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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024144310
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】半導体製造工程用粘着テープ
(51)【国際特許分類】
C09J 7/29 20180101AFI20241003BHJP
C09J 7/38 20180101ALI20241003BHJP
C09J 133/00 20060101ALI20241003BHJP
C09J 11/06 20060101ALI20241003BHJP
C09J 133/14 20060101ALI20241003BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
C09J7/29
C09J7/38
C09J133/00
C09J11/06
C09J133/14
H01L21/78 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024049426
(22)【出願日】2024-03-26
(31)【優先権主張番号】P 2023053626
(32)【優先日】2023-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002174
【氏名又は名称】積水化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】原田 桃子
(72)【発明者】
【氏名】内田 徳之
(72)【発明者】
【氏名】瀧尻 絢
【テーマコード（参考）】
4J004
4J040
5F063
【Ｆターム（参考）】
4J004AA01
4J004AA10
4J004AA11
4J004AA14
4J004AA17
4J004AB01
4J004CA06
4J004CB03
4J004CC03
4J004CE01
4J004EA05
4J004FA05
4J004FA08
4J040DF001
4J040DF061
4J040DM001
4J040EF282
4J040HB44
4J040HC22
4J040HC25
4J040JA09
4J040JB09
4J040KA13
4J040KA16
4J040KA23
4J040KA26
4J040KA29
4J040KA42
4J040LA06
4J040MA02
4J040MB05
4J040NA20
4J040PA20
4J040PA33
4J040PA42
5F063AA33
5F063DD86
5F063EE18
5F063EE22
5F063EE43
5F063EE44
(57)【要約】
【課題】チップ部品の厚みが薄くても、チップ部品に対する剥離性能に優れ、精度よくチップ部品を転写することができる半導体製造工程用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材層と第１の粘着剤層とを有し、前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープ。
【選択図】なし
【解決手段】基材層と第１の粘着剤層とを有し、前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープ。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材層と第１の粘着剤層とを有し、
前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、
前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、
波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である
ことを特徴とする半導体製造工程用粘着テープ。
前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、
前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、
波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である
ことを特徴とする半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項2】
基材層と中間粘着層と第１の粘着剤層とをこの順に有し、
前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、
前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、
波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である
ことを特徴とする半導体製造工程用粘着テープ。
前記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、
前記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、
波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である
ことを特徴とする半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項3】
前記基材層が、ポリエステルフィルムを含む請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項4】
前記第１の粘着剤層はベースポリマーを含有し、前記ベースポリマーが、（メタ）アクリル共重合体を含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項5】
前記（メタ）アクリル共重合体が水酸基含有モノマーに由来する構造を有し、前記（メタ）アクリル共重合体中において、水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が２質量％以上である請求項４記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項6】
前記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）が、常温で液状である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項7】
前記ベースポリマー１００質量部に対して、前記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１５質量部以下である請求項６記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項8】
前記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項9】
前記第１の粘着剤層のゲル分率が、６０質量％以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項10】
前記第１の粘着剤層の厚みが、４０μｍ以下である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項11】
前記中間粘着層が、更に、紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有する請求項２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項12】
前記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）が、常温で液状である請求項１１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項13】
前記中間粘着層はベースポリマーを含有し、前記ベースポリマー１００質量部に対して、前記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１５質量部以下である請求項１１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項14】
前記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である請求項２又は１１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項15】
前記中間粘着層と前記第１の粘着剤層との間に、更に、バリア層を有する請求項２又は１１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項16】
前記バリア層が、ポリエステルフィルムを含む請求項１５記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項17】
前記バリア層の厚みが、６μｍ以下である請求項１５記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項18】
前記基材層の前記第１の粘着剤層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着剤層を有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造工程用粘着テープに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造工程において、粘着剤層上に配置された多数のチップ部品を駆動回路基板上に転写することがある。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、画素を構成するチップの１つ１つが微細な発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、このマイクロＬＥＤチップが自発光して画像を表示する表示装置である。マイクロＬＥＤディスプレイは、コントラストが高く、応答速度が速く、また、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で使用されるカラーフィルターを必要としないこと等により薄型化も可能であることから、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイにおいては、多数のマイクロＬＥＤチップが平面状に高密度で敷き詰められている。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、画素を構成するチップの１つ１つが微細な発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、このマイクロＬＥＤチップが自発光して画像を表示する表示装置である。マイクロＬＥＤディスプレイは、コントラストが高く、応答速度が速く、また、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で使用されるカラーフィルターを必要としないこと等により薄型化も可能であることから、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイにおいては、多数のマイクロＬＥＤチップが平面状に高密度で敷き詰められている。
【0003】
このようなマイクロＬＥＤディスプレイ等の半導体デバイスの製造工程においては、例えば、粘着剤層上に多数のチップ部品を貼り付け、配置した転写用積層体を、駆動回路基板と対向させ、転写用積層体からチップ部品を剥離させて駆動回路基板と電気的な接続を行う（転写工程）。
【0004】
転写用積層体からチップ部品を剥離させる方法としては、例えば、転写用積層体の支持体の背面から粘着剤層に焦点をあててレーザー光を照射する方法が知られている（例えば、特許文献１）。このような方法は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）とも呼ばれる。また、粘着剤層に熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を配合し、転写用積層体と駆動回路基板との熱圧着により熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を熱膨張させることで、粘着剤層の変形による接着面積低下によりチップ部品を剥離させる方法も知られている（例えば、特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１９－１３８９４９号公報
【特許文献2】特開２０１９－１５８９９号公報
【特許文献3】特開２００３－７９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、チップ部品の厚みが薄い場合、従来のテープでは、粘着剤層に貼り付けたチップ部品の剥離不良により、歩留まりよくチップ部品を転写することが難しいという問題があった。
【0007】
本発明は、チップ部品の厚みが薄くても、チップ部品に対する剥離性能に優れ、精度よくチップ部品を転写することができる半導体製造工程用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示１は、基材層と第１の粘着剤層とを有し、上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、上記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープである。
本開示２は、基材層と中間粘着層と第１の粘着剤層とをこの順に有し、上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、上記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープである。
本開示３は、上記基材層が、ポリエステルフィルムを含む本開示１又は２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示４は、上記第１の粘着剤層はベースポリマーを含有し、上記ベースポリマーが、（メタ）アクリル共重合体を含有する本開示１、２又は３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示５は、上記（メタ）アクリル共重合体が水酸基含有モノマーに由来する構造を有し、上記（メタ）アクリル共重合体中において、水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が２質量％以上である本開示４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示６は、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）が、常温で液状である本開示１、２、３、４又は５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示７は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１５質量部以下である本開示６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示８は、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である本開示１、２、３、４、５、６又は７の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示９は、上記第１の粘着剤層のゲル分率が、６０質量％以上である本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１０は、上記第１の粘着剤層の厚みが、４０μｍ以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１１は、上記中間粘着層が、更に、紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有する本開示２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１２は、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）が、常温で液状である本開示１１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１３は、上記中間粘着層はベースポリマーを含有し、上記ベースポリマー１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１５質量部以下である本開示１１又は１２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１４は、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である本開示２、１１、１２又は１３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１５は、上記中間粘着層と上記第１の粘着剤層との間に、更に、バリア層を有する本開示２、１１、１２、１３又は１４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１６は、上記バリア層が、ポリエステルフィルムを含む本開示１５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１７は、上記バリア層の厚みが、６μｍ以下である本開示１５又は１６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１８は、上記基材層の上記第１の粘着剤層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着剤層を有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２，１３、１４、１５、１６又は１７の半導体製造工程用粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。
本開示２は、基材層と中間粘着層と第１の粘着剤層とをこの順に有し、上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、上記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープである。
本開示３は、上記基材層が、ポリエステルフィルムを含む本開示１又は２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示４は、上記第１の粘着剤層はベースポリマーを含有し、上記ベースポリマーが、（メタ）アクリル共重合体を含有する本開示１、２又は３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示５は、上記（メタ）アクリル共重合体が水酸基含有モノマーに由来する構造を有し、上記（メタ）アクリル共重合体中において、水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が２質量％以上である本開示４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示６は、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）が、常温で液状である本開示１、２、３、４又は５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示７は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１５質量部以下である本開示６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示８は、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である本開示１、２、３、４、５、６又は７の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示９は、上記第１の粘着剤層のゲル分率が、６０質量％以上である本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１０は、上記第１の粘着剤層の厚みが、４０μｍ以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１１は、上記中間粘着層が、更に、紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有する本開示２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１２は、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）が、常温で液状である本開示１１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１３は、上記中間粘着層はベースポリマーを含有し、上記ベースポリマー１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１５質量部以下である本開示１１又は１２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１４は、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が、８０％以上である本開示２、１１、１２又は１３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１５は、上記中間粘着層と上記第１の粘着剤層との間に、更に、バリア層を有する本開示２、１１、１２、１３又は１４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１６は、上記バリア層が、ポリエステルフィルムを含む本開示１５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１７は、上記バリア層の厚みが、６μｍ以下である本開示１５又は１６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１８は、上記基材層の上記第１の粘着剤層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着剤層を有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２，１３、１４、１５、１６又は１７の半導体製造工程用粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。
【0009】
本発明者らは、紫外線吸収剤を含有する粘着剤層を有する粘着テープを用い、特定の温度領域における粘着剤層の損失正接（ｔａｎδ）の最大値を特定値以下にすること、及び、特定の紫外線を照射した後の粘着テープの粘着力低下率を特定の範囲に調整することを検討した。その結果、チップ部品の厚みが薄い場合であっても、レーザーアブレーションによるチップ部品に対する剥離性能に優れた粘着テープを得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0010】
本発明の半導体製造工程用粘着テープは、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率（以下、単に「紫外線照射後の粘着力低下率」ということもある。）の上限が６０％である。上記紫外線照射後の粘着力低下率が６０％以下であることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープはレーザーアブレーションを行う前に別途紫外線を照射することなく、チップ部品を剥離することが可能となるため、チップ部品製造の作業効率が向上する。本発明の半導体製造工程用粘着テープの紫外線照射後の粘着力低下率の好ましい上限は１０％であり、０％が最も好ましい。
なお、本発明の半導体製造工程用粘着テープの紫外線照射後の粘着力低下率の測定方法は、以下の方法で行う。
即ち、粘着テープを幅２５ｍｍ×長さ７５ｍｍの平面長方形状に裁断し、裁断した粘着テープを２ｋｇのゴムローラーを用いて、ガラス板に貼り合わせ、２３℃、５０％ＲＨの条件下で２０分間静置して、試験片を作製する。得られた試験片について、引張試験機（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」等）を用い、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、２３℃、５０％ＲＨ、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離試験を行うことで、紫外線照射前の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を得る。また、上記と同様に裁断した粘着テープに対して、ブラックライト（ＮＥＣ社製、「ＦＬ２０ＳＢＬ」）を用いたＵＶ照射器を用いて波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後、上記の方法と同様にして、１８０°剥離力を測定することにより、紫外線照射後の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を得る。そして、以下の式により、紫外線照射後の粘着力低下率を算出する。
紫外線照射後の粘着力低下率（％）＝１００×｛（紫外線照射前の１８０°剥離力）－（紫外線照射後の１８０°剥離力）｝／（紫外線照射前の１８０°剥離力）
なお、本発明の半導体製造工程用粘着テープの紫外線照射後の粘着力低下率の測定方法は、以下の方法で行う。
即ち、粘着テープを幅２５ｍｍ×長さ７５ｍｍの平面長方形状に裁断し、裁断した粘着テープを２ｋｇのゴムローラーを用いて、ガラス板に貼り合わせ、２３℃、５０％ＲＨの条件下で２０分間静置して、試験片を作製する。得られた試験片について、引張試験機（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」等）を用い、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、２３℃、５０％ＲＨ、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離試験を行うことで、紫外線照射前の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を得る。また、上記と同様に裁断した粘着テープに対して、ブラックライト（ＮＥＣ社製、「ＦＬ２０ＳＢＬ」）を用いたＵＶ照射器を用いて波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後、上記の方法と同様にして、１８０°剥離力を測定することにより、紫外線照射後の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を得る。そして、以下の式により、紫外線照射後の粘着力低下率を算出する。
紫外線照射後の粘着力低下率（％）＝１００×｛（紫外線照射前の１８０°剥離力）－（紫外線照射後の１８０°剥離力）｝／（紫外線照射前の１８０°剥離力）
【0011】
本発明の半導体製造工程用粘着テープは、基材層を有する。
本発明の半導体製造工程用粘着テープが基材層を有することにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとなる。
本発明の半導体製造工程用粘着テープが基材層を有することにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとなる。
【0012】
レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点から、上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限は１％、より好ましい下限は５０％、更に好ましい下限は８０％である。上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい上限は特にないが、実質的には９５％程度が上限である。
なお、上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率は、例えば、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」等）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。
なお、上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率は、例えば、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」等）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。
【0013】
上記基材層は、上記波長３５５ｎｍでの紫外線透過率を上記範囲に調整する観点から、樹脂フィルムを含むことが好ましい。
上記樹脂フィルムは特に限定されないが、耐熱性に優れる観点からは、ポリエステルフィルムを含むことが好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）フィルム等が挙げられる。なかでも、価格と優れた透過性とのバランスの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。
また、上記樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、（メタ）アクリル樹脂フィルムを含むことが好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートフィルム等が挙げられる。
また、上記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタールフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンエーテルフィルム、超高分子量ポリエチレンフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等も挙げられる。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルのことを意味する。
上記樹脂フィルムは特に限定されないが、耐熱性に優れる観点からは、ポリエステルフィルムを含むことが好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）フィルム等が挙げられる。なかでも、価格と優れた透過性とのバランスの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。
また、上記樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、（メタ）アクリル樹脂フィルムを含むことが好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートフィルム等が挙げられる。
また、上記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタールフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンエーテルフィルム、超高分子量ポリエチレンフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等も挙げられる。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルのことを意味する。
【0014】
上記基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記基材層の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、より取り扱い性に優れた粘着テープとすることができる。上記基材層の厚みのより好ましい下限は１２μｍ、より好ましい上限は７５μｍである。
【0015】
上記基材層のヘイズの好ましい上限は１０％である。上記基材層のヘイズが１０％以下であることにより、上記基材層がレーザー光を効率よく透過させ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能をより向上させる。上記基材層のヘイズのより好ましい上限は５％、更に好ましい上限は１％である。
また、上記基材層のヘイズの下限は小さいほど好ましいが、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、上記基材層のヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」等）等を用いて測定することができる。
また、上記基材層のヘイズの下限は小さいほど好ましいが、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、上記基材層のヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」等）等を用いて測定することができる。
【0016】
上記第１の粘着剤層は特に限定されないが、感圧粘着剤層であることが好ましい。また、上記第１の粘着剤層は、チップ部品に対する剥離性能をより向上させる観点からは、熱硬化型、光硬化型等の硬化型粘着剤層であってもよい。
【0017】
上記第１の粘着剤層はベースポリマーを含有することが好ましい。
上記第１の粘着剤層に含有されるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
上記第１の粘着剤層に含有されるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
【0018】
上記（メタ）アクリル共重合体は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を有する共重合体である。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル系モノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、チップ部品に対する剥離性能と、チップ部品への糊残り抑制効果とのバランスを取る観点から、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、及び、メチル（メタ）アクリレートが好ましい。チップ部品への糊残りをより抑える観点から、ブチル（メタ）アクリレート、及び、メチル（メタ）アクリレートがより好ましい。また、これらのアクリレートが更に好ましい。上記（メタ）アクリル系モノマーは、単一のものであってもよいし、複数のモノマーを用いてもよい。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はメタクリレートのことを意味する。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル系モノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、チップ部品に対する剥離性能と、チップ部品への糊残り抑制効果とのバランスを取る観点から、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、及び、メチル（メタ）アクリレートが好ましい。チップ部品への糊残りをより抑える観点から、ブチル（メタ）アクリレート、及び、メチル（メタ）アクリレートがより好ましい。また、これらのアクリレートが更に好ましい。上記（メタ）アクリル系モノマーは、単一のものであってもよいし、複数のモノマーを用いてもよい。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はメタクリレートのことを意味する。
【0019】
上記（メタ）アクリル共重合体は、更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記（メタ）アクリル共重合体が上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。また、上記第１の粘着剤層が後述する架橋剤を含有している場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する架橋性官能基と架橋剤とが反応し、上記（メタ）アクリル共重合体が架橋構造を形成することにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記（メタ）アクリル共重合体が上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。また、上記第１の粘着剤層が後述する架橋剤を含有している場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する架橋性官能基と架橋剤とが反応し、上記（メタ）アクリル共重合体が架橋構造を形成することにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
【0020】
上記架橋性官能基含有モノマーは特に限定されず、例えば、カルボキシ基含有モノマー、水酸基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、二重結合含有モノマー、三重結合含有モノマー、アミノ基含有モノマー、アミド基含有モノマー、ニトリル基含有モノマー等が挙げられる。これらの架橋性官能基含有モノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、カルボキシ基含有モノマー、水酸基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、二重結合含有モノマー、三重結合含有モノマー、及び、アミド基含有モノマーからなる群から選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。そのなかでも、カルボキシ基含有モノマー、及び、水酸基含有モノマーからなる群より選択される少なくとも１種を含有することがより好ましく、カルボキシ基含有モノマー、及び、水酸基含有モノマーを併用することが特に好ましい。
【0021】
上記カルボキシ基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸系モノマー等が挙げられる。
上記水酸基含有モノマーとしては、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記エポキシ基含有モノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記二重結合含有モノマーとしては、アリル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記三重結合含有モノマーとしては、プロパルギル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記アミド基含有モノマーとしては、（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
上記水酸基含有モノマーとしては、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記エポキシ基含有モノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記二重結合含有モノマーとしては、アリル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記三重結合含有モノマーとしては、プロパルギル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記アミド基含有モノマーとしては、（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
【0022】
上記（メタ）アクリル共重合体中、上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合の好ましい下限は２質量％である。上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が２質量％以上であることにより、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まり、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合のより好ましい下限は３質量％、更に好ましい下限は５質量％である。
また、上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合の好ましい上限は１０質量％である。上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が１０質量％以下であることにより、上記第１の粘着剤層が硬くなりすぎず、上記第１の粘着剤層上に配置されたチップ部品の位置をより強固に保持できるようになり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。本発明の半導体製造工程用粘着テープのより好ましい上限は８質量％、更に好ましい上限は５質量％である。
また、上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合の好ましい上限は１０質量％である。上記水酸基含有モノマーに由来する構造の含有割合が１０質量％以下であることにより、上記第１の粘着剤層が硬くなりすぎず、上記第１の粘着剤層上に配置されたチップ部品の位置をより強固に保持できるようになり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。本発明の半導体製造工程用粘着テープのより好ましい上限は８質量％、更に好ましい上限は５質量％である。
【0023】
上記（メタ）アクリル共重合体中、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の合計含有割合の好ましい下限は０．１質量％であり、好ましい上限は３０質量％である。上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の合計含有割合が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まり、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の合計含有割合のより好ましい下限は０．５質量％、より好ましい上限は２５質量％、更に好ましい下限は１質量％、更に好ましい上限は２０質量％である。
なお、上記（メタ）アクリル共重合体中に上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造が１種類のみ存在する場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の合計含有割合は当該１種類のみ存在する上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の含有割合を示す。
なお、上記（メタ）アクリル共重合体中に上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造が１種類のみ存在する場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の合計含有割合は当該１種類のみ存在する上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の含有割合を示す。
【0024】
上記（メタ）アクリル共重合体は、更に、上記（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造以外のその他のモノマーに由来する構造を含有していてもよい。
【0025】
上記その他のモノマーとしては、例えば、紫外線吸収特性を有する２－［２－ヒドロキシ－５－［２－（メタクリロイルオキシ）エチル］フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【0026】
上記（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の好ましい下限は２０万であり、好ましい上限は２００万である。上記（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量が上記範囲であることで、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量のより好ましい下限は１００万、より好ましい上限は１８０万である。
なお、本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）測定による標準ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
なお、本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）測定による標準ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【0027】
上記（メタ）アクリル共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の好ましい下限は２であり、好ましい上限は８である。上記（メタ）アクリル共重合体の分子量分布が上記範囲であることで、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記（メタ）アクリル共重合体の分子量分布のより好ましい下限は３、より好ましい上限は５である。
なお、ＭｎはＧＰＣ測定による標準ポリスチレン換算の数平均分子量のことを意味する。
なお、ＭｎはＧＰＣ測定による標準ポリスチレン換算の数平均分子量のことを意味する。
【0028】
上記（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）、上記（メタ）アクリル共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定は以下の方法で行う。
即ち、（メタ）アクリル共重合体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）によって５０倍希釈し、得られた希釈液をフィルター（材質：ポリテトラフルオロエチレン、ポア径：０．２μｍ）で濾過することにより、測定サンプルを調製する。次に、この測定サンプルをゲルパーミエーションクロマトグラフ（例えば、Ｗａｔｅｒｓ社製、「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」等）に供給して、サンプル流量１ｍＬ／分、カラム温度４０℃の条件でＧＰＣ測定を行う。（メタ）アクリル共重合体のポリスチレン換算分子量を測定して、（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量、数平均分子量を得て、分子量分布を算出する。カラムとしてはＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ（昭和電工社製）を用い、検出器としては示差屈折計を用いた。
即ち、（メタ）アクリル共重合体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）によって５０倍希釈し、得られた希釈液をフィルター（材質：ポリテトラフルオロエチレン、ポア径：０．２μｍ）で濾過することにより、測定サンプルを調製する。次に、この測定サンプルをゲルパーミエーションクロマトグラフ（例えば、Ｗａｔｅｒｓ社製、「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」等）に供給して、サンプル流量１ｍＬ／分、カラム温度４０℃の条件でＧＰＣ測定を行う。（メタ）アクリル共重合体のポリスチレン換算分子量を測定して、（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量、数平均分子量を得て、分子量分布を算出する。カラムとしてはＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ（昭和電工社製）を用い、検出器としては示差屈折計を用いた。
【0029】
上記（メタ）アクリル共重合体は、例えば、原料となるモノマー混合物を重合開始剤の存在下にてラジカル反応させて重合すること等によって得ることができる。
上記ラジカル反応の方式としては、例えば、リビングラジカル重合、フリーラジカル重合等が挙げられる。リビングラジカル重合によれば、フリーラジカル重合と比較してより均一な分子量及び組成を有する共重合体が得られ、低分子量成分等の生成を抑えることができることから、上記第１の粘着剤層の凝集力がより向上し、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記モノマー混合物を重合する方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、ＵＶ重合、エマルジョン重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。なかでも、得られる粘着テープの粘着力がより高くなることから、溶液重合、ＵＶ重合が好ましい。
上記モノマー混合物を重合する方法として溶液重合を用いる場合、反応溶剤としては、例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトン、ジメチルスルホキシド、エタノール、アセトン、ジエチルエーテル等が挙げられる。これらの反応溶剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
上記ラジカル反応の方式としては、例えば、リビングラジカル重合、フリーラジカル重合等が挙げられる。リビングラジカル重合によれば、フリーラジカル重合と比較してより均一な分子量及び組成を有する共重合体が得られ、低分子量成分等の生成を抑えることができることから、上記第１の粘着剤層の凝集力がより向上し、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記モノマー混合物を重合する方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、ＵＶ重合、エマルジョン重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。なかでも、得られる粘着テープの粘着力がより高くなることから、溶液重合、ＵＶ重合が好ましい。
上記モノマー混合物を重合する方法として溶液重合を用いる場合、反応溶剤としては、例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトン、ジメチルスルホキシド、エタノール、アセトン、ジエチルエーテル等が挙げられる。これらの反応溶剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
【0030】
上記重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられる。
上記有機過酸化物としては、例えば、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウレート等が挙げられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル等が挙げられる。
これらの重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
また、上記ラジカル反応の方式が上記リビングラジカル重合である場合には、上記重合開始剤としては、例えば、有機テルル重合開始剤が挙げられる。上記有機テルル重合開始剤は、リビングラジカル重合に一般的に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、有機テルル化合物、有機テルリド化合物等が挙げられる。なお、上記リビングラジカル重合においても、上記有機テルル重合開始剤に加えて、重合速度の促進を目的として上記重合開始剤としてアゾ化合物を用いてもよい。
上記有機過酸化物としては、例えば、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウレート等が挙げられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル等が挙げられる。
これらの重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
また、上記ラジカル反応の方式が上記リビングラジカル重合である場合には、上記重合開始剤としては、例えば、有機テルル重合開始剤が挙げられる。上記有機テルル重合開始剤は、リビングラジカル重合に一般的に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、有機テルル化合物、有機テルリド化合物等が挙げられる。なお、上記リビングラジカル重合においても、上記有機テルル重合開始剤に加えて、重合速度の促進を目的として上記重合開始剤としてアゾ化合物を用いてもよい。
【0031】
上記第１の粘着剤層は、紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有する。
上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有することにより、レーザー光の照射によって熱又は振動が効率良く発生し、アブレーションによる変形が起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能が向上する。また、粘着剤層が適度にレーザー光を吸収することにより、接着しているチップが光を吸収することを抑制できるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いて製造されるチップの製造品質が向上する。
上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有することにより、レーザー光の照射によって熱又は振動が効率良く発生し、アブレーションによる変形が起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能が向上する。また、粘着剤層が適度にレーザー光を吸収することにより、接着しているチップが光を吸収することを抑制できるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いて製造されるチップの製造品質が向上する。
【0032】
上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）は、常温で固体状の紫外線吸収剤でもよいが、常温で液状の紫外線吸収剤が好ましい。上記第１の粘着剤層が上記常温で液状の紫外線吸収剤を含有することで、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、上記紫外線吸収剤が常温で液状であれば、上記紫外線吸収剤が析出しにくくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。
なお、本明細書において、「常温」とは、２０℃以上２５℃以下の温度範囲を意味する。
なお、本明細書において、「常温」とは、２０℃以上２５℃以下の温度範囲を意味する。
【0033】
上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）としては、例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤等が挙げられる。また、例えば、メトキシケイヒ酸エチルヘキシル、メトキシケイヒ酸オクチル、パラメトキシ桂皮酸エチルヘキシル、ジエチルアミノヒドロキシベンゾイル安息香酸ヘキシル、ビスエチルヘキシルオキシフェノールメトキシフェニルトリアジン、ｔ－ブチルメトキシジベンゾイルメタン等が挙げられる。なかでも、上記第１の粘着剤層において他の成分との相溶性に優れる観点から、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤が好ましい。これらの紫外線吸収剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0034】
上記（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量の好ましい上限は１５質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１５質量部以下であれば、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量のより好ましい上限は１２質量部、更に好ましい上限は１０質量部である。
また、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量の好ましい下限は１質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１質量部以上であることにより、上記第１の粘着剤層はレーザー光の照射によって熱又は振動がより効率良く発生し、アブレーションによる変形がより起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、粘着剤層が適度にレーザー光を吸収することにより、接着しているチップ部品が光を吸収することをより抑制できるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いて製造されるチップ部品の製造品質がより向上する。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量のより好ましい下限は２質量部、更に好ましい下限は４質量部である。
また、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量の好ましい下限は１質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量が１質量部以上であることにより、上記第１の粘着剤層はレーザー光の照射によって熱又は振動がより効率良く発生し、アブレーションによる変形がより起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、粘着剤層が適度にレーザー光を吸収することにより、接着しているチップ部品が光を吸収することをより抑制できるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いて製造されるチップ部品の製造品質がより向上する。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の含有量のより好ましい下限は２質量部、更に好ましい下限は４質量部である。
【0035】
上記第１の粘着剤層は、更に、架橋剤を含有することが好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記（メタ）アクリル共重合体中に含まれる架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。なかでも、上記第１の粘着剤層のゲル分率等を後述する範囲に調整しやすいことから、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記（メタ）アクリル共重合体中に含まれる架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。なかでも、上記第１の粘着剤層のゲル分率等を後述する範囲に調整しやすいことから、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
【0036】
上記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）系架橋剤、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）系架橋剤等が挙げられる。
上記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－（シクロヘキサン－１，３－ジイルビスメチレン）ビス（ジグリシジルアミン）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－１，３－ベンゼンジ（メタンアミン）等が挙げられる。
上記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－（シクロヘキサン－１，３－ジイルビスメチレン）ビス（ジグリシジルアミン）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－１，３－ベンゼンジ（メタンアミン）等が挙げられる。
【0037】
上記架橋剤の含有量は特に限定されず、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の量、及び、上記架橋剤の含有量を調整することで、上記第１の粘着剤層の架橋度（ゲル分率）を調整することができる。
上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対する、上記架橋剤の含有量の好ましい下限は０．０１質量部であり、好ましい上限は１５質量部である。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることにより、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーを適度に架橋して上記第１の粘着剤層の凝集力を高めることができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１質量部、より好ましい上限は１２質量部、更に好ましい下限は０．１５質量部、更に好ましい上限は８質量部である。
上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対する、上記架橋剤の含有量の好ましい下限は０．０１質量部であり、好ましい上限は１５質量部である。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることにより、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーを適度に架橋して上記第１の粘着剤層の凝集力を高めることができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１質量部、より好ましい上限は１２質量部、更に好ましい下限は０．１５質量部、更に好ましい上限は８質量部である。
【0038】
上記第１の粘着剤層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは、常温で固体状のタッキファイヤーであってもよく、常温で液状のタッキファイヤーであってもよい。
上記タッキファイヤーは、常温で固体状のタッキファイヤーであってもよく、常温で液状のタッキファイヤーであってもよい。
【0039】
上記タッキファイヤーは特に限定されず、例えば、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。
【0040】
上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されないが、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能の観点からは、上記第１の粘着剤層に含有されないことが好ましい。上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対する、含有量の好ましい上限は４０質量部である。上記タッキファイヤーの含有量が４０質量部以下であることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープへチップを貼り替える性能がより向上する。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい上限は３０質量部である。
【0041】
上記第１の粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第１の粘着剤層の凝集力をより高めることができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第１の粘着剤層の凝集力をより高めることができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
【0042】
上記第１の粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0043】
上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）の最大値の上限は０．１である。上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接の最大値が０．１以下であることにより、上記第１の粘着剤層はアブレーションする際に損失するエネルギーが少なくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能が向上する。上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接の最大値の好ましい上限は０．０８、より好ましい上限は０．０５である。
また、上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）の最大値の好ましい下限は特にないが、０．０１程度が実質的な下限である。
なお、上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）は動的粘弾性測定により測定することができる。具体的には例えば、第１の粘着剤層について、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を使用して、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件下で測定することができる。また、第１の粘着剤層の厚みが５００μｍ未満である場合は、第１の粘着剤層を重ねて厚みが５００μｍ程度の第１の粘着剤層のみのサンプルを作製して測定を行う。
また、上記第１の粘着剤層のみのサンプルは、半導体製造工程用粘着テープの基材層を取り除き、第１の粘着剤層のみを分離した後に、分離した第１の粘着剤層を重ねること等により作製することができる。基材層を取り除く方法としては、粘着剤層の変性を避けるため、溶剤を用いた処理、化学反応を伴う処理、高温での処理等を避ける限りにおいて特に限定されない。具体的な方法としては、第１の粘着剤層同士を貼り合わせた後、適切な温度及び剥離速度を選択し、引き剥がすことによって基材層と第１の粘着剤層とを剥離し、基材層を取り除く方法、又は、基材層を物理的に研削する方法を選択することができる。また、別途作製した第１の粘着剤層のみからなるシートを用いて、上記第１の粘着剤層のみのサンプルを作製してもよい。
また、上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）の最大値の好ましい下限は特にないが、０．０１程度が実質的な下限である。
なお、上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）は動的粘弾性測定により測定することができる。具体的には例えば、第１の粘着剤層について、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を使用して、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件下で測定することができる。また、第１の粘着剤層の厚みが５００μｍ未満である場合は、第１の粘着剤層を重ねて厚みが５００μｍ程度の第１の粘着剤層のみのサンプルを作製して測定を行う。
また、上記第１の粘着剤層のみのサンプルは、半導体製造工程用粘着テープの基材層を取り除き、第１の粘着剤層のみを分離した後に、分離した第１の粘着剤層を重ねること等により作製することができる。基材層を取り除く方法としては、粘着剤層の変性を避けるため、溶剤を用いた処理、化学反応を伴う処理、高温での処理等を避ける限りにおいて特に限定されない。具体的な方法としては、第１の粘着剤層同士を貼り合わせた後、適切な温度及び剥離速度を選択し、引き剥がすことによって基材層と第１の粘着剤層とを剥離し、基材層を取り除く方法、又は、基材層を物理的に研削する方法を選択することができる。また、別途作製した第１の粘着剤層のみからなるシートを用いて、上記第１の粘着剤層のみのサンプルを作製してもよい。
【0044】
上記第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域における損失正接（ｔａｎδ）を上記範囲に調整する方法としては、例えば、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成を変更する方法、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）や分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を調整する方法、上記架橋剤の種類や含有量を調整する方法、等が挙げられる。
【0045】
上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の好ましい下限は８０％である。上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が８０％以上であることにより、上記第１の粘着剤層はレーザー光の照射によって熱又は振動がより効率良く発生し、アブレーションによる変形がより起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、上記第１の粘着剤層が適度にレーザー光を吸収することにより、接着しているチップが光を吸収することをより抑制できるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いて製造されるチップの製造品質が向上する。上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率のより好ましい下限は９０％であり、更に好ましい下限は９５％である。
また、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の上限は特にない。
なお、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率を測定する方法としては、例えば、粘着剤層について、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」等）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて、測定する方法等が挙げられる。
また、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の上限は特にない。
なお、上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率を測定する方法としては、例えば、粘着剤層について、分光光度計（島津製作所社製、「ＵＶ－２６００ｉ」等）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて、測定する方法等が挙げられる。
【0046】
上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率を上記範囲に調整する方法としては、例えば、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成を変更する方法、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）の種類や含有量を調整する方法、上記第１の粘着剤層の厚みを調整する方法等が挙げられる。
【0047】
上記第１の粘着剤層のゲル分率の好ましい下限は６０質量％であり、好ましい上限は９５質量％である。上記第１の粘着剤層のゲル分率が６０質量％以上であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記第１の粘着剤層のゲル分率が９５質量％以下であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。上記第１の粘着剤層のゲル分率のより好ましい下限は８０質量％、より好ましい上限は９０質量％である。
なお、上記第１の粘着剤層のゲル分率は、以下の方法等により測定することができる。
半導体製造工程用粘着テープから上記第１の粘着剤層のみをＷ０（ｇ）取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ、Ｗ１（ｇ））を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した第１の粘着剤層を分離する。分離後の第１の粘着剤層を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む第１の粘着剤層の質量Ｗ２（ｇ）を測定し、下記式を用いて上記第１の粘着剤層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ２－Ｗ１）／Ｗ０
（Ｗ０：初期第１の粘着剤層の質量、Ｗ１：金属メッシュの初期質量、Ｗ２：乾燥後の金属メッシュを含む第１の粘着剤層の質量）
ただし、上記第１の粘着剤層が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的には上記第１の粘着剤層が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。
なお、上記第１の粘着剤層のゲル分率は、以下の方法等により測定することができる。
半導体製造工程用粘着テープから上記第１の粘着剤層のみをＷ０（ｇ）取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ、Ｗ１（ｇ））を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した第１の粘着剤層を分離する。分離後の第１の粘着剤層を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む第１の粘着剤層の質量Ｗ２（ｇ）を測定し、下記式を用いて上記第１の粘着剤層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ２－Ｗ１）／Ｗ０
（Ｗ０：初期第１の粘着剤層の質量、Ｗ１：金属メッシュの初期質量、Ｗ２：乾燥後の金属メッシュを含む第１の粘着剤層の質量）
ただし、上記第１の粘着剤層が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的には上記第１の粘着剤層が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。
【0048】
上記第１の粘着剤層のゲル分率を上記範囲に調整する方法としては、例えば、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成又は重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類又は量を上述したように調整する方法等が挙げられる。
【0049】
上記第１の粘着剤層の厚みの好ましい上限は４０μｍである。上記第１の粘着剤層の厚みが４０μｍ以下であれば、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能及び剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、上記第１の粘着剤層の厚みのより好ましい上限は３０μｍであり、更に好ましい上限は２０μｍである。
また、上記第１の粘着剤層の厚みの好ましい下限は５μｍである。上記第１の粘着剤層の厚みが５μｍ以上であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能及び剥離性能がより向上する。上記第１の粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍであり、更に好ましい下限は２０μｍである。
また、上記第１の粘着剤層の厚みの好ましい下限は５μｍである。上記第１の粘着剤層の厚みが５μｍ以上であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能及び剥離性能がより向上する。上記第１の粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍであり、更に好ましい下限は２０μｍである。
【0050】
本発明の半導体製造工程用粘着テープは、上述したような基材層と、第１の粘着剤層とを有していればよいが、本発明の効果を損なわない範囲で、更に、他の層を有していてもよい。
【0051】
基材層と中間粘着層と第１の粘着剤層とをこの順に有し、上記第１の粘着剤層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）を含有し、上記第１の粘着剤層は２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値が０．１以下であり、波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後の粘着力低下率が６０％以下である半導体製造工程用粘着テープもまた、本発明の１つである。
【0052】
本発明の半導体製造工程用粘着テープが中間粘着層を有することにより、チップ部品を転写するためにチップ部品をダイシングテープ等から本発明の半導体製造工程用粘着テープに貼りかえる際、中間粘着層がクッション層となりチップ部品に対する貼替性が向上し、生産効率を上げることができる。また、中間粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合は、レーザー光の照射によるアブレーションの振動を上記第１の粘着剤層に効率よく伝えることができるため、本発明の導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能が向上し、チップ部品を糊残りなく剥離することができる。また、アブレーション部位が粘着剤とは異なるようになるため、アブレーションをする際に発生するアブレーション部位の飛散による粘着剤の残渣がチップ部品に付着することを抑制することができる。
【0053】
本発明の導体製造工程用粘着テープが基材層と中間粘着層と第１の粘着剤層とを有する場合、該基材層及び該第１の粘着剤層は上述した基材層や第１の粘着剤層と同様のものを用いることができる。
【0054】
上記中間粘着層はベースポリマーを含有することが好ましい。
上記中間粘着層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、中間粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合、レーザー光を照射することでアブレーションにより上記中間粘着層が適度に変形することができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上することから、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。上記粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合は、上記中間粘着層にレーザー光を照射した際、照射箇所に発生するアブレーションが大きくなりすぎない観点からは、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーがより好ましい。また、上記中間粘着層と上記基材層や後述するバリア層との接着性を確保し、例えば、上記端部浮き等の不具合を抑制する観点からは、（メタ）アクリル共重合体がより好ましい。
上記中間粘着層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、中間粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合、レーザー光を照射することでアブレーションにより上記中間粘着層が適度に変形することができ、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上することから、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。上記粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合は、上記中間粘着層にレーザー光を照射した際、照射箇所に発生するアブレーションが大きくなりすぎない観点からは、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーがより好ましい。また、上記中間粘着層と上記基材層や後述するバリア層との接着性を確保し、例えば、上記端部浮き等の不具合を抑制する観点からは、（メタ）アクリル共重合体がより好ましい。
【0055】
上記中間粘着層における上記（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、上述した上記第１の粘着剤層における（メタ）アクリル共重合体と同様のものを用いることができる。
【0056】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、剛直な構造であるブロックＡ（以下、「ハードセグメント」ともいう）と、柔軟な構造であるブロックＢ（以下、「ソフトセグメント」ともいう）とを含む共重合体である。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、２つのブロックが相溶し難く、ブロックＢの海の中にブロックＡが凝集してできた球状の島が点在する不均一な相分離構造や、上記ブロックＢの海の中に上記ブロックＡが凝集してできた円筒状の構造が点在する不均一な相分離構造をとることがある。このような球状の島が点在する相分離構造を、スフィア状の相分離構造、円筒状の構造が点在する相分離構造をシリンダー状の相分離構造ともいう。そして、上記相分離構造の島が疑似架橋点となることで、上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにゴム弾性を付与できることから、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、２つのブロックが相溶し難く、ブロックＢの海の中にブロックＡが凝集してできた球状の島が点在する不均一な相分離構造や、上記ブロックＢの海の中に上記ブロックＡが凝集してできた円筒状の構造が点在する不均一な相分離構造をとることがある。このような球状の島が点在する相分離構造を、スフィア状の相分離構造、円筒状の構造が点在する相分離構造をシリンダー状の相分離構造ともいう。そして、上記相分離構造の島が疑似架橋点となることで、上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにゴム弾性を付与できることから、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
【0057】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＡは、剛直な構造を有していれば特に限定されないが、芳香族ビニルモノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記ブロックＡは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造に加えて更に、例えば、環状構造を有する化合物、側鎖置換基が短い化合物等に由来する構造を有していてもよい。
上記ブロックＡは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造に加えて更に、例えば、環状構造を有する化合物、側鎖置換基が短い化合物等に由来する構造を有していてもよい。
【0058】
上記芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、アルファメチルスチレン、パラメチルスチレン、クロロスチレン等が挙げられる。これらの芳香族ビニルモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上することから、スチレンが好ましい。なお、本明細書において芳香族ビニルモノマーに由来する構造とは、下記式（１）又は（２）に示すような構造のことを指す。
【0059】
【化1】
【0060】
式（１）及び（２）中、Ｒ１は芳香環を有する置換基を表す。芳香環を有する置換基Ｒ１としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、クロロフェニル基等が挙げられる。
【0061】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有割合の好ましい下限は１質量％であり、好ましい上限は３０質量％である。上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲内であることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能や半導体製造工程用粘着テープへチップ部品を貼り替える性能が向上する。上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は５質量％、より好ましい上限は２８質量％、更に好ましい下限は８質量％、更に好ましい上限は２５質量％、特に好ましい下限は１０質量％、特に好ましい上限は２０質量％である。
【0062】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、上記中間粘着層のゲル分率等を後述する範囲に調整しやすいことから、共役ジエンモノマーに由来する構造、又は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。また、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能や半導体製造工程用粘着テープへチップ部品を貼り替える性能が向上する観点からは、ブロックＢは、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することがより好ましい。
上記ブロックＢは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記共役ジエンモノマー、上記（メタ）アクリル系モノマー以外のモノマーに由来する構造を有していてもよい。
上記ブロックＢは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記共役ジエンモノマー、上記（メタ）アクリル系モノマー以外のモノマーに由来する構造を有していてもよい。
【0063】
上記共役ジエンモノマーとしては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－オクタジエン、１，３－ヘキサジエン、１，３－シクロヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン、ミルセン、クロロプレン等が挙げられる。これらの共役ジエンモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、重合反応性が高く、工業的に入手しやすいことから、１，３－ブタジエン、イソプレンが好ましい。
【0064】
上記共役ジエンモノマーに由来する構造は、二重結合（不飽和結合）が水素添加により飽和結合に変換されていてもよい。なお、例えば、上記共役ジエンモノマーに由来する構造としての１，３－ブタジエンに由来する構造の二重結合（不飽和結合）が水素添加されると、エチレン－ブチレン構造に変換される。上記水素添加の比率（水素添加率）は特に限定されず、部分的に水素添加されていてもよく、大部分が水素添加されていてもよい。
なお、水素添加の比率（水素添加率）は、重水素化クロロホルムを溶媒として用い、２０Ｈｚでの１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定して算出することができる。
なお、水素添加の比率（水素添加率）は、重水素化クロロホルムを溶媒として用い、２０Ｈｚでの１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定して算出することができる。
【0065】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有割合は、本発明の効果が発揮されればよいため、下限は０質量％であってもよく、実質的な上限は９９質量％である。本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能や半導体製造工程用粘着テープへチップ部品を貼り替える性能が向上する観点からは、上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有割合の好ましい下限は３０質量％、好ましい上限は９５質量％、より好ましい下限は４０質量％、より好ましい上限は９０質量％、更に好ましい下限は７０質量％である。
【0066】
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、上述した粘着剤層に用いられる（メタ）アクリル系モノマーと同様のもの等が挙げられる。これらのモノマーは単一のものであってもよいし、複数のモノマーを用いてもよい。
【0067】
上記ブロックＢは、更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記ブロックＢが上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、上記中間粘着層の凝集力がより高まることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、上記中間粘着層が後述する架橋剤を含有している場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する架橋性官能基と架橋剤とが反応し、架橋構造を形成することにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
上記ブロックＢが上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、上記中間粘着層の凝集力がより高まることにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。また、上記中間粘着層が後述する架橋剤を含有している場合、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する架橋性官能基と架橋剤とが反応し、架橋構造を形成することにより、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
【0068】
上記架橋性官能基含有モノマーとしては、例えば、上述した粘着剤層に用いられる架橋性官能基含有モノマーと同様のもの等が挙げられる。これらのモノマーは単一のものであってもよいし、複数のモノマーを用いてもよい。
【0069】
なお、上記ブロックＢに加えて、上記ブロックＡも、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
【0070】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の含有量（上記ブロックＡ中の含有量と上記ブロックＢ中の含有量との合計）の好ましい下限は０．１質量％であり、好ましい上限は３０質量％である。上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の含有量が上記範囲内であることで、上記中間粘着層の凝集力がより高まり、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５質量％、更に好ましい下限は１質量％、より好ましい上限は２０質量％、更に好ましい上限は１０質量％である。
【0071】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ブロックＢのガラス転移温度は特に限定されないが、－７０℃以上、０℃以下であることが好ましい。上記ブロックＢのガラス転移温度が上記範囲であることで、突起を有するチップ部品、又は、小さいサイズのチップ部品を転写する場合にも粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記ブロックＢのガラス転移温度のより好ましい下限は－５０℃、更に好ましい下限は－３０℃であり、より好ましい上限は－５℃、更に好ましい上限は－１０℃である。
なお、上記ブロックＢのガラス転移温度は、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を使用して、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件下で測定することができる。
上記ブロックＢのガラス転移温度のより好ましい下限は－５０℃、更に好ましい下限は－３０℃であり、より好ましい上限は－５℃、更に好ましい上限は－１０℃である。
なお、上記ブロックＢのガラス転移温度は、動的粘弾性測定装置（例えば、レオメトリックス社製、「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を使用して、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件下で測定することができる。
【0072】
上記ブロックＢのガラス転移温度を上記範囲に調整する方法は特に限定されないが、上記ブロックＢのガラス転移温度を上記範囲に調整するためには、上記（メタ）アクリル系モノマーが、ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーを含有することが好ましい。
【0073】
上記（メタ）アクリル系モノマーが上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーを含有することで、上記中間粘着層の貯蔵弾性率をより好ましい範囲に調整することができる。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、２－エチルへキシルアクリレート、ｎ－オクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、メトキシエチルアクリレートなどが挙げられる。特に、ブチルアクリレート、２－エチルへキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メトキシエチルアクリレートが好ましい。
【0074】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されず、０質量％であってもよいが、好ましい下限は４０質量％である。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量が４０質量％以上であれば、粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は５０質量％である。
上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量の上限は特に限定されないが、チップ部品を仮固定する観点から、好ましい上限は９５質量％、より好ましい上限は９０質量％である。
上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が－１０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量の上限は特に限定されないが、チップ部品を仮固定する観点から、好ましい上限は９５質量％、より好ましい上限は９０質量％である。
【0075】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ブロックＡ（ハードセグメント）の含有量は特に限定されないが、１質量％以上、４０質量％以下であることが好ましい。上記ブロックＡの含有量が上記範囲であることで、上記中間粘着層の破断強度が高くなり、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記ブロックＡの含有量のより好ましい下限は２質量％、更に好ましい下限は５質量％、特に好ましい下限は１０質量％である。上記ブロックＡの含有量のより好ましい上限は３５質量％、更に好ましい上限は３０質量％、更に好ましい上限は２５質量％、更により好ましい上限は２２質量％、特に好ましい上限は２０質量％である。
【0076】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、５万以上、８０万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は７５０００、更に好ましい下限は１０万、更により好ましい下限は２０万である。上記重量平均分子量のより好ましい上限は６０万である。
なお、上記重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）法により標準ポリスチレン換算にて求めることができる。より具体的には、例えば、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定することができる。
なお、上記重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）法により標準ポリスチレン換算にて求めることができる。より具体的には、例えば、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定することができる。
【0077】
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを得るには、上記ブロックＡ及び上記ブロックＢの原料モノマーを、重合開始剤の存在下にてそれぞれラジカル反応させて上記ブロックＡ及び上記ブロックＢを得た後、両者を反応させる又は共重合すればよい。また、上記ブロックＡを得た後、続けて上記ブロックＢの原料モノマーを投入し、共重合してもよい。
上記ラジカル反応をさせる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。
上記ラジカル反応をさせる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。
【0078】
上記中間粘着層は、更に、紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有することが好ましい。
上記中間粘着層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有することにより、上記中間粘着層においてレーザー光の刺激がより効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形がより起こりやすくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
上記中間粘着層が紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）を含有することにより、上記中間粘着層においてレーザー光の刺激がより効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形がより起こりやすくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
【0079】
上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）は、常温で固体状の紫外線吸収剤でもよいが、常温で液状の紫外線吸収剤が好ましい。上記中間粘着層が上記常温で液状の紫外線吸収剤を含有することにより、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）が析出しにくくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープの貯蔵安定性がより向上する。
【0080】
上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）としては、例えば、上述した紫外線吸収剤（ＵＶＡ－１）と同様のものが挙げられる。これらの紫外線吸収剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0081】
上記中間粘着層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量の好ましい上限は１５質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１５質量部以下であれば、上記中間粘着層と他の層との密着性や本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量（ＵＶＡ－２）のより好ましい上限は１２質量部、更に好ましい上限は１０質量部である。
また、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量の好ましい下限は１質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１質量部以上であることにより、上記中間粘着層においてレーザー光の刺激がより効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形がより起こりやすくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量（ＵＶＡ－２）のより好ましい下限は２質量部、更に好ましい下限は４質量部である。
また、上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量の好ましい下限は１質量部である。上記紫外線吸収剤（ＵＶＡ－２）の含有量が１質量部以上であることにより、上記中間粘着層においてレーザー光の刺激がより効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形がより起こりやすくなり、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量（ＵＶＡ－２）のより好ましい下限は２質量部、更に好ましい下限は４質量部である。
【0082】
上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の好ましい下限は８０％である。上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率が８０％以上であることにより、レーザー光の照射によって熱又は振動がより効率良く発生し、アブレーションによる変形が起こりやすくなるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能が向上する。上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率のより好ましい下限は９０％、更に好ましい下限は９５％である。
また、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の上限は特にない。
なお、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率は、例えば、上述した上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率と同様の方法等により、測定することができる。
また、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の上限は特にない。
なお、上記中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率は、例えば、上述した上記第１の粘着剤層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率と同様の方法等により、測定することができる。
【0083】
上記中間粘着層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が７０質量％、好ましい上限が９５質量％である。上記中間粘着層のゲル分率が７０質量％以上であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記中間粘着層のゲル分率が９５質量％以下であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する保持性能がより向上する。上記ゲル分率のより好ましい下限は８０質量％、より好ましい上限は９０質量％である。
なお、上記中間粘着層のゲル分率は、例えば、上述した第１の粘着剤層のゲル分率と同様の方法等により、測定することができる。
なお、上記中間粘着層のゲル分率は、例えば、上述した第１の粘着剤層のゲル分率と同様の方法等により、測定することができる。
【0084】
上記中間粘着層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が５０μｍである。上記中間粘着層の厚みが上記範囲内であれば、チップ部品を転写するためにチップ部品をダイシングテープ等から本発明の半導体製造工程用粘着テープに貼りかえる際、中間粘着層がクッション層となりチップ部品に対する貼替性が向上し、生産効率を上げることができる。また、中間粘着層に紫外線吸収剤が含まれる場合は、上記中間粘着層の厚みが上記範囲内であれば、レーザー光を照射することでアブレーションにより上記中間粘着層が適度に変形することができ、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記中間粘着層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は３０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は２０μｍである。
【0085】
本発明の半導体製造工程用粘着テープが中間粘着層を有する場合、上記中間粘着層と上記第１の粘着剤層との間に、更に、バリア層を有することが好ましい。
本発明の半導体製造工程用粘着テープがバリア層を有することにより、上記中間粘着層にレーザー光照射によるアブレーションをしたときの上記中間粘着層の飛散がバリア層により更に抑制されるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
本発明の半導体製造工程用粘着テープがバリア層を有することにより、上記中間粘着層にレーザー光照射によるアブレーションをしたときの上記中間粘着層の飛散がバリア層により更に抑制されるため、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。
【0086】
上記バリア層は、極性官能基を有する樹脂フィルムを有することが好ましい。
上記バリア層が極性官能基を有する樹脂フィルムを有することにより、上記バリア層と上記第１の粘着剤層や上記中間粘着層との間のアンカー性が増すことから、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記バリア層が極性官能基を有する樹脂フィルムを有することにより、上記バリア層と上記第１の粘着剤層や上記中間粘着層との間のアンカー性が増すことから、本発明の半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
【0087】
極性官能基を有する樹脂フィルムは特に限定されないが、耐熱性に優れる観点からは、ポリエステルフィルムを含むことが好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）フィルム等が挙げられる。なかでも、価格と優れた透過性バランスの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。
また、上記極性官能基を有する樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、（メタ）アクリル樹脂フィルムであることが好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートフィルム等が挙げられる。
また、上記極性官能基を有する樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタールフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンエーテルフィルム、超高分子量ポリエチレンフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等も挙げられる。
また、上記極性官能基を有する樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、（メタ）アクリル樹脂フィルムであることが好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートフィルム等が挙げられる。
また、上記極性官能基を有する樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタールフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンエーテルフィルム、超高分子量ポリエチレンフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等も挙げられる。
【0088】
上記バリア層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は８μｍである。上記バリア層の厚みが上記範囲内であれば、半導体製造工程用粘着テープのチップ部品に対する剥離性能がより向上する。上記バリア層の厚みのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は６μｍである。
【0089】
上記バリア層は、必要に応じて、可塑剤、乳化剤、軟化剤、充填剤、顔料、染料等の添加剤、その他の樹脂等を含有していてもよい。
【0090】
本発明の半導体製造工程用粘着テープは、上記基材層の上記第１の粘着剤層を有する面と反対の面に、第２の粘着剤層を有していても良い。上記第２の粘着剤層を有すると、本発明の半導体製造工程用粘着テープをガラス基板等の支持体に容易に貼り付けることができ、また、チップ部品の剥離後はガラス基板等の支持体から粘着テープを除去して、ガラス基板を再利用することができるようになる。
【0091】
上記第２の粘着剤層は、上記第１の粘着剤層と同じ粘着剤層であってもよいし、異なる粘着剤層であってもよい。
【0092】
上記第２の粘着剤層が上記第１の粘着剤層と異なる粘着剤層である場合、上記第２の粘着剤層は特に限定されないが、感圧粘着剤層であることが好ましい。
上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープをガラス基板等の支持体へ強く貼りつけることができるようになり、かつ、糊残りなく再剥離できるようになる観点から、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体が好ましい。
上記第２の粘着剤層の相分離構造は特に限定されないが、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、相分離構造はスフィア状の相分離構造が好ましい。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、ブロックＢは（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましく、なかでもブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートを含有することがより好ましい。
上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、本発明の半導体製造工程用粘着テープをガラス基板等の支持体へ強く貼りつけることができるようになり、かつ、糊残りなく再剥離できるようになる観点から、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体が好ましい。
上記第２の粘着剤層の相分離構造は特に限定されないが、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、相分離構造はスフィア状の相分離構造が好ましい。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、ブロックＢは（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましく、なかでもブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートを含有することがより好ましい。
【0093】
上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての上記アクリル共重合体は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を有する共重合体である。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートがより好ましい。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、強粘着性と再剥離性との両立をさせやすい観点から、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートがより好ましい。
【0094】
上記アクリル共重合体は、糊残りなく再剥離する観点から更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
【0095】
上記アクリル共重合体中、上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されないが、０．１質量％以上、３０質量％以下であることが好ましい。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５質量％、更に好ましい下限は１質量％、より好ましい上限は２５質量％、更に好ましい上限は２０質量％である。
【0096】
上記アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、２０万以上、２００万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は４０万、より好ましい上限は１５０万である。
【0097】
上記第２の粘着剤層は、更に、架橋剤を含有することが好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基がカルボキシ基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、強粘着性と再剥離性との両立の観点から、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基がカルボキシ基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、強粘着性と再剥離性との両立の観点から、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
【0098】
上記架橋剤の含有量は特に限定されず、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の量、及び、上記架橋剤の含有量を調整することで、上記第２の粘着剤層の架橋度（ゲル分率）を調整することができる。上記架橋剤の含有量は、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して０．０１質量部以上、１０質量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性とを両立することができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１質量部、より好ましい上限は８質量部であり、更に好ましい下限は０．１５質量部、更に好ましい上限は５質量部である。
【0099】
上記第２の粘着剤層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは特に限定されないが、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記タッキファイヤーの紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。紫外線透過率が高い観点から、水素添加されたタッキファイヤーが好ましい。
上記タッキファイヤーは特に限定されないが、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記タッキファイヤーの紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。紫外線透過率が高い観点から、水素添加されたタッキファイヤーが好ましい。
【0100】
上記タッキファイヤーは特に限定されず、例えば、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。なかでも水素添加ロジンエステル、水素添加テルペンフェノール、水素添加テルペン樹脂が好ましい。
【0101】
上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されないが、再剥離性の観点から、上記第２の粘着剤層に含有されないことが最も好ましい。
上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して好ましい上限は１０質量部である。上記常温で固体状のタッキファイヤーの含有量が上記範囲であると再剥離時に糊残りしにくくなる。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい上限は５質量部、更に好ましい上限は３質量部である。
上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００質量部に対して好ましい上限は１０質量部である。上記常温で固体状のタッキファイヤーの含有量が上記範囲であると再剥離時に糊残りしにくくなる。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい上限は５質量部、更に好ましい上限は３質量部である。
【0102】
上記第２の粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記第２の粘着剤層に無機フィラーを配合することにより、上記第２の粘着剤層の凝集力が向上し、強粘着性と再剥離性との両立がしやすくなる。
上記第２の粘着剤層に無機フィラーを配合することにより、上記第２の粘着剤層の凝集力が向上し、強粘着性と再剥離性との両立がしやすくなる。
【0103】
上記第２の粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【0104】
上記第２の粘着剤層の粘着力は特に限定されないが、好ましい下限が０．８Ｎ／２５ｍｍである。上記第２の粘着剤層の粘着力が０．８Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記第２の粘着剤層の粘着力のより好ましい下限は２Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい下限は３Ｎ／２５ｍｍ、更により好ましい下限は４Ｎ／２５ｍｍである。
また、上記第２の粘着剤層の粘着力の上限は特に限定されないが、再剥離性の観点から、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は１８Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい上限は１６Ｎ／２５ｍｍである。
なお、上記第２の粘着剤層の粘着力は、例えば、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付け、３０分間静置した後、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－５００ＮＸ」）等を用いて、粘着テープを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き剥がして１８０°剥離強度を測定することで得られる。
また、上記第２の粘着剤層の粘着力の上限は特に限定されないが、再剥離性の観点から、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は１８Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい上限は１６Ｎ／２５ｍｍである。
なお、上記第２の粘着剤層の粘着力は、例えば、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付け、３０分間静置した後、オートグラフ（島津製作所社製、「ＡＧＳ－５００ＮＸ」）等を用いて、粘着テープを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き剥がして１８０°剥離強度を測定することで得られる。
【0105】
上記第２の粘着剤層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が３０質量％、好ましい上限が９０重量％である。上記第２の粘着剤層のゲル分率が３０質量％以上であれば、再剥離時に糊残りが生じにくい。上記第２の粘着剤層のゲル分率が９０質量％以下であれば、粘着力を高く調整しやすい。上記第２の粘着剤層のゲル分率のより好ましい下限は４０質量％、より好ましい上限は８０質量％である。
なお、上記第２の粘着剤層のゲル分率は、上述した第１の粘着剤層のゲル分率と同様の方法により測定することができる。
なお、上記第２の粘着剤層のゲル分率は、上述した第１の粘着剤層のゲル分率と同様の方法により測定することができる。
【0106】
上記第２の粘着剤層の粘着力、ゲル分率等を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成又は重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類又は量を上述したように調整する方法等が挙げられる。
【0107】
上記第２の粘着剤層は、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。
なお、上記第２の粘着剤層の波長３６５ｎｍの紫外線透過率は、上述した上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率と同様の方法を用いて、波長３６５ｎｍにおける紫外線透過率を測定することにより、測定できる。
なお、上記第２の粘着剤層の波長３６５ｎｍの紫外線透過率は、上述した上記基材層の波長３５５ｎｍでの紫外線透過率と同様の方法を用いて、波長３６５ｎｍにおける紫外線透過率を測定することにより、測定できる。
【0108】
上記第２の粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が３０μｍである。上記第２の粘着剤層の厚みが３μｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記第２の粘着剤層の厚みが３０μｍ以下であれば、再剥離しやすくすることができる。上記第２の粘着剤層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は２０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は１２μｍである。
【0109】
本発明の半導体製造工程用粘着テープを製造する方法は特に限定されないが、例えば、上記（メタ）アクリル共重合体、及び、紫外線吸収剤、その他必要に応じた添加剤を加えて攪拌して粘着剤溶液を得た後、基材層に粘着剤溶液を塗工し、乾燥することにより、基材と第１の粘着剤層とを有する半導体製造工程用粘着テープを得ることができる。
【0110】
本発明の半導体製造工程用粘着テープが中間粘着層及びバリア層を有する場合は、例えば、以下の方法により製造することができる。
即ち、上述した方法で得られた粘着剤溶液を、基材層上に塗工し、乾燥させることにより中間粘着層を形成した後、得られた中間粘着層にバリア層として用いるフィルムとを重ね合わせることで積層フィルムを得る。更に、積層フィルムとは別に得られた粘着剤溶液を、離型処理されたＰＥＴフィルム等の離型処理面に塗工し、乾燥させることにより第１の粘着剤層を形成し、得られた積層フィルムのバリア層側に貼り合わせること等により、製造することができる。
即ち、上述した方法で得られた粘着剤溶液を、基材層上に塗工し、乾燥させることにより中間粘着層を形成した後、得られた中間粘着層にバリア層として用いるフィルムとを重ね合わせることで積層フィルムを得る。更に、積層フィルムとは別に得られた粘着剤溶液を、離型処理されたＰＥＴフィルム等の離型処理面に塗工し、乾燥させることにより第１の粘着剤層を形成し、得られた積層フィルムのバリア層側に貼り合わせること等により、製造することができる。
【0111】
本発明の半導体製造工程用粘着テープが第２の粘着剤層を有する場合は、第１の粘着剤層と同様の方法により、第２の粘着剤層を形成し、上述した方法により作製した半導体製造工程用粘着テープの基材の第１の粘着剤層を有する面と反対側の面に第２の粘着剤層を貼り合わせること等により、製造することができる。
【0112】
本発明の半導体製造工程用粘着テープの可視光線透過率は特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、適度な可視光線透過率を有することが好ましい。上記可視光線透過率の好ましい下限は５０％、より好ましい下限は８０％である。上記可視光線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。
本発明の半導体製造工程用粘着テープのヘイズは特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記ヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は３％である。上記ヘイズの下限は特に限定されず、小さいほど好ましく、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、半導体製造工程用粘着テープの可視光線透過率及びヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」等）等を用いて測定することができる。
本発明の半導体製造工程用粘着テープのヘイズは特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記ヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は３％である。上記ヘイズの下限は特に限定されず、小さいほど好ましく、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、半導体製造工程用粘着テープの可視光線透過率及びヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、「ＮＤＨ４０００」等）等を用いて測定することができる。
【0113】
本発明の半導体製造工程用粘着テープの用途は特に限定されないが、レーザー光を照射する工程を有する半導体装置の製造に好適に用いられる。本発明の半導体製造工程用粘着テープは、チップ部品に対する剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができることから、粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離し転写させる工程を有する半導体装置の製造に更に好適に用いられる。
上記チップ部品は特に限定されず、例えば、ＭｉｎｉＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤチップ、イメージセンサーの光学チップ等が挙げられ、特にマイクロＬＥＤチップが好ましい。
上記チップ部品は特に限定されず、例えば、ＭｉｎｉＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤチップ、イメージセンサーの光学チップ等が挙げられ、特にマイクロＬＥＤチップが好ましい。
【0114】
本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いたチップ部品の転写方法は特に限定されず、例えば、本発明の半導体製造工程用粘着テープの粘着剤層上にチップ部品を配置する工程と、レーザー光を照射し、上記チップ部品を剥離させる工程とを含む、チップ部品の転写方法等が挙げられる。また、本発明の半導体製造工程用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法も特に限定されず、例えば、上記のようなチップ部品の転写方法を含む、半導体装置の製造方法等が挙げられる。これらの方法によれば、チップ部品を歩留まりよく転写することができ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。
【発明の効果】
【0115】
本発明によれば、チップ部品の厚みが薄くても、チップ部品に対する剥離性能に優れ、精度よくチップ部品を転写することができる半導体製造工程用粘着テープを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0116】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【0117】
（アクリル共重合体（１）～（６）、（８）～（１０）の調製）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２質量部と表１に示したモノマー混合物を入れて、窒素置換した後、６０℃に設定したウォーターバスに反応器を設置し、反応器を加熱して還流を開始した。還流開始から３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０５質量部を投入し、５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、アクリル共重合体（１）～（６）、（８）～（１０）を含有する溶液を得た。
得られたアクリル共重合体（１）～（６）、（８）～（１０）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２質量部と表１に示したモノマー混合物を入れて、窒素置換した後、６０℃に設定したウォーターバスに反応器を設置し、反応器を加熱して還流を開始した。還流開始から３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０５質量部を投入し、５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、アクリル共重合体（１）～（６）、（８）～（１０）を含有する溶液を得た。
得られたアクリル共重合体（１）～（６）、（８）～（１０）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
【0118】
（Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１１）の調製）
１，６－ヘキサンジチオール０．９０２ｇと、二硫化炭素１．８３ｇと、ジメチルホルムアミド１１ｍＬとを２口フラスコに投入し、２５℃で攪拌した。これに、トリエチルアミン２．４９ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で３時間攪拌した。次いで、メチル－α－ブロモフェニル酢酸２．７５ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で４時間攪拌した。その後、反応液に抽出溶媒（ｎ－ヘキサン：酢酸エチル＝５０：５０）１００ｍＬと水５０ｍＬとを加えて分液抽出した。１回目と２回目の分液抽出で得られた有機層を混合し、１Ｍ塩酸５０ｍＬ、水５０ｍＬ、飽和食塩水５０ｍＬで順に洗浄した。洗浄後の有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、硫酸ナトリウムをろ過し、ろ液をエバポレーターで濃縮して、有機溶媒を除去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製することでＲＡＦＴ剤を得た。
１，６－ヘキサンジチオール０．９０２ｇと、二硫化炭素１．８３ｇと、ジメチルホルムアミド１１ｍＬとを２口フラスコに投入し、２５℃で攪拌した。これに、トリエチルアミン２．４９ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で３時間攪拌した。次いで、メチル－α－ブロモフェニル酢酸２．７５ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で４時間攪拌した。その後、反応液に抽出溶媒（ｎ－ヘキサン：酢酸エチル＝５０：５０）１００ｍＬと水５０ｍＬとを加えて分液抽出した。１回目と２回目の分液抽出で得られた有機層を混合し、１Ｍ塩酸５０ｍＬ、水５０ｍＬ、飽和食塩水５０ｍＬで順に洗浄した。洗浄後の有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、硫酸ナトリウムをろ過し、ろ液をエバポレーターで濃縮して、有機溶媒を除去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製することでＲＡＦＴ剤を得た。
【0119】
スチレン（Ｓｔ）８７質量部と、アクリル酸（ＡＡｃ）１２質量部と、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１質量部と、ＲＡＦＴ剤１．９質量部と、２，２’－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）（ＡＢＮ－Ｅ）とを２口フラスコに投入し、フラスコ内を窒素ガスで置換しながら８５℃に昇温した。その後、８５℃で６時間撹拌して重合反応を行った（第一段階反応）。
反応終了後、フラスコ内にｎ－ヘキサン４０００質量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及びＲＡＦＴ剤をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥して共重合体（ブロックＡ）を得た。
反応終了後、フラスコ内にｎ－ヘキサン４０００質量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及びＲＡＦＴ剤をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥して共重合体（ブロックＡ）を得た。
【0120】
ブチルアクリレート（ＢＡ）４９質量部、ラウリルアクリレート（ＬＡ）４９質量部、アクリル酸（ＡＡｃ）２質量部、ＡＢＮ－Ｅ０．０５８質量部及び酢酸エチル５０質量部を含む混合物と、上記で得られた共重合体（ブロックＡ）とを２口フラスコに投入し、フラスコ内を窒素ガスで置換しながら８５℃に昇温した。その後、８５℃で６時間撹拌して重合反応を行い（第二段階反応）、ブロックＡとブロックＢとから形成されるブロック共重合体を含む反応液を得た。
反応液の一部を採取し、これにｎ－ヘキサン４０００質量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及び溶媒をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥してＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１１）を得た。
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１１）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
反応液の一部を採取し、これにｎ－ヘキサン４０００質量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及び溶媒をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥してＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１１）を得た。
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１１）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
【0121】
表１～２中のアルファベット記号は、以下の通りである。
ＢＡ：ブチルアクリレート
ＭＡ：メチルアクリレート
２－ＥＨＡ：２－エチルヘキシルアクリレート
４－ＨＢＡ：４－ヒドロキシブチルアクリレート
ＡＡｃ：アクリル酸
Ｕ２５０－Ａ：ウレタン粘着剤（ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ社製）
Ｓｔ：スチレン
ＨＥＡ：２－ヒドロキシエチルアクリレート
ＬＡ：ラウリルアクリレート
なお、表１中のウレタン化合物（７）は、Ｕ２５０－Ａをそのまま用いたものである。
ＢＡ：ブチルアクリレート
ＭＡ：メチルアクリレート
２－ＥＨＡ：２－エチルヘキシルアクリレート
４－ＨＢＡ：４－ヒドロキシブチルアクリレート
ＡＡｃ：アクリル酸
Ｕ２５０－Ａ：ウレタン粘着剤（ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ社製）
Ｓｔ：スチレン
ＨＥＡ：２－ヒドロキシエチルアクリレート
ＬＡ：ラウリルアクリレート
なお、表１中のウレタン化合物（７）は、Ｕ２５０－Ａをそのまま用いたものである。
【0122】
【表1】
【0123】
【表2】
【0124】
（粘着剤Ａ～Ｔの粘着剤溶液の調製）
得られたベースポリマーの固形分が２０質量％となるように酢酸エチルに溶解し、ベースポリマー１００質量部に対して、表３～４に示した各成分を加えた後、充分に攪拌することにより、粘着剤Ａ～Ｔの粘着剤溶液を調製した。
得られたベースポリマーの固形分が２０質量％となるように酢酸エチルに溶解し、ベースポリマー１００質量部に対して、表３～４に示した各成分を加えた後、充分に攪拌することにより、粘着剤Ａ～Ｔの粘着剤溶液を調製した。
【0125】
【表3】
【0126】
【表4】
【0127】
（粘着テープの製造）
（実施例１～１１、比較例１～４）
表５～６、８に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜が表５～６、８に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍ、ヘイズ３．８％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させることにより、第１の粘着剤層を形成し、積層フィルム（ａ）を得た。更に、離型処理された７５μｍの離型ＰＥＴフィルムを離型処理面が粘着剤層と対向するように積層フィルム（ａ）と重ねた後、４０℃で４８時間養生することにより、基材層と粘着剤層とを有する粘着テープを得た。
（実施例１～１１、比較例１～４）
表５～６、８に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜が表５～６、８に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍ、ヘイズ３．８％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させることにより、第１の粘着剤層を形成し、積層フィルム（ａ）を得た。更に、離型処理された７５μｍの離型ＰＥＴフィルムを離型処理面が粘着剤層と対向するように積層フィルム（ａ）と重ねた後、４０℃で４８時間養生することにより、基材層と粘着剤層とを有する粘着テープを得た。
【0128】
（実施例１２～１６）
表６に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜が表６に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍ、ヘイズ３．８％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、中間粘着層を形成し、これを積層フィルム（ｂ）とした。次いで、表６に示した厚みのコロナ処理がなされたＰＥＴフィルムをバリア層とし、積層フィルム（ｂ）の中間粘着層側に重ね合わせ、積層フィルム（ｃ）とした。
一方、表６に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜の表６に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて離型処理された７５μｍの離型ＰＥＴフィルムの離型処理面に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、第１の粘着剤層を形成し、積層フィルム（ａ）を得た。積層フィルム（ａ）の第１の粘着剤層を積層フィルム（ｃ）のバリア層側に貼り合わせた後、４０℃で４８時間加熱養生し、基材層、中間粘着層、バリア層、及び、第１の粘着剤層の順に有する粘着テープを得た。
表６に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜が表６に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて基材層としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍ、ヘイズ３．８％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、中間粘着層を形成し、これを積層フィルム（ｂ）とした。次いで、表６に示した厚みのコロナ処理がなされたＰＥＴフィルムをバリア層とし、積層フィルム（ｂ）の中間粘着層側に重ね合わせ、積層フィルム（ｃ）とした。
一方、表６に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜の表６に示した厚みになるようにアプリケーターを用いて離型処理された７５μｍの離型ＰＥＴフィルムの離型処理面に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、第１の粘着剤層を形成し、積層フィルム（ａ）を得た。積層フィルム（ａ）の第１の粘着剤層を積層フィルム（ｃ）のバリア層側に貼り合わせた後、４０℃で４８時間加熱養生し、基材層、中間粘着層、バリア層、及び、第１の粘着剤層の順に有する粘着テープを得た。
【0129】
（実施例１７～１８）
一面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面上に表７に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃で３分間乾燥させて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面に第２の粘着剤層を有する積層フィルム（ｄ）を作製した。
実施例１と同様にして粘着テープを作製し、得られた粘着テープにおける基材の第１の粘着剤層を有する面と反対側の表面に、作製した積層フィルム（ｄ）の第２の粘着剤層をラミネートすることで、基材層と、基材層の一方の面に第１の粘着剤層と、基材層の第１の粘着剤層を有する反対の面に第２の粘着剤層とを有する両面粘着テープを得た。
一面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面上に表７に示した粘着剤の粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃で３分間乾燥させて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面に第２の粘着剤層を有する積層フィルム（ｄ）を作製した。
実施例１と同様にして粘着テープを作製し、得られた粘着テープにおける基材の第１の粘着剤層を有する面と反対側の表面に、作製した積層フィルム（ｄ）の第２の粘着剤層をラミネートすることで、基材層と、基材層の一方の面に第１の粘着剤層と、基材層の第１の粘着剤層を有する反対の面に第２の粘着剤層とを有する両面粘着テープを得た。
【0130】
（第１の粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値の測定）
得られた第１の粘着剤層を重ねて５００μｍのサンプル（幅６ｍｍ×長さ１０ｍｍ）を作製した。得られたサンプルについて、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を用いて、窒素雰囲気下、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、せん断モード、周波数１Ｈｚの条件で動的粘弾性測定を行うことにより、粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値を得た。結果を表５～８に示した。
得られた第１の粘着剤層を重ねて５００μｍのサンプル（幅６ｍｍ×長さ１０ｍｍ）を作製した。得られたサンプルについて、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製「Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ａｎａｌｙｚｅ ＲＤＡ－７００」）を用いて、窒素雰囲気下、測定温度－４０～１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、せん断モード、周波数１Ｈｚの条件で動的粘弾性測定を行うことにより、粘着剤層の２０℃以上４０℃以下の温度領域での損失正接（ｔａｎδ）の最大値を得た。結果を表５～８に示した。
【0131】
（第１の粘着剤層及び第２の粘着剤層のゲル分率の測定）
積層フィルム（ａ）、積層フィルム（ｂ）、又は、積層フィルム（ｄ）から粘着剤層のみをＷ０（ｇ）取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中にそれぞれ浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうした。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ、Ｗ１（ｇ））を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した粘着剤層をそれぞれ分離した。分離後の粘着剤層を１１０℃の条件下で１時間乾燥させた。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤層の質量Ｗ２（ｇ）をそれぞれ測定し、下記式を用いて第１の粘着剤層及び第２の粘着剤層のゲル分率をそれぞれ算出した。結果を表５～８に示した。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ２－Ｗ１）／Ｗ０
（Ｗ０：初期粘着剤層の質量、Ｗ１：金属メッシュの初期質量、Ｗ２：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤層の質量）
積層フィルム（ａ）、積層フィルム（ｂ）、又は、積層フィルム（ｄ）から粘着剤層のみをＷ０（ｇ）取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中にそれぞれ浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうした。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ、Ｗ１（ｇ））を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した粘着剤層をそれぞれ分離した。分離後の粘着剤層を１１０℃の条件下で１時間乾燥させた。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤層の質量Ｗ２（ｇ）をそれぞれ測定し、下記式を用いて第１の粘着剤層及び第２の粘着剤層のゲル分率をそれぞれ算出した。結果を表５～８に示した。
ゲル分率（質量％）＝１００×（Ｗ２－Ｗ１）／Ｗ０
（Ｗ０：初期粘着剤層の質量、Ｗ１：金属メッシュの初期質量、Ｗ２：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤層の質量）
【0132】
（第１の粘着剤層及び中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率の測定）
得られた第１の粘着剤層、中間粘着層について、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ－２６００ｉ）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて、波長３５５ｎｍの紫外線吸収率を測定し、第１の粘着剤層及び中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率をそれぞれ測定した。結果を表５～８に示した。
得られた第１の粘着剤層、中間粘着層について、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ－２６００ｉ）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて、波長３５５ｎｍの紫外線吸収率を測定し、第１の粘着剤層及び中間粘着層の波長３５５ｎｍの紫外線吸収率をそれぞれ測定した。結果を表５～８に示した。
【0133】
（粘着テープの紫外照射後の粘着力低下率）
得られた粘着テープを幅２５ｍｍ×長さ７５ｍｍの平面長方形状に裁断し、裁断した粘着テープを２ｋｇのゴムローラーを用いて、ガラス板に貼り合わせ、２３℃、５０％ＲＨの条件下で２０分間静置して試験片を作製した。得られた試験片について、引張試験機（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」等）を用い、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、２３℃、５０％ＲＨ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離試験を行うことで、紫外線照射前の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。また、同様に裁断した粘着テープに対して、ブラックライト（ＮＥＣ社製、「ＦＬ２０ＳＢＬ」）を用いたＵＶ照射器を用いて波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後、上記の方法と同様にして、１８０°剥離力を測定することにより、紫外線照射後の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。そして、以下の式により、紫外線照射後の粘着力低下率を算出した。結果を表５～８に示した。
紫外線照射後の粘着力低下率（％）＝１００×｛（紫外線照射前の１８０°剥離力）－（紫外線照射後の１８０°剥離力）｝／（紫外線照射前の１８０°剥離力）
得られた粘着テープを幅２５ｍｍ×長さ７５ｍｍの平面長方形状に裁断し、裁断した粘着テープを２ｋｇのゴムローラーを用いて、ガラス板に貼り合わせ、２３℃、５０％ＲＨの条件下で２０分間静置して試験片を作製した。得られた試験片について、引張試験機（島津製作所社製、「ＡＧＳ－Ｘ」等）を用い、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、２３℃、５０％ＲＨ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離試験を行うことで、紫外線照射前の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。また、同様に裁断した粘着テープに対して、ブラックライト（ＮＥＣ社製、「ＦＬ２０ＳＢＬ」）を用いたＵＶ照射器を用いて波長３６５ｎｍ、照射強度７．８ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した後、上記の方法と同様にして、１８０°剥離力を測定することにより、紫外線照射後の１８０°剥離力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。そして、以下の式により、紫外線照射後の粘着力低下率を算出した。結果を表５～８に示した。
紫外線照射後の粘着力低下率（％）＝１００×｛（紫外線照射前の１８０°剥離力）－（紫外線照射後の１８０°剥離力）｝／（紫外線照射前の１８０°剥離力）
【0134】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表５～８に示した。
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表５～８に示した。
【0135】
（評価用粘着テープＡの作製）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２質量部を入れて、窒素置換した後、反応器を加熱して還流を開始した。酢酸エチルが沸騰してから、３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０８質量部を投入した。ここにブチルアクリレート４７．５質量部、ラウリルアクリレート４７．５部、４－ヒドロキシブチルアクリレート４．７重量部及びアクリル酸０．３質量部を１時間３０分かけて、均等かつ徐々に滴下し反応させた。滴下終了３０分後にアゾビスイソブチロニトリル０．１質量部を添加し、更に５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、（メタ）アクリル系ポリマーの溶液を得た。
得られた（メタ）アクリル系ポリマーの溶液に、（メタ）アクリル系ポリマー１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤としてコロネートＬ－４５（東ソー社製）を固形分が１．７質量部となるように加えて更に充分に撹拌し、粘着剤溶液を得た。得られた粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが７５μｍになるようにアプリケーターを用いて基材としてコロナ処理がなされた厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させることで粘着剤層を形成し、評価用粘着テープＡを得た。
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２質量部を入れて、窒素置換した後、反応器を加熱して還流を開始した。酢酸エチルが沸騰してから、３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０８質量部を投入した。ここにブチルアクリレート４７．５質量部、ラウリルアクリレート４７．５部、４－ヒドロキシブチルアクリレート４．７重量部及びアクリル酸０．３質量部を１時間３０分かけて、均等かつ徐々に滴下し反応させた。滴下終了３０分後にアゾビスイソブチロニトリル０．１質量部を添加し、更に５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、（メタ）アクリル系ポリマーの溶液を得た。
得られた（メタ）アクリル系ポリマーの溶液に、（メタ）アクリル系ポリマー１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤としてコロネートＬ－４５（東ソー社製）を固形分が１．７質量部となるように加えて更に充分に撹拌し、粘着剤溶液を得た。得られた粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが７５μｍになるようにアプリケーターを用いて基材としてコロナ処理がなされた厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させることで粘着剤層を形成し、評価用粘着テープＡを得た。
【0136】
（剥離性能）
Ｓｉチップ（５００μｍ×５００μｍ角、厚み５０μｍ）が１枚配列されたウエハのＳｉチップ側の面に、上述の「（粘着テープの製造）」で得られた粘着テープを貼り合わせた。その後、ウエハを剥離することで、Ｓｉチップを粘着テープ上へ配置し測定サンプルを得た。更に、評価用粘着テープＡの粘着剤層が測定サンプルと対向するように、Ｓｉチップと５００μｍ間隔で評価用粘着テープＡを配置した。得られた測定サンプルについて、半導体固体レーザーを用いて、出力４Ｗ、４ＫＨｚの３５５ｎｍのレーザー光を粘着テープの基材層側からＳｉチップに照射して、Ｓｉチップを粘着テープから剥離し、評価用粘着テープＡの粘着剤層に転写した。転写前のＳｉチップと転写後のＳｉチップにおける、特定の１辺の位置をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」）により観察し、転写前の当該１辺と転写後の当該１辺のなす角度を測定した。以下の基準により評価を行った。
角度が５°以下であった場合を「◎」、角度の５°より大きく１０°以下であった場合を「○」、角度の５°より大きく２０°以下であった場合を「△」、角度の２０°より大きかった場合を「×」として、チップ部品に対する剥離性能を評価した。
なお、粘着テープが第２の粘着剤層を有する実施例１７～１８の両面粘着テープの場合は、第２の粘着剤層を厚み２ｍｍのガラス基板に貼り合わせた後、ガラス基板を貼り合わせた粘着テープの第１の粘着剤層をＳｉチップが配列されたウエハに貼り合わせて測定サンプルを作製し、評価を行った。
Ｓｉチップ（５００μｍ×５００μｍ角、厚み５０μｍ）が１枚配列されたウエハのＳｉチップ側の面に、上述の「（粘着テープの製造）」で得られた粘着テープを貼り合わせた。その後、ウエハを剥離することで、Ｓｉチップを粘着テープ上へ配置し測定サンプルを得た。更に、評価用粘着テープＡの粘着剤層が測定サンプルと対向するように、Ｓｉチップと５００μｍ間隔で評価用粘着テープＡを配置した。得られた測定サンプルについて、半導体固体レーザーを用いて、出力４Ｗ、４ＫＨｚの３５５ｎｍのレーザー光を粘着テープの基材層側からＳｉチップに照射して、Ｓｉチップを粘着テープから剥離し、評価用粘着テープＡの粘着剤層に転写した。転写前のＳｉチップと転写後のＳｉチップにおける、特定の１辺の位置をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」）により観察し、転写前の当該１辺と転写後の当該１辺のなす角度を測定した。以下の基準により評価を行った。
角度が５°以下であった場合を「◎」、角度の５°より大きく１０°以下であった場合を「○」、角度の５°より大きく２０°以下であった場合を「△」、角度の２０°より大きかった場合を「×」として、チップ部品に対する剥離性能を評価した。
なお、粘着テープが第２の粘着剤層を有する実施例１７～１８の両面粘着テープの場合は、第２の粘着剤層を厚み２ｍｍのガラス基板に貼り合わせた後、ガラス基板を貼り合わせた粘着テープの第１の粘着剤層をＳｉチップが配列されたウエハに貼り合わせて測定サンプルを作製し、評価を行った。
【0137】
（残渣）
上述した「（剥離性能）」において、粘着テープから剥離したＳｉチップの剥離面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」）にて観察し、残渣の有無を確認した。残渣が全くなかった場合を「◎」、残渣がチップ部品の表面積の２０％未満であった場合を「〇」、残渣がチップ部品の表面積の２０％以上であった場合を「×」として残渣を評価した。
上述した「（剥離性能）」において、粘着テープから剥離したＳｉチップの剥離面をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」）にて観察し、残渣の有無を確認した。残渣が全くなかった場合を「◎」、残渣がチップ部品の表面積の２０％未満であった場合を「〇」、残渣がチップ部品の表面積の２０％以上であった場合を「×」として残渣を評価した。
【0138】
（ガラス基板からの剥離）
実施例１７～１８の粘着テープについて、チップ部品に対する剥離性能を評価した後、粘着テープとガラス基板との界面を顕微鏡（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」、倍率１００倍）にて観察し、第２の粘着剤層のガラス基板からの剥離の状態を確認した。ガラス基板から粘着テープを剥離した後、ガラス基板に糊残りがなかった場合を「〇」、ガラス基板に糊残りが見られた場合を「×」としてガラス基板からの剥離を評価した。
なお、当該評価が「×」であっても、本発明の半導体製造工程用粘着テープは用途によっては問題なく使用することができる。
実施例１７～１８の粘着テープについて、チップ部品に対する剥離性能を評価した後、粘着テープとガラス基板との界面を顕微鏡（キーエンス社製、「ＶＨＸ－６０００」、倍率１００倍）にて観察し、第２の粘着剤層のガラス基板からの剥離の状態を確認した。ガラス基板から粘着テープを剥離した後、ガラス基板に糊残りがなかった場合を「〇」、ガラス基板に糊残りが見られた場合を「×」としてガラス基板からの剥離を評価した。
なお、当該評価が「×」であっても、本発明の半導体製造工程用粘着テープは用途によっては問題なく使用することができる。
【0139】
【表5】
【0140】
【表6】
【0141】
【表7】
【0142】
【表8】
【産業上の利用可能性】
【0143】
本発明によれば、チップ部品の厚みが薄くても、チップ部品に対する剥離性能に優れ、精度よくチップ部品を転写することができる半導体製造工程用粘着テープを提供することができる。