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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024014422
(43)【公開日】2024-02-01
(54)【発明の名称】電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
(51)【国際特許分類】
G03G 5/05 20060101AFI20240125BHJP
G03G 5/147 20060101ALI20240125BHJP
G03G 5/04 20060101ALI20240125BHJP
G03G 5/06 20060101ALI20240125BHJP
【ＦＩ】
G03G5/05 104B
G03G5/147 504
G03G5/04
G03G5/05 101
G03G5/06 312
G03G5/06 313
G03G5/147 502
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022117236
(22)【出願日】2022-07-22
(71)【出願人】
【識別番号】000005496
【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】藤井 亮介
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 知也
(72)【発明者】
【氏名】小林 紘子
(72)【発明者】
【氏名】岡崎 有杜
(72)【発明者】
【氏名】成田 幸介
【テーマコード（参考）】
2H068
【Ｆターム（参考）】
2H068AA03
2H068AA04
2H068AA13
2H068AA16
2H068AA20
2H068AA31
2H068AA32
2H068BA12
2H068BA13
2H068BB20
2H068BB23
2H068FA18
2H068FA27
2H068FC15
(57)【要約】
【課題】焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を提供する。
【解決手段】電子写真感光体は、導電性基体と、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、を備え、電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する。式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
【選択図】なし
【解決手段】電子写真感光体は、導電性基体と、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、を備え、電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する。式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
【化1】
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
【請求項2】
前記化合物は、１分子中に前記フェノール骨格を２以上有する、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項3】
前記２以上のフェノール骨格は、第１の前記フェノール骨格のオルト位と第２の前記フェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１の前記フェノール骨格のパラ位と第２の前記フェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有する、請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項4】
前記化合物の含有率は、前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に対し、０．４質量％以上１０．０質量％以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項5】
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に含まれる前記化合物が有するフェノール性水酸基の量は、前記電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項6】
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
式（Ａ１）において、ｎ１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ１０１個のＲａ１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
【化2】
【化3】
式（Ａ１）において、ｎ１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ１０１個のＲａ１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
【請求項7】
前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）をさらに有する、請求項１に記載の電子写真感光体。
式（Ｂ）において、ＡｒＢ１及びＡｒＢ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＢは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ１)(Ｒｂ２)－であり、ｎＢ１は０、１又は２である。Ｒｂ１及びＲｂ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
【化4】
式（Ｂ）において、ＡｒＢ１及びＡｒＢ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＢは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ１)(Ｒｂ２)－であり、ｎＢ１は０、１又は２である。Ｒｂ１及びＲｂ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
【請求項8】
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項７に記載の電子写真感光体。
式（Ｂ１）において、Ｒｂ１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０１、Ｒｂ５０１、Ｒｂ８０１及びＲｂ９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【化5】
【化6】
式（Ｂ１）において、Ｒｂ１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０１、Ｒｂ５０１、Ｒｂ８０１及びＲｂ９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【請求項9】
前記電荷輸送材料が、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
式（Ｄ１）において、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ(ＲＴ４)＝Ｃ(ＲＴ５)(ＲＴ６)又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【化7】
式（Ｄ１）において、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ(ＲＴ４)＝Ｃ(ＲＴ５)(ＲＴ６)又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【請求項10】
請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項11】
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、請求項１０に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項12】
請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
【請求項13】
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、請求項１２に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、電荷輸送物質、ポリカーボネート樹脂及びポリエステル樹脂からなる群より選択される少なくとも１種、キシレン及びトルエンからなる群より選択される少なくとも１種、シクロペンタノン、並びに酸化防止剤を、特定の比率で含有する電荷輸送層用塗布液を用いて得られた電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１６４２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である場合、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する場合、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
【0006】
＜１＞
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
【0007】
【化1】
【0008】
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
＜２＞
前記化合物は、１分子中に前記フェノール骨格を２以上有する、＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞
前記２以上のフェノール骨格は、第１の前記フェノール骨格のオルト位と第２の前記フェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１の前記フェノール骨格のパラ位と第２の前記フェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有する、＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
前記化合物の含有率は、前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に対し、０．４質量％以上１０．０質量％以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に含まれる前記化合物が有するフェノール性水酸基の量は、前記電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜２＞
前記化合物は、１分子中に前記フェノール骨格を２以上有する、＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞
前記２以上のフェノール骨格は、第１の前記フェノール骨格のオルト位と第２の前記フェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１の前記フェノール骨格のパラ位と第２の前記フェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有する、＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
前記化合物の含有率は、前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に対し、０．４質量％以上１０．０質量％以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に含まれる前記化合物が有するフェノール性水酸基の量は、前記電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0009】
【化2】
【0010】
【化3】
【0011】
式（Ａ１）において、ｎ１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ１０１個のＲａ１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
＜７＞
前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）をさらに有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
＜７＞
前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）をさらに有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0012】
【化4】
【0013】
式（Ｂ）において、ＡｒＢ１及びＡｒＢ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＢは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ１)(Ｒｂ２)－であり、ｎＢ１は０、１又は２である。Ｒｂ１及びＲｂ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
＜８＞
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜７＞に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜７＞に記載の電子写真感光体。
【0014】
【化5】
【0015】
【化6】
【0016】
式（Ｂ１）において、Ｒｂ１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０１、Ｒｂ５０１、Ｒｂ８０１及びＲｂ９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0017】
＜９＞
前記電荷輸送材料が、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
前記電荷輸送材料が、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0018】
【化7】
【0019】
式（Ｄ１）において、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ(ＲＴ４)＝Ｃ(ＲＴ５)(ＲＴ６)又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0020】
＜１０＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１１＞
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、＜１０＞に記載のプロセスカートリッジ。
＜１２＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
＜１３＞
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、＜１２＞に記載の画像形成装置。
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１１＞
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、＜１０＞に記載のプロセスカートリッジ。
＜１２＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
＜１３＞
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、＜１２＞に記載の画像形成装置。
【発明の効果】
【0021】
＜１＞、＜６＞、＜７＞、＜８＞又は＜９＞に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である場合、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する場合、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜２＞又は＜３＞に係る発明によれば、化合物が１分子中にフェノール骨格を１つのみ有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、化合物の含有率が電荷輸送層又は単層型の感光層全体に対し０．４質量％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、電荷輸送層又は単層型の感光層全体に含まれる化合物が有するフェノール性水酸基の量が電荷輸送材料のモル数に対して５ｍｏｌ％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜１０＞又は＜１１＞に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
＜１２＞又は＜１３＞に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
＜２＞又は＜３＞に係る発明によれば、化合物が１分子中にフェノール骨格を１つのみ有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、化合物の含有率が電荷輸送層又は単層型の感光層全体に対し０．４質量％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、電荷輸送層又は単層型の感光層全体に含まれる化合物が有するフェノール性水酸基の量が電荷輸送材料のモル数に対して５ｍｏｌ％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
＜１０＞又は＜１１＞に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
＜１２＞又は＜１３＞に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】第一の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。
【図2】第二の実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。
【図3】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図4】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。
【0024】
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0025】
本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
【0026】
本開示において実施形態を、図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
【0027】
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
【0028】
本開示においてアルキル基は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状及び環状のいずれも含む。
【0029】
本開示において有機基、芳香環、連結基、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基は、基中の水素原子がハロゲン原子によって置換されていてもよい。
【0030】
＜電子写真感光体＞
本開示は、電子写真感光体（以下「感光体」ともいう。）として、第一の実施形態と第二の実施形態とを提供する。
本開示は、電子写真感光体（以下「感光体」ともいう。）として、第一の実施形態と第二の実施形態とを提供する。
【0031】
第一の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層と、を備える。第一の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば、下引層、中間層）をさらに備えていてもよい。ただし、第一の実施形態に係る感光体において、電荷輸送層が最表面層である。
【0032】
第二の実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された単層型の感光層と、を備える。第二の実施形態に係る感光体は、他の層（例えば、下引層、中間層）をさらに備えていてもよい。ただし、第二の実施形態に係る感光体において、単層型の感光層が最表面層である。以下、積層型の感光層を「積層型感光層」ともいい、単層型の感光層を「単層型感光層」ともいう。
【0033】
図１は、第一の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図１に示す感光体１０Ａは、積層型感光層を有する。感光体１０Ａは、導電性基体１上に下引層２、電荷発生層３及び電荷輸送層４がこの順に積層された構造を有し、電荷発生層３及び電荷輸送層４が感光層５（いわゆる、機能分離型感光層）を構成している。感光体１０Ａは、下引層２と電荷発生層３との間に中間層（図示せず）を有してもよい。
【0034】
図２は、第二の実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図２に示す感光体１０Ｂは、単層型感光層を有する。感光体１０Ｂは、導電性基体１上に下引層２及び感光層５がこの順に積層された構造を有する。感光体１０Ｂは、下引層２と感光層５との間に中間層（図示せず）を有してもよい。
【0035】
第一の実施形態に係る感光体は、電荷輸送層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する。
【0036】
第二の実施形態に係る感光体は、単層型感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する。
【0037】
【化8】
【0038】
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
【0039】
以下、第一の実施形態と第二の実施形態とに共通する事柄を説明する場合、両形態を本実施形態と総称する。電荷輸送層と単層型感光層とに共通する事柄を説明する場合、両層を感光層と総称する。
また、フェノール性水酸基を有し、かつ、フェノール性水酸基の結合位置に対するオルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を「ヒンダードフェノール系骨格」ともいい、分子量が２５５以上でありヒンダードフェノール系骨格を有し炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない構造を「特定ヒンダードフェノール構造」ともいう。
また、フェノール性水酸基を有し、かつ、フェノール性水酸基の結合位置に対するオルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を「ヒンダードフェノール系骨格」ともいい、分子量が２５５以上でありヒンダードフェノール系骨格を有し炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない構造を「特定ヒンダードフェノール構造」ともいう。
【0040】
本実施形態に係る感光体は、上記構成であることにより、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、感光体表面へのトナーの固着が抑制される。その理由は、下記のように推測される。
【0041】
ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を含有する感光層では、ポリエステル樹脂の芳香環同士が相互作用することで分子同士が引き付け合い、耐摩耗性が得られやすい。
一方、ジカルボン酸単位（Ａ）に含まれる、芳香環とカルボニル基とが直結した構造は、電子吸引性を有し負電荷を帯びやすいため、電荷輸送材料との相互作用により正電荷を捕捉しやすい。そして、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を含有する感光層では、捕捉された正電荷がカチオンラジカルとして残留しやすく、繰り返し画像を形成することで、感光層の中でも特に露光履歴の多い領域にカチオンラジカルが蓄積しやすい。そして、特定の領域にカチオンラジカルが蓄積すると、その領域において、次サイクルにおける帯電時の負電荷が打ち消されて表面電位が低下し、焼き付きゴーストが発生する。ここで、「焼き付きゴースト」とは、感光体の露光履歴の多い部分の表面電位が低下し、ハーフトーン画像の濃度が濃くなる画像欠陥である。
一方、ジカルボン酸単位（Ａ）に含まれる、芳香環とカルボニル基とが直結した構造は、電子吸引性を有し負電荷を帯びやすいため、電荷輸送材料との相互作用により正電荷を捕捉しやすい。そして、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を含有する感光層では、捕捉された正電荷がカチオンラジカルとして残留しやすく、繰り返し画像を形成することで、感光層の中でも特に露光履歴の多い領域にカチオンラジカルが蓄積しやすい。そして、特定の領域にカチオンラジカルが蓄積すると、その領域において、次サイクルにおける帯電時の負電荷が打ち消されて表面電位が低下し、焼き付きゴーストが発生する。ここで、「焼き付きゴースト」とは、感光体の露光履歴の多い部分の表面電位が低下し、ハーフトーン画像の濃度が濃くなる画像欠陥である。
【0042】
焼き付きゴーストの発生を抑制する方法として、感光層に酸化防止剤を含有させる方法が挙げられる。感光層中のカチオンラジカルが、酸化防止剤により捕捉され、消失することで、カチオンラジカルの蓄積に起因する焼き付きゴーストの発生が抑制されると考えられる。
しかしながら、感光層に酸化防止剤を含有させると、感光体表面へのトナーの固着（以下「フィルミング」ともいう）が起こることがある。特に、クリーニングブレードにより感光体の表面をクリーニングする画像形成装置では、感光体表面に付着したトナーがクリーニングブレードにより潰れ、引き伸ばされた状態で感光体表面に固着しやすく、フィルミングがより起こりやすくなる。
上記フィルミングは、特に分子量の小さい酸化防止剤を用いた場合、柔軟な化学構造を有する酸化防止剤を用いた場合等に、起こりやすくなる。例えば酸化防止剤の分子量が小さい場合、感光体の使用に伴って酸化防止剤が感光層の表面に染み出し、表面に染み出した酸化防止剤により感光層の表面が可塑化され、トナー等の付着が起こりやすくなることによって、フィルミングが起こりやすくなると考えられる。また、例えば酸化防止剤が柔軟な化学構造を有する場合、前記柔軟な化学構造によって感光層がミクロに相分離して粘性の高い領域が形成され、トナー等が前記粘性の高い領域に付着しやすくなることによって、フィルミングが起こりやすくなると考えられる。さらに、クリーニングブレードにより感光体の表面をクリーニングする画像形成装置では、表面に染み出した酸化防止剤によるクリーニングブレードの可塑化によって、さらにフィルミングが起こりやすくなることも考えられる。
しかしながら、感光層に酸化防止剤を含有させると、感光体表面へのトナーの固着（以下「フィルミング」ともいう）が起こることがある。特に、クリーニングブレードにより感光体の表面をクリーニングする画像形成装置では、感光体表面に付着したトナーがクリーニングブレードにより潰れ、引き伸ばされた状態で感光体表面に固着しやすく、フィルミングがより起こりやすくなる。
上記フィルミングは、特に分子量の小さい酸化防止剤を用いた場合、柔軟な化学構造を有する酸化防止剤を用いた場合等に、起こりやすくなる。例えば酸化防止剤の分子量が小さい場合、感光体の使用に伴って酸化防止剤が感光層の表面に染み出し、表面に染み出した酸化防止剤により感光層の表面が可塑化され、トナー等の付着が起こりやすくなることによって、フィルミングが起こりやすくなると考えられる。また、例えば酸化防止剤が柔軟な化学構造を有する場合、前記柔軟な化学構造によって感光層がミクロに相分離して粘性の高い領域が形成され、トナー等が前記粘性の高い領域に付着しやすくなることによって、フィルミングが起こりやすくなると考えられる。さらに、クリーニングブレードにより感光体の表面をクリーニングする画像形成装置では、表面に染み出した酸化防止剤によるクリーニングブレードの可塑化によって、さらにフィルミングが起こりやすくなることも考えられる。
【0043】
これに対して、本実施形態では、特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物（「特定化合物」ともいう。）を用いる。
特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、分子量が２５５以上であり、かつ、柔軟な化学構造である炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。そのため、本実施形態では、分子量が２５５未満である化合物を用いた場合、及び炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する化合物を用いた場合に比べ、フィルミングが抑制されると推測される。
加えて、特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ヒンダードフェノール系骨格を有するため、オルト位の一方に水素原子が結合したフェノール骨格を有する場合に比べて、カチオンラジカルの捕捉力が高すぎない。カチオンラジカルの捕捉力が高すぎると、化合物自体の失活が速くなり、かえって感光層中のカチオンラジカルが残りやすく、焼き付きゴーストが発生しやすくなることがある。そのため、本実施形態では、オルト位の一方に水素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物を用いた場合に比べて、焼き付きゴーストの発生が抑制されると考えられる。
また、ヒンダードフェノール系骨格を有する特定化合物は、オルト位の両方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物に比べて、カチオンラジカルの捕捉力が高い。そのため、本実施形態では、オルト位の両方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物を用いた場合に比べて、焼き付きゴーストの発生が抑制されると考えられる。
特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、分子量が２５５以上であり、かつ、柔軟な化学構造である炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。そのため、本実施形態では、分子量が２５５未満である化合物を用いた場合、及び炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する化合物を用いた場合に比べ、フィルミングが抑制されると推測される。
加えて、特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ヒンダードフェノール系骨格を有するため、オルト位の一方に水素原子が結合したフェノール骨格を有する場合に比べて、カチオンラジカルの捕捉力が高すぎない。カチオンラジカルの捕捉力が高すぎると、化合物自体の失活が速くなり、かえって感光層中のカチオンラジカルが残りやすく、焼き付きゴーストが発生しやすくなることがある。そのため、本実施形態では、オルト位の一方に水素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物を用いた場合に比べて、焼き付きゴーストの発生が抑制されると考えられる。
また、ヒンダードフェノール系骨格を有する特定化合物は、オルト位の両方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物に比べて、カチオンラジカルの捕捉力が高い。そのため、本実施形態では、オルト位の両方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する化合物を用いた場合に比べて、焼き付きゴーストの発生が抑制されると考えられる。
【0044】
以上の理由により、本実施形態に係る感光体は、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、フィルミングが抑制されると推測される。
【0045】
以下、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂、特定化合物及び感光体の各層について詳細に説明する。
【0046】
［ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂］
ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂は、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂であれば、特に限定されるものではない。以下、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を「特定ポリエステル樹脂」ともいう。
特定ポリエステル樹脂は、ジカルボン酸単位（Ａ）を１種のみ有してもよく、２種以上有してもよい。
ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂は、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂であれば、特に限定されるものではない。以下、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を「特定ポリエステル樹脂」ともいう。
特定ポリエステル樹脂は、ジカルボン酸単位（Ａ）を１種のみ有してもよく、２種以上有してもよい。
【0047】
ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂は、少なくともジカルボン酸単位（Ａ）及びジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）が好ましい。ポリエステル樹脂（１）は、ジカルボン酸単位（Ａ）以外のその他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。ポリエステル樹脂（１）は、ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位を含んでいてもよい。
【0048】
ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ）で表される構成単位である。
【0049】
【化9】
【0050】
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
【0051】
ＡｒＡ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。
【0052】
ＡｒＡ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。ＡｒＡ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。
【0053】
ＡｒＡ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。
【0054】
ＡｒＡ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。ＡｒＡ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。
【0055】
ＬＡが２価の連結基のとき、２価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、－Ｃ(Ｒａ１)(Ｒａ２)－が挙げられる。ここで、Ｒａ１及びＲａ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒａ１とＲａ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
【0056】
Ｒａ１及びＲａ２に係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
【0057】
Ｒａ１及びＲａ２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
【0058】
Ｒａ１及びＲａ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒａ１及びＲａ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ｒａ１及びＲａ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
【0059】
ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【0060】
【化10】
【0061】
式（Ａ１）において、ｎ１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ１０１個のＲａ１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ１０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ１０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【0062】
【化11】
【0063】
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ２０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ２０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ２０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ２０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【0064】
【化12】
【0065】
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ３０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ３０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ３０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ３０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【0066】
【化13】
【0067】
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ４０１は０以上４以下の整数であることが好ましく、０、１又は２であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ４０１は０以上４以下の整数であることが好ましく、０、１又は２であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【0068】
【化14】
【0069】
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ５０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ５０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ５０３は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ５０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ５０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ５０３は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【0070】
式（Ａ１）のＲａ１０１、式（Ａ２）のＲａ２０１及びＲａ２０２、式（Ａ３）のＲａ３０１及びＲａ３０２、式（Ａ４）のＲａ４０１並びに式（Ａ５）のＲａ５０１、Ｒａ５０２及びＲａ５０３の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒａ１０１、Ｒａ２０１、Ｒａ２０２、Ｒａ３０１、Ｒａ３０２、Ｒａ４０１、Ｒａ５０１、Ｒａ５０２及びＲａ５０３を「Ｒａ」と総称して説明する。
【0071】
Ｒａに係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上１０以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、及びこれら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基が挙げられる。
炭素数１以上１０以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、及びこれら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基が挙げられる。
【0072】
Ｒａに係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
炭素数６以上１２以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。
炭素数６以上１２以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。
【0073】
Ｒａに係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【0074】
以下に、ジカルボン酸単位（Ａ１）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ１－１）～（Ａ１－９）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ１）は、これに限定されるわけではない。
【0075】
【化15】
【0076】
以下に、ジカルボン酸単位（Ａ２）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ２－１）～（Ａ２－５）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ２）は、これに限定されるわけではない。
【0077】
【化16】
【0078】
以下に、ジカルボン酸単位（Ａ３）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ３－１）～（Ａ３－２）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ３）は、これに限定されるわけではない。
【0079】
【化17】
【0080】
以下に、ジカルボン酸単位（Ａ４）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ４－１）～（Ａ４－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ４）は、これに限定されるわけではない。
【0081】
【化18】
【0082】
以下に、ジカルボン酸単位（Ａ５）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ５－１）～（Ａ５－４）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ５）は、これに限定されるわけではない。
【0083】
【化19】
【0084】
ジカルボン酸単位（Ａ）としては、上記具体例の（Ａ１－１）、（Ａ１－７）、（Ａ２－３）、（Ａ２－４）、（Ａ３－２）及び（Ａ４－３）が好ましく、（Ａ２－３）及び（Ａ２－４）がより好ましく、（Ａ２－３）が最も好ましい。
【0085】
ポリエステル樹脂（１）に占めるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合は、１５質量％以上６０質量％以下が好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合が１５質量％以上であると、感光層の耐摩耗性が良好である。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合は、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合が６０質量％以下であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合は、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合が１５質量％以上であると、感光層の耐摩耗性が良好である。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合は、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合が６０質量％以下であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）の合計質量割合は、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0086】
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ５）以外のその他のジカルボン酸単位（Ａ）としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、グルタコン酸、コハク酸、アルケニルコハク酸、アジピン酸、セバシン酸）単位、脂環式ジカルボン酸（例えば、シクロヘキサンジカルボン酸）単位、及びこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジカルボン酸単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0087】
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0088】
ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ）で表される構成単位である。
【0089】
【化20】
【0090】
式（Ｂ）において、ＡｒＢ１及びＡｒＢ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＢは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ１)(Ｒｂ２)－であり、ｎＢ１は０、１又は２である。Ｒｂ１及びＲｂ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
【0091】
ＡｒＢ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。
【0092】
ＡｒＢ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。ＡｒＢ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。
【0093】
ＡｒＢ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。
【0094】
ＡｒＢ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。ＡｒＢ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。
シ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。ＡｒＢ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。
【0095】
Ｒｂ１及びＲｂ２に係る炭素数１以上２０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上１８以下が好ましく、１以上１４以下がより好ましく、１以上１０以下が更に好ましい。
【0096】
Ｒｂ１及びＲｂ２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
【0097】
Ｒｂ１及びＲｂ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒｂ１及びＲｂ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ｒｂ１及びＲｂ２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
【0098】
ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【0099】
ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）及び下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが最も好ましい。
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）及び下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが最も好ましい。
【0100】
【化21】
【0101】
式（Ｂ１）において、Ｒｂ１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０１、Ｒｂ５０１、Ｒｂ８０１及びＲｂ９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0102】
Ｒｂ１０１に係る炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ１０１の具体例として、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。
【0103】
【化22】
【0104】
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0105】
Ｒｂ１０２に係る炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ１０２の具体例として、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。
【0106】
【化23】
【0107】
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0108】
Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0109】
【化24】
【0110】
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0111】
Ｒｂ１０４に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。Ｒｂ１０４の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。
【0112】
【化25】
【0113】
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0114】
Ａｒ１０５に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ａｒ１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。Ａｒ１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。
Ａｒ１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。Ａｒ１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。
【0115】
【化26】
【0116】
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは５又は６であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0117】
Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0118】
【化27】
【0119】
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0120】
【化28】
【0121】
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0122】
式（Ｂ１）のＲｂ２０１、式（Ｂ２）のＲｂ２０２、式（Ｂ４）のＲｂ２０４及び式（Ｂ５）のＲｂ２０５の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ２０１、Ｒｂ２０２、Ｒｂ２０４及びＲｂ２０５を「Ｒｂ２００」と総称して説明する。
【0123】
Ｒｂ２００に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
炭素数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。
炭素数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。
【0124】
式（Ｂ１）のＲｂ４０１、式（Ｂ２）のＲｂ４０２、式（Ｂ３）のＲｂ４０３、式（Ｂ４）のＲｂ４０４、式（Ｂ５）のＲｂ４０５、式（Ｂ６）のＲｂ４０６、式（Ｂ７）のＲｂ４０７及び式（Ｂ８）のＲｂ４０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ４０１、Ｒｂ４０２、Ｒｂ４０３、Ｒｂ４０４、Ｒｂ４０５、Ｒｂ４０６、Ｒｂ４０７及びＲｂ４０８を「Ｒｂ４００」と総称して説明する。
【0125】
Ｒｂ４００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
【0126】
Ｒｂ４００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【0127】
Ｒｂ４００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0128】
式（Ｂ１）のＲｂ５０１、式（Ｂ２）のＲｂ５０２、式（Ｂ３）のＲｂ５０３、式（Ｂ４）のＲｂ５０４、式（Ｂ５）のＲｂ５０５、式（Ｂ６）のＲｂ５０６、式（Ｂ７）のＲｂ５０７及び式（Ｂ８）のＲｂ５０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ５０１、Ｒｂ５０２、Ｒｂ５０３、Ｒｂ５０４、Ｒｂ５０５、Ｒｂ５０６、Ｒｂ５０７及びＲｂ５０８を「Ｒｂ５００」と総称して説明する。
【0129】
Ｒｂ５００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
【0130】
Ｒｂ５００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【0131】
Ｒｂ５００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0132】
式（Ｂ１）のＲｂ８０１、式（Ｂ２）のＲｂ８０２、式（Ｂ３）のＲｂ８０３、式（Ｂ４）のＲｂ８０４、式（Ｂ５）のＲｂ８０５、式（Ｂ６）のＲｂ８０６、式（Ｂ７）のＲｂ８０７及び式（Ｂ８）のＲｂ８０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ８０１、Ｒｂ８０２、Ｒｂ８０３、Ｒｂ８０４、Ｒｂ８０５、Ｒｂ８０６、Ｒｂ８０７及びＲｂ８０８を「Ｒｂ８００」と総称して説明する。
【0133】
Ｒｂ８００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
【0134】
Ｒｂ８００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【0135】
Ｒｂ８００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0136】
式（Ｂ１）のＲｂ９０１、式（Ｂ２）のＲｂ９０２、式（Ｂ３）のＲｂ９０３、式（Ｂ４）のＲｂ９０４、式（Ｂ５）のＲｂ９０５、式（Ｂ６）のＲｂ９０６、式（Ｂ７）のＲｂ９０７及び式（Ｂ８）のＲｂ９０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ９０１、Ｒｂ９０２、Ｒｂ９０３、Ｒｂ９０４、Ｒｂ９０５、Ｒｂ９０６、Ｒｂ９０７及びＲｂ９０８を「Ｒｂ９００」と総称して説明する。
【0137】
Ｒｂ９００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。
【0138】
Ｒｂ９００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【0139】
Ｒｂ９００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0140】
以下に、ジオール単位（Ｂ１）の具体例としてジオール単位（Ｂ１－１）～（Ｂ１－６）を示す。ジオール単位（Ｂ１）は、これに限定されるわけではない。
【0141】
【化29】
【0142】
以下に、ジオール単位（Ｂ２）の具体例としてジオール単位（Ｂ２－１）～（Ｂ２－１１）を示す。ジオール単位（Ｂ２）は、これに限定されるわけではない。
【0143】
【化30】
【0144】
以下に、ジオール単位（Ｂ３）の具体例としてジオール単位（Ｂ３－１）～（Ｂ３－４）を示す。ジオール単位（Ｂ３）は、これに限定されるわけではない。
【0145】
【化31】
【0146】
以下に、ジオール単位（Ｂ４）の具体例としてジオール単位（Ｂ４－１）～（Ｂ４－７）を示す。ジオール単位（Ｂ４）は、これに限定されるわけではない。
【0147】
【化32】
【0148】
以下に、ジオール単位（Ｂ５）の具体例としてジオール単位（Ｂ５－１）～（Ｂ５－６）を示す。ジオール単位（Ｂ５）は、これに限定されるわけではない。
【0149】
【化33】
【0150】
以下に、ジオール単位（Ｂ６）の具体例としてジオール単位（Ｂ６－１）～（Ｂ６－４）を示す。ジオール単位（Ｂ６）は、これに限定されるわけではない。
【0151】
【化34】
【0152】
以下に、ジオール単位（Ｂ７）の具体例としてジオール単位（Ｂ７－１）～（Ｂ７－３）を示す。ジオール単位（Ｂ７）は、これに限定されるわけではない。
【0153】
【化35】
【0154】
以下に、ジオール単位（Ｂ８）の具体例としてジオール単位（Ｂ８－１）～（Ｂ８－３）を示す。ジオール単位（Ｂ８）は、これに限定されるわけではない。
【0155】
【化36】
【0156】
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジオール単位（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0157】
ポリエステル樹脂（１）に占めるジオール単位（Ｂ）の質量割合は、２５質量％以上８０質量％以下が好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が２５質量％以上であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が８０質量％以下であると、感光層を形成するための塗布液に対する溶解性を維持して耐摩耗性の向上が可能となる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が２５質量％以上であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が８０質量％以下であると、感光層を形成するための塗布液に対する溶解性を維持して耐摩耗性の向上が可能となる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。
【0158】
ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位としては、例えば、脂肪族ジオール（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール）単位、脂環式ジオール（例えば、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、水添ビスフェノールＡ）単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジオール単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0159】
ポリエステル樹脂（１）の末端は、製造の際に使用する末端封止剤又は分子量調節剤などで封止又は修飾されていてもよい。末端封止剤又は分子量調節剤としては、例えば、一価フェノール、一価酸クロライド、一価アルコール、一価カルボン酸が挙げられる。
一価フェノールとしては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－プロピルフェノール、ｍ－プロピルフェノール、ｐ－プロピルフェノール、ｏ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｍ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ペンチルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，６－ジメチルフェノール誘導体、２－メチルフェノール誘導体、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｏ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、２，３，６－トリメチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２－フェニル－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（２－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパンが挙げられる。
一価酸クロライドとしては、例えば、ベンゾイルクロライド、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメート、酢酸クロリド、酪酸クロリド、オクチル酸クロリド、塩化ベンゾイル、ベンゼンスルフォニルクロリド、ベンゼンスルフィニルクロリド、スルフィニルクロリド、ベンゼンホスホニルクロリド、これらの置換体等の一官能性酸ハロゲン化物が挙げられる。
一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、２－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールが挙げられる。
一価カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酢酸、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、ｐ－メトキシフェニル酢酸が挙げられる。
一価フェノールとしては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－プロピルフェノール、ｍ－プロピルフェノール、ｐ－プロピルフェノール、ｏ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｍ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ペンチルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，６－ジメチルフェノール誘導体、２－メチルフェノール誘導体、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｏ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、２，３，６－トリメチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２－フェニル－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（２－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパンが挙げられる。
一価酸クロライドとしては、例えば、ベンゾイルクロライド、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメート、酢酸クロリド、酪酸クロリド、オクチル酸クロリド、塩化ベンゾイル、ベンゼンスルフォニルクロリド、ベンゼンスルフィニルクロリド、スルフィニルクロリド、ベンゼンホスホニルクロリド、これらの置換体等の一官能性酸ハロゲン化物が挙げられる。
一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、２－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールが挙げられる。
一価カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酢酸、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、ｐ－メトキシフェニル酢酸が挙げられる。
【0160】
ポリエステル樹脂（１）の重量平均分子量は、３万以上３０万以下が好ましく、４万以上２５万以下がより好ましく、５万以上２０万以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）の分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）によって測定したポリスチレン換算の分子量である。ＧＰＣは溶離液としてテトラヒドロフランを使用する。
ポリエステル樹脂（１）の分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）によって測定したポリスチレン換算の分子量である。ＧＰＣは溶離液としてテトラヒドロフランを使用する。
【0161】
ポリエステル樹脂（１）の製造方法としては、界面重合法、溶液重合法、溶融重合法などが挙げられる。
【0162】
［特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物］
特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、分子量が２５５以上であり、ヒンダードフェノール系骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない化合物である。
特定化合物の分子量は、２５５以上であり、フィルミングの抑制と焼き付きゴーストの抑制とを両立する観点から、２５５以上１２００以下が好ましく、３００以上９８０以下がより好ましく、３５０超え７５０以下がさらに好ましい。
特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、分子量が２５５以上であり、ヒンダードフェノール系骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない化合物である。
特定化合物の分子量は、２５５以上であり、フィルミングの抑制と焼き付きゴーストの抑制とを両立する観点から、２５５以上１２００以下が好ましく、３００以上９８０以下がより好ましく、３５０超え７５０以下がさらに好ましい。
【0163】
ヒンダードフェノール系骨格は、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格である。
ヒンダードフェノール系骨格のメタ位に結合する原子は、特に限定されず、水素原子、第一級炭素原子、第二級炭素原子、第三級炭素原子、第四級炭素原子等が挙げられ、これらの中でも水素原子又は第一級炭素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。２つのメタ位に結合する原子は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
ヒンダードフェノール系骨格のパラ位に結合する原子は、特に限定されず、水素原子、第一級炭素原子、第二級炭素原子、第三級炭素原子、第四級炭素原子等が挙げられ、これらの中でも水素原子、第一級炭素原子、又は第二級炭素原子が好ましく、第一級炭素原子又は第二級炭素原子がより好ましい。
ヒンダードフェノール系骨格のメタ位に結合する原子は、特に限定されず、水素原子、第一級炭素原子、第二級炭素原子、第三級炭素原子、第四級炭素原子等が挙げられ、これらの中でも水素原子又は第一級炭素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。２つのメタ位に結合する原子は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
ヒンダードフェノール系骨格のパラ位に結合する原子は、特に限定されず、水素原子、第一級炭素原子、第二級炭素原子、第三級炭素原子、第四級炭素原子等が挙げられ、これらの中でも水素原子、第一級炭素原子、又は第二級炭素原子が好ましく、第一級炭素原子又は第二級炭素原子がより好ましい。
【0164】
ヒンダードフェノール系骨格を有する化合物としては、例えば下記式（Ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【0165】
【化37】
【0166】
式（Ｃ）において、Ｒｃ００１はベンゼン環に直結する原子が第一級炭素原子又は第二級炭素原子である１価の有機基であり、Ｒｃ００２はベンゼン環に直結する原子が第三級炭素原子又は第四級炭素原子である１価の有機基であり、Ｒｃ００３及びＲｃ００４はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であり、Ｒｃ００５はベンゼン環に直結する原子が炭素原子である１価の有機基又は水素原子であり、Ｒｃ００１～Ｒｃ００５のいずれも炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。
【0167】
Ｒｃ００１は、ベンゼン環に直結する原子が第一級炭素原子又は第二級炭素原子であり、かつ、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、１価の有機基であればよく、例えば下記式（Ｃ００１）で表される基が挙げられる。
【0168】
【化38】
【0169】
式（Ｃ００１）において、＊は式（Ｃ）中のベンゼン環のオルト位への結合位置であり、Ｒｃ０１１は水素原子又は１価の有機基であり、Ｒｃ０１１は炭素数３以上の直鎖アルキレン構造を有さない。
【0170】
Ｒｃ０１１で表される１価の有機基は、ヘテロ原子を含んでもよい。ただし、Ｒｃ０１１で表される１価の有機基においては、式（Ｃ００１）における炭素原子に直結する原子が炭素原子であることが好ましい。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。Ｒｃ０１１で表される１価の有機基は、炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、及び水素原子からなる基であることが好ましく、炭素原子、酸素原子、及び水素原子からなる基であることがより好ましく、炭素原子及び水素原子からなる基であることがさらに好ましい。また、Ｒｃ０１１で表される１価の有機基は、芳香環を含んでもよく、ヒンダードフェノール系骨格を含んでもよい。
Ｒｃ０１１としては、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基等が挙げられ、水素原子、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、水素原子、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましく、水素原子、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がさらに好ましい。
Ｒｃ０１１としては、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基等が挙げられ、水素原子、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、水素原子、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましく、水素原子、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がさらに好ましい。
【0171】
Ｒｃ００１は、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましい。
【0172】
Ｒｃ００２は、ベンゼン環に直結する原子が第三級炭素原子又は第四級炭素原子である１価の有機基であり、かつ、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない基であればよく、例えば下記式（Ｃ００２）で表される基が挙げられる。
【0173】
【化39】
【0174】
式（Ｃ００２）において、＊は式（Ｃ）中のベンゼン環のオルト位への結合位置であり、Ｒｃ０１２及びＲｃ０２２はそれぞれ独立に１価の有機基であり、Ｒｃ０１２とＲｃ０２２とは互いに結合して環を形成してもよく、Ｒｃ０３２は１価の有機基又は水素原子であり、Ｒｃ０１２、Ｒｃ０２２及びＲｃ０３３はいずれも炭素数３以上の直鎖アルキレン構造を有さない。
【0175】
Ｒｃ０１２、Ｒｃ０２２又はＲｃ０３２で表される１価の有機基は、ヘテロ原子を含んでもよい。ただし、Ｒｃ０１２、Ｒｃ０２２又はＲｃ０３２で表される１価の有機基においては、式（Ｃ００２）における炭素原子に直結する原子が炭素原子であることが好ましい。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。Ｒｃ０１２、Ｒｃ０２２又はＲｃ０３２で表される１価の有機基は、炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子及び水素原子からなる基であることが好ましく、炭素原子、酸素原子、及び水素原子からなる基であることがより好ましく、炭素原子及び水素原子からなる基であることがさらに好ましい。
Ｒｃ０１２及びＲｃ０２２としては、それぞれ独立に、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等が挙げられる。Ｒｃ０３２としては、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等が挙げられる。
Ｒｃ０１２及びＲｃ０２２としては、それぞれ独立に、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等が挙げられる。Ｒｃ０３２としては、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等が挙げられる。
【0176】
Ｒｃ００２としては、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、炭素数３以上９以下のシクロアルキル基、炭素数３以上９以下のシクロアルキル基を有する１－メチルシクロアルキル基等が挙げられる。
Ｒｃ００２は、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基が好ましく、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基がより好ましい。
Ｒｃ００２は、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基が好ましく、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基がより好ましい。
【0177】
Ｒｃ００３及びＲｃ００４はそれぞれ独立に、アルキル基又は水素原子であり、Ｒｃ００３及びＲｃ００４はいずれも炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。Ｒｃ００３及びＲｃ００４としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
Ｒｃ００３及びＲｃ００４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
Ｒｃ００３及びＲｃ００４は、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。
Ｒｃ００３及びＲｃ００４は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
Ｒｃ００３及びＲｃ００４は、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。
【0178】
Ｒｃ００５は、ベンゼン環に直結する原子が炭素原子である１価の有機基又は水素原子であり、Ｒｃ００５は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。Ｒｃ００５で表される１価の有機基としては、例えば下記式（Ｃ００５）で表される基が挙げられる。
【0179】
【化40】
【0180】
式（Ｃ００５）において、＊は式（Ｃ）中のベンゼン環のパラ位への結合位置であり、Ｒｃ０１５及びＲｃ０２５はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基であり、Ｒｃ０１５及びＲｃ０２５はいずれも、炭素数３以上の直鎖アルキレン構造を有さない。
【0181】
Ｒｃ０１５又はＲｃ０２５で表される１価の有機基は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい。ただし、Ｒｃ０１５又はＲｃ０２５で表される１価の有機基においては、式（Ｃ００５）における炭素原子に直結する原子が炭素原子であることが好ましい。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。Ｒｃ０１５又はＲｃ０２５で表される１価の有機基は、炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子及び水素原子からなる基であることが好ましく、炭素原子、酸素原子及び水素原子からなる基であることがより好ましく、炭素原子及び水素原子からなる基であることがさらに好ましい。また、Ｒｃ０１５又はＲｃ０２５で表される１価の有機基は、それぞれ独立に、芳香環を含んでもよく、ヒンダードフェノール系骨格を含んでもよい。
Ｒｃ０１５及びＲｃ０２５としては、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基等が挙げられ、水素原子、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、水素原子、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましく、水素原子、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がさらに好ましい。
Ｒｃ０１５及びＲｃ０２５としては、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基等が挙げられ、水素原子、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、水素原子、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましく、水素原子、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がさらに好ましい。
【0182】
Ｒｃ００５は、水素原子、炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基が好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がより好ましく、メチル基、ヒンダードフェノール系骨格を含む基がさらに好ましい。
【0183】
特定化合物は、焼き付きゴーストを抑制する観点から、１分子中にヒンダードフェノール系骨格を２以上有することが好ましい。
特定化合物の１分子中に含まれるヒンダードフェノール系骨格の数は、２以上４以下が挙げられ、２以上３以下が好ましく、２がより好ましい。
特定化合物が１分子中にヒンダードフェノール系骨格を２以上有する場合、１つのヒンダードフェノール系骨格のオルト位、メタ位、及びパラ位のいずれが連結基を介して他のヒンダードフェノール系骨格と結合してもよい。なかでも、１つのヒンダードフェノール系骨格のオルト位又はパラ位が連結基を介して他のヒンダードフェノール系骨格と結合することが好ましい。２以上のヒンダードフェノール系骨格における結合位置は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。つまり、２以上のヒンダードフェノール系骨格において、オルト位同士が連結基を介して結合してもよく、パラ位同士が連結基を介して結合してもよく、一方のヒンダードフェノール系骨格のオルト位と他方のヒンダードフェノール系骨格のパラ位とが連結基を介して結合してもよい。
特定化合物の１分子中に含まれるヒンダードフェノール系骨格の数は、２以上４以下が挙げられ、２以上３以下が好ましく、２がより好ましい。
特定化合物が１分子中にヒンダードフェノール系骨格を２以上有する場合、１つのヒンダードフェノール系骨格のオルト位、メタ位、及びパラ位のいずれが連結基を介して他のヒンダードフェノール系骨格と結合してもよい。なかでも、１つのヒンダードフェノール系骨格のオルト位又はパラ位が連結基を介して他のヒンダードフェノール系骨格と結合することが好ましい。２以上のヒンダードフェノール系骨格における結合位置は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。つまり、２以上のヒンダードフェノール系骨格において、オルト位同士が連結基を介して結合してもよく、パラ位同士が連結基を介して結合してもよく、一方のヒンダードフェノール系骨格のオルト位と他方のヒンダードフェノール系骨格のパラ位とが連結基を介して結合してもよい。
【0184】
２以上のフェノール骨格を連結する連結基は、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない連結基であれば特に限定されず、例えば、直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基、環状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、芳香環、イソシアヌレート環、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
２以上のフェノール骨格を連結する連結基は、これらの中でも、直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ、及び２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせが好ましく、直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、及び２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基がより好ましい。
２以上のフェノール骨格を連結する連結基は、これらの中でも、直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ、及び２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせが好ましく、直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、及び２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基がより好ましい。
【0185】
特定化合物が１分子中にヒンダードフェノール系骨格を２以上有する場合、前記２以上のフェノール骨格は、第１のフェノール骨格のオルト位と第２のフェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１のフェノール骨格のパラ位と第２のフェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有することが好ましい。
【0186】
特定化合物は、下記の式（Ｃ１）、下記の式（Ｃ２）又は下記の式（Ｃ３）で表される化合物であることがより好ましく、下記の式（Ｃ１）又は下記の式（Ｃ２）で表される化合物であることがさらに好ましい。
【0187】
【化41】
【0188】
式（Ｃ１）、（Ｃ２）及び（Ｃ３）において、Ｒｃ２０１、Ｒｃ２１１、Ｒｃ３０１、Ｒｃ３１１及びＲｃ３２１はそれぞれ独立に、ベンゼン環に直結する原子が第一級炭素原子又は第二級炭素原子である１価の有機基であり、Ｒｃ１０２、Ｒｃ１１２、Ｒｃ２０２、Ｒｃ２１２、Ｒｃ３０２、Ｒｃ３１２及びＲｃ３２２はそれぞれ独立に、ベンゼン環に直結する原子が第三級炭素原子又は第四級炭素原子である１価の有機基であり、Ｒｃ１０３、Ｒｃ１０４、Ｒｃ１１３、Ｒｃ１１４、Ｒｃ２０３、Ｒｃ２０４、Ｒｃ２１３、Ｒｃ２１４、Ｒｃ３０３、Ｒｃ３０４、Ｒｃ３１３、Ｒｃ３１４、Ｒｃ３２３及びＲｃ３２４はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であり、Ｒｃ１０５及びＲｃ１１５はそれぞれ独立に、ベンゼン環に直結する原子が炭素原子である１価の有機基又は水素原子であり、ｎｃ１は１以上３以下の整数であり、Ｌｃ２００は２価の連結基であり、Ｌｃ３００は３価の連結基であり、Ｒｃ１０２～Ｒｃ１０５、Ｒｃ１１２～Ｒｃ１１５、Ｒｃ２０１～Ｒｃ２０４、Ｒｃ２１１～Ｒｃ２１４、Ｒｃ３０１～Ｒｃ３０４、Ｒｃ３１１～Ｒｃ３１４、Ｒｃ３２１～Ｒｃ３２４、Ｌｃ２００及びＬｃ３００のいずれも炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない。
【0189】
Ｒｃ２０１、Ｒｃ２１１、Ｒｃ３０１、Ｒｃ３１１及びＲｃ３２１の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００１における具体例及び好ましい基と同様である。
Ｒｃ１０２、Ｒｃ１１２、Ｒｃ２０２、Ｒｃ２１２、Ｒｃ３０２、Ｒｃ３１２及びＲｃ３２２の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００２における具体例及び好ましい基と同様である。
Ｒｃ１０３、Ｒｃ１０４、Ｒｃ１１３、Ｒｃ１１４、Ｒｃ２０３、Ｒｃ２０４、Ｒｃ２１３、Ｒｃ２１４、Ｒｃ３０３、Ｒｃ３０４、Ｒｃ３１３、Ｒｃ３１４、Ｒｃ３２３及びＲｃ３２４の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００３及びＲｃ００４における具体例及び好ましい基と同様である。
Ｒｃ１０５及びＲｃ１１５の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００５における具体例及び好ましい基と同様である。
ｎｃ１は１以上３以下の整数であり、１以上２以下が好ましく、１がより好ましい。
Ｒｃ１０２、Ｒｃ１１２、Ｒｃ２０２、Ｒｃ２１２、Ｒｃ３０２、Ｒｃ３１２及びＲｃ３２２の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００２における具体例及び好ましい基と同様である。
Ｒｃ１０３、Ｒｃ１０４、Ｒｃ１１３、Ｒｃ１１４、Ｒｃ２０３、Ｒｃ２０４、Ｒｃ２１３、Ｒｃ２１４、Ｒｃ３０３、Ｒｃ３０４、Ｒｃ３１３、Ｒｃ３１４、Ｒｃ３２３及びＲｃ３２４の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００３及びＲｃ００４における具体例及び好ましい基と同様である。
Ｒｃ１０５及びＲｃ１１５の具体例及び好ましい基は、前述のＲｃ００５における具体例及び好ましい基と同様である。
ｎｃ１は１以上３以下の整数であり、１以上２以下が好ましく、１がより好ましい。
【0190】
Ｌｃ２００で表される２価の連結基は、２価の連結基であり、かつ、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない基であれば特に限定されるものではない。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基としては、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基、環状の２価の脂肪族炭化水素基、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、芳香環、イソシアヌレート環、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基は、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、２価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、及び２価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせが好ましく、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、及び２価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基がより好ましい。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基の具体例としては、下記式（Ｌｃ２－１）～（Ｌｃ２－６）で表される連結基等が挙げられる。下記式中、＊は式（Ｃ２）中のベンゼン環のパラ位への結合位置であり、ｎｃ２１、ｎｃ２２、ｎｃ２３、ｎｃ２４、ｎｃ２５、ｎｃ２６、ｎｃ２７、ｎｃ２８、ｎｃ２９およびｎｃ３０は、それぞれ独立に１以上３以下の整数である。Ｌｃ２００で表される２価の連結基は、これらに限定されるわけではない。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基としては、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基、環状の２価の脂肪族炭化水素基、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、芳香環、イソシアヌレート環、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基は、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、２価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、及び２価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせが好ましく、直鎖又は分岐状の２価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、及び２価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基がより好ましい。
Ｌｃ２００で表される２価の連結基の具体例としては、下記式（Ｌｃ２－１）～（Ｌｃ２－６）で表される連結基等が挙げられる。下記式中、＊は式（Ｃ２）中のベンゼン環のパラ位への結合位置であり、ｎｃ２１、ｎｃ２２、ｎｃ２３、ｎｃ２４、ｎｃ２５、ｎｃ２６、ｎｃ２７、ｎｃ２８、ｎｃ２９およびｎｃ３０は、それぞれ独立に１以上３以下の整数である。Ｌｃ２００で表される２価の連結基は、これらに限定されるわけではない。
【0191】
【化42】
【0192】
Ｌｃ３００で表される３価の連結基は、３価の連結基であり、かつ、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない基であれば特に限定されるものではない。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基としては、３価の脂肪族炭化水素基、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、芳香環、イソシアヌレート環、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基は、３価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、３価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、３価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ及び３価の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせが好ましく、３価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、３価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ及び３価の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせがより好ましい。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基の具体例としては、炭素数３以上１０以下の３価のアルキレン基、下記式（Ｌｃ３－１）～（Ｌｃ３－２）で表される連結基等が挙げられる。下記式中、＊は式（Ｃ３）中のベンゼン環のパラ位への結合位置であり、ｎｃ３１、ｎｃ３２、ｎｃ３３、ｎｃ３４、ｎｃ３５及びｎｃ３６はそれぞれ独立に１以上３以下の整数である。Ｌｃ３００で表される３価の連結基は、これらに限定されるわけではない。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基としては、３価の脂肪族炭化水素基、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、芳香環、イソシアヌレート環、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基は、３価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、３価の脂肪族炭化水素基の炭素－炭素の結合間にエステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びエーテル結合（－Ｏ－）の少なくとも一方が介在した連結基、３価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ及び３価の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせが好ましく、３価の脂肪族炭化水素基からなる連結基、３価の脂肪族炭化水素基と芳香環との組み合わせ及び３価の脂肪族炭化水素基とイソシアヌレート環との組み合わせがより好ましい。
Ｌｃ３００で表される３価の連結基の具体例としては、炭素数３以上１０以下の３価のアルキレン基、下記式（Ｌｃ３－１）～（Ｌｃ３－２）で表される連結基等が挙げられる。下記式中、＊は式（Ｃ３）中のベンゼン環のパラ位への結合位置であり、ｎｃ３１、ｎｃ３２、ｎｃ３３、ｎｃ３４、ｎｃ３５及びｎｃ３６はそれぞれ独立に１以上３以下の整数である。Ｌｃ３００で表される３価の連結基は、これらに限定されるわけではない。
【0193】
【化43】
【0194】
以下に、特定化合物の具体例として、特定化合物（Ｃ１－１）～（Ｃ１－１２）、（Ｃ２－１）～（Ｃ２－１８）、（Ｃ３－１）～（Ｃ３－９）及び（Ｃ４－１）～（Ｃ４－３）を示す。特定化合物は、これらに限定されるものではない。
【0195】
【化44】
【0196】
【化45】
【0197】
【化46】
【0198】
【化47】
【0199】
【化48】
【0200】
【化49】
【0201】
第一の実施形態に係る感光体において電荷輸送層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有率は、電荷輸送層全体に対して、０．５質量％以上１０．０質量％以下が好ましく、１．５質量％以上７．５質量％以下がより好ましく、２．０質量％以上５．０質量％以下が更に好ましい。
第二の実施形態に係る感光体において単層型感光層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有率は、単層型感光層に対して、０．５質量％以上１０．０質量％以下が好ましく、１．５質量％以上７．５質量％以下がより好ましく、２．０質量％以上５．０質量％以下が更に好ましい。
感光層全体に対する特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有率が上記範囲であることにより、上記範囲より低い場合に比べて焼き付きゴーストが抑制され、上記範囲より高い場合に比べてフィルミングが抑制される。
第二の実施形態に係る感光体において単層型感光層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有率は、単層型感光層に対して、０．５質量％以上１０．０質量％以下が好ましく、１．５質量％以上７．５質量％以下がより好ましく、２．０質量％以上５．０質量％以下が更に好ましい。
感光層全体に対する特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有率が上記範囲であることにより、上記範囲より低い場合に比べて焼き付きゴーストが抑制され、上記範囲より高い場合に比べてフィルミングが抑制される。
【0202】
第一の実施形態に係る感光体において電荷輸送層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物が有するフェノール性水酸基の量は、電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下が好ましく、８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下がより好ましく、１０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下が更に好ましい。
第二の実施形態に係る感光体において単層型感光層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物が有するフェノール性水酸基の量は、単層型感光層に含まれる電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下が好ましく、８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下がより好ましく、１０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下が更に好ましい。
電荷輸送材料のモル数に対する特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物が有するフェノール性水酸基の量が上記範囲であることにより、上記範囲より低い場合に比べて焼き付きゴーストが抑制され、上記範囲より高い場合に比べてサイクルストレス時における残留電位が抑制されるという利点がある。
第二の実施形態に係る感光体において単層型感光層に含まれる特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物が有するフェノール性水酸基の量は、単層型感光層に含まれる電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下が好ましく、８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下がより好ましく、１０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下が更に好ましい。
電荷輸送材料のモル数に対する特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物が有するフェノール性水酸基の量が上記範囲であることにより、上記範囲より低い場合に比べて焼き付きゴーストが抑制され、上記範囲より高い場合に比べてサイクルストレス時における残留電位が抑制されるという利点がある。
【0203】
以下、第一の実施形態及び第二の実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【0204】
［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【0205】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【0206】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【0207】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【0208】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【0209】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【0210】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【0211】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【0212】
［下引層］
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【0213】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【0214】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【0215】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【0216】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【0217】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【0218】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0219】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0220】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【0221】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【0222】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【0223】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【0224】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【0225】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【0226】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【0227】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【0228】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【0229】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【0230】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【0231】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【0232】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【0233】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【0234】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【0235】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【0236】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【0237】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0238】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【0239】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【0240】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【0241】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【0242】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0243】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0244】
［中間層］
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0245】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【0246】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【0247】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【0248】
［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【0249】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【0250】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。
【0251】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。
【0252】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【0253】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
【0254】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【0255】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【0256】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0257】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【0258】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【0259】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【0260】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0261】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0262】
［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【0263】
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【0264】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。ポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【0265】
電荷輸送材料又は高分子電荷輸送材料としては、多環芳香族化合物、芳香族ニトロ化合物、芳香族アミン化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物（特にはトリフェニルアミン化合物）、ジアミン化合物、オキサジアゾール化合物、カルバゾール化合物、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン化合物、インドール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、チアゾール化合物、チアジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物、シアノ化合物、ベンゾフラン化合物、アニリン化合物、ブタジエン化合物及びこれらの物質から誘導される基を有する樹脂も挙げられる。具体的には、特開２０２１－１１７３７７号公報の段落００７８～００８０、特開２０１９－０３５９００号公報の段落００４６～００４８、特開２０１９－０１２１４１号公報の段落００５２～００５３、特開２０２１－０７１５６５号公報の段落０１２２～０１３４、特開２０２１－０１５２２３号公報の段落０１０１～０１１０、特開２０１３－０９７３００号公報の段落０１１６、国際公開第２０１９／０７０００３号の段落０３０９～０３１６、特開２０１８－１５９０８７号公報の段落０１０３～０１０７及び特開２０２１－１４８８１８号公報の段落０１０２～０１１３それぞれに記載の化合物が挙げられる。
【0266】
電荷輸送材料は、電荷移動度の観点から、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【0267】
【化50】
【0268】
式（Ｄ１）において、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ(ＲＴ４)＝Ｃ(ＲＴ５)(ＲＴ６)又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(
ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に
水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に
水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
【0269】
式（Ｄ１）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。
【0270】
化合物（Ｄ１）としては、電荷移動度の観点から、アリール基又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ７)(ＲＴ８)を少なくとも１個有する化合物が好ましく、下記の式（Ｄ’１）で表される化合物（Ｄ’１）がより好ましい。
【0271】
【化51】
【0272】
式（Ｄ’１）において、ＲＴ１１１、ＲＴ１１２、ＲＴ１２１、ＲＴ１２２、ＲＴ１３１及びＲＴ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基（好ましくは炭素数１以上３以下のアルキル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１以上３以下のアルコキシ基）、フェニル基又はフェノキシ基である。Ｔｊ１、Ｔｊ２、Ｔｊ３、Ｔｋ１、Ｔｋ２及びＴｋ３はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0273】
【化52】
【0274】
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0275】
式（Ｄ２）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。
【0276】
化合物（Ｄ２）としては、電荷移動度の観点から、アルキル基、アリール基、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)を少なくとも１個有する化合物が好ましく、アルキル基、アリール基、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)を２個有する化合物がより好ましい。
【0277】
【化53】
【0278】
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0279】
式（Ｄ３）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。
【0280】
【化54】
【0281】
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0282】
式（Ｄ４）中の基は、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基によって置換されていてもよい。
【0283】
電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２０質量％以上７０質量％以下が好ましい。
【0284】
電荷輸送層は結着樹脂として少なくともジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を含む。電荷輸送層に含まれる結着樹脂の全量に占めるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂の合計割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。
【0285】
電荷輸送層は、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂以外のその他の結着樹脂を含んでいてもよい。その他の結着樹脂としては、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂以外のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
【0286】
電荷輸送層は酸化防止剤として少なくとも特定化合物を含む。電荷輸送層は、特定化合物以外の酸化防止剤を含んでもよい。フィルミングの抑制と焼き付きゴーストの抑制とを両立する観点から、電荷輸送層は、特定化合物以外の酸化防止剤を含まないことが好ましい。
電荷輸送層に含まれる酸化防止剤の全量に占める特定化合物の合計割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましく、１００質量％が特に好ましい。
電荷輸送層に含まれる酸化防止剤の全量に占める特定化合物の合計割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましく、１００質量％が特に好ましい。
【0287】
電荷輸送層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、レベリング剤、消泡剤、フィラー、粘度調整剤などが挙げられる。
【0288】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【0289】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【0290】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0291】
電荷輸送層の平均厚は、５μｍ以上６０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５５μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以上５０μｍ以下が更に好ましい。
【0292】
［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と、電荷輸送材料と、結着樹脂と、特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物と、必要に応じてその他の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と、電荷輸送材料と、結着樹脂と、特定ヒンダードフェノール構造を有する化合物と、必要に応じてその他の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
【0293】
単層型感光層は結着樹脂として少なくともジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂を含む。単層型感光層に含まれる結着樹脂の全量に占めるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂の合計割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。
【0294】
単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。
【0295】
単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して４０質量％以上６０質量％以下がよい。
【0296】
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
【0297】
単層型感光層の平均厚は、５μｍ以上６０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５５μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以上５０μｍ以下が更に好ましい。
【0298】
＜画像形成装置及びプロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【0299】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着装置を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング装置を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電装置を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【0300】
中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。
【0301】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【0302】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電装置、静電潜像形成装置、現像装置、転写装置からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【0303】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【0304】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成装置の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写装置の一例に相当する。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成装置の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写装置の一例に相当する。
【0305】
図３におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電装置の一例）、現像装置１１（現像装置の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング装置の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【0306】
なお、図３には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【0307】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【0308】
－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【0309】
－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【0310】
－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【0311】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【0312】
－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【0313】
－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【0314】
－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【0315】
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例0316】
以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。
以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
以下の説明において、合成、処理、製造などは、特に断りのない限り、室温（２５℃±３℃）で行った。
以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
以下の説明において、合成、処理、製造などは、特に断りのない限り、室温（２５℃±３℃）で行った。
【0317】
＜ポリエステル樹脂の用意＞
ポリステル樹脂（ＰＥ１）～（ＰＥ７）を用意した。表１にポリエステル樹脂を構成する単位及び組成を示す。
表１に記したＡ２－３等は、既述のジカルボン酸単位（Ａ）の具体例である。
表１に記したＢ１－４等は、既述のジオール単位（Ｂ）の具体例である。
ポリステル樹脂（ＰＥ１）～（ＰＥ７）を用意した。表１にポリエステル樹脂を構成する単位及び組成を示す。
表１に記したＡ２－３等は、既述のジカルボン酸単位（Ａ）の具体例である。
表１に記したＢ１－４等は、既述のジオール単位（Ｂ）の具体例である。
【0318】
【表1】
【0319】
＜積層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例Ｓ１～Ｓ２０、比較例Ｓ１～Ｓ１５］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、肉厚１．６ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。
［実施例Ｓ１～Ｓ２０、比較例Ｓ１～Ｓ１５］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、肉厚１．６ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。
【0320】
酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン１．３部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。
【0321】
表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
【0322】
アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、下引層を形成した。下引層の平均厚は２５μｍとした。
【0323】
－電荷発生層の形成－
電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１°及び２８．３°の位置に回折ピークを有する。）１５部、結着樹脂として塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、及びｎ－酢酸ブチル２００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。分散液にｎ－酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、室温（２５℃±３℃）で乾燥して、平均厚０．１８μｍの電荷発生層を形成した。
電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１°及び２８．３°の位置に回折ピークを有する。）１５部、結着樹脂として塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、及びｎ－酢酸ブチル２００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。分散液にｎ－酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、室温（２５℃±３℃）で乾燥して、平均厚０．１８μｍの電荷発生層を形成した。
【0324】
－電荷輸送層の形成－
結着樹脂として表２～３に示す種類のポリエステル樹脂６０部と、電荷輸送材料として表２～３に示す種類の電荷輸送材料４０部と、酸化防止剤として表２～３に示す種類及び添加量の特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤とを、テトラヒドロフラン５５０部及びトルエン５０部に溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、温度１５０℃で６０分間の乾燥を行い、平均厚４０μｍの電荷輸送層を形成した。
表２～３に記した電荷輸送材料ＣＴＭ－１～ＣＴＭ－５は下記の化合物である。
表２に記したＣ１－１、Ｃ２－１、Ｃ１－４、Ｃ１－３、Ｃ１－２、Ｃ２－４及びＣ４－１は、既述の特定化合物の具体例である。
表３に記したＨＰ－１～ＨＰ－１５は下記の化合物である。
電荷輸送材料のモル数に対する特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤のフェノール性水酸基量を併せて表２～３（表中の「水酸基量（ｍｏｌ％）」に示す。
結着樹脂として表２～３に示す種類のポリエステル樹脂６０部と、電荷輸送材料として表２～３に示す種類の電荷輸送材料４０部と、酸化防止剤として表２～３に示す種類及び添加量の特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤とを、テトラヒドロフラン５５０部及びトルエン５０部に溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、温度１５０℃で６０分間の乾燥を行い、平均厚４０μｍの電荷輸送層を形成した。
表２～３に記した電荷輸送材料ＣＴＭ－１～ＣＴＭ－５は下記の化合物である。
表２に記したＣ１－１、Ｃ２－１、Ｃ１－４、Ｃ１－３、Ｃ１－２、Ｃ２－４及びＣ４－１は、既述の特定化合物の具体例である。
表３に記したＨＰ－１～ＨＰ－１５は下記の化合物である。
電荷輸送材料のモル数に対する特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤のフェノール性水酸基量を併せて表２～３（表中の「水酸基量（ｍｏｌ％）」に示す。
【0325】
【化55】
【0326】
【化56】
【0327】
【化57】
【0328】
【化58】
【0329】
＜単層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例Ｔ１～Ｔ７、比較例Ｔ１～Ｔ３］
－単層型感光層の形成－
結着樹脂として表４に示す種類のポリエステル樹脂４５．７５部と、電荷発生材料としてＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有する。）１．２５部と、電子輸送材料であるＥＴＭ－１を１３部と、電荷輸送材料として表４に示す種類の電荷輸送材料４０部と、酸化防止剤として表４に示す種類及び添加量の特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤と、溶剤としてテトラヒドロフラン１７５部及びトルエン７５部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、単層型感光層形成用塗布液を得た。
得られた感光層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて、外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、肉厚１．６ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、温度１５０℃で６０分間の乾燥を行い、平均厚３６μｍの単層型感光層を形成した。
上記電子輸送材料ＥＴＭ－１及び表４に記した電荷輸送材料ＣＴＭ－１は下記の化合物である。
表４に記したＣ１－１、Ｃ２－１、Ｃ１－３及びＣ２－４は、既述の特定化合物の具体例である。
表４に記したＨＰ－１、ＨＰ－５及びＨＰ－１５は前記の化合物である。
電荷輸送材料のモル数に対する特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤のフェノール性水酸基量を併せて表４（表中の「水酸基量（ｍｏｌ％）」に示す。
［実施例Ｔ１～Ｔ７、比較例Ｔ１～Ｔ３］
－単層型感光層の形成－
結着樹脂として表４に示す種類のポリエステル樹脂４５．７５部と、電荷発生材料としてＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有する。）１．２５部と、電子輸送材料であるＥＴＭ－１を１３部と、電荷輸送材料として表４に示す種類の電荷輸送材料４０部と、酸化防止剤として表４に示す種類及び添加量の特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤と、溶剤としてテトラヒドロフラン１７５部及びトルエン７５部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、単層型感光層形成用塗布液を得た。
得られた感光層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて、外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、肉厚１．６ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、温度１５０℃で６０分間の乾燥を行い、平均厚３６μｍの単層型感光層を形成した。
上記電子輸送材料ＥＴＭ－１及び表４に記した電荷輸送材料ＣＴＭ－１は下記の化合物である。
表４に記したＣ１－１、Ｃ２－１、Ｃ１－３及びＣ２－４は、既述の特定化合物の具体例である。
表４に記したＨＰ－１、ＨＰ－５及びＨＰ－１５は前記の化合物である。
電荷輸送材料のモル数に対する特定化合物又は特定化合物以外の酸化防止剤のフェノール性水酸基量を併せて表４（表中の「水酸基量（ｍｏｌ％）」に示す。
【0330】
【化59】
【0331】
＜感光体の性能評価＞
［電気特性（焼き付きゴースト）］
感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士フイルムビジネスイノベーション社製、ＡｐｅｏｓＣ７０７０）に搭載した。温度２８℃且つ相対湿度８５％の高温高湿環境においてＡ３サイズの普通紙に格子模様チャートを連続５００枚した後に、Ｋ（クロ）単色の３０％ハーフトーン画像を１枚出力した。出力したハーフトーン画像を観察し、連続５００枚出力した格子模様チャートの画像部と非画像部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定は０～５Ｇまで１Ｇ刻みで実施し、Ｇの数字が小さいほど濃度差が小さく、焼き付きゴーストの発生が抑制されていることを示す。グレード判定の結果を表２～４に示す。
［電気特性（焼き付きゴースト）］
感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士フイルムビジネスイノベーション社製、ＡｐｅｏｓＣ７０７０）に搭載した。温度２８℃且つ相対湿度８５％の高温高湿環境においてＡ３サイズの普通紙に格子模様チャートを連続５００枚した後に、Ｋ（クロ）単色の３０％ハーフトーン画像を１枚出力した。出力したハーフトーン画像を観察し、連続５００枚出力した格子模様チャートの画像部と非画像部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定は０～５Ｇまで１Ｇ刻みで実施し、Ｇの数字が小さいほど濃度差が小さく、焼き付きゴーストの発生が抑制されていることを示す。グレード判定の結果を表２～４に示す。
【0332】
［フィルミング］
感光体を上記の画像形成装置に搭載した。温度２８℃且つ相対湿度８５％の高温高湿環境下においてＡ３サイズの紙に画像密度１０％の画質パターンを連続５００００枚出力した後に、評価実施後の感光体を取り出し、共焦点レーザ顕微鏡（ＯＬＳ１１００，ＯＬＹＭＰＡＳ社製）を用いて直接表面観察を行い、以下の基準に基づいてフィルミングの評価を行った。結果を表２～４に示す。
－フィルミング評価－
Ａ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られない。
Ｂ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られるが、アルコールで湿らせた不織布で拭き取りを行うと除去される
Ｃ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られ、アルコールで湿らせた不織布で拭き取りを行っても除去できない
感光体を上記の画像形成装置に搭載した。温度２８℃且つ相対湿度８５％の高温高湿環境下においてＡ３サイズの紙に画像密度１０％の画質パターンを連続５００００枚出力した後に、評価実施後の感光体を取り出し、共焦点レーザ顕微鏡（ＯＬＳ１１００，ＯＬＹＭＰＡＳ社製）を用いて直接表面観察を行い、以下の基準に基づいてフィルミングの評価を行った。結果を表２～４に示す。
－フィルミング評価－
Ａ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られない。
Ｂ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られるが、アルコールで湿らせた不織布で拭き取りを行うと除去される
Ｃ：感光体表面にトナーの固着（フィルミング）が見られ、アルコールで湿らせた不織布で拭き取りを行っても除去できない
【0333】
【表2】
【0334】
【表3】
【0335】
【表4】
【0336】
本開示には、下記の態様が含まれる。
【0337】
（（（１）））
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置された感光層であって、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型の感光層又は単層型の感光層と、
を備え、
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、分子量が２５５以上であり、オルト位の一方に第一級炭素原子又は第二級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子又は第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有し、炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有さない、化合物と、を含有する、
電子写真感光体。
【0338】
【化60】
【0339】
式（Ａ）において、ＡｒＡ１及びＡｒＡ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＡは単結合又は２価の連結基であり、ｎＡ１は０、１又は２である。
（（（２）））
前記化合物は、１分子中に前記フェノール骨格を２以上有する、（（（１）））に記載の電子写真感光体。
（（（３）））
前記２以上のフェノール骨格は、第１の前記フェノール骨格のオルト位と第２の前記フェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１の前記フェノール骨格のパラ位と第２の前記フェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有する、（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４）））
前記化合物の含有率は、前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に対し、０．４質量％以上１０．０質量％以下である、（（（１）））～（（（３）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（５）））
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に含まれる前記化合物が有するフェノール性水酸基の量は、前記電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である、（（（１）））～（（（４）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（６）））
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（１）））～（（（５）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（２）））
前記化合物は、１分子中に前記フェノール骨格を２以上有する、（（（１）））に記載の電子写真感光体。
（（（３）））
前記２以上のフェノール骨格は、第１の前記フェノール骨格のオルト位と第２の前記フェノール骨格のオルト位とが炭素数１～３のアルキレン基を介して結合した構造、及び第１の前記フェノール骨格のパラ位と第２の前記フェノール骨格のパラ位とが２価の連結基を介して結合した構造の少なくとも一方を有する、（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４）））
前記化合物の含有率は、前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に対し、０．４質量％以上１０．０質量％以下である、（（（１）））～（（（３）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（５）））
前記電荷輸送層又は前記単層型の感光層全体に含まれる前記化合物が有するフェノール性水酸基の量は、前記電荷輸送材料のモル数に対して、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である、（（（１）））～（（（４）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（６）））
前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）、下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）及び下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（１）））～（（（５）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0340】
【化61】
【0341】
【化62】
【0342】
式（Ａ１）において、ｎ１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ１０１個のＲａ１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
（（（７）））
前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）をさらに有する、（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
式（Ａ２）において、ｎ２０１及びｎ２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ２０１個のＲａ２０１及びｎ２０２個のＲａ２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ３０１及びｎ３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ３０１個のＲａ３０１及びｎ３０２個のＲａ３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ４０１個のＲａ４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ５）において、ｎ５０１、ｎ５０２及びｎ５０３はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ５０１個のＲａ５０１、ｎ５０２個のＲａ５０２及びｎ５０３個のＲａ５０３はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
（（（７）））
前記ポリエステル樹脂が、下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）をさらに有する、（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0343】
【化63】
【0344】
式（Ｂ）において、ＡｒＢ１及びＡｒＢ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、ＬＢは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ１)(Ｒｂ２)－であり、ｎＢ１は０、１又は２である。Ｒｂ１及びＲｂ２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
（（（８）））
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（７）））に記載の電子写真感光体。
（（（８）））
前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（７）））に記載の電子写真感光体。
【0345】
【化64】
【0346】
【化65】
【0347】
式（Ｂ１）において、Ｒｂ１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０１、Ｒｂ５０１、Ｒｂ８０１及びＲｂ９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０２、Ｒｂ５０２、Ｒｂ８０２及びＲｂ９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ１１３及びＲｂ２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ４０３、Ｒｂ５０３、Ｒｂ８０３及びＲｂ９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ１０４及びＲｂ２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０４、Ｒｂ５０４、Ｒｂ８０４及びＲｂ９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ４０５、Ｒｂ５０５、Ｒｂ８０５及びＲｂ９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ１１６及びＲｂ２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ４０６、Ｒｂ５０６、Ｒｂ８０６及びＲｂ９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ４０７、Ｒｂ５０７、Ｒｂ８０７及びＲｂ９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ４０８、Ｒｂ５０８、Ｒｂ８０８及びＲｂ９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
【0348】
（（（９）））
前記電荷輸送材料が、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（１）））～（（（８）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
前記電荷輸送材料が、下記の式（Ｄ１）で表される化合物（Ｄ１）、下記の式（Ｄ２）で表される化合物（Ｄ２）、下記の式（Ｄ３）で表される化合物（Ｄ３）及び下記の式（Ｄ４）で表される化合物（Ｄ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（１）））～（（（８）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【0349】
【化66】
【0350】
式（Ｄ１）において、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３はそれぞれ独立にアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ(ＲＴ４)＝Ｃ(ＲＴ５)(ＲＴ６)又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ７)(ＲＴ８)である。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ５及びＲＴ６がアリール基のとき、アリール基どうしが－Ｃ(Ｒ５１)(Ｒ５２)－及び－Ｃ(Ｒ６１)＝Ｃ(Ｒ６２)－からなる群から選択される少なくとも１種の２価基で連結されていてもよい。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ６１及びＲ６２はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ２）において、ＲＴ２０１、ＲＴ２０２、ＲＴ２１１及びＲＴ２１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ２１)＝Ｃ(ＲＴ２２)(ＲＴ２３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ２４)(ＲＴ２５)である。ＲＴ２１、ＲＴ２２、ＲＴ２３、ＲＴ２４及びＲＴ２５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ２２１及びＲＴ２２２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ３）において、ＲＴ３０１、ＲＴ３０２、ＲＴ３１１及びＲＴ３１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ３１)＝Ｃ(ＲＴ３２)(ＲＴ３３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ３４)(ＲＴ３５)である。ＲＴ３１、ＲＴ３２、ＲＴ３３、ＲＴ３４及びＲＴ３５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ３２１、ＲＴ３２２及びＲＴ３３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｏ１、Ｔｏ２、Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｑ１、Ｔｑ２及びＴｒ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
式（Ｄ４）において、ＲＴ４０１、ＲＴ４０２、ＲＴ４１１及びＲＴ４１２はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１又は２のアルキル基で置換されたアミノ基、アリール基、－Ｃ(ＲＴ４１)＝Ｃ(ＲＴ４２)(ＲＴ４３)又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ(ＲＴ４４)(ＲＴ４５)である。ＲＴ４１、ＲＴ４２、ＲＴ４３、ＲＴ４４及びＲＴ４５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基である。ＲＴ４２１、ＲＴ４２２及びＲＴ４３１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基である。Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２、Ｔｕ１、Ｔｕ２及びＴｖ１はそれぞれ独立に０、１又は２である。
【0351】
（（（１０）））
（（（１）））～（（（９）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（１１）））
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、（（（１０）））に記載のプロセスカートリッジ。
（（（１２）））
（（（１）））～（（（９）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
（（（１３）））
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、（（（１２）））に記載の画像形成装置。
（（（１）））～（（（９）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（１１）））
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、（（（１０）））に記載のプロセスカートリッジ。
（（（１２）））
（（（１）））～（（（９）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
（（（１３）））
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニングブレードを有するクリーニング装置をさらに備える、（（（１２）））に記載の画像形成装置。
【0352】
（（（１）））、（（（６）））、（（（７）））、（（（８）））又は（（（９）））に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である場合、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する場合、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体が提供される。
（（（２）））又は（（（３）））に係る発明によれば、化合物が１分子中にフェノール骨格を１つのみ有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、化合物の含有率が電荷輸送層又は単層型の感光層全体に対し０．４質量％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（５）））に係る発明によれば、電荷輸送層又は単層型の感光層全体に含まれる化合物が有するフェノール性水酸基の量が電荷輸送材料のモル数に対して５ｍｏｌ％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（１０）））又は（（（１１）））に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
（（（１２）））又は（（（１３）））に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
（（（２）））又は（（（３）））に係る発明によれば、化合物が１分子中にフェノール骨格を１つのみ有する場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、化合物の含有率が電荷輸送層又は単層型の感光層全体に対し０．４質量％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（５）））に係る発明によれば、電荷輸送層又は単層型の感光層全体に含まれる化合物が有するフェノール性水酸基の量が電荷輸送材料のモル数に対して５ｍｏｌ％未満である場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
（（（１０）））又は（（（１１）））に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
（（（１２）））又は（（（１３）））に係る発明によれば、導電性基体と積層型の感光層又は単層型の感光層とを備え、積層型の感光層の電荷輸送層又は単層型の感光層が、最表面層であり、かつ、電荷輸送材料と、ジカルボン酸単位（Ａ）を有するポリエステル樹脂と、化合物と、を含有し、化合物が、分子量２６０未満である電子写真感光体、オルト位の一方に水素原子、第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合し他方に第三級炭素原子若しくは第四級炭素原子が結合したフェノール骨格を有する電子写真感光体、又は炭素数４以上の直鎖アルキレン構造を有する電子写真感光体を適用した場合に比べ、焼き付きゴーストが発生しにくく、かつ、電子写真感光体表面へのトナーの固着が抑制される電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
【符号の説明】
【0353】
１ 導電性基体、２ 下引層、３ 電荷発生層、４ 電荷輸送層、５ 感光層、１０Ａ 感光体、１０Ｂ 感光体
【0354】
７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
