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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024147171
(43)【公開日】2024-10-16
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/48 20060101AFI20241008BHJP
【ＦＩ】
H01L23/48 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023060011
(22)【出願日】2023-04-03
(71)【出願人】
【識別番号】000233273
【氏名又は名称】ミネベアパワーデバイス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】前田 浩二
(57)【要約】
【課題】ボイドの発生を抑制でき、信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｈは、カソード側のベース３と、アノード側の電極４とを有する半導体素子１と、電極４が半田を介して接合される基板８とを備え、電極４は、基板８側に溝７が形成されている。電極４の溝７は、横断面Ｖ字状または横断面Ｕ字状に形成されることが好ましい。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の半導体装置Ｈは、カソード側のベース３と、アノード側の電極４とを有する半導体素子１と、電極４が半田を介して接合される基板８とを備え、電極４は、基板８側に溝７が形成されている。電極４の溝７は、横断面Ｖ字状または横断面Ｕ字状に形成されることが好ましい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
カソード側のベースと、アノード側の電極とを有する半導体素子と、
前記電極が半田を介して接合される基板とを備え、
前記電極は、前記基板側に溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極が半田を介して接合される基板とを備え、
前記電極は、前記基板側に溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極の前記溝は、横断面Ｖ字状または横断面Ｕ字状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極の前記溝は、横断面Ｖ字状または横断面Ｕ字状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極の前記溝は、略十字状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極の前記溝は、略十字状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記電極の前記溝は、直線状に並んで複数形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極の前記溝は、直線状に並んで複数形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体装置において、
前記電極の前記溝内にらせん状のスパイラル溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極の前記溝内にらせん状のスパイラル溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体装置において、
前記電極の前記溝内に交差するらせん状のスパイラル溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記電極の前記溝内に交差するらせん状のスパイラル溝が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項7】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体素子はダイオードである
ことを特徴とする半導体装置。
前記半導体素子はダイオードである
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
様々な機器の制御に使用される半導体装置は、半導体素子が基板に実装されている。
図１６に、従来のダイオード１００が基板１０８に実装されている状態の正面図を示す。
例えば、ダイオード１００は電極１０４を半田フィレット１０６を用いて基板１０９に接着して実装している。
図１６に、従来のダイオード１００が基板１０８に実装されている状態の正面図を示す。
例えば、ダイオード１００は電極１０４を半田フィレット１０６を用いて基板１０９に接着して実装している。
【0003】
図１７Ａに、従来のダイオード１００をベース１０３側から見た平面図を示し、図１７Ｂに、従来のダイオード１００を電極１０４側から見た平面図を示す。
図１８に、図１７ＢのII－II断面図を示す。
ダイオード１００は、ベース１０３と電極１０４とが、ペレット１０１、ペレット半田１０２を介して接合されている。また、ベース１０３と電極１０４との間には、絶縁体のシリコンゴム１０５が設置されている。
図１８に、図１７ＢのII－II断面図を示す。
ダイオード１００は、ベース１０３と電極１０４とが、ペレット１０１、ペレット半田１０２を介して接合されている。また、ベース１０３と電極１０４との間には、絶縁体のシリコンゴム１０５が設置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平６－１８８３２８号公報
【特許文献2】特開平６－１５１５０７号公報
【特許文献3】特開平６－１５１４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
図１６に示すように、半導体素子のダイオ－ド１００を基板１０８に実装する際、ダイオ－ド１００の電極１０４と基板１０９とが半田で接着しづらい。具体的には、半田が電極１０４の面全体に回り込むまでに時間がかかる。また、半田フィレット１０６での接着後にボイド(空洞)が発生しやすい。なお、本願に係る先行技術文献として、特許文献１～３がある。
本発明は上記実状に鑑み創案されたものであり、ボイドの発生を抑制でき、信頼性が高い半導体装置の提供を目的とする。
本発明は上記実状に鑑み創案されたものであり、ボイドの発生を抑制でき、信頼性が高い半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するため、本発明の半導体装置は、カソード側のベースと、アノード側の電極とを有する半導体素子と、前記電極が半田を介して接合される基板とを備え、前記電極は、前記基板側に溝が形成されている。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、ボイドの発生を抑制でき、信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明に係る実施形態１の半導体装置の正面図。
【図2A】実施形態１のダイオードをベース側から見た平面図。
【図2B】実施形態１のダイオードを電極側から見た平面図。
【図4】実施形態１の変形例１のダイオードを電極側から見た平面図。
【図5】実施形態１の変形例２のダイオードを電極側から見た平面図。
【図6】本発明に係る実施形態２の半導体装置の正面図。
【図7】実施形態２のダイオードを電極側から見た平面図。
【図8】実施形態２の変形例１のダイオードを電極側から見た平面図。
【図9】実施形態２の変形例２のダイオードを電極側から見た平面図。
【図10】実施形態３のダイオードを電極側から見た平面図。
【図11】実施形態３の変形例１のダイオードを電極側から見た平面図。
【図12】実施形態３の変形例２のダイオードを電極側から見た平面図。
【図13】実施形態４のダイオードを電極側から見た平面図。
【図14】実施形態４の変形例１のダイオードを電極側から見た平面図。
【図15】実施形態４の変形例２のダイオードを電極側から見た平面図。
【図16】従来のダイオードが基板に実装されている状態の正面図
【図17A】従来のダイオードをベース側から見た平面図。
【図17B】従来のダイオードを電極側から見た平面図
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
＜＜実施形態１＞＞
図１に、本発明に係る実施形態１の半導体装置Ｈの正面図を示す。
実施形態１の半導体装置Ｈは、ダイオード１が基板８に半田フィレット６を介して設置されている。
＜＜実施形態１＞＞
図１に、本発明に係る実施形態１の半導体装置Ｈの正面図を示す。
実施形態１の半導体装置Ｈは、ダイオード１が基板８に半田フィレット６を介して設置されている。
【0010】
図２Ａに、実施形態１のダイオード１をベース３側から見た平面図を示す。
図２Ｂに、実施形態１のダイオード１を電極４側から見た平面図を示す。
図３に、図２ＡのＩ－Ｉ断面図を示す。
ダイオード１は、ベース３と電極４とが、ペレット９、ペレット半田２を介して設置されている。また、ベース３と電極４との間には、絶縁体のシリコンゴム５が設置されている。図２Ａに示すように、ベース３にはベース側電極３ｄが設けられている。
図２Ｂに、実施形態１のダイオード１を電極４側から見た平面図を示す。
図３に、図２ＡのＩ－Ｉ断面図を示す。
ダイオード１は、ベース３と電極４とが、ペレット９、ペレット半田２を介して設置されている。また、ベース３と電極４との間には、絶縁体のシリコンゴム５が設置されている。図２Ａに示すように、ベース３にはベース側電極３ｄが設けられている。
【0011】
図１に示す半導体装置Ｈは、ダイオード１のアノ－ド端子である電極面４ｍ(図２Ｂ参照)に横断面略Ｖ字状の溝７(図１参照)が設けられている。溝７(図１参照)は半田の流線を形成している。溝７(図１参照)を作ることで、半田が溝７を表面張力で迅速に流れる。これにより、半田が電極４全体に早くに回り込ませる構造としている。つまり、電極４の電極面４ｍに横断面略Ｖ字状の溝７を設け、毛細管現象で半田の流動を促進させる構造としている。
【0012】
電極４は、銅に銀メッキが施され作成されている。横断面略Ｖ字状の溝７は、電極４を作成する際に型で形成される。
ダイオード１の電極４と基板８との接合は下記のように行われる。
電極面４ｍ(図２Ｂ参照)とほぼ同じ大きさの板半田を準備する。そして、当該板半田をダイオード１の電極４と基板８との間に挟む。続いて、熱を加え、板半田を電極４と基板８との間で溶融して電極面４ｍに広げる。これにより、図１に示すように、電極４と基板８との間に半田フィレット６を形成して、電極４と基板８とを接合する。
ダイオード１の電極４と基板８との接合は下記のように行われる。
電極面４ｍ(図２Ｂ参照)とほぼ同じ大きさの板半田を準備する。そして、当該板半田をダイオード１の電極４と基板８との間に挟む。続いて、熱を加え、板半田を電極４と基板８との間で溶融して電極面４ｍに広げる。これにより、図１に示すように、電極４と基板８との間に半田フィレット６を形成して、電極４と基板８とを接合する。
【0013】
この際、溶融した板半田は、前記したように、電極４の横断面略Ｖ字状の溝７を、毛細管現象により迅速に埋めて、電極面４ｍに広がる。
そのため、半田のボイドの発生が可及的に抑制されて半田フィレット６が形成される。これにより、ボイドがない状態で、電極４と基板８とが、半田を介して確実に接合される。
以上より、ダイオード１を基板８に実装する際の半田付けが容易に行える。また、ダイオード１の基板８への実装後も電極４の溝７に半田が食い込むことで、半田接着による接着強度が向上する。
そのため、半田のボイドの発生が可及的に抑制されて半田フィレット６が形成される。これにより、ボイドがない状態で、電極４と基板８とが、半田を介して確実に接合される。
以上より、ダイオード１を基板８に実装する際の半田付けが容易に行える。また、ダイオード１の基板８への実装後も電極４の溝７に半田が食い込むことで、半田接着による接着強度が向上する。
【0014】
また、電極４に溝７の構造を設けることで毛細管現象となり、半田が溝７に導かれ迅速に電極４の先端全面(電極面４ｍ)に流動する。これにより、半田接着面積が増加し、半田ヌレ性が改善する。そのため、半田の表面積が増加し、半導体装置Ｈの放熱性がより優れる。
【0015】
＜変形例１＞
図４に、実施形態１の変形例１のダイオード１Ａを電極４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード１Ａは、電極４の横断面略Ｖ字状の溝７ａを電極面４ｍに十字状に形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例１によれば、板半田が溶融して十字状の横断面略Ｖ字状の溝７ａを、毛細管現象に導かれ十字状に平面的に広がる。そのため、ボイドの発生が抑制され、ダイオード１Ａと基板８とを半田フィレット６(図１参照)で確実に接合することができる。
図４に、実施形態１の変形例１のダイオード１Ａを電極４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード１Ａは、電極４の横断面略Ｖ字状の溝７ａを電極面４ｍに十字状に形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例１によれば、板半田が溶融して十字状の横断面略Ｖ字状の溝７ａを、毛細管現象に導かれ十字状に平面的に広がる。そのため、ボイドの発生が抑制され、ダイオード１Ａと基板８とを半田フィレット６(図１参照)で確実に接合することができる。
【0016】
＜変形例２＞
図５に、実施形態１の変形例２のダイオード１Ｂを電極４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード１Ｂは、電極４の横断面略Ｖ字状の溝７ｂを電極面４ｍに三つ並べて形成している。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例２によれば、板半田が溶融して毛細管現象により三つ並んだの断面略Ｖ字状の溝７ｂに導かれ三列状に迅速に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図１参照)で確実に接合することができる。
図５に、実施形態１の変形例２のダイオード１Ｂを電極４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード１Ｂは、電極４の横断面略Ｖ字状の溝７ｂを電極面４ｍに三つ並べて形成している。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例２によれば、板半田が溶融して毛細管現象により三つ並んだの断面略Ｖ字状の溝７ｂに導かれ三列状に迅速に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図１参照)で確実に接合することができる。
【0017】
＜＜実施形態２＞＞
図６に、本発明に係る実施形態２の半導体装置２Ｈの正面図を示す。
図７に、実施形態２のダイオード２１を電極２４側から見た平面図を示す。
実施形態２は、実施形態１の横断面略Ｖ字状の溝７に代えて、横断面略Ｕ字状の溝２７としたものである。
その他の構成は、実施形態１と同様である。
図６に、本発明に係る実施形態２の半導体装置２Ｈの正面図を示す。
図７に、実施形態２のダイオード２１を電極２４側から見た平面図を示す。
実施形態２は、実施形態１の横断面略Ｖ字状の溝７に代えて、横断面略Ｕ字状の溝２７としたものである。
その他の構成は、実施形態１と同様である。
【0018】
実施形態２の半導体装置２Ｈは、ダイオード２１のアノ－ド端子である電極面２４ｍに横断面略Ｕ字状の溝２７(図６参照)を設けている。溝２７により、半田の流線を作り毛細管現象によって、半田を電極２４全体に早く回り込ませる構造としている。つまり、実施形態２では、電極２４に横断面略Ｕ字状の溝２７を設け、毛細管現象で半田の流動を促進させている。
【0019】
図６に示す半導体装置２Ｈは、実施形態１と同様、ダイオード２１のアノード側の電極２４が基板８に半田フィレット６を介して設置されている。
図６、図７に示すように、ダイオード２１のアノード側の電極２４には、横断面略Ｕ字状(図６参照)の溝２７が設けられている。
電極２４は、銅で形成され銀メッキが施されている。横断面略Ｕ字状の溝２７は、電極２４を作成する際に型で形成される。
図６、図７に示すように、ダイオード２１のアノード側の電極２４には、横断面略Ｕ字状(図６参照)の溝２７が設けられている。
電極２４は、銅で形成され銀メッキが施されている。横断面略Ｕ字状の溝２７は、電極２４を作成する際に型で形成される。
【0020】
板半田を電極２４と基板８との間で溶融することで、電極２４と基板８との間に半田フィレット６が形成され、電極２４と基板８とが接合されている。
この際、溶融した板半田は、電極２４の横断面略Ｕ字状の溝２７を、毛細管現象により迅速に埋めつつ、電極面２４ｍに広がる。
そのため、半田でのボイドの発生が抑制され、半田フィレット６が形成される。そのため、電極２４と基板８とが、確実に接合される。
この際、溶融した板半田は、電極２４の横断面略Ｕ字状の溝２７を、毛細管現象により迅速に埋めつつ、電極面２４ｍに広がる。
そのため、半田でのボイドの発生が抑制され、半田フィレット６が形成される。そのため、電極２４と基板８とが、確実に接合される。
【0021】
したがって、ダイオード２１の基板８への実装時の半田付けを容易にできる。また、ダイオード２１の基板８への実装後も電極２４の横断面略Ｕ字状の溝２７に半田が食い込むことで半田接着による接着強度が向上する。
また、電極２４の溝２７構造により毛細管現象が生じ、半田が溝２７に導かれ迅速に電極２４の先端全面(電極面２４ｍ)に流動する。これにより、半田接着の面積が増え、半田ヌレ性が改善できる。そのため、半導体装置２Ｈの放熱性が従来より優れる。
また、電極２４の溝２７構造により毛細管現象が生じ、半田が溝２７に導かれ迅速に電極２４の先端全面(電極面２４ｍ)に流動する。これにより、半田接着の面積が増え、半田ヌレ性が改善できる。そのため、半導体装置２Ｈの放熱性が従来より優れる。
【0022】
＜実施形態２の変形例１＞
図８に、実施形態２の変形例１のダイオード２１Ａを電極２４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード２１Ａは、電極２４の横断面略字状の溝２７ａを電極面２４ｍに十字状に形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
図８に、実施形態２の変形例１のダイオード２１Ａを電極２４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード２１Ａは、電極２４の横断面略字状の溝２７ａを電極面２４ｍに十字状に形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
【0023】
変形例１によれば、板半田が溶融して、十字状の横断面略Ｕ字状の溝２７ａを毛細管現象により、十字状に広がる。そのため、ボイドの発生が抑制され、ダイオード２１Ａと基板８とを半田フィレット６(図６参照)で確実に接合することができる。
【0024】
＜実施形態２の変形例２＞
図９に、実施形態２の変形例２のダイオード２１Ｂを電極２４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード２１Ｂは、電極２４の横断面略Ｕ字状の溝２７ｂを電極面２４ｍに三つ並べて形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
図９に、実施形態２の変形例２のダイオード２１Ｂを電極２４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード２１Ｂは、電極２４の横断面略Ｕ字状の溝２７ｂを電極面２４ｍに三つ並べて形成したものである。その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
【0025】
変形例２によれば、板半田が溶融して、三つ並んだ横断面略Ｕ字状の溝２７ｂに、毛細管現象により三列に広がり、電極面２４ｍ全体に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード２１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図６参照)で確実に接合することができる。
【0026】
＜＜実施形態３＞＞
図１０に、実施形態３のダイオード３１を電極３４側から見た平面図を示す。
実施形態３は、ダイオード３１のアノ－ド端子である電極面３４ｍに横断面略Ｕ字状の溝３７と、溝３７内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８とを設けて半田の流線を作っている。溝３７とスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８とで、電極３４の全体に半田を早く回り込ませる構造としている。
図１０に、実施形態３のダイオード３１を電極３４側から見た平面図を示す。
実施形態３は、ダイオード３１のアノ－ド端子である電極面３４ｍに横断面略Ｕ字状の溝３７と、溝３７内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８とを設けて半田の流線を作っている。溝３７とスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８とで、電極３４の全体に半田を早く回り込ませる構造としている。
【0027】
電極３４に、横断面略Ｕ字状の溝３７と、溝３７内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８を設けることで、溶融半田が、毛細管現象で半田の流動をさらに促進させることができる。
【0028】
＜実施形態３の変形例１＞
図１１に、実施形態３の変形例１のダイオード３１Ａを電極３４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード３１Ａは、電極３４の横断面略Ｕ字状の溝３７ａを電極面３４ｍに十字状に形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝３７ａ内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ａが設けられる。
その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
図１１に、実施形態３の変形例１のダイオード３１Ａを電極３４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード３１Ａは、電極３４の横断面略Ｕ字状の溝３７ａを電極面３４ｍに十字状に形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝３７ａ内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ａが設けられる。
その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
【0029】
変形例１によれば、板半田が溶融して、十字状の横断面略Ｕ字状の溝３７ａを、毛細管現象により、半田が十字状に広がる。さらに、スパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ａで半田の流れが促進される。そのため、ボイドの発生をさらに抑制して、ダイオード３１Ａと基板８とを半田フィレット６(図６参照)でより確実に接合することができる。
【0030】
＜実施形態３の変形例２＞
図１２に、実施形態３の変形例２のダイオード３１Ｂを電極３４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード３１Ｂは、電極３４の横断面略Ｕ字状の溝３７ｂを電極面３４ｍに三つ並べて形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝３７ｂ内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ｂが設けられる。
図１２に、実施形態３の変形例２のダイオード３１Ｂを電極３４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード３１Ｂは、電極３４の横断面略Ｕ字状の溝３７ｂを電極面３４ｍに三つ並べて形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝３７ｂ内にスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ｂが設けられる。
【0031】
その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例２によれば、板半田が溶融して、横断面略Ｕ字状の溝３７ｂとスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ｂとに毛細管現象により、三列に広がり、電極面３４ｍ全体に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード３１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図６参照)で、より確実に接合することができる。
変形例２によれば、板半田が溶融して、横断面略Ｕ字状の溝３７ｂとスパイラル(螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝３８ｂとに毛細管現象により、三列に広がり、電極面３４ｍ全体に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード３１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図６参照)で、より確実に接合することができる。
【0032】
＜＜実施形態４＞＞
図１３に、実施形態４のダイオード４１を電極４４側から見た平面図を示す。
実施形態４は、ダイオード４１のアノ－ド端子である電極面４４ｍに横断面略Ｕ字状の溝４７と、溝４７内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８を設けて半田の流線を作っている。溝４７とクロススパイラルの横断面略Ｕ字状の溝４８とで表面張力を利用して、電極４４の全体に半田を早く回り込ませる構造としている。
図１３に、実施形態４のダイオード４１を電極４４側から見た平面図を示す。
実施形態４は、ダイオード４１のアノ－ド端子である電極面４４ｍに横断面略Ｕ字状の溝４７と、溝４７内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８を設けて半田の流線を作っている。溝４７とクロススパイラルの横断面略Ｕ字状の溝４８とで表面張力を利用して、電極４４の全体に半田を早く回り込ませる構造としている。
【0033】
電極４４に、横断面略Ｕ字状の溝４７と、溝４７内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８を設けることで、溶融半田が毛細管現象でさらに半田流動を促進させることができる。
【0034】
＜実施形態４の変形例１＞
図１４に、実施形態４の変形例１のダイオード４１Ａを電極４４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード４１Ａは、電極４４の横断面略Ｕ字状の溝４７ａを電極面４４ｍに十字状に形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝４７ａ内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ａが設けられる。
図１４に、実施形態４の変形例１のダイオード４１Ａを電極４４側から見た平面図を示す。
変形例１のダイオード４１Ａは、電極４４の横断面略Ｕ字状の溝４７ａを電極面４４ｍに十字状に形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝４７ａ内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ａが設けられる。
【0035】
その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例１によれば、板半田が溶融して、十字状の横断面略Ｕ字状の溝４７ａに、毛細管現象により十字状に広がる。さらに、クロスススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ａで半田の流れがより促進される。そのため、ボイドの発生をさらに抑制して、ダイオード４１Ａと基板８とを半田フィレット６(図６参照)でより確実に接合することができる。
変形例１によれば、板半田が溶融して、十字状の横断面略Ｕ字状の溝４７ａに、毛細管現象により十字状に広がる。さらに、クロスススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ａで半田の流れがより促進される。そのため、ボイドの発生をさらに抑制して、ダイオード４１Ａと基板８とを半田フィレット６(図６参照)でより確実に接合することができる。
【0036】
＜実施形態４の変形例２＞
図１５に、実施形態４の変形例２のダイオード４１Ｂを電極４４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード４１Ｂは、電極４４の横断面略Ｕ字状の溝４７ｂを電極面４４ｍに三つ並べて形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝４７ｂ内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ｂが設けられる。
図１５に、実施形態４の変形例２のダイオード４１Ｂを電極４４側から見た平面図を示す。
変形例２のダイオード４１Ｂは、電極４４の横断面略Ｕ字状の溝４７ｂを電極面４４ｍに三つ並べて形成している。加えて、横断面略Ｕ字状の溝４７ｂ内にクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ｂが設けられる。
【0037】
その他の構成は、実施形態１と同様であるから、同様な構成要素には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略する。
変形例２によれば、板半田が溶融して、三つ並んだ横断面略Ｕ字状の溝４７ｂとクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ｂに、毛細管現象により、三つの横断面略Ｕ字状の溝４７ｂに広がり、電極面４４ｍ全体に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード４１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図６参照)でより確実に接合することができる。
変形例２によれば、板半田が溶融して、三つ並んだ横断面略Ｕ字状の溝４７ｂとクロススパイラル(交差した螺旋状)の横断面略Ｕ字状の溝４８ｂに、毛細管現象により、三つの横断面略Ｕ字状の溝４７ｂに広がり、電極面４４ｍ全体に広がる。そのため、半田内のボイドの発生が抑制され、ダイオード４１Ｂと基板８とを半田フィレット６(図６参照)でより確実に接合することができる。
【0038】
＜＜その他の実施形態＞＞
１．本発明は、前記した実施形態、変形例の構成に限られることなく、添付の特許請求の範囲内で様々な変形形態、具体的形態が可能である。
１．本発明は、前記した実施形態、変形例の構成に限られることなく、添付の特許請求の範囲内で様々な変形形態、具体的形態が可能である。
【符号の説明】
【0039】
１、１Ａ、１Ｂ、２１、２１Ａ、２１Ｂ、３１、３１Ａ、３１Ｂ、４１、４１Ａ、４１Ｂ ダイオード(半導体素子)
３ ベース
４、２４、３４、４４ 電極
７、２７、３７、４７ 溝
７ａ、２７ａ、３７ａ、４７ａ 略十字状の溝(溝)
７ｂ、２７ｂ、３７ｂ、４７ｂ 溝(直線状に並んで形成されている溝)
８ 基板
３８ａ、３８ａ スパイラルの横断面略Ｕ字状の溝(スパイラル溝)
３８ｂ、３８ｂ クロススパイラルの横断面略Ｕ字状の溝(交差するスパイラル溝)
Ｈ、２Ｈ 半導体装置
３ ベース
４、２４、３４、４４ 電極
７、２７、３７、４７ 溝
７ａ、２７ａ、３７ａ、４７ａ 略十字状の溝(溝)
７ｂ、２７ｂ、３７ｂ、４７ｂ 溝(直線状に並んで形成されている溝)
８ 基板
３８ａ、３８ａ スパイラルの横断面略Ｕ字状の溝(スパイラル溝)
３８ｂ、３８ｂ クロススパイラルの横断面略Ｕ字状の溝(交差するスパイラル溝)
Ｈ、２Ｈ 半導体装置
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17A】
【図17B】
【図18】