特開 2024-14668 リフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024014668

(43)【公開日】2024-02-01

(54)【発明の名称】リフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240125BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022192937

(22)【出願日】2022-12-01

(31)【優先権主張番号】10-2022-0091265

(32)【優先日】2022-07-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】李 秉 春

(72)【発明者】

【氏名】申 容 ▲堤▼

(72)【発明者】

【氏名】金 ▲濬▼ 國

(72)【発明者】

【氏名】許 成 旻

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA03

5F131AA12

5F131AA32

5F131BA03

5F131BA04

5F131CA06

5F131EB32

5F131EB72

5F131EB78

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板上に成膜された層の厚さを均一に蒸着可能にするためのリフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】リフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置であって、リフトピン組立体は、ブッシング構造２１０と、ブッシング構造の内部に位置するピン支持部２１５と、ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピン２２０と、を含む。リフトピンは、ピン本体２２１と、ピン本体の中間に位置し、ピン支持部の上面に接触して係止可能な突出部２２３と、を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ブッシング構造と、
前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、
前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、
前記リフトピンは、ピン本体と、前記ピン本体の中間に位置し、前記ピン支持部の上面に接触して係止可能な突出部と、を含むリフトピン組立体。

【請求項2】

前記リフトピンは、
前記突出部の上側に位置する上部と、
前記突出部の下側に位置する下部と、を含み、
前記突出部の直径は、前記上部の直径より大きい、
請求項１に記載のリフトピン組立体。

【請求項3】

前記上部の直径は、一定である、請求項２に記載のリフトピン組立体。

【請求項4】

前記突出部の長さは、前記リフトピンの全体長さより小さい、請求項２に記載のリフトピン組立体。

【請求項5】

前記リフトピン全体は、同一の材料を含む、請求項２に記載のリフトピン組立体。

【請求項6】

前記リフトピンは、異なる材料を含む２以上の部分を含む、請求項２に記載のリフトピン組立体。

【請求項7】

前記リフトピンは、前記リフトピンの長手方向に隣接して互いに接合されたメイン部およびキャップ部を含み、
前記メイン部は、絶縁性材料を含み、
前記キャップ部は、金属を含む、
請求項６に記載のリフトピン組立体。

【請求項8】

前記メイン部は、前記キャップ部の内部に嵌合されるように、前記メイン部の上端から上に突出した連結部をさらに含む、請求項７に記載のリフトピン組立体。

【請求項9】

前記メイン部と前記キャップ部との境界は、前記突出部より上に位置する、請求項７に記載のリフトピン組立体。

【請求項10】

前記メイン部と前記キャップ部との境界は、前記突出部より下に位置する、請求項７に記載のリフトピン組立体。

【請求項11】

前記ブッシング構造は、互いに締結または分離可能な下部ブッシングおよび上部ブッシングを含み、
前記ピン支持部は、前記下部ブッシング上に位置する、
請求項１に記載のリフトピン組立体。

【請求項12】

前記ピン支持部は、
ストッパと、
前記ストッパ上に位置する少なくとも１つのスペーサと、を含む、請求項１に記載のリフトピン組立体。

【請求項13】

前記リフトピンの前記突出部の下面は、前記ピン支持部の最も上に位置する前記スペーサの上面と接触して係止可能である、請求項１２に記載のリフトピン組立体。

【請求項14】

基板を支持可能な上面を有する基板支持体と、
前記基板支持体を貫通するリフトピン組立体と、を含み、
前記リフトピン組立体は、
ブッシング構造と、
前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、
前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、
前記リフトピンは、
ピン本体と、
前記ピン本体の中間に位置し、前記ピン支持部の上面に接触して係止可能な突出部と、を含む基板処理装置。

【請求項15】

前記リフトピンは、
前記突出部の上側に位置する上部と、
前記突出部の下側に位置する下部と、を含み、
前記突出部の直径は、前記上部の直径より大きい、
請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記リフトピンは、互いに異なる材料を含み、前記リフトピンの長手方向に隣接して互いに接合されたメイン部およびキャップ部を含み、
前記キャップ部と前記基板支持体は、金属を含み、
前記メイン部は、絶縁性材料を含む、
請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記ブッシング構造は、互いに締結または分離可能な下部ブッシングおよび上部ブッシングを含み、
前記ピン支持部は、前記下部ブッシング上に位置する、
請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記ピン支持部は、
ストッパと、
前記ストッパ上に位置する少なくとも１つのスペーサと、を含む、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記リフトピンの前記突出部の下面は、前記ピン支持部の最も上に位置する前記スペーサの上面と接触して係止可能である、請求項１８に記載の基板処理装置。

【請求項20】

基板を支持可能な上面を有する基板支持体と、
前記基板支持体を貫通するリフトピン組立体と、を含み、
前記リフトピン組立体は、
下部ブッシングおよび上部ブッシングを含むブッシング構造と、
前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、
前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、
前記ピン支持部は、前記リフトピンが前記ブッシング構造の内部で係止可能な位置を調節できる少なくとも１つのスペーサおよびストッパを含む、
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、リフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

多様な表示装置などの半導体装置およびディスプレイ装置を製造する工程は、基板上に複数の層を積層する工程を含む。積層する工程は、主に基板処理装置のチャンバ内で行われ、チャンバ内には、基板を載置させ、支持し、移送するための基板支持体が位置する。

【0003】

基板支持体は、基板支持体から基板を持ち上げ、載置させるためのリフトピンを含む。基板が大きくなると、基板支持体に含まれるリフトピンは複数個になり、基板の中央側にも基板を支持するためのリフトピンが必要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１９－００２９３６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

リフトピンの上端は基板と接触するので、基板上に層を蒸着するとき、リフトピンが位置する領域に成膜された層の厚さは、周辺に比べて不均一になる場合がある。

【0006】

本記載の実施例は、基板上に成膜された層の厚さを均一に蒸着可能にするためのリフトピン組立体およびこれを含む基板処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施例によるリフトピン組立体は、ブッシング構造と、前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、前記リフトピンは、ピン本体と、前記ピン本体の中間に位置し、前記ピン支持部の上面に接触して係止可能な突出部と、を含む。

【0008】

前記リフトピンは、前記突出部の上側に位置する上部と、前記突出部の下側に位置する下部と、を含み、前記突出部の直径は、前記上部の直径より大きくてもよい。

【0009】

前記上部の直径は、一定であってもよい。

【0010】

前記突出部の長さは、前記リフトピンの全体長さより小さくてもよい。

【0011】

前記リフトピン全体は、同一の材料を含むことができる。

【0012】

前記リフトピンは、異なる材料を含む２以上の部分を含むことができる。

【0013】

前記リフトピンは、前記リフトピンの長手方向に隣接して互いに接合されたメイン部およびキャップ部を含み、前記メイン部は、絶縁性材料を含み、前記キャップ部は、金属を含むことができる。

【0014】

前記メイン部は、前記キャップ部の内部に嵌合されるように、前記メイン部の上端から上に突出した連結部をさらに含むことができる。

【0015】

前記メイン部と前記キャップ部との境界は、前記突出部より上に位置することができる。

【0016】

前記メイン部と前記キャップ部との境界は、前記突出部より下に位置することができる。

【0017】

前記ブッシング構造は、互いに締結または分離可能な下部ブッシングおよび上部ブッシングを含み、前記ピン支持部は、前記下部ブッシング上に位置することができる。

【0018】

前記ピン支持部は、ストッパと、前記ストッパ上に位置する少なくとも１つのスペーサと、を含むことができる。

【0019】

前記リフトピンの前記突出部の下面は、前記ピン支持部の最も上に位置する前記スペーサの上面と接触して係止可能であってもよい。

【0020】

一実施例による基板処理装置は、基板を支持可能な上面を有する基板支持体と、前記基板支持体を貫通するリフトピン組立体と、を含み、前記リフトピン組立体は、ブッシング構造と、前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、前記リフトピンは、ピン本体と、前記ピン本体の中間に位置し、前記ピン支持部の上面に接触して係止可能な突出部と、を含む。

【0021】

前記リフトピンは、前記突出部の上側に位置する上部と、前記突出部の下側に位置する下部と、を含み、前記突出部の直径は、前記上部の直径より大きくてもよい。

【0022】

前記リフトピンは、互いに異なる材料を含み、前記リフトピンの長手方向に隣接して互いに接合されたメイン部およびキャップ部を含み、前記キャップ部と前記基板支持体は、金属を含み、前記メイン部は、絶縁性材料を含むことができる。

【0023】

前記ブッシング構造は、互いに締結または分離可能な下部ブッシングおよび上部ブッシングを含み、前記ピン支持部は、前記下部ブッシング上に位置することができる。

【0024】

前記ピン支持部は、ストッパと、前記ストッパ上に位置する少なくとも１つのスペーサと、を含むことができる。

【0025】

前記リフトピンの前記突出部の下面は、前記ピン支持部の最も上に位置する前記スペーサの上面と接触して係止可能であってもよい。

【0026】

一実施例による基板処理装置は、基板を支持可能な上面を有する基板支持体と、前記基板支持体を貫通するリフトピン組立体と、を含み、前記リフトピン組立体は、下部ブッシングおよび上部ブッシングを含むブッシング構造と、前記ブッシング構造の内部に位置するピン支持部と、前記ブッシング構造の内部で移動可能なリフトピンと、を含み、前記ピン支持部は、前記リフトピンが前記ブッシング構造の内部で係止可能な位置を調節できる少なくとも１つのスペーサおよびストッパを含む。

【発明の効果】

【0027】

実施例によるリフトピン組立体を含む基板処理装置によって成膜された基板上の層の厚さを均一に蒸着できる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】一実施例による基板処理装置に含まれる基板支持体およびリフトピン組立体を示す斜視図である。

【図2】一実施例によるリフトピン組立体の断面図である。

【図3】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の斜視図である。

【図4】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の断面図である。

【図5】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の分解斜視断面図である。

【図6】図５に示したブッシング構造の一部に対する拡大分解斜視断面図である。

【図7】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの斜視断面図である。

【図8】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【図9】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と基板とが接触する部分を示す断面図である。

【図10】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンとブッシング構造を示す断面図である。

【図11】比較例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と基板とが接触する部分を示す断面図である。

【図12】比較例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と接触した基板内部の電位差を測定した結果である。

【図13】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と接触した基板内部の電位差を測定した結果である。

【図14】図１２および図１３の結果による電位差を示すグラフである。

【図15】一実施例によるリフトピン組立体を含む基板支持体から基板を分離する段階での動作を示す。

【図16】一実施例によるリフトピン組立体を含む基板支持体が上昇して基板を持ち上げる段階での動作を示す。

【図17】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【図18】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部の断面図である。

【図19】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【図20】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【図21】一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0029】

以下、添付した図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。

【0030】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。

【0031】

また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示のものに限定されない。図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0032】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとするときには、中間に他の部分がないこ意味する。さらに、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するのではない。

【0033】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

【0034】

さらに、明細書全体において、「平面上」とするとき、これは対象部分を上から見たときを意味し、「断面上」とするとき、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見たときを意味する。

【0035】

図１～図１０を参照して、一実施例による基板処理装置およびリフトピン組立体について説明する。

【0036】

図１は、一実施例による基板処理装置に含まれる基板支持体およびリフトピン組立体を示す斜視図である。

【0037】

図１を参照すれば、一実施例による基板処理装置１０００は、基板を処理するための空間を提供するチャンバと、チャンバ内に配置され、基板を支持し、移送するための基板支持体１００と、を含む。

【0038】

基板支持体１００は、基板が載置可能なプレート１０１およびリフトピン組立体２００を含むことができる。プレート１０１は、例えば、ｘ方向およびｙ方向に延びた面を有することができる。リフトピン組立体２００は、ｘ方向およびｙ方向に垂直なｚ方向に基板支持体１００のプレート１０１の内部を貫通できる。

【0039】

一実施例による基板処理装置１０００は、例えば、基板上に層を成膜するための蒸着装置などを含むことができる。基板上には、例えば、絶縁層、半導体層などを蒸着することができる。

【0040】

基板支持体１００は、基板処理工程中にチャンバ内においてｚ方向に昇降可能に設けられて基板を支持することができる。基板支持体１００は、サセプタともいう電極であってもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの金属を材料として含むことができる。実施例によっては、基板支持体１００は、基板の加熱のためのヒータを含むこともできる。

【0041】

基板支持体１００を貫通するリフトピン組立体２００は、１つ以上であってもよい。基板支持体１００が支持する基板が大型化された場合に基板が反らないように複数のリフトピン組立体２００が位置してもよい。複数のリフトピン組立体２００は、基板支持体１００のプレート１０１の周縁領域１００Ｂおよび／またはプレート１０１の中央領域１００Ａに対応して配置される。

【0042】

図２は、一実施例によるリフトピン組立体の断面図である。

【0043】

図２を参照すれば、一実施例によるリフトピン組立体２００は、ブッシング構造２１０と、ブッシング構造２１０の内部に位置し、ｚ方向に移動可能なリフトピン２２０と、を含む。

【0044】

ブッシング構造２１０は、基板支持体１００の内部をｚ方向に貫通するように配置され、ブッシング固定部１１０を介して基板支持体１００に固定される。ブッシング構造２１０は、リフトピン２２０と基板支持体１００との間の間隔を維持し、リフトピン２２０が円滑にｚ方向に上下運動できるようにする構造を有する。

【0045】

リフトピン２２０の上端と基板支持体１００の上面上に、処理する対象の基板３００が位置することができる。基板処理工程により、基板３００の下面は、リフトピン２２０の上端および基板支持体１００の上面と接触できる。

【0046】

図３は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の斜視図であり、図４は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の断面図であり、図５は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造の分解斜視断面図であり、図６は、図５に示したブッシング構造の一部に対する拡大分解斜視断面図である。

【0047】

図２と共に図３～図６を参照すれば、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるブッシング構造２１０は、ｚ方向に隣り合って配置された下部ブッシング２１１および上部ブッシング２１３を含むことができる。下部ブッシング２１１および上部ブッシング２１３は、締結部ＡＡでｚ方向に互いに締結または分離可能である。締結部ＡＡは、例えば、内面にねじ線を形成してねじ込むタップ方式で下部ブッシング２１１と上部ブッシング２１３とを互いに締結または分離することができるが、締結方式がこれに限定されるものではない。

【0048】

ブッシング構造２１０の下部ブッシング２１１および上部ブッシング２１３は、互いに同一の材料を含んでもよく、互いに異なる材料を含んでもよい。また、ブッシング構造２１０は、リフトピン２２０と異なる材料を含んでもよく、同一の材料を含んでもよい。例えば、ブッシング構造２１０は、金属材料、セラミック材料などを含むことができる。

【0049】

ブッシング構造２１０は、１つ以上のローラ２３０をさらに含むことができる。ローラ２３０は、ブッシング構造２１０の内部でリフトピン２２０がブッシング構造２１０の内面と間隔を維持し、リフトピン２２０をｚ方向に円滑に移動可能に機能することができる。

【0050】

図５および図６を参照すれば、ブッシング構造２１０は、内部に位置するピン支持部２１５を含むことができる。ピン支持部２１５は、ストッパ２１９と、ストッパ２１９上に位置する少なくとも１つのスペーサ２１７と、を含むことができる。

【0051】

図６は、ピン支持部２１５が３つのスペーサ２１７がｚ方向に連続で積層された構造を例として示す。最も下のスペーサ２１７の下にストッパ２１９が位置することができる。ピン支持部２１５は、下部ブッシング２１１と上部ブッシング２１３とを締結される部分の周囲に位置することができ、下部ブッシング２１１上に位置することができる。

【0052】

後述するリフトピン２２０のピン突出部がピン支持部２１５上に係止されて支持され、このとき、ピン支持部２１５によってブッシング構造２１０に対するリフトピン２２０の位置がｚ方向の反対方向にさらに下降しない。少なくとも１つのスペーサ２１７は、リフトピン２２０がブッシング構造２１０の内部でｚ方向の反対方向にさらに下降せず、ブッシング構造２１０に係止される位置の高さを調節することができる。スペーサ２１７の個数および／または各スペーサ２１７のｚ方向の厚さなどを調節して、ブッシング構造２１０に対するリフトピン２２０の最も低い位置を調節することができる。リフトピン２２０の突出部がピン支持部２１５上に係止されたとき、図２に示したように、リフトピン２２０の上端の高さと、基板支持体１００の上面の高さとを一致させることができる。つまり、基板支持体１００の上面上に基板３００を位置させて接触しているとき、リフトピン２２０の上端と、基板支持体１００の上面とが同じ高さにあるように、ピン支持部２１５に含まれる全体スペーサ２１７の厚さを調節することができ、その調節はスペーサ２１７の個数および各スペーサ２１７のｚ方向の厚さの調節により行うことができる。

【0053】

スペーサ２１７は、弾性のある材料および／または形状からなる。例えば、スペーサ２１７自体が弾性のある材料を含むか、少なくとも一部がスプリング形状からなってもよい。

【0054】

ストッパ２１９は、上部のスペーサ２１７およびその上に係止されるリフトピン２２０の突出部を支持する役割を果たすことができる。ストッパ２１９のｚ方向の厚さは、スペーサ２１７より大きくてもよいが、これに限定されるものではない。ストッパ２１９は省略されるか、複数のスペーサ２１７の１つを構成してもよい。突出部が支持される高さを調節するために、ストッパ２１９のｚ方向の厚さも調節可能である。つまり、ピン支持部２１５全体の厚さを調節するために、スペーサ２１７だけでなく、ストッパ２１９の厚さも調節可能である。

【0055】

ブッシング構造２１０が下部ブッシング２１１および上部ブッシング２１３に分割されているので、下部ブッシング２１１上にピン支持部２１５を設けた後、上部ブッシング２１３と結合させることができる。

【0056】

図７は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの斜視断面図であり、図８は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【0057】

図２、図７および図８を参照すれば、一実施例によるリフトピン２２０は、ｚ方向に長く延びたピン状のピン本体（ｐｉｎ ｂｏｄｙ）２２１と、ｚ方向に垂直な方向に突出した形状の突出部２２３と、を含む。

【0058】

ピン本体２２１は、突出部２２３を基準として上部に位置する上部２２１ａおよび下部２２１ｂを含む。突出部２２３は、ピン本体２２１の両端ではなく、中間に位置する。

【0059】

リフトピン２２０のｚ方向への全体長さＬ１は、上部２２１ａのｚ方向の長さＬ２、突出部２２３のｚ方向の長さＬ３、そして下部２２１ｂのｚ方向の長さ（図示せず）の合計と同一であってもよい。突出部２２３のｚ方向の長さＬ３は、リフトピン２２０の全体長さＬ１より小さく、上部２２１ａのｚ方向の長さＬ２または下部２２１ｂのｚ方向の長さ（図示せず）より小さくてもよい。リフトピン２２０の上部２２１ａの直径Ｌ４は、突出部２２３の直径Ｌ５より小さい。リフトピン２２０の上部２２１ａの直径Ｌ４は、一定であってもよいし、下部２２１ｂの直径も、一定であってもよい。また、上部２２１ａの直径Ｌ４と下部２２１ｂの直径とは、互いに同一であってもよい。

【0060】

図８を参照すれば、突出部２２３は、ピン本体２２１の中心ＣＥより上側に位置することができる。

【0061】

リフトピン２２０の上部２２１ａの直径Ｌ４は、例えば、約４．０ミリメートル～５．０ミリメートルであってもよいし、突出部２２３の直径Ｌ５は、約７ミリメートル～約７．７ミリメートルであってもよい。

【0062】

ピン本体２２１の断面形状は、円形であってもよいが、これに限定されない。突出部２２３の断面形状も、円形であってもよいが、これに限定されない。

【0063】

リフトピン２２０は、セラミックなどの材料を含むことができ、図７および図８は、リフトピン２２０全体が同一の材料を含む例を示す。リフトピン２２０は、絶縁性材料を含むことができる。

【0064】

ブッシング構造２１０内でリフトピン２２０が最も下に降りてきたとき、突出部２２３の底面がピン支持部２１５の最も上のスペーサ２１７の上面と接触できる。ピン支持部２１５のｚ方向の全体厚さは、先に説明したように調節可能であり、これによって突出部２２３がピン支持部２１５に係止されたときのリフトピン２２０の高さを調節することができる。

【0065】

先に説明したように、リフトピン２２０の突出部２２３は、図２に示したように、ブッシング構造２１０のピン支持部２１５上に係止されて下へ抜けないように支持できる。これによって、工程中、基板支持体１００およびブッシング構造２１０が上昇するとき、リフトピン２２０も突出部２２３によってブッシング構造２１０に吊られて共に上昇できる。逆に、リフトピン２２０のみｚ方向に上昇するときは、突出部２２３がピン支持部２１５から離れて、リフトピン２２０の上端が基板支持体１００およびブッシング構造２１０の外へ抜け出すことができる。

【0066】

図９は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と基板とが接触する部分を示す断面図であり、図１０は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンとブッシング構造を示す断面図である。

【0067】

図９および図１０を参照すれば、リフトピン２２０の突出部２２３がブッシング構造２１０のピン支持部２１５上に係止されたとき、リフトピン２２０の上端２２０Ｅの面と基板支持体１００の上面との高さが一致して、基板３００の下面と平らに接触できる。もし、リフトピン２２０の上端２２０Ｅが基板支持体１００の上面より高くて突出する、又は低くて凹んだ上面を形成する場合、蒸着工程中、基板３００上に蒸着される膜がリフトピン２２０の上端２２０Ｅ上および周囲で他の箇所より偏差（ばらつき）のある厚さに蒸着されうる。しかし、本実施例によれば、蒸着工程の進行時、基板３００上に蒸着される膜が均一に蒸着される。このために、先に説明したように、ピン支持部２１５に含まれる全体スペーサ２１７およびストッパ２１９の厚さを調節することができる。

【0068】

図１０を参照すれば、リフトピン２２０の突出部２２３がスペーサ２１７の最も上面に接触して係止されたとき、ピン支持部２１５を基準としてその上に突出部２２３およびリフトピン２２０の上部２２１ａが位置し、その下にリフトピン２２０の下部２２１ｂが位置する。

【0069】

先に説明した図面と共に図１１～図１４を参照して、比較例による基板処理装置と比較して、本実施例による基板処理装置について説明する。

【0070】

図１１は、比較例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と基板とが接触する部分を示す断面図であり、図１２は、比較例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と接触した基板内部の電位差を測定した結果であり、図１３は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部と接触した基板内部の電位差を測定した結果であり、図１４は、図１２および図１３の結果による電位差を示すグラフである。

【0071】

図１１を参照すれば、比較例による基板処理装置１０００Ｃは、本実施例とは異なり、基板支持体１００を貫通するブッシング構造２１０Ｃが下部ブッシングおよび上部ブッシングに分割されず、内部にピン支持部も含まない。代わりに、リフトピン２２０Ｃは、最上端に位置する拡張部２２９Ｃを含み、ブッシング構造２１０Ｃの最上端の上面に係止可能である。拡張部２２９Ｃの直径ＬＣはリフトピン２２０Ｃの残りの本体の直径より大きく、これによれば、リフトピン２２０Ｃの上端２２０ＣＥ、つまり、拡張部２２９Ｃの上端が基板３００と当たる面積が大きくなる。基板支持体１００とリフトピン２２０Ｃの材料およびそれによる物性が異なるので、それらの電気的特性の差によって基板３００上に成膜される層に厚さ偏差（ばらつき）が大きく発生するが、基板３００と当たるリフトピン２２０Ｃの上端２２０ＣＥの面積が大きいので、電場歪みによるプラズマなどの不均一が発生して、蒸着される膜の厚さが不均一の程度が大きくなる。

【0072】

これについて、図１２および図１４を参照すれば、比較例による基板処理装置に含まれるリフトピンの最上端の拡張部２２９Ｃの上端２２０ＣＥが基板３００と当たる部分での電位差分布をみると、拡張部２２９Ｃの上端２２０ＣＥと当たる部分と、拡張部２２９Ｃの上端２２０ＣＥと当たらない部分との電位差の偏差（ばらつき）が大きいことが分かる。

【0073】

これに対し、図１３および図１４を参照すれば、一実施例による基板処理装置に含まれるリフトピンの上部２２１ａは、拡張されずに小さい幅を維持するので、比較例に比べて基板３００と接触する面が小さい。上部２２１ａの上端２２０Ｅが基板３００と当たる部分での電位差分布をみると、上部２２１ａの上端２２０Ｅと当たる部分と、上部２２１ａの上端２２０Ｅと当たらない部分との電位差の偏差（ばらつき）が、比較例に比べて小さい。図１４を参照すれば、比較例による電位差グラフＧＣに比べて、実施例による電位差グラフＧＡの幅が小さい。したがって、リフトピンの上部２２１ａが当たる基板３００の面積を最小化して、基板３００上に蒸着される膜が不均一の程度を最小化することができる。

【0074】

また、本実施例のように、リフトピン２２０の上部２２１ａの直径Ｌ４を約４．０ミリメートル～５．０ミリメートルにすれば、上部２２１ａに対応する基板３００上に蒸着される膜の厚さが周辺に比べて偏差（ばらつき）を有するとしても、その幅が５．０ミリメートル以下であるので視認されない。

【0075】

次に、図１５および図１６を参照して、一実施例による基板処理装置の動作について説明する。

【0076】

図１５は、一実施例によるリフトピン組立体を含む基板支持体から基板を分離する段階での動作を示し、図１６は、一実施例によるリフトピン組立体を含む基板支持体が上昇して基板を持ち上げる段階での動作を示す。

【0077】

まず、図１５を参照すれば、蒸着工程前または後に基板３００を交換するための段階で、基板支持体１００およびブッシング構造２１０は共にｚ方向の反対方向、すなわち、下へ下降する。このとき、リフトピン２２０の下端は、ベースプレート４００によって支持され、上端は、基板３００を支持し、基板支持体１００から基板３００を離隔させる役割を果たすことができる。このとき、リフトピン２２０の上部は、基板支持体１００の上面上に突出する。リフトピン２２０の突出部２２３は、ブッシング構造２１０のピン支持部２１５から分離されて次第に離隔する。この状態で基板支持体１００を搬送モジュールに移送して、基板３００を新しい基板３００に交換することができる。

【0078】

次に、図１６を参照すれば、基板支持体１００およびブッシング構造２１０は共にｚ方向、すなわち、上へ上昇して蒸着工程が行われる。このとき、リフトピン２２０の下端は、ベースプレート４００から離れて離隔し、リフトピン２２０の上端は、基板支持体１００の上面と共に基板３００を支持し、基板３００を持ち上げることができる。このとき、リフトピン２２０の上部は、基板支持体１００内に挿入される。リフトピン２２０の突出部２２３は、ブッシング構造２１０のピン支持部２１５の上面に近づいてピン支持部２１５上で係止され、ブッシング構造２１０および基板支持体１００と共に上へ上昇する。つまり、基板支持体１００が上昇するとき、リフトピン２２０は、ピン支持部２１５上に係止された突出部２２３によって基板支持体１００の下へ抜けずに共に上昇できる。

【0079】

先に説明した図面と共に図１７～図１９を参照して、一実施例によるリフトピンについて説明する。

【0080】

図１７は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図であり、図１８は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの上部の断面図であり、図１９は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【0081】

図１７、図１８および図１９を参照すれば、一実施例によるリフトピン２２０Ａは、先に説明したリフトピン２２０と大部分同一であるが、リフトピン２２０Ａは、異なる材料を含む２以上の部分を含むことができる。一実施例によれば、リフトピン２２０Ａの上部２２１ａが、材料が異なる２以上の部分を含むことができる。

【0082】

具体的には、リフトピン２２０Ａは、メイン部２１と、キャップ部（ｃａｐ ｐｏｒｔｉｏｎ）２３と、を含むことができる。メイン部２１とキャップ部２３は、リフトピン２２０Ａの長手方向であるｚ方向に隣接して互いに接合されている。メイン部２１がキャップ部２３よりも下に位置する。つまり、キャップ部２３が基板３００と接触できる。

【0083】

メイン部２１とキャップ部２３との接合方式は、例えば、ねじ線を形成してねじ込むタップ方式、ボンディング方式、ピン圧入方式などの多様な方式であってもよい。多様な接合方式によって、メイン部２１は、上端に位置し、ｚ方向に突出した連結部２２を含むことができる。連結部２２は、キャップ部２３の内部に嵌合される。キャップ部２３は、内部に連結部２２が位置してキャップ部２３に締結可能な空間２０を含むことができる。

【0084】

連結部２２の直径Ｌ８は、上部２２１ａの直径Ｌ４より小さい。連結部２２のｚ方向の長さＬ７は、キャップ部２３のｚ方向の長さＬ６より小さい。キャップ部２３の内部に位置する空間２０のｚ方向の長さＬ９は、連結部２２のｚ方向の長さＬ７以上であってもよい。

【0085】

メイン部２１の材料とキャップ部２３の材料とは互いに異なる。メイン部２１は、例えば、セラミックなどの絶縁性材料を含むことができ、キャップ部２３は、基板支持体１００と同一または物性が類似の材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの金属を含むことができる。

【0086】

これによれば、リフトピン２２０Ａの上部２２１ａの上端が基板支持体１００と同一または類似の材料（例えば、金属）からなるので、基板３００と当たる部分で電位差の偏差（ばらつき）をさらに低減し、基板３００上に蒸着される膜の厚さ偏差（ばらつき）もさらに低減することができる。

【0087】

図１９を参照すれば、一実施例によるリフトピン２２０Ａのメイン部２１とキャップ部２３との境界Ａ１は、突出部２２３を基準として上部に位置することができる。この場合、メイン部２１を構成するリフトピン２２０Ａの下部２２１ｂ、突出部２２３および上部２２１ａの下側の一部は、互いに同一の材料、例えば、セラミックなどの絶縁性材料を含むことができ、上部２２１ａの上側を構成するキャップ部２３は、金属など、基板支持体１００と同一または類似の物性の材料を含むことができる。メイン部２１とキャップ部２３との境界Ａ１は、リフトピン２２０Ａの中心ＣＥより上に位置することができる。

【0088】

次に、図２０および図２１をそれぞれ参照して、一実施例によるリフトピンについて説明する。

【0089】

図２０は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図であり、図２１は、一実施例によるリフトピン組立体に含まれるリフトピンの断面図である。

【0090】

図２０を参照すれば、一実施例によるリフトピン２２０Ｂのメイン部２１とキャップ部２３との境界Ａ２は、突出部２２３を基準として下部に位置することができる。この場合、メイン部２１を構成するリフトピン２２０Ｂの下部２２１ｂの下側の一部は、例えば、セラミックなどの絶縁性材料を含むことができ、キャップ部２３を構成する上部２２１ａ、突出部２２３、そして下部２２１ｂの上側の一部は、互いに同一の材料、例えば、金属など、基板支持体１００と同一または類似の物性の材料を含むことができる。メイン部２１とキャップ部２３との境界Ａ２は、リフトピン２２０Ｂの中心ＣＥ付近に位置することができる。

【0091】

図２１を参照すれば、一実施例によるリフトピン２２０Ｃのメイン部２１とキャップ部２３との境界Ａ３は、突出部２２３を基準として下部に位置し、リフトピン２２０Ｃの中心ＣＥよりも下に位置することができる。この場合、メイン部２１を構成するリフトピン２２０Ｃの下部２２１ｂの下側の一部は、例えば、セラミックなどの絶縁性材料を含むことができ、キャップ部２３を構成する上部２２１ａ、突出部２２３、そして下部２２１ｂの上側の一部は、互いに同一の材料、例えば、金属など、基板支持体１００と同一または類似の物性の材料を含むことができる。

【0092】

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。

【符号の説明】

【0093】

２０：空間
２１：メイン部
２２：連結部
２３：キャップ部
１００：基板支持体
１０１：プレート
１１０：ブッシング固定部
２００：リフトピン組立体
２１０、２１０Ｃ：ブッシング構造
２１１：下部ブッシング
２１３：上部ブッシング
２１５：ピン支持部
２１７：スペーサ
２１９：ストッパ
２２０、２２０Ａ、２２０Ｂ、２２０Ｃ：リフトピン
２２０ＣＥ、２２０Ｅ：上端
２２１：ピン本体
２２１ａ：上部
２２１ｂ：下部
２２３：突出部
２２９Ｃ：拡張部
２３０：ローラ
３００：基板
４００：ベースプレート
１０００、１０００Ｃ：基板処理装置
ＡＡ：締結部
ＣＥ：中心

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】