特開 2024-146432 セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024146432

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241004BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 515

H01G4/30 517

H01G4/30 201M

H01G4/30 201N

H01G4/30 311Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023059323

(22)【出願日】2023-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】滝田 優治

(72)【発明者】

【氏名】小和瀬 裕介

(72)【発明者】

【氏名】山根 麻衣子

(72)【発明者】

【氏名】菅原 祐

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E001AF06

5E001AH01

5E001AH09

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC40

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG60

5E082GG10

5E082GG28

5E082PP03

(57)【要約】

【課題】 電気特性を確保しつつ外観の色味を調整することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、前記積層チップは、サイドマージンおよびカバー層を備え、前記サイドマージンおよび前記カバー層は、前記容量部に近い側よりも外側表面に近い側において、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分の濃度が高い高濃度部を備える。
【選択図】 図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、
前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、
前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、
前記積層チップは、前記容量部の前記第１方向の上面および下面にセラミックを主成分とするカバー層を備え、
前記サイドマージンおよび前記カバー層は、前記容量部に近い側よりも外側表面に近い側において、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分の濃度が高い高濃度部を備える、セラミック電子部品。

【請求項2】

前記高濃度部は、前記副成分の濃度の変曲点から前記外側表面までの領域であり、
前記変曲点は、前記容量部から前記外側表面へのＥＰＭＡラインスペクトルを取得した際に、強度を、強度／最大強度×１００とすることで規格化した規格化強度（Ｄ（％））、前記容量部から前記外側表面までの距離をｄ（μｍ）とした場合に、ｄＤ／ｄｄ≧３５を満たす点である、請求項１に記載のセラミック電子部品。

【請求項3】

前記変曲点は、前記サイドマージンおよび前記カバー層のうち薄い方の厚さに対して前記外側表面から５．２％から７６％の範囲に存在する、請求項１に記載のセラミック電子部品。

【請求項4】

前記高濃度部における前記副成分の濃度は、２．５ａｔ％以上９．０ａｔ％以下である、請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項5】

前記サイドマージンおよび前記カバー層において、前記高濃度部よりも内側の領域の前記副成分の濃度は、２．０ａｔ％以上６．０ａｔ％以下である、請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項6】

前記高濃度部において、前記副成分は、単体、酸化物の結晶、またはガラスの形態で存在する、請求項１に記載のセラミック電子部品。

【請求項7】

前記サイドマージンの前記高濃度部の厚さに対する前記カバー層の前記高濃度部の厚さの比は、０．７５以上１．２６以下である、請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項8】

複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、
前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、
前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、
前記積層チップは、前記容量部の前記第１方向の上面および下面にセラミックを主成分とするカバー層を備え、
前記サイドマージンおよび前記カバー層は、前記容量部に近い側よりも外側表面に近い側において、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分の濃度が高い高濃度部を備え、
前記高濃度部は、前記サイドマージンおよび前記カバー層のうち薄い方の厚さに対して前記外側表面から５．２％から７６％の範囲である、セラミック電子部品。

【請求項9】

誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンの周囲に、誘電体パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンおよび前記誘電体パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを第１方向に積層し、第２方向に交互に前記内部電極パターンの端部がずれるようにして積層体を得る工程と、
前記積層体に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の両端に、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分を含浸させるか付着させる工程と、
前記積層体を焼成する工程と、を含むセラミック電子部品の製造方法。

【請求項10】

誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを第１方向に積層し、第２方向に交互に前記内部電極パターンの端部がずれるようにして積層体を得る工程と、
前記積層体に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の両端にセラミック粉末を含むサイドマージンシートを形成する工程と、
前記サイドマージンシートの表面に、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分を含浸させるか付着させる工程と、
前記積層体を焼成する工程と、を含むセラミック電子部品の製造方法。

【請求項11】

前記積層体を焼成する際の昇温速度を、１０００℃／ｈ以上にする、請求項９または請求項１０に記載のセラミック電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、更なる機能性付与のために信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－３５７８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品は、粉末材料を焼成することで製造することができる。この際、誘電体の組成によって焼結状態が大きく異なってくるため、サイドおよびカバー部で色味の差異が生じる。このとき、外観検査によって、不良と判定される場合がある。そのため、色味を調整するためにシリカなどの副成分を添加することが考えられる。しかしながら、副成分が容量部まで拡散すると、静電容量などの電気特性に悪影響を与える。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電気特性を確保しつつ外観の色味を調整することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るセラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、前記積層チップは、前記容量部の前記第１方向の上面および下面にセラミックを主成分とするカバー層を備え、前記サイドマージンおよび前記カバー層は、前記容量部に近い側よりも外側表面に近い側において、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分の濃度が高い高濃度部を備える、セラミック電子部品。

【0007】

上記セラミック電子部品において、前記高濃度部は、前記副成分の濃度の変曲点から前記外側表面までの領域であり、前記変曲点は、前記容量部から前記外側表面へのＥＰＭＡラインスペクトルを取得した際に、強度を、強度／最大強度×１００とすることで規格化した規格化強度（Ｄ（％））、前記容量部から前記外側表面までの距離をｄ（μｍ）とした場合に、ｄＤ／ｄｄ≧３５を満たす点であってもよい。

【0008】

上記セラミック電子部品において、前記変曲点は、前記サイドマージンおよび前記カバー層のうち薄い方の厚さに対して前記外側表面から５．２％から７６％の範囲に存在してもよい。

【0009】

上記セラミック電子部品において、前記高濃度部における前記副成分の濃度は、２．５ａｔ％以上９．０ａｔ％以下であってもよい。

【0010】

上記セラミック電子部品の前記サイドマージンおよび前記カバー層において、前記高濃度部よりも内側の領域の前記副成分の濃度は、２．０ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であってもよい。

【0011】

上記セラミック電子部品の前記高濃度部において、前記副成分は、単体、酸化物の結晶、またはガラスの形態で存在してもよい。

【0012】

上記セラミック電子部品において、前記サイドマージンの前記高濃度部の厚さに対する前記カバー層の前記高濃度部の厚さの比は、０．７５以上１．２６以下であってもよい。

【0013】

本発明に係る他のセラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、前記積層チップは、前記容量部の前記第１方向の上面および下面にセラミックを主成分とするカバー層を備え、前記サイドマージンおよび前記カバー層は、前記容量部に近い側よりも外側表面に近い側において、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分の濃度が高い高濃度部を備え、前記高濃度部は、前記サイドマージンおよび前記カバー層のうち薄い方の厚さに対して前記外側表面から５．２％から７６％の範囲である。

【0014】

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを形成する工程と、前記内部電極パターンの周囲に、誘電体パターンを形成する工程と、前記内部電極パターンおよび前記誘電体パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを第１方向に積層し、第２方向に交互に前記内部電極パターンの端部がずれるようにして積層体を得る工程と、前記積層体に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の両端に、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分を含浸させるか付着させる工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含む。

【0015】

本発明に係るセラミック電子部品の他の製造方法は、誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを形成する工程と、前記内部電極パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを第１方向に積層し、第２方向に交互に前記内部電極パターンの端部がずれるようにして積層体を得る工程と、前記積層体に対して、前記第１方向および前記第２方向に直交する第３方向の両端にセラミック粉末を含むサイドマージンシートを形成する工程と、前記サイドマージンシートの表面に、Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｌｉ，Ｃｏ，Ｓｍ，およびＹの少なくとも１種以上の副成分を含浸させるか付着させる工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含む。

【0016】

上記セラミック電子部品の製造方法において、前記積層体を焼成する際の昇温速度を、１０００℃／ｈ以上にしてもよい。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、電気特性を確保しつつ外観の色味を調整することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。

【図2】図１のＡ－Ａ線断面図である。

【図3】図１のＢ－Ｂ線断面図である。

【図4】外部電極付近の拡大断面図である。

【図5】高濃度部を例示する図である。

【図6】ＥＰＭＡライン分析について説明するための図である。

【図7】平滑化前のグラフおよび平滑化後のグラフを例示する図である。

【図8】規格化濃度を例示する図である。

【図9】ｄＤ／ｄｄ＝３５の点と、変曲点とを例示する図である。

【図10】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。

【図11】（ａ）および（ｂ）は内部電極形成工程を例示する図である。

【図12】積層工程を例示する図である。

【図13】サイドマージン部を後付けする場合を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

【0020】

（実施形態）
図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。

【0021】

なお、図１～図３において、Ｚ軸方向（第１方向）は、積層方向であり、各内部電極層１２が対向する方向である。Ｘ軸方向（第２方向）は、積層チップ１０の長さ方向であって、積層チップ１０の２端面が対向する方向であり、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとが対向する方向である。Ｙ軸方向（第３方向）は、内部電極層１２の幅方向であり、積層チップ１０の４側面のうち２端面以外の２側面が対向する方向である。Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向と、Ｚ軸方向とは、互いに直交している。

【0022】

積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に引き出されている。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層において、積層方向の両方の最外層には内部電極層１２が配置され、当該最外層の内部電極層１２は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３は、誘電体層１１と組成が同じであっても、異なっていても構わない。

【0023】

積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。

【0024】

内部電極層１２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）等の卑金属やこれらの合金を主成分とする。内部電極層１２の主成分として、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。内部電極層１２は、共材などのセラミック粒子を含んでいてもよい。Ｚ軸方向における内部電極層１２の１層あたりの平均厚さは、例えば、０．５μｍ以下であり、０．４μｍ以下であることが好ましい。内部電極層１２の１層あたりの平均厚さは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の内部電極層１２についてそれぞれ１０点ずつ厚さを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0025】

誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主相とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３），ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３），チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３），ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のうち少なくとも１つから選択して用いることができる。Ｂａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウムおよびチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムなどである。例えば、誘電体層１１において、主成分セラミックは、９０ａｔ％以上含まれている。Ｚ軸方向における誘電体層１１の１層あたりの平均厚さは、例えば、１．０μｍ以下であり、０．８μｍ以下であることが好ましい。Ｚ軸方向における内部電極層１２の１層あたりの平均厚さは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の誘電体層１１についてそれぞれ１０点ずつ厚さを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0026】

誘電体層１１には、添加物が添加されていてもよい。誘電体層１１への添加物として、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム(Ｍｇ）、マンガン(Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム(Ｖ）、クロム(Ｃｒ）、希土類元素(イットリウム(Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、コバルト(Ｃｏ）、ニッケル(Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0027】

図２で例示するように、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２と外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２とが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該電気容量を生じる領域を、容量部１４と称する。すなわち、容量部１４は、異なる外部電極に接続された隣接する内部電極層１２同士が対向する領域である。

【0028】

外部電極２０ａに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域を、エンドマージン１５と称する。また、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域も、エンドマージン１５である。すなわち、エンドマージン１５は、同じ外部電極に接続された内部電極層１２が異なる外部電極に接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域である。エンドマージン１５は、電気容量を生じない領域である。

【0029】

図３で例示するように、積層チップ１０において、サイドマージン１６は、誘電体層１１および内部電極層１２の２側面側の端部（Ｙ軸方向の端部）を覆うように設けられた領域である。すなわち、サイドマージン１６は、Ｙ軸方向において、容量部１４の外側に設けられた領域である。サイドマージン１６も、電気容量を生じない領域である。

【0030】

図４は、外部電極２０ａ付近の拡大断面図である。図４では、ハッチを省略している。図４で例示するように、外部電極２０ａの外表面に、外部電極２０ａを下地層として、めっき層２２が設けられていてもよい。外部電極２０ａは、Ｃｕを主成分とする。外部電極２０ａは、ガラス成分を含んでいてもよい。めっき層２２は、Ｃｕ、Ｎｉ、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、Ｓｎなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２２は、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、めっき層２２は、外部電極２０ａ側から順に、第１めっき層２３、第２めっき層２４および第３めっき層２５が形成された構造を有する。第１めっき層２３は、例えば、Ｃｕめっき層である。第２めっき層２４は、例えば、Ｎｉめっき層である。第３めっき層２５は、例えば、Ｓｎめっき層である。なお、図４では、外部電極２０ａについて例示しているが、外部電極２０ｂの外表面にも同様に、めっき層２２が設けられていてもよい。

【0031】

積層セラミックコンデンサは、誘電体層用の粉末材料、内部電極層用の粉末材料などを同時に焼成することで、製造することができる。例えば、内部電極層の途切れを抑制するために、１０００℃／ｈ以上の速い昇温速度にて焼成することがある。この際、誘電体の組成によって焼結状態が大きく異なってくるため、カバー層とサイドマージンとで、色味の差異が生じる。色味の差異が生じた積層セラミックコンデンサに対して外観検査を行うと、不良と判定される場合がある。そのため、サイドマージンの色味を調整するために、あらかじめシリカなどの副成分を多量に添加し色味を調整することが考えられる。しかしながら、この場合、焼成過程にて、添加した副成分が容量部まで拡散してしまい、静電容量などの電気特性に悪影響を与える。

【0032】

これに対して、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、電気特性を確保しつつ外観の色味を調整することができる構成を有している。以下、詳細について説明する。

【0033】

本実施形態においては、サイドマージン１６およびカバー層１３は、色味を調整するための副成分（以下、色味調整成分）を含んでいる。色味調整成分として、ケイ素（Ｓｉ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、リチウム（Ｌｉ）、コバルト（Ｃｏ）、サマリウム（Ｓｍ）、およびイットリウム（Ｙ）の少なくとも１種以上の元素を用いることができる。サイドマージン１６およびカバー層１３が色味調整成分を含むことで、サイドマージン１６およびカバー層１３の外側表面の色味を調整することができる。例えば、添加剤の固溶状態が変化し、白っぽくなる。それにより、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００を外観検査する場合に、合格しやすくなる。

【0034】

サイドマージン１６およびカバー層１３において、色味調整成分は、元素単体の形態で存在していてもよく、酸化物の形態で存在していてもよい。例えば、色味調整成分は、酸化物の結晶の形態で存在していてもよく、ガラスの形態で存在していてもよい。

【0035】

図５で例示するように、サイドマージン１６およびカバー層１３は、容量部１４に近い側よりも外側表面に近い側において、色味調整成分の濃度が高い高濃度部３０を備える。それにより、サイドマージン１６およびカバー層１３の外側表面の色味を調整することができる。一方、サイドマージン１６およびカバー層１３において、容量部１４側の色味調整成分の濃度が低いため、容量部１４に対する色味調整成分の拡散が抑制される。それにより、積層セラミックコンデンサ１００の電気特性低下を抑制することができる。なお、高濃度部３０よりも容量部１４側に領域を低濃度部４０と称する。図５では、ハッチングを省略してある。

【0036】

以上のことから、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、電気特性を確保しつつ外観の色味を調整することができる。

【0037】

例えば、色味調整分の濃度についてサイドマージン１６およびカバー層１３の厚さ方向にＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）ラインスペクトルを取得した場合に、色味調整成分の濃度変化に変曲点が現れる。色味濃度調整成分の濃度変化に変曲点が現れているか否かは、以下の手順で確認することができる。なお、サイドマージン１６の厚さ方向とはＹ軸方向のことであり、カバー層１３の厚さ方向とはＺ軸方向のことである。

【0038】

まず、図６で例示するように、サイドマージン１６およびカバー層１３の厚さ方向に、所定のサンプリング周期でＥＰＭＡライン分析を行う。図６の各丸印はサンプリング点を示している。図６の例では、一例としてサンプリング間隔は０．２５μｍとなっている。次に、各サンプリング点について、前後０．５μｍの範囲での平均強度値を算出する。この算出された平均強度値を、各サンプリング点における強度値とする。このように移動平均を算出して平滑化することによって、ノイズの影響を抑制して強度変化を測定することができる。

【0039】

図７は、平滑化前のグラフと、平滑化後のグラフとが併記されている。なお、図７の横軸は、距離ｄ（μｍ）を表している。図７の横軸の「０」は、一例として、サイドマージン１６と容量部１４との境界を示している。図７において、横軸の右側ほどサイドマージン１６の厚さ方向に進み、サイドマージン１６の外側表面に至ることになる。図７のグラフのように、サイドマージン１６において、容量部１４側よりも外側表面の方が色味調整成分の濃度が高くなっている。

【0040】

次に、測定された強度変化のグラフを規格化する。各サンプリング点で測定された強度を、強度／最大強度×１００とすることで、規格化強度（Ｄ（％））を得ることができる。これにより、各サンプリング点で測定された強度を、強度／最大強度×１００とすることで、規格化強度（Ｄ（％））を得ることができる。この規格化によって、濃度値の絶対値にバラツキが生じても、変曲点を確認することができるようになる。図８は、規格化濃度を例示する図である。

【0041】

次に、規格化強度Ｄ（％）のグラフを距離ｄ（μｍ）で微分し、ｄＤ／ｄｄを算出する。このｄＤ／ｄｄが３５になるところを変曲点と定義する。図９に、ｄＤ／ｄｄ＝３５の点と、変曲点とを例示する。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００では、カバー層１３およびサイドマージン１６において、色味調整成分の濃度変化に上記の変曲点が現れる。これによって、サイドマージン１６およびカバー層１３において、容量部１４に近い領域では色味調整成分の濃度が低く抑えられており、外側表面に近い高濃度部３０では色味調整成分の濃度が局所的に高くなっていることが確認される。なお、色味調整成分が２種以上添加される場合には、色味調整成分の濃度とは、どれか１つに着目した場合の濃度のことである。

【0042】

例えば、サイドマージン１６およびカバー層１３の厚さ方向において、上記変曲点から外側表面までの領域を、高濃度部３０と定義することができる。

【0043】

上記変曲点がサイドマージン１６およびカバー層１３の外側表面に近いと、色味調整成分の量が少なくなり、サイドマージン１６およびカバー層１３の色味を十分に調整できないおそれがある。そこで、上記変曲点は、外側表面から離れていることが好ましい。本実施形態においては、サイドマージン１６およびカバー層１３の厚さ方向において、上記変曲点は、外側表面から、サイドマージン１６およびカバー層１３のうち薄い方の厚さに対して５．２％以上離れていることが好ましく、１８％以上離れていることがより好ましく、３０％以上離れていることがさらに好ましい。

【0044】

一方、上記変曲点が容量部１４に近いと、色味調整成分が容量部１４に拡散するおそれがある。そこで、上記変曲点は、容量部１４から離れていることが好ましい。本実施形態においては、サイドマージン１６およびカバー層１３の厚さ方向において、上記変曲点は、外側表面から、サイドマージン１６およびカバー層１３のうち薄い方の厚さに対して７６％以下離れて位置していることが好ましく、６７％以下離れて位置していることがより好ましく、６１％以下離れて位置していることがさらに好ましい。

【0045】

高濃度部３０における色味調整成分の濃度が低いと、サイドマージン１６およびカバー層１３の色味を十分に調整できないおそれがある。そこで、高濃度部３０における色味調整成分の濃度に下限を設けることが好ましい。本実施形態においては、高濃度部３０における色味調整成分の濃度は、２．５ａｔ％以上であることが好ましく、２．７５ａｔ％以上であることがより好ましく、３．０ａｔ％以上であることがさらに好ましい。なお、ここでの色味調整成分の濃度とは、サイドマージン１６およびカバー層１３に含まれるペロブスカイト構造を有する主成分セラミックのＢサイト（例えばＴｉ）を１００ａｔ％とした場合の濃度のことである。高濃度部３０における色味調整成分の濃度は、例えば、ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳによって測定することができる。

【0046】

一方、高濃度部３０における色味調整成分の濃度が高いと、複数の積層チップを焼成する際に、積層チップ同士がくっつくネッキングが発生するおそれがある。そこで、高濃度部３０における色味調整成分の濃度に上限を設けることが好ましい。本実施形態においては、高濃度部３０における色味調整成分の濃度は、９．０ａｔ％以下であることが好ましく、８．５ａｔ％以下であることがより好ましく、８．０ａｔ％以下であることがさらに好ましい。

【0047】

低濃度部４０における色味調整成分の濃度が高いと、色味調整成分が容量部１４に拡散するおそれがある。そこで、低濃度部４０における色味調整成分の濃度に上限を設けることが好ましい。本実施形態においては、低濃度部４０における色味調整成分の濃度は、６．０ａｔ％以下であることが好ましく、５．５ａｔ％以下であることがより好ましく、５．０ａｔ％以下であることがさらに好ましい。

【0048】

一方、低濃度部４０における色味調整成分の濃度が低いと、容量部１４に存在するＳｉがカバー層１３およびサイドマージン１６に拡散し、特性に変化を及ぼすおそれがある。そこで、低濃度部４０における色味調整成分の濃度に下限を設けることが好ましい。本実施形態においては、低濃度部４０における色味調整成分の濃度は、２．０ａｔ％以上であることが好ましく、２．２５ａｔ％以上であることがより好ましく、２．５ａｔ％以上であることがさらに好ましい。

【0049】

サイドマージン１６における高濃度部３０およびカバー層１３における高濃度部３０の厚みの差が大きいと、色味の差異が大きくなるおそれがある。そこで、サイドマージン１６における高濃度部３０およびカバー層１３における高濃度部３０の厚みの差は小さいことが好ましい。本実施形態においては、サイドマージン１６における高濃度部３０の厚みに対するカバー層１３における高濃度部３０の厚みの比は、０．７５以上１．２６以下であることが好ましい。

【0050】

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図１０は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

【0051】

（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ_３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、チタン酸バリウムは、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このチタン酸バリウムは、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。

【0052】

得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、ジルコニウム、ハフニウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、バナジウム、クロム、希土類元素(イットリウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウムおよびイッテルビウム)の酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0053】

例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、誘電体材料が得られる。

【0054】

（塗工工程）
次に、得られた原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシート５１を塗工して乾燥させる。基材は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。塗工工程を例示する図は省略した。

【0055】

（内部電極形成工程）
次に、図１１（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１の表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層用の内部電極パターン５２を配置する。金属導電ペーストには、ニッケルに加えて共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。

【0056】

次に、原料粉末作製工程で得られた誘電体パターン材料に、エチルセルロース系等のバインダと、ターピネオール系等の有機溶剤とを加え、ロールミルにて混練して逆パターン層用の誘電体パターンペーストを得る。図１１（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１上において、内部電極パターン５２が印刷されていない周辺領域に誘電体パターンペーストを印刷することで誘電体パターン５３を配置し、内部電極パターン５２との段差を埋める。内部電極パターン５２および誘電体パターン５３が印刷された誘電体グリーンシート５１を積層単位と称する。

【0057】

その後、図１１（ｂ）で例示するように、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、積層単位を積層していく。例えば、内部電極パターン５２の積層数を１００～５００層とする。

【0058】

（圧着工程）
図１２で例示するように、積層単位が積層された積層体の上下にカバーシート５４を所定数（例えば２～１０層）だけ積層して熱圧着する。カバーシート５４も、セラミック粉末を含むグリーンシートである。

【0059】

（チップ化工程）
得られたセラミック積層体を所定のサイズにカットすることで、チップ化する。

【0060】

サイドマージン部は、上記積層部分の側面に貼り付けまたは塗布してもよい。具体的には、図１３で例示するように、セラミックグリーンシート５１と、当該セラミックグリーンシート５１と同じ幅の内部電極パターン５２とを交互に積層することで、積層部分を得る。次に、積層部分の側面に、誘電体パターンペーストで形成したシートをサイドマージン部５５として貼り付けてもよい。

【0061】

（添加工程）
次に、チップ化されたセラミック積層体に対してバレル研磨で面取りを行い、空気雰囲気あるいは窒素雰囲気で、脱バインダ処理を行う。その後、ディッピングによって、セラミック積層体の表面部分に、色味調整剤を添加する。例えば、色味調整剤としてシリカを用いる場合には、コロイダルシリカを含浸させる。このディッピング工程によって、サイドマージン１６およびカバー層１３に対応する領域の表面に色味調整剤の前駆体を含浸させることができる。色味調整剤の前駆体の含浸量は、ディッピング時間によって調整することができる。なお、当該含浸量は、溶媒粘度、撹拌時間、溶液温度などを変更することでも調整することができる。

【0062】

なお、ディッピング以外の手法で色味調整剤を添加してもよい。例えば、化学気相法（ＣＶＤ）などでチップ表面に色味調整剤を付着させ、焼成過程の高温域にて浸透させてもよい。

【0063】

（焼成工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ_２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂとなる金属ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧が１０^－１２ＭＰａ～１０^－９ＭＰａ、１１６０℃～１２８０℃（例えば、１１８０℃以上、１２３０℃以下）の還元雰囲気で、５分～１０時間の焼成を行なう。焼成温度までの昇温速度は、例えば、１０００℃／ｈ以上とする。

【0064】

（再酸化処理工程）
還元雰囲気で焼成された誘電体層１１の部分的に還元された主相であるチタン酸バリウムに酸素を戻すために、内部電極層１２を酸化させない程度に、約１０００℃でＮ_２と水蒸気の混合ガス中、もしくは５００℃～７００℃の大気中での熱処理が行われることがある。この工程は、再酸化処理工程とよばれる。

【0065】

（めっき処理工程）
その後、外部電極２０ａ，２０ｂ上に、めっき処理により、銅、ニッケル、スズ等の金属コーティングを行う。以上の工程により、積層セラミックコンデンサ１００が完成する。

【0066】

本実施形態に係る製造方法によれば、サイドマージン１６およびカバー層１３の外側表面に対応する領域に、色味調整成分を含浸させるか付着させてから焼成することにより、サイドマージン１６およびカバー層１３において、外側表面に色味調整成分の濃度が高い領域を形成し、容量部１４に近い側には色味調整成分の濃度が低い領域を形成することができる。例えば、上述した高濃度部３０および低濃度部４０を形成することができる。

【0067】

なお、上記各実施形態においては、積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の積層セラミック電子部品を用いてもよい。

【実施例0068】

以下、上記実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。

【0069】

（実施例１）
誘電体グリーンシートに、Ｎｉの内部電極パターンを印刷した。内部電極パターンの周りには、誘電体パターンを印刷した。複数の積層単位を、内部電極パターンが交互にＸ軸方向にずれるようにして積層し、圧着し、カットしてセラミック積層体を得た。

【0070】

作製したセラミック積層体に対してバレルで面取りを行い、脱バインダ処理を行った。実施例１では、色味調整成分としてＳｉを用いた。ディッピングによるチップ内へのコロイダルシリカの含浸により、チップマージン部にシリカ前駆体を含浸させた。シリカ前駆体の含浸量は、ディッピング時間によって調整した。実施例１では、ディッピング時間を５秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、１μｍであった。ディッピングの後に、余計な有機溶媒を脱離させるために、窒素雰囲気中２００℃で熱処理を実施した。Ｓｉ成分を添加したセラミック積層体をＮ_２－Ｈ_２－ｗｅｔ雰囲気下にて高速焼成（昇温速度：１０００℃／ｈ）し、外部電極を焼付け、メッキをすることで積層セラミックコンデンサを作製した。

【0071】

焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。サイドマージンおよびカバー層に対してＥＰＭＡライン分析を行い、色味調整成分の濃度を測定し、変曲点を検出し、変曲点から外側表面までの領域を高濃度部と定義した。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から１．１μｍであった。これは、カバー層の厚みの６．５％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から１．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの８．５％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．１０であった。

【0072】

（実施例２）
実施例２では、ディッピング時間を５秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、１μｍであった。焼成後において、カバー層の厚さは２１μｍであった。サイドマージンの厚さは、１７μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から１．２μｍであった。これは、カバー層の厚みの５．２％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から１．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの６．５％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．２０であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0073】

（実施例３）
実施例３では、ディッピング時間を６０秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、９μｍであった。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から９．１μｍであった。これは、カバー層の厚みの４９％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から７．５μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの６５％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．２１であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0074】

（実施例４）
実施例４では、ディッピング時間を６０秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、９μｍであった。焼成後において、カバー層の厚さは２１μｍであった。サイドマージンの厚さは、１７μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から９．１μｍであった。これは、カバー層の厚みの４０％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から７．２μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの４９％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．２６であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0075】

（実施例５）
実施例５では、ディッピング時間を１２０秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、１２μｍであった。焼成後において、カバー層の厚さは２１μｍであった。サイドマージンの厚さは、１７μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から１３．０μｍであった。これは、カバー層の厚みの６２％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から１２．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの７６％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．０８であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0076】

（実施例６）
実施例６では、Ｓｉの代わりにＢを色味調整成分として用い、ディッピングを用いずに、ＣＶＤによってチップマージン部の表面に付着させた。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から５．０μｍであった。これは、カバー層の厚みの３０％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から４．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの３８％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．２５であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0077】

（実施例７）
実施例７では、Ｓｉの代わりにＡｌを色味調整成分として用い、ディッピングを用いずに、ＣＶＤによってチップマージン部の表面に付着させた。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から７．０μｍであった。これは、カバー層の厚みの４１％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から６．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの５４％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．１７であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0078】

（実施例８）
実施例８では、Ｓｉの代わりにＧｅを色味調整成分として用い、ディッピングを用いずに、ＣＶＤによってチップマージン部の表面に付着させた。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から３．０μｍであった。これは、カバー層の厚みの１８％に相当する。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から４．０μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの２３％に相当する。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、０．７５であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0079】

（比較例１）
比較例１では、サイドマージンおよびカバー層に色見調整成分を添加しなかった。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0080】

（比較例２）
比較例２では、ディッピング時間を６００秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、１７μｍよりも深かった。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から１７μｍよりも広かった。これは、カバー層の厚みの１００％を超える。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から１３μｍよりも広かった。これは、サイドマージンの厚みの１００％を超える。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0081】

（比較例３）
比較例３では、ディッピング時間を３００秒とした。Ｓｉ成分の含浸深さは、１５μｍであった。焼成後において、カバー層の厚さは１７μｍであった。サイドマージンの厚さは、１３μｍであった。カバー層における高濃度部の範囲は、外側表面から１６μｍであった。これは、カバー層の厚みの１００％を超える。サイドマージンにおける高濃度部の範囲は、外側表面から１３μｍであった。これは、サイドマージンの厚みの１００％を超える。カバー層における高濃度部の厚さ／サイドマージンにおける高濃度部の厚さの比率は、１．０７であった。その他の条件は、実施例１と同じとした。

【0082】

実施例１～８および比較例１～３の各条件を表１に示す。

【表1】

【0083】

（外観不良検査）
実施例１～８および比較例１～３のそれぞれについて、各１００個のサンプルに対して外観不良検査を行った。外観不良検査では、グレースケールなどで、数値化された色味が一定の規格の範囲外に存在しているサンプルについて不良と判定した。不良と判定されたサンプル数比率を不良判定率と定義した。不良判定率が５％未満であれば、外観不良判定率を良好「〇」と判定した。不良判定率が５％以上１０％未満であれば、外観不良判定率をやや良好「△」と判定した。不良判定率が１０％以上であれば、外観不良判定率を不良「×」と判定した。結果を表２に示す。

【0084】

比較例１では外観不良検査が不良「×」と判定された。これは、サイドマージンおよびカバー層に色味調整成分を添加しなかったからであると考えられる。これに対して、実施例１～８のいずれにおいても外観不良検査は良好「〇」と判定された。これは、サイドマージンおよびカバー層に色味調整成分としてＳｉを添加したからであると考えられる。

【0085】

（容量変化率）
実施例１～８および比較例１～３のそれぞれについて、静電容量を調べた。実施例〇〇の静電容量に対して静電容量の低下率が５％以上であれば、容量変化率を不良「×」と判定し、静電容量の低下率が３％以上５％未満であれば、容量変化率をやや良好「△」と判定し、静電容量の低下率が３％未満であれば、容量変化率を良好「〇」と判定した。結果を表２に示す。

【0086】

比較例２，３では、容量変化率が不良「×」と判定された。これは、色味調整成分の高濃度部がサイドマージンおよびカバー層の全体にわたって形成されたために容量部に色味調整成分が拡散したからであると考えられる。これに対して、実施例１～８では、容量変化率がやや良好「△」または良好「〇」と判定された。これは、色味調整成分の高濃度部がサイドマージンおよびカバー層の一部に形成され、容量部側の色味調整成分の濃度が低く、色味調整成分の拡散が抑制されたからであると考えられる。

【0087】

なお、容量変化率の結果が実施例５よりも実施例１～４，６～８の方が良好になったのは、サイドマージンおよびカバー層のうち薄い方の厚さに対して外側表面から６７％以下の範囲に、色味調整成分の濃度に変曲点が存在したからであると考えられる。

【表2】

【0088】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0089】

１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量部
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
２０ａ，２０ｂ 外部電極
２２ めっき層
２３ 第１めっき層
２４ 第２めっき層
２５ 第３めっき層
５１ 誘電体グリーンシート
５２ 内部電極パターン
５３ 誘電体パターン
５４ カバーシート
５５ サイドマージン部
１００ 積層セラミックコンデンサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】