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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024014701
(43)【公開日】2024-02-01
(54)【発明の名称】マスクと支持部との連結体及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/04 20060101AFI20240125BHJP
C25D 1/10 20060101ALI20240125BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240125BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240125BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240125BHJP
【ＦＩ】
C23C14/04 A
C25D1/10
H10K50/10
H10K59/10
H10K71/16
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023061762
(22)【出願日】2023-04-05
(31)【優先権主張番号】10-2022-0091157
(32)【優先日】2022-07-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0097125
(32)【優先日】2022-08-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0097839
(32)【優先日】2022-08-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0120077
(32)【優先日】2022-09-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0163155
(32)【優先日】2022-11-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0012920
(32)【優先日】2023-01-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】523128645
【氏名又は名称】オラム マテリアル コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】Ｏｌｕｍ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
(74)【代理人】
【識別番号】100112737
【弁理士】
【氏名又は名称】藤田 考晴
(74)【代理人】
【識別番号】100136168
【弁理士】
【氏名又は名称】川上 美紀
(74)【代理人】
【識別番号】100196117
【弁理士】
【氏名又は名称】河合 利恵
(72)【発明者】
【氏名】テーク ヨン チャン
(72)【発明者】
【氏名】ヨン ホ リー
(72)【発明者】
【氏名】フィ ス キム
(72)【発明者】
【氏名】ドン ジン リー
(72)【発明者】
【氏名】ビュン イル リー
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC35
3K107CC45
3K107DD14
3K107FF04
3K107FF15
3K107FF17
3K107GG04
3K107GG33
4K029AA06
4K029AA24
4K029BA62
4K029BB03
4K029BD01
4K029CA01
4K029HA02
4K029HA03
4K029HA04
4K029JA06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マスクと支持部との連結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるマスクと支持部との連結体１０は、半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスク２０と支持部３０との連結体であって、フレーム部３１及びグリッド部３３、３５を含む支持部；支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部Ｃを含むマスク；を含むことを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】本発明によるマスクと支持部との連結体１０は、半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスク２０と支持部３０との連結体であって、フレーム部３１及びグリッド部３３、３５を含む支持部；支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部Ｃを含むマスク；を含むことを特徴とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体であって、
フレーム部及びグリッド部を含む支持部と、
前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含むマスクと、
を含む、マスクと支持部との連結体。
フレーム部及びグリッド部を含む支持部と、
前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含むマスクと、
を含む、マスクと支持部との連結体。
【請求項2】
前記グリッド部の厚さは、前記フレーム部よりも薄い、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項3】
前記支持部及び前記マスクは、円形状を有し、
前記グリッド部は、第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部と、
前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部と、
を含む、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
前記グリッド部は、第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部と、
前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部と、
を含む、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項4】
前記マスクは、
前記フレーム部上に連結されるダミー部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、前記複数のセル部の間に配される区画部と、を含み、
前記区画部は、前記グリッド部上に支持される、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
前記フレーム部上に連結されるダミー部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、前記複数のセル部の間に配される区画部と、を含み、
前記区画部は、前記グリッド部上に支持される、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項5】
前記支持部は、シリコンウェーハから形成されたものであり、
前記マスクは、前記シリコンウェーハ上で電鋳メッキで形成された、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
前記マスクは、前記シリコンウェーハ上で電鋳メッキで形成された、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項6】
前記支持部と前記マスクとの間にＮｉ及びＳｉを含む連結部、またはＦｅ、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部が介在された、請求項５に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項7】
前記支持部と前記マスクとの間にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つを含む連結部が介在された、請求項５に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項8】
前記マスクは、インバー、スーパーインバー、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも何れか１つの材質である、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項9】
前記マスクは、異なる材質の第１マスク層及び第２マスク層を含み、
前記第１マスク層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも何れか１つを含む材質であり、前記第２マスク層は、インバーまたはスーパーインバー材であり、
前記第１マスク層が、前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介する、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
前記第１マスク層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも何れか１つを含む材質であり、前記第２マスク層は、インバーまたはスーパーインバー材であり、
前記第１マスク層が、前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介する、請求項１に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項10】
前記シリコンウェーハの（１００）面または（１１１）面の結晶方向と、前記第１グリッド部または第２グリッド部の長手方向と、が平行ではない、請求項５に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項11】
前記マスクは、
前記フレーム部上に連結されるダミー部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部と、を含み、
それぞれの前記セル部の間にスリットラインが形成されて前記セル部が離隔配置された、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
前記フレーム部上に連結されるダミー部と、
前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部と、を含み、
それぞれの前記セル部の間にスリットラインが形成されて前記セル部が離隔配置された、請求項３に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項12】
前記フレーム部及び前記グリッド部は、テーパー状の側面を含む、請求項５に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項13】
前記支持部の表面抵抗は、５Ｘ１０－４～１Ｘ１０－２ｏｈｍ・ｃｍである、請求項５に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項14】
前記ダミー部は、前記ダミー部を貫通するように形成されるか、前記ダミー部上で所定の深さに形成された複数のダミーパターンを含む複数のダミーセル部を含む、請求項４に記載のマスクと支持部との連結体。
【請求項15】
半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体の製造方法であって、
（ａ）第１面及び前記第１面の反対面である第２面を含み、導電性基板である支持部を準備する段階と、
（ｂ）前記支持部の前記第１面上で電鋳メッキ方式でマスクを形成する段階と、
（ｃ）前記支持部及び前記マスクを熱処理する段階と、
（ｄ）前記支持部の前記第２面上で前記支持部をエッチングしてフレーム部及びグリッド部を形成する段階と、
を含む、マスクと支持部との連結体の製造方法。
（ａ）第１面及び前記第１面の反対面である第２面を含み、導電性基板である支持部を準備する段階と、
（ｂ）前記支持部の前記第１面上で電鋳メッキ方式でマスクを形成する段階と、
（ｃ）前記支持部及び前記マスクを熱処理する段階と、
（ｄ）前記支持部の前記第２面上で前記支持部をエッチングしてフレーム部及びグリッド部を形成する段階と、
を含む、マスクと支持部との連結体の製造方法。
【請求項16】
前記（ａ）段階と前記（ｂ）段階との間に、
（ａ２）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つの材質を含む連結部を形成する段階をさらに含み、
前記（ｂ）段階で、前記連結部上で電鋳メッキ方式で前記マスクを形成する、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
（ａ２）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つの材質を含む連結部を形成する段階をさらに含み、
前記（ｂ）段階で、前記連結部上で電鋳メッキ方式で前記マスクを形成する、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
【請求項17】
前記（ｃ）段階の熱処理後、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部、またはＦｅ、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部が介在されて、前記支持部と前記マスクとが連結される、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
【請求項18】
前記（ｃ）段階の熱処理は、２００～８００℃で行う、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
【請求項19】
前記（ｃ）段階と前記（ｄ）段階との間に、
（ｃ２）前記支持部の第２面上で少なくとも前記グリッド部が形成される領域の厚さを減縮する段階をさらに含む、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
（ｃ２）前記支持部の第２面上で少なくとも前記グリッド部が形成される領域の厚さを減縮する段階をさらに含む、請求項１５に記載のマスクと支持部との連結体の製造方法。
【請求項20】
半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体であって、
フレーム部；第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部；前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部；を含み、円形状を有する支持部と、
前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含み、円形状を有するマスクと、
前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介する連結部と、を含み、
前記支持部は、シリコンウェーハから形成されたものであり、前記マスクは、前記シリコンウェーハ上に電鋳メッキで形成されたものであり、
前記連結部は、下記の（１）ないし（３）のうち何れか１つを含み、
（１）Ｎｉ及びＳｉ；
（２）Ｆｅ、Ｎｉ及びＳｉ；
（３）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つ；
前記マスクは、インバー、スーパーインバー、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも何れか１つの材質である、マスクと支持部との連結体。
フレーム部；第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部；前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部；を含み、円形状を有する支持部と、
前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含み、円形状を有するマスクと、
前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介する連結部と、を含み、
前記支持部は、シリコンウェーハから形成されたものであり、前記マスクは、前記シリコンウェーハ上に電鋳メッキで形成されたものであり、
前記連結部は、下記の（１）ないし（３）のうち何れか１つを含み、
（１）Ｎｉ及びＳｉ；
（２）Ｆｅ、Ｎｉ及びＳｉ；
（３）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つ；
前記マスクは、インバー、スーパーインバー、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも何れか１つの材質である、マスクと支持部との連結体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マスクと支持部との連結体及びその製造方法に係り、より詳細には、半導体ウェーハ上への画素形成時に使用し、超高解像度のマスクパターンを精密に形成することができるマスクと支持部との連結体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＯＬＥＤ製造工程で画素を形成する技術として、薄膜の金属マスク（Ｓｈａｄｏｗ Ｍａｓｋ）を基板に密着させて所望の位置に有機物を蒸着するＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）法が主に使われる。
【0003】
既存のＯＬＥＤ製造工程では、マスク薄膜を製造した後、マスクをＯＬＥＤ画素蒸着フレームに溶接固定させて使用するが、固定させる過程で大面積マスクの整列がうまくいかないという問題点があった。また、フレームに溶接固定する過程でマスク膜の厚さが過度に薄く、大面積であるために、荷重によってマスクが垂れるか、捻じられるという問題点があった。
【0004】
超高画質のＯＬＥＤ製造工程では、１μｍ以下の微細な整列の誤差も画素蒸着の失敗に繋がるので、マスクが垂れるか、捻じれるなどの変形を防止し、整列を明確にする技術などの開発が必要な実情である。
【0005】
一方、最近、ＶＲ（ｖｉｒｔｕａｌ ｒｅａｌｉｔｙ）機器に適用されるマイクロディスプレイ（ｍｉｃｒｏ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。マイクロディスプレイは、ＶＲ機器でユーザの目の前で映像を示すために、既存のディスプレイよりもさらに小さな画面サイズを有しながらも、小さな画面内で高画質を具現しなければならない。したがって、既存の超高画質のＯＬＥＤ製造工程に使われるマスクよりも小型のマスクパターンと、画素蒸着工程前にマスクのさらに微細な整列と、が必要な実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
したがって、本発明は、前記のような従来技術の諸問題点を解決するために案出されたものであって、マイクロディスプレイの超高画質画素を具現することができるマスクと支持部との連結体及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【0007】
また、本発明は、マスクの整列を明確にして画素蒸着の安定性を向上させうるマスクと支持部との連結体及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【0008】
しかし、このような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の前記の目的は、半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体であって、フレーム部及びグリッド部を含む支持部；前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含むマスク；を含むマスクと支持部との連結体によって達成される。
【0010】
前記グリッド部の厚さは、前記フレーム部よりも薄い。
【0011】
前記支持部及び前記マスクは、円形状を有し、前記グリッド部は、第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部；前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部；を含みうる。
【0012】
前記マスクは、前記フレーム部上に連結されるダミー部；前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部；前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、前記複数のセル部の間に配される区画部；を含み、前記区画部は、前記グリッド部上に支持される。
【0013】
前記支持部は、シリコンウェーハから形成されたものであり、前記マスクは、前記シリコンウェーハ上に電鋳メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ）で形成されたものである。
【0014】
前記支持部と前記マスクとの間にＮｉ及びＳｉを含む連結部、またはＦｅ、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部が介在される。
【0015】
前記支持部と前記マスクとの間にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つを含む連結部が介在される。
【0016】
前記マスクは、インバー（Ｉｎｖａｒ）、スーパーインバー（Ｓｕｐｅｒ Ｉｎｖａｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも何れか１つの材質である。
【0017】
前記マスクは、異なる材質の第１マスク層及び第２マスク層を含み、前記第１マスク層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも何れか１つを含む材質であり、前記第２マスク層は、インバーまたはスーパーインバー材であり、前記第１マスク層が、前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介することができる。
【0018】
前記シリコンウェーハの（１００）面または（１１１）面の結晶方向と、前記第１グリッド部または第２グリッド部の長手方向と、が平行ではない。
【0019】
前記マスクは、前記フレーム部上に連結されるダミー部；前記ダミー部よりも前記マスクの中心部に配され、複数のマスクパターンを含む前記複数のセル部；を含み、それぞれの前記セル部の間にスリットラインが形成されて前記セル部が離隔して配置される。
【0020】
前記フレーム部及び前記グリッド部は、テーパー（ｔａｐｅｒ）状の側面を含みうる。
【0021】
前記支持部の表面抵抗は、５Ｘ１０－４～１Ｘ１０－２ｏｈｍ・ｃｍである。
【0022】
前記ダミー部は、前記ダミー部を貫通するように形成されるか、前記ダミー部上で所定の深さに形成された複数のダミーパターンを含む複数のダミーセル部を含みうる。
【0023】
そして、本発明の前記の目的は、半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体の製造方法であって、（ａ）第１面及び前記第１面の反対面である第２面を含み、導電性基板である支持部を準備する段階；（ｂ）前記支持部の前記第１面上で電鋳メッキ方式でマスクを形成する段階；（ｃ）前記支持部及び前記マスクを熱処理する段階；（ｄ）前記支持部の前記第２面上で前記支持部をエッチングしてフレーム部及びグリッド部を形成する段階；を含むマスクと支持部との連結体の製造方法によって達成される。
【0024】
前記（ａ）段階と前記（ｂ）段階との間に、（ａ２）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つの材質を含む連結部を形成する段階をさらに含み、前記（ｂ）段階で、前記連結部上で電鋳メッキ方式で前記マスクを形成しうる。
【0025】
前記（ｃ）段階の熱処理後、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部、またはＦｅ、Ｎｉ及びＳｉを含む連結部が介在されて、前記支持部と前記マスクとが連結される。
【0026】
前記（ｃ）段階の熱処理は、２００～８００℃で行うことができる。
【0027】
前記（ｃ）段階と前記（ｄ）段階との間に、（ｃ２）前記支持部の第２面上で少なくとも前記グリッド部が形成される領域の厚さを減縮する段階をさらに含みうる。
【0028】
そして、本発明の前記の目的は、半導体ウェーハ上にＯＬＥＤ画素を形成する工程に使われるマスクと支持部との連結体であって、フレーム部；第１方向に延設され、両端が前記フレーム部に連結される複数の第１グリッド部；前記第１方向と異なる第２方向に延設されて、前記第１グリッド部と交差し、両端が前記フレーム部に連結される複数の第２グリッド部；を含み、円形状を有する支持部；前記支持部上に連結され、マスクパターンが形成された複数のセル部を含み、円形状を有するマスク；前記支持部と前記マスクとの間で連結を媒介する連結部；を含み、前記支持部は、シリコンウェーハから形成されたものであり、前記マスクは、前記シリコンウェーハ上に電鋳メッキで形成されたものであり、前記連結部は、下記の（１）ないし（３）のうち何れか１つを含み、（１）Ｎｉ及びＳｉ；（２）Ｆｅ、Ｎｉ及びＳｉ；（３）Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つ；前記マスクは、インバー、スーパーインバー、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも何れか１つの材質であるマスクと支持部との連結体によって達成される。
【発明の効果】
【0029】
前記のように構成された本発明によれば、マイクロディスプレイの超高画質画素を具現することができる。
【0030】
また、本発明によれば、マスクの整列を明確にして画素蒸着の安定性を向上させうる。
【0031】
また、本発明によれば、マスクのあらゆる部分で均一なストレスレベルを有させる。
【0032】
もちろん、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】本発明の一実施形態によるマスクと支持部との連結体を示す概略図である。
【図3】本発明の一実施形態によるマスクを示す概略平面図及びＥ－Ｅ’の概略側断面図である。
【図4】本発明の一実施形態による支持部を示す概略平面図である。
【図5】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図6】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図7】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図8】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図9】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図10】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図11】本発明の第１実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図12】本発明の他の実施形態によるマスクを示す概略平面図及びＥ－Ｅ’／Ｆ－Ｆ’の概略側断面図である。
【図13】本発明の他の実施形態による支持部を示す概略平面図である。
【図14】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図15】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図16】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図17】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図18】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図19】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図20】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図21】本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体の製造過程を示す概略図である。
【図22】本発明の他の実施形態によるマスクと支持部との連結体を示す概略図である。
【図23】本発明の一実施形態によるスリットラインが形成されたマスクを示す概略平面図及びＧ－Ｇ’の概略側断面図である。
【図24】本発明の一実施形態によるマスクと支持部との連結体を適用したＯＬＥＤ画素蒸着装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
後述する本発明についての詳細な説明は、本発明が実施される特定の実施形態を例示として図示する添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を十分に実施可能なように詳しく説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、互いに排他的である必要はないということを理解しなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、構造及び特性は、一実施形態に関連して、本発明の精神及び範囲を外れずに、他の実施形態として具現可能である。また、それぞれの開示された実施形態内の個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を外れずに、変更可能であるということを理解しなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として取ろうとするものではなく、本発明の範囲は、適切に説明されるならば、その請求項が主張するところと均等なあらゆる範囲と共に、添付の請求項によってのみ限定される。図面で類似した参照符号は、多様な側面にわたって同一または類似した機能を称し、厚さ及び面積、厚さなどとその形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。
【0035】
以下、当業者が本発明を容易に実施させるために、本発明の望ましい実施形態に関して添付図面を参照して詳しく説明する。
【0036】
図１は、本発明の一実施形態によるマスクと支持部との連結体１０を示す概略図である。図２は、図１のＡ－Ａ’の概略側断面図である。図３は、本発明の一実施形態によるマスク２０を示す概略平面図及びＥ－Ｅ’の概略側断面図である。図４は、本発明の一実施形態による支持部３０を示す概略平面図である。
【0037】
最近、ＶＲ機器に適用されるマイクロディスプレイは、大面積の基板ではない、半導体ウェーハ、シリコンウェーハのような対象基板１９００［図２４参照］に対して画素蒸着工程を行うことができる。マイクロディスプレイは、画面がユーザの目の前に直ちに位置するので、大面積のサイズよりは、約１～２インチサイズ程度と小さな画面を有する。しかも、ユーザの目の前に近くに位置するために、解像度はさらに高く具現される必要がある。
【0038】
したがって、本発明は、一辺の長さが１，０００ｍを超える大面積の対象基板に対する画素形成工程で使用するよりは、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ級の半導体ウェーハ対象基板１９００上で画素形成工程を進行するが、超高画質として画素を形成するマスクと支持部との連結体１０及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0039】
例えば、現在、ＱＨＤ画質の場合は、５００～６００ＰＰＩ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）であって、画素のサイズが約３０～５０μｍに至り、４Ｋ ＵＨＤ、８Ｋ ＵＨＤ高画質の場合は、これよりも高い～８６０ＰＰＩ、～１６００ＰＰＩなどの解像度を有する。ＶＲ機器に直接適用されるマイクロディスプレイ、またはＶＲ機器に組み込んで使われるマイクロディスプレイは、約２，０００ＰＰＩ以上級の超高画質を目標としており、画素のサイズは、約５～１０μｍ程度に至る。半導体ウェーハ、シリコンウェーハの場合、半導体工程から開発された技術を活用してガラス基板に比べて微小であり、精密な工程が可能なので、高解像度マイクロディスプレイの基板として採用されうる。本発明は、このような半導体ウェーハ上に画素を形成するマスクと支持部との連結体１０であることを特徴とする。
【0040】
図１及び図２を参照すれば、本発明は、半導体ウェーハを対象基板１９００［図２４参照］として画素蒸着工程を行うために、マスク２０が半導体ウェーハ（または、シリコンウェーハ）に対応する形状を有することを特徴とする。マスク２０の形状が半導体ウェーハに対応するという意味は、マスク２０が半導体ウェーハと同じサイズ及び形状を有するか、半導体ウェーハとサイズ及び形状は異なるが、少なくとも同軸を成し、マスクパターン（Ｐ）が半導体ウェーハの形状内に配される状態まで含むことを明らかにする。また、半導体ウェーハに対応する形状を有したマスク２０は、フレームの役割を行う支持部３０と一体に連結されてマスク整列を明確にすることを特徴とする。
【0041】
マスクと支持部との連結体１０は、マスク２０及び支持部３０を含みうる。支持部３０の一面上にマスク２０が連結される。支持部３０は、マスク２０を支持するフレームとしての役割を行える。
【0042】
図１ないし図３を参照すれば、マスク２０は、セル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）、ダミー部（ＤＭ）を含みうる。マスク２０のうち、支持部３０と接触されず、マスクパターン（Ｐ）が形成された部分をセル部（Ｃ）、セル部（Ｃ）の間に配される部分を区画部（ＳＲ）、支持部３０に付着された部分をダミー部（ＤＭ）で示す。セル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）、円形ダミー部（ＤＭ）は、形成された位置によって名称と符号とを異なるように記載したが、セル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）とダミー部（ＤＭ）は、分離された領域ではなく、同じ材質を有し、一体に連結される構成である。言い換えれば、セル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）、円形ダミー部（ＤＭ）は、電鋳メッキ工程で同時に形成されるマスク２０の各部分である。以下の説明で、セル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）、ダミー部（ＤＭ）は、マスク２０と混用されて使われる。
【0043】
マスク２０は、インバーまたはスーパーインバー材であることが望ましい。または、マスク２０は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）など、またはこれらの組み合わせ、合金として電鋳メッキが可能であり、支持部３０’［または、導電性基板３０’、図７参照］のシリコン成分とシリサイドを形成する金属材とを含むこともある。または、マスク２０は、３元系以上のＣｏを含むスーパーインバー材を含むこともある。マスク２０は、円形の半導体ウェーハに対応するように円形状である。マスク２０は、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍなどの半導体ウェーハに相応するか、大きなサイズを有しうる。
【0044】
従来のマスクは、大面積基板に対応するように四角、多角状などの形態を有する。そして、このマスクに対応するようにフレームも、四角、多角状などの形態を有し、マスクが角部を含むので、エッジにストレス（ｓｔｒｅｓｓ）が集中されるという問題点が発生する恐れがある。ストレスが集中されれば、マスクの一部のみに他の力が作用するので、マスクの反りまたは歪が生じ、これは、画素整列の失敗に繋がる。特に、２，０００ＰＰＩ以上の超高画質では、マスクのエッジにストレスが集中されることを避けなければならない。
【0045】
したがって、本発明のマスク２０は、円形状を有することによって、エッジを含まないことを特徴とする。すなわち、マスク２０のダミー部（ＤＭ）が円形状にエッジを含まないこともある。エッジがないので、マスク２０の特定の部分に他の力が作用する問題を解消することができ、円形枠に沿ってストレスが均一に分散される。これにより、マスク２０の反りまたは歪が生じず、画素整列を明確にするのに寄与することができ、２，０００ＰＰＩ以上のマスクパターン（Ｐ）を具現できるという利点を有する。本発明は、熱膨張係数が低い円形の半導体ウェーハ（または、シリコンウェーハ）と、ストレスが枠に沿って均一に分散される円形のマスク２０と、を対応させて画素蒸着工程を行うことによって、約５～１０μｍ程度に至る画素を蒸着させうる。
【0046】
セル部（Ｃ）には、複数のマスクパターン（Ｐ）が形成されうる。マスクパターン（Ｐ）は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する複数の画素パターン（Ｐ）である。マスクパターン（Ｐ）は、側部が傾いた形状、テーパー状、または上部から下部に行くほどパターン幅が広がる形状を有しうる。多様なマスクパターン（Ｐ）は、群集を成してディスプレイセル部（Ｃ）の１つを構成することができる。ディスプレイセル部（Ｃ）は、対角線の長さが約１～２インチ程度であって、１つのディスプレイに対応する領域である。または、ディスプレイセル部（Ｃ）は、複数のディスプレイに対応する領域でもある。
【0047】
マスクパターン（Ｐ）は、ほぼテーパー状を有することができ、パターン幅は、数ないし十数μｍのサイズ、望ましくは、約５～１０μｍのサイズ（２，０００ＰＰＩ以上の解像度）に形成されうる。
【0048】
マスク２０は、複数のセル部（Ｃ）を含みうる。複数のセル部（Ｃ）は、第１方向（ｘ軸方向）及び第１方向に垂直な第２方向（ｙ軸方向）に互いに所定の間隔を置いて配置される。図１では、２１個のセル部（Ｃ）が第１、２方向に沿って配されたものが示されるが、これに制限されるものではない。セル部（Ｃ）の間に区画部（ＳＲ）が配置される。セル部（Ｃ）及び区画部（ＳＲ）は、マスク２０のうち、ダミー部（ＤＭ）よりも中心部に配される部分である。
【0049】
ダミー部（ＤＭ）は、枠が円形状または半導体ウェーハに対応する形状にマスク２０の外郭形状を定義することができる。ダミー部（ＤＭ）が支持部３０上に連結される。具体的には、ダミー部（ＤＭ）が支持部３０のフレーム部３１の少なくとも一部と付着連結される。ダミー部（ＤＭ）とフレーム部３１との間に連結部４０が形成されることによって、互いに付着される。
【0050】
図１、図２及び図４を参照すれば、支持部３０は、フレーム部３１、複数の第１グリッド部３３、複数の第２グリッド部３５を含みうる。フレーム部３１、第１、２グリッド部３３、３５は、名称と符号とを異なるように記載したが、フレーム部３１、第１、２グリッド部３３、３５は、分離された領域ではなく、同じ材質を有し、一体に連結される構成である。以下の説明で、フレーム部３１、第１、２グリッド部３３、３５は、支持部３０と混用されて使われる。
【0051】
支持部３０は、シリコン材であることが望ましく、さらに望ましくは、支持部３０は、シリコンウェーハから形成されたものであって、単結晶シリコン材である。支持部３０は、対象基板１９００［図２４参照］である円形の半導体ウェーハに対応するようにフレーム部３１が円形状である。マスク２０が上部に連結されるように、支持部３０は、マスク２０と同一であるか、少なくとも大きな形状である。
【0052】
フレーム部３１は、支持部３０の外郭形状を定義することができる。フレーム部３１は、円形状である。但し、マスク２０の電鋳メッキが容易に行われ、支持部３０が半導体ウェーハに対応してＯＬＥＤ画素工程を行う目的の範囲内であれば、他の形状を有してもよい。
【0053】
複数の第１グリッド部３３は、第１方向に延設され、両端がフレーム部３１に連結される。そして、複数の第２グリッド部３５は、第１方向と異なる第２方向に延設されて、第１グリッド部３３と交差し、両端がフレーム部３１に連結される。一例として、第１方向は、ｘ軸方向、第２方向は、ｙ軸方向に第１方向と第２方向は垂直である。第１グリッド部３３は、それぞれ互いに間隔を成し、平行に配され、第２グリッド部３５は、それぞれ互いに間隔を成し、平行に配される。そして、第１、２グリッド部３３、３５が互いに交差するので、交差した部分にマトリックス状に空き空間（ＣＲ）が表われる。この空き空間（ＣＲ）は、マスク２０のセル部（Ｃ）が配される空間であって、セル領域（ＣＲ）［図４参照］と称する。
【0054】
支持部３０の厚さは、マスク２０の厚さよりも厚い。２，０００ＰＰＩよりも高いマスクパターン（Ｐ）の解像度を具現するために、マスク２０の厚さは、約２～１２μｍ程度に形成されうる。マスク２０の厚さがこれよりも厚ければ、全体としてテーパー状を有するマスクパターン（Ｐ）の幅またはマスクパターン（Ｐ）の間隔を前記解像度に合わせて形成し難くなる。
【0055】
支持部３０では、フレーム部３１の厚さ（Ｔ１）が第１グリッド部３３／第２グリッド部３５の厚さ（Ｔ２）よりも厚い。
【0056】
フレーム部３１は、マスク２０と支持部３０との連結体１０でフレームの役割を行い、マスク２０を支持する剛性を有するが、支持部３０が全体として変形されるか、撓むことを防止するために、第１、２グリッド部３３、３５よりも厚さ（Ｔ１）が厚い。一例として、フレーム部３１の厚さ（Ｔ１）は、シリコンウェーハを直ちに適用する場合、約７００～１，０００μｍであり、所定の厚さの減縮を適用する場合、約５００～１，０００μｍである。
【0057】
第１、２グリッド部３３、３５の厚さ（Ｔ２）は、少なくともマスク２０を支持しながら第１、２グリッド部３３、３５の間に有機物ソース１６００が通過するセル領域（ＣＲ）［図４参照］を備えなければならず、有機物ソース１６００が第１、２グリッド部３３、３５の厚さ（Ｔ２）によってシャドウエフェクト（ｓｈａｄｏｗ ｅｆｆｅｃｔ）が表われてはならないので、マスク２０の厚さよりは厚く、フレーム部３１よりも薄いことが望ましい。一例として、第１、２グリッド部３３、３５の厚さ（Ｔ２）は、約５０～２００μｍである。
【0058】
一方、他の実施形態によれば、フレーム部３１の厚さ（Ｔ１）と第１グリッド部３３／第２グリッド部３５の厚さ（Ｔ２）は、同一でもある。この際、フレーム部３１も、シリコンウェーハで厚さの減縮を適用して約５０～２００μｍの厚さを有しうる。
【0059】
マスク２０と支持部３０との間に連結部４０が介在される。連結部４０を介在して支持部３０上にマスク２０が連結される。支持部３０のフレーム部３１は、マスク２０のダミー部（ＤＭ）と連結され、支持部３０の第１、２グリッド部３３、３５は、マスク２０の区画部（ＳＲ）と連結される。すなわち、区画部（ＳＲ）は、第１、２グリッド部３３、３５上に支持される。
【0060】
一実施形態によれば、連結部４０は、支持部３０上にマスク２０が形成された積層体の状態で熱処理（Ｈ）［図７参照］を通じて形成されたものである。この際、連結部４０は、マスク２０の成分と支持部３０の成分とが合わせられた金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）として提供されうる。連結部４０は、マスク２０のＦｅ、Ｎｉ成分と支持部３０のＳｉ成分とが合わせられることによって、Ｎｉ及びＳｉを含むか、Ｆｅ、Ｎｉ及びＳｉを含むか、または、Ｆｅ、Ｎｉを含むシリサイドで提供されうる。金属間化合物の結合力によってマスク２０と支持部３０は、連結部４０を介在して互いに連結される。
【0061】
また、一実施形態によれば、連結部４０は、マスク２０が支持部３０上により高い接着力を有しながら形成されるように接着を媒介する接着層（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）の役割を行える。一例として、支持部３０がシリコンウェーハである場合、インバー、スーパーインバーなどの材質であるマスク２０が直接支持部３０に接着された状態である場合よりも、Ｎｉ、Ｃｕなどの材質である連結部４０を介して接着された状態がさらに接着力が高くなる。それを考慮して、連結部４０は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄのうち少なくとも何れか１つを含みうる。
【0062】
一方、支持部３０も、マスク２０のように枠が円形状を有し、エッジを含まないので、支持部３０の特定の部分に他の力が作用する問題を解消することができる。そして、円形枠に沿ってストレスが均一に分散される。これにより、支持部３０が捻じれるか、歪まないのに寄与することができる。このような円形の支持部３０上に円形のマスク２０を連結するので、ストレスを二重に分散させることができる効果がある。そして、支持部３０の第１、２グリッド部３３、３５は、マスク２０の区画部（ＳＲ）の下部に配されてマスク２０が全体として支持されることによって、非常に薄い厚さのマスク２０がセル部（Ｃ）及び区画部（ＳＲ）で垂れの発生を防止する。結局、マスク２０及び支持部３０が捻じられず、画素整列を明確にするのに寄与することができ、２，０００ＰＰＩ以上の高解像度を具現することができる効果がある。
【0063】
一方、再び図３を参照すれば、シリコンウェーハの（１００）面の結晶方向（ｃｒｙｓｔａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ；ＣＯ）または（１１１）面の結晶方向（ＣＯ）と第１、２グリッド部３３、３５の長手方向と、が平行ではない。第１、２グリッド部３３、３５は、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に沿って延設され、支持部３０のシリコンウェーハの（１００）面または（１１１）面の結晶方向（ＣＯ）は、Ｘ軸／Ｙ軸方向に平行（０°または１８０°角度）せず、０°または１８０°角度ではない所定の角度を有しうる。他の観点として、シリコンウェーハの（１００）面または（１１１）面の結晶方向（ＣＯ）は、複数のセル部（Ｃ）が配された方向であるＸ軸／Ｙ軸方向と０°または１８０°角度ではない所定の角度を有しうる。シリコンウェーハは、他の結晶方向よりも（１００）面または（１１１）面の結晶方向（ＣＯ）に割れる可能性が高いが、第１、２グリッド部３３、３５に対応するマスク２０のセル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）などをこの結晶方向（ＣＯ）に交互に配置することによって、マスク２０と支持部３０との連結体１０の破損危険性を下げ、全体的な剛性を増大する利点がある。
【0064】
【0065】
図５を参照すれば、支持部３０’を準備する。電鋳メッキを行うことができるように、支持部３０’は、導電性材質の導電性基板３０’である。導電性を有しながら同時に低い抵抗を有するように、支持部３０’［または、導電性基板３０’］に１０１９ｃｍ－３以上の高濃度ドーピングが行われる。ドーピングは、支持部３０’の全体に行われても、支持部３０’の表面部分のみに行われることもある。一実施形態によれば、支持部３０’の表面抵抗は、５Ｘ１０－４～１Ｘ１０－２ｏｈｍ・ｃｍである。支持部３０’は、電鋳メッキで負極体（ｃａｔｈｏｄｅ）電極として使われる。
【0066】
表面にメタルオキシドを有するメタル、結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）を有する多結晶シリコンとは異なって、ドーピングされた単結晶シリコンの場合は、欠陥がないために、電鋳メッキ時に表面全部で均一な電場の形成による均一なメッキ膜［または、マスク２０］が生成されうるという利点がある。均一なメッキ膜を通じて製造するマスク２０は、ＯＬＥＤ画素の画質レベルをさらに改善することができる。そして、欠陥を除去、解消する追加工程が行われる必要がないので、工程コストが削減され、生産性が向上するという利点がある。
【0067】
次いで、支持部３０’の一面上にパターン化された絶縁部（Ｍ１）を形成しうる。絶縁部（Ｍ１）は、支持部３０’の一面上に突出するように（陽刻で）形成した部分であって、メッキ膜［または、マスク２０］の生成を防止するように、絶縁特性を有しうる。これにより、絶縁部（Ｍ１）は、フォトレジスト、シリコン酸化物、シリコン窒化物のうち何れか１つの材質で形成されうる。絶縁部（Ｍ１）は、支持部３０上に蒸着などの方法でシリコン酸化物、シリコン窒化物を形成することができ、支持部３０’をベースとして熱酸化（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、熱窒化（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｎｉｔｉｒｉｄａｔｉｏｎ）方法を使用しても良い。プリンティング法などを用いてフォトレジストを形成しても良い。絶縁部（Ｍ１）は、生成するメッキ膜よりは厚く形成することが望ましい。
【0068】
絶縁部（Ｍ１）は、テーパー状を有することが望ましい。フォトレジストを使用してテーパー状のパターンを形成する時には、多重露光方法、領域ごとに露光強度を異ならせる方法などを使用することができる。
【0069】
次いで、支持部３０’上に電鋳メッキを行ってマスク２０を形成しうる。支持部３０’を負極体として使用し、これに対向する正極体（図示せず）を準備する。正極体（図示せず）は、メッキ液（図示せず）に浸漬されており、支持部３０’は、全部または一部がメッキ液（図示せず）に浸漬されている。絶縁部（Ｍ１）が絶縁特性を有するので、絶縁部（Ｍ１）に対応する部分では、メッキ膜が形成されないために、マスク２０のマスクパターン（Ｐ）を構成することができる。マスクパターン（Ｐ）［または、絶縁部（Ｍ１）］は、セル部（Ｃ）に対応する領域に形成されうる。
【0070】
一方、マスク２０が支持部３０’のシリコン材と類似した熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、ＣＴＥ）を有するように組成を制御することができる。マスクと支持部との連結体１０で支持部３０は、シリコン材のフレームとして作用し、マスク２０は、支持部３０と熱膨張係数が類似して初めて、マスク２０がフレームである支持部３０上で垂れが発生しなくなる。また、支持部３０上でセル部（Ｃ）及びマスクパターン（Ｐ）の整列誤差であるＰＰＡ（ｐｉｘｅｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｃｃｕｒａｃｙ）の変化を最小化することができる。
【0071】
それを考慮して、シリコン材の支持部３０’と後述する熱処理（Ｈ）後、マスク２０の熱膨張係数が約（３．５±１）Ｘ１０－６／℃になるようにマスク２０の組成を制御することができる。インバー材のマスク２０であっても、Ｆｅ、Ｎｉの組成比率を異なって電鋳メッキしてシリコン材の支持部３０と熱膨張係数を最も同じ程度に制御することができる。または、工程の温度条件によってマスク２０が支持部３０’上でぴんと張って連結されるように、マスク２０の熱膨張係数が支持部３０’よりも小さいか、大きく制御することもできる。
【0072】
一方、図６を参照すれば、マスク２０は、支持部３０’の上面上のみに形成されるように電鋳メッキを行わず、上面及び側面上にメッキされるように電鋳メッキを行うこともできる。後述する熱処理（Ｈ）を行う場合、支持部３０’の上面のみにマスク２０が形成されれば、熱処理（Ｈ）過程でマスク２０のフレーム部分が剥離される危険があるために、さらに支持部３０’の側面にもメッキ膜２２を形成しうる。したがって、側面のメッキ膜２２が支持部３０’の側面で支持部３０’との接着力を補強することによって、熱処理（Ｈ）過程で全体マスク２０が剥離されず、支持部３０によく固定接着させるという利点がある。側面のメッキ膜２２部分は、後でエッチングやレーザカッティングで除去することもできる。
【0073】
また、後述する熱処理（Ｈ）を行う場合、電鋳メッキで生成されたマスク２０が支持部３０’で剥離されず、よく接着されている必要がある。このために、図６の上面及び側面上にメッキするものの以外にも他の方案を考慮することができる。
【0074】
一つの方案として、まず、電鋳メッキが行われる支持部３０’の自然酸化膜（ｎａｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）を制御することができる。シリコンウェーハ材の支持部３０’の表面上には、酸化物が形成されている。このような酸化物がある表面では、均一な電場が生じなくてメッキ膜［マスク２０］が均一に生成されず、生成されたメッキ膜［マスク２０］と支持部３０’との接着力が低い状態である。したがって、自然酸化膜を除去する工程を行った後、電鋳メッキ工程を行うことが望ましい。
【0075】
他の方案として、メッキ膜［マスク２０］と支持部３０’との間で接着を媒介する他の膜をさらに形成しうる。後述するバリア膜の以外に膜の両面に接着力を提供する膜または膜の組み合わせを使用することができる。
【0076】
さらに他の方案として、電鋳メッキ前、支持部３０’の表面を前処理することができる。物理的な処理または化学的な処理を通じて電鋳メッキ工程から生成されるメッキ膜［マスク２０］を支持部３０’上により強い接着力を有しながら生成させうる。それ以外に、電鋳メッキ工程でメッキ方法を制御してメッキ膜［マスク２０］を支持部３０’上に強い接着力を有しながら生成させうる。
【0077】
次いで、図７を参照すれば、マスク２０及び支持部３０’を熱処理（Ｈ）することができる。熱処理は、３００～８００℃の温度で行うことができる。
【0078】
一般的に、圧延で生成したインバー薄板に比べて、電鋳メッキで生成したインバー薄板が熱膨張係数が高い。これにより、インバー薄板に熱処理を行うことにより、熱膨張係数を下げることができるが、この熱処理過程でインバー薄板に若干の変形が生じうる。別途に分離されて存在するマスク２０に対してのみ熱処理を行うならば、マスクパターン（Ｐ）に一部の変形が生じることもある。したがって、支持部３０’とマスク２０とが接着された状態で熱処理を行えば、支持部３０’の絶縁部（Ｍ１）が占める空間部分に形成されたマスクパターン（Ｐ）の形態が熱処理による微細な変形を防止できるという利点がある。
【0079】
また、電鋳メッキで生成されたインバー薄板とシリコンウェーハは、熱膨張係数が約３～４ｐｐｉにほとんど同じ程度である。したがって、熱処理（Ｈ）を行うとしても、マスク２０と支持部３０’は、熱膨張程度が同一なので、互いに熱膨張によるずれが発生せず、マスクパターン（Ｐ）の微細変形が防止される。
【0080】
また、本発明は、熱処理（Ｈ）によってマスク２０と支持部３０’とが連結されることを特徴とする。熱処理（Ｈ）過程でマスク２０と支持部３０’との間に連結部４０が形成されうる。連結部４０は、マスク２０の成分と支持部３０の成分とが合わせられた金属間化合物として提供されうる。連結部４０は、マスク２０のＦｅ、Ｎｉ成分と支持部３０のＳｉ成分とが合わせられることによって、Ｎｉ及びＳｉを含むか、Ｆｅ、Ｎｉ及びＳｉを含むか、または、Ｆｅ、Ｎｉを含むシリサイドで提供されうる。金属間化合物の結合力によってマスク２０と支持部３０’は、連結部４０を介在して互いに付着される。
【0081】
一実施形態によれば、シリサイドで提供される連結部４０の形成条件で下記の電鋳メッキ前処理／電鋳メッキ条件が必要である。最初に、１０１９ｃｍ－３以上の高濃度ドーピングが行われて表面抵抗が約５Ｘ１０－４～１Ｘ１０－２ｏｈｍ・ｃｍである支持部３０’上でマスク２０が電鋳メッキされる。二番目に、マスク２０の電鋳メッキ前にシリコンウェーハ材の支持部３０’の表面をＨＦ処理してＳｉＯが調節されたＳｉ表面を形成しうる。三番目に、初期にＮｉ－ｒｉｃｈしたＦｅ－Ｎｉを形成してＮｉ含量が３５～４５％になるように組成を調節してＮｉ－ｓｉｌｉｃｉｄｅを促進することができる。または、Ｆｅ－Ｎｉ成分のマスク２０の電鋳メッキ前に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉなどの第１マスク層をグルー層（ｇｌｕｅ ｌａｙｅｒ）として追加してシリサイドの形成を促進することができる。
【0082】
また、一実施形態によれば、熱処理（Ｈ）は、３００～８００℃の温度で行うが、熱処理（Ｈ）工程を多様な段階に進めることができる。２－ｓｔｅｐ熱処理として、低温領域（約２５０～３５０℃）でＮｉ２Ｓｉを形成してマスク２０を支持部３０’上に接着した後、高温領域（約４５０～６５０℃）に徐々に上げて熱処理を行うことができる。電鋳メッキで形成されたインバーマスクの場合、微結晶（ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌ）及び／または非晶質（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）構造を有しているために、熱処理時に温度を急激に上げれば、体積収縮によってインバーマスクがシリコンウェーハ支持部（支持部）３０’から脱着または分離される。したがって、低温でインバーマスクをシリコンウェーハ支持部３０’に接着後、徐々に高温に上げて熱処理を進行することが望ましい。
【0083】
また、一実施形態によれば、熱処理（Ｈ）時に、還元性雰囲気を保持しなければならない。還元性雰囲気は、Ｈ２、Ａｒ、Ｎ２雰囲気で形成することができ、望ましくは、Ｄｒｙ Ｎ２ガスを使用してインバーマスクの酸化を防止することができる。インバーマスクの酸化防止のためには、Ｏ２濃度が１００ｐｐｍよりも小さく管理する必要がある。または、＜１０－２ｔｏｒｒの真空雰囲気を形成しうる。
熱処理（Ｈ）は、３０分～２時間進めることができる。
熱処理（Ｈ）は、３０分～２時間進めることができる。
【0084】
シリコンウェーハ支持部３０’上に電鋳メッキされたマスク２０の界面でＮｉシリサイド、（Ｎｉ、Ｆｅ）Ｓｉシリサイドなどの連結部４０（ａｄｈｅｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ）が形成されることによって、マスク２０と支持部３０’は、連結部４０を介在して互いに連結される。
【0085】
一方、熱処理（Ｈ）時に、Ｎｉ、Ｆｅ－ＮｉとＳｉとの反応制御のために、マスク２０を支持部３０’上で電鋳メッキする前に、支持部３０’上にバリア膜（図示せず）を形成しうる。バリア膜は、マスク２０メッキ膜の成分［一例として、Ｎｉ、Ｆｅ－Ｎｉ］がシリコンウェーハ支持部３０’で制御されず、浸透することを防ぐことができる。同時に、表面で電鋳メッキが行われるように、バリア膜は、導電性を有することが望ましい。それを考慮して、バリア膜は、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ）、タングステンカーバイド（ＷＣ）、チタンタングステン（ＷＴｉ）、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）などの材質を含みうる。バリア膜蒸着などの薄膜形成工程を制限なしに使用することができる。バリア膜は、Ｆｅ、ＮｉとＳｉとの反応を制御して均一なシリサイドを形成させ、適切な付着力でマスク２０と連結部４０とを付着させうる。それ以外に、バリア膜は、マスク２０を支持部３０’上に電鋳メッキした状態でマスク２０が支持部３０’と分離されないように、所定の接着力または付着力を提供することができる膜または膜の組み合わせで構成することもできる。
【0086】
温度、時間を調節して連結部４０の厚さ（シリサイド厚さ）を１０～３００ｎｍまで制御して支持部３０’とマスク２０とを連結することができる。
【0087】
次いで、図８を参照すれば、支持部３０’［または、導電性基板３０’］の厚さ減縮工程（ＴＮ）を行うことができる。厚さ減縮工程（ＴＮ）は、マスク２０と接触する支持部３０’の上面（第１面）の反対面である下面（第２面）上で行うことができる。厚さ減縮工程（ＴＮ）は、ラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）、ポリッシング（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、バフィング（Ｂｕｆｆｉｎｇ）などの方法を使用して行うことができる。
【0088】
厚さ減縮工程（ＴＮ）は、支持部３０’の中心部に対して行われる。厚さ減縮工程（ＴＮ）は、マスク２０のセル部（Ｃ）が配された領域に対応する支持部３０’の領域に対して行われる。または、厚さ減縮工程（ＴＮ）は、第１、２グリッド部３３、３５が形成される領域に対して行われ、フレーム部３１が形成される領域に対しては行われない。第１、２グリッド部３３、３５が形成される領域は、マスク２０のセル部（Ｃ）、区画部（ＳＲ）とダミー部（ＤＭ）との少なくとも一部に対応する領域まで含みうる。
【0089】
これにより、厚さ減縮工程（ＴＮ）が行われた支持部３０’は、グリッド部３３、３５の厚さ（Ｔ２）がフレーム部３１の厚さ（Ｔ１）よりも薄くなり、グリッド部３３、３５とフレーム部３１との間に少なくとも段差が形成されうる。
【0090】
一方、厚さ減縮工程（ＴＮ）は、段階を分けて、支持部３０’の下面（第２面）上で全体として１次厚さ減縮工程が行われた後に、第１、２グリッド部３３、３５が形成される領域に対して２次厚さ減縮工程が行われることもある。
【0091】
【0092】
次いで、図９を参照すれば、支持部３０’をエッチング（ＥＣ）することができる。エッチング（ＥＣ）は、マスク２０と連結された支持部３０’の第１面（上面）の反対面である第２面（下面）上で行われる。エッチング（ＥＣ）は、支持部３０’でマスク２０のセル部（Ｃ）に対応する部分に対して行うことができる。マスク２０の区画部（ＳＲ）に対応する部分は、エッチングを行わない。
【0093】
エッチング（ＥＣ）が完了した支持部３０は、フレーム部３１及び第１、２グリッド部３３、３５を含む形態になる。支持部３０でフレーム部３１及び第１、２グリッド部３３、３５が明確に表われるように、エッチング（ＥＣ）は、異方性エッチング特性を有する乾式エッチング方法を使用することが望ましい。支持部３０’がシリコンウェーハであるために、既存の半導体関連技術、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）関連技術を活用してエッチング（ＥＣ）を行えるという利点がある。
【0094】
耐エッチング性を付与するために、支持部３０’の下面上には、セル部（Ｃ）に対応する部分を除いた残りの部分に絶縁部（Ｍ２）を形成しうる。絶縁部（Ｍ２）は、プリンティング方法などを用いてフォトレジストを形成したものであり、熱酸化、熱窒化などの方法でハードマスクの役割を行うシリコン酸化物、シリコン窒化物を形成したものでもある。一方、エッチングに対するマスクの役割として金属を使用しても良い。絶縁部（Ｍ２）によって覆われていない支持部３０’の下面に露出された部分をエッチング（ＥＣ）することができる。
【0095】
次いで、図１０を参照すれば、絶縁部（Ｍ２）を除去し、洗浄などの後続工程を行ってマスクと支持部との連結体１０の製造を完了することができる。支持部３０は、フレーム部３１及び第１、２グリッド部３３、３５を含み、支持部３０上にマスク２０が連結部４０を介在して連結された形態が提供されうる。マスク２０のセル部（Ｃ）は、支持部３０によって支持されることなしに下部が開口された領域に提供されてＯＬＥＤ画素蒸着工程で有機物ソース１６００［図２４参照］の移動経路として提供されうる。
【0096】
図１１は、本発明の他の実施形態によるマスクと支持部との連結体（１０：１０－１’）を示す概略図である。
【0097】
一方、図９のエッチング（ＥＣ）工程は、乾式エッチングではない湿式エッチングを行うこともできる。湿式エッチングは、等方性エッチング特性を有するので、支持部３０’の第２面（下面）上で絶縁部（Ｍ２）に対してアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）を発生させうる。また、等方性エッチング特性を有するので、図１１に示されたように、フレーム部３１、第１、２グリッド部３３、３５の側面がテーパー状に形成されうる。この場合、テーパー状の側面に沿って有機物ソース１６００が傾いた角度で移動することができるので、支持部３０で１次でシャドウエフェクトを防止し、テーパー状に形成されたマスクパターン（Ｐ）で２次でシャドウエフェクトを防止できるという利点がある。
【0098】
前記のように、本発明は、支持部３０上でマスク２０を電鋳メッキを通じて形成した後、マスク２０に対して別途の物理的な引張を加えていない状態で支持部３０を加工してフレームを形成するので、マスクの整列がずれる危険がない。これにより、マスクの整列が明確になって画素蒸着の安定性を向上させると同時に、２，０００ＰＰＩ以上の超高画質画素を具現することができる効果がある。
【0099】
【0100】
図３のマスク２０は、枠が円形状であるが、マスクパターン（Ｐ）を含むセル部（Ｃ）は、四角状である。マスク２０のほぼ中心部にセル部（Ｃ）が第１、２方向に沿って配される時、それぞれのセル部（Ｃ）で円形マスク２０の枠までの距離が異なる。他の観点として、それぞれのセル部（Ｃ）とダミー部（ＤＭ）と接する面積が異なる。これにより、マスク２０のセル部（Ｃ）とダミー部（ＤＭ）との各領域でストレスレベルが不均一な問題が発生することもある。
【0101】
また、セル部（Ｃ）は、マスク２０を貫通するようにマスクパターン（Ｐ）が形成された一方、ダミー部（ＤＭ）は、貫通されたパターンがないので、ダミー部（ＤＭ）がストレスに対して変形が不十分に発生し、セル部（Ｃ）は、同じストレスに対しても変形が大きく表われるしかない。マスクと支持部との連結体１０は、５００～６００ＰＰＩ以上、望ましくは、２，０００ＰＰＩ以上の超高画質のＯＬＥＤ画素を構成できるようにマスクパターン（Ｐ）が微細に形成され、その位置が変形されてはならない。したがって、セル部（Ｃ）とダミー部（ＤＭ）とに作用するストレスレベルを均一に合わせる必要性が要求される。これは、支持部３０のセル領域（ＣＲ）とダミーセル領域（ＤＣＲ）とに対しても、同様に適用可能である。
【0102】
図１２を再び参照すれば、本発明のダミー部（ＤＭ）は、複数のダミーセル部（ＤＣ）を含むことを特徴とする。ダミーセル部（ＤＣ）は、セル部（Ｃ）の第１方向（ｘ軸方向）及び第１方向に垂直な第２方向（ｙ軸方向）に所定の間隔を置いて配置される。ダミーセル部（ＤＣ）とセル部（Ｃ）との所定の間隔は、セル部（Ｃ）とセル部（Ｃ）との間の所定の間隔に対応することができる。ダミーセル部（ＤＣ）とセル部（Ｃ）との間にも、区画部（ＳＲ）が配置される。
【0103】
ダミーセル部（ＤＣ）の少なくとも一辺の長さは、セル部（Ｃ）の一辺の長さと対応することができる。セル部（Ｃ）は、四角状に提供され、セル部（Ｃ）の枠辺（Ｃ１、Ｃ２）は、互いに垂直な直線で構成することができる。セル部（Ｃ）が正方形であれば、Ｃ１、Ｃ２の長さは同じであり、長方形であれば、Ｃ１、Ｃ２の長さは異なる。ダミーセル部（ＤＣ）は、セル部（Ｃ）の延長線上で第１、２方向に沿って配されるが、マスク２０の枠に配される特性上、四角状に提供されることは難しい。ダミーセル部（ＤＣ）は、少なくとも一部の辺が曲率を有する形状である。他の観点として、ダミーセル部（ＤＣ）の枠辺（ＤＣ１、ＤＣ２、ＤＣ３）のうち、２辺ないし４辺は直線で提供され、一部の辺は、曲線で提供されうる。図１２において、例えば、左上側に位置するダミーセル部（ＤＣ）は、２辺（ＤＣ１、ＤＣ２）が直線で提供され、ＤＣ３辺は、２つの直線及び１つの曲線で提供される。他の例を挙げれば、最も右側／左側に位置するダミーセル部（ＤＣ）と最も上側／下側に位置するダミーセル部（ＤＣ）は、ほぼ「コ」字状に３辺が直線で提供され、右側辺は、曲線で提供される。
【0104】
また、ダミーセル部（ＤＣ）には、複数のダミーパターン（ＤＰ）が形成されうる。図１２の図示と同様に、ダミーパターン（ＤＰ）は、マスクパターン（Ｐ）と同じ形状を有するように形成されうる。例えば、側部が傾いた形状、テーパー状、または上部から下部に行くほどパターン幅が広がる形状を有しうる。複数のダミーパターン（ＤＰ）は、群集を成してダミーセル部（ＤＣ）の１つを構成することができる。ダミーパターン（ＤＰ）は、ほぼテーパー状を有することができ、パターン幅は、数ないし十数μｍのサイズ、望ましくは、約５～１０μｍのサイズ（２，０００ＰＰＩ以上の解像度）に形成されうる。
【0105】
一方、ダミーパターン（ＤＰ）は、マスク２０の全体領域でストレスの均一度を保持させる目的の範囲内であれば、マスク２０を厚さ方向に貫通しなくても所定の深さに形成されうる。また、ダミーパターン（ＤＰ）は、マスク２０の全体領域でストレスの均一度を保持させる目的の範囲内であれば、必ずしもマスクパターン（Ｐ）と同じ形状、サイズを有さず、マスクパターン（Ｐ）よりも大きく、テーパー状の以外の形状を有してもよい。但し、マスクパターン（Ｐ）と同じ形状を有するほどストレスレベルの均一度が高くなる。
【0106】
一方、ダミーパターン（ＤＰ）は、マスク２０のダミー部（ＤＭ）上で所定の領域をカッティングした形態で形成されうる。ダミーパターン（ＤＰ）が複数ではなく、規則的に繰り返し形成されず、連続して繋がった形状を有してもよい。例えば、マスク２０のセル部（Ｃ）部分のみ残し、残りの部分をカッティングで切り取った形態でダミーパターン（ＤＰ）が提供されることもある。
【0107】
図１３を参照すれば、支持部３０には、複数のダミーセル領域（ＤＣＲ）が形成されうる。ダミーセル領域（ＤＣＲ）は、第１方向（ｘ軸方向）及び第１方向に垂直な第２方向（ｙ軸方向）にセル領域（ＣＲ）と所定の間隔を置いて配置される。ダミーセル領域（ＤＣＲ）とセル領域（ＣＲ）との所定の間隔は、セル領域（ＣＲ）とセル領域（ＣＲ）との間の所定の間隔に対応することができる。ダミーセル領域（ＤＣＲ）とセル領域（ＣＲ）との間にも、第１、２グリッド部３３、３５が配置される。ダミーセル領域（ＤＣＲ）は、前述したダミーセル部（ＤＣ）と同じ作用を行うので、前述したダミーセル部（ＤＣ）の説明に代替する。
【0108】
図１４ないし図２１は、本発明の第２実施形態によるマスクと支持部との連結体（１０：１０－２）の製造過程を示す概略図である。以下、図１２及び図１３のダミーセル（ＤＣ）とダミーセル領域（ＤＣＲ）とを含むマスクと支持部との連結体（１０：１０－２）を想定して製造過程を説明する。但し、ダミーセル（ＤＣ）とダミーセル領域（ＤＣＲ）とを除き、図５ないし図１１のように工程を進行しても良い。また、図１４ないし図２１では、図５ないし図１１で前述した説明と同じ内容については具体的な説明を省略する。
【0109】
図１４を参照すれば、支持部３０’［または、導電性基板３０’］を準備する。
【0110】
次いで、支持部３０’の一面上に連結部４０を形成しうる。連結部４０は、電鋳メッキで形成しうる。または、連結部４０の材質が電鋳メッキが難しい場合、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）やブレージング（ｂｒａｚｉｎｇ）方法を用いて形成しうる。連結部４０は、電鋳メッキで生成された時、支持部３０’と接着力が高いＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの材質で形成されうる。または、連結部４０は、スパッタリング、ブレージングで生成された時、支持部３０’と接着力が高いＳｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｃｄなどの材質で形成されうる。
【0111】
連結部４０は、支持部３０’［または、導電性基板３０’］とマスク２０との接着力を高める役割及び連結部４０上でマスク２０が電鋳メッキされる役割を行うので、その厚さは、マスク２０の厚さよりも薄いことが望ましい。それを考慮すれば、連結部４０の厚さは、マスク２０の厚さの２０％を超えないことが望ましい。特に、連結部４０の厚さが過度に薄ければ、支持部３０’とマスク２０との接着力を期待しにくく、連結部４０の厚さが過度に厚ければ、マスク２０の電鋳メッキの品質に影響を与えるか、後述する支持部３０’のエッチング（ＥＣ）後、連結部４０が過度に多く残存してマスクパターン（Ｐ）を覆う問題が発生する恐れがあるので、連結部４０の厚さは、０．１～１μｍであることが望ましい。
【0112】
次いで、図１５を参照すれば、連結部４０の一面上にパターン化された絶縁部（Ｍ１）を形成しうる。
【0113】
絶縁部（Ｍ１）の以外に支持部３０’の一面上にパターン化された絶縁部（ＭＣ）［または、ダミー絶縁部（ＭＣ）］をさらに形成しうる。絶縁部（Ｍ１）は、セル部（Ｃ）に対応する領域に形成され、絶縁部（ＭＣ）は、ダミーセル部（ＤＣ）に対応する領域に形成されうる。絶縁部（ＭＣ）の形状は、絶縁部（Ｍ１）と同一である。絶縁部（ＭＣ）と絶縁部（Ｍ１）は、同一工程で共に形成されうる。
【0114】
次いで、連結部４０上に電鋳メッキを行ってマスク２０を形成しうる。絶縁部（Ｍ１）が絶縁特性を有するので、絶縁部（Ｍ１）に対応する部分では、メッキ膜が形成されないために、マスク２０のマスクパターン（Ｐ）を構成することができる。マスクパターン（Ｐ）は、セル部（Ｃ）に対応する領域に形成されうる。
【0115】
また、絶縁部（ＭＣ）が絶縁特性を有するので、絶縁部（ＭＣ）に対応する部分では、メッキ膜が形成されないために、マスク２０のダミーパターン（ＤＰ）を構成することができる。ダミーパターン（ＤＰ）は、ダミーセル部（ＤＣ）に対応する領域に形成されうる。
【0116】
【0117】
【0118】
まず、図１６を参照すれば、支持部３０’［または、導電性基板３０’］の一面上にパターン化された絶縁部（Ｍ１、ＭＣ）を形成しうる。引き続き、支持部３０’上に電鋳メッキを行って第１マスク層２１を形成しうる。絶縁部（Ｍ１、ＭＣ）が絶縁特性を有するので、絶縁部（Ｍ１、ＭＣ）に対応する部分では、メッキ膜が形成されないために、第１マスク層２１のマスクパターン（Ｐ）／ダミーパターン（ＤＰ）を構成することができる。マスクパターン（Ｐ）［または、絶縁部（Ｍ１）］は、セル部（Ｃ）に対応する領域に形成されうる。
【0119】
第１マスク層２１は、電鋳メッキで生成された時、支持部３０’と接着力が高いＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのうち何れか１つの材質を含みうる。または、第１マスク層２１は、支持部３０’とシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）を形成する金属材で形成されうる。後述するように、マスク２０と支持部３０’とを熱処理（Ｈ）［図１８参照］する過程で、マスク２０が支持部３０’に強く接着されて剥離されないようにする必要がある。したがって、第２マスク層２５の材質よりも支持部３０’との接着力がさらに強い第１マスク層２１を支持部３０’上に先に形成しうる。第１マスク層２１は、図１４の連結部４０のような役割を行える。
【0120】
但し、第１マスク層２１は、支持部３０’と接着力が高いが、熱膨張係数が高く、強度が低いので、マスク２０で第１マスク層２１は第２マスク層２５よりも薄い比重の厚さを有するように形成される必要がある。それを考慮すれば、第１マスク層２１の厚さは、マスク２０の厚さの０．０１～５％の厚さに形成され、さらに望ましくは、０．０３～２％の厚さに形成されうる。
【0121】
次いで、図１７を参照すれば、第１マスク層２１上に電鋳メッキを行って第２マスク層２５を形成しうる。第２マスク層２５は、第１マスク層２１と異なる材質である。第１マスク層２１は、導電性であり、絶縁部（Ｍ１、ＭＣ）が絶縁特性を有するので、第２マスク層２５は、第１マスク層２１上でマスクパターン（Ｐ）／ダミーパターン（ＤＰ）を含みながら形成されうる。第２マスク層２５は、電鋳メッキで生成される時、第１マスク層２１と接着力が高いながら熱膨張係数が低く、強度が高いインバー、スーパーインバーなどの材質で形成されうる。また、マスク２０で主に熱膨張係数、強度を担当することができるように、第２マスク層２５は、第１マスク層２１よりも厚く形成されうる。それを考慮すれば、第２マスク層２５の厚さは、マスク２０の厚さの９５～９９．９９％の厚さに形成され、さらに望ましくは、９８～９９．９７％の厚さに形成されうる。一例として、マスク２０の総厚さが約２～１５μｍである時、第１マスク層２１の厚さは、約１０～３００ｎｍに形成されうる。
【0122】
第１マスク層２１と第２マスク層２５とを順次に積層形成してマスク２０を構成することができる。
【0123】
また、マスク２０が支持部３０’のシリコン材と類似した熱膨張係数を有するように、第１、２マスク層２１、２５の厚さを制御することができる。第１、２マスク層２１、２５は、それぞれ異なる熱膨張係数を有するので、第１、２マスク層２１、２５の厚さの比率によって、マスク２０の熱膨張係数が変わる。例えば、熱膨張係数が相対的に大きな第１マスク層２１の厚さの比重を大きく形成するほどマスク２０全体の熱膨張係数は大きくなる。逆に、熱膨張係数が相対的に小さな第２マスク層２５の厚さの比重を大きく形成するほどマスク２０全体の熱膨張係数は小さくなる。第１、２マスク層２１、２５の厚さの比重は、電鋳メッキ時間を調節することで制御することができる。
【0124】
以下、図１４及び図１５の連結部４０を形成した後、マスク２０を電鋳メッキして形成する例を想定して後続工程を説明する。但し、以下の工程は、図１６及び図１７の支持部３０’上に第１、２マスク層２１、２５を順次に積層形成してマスク２０を形成する例を同様に適用することができる。
【0125】
次いで、図１８を参照すれば、マスク２０及び支持部３０’を熱処理（Ｈ）することができる。連結部４０も、共に熱処理（Ｈ）することができる。熱処理（Ｈ）は、約２００～８００℃の温度で行うことができ、より望ましくは、低温領域帯である約２００～４００℃の温度で行うことができる。熱処理（Ｈ）過程で所定の圧力をさらに印加してより少ない熱で熱処理を行うこともできる。熱処理（Ｈ）前／後で絶縁部（Ｍ１、ＭＣ）を除去する工程が行われる。
【0126】
図７において、前述した熱処理（Ｈ）の効果の以外にも、本発明は、熱処理（Ｈ）によってマスク２０と支持部３０’とが接着される効果がある。一例として、熱処理（Ｈ）過程でマスク２０と支持部３０’との間の連結部４０が熱処理によって液相に溶融された後、再び固相に凝固される相変化で、マスク２０と支持部３０’との間で接着を媒介することができる。連結部４０が接着層またはグルー層として作用する。他の例として、連結部４０の金属成分がマスク２０、及び支持部３０’に拡散されるか、逆に、マスク２０及び支持部３０’の成分が連結部４０に拡散されるか、互いに成分が拡散される方式でマスク２０、支持部３０’及び連結部４０の界面状態を変更して連結が行われる。
【0127】
次いで、図１９及び図２０を参照すれば、支持部３０’［または、導電性基板３０’］の厚さ減縮工程（ＴＮ）を行い、支持部３０’をエッチング（ＥＣ）することができる。図８及び図９において、前述した内容をそのまま適用することができる。
【0128】
図２２は、本発明の他の実施形態によるマスクと支持部との連結体（１０：１０－２）を示す概略図である。
【0129】
次いで、図２１及び図２２を参照すれば、絶縁部（Ｍ２）を除去し、洗浄などの後続工程を行ってマスクと支持部との連結体（１０：１０－２）の製造を完了することができる。支持部３０は、フレーム部３１及び第１、２グリッド部３３、３５を含み、支持部３０上にマスク２０が連結部４０を介在して連結された形態が提供されうる。マスク２０と支持部３０との枠は一致されたと示されるが、支持部３０の枠またはマスク２０の枠がさらに大きく形成されうる。
【0130】
図２３は、本発明の一実施形態によるスリットライン（ＳＬ）が形成されたマスクを示す概略平面図及びＧ－Ｇ’の概略側断面図である。
【0131】
図２３を参照すれば、マスク２０は、複数のマスクパターン（Ｐ）を含む複数のセル部（Ｃ）を含みうる。そして、それぞれのセル部（Ｃ）は、間にスリットライン（ＳＬ）が形成されうる。スリットライン（ＳＬ）によってセル部（Ｃ）は離隔して配置される。そして、隣接する一対のセル部（Ｃ）は、同じ第１、２グリッド部３３、３５及び連結部４０上にそれぞれ一側辺が支持される。図２３の（ｂ）を参照すれば、点線で示した第２グリッドシート部３５／連結部４０上に２つの隣接するセル部（Ｃ）の右側辺及び左側辺がそれぞれ支持されることを確認することができる。
【0132】
図２のセル部（Ｃ）が区画部（ＳＲ）を通じて互いに繋がったマスク２０とは異なって、図２３のマスク２０は、セル部（Ｃ）がスリットライン（ＳＬ）によって互いに離隔する。スリットライン（ＳＬ）によってそれぞれのセル部（Ｃ）が連結されず、独立して存在することによって、残留応力がそれぞれのセル部（Ｃ）のみに存在し、他のセル部（Ｃ）に影響を与えることを防止させうる。
【0133】
図２４は、本発明の一実施形態によるマスクと支持部との連結体１０を適用したＯＬＥＤ画素蒸着装置１０００を示す概略図である。
【0134】
図２４を参照すれば、ＯＬＥＤ画素蒸着装置１０００は、マグネット１３１０が収容され、冷却水ライン１３５０が配設されたマグネットプレート１３００と、マグネットプレート１３００の下部から有機物ソース１６００を供給する蒸着ソース供給部１５００と、を含む。
【0135】
マグネットプレート１３００と蒸着ソース供給部１５００との間には、有機物ソース１６００が蒸着されるガラスなどの対象基板１９００が介在される。対象基板１９００には、有機物ソース１６００を画素別に蒸着させるマスクと支持部との連結体１０が密着されるか、非常に近接するように配置される。マグネット１３１０が磁場を発生させ、磁場による引力でマスクと支持部との連結体１０が対象基板１９００に密着される。
【0136】
蒸着ソース供給部１５００は、左右経路を往復し、有機物ソース１６００を供給することができ、蒸着ソース供給部１５００から供給される有機物ソース１６００は、マスクと支持部との連結体１０に形成されたマスクパターン（Ｐ）を通過して対象基板１９００の一側に蒸着される。マスクと支持部との連結体１０のマスクパターン（Ｐ）を通過した蒸着された有機物ソース１６００は、ＯＬＥＤの画素１７００として作用する。
【0137】
マスクパターン（Ｐ）は、側面が傾斜して形成（テーパー状に形成）されるので、傾いた方向に沿って通過する有機物ソース１６００によってシャドウエフェクトによってＯＬＥＤ画素１７００の蒸着が不均一になることを防止することができる。
【0138】
前記のように、本発明は、支持部３０’［または、導電性基板３０’］上でマスク２０を電鋳メッキを通じて形成した後、マスク２０に対して別途の物理的な引張を加えていない状態でマスク２０と支持部３０’とを加工及び連結してフレームである支持部３０を形成するので、マスク２０の整列がずれる危険がない。これにより、マスク２０の整列が明確になって画素蒸着の安定性を向上させると同時に、２，０００ＰＰＩ以上の超高画質画素を具現することができる効果がある。
【0139】
本発明は、前述したように望ましい実施形態を挙げて図示して説明したが、前記実施形態に限定されず、本発明の精神を外れない範囲内で当業者によって多様な変形と変更とが可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付の特許請求の範囲の範囲内に属するものと認めなければならない。
【符号の説明】
【0140】
１０：マスクと支持部との連結体
２０：マスク
２１：第１マスク層
２５：第２マスク層
３０’：導電性基板（支持部）
３０：支持部
３１：フレーム部
３３：第１グリッド部
３５：第２グリッド部
４０：連結部
１０００：ＯＬＥＤ画素蒸着装置
Ｃ：セル部
ＳＲ：区画部
ＤＭ：ダミー部
Ｐ：マスクパターン
ＳＬ：スリットライン
２０：マスク
２１：第１マスク層
２５：第２マスク層
３０’：導電性基板（支持部）
３０：支持部
３１：フレーム部
３３：第１グリッド部
３５：第２グリッド部
４０：連結部
１０００：ＯＬＥＤ画素蒸着装置
Ｃ：セル部
ＳＲ：区画部
ＤＭ：ダミー部
Ｐ：マスクパターン
ＳＬ：スリットライン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
