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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024146343
(43)【公開日】2024-10-15
(54)【発明の名称】発光装置のリペア方法及び発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20241004BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20241004BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20241004BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L33/00 K
H01L21/60 311Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023059184
(22)【出願日】2023-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000224
【氏名又は名称】弁理士法人田治米国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】野田 大樹
(72)【発明者】
【氏名】塚尾 怜司
(72)【発明者】
【氏名】白岩 俊紀
【テーマコード（参考）】
5F044
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F044KK06
5F044KK16
5F044LL13
5F142AA32
5F142BA32
5F142CA11
5F142CA13
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD16
5F142CD17
5F142FA34
5F142GA02
5F142GA21
5F241AA31
5F241FF06
5F241FF11
(57)【要約】 （修正有）
【課題】複数のμＬＥＤが実装されている発光装置において、点灯状態が不良のμＬＥＤをリペアする際に、リペアしたμＬＥＤが良好に点灯するようにする。
【解決手段】複数のμＬＥＤ１が第１導電粒子３が第１絶縁性樹脂層２に保持されている第１導電フィルム４を介して実装されている発光装置１０のリペアにおいて、実装μＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定してレーザーリフトオフ法により透光性基板５から取り除き、μＬＥＤが取り除かれた透光性基板の部分に、第２導電粒子３０が第２絶縁性樹脂層２０に保持されているリペア用導電フィルム４０を個片状に設置した後リペア用μＬＥＤ１ｙを設置し、リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する。リペア用第２導電フィルムの第２導電粒子として、第１導電フィルムの第１導電粒子よりも大きな粒径のものを使用するか、第１導電フィルムの第１導電粒子よりもが潰れ難いものを使用する。
【選択図】図６
【解決手段】複数のμＬＥＤ１が第１導電粒子３が第１絶縁性樹脂層２に保持されている第１導電フィルム４を介して実装されている発光装置１０のリペアにおいて、実装μＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定してレーザーリフトオフ法により透光性基板５から取り除き、μＬＥＤが取り除かれた透光性基板の部分に、第２導電粒子３０が第２絶縁性樹脂層２０に保持されているリペア用導電フィルム４０を個片状に設置した後リペア用μＬＥＤ１ｙを設置し、リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する。リペア用第２導電フィルムの第２導電粒子として、第１導電フィルムの第１導電粒子よりも大きな粒径のものを使用するか、第１導電フィルムの第１導電粒子よりもが潰れ難いものを使用する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のμＬＥＤが、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装されている発光装置のリペア方法であって、以下の工程（Ａ）～（Ｆ）：
（工程Ａ）
実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程：
（工程Ｂ）
リペア対象のμＬＥＤをレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程：
（工程Ｃ）
μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程；
（工程Ｄ）
透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程；
（工程Ｅ）
リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程；及び
（工程Ｆ）
リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程
を有し、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっている、リペア方法。
（工程Ａ）
実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程：
（工程Ｂ）
リペア対象のμＬＥＤをレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程：
（工程Ｃ）
μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程；
（工程Ｄ）
透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程；
（工程Ｅ）
リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程；及び
（工程Ｆ）
リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程
を有し、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっている、リペア方法。
【請求項2】
第１導電粒子の平均粒径Ｄ１が１μｍ以上５μｍ以下であり、第２導電粒子の平均粒径Ｄ２はＤ１の１．１倍以上２倍以下である請求項１記載のリペア方法。
【請求項3】
第１導電粒子の２０％圧縮弾性率Ｅ１（２０％Ｋ値）が２０００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下であり、第２導電粒子の２０％圧縮弾性率Ｅ２（２０％Ｋ値）はＥ１の１．１倍以上２．５倍以下である請求項１記載のリペア方法。
【請求項4】
第１導電フィルム及びリペア用第２導電フィルムが、それぞれ異方導電性を有するものである請求項１記載のリペア方法。
【請求項5】
工程Ａにおいて、発光装置を動作させた際に不点灯のμＬＥＤをリペア対象のμＬＥＤとして特定する請求項１記載のリペア方法。
【請求項6】
工程Ｂにおいて、リペア対象のμＬＥＤをその直下の第１導電フィルムと共にレーザーリフトオフ法により取り除く請求項１記載のリペア方法。
【請求項7】
工程Ｃにおいて、レーザーリフトオフ法によりリペア用導電フィルムを個片状に設置する請求項１記載のリペア方法。
【請求項8】
工程Ｄにおいて、レーザーリフトオフ法によりリペア用μＬＥＤを設置する請求項１記載のリペア方法。
【請求項9】
複数のμＬＥＤが透光性基板に実装されている発光装置であって、
大多数のμＬＥＤについては、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装され、残余の少数のμＬＥＤについては、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用第２導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装され、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れていない発光装置。
大多数のμＬＥＤについては、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装され、残余の少数のμＬＥＤについては、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用第２導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装され、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れていない発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子としてμＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が実装された発光装置のリペア方法及び発光装置に関する。具体的には、実装された複数のμＬＥＤの内の発光状態が不良のμＬＥＤを良品のμＬＥＤにリペアする発光装置のリペア方法及びリペアされたμＬＥＤを有する発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、膨大な数のμＬＥＤをパネル基板に実装したフルカラーディスプレイなどの発光装置が注目されている（図７参照）。このような発光装置１０は、多数個のμＬＥＤ１００が、熱硬化性の絶縁性樹脂層１０１に導電粒子１０２が保持された（異方性）導電フィルム１０３を介して透光性基板１０４に熱圧着により実装された構造を有している。この構造においては、μＬＥＤ１００と透光性基板１０４との間の導通を確保するために、μＬＥＤ１００の電極１００ａと透光性基板１０４の電極（図示せず）との間で、導電粒子１０２を押し潰すように熱圧着して実装している。
【0003】
ところで、このような発光装置１０においては、一部のμＬＥＤが不点灯となった場合には、そのような不点灯のμＬＥＤをリペアすることが行われている（特許文献１、２等）。具体的には、図８に示すように、まず、不点灯のμＬＥＤ１００に対して、レーザーリフトオフ法により、透光性基板１０４側からレーザーＬを照射することにより透光性基板１０４から導電フィルムと共に選択的に取り除き、続いて、図９に示すように、透光性基板１０４の不点灯μＬＥＤが取り除かれた部分に、スタンプ法やレーザーリフト法等により、個片とする以外、導電フィルム１０３と同じ構成のリペア用導電フィルム１０３ａと、μＬＥＤ１００と同じ構成のリペア用μＬＥＤ１００Ｒとを設置し、図１０に示すように、リペア用μＬＥＤ１００Ｒの表面積よりも非常に大きな表面積を有しているヒートツール１０５で、リペア用μＬＥＤ１００Ｒを透光性基板１０４に押し込んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－１４０９３４号公報
【特許文献2】特開２０２１－１４４９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、図１０のように押し込んだ場合、その時点では、リペア用μＬＥＤ１００Ｒの周囲のμＬＥＤ１００と透光性基板１０４との間の導電フィルム１０３を構成する絶縁性樹脂層１０１は既に硬化しているため、ヒートツール１０５での押し込みでは変形し難くなっている。このため、リペア用μＬＥＤ１００Ｒを、その周囲のμＬＥＤ１００と同じ高さまでしか押し込めず、ヒートツール１０５を引き上げると、図１１に示すように、スプリングバック現象が発生し、リペア用μＬＥＤ１００Ｒの電極１００Ｒａと透光性基板１０４の電極（図示せず）との間の導電粒子１０２ａが潰れず、導通抵抗が増大し、場合によりリペア用μＬＥＤ１００Ｒが不点灯になり、再度のリペアを行う必要が生じるという問題があった。
【0006】
本発明は、従来の問題を解決しようとするものであり、複数のμＬＥＤが、導電粒子が絶縁性樹脂層に保持されている導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装されている発光装置において、点灯状態が不良のμＬＥＤをリペアする際に、リペアしたμＬＥＤが良好に点灯するようリペアすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
発明者らは、上述の従来の問題が、リペア用μＬＥＤを透光性基板に設置する際に使用するリペア用導電フィルムとして、複数のμＬＥＤを透光性基板に最初に設置する際に使用した当初導電フィルムと同じものを使用したことに起因しているのではないかとの仮定の下、当初導電フィルム及びリペア用導電フィルムのそれぞれを構成する導電粒子について検討した。その結果、後述するように、当初導電フィルムの導電粒子よりもリペア用導電フィルムの導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は当初導電フィルムの導電粒子よりもリペア用導電フィルムの導電粒子の方が潰れ難くなっていれば上述の本発明の問題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0008】
即ち、本発明は、複数のμＬＥＤが、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装されている発光装置のリペア方法であって、以下の工程（Ａ）～（Ｆ）：
（工程Ａ）
実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程：
（工程Ｂ）
リペア対象のμＬＥＤをレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程：
（工程Ｃ）
μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程；
（工程Ｄ）
透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程；
（工程Ｅ）
リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程；及び
（工程Ｆ）
リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程
を有し、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっているリペア方法である。
（工程Ａ）
実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程：
（工程Ｂ）
リペア対象のμＬＥＤをレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程：
（工程Ｃ）
μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程；
（工程Ｄ）
透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程；
（工程Ｅ）
リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程；及び
（工程Ｆ）
リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程
を有し、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっているリペア方法である。
【0009】
また、本発明は、複数のμＬＥＤが透光性基板に実装されている発光装置であって、
大多数のμＬＥＤについては、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に圧着（例えば熱圧着）により実装され、残余の少数のμＬＥＤについては、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用第２導電フィルムを介して透光性基板に圧着（例えば熱圧着）により実装され、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れていない発光装置を提供する。
大多数のμＬＥＤについては、第１導電粒子が第１絶縁性樹脂層に保持されている第１導電フィルムを介して透光性基板に圧着（例えば熱圧着）により実装され、残余の少数のμＬＥＤについては、第２導電粒子が第２絶縁性樹脂層に保持されているリペア用第２導電フィルムを介して透光性基板に圧着（例えば熱圧着）により実装され、
第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れていない発光装置を提供する。
【発明の効果】
【0010】
本発明の発光装置のリペア方法では、（ａ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有していること、又は（ｂ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっていること（換言すれば、２０％圧縮弾性率が高くなっている）が特徴となっている。このため、接続対象の対向電極間に安定的な導通を実現することができる。従って、本発明の発光装置のリペア方法によれば、複数のμＬＥＤが、導電粒子が絶縁性樹脂層に保持されている導電フィルムを介して透光性基板に圧着（例えば熱圧着）により実装されている発光装置において、点灯状態が不良のμＬＥＤをリペアすると、リペアしたμＬＥＤを良好に点灯するようにでき、再リペアを不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0013】
＜発光装置のリペア方法＞
本発明は、発光装置のリペア方法であり、リペア方法を適用する発光装置は、代表的には図１に示す構造を有する。即ち、発光装置１０のリペア方法であって、複数のμＬＥＤ１が、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されている第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装されている発光装置１０のリペア方法であって、以下の工程（Ａ）～（Ｆ）を有する。以下、各工程を説明した後、本発明を特徴づける導電粒子の特徴について説明し、更にリペア方法に適用可能な各構成要素について説明する。
本発明は、発光装置のリペア方法であり、リペア方法を適用する発光装置は、代表的には図１に示す構造を有する。即ち、発光装置１０のリペア方法であって、複数のμＬＥＤ１が、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されている第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装されている発光装置１０のリペア方法であって、以下の工程（Ａ）～（Ｆ）を有する。以下、各工程を説明した後、本発明を特徴づける導電粒子の特徴について説明し、更にリペア方法に適用可能な各構成要素について説明する。
【0014】
（工程Ａ）
工程Ａは、実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程である。リペア対象のμＬＥＤを特定するための指標としては、点灯の有無、発光量不足の有無、色や形状や大きさの外観異常の有無、アライメント誤差の有無等が挙げられる。通常、不点灯なものをリペア対象とする。図１の場合、中央の不点灯μＬＥＤがリペア対象のものとして特定される。なお、リペア前の発光装置１０は、図１に示すように、複数のμＬＥＤ１が、熱硬化した第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持された第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装された構造を有している。このような発光装置１０では、μＬＥＤ１の電極１ａと透光性基板５の電極（図示せず）との間に押し潰された導電粒子２が配されている。
工程Ａは、実装されている複数のμＬＥＤの中からリペア対象のμＬＥＤを特定する工程である。リペア対象のμＬＥＤを特定するための指標としては、点灯の有無、発光量不足の有無、色や形状や大きさの外観異常の有無、アライメント誤差の有無等が挙げられる。通常、不点灯なものをリペア対象とする。図１の場合、中央の不点灯μＬＥＤがリペア対象のものとして特定される。なお、リペア前の発光装置１０は、図１に示すように、複数のμＬＥＤ１が、熱硬化した第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持された第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装された構造を有している。このような発光装置１０では、μＬＥＤ１の電極１ａと透光性基板５の電極（図示せず）との間に押し潰された導電粒子２が配されている。
【0015】
（工程Ｂ）
工程Ｂは、リペア対象のμＬＥＤ（例えば、不点灯μＬＥＤ）をレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程である。具体的には、図２に示すように、取り除くべき不点灯のμＬＥＤ１ｘに対して、発光装置１０の透光性基板５側からレーザーＬを照射し、不点灯のμＬＥＤ１ｘをその直下の第１導電フィルム４（換言すれば、不点灯のμＬＥＤ１ｘと透光性基板５との間に位置している第１導電フィルム４）と共に、別途用意した粘着フィルムに選択的に移送し、取り除くことができる。レーザーリフトオフ法を実施するためのレーザーリフトオフ装置としては、市販のレーザーリフトオフ装置（例えば、商品名「Ｉｎ ｖｉｓｉ ＬＵＭ－ＸＴＲ」、信越化学工業（株）製）を使用することができる。また、レーザーリフトオフ条件も、リペア対象のμＬＥＤや発光装置の形状、構成材料、構造や、使用するレーザーリフトオフ装置の推奨条件等を考慮して適宜選択することができる。なお、第１導電フィルム４は、異方導電性であってもよい。
工程Ｂは、リペア対象のμＬＥＤ（例えば、不点灯μＬＥＤ）をレーザーリフトオフ法により透光性基板から取り除く工程である。具体的には、図２に示すように、取り除くべき不点灯のμＬＥＤ１ｘに対して、発光装置１０の透光性基板５側からレーザーＬを照射し、不点灯のμＬＥＤ１ｘをその直下の第１導電フィルム４（換言すれば、不点灯のμＬＥＤ１ｘと透光性基板５との間に位置している第１導電フィルム４）と共に、別途用意した粘着フィルムに選択的に移送し、取り除くことができる。レーザーリフトオフ法を実施するためのレーザーリフトオフ装置としては、市販のレーザーリフトオフ装置（例えば、商品名「Ｉｎ ｖｉｓｉ ＬＵＭ－ＸＴＲ」、信越化学工業（株）製）を使用することができる。また、レーザーリフトオフ条件も、リペア対象のμＬＥＤや発光装置の形状、構成材料、構造や、使用するレーザーリフトオフ装置の推奨条件等を考慮して適宜選択することができる。なお、第１導電フィルム４は、異方導電性であってもよい。
【0016】
（工程Ｃ）
工程Ｃは、μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２絶縁性樹脂層に第２導電粒子が保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程である。具体的には、図３に示すように、μＬＥＤが取り除かれた発光装置１０の透光性基板５の露出表面に、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０を個片状に設置する。リペア用第２導電フィルム４０を個片状に設置する手法としては、スタンプ法、スクリーン印刷法、インクジェット法等の公知の手法を採用することができるが、レーザーリフトオフ法により設置することが好ましい。例えば、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０が、透明基板の粘着層の全面に形成された積層体（透明基板／粘着層／リペア用第２導電フィルム）に対して、リペア用第２導電フィルム４０が個片状に残るように、レーザーリフトオフ法によりレーザーを透明基板側から照射して不要なリペア用第２導電フィルム４０を除去することにより多数の個片状のリペア用第２導電フィルム４０を有する導電フィルム転写シートを取得し、その導電フィルム転写シートのリペア用第２導電フィルム４０を、露出した透光性基板５の表面に位置合わせし、導電フィルム転写シートの透明基板側からレーザーを照射してリペア用第２導電フィルム４０を透光性基板５の露出表面に移送することができる。なお、リペア用第２導電フィルム４０は異方導電性であってもよい。
工程Ｃは、μＬＥＤが取り除かれた、透光性基板の部分に、第２絶縁性樹脂層に第２導電粒子が保持されているリペア用導電フィルムを個片状に設置する工程である。具体的には、図３に示すように、μＬＥＤが取り除かれた発光装置１０の透光性基板５の露出表面に、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０を個片状に設置する。リペア用第２導電フィルム４０を個片状に設置する手法としては、スタンプ法、スクリーン印刷法、インクジェット法等の公知の手法を採用することができるが、レーザーリフトオフ法により設置することが好ましい。例えば、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０が、透明基板の粘着層の全面に形成された積層体（透明基板／粘着層／リペア用第２導電フィルム）に対して、リペア用第２導電フィルム４０が個片状に残るように、レーザーリフトオフ法によりレーザーを透明基板側から照射して不要なリペア用第２導電フィルム４０を除去することにより多数の個片状のリペア用第２導電フィルム４０を有する導電フィルム転写シートを取得し、その導電フィルム転写シートのリペア用第２導電フィルム４０を、露出した透光性基板５の表面に位置合わせし、導電フィルム転写シートの透明基板側からレーザーを照射してリペア用第２導電フィルム４０を透光性基板５の露出表面に移送することができる。なお、リペア用第２導電フィルム４０は異方導電性であってもよい。
【0017】
（工程Ｄ）
工程Ｄは、透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程である。具体的には、図４に示すように、μＬＥＤが取り除かれた発光装置１０の露出したリペア用第２導電フィルム４０に、リペア用μＬＥＤ１ｙをその電極１ｙａ側から設置する。リペア用μＬＥＤ１ｙをリペア用第２導電フィルム４０に設置する手法としては、公知の手法を採用することができる。例えば、レーザーリフトオフ法によりμＬＥＤウエハ基板の裏面からリペア用μＬＥＤ１ｙにレーザーを照射し、直接的にリペア用第２導電フィルム４０に移送することができる。あるいは、粘着性転写シートに予めリペア用μＬＥＤを転写しておき、転写シートからリペア用第２導電フィルム４０に移送させてもよい。
工程Ｄは、透光性基板に設置されたリペア用導電フィルムに対してリペア用μＬＥＤを設置する工程である。具体的には、図４に示すように、μＬＥＤが取り除かれた発光装置１０の露出したリペア用第２導電フィルム４０に、リペア用μＬＥＤ１ｙをその電極１ｙａ側から設置する。リペア用μＬＥＤ１ｙをリペア用第２導電フィルム４０に設置する手法としては、公知の手法を採用することができる。例えば、レーザーリフトオフ法によりμＬＥＤウエハ基板の裏面からリペア用μＬＥＤ１ｙにレーザーを照射し、直接的にリペア用第２導電フィルム４０に移送することができる。あるいは、粘着性転写シートに予めリペア用μＬＥＤを転写しておき、転写シートからリペア用第２導電フィルム４０に移送させてもよい。
【0018】
（工程Ｅ）
工程Ｅは、リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程である。具体的には、図５に示すように、リペア用μＬＥＤ１ｙを、その上からヒートツールＨで加熱しながら透光性基板５に押し込み、リペア用第２導電フィルム４０の第２導電粒子３０を押し潰しながら熱硬化性の第２絶縁性樹脂層２０を熱硬化させることにより実装する。これにより図６の構造の発光装置１０を取得することができる。
工程Ｅは、リペア用μＬＥＤを熱圧着して透光性基板に実装する工程である。具体的には、図５に示すように、リペア用μＬＥＤ１ｙを、その上からヒートツールＨで加熱しながら透光性基板５に押し込み、リペア用第２導電フィルム４０の第２導電粒子３０を押し潰しながら熱硬化性の第２絶縁性樹脂層２０を熱硬化させることにより実装する。これにより図６の構造の発光装置１０を取得することができる。
【0019】
（工程Ｆ）
工程Ｆは、リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程である。具体的には、発光装置を動作させ、リペア用μＬＥＤ１ｙが点灯することを確認する。これにより発光装置のリペアが完了する。
工程Ｆは、リペア用μＬＥＤが実装された発光装置の動作確認を行う工程である。具体的には、発光装置を動作させ、リペア用μＬＥＤ１ｙが点灯することを確認する。これにより発光装置のリペアが完了する。
【0020】
＜本発明の発光装置のリペア方法を特徴づける導電粒子の特徴＞
本発明の発光装置のリペア方法においては、（ａ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有していること、又は（ｂ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっている（換言すれば、２０％圧縮弾性率が高くなっている）ことが特徴となっている。勿論、（ａ）と（ｂ）とを同時に満たしてもよい。
本発明の発光装置のリペア方法においては、（ａ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が大きな粒径を有していること、又は（ｂ）第１導電フィルムの第１導電粒子よりもリペア用第２導電フィルムの第２導電粒子の方が潰れ難くなっている（換言すれば、２０％圧縮弾性率が高くなっている）ことが特徴となっている。勿論、（ａ）と（ｂ）とを同時に満たしてもよい。
【0021】
前者（ａ）の場合、リペア用μＬＥＤを実装するために透光性基板にリペア用導電フィルムとリペア用μＬＥＤとを設置した際に、リペア用μＬＥＤの透光性基板表面からの高さが、実装済の周囲のμＬＥＤの高さよりも高くなり、その結果、ヒートツールでリペア用μＬＥＤを熱圧着で実装する際に第２導電粒子に圧力を十分に集中し、接続対象の対向電極間で安定的な導通を実現することができる。
【0022】
第１導電フィルムの第１導電粒子の平均粒径Ｄ１は、粒子捕捉効率やμＬＥＤのサイズへの適用の観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。また、第２導電粒子の平均粒径Ｄ２は、μＬＥＤのサイズに適用させ且つリペア性を担保させるために、第１導電粒子の平均粒径Ｄ１の好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．３倍以上、好ましくは２倍以下、より好ましくは１．７倍以下である。なお、導電粒子の平均粒径は、公知の手法により測定でき、例えば画像型粒度分布計（ＦＰＩＡ－３０００、マルバーン・パナリティカル社製）で測定することができる。
【0023】
また、後者（ｂ）の場合、ヒートツールでリペア用μＬＥＤを熱圧着で実装する際に少ない圧力で、接続対象の対向電極表面の酸化皮膜を突き破ることができ、接続対象の対向電極間で安定的な導通を実現することができる。
【0024】
導電粒子の潰れ易さは、圧縮弾性率で評価することができる。これは、導電粒子の圧縮弾性率の数値が高い程、導電粒子が潰れ難いという性質を示すからであり、また、２０％圧縮時（２０％Ｋ値）で評価するのは、２０％も圧縮すると、圧縮された導電粒子による導通が安定するからである。第１導電粒子の２０％圧縮弾性率Ｅ１（２０％Ｋ値）は、μＬＥＤに適用するために、好ましくは２０００ＭＰａ以上、より好ましくは３０００ＭＰａ以上、好ましくは６０００ＭＰａ以下、より好ましくは５０００ＭＰａ以下である。また、第２導電粒子の２０％圧縮弾性率Ｅ２（２０％Ｋ値）は、μＬＥＤのサイズに適用させ且つリペア性を担保させるためにＥ１の好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．３倍以上、好ましくは２．５倍以下、より好ましくは２倍以下であり、好ましくは４０００ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下である。２０％圧縮弾性率は、微小圧縮試験機（例えば、フィッシャー・インストルメンツ社製、フィッシャースコープＨ－１００）を用いて導電粒子に圧縮荷重を加えたときの導電粒子の圧縮変量を測定し、導電粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）をＦ、導電粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）をＳ、導電粒子の平均半径（ｍｍ）をＲとしたとき、以下式により算出することができる。
【0025】
【数1】
【0026】
以上説明したとおり、本発明の発光装置のリペア方法によれば、複数のμＬＥＤが、導電粒子が絶縁性樹脂層に保持されている導電フィルムを介して透光性基板に熱圧着により実装されている発光装置において、点灯状態が不良のμＬＥＤをリペアすると、リペアしたμＬＥＤを良好に点灯するようにでき、再リペアを不要とすることができる。
【0027】
＜本発明のリペア方法に適用する構成要素の一例の説明＞
（発光装置１０）
本発明のリペア方法が適用される発光装置１０は、μＬＥＤを発光素子として使用するものであり、フルカラーディスプレイ等の画像表示装置、照明装置などを例示することができる。μＬＥＤに代えて、ミニＬＥＤなどの別の微小な発光素子や微小な部品（電子部品）に適用することもできる。大きさの一例として、１辺の最大長が２００μｍ以下のものが挙げられる。１０～３０μｍ角の手作業が極めて困難な大きさになるとこともある。
（発光装置１０）
本発明のリペア方法が適用される発光装置１０は、μＬＥＤを発光素子として使用するものであり、フルカラーディスプレイ等の画像表示装置、照明装置などを例示することができる。μＬＥＤに代えて、ミニＬＥＤなどの別の微小な発光素子や微小な部品（電子部品）に適用することもできる。大きさの一例として、１辺の最大長が２００μｍ以下のものが挙げられる。１０～３０μｍ角の手作業が極めて困難な大きさになるとこともある。
【0028】
（μＬＥＤ１）
μＬＥＤとしては、公知のものを使用することができ、平面視したときに好ましくは最大長が３μｍ以上１００μｍ以下のものであり、その片面に電極が配置されているフリップチップ型のものである。電極としては、公知のμＬＥＤに適用されているものを適宜適用することができ、例えば、インジウムＩＴＯ等の透明電極を好ましく適用することができる。また、電極の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。
μＬＥＤとしては、公知のものを使用することができ、平面視したときに好ましくは最大長が３μｍ以上１００μｍ以下のものであり、その片面に電極が配置されているフリップチップ型のものである。電極としては、公知のμＬＥＤに適用されているものを適宜適用することができ、例えば、インジウムＩＴＯ等の透明電極を好ましく適用することができる。また、電極の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。
【0029】
（第１導電フィルム４）
第１導電フィルム４は、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されているものであって、導電フィルムあるいは異方性導電フィルムとして使用できるものである。また、第１導電フィルム４は、透光性基板５の全面にベタで適用されてもよく、スタンプ法、インクジェット法、レーザーリフトオフ法等により個片状に適用されてもよい。
第１導電フィルム４は、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されているものであって、導電フィルムあるいは異方性導電フィルムとして使用できるものである。また、第１導電フィルム４は、透光性基板５の全面にベタで適用されてもよく、スタンプ法、インクジェット法、レーザーリフトオフ法等により個片状に適用されてもよい。
【0030】
（第１導電粒子３）
第１導電フィルム４を構成する第１導電粒子３は、公知の導電フィルムや異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、半田などの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケル、金などの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。これにより、μＬＥＤに半田バンプなどの接続部位が設けられていない場合でも、導通が可能となる。
第１導電フィルム４を構成する第１導電粒子３は、公知の導電フィルムや異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、半田などの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケル、金などの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。これにより、μＬＥＤに半田バンプなどの接続部位が設けられていない場合でも、導通が可能となる。
【0031】
第１導電粒子３に関し、平均粒径については既に説明したとおりであるが、粒子面密度の下限に関しては、好ましくは５００個／ｍｍ２以上、上限に関しては、好ましくは２０００００個／ｍｍ２以下、より好ましくは１５００００個／ｍｍ２以下、特に好ましくは１２００００個／ｍｍ２以下とすることができる。
【0032】
また、第１導電粒子３は、フィルム面視野でランダムに配置されていてもよいが、個々に独立して配置されていることが好ましい。この場合、導電粒子の個数基準で９５％以上が独立していることが好ましい。更に、導電粒子は、個々に独立して配置されているだけでなく、規則的に配列されていることが好ましい。特に、フィルム面視野で互いに直交する方向のそれぞれの方向における粒子配置が周期的に繰り返される配置が好ましい。例えば、６方格子、長方格子、斜方格子、正方格子、その他の矩形格子等の格子配列を挙げることができる。また、導電粒子が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させた配列としてもよい。このように、フィルム面視野で導電粒子を規則配列させることにより、導電粒子面密度を均一にすることができ、レーザー光の照射によるμＬＥＤの転写率をさらに向上させることができる。
【0033】
（第１絶縁性樹脂層２）
第１絶縁性樹脂層２は、第１導電粒子３を保持するものであり、導電粒子を確実に保持するために、ヒートツールＨで熱圧着を行った際に熱硬化する熱硬化性樹脂組成物から形成されたものであり、熱圧着前の層厚としては、導電粒子捕捉性の観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。
第１絶縁性樹脂層２は、第１導電粒子３を保持するものであり、導電粒子を確実に保持するために、ヒートツールＨで熱圧着を行った際に熱硬化する熱硬化性樹脂組成物から形成されたものであり、熱圧着前の層厚としては、導電粒子捕捉性の観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。
【0034】
第１絶縁性樹脂層２は、透光性基板５への安定した貼り付け性のために優れたクッション性（衝撃吸収性）を示すことが好ましい。これにより、μＬＥＤのずれ、変形、破壊、抜けなどの不良の発生を抑制し、レーザーの照射によるμＬＥＤの転写率を向上させることができる。このようなクッション性は、後述するように、デュロメータＡ硬度及び／又は貯蔵弾性率で評価することができる。
【0035】
第１絶縁性樹脂層２のデュロメータＡ硬度は、好ましくは２０以上４０以下、より好ましくは２０以上３５以下、特に好ましくは２０以上３０以下である。デュロメータＡ硬度が高すぎる場合、第１絶縁性樹脂層が硬すぎて、μＬＥＤの変形、破壊などの不良が発生し易くなる傾向にあり、デュロメータＡ硬度が低すぎる場合、第１絶縁性樹脂層２が柔らかすぎて、μＬＥＤのずれなどの不良が発生し易くなる傾向にある。第１絶縁性樹脂層２のデュロメータＡ硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準拠し、デュロメータＡを用いてゴム硬度（日本工業規格ＪＩＳ－Ａ硬度）で測定することができる。
【0036】
第１絶縁性樹脂層２の貯蔵弾性率は、好ましくは６０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは１０ＭＰａ以下である。貯蔵弾性率が高すぎる場合、レーザー照射で高速に弾き出されたμＬＥＤの衝撃を吸収できず、μＬＥＤの転写率が低下する傾向にある。貯蔵弾性率は、押し込み試験装置を用いた動的粘弾性試験（温度３０℃、周波数２００Ｈｚ、直径１００μｍのフラットパンチを使用、目標押し込み深さを１μｍ、周波数１～２００Ｈｚの範囲を掃引）により求めることができる。
【0037】
また、第１絶縁性樹脂層２の熱硬化により形成される熱硬化樹脂層について、ＪＩＳ Ｋ７２４４に準拠した引張モードで測定された貯蔵弾性率（３０℃）は、好ましくは１００ＭＰａ以上、より好ましくは２０００ＭＰａ以上である。温度３０℃における貯蔵弾性率が低すぎる場合、良好な導通性が得られず、接続信頼性も低下する傾向にある。なお、温度３０℃における貯蔵弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７２４４に準拠し、粘弾性試験機（レオバイブロン、株式会社エー・アンド・デイ）を用いた引張モードで、例えば、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎの測定条件で測定することができる。
【0038】
第１絶縁性樹脂層２を形成するための熱硬化性樹脂組成物としては、好ましくは、ゴム成分と、膜形成樹脂と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、無機フィラーとを含有するものである。必要に応じて、発明の効果を損なわない範囲で公知の他の添加剤を含有することができる。
【0039】
＊ゴム成分
熱硬化性樹脂組成物が含有するゴム成分は、第１絶縁性樹脂層にクッション性（衝撃吸収性）を付与するための成分であり、クッション性の良好なエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。これらの中でも、アクリルゴム、シリコーンゴムから選択される１種以上であることが好ましい。ゴム成分の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは２質量部以上、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下である。
熱硬化性樹脂組成物が含有するゴム成分は、第１絶縁性樹脂層にクッション性（衝撃吸収性）を付与するための成分であり、クッション性の良好なエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。これらの中でも、アクリルゴム、シリコーンゴムから選択される１種以上であることが好ましい。ゴム成分の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは２質量部以上、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下である。
【0040】
＊膜形成樹脂
膜形成樹脂としては、膜形成性の観点から、好ましくは約１００００以上８００００以下の重量平均分子量のフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは２０質量部以上、より好ましくは２５質量部以上、特に好ましくは３５質量部以上、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４５質量部以下である。
膜形成樹脂としては、膜形成性の観点から、好ましくは約１００００以上８００００以下の重量平均分子量のフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは２０質量部以上、より好ましくは２５質量部以上、特に好ましくは３５質量部以上、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４５質量部以下である。
【0041】
＊熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂としては、エポキシ化合物、（メタ）アクリレート化合物等を挙げることができ、特にエポキシ化合物が好ましい。これらの化合物はモノマー、オリゴマー、ポリマーであってもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１０質量部以上、より好ましくは２０質量部以上、特に好ましくは２５質量部以上、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４０質量部以下、特に好ましくは３５質量部以下である。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ化合物、（メタ）アクリレート化合物等を挙げることができ、特にエポキシ化合物が好ましい。これらの化合物はモノマー、オリゴマー、ポリマーであってもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１０質量部以上、より好ましくは２０質量部以上、特に好ましくは２５質量部以上、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４０質量部以下、特に好ましくは３５質量部以下である。
【0042】
熱硬化性樹脂として使用できるエポキシ化合物としては、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。これらの中でも、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を好ましく用いることができる。高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例としては、例えば三菱ケミカル株式会社製の商品名「ＹＬ９８０」を挙げることができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ化合物を使用する場合、エポキシ化合物の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは３０質量部以上、より好ましくは３５質量部以上、好ましくは６０質量部以下、より好ましくは５５質量部以下、さらに好ましくは４５質量部以下である。
【0043】
＊熱硬化剤
熱硬化剤は、熱硬化性樹脂に応じて選択され、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ化合物である場合には、熱アニオン重合開始剤又は熱カチオン重合開始剤を好ましく選択することができ、レーザー光による硬化反応を抑制し、熱により速硬化させることができる熱カチオン重合開始剤をより好ましく選択することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化剤の種類や熱硬化性樹脂の種類等に応じて決定することができる。熱硬化剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは２質量部以上、特に好ましくは３質量部以上、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは８質量部以下、特に好ましくは６質量部以下である。
熱硬化剤は、熱硬化性樹脂に応じて選択され、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ化合物である場合には、熱アニオン重合開始剤又は熱カチオン重合開始剤を好ましく選択することができ、レーザー光による硬化反応を抑制し、熱により速硬化させることができる熱カチオン重合開始剤をより好ましく選択することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化剤の種類や熱硬化性樹脂の種類等に応じて決定することができる。熱硬化剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは２質量部以上、特に好ましくは３質量部以上、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは８質量部以下、特に好ましくは６質量部以下である。
【0044】
なお、エポキシ化合物に好ましく適用可能な熱カチオン重合開始剤としては、熱によりカチオン重合型化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができる。これらの中でも、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。芳香族スルホニウム塩系の重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「サンエイドＳＩ－６０Ｌ」を挙げることができる。このような熱カチオン重合開始剤の含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは２質量部以上、特に好ましくは３質量部以上、より好ましくは１５質量部以下、より好ましくは１０質量部以下、特に好ましくは８質量部以下である。
【0045】
＊無機フィラー
熱硬化性樹脂組成物中の無機フィラーは、第１絶縁性樹脂層２のデュロメータＡ硬度、周波数２００Ｈｚにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を調整する目的で用いられるものであり、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、シランカップリング剤、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも２種類以上を併用してもよい。
熱硬化性樹脂組成物中の無機フィラーは、第１絶縁性樹脂層２のデュロメータＡ硬度、周波数２００Ｈｚにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を調整する目的で用いられるものであり、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、シランカップリング剤、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも２種類以上を併用してもよい。
【0046】
無機フィラーの含有量は、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対し、好ましくは１質量部以上、より好ましくは５質量部以上、特に好ましくは８質量部以上、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１５質量部以下、特に好ましくは１２質量部以下である。特に、ゴム成分の含有量が、ゴム成分と膜形成樹脂と熱硬化性樹脂と熱硬化剤と無機フィラーとの合計１００質量部に対して２質量部以上１０質量部以下である場合に、無機フィラーの含有量を８質量部以上１２質量部以下とすることにより、所望のデュロメータＡ硬度、周波数２００Ｈｚにおける貯蔵弾性率、及び硬化後の貯蔵弾性率を容易に実現可能となる。
【0047】
（個片状のリペア用第２導電フィルム４０）
個片状のリペア用第２導電フィルム４０は、リペア対象のμＬＥＤが取り除かれた透光性基板５の露出した部分に設けられる導電フィルムであり、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されたものである。リペア用第２導電フィルム４０を個片化する手法としては、公知の手法を採用することができ、スクリーン印刷法、インクジェット法、レーザーリフトオフ法等を採用することができるが、レーザーリフトオフ法を好ましく採用することができる。
個片状のリペア用第２導電フィルム４０は、リペア対象のμＬＥＤが取り除かれた透光性基板５の露出した部分に設けられる導電フィルムであり、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されたものである。リペア用第２導電フィルム４０を個片化する手法としては、公知の手法を採用することができ、スクリーン印刷法、インクジェット法、レーザーリフトオフ法等を採用することができるが、レーザーリフトオフ法を好ましく採用することができる。
【0048】
なお、リペア用第２導電フィルム４０を構成する第２絶縁性樹脂層２０及び第２導電粒子３０については、導電粒子の平均粒径や潰れ難さについて段落００２０～００２６に記載した内容以外については、第１絶縁性樹脂層２及び第１導電粒子３と同様の構成とすることができる。目的に応じて調整するために、異なる構成としてもよい。
【0049】
（リペア用μＬＥＤ１ｙ及びその電極１ｙａ）
リペア用μＬＥＤ１ｙ及びその電極１ｙａについては、既に説明したμＬＥＤ１及びその電極１ａと同じ構成とすることができる。
リペア用μＬＥＤ１ｙ及びその電極１ｙａについては、既に説明したμＬＥＤ１及びその電極１ａと同じ構成とすることができる。
【0050】
（透光性基板５）
透光性基板５としては、μＬＥＤを使用した公知の発光装置の透光性基板を採用することができ、例えば、ガラス基板、石英基板、メタアクリル酸エステル基板、ポリカーボネート基板等を使用することができる。透光性基板５の厚み及び透光性の程度は、レーザーリフトオフ法を適用できる厚み及び透光性の程度であればよい。
透光性基板５としては、μＬＥＤを使用した公知の発光装置の透光性基板を採用することができ、例えば、ガラス基板、石英基板、メタアクリル酸エステル基板、ポリカーボネート基板等を使用することができる。透光性基板５の厚み及び透光性の程度は、レーザーリフトオフ法を適用できる厚み及び透光性の程度であればよい。
【0051】
＜発光装置＞
以上説明した発光装置のリペア法を実施することにより取得したリペアされたμＬＥＤを有する発光装置１０それ自体も、本発明の一部である。即ち、図６に示すように、複数のμＬＥＤ１が透光性基板５に実装されている発光装置１０は、大多数のμＬＥＤ１については、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されている第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装され、残余の少数のμＬＥＤ１ｙ（リペアされたμＬＥＤ）については、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０を介して透光性基板５に熱圧着により実装されている構造を有する。図６の態様では、第１導電フィルム４並びにリペア用第２導電フィルム４０は熱硬化した状態となっている。
以上説明した発光装置のリペア法を実施することにより取得したリペアされたμＬＥＤを有する発光装置１０それ自体も、本発明の一部である。即ち、図６に示すように、複数のμＬＥＤ１が透光性基板５に実装されている発光装置１０は、大多数のμＬＥＤ１については、第１絶縁性樹脂層２に第１導電粒子３が保持されている第１導電フィルム４を介して透光性基板５に熱圧着により実装され、残余の少数のμＬＥＤ１ｙ（リペアされたμＬＥＤ）については、第２絶縁性樹脂層２０に第２導電粒子３０が保持されているリペア用第２導電フィルム４０を介して透光性基板５に熱圧着により実装されている構造を有する。図６の態様では、第１導電フィルム４並びにリペア用第２導電フィルム４０は熱硬化した状態となっている。
【0052】
この発光装置１０では、第１導電フィルム４の第１導電粒子３よりもリペア用第２導電フィルム４０の第２導電粒子３０の方が大きな粒径を有しているか、又は第１導電フィルム４の第１導電粒子３よりもリペア用第２導電フィルム４０の第２導電粒子３０の方が潰れている構造を有している。導電粒子の平均粒径の大きさや潰れ方については、本発明の発光装置のリペア方法で説明したとおりである。なお、第２導電粒子の方が第１導電粒子よりも大きな粒径を有している場合、透光性基板表面からリペアされたμＬＥＤ表面までの高さが、その周囲のリペアされていないμＬＥＤの高さよりも高くなっている構造を有している。このような構造を有する本発明の発光装置は、接続対象の対向電極間に安定的な導通を実現することができ、リペアしたμＬＥＤの再リペアを不要もしくは極めて少なくすることができる。
【実施例0053】
以下、本発明を実施例及び比較例により具体的に説明する。
【0054】
参考例＜導電粒子の潰れ具合とＬＥＤ点灯・不点灯との関係＞
（導電フィルムの作成）
フェノキシ樹脂（ＰＫＨＨ、巴工業株式会社）５０質量部、液状エポキシ樹脂（ＹＬ９８０、三菱ケミカル株式会社）４０質量部、ヒュームドシリカ（ＲＹ２００、日本アエロジル株式会社）５質量部、及びカチオン重合開始剤（サンエイドＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社）５質量部を均一に混合することにより熱硬化性の絶縁性樹脂組成物を調製した。
（導電フィルムの作成）
フェノキシ樹脂（ＰＫＨＨ、巴工業株式会社）５０質量部、液状エポキシ樹脂（ＹＬ９８０、三菱ケミカル株式会社）４０質量部、ヒュームドシリカ（ＲＹ２００、日本アエロジル株式会社）５質量部、及びカチオン重合開始剤（サンエイドＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社）５質量部を均一に混合することにより熱硬化性の絶縁性樹脂組成物を調製した。
【0055】
得られた絶縁性樹脂組成物を、透光性の厚さ０．７ｍｍのガラス基材に塗布し、６０℃、３ｍｉｎの乾燥処理を施すことにより、４μｍ厚の熱硬化性の絶縁性樹脂層を形成した。この絶縁性樹脂層に対し、特許第６１８７６６５号の段落０１１１－０１１２及び図１Ａに記載の導電粒子規則配列処理にて、表１の平均粒子径及び２０％圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を示す導電粒子１～７（ミクロパールシリーズＡＵ、積水化学工業株式会社）を、それぞれ粒子密度５８０００個／ｍｍ２となるように六方格子状に規則配列させることにより、透光性基板上に導電フィルムを作成した。なお、透光性基板の導電フィルム側表面には、搭載するべきμＬＥＤの電極に対応して厚さ２００ｎｍの透明ＩＴＯ電極パターンが形成されていた。
【0056】
（発光装置の作成）
導電フィルムに対して、片面に電極が形成された縦６０μｍ×横３０μｍ×高さ１０μｍ（含む電極）の大きさのμＬＥＤ（電極個数：２個、電極寸法：縦１５μｍ×横１２μｍ、電極高さ：２μｍ）が、個数密度２５１８個／ｃｍ２（縦ピッチ２１６μｍ；横ピッチ１９２μｍ）で配置されているμＬＥＤウエハのμＬＥＤ側面を対向させ、以下の条件のレーザーリフトオフ法によりμＬＥＤを移送させ、ヒートツール（１６０℃、６０ＭＰａ一定、３０秒）で熱圧着（本圧着）することにより発光装置を作成した。これにより、導電粒子１～７の圧着前後の潰れ率を約５％刻みで比較し、潰れ率と点灯／不点灯の関係性を検討することができた。
導電フィルムに対して、片面に電極が形成された縦６０μｍ×横３０μｍ×高さ１０μｍ（含む電極）の大きさのμＬＥＤ（電極個数：２個、電極寸法：縦１５μｍ×横１２μｍ、電極高さ：２μｍ）が、個数密度２５１８個／ｃｍ２（縦ピッチ２１６μｍ；横ピッチ１９２μｍ）で配置されているμＬＥＤウエハのμＬＥＤ側面を対向させ、以下の条件のレーザーリフトオフ法によりμＬＥＤを移送させ、ヒートツール（１６０℃、６０ＭＰａ一定、３０秒）で熱圧着（本圧着）することにより発光装置を作成した。これにより、導電粒子１～７の圧着前後の潰れ率を約５％刻みで比較し、潰れ率と点灯／不点灯の関係性を検討することができた。
【0057】
使用レーザーリフトオフ装置： 信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ
レーザー： 発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー： ６００Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）： １５０Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）： ３００００ピコ秒
パルス周波数： ０．０１ｋＨｚ
照射パルス数： 各μＬＥＤにつき１パルス
レーザー： 発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー： ６００Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）： １５０Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）： ３００００ピコ秒
パルス周波数： ０．０１ｋＨｚ
照射パルス数： 各μＬＥＤにつき１パルス
【0058】
得られた発光装置について、点灯／不点灯の動作確認をした結果を表１に示す。表１の結果から、導電粒子に関し、透光性基板の透明電極の表面酸化膜を突き破りつつ且つ対向電極との接触面積をある程度確保しなければμＬＥＤの点灯が困難であることが分かった。例えば、導電粒子２は、導電粒子１よりも２０％Ｋ値が大きく硬いものであるが、導電粒子の大きさが小さすぎるため、電極との接触面積が十分とはいえず、優位性が確認できなかったと考えられる。従って、発光装置のμＬＥＤのリペアを行うに当たっては、導電粒子の大きさとリペア後の導電粒子の潰れ量とを検討する必要があることが分かる。
【0059】
【表1】
【0060】
実施例１－６及び比較例１－５
参考例と同様に発光装置を作成した。但し、本圧着用導電フィルムの導電粒子として、表２に示した平均導電粒子径（粒子径[μｍ]）及び２０％Ｋ値[ＭＰａ]のものを使用し、導電フィルムの絶縁性樹脂層厚（樹脂厚[μｍ]）を表２に示した厚みとした。また、熱圧着後の導電粒子の厚み方向（潰れ方向）の粒径（粒子潰れ[μｍ]）、熱圧着後の透光性基板表面からμＬＥＤ表面までの距離（μＬＥＤ最表面高さ[μｍ]）をそれぞれ表２に示すように設定した。
参考例と同様に発光装置を作成した。但し、本圧着用導電フィルムの導電粒子として、表２に示した平均導電粒子径（粒子径[μｍ]）及び２０％Ｋ値[ＭＰａ]のものを使用し、導電フィルムの絶縁性樹脂層厚（樹脂厚[μｍ]）を表２に示した厚みとした。また、熱圧着後の導電粒子の厚み方向（潰れ方向）の粒径（粒子潰れ[μｍ]）、熱圧着後の透光性基板表面からμＬＥＤ表面までの距離（μＬＥＤ最表面高さ[μｍ]）をそれぞれ表２に示すように設定した。
【0061】
次に、発光装置の不点灯のμＬＥＤについて、以下の条件のレーザーリフトオフ法によりμＬＥＤをその直下の熱硬化した導電フィルムと共に剥離除去した。
【0062】
使用レーザーリフトオフ装置： 信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ
レーザー： 発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー： ６００Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）： １５０Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）： ３００００ピコ秒
パルス周波数： ０．０１ｋＨｚ
照射パルス数： 各μＬＥＤにつき１パルス
レーザー： 発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザー
レーザー光のパルスエネルギー： ６００Ｊ
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）： １５０Ｊ／ｃｍ２
パルス幅（照射時間）： ３００００ピコ秒
パルス周波数： ０．０１ｋＨｚ
照射パルス数： 各μＬＥＤにつき１パルス
【0063】
続いて、不点灯μＬＥＤと直下の熱硬化した導電フィルムとが除去された透光性基板の露出した部分に、上述のレーザーリフトオフ法に準じて、表２に示すリペア用導電フィルムを移送し、続いて本圧着時に使用したμＬＥＤと同じリペア用μＬＥＤを移送し、更に熱圧着した。但し、リペア用導電フィルムの導電粒子として、表２に示した平均粒子径（粒子径[μｍ]）及び２０％Ｋ値[ＭＰａ]のものを使用し、導電フィルムの絶縁性樹脂層厚（樹脂厚[μｍ]）を表２に示した厚みとした。また、リペア時の熱圧着後の導電粒子の厚み方向（潰れ方向）の粒径（粒子潰れ[μｍ]）、熱圧着後の透光性基板表面からμＬＥＤ発光表面までの距離（μＬＥＤ最表面高さ[μｍ]）をそれぞれ表２に示すように設定した。リペアが実施された発光装置の動作確認結果を表２に示す。
【0064】
なお、実施例１－２及び比較例１－３は、導電粒子の大きさの重要性に着目した例であり、実施例３－４及び比較例４－５は、導電粒子の潰れ難さの重要性に着目した例であり、実施例５－６は、導電粒子の大きさと導電粒子の潰れ難さとの両方の重要性に着目した例である。
【0065】
【表2】
【0066】
表２の実施例１－２の結果から、リペア用導電フィルムの導電粒子の大きさが、本圧着に使用した導電フィルムの導電粒子よりも大きいとリペアが成功したことが分かる。それに対し、比較例１－３の結果から、リペア用導電フィルムの導電粒子の大きさが、本圧着に使用した導電フィルムの導電粒子と同じ又は小さいと、リペアが不成功であったことがわかる。
【0067】
また、表２の実施例３－４の結果から、リペア用導電フィルムの導電粒子の潰れ難さ（硬さ）が、本圧着に使用した導電フィルムの導電粒子よりも潰れ難い（硬い）とリペアが成功したことが分かる。それに対し、比較例４－５の結果から、リペア用導電フィルムの導電粒子の潰れ難さ（硬さ）が、本圧着に使用した導電フィルムの導電粒子と同じ又は柔らかいと、リペアが不成功であったことがわかる。
【0068】
表２の実施例５－６の結果から、リペア用導電フィルムの導電粒子の大きさと潰れ難さ（硬さ）が、本圧着に使用した導電フィルムの導電粒子よりも大きく且つ潰れ難い（硬い）とリペアが成功したことが分かる。
【符号の説明】
【0069】
１０ 発光装置
１ μＬＥＤ
１ａ μＬＥＤの電極
１ｘ 取り除くべき不点灯のμＬＥＤ
１ｙ リペア用μＬＥＤ
１ｙａ リペア用μＬＥＤ１ｙの電極
２ 第１絶縁性樹脂層
３ 第１導電粒子
４ 第１導電フィルム
５ 透光性基板
２０ 第２絶縁性樹脂層
３０ 第２導電粒子
４０ リペア用第２導電フィルム
１００ μＬＥＤ
１００ａ μＬＥＤ１００の電極
１０１ 絶縁性樹脂層
１０２ 導電粒子
１０２ａ 透光性基板１０４の電極とリペア用μＬＥＤ１００Ｒの電極１００Ｒａとの間の導電粒子
１０３ 導電フィルム
１０３ａ リペア用導電フィルム
１０４ 透光性基板
１００Ｒ リペア用μＬＥＤ
１００Ｒａ リペア用μＬＥＤ１００Ｒの電極
Ｈ、１０５ ヒートツール
Ｌ レーザー
１ μＬＥＤ
１ａ μＬＥＤの電極
１ｘ 取り除くべき不点灯のμＬＥＤ
１ｙ リペア用μＬＥＤ
１ｙａ リペア用μＬＥＤ１ｙの電極
２ 第１絶縁性樹脂層
３ 第１導電粒子
４ 第１導電フィルム
５ 透光性基板
２０ 第２絶縁性樹脂層
３０ 第２導電粒子
４０ リペア用第２導電フィルム
１００ μＬＥＤ
１００ａ μＬＥＤ１００の電極
１０１ 絶縁性樹脂層
１０２ 導電粒子
１０２ａ 透光性基板１０４の電極とリペア用μＬＥＤ１００Ｒの電極１００Ｒａとの間の導電粒子
１０３ 導電フィルム
１０３ａ リペア用導電フィルム
１０４ 透光性基板
１００Ｒ リペア用μＬＥＤ
１００Ｒａ リペア用μＬＥＤ１００Ｒの電極
Ｈ、１０５ ヒートツール
Ｌ レーザー
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】