特開2024-144330導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法および導電性組成物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024144330
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法および導電性組成物
(51)【国際特許分類】
H05K 3/10 20060101AFI20241003BHJP
C23C 26/00 20060101ALI20241003BHJP
H01B 13/00 20060101ALI20241003BHJP
H01B 1/22 20060101ALI20241003BHJP
H01B 1/00 20060101ALI20241003BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20241003BHJP
B05D 5/12 20060101ALN20241003BHJP
B05D 7/24 20060101ALN20241003BHJP
B05D 3/12 20060101ALN20241003BHJP
【ＦＩ】
H05K3/10 Z
C23C26/00 B
H01B13/00 503Z
H01B1/22 A
H01B1/00 E
H05K1/09 A
B05D5/12 B
B05D7/24 303C
B05D3/12 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】28
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024050933
(22)【出願日】2024-03-27
(31)【優先権主張番号】P 2023054831
(32)【優先日】2023-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000130581
【氏名又は名称】サトーホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(72)【発明者】
【氏名】小川 孝之
(72)【発明者】
【氏名】柴田 剛
【テーマコード（参考）】
4D075
4E351
4K044
5E343
5G301
5G323
【Ｆターム（参考）】
4D075BB05Z
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4E351AA02
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5E343AA02
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5G301DA03
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5G301DD02
5G301DE01
5G323AA01
(57)【要約】
【課題】比抵抗が小さい導電膜を形成可能な導電性基材の製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、その層を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、を含む導電性基材の製造方法において、導電性組成物として、銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含むものを用いる。
【選択図】図２
【解決手段】基材上に、導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、その層を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、を含む導電性基材の製造方法において、導電性組成物として、銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含むものを用いる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材上に、導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、
前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含み、
前記導電性組成物は、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、
前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、
を含む、導電性基材の製造方法。
前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含み、
前記導電性組成物は、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、
前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、
を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項2】
請求項１に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
前記基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
【請求項3】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程では、前記膜を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
前記導電膜形成工程では、前記膜を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
【請求項4】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性基材の製造方法。
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項5】
請求項４に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性基材の製造方法。
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項6】
請求項４に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
【請求項7】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性基材の製造方法。
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項8】
請求項７に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
【請求項9】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性基材の製造方法。
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項10】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性基材の製造方法。
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性基材の製造方法。
【請求項11】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性基材の製造方法。
前記導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性基材の製造方法。
【請求項12】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程は、前記膜が設けられた基材を、対向する２本のロールの間を搬送させるロールプレス工程を含む、導電性基材の製造方法。
前記導電膜形成工程は、前記膜が設けられた基材を、対向する２本のロールの間を搬送させるロールプレス工程を含む、導電性基材の製造方法。
【請求項13】
請求項１２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記２本のロールのうち前記膜が接触するロールは、加熱されていないか、または４００℃以下に加熱されている、導電性基材の製造方法。
前記ロールプレス工程において、前記２本のロールのうち前記膜が接触するロールは、加熱されていないか、または４００℃以下に加熱されている、導電性基材の製造方法。
【請求項14】
請求項１２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記膜が設けられた基材には１０～１５０ＭＰａの圧力が加えられる、導電性基材の製造方法。
前記ロールプレス工程において、前記膜が設けられた基材には１０～１５０ＭＰａの圧力が加えられる、導電性基材の製造方法。
【請求項15】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜はパターン構造を有する、導電性基材の製造方法。
前記導電膜はパターン構造を有する、導電性基材の製造方法。
【請求項16】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法。
【請求項17】
請求項１６に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記電子デバイスが、ＲＦタグである、電子デバイスの製造方法。
前記電子デバイスが、ＲＦタグである、電子デバイスの製造方法。
【請求項18】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電磁波シールドフィルムを製造する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項19】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて面状発熱体を製造する、面状発熱体の製造方法。
【請求項20】
基材上に膜を形成し、前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する用途に用いられる、導電性粒子を含有する導電性組成物であって、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。
【請求項21】
請求項２０に記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性組成物。
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性組成物。
【請求項22】
請求項２１に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性組成物。
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性組成物。
【請求項23】
請求項２１または２２に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
【請求項24】
請求項２０または２１に記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性組成物。
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性組成物。
【請求項25】
請求項２４に記載の導電性組成物であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
【請求項26】
請求項２０または２１に記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性組成物。
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性組成物。
【請求項27】
請求項２０または２１に記載の導電性組成物であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性組成物。
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性組成物。
【請求項28】
請求項２０または２１に記載の導電性組成物であって、
全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性組成物。
全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法および導電性組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
基材上に導電性粒子を含有する導電性組成物を塗布して塗布層を設け、その塗布層を加熱・加圧等して、導電膜を備える導電性基材を形成する技術が知られている。
一例として、特許文献１の実施例には、平均一次粒径７ｎｍの銀微粒子を、水／エチレングリコールに分散させたものを、ＰＥＴフィルムに塗布して塗膜とし、その塗膜を１５０℃で加熱・加圧したこと、そしてこのような工程により導電層を形成したこと、が記載されている。
別の例として、特許文献２の実施例には、メジアン径が約４０ｎｍの銅微粒子（銅ナノ粒子）と、分散媒と、分散剤とを有する銅微粒子分散液（銅ナノインク）を、ガラス基材上にスピンコートして塗膜とし、その後焼成することで導電膜を形成したこと、が記載されている。
さらに別の例として、特許文献３には、（Ａ）オキシカルボン酸、（Ｂ）含窒素化合物、（Ｃ）銅粒子、及び（Ｄ）分散媒を含有する導電性インク組成物を基材上に塗布して塗布膜とし、その塗布膜を処理して導電性層を形成することが記載されている。
一例として、特許文献１の実施例には、平均一次粒径７ｎｍの銀微粒子を、水／エチレングリコールに分散させたものを、ＰＥＴフィルムに塗布して塗膜とし、その塗膜を１５０℃で加熱・加圧したこと、そしてこのような工程により導電層を形成したこと、が記載されている。
別の例として、特許文献２の実施例には、メジアン径が約４０ｎｍの銅微粒子（銅ナノ粒子）と、分散媒と、分散剤とを有する銅微粒子分散液（銅ナノインク）を、ガラス基材上にスピンコートして塗膜とし、その後焼成することで導電膜を形成したこと、が記載されている。
さらに別の例として、特許文献３には、（Ａ）オキシカルボン酸、（Ｂ）含窒素化合物、（Ｃ）銅粒子、及び（Ｄ）分散媒を含有する導電性インク組成物を基材上に塗布して塗布膜とし、その塗布膜を処理して導電性層を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第６１８１６０８号公報
【特許文献2】特開２０２１－０４４３０８号公報
【特許文献3】特開２０１７－１９１７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
導電性粒子を含有する導電性組成物を用いて導電膜を形成する際には、導電膜の比抵抗ができるだけ小さくなることが好ましい。また、比抵抗が小さい導電膜が、簡便で、さほど複雑ではないプロセスにより製造可能であることがより好ましい。
【0005】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。本発明は、比抵抗が小さい導電膜を形成可能な導電性基材の製造方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、以下に提供される発明を完成させ、上記課題を解決した。
【0007】
１．
基材上に、導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、
前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含み、
前記導電性組成物は、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、
前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、
を含む、導電性基材の製造方法。
２．
１．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
３．
１．または２．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程では、前記膜を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
４．
１．～３．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性基材の製造方法。
５．
４．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性基材の製造方法。
６．
４．または５．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
７．
１．～６．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性基材の製造方法。
８．
７．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
９．
１．～９．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性基材の製造方法。
１０．
１．～９．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性基材の製造方法。
１１．
１．～１０．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性基材の製造方法。
１２．
１．～１１．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程は、前記膜が設けられた基材を、対向する２本のロールの間を搬送させるロールプレス工程を含む、導電性基材の製造方法。
１３．
１２．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記２本のロールのうち前記膜が接触するロールは、加熱されていないか、または４００℃以下に加熱されている、導電性基材の製造方法。
１４．
１２．または１３．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記膜が設けられた基材には１０～１５０ＭＰａの圧力が加えられる、導電性基材の製造方法。
１５．
１．～１４．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜はパターン構造を有する、導電性基材の製造方法。
１６．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法。
１７．
１６．に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記電子デバイスが、ＲＦタグである、電子デバイスの製造方法。
１８．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電磁波シールドフィルムを製造する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
１９．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて面状発熱体を製造する、面状発熱体の製造方法。
２０．
基材上に膜を形成し、前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する用途に用いられる、導電性粒子を含有する導電性組成物であって、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。
２１．
２０．に記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性組成物。
２２．
２１．に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性組成物。
２３．
２１．または２２．に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
２４．
２０．～２３．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性組成物。
２５．
２４．に記載の導電性組成物であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
２６．
２０．～２５．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性組成物。
２７．
２０．～２６．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性組成物。
２８．
２０．～２７．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性組成物。
基材上に、導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、
前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含み、
前記導電性組成物は、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、
前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、
を含む、導電性基材の製造方法。
２．
１．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
３．
１．または２．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程では、前記膜を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
４．
１．～３．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性基材の製造方法。
５．
４．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性基材の製造方法。
６．
４．または５．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
７．
１．～６．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性基材の製造方法。
８．
７．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
９．
１．～９．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性基材の製造方法。
１０．
１．～９．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性基材の製造方法。
１１．
１．～１０．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性基材の製造方法。
１２．
１．～１１．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜形成工程は、前記膜が設けられた基材を、対向する２本のロールの間を搬送させるロールプレス工程を含む、導電性基材の製造方法。
１３．
１２．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記２本のロールのうち前記膜が接触するロールは、加熱されていないか、または４００℃以下に加熱されている、導電性基材の製造方法。
１４．
１２．または１３．に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記ロールプレス工程において、前記膜が設けられた基材には１０～１５０ＭＰａの圧力が加えられる、導電性基材の製造方法。
１５．
１．～１４．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電膜はパターン構造を有する、導電性基材の製造方法。
１６．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法。
１７．
１６．に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記電子デバイスが、ＲＦタグである、電子デバイスの製造方法。
１８．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電磁波シールドフィルムを製造する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
１９．
１．～１５．のいずれか１つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて面状発熱体を製造する、面状発熱体の製造方法。
２０．
基材上に膜を形成し、前記膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する用途に用いられる、導電性粒子を含有する導電性組成物であって、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。
２１．
２０．に記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、前記導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を含む、導電性組成物。
２２．
２１．に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を含む、導電性組成物。
２３．
２１．または２２．に記載の導電性組成物であって、
前記配位子（Ｂ１）は、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
２４．
２０．～２３．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、還元剤（Ｂ２）を含む、導電性組成物。
２５．
２４．に記載の導電性組成物であって、
前記還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性組成物。
２６．
２０．～２５．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記化合物（Ｂ）は、ニトリル化合物（Ｂ３）を含む、導電性組成物。
２７．
２０．～２６．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
前記導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ５０は、０．６～５０μｍである、導電性組成物。
２８．
２０．～２７．のいずれか１つに記載の導電性組成物であって、
全不揮発成分中のバインダーの量は、５質量％以下である、導電性組成物。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、比抵抗が小さい導電膜を形成可能である。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】膜形成工程について説明するための図である。
【図2】導電膜形成工程について説明するための図である。
【図3】導電膜形成工程について説明するための図である。
【図4】導電膜形成工程について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、（ｉ）同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、（ｉｉ）特に図２以降において、図１と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応しない。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、（ｉ）同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、（ｉｉ）特に図２以降において、図１と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応しない。
【0011】
本明細書中、数値範囲の説明における「Ｘ～Ｙ」との表記は、特に断らない限り、Ｘ以上Ｙ以下のことを表す。例えば、「１～５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」を意味する。
【0012】
＜導電性基材の製造方法＞
本実施形態の導電性基材の製造方法は、
基材上に、導電性粒子を含有する導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、
膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含む。
以下、図面を参照しつつ、各工程について具体的に説明する。
本実施形態の導電性基材の製造方法は、
基材上に、導電性粒子を含有する導電性組成物による膜を設ける膜形成工程と、
膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含む。
以下、図面を参照しつつ、各工程について具体的に説明する。
【0013】
（図１：膜形成工程）
膜形成工程においては、基材１の上（基材１の少なくとも片面の表面）に、導電性粒子を含有する導電性組成物を、塗布・印刷などして、膜３を設ける。
ここで、導電性組成物は、銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む。
膜形成工程においては、基材１の上（基材１の少なくとも片面の表面）に、導電性粒子を含有する導電性組成物を、塗布・印刷などして、膜３を設ける。
ここで、導電性組成物は、銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む。
【0014】
本発明者らは、独自の検討を通じて、従来の方法で導電膜を形成する場合、（ｉ）導電性粒子表面に存在する酸化膜が、高い導電性を有する導電膜を形成する妨げになったり、（ｉｉ）導電性粒子の意図せぬ凝集が、高い導電性を有する導電膜を形成する妨げになったりするのではないか、と考えた。
この考えに基づき、本発明者らは、導電性組成物が含む導電性粒子として、導電性が高く、押圧による導電膜形成に適している「銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子」（導電性粒子（Ａ））と、この導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を併用することとした。そして、導電性粒子（Ａ）および化合物（Ｂ）を含む導電性組成物を用いて、少なくとも加圧により導電膜を設けることで、導電膜の導電性を向上させることができた。
この考えに基づき、本発明者らは、導電性組成物が含む導電性粒子として、導電性が高く、押圧による導電膜形成に適している「銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子」（導電性粒子（Ａ））と、この導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を併用することとした。そして、導電性粒子（Ａ）および化合物（Ｂ）を含む導電性組成物を用いて、少なくとも加圧により導電膜を設けることで、導電膜の導電性を向上させることができた。
【0015】
ちなみに、導電膜形成工程において、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍に化合物（Ｂ）が存在すると、導電性粒子（Ａ）同士の金属結合が妨げられてしまうようにも思われる。しかし、本発明者らの知見によれば、おそらくは、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍に存在する化合物（Ｂ）の少なくとも一部は、導電膜形成工程における加圧力により、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍から「離れる」。よって、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍に化合物（Ｂ）が存在したとしても、導電性粒子（Ａ）同士は結合することができ、そして良好な導電性の導電膜を得ることができると思われる。
【0016】
以下、膜形成工程についてより具体的に説明する。
【0017】
・導電性粒子（Ａ）の粒子径分布
導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径（メジアン径）をＤ５０、累積頻度が１０％となる粒子径をＤ１０、累積頻度が９０％となる粒子径をＤ９０とする。
導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径（メジアン径）をＤ５０、累積頻度が１０％となる粒子径をＤ１０、累積頻度が９０％となる粒子径をＤ９０とする。
【0018】
Ｄ５０は、好ましくは０．６～３０μｍ、より好ましくは０．７～２０μｍ、さらに好ましくは０．７～１５μｍである。適度なメジアン径を有する導電性粒子（Ａ）を用いることにより、圧力をかけたときの粒子同士の一体化のしやすさと、粒子間の境界が少なくなることによる抵抗の減少とのバランスがよくなるため、得られる導電膜の導電性を一層高めることができる。
【0019】
また、（Ｄ９０－Ｄ５０）／Ｄ５０は、好ましくは０．５５～３．０、より好ましくは０．５５～２．５、さらに好ましくは０．５５～２．０である。（Ｄ９０－Ｄ５０）／Ｄ５０の値が３．０以下であるとは、Ｄ５０を基準として、相対的にＤ９０が小さく、粗大粒子が比較的少ないことを意味する。導電性粒子（Ａ）中の粗大粒子の比率が小さいことにより、導電性粒子（Ａ）間に「すき間」が生じにくくなり、導電膜の一層の導電性向上を期待することができる。ちなみに、下限値である０．６は、工業的に入手容易な導電性粒子の粒子径分布を鑑みて設定した値である。
【0020】
さらに、（Ｄ５０－Ｄ１０）／Ｄ５０は、好ましくは０．４～０．８、より好ましくは０．４～０．７、さらに好ましくは０．５～０．７である。導電性粒子（Ａ）を含む膜を少なくとも加圧して得られる導電膜の導電性の向上のためには、膜中の導電性粒子（Ａ）の密度を高めることが好ましい。このための方法として、径が相対的に大きい粒子の「すき間」に、粒子径が相対的に小さい粒子が適量存在するように、導電性粒子（Ａ）の粒子径分布を調整・最適化することが考えられる。（Ｄ５０－Ｄ１０）／Ｄ５０は、粒子径がＤ５０付近にある粒子よりも、粒子径が相対的に小さい粒子が、導電性粒子（Ａ）中に適量存在していることに対応していると解釈することができる。
また、サブミクロンサイズの導電性粒子（Ａ）が「ある程度の量」含まれることで、ある程度の焼結促進効果が働くとも考えられる。
また、サブミクロンサイズの導電性粒子（Ａ）が「ある程度の量」含まれることで、ある程度の焼結促進効果が働くとも考えられる。
【0021】
ある導電性粒子（Ａ）のＤ５０等の値は、その導電性粒子（Ａ）が購入品であり、購入元からその導電性粒子（Ａ）の体積基準累積粒子径分布曲線が提供される場合には、その曲線に基づきＤ５０等の値を求めればよい。購入元からＤ５０等の値そのものが提供される場合にはその値を採用してもよい。
一方、上記のようにしてＤ５０等の値を知ることができない場合には、導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定して、体積基準累積粒子径分布曲線を求める。測定は通常湿式で行う。この際、分散媒としては、界面活性剤を含む水やイソプロパノールが挙げられる（導電性粒子（Ａ）の表面処理剤状態などを考慮して適切な分散媒を選択することができる）。測定装置の例としては株式会社島津製作所のＳＡＬＤシリーズ（ＳＡＬＤ－２３００など）を挙げることができる。装置としてＳＡＬＤシリーズを用いる場合には、付属の超音波ユニットを用いて、超音波を発生させながら、分散媒を循環させつつ粒子径を測定することが好ましい。
一方、上記のようにしてＤ５０等の値を知ることができない場合には、導電性粒子（Ａ）をレーザー回折散乱法により粒子径測定して、体積基準累積粒子径分布曲線を求める。測定は通常湿式で行う。この際、分散媒としては、界面活性剤を含む水やイソプロパノールが挙げられる（導電性粒子（Ａ）の表面処理剤状態などを考慮して適切な分散媒を選択することができる）。測定装置の例としては株式会社島津製作所のＳＡＬＤシリーズ（ＳＡＬＤ－２３００など）を挙げることができる。装置としてＳＡＬＤシリーズを用いる場合には、付属の超音波ユニットを用いて、超音波を発生させながら、分散媒を循環させつつ粒子径を測定することが好ましい。
【0022】
・導電性粒子（Ａ）の化学組成
前述のとおり、導電性粒子（Ａ）は、銀および銅からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含むことが好ましい。
具体的には、導電性粒子（Ａ）は、銀を主成分とする粒子、および、銅を主成分とする粒子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含むことが好ましい。ここで、「銀を主成分とする」との表現は、粒子中の全構成元素中の銀元素の比率が、好ましくは５０ｍｏｌ％以上、より好ましくは７５ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上であることをいう。同様に、「銅を主成分とする」との表現は、粒子中の全構成元素中の銅元素の比率が、好ましくは５０ｍｏｌ％以上、より好ましくは７５ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上であることをいう。
念のため述べておくと、所望の導電性が得られる限り、導電性粒子（Ａ）は、銀および銅以外の元素を含んでもよいし、実質的に含まなくてもよい。銀および銅以外の元素としては、金、アルミニウム、白金、パラジウム、イリジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、鉛、亜鉛等を挙げることができる。ここで、「実質的に含まない」とは、導電性粒子（Ａ）中の銀および銅以外の元素の比率が例えば１質量％以下、具体的には０．５質量％以下、より具体的には０．１質量％以下であることをいう。
前述のとおり、導電性粒子（Ａ）は、銀および銅からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含むことが好ましい。
具体的には、導電性粒子（Ａ）は、銀を主成分とする粒子、および、銅を主成分とする粒子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含むことが好ましい。ここで、「銀を主成分とする」との表現は、粒子中の全構成元素中の銀元素の比率が、好ましくは５０ｍｏｌ％以上、より好ましくは７５ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上であることをいう。同様に、「銅を主成分とする」との表現は、粒子中の全構成元素中の銅元素の比率が、好ましくは５０ｍｏｌ％以上、より好ましくは７５ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上であることをいう。
念のため述べておくと、所望の導電性が得られる限り、導電性粒子（Ａ）は、銀および銅以外の元素を含んでもよいし、実質的に含まなくてもよい。銀および銅以外の元素としては、金、アルミニウム、白金、パラジウム、イリジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、鉛、亜鉛等を挙げることができる。ここで、「実質的に含まない」とは、導電性粒子（Ａ）中の銀および銅以外の元素の比率が例えば１質量％以下、具体的には０．５質量％以下、より具体的には０．１質量％以下であることをいう。
【0023】
導電性粒子（Ａ）は、１のみの元素を含んでもよいし、２以上の元素を含んでもよい。例えば、銅粒子の表面に銀めっきがされている導電性粒子（銀コート銅粒子）などは本実施形態で好ましく用いられる。銀コート銅粒子は、銅を主成分とする粒子であり、例えば粒子の全質量を基準として最大３５質量％までの量の銀が、銅粒子の表面にめっきされている。
【0024】
・導電性粒子（Ａ）の入手法
本実施形態で使用可能な導電性粒子（Ａ）は、例えば、ＤＯＷＡエレクトロニクス社、福田金属箔粉工業社などから購入可能である。
ちなみに、粒径分布の調整・最適化のため、２以上の異なる導電性粒子（Ａ）を混合して用いてもよい。
本実施形態で使用可能な導電性粒子（Ａ）は、例えば、ＤＯＷＡエレクトロニクス社、福田金属箔粉工業社などから購入可能である。
ちなみに、粒径分布の調整・最適化のため、２以上の異なる導電性粒子（Ａ）を混合して用いてもよい。
【0025】
・導電性組成物中の導電性粒子（Ａ）の比率
導電膜の比抵抗を一層小さくする観点から、導電性組成物中の導電性粒子（Ａ）の比率は大きいことが好ましい。具体的には、導電性組成物の全不揮発成分中の導電性粒子（Ａ）の比率は、好ましくは９５質量％以上、より好ましくは９７質量％以上、さらに好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。
導電膜の比抵抗を一層小さくする観点から、導電性組成物中の導電性粒子（Ａ）の比率は大きいことが好ましい。具体的には、導電性組成物の全不揮発成分中の導電性粒子（Ａ）の比率は、好ましくは９５質量％以上、より好ましくは９７質量％以上、さらに好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。
【0026】
・化合物（Ｂ）
化合物（Ｂ）としては、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する機能を有する化合物を、特に制限なく用いることができる。
化合物（Ｂ）としては、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する機能を有する化合物を、特に制限なく用いることができる。
【0027】
好ましい化合物（Ｂ）の一例として、導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位可能な配位子（Ｂ１）を挙げることができる。配位子（Ｂ１）が導電性粒子（Ａ）中の銅または銀に配位することで、導電性粒子（Ａ）の表面の酸化を抑えることができる。これにより、形成される導電膜の導電性をさらに高めることができる。
後述する導電膜形成工程においては、導電性粒子（Ａ）に配位した配位子（Ｂ１）の少なくとも一部は、圧力の作用により導電性粒子（Ａ）の表面から脱離して、導電性粒子（Ａ）の表面に「酸化されていない部分」ができると考えられる。この「酸化されていない部分」同士が接合することにより、高い導電性を有する導電膜が形成されると考えられる。
後述する導電膜形成工程においては、導電性粒子（Ａ）に配位した配位子（Ｂ１）の少なくとも一部は、圧力の作用により導電性粒子（Ａ）の表面から脱離して、導電性粒子（Ａ）の表面に「酸化されていない部分」ができると考えられる。この「酸化されていない部分」同士が接合することにより、高い導電性を有する導電膜が形成されると考えられる。
【0028】
配位子（Ｂ１）として、好ましくは、アミン、イミン、ホスフィン、アゾールおよびカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１以上の化合物を挙げることができる。
アミンの具体例としては、２－｛［（２－ジメチルアミノ）エチル］メチルアミノ｝エタノール、１，２－プロパンジアミン、１，２－シクロヘキサンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどを挙げることができる。
イミンの具体例としては、ジイミン、エチレンイミン、プロピレンイミン、ヘキサメチレンイミン、ベンゾフェノンイミン、メチルエチルケトンイミンなどを挙げることができる。
ホスフィンの具体例としては、ホスフィン酸や、有機金属化学の分野においてホスフィン配位子として知られている各種化合物を挙げることができる。ホスフィン配位子は、例えば一般式ＰＲＲ'Ｒ''で表される。この一般式において、Ｒ，Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に、水素原子または１価の有機基であり、１価の有機基としてはアルキル基やアリール基等が挙げられる。
アゾールの具体例としては、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、アミノトリアゾール、アミノベンゾイミダゾール、ピラゾール、イミダゾール、アミノテトラゾール、これらの誘導体などを挙げることができる。
カルボン酸の具体例としては、アジピン酸、グルコン酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロン酸、酢酸、プロピオン酸、コハク酸、乳酸、これらの誘導体などを挙げることができる。
もちろん、上記以外の化合物であっても、導電性粒子（Ａ）に配位可能な化合物は、特に制限なく配位子（Ｂ１）として用いることができる。
アミンの具体例としては、２－｛［（２－ジメチルアミノ）エチル］メチルアミノ｝エタノール、１，２－プロパンジアミン、１，２－シクロヘキサンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどを挙げることができる。
イミンの具体例としては、ジイミン、エチレンイミン、プロピレンイミン、ヘキサメチレンイミン、ベンゾフェノンイミン、メチルエチルケトンイミンなどを挙げることができる。
ホスフィンの具体例としては、ホスフィン酸や、有機金属化学の分野においてホスフィン配位子として知られている各種化合物を挙げることができる。ホスフィン配位子は、例えば一般式ＰＲＲ'Ｒ''で表される。この一般式において、Ｒ，Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に、水素原子または１価の有機基であり、１価の有機基としてはアルキル基やアリール基等が挙げられる。
アゾールの具体例としては、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、アミノトリアゾール、アミノベンゾイミダゾール、ピラゾール、イミダゾール、アミノテトラゾール、これらの誘導体などを挙げることができる。
カルボン酸の具体例としては、アジピン酸、グルコン酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロン酸、酢酸、プロピオン酸、コハク酸、乳酸、これらの誘導体などを挙げることができる。
もちろん、上記以外の化合物であっても、導電性粒子（Ａ）に配位可能な化合物は、特に制限なく配位子（Ｂ１）として用いることができる。
【0029】
配位子（Ｂ１）として、特に好ましくは、単座配位子および二座配位子からなる群より選ばれる少なくともいずれかを挙げることができる。
前述のように、後述する導電膜形成工程においては、導電性粒子（Ａ）に配位した配位子（Ｂ１）の少なくとも一部は、圧力の作用により導電性粒子（Ａ）から脱離して、導電性粒子（Ａ）の表面に「酸化されていないか、酸化が軽微な部分」ができると考えられる。そして、この「酸化されていないか、酸化が軽微な部分」同士が圧力により接合することにより、高い導電性を有する導電膜が形成されると考えられる。単座配位子および二座配位子は、導電性粒子（Ａ）との相互作用が大きすぎないため、導電膜形成工程における加圧の際に導電性粒子（Ａ）の表面から脱離しやすいと考えられる。このため、酸化していない導電性粒子（Ａ）の表面同士が一層接触しやすくなると考えられる。このような機構により、配位子（Ｂ１）として単座配位子または二座配位子を用いることで、導電膜の導電性を一層高めたり、加圧力が比較的小さい場合であっても十分に導電性粒子（Ａ）同士を接合したりすることができると考えられる。
前述のように、後述する導電膜形成工程においては、導電性粒子（Ａ）に配位した配位子（Ｂ１）の少なくとも一部は、圧力の作用により導電性粒子（Ａ）から脱離して、導電性粒子（Ａ）の表面に「酸化されていないか、酸化が軽微な部分」ができると考えられる。そして、この「酸化されていないか、酸化が軽微な部分」同士が圧力により接合することにより、高い導電性を有する導電膜が形成されると考えられる。単座配位子および二座配位子は、導電性粒子（Ａ）との相互作用が大きすぎないため、導電膜形成工程における加圧の際に導電性粒子（Ａ）の表面から脱離しやすいと考えられる。このため、酸化していない導電性粒子（Ａ）の表面同士が一層接触しやすくなると考えられる。このような機構により、配位子（Ｂ１）として単座配位子または二座配位子を用いることで、導電膜の導電性を一層高めたり、加圧力が比較的小さい場合であっても十分に導電性粒子（Ａ）同士を接合したりすることができると考えられる。
【0030】
単座配位子および二座配位子の具体例としては、上記の配位子（Ｂ１）として挙げた例の中から、単座配位子または二座配位子に該当するものを挙げることができる。
ちなみに、π電子が絡む配位においては、「ハプト数」に基づき、ある配位子が単座配位子であるか多座配位子であるかを判断することとする。つまり、ハプト数が１である配位子は、単座配位子として分類する。また、ハプト数が３である配位子は、多座配位子の一種である三座配位子として分類する。
ちなみに、π電子が絡む配位においては、「ハプト数」に基づき、ある配位子が単座配位子であるか多座配位子であるかを判断することとする。つまり、ハプト数が１である配位子は、単座配位子として分類する。また、ハプト数が３である配位子は、多座配位子の一種である三座配位子として分類する。
【0031】
化合物（Ｂ）の別の例として、還元剤（Ｂ２）を挙げることができる。還元剤（Ｂ２）の作用により、導電性粒子（Ａ）の表面の少なくとも一部は、酸化されていないか、酸化が軽微な部分となると考えられる。
還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸などであることができる。ここで、還元性を有するカルボン酸については、配位子（Ｂ１）ではなく還元剤（Ｂ２）に分類する。
その他、還元剤の具体例としては、ヒドラジン、ヒドラジン水和物、ナトリウム、カーボン、ヨウ化カリウム、硫化鉄（ＩＩ）、チオ硫酸ナトリウム、塩化スズ（ＩＩ）、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ホウ酸ナトリウム、亜硫酸塩等も挙げられる。
還元剤（Ｂ２）は、アスコルビン酸、シュウ酸およびギ酸などであることができる。ここで、還元性を有するカルボン酸については、配位子（Ｂ１）ではなく還元剤（Ｂ２）に分類する。
その他、還元剤の具体例としては、ヒドラジン、ヒドラジン水和物、ナトリウム、カーボン、ヨウ化カリウム、硫化鉄（ＩＩ）、チオ硫酸ナトリウム、塩化スズ（ＩＩ）、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ホウ酸ナトリウム、亜硫酸塩等も挙げられる。
【0032】
化合物（Ｂ）のさらに別の例として、ニトリル化合物（Ｂ３）、すなわちニトリル基を有する化合物を挙げることができる。ニトリル化合物（Ｂ３）は、ニトリル基の部分において導電性粒子（Ａ）の表面に吸着することで、導電性粒子（Ａ）の酸化を抑制すると推測される。
ニトリル化合物（Ｂ３）としてはニトリル基を有する種々の有機化合物などを挙げることができる。具体的にはアルカンニトリルが好ましい。アルカンニトリルの炭素数は例えば１～２０であることができる。
別観点として、アルカンニトリルなどのニトリル化合物（Ｂ３）の常圧下での沸点は３４０℃以下であることが好ましい。沸点が低いニトリル化合物（Ｂ３）は、導電膜形成工程における圧力により、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍から離れやすいと考えられる。そして、このことにより、一層良好な導電性の導電膜を得ることができると考えられる。
ニトリル化合物（Ｂ３）としてはニトリル基を有する種々の有機化合物などを挙げることができる。具体的にはアルカンニトリルが好ましい。アルカンニトリルの炭素数は例えば１～２０であることができる。
別観点として、アルカンニトリルなどのニトリル化合物（Ｂ３）の常圧下での沸点は３４０℃以下であることが好ましい。沸点が低いニトリル化合物（Ｂ３）は、導電膜形成工程における圧力により、導電性粒子（Ａ）の表面またはその近傍から離れやすいと考えられる。そして、このことにより、一層良好な導電性の導電膜を得ることができると考えられる。
【0033】
化合物（Ｂ）のさらに別の例として、分散剤（Ｂ４）を挙げることができる。分散剤（Ｂ４）の使用により、導電膜形成工程を行う前における導電性粒子（Ａ）の意図せぬ凝集を抑えうる。この結果、導電膜形成工程において、導電性粒子（Ａ）間の「すき間」を少なくすることができるため、得られる導電膜の導電性を一層高めることができると考えられる。
【0034】
分散剤（Ｂ４）としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアルキレングリコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂およびエポキシ系樹脂などを挙げることができる。
また、分散剤（Ｂ４）としては、公知の界面活性剤の中から分散剤として機能しうるものを選んで用いてもよい。
また、分散剤（Ｂ４）としては、公知の界面活性剤の中から分散剤として機能しうるものを選んで用いてもよい。
【0035】
導電性組成物は、１のみの化合物（Ｂ）を含んでもよいし、２以上の化合物（Ｂ）を含んでもよい。異なる２種以上の化合物（Ｂ）を用いることで、何らかの相乗作用または相補的作用が働いて、導電性粒子（Ａ）の表面の酸化抑制効果がより高まり、結果として得られる導電膜の導電性が一層高まることがある。例えば、ニトリル化合物（Ｂ３）と、配位子（Ｂ１）および／または還元剤（Ｂ２）と、の併用は好ましい態様として挙げられる。
【0036】
化合物（Ｂ）の使用量を最適化することで、最終的に得られる導電膜の導電性を一層高めうる。ある程度多い量の化合物（Ｂ）を用いることで、導電性粒子（Ａ）の表面の酸化を十分に抑えたり、導電性粒子（Ａ）の凝集を十分に抑えたりすることができる。一方、化合物（Ｂ）の量が多すぎないことにより、導電性組成物中の「導電性成分」（銅、銀）の比率が高まるため、最終的に得られる導電膜の導電性を一層高めうる。また、導電膜形成工程において導電性粒子（Ａ）表面における、酸化されていないか、酸化が軽微な部分が露出しやすくなって、最終的に得られる導電膜の導電性を一層高めうる。
具体的には、化合物（Ｂ）の量（２以上の化合物（Ｂ）を用いる場合は合計量）は、導電性粒子（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部である。
具体的には、化合物（Ｂ）の量（２以上の化合物（Ｂ）を用いる場合は合計量）は、導電性粒子（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部である。
【0037】
・その他成分
導電性組成物は、導電性粒子（Ａ）および化合物（Ｂ）以外の成分を含んでいてもよい。
導電性組成物は、導電性粒子（Ａ）および化合物（Ｂ）以外の成分を含んでいてもよい。
【0038】
導電性組成物は、溶剤を含むことができる。導電性組成物が溶剤を含むことにより、導電性組成物の基材への膜形成性が向上する。溶剤は、典型的には有機溶剤を含む。
溶剤の種類は特に限定されない。溶剤は、導電性組成物中の各成分を実質的に変質させないものであればよい。
溶剤の使用量は、導電性組成物の塗布・印刷方法などに応じて適宜調整すればよい。溶剤の使用量は、導電性組成物の全体中、例えば３～３５質量％、好ましくは５～３０質量％、さらに好ましくは１０～３０質量％である。
溶剤の種類は特に限定されない。溶剤は、導電性組成物中の各成分を実質的に変質させないものであればよい。
溶剤の使用量は、導電性組成物の塗布・印刷方法などに応じて適宜調整すればよい。溶剤の使用量は、導電性組成物の全体中、例えば３～３５質量％、好ましくは５～３０質量％、さらに好ましくは１０～３０質量％である。
【0039】
導電性組成物は、基材１との密着性、膜形成性、印刷性などの観点で、バインダーを含んでもよいし、含まなくてもよい。
バインダーを用いる場合、バインダーの種類は特に限定されないが、ポリビニルピロリドン、ポリエステル、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリビニルアセタール、セルロース系樹脂（例えばエチルセルロースなど）、フェノール樹脂などを好ましく挙げることができる。
導電膜の導電性を維持する観点からは、導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。バインダーの量の下限は０であってもよい。ただし、バインダーを用いることにより密着性向上などの効果を積極的に得ようとする場合には、バインダーの量は、導電性組成物の全不揮発成分中、１質量％とすることが好ましく、２質量％以上とすることがより好ましい。すなわち、諸性能のバランスの観点からは、バインダーの量は、導電性組成物の全不揮発成分中、好ましくは１～５質量％、より好ましくは２～５質量％である。
バインダーを用いる場合、バインダーの種類は特に限定されないが、ポリビニルピロリドン、ポリエステル、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリビニルアセタール、セルロース系樹脂（例えばエチルセルロースなど）、フェノール樹脂などを好ましく挙げることができる。
導電膜の導電性を維持する観点からは、導電性組成物の全不揮発成分中のバインダーの量は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。バインダーの量の下限は０であってもよい。ただし、バインダーを用いることにより密着性向上などの効果を積極的に得ようとする場合には、バインダーの量は、導電性組成物の全不揮発成分中、１質量％とすることが好ましく、２質量％以上とすることがより好ましい。すなわち、諸性能のバランスの観点からは、バインダーの量は、導電性組成物の全不揮発成分中、好ましくは１～５質量％、より好ましくは２～５質量％である。
【0040】
導電性組成物は、その他、従来のインク組成物や導電性ペーストにおける各種添加成分を含んでもよいし、含まなくてもよい。
【0041】
・基材１
基材１は、通常、フィルム状、シート状または板状である。工業的な生産性の観点から、基材１の形状はこれらのいずれかが好ましい。
基材１は、好ましくは可撓性を有する。可撓性を有する基材１を採用することで、フレキシブル基板（ＦＰＣ）を製造することができる。
また、可撓性を有する基材１は、後掲の導電膜形成工程において、ロールプレス工程による導電膜形成を行いやすいというメリットも有する。
念のため述べておくと、基材１は、可撓性を有しないリジッドな基材であってもよい。
基材１は、通常、フィルム状、シート状または板状である。工業的な生産性の観点から、基材１の形状はこれらのいずれかが好ましい。
基材１は、好ましくは可撓性を有する。可撓性を有する基材１を採用することで、フレキシブル基板（ＦＰＣ）を製造することができる。
また、可撓性を有する基材１は、後掲の導電膜形成工程において、ロールプレス工程による導電膜形成を行いやすいというメリットも有する。
念のため述べておくと、基材１は、可撓性を有しないリジッドな基材であってもよい。
【0042】
コストや最終用途を考慮し、基材１は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリイミドおよび紙からなる群より選択される少なくともいずれかであることが好ましい。ここで、紙は、コート紙（紙表面がコート剤でコーティングされた紙）であってもよいし、コート紙ではない通常の紙であってもよい。また、基材１としては、ＰＥＴなどに限らず、一般の樹脂フィルムを採用することができる。
後述するように、本実施形態においては、導電膜形成工程において、加熱なし、または比較的低温の加熱においても、十分に比抵抗が小さい導電膜を得ることができる。よって、ポリエステル、ポリオレフィン、紙などの、低耐熱性の基材１も、基材として好適に用いることができる。また、ポリイミドなどの高耐熱性の基材１を用いた場合、導電膜形成工程において高温の加熱を行うことで、比抵抗を一層小さくすることができる。
後述するように、本実施形態においては、導電膜形成工程において、加熱なし、または比較的低温の加熱においても、十分に比抵抗が小さい導電膜を得ることができる。よって、ポリエステル、ポリオレフィン、紙などの、低耐熱性の基材１も、基材として好適に用いることができる。また、ポリイミドなどの高耐熱性の基材１を用いた場合、導電膜形成工程において高温の加熱を行うことで、比抵抗を一層小さくすることができる。
【0043】
・膜形成方法
導電性組成物の膜形成方法は、特に限定されない。
導電性組成物は、基材の一面の全体に膜形成されてもよいし、基材の一面の一部にのみ膜形成されてもよい。前者の場合、ブレードコーター、エアナイフコーター、ドクターコーター、ロールコーター、バーコーター（ロッドコーター）、カーテンコーターなどの装置を用いて膜形成（塗布）を行うことができる。後者の場合、各種の印刷法、例えばスクリーン印刷法、グラビア印刷法、凸版印刷法、平板印刷法（オフセット印刷法）、インクジェット法など適用することができる。膜形成の「パターン」を適切に設計することで、回路として働くことができる導電膜（回路パターン）や、電磁波シールド能を有するメッシュパターンなどの、パターン構造を備えた基材を製造することができる。導電性組成物を基材の一面の一部にのみ膜形成する場合、膜形成の「パターン」は、最終的に得られる導電膜の用途に応じて適切に設計されることが好ましい。
所望の場所以外に導電性組成物が膜形成されないように、例えば孔をくりぬいたフィルムを基材１の上に置き、その上から導電性組成物を膜形成し、その後フィルムを除去するという工程を行ってもよい。
導電性組成物の膜形成方法は、特に限定されない。
導電性組成物は、基材の一面の全体に膜形成されてもよいし、基材の一面の一部にのみ膜形成されてもよい。前者の場合、ブレードコーター、エアナイフコーター、ドクターコーター、ロールコーター、バーコーター（ロッドコーター）、カーテンコーターなどの装置を用いて膜形成（塗布）を行うことができる。後者の場合、各種の印刷法、例えばスクリーン印刷法、グラビア印刷法、凸版印刷法、平板印刷法（オフセット印刷法）、インクジェット法など適用することができる。膜形成の「パターン」を適切に設計することで、回路として働くことができる導電膜（回路パターン）や、電磁波シールド能を有するメッシュパターンなどの、パターン構造を備えた基材を製造することができる。導電性組成物を基材の一面の一部にのみ膜形成する場合、膜形成の「パターン」は、最終的に得られる導電膜の用途に応じて適切に設計されることが好ましい。
所望の場所以外に導電性組成物が膜形成されないように、例えば孔をくりぬいたフィルムを基材１の上に置き、その上から導電性組成物を膜形成し、その後フィルムを除去するという工程を行ってもよい。
【0044】
導電膜としたときの十分な導電性を得る観点と、膜形成のしやすさの観点から、膜３の厚み（導電性組成物が溶剤を含む場合は乾燥厚み）は、好ましくは５～１００μｍ、より好ましくは１０～５０μｍである。
【0045】
特に導電性組成物が溶剤を含む場合、溶剤を乾燥させるための加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の条件は、溶剤が十分に乾燥する限り特に限定されないが、溶剤の十分な乾燥と、過度な加熱による導電性粒子の変質抑制の観点から、加熱処理の温度は好ましくは５０～１５０℃、より好ましくは８０～１２０℃である。加熱処理の時間は好ましくは１～６０分、より好ましくは３～３０分である。
溶剤を乾燥させるための加熱処理は、具体的には、膜３に対して熱風を当てることで行うことができる。もちろんこれ以外の方法で加熱処理を行ってもよい。
溶剤を乾燥させるための加熱処理は、具体的には、膜３に対して熱風を当てることで行うことができる。もちろんこれ以外の方法で加熱処理を行ってもよい。
【0046】
（図２：導電膜形成工程）
導電膜形成工程においては、膜３を少なくとも加圧して導電膜を形成する。図２は、加圧手段としてロールプレスを採用した場合を模式的に示している。
加圧手段としてロールプレスを採用した場合、導電膜形成工程において、膜３が設けられた基材１は、対向する２本のロール１０Ａおよび１０Ｂによって挟持される。挟持された基材１は、ロール１０Ａおよび１０Ｂの回転（図２中に矢印で示す）の力などにより、図２の左方向から右方向に搬送される。
導電膜形成工程においては、膜３を少なくとも加圧して導電膜を形成する。図２は、加圧手段としてロールプレスを採用した場合を模式的に示している。
加圧手段としてロールプレスを採用した場合、導電膜形成工程において、膜３が設けられた基材１は、対向する２本のロール１０Ａおよび１０Ｂによって挟持される。挟持された基材１は、ロール１０Ａおよび１０Ｂの回転（図２中に矢印で示す）の力などにより、図２の左方向から右方向に搬送される。
【0047】
ロールプレス工程において、膜３が設けられた基材１には１０ＭＰａ以上の圧力が加えられることが好ましい。この圧力は、より好ましくは１０～５０００ＭＰａ、さらに好ましくは２０～３００ＭＰａ、特に好ましくは３０～２５０ＭＰａである。圧力が１０ＭＰａ以上であることにより、得られる導電膜の比抵抗を一層小さくすることができる。また、圧力が５０００ＭＰａ以下であることにより、基材１や膜３の損傷を抑えることができる。ちなみに、基材１の強度が十分であれば、圧力を大きくして、導電膜の比抵抗を一層小さくすることができる。
【0048】
導電膜形成工程では、膜３を加熱しながら加圧することが好ましい。
膜３を加熱する場合、加熱の温度は、基材１の耐熱性や、用いる導電性粒子の種類などに応じて適宜設定すればよい。例えば、基材１が、ポリエステル、ポリオレフィン、紙などの、低耐熱性の素材で構成されている場合には、加熱温度は、使用する基材の耐熱温度を考慮しつつ、例えば５０～２００℃、より好ましくは７０～１８０℃、さらに好ましくは７０～１５０℃、特に好ましくは８０～１２５℃の範囲内で、基材が実質的に軟化や融解しない温度を設定することが好ましい。ただし、加熱時間が短い場合には、これより高い温度（例えば４００℃）での加熱が許容される場合もある。
一方、基材１が、ポリイミドなどの高耐熱性素材で構成されている場合には、加熱温度は５０～４００℃とすることができる。すなわち、膜３を加熱する場合、その温度は４００℃以下で適宜調整することが好ましい。
加熱の時間も、基材１の耐熱性や、用いる導電性粒子の種類などに応じて適宜設定することができる。加熱時間は、例えば０．０１～１秒、好ましくは０．０４～０．６秒である。ちなみに、「加熱の時間」とは、導電膜形成工程においてロールプレスを採用した場合には、膜３がロールと接触して加圧されつつ加熱されている時間のことである。一例として、対向して回転する２つのロールが接触する幅を１ｍｍ、２本のロール間を基材が通過する速度をｖとすると、加熱時間（加圧されている時間と等しい）は、ｖ＝０．１ｍ／分では０．５９秒、ｖ＝１．５ｍ／分では０．０４秒、ｖ＝１．０ｍ／分では０．０６秒、ｖ＝５．０ｍ／分では０．０１２秒となる。
膜３を加熱する場合、加熱の温度は、基材１の耐熱性や、用いる導電性粒子の種類などに応じて適宜設定すればよい。例えば、基材１が、ポリエステル、ポリオレフィン、紙などの、低耐熱性の素材で構成されている場合には、加熱温度は、使用する基材の耐熱温度を考慮しつつ、例えば５０～２００℃、より好ましくは７０～１８０℃、さらに好ましくは７０～１５０℃、特に好ましくは８０～１２５℃の範囲内で、基材が実質的に軟化や融解しない温度を設定することが好ましい。ただし、加熱時間が短い場合には、これより高い温度（例えば４００℃）での加熱が許容される場合もある。
一方、基材１が、ポリイミドなどの高耐熱性素材で構成されている場合には、加熱温度は５０～４００℃とすることができる。すなわち、膜３を加熱する場合、その温度は４００℃以下で適宜調整することが好ましい。
加熱の時間も、基材１の耐熱性や、用いる導電性粒子の種類などに応じて適宜設定することができる。加熱時間は、例えば０．０１～１秒、好ましくは０．０４～０．６秒である。ちなみに、「加熱の時間」とは、導電膜形成工程においてロールプレスを採用した場合には、膜３がロールと接触して加圧されつつ加熱されている時間のことである。一例として、対向して回転する２つのロールが接触する幅を１ｍｍ、２本のロール間を基材が通過する速度をｖとすると、加熱時間（加圧されている時間と等しい）は、ｖ＝０．１ｍ／分では０．５９秒、ｖ＝１．５ｍ／分では０．０４秒、ｖ＝１．０ｍ／分では０．０６秒、ｖ＝５．０ｍ／分では０．０１２秒となる。
【0049】
導電膜形成工程においてロールプレスを採用した場合には、膜３を加熱しながら加圧するため、２本のロールのうち、少なくとも膜３に近い側のロール１０Ａは、加熱されていることが好ましい。ロール１０Ａの加熱温度は、上記説明のとおり、基材１の耐熱性や、用いる導電性粒子の種類などに応じて、４００℃以下で適宜設定することができる。また、加熱の時間は、ロール１０Ａおよびロール１０Ｂの回転速度（すなわち搬送速度）を変えることで調整することができる。搬送速度は、例えば０．１～１０ｍ／分の間で、十分な加熱加圧時間の確保や、量産性などを考慮して適宜調整すればよい。
また、均一な加熱や、加熱時間の短縮のため、ロール１０Ａだけでなくロール１０Ｂも加熱されていてもよい。
また、均一な加熱や、加熱時間の短縮のため、ロール１０Ａだけでなくロール１０Ｂも加熱されていてもよい。
【0050】
一方、十分に比抵抗が小さい導電膜が得られるならば、ロール１０Ａは加熱されていなくてもよいし、ロール１０Ｂも加熱されていなくてもよい。
【0051】
ちなみに、十分に比抵抗が小さい導電膜が得られるならば、導電膜形成工程で膜３を加熱しなくてもよい。具体的には、導電膜形成工程がロールプレス工程を含む場合には、ロール１０Ａは加熱されていなくてもよいし、ロール１０Ｂも加熱されていなくてもよい。特に導電性粒子として銀を主成分とする粒子を用いる場合、加圧のみによっても十分に比抵抗が小さい導電膜を得やすい。
【0052】
図２においては不図示であるが、ロールプレス工程においては、例えば膜３とロール１０Ａとの間に樹脂フィルムを挟みながら、ロール１０Ａおよびロール１０Ｂを回転させてもよい。膜３とロール１０Ａとの間に樹脂フィルムが介在することで、膜３が剥がれてロール１０Ａに付着することを抑えることができる。また、膜３とロール１０Ａとの間に樹脂フィルムが介在することで、膜３にかかる圧力が適切に分散されるため、より均質で一定の性能の導電膜を得やすくなる傾向がある。
膜３とロール１０Ａとの間に挟む樹脂フィルムの素材は特に限定されない。耐熱性や耐久性の点では、ポリイミドフィルム等を好ましく用いることができる。
膜３とロール１０Ａとの間に挟む樹脂フィルムの素材は特に限定されない。耐熱性や耐久性の点では、ポリイミドフィルム等を好ましく用いることができる。
【0053】
（図３および図４：導電膜形成工程の変形例）
上記では、導電膜形成工程の具体的方法として、ロールプレス工程を説明したが、念のため述べておくと、膜３に十分な圧力（および場合によっては熱）が加えられる限り、ロールプレス以外の方法により導電膜形成工程を実施してもよい。ただし、大量生産のしやすさを考慮すると、導電膜形成工程は、ロールプレス工程を含むことが好ましい。
上記では、導電膜形成工程の具体的方法として、ロールプレス工程を説明したが、念のため述べておくと、膜３に十分な圧力（および場合によっては熱）が加えられる限り、ロールプレス以外の方法により導電膜形成工程を実施してもよい。ただし、大量生産のしやすさを考慮すると、導電膜形成工程は、ロールプレス工程を含むことが好ましい。
【0054】
以下、念のため、ロールプレス工程以外の、導電膜形成工程に適用可能な工程について説明しておく。
【0055】
導電膜形成工程は、図３に示されるように、膜３が設けられた基材１を、平坦面を有する台２０の平坦面２０Ａ上に置き、その上からロール１２を用いて膜３を少なくとも加圧する工程を含んでもよい。なお、適切な加圧が可能である限り、平坦面を有する台２０は、台ではなく平板であってもよい。要は基材１が平坦面上に置かれ、ロール１２で適切な加圧ができればよい。
【0056】
導電膜形成工程は、図４に示されるように、第１の平坦面３１Ａを有する第１の押圧部材３１の、第１の平坦面３１Ａと、第２の平坦面３２Ａを有する第２の押圧部材３２の第２の平坦面３２Ａと、により、膜３が設けられた基材１を挟む工程を含んでもよい。このような工程の実施に好ましく用いられる装置として、例えば新東工業株式会社製のプレス装置「ＣＹＰＦ－４００」などを挙げることができる。
【0057】
＜電子デバイスの製造方法＞
上記の膜形成工程および導電膜形成工程を経て得られた導電性基材を用いて、電子デバイスを製造することができる。例えば、膜形成工程において塗布または印刷の「パターン」を適切に設計することで、回路として働くことができる導電膜（回路パターン）を備えた基材を製造し、この基材と他の電子素子とを組み合わせることで電子デバイスを製造することができる。
上記の膜形成工程および導電膜形成工程を経て得られた導電性基材を用いて、電子デバイスを製造することができる。例えば、膜形成工程において塗布または印刷の「パターン」を適切に設計することで、回路として働くことができる導電膜（回路パターン）を備えた基材を製造し、この基材と他の電子素子とを組み合わせることで電子デバイスを製造することができる。
【0058】
ここで、「電子デバイス」の例をいくつか記載するが、本実施形態の導電性基材の製造方法で得られた導電性基材を含む電子デバイスは、当然、これらのみに限定されない。
・センサー：例えば感圧センサー、バイタルセンサー等のセンサー中の、導電性部材／回路について、本実施形態の導電性基材の製造方法で得られた導電性基材を適用することができる。
・太陽電池：例えば太陽電池の集電配線について、本実施形態の導電性基材の製造方法で得られた導電性基材を適用することができる。
・メンブレンスイッチ：メンブレンスイッチとは、薄いシート状のスイッチでフィルムに回路と接点を印刷して貼り重ねたものである。これの回路や接点を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することができる。
・タッチセンサー・タッチパネル：例えばタッチセンサー・タッチパネルにおける引き出し配線を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することができる。また、タッチセンサー・タッチパネルにおける透明電極を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することも考えられる。
・フレキシブル基材：従来は、まず可撓性フィルムの全面に金属膜をコーティングし、その後、薬剤を使って金属膜の不要な部分を取り除くことで回路を形成している。このような従来の方法の代わりに、本実施形態の導電性基材の製造方法で回路を形成することが考えられる。
・センサー：例えば感圧センサー、バイタルセンサー等のセンサー中の、導電性部材／回路について、本実施形態の導電性基材の製造方法で得られた導電性基材を適用することができる。
・太陽電池：例えば太陽電池の集電配線について、本実施形態の導電性基材の製造方法で得られた導電性基材を適用することができる。
・メンブレンスイッチ：メンブレンスイッチとは、薄いシート状のスイッチでフィルムに回路と接点を印刷して貼り重ねたものである。これの回路や接点を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することができる。
・タッチセンサー・タッチパネル：例えばタッチセンサー・タッチパネルにおける引き出し配線を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することができる。また、タッチセンサー・タッチパネルにおける透明電極を形成するために、本実施形態の導電性基材の製造方法を適用することも考えられる。
・フレキシブル基材：従来は、まず可撓性フィルムの全面に金属膜をコーティングし、その後、薬剤を使って金属膜の不要な部分を取り除くことで回路を形成している。このような従来の方法の代わりに、本実施形態の導電性基材の製造方法で回路を形成することが考えられる。
【0059】
特に、従来は導電ペーストを用いて回路を形成していた電子デバイスにおいて、回路形成を本実施形態の導電性基材の製造方法を利用することで、回路の比抵抗が小さくなり、電子デバイスの性能向上を期待することができる。
【0060】
とりわけ好ましい電子デバイスとしては、ＲＦタグを挙げることができる。すなわち、ＲＦタグにおけるアンテナ部等の導電回路を製造するために、本実施形態の導電性基材の製造方法は好ましく用いられる。
ＲＦタグの具体的構造については、例えば特開２００３－３３２７１４号公報、特開２０２０－４６８３４号公報などを参考にすることができる。
ＲＦタグの具体的構造については、例えば特開２００３－３３２７１４号公報、特開２０２０－４６８３４号公報などを参考にすることができる。
【0061】
＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
電子デバイスとは別の応用として、本実施形態の導電性基材の製造方法により、電磁波シールドフィルムを製造することが考えられる。具体的には、膜形成工程において、導電性組成物を膜形成する際のパターンを、電磁波シールドフィルム特有のパターン（メッシュパターンなど）とすることで、電磁波シールドフィルムを製造することができる。
電子デバイスとは別の応用として、本実施形態の導電性基材の製造方法により、電磁波シールドフィルムを製造することが考えられる。具体的には、膜形成工程において、導電性組成物を膜形成する際のパターンを、電磁波シールドフィルム特有のパターン（メッシュパターンなど）とすることで、電磁波シールドフィルムを製造することができる。
【0062】
＜面状発熱体の製造方法＞
さらに別の応用として、本実施形態の導電性基材の製造方法により、面状発熱体を製造することが考えられる。面状発熱体とは、基材上に電気配線が設けられ、その配線に電流を流すことで発熱するもののことをいう。面状発熱体の具体例としては、例えば乗用車のリアガラスなど、防曇や防寒のための面状発熱体を挙げることができる。
さらに別の応用として、本実施形態の導電性基材の製造方法により、面状発熱体を製造することが考えられる。面状発熱体とは、基材上に電気配線が設けられ、その配線に電流を流すことで発熱するもののことをいう。面状発熱体の具体例としては、例えば乗用車のリアガラスなど、防曇や防寒のための面状発熱体を挙げることができる。
【0063】
＜導電性組成物＞
上記では、導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法という「方法」に焦点を当てて本発明の実施形態について説明した。これとは別に、本発明の実施形態は、導電性組成物として捉えることもできる。
すなわち、以下の導電性組成物は、比抵抗が小さい導電膜の形成に好ましく用いられる。
「基材上に膜を形成し、その膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する用途に用いられる、導電性粒子を含有する導電性組成物であって、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。」
上記では、導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法という「方法」に焦点を当てて本発明の実施形態について説明した。これとは別に、本発明の実施形態は、導電性組成物として捉えることもできる。
すなわち、以下の導電性組成物は、比抵抗が小さい導電膜の形成に好ましく用いられる。
「基材上に膜を形成し、その膜を少なくとも加圧して導電膜を形成する用途に用いられる、導電性粒子を含有する導電性組成物であって、
銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、前記導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物。」
【0064】
上記組成物の具体的態様については、＜導電性基材の製造方法＞の項で説明済みである。よって改めての説明は省略する。
【0065】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
【実施例0066】
本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。念のため述べておくと、本発明は実施例のみに限定されない。
以下において、指数表記を記号「Ｅ」で示す場合がある。例えば、１．３．Ｅ－０６とは、１．３×１０－６を意味する。
以下において、指数表記を記号「Ｅ」で示す場合がある。例えば、１．３．Ｅ－０６とは、１．３×１０－６を意味する。
【0067】
＜導電性組成物の調製＞
後掲の表１に示される成分を、遊星式攪拌機を用いて攪拌した。これにより均一なペースト状の導電性組成物を得た。表１において、各成分の量の単位は質量部である。
後掲の表１に示される成分を、遊星式攪拌機を用いて攪拌した。これにより均一なペースト状の導電性組成物を得た。表１において、各成分の量の単位は質量部である。
【0068】
表１中の一部成分について情報を補足しておく。
銅粒子１：メジアン径 １０．３μｍ
銀粒子１：メジアン径 ６．１μｍ
アルカンニトリル：炭素数が１～１８の範囲内にある数種のアルカンニトリルの混合物（沸点は３４０℃以下）
銅粒子１：メジアン径 １０．３μｍ
銀粒子１：メジアン径 ６．１μｍ
アルカンニトリル：炭素数が１～１８の範囲内にある数種のアルカンニトリルの混合物（沸点は３４０℃以下）
【0069】
（膜形成工程および導電膜形成工程）
以下手順により膜形成工程および導電膜形成工程を行い、導電膜を備える導電性基材を製造した。
（１）導電性組成物を用いて、基材上に、１５ｍｍ×５ｍｍの大きさの塗布膜（ベタ膜）を形成した。具体的には、まず、基材上にスリーエム社のスコッチテープを貼って１５ｍｍ×５ｍｍの大きさの「くりぬき部」を設けた。そして、そのくりぬき部の上で、スキージーを用いて導電性組成物をスキージングして、くりぬき部に導電性組成物を充填した。その後、スコッチテープを剥がした。このときの塗布膜の厚みは４０μｍ程度であった。
基材としては、ポリイミドフィルムを用いた。
（２）塗布膜を設けた基材を、熱風循環式大気オーブンに入れ、１００℃で１５分間加熱した。これにより溶剤を乾燥させた。
（３）溶剤が乾燥した塗布膜を、基材と一緒に、荷重調節式のロールプレス機（テスター産業社製、大まかな構造は図２に模式的に示されるとおり）を用いて、以下条件でロールプレスした。
・ロール１０Ａの温度：２００℃に加熱
・圧力：１２１ＭＰａ
・搬送速度：０．１ｍ／分
以下手順により膜形成工程および導電膜形成工程を行い、導電膜を備える導電性基材を製造した。
（１）導電性組成物を用いて、基材上に、１５ｍｍ×５ｍｍの大きさの塗布膜（ベタ膜）を形成した。具体的には、まず、基材上にスリーエム社のスコッチテープを貼って１５ｍｍ×５ｍｍの大きさの「くりぬき部」を設けた。そして、そのくりぬき部の上で、スキージーを用いて導電性組成物をスキージングして、くりぬき部に導電性組成物を充填した。その後、スコッチテープを剥がした。このときの塗布膜の厚みは４０μｍ程度であった。
基材としては、ポリイミドフィルムを用いた。
（２）塗布膜を設けた基材を、熱風循環式大気オーブンに入れ、１００℃で１５分間加熱した。これにより溶剤を乾燥させた。
（３）溶剤が乾燥した塗布膜を、基材と一緒に、荷重調節式のロールプレス機（テスター産業社製、大まかな構造は図２に模式的に示されるとおり）を用いて、以下条件でロールプレスした。
・ロール１０Ａの温度：２００℃に加熱
・圧力：１２１ＭＰａ
・搬送速度：０．１ｍ／分
【0070】
ちなみに、上記の圧力については、以下の計算により求めた値である。
・ロール幅：１６５ｍｍ、ロール間の接触幅：１ｍｍに基づき、圧力がかかる面積は１６５ｍｍ２とした。
・加圧は２０ｋＮとした。
・１６５ｍｍ２の領域に２０ｋＮの力がかかったことから、２０ｋＮ÷１６５ｍｍ２の計算により、圧力：１２１ＭＰａと算出。
・ロール幅：１６５ｍｍ、ロール間の接触幅：１ｍｍに基づき、圧力がかかる面積は１６５ｍｍ２とした。
・加圧は２０ｋＮとした。
・１６５ｍｍ２の領域に２０ｋＮの力がかかったことから、２０ｋＮ÷１６５ｍｍ２の計算により、圧力：１２１ＭＰａと算出。
【0071】
（比抵抗の測定）
上記で得られた導電膜について、４端子抵抗測定器で抵抗値を測定し、また、膜厚計で膜厚を測定した。測定された抵抗値および膜厚から、比抵抗を算出した。
上記で得られた導電膜について、４端子抵抗測定器で抵抗値を測定し、また、膜厚計で膜厚を測定した。測定された抵抗値および膜厚から、比抵抗を算出した。
【0072】
導電性組成物の組成情報および評価結果尾をまとめて表１に示す。
【0073】
【表1】
【0074】
表１に示されるとおり、銅および銀からなる群より選ばれる少なくともいずれかの元素を含有する導電性粒子（Ａ）と、導電性粒子（Ａ）の腐食および凝集の一方または両方を抑制する化合物（Ｂ）と、を含む導電性組成物を用いて基材上に膜を形成し、その膜に圧力を加えることで、導電性が良好な導電膜を有する導電性基材を製造することができた。
実施例をより詳細に分析すると、同じ銅粒子１を用いた例において、化合物（Ｂ）として、ニトリル化合物（Ｂ３）と、配位子（Ｂ１）および／または還元剤（Ｂ２）と、を併用した実施例３～１１の比抵抗は、化合物（Ｂ）としてニトリル化合物（Ｂ３）のみを用いた実施例１の比抵抗よりも小さかった。このことから、異なる２種以上の化合物（Ｂ）を用いることで、得られる導電膜の導電性を一層高められることが理解される。
実施例をより詳細に分析すると、同じ銅粒子１を用いた例において、化合物（Ｂ）として、ニトリル化合物（Ｂ３）と、配位子（Ｂ１）および／または還元剤（Ｂ２）と、を併用した実施例３～１１の比抵抗は、化合物（Ｂ）としてニトリル化合物（Ｂ３）のみを用いた実施例１の比抵抗よりも小さかった。このことから、異なる２種以上の化合物（Ｂ）を用いることで、得られる導電膜の導電性を一層高められることが理解される。
【符号の説明】
【0075】
１ 基材
３ 膜
１０Ａ ロール
１０Ｂ ロール
１２ ロール
２０ 平坦面を有する台
２０Ａ 平坦面
３１ 第１の押圧部材
３１Ａ 第１の平坦面
３２ 第２の押圧部材
３２Ａ 第２の平坦面
３ 膜
１０Ａ ロール
１０Ｂ ロール
１２ ロール
２０ 平坦面を有する台
２０Ａ 平坦面
３１ 第１の押圧部材
３１Ａ 第１の平坦面
３２ 第２の押圧部材
３２Ａ 第２の平坦面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】