特開 2024-147278 発光制御方法及び発光タイミング設定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147278

(43)【公開日】2024-10-16

(54)【発明の名称】発光制御方法及び発光タイミング設定方法

(51)【国際特許分類】

   G09G 3/3233 20160101AFI20241008BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20241008BHJP

【ＦＩ】

G09G3/3233

G09G3/20 611E

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023060195

(22)【出願日】2023-04-03

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田中 幸生

(72)【発明者】

【氏名】森田 哲生

(72)【発明者】

【氏名】梅田 豊

【テーマコード（参考）】

5C080

5C380

【Ｆターム（参考）】

5C080AA06

5C080BB05

5C080CC03

5C080DD05

5C080DD06

5C080DD26

5C080JJ02

5C080JJ03

5C080JJ04

5C080JJ05

5C380AA01

5C380AA02

5C380AB06

5C380AB23

5C380AB34

5C380AB35

5C380AB36

5C380AB37

5C380AB41

5C380BA01

5C380BA06

5C380BA39

5C380BB09

5C380CC03

5C380CC26

5C380CC33

5C380CC39

5C380CC65

5C380CD017

5C380DA35

5C380HA03

(57)【要約】

【課題】ＥＬ表示装置において任意の周波数において低周波駆動を用いた場合であっても、有効にフリッカを低減させるようその発光を制御すること。
【解決手段】複数の規則的に配列されたＥＬ発光素子を有するＥＬ表示装置の発光制御方法であって、前記ＥＬ発光素子の１発光周期中に、前記ＥＬ発光素子を発光させない非発光期間が１又は複数挿入され、前記発光周期をＴ≡２π／ωとする前記ＥＬ発光素子の輝度変化において、ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数として、
【数１】

である、発光制御方法。ここで、ｎは整数、ｃ_ｎは区間０≦ｔ＜Ｔにおける前記ＥＬ発光素子の輝度Ｌ（ｔ）の複素フーリエ係数である。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の規則的に配列されたＥＬ発光素子を有するＥＬ表示装置の発光制御方法であって、
前記ＥＬ発光素子の１発光周期中に、前記ＥＬ発光素子を発光させない非発光期間が１又は複数挿入され、
前記発光周期をＴ≡２π／ωとする前記ＥＬ発光素子の輝度変化において、ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数として、

【数1】

である、発光制御方法。
ここで、ｎは整数、ｃ_ｎは区間０≦ｔ＜Ｔにおける前記ＥＬ発光素子の輝度Ｌ（ｔ）の複素フーリエ係数である。

【請求項2】

【数2】

である、請求項1に記載の発光制御方法。

【請求項3】

前記閾周波数ω_ｔｈ／２πは、４５Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下である、請求項１に記載の発光制御方法。

【請求項4】

前記非発光期間の挿入タイミングは、前記ＥＬ発光素子の輝度レベルに応じて異なる、請求項１～３のいずれか１項に記載の発光制御方法。

【請求項5】

１発光周期中にｋ回（１≦ｋ）の非発光期間を挿入してなるＥＬ発光素子の発光タイミングの設定方法であって、
前記ＥＬ発光素子の発光周期をＴ≡２π／ωとし、
前記非発光期間が挿入されないとしたときの前記ＥＬ発光素子の１発光周期（０≦ｔ＜Ｔ）における輝度をＬ_０（ｔ）とし、
ｍ回目の非発光期間の開始時刻をｔ_ｉｍ、終了時刻をｔ_ｆｍとし、ここで、１≦ｍ≦ｋであって、０＜ｔ_ｉ１＜ｔ_ｆ１＜ｔ_ｉ２＜ｔ_ｆ２＜・・・＜ｔ_ｉｋ＜ｔ_ｆｋ＜Ｔであり、
前記ＥＬ発光素子の１発光周期における輝度Ｌ（ｔ）を以下のとおりとし、

【数3】

Ｌ（ｔ）を以下のようにフーリエ級数展開したとき、

【数4】

ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数、ｊを１≦ｊ≦ｌである自然数として、ε_ａｊ、ε_ｂｊをある閾値としたときに、次式、

【数5】

を満たすように、前記非発光期間の開始時刻ｔ_ｉｍおよび終了時刻ｔ_ｆｍを定める、
発光タイミングの設定方法。

【請求項6】

【数6】

を満たすようにε_ａｊ、ε_ｂｊを定める、請求項５に記載の発光タイミングの設定方法。

【請求項7】

【数7】

を満たすようにε_ａｊ、ε_ｂｊを定める、請求項6に記載の発光タイミングの設定方法。

【請求項8】

前記閾周波数ω_ｔｈ／２πは、４５Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下である、請求項５～７のいずれか1項に記載の発光タイミングの設定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光制御方法及び発光タイミング設定方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、表示素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子が設けられた表示装置の駆動方法として、１フレームの表示期間を複数に分割してなる各期間に非発光期間を設け、映像信号の入力を間引く場合の１フレーム目において、非発光期間を延長することで、各フレームにおける発光時間×輝度の値を揃えるとともに、フリッカを抑制し表示品位を向上させることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１３１３００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ＥＬ表示装置において、消費電力低減のために低周波駆動を用いた場合、駆動トランジスタのヒステリシス特性のため、１フレーム内において輝度変化が生じるため、フリッカが生じる。特許文献１記載の駆動方法は、任意の周波数においてフリッカを低減させるものではないから、低周波駆動を実施する際の柔軟性に欠ける。また、駆動トランジスタのヒステリシス特性を考慮したものではないから、十分なフリッカの抑制効果が得られない恐れがある。

【0005】

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＥＬ表示装置において任意の周波数において低周波駆動を用いた場合であっても、有効にフリッカを低減させるようその発光を制御することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決すべく本出願において開示される発明は種々の側面を有しており、それら側面の代表的なものの概要は以下のとおりである。

【0007】

（１）複数の規則的に配列されたＥＬ発光素子を有するＥＬ表示装置の発光制御方法であって、前記ＥＬ発光素子の１発光周期中に、前記ＥＬ発光素子を発光させない非発光期間が１又は複数挿入され、前記発光周期をＴ≡２π／ωとする前記ＥＬ発光素子の輝度変化において、ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数として、

【数1】

である、発光制御方法。ここで、ｎは整数、ｃ_ｎは区間０≦ｔ＜Ｔにおける前記ＥＬ発光素子の輝度Ｌ（ｔ）の複素フーリエ係数である。

【0008】

（２）（１）において、

【数2】

である、発光制御方法。

【0009】

（３）（１）又は（２）において、前記閾周波数ω_ｔｈ／２πは、４５Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下である、発光制御方法。

【0010】

（４）（１）～（３）のいずれかにおいて、前記非発光期間の挿入タイミングは、前記ＥＬ発光素子の輝度レベルに応じて異なる、発光制御方法。

【0011】

（５）１発光周期中にｋ回（１≦ｋ）の非発光期間を挿入してなるＥＬ発光素子の発光タイミングの設定方法であって、前記ＥＬ発光素子の発光周期をＴ≡２π／ωとし、前記非発光期間が挿入されないとしたときの前記ＥＬ発光素子の１発光周期（０≦ｔ＜Ｔ）における輝度をＬ_０（ｔ）とし、ｍ回目の非発光期間の開始時刻をｔ_ｉｍ、終了時刻をｔ_ｆｍとし、ここで、１≦ｍ≦ｋであって、０＜ｔ_ｉ１＜ｔ_ｆ１＜ｔ_ｉ２＜ｔ_ｆ２＜・・・＜ｔ_ｉｋ＜ｔ_ｆｋ＜Ｔであり、前記ＥＬ発光素子の１発光周期における輝度Ｌ（ｔ）を以下のとおりとし、

【数3】

Ｌ（ｔ）を以下のようにフーリエ級数展開したとき、

【数4】

ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数、ｊを１≦ｊ≦ｌである自然数として、ε_ａｊ、ε_ｂｊをある閾値としたときに、次式、

【数5】

を満たすように、前記非発光期間の開始時刻ｔ_ｉｍおよび終了時刻ｔ_ｆｍを定める、発光タイミングの設定方法。

【0012】

（６）（５）において、

【数6】

を満たすようにε_ａｊ、ε_ｂｊを定める、発光タイミングの設定方法。

【0013】

（７）（６）において、

【数7】

を満たすようにε_ａｊ、ε_ｂｊを定める、発光タイミングの設定方法。

【0014】

（８）（５）～（７）のいずれかにおいて、前記閾周波数ω_ｔｈ／２πは、４５Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下である、発光タイミングの設定方法。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】複数の規則的に配列されたＥＬ発光素子を有するＥＬ表示装置の模式的な構造を例示する図である。

【図2】図１に示されたＥＬ表示装置の画素回路の等価回路と各信号のタイミングチャートを例示する図である。

【図3】駆動トランジスタのヒステリシス特性によるＥＬ発光素子の輝度変化の一例を示す図である。

【図4】ＥＬ発光素子の１発光周期における発光中に、１又は複数の非発光期間が挿入された輝度変化の一例を示す図である。

【図5】図２（ａ）に示した表示装置に用いられる画素回路の等価回路を用いた、非発光期間の挿入のタイミングチャートの例である。

【図6】ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子の１発光周期Ｔにおける輝度変化の例を示す図である。

【図7】図６の例におけるパワースペクトルを示す図である。

【図8】ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子の１発光周期Ｔにおける輝度変化の別の例を示す図である。

【図9】図８の例におけるパワースペクトルを示す図である。

【図10】ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子の１発光周期Ｔにおける輝度変化のさらに別の例を示す図である。

【図11】図１０の例におけるパワースペクトルを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１は、本発明の好適な実施形態に係る発光制御方法を使用することができる、複数の規則的に配列されたＥＬ発光素子を有するＥＬ表示装置１００の模式的な構造を例示する図、また、図２は、ＥＬ表示装置１００の画素回路の等価回路と各信号のタイミングチャートを例示する図である。

【0017】

図１に示すように、ＥＬ表示装置１００は、行方向（Ｘ方向）と列方向（Ｙ方向）に配置される複数の画素ＰＸを備えた画素領域１０１、走査線駆動回路１０２、データ線駆動回路１０３を基板１０４の一方の面（上面）に有している。走査線駆動回路１０２、データ線駆動回路１０３は画素領域１０４の外側に位置している。画素領域１０１、走査線駆動回路１０２は基板１０４と図示しない対向基板との間に設けられる。画素領域１０１からは配線が基板１０４の端部に向かって伸びており、基板１０４の端部で露出され、図示しない端子を形成する。端子はフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などの図示しないコネクタを介して外部回路と接続される。図示しない外部回路から供給された映像信号が走査線駆動回路１０２、データ線駆動回路１０３を介して画素ＰＸに与えられて画素ＰＸのＥＬ発光素子が制御され、映像が画素領域１０１上に表示される。図１では走査線駆動回路１０２は画素領域１０１の左側に一つ設けられているように図示されているが、これを画素領域１０１を挟むように二つ設けるようにしてもよい。また、走査線駆動回路１０２やデータ線駆動回路１０３を基板１０４上に直接形成するのではなく、異なる基板上に設けられた駆動回路を基板１０４上に実装または接続し、あるいはコネクタ上に形成してもよい。

【0018】

複数の画素ＰＸには発色が互いに異なるＥＬ発光素子が設けられ、これにより、フルカラー表示を行うことができる。例えば赤色、緑色、及び青色に発光するＥＬ発光素子を三つ一組（トリプレット）で配置してよい。あるいは、全ての画素ＰＸで白色発光のＥＬ発光素子を設け、カラーフィルタを用いて画素ＰＸに応じて赤色、緑色、又は青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。また、最終的に取り出される色は赤色、緑色、及び青色の組み合わせには限られない。例えば四つの画素を四つ一組（カルテット）で配置し、それぞれ、赤色、緑色、青色、及び黄又は白色の４色に発色するようにしてもよい。画素ＰＸは画素領域１０１において規則的に配列され、その配列は、ストライプ配列、デルタ配列、ペンタイル配列などを採用してよい。

【0019】

図２（ａ）は、本実施形態の表示装置１００に含まれる画素ＰＸそれぞれに形成される画素回路の等価回路であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した各信号の時間変化を示すタイミングチャートである。

【0020】

画素回路は、ｐチャネル型のトランジスタである駆動トランジスタＤＲＴの他に、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤ、画素トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１の出力トランジスタＢＣＴ１、第２の出力トランジスタＢＣＴ２、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴ、および保持容量Ｃｓを有する。なお、本実施形態では、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤは、発光層に有機材料を用いるいわゆる有機ＥＬであるが、発光材料に限定はなく、無機材料を用いるものであってもよい。

【0021】

駆動トランジスタＤＲＴのソースは、第２の出力トランジスタＢＣＴ２を介して、電源電位ＰＶＤＤに接続される。一方、駆動トランジスタＤＲＴのドレインは、第１の出力トランジスタＢＣＴ１を介して、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの入力端子に接続される。ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの出力端子は、接地電位ＰＶＳＳに接続される。

【0022】

駆動トランジスタＤＲＴのソースはまた、画素トランジスタＳＳＴを介して、映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］にも接続される。また、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの入力端子は、リセットトランジスタＲＳＴを介して、リセット信号Ｖｒｓｔ［ｍ］に接続される。

【0023】

第１のスイッチングトランジスタＴＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとドレインの間に接続される。すなわち、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴのソースは駆動トランジスタＤＲＴのゲートに接続され、ドレインは駆動トランジスタＤＲＴのドレインに接続される。一方、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとリセット信号Ｖｒｓｔ［ｍ］の入力端子との間に接続される。すなわち、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴのソースは駆動トランジスタＤＲＴのゲートに接続され、ドレインはリセット信号Ｖｒｓｔ［ｍ］に接続される。

【0024】

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートと、電源電位ＰＶＤＤとの間に接続される。すなわち、保持容量Ｃｓの一方の端子は駆動トランジスタＤＲＴのゲートに接続され、他方の端子は電源電位ＰＶＤＤに接続される。

【0025】

駆動トランジスタＤＲＴ、画素トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１の出力トランジスタＢＣＴ１、第２の出力トランジスタＢＣＴ２、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ、および第２のスイッチングトランジスタＩＣＴはそれぞれ、シリコン（例えば多結晶シリコン）や酸化物半導体を含むチャネル領域を有する電界効果トランジスタである。駆動トランジスタＤＲＴ、第１の出力トランジスタＢＣＴ１、および第２の出力トランジスタＢＣＴ２はｐチャネル型のトランジスタとして形成され、画素トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ、および第２のスイッチングトランジスタＩＣＴはｎチャネル型のトランジスタとして形成される。

【0026】

第１のスイッチングトランジスタＴＣＴのゲートには、制御線ＣＬ［ｎ］を介して走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］が供給される。走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］は、走査線駆動回路１０２が各画素ＰＸに供給する信号であり、画素トランジスタＳＳＴのゲートにも供給される。第２のスイッチングトランジスタＩＣＴおよびリセットトランジスタＲＳＴの各ゲートには、ｎ－１行目に位置する画素ＰＸに対応する走査信号Ｓｃａｎ［ｎ－１］が制御線ＣＬ［ｎ－１］を介して供給される。第１の出力トランジスタＢＣＴ１および第２の出力トランジスタＢＣＴ２のゲートには、エミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ］が共通に供給される。エミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ］もまた、走査線駆動回路１０２が供給する信号である。

【0027】

図２（ｂ）から理解されるように、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］は、所定の水平走査期間Ｈの間隔でｎ＝１からｎ＝Ｎまで順次パルス状に活性化される。個々の活性化期間は、水平走査期間Ｈの時間長よりも短くなっている。画素ＰＸ（ｎ，ｍ）に着目すると、まず走査信号Ｓｃａｎ［ｎ－１］が活性化することにより、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴとリセットトランジスタＲＳＴがオンの状態となる（リセット期間Ｐ１）。このとき、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］は非活性の状態であるから、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ、画素トランジスタＳＳＴはいずれもオフの状態である。また、エミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ］は、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ－１］に先立って活性化され、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ＋１］が活性化するまで、その活性状態が維持される。したがって、リセット期間Ｐ１では、第１の出力トランジスタＢＣＴ１及び第２の出力トランジスタＢＣＴ２もオフである。

【0028】

このように、リセット期間Ｐ１では第２のスイッチングトランジスタＩＣＴとリセットトランジスタＲＳＴのみがオンとなり、駆動トランジスタＤＲＴのゲートにリセット信号Ｖｒｓｔ［ｍ］が供給される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲートの電位（ゲート電位）がＶｒｓｔ［ｍ］にリセットされる。また、保持容量Ｃｓの両端間電位差がＰＶＤＤ－Ｖｒｓｔ［ｍ］にリセットされる。

【0029】

次に、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］が活性化すると、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ及び画素トランジスタＳＳＴがオンの状態となる（書き込み期間Ｐ２）。一方、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ－１］が非活性状態であることから第２のスイッチングトランジスタＩＣＴとリセットトランジスタＲＳＴはオフとなり、また、エミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ］が引き続き活性状態であることから、第１の出力トランジスタＢＣＴ１および第２の出力トランジスタＢＣＴ２もオフとなる。

【0030】

書き込み期間Ｐ２では、駆動トランジスタＤＲＴのソースに映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］が供給され、駆動トランジスタＤＲＴのゲート及びドレインの電位がともにＶｓｉｇ［ｍ］－Ｖｔｈ（ｎ，ｍ）となる。Ｖｔｈ（ｎ，ｍ）は画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧である。このとき保持容量Ｃｓの両端間電位差はＰＶＤＤ－（Ｖｓｉｇ［ｍ］－Ｖｔｈ（ｎ，ｍ））となる。

【0031】

次に、エミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ］が非活性になると、第１の出力トランジスタＢＣＴ１および第２の出力トランジスタＢＣＴ２がオンとなる（出力期間Ｐ３）。また、画素トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴはいずれもオフとなる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電位が実質的にＶｓｉｇ［ｍ］に等しくなり、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電位からＶｔｈ（ｎ，ｍ）の影響がキャンセルされる。したがって、駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電流の強度がＶｓｉｇ［ｍ］に応じた値となるので、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤがＶｓｉｇ［ｍ］に応じた強度で発光することになる。こうして、映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］に応じた強度での発光が実現される。

【0032】

一方、画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の次行に位置する画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）では、画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の書き込み期間Ｐ２において駆動トランジスタＤＲＴのゲート電位がリセットされる。具体的には、画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の書き込み期間Ｐ２において走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］が活性化され、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）内の第２のスイッチングトランジスタＩＣＴとリセットトランジスタＲＳＴがオンとなる。画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）のエミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ＋１］は画素ＰＸ（ｎ，ｍ）のリセット期間Ｐ１において活性化されているので、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の第１の出力トランジスタＢＣＴ１と第２の出力トランジスタＢＣＴ２はオフ状態が維持される。これにより、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の駆動トランジスタＤＲＴのゲート電位がＶｒｓｔ［ｍ］に、保持容量Ｃｓの両端間電位差がＰＶＤＤ－Ｖｒｓｔ［ｍ］にリセットされる。

【0033】

画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の出力期間Ｐ３に先立ち、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ］が非活性となり、引き続き走査信号Ｓｃａｎ［ｎ＋１］が活性化される。これにより、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の第２のスイッチングトランジスタＩＣＴ、リセットトランジスタＲＳＴはオフとなり、一方、第１のスイッチングトランジスタＩＣＴと画素トランジスタＳＳＴがオンとなり、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の書き込みが始まる。この時、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）では、駆動トランジスタＤＲＴのソースに映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］が供給され、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとドレインの電位はＶｓｉｇ［ｍ］－Ｖｔｈ（ｎ＋１，ｍ）に、保持容量Ｃｓの両端間電位差はＰＶＤＤ－（Ｖｓｉｇ［ｍ］－Ｖｔｈ（ｎ＋１，ｍ））となる。ここで、Ｖｔｈ（ｎ＋１，ｍ）は画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧である。これらの動作により、画素ＰＸ（ｎ，ｍ）の出力期間Ｐ３において画素回路ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の書き込みが行われる。

【0034】

その後、走査信号Ｓｃａｎ［ｎ＋１］が非活性となり、引き続きエミット信号Ｅｍｉｔ［ｎ＋１］も非活性となる。これにより、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）において第１のスイッチングトランジスタＴＣＴと画素トランジスタＳＳＴがオフとなり、第１の出力トランジスタＢＣＴ１と第２の出力トランジスタＢＣＴ２がオンとなり、画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の出力期間が開始される。画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）の駆動トランジスタＤＲＴのゲート電位はＶｓｉｇ［ｍ］と等しくなって閾値電圧の影響がキャンセルされ、Ｖｓｉｇ［ｍ］に応じたドレイン電流が駆動トランジスタＤＲＴを介して画素ＰＸ（ｎ＋１，ｍ）のＥＬ発光素子ＯＬＥＤへ供給される。

【0035】

以上説明したように、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤは、駆動トランジスタＤＲＴにより電流が制御され、映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］に応じた強度で発光するものであるが、このことは、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化は、駆動トランジスタＤＲＴからのドレイン電流の時間変化に依存することを意味する。そして、駆動トランジスタＤＲＴが理想的な特性を持つ、すなわち、時間に非依存で、ゲート電位にのみ依存するドレイン電流を出力するならば、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度は、映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］が変化しない限り一定であると考えられるが、実際には、駆動トランジスタＤＲＴはヒステリシス特性を有するため、１発光周期（垂直走査期間）内でドレイン電流は一定でなく、したがって、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度もこれに伴い変化する。

【0036】

図３は、駆動トランジスタＤＲＴのヒステリシス特性によるＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化の一例を示す図である。図示の例は、１発光周期は約６６．７ｍｓｅｃ、すなわち、発光周波数が１５Ｈｚの低周波駆動が行われている様子を示したものである。

【0037】

同図に示された輝度波形より読み取れるように、映像信号Ｖｓｉｇ［ｍ］の書き込み直後（０ｍｓｅｃ時点）ではＥＬ発光素子ＯＬＥＤに与えられる電流は低く、発光輝度も低くなる。その後時間の経過とともに電流が増加し、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光輝度も高くなり、設定値に対応した輝度へと飽和する。このように、１発光周期の先頭と末尾において、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光輝度に差異が生じる。

【0038】

この時、発光周波数が９０Ｈｚ、あるいは１２０Ｈｚのようにヒトのフリッカ融合頻度（一般に、７０Ｈｚ～１００Ｈｚと言われている）より高いか同程度であれば、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光輝度の変化によるちらつきはヒトの目には認識されず、画像表示はなめらかである。しかしながら、図３の例の１５Ｈｚのように、ヒトのフリッカ融合頻度より明らかに低周期での発光輝度の変化が生じると、ヒトの目に画像がちらついて認識され、表示装置１００の表示品質が低下する。

【0039】

表示装置１００の低周波駆動時のちらつきは、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化の低周波成分、特に、ヒトのフリッカ融合頻度より低い周波数の成分により引き起こされる。そこで、図４に示すように、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期における発光中に、１又は複数の非発光期間を挿入することを考える。すなわち、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光中に、ヒトの目に認識できない程度の短時間の間、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤが非点灯となり黒表示となる期間を挿入する。

【0040】

この非発光期間を、単純に一定間隔、また一定時間のものとして設けても、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化の低周波成分に大きな変化を与えることはできず、表示装置１００の低周波駆動時のちらつきを十分に低減することはできないと考えられる。しかしながら、非発光期間の挿入タイミングと、それぞれの非発光期間の時間、また、挿入する非発光期間の数を適切に設計することにより、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化の低周波成分を低減し、表示装置１００の低周波駆動時のちらつきの低減が可能であることを出願人は見出した。以下、非発光期間の挿入の方法及び、非発光期間の設計の詳細について説明する。

【0041】

図５は、図２（ａ）に示した表示装置１００に用いられる画素回路の等価回路を用いた、非発光期間の挿入のタイミングチャートの例である。なお、図５における横軸である時間については、図示の都合上比率を調整して示しており、必ずしも図示された通りの比率に従ってＥＬ発光素子ＯＬＥＤが駆動されるわけではない。

【0042】

ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期を０≦ｔ＜Ｔと置くと、まず、図中の（１）は図２（ｂ）で示したリセット期間Ｐ１であり、第２のスイッチングトランジスタＩＣＴとリセットトランジスタＲＳＴがオンの状態となり、保持容量Ｃｓの両端間電位差を初期値であるＰＶＤＤ－Ｖｒｓｔ［ｍ］にリセットする。続く（２）は図２（ｂ）で示した書き込み期間Ｐ２であり、第１のスイッチングトランジスタＴＣＴ及び画素トランジスタＳＳＴがオンの状態となり、保持容量Ｃｓの両端間電位差はＰＶＤＤ－（Ｖｓｉｇ［ｍ］－Ｖｔｈ（ｎ，ｍ））となる。

【0043】

この（１）（２）を含む０≦ｔ＜ｔ_ｒｓの期間では、Ｅｍｉｔ［ｎ］はオンの状態であるから、第１の出力トランジスタＢＣＴ１及び第２の出力トランジスタＢＣＴ２はオフであり、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤは非発光の状態にとどめられる。

【0044】

ｔ_ｒｓ≦ｔ＜Ｔの期間のうち、（３）で示した期間は、図２（ｂ）で示した出力期間Ｐ３であり、第１の出力トランジスタＢＣＴ１および第２の出力トランジスタＢＣＴ２がオンとなり、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤがＶｓｉｇ［ｍ］に応じた強度で発光する。しかしながら、１発光周期全体でみると、その初期は図示されているように、主として（１）のリセット期間Ｐ１でのストレスに起因する駆動トランジスタＤＲＴのヒステリシス特性の影響で輝度が低くなり、時間の経過とともに輝度が上昇し飽和する輝度曲線となる。

【0045】

（４）で示した期間、すなわち、図５の例では、ｔ_ｉ１≦ｔ＜ｔ_ｆ１、ｔ_ｉ２≦ｔ＜ｔ_ｆ２、及びｔ_ｉ３≦ｔ＜ｔ_ｆ３の３つの期間が非発光期間である。非発光期間では、Ｅｍｉｔ［ｎ］が一時的にオンの状態とされ、第１の出力トランジスタＢＣＴ１及び第２の出力トランジスタＢＣＴ２がオフとなり、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤは非発光の状態となる。非発光期間が終了すると、Ｅｍｉｔ［ｎ］が再びオフとなり、第１の出力トランジスタＢＣＴ１及び第２の出力トランジスタＢＣＴ２がオンとなって、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤは再び保持容量Ｃｓの両端間電位差により規定される、Ｖｓｉｇ［ｍ］に応じた強度で発光する。この時、Ｅｍｉｔ［ｎ］のオンオフは駆動トランジスタＤＲＴに影響を与えないため、駆動トランジスタＤＲＴのヒステリシス特性に起因する輝度曲線は、非発光期間の挿入前の形状を維持する。

【0046】

上述したように、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期中において、適切なタイミングでＥｍｉｔ［ｎ］のオンオフを制御することにより、非発光期間を挿入することができる。なお、１発光周期中に挿入される非発光期間の数は、図５で例示した３つに限られず、４以上、あるいは１又は２とすることもできる。

【0047】

また、一般に、表示装置１００の水平走査期間Ｈは、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔ、すなわち、垂直走査期間に対して十分短いため、図５における（１）（２）を含む０≦ｔ＜ｔ_ｒｓの期間は、これをほぼ無視して、ｔ_ｒｓ≒０として取り扱うことができる。

【0048】

ここで、非発光期間を設けない場合のＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度をＬ_０（ｔ）（０≦ｔ＜Ｔ；Ｔ≡２π／ω）と置き、１発光周期中にｋ回（１≦ｋ）の非発光期間を挿入するものとする。ｍ回目の非発光期間の開始時刻をｔ_ｉｍ、終了時刻をｔ_ｆｍとし、ここで、１≦ｍ≦ｋであって、０＜ｔ_ｉ１＜ｔ_ｆ１＜ｔ_ｉ２＜ｔ_ｆ２＜・・・＜ｔ_ｉｋ＜ｔ_ｆｋ＜Ｔとおくと、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期における輝度Ｌ（ｔ）は次のとおり書ける。

【0049】

【数8】

【0050】

Ｌ（ｔ）は以下のようにフーリエ級数展開される。

【数9】

【0051】

この時、級数の係数はそれぞれ、次のとおりである。

【数10】

【0052】

係数ａ_ｎ及びｂ_ｎは、数８より、Ｌ_０（ｔ）が所与であるならば、次のとおり、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）の関数となる。

【数11】

【0053】

先にすでに説明したように、ちらつきによる表示装置１００の表示品質の低下をもたらすのは、ヒトのフリッカ融合頻度より低い周波数の成分である。したがって、この低い周波数の成分を減じることができれば、ちらつきを抑制することができるはずである。そこで、ある閾周波数ω_ｔｈ／２πを定め、この閾周波数ω_ｔｈ以下の周波数成分を減じることを考える。ここで、閾周波数ω_ｔｈ／２πは、ヒトのフリッカ融合頻度を参酌して定められ、好ましくは、４５Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下とする。

【0054】

閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数とする。例えば、図４の例に示したように、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光周波数ω／２π（≡１／Ｔ）が１５Ｈｚである場合に、閾周波数ω_ｔｈ／２πを４５Ｈｚに定めると、ｌ＝３となる。また、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度Ｌ（ｔ）の、閾周波数ω_ｔｈ／２π以下の低周波数成分Ｌ_ｌｏｗ（ｔ）は、次の通りとなる。ここで、ａ_０を含む定数項はフリッカの原因とならないため考慮する必要はない。

【0055】

【数12】

【0056】

したがって、ｎ＝１，２，・・・，ｌについての級数の係数である、ａ_ｎ及びｂ_ｎを十分に小さい値とすることができるならば、表示装置１００のちらつきが低減されることになる。そこで、自然数ｊを１≦ｊ≦ｌとして、ａ_ｊ及びｂ_ｊの各々について、十分に小さいある閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを与え、次式、

【数13】

を満たすように数１１を解き、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めることにより、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期中に具体的に非発光期間を設定でき、表示装置１００の低周波駆動時のちらつきが低減される。

【0057】

ここで、数１１は非線形連立方式であり、解析的にこれを解くことは通常困難であるから、計算機を用いた任意の数値解法によりｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を求めてよい。具体的には、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍに任意の初期値、例えば、非発光期間が一定間隔かつ一定時間挿入されるようなものを与え、ニュートン法を用いた反復計算をすることによりｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍの値を更新し、上の数１３が満足された時点でのｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍの値を解とすればよい。なお、以降では、数値解法によりｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍを数１３を満足するまで更新することを、「非発光期間を最適化する」と称する。

【0058】

この時、数１３に示した閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊは、十分に表示装置１００のちらつきを十分に低減できるものに設定する必要がある。ここで、ヒトの目で見た際に、表示装置１００のちらつきが気になるか否かは、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光の低周波数成分Ｌ_ｌｏｗ（ｔ）が、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期中の全発光エネルギーに占める割合に依存するものと考えられる。すなわち、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期中の全発光エネルギーにおける低周波数成分Ｌ_ｌｏｗ（ｔ）の占めるエネルギーの割合が低いほど、ちらつきを認識することはできなくなると考えられる。ここで、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光エネルギーを輝度波形の関数としてＥ（Ｌ）と置くと、フーリエ級数の係数ａ_ｎ及びｂ_ｎの二乗和はエネルギーの次元を持つから、

【数14】

である。

【0059】

したがって、例えば、低周波数成分Ｌ_ｌｏｗ（ｔ）のエネルギーが全発光エネルギーの５０％以下となるようにｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めるには、

【数15】

すなわち、

【数16】

となるように閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを定めればよい。なお、ここで、数１６の右辺の値は、パーセヴァルの等式により、

【数17】

から容易に求められる。

【0060】

あるいは、例えば、低周波数成分Ｌ_ｌｏｗ（ｔ）のエネルギーが全発光エネルギーの１０％以下となるようにｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めるには、同様に、

【数18】

となるように閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを定めればよい。

【0061】

図６は、上述の数１８により定めた閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを用いて、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度変化の例を示す図である。また、図７は、図６の例におけるパワースペクトルを示す図である。図６及び図７において、（ａ）は非発光期間が挿入されない場合、（ｂ）は非発光期間が最適化される前、（ｃ）は非発光期間が最適化された後を示している。図６及び図７の例は、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔ中に、非発光期間を３回挿入し、閾周波数ω_ｔｈ／２π＝４５Ｈｚとした場合の例となっている。また、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光周期は１５Ｈｚの低周波駆動である。なお、輝度Ｌ（ｔ）は周波数ω／２πの周期関数であるから、パワースペクトルは、ｎω／２πごとのラインスペクトルとして現れるが（ｎ＝１，２，・・・）、図７では、ラインスペクトルの値を直線でつないだ曲線として図示している。以降の図９、図１１でも同様である。

【0062】

図７より容易に理解できるように、非発光期間を挿入しない（ａ）の場合は、パワースペクトルに４５Ｈｚ以下の低周波の成分が多く、フリッカが生じていると考えられる。また、非発光期間を最適化することなく挿入した（ｂ）の場合は、非発光期間を挿入することにより、パワースペクトルの６０Ｈｚ及び１２０Ｈｚの成分が増加しているものの、４５Ｈｚ以下の低周波の成分に大きな変化は見られず、やはりフリッカは生じていると考えられる。これに対し、非発光期間を上述の方法により最適化した（ｃ）の場合は、パワースペクトルの４５Ｈｚ以下の低周波の成分は抑制されてほぼ存在せず、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光は、事実上６０Ｈｚ以上の成分のみにより構成されるようになっていることがわかる。したがって、この（ｃ）の場合には、ヒトの目にフリッカはほとんど感じられることが無いと考えられる。また、図６より見て取れるように、（ｃ）の場合の非発光期間は、個々の非発光期間ごとにその挿入タイミング及び時間長さが異なっており、最適化されていることがわかる。

【0063】

図８は、同じく上述の数１８により定めた閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを用いて、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度変化の別の例を示す図である。また、図９は、図８の例におけるパワースペクトルを示す図である。図８及び図９においても、（ａ）は非発光期間が挿入されない場合、（ｂ）は非発光期間が最適化される前、（ｃ）は非発光期間が最適化された後を示している。図６及び７の例と同様に、図８及び図９の例においても、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔ中に、非発光期間は３回挿入され、閾周波数ω_ｔｈ／２π＝４５Ｈｚ、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光周期は１５Ｈｚである。図８及び図９の例では、画素回路の設計の都合等の事情により、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔの先頭または末尾（この例では先頭）に、黒表示期間が設けられている。

【0064】

このような場合であっても、上述した手順において、非発光期間を設けない場合のＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度Ｌ_０（ｔ）を黒表示期間を含むものとして与え、同様に非発光期間を最適化すればよい。図９に示されるように、先の例と同様に、非発光期間を挿入しない（ａ）及び非発光期間を最適化することなく挿入した（ｂ）の場合は、パワースペクトルに４５Ｈｚ以下の低周波の成分が多く、フリッカが生じていると考えられるのに対し、非発光期間を上述の方法により最適化した（ｃ）の場合は、パワースペクトルの４５Ｈｚ以下の低周波の成分は抑制され、ヒトの目にフリッカはほとんど感じられることが無いと考えられる。また、図８より見て取れるように、本例における（ｃ）の場合の非発光期間は、先の例の図６の（ｃ）に示した場合とその挿入タイミング及び時間長さは異なり、輝度Ｌ_０（ｔ）の波形によって、最適化された非発光期間の挿入タイミング及び時間長さは異なるものとなることがわかる。

【0065】

図１０は、同じく上述の数１８により定めた閾値ε_ａｊ、ε_ｂｊを用いて、ｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）を定めた際のＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度変化のさらに別の例を示す図である。また、図１１は、図１０の例におけるパワースペクトルを示す図である。図１０及び図１１においても、（ａ）は非発光期間が挿入されない場合、（ｂ）は非発光期間が最適化される前、（ｃ）は非発光期間が最適化された後を示している。図１０及び図１１の例では、輝度波形は図６及び図７に示したのと同一であり、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの発光周期は１５Ｈｚである。本例では、非発光期間は７回挿入するものとし、閾周波数ω_ｔｈ／２π＝１１０Ｈｚとしている。

【0066】

図１１の（ｃ）に示されるように、本例では、パワースペクトルの１０５Ｈｚ以下の低周波の成分が抑制されており、先の２つの例に比べ、よりフリッカは感じられなくなっていると考えられる。なお、本例では閾周波数である１１０Ｈｚに該当する周波数成分の発光はなく、１０５Ｈｚが閾周波数に最も近い最大の周波数成分である。図１０の（ｂ）より明らかなように、非発光期間の挿入数が多くとも、単に一定周期、一定時間での非発光期間の挿入によっては低周波成分を抑制することはできないが、（ｃ）のように、非発光期間を最適化した場合は、パワースペクトルの１０５Ｈｚ以下の低周波の成分を十分に抑制できている。

【0067】

なお、より高い閾周波数に対してフリッカを抑制するためには、非発光期間の挿入数を増やす必要がある場合がある。数１３を見ると、形式的にはこれは２ｌ個の式を持つ連立不等式となっており、独立変数となるｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍ（１≦ｍ≦ｋ）が２ｌ個以上存在すれば、この連立不等式は有意に解かれ得ることから、ｋ≧ｌとなるように非発光期間の挿入回数ｋを定めるとよい。なお、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期Ｔにおける輝度Ｌ_０（ｔ）の波形によっては、ｋ＜ｌの条件であっても、閾周波数以下の低周波成分のパワースペクトルを十分に抑制できる場合は有り得るが、そのような解の存在が必ずしも保証されるものではない。

【0068】

以上の説明より明らかなように、所与の閾周波数に対してフリッカを抑制できるｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍは、輝度Ｌ_０（ｔ）の形状に応じて定まるものである。したがって、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度Ｌ（ｔ）の形状が、その発光の輝度レベルに対して線形であるならば、輝度レベルによらずｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍを一意に定めてよいが、輝度レベルに応じて輝度Ｌ（ｔ）の形状が非線形に変化する場合には、輝度レベルごとに、その変化したＬ（ｔ）の形状に基づいて互いに異なるｔ_ｉｍ及びｔ_ｆｍを定めるとよい。この場合、非発光期間の挿入タイミングは、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度レベルに応じて異なることになる。

【0069】

ここまで説明した方法により、ＥＬ発光素子ＯＬＥＤの１発光周期中において非発光期間が挿入された表示装置１００は、その発光制御方法に次のような特徴を持つと考えられる。すなわち、その１発光周期Ｔ≡２π／ωにおける輝度を測定しＬ（ｔ）（０≦ｔ＜Ｔ）とするならば、Ｌ（ｔ）は次のように複素フーリエ級数展開できる。

【数19】

ここで、ｎは整数、ｃ_ｎは複素フーリエ係数であり、数９に示した級数の係数ａ_ｎ，ｂ_ｎに対して、

【数20】

であることに注意して数１６を見れば、ある閾周波数ω_ｔｈ／２πに対して、ｌをｌω≦ω_ｔｈを満たす最大の自然数として、

【数21】

が成り立つ。

【0070】

あるいは、数１８を見れば、同様に、

【数22】

が成り立つ。

【0071】

ここで、｜ｃ_ｎ｜^２はエネルギーの次元を持つから、表示装置１００におけるＥＬ発光素子ＯＬＥＤの輝度変化を測定し、一般的なスペクトラムアナライザによりＬ（ｔ）のパワースペクトルＰ（ｆ）を測定すると、パワースペクトルＰ（ｆ）は、周波数ｎω／２πごとのラインスペクトルとして現れ（ｎ＝１，２，・・・）、｜ｃ_ｎ｜^２に対し次の関係を持つ。

【数23】

【0072】

したがって、表示装置１００に用いられている発光制御方法が数２１あるいは数２２の条件を満たしていることは、その輝度Ｌ（ｔ）をスペクトラム解析することにより、容易に確認することができる。

【符号の説明】

【0073】

１００ ＥＬ表示装置、１０１ 画素領域、１０２ 走査線駆動回路、１０３ データ線駆動回路、１０４ 基板、ＰＸ 画素、ＤＲＴ 駆動トランジスタ、ＯＬＥＤ ＥＬ発光素子、ＳＳＴ 画素トランジスタ、ＲＳＴ リセットトランジスタ、ＢＣＴ１ 第１の出力トランジスタ、ＢＣＴ２ 第２の出力トランジスタ、ＴＣＴ 第１のスイッチングトランジスタ、ＩＣＴ 第２のスイッチングトランジスタ、Ｃｓ 保持容量。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】