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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024146812
(43)【公開日】2024-10-15
(54)【発明の名称】電子部品の接合方法と大量の電子部品の移送方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20241004BHJP
H05K 3/34 20060101ALI20241004BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311Q
H05K3/34 507E
【審査請求】有
【請求項の数】37
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024040850
(22)【出願日】2024-03-15
(31)【優先権主張番号】112112737
(32)【優先日】2023-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(71)【出願人】
【識別番号】524101641
【氏名又は名称】コアテック オプト コーポレーション
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ス チン－フェン
(72)【発明者】
【氏名】ツェン ウェン－チア
(72)【発明者】
【氏名】イェ ティン－ピ
【テーマコード（参考）】
5E319
5F044
【Ｆターム（参考）】
5E319AA03
5E319AC01
5E319BB05
5E319CC46
5E319GG15
5F044KK02
5F044KK03
5F044KK04
5F044KK05
5F044KK16
5F044LL00
5F044LL15
5F044PP17
5F044PP19
5F044QQ06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マイクロ発光ダイオードディスプレイの背増に好適な基板と電子部品の接合方法及び大量の電子部品の移送方法を提供する。
【解決手段】接合方法は、少なくとも１つのパッド１２０を有する接合領域１１０を含む第１の上面１００Ａと第１の上面と対向する第１の下面１００Ｂとを有する対象基板１００を提供し、第２の上面２１０Ａと第２の上面と対向し、第２の下面に形成されて電子部品本体と接続される少なくとも１つの電極を備える第２の下面２１０Ｂとを有する電子部品本体２１０とを含む電子部品２００を提供し、電子部品を、対象基板の接合領域に位置合わせし、少なくとも１つの電極を、接合領域における少なくとも１つのパッドに位置合わせしてレーザー光を照射し、レーザー光で少なくとも１つの電極と対象基板の接合領域の少なくとも１つのパッドとを溶接する。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】接合方法は、少なくとも１つのパッド１２０を有する接合領域１１０を含む第１の上面１００Ａと第１の上面と対向する第１の下面１００Ｂとを有する対象基板１００を提供し、第２の上面２１０Ａと第２の上面と対向し、第２の下面に形成されて電子部品本体と接続される少なくとも１つの電極を備える第２の下面２１０Ｂとを有する電子部品本体２１０とを含む電子部品２００を提供し、電子部品を、対象基板の接合領域に位置合わせし、少なくとも１つの電極を、接合領域における少なくとも１つのパッドに位置合わせしてレーザー光を照射し、レーザー光で少なくとも１つの電極と対象基板の接合領域の少なくとも１つのパッドとを溶接する。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子部品の接合方法であって、
対象基板を提供し、前記対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は、接合領域を含み、前記接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、
電子部品を提供し、前記電子部品は、電子部品本体と少なくとも１つの電極とを含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域に位置合わせされ、前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域における前記少なくとも１つのパッドに位置合わせされ、
レーザー光を提供し、前記レーザー光を、前記電子部品の上方から前記電子部品本体に向けて照射し、或いは、前記対象基板の下方から前記対象基板に向けて照射し、前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドに溶接させる、
ステップを含む電子部品の接合方法。
対象基板を提供し、前記対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は、接合領域を含み、前記接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、
電子部品を提供し、前記電子部品は、電子部品本体と少なくとも１つの電極とを含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域に位置合わせされ、前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域における前記少なくとも１つのパッドに位置合わせされ、
レーザー光を提供し、前記レーザー光を、前記電子部品の上方から前記電子部品本体に向けて照射し、或いは、前記対象基板の下方から前記対象基板に向けて照射し、前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドに溶接させる、
ステップを含む電子部品の接合方法。
【請求項2】
前記対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
【請求項3】
前記フレキシブルプリント基板は、
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項２に記載の電子部品の接合方法。
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項２に記載の電子部品の接合方法。
【請求項4】
前記電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
【請求項5】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である、請求項４に記載の電子部品の接合方法。
【請求項6】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項４に記載の電子部品の接合方法。
【請求項7】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される、請求項４に記載の電子部品の接合方法。
【請求項8】
前記少なくとも１つの電極および／または前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ金属、金属合金または金属酸化物である、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
【請求項9】
前記少なくとも１つのパッド上および／または前記少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と前記対象基板の前記少なくとも１つの電極とを間接的に接触させ、前記レーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドに接合させる、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
前記半田によって前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と前記対象基板の前記少なくとも１つの電極とを間接的に接触させ、前記レーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドに接合させる、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
【請求項10】
前記レーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項１に記載の電子部品の接合方法。
【請求項11】
前記電子部品本体の前記第２の上面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記電子部品の上方から前記電子部品本体に照射される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品の接合方法。
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記電子部品の上方から前記電子部品本体に照射される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品の接合方法。
【請求項12】
対象基板の前記第１の下面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記対象基板の下方から前記対象基板に照射される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品の接合方法。
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記対象基板の下方から前記対象基板に照射される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品の接合方法。
【請求項13】
大量の電子部品の移送方法であって、
対象基板を提供し、前記対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域はそれぞれ、いずれも少なくとも１つのパッドを含み、
一時的基板を提供し、前記一時的基板には複数の電子部品が形成され、前記電子部品はそれぞれ、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とを含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品本体の前記第２の下面は、前記対象基板の前記第１の上面に面し、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極は、いずれも、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
レーザー光を提供し、前記レーザー光を、前記一時的基板の上方から前記一時的基板および前記電子部品本体に照射し、さらに前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって、前記レーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む大量の電子部品の移送方法。
対象基板を提供し、前記対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域はそれぞれ、いずれも少なくとも１つのパッドを含み、
一時的基板を提供し、前記一時的基板には複数の電子部品が形成され、前記電子部品はそれぞれ、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とを含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品本体の前記第２の下面は、前記対象基板の前記第１の上面に面し、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極は、いずれも、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
レーザー光を提供し、前記レーザー光を、前記一時的基板の上方から前記一時的基板および前記電子部品本体に照射し、さらに前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって、前記レーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む大量の電子部品の移送方法。
【請求項14】
前記対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項15】
前記フレキシブルプリント基板は、
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項１４に記載の大量の電子部品の移送方法。
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項１４に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項16】
前記電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項17】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、および／または緑色光、および／または青色光、および／または黄色光、および／または白色光、および／または赤外光、および／または紫外光である、請求項１６に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項18】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項１６に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項19】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される、請求項１６に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項20】
前記電子部品の前記少なくとも１つの電極および／または前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金または金属酸化物である、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項21】
前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッド上および／または前記電子部品の少なくとも１つの電極上にそれぞれ半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、前記レーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
前記半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、前記レーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項22】
前記レーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項23】
前記一時的基板は、前記レーザー光によって前記一時的基板の上方から前記一時的基板に照射された時とともに光分解または熱分解された後に除去され、或いは、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極が前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後に直接剥離して除去される、請求項１３に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項24】
前記一時的基板上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記電子部品の上方から前記一時的基板および前記電子部品本体にそれぞれ照射される、請求項１３～２３のいずれか１項に記載の大量の電子部品の移送方法。
前記レーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記電子部品の上方から前記一時的基板および前記電子部品本体にそれぞれ照射される、請求項１３～２３のいずれか１項に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項25】
大量の電子部品の移送方法であって、
対象基板を提供し、前記対象基板は対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は複数の接合領域を含み、前記接合領域はいずれもそれぞれ少なくとも１つのパッドを含み、
前記対象基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板には複数の電子部品が形成され、前記電子部品は、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とをそれぞれ含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品本体の前記第２の下面は、前記対象基板の前記第１の上面に面し、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極は、いずれも、前記接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
第１のレーザー光を提供し、前記第１のレーザー光を、対象基板の下方から前記対象基板に向ける照射し、前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって、前記第１のレーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む大量の電子部品の移送方法。
対象基板を提供し、前記対象基板は対向する第１の上面と第１の下面とを有し、前記第１の上面は複数の接合領域を含み、前記接合領域はいずれもそれぞれ少なくとも１つのパッドを含み、
前記対象基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板には複数の電子部品が形成され、前記電子部品は、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とをそれぞれ含み、前記電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子部品本体の前記第２の下面に形成されて前記電子部品本体と電気的に接続され、前記電子部品本体の前記第２の下面は、前記対象基板の前記第１の上面に面し、前記電子部品は、前記対象基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極は、いずれも、前記接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
第１のレーザー光を提供し、前記第１のレーザー光を、対象基板の下方から前記対象基板に向ける照射し、前記電子部品を、前記少なくとも１つの電極によって、前記第１のレーザー光で前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む大量の電子部品の移送方法。
【請求項26】
前記対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項27】
前記フレキシブルプリント基板は、
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項２６に記載の大量の電子部品の移送方法。
軟性絶縁基材と、
前記軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と、
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、請求項２６に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項28】
前記電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項29】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、および／または緑色光、および／または青色光、および／または黄色光、および／または白色光、および／または赤外光、および／または紫外光である、請求項２８に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項30】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項２８に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項31】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される、請求項２８に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項32】
前記電子部品の前記少なくとも１つの電極および／または前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金または金属酸化物である、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項33】
前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッド上および／または前記電子部品の前記少なくとも１つの電極上に、それぞれ半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、前記第１のレーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
前記半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極と、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、前記第１のレーザー光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、前記加熱された半田によって、前記電子部品の前記少なくとも１つの電極を、前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項34】
前記一時的基板は、前記電子部品が前記少なくとも１つの電極によって前記対象基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後、第２のレーザー光を前記一時的基板の上方から前記一時的基板に照射することによって、前記一時的基板を光分解または熱分解した後に除去され、或いは、前記一時的基板を直接剥離して除去される、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項35】
前記第１のレーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項２５に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項36】
前記第２のレーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項３４に記載の大量の電子部品の移送方法。
【請求項37】
対象基板の前記第１の下面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記第１のレーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記対象基板の下方から前記対象基板に照射される、請求項２５～３６のいずれか１項に記載の大量の電子部品の移送方法。
前記第１のレーザー光は、前記透明または半透明の誘電体層を経由して、前記対象基板の下方から前記対象基板に照射される、請求項２５～３６のいずれか１項に記載の大量の電子部品の移送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は電子部品の接合方法と大量の電子部品の移送方法を開示する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードは、能動発光、高輝度、省エネルギーなどの利点を備えているため、照明、ディスプレイ、プロジェクタなどの技術分野に広く応用されている。また、マイクロ発光ダイオードディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）は、次第に新世代のディスプレイ技術となっている。ただ、高密度（ＦＨＤ：Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ）のディスプレイは、１９２０行×１０８０列の約２００万個の画素を有し、各画素は赤、緑、青の３つのサブピクセル（Ｓｕｂ ｐｉｘｅｌ）にさらに分けられる。そのため、１つの高密度発光ダイオードディスプレイ（ＦＨＤ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ）には、合計約６００万個のＬＥＤ結晶粒（Ｄｉｅ）がある。６００万個の結晶粒を切断してディスプレイパネルの基板に貼り付けるには、どのように大量のマイクロ発光ダイオードをディスプレイパネルの基板に正確に移し、固定接合するかが重要な技術である。
【0003】
既知の電子部品の接合方法としては、主にリフロー溶接方式を利用して、錫ペーストを加熱してリフローした後、電子部品を対象基板に溶接させることである。ただし、リフロー溶接方式には、リフロー過程において、熱ムラによる電子部品のドリフト、過多の錫ペーストによる電子部品の短絡、過少の錫ペーストによる空溶接、または過低のリフロー温度による冷溶接などの欠点がある。
【0004】
また、大量に電子部品を移送する既知の方法としては、主に静電移送、磁力移送、マイクロ転写および流体組み立てなどの方法がある。ただし、これらの大量の電子部品の移送方法は、移送速度や良率をさらに向上させる必要がある。
【0005】
そこで、新規な電子部品の接合方法および大量の電子部品の移送方法が業界で切実に望まれている。
【発明の概要】
【0006】
本発明は、電子部品の接合方法を開示し、以下のステップを含む：対象基板を提供し、当該対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、当該第１の上面は、接合領域を含み、当該接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、電子部品を提供し、当該電子部品は、電子部品本体と少なくとも１つの電極とを含み、当該電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子部品本体の当該第２の下面に形成されて当該電子部品本体と電気的に接続され、当該電子部品は、当該対象基板の当該接合領域に位置合わせされ、当該少なくとも１つの電極は、当該接合領域における当該少なくとも１つのパッドに位置合わせされ、レーザー光を提供し、当該レーザー光を、当該電子部品の上方から当該電子部品本体に向けて照射し、或いは、当該対象基板の下方から当該対象基板に向けて照射し、当該電子部品を、当該少なくとも１つの電極によって当該レーザー光で当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドに溶接させる。
【0007】
前述のような電子部品の接合方法において、当該対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である。
【0008】
前述のような電子部品の接合方法において、当該フレキシブルプリント基板は、軟性絶縁基材と、当該軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含む。当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成されて当該回路と電気的に接続される。
【0009】
前述のような電子部品の接合方法において、当該電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される。
【0010】
前述のような電子部品の接合方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である。
【0011】
前述のような電子部品の接合方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0012】
前述のような電子部品の接合方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される。
【0013】
前述のような電子部品の接合方法において、当該少なくとも１つの電極および／または当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ金属、金属合金または金属酸化物である。
【0014】
前述のような電子部品の接合方法において、当該少なくとも１つのパッド上および／または当該少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含む。当該半田によって当該電子部品の当該少なくとも１つの電極と当該対象基板の当該少なくとも１つの電極とを間接的に接触させる。当該レーザー光によって当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得る。さらに、当該加熱された半田によって当該電子部品の当該少なくとも１つの電極を当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドに接合させる。
【0015】
前述のような電子部品の接合方法において、当該レーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0016】
前述のような電子部品の接合方法において、当該電子部品本体の当該第２の上面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む。当該レーザー光は、当該透明または半透明の誘電体層を経由して、当該電子部品の上方から当該電子部品本体に照射される。
【0017】
前述のいずれか１項のような電子部品の接合方法において、対象基板の当該第１の下面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む。当該レーザー光は、当該透明または半透明の誘電体層を経由して、当該対象基板の下方から当該対象基板に照射される。
【0018】
本発明は、さらに大量の電子部品の移送方法を開示し、以下のステップを含む：対象基板を提供し、当該対象基板は、対向する第１の上面と第１の下面とを有し、当該第１の上面は、複数の接合領域を含み、当該接合領域は、いずれもそれぞれ少なくとも１つのパッドを含み、一時的基板を提供し、当該一時的基板には複数の電子部品が形成され、当該電子部品はそれぞれ、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とを含み、当該電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子部品本体の当該第２の下面に形成されて当該電子部品本体と電気的に接続され、当該電子部品本体の当該第２の下面は、当該対象基板の当該第１の上面に面し、当該電子部品は、当該対象基板の当該接合領域にそれぞれ位置合わせされ、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極は、いずれも、当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、レーザー光を提供し、当該レーザー光を、当該一時的基板の上方から当該一時的基板および当該電子部品本体にそれぞれ照射し、さらに当該電子部品を、当該少なくとも１つの電極によって、当該レーザー光で当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる。
【0019】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である。
【0020】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該フレキシブルプリント基板は、軟性絶縁基材と、当該軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含む。当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成されて当該回路と電気的に接続される。
【0021】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される。
【0022】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、および／または緑色光、および／または青色光、および／または黄色光、および／または白色光、および／または赤外光、および／または紫外光である。
【0023】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0024】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される。
【0025】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極および／または当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金または金属酸化物である。
【0026】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッド上および／または当該電子部品の少なくとも１つの電極上にそれぞれ半田を形成するステップをさらに含む。当該半田によって、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極と、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、当該レーザー光によって当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、当該加熱された半田によって、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極を、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる。
【0027】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該レーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0028】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該一時的基板は、当該レーザー光によって当該一時的基板の上方から当該一時的基板に照射された時とともに光分解または熱分解された後に除去され、或いは、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極が当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後に直接剥離して除去される。
【0029】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該一時的基板上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む。当該レーザー光は、当該透明または半透明の誘電体層を経由して、当該電子部品の上方から当該一時的基板および当該電子部品本体にそれぞれ照射される。
【0030】
本発明は、さらに別の大量の電子部品の移送方法を開示し、以下のステップを含む：対象基板を提供し、当該対象基板は対向する第１の上面と第１の下面とを有し、当該第１の上面は複数の接合領域を含み、当該接合領域はいずれも少なくとも１つのパッドを含み、当該対象基板の上方に一時的基板を提供し、当該一時的基板には複数の電子部品が形成され、当該電子部品は、電子部品本体と、少なくとも１つの電極とをそれぞれ含み、当該電子部品本体は、対向する第２の上面と第２の下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子部品本体の当該第２の下面に形成されて当該電子部品本体と電気的に接続され、当該電子部品本体の当該第２の下面は、当該対象基板の当該第１の上面に面し、当該電子部品は、当該対象基板の当該接合領域にそれぞれ位置合わせされ、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極は、いずれも、当該接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、レーザー光を提供し、当該レーザー光を、対象基板の下方から当該対象基板に向ける照射し、当該電子部品を、当該少なくとも１つの電極によって、当該レーザー光で当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる。
【0031】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該対象基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板である。
【0032】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該フレキシブルプリント基板は、軟性絶縁基材と、当該軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含む。当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成されて当該回路と電気的に接続される。
【0033】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該電子部品は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび半導体素子からなる群から選択される。
【0034】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、および／または緑色光、および／または青色光、および／または黄色光、および／または白色光、および／または赤外光、および／または紫外光である。
【0035】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0036】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣおよびアナログＩＣからなる群から選択される。
【0037】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極および／または当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金または金属酸化物である。
【0038】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッド上および／または当該電子部品の当該少なくとも１つの電極上に、それぞれ半田を形成するステップをさらに含む。当該半田によって、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極と、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドと、を互いに間接的に接触させ、当該レーザー光によって当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、さらに、当該加熱された半田によって、当該電子部品の当該少なくとも１つの電極を、当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる。
【0039】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該一時的基板は、当該電子部品が当該少なくとも１つの電極によって当該対象基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後、第２のレーザー光を当該一時的基板の上方から当該一時的基板に照射することによって、当該一時的基板を光分解または熱分解した後に除去され、或いは、当該一時的基板を直接剥離して除去される。
【0040】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該レーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0041】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、当該第２のレーザー光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0042】
前述のような大量の電子部品の移送方法において、対象基板の当該第１の下面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む。当該第１のレーザー光は、当該透明または半透明の誘電体層を経由して、当該対象基板の下方から当該対象基板に照射される。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
【0050】
【0051】
【0052】
【0053】
【0054】
【0055】
【0056】
【0057】
【0058】
【0059】
【0060】
【図18A】本発明の実施例１８に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図18B】本発明の実施例１８に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図18C】本発明の実施例１８に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【0061】
【図19A】本発明の実施例１９に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図19B】本発明の実施例１９に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図19C】本発明の実施例１９に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【0062】
【図20A】本発明の実施例２０に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図20B】本発明の実施例２０に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図20C】本発明の実施例２０に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図20D】本発明の実施例２０に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【0063】
【図21A】本発明の実施例２１に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図21B】本発明の実施例２１に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図21C】本発明の実施例２１に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【図21D】本発明の実施例２１に係る大量の電子部品の移送プロセスの断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0064】
本発明の開示内容の記述をより詳細かつ完全にするために、以下に本発明の実施形態と具体的な実施例について説明的な説明を提供する。しかし、これは本発明の具体的な実施例を実施または運用する唯一の形態ではない。以下に開示される各実施例は、有益な場合には互いに組み合わされてもよいし、代替されてもよいし、さらなる記載や説明を必要とせずに、一実施例に他の実施例を付加してもよい。
【0065】
以下の説明では、読者が以下の実施例を十分に理解できるように、多くの特定の詳細を詳細に述べる。しかしながら、本発明の実施形態は、このような特定の詳細なしで実施することができる。他の場合には、図面を簡略化するために、周知の構成や装置が図面に概略的にのみ図示される。
【0066】
実施例
【0067】
実施例１
【0068】
まず、図１Ａを参照する。図１Ａに示すように、対象基板１００および電子部品２００が提供される。対象基板１００は、対向する第１の上面１００Ａと第１の下面１００Ｂとを有する。第１の上面１００Ａは接合領域１１０を含み、接合領域は少なくとも１つのパッド１２０を含む。電子部品２００は、対向する第２の上面２１０Ａと第２の下面２１０Ｂを有する電子部品本体２１０と、少なくとも１つの電極２２０とを含む。少なくとも１つの電極２２０は、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ上に形成されて電子部品本体２１０と電気的に接続されている。電子部品２００は、対象基板１００の接合領域１１０に位置合わせされる。少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０における少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされる。
【0069】
本実施例によれば、対象基板１００は、例えば、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板であってもよいが、これらには限定されない。
【0070】
本実施例によれば、対象基板１００は、フレキシブルプリント基板を例にして説明される。フレキシブルプリント基板は、軟性絶縁基材と、軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、回路を覆う絶縁層とを含むことができる。このパッドは、絶縁層の表面に形成されて回路と電気的に接続されている。
【0071】
本実施例によれば、電子部品２００は、例えば、発光ダイオード、レーザダイオードまたは半導体素子であってよいが、これには限定されない。発光ダイオードが発する光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であってよいが、これには限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば３９０ｎｍ～１７００ｎｍであってよいが、これには限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ、またはアナログＩＣであってよいが、これらに限定されない。本実施例１の電子部品２００は、発光ダイオードを例に説明される。
【0072】
本実施例によれば、少なくとも１つの電極２２０および／または少なくとも１つのパッド１２０の材料は、それぞれ、例えば、金属、金属合金、または金属酸化物であってよいが、これには限定されない。
【0073】
次に、図１Ｂを参照する。図１Ｂに示すように、レーザー光が提供される。レーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に向けてレーザー光を照射する。レーザー光は、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0074】
実施例２
【0075】
【0076】
次に、図２Ｂを参照する。図２Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射し、このレーザー光を、対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、該対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0077】
実施例３
【0078】
まず、図３Ａを参照する。図３Ａに示すように、実施例１で説明したものと同様な構成を有する対象基板１００および電子部品２００が提供されるが、ここではこれ以上説明しない。また、図３Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上に半田３００を形成し、この半田３００によって電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0079】
次に、図３Ｂを参照する。図３Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これには限定されない。このレーザー光を、電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に向けて照射する。このレーザー光を電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、レーザー光によって半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。
【0080】
実施例４
【0081】
まず、図４Ａを参照する。図４Ａに示すように、実施例１で説明したものと同様な構成を有する対象基板１００と電子部品２００が提供されるが、ここではこれ以上説明しない。また、図４Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上に半田３００を形成し、この半田３００によって、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0082】
次に、図４Ｂを参照する。図４Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射する。このレーザー光を、対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、半田３００、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、この半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの半田パッド１２０に接合させる。
【0083】
実施例５
【0084】
図５Ａ～５Ｂを参照する。本実施例５に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例１に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例５において、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることをさらに含むことである。このレーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に照射される。そして、このレーザー光を電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0085】
実施例６
【0086】
図６Ａ～６Ｂを参照する。本実施例６に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例２に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例６において、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。レーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射される。このレーザー光を対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0087】
実施例７
【0088】
図７Ａ～７Ｂを参照する。本実施例７に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例３に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例７において、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることをさらに含むことである。レーザー光は、該電子部品２００の上方から透明または半透明の誘電体層４００を経由して、電子部品本体２１０に向けて照射される。このレーザー光を、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、半田３００、少なくとも１つの電極２２０または少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、この半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの半田パッド１２０に接合させる。
【0089】
実施例８
【0090】
図８Ａ～８Ｂを参照する。本実施例８に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例４に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例８において、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。ここで、レーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射される。このレーザー光を、対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、半田３００、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して、加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。
【0091】
実施例９
【0092】
【0093】
次に、図９Ｂを参照する。図９Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これには限定されない。このレーザー光を、横方向から半田３００に直接照射し、半田３００を直接加熱して、加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの半田パッド１２０に接合させる。
【0094】
実施例１０
【0095】
まず、図１０Ａを参照する。図１０Ａに示すように、対象基板１００と電子部品２００が提供される。この対象基板１００の構成は、実施例１で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。この電子部品２００の構成は、実施例１で説明したものと大体同様である。ただ、本実施例１０に係る電子部品本体２１０は、第２の上面２１０Ａと第２の下面２１０Ｂとを貫通する貫通孔（図示せず）をさらに有する。この貫通孔（図示せず）内には、熱伝導材２５０が埋め込まれている。熱伝導材２５０は、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０に接続されている。ここで、電子部品２００は、同様に、対象基板１００の接合領域１１０に位置合わせされている。そして、少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０内の少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされている。
【0096】
次に、図１０Ｂを参照する。図１０Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に向けて該照射する。このレーザー光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0097】
実施例１１
【0098】
まず、図１１Ａを参照する。図１１Ａに示すように、対象基板１００と電子部品２００とが提供される。この電子部品２００の構成は、実施例１で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。この対象基板１００の構成は、実施例１で説明したものと大体同様である。ただ、本実施例１１の対象基板１００は、第１の上面１００Ａと第１の下面１００Ｂとを貫通する貫通孔（図示せず）をさらに有する。この貫通孔（図示せず）には熱伝導材１５０が埋め込まれている。熱伝導材１５０は、対象基板１００の接合領域１１０における少なくとも１つのパッド１２０に接続されている。ここで、電子部品２００は、同様に、対象基板１００の接合領域１１０に位置合わせされている。少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされている。
【0099】
次に、図１１Ｂを参照する。図１１Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射する。このレーザー光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0100】
実施例１２
【0101】
まず、図１２Ａを参照する。図１２Ａに示すように、対象基板１００および電子部品２００が提供される。対象基板１００と電子部品２００との構成は、実施例１０で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図１２Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上に半田３００が形成される。この半田３００によって、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0102】
次に、図１２Ｂを参照する。図１２Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に向けて照射する。そして、このレーザー光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、または少なくとも１つの半田パッド１２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。
【0103】
実施例１３
【0104】
まず、図１３Ａを参照する。図１３Ａに示すように、対象基板１００および電子部品２００が提供される。この対象基板１００と電子部品２００の構成は、実施例１１で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図１３Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上には半田３００が形成される。電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを、この半田３００によって間接的に接触させる。
【0105】
次に、図１３Ｂを参照する。図１３Ｂに示すように、レーザー光が供給される。このレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射する。そして、このレーザー光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。
【0106】
実施例１４
【0107】
図１４Ａ～１４Ｂを参照する。本実施例１４に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例１０に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例１４において、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることをさらに含むことである。このレーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して、電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に照射される。そして、レーザー光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0108】
実施例１５
【0109】
図１５Ａ～１５Ｂを参照する。本実施例１５に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例１１に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例１５において、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。ここで、レーザー光は、透明または半透明誘電体層４００を経由して、対象基板１００の下方から対象基板１００に向けて照射される。レーザー光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を形成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0110】
実施例１６
【0111】
図１６Ａ～図１６Ｂを参照する。本実施例１６に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例１２に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例１６において、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることをさらに含むことである。レーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して、電子部品２００の上方から電子部品本体２１０に向けて照射される。レーザー光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、または少なくとも１つの半田パッド１２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの半田パッド１２０に接合させる。
【0112】
実施例１７
【0113】
図１７Ａ～１７Ｂを参照する。本実施例１７に開示される電子部品の接合プロセスは、実施例１３に開示されたものと大体同様である。その差異としては、本実施例１７において、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。レーザー光は、透明または半透明の誘電体層４００を経由して、対象基板１００の下方から対象基板１００に照射される。そして、レーザー光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱されたはんだ３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。
【0114】
実施例１８
【0115】
【0116】
まず、図１８Ａに示すように、対象基板１００が提供される。対象基板１００は、対向する第１の上面１００Ａと第１の下面１００Ｂとを有する。第１の上面１００Ａは、複素の接合領域１１０を含む。接合領域１１０は、少なくとも１つのパッド１２０をそれぞれ含む。また、図１８Ａに示すように、対象基板１００の上方には、一時的基板５００が設けられている。一時的基板５００上には、複数の電子部品２００が形成されている。電子部品２００は、電子部品本体２１０および少なくとも１つの電極２２０をそれぞれ含む。電子部品本体２１０は、対向する第２の上面２１０Ａと第２の下面２１０Ｂとを有する。少なくとも１つの電極２２０は、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ上に形成されて電子部品本体２１０と電気的に接続されている。ここで、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂは、対象基板１００の第１の上面１００Ａに面している。電子部品２００は、対象基板１００の接合領域１１０にそれぞれ位置合わせされる。電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ位置合わせされる。
【0117】
本実施例によれば、対象基板１００は、例えば、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント基板、またはフレキシブルプリント基板であってよいが、これらに限定されない。
【0118】
本実施例によれば、対象基板１００は、フレキシブルプリント基板を例にして説明される。フレキシブルプリント基板は、絶縁層表面に形成されて回路と電気的に接続されている軟性絶縁基材と、軟性絶縁基材の表面に形成された回路と、回路を覆う絶縁層とを含む。
【0119】
本実施例によれば、電子部品２００は、例えば、発光ダイオード、レーザダイオードまたは半導体素子であってよいが、これには限定されない。発光ダイオードが発する光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であってよいが、これには限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであってよいが、これらには限定されない。半導体部品は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ、またはアナログＩＣであってよいが、これらには限定されない。本実施例１の電子部品２００は、発光ダイオードを例に説明される。
【0120】
本実施例によれば、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０および／または接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０の材料は、それぞれ、例えば、金属、金属合金または金属酸化物であってよいが、これらには限定されない。
【0121】
次に、図１８Ｂに示すように、レーザー光が提供される。レーザー光の波長は、例えば１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。レーザー光を、一時的基板５００の上方から一時的基板５００および各電子部品本体２１０に照射する。レーザー光を、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、電子部品２００のそれぞれ少なくとも１つの電極２２０、または接合領域１１０のそれぞれ少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。さらに、電子部品２００のそれぞれ少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０のそれぞれ少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0122】
一時的基板５００を除去した後、図１８Ｃに示すように、電子部品２００を、一時的基板５００から対象基板１００の接合領域１１０に大量に移送することができる。ここで、一時的基板５００は、レーザー光を一時的基板５００の上方から一時的基板５００に照射した時とともに光分解または熱分解されて除去されてもよいし、或いは、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０が対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合された後に、直接はく離して除去されてもよい。
【0123】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例５、１０、１４などに開示された電子部品の接合方法を、本実施例に開示される大量の電子部品の移送方法に適用してもよい。電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0124】
実施例１９
【0125】
【0126】
まず、図１９Ａに示すように、実施例１８に示す対象基板１００と一時的基板５００が提供される。その構成は、実施例１８で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図１９Ａに示すように、パッド１２０上および／または電極２２０上には、半田３００が形成される。電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの電極１２０とをそれぞれ、半田３００によって、間接的に接触させる。
【0127】
次に、図１９Ｂに示すように、レーザー光が提供される。レーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。このレーザー光を、一時的基板５００の上方から一時的基板５００および各電子部品本体２１０に照射する。このレーザー光を、電子部品本体２１０の第２の上面２１０Ａ、電子部品本体２１０内、電子部品本体２１０の第２の下面２１０Ｂ、電子部品２００のそれぞれ少なくとも１つの電極２２０、半田３００または接合領域１１０のそれぞれ少なくとも１つのパッド１２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合させる。
【0128】
一時的基板５００を除去した後、図１９Ｃに示すように、電子部品２００は、一時的基板５００から対象基板１００の接合領域１１０に大量に移送される。ここで、一時的基板５００は、レーザー光を一時的基板５００の上方から一時的基板５００に照射した時に光分解または熱分解されて除去されてもよいし、或いは、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０が対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合された後に、直接剥離して除去されてもよい。
【0129】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例７、１２、１６などに開示された電子部品の接合方法を、本実施例に開示される大量の電子部品の移送方法に適用してもよい。電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0130】
実施例２０
【0131】
本実施例２０に開示される大量の電子部品の移送方法は、図２０Ａ～２０Ｃを参照して以下に説明される。
【0132】
まず、図２０Ａに示すように、実施例１８に示すような対象基板１００と一時的基板５００が提供される。その構成は実施例１８で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。
【0133】
次に、図２０Ｂに示すように、第１のレーザー光が提供される。第１のレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。第１のレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に照射する。そして、第１のレーザー光を、対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、各接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０、または各電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間にそれぞれ共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、第１のレーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0134】
次に、図２０Ｃに示すように、第２のレーザー光が提供される。第２のレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。一時的基板５００の上方から第２のレーザー光を照射する。これを光分解または熱分解した後に除去する。図２０Ｄに示すように、電子部品２００は、一時的基板５００から対象基板１００の接合領域１１０に大量に移送される。
【0135】
また、本発明に係る他の実施形態において、一時的基板５００は、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０が対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合された後、直接剥離して除去されてもよい。
【0136】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例６、１１、１５などに開示された電子部品の接合方法を、本実施例に開示される大量の電子部品の移送方法に適用してもよい。電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0137】
実施例２１
【0138】
まず、図２１Ａに示すように、実施例１８に示すような対象基板１００と一時的基板５００が提供される。その構成は実施例１８で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図２１Ａに示すように、パッド１２０上および／または電極２２０上には、半田３００が形成される。この半田３００によって、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０と対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つの電極１２０とをそれぞれ間接的に接触させる。
【0139】
次に、図２１Ｂに示すように、第１のレーザー光が供給される。第１のレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。第１のレーザー光を、対象基板１００の下方から対象基板１００に照射する。そして、第１のレーザー光を、対象基板１００の第１の上面１００Ａ、対象基板１００内、対象基板１００の第１の下面１００Ｂ、各接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０、半田３００、または各電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０に集中させることができるようにする。そして、半田３００をレーザー光によって直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０を、加熱された半田３００'によって、対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合させる。
【0140】
次に、図２１Ｃに示すように、第２のレーザー光が供給される。第２のレーザー光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであってよいが、これには限定されない。第２のレーザー光を、一時的基板５００の上方から一時的基板５００に照射する。これを光分解または熱分解さして除去する。そして、図２１Ｄに示すように、この電子部品２００は、一時的基板５００から対象基板１００の接合領域１１０に大量に移送される。
【0141】
また、本発明の他の実施例において、一時的基板５００は、電子部品２００の少なくとも１つの電極２２０が対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ接合された後、直接剥離して除去されてもよい。
【0142】
また、本発明の他の実施例によれば、実施例８、１３、１７等に開示された電子部品の接合方法を、本実施例に開示される大量の電子部品の移送方法に適用してもよい。そして、電子部品２００を、少なくとも１つの電極２２０によって、レーザー光で対象基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０にそれぞれ溶接させる。
【0143】
本発明は実施例で上述したように開示されているが、本発明を限定するために使用されるものではなく、この技術に精通しているいかなる者も、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、種々の変更および仕上げを行うことができるので、本発明の保護範囲は、添付の特許出願の範囲によって規定されている者に準じている。
【符号の説明】
【0144】
１００ 対象基板
１００Ａ 第１の上面
１００Ｂ 第１の下面
１１０ 接合領域
１２０ パッド
２００ 電子部品
２１０ 電子部品本体
２１０Ａ 第２の上面
２１０Ｂ 第２の下面
２２０ 電極
１５０、２５０ 熱伝導材
３００ 半田
３００' 加熱された半田
４００ 透明または半透明の誘電体層
５００ 一時的基板
１００Ａ 第１の上面
１００Ｂ 第１の下面
１１０ 接合領域
１２０ パッド
２００ 電子部品
２１０ 電子部品本体
２１０Ａ 第２の上面
２１０Ｂ 第２の下面
２２０ 電極
１５０、２５０ 熱伝導材
３００ 半田
３００' 加熱された半田
４００ 透明または半透明の誘電体層
５００ 一時的基板
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図19A】
【図19B】
【図19C】
【図20A】
【図20B】
【図20C】
【図20D】
【図21A】
【図21B】
【図21C】
【図21D】
【外国語明細書】