特開 2024-145527 制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024145527

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラム

(51)【国際特許分類】

   F25B 1/00 20060101AFI20241004BHJP

【ＦＩ】

F25B1/00 304Z

F25B1/00 361J

F25B1/00 361P

F25B1/00 396D

F25B1/00 304D

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023057918

(22)【出願日】2023-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】516299338

【氏名又は名称】三菱重工サーマルシステムズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112737

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田 考晴

(74)【代理人】

【識別番号】100136168

【弁理士】

【氏名又は名称】川上 美紀

(74)【代理人】

【識別番号】100172524

【弁理士】

【氏名又は名称】長田 大輔

(72)【発明者】

【氏名】西村 耕世

(72)【発明者】

【氏名】村上 健一

(72)【発明者】

【氏名】難波 悠輝

(72)【発明者】

【氏名】神谷 和成

(57)【要約】

【課題】冷媒回路の中圧の制御が可能な制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラムを提供する。
【解決手段】並列に設けられた圧縮機１１、１２と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に圧縮機１１、１２によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラ５１、５２と、ガスクーラ５１、５２で冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバ９と、中圧レシーバ９の上流側でかつガスクーラ５１、５２の下流側に並列に設けられた電磁弁ＳＶＧおよび電子膨張弁ＥＥＶＧと、を備える冷媒回路の制御を行う制御装置３０であって、高圧の圧力飽和温度が臨界温度以下である、かつ、蒸発温度設定値が、設定最大蒸発温度に対して吸入密度が５０％以下となる値である、かつ、中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ電子膨張弁ＥＥＶＧが最小開度である、との各条件を全て満たすと判定すると、電磁弁ＳＶＧを開から閉に変更する制御を行う。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバと、該中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、を備える冷媒回路の制御を行う制御装置であって、
前記冷媒回路が、
前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、
かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が、前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、
かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、
との各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う制御装置。

【請求項2】

前記冷媒は、ＣＯ２冷媒である請求項１に記載の制御装置。

【請求項3】

前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行っている場合に、前記冷媒回路の前記ガスクーラに液冷媒が貯留されていることが確認されると、前記電磁弁を閉から開に変更する制御を行う請求項１に記載の制御装置。

【請求項4】

並列に設けられた複数の圧縮機と、
通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、
前記ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバと、
前記中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、
請求項１に記載の制御装置と、
を備えるコンデンシングユニット。

【請求項5】

並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、を備える冷媒回路の制御を行う制御方法であって、
前記冷媒回路が、
前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、
かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が、前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、
かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、
との各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う制御方法。

【請求項6】

請求項５の制御方法をコンピュータに実行させる制御プログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

冷凍装置において、２台の圧縮機で構成された冷凍装置が知られている。特許文献１には、２台の圧縮機で構成されたＣＯ２冷媒を用いる冷凍装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１２８０４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、特許文献１の発明では、広域の循環量処理のために、ガスクーラの下流であって中圧レシーバの上流である位置に設置された膨張弁と並列に設置される電磁弁についての検討がなされていない。また膨張弁と電磁弁が並列に設置されている場合は、膨張弁が可変開度、電磁弁が固定開度となっている。ここで、冷媒回路の冷媒の循環量が低循環量となると、電磁弁の開度が変更されないことから膨張弁の開度を絞らなければならない。その結果、中圧が高くなる事象が発生するが、膨張弁の開度を変更できないため、中圧をコントロールできていなかった。

【0005】

本開示は、このような事情に鑑みてなされたものであって、電磁弁と膨張弁が並列設置された冷媒回路の中圧の制御が可能な制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラムを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本開示の制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラムは以下の手段を採用する。
本開示の制御装置は、並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバと、該中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、を備える冷媒回路の制御を行う制御装置であって、前記冷媒回路が、前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、との各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う。

【0007】

本開示のコンデンシングユニットは、並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、前記ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバと、前記中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、前述の制御装置と、を備える。

【0008】

本開示の制御方法は、並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、を備える冷媒回路の制御を行う制御方法であって、前記冷媒回路が、前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、の各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う。

【0009】

本開示の制御プログラムは、前述の制御方法をコンピュータに実行させる。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、外気温が低く冷媒循環量が少ない場合に、冷媒回路の中圧を抑えて目標中圧に近づけることができ、ＣＯＰを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本開示の幾つかの実施形態における冷媒回路を示す図である。

【図2】本開示の幾つかの実施形態における制御装置のハードウェア構成の一例を示した図である。

【図3】本開示の幾つかの実施形態における制御装置の機能の一例を示した図である。

【図4】本開示の幾つかの実施形態における中圧とＣＯＰの相関を示す図である。

【図5】本開示の幾つかの実施形態における制御装置の制御フローを示した図である。

【図6】本開示の幾つかの実施形態における制御装置の制御フローを示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に、本開示に係る制御装置、コンデンシングユニット、制御方法、及び制御プログラムの一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、本開示の幾つかの実施形態における冷媒回路を示す図である。
図１にコンデンシングユニット１とショーケース２を含む冷凍装置１００を示す。コンデンシングユニット１は、圧縮機１１、１２と、アキュムレータ３と、オイルセパレータ６１、６２と、ガスクーラ５１、５２と、オイルポット７１、７２と、中圧レシーバ９と、過冷却コイル１０と、制御装置３０とを主に備えている。ショーケース２は、膨張弁８１、利用側熱交換器（蒸発器）８０を備えている。本実施形態の冷媒回路は、圧縮機１１、１２、ガスクーラ５１、５２、膨張弁８１、利用側熱交換器８０、それらを接続する配管などを含んで構成される。

【0013】

圧縮機１１、１２は、冷媒を圧縮し、圧縮した高圧冷媒を冷媒回路に供給する。圧縮機１１は、１段目の第一段圧縮部１１ａと、２段目の第二段圧縮部１１ｂと、を有する２段圧縮機である。圧縮機１２は、１段目の第一段圧縮部１２ａと、２段目の第二段圧縮部１２ｂと、を有する２段圧縮機である。コンデンシングユニット１において、圧縮機１１と圧縮機１２は、並列に設けられている。また、後述するように圧縮機１１と圧縮機１２は、オイルポット７１、オイルポット７２、均油管７３を介して冷凍機油が移動可能なように互いに接続されている。本実施形態の冷媒には、例えば、ＣＯ２が用いられる。ＣＯ２冷媒は、高圧と低圧の圧力差が大きく、圧縮機効率の向上のため二段圧縮構造が採用されている。また、性能・効率向上のため、圧縮機１１、１２の第二段圧縮部１１ｂ、１２ｂに中間圧力（中圧）の冷媒を供給するガスインジェクション機構（後述）が採用されている。圧縮機１１の吐出側には、温度センサＴｈｏ－Ｄ１が設けられ、圧縮機１２の吐出側には、温度センサＴｈｏ－Ｄ２が設けられる。

【0014】

圧縮機１１の吐出側の吐出管ＭＰ０１には、ホットガスバイパス管ＢＰ１１が接続される。ホットガスバイパス管ＢＰ１１には、ストレーナ１３１、電磁弁ＳＶＨＧ１、キャピラリチューブ１４１が設けられ、負荷側から戻った冷媒の流路である戻り配管ＭＰ１３に接続される。これらホットガスバイパス管ＢＰ１１、ストレーナ１３１、電磁弁ＳＶＨＧ１、キャピラリチューブ１４１を含む流路をホットガスバイパスと呼ぶ。ホットガスバイパスにおける冷媒の流れは、電磁弁ＳＶＨＧ１の開閉により制御される。つまり、制御装置３０が電磁弁ＳＶＨＧ１を開くと、圧縮機１１の吐出側と吸入側が連通し、冷媒がホットガスバイパスを流れる。同様に圧縮機１２の吐出側の吐出管ＭＰ０２には、ホットガスバイパス管ＢＰ１２が接続される。ホットガスバイパス管ＢＰ１２には、ストレーナ１３２、電磁弁ＳＶＨＧ２、キャピラリチューブ１４２が設けられホットガスバイパスを構成し、戻り配管ＭＰ１３に接続される。圧縮機１２側のホットガスバイパスにおける冷媒の流れも圧縮機１１側と同様に、電磁弁ＳＶＨＧ２の開閉により制御される。電磁弁ＳＶＨＧ１、ＳＶＨＧ２は、例えば、圧縮機１１、１２の起動前にそれらの吸入側と吐出側を均圧にするために開とされ、起動後には閉とされることが多い。従ってコンデンシングユニット１の運転中は、圧縮機１１、１２が吐出した冷媒は、ホットガスバイパスを流れずに吐出管ＭＰ０１、ＭＰ０２を流れる。

【0015】

吐出管ＭＰ０１を流れる冷媒は、オイルセパレータ６１へ供給される。オイルセパレータ６１では、冷媒と冷媒に溶け込んだ冷凍機油とが分離され、冷媒は、逆止弁ＣＶ１を経由してガス管ＭＰ１０へと流れる。また、オイルセパレータ６１の底部とオイルポット７１の側面は、油戻し管ＲＰ１１で連通している。オイルセパレータ６１で分離された冷凍機油は、油戻し管ＲＰ１１を通ってオイルポット７１へ戻される。油戻し管ＲＰ１１にはストレーナ１２１が設けられ、ストレーナ１２１の下流側で油戻し管ＲＰ１１は２つの流路に分かれる。一方の流路の配管には、キャピラリチューブ１５１と電磁弁ＳＶ－ＯＩＬ１が設けられ、他方の流路の配管には、キャピラリチューブ１６１が設けられる。オイルポット７１へ戻される冷凍機油の量は、電磁弁ＳＶ－ＯＩＬ１の開閉により調整される。

【0016】

また、オイルポット７１の上部と圧縮機１１の第一段圧縮部１１ａの吐出側とは配管により連通されている。油戻し管ＲＰ１１から流入する冷凍機油とは別に、圧縮機１１の動作中、冷凍機油は、第一段圧縮部１１ａの吐出側の連通管からもオイルポット７１に流入する。また、オイルポット７１の底部は、配管により圧縮機１１の底部と連通している。オイルポット７１の下方に溜った冷凍機油は、底部の配管を通じて圧縮機１１に戻される。

【0017】

また、オイルポット７１には、レベルスイッチ７１ａが設けられる。レベルスイッチ７１ａは、オイルポット７１内の油面の高さを検出する。レベルスイッチ７１ａは、油面が所定の高さまで低下すると、油面の低下を示す信号を制御装置３０に出力する。

【0018】

圧縮機１２側の構成も同様である。圧縮機１２が吐出した冷媒は、吐出管ＭＰ０２を通ってオイルセパレータ６２へ至り、オイルセパレータ６２で分離された冷媒は、逆止弁ＣＶ２を経由してガス管ＭＰ１０へと流れる。分離された冷凍機油は、油戻し管ＲＰ１２に設けられたストレーナ１２２、キャピラリチューブ１５２、キャピラリチューブ１６２、弁ＳＶ－ＯＩＬ２を通過してオイルポット７２に戻される。油戻し管ＲＰ１２は、ストレーナ１２２の上流側で分岐し、その分岐管にはサービスバルブ９４が設けられる。また、冷凍機油は、圧縮機１２の第二段圧縮部１２ｂの吐出側からオイルポット７２に流入する。オイルポット７２に供給された冷凍機油は、底部の配管を通じて圧縮機１２に戻される。また、オイルポット７２に設けられたレベルスイッチ７２ａは、オイルポット７２における油面の低下を検出すると、油面の低下を制御装置３０に通知する。

【0019】

また、オイルポット７１とオイルポット７２は、均油管７３を介して接続されている。均油管７３は、各オイルポット７１、７２に貯留される油量の偏りをなくすために設けられる。均油管７３の一方の端は、オイルポット７１の側面のレベルスイッチ７１ａが設けられた高さ（油面の低下を検出する高さ）より高く、油戻し管ＲＰ１１の接続位置より低い位置に接続され、他の端は、オイルポット７２の側面のレベルスイッチ７２ａが設けられた高さより高く、油戻し管ＲＰ１２の接続位置より低い位置に接続されている。均油管７３には、レベルスイッチ７１ａ側から順にストレーナ１２３、電磁弁ＥＶ－ＯＩＬ３、ストレーナ１２４が設けられる。均油管７３はレベルスイッチ７１ａとストレーナ１２３の間で分岐し、その分岐管にはサービスバルブ９３が設けられる。

【0020】

圧縮機１１、１２によって吐出された高温高圧の冷媒は、ガス管ＭＰ１０を通って、並列に設けられたガスクーラ５１、５２に供給される。ガスクーラ５１、５２に供給された冷媒は、ファン４１、４２によって送り込まれる空気との熱交換により凝縮される。ＣＯ２冷媒の場合は冷却される。ガスクーラ５１、５２は、異常ではない通常運転時は、臨界圧力以上の高圧に圧縮機１１、１２によって圧縮された冷媒を冷却する。ガス管ＭＰ１０におけるガスクーラ５１、５２の上流側には、温度センサＴｈｏ－Ｇ１、高圧計測用の圧力センサＰＳＨ、サービスバルブ９２が設けられる。

【0021】

ガスクーラ５１、５２で冷却あるいは凝縮された冷媒は、ガスクーラ５１、５２の下流側の気液２相管ＭＰ１１に設けられたストレーナ１１１を通過して、中圧レシーバ９の入口側（上流側）に並列に設けられた固定開度、すなわち開閉弁である電磁弁ＳＶＧ及び可変開度の膨張弁（電子膨張弁）ＥＥＶＧによって、ＣＯ２冷媒の場合は、例えば６Ｍｐａ程度の中圧に降圧されて中圧レシーバ９へ供給される。気液２相管ＭＰ１１におけるガスクーラ５１、５２の下流側には温度センサＴｈｏ－Ｇ２が設けられ、中圧レシーバ９の入口側には温度センサＴｈｏ－Ｍが設けられる。また電磁弁ＳＶＧの下流側には、キャピラリチューブ１７１が設けられる。

【0022】

電磁弁ＳＶＧ及び可変開度の膨張弁ＥＥＶＧは、広範囲に及ぶ冷媒の循環量処理のために並列に設けられる。冷媒回路の運転圧力には、高圧、中圧、低圧の各運転圧力があり、電磁弁ＳＶＧ及び膨張弁ＥＥＶＧは、高圧と中圧の圧力調整を行う。固定開度の電磁弁ＳＶＧは、通常開とされている。

【0023】

また、気液２相管ＭＰ１１における膨張弁ＥＥＶＧの上流側では、冷却後あるいは凝縮後の冷媒を、圧縮機１１、１２へ戻す液バイパス管ＢＰ２１、ＢＰ２２が接続されている。液バイパス管ＢＰ２１には、膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ１が設けられ、制御装置３０は、膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ１の開度を制御することにより、液バイパス管ＢＰ２１へ流入する冷媒量を調整する。同様に液バイパス管ＢＰ２２には、膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ２が設けられ、制御装置３０は、膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ２の開度を制御することにより、液バイパス管ＢＰ２２へ流入する冷媒量を調整する。液バイパス管ＢＰ２１は、後述するインジェクション管ＩＰ１１と接続し、液バイパス管ＢＰ２２はインジェクション管ＩＰ１２と接続する。膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ１は、圧縮機１１の吐出側の温度が所定の温度以上となったときに制御装置３０により開とされる。膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ１が開くことにより、ガスクーラ５１、５２で熱交換を行って圧縮機１１の吐出側よりも低温となった冷媒が、液バイパス管ＢＰ２１およびインジェクション管ＩＰ１１を通して圧縮機１１の中圧部（第二段圧縮部１１ｂの吸入側）へと供給され、圧縮機１１の吐出側における過度な温度上昇を抑制する。膨張弁ＥＥＶ－ＬＢ２、液バイパス管ＢＰ２２についても同様である。

【0024】

中圧レシーバ９は、電磁弁ＳＶＧを通過及び膨張弁ＥＥＶＧで膨張された気液二相状態の冷媒を、気相の冷媒であるガス冷媒と液相の冷媒である液冷媒とに分離する。中圧レシーバ９には、液冷媒の液面が上限に達したかどうかを検出する中圧レシーバレベルスイッチ９ａが設けられている。中圧レシーバ９の上部にはインジェクション管ＩＰ１０が接続され、ガス冷媒を送出する。インジェクション管ＩＰ１０には、サービスバルブ９５が設けられた流路に圧力センサＰＳＭ１が設けられる。またインジェクション管ＩＰ１０には、分岐した流路にストップバルブ９６及びセーフティバルブ９７が設けられる。インジェクション管ＩＰ１０によって送出されたガス冷媒は、２つの流路（インジェクション管ＩＰ１１、ＩＰ１２）に分岐される。インジェクション管ＩＰ１１には、膨張弁ＥＥＶ－ＩＮＪ１が設けられ、制御装置３０は、膨張弁ＥＥＶ－ＩＮＪ１の開度を制御することにより、インジェクション管ＩＰ１１へ流入する冷媒の圧力を制御する。膨張弁ＥＥＶ－ＩＮＪ１の圧縮機１１側には逆止弁ＣＶ３が設けられ、インジェクション管ＩＰ１１へ流入した中圧のガス冷媒は、圧縮機１１の中圧部に供給される。インジェクション管ＩＰ１１から供給された中圧のガス冷媒は、第二段圧縮部１１ｂによって再圧縮される。これにより、冷凍サイクルのＣＯＰ（Coefficient Of Performance）を向上させることができる（ガスインジェクション機構）。インジェクション管ＩＰ１１における圧縮機１１との接続部の手前側には、温度センサＴｈｏ－ＩＮＪ１、圧力センサＰＳＭ２１が設けられる。

【0025】

インジェクション管ＩＰ１２には、膨張弁ＥＥＶ－ＩＮＪ２、逆止弁ＣＶ４が設けられ、制御装置３０は、膨張弁ＥＥＶ－ＩＮＪ２の開度を制御することにより、インジェクション管ＩＰ１２へ流入する冷媒の圧力を制御する。インジェクション管ＩＰ１２へ流入した中圧のガス冷媒は、圧縮機１２の中圧部に供給されて再圧縮される。インジェクション管ＩＰ１２における圧縮機１２との接続部の手前側には、温度センサＴｈｏ－ＩＮＪ２、圧力センサＰＳＭ２２が設けられる。

【0026】

一方、中圧レシーバ９内で分離された液冷媒は、液管ＭＰ１２を流れ、ストレーナ１４を通過して、過冷却コイル１０で冷却される。過冷却コイル１０の上流側では、液管ＭＰ１２に過冷却管ＭＰ１２Ａが接続され、中圧レシーバ９から流出した液冷媒の一部は、過冷却管ＭＰ１２Ａに分岐する。分岐した液冷媒は、過冷却コイル用の膨張弁ＥＥＶＳＣにより減圧されて低温となり、過冷却コイル１０において、液管ＭＰ１２を流れる液冷媒（負荷側へ供給される冷媒）を冷却する。過冷却管ＭＰ１２Ａに分岐した冷媒は、過冷却コイル１０を通過するとアキュムレータ３へと流れる。過冷却管ＭＰ１２Ａには、温度センサＴｈｏ－ＳＣが設けられる。

【0027】

液管ＭＰ１２を流れる冷媒は、過冷却コイル１０で冷却された後、コンデンシングユニット１から流れ出て、接続配管８２を通じて外部の負荷（ショーケース２）に供給される。液管ＭＰ１２には、温度センサＴｈｏ－Ｒが設けられる。ショーケース２は、膨張弁８１、利用側熱交換器８０を備える。コンデンシングユニット１から供給された冷媒は、膨張弁８１で減圧され、利用側熱交換器８０において熱交換を行い、対象物を冷却する。熱交換後の冷媒は、接続配管８３を通じてコンデンシングユニット１へ戻る。コンデンシングユニット１では、負荷側から戻った冷媒は、戻り配管ＭＰ１３を通じてアキュムレータ３へと流れる。戻り配管ＭＰ１３におけるアキュムレータ３の手前側には、温度センサＴｈｏ－Ｓ、低圧計測用の圧力センサＰＳＬ、サービスバルブ９１が設けられている。

【0028】

アキュムレータ３は、圧縮機１１、１２に供給される冷媒の気液分離を行う。アキュムレータ３で分離されたガス冷媒の一部は、吸入管ＭＰ１４を通過して、圧縮機１１に付設されたアキュムレータ２１へ供給される。アキュムレータ２１でさらに気相だけが抽出されたガス冷媒は、圧縮機１１の第一段圧縮部１１ａの吸入側に供給される。同様にアキュムレータ３で分離されたガス冷媒の残りは、吸入管ＭＰ１５を通過して、圧縮機１２に付設されたアキュムレータ２２へ供給され、圧縮機１２の第一段圧縮部１２ａの吸入側に供給される。また、コンデンシングユニット１には、外部の温度を計測する温度センサＴｈｏ－Ａが設けられる。

【0029】

制御装置３０は、圧力センサＰＳＬ、温度センサＴｈｏ－Ｒ等の各センサ、膨張弁ＥＥＶＧなどの各種弁、圧縮機１１、１２等の機器と接続されており、各センサによる計測値を取得し、圧縮機１１、１２の回転数や膨張弁ＥＥＶＧ等の開閉を調整し、コンデンシングユニット１を運転する。

【0030】

図２は、本開示の幾つかの実施形態における制御装置のハードウェア構成の一例を示した図である。
図２に示すように、制御装置（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０は、コンピュータシステム（計算機システム）であり、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：プロセッサ）１１００、二次記憶装置（ＲＯＭ、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｓｔｏｒａｇｅ：メモリ）１２００、主記憶装置（ＲＡＭ、Ｍａｉｎ Ｍｅｍｏｒｙ）１３００、大容量記憶装置としてのハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１４００と、ネットワーク等に接続するための通信部１５００とを備えている。なお、大容量記憶装置としては、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）を用いることとしてもよい。これら各部は、バス１８００を介して接続されている。

【0031】

ＣＰＵ１１００は、例えば、バス１８００を介して接続された二次記憶装置１２００に格納されたＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）により制御装置３０全体の制御を行うとともに、二次記憶装置１２００に格納された各種プログラムを実行することにより各種処理を実行する。ＣＰＵ１１００は、１つ又は複数設けられており、互いに協働して処理を実現してもよい。

【0032】

主記憶装置１３００は、例えば、キャッシュメモリ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の書き込み可能なメモリで構成され、ＣＰＵ１１００の実行プログラムの読み出し、実行プログラムによる処理データの書き込み等を行う作業領域として利用される。

【0033】

二次記憶装置１２００は、非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｒｅａｄａｂｌｅ ｓｔｏｒａｇｅ ｍｅｄｉｕｍ）である。二次記憶装置１２００は、例えば、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、半導体メモリなどである。二次記憶装置１２００の一例として、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）フラッシュメモリなどが挙げられる。二次記憶装置１２００は、例えば、Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）、ｉＯＳ（登録商標）、Ａｎｄｒｏｉｄ（登録商標）等の情報処理装置全体の制御を行うためのＯＳ、ＢＩＯＳ（Ｂａｓｉｃ Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ Ｓｙｓｔｅｍ）、周辺機器類をハードウェア操作するための各種デバイスドライバ、各種アプリケーションソフトウェア、及び各種データやファイル等を格納する。また、二次記憶装置１２００には、各種処理を実現するためのプログラムや、各種処理を実現するために必要とされる各種データが格納されている。二次記憶装置１２００は、複数設けられていてもよく、各二次記憶装置１２００に上述したようなプログラムやデータが分割されて格納されていてもよい。

【0034】

また、制御装置３０は、キーボードやマウス等からなる入力部や、データを表示する液晶表示装置等からなる表示部などを備えていてもよい。また、表示部を含み、ランプ、音、特にアラーム音を出力するスピーカーなどの通知部を備えていてもよい。

【0035】

図３は、本開示の幾つかの実施形態における制御装置の機能の一例を示した図である。
図３に示すように、制御装置３０は、取得部３１と、判定部３２と、弁制御部３３と、を備えている。

【0036】

制御装置３０が備える機能を実現するための一連の処理は、一例として、プログラムの形式で二次記憶装置１２００（図２参照）などに記憶されており、このプログラムをＣＰＵ（プロセッサ）１１００（図２参照）が主記憶装置１３００（図２参照）に読み出して、情報の加工・演算処理を実行することにより、各種機能が実現される。なお、プログラムは、二次記憶装置１２００に予めインストールされている形態や、他の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に記憶された状態で提供される形態、有線又は無線による通信手段を介して配信される形態等が適用されてもよい。非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体の一例として、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、半導体メモリなどが挙げられる。

【0037】

図３に示される取得部３１は、各センサから計測値を取得する。例えば、取得部３１は、高圧計測用の圧力センサＰＳＨから、圧縮機１１、１２の吐出側（下流側）における冷媒圧力の計測値を取得する。圧力センサＰＳＨが計測する圧力は、冷媒回路において、冷媒が高圧になった時の圧力（高圧圧力、高圧）である。

【0038】

取得部３１は、温度センサＴｈｏ－Ｒから、蒸発温度を取得する。
取得部３１は、中圧計測用の圧力センサＰＳＭから、中圧レシーバ９の吐出側（下流側）における冷媒圧力の計測値を取得する。圧力センサＰＳＭが計測する圧力は、冷媒回路において、冷媒が中圧になった時の圧力（中圧圧力、中圧）である。
取得部３１は、膨張弁ＥＥＶＧの開度、および、電磁弁ＳＶＧの開閉状態を取得する。
取得部３１は、圧力センサＰＳＭ２１及びＰＳＭ２２から、圧縮機１１及び１２の吸入冷媒圧力（吸入圧力）の計測値を取得し、温度センサＴｈｏ－ＩＮＪ１及びＴｈｏ－ＩＮＪ２から、圧縮機１１及び１２の吸入冷媒温度（吸入温度）の計測値を取得する。

【0039】

判定部３２は、取得部３１が取得した各種計測値に基づき、判定を行う。
具体的には、判定部３２は、冷媒回路において、次の３つの条件が全て満たされるか否かの判定を行う。
（条件１）冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が、冷媒の臨界温度以下である。
（条件２）冷媒回路の蒸発温度設定値が、冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である。
（条件３）冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ電子膨張弁が最小開度である。

【0040】

（条件１）冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が、冷媒の臨界温度以下である。
制御装置３０は、圧力センサＰＳＨから取得した高圧から、冷媒回路の圧力飽和温度を算出する。冷媒が例えばＣＯ２冷媒である場合、ＣＯ２冷媒の臨界温度は約３１℃である。高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下であるとは、ガスクーラ５１及び５２において冷媒が液化している状態であるといえる。すなわち、外気温が通常時よりも低い（たとえば１８℃未満）状態であるといえる。判定部３２は、冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が、冷媒の臨界温度以下であるか否かを判定する。

【0041】

（条件２）冷媒回路の蒸発温度設定値が、冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である。
冷媒回路の蒸発温度の温度範囲は、例えば、－４５℃～＋５℃に定められている。この温度範囲を規定蒸発温度とする。規定蒸発温度のうち、最大値を設定最大蒸発温度（上記の例の場合、＋５℃）とする。規定蒸発温度の範囲内で、コンデンシングユニット１を含む冷凍装置１００の用途や気温等に応じて、ユーザーにより任意の蒸発温度を設定可能である。この設定された蒸発温度を蒸発温度設定値とする。

【0042】

制御装置３０は、設定最大蒸発温度における圧縮機１１及び１２の吸入密度を求めておく。制御装置３０は、蒸発温度設定値における圧縮機１１及び１２の吸入密度を求め、判定部３２は、蒸発温度設定値における吸入密度が、設定最大蒸発温度における吸入密度の５０％以下となるか否かを判定する。

【0043】

圧縮機１１及び１２の吸入密度は、冷媒の循環量の基準となる値であり、冷媒回路における目標蒸発温度と比例関係にある。また設定最大蒸発温度において、冷媒の循環量は最大となり、圧縮機１１及び１２は最大回転数となる。すなわち、冷媒の循環量が最大となる場合（設定最大蒸発温度）に対して吸入密度が５０％以下となるとは、冷媒回路における目標蒸発温度が規定蒸発温度の最大値よりも低く、また循環量が最大の循環量よりも十分低い低循環量であるといえる。例えば、膨張弁ＥＥＶＧと電磁弁ＳＶＧの弁流量係数が同値であるとするならば、設定最大蒸発温度の場合は、膨張弁ＥＥＶＧ及び電磁弁ＳＶＧが開（全開）となる。電磁弁ＳＶＧのみ開となるのは、すなわち吸入密度が５０％以下となるときである。

【0044】

（条件３）冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ電子膨張弁が最小開度である。
圧縮機１１及び１２が２台運転の場合、圧縮機１１及び１２は、同じ回転数で運転する。また電磁弁ＳＶＧは、外気温や冷媒の循環量に依存せず、固定開度で開とされている。よって、外気温や冷媒の循環量に応じて膨張弁ＥＥＶＧの開度を調整する。

【0045】

上述の（条件１）及び（条件２）を満たす場合、外気温が通常時よりも低い低外気であり、また冷媒の循環量が最大の循環量よりも低い低循環量であるといえる。このとき、圧縮機１１及び１２がともに低い回転数となる。２台の圧縮機１１及び１２の回転数の合計が、例えば圧縮機１１または１２の１台の最大回転数に近い値である場合、固定開度の電磁弁ＳＶＧの開度は変更されず、ガスクーラ５１及び５２から中圧レシーバ９への液冷媒の排出が優先され、膨張弁ＥＥＶＧの開度が絞り方向に調整され、最低開度となる。

【0046】

膨張弁ＥＥＶＧの開度が最低開度となると、冷媒回路の中圧が高くなる。中圧が高くなると、ＣＯＰが低下する。

【0047】

図４は、本開示の幾つかの実施形態における中圧とＣＯＰの相関を示す図である。図４において縦軸は冷媒回路のＣＯＰ、横軸は冷媒回路の中圧を示す。図４は、外気温が５℃の場合の中圧とＣＯＰの相関を示すが、例えば外気温が１５℃の場合も、同様の傾向を示す。

【0048】

図４に示されるように、中圧とＣＯＰの相関は右肩下がりを示し、中圧が高い場合はＣＯＰが低下する。一方、中圧が低い場合はＣＯＰは向上し、中圧の低い領域に最適ＣＯＰが特定される。

【0049】

このように、膨張弁ＥＥＶＧが最低開度であり、中圧が高い値である、すなわち中圧測定値が目標中圧を上回ると、最適なＣＯＰを発揮することができない。

【0050】

判定部３２は、圧力センサＰＳＭ１が計測した中圧測定値が、目標中圧を上回るか否か、かつ、膨張弁ＥＥＶＧが最小開度であるか否かを判定する。
冷媒回路において上述の３つの条件が全て満たされると判定部３２が判定することは、外気温が通常時よりも低い低外気であり、また冷媒の循環量が最大の循環量よりも低い低循環量である場合に、膨張弁ＥＥＶＧが最低開度でありかつ中圧が高い値となっており、最適なＣＯＰを発揮することができていない状態である。

【0051】

図３に示される弁制御部３３は、判定部３２の判定結果に基づき、弁の制御を行う。本開示では、弁制御部３３は、電磁弁ＳＶＧの開閉を制御する。判定部３２により、全ての条件を満たすと判定されると、弁制御部３３は、電磁弁ＳＶＧを開から閉に変更する。外気温が低外気であり冷媒が低循環量である場合に電磁弁ＳＶＧが閉となることにより、中圧を膨張弁ＥＥＶＧでのみ調整することとなる。膨張弁ＥＥＶＧは、中圧測定値が目標中圧に近づくように弁制御部３３によって開度が調整される。

【0052】

図５は、本開示の幾つかの実施形態における制御装置の制御フローを示した図である。
ステップＳ１０１において、制御装置３０の取得部３１は、各センサから計測値を取得する。

【0053】

ステップＳ１０２において、判定部３２は、冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が、冷媒の臨界温度以下であるか否かを判定する。高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下であると判定される場合（Ｓ１０２でＹ）は、ステップＳ１０３へ遷移する。一方、高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度を上回ると判定される場合（Ｓ１０２でＮ）は、ステップＳ１０１へ戻る。

【0054】

ステップＳ１０３において、判定部３２は、冷媒回路の蒸発温度設定値が、冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して圧縮機１１または１２の吸入密度が５０％以下となる値であるか否かを判定する。冷媒回路の蒸発温度設定値が、冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して圧縮機１１または１２の吸入密度が５０％以下となる値であると判定される場合（Ｓ１０３でＹ）は、ステップＳ１０４へ遷移する。一方、冷媒回路の蒸発温度設定値が、冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して圧縮機１１または１２の吸入密度が５０％を上回る値であると判定される場合（Ｓ１０３でＮ）は、ステップＳ１０１へ戻る。

【0055】

ステップＳ１０４において、判定部３２は、冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ電子膨張弁が最小開度であるか否かを判定する。冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ電子膨張弁が最小開度であると判定される場合（Ｓ１０４でＹ）は、ステップＳ１０５へ遷移する。一方、冷媒回路の中圧測定値が目標中圧以下である、および／または電子膨張弁が最小開度でないと判定される場合（Ｓ１０４でＮ）は、ステップＳ１０１へ戻る。

【0056】

ステップＳ１０５において、弁制御部３３は、電磁弁ＳＶＧを開から閉に変更する。弁制御部３３は、判定部３２がステップＳ１０２、Ｓ１０３及びＳ１０４の全ての条件を満たすと判定した場合に、電磁弁ＳＶＧを開から閉に変更する制御を行う。外気温が低外気であり冷媒が低循環量である場合に電磁弁ＳＶＧが開から閉となることにより、中圧を可変開度である膨張弁ＥＥＶＧのみで調整することができる。膨張弁ＥＥＶＧは、中圧測定値が目標中圧に近づくように弁制御部３３によって開度が調整される。これにより、中圧を低く抑えることができ、冷媒回路のＣＯＰを向上させることができる。

【0057】

図６は、本開示の幾つかの実施形態における制御装置の制御フローを示した図である。
図６のＡ及びＢは、図５のＡ及びＢに対応している。図５のステップＳ１０５において電磁弁ＳＶＧが閉とされた後に、さらに電磁弁ＳＶＧの制御を行うとしてもよい。この場合、図６のステップＳ１０６及びＳ１０７のフローが実行される。

【0058】

図５のステップＳ１０５において電磁弁ＳＶＧが閉とされると、ガスクーラ５１および／または５２から中圧レシーバ９への液冷媒の排出性が低下するため、ガスクーラ５１および／または５２に液冷媒が多く滞留する傾向となる。これにより、中圧レシーバ９の液冷媒の貯留量が低下する。ガスクーラ５１および／または５２に液冷媒が多く貯留していることは、例えば膨張弁ＥＥＶＳＣが全開になっていることで検知することができる。過冷却コイル１０において過冷却がついていない場合、過冷却コイル１０にはガス状態で冷媒が流れているといえ、このとき膨張弁ＥＥＶＳＣは全開となっている。これは、電磁弁ＳＶＧおよび膨張弁ＥＥＶＧが絞り過ぎており中圧レシーバ９の液冷媒の貯留量が低下しているためであるといえる。すなわち、ガスクーラ５１および／または５２に液冷媒が貯留され、冷媒の循環量が低下している状態である。そこで、閉とされた電磁弁ＳＶＧを開とすることで、ガスクーラ５１および／または５２の液冷媒を中圧レシーバ９へ供給することができる。ガスクーラ５１および／または５２に液冷媒が多く貯留していることは、中圧レシーバ９の液冷媒の貯留量が低下していることであるといえるため、中圧レシーバ９の所定の位置に液冷媒の液面が下限に達したかどうかを検出する中圧レシーバレベルスイッチ（図示せず）が設けられ、液面が下限に達したことを検出することで検知するとしてもよい。

【0059】

図５のステップＳ１０５の制御実施後、図６のＡへ遷移し、ステップＳ１０６へ遷移する。ステップＳ１０６において、判定部３２は、ガスクーラ５１および／または５２に液冷媒の貯留があるか否かを判定する。ガスクーラ５１または５２に液冷媒の貯留があると判定される場合（Ｓ１０６でＹ）は、ステップＳ１０７へ遷移する。一方、ガスクーラ５１及び５２のいずれのも液冷媒の貯留がないと判定される場合は、ステップＳ１０６に戻る。

【0060】

ステップＳ１０７において、弁制御部３３は、電磁弁ＳＶＧを閉から開に変更し、図５のＢへ遷移する。電磁弁ＳＶＧを開とすることで、冷媒の循環量が増え、ガスクーラ５１および／または５２に貯留された液冷媒がガスクーラ５１および／または５２から中圧レシーバ９へ排出される。

【0061】

本実施形態によれば、冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下、すなわち外気温が低温であり、かつ、冷媒回路の蒸発温度設定値が冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値、すなわち冷媒回路の目標蒸発温度（蒸発温度設定値）が低く冷媒循環量が少ない場合に、電磁弁ＳＶＧを閉とすることで、電子膨張弁ＥＥＶＧが最低開度となるのを防いで電子膨張弁ＥＥＶＧにより冷媒回路の中圧の制御を行うことができる。よって、冷媒回路の中圧を抑えて目標中圧に近づけることができ、ＣＯＰを向上させることができる。

【0062】

また、ガスクーラ５１および／または５２に液溜まりが発生するとは、中圧レシーバ９の液冷媒が少なくなり、過冷却コイル１０の膨張弁ＥＥＶＳＣが全開となって冷媒がガスの状態で流れている、すなわち中圧レシーバ９の上流側に並列に設けられた電磁弁ＳＶＧおよび電子膨張弁ＥＥＶＧを絞りすぎて冷媒の循環量が低下している状態であるといえる。本実施形態によれば、電磁弁ＳＶＧを閉から開に変更することで、適切に冷媒を循環させ冷媒回路の運転を持続することができる。

【0063】

〈付記〉
以上説明した実施形態に記載の（発明の名称）は、例えば以下のように把握される。

【0064】

本開示の第１態様の制御装置（３０）は、並列に設けられた複数の圧縮機（１１、１２）と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラ（５１、５２）と、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバ（９）と、該中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁（ＳＶＧ）および可変開度の電子膨張弁（ＥＥＶＧ）と、を備える冷媒回路の制御を行う制御装置であって、前記冷媒回路が、前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が、前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、との各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う。

【0065】

冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下、すなわち外気温が低温であり、かつ、冷媒回路の蒸発温度設定値が前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値、すなわち冷媒回路の目標蒸発温度（蒸発温度設定値）が低く冷媒循環量が少ない場合に、電磁弁を閉とすることで、電子膨張弁が最低開度となるのを防いで電子膨張弁により冷媒回路の中圧の制御を行うことができる。よって、冷媒回路の中圧を抑えて目標中圧に近づけることができ、ＣＯＰを向上させることができる。

【0066】

本開示の第２態様の制御装置は、前記第１態様において、前記冷媒は、ＣＯ２冷媒であるとしてもよい。

【0067】

制御装置は、ＣＯ２冷媒の特性に応じた制御を行うことができる。

【0068】

本開示の第３態様の制御装置は、前記第１態様または前記第２態様において、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行っている場合に、前記冷媒回路の前記ガスクーラに液冷媒が貯留されていることが確認されると、前記電磁弁を閉から開に変更する制御を行うとしてもよい。

【0069】

ガスクーラに液溜まりが発生するとは、中圧レシーバの液冷媒が少なくなり、過冷却部の弁が全開となって冷媒がガスの状態で流れている、すなわち中圧レシーバの上流側に並列に設けられた電磁弁および電子膨張弁を絞りすぎて冷媒の循環量が低下している状態であるといえる。そこで、電磁弁を閉から開に変更することで、適切に冷媒を循環させ冷媒回路の運転を持続することができる。

【0070】

本開示の第４態様のコンデンシングユニット（１）は、並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、前記ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバと、前記中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、前記第１態様から前記第３態様のいずれかの制御装置と、を備える。

【0071】

本開示の第５態様の制御方法は、並列に設けられた複数の圧縮機と、通常運転時は臨界圧力以上の高圧に前記圧縮機によって圧縮された冷媒を冷却するガスクーラと、該ガスクーラで冷却された中圧の液冷媒を貯留する中圧レシーバの上流側でかつ前記ガスクーラの下流側に並列に設けられた固定開度の電磁弁および可変開度の電子膨張弁と、を備える冷媒回路の制御を行う制御方法であって、前記冷媒回路が、前記冷媒回路の高圧の圧力飽和温度が冷媒の臨界温度以下である、かつ、前記冷媒回路の蒸発温度設定値が、前記冷媒回路の設定最大蒸発温度に対して前記圧縮機の吸入密度が５０％以下となる値である、かつ、前記冷媒回路の中圧測定値が目標中圧を上回り、かつ前記電子膨張弁が最小開度である、との各条件を全て満たすと判定すると、前記電磁弁を開から閉に変更する制御を行う。

【0072】

本開示の第６態様の制御プログラムは、前記第５態様の制御方法をコンピュータに実行させる。

【符号の説明】

【0073】

１００ ：冷凍装置
１ ：コンデンシングユニット
２ ：ショーケース
３ ：アキュムレータ
９ ：中圧レシーバ
９ａ ：中圧レシーバレベルスイッチ
１０ ：過冷却コイル
１１、１２ ：圧縮機
１１ａ、１２ａ ：第一段圧縮部
１１ｂ、１２ｂ ：第二段圧縮部
２１、２２ ：アキュムレータ
３０ ：制御装置
３１ ：取得部
３２ ：判定部
３３ ：弁制御部
４１、４２：ファン
５１、５２：ガスクーラ
６１、６２：オイルセパレータ
７１、７２：オイルポット
７１ａ、７２ａ ：レベルスイッチ
７３ ：均油管
８０ ：利用側熱交換器
８１ ：膨張弁
８２、８３：接続配管
９１、９２、９３、９４、９５ ：サービスバルブ
９６ ：ストップバルブ
９７ ：セーフティバルブ
ＭＰ０１、ＭＰ０２ ：吐出管
ＭＰ１０ ：ガス管
ＭＰ１１ ：気液２相管
ＭＰ１２ ：液管
ＭＰ１２Ａ：過冷却管
ＭＰ１３ ：戻り配管
ＭＰ１４、ＭＰ１５ ：吸入管
Ｔｈｏ－Ｄ１、Ｔｈｏ－Ｄ２、Ｔｈｏ－ＳＣ、Ｔｈｏ－Ｓ、Ｔｈｏ－Ｇ１、Ｔｈｏ－Ｒ、
Ｔｈｏ－Ｇ２、Ｔｈｏ－Ｍ、Ｔｈｏ－ＩＮＪ１、Ｔｈｏ－ＩＮＪ２、Ｔｈｏ－Ａ：温度センサ
ＰＳＬ、ＰＳＨ、ＰＳＭ１、ＰＳＭ２１、ＰＳＭ２２ ：圧力センサ
ＣＶ１、ＣＶ２、ＣＶ３、ＣＶ４ ：逆止弁
ＢＰ１１、ＢＰ１２ ：ホットガスバイパス管
ＳＶＨＧ１、ＳＶＨＧ２ ：電磁弁
１４、１１１、１２１、１２２、１２３、１２４、１３１、１３２ ：ストレーナ
１４１、１４２、１５１、１５２、１６１、１６２、１７１ ：キャピラリチューブ
ＲＰ１１、ＲＰ１２ ：油戻し管
ＢＰ２１、ＢＰ２２ ：液バイパス管
ＩＰ１０、ＩＰ１１、ＩＰ１２ ：インジェクション管
ＳＶ－ＯＩＬ１、ＳＶ－ＯＩＬ２、ＥＶ－ＯＩＬ３、ＳＶＧ ：電磁弁
ＥＥＶ－ＬＢ１、ＥＥＶ－ＬＢ２、ＥＥＶ－ＩＮＪ１、
ＥＥＶ－ＩＮＪ２、ＥＥＶＳＣ ：膨張弁
ＥＥＶＧ ：膨張弁（電子膨張弁）
１１００ ：ＣＰＵ
１２００ ：二次記憶装置
１３００ ：主記憶装置
１５００ ：通信部
１８００ ：バス

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】