特開 2024-145674 圧力センサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024145674

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】圧力センサ

(51)【国際特許分類】

   G01L 19/06 20060101AFI20241004BHJP

   H01L 29/84 20060101ALI20241004BHJP

【ＦＩ】

G01L19/06 Z

H01L29/84 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023058125

(22)【出願日】2023-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】000006666

【氏名又は名称】アズビル株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098394

【弁理士】

【氏名又は名称】山川 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】東條 博史

【テーマコード（参考）】

2F055

4M112

【Ｆターム（参考）】

2F055AA40

2F055BB05

2F055CC02

2F055DD05

2F055EE12

2F055FF21

2F055GG11

2F055HH08

4M112AA01

4M112BA01

4M112CA03

4M112CA04

4M112FA07

(57)【要約】

【課題】手間をかけることがなく、小型化を阻害することなく、複数の圧力範囲の圧力を測定する。
【解決手段】この圧力センサは、ダイアフラム１０１、歪計測部１０２、保護機構１０３を備え、歪計測部１０２の形成箇所に向かい合い歪計測部１０２を囲う領域の保護機構１０３のダイアフラム１０１に向かい合う面に設けられた凹部１０４が設けられている。保護機構１０３に形成される複数の凸部１０５は、凹部１０４の内側の領域の保護機構１０３のダイアフラム１０１に向かい合う面に形成されている。
【選択図】 図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

変位可能とされて測定対象の流体の圧力を受けるダイアフラムと、
前記ダイアフラムの周端部近傍に設けられ、前記ダイアフラムの歪みを測定する歪計測部と、
圧力を受けた前記ダイアフラムが変位する際に前記ダイアフラムの受圧側と反対側の面と当接して前記ダイアフラムの過大な変位を制限する保護機構と、
前記歪計測部の形成箇所に向かい合い前記歪計測部を囲う領域の前記保護機構の前記ダイアフラムに向かい合う面に設けられた凹部と、
前記凹部の内側の領域の前記保護機構の前記ダイアフラムに向かい合う面に離散的に形成された複数の凸部と
を備える圧力センサ。

【請求項2】

請求項１記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムを挟んで配置された２つのダイアフラム室をさらに備え、
前記保護機構は、前記２つのダイアフラム室の前記ダイアフラムに向かい合う面に形成されている圧力センサ。

【請求項3】

請求項１記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムは、２箇所の各々に設けられ、
前記保護機構は、各々の前記ダイアフラムに対応して設けられ、
前記ダイアフラムの各々において、圧力を受けた前記ダイアフラムが変位する側に設けられた２つのダイアフラム室と、
前記２つのダイアフラム室を連通する連通路と、
前記２つのダイアフラム室および前記連通路に充填された圧力伝達物質と
をさらに備え、
前記保護機構は、前記ダイアフラム室の前記ダイアフラムに向かい合う面に形成されている圧力センサ。

【請求項4】

請求項３記載の圧力センサにおいて、
前記複数の凸部における隣り合う凸部同士の間の通路は、前記連通路と前記保護機構の周端部との間を連通する通路とされている圧力センサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、圧力センサに関する。

【背景技術】

【0002】

圧力を受けたダイアフラムのたわみ量、すなわち変位より圧力値を出力する圧力センサは、ガス種依存性が少ないことから、半導体設備をはじめ、工業用途で広く使用されている。この種の圧力センサには、ダイアフラムの変位を歪として検出し、検出した歪から圧力値を出力する歪式がある。

【0003】

ところで、ダイアフラムに過大圧が加わるとダイアフラムの破損を招く場合がある。この破損を防ぐため、ダイアフラムの変位を制限する保護機構を用いる技術がある。過大圧を受けてダイアフラムが大きく変位しようとしても、ダイアフラムが保護機構に当接（着底）してダイアフラムのこれ以上の変位を規制し、ダイアフラムの破損を防ぐ。

【0004】

また、この種の保護機構を設ける場合、過大圧を受けたダイアフラムは、保護機構に押しつけられて密着するため、過大圧から開放されてもダイアフラムが保護機構から直ちには離間せず、出力が復帰に遅れが発生する場合がある。この遅れを防ぐために、保護機構のダイアフラムが押しつけられる面に、複数の凸部を離散的に形成している（特許文献１）。この技術では、複数の凸部と凸部との間の通路を、保護機構に設けられているダイアフラム室への連通孔の周部と保護機構の周端部との間の連通路としている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４－０７１０６８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

この種の圧力センサを用いて複数の圧力範囲の圧力を測定しようとする場合、対象の圧力範囲に対応した複数種類の圧力センサを用いることが一般的である。しかしながら、複数の圧力センサを用いることは、複数の圧力センサ毎に調整が必要となり、手間がかかるという問題がある。また、複数の圧力センサを用いる構成は、小型化を阻害する。

【0007】

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、手間をかけることがなく、小型化を阻害することなく、複数の圧力範囲の圧力が測定できるようにすることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明に係る圧力センサは、変位可能とされて測定対象の流体の圧力を受けるダイアフラムと、ダイアフラムの周端部近傍に設けられ、ダイアフラムの歪みを測定する歪計測部と、圧力を受けたダイアフラムが変位する際に前記ダイアフラムの受圧側と反対側の面と当接してダイアフラムの過大な変位を制限する保護機構と、歪計測部の形成箇所に向かい合い歪計測部を囲う領域の保護機構のダイアフラムに向かい合う面に設けられた凹部と、凹部の内側の領域の保護機構のダイアフラムに向かい合う面に離散的に形成された複数の凸部とを備える。

【0009】

上記圧力センサの一構成例において、ダイアフラムを挟んで配置された２つのダイアフラム室を備え、保護機構は、２つのダイアフラム室のダイアフラムに向かい合う面に形成されている。

【0010】

上記圧力センサの一構成例において、ダイアフラムは、２箇所の各々に設けられ、保護機構は、各々のダイアフラムに対応して設けられ、ダイアフラムの各々において、圧力を受けたダイアフラムが変位する側に設けられた２つのダイアフラム室と、２つのダイアフラム室を連通する連通路と、２つのダイアフラム室および連通路に充填された圧力伝達物質とをさらに備え、保護機構は、ダイアフラム室のダイアフラムに向かい合う面に形成されている。

【0011】

上記圧力センサの一構成例において、複数の凸部における隣り合う凸部同士の間の通路は、連通路と保護機構の周端部との間を連通する通路とされている。

【発明の効果】

【0012】

以上説明したように、本発明によれば、歪計測部の形成箇所に向かい合い歪計測部を囲う領域の保護機構に凹部を設けたので、手間をかけることがなく、小型化を阻害することなく、複数の圧力範囲の圧力が測定できる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1A】図１Ａは、本発明の実施の形態に係る圧力センサの構成を示す断面図である。

【図1B】図１Ｂは、本発明の実施の形態に係る圧力センサの一部構成を示す平面図である。

【図2A】図２Ａは、本発明の実施の形態に係る圧力センサの一部構成を示す断面図である。

【図2B】図２Ｂは、本発明の実施の形態に係る圧力センサの一部構成を示す断面図である。

【図3】図３は、本発明の実施の形態に係る圧力センサの他の構成を示す断面図である。

【図4】図４は、図３を用いて説明した圧力センサに印加される圧力とそれに対応する出力信号との関係を示す特性図である。

【図5】図５は、本発明の実施の形態に係る圧力センサの他の構成を示す断面図である。

【図6】図６は、図５を用いて説明した圧力センサに印加される圧力とそれに対応する出力信号との関係を示す特性図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施の形態に係る圧力センサについて図１Ａ、図１Ｂを参照して説明する。この圧力センサは、ダイアフラム１０１、歪計測部１０２、保護機構１０３を備える。

【0015】

ダイアフラム１０１は、変位可能とされて測定対象の流体の圧力を受ける。ダイアフラム１０１は、ダイアフラム基板１２１の一部に形成されている。また、ダイアフラム基板１２１は、基台１２２の上に配置されている。基台１２２には、凹面１２３が形成され、凹面１２３とダイアフラム基板１２１との間にダイアフラム室１２４が形成される。ダイアフラム基板１２１のダイアフラム室１２４で規定される領域が、ダイアフラム１０１となる。基台１２２に形成されている凹面１２３は、例えば、平面視円形とされたなだらかにくぼんでいる領域である。凹面１２３は、基台１２２の平面に垂直な断面の形状が湾曲している。凹面１２３は、例えば、球の内周面の一部を切り出した形状である（即ちダイアフラム変形形状に形成した曲面（非球面））。

【0016】

歪計測部１０２は、ダイアフラム１０１の周端部近傍に設けられ、ダイアフラム１０１の歪みを測定（計測）する。歪計測部１０２は、例えば、よく知られたピエゾ抵抗による圧力検出素子（ピエゾ抵抗素子）から構成することができる。また、歪計測部１０２は、歪みゲージから構成することができる。図示していないが、歪計測部１０２が計測した歪（センサ出力）より、ダイアフラム１０１が測定対象から受けた圧力を求める圧力算出部を備えることができる。

【0017】

保護機構１０３は、圧力を受けたダイアフラム１０１が変位する際に前記ダイアフラムの受圧側と反対側の面と当接してダイアフラム１０１の過大な変位を制限する。受圧したダイアフラム１０１は、変位の過程で保護機構１０３に押し当てられる（当接する）状態（着底）となり、これ以上は変位することが制限される。保護機構１０３は、凹面１２３に設けられている。また、保護機構１０３のダイアフラム１０１に向かい合う面には、複数の凸部１０５が形成されている。複数の凸部１０５は、離散的に形成されている。

【0018】

さらに、この圧力センサは、歪計測部１０２の形成箇所に向かい合い歪計測部１０２を囲う領域の保護機構１０３のダイアフラム１０１に向かい合う面に設けられた凹部１０４が設けられている。凹部１０４は、平面視で歪計測部１０２の形成領域より広い面積とされている。凹部１０４は、平面視長方形とすることができる。また、凹部１０４は、平面視長方形の辺を円弧状にした樽形状とすることができる。また、凹部１０４は、複数の凸部１０５が形成されている領域の外周を囲うよう全外周に設けることができる。平面視で、凹部１０４の領域内に歪計測部１０２の計測領域が収まっている状態とする。複数の凸部１０５は、凹部１０４の内側の領域の保護機構１０３のダイアフラム１０１に向かい合う面に形成されている。凹部１０４は、複数の凸部１０５が形成されている領域の外周側に配置される。

【0019】

例えば、歪計測部１０２の中心の上に凹部１０４の中心部が配置される状態とする。例えば、平面視円形とされているダイアフラム１０１の周方向に等間隔で４つの歪計測部１０２を設けることができる。また、歪計測部１０２は、複数の凸部１０５が形成されている平面視で略円形の領域を囲う全周に離散的に設けることができる。４つの歪計測部１０２を設ける場合、４つの歪計測部１０２の各々に対応するように、複数の凸部１０５が形成されている平面視で略円形の領域の周方向に等間隔で４つの凹部１０４を設けることができる。

【0020】

ところで、ダイアフラム１０１が保護機構１０３に押し当てられると、複数の凸部１０５における隣り合う凸部１０５の間には通路が形成されたものとなるが、この通路と凹部１０４とを接続する接続路を設けることができる。

【0021】

上述した実施の形態によれば、凹部１０４を設けることにより、保護機構１０３にダイアフラム１０１が押し当てられた後（図２Ａ）、凹部１０４の領域におけるダイアフラム１０１（小ダイアフラム）は、さらに変形することが可能な状態となっている（図２Ｂ）。

【0022】

まず、図２Ａに示すように、保護機構１０３にダイアフラム１０１が押し当てられるまでは、歪計測部１０２にはダイアフラム１０１の変形に応じた圧縮応力が発生する。この後、さらに高い圧力をダイアフラム１０１が受圧すると、図２Ｂに示すように、凸部１０５の縁を支点にしてダイアフラム１０１が局所的に変形し、この領域に配置されている歪計測部１０２の応力が引張に反転する。

【0023】

例えば、Ｓｉから構成したダイアフラム１０１では、破壊応力が圧縮および引張ともに６００ＭＰａである。この場合、保護機構１０３により、ダイアフラム１０１に５００ＭＰａまでの応力が発生するものと設計とした場合、測定する圧力範囲０～５０ＭＰａのセンサ設計とすることができる。

【0024】

実施の形態に係る圧力センサでは、次に示すように、圧力センサが計測する圧力範囲によって、歪計測部１０２に加わる応力（歪計測部１０２で計測する応力）の範囲を変える設計をすることができる。なお、以下では、歪計測部１０２が、ピエゾ抵抗による圧力検出素子から構成されている場合の例を示す。

【0025】

まず、低圧領域として、圧力０～５００ｋＰａに対し、歪計測部１０２における圧縮応力０～５００ＭＰａを対応させる。５００ｋＰａは、ダイアフラム１０１が保護機構１０３に押し当てられる圧力であり、低圧領域は、ダイアフラム１０１が保護機構１０３に押し当てられるまでの範囲となる（図２Ａ）。この低圧領域では、圧力１ＭＰａ毎の応力が、１０００ＭＰａとなる。

【0026】

また、高圧領域として、圧力５００ｋＰａ～５０ＭＰａに対し、歪計測部１０２における圧縮応力５００ＭＰａ～引張り応力５００ＭＰａを対応させる。高圧領域は、ダイアフラム１０１が保護機構１０３に押し当てられてから、凹部１０４の領域におけるダイアフラム１０１が、さらに変形する領域である。この高圧領域では、圧力１ＭＰａ毎の応力が、２０．２ＭＰａとなる。

【0027】

一方、一般的な従来の圧力センサでは、圧力０～５０ＭＰａに対し、歪計測部１０２における圧縮応力０～５００ＭＰａを対応させるものとなる。この場合、圧力１ＭＰａ毎の応力が１０．０ＭＰａとなる。前述した実施の形態によれば、従来に比較して広い圧力範囲で高感度が実現できることがわかる。低圧範囲では、従来比で感度が１００倍程度となり、高圧範囲では、従来比で感度が約２倍となる。

【0028】

ところで、圧力センサは、図３に示すように、ダイアフラム１０１を挟んで配置された２つの第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂを備える構成とすることができる。第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂは、ダイアフラム基板１２１を挾んで配置された第１基台１２２ａ、第２基台１２２ｂに形成された凹面により構成される。

【0029】

第１ダイアフラム室１２４ａに、第１保護機構１０３ａが形成され、第２ダイアフラム室１２４ｂに、第２保護機構１０３ｂが形成される。第１ダイアフラム室１２４ａのダイアフラム１０１に向かい合う面（凹面）に第１保護機構１０３ａが形成されている。また、第２ダイアフラム室１２４ｂのダイアフラム１０１に向かい合う面（凹面）に第２保護機構１０３ｂが形成されている。第１保護機構１０３ａに複数の第１凸部１０５ａが、離散的に形成され、第２保護機構１０３ｂに複数の第２凸部１０５ｂが、離散的に形成されている。

【0030】

また、第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂの各々において、第１凹部１０４ａ，第２凹部１０４ｂが設けられている。また、第１基台１２２ａには、外部と第１ダイアフラム室１２４ａとを連通する第１連通路１２５ａが形成され、第２基台１２２ｂには、外部と第２ダイアフラム室１２４ｂとを連通する第２連通路１２５ｂが形成されている。

【0031】

この圧力センサは、上述した第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂを備える構成とし、また、静圧計測部１０９を設けることで、差圧計として用いることができる。静圧計測部１０９は、第２凹部１０４ｂに対向する位置よりも外縁の第２基台１２２ｂと接合するダイアフラム１０１に設けた歪計測部である。従って、静圧計測部１０９は、よく知られたピエゾ抵抗による圧力検出素子（ピエゾ抵抗素子）から構成することができる。静圧計測部１０９を設ける箇所は、ダイアフラム１０１が変位しても歪みが発生しない箇所である。この差圧計によれば、低圧差と高圧差との両方を精度よく測定することができる。

【0032】

この圧力センサは、第１連通路１２５ａを通して印加される第１の圧力の方が第２連通路１２５ｂを通して印加される第２の圧力よりも高圧の条件で用いることができる。第１の圧力と第２の圧力との差（差圧圧力）と差圧出力信号との関係は図４の（ａ）に示すように変化する。一方、差圧圧力と静圧計測部１０９より出力される静圧出力信号との関係は図４の（ｂ）で示すように変化する。

【0033】

図４の（ａ）に示すように、差圧圧力が０からダイアフラム１０１が第２保護機構１０３ｂの対向面に着底するまで圧力が高まる範囲では、差圧出力信号は線形的に増加するため、この圧力範囲（低圧差範囲）では一義的に差圧が精度よく測定できる。また、ダイアフラム１０１が第２保護機構１０３ｂの対向面に着底してから更に差圧圧力が上昇する範囲では、差圧圧力は一転して線形的に減少するため、この圧力範囲（高圧差範囲）においても一義的に差圧が精度よく測定できる。したがって、この圧力センサは、従来よりも差圧圧力の測定可能範囲が拡張されるという効果を持つ。

【0034】

なお、図４の（ｂ）に示すように、静圧計測部１０９の静圧出力信号は、第１の圧力が第２の圧力よりも高い条件下では、差圧圧力に応じた正の値の出力信号を出力し、逆に、第２の圧力が第１の圧力よりも高い条件下では、差圧圧力に応じた負の値の出力信号を出力するため、静圧出力信号の正負によって第１の圧力と第２の圧力の高低関係が判別できる。

【0035】

また、圧力センサは、ダイアフラムを、２箇所の各々に設け、保護機構を、各々の前記ダイアフラムに対応して設けることができる。例えば、図５に示すように、ダイアフラム基板１２１’の２箇所の各々に形成された第１ダイアフラム１０１ａ、第２ダイアフラム１０１ｂを備えることができる。圧力を受けた第１ダイアフラム１０１ａが変位する側に、第１ダイアフラム室１２４ａが設けられている。また、圧力を受けた第２ダイアフラム１０１ｂが変位する側に、第２ダイアフラム室１２４ｂが設けられている。

【0036】

また、第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂは、基台１２２’の２箇所の各々に形成された凹面により構成される。また、第１ダイアフラム室１２４ａの周端部近傍に第１歪計測部１０２ａが設けられ、第１ダイアフラム１０１ａの歪みを測定（計測）する。また、第２ダイアフラム室１２４ｂの周端部近傍に第２歪計測部１０２ｂが設けられ、第２ダイアフラム１０１ｂの歪みを測定（計測）する。

【0037】

また、第１ダイアフラム室１２４ａに、第１保護機構１０３ａが形成され、第２ダイアフラム室１２４ｂに、第２保護機構１０３ｂが形成される。第１ダイアフラム室１２４ａの第１ダイアフラム１０１ａに向かい合う面（凹面）に第１保護機構１０３ａが形成されている。また、第２ダイアフラム室１２４ｂの第２ダイアフラム１０１ｂに向かい合う面（凹面）に第２保護機構１０３ｂが形成されている。また、第１保護機構１０３ａに複数の第１凸部１０５ａが、離散的に形成され、第２保護機構１０３ｂに複数の第２凸部１０５ｂが、離散的に形成されている。

【0038】

また、第１ダイアフラム室１２４ａに、第１凹部１０４ａが設けられ、第２ダイアフラム室１２４ｂに、第２凹部１０４ｂが設けられている。また、第１ダイアフラム室１２４ａと第２ダイアフラム室１２４ｂとは、連通路１２５により連通している。なお、図示していないが、第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂおよび連通路１２５には、シリコーンオイルなどの圧力伝達物質が充填されている。

【0039】

また、第１ダイアフラム１０１ａが第１保護機構１０３ａに押し当てられることで形成される複数の第１凸部１０５ａにおける隣り合う第１凸部１０５ａの間の通路は、連通路１２５と第１保護機構１０３ａの周端部との間を連通する通路とされている。同様に、第２ダイアフラム１０１ｂが第２保護機構１０３ｂに押し当てられることで形成される複数の第２凸部１０５ｂにおける隣り合う第２凸部１０５ｂの間の通路は、連通路１２５と第２保護機構１０３ｂの周端部との間を連通する通路とされている。

【0040】

この圧力センサは、上述した２つの第１ダイアフラム室１２４ａ，第２ダイアフラム室１２４ｂを備える構成とすることで、差圧計として用いることができる。この差圧計によれば、低圧差と高圧差との両方を精度よく測定することができる。

【0041】

この圧力センサにおいて、第２ダイアフラム１０１ｂに印加される第２の圧力（ＨＰ）の方が、第１ダイアフラム１０１ａに印加される第１の圧力（ＬＰ）よりも高圧である場合、第１ダイアフラム１０１ａ、第２ダイアフラム１０１ｂの変位の方向は、図５の矢印で示す方向となる。

【0042】

この場合、第２の圧力と第１の圧力との差（差圧圧力）の変化に対し、高圧側出力信号（第２ダイアフラム１０１ｂの第２歪計測部１０２ｂによるＨＰ出力信号）と低圧側出力信号（第１ダイアフラム１０１ａの第１歪計測部１０２ａによるＨＰ出力信号）との差（ＨＰ-ＬＰ出力）は、図６の（ａ）に示すように変化する。一方、差圧圧力の変化に対し、低圧側出力信号（第１ダイアフラム１０１ａの歪計測部１０２ａによる圧力出力信号ＬＰ出力）は、図６の（ｂ）に示すように変化する。

【0043】

図６の（ａ）に示すように、差圧圧力が０から第２ダイアフラム１０１ｂが第２保護機構１０３ｂの対向面に着底するまで差圧圧力が高まる範囲では、ＨＰ-ＬＰ出力は線形的に増加する。このため、この圧力範囲（低圧差範囲）では一義的に差圧が精度よく測定できる。

【0044】

また、第２ダイアフラム１０１ｂが第２保護機構１０３ｂの対向面に着底してから更に差圧圧力が上昇する範囲では、差圧圧力（ＨＰ-ＬＰ出力）は一転して線形的に減少するため、この圧力範囲（高圧差範囲）においても一義的に差圧が精度よく測定できる。したがって、従来よりも差圧圧力の測定可能範囲が拡張されるという効果を持つ。

【0045】

なお、図６の（ｂ）に示すように印加圧力が相対的に低圧である第１ダイアフラム１０１ａの歪計測部１０２ａによる圧力出力信号（低圧側出力信号ＬＰ出力）は、差圧圧力が０から第２ダイアフラム１０１ｂが第２保護機構１０３ｂの対向面に着底するまで差圧圧力が高まる範囲では、低圧側出力信号は線形的に減少する。一方、ダイアフラム１０１ｂが第２保護機構１０３ｂの対向面に着底してから更に差圧圧力が上昇する範囲では、ＬＰ出力は、一定の負の状態が維持される。

【0046】

ここで、逆に、第１ダイアフラム１０１ａに印加される第１の圧力の方が第２ダイアフラム１０１ｂに印加される第２の圧力よりも高圧である場合には、図６の（ｂ）に示す特性は、第２ダイアフラム１０１ｂの第２歪計測部１０２ｂによる圧力出力信号（低圧側出力信号）に示すものとなる。したがって、図６の（ｂ）の特性を第１ダイアフラム１０１ａの歪計測部１０２ａと第２ダイアフラム１０１ｂの歪計測部１０２ｂの何れが示すかを確認することで、第１の圧力と第２の圧力の高低関係が判別できる。

【0047】

以上に説明したように、本発明によれば、歪計測部の形成箇所に向かい合い歪計測部を囲う領域の保護機構に凹部を設けたので、手間をかけることがなく、小型化を阻害することなく、複数の圧力範囲の圧力が測定できるようになる。

【0048】

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。

【符号の説明】

【0049】

１０１…ダイアフラム、１０２…歪計測部、１０３…保護機構、１０４…凹部、１０５…凸部、１２１…ダイアフラム基板、１２２…基台、１２３…凹面、１２４…ダイアフラム室。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】