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜４Ｃの外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６を形成する工程をさらに含む。掘り込み部６は、ＦＩＢ装置を用いて形成することができる。イオン源としては、例えば、Ｇａ（ガリウム）を用いることができる。
掘り込み部６をＦＩＢ法によって形成するための原料ガスとしては、透光性基板１をエッチングできる性質を有するものであれば、特に限定されない。例えば、フッ素系エッチングガスを用いることができる。
ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６を形成する。
修正膜４Ｃを形成する工程と、掘り込み部６を形成する工程とは、いずれを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第３の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
第３の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第１の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、透光性基板上に位相シフト膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜の具体的な構成については、転写パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第１の実施形態の位相シフトマスク１２０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２と同様である。
そして、第１の実施形態の位相シフトマスク１００を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなるホール部３Ａ，３Ｃを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｃを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｃに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｃを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｃについて、透光部１Ｃの外周の全てに修正膜４Ｃを形成する（透光部１Ｃの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。このとき、修正膜４Ｃの幅は、次の工程で形成する掘り込み部６を除いた部分の透光部１Ｃのサイズが、透光部１Ａのサイズと略同じになるようにする。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜４Ｃの外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６を形成する工程をさらに含む。掘り込み部６は、ＦＩＢ装置を用いて形成することができる。イオン源としては、例えば、Ｇａ（ガリウム）を用いることができる。
掘り込み部６をＦＩＢ法によって形成するための原料ガスとしては、透光性基板１をエッチングできる性質を有するものであれば、特に限定されない。例えば、フッ素系エッチングガスを用いることができる。
ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６を形成する。
修正膜４Ｃを形成する工程と、掘り込み部６を形成する工程とは、いずれを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第３の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
【0068】
＜第４の実施形態の位相シフトマスクの製造方法＞
第４の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第２の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第４の実施形態の位相シフトマスク１３０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、第２の実施形態の位相シフトマスク１１０を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなるホール部３Ａ，３Ｃを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｃを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｃに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｃを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｃについて、透光部１Ｃの外周の全てに修正膜４Ｃを形成する（透光部１Ｃの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜の外周縁の透光部に掘り込み部を形成する工程をさらに含む。第３の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６を形成する。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第４の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
第４の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第２の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第４の実施形態の位相シフトマスク１３０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、第２の実施形態の位相シフトマスク１１０を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなるホール部３Ａ，３Ｃを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｃを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｃに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｃを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においても、欠陥が存在するホール部３Ｃについて、透光部１Ｃの外周の全てに修正膜４Ｃを形成する（透光部１Ｃの外周の全てに対して欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜の外周縁の透光部に掘り込み部を形成する工程をさらに含む。第３の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６を形成する。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第４の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
【0069】
＜第５の実施形態の位相シフトマスクの製造方法＞
第５の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第４の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、透光性基板上に位相シフト膜、遮光膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第５の実施形態の位相シフトマスク１４０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、第４の実施形態の位相シフトマスク１３０を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｄからなるホール部３Ａ，３Ｄを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｄを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｄに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｄを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においては、欠陥が存在するホール部３Ｄについて、透光部１Ｄの外周の一部に修正膜４Ｄを形成する（透光部１Ｄの外周の一部に対してのみ欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜４Ｄの外周縁の透光部に掘り込み部６Ｄを形成する工程をさらに含む。第４の実施形態の位相シフトマスク１３０を製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６Ｄを形成する。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第５の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
第５の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合には、第４の実施形態の位相シフトマスクを製造する場合と同様に、透光性基板上に位相シフト膜、遮光膜が形成されているマスクブランクを用意する。マスクブランクに形成されている透光性基板、位相シフト膜、遮光膜の具体的な構成については、転写パターン、遮光パターン、掘り込み部が形成されていない点を除き、第５の実施形態の位相シフトマスク１４０に形成されている透光性基板１、位相シフト膜２、遮光膜５と同様である。
そして、第４の実施形態の位相シフトマスク１３０を製造する場合と同様に、位相シフト膜２にホール形状の透光部１Ａ，１Ｄからなるホール部３Ａ，３Ｄを含む転写パターンを形成し、位相シフト膜２の転写パターンに対し、欠陥検査を行って欠陥が存在するホール部３Ｄを特定する。
欠陥が存在するホール部３Ｄに対し、修正が必要な領域に、修正膜４Ｄを用いて欠陥修正を行う。
本実施形態においては、欠陥が存在するホール部３Ｄについて、透光部１Ｄの外周の一部に修正膜４Ｄを形成する（透光部１Ｄの外周の一部に対してのみ欠陥修正が必要とされる場合に対応している）。
本実施形態において、欠陥修正を行う工程は、形成された修正膜４Ｄの外周縁の透光部に掘り込み部６Ｄを形成する工程をさらに含む。第４の実施形態の位相シフトマスク１３０を製造する場合と同様に、ＦＩＢ装置を用いて、露光光の代表波長に対して略１８０度（１５０度以上２１０度以下）の位相差ΦＤと所望の透過率を有するように、所定の深さと所定の幅を有する掘り込み部６Ｄを形成する。
このようにして、透光部の外周の少なくとも一部が修正膜によって構成されて掘り込み部が形成される第２のホール部と、透光部の外周の全てが位相シフト膜によって構成される第１のホール部とを有する、第５の実施形態の位相シフト膜を製造することができる。
【0070】
本実施形態の転写用マスクの製造方法によれば、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンを安定して転写できる優れた位相シフトマスクを製造することができる。
【0071】
＜表示装置の製造方法＞
本実施形態の表示装置の製造方法について説明する。本実施形態の表示装置の製造方法は、上述の実施形態のいずれかに記載の位相シフトマスク、または、上述の実施形態のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法で製造された位相シフトマスクを、露光装置のマスクステージに載置する工程と、この位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、を有する。
以下、各工程を詳細に説明する。
本実施形態の表示装置の製造方法について説明する。本実施形態の表示装置の製造方法は、上述の実施形態のいずれかに記載の位相シフトマスク、または、上述の実施形態のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法で製造された位相シフトマスクを、露光装置のマスクステージに載置する工程と、この位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、を有する。
以下、各工程を詳細に説明する。
【0072】
載置工程では、上述した実施形態の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する。ここで、位相シフトマスクは、露光装置の投影光学系を介して表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜に対向するように配置される。
【0073】
パターン転写工程では、位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に形成されたレジスト膜にパターン形成用の薄膜パターンを含む転写パターンを転写する。露光光は、３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域からある波長域をフィルターなどでカットし選択された単色光、または３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長域を有する光源から発した単色光である。例えば、露光光は、ｉ線、ｈ線およびｇ線のうち少なくとも１つを含む複合光、またはｉ線の単色光である。露光光として複合光を用いることにより、露光光強度を高くしてスループットを向上することができる。そのため、表示装置の製造コストを下げることができる。
【0074】
本実施形態の表示装置の製造方法によれば、高解像度、微細なコンタクトホールを有する、高精細の表示装置を製造することができる。
【実施例0075】
以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0076】
本実施形態の位相シフトマスクについて、光学シミュレーションにより、その転写性能を比較し、評価した。すなわち、被転写体上に、サイズ（直径）が１．５μｍのホールパターンを形成するための転写用パターンを有する位相シフトマスクについて、露光条件を共通に設定したときに、どのような転写性能を示すかについて、光学シミュレーションを行った。
【0077】
（実施例１）
実施例１の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例１の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0078】
図７は、本発明の実施例１の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図７において、実施例１における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｂと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図７に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図７の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜が緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
図７に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図７の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜が緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
【0079】
より定量的に、位相シフトマスクを、光学的な性能から評価するとき、以下のような指標を用いることができる。
（１）焦点深度（ＤＯＦ）
目標ＣＤ（Critical Dimension）に対し、±１０％の範囲内となるための焦点深度の大きさ。ＤＯＦの数値が大きければ、被転写体（例えば表示装置用のパネル基板）の平坦度の影響を受けにくく、確実に微細なパターンが形成でき、そのＣＤ（線幅）ばらつきが抑えられる。
（２）ＭＥＥＦ（Mask Error Enhancement Factor） ＭａｓｋＣＤ誤差と被転写体上に形成されたパターンのＣＤ誤差の比率を示す数値であり、ＭＥＥＦが小さいほど被転写体上に形成されたパターンのＣＤ誤差が低減できる。
（３）露光裕度（ＥＬ）
パネルＣＤのターゲット １．５μｍ ±１０％のＣＤばらつきを満足する露光裕度の割合を表している。
これらの項目について、実施例１の位相シフトマスクを評価した結果を表１に示す（表１には、修正膜４のサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍのものを抜粋している）。
（１）焦点深度（ＤＯＦ）
目標ＣＤ（Critical Dimension）に対し、±１０％の範囲内となるための焦点深度の大きさ。ＤＯＦの数値が大きければ、被転写体（例えば表示装置用のパネル基板）の平坦度の影響を受けにくく、確実に微細なパターンが形成でき、そのＣＤ（線幅）ばらつきが抑えられる。
（２）ＭＥＥＦ（Mask Error Enhancement Factor） ＭａｓｋＣＤ誤差と被転写体上に形成されたパターンのＣＤ誤差の比率を示す数値であり、ＭＥＥＦが小さいほど被転写体上に形成されたパターンのＣＤ誤差が低減できる。
（３）露光裕度（ＥＬ）
パネルＣＤのターゲット １．５μｍ ±１０％のＣＤばらつきを満足する露光裕度の割合を表している。
これらの項目について、実施例１の位相シフトマスクを評価した結果を表１に示す（表１には、修正膜４のサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍのものを抜粋している）。
【0080】
【表1】
【0081】
この結果から、実施例１の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0082】
（実施例２）
実施例２の位相シフトマスクは、図２に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２と遮光パターンが形成された遮光膜５を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。また、位相シフト膜２と遮光膜５との積層構造で、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して３．０の光学濃度を有する。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と遮光膜５との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１．５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例２の位相シフトマスクは、図２に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２と遮光パターンが形成された遮光膜５を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。また、位相シフト膜２と遮光膜５との積層構造で、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して３．０の光学濃度を有する。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と遮光膜５との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１．５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0083】
図８は、本発明の実施例２の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図８において、実施例１における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｂと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図８に示されるように、修正膜４が設けられた第２のホール部３Ｂのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイル（図８の「Ｒｅｆ」）に対してピークの光強度の絶対値は低くなっているが、許容範囲内であった。一方、修正膜４が設けられた第２のホール部３Ｂのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイルに対して底の部分の光強度の絶対値が大幅に低くなっており、良好な結果となっている。
図８に示されるように、修正膜４が設けられた第２のホール部３Ｂのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイル（図８の「Ｒｅｆ」）に対してピークの光強度の絶対値は低くなっているが、許容範囲内であった。一方、修正膜４が設けられた第２のホール部３Ｂのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイルに対して底の部分の光強度の絶対値が大幅に低くなっており、良好な結果となっている。
【0084】
この結果から、実施例２の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0085】
（実施例３）
実施例３の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例３の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける透光部１Ｃの外周縁に掘り込み部６が設けられている。掘り込み部６は、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を５μｍとし、第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を０．６μｍ、０．８μｍ、１μｍ、１．２μｍ、１．５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例３の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例３の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける透光部１Ｃの外周縁に掘り込み部６が設けられている。掘り込み部６は、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を５μｍとし、第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を０．６μｍ、０．８μｍ、１μｍ、１．２μｍ、１．５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0086】
図９は、本発明の実施例３の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図９において、実施例３における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｃと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図９に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図９の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
図９に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図９の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
【0087】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例３の位相シフトマスクを評価した結果を表２に示す（表２には、掘り込み部６のサイズ（幅）を０．６μｍ、１μｍ、１．５μｍとしたものを抜粋している）。
【0088】
【表2】
【0089】
この結果から、実施例３の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0090】
（実施例４）
実施例４の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例４の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
実施例４の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例４の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
【0091】
図１０は、本発明の実施例４の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１０において、実施例４における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｃと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１０に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１０の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
図１０に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１０の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
【0092】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例４の位相シフトマスクを評価した結果を表３に示す（表３には、修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍとしたものを抜粋している）。
【0093】
【表3】
【0094】
この結果から、実施例４の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0095】
（実施例５）
実施例５の位相シフトマスクは、図４に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２と遮光パターンが形成された遮光膜５を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。また、位相シフト膜２と遮光膜５との積層構造で、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して３．０の光学濃度を有する。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、１．９μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、１．９μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例５の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける透光部１Ｃの外周縁に掘り込み部６が設けられている。掘り込み部６は、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される修正膜４Ｃのサイズ（透光部１Ｃの掘り込み部６と修正膜４との境界から修正膜４と遮光膜５との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を０．６μｍとし、第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を０．９μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例５の位相シフトマスクは、図４に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２と遮光パターンが形成された遮光膜５を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。また、位相シフト膜２と遮光膜５との積層構造で、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して３．０の光学濃度を有する。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、１．９μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、１．９μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例５の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける透光部１Ｃの外周縁に掘り込み部６が設けられている。掘り込み部６は、掘り込み部６以外の透光部１Ｃを透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される修正膜４Ｃのサイズ（透光部１Ｃの掘り込み部６と修正膜４との境界から修正膜４と遮光膜５との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を０．６μｍとし、第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を０．９μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0096】
図１１は、本発明の実施例５の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図４において、実施例５における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｃと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１１に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１１の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値は同等であった。第２のホール部３Ｃのプロファイルは、底の部分の光強度の絶対値は若干高くなってはいるが、第１のホール部３Ａと比べてそん色ないプロファイルを有していた。
図１１に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１１の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値は同等であった。第２のホール部３Ｃのプロファイルは、底の部分の光強度の絶対値は若干高くなってはいるが、第１のホール部３Ａと比べてそん色ないプロファイルを有していた。
【0097】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例５の位相シフトマスクを評価した結果を表４に示す。
【0098】
【表4】
【0099】
この結果から、実施例５の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0100】
（実施例６）
実施例６の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例６の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0101】
図１２は、本発明の実施例６の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１２において、実施例６における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｂと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１２に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１２の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜が緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
図１２に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１２の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜が緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
【0102】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例６の位相シフトマスクを評価した結果を表５に示す（表５には、修正膜４のサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍとしたものを抜粋している）
【0103】
【表5】
【0104】
この結果から、実施例６の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0105】
（実施例７）
実施例７の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例７の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
実施例７の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例７の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
【0106】
図１３は、本発明の実施例７の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１３において、実施例７における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｃと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１３に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１３の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
図１３に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１３の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
【0107】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例７の位相シフトマスクを評価した結果を表６に示す（表６には、修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍとしたものを抜粋している）。
【0108】
【表6】
【0109】
この結果から、実施例７の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0110】
（実施例８）
実施例８の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
実施例８の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｂからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｂを含むものである。第１のホール部３Ａと第２のホール部３Ｂの透光部１Ａ，１Ｂのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（透光部１Ｂと修正膜４との境界から修正膜４と位相シフト膜２との境界までの距離である修正膜４の幅。以下、単に幅という場合がある。）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った。
【0111】
図１４は、本発明の実施例８の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１４において、実施例８における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｂと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１４に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１４の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値はわずかに低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜がわずかに緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
図１４に示されるように、第２のホール部３Ｂに形成される修正膜４のサイズ（幅）が大きくなるにつれて、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１４の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値はわずかに低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜がわずかに緩やかになるものの、いずれも許容範囲内であった。
【0112】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例８の位相シフトマスクを評価した結果を表７に示す（表７には、修正膜４のサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍとしたものを抜粋している）
【0113】
【表7】
【0114】
この結果から、実施例８の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0115】
（実施例９）
実施例９の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例９の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
実施例９の位相シフトマスクは、図３に示すように、透光性基板１上に、転写パターンが形成された位相シフト膜２を備えている。位相シフト膜２は、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、１０％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部１Ａ，１Ｃからなる第１のホール部３Ａおよび第２のホール部３Ｃを含むものである。第１のホール部３Ａの透光部１Ａのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。また、第２のホール部３Ｃの掘り込み部６を除いた部分における透光部１Ｃのサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜４Ｃは、代表波長３６５ｎｍの露光光に対して、２％の透過率ＴＭと、１８０度の位相差ΦＭを有するものである。実施例９の位相シフトマスクは、第２のホール部３Ｃにおける外周縁の透光部１Ｃに掘り込み部６が設けられている。掘り込み部は６、掘り込み部６以外の透光部を透過した露光光に対して１８０度の位相差ΦＤを有し、７６％の透過率ＴＳを有する。第２のホール部３Ｃに形成される掘り込み部６のサイズ（幅）を１μｍとし、第２のホール部に形成される修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
【0116】
図１５は、本発明の実施例９の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１５において、実施例９における位相シフト膜２の第２のホール部３Ｃと、第１のホール部３Ａについて、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１５に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１５の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
図１５に示されるように、第２のホール部３Ｃのプロファイルは、いずれにおいても、第１のホール部３Ａのプロファイル（図１５の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が同等若しくは大きくなっており、第１のホール部３Ａと同等若しくはそれ以上の好ましいプロファイルを有していた。
【0117】
実施例１と同様に、光学的な性能について、実施例９の位相シフトマスクを評価した結果を表６に示す（表６には、修正膜４Ｃのサイズ（幅）を１μｍ、２μｍ、５μｍとしたものを抜粋している）。
【0118】
【表8】
【0119】
この結果から、実施例９の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを高精度に形成できるといえる。
【0120】
（比較例１）
比較例１の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備えている。位相シフト膜は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含むものである。第１のホール部と第２のホール部の透光部のサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＭと、８５度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部に形成される修正膜のサイズ（幅）を１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
比較例１の位相シフトマスクは、図１に示すように、透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜を備えている。位相シフト膜は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＰと、１８０度の位相差ΦＰを有するものである。転写パターンは、ホール形状の透光部からなる第１のホール部および第２のホール部を含むものである。第１のホール部と第２のホール部の透光部のサイズ（正方形の一辺）は、２．４μｍである。修正膜は、代表波長３３４ｎｍの露光光に対して、１６％の透過率ＴＭと、８５度の位相差ΦＭを有するものである。第２のホール部に形成される修正膜のサイズ（幅）を１μｍ、１．５μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍとしたものと、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った。
【0121】
図１６は、本発明の比較例１の位相シフトマスクを用いた場合の、被転写体上に形成される光強度の空間像を示す図である。図１６において、比較例１における位相シフト膜の第２のホール部と、第１のホール部について、光学シミュレーションを行った結果を示している。
図１６に示されるように、第２のホール部に形成される修正膜は、いずれのサイズ（幅）においても、第１のホール部のプロファイル（図１６の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜に大きなばらつきがあり、いずれも許容範囲外であった。
図１６に示されるように、第２のホール部に形成される修正膜は、いずれのサイズ（幅）においても、第１のホール部のプロファイル（図１６の「Ｒｅｆ」）に対して、ピークの光強度の絶対値が低くなり、透過光強度のピークを形成する傾斜に大きなばらつきがあり、いずれも許容範囲外であった。
【0122】
この結果から、比較例１の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージにセットし、表示装置上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に表示装置上に形成されるホールパターンを十分な精度で形成できないことが予想される。
【符号の説明】
【0123】
１ 透光性基板
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 透光部
２ 位相シフト膜
３Ａ 第１のホール部
３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 第２のホール部
４，４Ｃ，４Ｄ 修正膜
５ 遮光膜
６ 掘り込み部
１００，１１０，１２０，１３０，１４０ 位相シフトマスク
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 透光部
２ 位相シフト膜
３Ａ 第１のホール部
３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 第２のホール部
４，４Ｃ，４Ｄ 修正膜
５ 遮光膜
６ 掘り込み部
１００，１１０，１２０，１３０，１４０ 位相シフトマスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】