特開 2024-145228 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024145228

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241004BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023057490

(22)【出願日】2023-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】000002428

【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001771

【氏名又は名称】弁理士法人虎ノ門知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】柳川 安友美

(72)【発明者】

【氏名】金井 隆宏

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA17

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC02

5F157AC26

5F157BB23

5F157BB24

5F157CD44

5F157CE05

5F157CE10

5F157CE41

5F157CF42

5F157CF44

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】基板の下面の汚染を抑制すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持した状態で前記基板を回転させる回転保持部と、前記基板が回転された状態で前記基板の上面及び下面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の前記上面及び前記下面に前記処理液が供給された後に、前記基板が回転された状態で前記基板の前記上面及び前記下面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、少なくとも、前記下面に供給された前記洗浄液を溜めることができる下面液受けと、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液に関する洗浄液情報を検出する検出部と、検出された前記洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、次に行う処理を決定する制御部と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持した状態で前記基板を回転させる回転保持部と、
前記基板が回転された状態で前記基板の上面及び下面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板の前記上面及び前記下面に前記処理液が供給された後に、前記基板が回転された状態で前記基板の前記上面及び前記下面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
少なくとも、前記下面に供給された前記洗浄液を溜めることができる下面液受けと、
前記下面液受けに溜められた前記洗浄液に関する洗浄液情報を検出する検出部と、
検出された前記洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、次に行う処理を決定する制御部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記検出部は、前記洗浄液情報として、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液のｐＨを検出し、
前記制御部は、検出された前記洗浄液の前記ｐＨと、前記洗浄液のｐＨに基づく基準値とを比較して、前記次に行う処理を決定する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記検出部は、前記洗浄液情報として、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液に含まれる前記処理液の濃度、又は、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液に含まれるパーティクルの濃度、又は、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液の色のうち、ひとつ以上を検出し、
前記制御部は、前記処理液の前記濃度と第１の基準値とを比較するか、又は、前記パーティクルの前記濃度と第２の基準値とを比較するか、又は、前記色と所定の基準色に基づく値とを比較し、比較結果に基づいて前記次に行う処理を決定する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記洗浄液のｐＨに基づく前記基準値に、検出された前記洗浄液の前記ｐＨが合致しない場合、前記下面に前記洗浄液が供給される時間を長くする制御を実行する、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記洗浄液のｐＨに基づく前記基準値に、検出された前記洗浄液の前記ｐＨが合致しない場合、前記洗浄液供給部によって前記下面に供給される前記洗浄液の流量を多くする制御を実行する、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板の前記下面に向けて洗浄液を噴射する洗浄液噴射部と、
気体を噴射する気体噴射部と、を更に備え、
前記制御部は、前記洗浄液のｐＨに基づく前記基準値に、検出された前記洗浄液の前記ｐＨが合致しない場合、前記洗浄液噴射部から噴射される洗浄液に対して前記気体を噴射するように前記気体噴射部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記回転保持部の周囲に設けられた第１のカップ体と、
前記第１のカップ体と、前記回転保持部との間に設けられ、前記洗浄液供給部により前記基板の下面に供給された洗浄液であって前記基板から飛散した洗浄液を受ける第２のカップ体と、を更に備え、
前記下面液受けの内部は、前記第２のカップ体に連通していて、前記下面液受けには、前記第２のカップ体により受けられた洗浄液が溜められる、請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記回転保持部の上面を覆うカバーを更に備え、
前記カバーの上面には、前記基板の前記下面に供給され、前記下面から前記カバーの上面に落ちた洗浄液が流れる排液孔が形成され、
前記下面液受けは、前記排液孔に接続され、前記下面液受けには、前記排液孔から排出される洗浄液が溜められる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

基板を保持した状態で回転させる工程と、
前記基板が回転した状態で前記基板の上面及び下面に処理液を供給する工程と、
前記基板の前記上面及び前記下面に前記処理液が供給された後に、前記基板が回転した状態で前記基板の前記上面及び前記下面に洗浄液を供給する工程と、
少なくとも、前記下面に供給された前記洗浄液が溜められる下面液受けに溜められた前記洗浄液に関する洗浄液情報を検出する工程と、
検出された前記洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、処理工程を制御する工程と、
を含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の洗浄では、歩留まり向上のために、基板の上面（表面）だけでなく下面（裏面）に付着したパーティクルも軽減することが要求される場合がある。そのため、基板を回転させつつ、基板の上面及び下面のそれぞれに処理液を供給し、基板の両面を同時に処理（液処理）する基板処理装置がある。かかる基板処理装置は、液処理を実行した後に、基板上の処理液を洗い流すための洗浄液（例えば純水）を基板の両面に供給するリンス処理（洗浄処理）を実行する。そして、基板処理装置は、リンス処理を実行した後に、基板を乾燥させるドライ処理（乾燥処理）を実行する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００１－４４１５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、リンス処理において、基板の下面の処理液を十分に洗い流すことができず、基板の下面に処理液が残留してしまう場合がある。この場合、基板の下面が処理液により汚染されてしまうことがある。

【0005】

また、液処理において、処理液が、基板を保持する保持部材が固定されているカバーに落下する場合がある。カバーに処理液が付着したままドライ処理が実行されると、気流の乱れで、処理液が飛散し、基板の下面に処理液が付着することがある。この場合も、基板の下面が処理液により汚染されてしまうことがある。

【0006】

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の下面の汚染を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を保持した状態で前記基板を回転させる回転保持部と、前記基板が回転された状態で前記基板の上面及び下面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の前記上面及び前記下面に前記処理液が供給された後に、前記基板が回転された状態で前記基板の前記上面及び前記下面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、少なくとも、前記下面に供給された前記洗浄液を溜めることができる下面液受けと、前記下面液受けに溜められた前記洗浄液に関する洗浄液情報を検出する検出部と、検出された前記洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、次に行う処理を決定する制御部と、を備える。

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理方法は、基板を保持した状態で回転させる工程と、前記基板が回転した状態で前記基板の上面及び下面に処理液を供給する工程と、前記基板の前記上面及び前記下面に前記処理液が供給された後に、前記基板が回転した状態で前記基板の前記上面及び前記下面に洗浄液を供給する工程と、少なくとも、前記下面に供給された前記洗浄液が溜められる下面液受けに溜められた前記洗浄液に関する洗浄液情報を検出する工程と、検出された前記洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、処理工程を制御する工程と、を含む。

【発明の効果】

【0009】

本発明の一態様によれば、基板の下面の汚染を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、第１の実施形態の基板処理装置の構成の一例を示す図である。

【図2】図２は、第１の実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【図3】図３は、第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【図4】図４は、第２の実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す図である。

【図5】図５は、変形例に係るノズル固定部材の構成の一例を示す図である。

【図6】図６は、変形例に係る基板処理装置が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

（第１の実施形態）
以下、本発明の各実施形態を、図面を参照して説明する。なお、各実施形態及び各変形例は、矛盾が生じない範囲で、適宜組み合わせることができる。図１は、第１の実施形態の基板処理装置１００の構成の一例を示す図である。

【0012】

基板処理装置１００は、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面（表面）及び下面（裏面）のそれぞれに処理液（薬液）を供給（吐出）することにより基板Ｗの両面を液処理する。例えば、基板処理装置１００は、処理液Ｌとしてフッ酸及びオゾン水を交互に繰り返し基板Ｗの両面に供給する。そして、基板処理装置１００は、液処理を実行した後に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面及び下面のそれぞれに洗浄液（例えば純水）を供給することにより基板Ｗの両面をリンス処理（洗浄処理）する。そして、基板処理装置１００は、リンス処理を実行した後に、基板Ｗを高速回転させて、基板Ｗ上の洗浄液を振り切ることにより、基板Ｗを乾燥させるドライ処理を実行する。

【0013】

図１に示すように、基板処理装置１００は、回転保持部１０、ノズル固定部材３０、上面処理液ノズル４０、下面処理液ノズル５０、下面気体ノズル６０、排液管７０、第１のカップ体８０、上面液受け８１、第２のカップ体８２、下面液受け８３、バルブ８４、排液流路８５、ｐＨ計８６及び制御部２００を備える。

【0014】

回転保持部１０は、載置台１１、動力伝達体１３、制御モータ１４、回転テーブル１５、支持筒部１７、ブッシュ１９ａ,１９ｂ、保持部材２０、テーパ部材２１、係合ピン２２、保持筒２３、カバー２５を有する。載置台１１は、上面液受け８１と、下面液受け８３とを支持する。載置台１１の中心部には、貫通孔１２が設けられている。貫通孔１２の内部には、円筒状の動力伝達体１３が設けられている。動力伝達体１３は、駆動手段である制御モータ１４によって回転駆動される。制御モータ１４は、筒状の固定子１４ａと、筒状の回転子１４ｂとを有する。回転子１４ｂは、固定子１４ａ内に回転可能に挿入されている。

【0015】

動力伝達体１３は、下端が回転子１４ｂの上面に接触していて、接触部分がネジにより固定されている。これにより、動力伝達体１３は、回転子１４ｂと一体的に回転するように設けられている。なお、制御モータ１４は、制御部２００によって回転速度が制御される。

【0016】

動力伝達体１３の上端には、回転テーブル１５が取り付けられている。回転テーブル１５は、円盤状の下板１５ａと上板１５ｂとを重ね合わせて形成されている。下板１５ａと上板１５ｂとの中心部分には、動力伝達体１３の内部空間に連通する貫通孔１６が形成されている。

【0017】

回転テーブル１５の上板１５ｂの周辺部には、周方向に所定間隔で支持筒部１７が一体に形成されている。本実施形態においては、６０度間隔で６つの支持筒部１７（図１においては、２つだけ示す）が形成されている。回転テーブル１５の下板１５ａの支持筒部１７に対応する部分には、貫通孔１８が形成されている。

【0018】

支持筒部１７と貫通孔１８とには、それぞれブッシュ１９ａ,１９ｂが嵌め合わせて装着されている。ブッシュ１９ａ,１９ｂには、保持部材２０が回転可能に支持されている。保持部材２０は、軸部２０ａと頭部２０ｂとを有する。軸部２０ａは、ブッシュ１９ａ,１９ｂ内に挿入され、ブッシュ１９ａ,１９ｂによって支持されている。頭部２０ｂは、軸部２０ａの上端部に一体に形成された、軸部２０ａより大径の部材である。

【0019】

頭部２０ｂの上端面には、軸部２０ａの回転中心から偏心した位置に、テーパ部材２１が設けられている。テーパ部材２１のテーパ面２１ａの傾斜方向上端部には、係合ピン２２が突出して設けられている。なお、以降の説明においては、テーパ部材２１と係合ピン２２とを総称して、保持機構ということがある。

【0020】

保持部材２０は、回転可能に設けられている。各保持部材２０に設けられたテーパ部材２１には、半導体ウェーハなどの基板Ｗの裏面における周縁部がテーパ面２１ａに載置される。この状態で、各保持部材２０を所定方向に回転させると、テーパ部材２１が偏心回転する。テーパ部材２１が偏心回転すると、基板Ｗの周縁部がテーパ面２１ａに沿って上昇し、基板Ｗの外周面が係合ピン２２に当接する。これにより、基板Ｗは６個の保持部材２０によって回転テーブル１５に一体的に保持される。また、保持部材２０を上述した所定方向と逆方向に回転させると、係合ピン２２が基板Ｗの外周面から離れる方向に偏心回転する。これにより、基板Ｗは６個の保持部材２０から解放される。

【0021】

動力伝達体１３の内部には、保持筒２３が挿通されている。保持筒２３は、基板処理装置１００の本体に固定されている。保持筒２３の上端には、ノズル固定部材３０が固定されている。

【0022】

カバー２５は、回転テーブル１５の上面および外周面を覆うように回転テーブル１５と一体に設けられている。カバー２５は、回転テーブル１５の外周面を覆う側面２５ａと、回転テーブル１５に保持された基板Ｗの裏面に対向する上面２５ｂとを備える。上面２５ｂは、円板状であり、平面視において、上面２５ｂの中心には、貫通孔２５ｃが形成されている。

【0023】

保持機構（テーパ部材２１と係合ピン２２）は、基板Ｗの面がカバー２５の上面２５ｂと平行となるように、カバー２５の上面２５ｂと間隔を空けて基板Ｗを保持する。

【0024】

上面処理液ノズル４０は、基板Ｗの上面に処理液Ｌ又は洗浄液を供給する。例えば、薬液処理を実行する場合には、上面処理液ノズル４０は、基板Ｗの上面の回転中心部分又は回転中心部分付近にフッ酸及びオゾン水等の処理液Ｌを吐出する。例えば、上面処理液ノズル４０は、フッ酸及びオゾン水を交互に繰り返し基板Ｗの上面に吐出する。また、リンス処理を行う場合には、上面処理液ノズル４０は、基板Ｗの上面の回転中心部分又は回転中心部分付近に純水等の洗浄液を吐出する。上面処理液ノズル４０には、処理液Ｌが貯留された処理液タンクから配管を介して処理液が供給される。また、上面処理液ノズル４０には、洗浄液が貯留された洗浄液タンクから配管を介して洗浄液が供給される。

【0025】

ノズル固定部材３０は、下面処理液ノズル５０及び下面気体ノズル６０を固定する部材である。ノズル固定部材３０は、カバー２５の貫通孔２５ｃの下方に設けられている。ノズル固定部材３０は、上述したように保持筒２３の上端に固定されている。保持筒２３は、動力伝達体１３から切り離されているため、回転テーブル１５が回転しても、ノズル固定部材３０は回転しない。ノズル固定部材３０には、上部から下部にゆくにつれて小径となる逆円錐形状の凹部３１が形成されている。ノズル固定部材３０の凹部３１には、下面処理液ノズル５０及び、下面気体ノズル６０が設けられている。ノズル固定部材３０が固定されているため、ノズル固定部材３０の凹部３１に設けられた下面処理液ノズル５０及び下面気体ノズル６０も回転しない。

【0026】

本実施形態においては、複数の下面処理液ノズル５０が、凹部３１の逆円錐形状の斜面に、円周状に設けられている。複数の下面処理液ノズル５０は、例えば、それぞれ、フッ酸、オゾン水、洗浄液（純水）を吐出するノズルである。また、１つの下面気体ノズル６０が、凹部３１の逆円錐形状の斜面に設けられている。

【0027】

下面処理液ノズル５０は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの下面に処理液Ｌ又は洗浄液を供給する。例えば、エッチングを行う場合、すなわち、薬液処理を実行する場合には、下面処理液ノズル５０は、基板Ｗの下面の回転中心部分又は回転中心部分付近にフッ酸やオゾン水等の処理液Ｌを吐出する。例えば、下面処理液ノズル５０は、フッ酸とオゾン水とを交互に繰り返し基板Ｗの下面に吐出する。また、リンス処理を行う場合には、下面処理液ノズル５０は、基板Ｗの下面の回転中心部分又は回転中心部分付近に純水等の洗浄液を吐出する。下面処理液ノズル５０には、処理液Ｌが貯留された処理液タンクから配管を介して処理液Ｌが供給される。また、下面処理液ノズル５０には、洗浄液が貯留された洗浄液タンクから配管を介して洗浄液が供給される。

【0028】

下面気体ノズル６０は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの下面の回転中心部分又は回転中心部分付近に窒素ガス等の気体を供給する。下面気体ノズル６０は、下面気体ノズル６０に窒素ガス等の気体を供給する気体供給源に配管を介して接続されており、下面気体ノズル６０には気体供給源から気体が供給される。

【0029】

また、ノズル固定部材３０に形成された凹部３１の底部には、排液部を形成する排液口７０ａが形成されている。排液口７０ａには、排液管７０の一端が接続されている。排液管の他端は、吸引ポンプに接続されている。下面処理液ノズル５０から吐出され、基板Ｗの下面によって跳ね返された処理液Ｌ又は洗浄液の一部は、凹部３１内に滴下する。凹部３１内に滴下された処理液Ｌ又は洗浄液は、ノズル固定部材３０に形成された凹部３１の壁面（円錐の斜面）によって、排液口７０ａに導かれ、排液管７０から排出される。

【0030】

カバー２５の周囲には、第１のカップ体８０及び第２のカップ体８２が設けられている。第１のカップ体８０及び第２のカップ体８２は、上部の径が概ね窄まるように屈曲された筒状体である。第１のカップ体８０が外側、第２のカップ体８２が内側となるように同心円状に配置されている。

【0031】

第１のカップ体８０は、その下方が開口していて、上面液受け８１の内部と連通している。また、第２のカップ体８２は、その下方が開口していて、下面液受け８３の内部に連通している。

【0032】

第１のカップ体８０と、第２のカップ体８２とは、図示しない駆動機構により、昇降可能に設けられている。基板Ｗに対する薬液処理からドライ処理までの一連の処理工程の間、第１のカップ体８０と、第２のカップ体８２とは、駆動機構により上昇して、図１に示す位置（処理位置）に位置づけられる。そして、基板Ｗに対するドライ処理が終了した後に、第１のカップ体８０と、第２のカップ体８２とは、駆動機構により下降して、待機位置に位置づけられる。

【0033】

ここで、基板Ｗの下面に供給された処理液Ｌ又は洗浄液は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの外周方向に流れ、基板Ｗの外周端部から下方へ飛散する。また、基板Ｗの下面に供給された処理液Ｌ又は洗浄液の一部は、基板Ｗの外周端部に到達する前に、カバー２５の上面２５ｂに落下する。カバー２５の上面２５ｂに落下した処理液Ｌ又は洗浄液は、カバー２５の回転によって、外方に飛散する。このため、第２のカップ体８２の処理位置とは、このような基板Ｗの下面に供給されて飛散した処理液Ｌ又は洗浄液を受けることができる位置である。また、第２のカップ体８２の処理位置とは、基板Ｗの上面に供給されて飛散した処理液Ｌ又は洗浄液が、第２のカップ体８２より上方に向かう位置である。例えば、第２のカップ体８２の処理位置は、第２のカップ体８２の上端（第２のカップ体８２の内壁の上端）の高さが、保持機構に保持された基板Ｗの高さよりわずかに低い位置から、保持機構の係合ピン２２の上端の高さ位置までの範囲に設定される。より好ましくは、第２のカップ体８２の処理位置は第２のカップ体８２の上端の高さが、保持機構に保持された基板Ｗの上面の高さと同じになる位置である。第２のカップ体８２の内壁によって受けられた処理液Ｌ又は洗浄液は、第２のカップ体８２の内壁を伝って下方に落ち、下面液受け８３に流入する。

【0034】

また、基板Ｗの上面に供給された処理液Ｌ又は洗浄液は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの外周方向に流れる。外周まで流れた処理液Ｌ又は洗浄液は、係合ピン２２に当たるため、斜め上方に跳ねるように飛散する。このため、第１のカップ体８０の処理位置とは、基板Ｗの上面に供給されて飛散した処理液Ｌ又は洗浄液を受けることができる位置である。つまり、第１のカップ体８０の処理位置とは、第１のカップ体８０の上端の高さ位置が、処理位置にある第２のカップ体８２の上端の高さ位置よりも上に離間した位置に設定される。第１のカップ体８０の内壁によって受けられた処理液Ｌ又は洗浄液は、第１のカップ体８０の内壁を伝って下方に落ち、上面液受け８１に流入する。

【0035】

このように、基板Ｗと第１のカップ体８０との間に第２のカップ体８２を設け、基板Ｗに対して処理液Ｌ及び洗浄液が供給されている間、第１のカップ体８０と第２のカップ体８２とを上述した処理位置に位置づけることで、基板Ｗの上面に供給された処理液Ｌ及び洗浄液と、下面に供給された処理液Ｌ及び洗浄液とを分離して回収することができる。

【0036】

上面液受け８１は、その底面に排液口が設けられ、排液流路と接続されている。上面液受け８１に流入した処理液Ｌ又は洗浄液は、この排液流路から排出される。また、下面液受け８３は、その底面に排液口が設けられ、排液流路８５の一端と接続されている。排液流路８５の他端は、上面液受け８１に接続された廃液流路の途中に合流するように接続されている。下面液受け８３に流入した処理液Ｌ又は洗浄液は、排液流路８５内を流れ、上面液受け８１に接続された廃液流路から排出される。また、排液流路８５の途中にはバルブ８４が設けられている。バルブ８４を閉じることにより、下面液受け８３に流入した処理液Ｌ又は洗浄液を、下面液受け８３の内部に溜めることができる。また、バルブ８４を開くことにより、下面液受け８３に流入した処理液Ｌ又は洗浄液を排出することができる。

【0037】

ｐＨ計８６は、下面液受け８３内の下部に設けられ、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨを計測する。

【0038】

制御部２００は、基板処理装置１００の各部を制御する。制御部２００は、基板処理装置１００の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。制御部２００は、回転保持部１０、上面処理液ノズル４０、下面処理液ノズル５０、下面気体ノズル６０、第１のカップ体８０、第２のカップ体８２、バルブ８４及びｐＨ計８６等を制御する。

【0039】

以上のような本実施形態の基板処理装置１００の動作を図２のフローチャートを参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る基板処理装置１００が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。なお、以下のような手順により基板Ｗを処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。図２に示す処理の前に、基板Ｗは、回転保持部１０により保持され、回転している。また、図２に示す処理が終了すると、基板Ｗの回転が停止され、基板Ｗは回転保持部１０から解放されて搬出される。

【0040】

基板処理装置１００は、薬液処理を実行する（ステップＳ１０１）。具体的には、基板Ｗが回転している状態で、下面処理液ノズル５０から基板Ｗの下面に対して処理液Ｌを供給するとともに、上面処理液ノズル４０から基板Ｗの上面に対して処理液Ｌを供給する。

【0041】

そして、基板処理装置１００は、リンス処理を実行する（ステップＳ１０２）。具体的には、基板Ｗが回転している状態で、下面処理液ノズル５０から基板Ｗの下面に対して洗浄液を供給するとともに、上面処理液ノズル４０から基板Ｗの上面に対して洗浄液を供給する。なお、上述したように、基板Ｗの下面に供給された洗浄液の一部は、基板Ｗの外周端部に到達する前にカバー２５の上面２５ｂに落下する。したがって、基板Ｗのリンス処理においては、カバー２５の上面２５ｂもリンス（洗浄）される。

【0042】

そして、制御部２００は、リンス処理が開始されてから所定時間経過後に、バルブ８４を閉める（ステップＳ１０３）。これにより、下面液受け８３に流入した、基板Ｗの下面に供給された洗浄液が、下面液受け８３に溜められる。

【0043】

そして、ｐＨ計８６は、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨを計測する（ステップＳ１０４）。

【0044】

そして、制御部２００は、計測されたｐＨが基準値に合致しているか否かを判定する（ステップＳ１０５）。この判定により、基板Ｗの下面のリンス処理が十分であるか否かを判定する。ここで、基準値とは、洗浄液のｐＨに基づいて決定した値である。また、基準値は、一定の範囲を有する値としてもよい。より具体的には、基準値とは、洗浄液のｐＨと同じｐＨ、又は洗浄液のｐＨに近いｐＨの範囲とすることができる。ステップＳ１０５において、制御部２００は、ｐＨ計８６により計測されたｐＨによる判定結果に基づいて、次に行う処理を決定する。ステップＳ１０５では、制御部２００は、ｐＨ計８６により計測されたｐＨが基準値に合致しているか否かを判定する。例えば、洗浄液が純水である場合、洗浄液のｐＨは「７．０」である。処理液Ｌがフッ酸である場合、洗浄液に基づく基準値は、例えば、ｐＨが「６．７」以上「７．０」以下の範囲である。

【0045】

制御部２００は、計測されたｐＨが、基準値の範囲内である場合、計測されたｐＨが基準値に合致していると判定する。また、制御部２００は、計測されたｐＨが、基準値の範囲内ではない場合、計測されたｐＨが基準値に合致していないと判定する。

【0046】

そして、制御部２００は、計測されたｐＨが基準値に合致していると判定した場合（ステップＳ１０５：Ｙｅｓ）、次に行う処理としてドライ処理を決定する。また、制御部２００は、下面処理液ノズル５０からの洗浄液の吐出を停止するとともに、上面処理液ノズル４０からの洗浄液の吐出を停止する。

【0047】

ステップＳ１０６では、基板処理装置１００は、ドライ処理を実行する。具体的には、基板Ｗの回転を継続することで、基板Ｗの回転によって、基板Ｗに付着した洗浄液を振り切って除去する。また、下面気体ノズル６０からは、基板Ｗの下面の回転中心部分又は回転中心部分付近に気体を供給する。これにより、基板Ｗの回転による洗浄液の振り切りに加えて、気体の流れによっても、基板Ｗの下面に付着した洗浄液を除去できる。その後、下面気体ノズル６０からの気体の供給を停止し、図２に示す処理を終了する。

【0048】

一方、制御部２００は、計測されたｐＨが基準値に合致していないと判定した場合（ステップＳ１０５：Ｎｏ）、バルブ８４を開く（ステップＳ１０７）。バルブ８４が開かれると、ステップＳ１０２に戻り、リンス処理を継続する。すなわち、制御部２００は、リンス処理を行う時間を追加するように制御する。そして、基板処理装置１００は、ステップＳ１０３以降の処理を再び実行する。

【0049】

以上、第１の実施形態に係る基板処理装置１００について説明した。上述した基板処理装置１００では、回転保持部１０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。そして、下面処理液ノズル５０及び上面処理液ノズル４０は、基板Ｗが回転された状態で基板Ｗの上面及び下面に処理液を供給する。下面処理液ノズル５０及び上面処理液ノズル４０は、処理液供給部の一例である。

【0050】

そして、基板Ｗの上面及び下面に処理液が供給された後に、下面処理液ノズル５０及び上面処理液ノズル４０は、基板Ｗが回転された状態で基板Ｗの上面及び下面に洗浄液を供給する。下面処理液ノズル５０及び上面処理液ノズル４０は、洗浄液供給部の一例でもある。また、下面液受け８３には、基板Ｗの下面に供給された洗浄液が溜められる。

【0051】

そして、ｐＨ計８６は、下面液受け８３に溜められた洗浄液に関する洗浄液情報として、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨを検出する。ｐＨ計８６は、検出部の一例である。また、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨは、下面液受け８３に溜められた洗浄液に関する洗浄液情報の一例である。

【0052】

そして、制御部２００は、検出された洗浄液に関する洗浄液情報に基づいて、次に行う処理を決定する。具体的には、制御部２００は、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨと、洗浄液のｐＨに基づく基準値とを比較して、次に行う処理を決定する。

【0053】

制御部２００は、洗浄液のｐＨに基づく基準値に、下面液受け８３に溜められた洗浄液のｐＨが合致しない場合、基板Ｗの下面に洗浄液が供給される時間を長くする制御を実行する。このように、基板処理装置１００は、リンス処理において基板Ｗの下面に供給された洗浄液のみを回収し、回収された基板Ｗの下面の洗浄液のｐＨが、洗浄液の元々のｐＨと同等になるまで、継続してリンス処理を行う。すなわち、制御部２００は、洗浄液のｐＨ（洗浄液情報の一例）に基づいて、基板Ｗの下面に洗浄液を供給する時間を決定する。これにより、リンス処理が不十分な状態で、次のドライ処理に進むことがなくなる。したがって、基板Ｗの下面と、カバー２５の上面２５ｂとに処理液Ｌが残留することを抑えられる。したがって、ドライ処理中に基板Ｗとカバー２５との間の空間において気流が乱れても、汚染源となる処理液は除去されているため、基板Ｗの汚染を抑制することができる。したがって、第１の実施形態に係る基板処理装置１００によれば、基板Ｗの汚染を抑制することができる。

【0054】

また、第１の実施形態では、基板処理装置１００は、下面処理液ノズル５０により基板Ｗの下面に供給された洗浄液であって基板Ｗから飛散された洗浄液を受ける第２のカップ体８２を備える。第２のカップ体８２には、下面液受け８３が連通していて、下面液受け８３には、第２のカップ体８２により受けられた洗浄液が溜められる。このような第２のカップ体８２が用いられることにより、基板Ｗの上面に供給された洗浄液と、下面に供給された洗浄液とを分離して溜めることができる。すなわち、下面液受け８３は、基板Ｗの上面に供給された洗浄液が混ざることなく、基板Ｗの下面に供給された洗浄液を溜めることができる。これにより、重力によって洗浄液が落ちるため、リンス処理が不十分になりやすい基板Ｗの下面に供給された洗浄液について、精度よくｐＨを計測することができる。

【0055】

なお、ｐＨ計８６によるｐＨの測定結果に影響が出ない範囲内で、または、わずかな影響が出る範囲内で、下面液受け８３に、基板Ｗの上面に供給された洗浄液が流入してもよい。すなわち、下面液受け８３には、基板Ｗの下面に供給された洗浄液のみが溜められることが好ましいが、ｐＨ計８６によるｐＨの測定結果に大きな影響が出ない範囲内で、基板Ｗの上面に供給された洗浄液が混ざってもよい。したがって、下面液受け８３には、少なくとも、基板Ｗの下面に供給された洗浄液が溜められればよい。

【0056】

また、基板Ｗの下面に供給された洗浄液の大半が、第２のカップ体８２に受けられて、下面液受け８３に溜められればよい。すなわち、基板Ｗの下面に供給された洗浄液がすべて第２のカップ体８２に受けられて、下面液受け８３に回収されることが好ましいが、洗浄液の一部は、第１のカップ体８０によって受けられてもよい。下面液受け８３に溜められた洗浄液によって、基板Ｗの下面及びカバー２５の上面２５ｂのリンス処理が十分か否か判定できればよい。

【0057】

（第１の実施形態の変形例）
なお、基板処理装置１００は、計測されたｐＨが基準値に合致していない場合に、リンス処理を継続（リンス処理時間を追加）するが、この追加されたリンス処理において、下面処理液ノズル５０から吐出される洗浄液の流量を所定量だけ増加させてもよい。そこで、このような変形例を第１の実施形態の変形例として説明する。

【0058】

以下の第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置１００の説明では、主に、第１の実施形態に係る基板処理装置１００と異なる点について説明する。また、以下の第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置１００の説明では、第１の実施形態に係る基板処理装置１００の構成と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。

【0059】

図３は、第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置１００が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。図３に示す第１の実施形態の変形例に係るステップＳ１０１～Ｓ１０７における処理は、図２に示す第１の実施形態に係るステップＳ１０１～Ｓ１０７における処理と同様の処理である。

【0060】

ステップＳ１０８において、制御部２００は、リンス処理において下面処理液ノズル５０から吐出される洗浄液の流量を所定量だけ増加させるように、制御情報を更新する。この制御情報は、下面処理液ノズル５０を制御するための情報である。

【0061】

そして、戻ったステップＳ１０２において、基板処理装置１００がリンス処理を実行（継続）するが、制御部２００は、更新された制御情報に基づいて、吐出される洗浄液の流量を所定量だけ増加させるように下面処理液ノズル５０を制御する。すなわち、制御部２００は、基板Ｗの下面に供給される洗浄液の流量を多くする制御を実行する。これにより、基板Ｗの下面及びカバー２５の上面２５ｂにおける洗浄能力を向上させることができる。

【0062】

このとき、制御部２００は、計測されたｐＨによって、基板Ｗの下面に洗浄液が供給される時間の増加量を決定してもよい。また、制御部２００は、計測されたｐＨによって、基板Ｗの下面に供給される洗浄液の流量の増加量を決定してもよい。

【0063】

また、第２のカップ体８２は、基板Ｗに対する薬液処理からドライ処理までの一連の処理工程の間、上昇して処理位置に位置づけられるとしたが、少なくとも洗浄液が供給されている間、処理位置に位置していればよい。すなわち、基板Ｗに対して処理液Ｌが供給されている間は、第２のカップ体８２は、待機位置に位置づけられていてもよい。この場合、基板Ｗの上面に供給された処理液Ｌと、下面に供給された処理液Ｌとは、第１のカップ体８０に受けられて、上面液受け８１に回収される。その後、洗浄液の供給を開始する前に、第２のカップ体８２を上昇させて、処理位置に位置付け、基板Ｗの下面に供給された洗浄液を第２のカップ体８２の内壁で受けるように、駆動機構を制御すればよい。

【0064】

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、基板処理装置１００が、第２のカップ体８２を用いて、下面液受け８３に、基板Ｗの下面に供給された洗浄液のみを溜めさせる例について説明した。しかしながら、基板処理装置は、第２のカップ体８２を用いずに、下面液受けに、基板Ｗの下面に供給された洗浄液のみを溜めさせてもよい。そこで、このような実施形態を第２の実施形態として説明する。

【0065】

以下の第２の実施形態に係る基板処理装置１０１の説明では、主に、第１の実施形態に係る基板処理装置１００と異なる点について説明する。また、以下の第２の実施形態に係る基板処理装置１０１の説明では、第１の実施形態に係る基板処理装置１００の構成と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。

【0066】

図４は、第２の実施形態の基板処理装置１０１の構成の一例を示す図である。図４に示す、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１は、第２のカップ体８２を備えていない点で、図１に示す第１の実施形態に係る基板処理装置１００と異なる。また、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１は、第１のカップ体８０と、上面液受け８１と、下面液受け８３と、の代わりに、カップ体８０ａと、上面液受け８１ａと、下面液受け８３ａとを備えている点で、第１の実施形態に係る基板処理装置１００と異なる。また、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１は、カバー２５に排液孔２７が形成されている点で、第１の実施形態に係る基板処理装置１００と異なる。

【0067】

カバー２５の周囲には、カップ体８０ａが設けられている。カップ体８０ａは、上部の径が概ね窄まるように屈曲された筒状体である。カップ体８０ａの下方には、上面液受け８１ａが設けられている。カップ体８０ａは、その下方が開口していて、下面液受け８３ａの内部と連通している。

【0068】

基板Ｗに対する薬液処理からドライ処理までの一連の処理工程の間、カップ体８０ａは、図示しない駆動機構により上昇して、図４に示す位置（処理位置）に位置づけられる。そして、基板Ｗへのドライ処理が終了した後に、カップ体８０ａは、駆動機構により下降して、待機位置に位置づけられる。

【0069】

ここで、上述した第１の実施形態と同様に、回転する基板Ｗの上面から飛散する処理液Ｌ及び洗浄液は、係合ピン２２に当たり斜め上方に跳ねる。このため、カップ体８０ａの処理位置は、斜め上方に跳ねた処理液Ｌ及び洗浄液を受けることができる位置である。カップ体８０ａが受けた処理液Ｌ及び洗浄液は、カップ体８０ａの内壁を伝って下方に落ち、上面液受け８１ａに流入する。これにより、上面液受け８１ａには、基板Ｗの上面に供給された処理液Ｌ及び洗浄液が溜められる。

【0070】

また、カバー２５には、排液孔２７が形成されている。排液孔２７は、基板Ｗの下面に供給された処理液Ｌ又は洗浄液を回収するための流路である。排液孔２７の一端は、例えば、カバー２５の上面２５ｂの中心から外周端までの間において、中心よりも外周端に近い位置に設けられる。すなわち、上面２５ｂの径方向において、上面２５ｂ中心と排液孔２７とまでの距離よりも、排液孔２７と上面２５ｂの外周端との距離の方が小さい。排液孔２７の他端は、例えば、カバー２５の側面２５ａに設けられ、下面液受け８３ａに接続されている。排液孔２７には、基板Ｗの下面に供給された処理液Ｌ及び洗浄液であって、排液孔２７が設けられた位置よりも内周側で、カバー２５上に落ちた処理液Ｌ及び洗浄液が流れる。そして、排液孔２７の他端を介して処理液Ｌ及び洗浄液が下面液受け８３ａに流入する。これにより、下面液受け８３ａには、基板Ｗの下面に供給された処理液Ｌ及び洗浄液が溜められる。このような基板処理装置１０１においても、下面液受け８３ａに溜められた洗浄液のｐＨを計測することで、基板Ｗの下面のリンス処理が十分であるか否かを判定する点は、上述した第１の実施形態と同様である。

【0071】

以上、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１について説明した。第２の実施形態に係る基板処理装置１０１では、カバー２５の上面２５ｂには、基板Ｗの下面に供給され、基板Ｗの下面からカバー２５の上面に落ちた洗浄液が流れる排液孔２７が形成されている。下面液受け８３ａは、排液孔２７に接続され、下面液受け８３ａには、排液孔２７から排出される洗浄液が溜められる。したがって、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１は、第２のカップ体８２を用いることなく、下面液受けに、基板Ｗの下面に供給された洗浄液のみを溜めさせることができる。これにより、基板処理装置１０１においても、リンス処理が不十分な状態で、次のドライ処理に進むことがなくなる。したがって、上述した第１の実施形態と同様に、第２の実施形態に係る基板処理装置１０１においても基板Ｗの汚染を抑制することができる。

【0072】

（変形例）
様々な変形例について説明する。上述した各実施形態では、基板処理装置１００，１０１が、計測されたｐＨが基準値に合致していない場合（ステップＳ１０５：Ｎｏ）、リンス処理を継続する場合について説明した。しかしながら、基板処理装置１００，１０１が、計測されたｐＨが基準値に合致していない場合（ステップＳ１０５：Ｎｏ）、リンス処理を継続することに加えて、ノズル固定部材３０の凹部３１を洗浄する凹部リンス処理を実行してもよい。そこで、このような変形例について図５及び図６を参照して説明する。

【0073】

図５は、変形例に係るノズル固定部材３０ａの構成の一例を示す図である。図５に示すように、ノズル固定部材３０ａには、下面処理液ノズル５０（図示せず）、下面気体ノズル６０、及び、洗浄液噴射ノズル２８が固定されている。

【0074】

洗浄液噴射ノズル２８は、洗浄液を基板Ｗの下面に向けて噴射する。洗浄液噴射ノズル２８が、ノズル固定部材３０ａに形成された逆円錐の斜面に設けられている。洗浄液噴射ノズル２８は、下面気体ノズル６０から噴射される気体が、洗浄液噴射ノズル２８から噴射される洗浄液の液柱に当たる位置に設けられる。

【0075】

図６は、変形例に係る基板処理装置１００，１０１が実行する処理の流れの一例を示すフローチャートである。図６に示す変形例に係るステップＳ１０１～Ｓ１０７における処理は、図２に示す第１の実施形態に係るステップＳ１０１～Ｓ１０７における処理と同様の処理である。

【0076】

ステップＳ１０９では、基板処理装置１００，１０１は、リンス処理に加えて凹部リンス処理を実行する。凹部リンス処理について説明する。凹部リンス処理は、ノズル固定部材３０ａに形成された凹部３１及び凹部３１周辺を洗浄する処理である。例えば、図５に示すように、制御部２００は、洗浄液を噴射するように洗浄液噴射ノズル２８を制御するとともに、洗浄液噴射ノズル２８から噴射される洗浄液の液柱に対して気体を噴射するように下面気体ノズル６０を制御する。これにより、洗浄液の液柱が気体により砕かれ、洗浄液が飛散される。飛散された洗浄液により、ノズル固定部材３０ａに形成された凹部３１及び凹部３１周辺が洗浄される。この結果、ノズル固定部材３０ａに形成された凹部３１及び凹部３１周辺に付着した処理液Ｌを除去することができる。凹部３１の斜面に処理液Ｌ（薬液）が付着していると、この処理液Ｌが凹部３１の斜面を流れ落ち、下面処理液ノズル５０から吐出される洗浄液に混入することがある。そこで、凹部３１及び凹部３１周辺を洗浄することで、基板Ｗのリンス処理における洗浄効率を向上させることができる。

【0077】

また、上述した各実施形態及び各変形例では、基板処理装置１００，１０１が、処理液としてフッ酸及びオゾン水、洗浄液として純水を用いて、ｐＨ計８６を下面液受け８３に溜められた洗浄液に関する洗浄液情報を検出する検出部として用いる場合について説明した。フッ酸のような強酸性薬液と、純水のような中性の洗浄液とが用いられる場合、ｐＨ計８６による管理方法が適している。しかしながら、処理内容に応じて、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれる処理液Ｌの濃度、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれるパーティクルの濃度、又は、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液の色を各種のセンサ（検出部）を用いて検出してもよい。そして、制御部２００が、処理液Ｌの濃度と第１の基準値とを比較するか、パーティクルの濃度と第２の基準値とを比較するか、又は、洗浄液の色と所定の基準色とを比較し、比較結果に基づいて次に行う処理を決定してもよい。

【0078】

例えば、基板処理装置１００，１０１が、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれる処理液Ｌの濃度を検出する処理液濃度検出センサを備えてもよい。この場合、制御部２００は、処理液濃度検出センサにより検出された処理液Ｌの濃度と、第１の基準値とを比較し、比較結果に基づいて次に行う処理を決定してもよい。

【0079】

例えば、ステップＳ１０５において、制御部２００は、検出された処理液Ｌの濃度が第１の基準値に合致しているか否かを判定する。例えば、リンス処理が十分であるときの、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれる処理液Ｌの濃度の範囲を実験又はシミュレーションにより予め求めておく。そして、実験又はシミュレーションにより予め求められた処理液Ｌの濃度の範囲を、第１の基準値の範囲とする。そして、制御部２００は、検出された処理液Ｌの濃度が一定の範囲を有する第１の基準値の範囲内であるか否かを判定することにより、検出された処理液Ｌの濃度が第１の基準値に合致しているか否かを判定する。

【0080】

制御部２００は、検出された処理液Ｌの濃度が、一定の範囲を有する第１の基準値の範囲内である場合、検出された処理液Ｌの濃度が第１の基準値に合致していると判定する。また、制御部２００は、検出された処理液Ｌの濃度が、一定の範囲を有する第１の基準値の範囲内ではない場合、検出された処理液Ｌの濃度が第１の基準値に合致していないと判定する。制御部２００は、第１の基準値に合致していないと判定したときは、リンス処理を継続する。

【0081】

また、例えば、基板処理装置１００，１０１が、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれるパーティクルの濃度を検出するパーティクル濃度検出センサを備えてもよい。この場合、制御部２００は、パーティクル濃度検出センサにより検出されたパーティクルの濃度と、第２の基準値とを比較し、比較結果に基づいて次に行う処理を決定してもよい。

【0082】

例えば、ステップＳ１０５において、制御部２００は、検出されたパーティクルの濃度が第２の基準値に合致しているか否かを判定する。例えば、リンス処理が十分であるときの、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液に含まれるパーティクルの濃度の範囲を実験又はシミュレーションにより予め求めておく。そして、実験又はシミュレーションにより予め求められたパーティクルの濃度の範囲を、第２の基準値の範囲とする。そして、制御部２００は、検出されたパーティクルの濃度が一定の範囲を有する第２の基準値の範囲内であるか否かを判定することにより、検出されたパーティクルの濃度が第２の基準値に合致しているか否かを判定する。

【0083】

制御部２００は、検出されたパーティクルの濃度が、一定の範囲を有する第２の基準値の範囲内である場合、検出されたパーティクルの濃度が第２の基準値に合致していると判定する。また、制御部２００は、検出されたパーティクルの濃度が、一定の範囲を有する第２の基準値の範囲内ではない場合、検出されたパーティクルの濃度が第２の基準値に合致していないと判定する。制御部２００は、第２の基準値に合致していないと判定したときは、リンス処理を継続する。

【0084】

また、例えば、基板処理装置１００，１０１が、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液の色を検出する検出部を備えてもよい。この場合、制御部２００は、色を検出する検出部により検出された洗浄液の色と、所定の基準色とを比較し、比較結果に基づいて次に行う処理を決定してもよい。色検出センサとしては、例えば、色差計や、分光光度計を用いることができる。

【0085】

例えば、ステップＳ１０５において、制御部２００は、検出された洗浄液の色が基準色の値に合致しているか否かを判定する。例えば、リンス処理が十分であるときの、下面液受け８３，８３ａに溜められた洗浄液の色を示す数値範囲を実験又はシミュレーションにより予め求めておく。そして、実験又はシミュレーションにより予め求められた洗浄液の色の範囲を、所定の基準色の範囲とする。そして、制御部２００は、検出された洗浄液の色が一定の範囲を有する基準色の範囲内であるか否かを判定することにより、検出された洗浄液の色が所定の基準色に合致しているか否かを判定する。

【0086】

制御部２００は、検出された洗浄液の色が、一定の範囲を有する基準色の範囲内である場合、検出された洗浄液の色が所定の基準色に合致していると判定する。また、制御部２００は、検出された洗浄液の色が、一定の範囲を有する所定の基準色の範囲内ではない場合、検出された洗浄液の色が所定の基準色に合致していないと判定する。制御部２００は、基準色の値に合致していないと判定したときは、リンス処理を継続する。

【0087】

また、基板処理装置１００，１０１及びその変形例においては、上述したような検出部を複数備えていてもよい。例えば、ｐＨ計と、パーティクル濃度検出センサと、処理液濃度検出センサと、液の色を検出する検出部と、の中から、２つ以上を備えていてもよい。また、これら以外の洗浄液情報を検出する検出部をさらに備えていてもよい。

【0088】

また、基板処理装置１００，１０１及びその変形例においては、基板Ｗの下面に供給された洗浄液を、基板Ｗの上面に供給された洗浄液とは、分離して回収することを説明したが、これに限らない。分離しなくても、基板Ｗの下面のリンス処理が十分か否かを判定することができる場合には、分離せずに回収して、上述したような洗浄液情報を検出して、判定してもよい。この場合、第２のカップ体８２で、基板Ｗの上面に供給された洗浄液と、基板Ｗの下面に供給された洗浄液とを、受けるようにすればよい。

【0089】

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0090】

１０ 回転保持部
４０ 上面処理液ノズル
５０ 下面処理液ノズル
８０ 第１のカップ体
８１ 上面液受け
８２ 第２のカップ体
８３ 下面液受け
８６ ｐＨ計
２００ 制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】