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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024145668
(43)【公開日】2024-10-15
(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品内蔵基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241004BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20241004BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20241004BHJP
H01F 27/32 20060101ALI20241004BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20241004BHJP
H01G 2/06 20060101ALI20241004BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20241004BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01F17/00 F
H01F27/29 F
H01F27/29 123
H01F27/32 101
H01F41/04 B
H01G4/30 201F
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G2/06 501
H05K3/46 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023058119
(22)【出願日】2023-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126572
【弁理士】
【氏名又は名称】村越 智史
(72)【発明者】
【氏名】新井 隆幸
(72)【発明者】
【氏名】柏 智男
【テーマコード（参考）】
5E001
5E062
5E070
5E082
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E001AF06
5E062FF01
5E062FG01
5E070AA01
5E070AB02
5E070EA01
5E070EB04
5E082AA01
5E082GG10
5E082GG11
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC09
5E316DD22
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG22
5E316GG23
5E316HH31
5E316JJ12
5E316JJ13
(57)【要約】 （修正有）
【課題】レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制する電子部品及び電子部品内蔵基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品は、基体と、基体の内部に設けられる内部素子２５と、基体に設けられている第１外部電極２１と、基体に第１外部電極から離間するように設けられている第２外部電極２２と、を備える。第１外部電極及び第２外部電極は、内部素子と電気的に接続される。第１外部電極は、第１外側金属層２１ａと、第１内側金属層２１ｂと、を有する。第１内側金属層は、第１外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第２外部電極は、第２外側金属層２２ａと、第２内側金属層２２ｂと、を有する。第２内側金属層は、第２外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第１内側金属層及び第２金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。
【選択図】図２
【解決手段】電子部品は、基体と、基体の内部に設けられる内部素子２５と、基体に設けられている第１外部電極２１と、基体に第１外部電極から離間するように設けられている第２外部電極２２と、を備える。第１外部電極及び第２外部電極は、内部素子と電気的に接続される。第１外部電極は、第１外側金属層２１ａと、第１内側金属層２１ｂと、を有する。第１内側金属層は、第１外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第２外部電極は、第２外側金属層２２ａと、第２内側金属層２２ｂと、を有する。第２内側金属層は、第２外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第１内側金属層及び第２金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基体と、
前記基体の内部に設けられる第１内部素子と、
前記基体に設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第１外部電極と、
前記基体に前記第１外部電極から離間するように設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第２外部電極と、
を備え、
前記第１外部電極は、
第１外側金属層と、
前記第１外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第１内側金属層と、
を有し、
前記第２外部電極は、
第２外側金属層と、
前記第２外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第２内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
電子部品。
前記基体の内部に設けられる第１内部素子と、
前記基体に設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第１外部電極と、
前記基体に前記第１外部電極から離間するように設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第２外部電極と、
を備え、
前記第１外部電極は、
第１外側金属層と、
前記第１外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第１内側金属層と、
を有し、
前記第２外部電極は、
第２外側金属層と、
前記第２外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第２内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
電子部品。
【請求項2】
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層と直接接しており、
前記第２内側金属層は、前記第２外側金属層と直接接している、
請求項１に記載の電子部品。
前記第２内側金属層は、前記第２外側金属層と直接接している、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第１内側金属層の厚さは、前記第１外側金属層の厚さの０．２倍以上３．０倍以下である、
請求項１又は２に記載の電子部品。
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記第１外側金属層はＣｕを主成分とし、
前記第１内側金属層はＡｇを主成分とする、
請求項１又は２に記載の電子部品。
前記第１内側金属層はＡｇを主成分とする、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項5】
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１内側金属層及び前記第２内側金属層はいずれも、前記第１面と接する、
請求項１又は２に記載の電子部品。
前記第１内側金属層及び前記第２内側金属層はいずれも、前記第１面と接する、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項6】
前記基体の内部に前記第１内部素子から離間して設けられる第２内部素子と、
前記基体に、前記第１外部電極及び前記第２外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第３外部電極と、
前記基体に、前記第１外部電極、前記第２外部電極、及び前記第３外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第４外部電極と、
をさらに備え、
前記第３外部電極は、
第３外側金属層と、
前記第３外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第３内側金属層と、
を有し、
前記第４外部電極は、
第４外側金属層と、
前記第４外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第４内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第３内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第４内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
前記基体に、前記第１外部電極及び前記第２外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第３外部電極と、
前記基体に、前記第１外部電極、前記第２外部電極、及び前記第３外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第４外部電極と、
をさらに備え、
前記第３外部電極は、
第３外側金属層と、
前記第３外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第３内側金属層と、
を有し、
前記第４外部電極は、
第４外側金属層と、
前記第４外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第４内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第３内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第４内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項7】
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極、及び前記第４外部電極はいずれも、前記第１面のみにおいて前記基体と接する、
請求項６に記載の電子部品。
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極、及び前記第４外部電極はいずれも、前記第１面のみにおいて前記基体と接する、
請求項６に記載の電子部品。
【請求項8】
絶縁層に形成されたキャビティに、請求項１に記載の電子部品を載置する工程と、
前記電子部品を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記第１外部電極に前記第１外側金属層を貫通する第１ビアホールを形成し、前記第２外部電極に前記第２外側金属層を貫通する第２ビアホールを形成するように、前記第１外部電極及び前記第２外部電極に向かってレーザを照射する工程と、
を備える、
電子部品内蔵基板の製造方法。
前記電子部品を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記第１外部電極に前記第１外側金属層を貫通する第１ビアホールを形成し、前記第２外部電極に前記第２外側金属層を貫通する第２ビアホールを形成するように、前記第１外部電極及び前記第２外部電極に向かってレーザを照射する工程と、
を備える、
電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項9】
前記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し、前記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成する工程をさらに備える、
請求項８に記載の製造方法。
請求項８に記載の製造方法。
【請求項10】
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、めっき処理により形成される、
請求項９に記載の製造方法。
請求項９に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書の開示は、主に、電子部品、及び、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
コンデンサ、インダクタ、抵抗などの電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板が知られている。電子部品内蔵基板においては、絶縁層に配線パターンが形成されており、この絶縁層に埋め込まれた電子部品の外部電極がビア導体を介して配線パターンと接続される。従来の電子部品内蔵基板は、特開２０１２－０１９２４７号公報（特許文献１）に記載されている。
【0003】
電子部品内蔵基板の製造工程においては、電子部品が埋め込まれている絶縁層にレーザを照射することにより外部電極を露出させるビアホールを形成し、このビアホールにめっき処理を施すことでビア導体が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－０１９２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
電子部品には複数の外部電極が設けられているため、電子部品内蔵基板の製造時に、絶縁層には複数のビアホールを形成する必要がある。従来の電子部品内蔵基板においては、各外部電極に向かって照射されるレーザの出力の違いや、外部電極間での表面粗さの違い、及び外部電極の密度の違い等の様々な要因に起因して、各ビアホールを深さが均一になるように形成することが難しいという問題がある。ビアホールの深さが不均一だと、深いビアホールにおいてめっき成長が不十分となり、ビア導体と外部電極との間の接続やビア導体と配線パターンとの間の接続が不良になる可能性がある。
【0006】
本明細書において開示される発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決または緩和することである。本明細書に開示される発明のより具体的な目的の一つは、レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制することである。本明細書において開示される様々な発明は、「本発明」と総称されることがある。
【0007】
本発明の前記以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。本明細書に、実施形態の作用効果が記載されている場合には、その作用効果から当該実施形態に対応する発明の課題を把握することができる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様における電子部品は、基体と、基体の内部に設けられる第１内部素子と、基体に設けられている第１外部電極と、基体に前記第１外部電極から離間するように設けられている第２外部電極と、を備える。第１外部電極及び第２外部電極は、第１内部素子と電気的に接続される。第１外部電極は、第１外側金属層と、第１内側金属層と、を有する。第１内側金属層は、第１外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。第２外部電極は、第２外側金属層と、第２内側金属層と、を有する。第２内側金属層は、第２外側金属層と第１内部素子との間に設けられている。一態様において、第１内側金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。一態様において、第２内側金属層は、第１外側金属層及び第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い。
【発明の効果】
【0009】
本明細書に開示されている発明の一態様によれば、レーザ照射により形成されるビアホールの深さの不均一さを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】一実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。
【図3a】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図3b】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図3c】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図3d】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図3e】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図3f】一実施形態に従って電子部品内蔵基板を製造する工程の一部を模式的に示す図である。
【図4a】レーザにより穿孔された電子部品の第１外部電極を示す断面図である。
【図4b】レーザにより穿孔された電子部品の第２外部電極を示す断面図である。
【図5】レーザ加工開始からの深さｄ１と深さｄ２の関係を示すグラフである。
【図6】別の実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一又は類似の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。以下で説明される実施形態は、必ずしも特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。以下の実施形態で説明されている諸要素が発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0012】
１ 第１実施形態
１－１ 電子部品１の基本構造
本明細書に開示される様々な実施形態は、電子部品内蔵基板に内蔵される電子部品に関する。図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る電子部品１について説明する。図１は、電子部品１を模式的に示す斜視図であり、図２は、ＬＴ面に沿って切断された電子部品１の断面の一部を拡大して示す模式的な断面図である。図１及び図２には、基板に内蔵される前の電子部品１が示されている。電子部品１の基板への内蔵については追って説明する。
１－１ 電子部品１の基本構造
本明細書に開示される様々な実施形態は、電子部品内蔵基板に内蔵される電子部品に関する。図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る電子部品１について説明する。図１は、電子部品１を模式的に示す斜視図であり、図２は、ＬＴ面に沿って切断された電子部品１の断面の一部を拡大して示す模式的な断面図である。図１及び図２には、基板に内蔵される前の電子部品１が示されている。電子部品１の基板への内蔵については追って説明する。
【0013】
電子部品１は、電子部品内蔵基板に内蔵され得る任意の電子部品である。電子部品１は、インダクタ、コンデンサ、抵抗等の受動素子であってもよいし、半導体ＩＣ等の能動素子であってもよい。
【0014】
図示されているように、電子部品１は、絶縁体１０と、絶縁体１０の内部に設けられた内部素子２５と、絶縁体１０の表面に設けられた第１外部電極２１と、絶縁体１０の表面において第１外部電極２１から離間した位置に設けられた第２外部電極２２と、を備える。第１外部電極２１は、内部素子２５の一端と電気的に接続されており、第２外部電極２２は、内部素子２５の他端と電気的に接続されている。
【0015】
電子部品１の種類に応じて、内部素子２５は、様々な形状を取り得る。電子部品１がインダクタの場合、内部素子２５は、インダクタンスを生じさせるコイル導体である。コイル導体は、例えば、コイル軸の周りに所定ターンだけ巻回される。コイル導体の一端及び他端は、第１外部電極２１及び第２外部電極にそれぞれ接続される。電子部品１がインダクタの場合に、絶縁体１０は、フェライト等の磁性材料から構成される磁性体である。絶縁体は、複数の軟磁性金属粒子を結合して構成された圧粉磁性体であってもよい。
【0016】
電子部品１がコンデンサの場合、絶縁体１０は、ＢａＴｉＯ3等のセラミック材料の焼結体から構成される誘電体である。電子部品１がコンデンサの場合、内部素子２５は、誘電体を構成する誘電体層を挟んで配置される第１内部電極層と第２内部電極層とを含む。第１内部電極層は、第１外部電極２１と電気的に接続され、第２内部電極層は、第２外部電極２２と電気的に接続される。第１外部電極２１と第２外部電極との間に電圧が印加されると、第１内部電極層と第２内部電極層との間に静電容量が発生する。
【0017】
一態様において、絶縁体１０は、直方体形状を有するように構成されてもよい。本明細書において「直方体」又は「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。絶縁体１０は、上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆを有する。絶縁体１０は、これらの６つの面によってその外表面が画定されている。上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆの各々は、２つ以上の面から構成されていてよい。また、上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆの各々は、平面でもよく、曲面でもよい。
【0018】
１－２ 外部電極
一態様において、第１外部電極２１及び第２外部電極２２は、絶縁体１０の上面１０ａに設けられる。第１外部電極２１及び第２外部電極２２はいずれも、絶縁体１０の外表面のうち、上面１０ａのみと接していてもよい。
一態様において、第１外部電極２１及び第２外部電極２２は、絶縁体１０の上面１０ａに設けられる。第１外部電極２１及び第２外部電極２２はいずれも、絶縁体１０の外表面のうち、上面１０ａのみと接していてもよい。
【0019】
第１外部電極２１は、第１外側金属層２１ａと、第１内側金属層２１ｂと、を有する。第１内側金属層２１ｂは、第１外側金属層２１ａと内部素子２５の一端との間に設けられる。一態様において、第１外側金属層２１ａは、第１内側金属層２１ｂと直接接している。図示の実施形態において、内部素子２５の一端は、絶縁体１０の上面１０ａから露出している。一態様において、第１内側金属層２１ｂは、上面１０ａから露出している内部素子２５の一端と直接接続される。第１内側金属層２１ｂの少なくとも一部は、絶縁体１０に埋め込まれていてもよい。
【0020】
第２外部電極２２は、第２外側金属層２２ａと、第２内側金属層２２ｂと、を有する。第２内側金属層２２ｂは、第２外側金属層２２ａと内部素子２５の他端との間に設けられる。一態様において、第２外側金属層２２ａは、第２内側金属層２２ｂと直接接している。図示の実施形態において、内部素子２５の他端は、絶縁体１０の上面１０ａから露出している。一態様において、第２内側金属層２２ｂは、上面１０ａから露出している内部素子２５の他端と直接接続される。第２内側金属層２２ｂの少なくとも一部は、絶縁体１０に埋め込まれていてもよい。
【0021】
一態様において、第１内側金属層２１ｂのレーザ吸収率は、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａのいずれのレーザ吸収率よりも低い。一態様において、第２内側金属層２２ｂのレーザ吸収率は、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａのいずれのレーザ吸収率よりも低い。
【0022】
金属層の主成分として、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇが挙げられる。一態様において、第１内側金属層２１ｂの主成分は、第１外側金属層２１ａの主成分及び第２外側金属層２２ａの主成分よりもレーザ吸収率が低い金属である。一態様において、第２内側金属層２２ｂの主成分は、第１外側金属層２１ａの主成分及び第２外側金属層２２ａの主成分よりもレーザ吸収率が低い金属である。例えば、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａの主成分は、金属加工に用いられるレーザ波長の波長に応じて選択される。レーザ波長は、例えば、０．５～１５μｍの範囲にある。第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａがＮｉを主成分として含有する場合、第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂは、Ｃｕ又はＡｇを主成分として含有している。また、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａがＣｕを主成分として含有する場合、第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂは、Ａｇを主成分として含有する。本明細書においては、各層において５０ｗｔ％以上含まれている成分を、当該層の主成分とすることができる。第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂは、Ａｇを５０ｗｔ％以上含有しており、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａは、Ｃｕを５０ｗｔ％以上含有している。第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂの少なくとも一方は、Ｃｕよりもレーザ吸収率が低いＡｇ以外の金属を主成分として含有してもよい。レーザ吸収率は、電子部品内蔵基板に内蔵基板の製造において常用されている波長１．０６４μｍの炭酸ガスレーザまたは波長１０．６μｍのＹＡＧレーザの吸収率を意味する。Ａｇは、照射された電磁波を反射しやすい性質を持っているため、Ａｇを主成分とする金属層は、炭酸ガスレーザ及びＹＡＧレーザをいずれも吸収しにくい。なお、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａの主成分には、融点が５００℃より高い金属が用いられる。第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａの主成分として融点が５００℃より高い金属を用いることにより、レーザ加工時の加工速度が抑えられ、深さ方向のレーザ加工による加工精度が安定化し、また加工時の形状維持が可能となる（例えば、溶解して流出することが避けられる。）。
【0023】
一態様において、第１内側金属層２１ｂの厚さ（Ｔ軸方向における寸法）ｔ１ｂは、第１外側金属層２１ａの厚さｔ１ａ以下である。例えば、第１内側金属層２１ｂの厚さｔ１ｂは、第１外側金属層２１ａの厚さｔ１ａの０．２倍以上１．０倍以下である。この場合、レーザ吸収率の高い第１外側金属層２１ａの厚みの方が大きくなるため、第１外部電極２１の厚みが大きくても、短時間で必要な深さまでレーザ加工を行うことが可能となる。同様に、一態様において、第２内側金属層２２ｂの厚さｔ２ｂは、第２外側金属層２２ａの厚さｔ２ａ以下である。例えば、第２内側金属層２２ｂの厚さｔ２ｂは、第２外側金属層２２ａの厚さｔ２ａの０．２倍以上１．０倍以下である。この場合、レーザ吸収率の高い第１外側金属層２１ａの厚みの方が大きくなるため、第２外部電極２２の厚みが大きくても、短時間で必要な深さまでレーザ加工を行うことが可能となる。
【0024】
別の態様において、第１内側金属層２１ｂの厚さｔ１ｂは、第１外側金属層２１ａの厚さｔ１ａより厚い。例えば、第１内側金属層２１ｂの厚さｔ１ｂは、第１外側金属層２１ａの厚さｔ１ａの１．０倍より大きく３．０倍以下である。この場合、レーザ吸収率の低い第１内側金属層２１ｂの厚みの方が大きくなるため、レーザ加工による深さ方向の加工精度をより安定化することができる。同様に、一態様において、第２内側金属層２２ｂの厚さｔ２ｂは、第２外側金属層２２ａの厚さｔ２ａより厚い。例えば、第２内側金属層２２ｂの厚さｔ２ｂは、第２外側金属層２２ａの厚さｔ２ａの１．０倍より大きく３．０倍以下である。この場合、レーザ吸収率の低い第２内側金属層２２ｂの厚みの方が大きくなるため、レーザ加工による深さ方向の加工精度をより安定化することができる。
【0025】
【0026】
まず、図３ａに示されているように、フィルム５１の上に絶縁層５２を形成し、この絶縁層５２にキャビティＣ１を形成する。そして、第１外部電極２１及び第２外部電極２２がフィルム５１に接するように、電子部品１をキャビティＣ１内に載置する。フィルム５１は、電子部品内蔵基板の製造工程において、電子部品１を暫定的に取り付けるためのフィルムである。絶縁層５２は、多層プリント基板の一部である。図示は省略されているが、絶縁層５２の内部には複数の配線パターン及び配線パターン同士を接続するビア導体が形成されていてもよい。絶縁層５２は、ガラスエポキシ等の絶縁材料から構成される。絶縁層５２の材料は、ガラスエポキシには限られず、多層プリント基板の絶縁層に適した様々な材料から構成され得る。
【0027】
次に、図３ｂに示されているように、電子部品１が載置されたキャビティＣ１内に、電子部品１を覆うように第１樹脂層５３を形成する。第１樹脂層５３は、例えば、熱硬化性樹脂から構成される。第１樹脂層５３は、キャビティＣ１に未硬化の熱硬化性樹脂を注入し、この注入された熱硬化性樹脂を加熱して硬化することで形成されてもよい。このようにして、キャビティＣ１内に第１樹脂層５３により電子部品１が封止された中間体が作製される。
【0028】
次に、図３ｃに示されているように、中間体を上下反転させた後、フィルム５１を取り除き、このフィルム５１が取り除かれた中間体の上面に、第２樹脂層５４を形成する。第２樹脂層５４は、第１樹脂層５３と同じ熱硬化性樹脂から構成されてもよい。第２樹脂層５４は、フィルム５１を取り除いた際に露出する第１外部電極２１及び第２外部電極２２を覆うように形成される。
【0029】
次に図３ｄに示されているように、第２樹脂層５４に第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を形成して、第１外部電極２１の一部及び第２外部電極２２の一部を露出させる。第１ビアホールＶＨ１は、紙面の上方から第１外部電極２１に向かってレーザを照射することにより形成される。同様に、第２ビアホールＶＨ２は、紙面の上方から第２外部電極２２に向かってレーザを照射することにより形成される。照射されるレーザは、例えば、炭酸ガスレーザである。２台の炭酸ガスレーザ加工機を用いることにより、第１外部電極２１及び第２外部電極２２に向かってレーザを同時に照射することができるので、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を並行して形成することができる。これにより、製造時間の短縮化を図ることができる。
【0030】
次に、図３ｅに示されているように、第１ビアホールＶＨ１を画定する底面及び壁面、第２ビアホールＶＨ２を画定する底面及び壁面にめっき処理を施すことにより、第１ビアホールＶＨ１内にビア導体６１が形成され、第２ビアホールＶＨ２内にビア導体６２が形成される。また、第２樹脂層５４の表面にめっき処理を施すことにより、第２樹脂層５４の表面に導体層７０が形成される。
【0031】
次に、図３ｆに示されているように、導体層７０のうち、Ｌ軸方向において第１外部電極２１と第２外部電極２２との間の領域をエッチングすることにより、第１外部電極２１に接続される第１配線パターン７１及び第２外部電極２２に接続される第２配線パターン７２が形成される。
【0032】
以上により、内部に電子部品１が埋め込まれた電子部品内蔵基板８１が作製される。
【0033】
電子部品内蔵基板８１には、図示されている電子部品１以外に、様々な電子部品が内蔵されていてもよい。電子部品内蔵基板８１に内蔵される電子部品１以外の電子部品は、インダクタ、コンデンサ、抵抗等の受動素子であってもよいし、半導体ＩＣ等の能動素子であってもよい。
【0034】
電子部品内蔵基板８１は、様々な電子機器に搭載され得る。電子部品内蔵基板８１が搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、自動車の電装品、サーバ及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。
【0035】
１－４ レーザにより形成されるビアホール
次に、図３ｅの工程で説明したレーザによるビアホールの形成について、図４ａ及び図４ｂを参照してさらに説明する。部材にレーザを照射して穿孔を形成する場合、レーザによる穿孔レートは、レーザが照射される部材の密度、その表面の粗度、照射角などの様々な要因により影響を受ける。穿孔レートは、部材にレーザを照射した際に形成される穿孔の深さが増大する速度を意味する。レーザ照射により部材に複数の穿孔を形成する場合、各穿孔を形成するためのレーザの照射条件を同一に設定しても、各穿孔の穿孔レートは区々であるため、各穿孔の深さを均一にすることは難しい。よって、従来の電子部品内蔵基板の製造方法において、内蔵されている電子部品の複数の外部電極を露出させるためのビアホールの深さを均一にすることは難しい。例えば、ビアホールを形成するために、複数のレーザ加工装置の照射条件を同一にして、これらのレーザ加工装置から各外部電極へ向けてレーザの照射を同時に開始し同時に終了しても（つまり、各ビアホールを形成するためのレーザの照射時間を同じにしても）、形成されるビアホールの深さは均一にはならない。
次に、図３ｅの工程で説明したレーザによるビアホールの形成について、図４ａ及び図４ｂを参照してさらに説明する。部材にレーザを照射して穿孔を形成する場合、レーザによる穿孔レートは、レーザが照射される部材の密度、その表面の粗度、照射角などの様々な要因により影響を受ける。穿孔レートは、部材にレーザを照射した際に形成される穿孔の深さが増大する速度を意味する。レーザ照射により部材に複数の穿孔を形成する場合、各穿孔を形成するためのレーザの照射条件を同一に設定しても、各穿孔の穿孔レートは区々であるため、各穿孔の深さを均一にすることは難しい。よって、従来の電子部品内蔵基板の製造方法において、内蔵されている電子部品の複数の外部電極を露出させるためのビアホールの深さを均一にすることは難しい。例えば、ビアホールを形成するために、複数のレーザ加工装置の照射条件を同一にして、これらのレーザ加工装置から各外部電極へ向けてレーザの照射を同時に開始し同時に終了しても（つまり、各ビアホールを形成するためのレーザの照射時間を同じにしても）、形成されるビアホールの深さは均一にはならない。
【0036】
第１実施形態による電子部品１においては、第１外部電極２１の第１外側金属層２１ａの下層に、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａよりもレーザ吸収率が低い第１内側金属層２１ｂが設けられており、また、第２外部電極２２の第２外側金属層２２ａの下層に、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａよりもレーザ吸収率が低い第２内側金属層２２ｂが設けられている。このように構成された第１外部電極２１及び第２外部電極２２に向かってレーザを照射すると、第２樹脂層５４、第１外側金属層２１ａ、及び第２外側金属層２２ａは、レーザのエネルギーを吸収しやすいため、レーザが第１内側金属層２１ｂ又は第２内側金属層２２ｂに到達するまでは、高速の穿孔レートでレーザ加工が進行する。以下では、説明の便宜上、第１外部電極２１に向かって照射されるレーザを第１レーザと呼び、第２外部電極２２に向かって照射されるレーザを第２レーザと呼ぶ。
【0037】
第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達すると、第１内側金属層２１ｂは、第２樹脂層５４、第１外側金属層２１ａ、及び第２外側金属層２２ａよりもレーザ吸収率が低いため、第１レーザによる穿孔レートが低速となる。同様に、第２レーザが第２内側金属層２２ｂに到達すると、第２内側金属層２２ｂは、第２樹脂層５４、第１外側金属層２１ａ、及び第２外側金属層２２ａよりもレーザ吸収率が低いため、第２レーザによる穿孔レートが低速となる。このため、第１外側金属層２１ａを貫通して第１内側金属層２１ｂに到達するように第１ビアホールＶＨ１を形成し、第２外側金属層２２ａを貫通して第２内側金属層２２ｂに到達するように第２ビアホールＶＨ２を形成することにより、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２の形成時に第１レーザの穿孔レートと第２レーザの穿孔レートとの間に差があっても、第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達した後及び第２レーザが第２内側金属層２２ｂに到達した後にはいずれの穿孔レートも低下するので、レーザ照射終了時に第１ビアホールＶＨ１の深さｄ１と第２ビアホールＶＨ２の深さｄ２を同程度とすることができる。例えば、第１レーザの穿孔レートが第２レーザの穿孔レートよりも速い場合には、第２レーザが第２内側金属層２２ｂに到達するよりも前に第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達する。第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達した時点では、第１ビアホールＶＨ１となる穿孔の方が第２ビアホールＶＨ２となる穿孔よりも深く穿かれている。ところが、第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達した後は、第１レーザの穿孔レートは、第１外側金属層２１ａのレーザ吸収率と第１内側金属層２１ｂのレーザ吸収率との差に応じて不連続に遅くなる。第１内側金属層２１ｂのレーザ吸収率は、第２外側金属層２２ａのレーザ吸収率よりも低いため、第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達した後は、第１レーザの穿孔レートは、第２レーザの穿孔レートよりも遅くなる。よって、第１レーザが第１内側金属層２１ｂに到達した後は、第１ビアホールＶＨ１となる穿孔の深さと第２ビアホールＶＨ２となる穿孔の深さの差は縮まっていく。
【0038】
以上のとおり、第１実施形態に係る電子部品１においては、第１内側金属層２１ｂのレーザ吸収率及び第２内側金属層２２ｂのレーザ吸収率がいずれも、第１外側金属層２１ａ及び第２外側金属層２２ａのいずれのレーザ吸収率よりも低いため、レーザ加工により形成される第１ビアホールＶＨ１の深さｄ１と第２ビアホールＶＨ２の深さｄ２との差は、第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂを備えていない従来の電子部品と比べて小さくなる。したがって、第１実施形態に係る電子部品１においては、第１ビアホールＶＨ１の深さと第２ビアホールＶＨ２の深さを均一化することができる。
【0039】
電子部品１において、第１外部電極２１が第１内側金属層２１ｂを備え、第２外部電極２２が第２内側金属層２２ｂを備えることにより、電子部品１を電子部品内蔵基板に内蔵する際にレーザ加工により形成される第１ビアホールＶＨ１の深さと第２ビアホールＶＨ２の深さの差を小さくできることを以下のようにして確認した。まず、絶縁体の表面に、厚さ１．５μｍのＡｇ膜と、このＡｇ膜の表面に形成された厚さ７．５μｍのＣｕ膜と、を有する第１積層部を形成し、また、当該絶縁体の表面の第１積層部から離れた位置に、厚さ１．５μｍのＡｇ膜と、このＡｇ膜の表面に形成された厚さ７．５μｍのＣｕ膜と、を有する第２積層部を形成して、サンプルを得た。このサンプルの第１積層部は、電子部品１の第１外部電極２１に対応し、第１積層部のＣｕ膜及びＡｇ膜はそれぞれ、第１外側金属層２１ａ及び第１内側金属層２１ｂに対応する。また、サンプルの第２積層部は、電子部品１の第２外部電極２２に対応し、第２積層部のＣｕ膜及びＡｇ膜はそれぞれ、第２外側金属層２２ａ及び第２内側金属層２２ｂに対応する。
【0040】
この第１積層部と第２積層部の各々に炭酸ガスレーザを同時に照射した。炭酸ガスレーザの照射開始からの０．０５秒経過するごとに、第１積層体及び第２積層体に形成された穿孔の深さを測定し、この測定された深さを図５のグラフにプロットした。図５において、横軸は、レーザ照射開始からの経過時間を表し、縦軸は、穿孔の深さを表す。
【0041】
図５の結果から、第１積層体に照射されている第１レーザの穿孔レートの方が第２積層体に照射されているレーザの穿孔レートよりも速いことが分かる。この穿孔レートの差から、第１積層体に形成された穿孔の深さが７．５μｍに到達するまでは（つまり、第１レーザが７．５μｍのＣｕ膜を貫通するまでは）、第１積層体に形成された穿孔の深さと第２積層体に形成された穿孔の深さとの差がレーザ照射開始からの時間の経過に伴って拡大しいる。これに対して、第１積層体に形成された穿孔の深さが７．５μｍに達した後は、第１レーザがＡｇ膜に入射するため、第１レーザによる穿孔レートが低下している。第１積層体に形成された穿孔の深さが７．５μｍに達した後に穿孔レートが低下することは、穿孔の深さが７．５μｍ以下の範囲にあるプロットをフィッティングした直線Ｌ１の傾きよりも、穿孔の深さが７．５μｍより大きい範囲にあるプロットをフィッティングした直線Ｌ２の傾きが小さくなっていることから分かる。
【0042】
第１レーザがＡｇ膜に到達した時点では、第２積層体に照射されている第２レーザは、第２積層体のＡｇ膜には到達していないため、第２レーザによる第２積層体の穿孔レートは変わらない。第２レーザは、照射開始後０．３１２５秒の時点で、第２積層体のＡｇ膜に到達したため、図５には、この０．３１２５秒経過した時点での穿孔の深さもプロットした。図５のグラフから、第１積層体に形成された穿孔の深さが７．５μｍに達した照射開始後０．２５秒から第２積層体に形成された穿孔の深さが７．５μｍに達した０．３１２５秒の間で、第１積層体における穿孔の深さと第２積層体に形成された穿孔の深さとの差が縮小していることが分かる。
【0043】
第１積層体及び第２積層体に、電子部品１の第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂに対応するＡｇ膜が設けられていなければ、穿孔が７．５μｍ以下の領域で観察されたように、第１積層体に形成される穿孔の深さと第２積層体に形成される穿孔の深さは、レーザ照射時間が長くなるほど拡大する。よって、第１積層体における穿孔の深さと第２積層体に形成された穿孔の深さとの差が縮小したのは、第１積層体及び第２積層体のそれぞれに、電子部品１の第１内側金属層２１ｂ及び第２内側金属層２２ｂに対応するＡｇ膜を設けたためである。
【0044】
以上のとおり、電子部品１において、第１外部電極２１が第１内側金属層２１ｂを備え、第２外部電極２２が第２内側金属層２２ｂを備えることにより、電子部品１を電子部品内蔵基板に内蔵する際にレーザ加工により形成される第１ビアホールＶＨ１の深さと第２ビアホールＶＨ２の深さの差を小さくできること、つまり、第１ビアホールＶＨ１の深さと第２ビアホールＶＨ２の深さを均一化できることが確認された。
【0045】
２ 第２実施形態
続いて、図６ないし図８を参照して、第２実施形態に係る電子部品１０１について説明する。図６は、第２実施形態に係る電子部品１０１の斜視図であり、図７は、電子部品１０１をＩ－Ｉ線に沿って切断した断面図であり、図８は、電子部品１０１をＩＩ－ＩＩ線に沿って切断した断面図である。電子部品１０１は、８つの外部電極１２１～１２８を備えている点で、２つの外部電極を備えている電子部品１と異なっている。
続いて、図６ないし図８を参照して、第２実施形態に係る電子部品１０１について説明する。図６は、第２実施形態に係る電子部品１０１の斜視図であり、図７は、電子部品１０１をＩ－Ｉ線に沿って切断した断面図であり、図８は、電子部品１０１をＩＩ－ＩＩ線に沿って切断した断面図である。電子部品１０１は、８つの外部電極１２１～１２８を備えている点で、２つの外部電極を備えている電子部品１と異なっている。
【0046】
電子部品１０１は、例えば、絶縁体１１０の内部に、複数の素子がパッケージ化されたアレイ型素子である。アレイ型素子においては、複数の素子が一つの素子としてパッケージ化されているので、複数の素子を実装する際の実装スペースを小さくできる。電子部品１０１には、異なる種類の素子がパッケージ化されていてもよい。例えば、電子部品１０１は、ＬＣフィルタ、ＬＣＲフィルタ、及びインダクタから選択された４つの素子を絶縁体１１０の内部にパッケージ化することで構成されてもよい。電子部品１０１は、同種の４つの素子を絶縁体１１０の内部にパッケージ化することで構成されてもよい。例えば、電子部品１０１は、４つのインダクタ素子がパッケージ化されたアレイ型インダクタであってもよい。電子部品１０１には、２つより多くの外部電極に接続される素子、例えば、磁気結合型のインダクタ（例えば、コモンモードチョークコイル）を含んでもよい。
【0047】
外部電極１２１～１２８はいずれも、絶縁体１１０の外表面のうち、上面１１０ａのみと接していてもよい。
【0048】
外部電極１２１は、不図示の第１内部素子の一端と接続されており、外部電極１２２は、当該第１内部素子の他端と接続されている。電子部品１０１がアレイ型インダクタの場合には、第１内部素子は、第１コイル導体である。外部電極１２１は、外側金属層１２１ａと、外側金属層１２１ａと第１内部素子との間に配置されている内側金属層１２１ｂと、を有している。外部電極１２２は、外側金属層１２２ａと、外側金属層１２２ａと第１内部素子との間に配置されている内側金属層１２２ｂと、を有している。
【0049】
外部電極１２３は、不図示の第２内部素子の一端と接続されており、外部電極１２４は、当該第２内部素子の他端と接続されている。電子部品１０１がアレイ型インダクタの場合には、第２内部素子は、第２コイル導体である。外部電極１２３は、外側金属層１２３ａと、外側金属層１２３ａと第２内部素子との間に配置されている内側金属層１２３ｂと、を有している。外部電極１２４は、外側金属層１２４ａと、外側金属層１２４ａと第２内部素子との間に配置されている内側金属層１２４ｂと、を有している。
【0050】
外部電極１２５は、不図示の第３内部素子の一端と接続されており、外部電極１２６は、当該第３内部素子の他端と接続されている。電子部品１０１がアレイ型インダクタの場合には、第３内部素子は、第３コイル導体である。外部電極１２５は、外側金属層１２５ａと、外側金属層１２５ａと第３内部素子との間に配置されている内側金属層１２５ｂと、を有している。外部電極１２６は、外側金属層１２６ａと、外側金属層１２６ａと第３内部素子との間に配置されている内側金属層１２６ｂと、を有している。
【0051】
外部電極１２７は、不図示の第４内部素子の一端と接続されており、外部電極１２８は、当該第４内部素子の他端と接続されている。電子部品１０１がアレイ型インダクタの場合には、第４内部素子は、第４コイル導体である。外部電極１２７は、外側金属層１２７ａと、外側金属層１２７ａと第４内部素子との間に配置されている内側金属層１２７ｂと、を有している。外部電極１２８は、外側金属層１２８ａと、外側金属層１２８ａと第４内部素子との間に配置されている内側金属層１２８ｂと、を有している。
【0052】
外部電極１２１～１２８の各々の内側金属層１２１ｂ～１２８ｂのレーザ吸収率は、外部電極１２１～１２８の各々の外側金属層１２１ａ～１２８ａのレーザ吸収率のいずれよりも低い。
【0053】
第１実施形態の第１外側金属層２１ａに関する説明は、外部電極１２１～１２８の各々の外側金属層１２１ａ～１２８ａに当てはまる。例えば、外側金属層１２１ａ～１２８ａはそれぞれ、Ｃｕを主成分として含有する。また、第１実施形態の第１内側金属層２１ｂに関する説明は、外部電極１２１～１２８の各々の内側金属層１２１ｂ～１２８ｂに当てはまる。例えば、内側金属層１２１ｂ～１２８ｂはそれぞれ、Ａｇを主成分として含有する。
【0054】
電子部品１０１は、電子部品１と同様に、図３ａないし図３ｆに示した工程を経て電子部品内蔵基板に実装される。電子部品１０１の外部電極１２１～１２８を配線パターンと電気的に接続するためのビア導体を形成するためには、レーザ照射により外部電極１２１～１２８のそれぞれを露出させる８本のビアホールを形成する必要がある。従来、レーザ加工により形成される８本のビアホールの深さを均一にすることは困難であったが、外部電極１２１～１２８は、内側金属層１２１ｂ～１２８ｂを有しており、内側金属層１２１ｂ～１２８ｂの各々のレーザ吸収率は、外側金属層１２１ａ～１２８ａのいずれのレーザ吸収率よりも低いから、電子部品１０１が内蔵されている電子部品内蔵基板を製造する際に、レーザ加工により形成される８本のビアホールの深さを均一にすることができる。
【0055】
３ 注記
前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。
前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。
【0056】
本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。
【0057】
本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。
【0058】
本明細書において、ある構成要素を「含む」という場合は、本発明の内容と矛盾しない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0059】
４ 付記
本明細書において開示される実施形態には、以下の事項も含まれる。
本明細書において開示される実施形態には、以下の事項も含まれる。
【0060】
［付記１］
基体と、
前記基体の内部に設けられる第１内部素子と、
前記基体に設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第１外部電極と、
前記基体に前記第１外部電極から離間するように設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第２外部電極と、
を備え、
前記第１外部電極は、
第１外側金属層と、
前記第１外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第１内側金属層と、
を有し、
前記第２外部電極は、
第２外側金属層と、
前記第２外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第２内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
電子部品。
［付記２］
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層と直接接しており、
前記第２内側金属層は、前記第２外側金属層と直接接している、
［付記１］に記載の電子部品。
［付記３］
前記第１内側金属層の厚さは、前記第１外側金属層の厚さの０．２倍以上１．５倍以下である、
［付記１］又は［付記２］に記載の電子部品。
［付記４］
前記第１外側金属層はＣｕを主成分とし、
前記第１内側金属層はＡｇを主成分とする、
［付記１］から［付記３］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記５］
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１内側金属層及び前記第２内側金属層はいずれも、前記第１面と接する、
［付記１］から［付記４］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記６］
前記基体の内部に前記第１内部素子から離間して設けられる第２内部素子と、
前記基体に、前記第１外部電極及び前記第２外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第３外部電極と、
前記基体に、前記第１外部電極、前記第２外部電極、及び前記第３外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第４外部電極と、
をさらに備え、
前記第３外部電極は、
第３外側金属層と、
前記第３外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第３内側金属層と、
を有し、
前記第４外部電極は、
第４外側金属層と、
前記第４外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第４内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第３内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第４内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
［付記１］から［付記５］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記７］
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極、及び前記第４外部電極はいずれも、前記第１面のみにおいて前記基体と接する、
［付記６］に記載の電子部品。
［付記８］
絶縁層に形成されたキャビティに、［付記１］から［付記７］のいずれか一つに記載の電子部品を載置する工程と、
前記電子部品を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記第１外部電極に前記第１外側金属層を貫通する第１ビアホールを形成し、前記第２外部電極に前記第２外側金属層を貫通する第２ビアホールを形成するように、前記第１外部電極及び前記第２外部電極に向かってレーザを照射する工程と、
を備える、
電子部品内蔵基板の製造方法。
［付記９］
前記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し、前記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成する工程をさらに備える、
［付記８］に記載の製造方法。
［付記１０］
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、めっき処理により形成される、
［付記９］に記載の製造方法。
基体と、
前記基体の内部に設けられる第１内部素子と、
前記基体に設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第１外部電極と、
前記基体に前記第１外部電極から離間するように設けられ、前記第１内部素子と電気的に接続される第２外部電極と、
を備え、
前記第１外部電極は、
第１外側金属層と、
前記第１外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第１内側金属層と、
を有し、
前記第２外部電極は、
第２外側金属層と、
前記第２外側金属層と前記第１内部素子との間に設けられている第２内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層及び前記第２外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
電子部品。
［付記２］
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層と直接接しており、
前記第２内側金属層は、前記第２外側金属層と直接接している、
［付記１］に記載の電子部品。
［付記３］
前記第１内側金属層の厚さは、前記第１外側金属層の厚さの０．２倍以上１．５倍以下である、
［付記１］又は［付記２］に記載の電子部品。
［付記４］
前記第１外側金属層はＣｕを主成分とし、
前記第１内側金属層はＡｇを主成分とする、
［付記１］から［付記３］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記５］
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１内側金属層及び前記第２内側金属層はいずれも、前記第１面と接する、
［付記１］から［付記４］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記６］
前記基体の内部に前記第１内部素子から離間して設けられる第２内部素子と、
前記基体に、前記第１外部電極及び前記第２外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第３外部電極と、
前記基体に、前記第１外部電極、前記第２外部電極、及び前記第３外部電極から離間するように設けられ、前記第２内部素子と電気的に接続される第４外部電極と、
をさらに備え、
前記第３外部電極は、
第３外側金属層と、
前記第３外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第３内側金属層と、
を有し、
前記第４外部電極は、
第４外側金属層と、
前記第４外側金属層と前記第２内部素子との間に設けられている第４内側金属層と、
を有し、
前記第１内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第２内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第３内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低く、
前記第４内側金属層は、前記第１外側金属層、前記第２外側金属層、前記第３外側金属層、及び前記第４外側金属層のいずれよりもレーザ吸収率が低い、
［付記１］から［付記５］のいずれか一つに記載の電子部品。
［付記７］
前記基体は、第１面を有しており、
前記第１外部電極、前記第２外部電極、前記第３外部電極、及び前記第４外部電極はいずれも、前記第１面のみにおいて前記基体と接する、
［付記６］に記載の電子部品。
［付記８］
絶縁層に形成されたキャビティに、［付記１］から［付記７］のいずれか一つに記載の電子部品を載置する工程と、
前記電子部品を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記第１外部電極に前記第１外側金属層を貫通する第１ビアホールを形成し、前記第２外部電極に前記第２外側金属層を貫通する第２ビアホールを形成するように、前記第１外部電極及び前記第２外部電極に向かってレーザを照射する工程と、
を備える、
電子部品内蔵基板の製造方法。
［付記９］
前記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し、前記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成する工程をさらに備える、
［付記８］に記載の製造方法。
［付記１０］
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、めっき処理により形成される、
［付記９］に記載の製造方法。
【符号の説明】
【0061】
１、１０１ 電子部品
１０ 絶縁体
２１ 第１外部電極
２１ａ 第１外側金属層
２１ｂ 第１内側金属層
２２ 第２外部電極
２２ ａ 第２外側金属層
２２ｂ 第２内側金属層
２５ 内部素子
８１ 電子部品内蔵基板
１０ 絶縁体
２１ 第１外部電極
２１ａ 第１外側金属層
２１ｂ 第１内側金属層
２２ 第２外部電極
２２ ａ 第２外側金属層
２２ｂ 第２内側金属層
２５ 内部素子
８１ 電子部品内蔵基板
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図3d】
【図3e】
【図3f】
【図4a】
【図4b】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
