特開 2024-147453 チップ抵抗器の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147453

(43)【公開日】2024-10-16

(54)【発明の名称】チップ抵抗器の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01C 17/12 20060101AFI20241008BHJP

   H01C 17/28 20060101ALI20241008BHJP

【ＦＩ】

H01C17/12

H01C17/28

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023060486

(22)【出願日】2023-04-03

(71)【出願人】

【識別番号】593028942

【氏名又は名称】太陽社電気株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100093931

【弁理士】

【氏名又は名称】長屋 直樹

(72)【発明者】

【氏名】山田 頼季

【テーマコード（参考）】

5E032

【Ｆターム（参考）】

5E032BB01

5E032CA02

5E032CA11

5E032CC11

(57)【要約】

【課題】スパッタリング法により側面電極を製造する際に、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供する。
【解決手段】保護膜形成工程において、保護膜Ｇ１８を形成した後に、保護膜Ｇ１８の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ突状保護膜Ｇ２０を形成し（突状保護膜形成工程）、その後、一次分割することにより形成された短冊状基板１’を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成し（金属薄膜形成工程）、その後、二次分割工程とメッキ工程を行なってチップ抵抗器を製造する。製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されている。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するために抵抗体の上面にカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、
抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、
抵抗値調整工程の後に、少なくとも平面視における抵抗体の領域をカバーするように保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
保護膜の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ保護膜の上面よりも上方に突出した突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程で、電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に突状保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における突状保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、
側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、
を有し、
製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

【請求項2】

抵抗値調整工程において、トリミング溝を、平面視において突状保護膜を形成する一対の領域の間の領域に形成し、平面視において突状保護膜を形成する領域にはトリミング溝を形成しないことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。

【請求項3】

金属薄膜形成工程において、短冊状基板を積層させた状態では、突状保護膜と該突状保護膜の上側の短冊状基板における下面電極が密着した状態となることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、小型チップ抵抗器の側面電極を形成する方法として、一次分割後の短冊を積み重ねた後にスパッタリング法により側面電極を形成する際に、保護膜へのスパッタの回り込みを防止するため、フォトリソ法によりマスクを形成する方法が知られている（特許文献１）。

【0003】

すなわち、特許文献１にあるように、ネガタイプのレジストの場合には、レジストを塗布・乾燥した後に、フォトマスクを使用して露光を行ない、露光に際して光が照射されずに未硬化の部分を薬品で溶解して除去して（つまり、現像する）、残ったレジストによりマスクを形成し、一次分割を行って、スパッタリング法により金属薄膜を形成する。その後、二次分割した後に、レジストを薬品により剥離する。

【0004】

また、ポジタイプのレジストの場合には、レジストを塗布・乾燥した後に、フォトマスクを使用して露光を行ない、露光により光が照射された部分を薬品で溶解して除去して（つまり、現像する）、残ったレジストによりマスクを形成し、一次分割を行って、スパッタリング法により金属薄膜を形成する。その後、二次分割した後に、レジストを薬品により剥離する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７－１０３８４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、上記の方法では、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行ない、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行わなければならず、多くの製造工程を必要とする問題があった。

【0007】

そこで、チップ抵抗器の製造に際して、スパッタリング法により側面電極を製造する際に、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するために抵抗体の上面にカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、抵抗値調整工程の後に、少なくとも平面視における抵抗体の領域をカバーするように保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ保護膜の上面よりも上方に突出した突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程で、電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に突状保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における突状保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、を有し、製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されていることを特徴とする。

【0009】

これにより、突状保護膜を設ける工程を追加するのみで、保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができ、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行なったり、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行なう必要もなく、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができる。

【0010】

また、第２には、上記第１の構成において、抵抗値調整工程において、トリミング溝を、平面視において突状保護膜を形成する一対の領域の間の領域に形成し、平面視において突状保護膜を形成する領域にはトリミング溝を形成しないことを特徴とする。

【0011】

これにより、スパッタリングのために短冊状基板を積み重ねた際に、突状保護膜と下面電極の間に隙間が生じるおそれを防止でき、一対の突状保護膜間の領域に金属薄膜が形成されず、保護膜へのスパッタの回り込みをより防止することができる。

【0012】

また、第３には、上記第１又は第２の構成において、金属薄膜形成工程において、短冊状基板を積層させた状態では、突状保護膜と該突状保護膜の上側の短冊状基板における下面電極が密着した状態となることを特徴とする。

【0013】

よって、突状保護膜と下面電極が密着することにより、突状保護膜と上側の短冊状基板の間に隙間が形成されるのを防止することができ、一対の突状保護膜間の領域に金属薄膜が形成されず、保護膜へのスパッタの回り込みをより防止することができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法によれば、突状保護膜を設ける工程を追加するのみで、保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができ、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行なったり、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行なう必要もなく、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明のチップ抵抗器の構成を示す断面図である。

【図2】本発明のチップ抵抗器の構成を示す平面図である。

【図3】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。

【図4】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図5】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図6】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図7】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図8】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図9】本発明のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

本発明においては、チップ抵抗器の製造に際して、スパッタリング法により側面電極を製造する際に、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供するという目的を以下のようにして実現した。

【0017】

すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器１は、図１に示されるように、絶縁基板１０と、上面電極１２と、抵抗体１４と、カバーコート１６と、保護膜１８と、突状保護膜２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とを有している。

【0018】

ここで、チップ抵抗器１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。

【0019】

なお、この絶縁基板１０にはレーザースクライブによりスリットが形成されるので、レーザースクライブして形成したスリットを分割することにより形成された切欠部が絶縁基板１０の角部に形成されていることになる。すなわち、本発明においては、絶縁基板の上面側には、一次スリットと二次スリットとを形成し、裏面側には、二次スリットのみを形成することから、図１に示す断面図においては、絶縁基板１０の上面側の角部に切欠部が形成されていることになる。また、二次スリットは、上面側も下面側も形成されるので、図２におけるＹ１側の側面とＹ２側の側面においては、上面側と下面側に切欠部が形成されている。なお、絶縁基板の上面側においては、一次スリットの深さは、二次スリットの深さよりも深く形成するので、絶縁基板１０の上面側の切欠部も一次スリット側の方が深くなっている。

【0020】

また、上面電極１２は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１－Ｘ２方向（電極間方向、通電方向としてもよい））の両端部領域に一対形成されている。この上面電極１２は、具体的には、銀系厚膜（銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極１２のＹ１－Ｙ２方向（このＹ１－Ｙ２方向は、Ｘ１－Ｘ２方向及びＺ１－Ｚ２方向に直角な方向である。また、Ｚ１－Ｚ２方向は、Ｘ１－Ｘ２方向及びＹ１－Ｙ２方向に直角な方向である。）の幅は、絶縁基板１０のＹ１－Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。なお、Ｙ１－Ｙ２方向は、電極間方向に直角な方向である電極間直角方向といえる。

【0021】

また、抵抗体１４は、図１に示すように、基本的に上記絶縁基板１０の上面に設けられていて、Ｘ１－Ｘ２方向の両端部は上面電極１２の上面に接続して形成されている。つまり、抵抗体１４は、Ｘ１－Ｘ２方向に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。抵抗体１４のＹ１－Ｙ２方向の幅は、上面電極１２のＹ１－Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。また、抵抗体１４は、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、抵抗体１４のＹ１－Ｙ２方向の幅を上面電極１２のＹ１－Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。

【0022】

また、カバーコート１６は、抵抗体１４の上面に層状に形成され、抵抗体１４へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート１７０の形成位置は、抵抗体１４をカバーするように、幅方向（Ｙ１－Ｙ２方向）及び長さ方向（Ｘ１－Ｘ２方向）に、抵抗体１４よりも若干大きく形成されている。このカバーコート１６は、ガラス系材料により形成されている。なお、抵抗体１４とカバーコート１６には、トリミング溝１７が形成されている。

【0023】

また、保護膜１８は、図１に示すように、主に、上面電極１２の一部とカバーコート１６の上面を被覆するように形成されている。すなわち、この保護膜１８の形成位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１－Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１－Ｘ２方向には、カバーコート１６と、両端に形成されている一対の上面電極１２の一部を被覆するように設けられている。この保護膜１８は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。

【0024】

また、突状保護膜２０は、保護膜１８の上面に一対設けられていて、一方の突状保護膜２０Ａは、保護膜１８の上面におけるＸ１側の端部領域に設けられ、他方の突状保護膜２０Ｂは、保護膜１８の上面におけるＸ１側の端部領域に設けられている。突状保護膜２０Ａ、２０Ｂはともに、保護膜１８の上面よりも上方に突出して形成されている。この突状保護膜２０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。

【0025】

突状保護膜２０Ａと突状保護膜２０Ｂは、ともに、Ｙ１－Ｙ２方向には保護膜１８の幅と略同一（同一）の幅に形成され（つまり、保護膜１８のＹ１－Ｙ２方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている）、Ｘ１－Ｘ２方向には、突状保護膜２０Ａと突状保護膜２０Ｂ間に間隔を形成することができる長さに形成され、突状保護膜２０Ａと突状保護膜２０Ｂは、それぞれ、上面電極１２のＸ１－Ｘ２方向の長さよりも短い長さに形成されている。また、突状保護膜２０の形成位置は、保護膜１８のＸ１側の端部領域とＸ２側の端部領域であるが、スパッタリングを行なうために短冊状基板を積み重ねた状態で、突状保護膜２０が上側の短冊状基板の下面電極２２に接する位置に設けられている。これにより、短冊状基板を積み重ねた状態で、突状保護膜２０と下面電極２２が密着して突状保護膜２０と下面電極２２間に隙間が形成されないようにすることにより、スパッタリングにより形成される金属薄膜が、突状保護膜２０よりも内側の領域（突状保護膜２０Ａと突状保護膜２０Ｂ間の領域）に形成されるのを防止できる。つまり、保護膜１８へのスパッタの回り込みを防止することができる。すなわち、保護膜１８の上面にスパッタリングによる金属薄膜が形成されてしまうと、基板上に実装されたチップ抵抗器の性能を正しく検査できない等の問題があるが、本実施例のチップ抵抗器の製造方法によれば、保護膜１８の上面（すなわち、突状保護膜２０Ａと突状保護膜２０Ｂ間の上面）に金属薄膜が形成されるのを防止することができる。

【0026】

また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１－Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１－Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１－Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。この下面電極２２は、金系薄膜により形成されている。なお、下面電極２２を銀系厚膜（例えば、銀系メタルグレーズ厚膜）により形成してもよい。

【0027】

また、側面電極２４は、図１に示すように、上面電極１２の一部と、突状保護膜２０の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面（Ｘ１側とＸ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成され、Ｙ１－Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成さている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４は、薄膜により形成されている。なお、この側面電極２４は、具体的には、金属薄膜により形成されている。

【0028】

また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１２等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。

【0029】

また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。

【0030】

なお、上記上面電極１２と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成される。

【0031】

上記構成のチップ抵抗器１の製造方法について、図３～図９等を使用して説明する。まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、チップ抵抗器１における絶縁基板１０の素体となる基板素体であり、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）５を用意し、このアルミナ基板５の下面（裏面、底面としてもよい）に、レーザースクライブによって一次スリットＪ１と二次スリットＪ２を形成する（図３のＳ１１、図４（ａ）参照、下面側スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットをＹ方向に溝状に形成するとともに、複数の二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。一次スリットＪ１は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＸ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成し、二次スリットＪ２は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＹ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成する。

【0032】

次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とを形成する（図３のＳ１２、図４（ｂ）参照、上面側スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成するとともに、複数の二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。一次スリットＪ１は、当然下面に形成された一次スリットＪ１に対応する位置に形成され、二次スリットＪ２は、当然下面に形成された二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる。

【0033】

次に、アルミナ基板５の下面に下面電極Ｇ２２を形成する（図３のＳ１３、図５（ｃ）参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用の銀ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０～８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、図５（ｃ）に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は二次スリットの方向である）に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である。つまり、Ｙ方向は電極間直角方向である。）には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。この下面電極Ｇ２２は、複数分の下面電極２２であるといえる。

【0034】

なお、なお、図４（ａ）、図５（ｃ）は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図である。また、図５（ｃ）において、下面電極Ｇ２２の領域を分かりやすくするためにハッチングを施している。

【0035】

次に、アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に上面電極（電極）Ｇ１２を形成する（図３のＳ１４、図５（ｄ）参照、上面電極形成工程）。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０～８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。この場合の上面電極ペーストは、銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）により形成してもよい。なお、図５（ｄ）において、上面電極Ｇ１２は、チップ抵抗器１における上面電極１２の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極について１つの印刷領域で形成する。つまり、一次スリットＪ１を跨いだ状態にして上面電極Ｇ１２を形成し、上面電極Ｇ１２はチップ抵抗器１における２つ分の上面電極である。

【0036】

次に、アルミナ基板の上面と上面電極Ｇ１２の一部の上面に抵抗体１４を形成する（図３のＳ１５、図５（ｅ）参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体１４の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。

【0037】

なお、Ｘ方向（電極間方向）は、抵抗体１４において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である。

【0038】

また、上記ステップＳ１４（上面電極形成工程）とステップＳ１５（抵抗体形成工程）とで、「基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極の各形成部材を形成する形成部材形成工程」が構成される。つまり、形成される抵抗体や上面電極等は形成部材に当たる。

【0039】

次に、抵抗体１４の上面に、ガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート１６を形成する（図３のＳ１６、図６（ｆ）参照、カバーコート形成工程）。つまり、抵抗体１４全体をカバーするように、カバーコート１６を形成する。なお、カバーコートを形成する際に、Ｙ方向に帯状にカバーコートを形成して、Ｙ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて形成してもよい。なお、カバーコート１６は、抵抗体１４全体をカバーしなくても、抵抗体１４におけるトリミング溝１７を形成する領域に形成してもよい。以上のように、抵抗体１４の上面にカバーコート１６を形成する。

【0040】

次に、抵抗体１４にトリミング溝１７を形成して抵抗値を調整する（図３のＳ１７、図６（ｇ）参照、抵抗値調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体１４にトリミング溝１７を形成する。なお、トリミング溝１７の形成に際しては、平面視において、突状保護膜２０を形成する領域（厳密には、突状保護膜２０を形成することになる領域）にはトリミング溝１７を形成しない。つまり、平面視において突状保護膜２０を形成する一対の領域の間の領域（厳密には、突状保護膜２０を形成することになる一対の領域の間の領域）（具体的には、図２における点線のハッチングに示す領域）にトリミング溝１７を形成し、具体的には、抵抗体１４におけるＸ方向の中央領域に形成して、完成後のチップ抵抗器１の平面透視において、突状保護膜２０とトリミング溝１７が重ならないようにする。これにより、スパッタリングのために短冊状基板を積み重ねた際に、突状保護膜Ｇ２０と下面電極Ｇ２２の間に隙間が生じるおそれを防止することができる。

【0041】

すなわち、突状保護膜２０を形成する領域にトリミング溝１７を形成すると、保護膜Ｇ１８を形成した際に、トリミング溝１７の箇所が凹状となり、さらに、突状保護膜Ｇ２０を形成した際に、保護膜Ｇ１８の当該箇所が凹状になっていることにより、突状保護膜Ｇ２０も凹状となって、スパッタリングのために短冊状基板を積み重ねた際に、突状保護膜Ｇ２０と下面電極Ｇ２２の間に隙間が生じるおそれがあり、隙間が生じると金属薄膜が突状保護膜２０よりも内側の領域に形成されるからである。

【0042】

次に、抵抗体１４及びカバーコート１６を覆うように保護膜Ｇ１８を形成する（図３のＳ１８、図６（ｈ）参照、保護膜形成工程）。つまり、Ｙ方向（電極間直角方向）に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０～２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成する。この保護膜Ｇ１８は、保護膜２０の複数分であるといえる。つまり、Ｙ方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜Ｇ１８を形成することにより、各チップ抵抗器１における保護膜１８の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器１として基板素体が分割された状態となった絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する。なお、図６（ｈ）において、保護膜Ｇ１８の領域を分かりやすくするためにハッチングを施している。

【0043】

次に、保護膜Ｇ１８の上面に一対の突状保護膜Ｇ２０を形成する（図３のＳ１９、図７（ｉ）参照、突状保護膜形成工程）。つまり、保護膜Ｇ１８の上面におけるＸ方向の両側の端部領域に突状保護膜Ｇ２０を形成する。突状保護膜Ｇ２０の形成に際しては、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０～２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に突状保護膜を形成する。この突状保護膜Ｇ２０は、突状保護膜２０の複数分であるといえる。つまり、Ｙ方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に突状保護膜Ｇ２０を形成することにより、各チップ抵抗器における突状保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように突状保護膜を形成する。なお、図７（ｉ）において、保護膜Ｇ１８の領域と突状保護膜Ｇ２０の領域を分かりやすくするためにハッチングを施している。

【0044】

保護膜Ｇ１８と突状保護膜Ｇ２０の材料は、突状保護膜Ｇ２０を保護膜Ｇ１８に十分固定するため同じ材料とする。つまり、樹脂ペーストであれば、保護膜Ｇ１８、突状保護膜Ｇ２０ともに樹脂ペーストとする。

【0045】

次に、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図３のＳ２０参照、一次分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて各短冊状基板に分割する。

【0046】

次に、該短冊状基板に対して、金属薄膜Ｇ２４を形成する（図３のＳ２１、図８、図９参照、金属薄膜形成工程）。つまり、一次分割した短冊状基板１’を図８に示すように積層して、スパッタリング法により金属薄膜Ｇ２４を形成する。

【0047】

つまり、図８に示すように、短冊状基板１’を積み重ねることにより、突状保護膜Ｇ２０と、その上側の下面電極Ｇ２２が密着した状態となり、一対の突状保護膜Ｇ２０間の空間が密閉される。なお、最上位置の短冊状基板１’の上には蓋部４０を配置して、一対の突状保護膜Ｇ２０間の空間を密閉する。

【0048】

なお、短冊状基板１’の平面透視において、下面電極Ｇ２２の領域と突状保護膜Ｇ２０の領域が重なるように下面電極Ｇ２２と突状保護膜Ｇ２０を形成しておき、短冊状基板１’を積み重ねた際に、突状保護膜Ｇ２０と上側の短冊状基板１’の下面電極Ｇ２２が接するようにすることにより、下面電極Ｇ２２はアルミナ基板５’よりも下方に突出しているので、突状保護膜Ｇ２０と下面電極Ｇ２２が密着しやすくなり、突状保護膜Ｇ２０と上側の短冊状基板１’の間に隙間が形成されるのを防止することができる。

【0049】

そして、スパッタリングを行なうことにより、図９に示すように、金属薄膜Ｇ２４が形成される。一対の突状保護膜Ｇ２０間の空間は密閉されていて、薄膜材料が突状保護膜Ｇ２０にせき止められるので、保護膜Ｇ１８の上面における一対の突状保護膜Ｇ２０間の領域には、金属薄膜が形成されず、保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができる。つまり、突状保護膜Ｇ２０は、せき止め保護膜として機能する。金属薄膜の薄膜材料としては、例えば、ニッケルクロム系合金が挙げられる。

【0050】

なお、図８、図９において、５’は、一次分割したアルミナ基板を示し、１’は、一次分割により形成された短冊状基板を示している。

【0051】

次に、短冊状基板１’を二次スリットＪ２に沿って二次分割して個々のチップ片とする（図３のＳ２２参照、二次分割工程）。その後は、チップ片にメッキを形成して（メッキ工程）チップ抵抗器とする（図３のＳ２３参照）。

【0052】

なお、製造されたチップ抵抗器１には突状保護膜２０が設けられており、チップ抵抗器１を回路基板に実装する際には、突状保護膜２０が設けられた状態で実装されることになる。また、製造されたチップ抵抗器１においては、突状保護膜２０の電極間方向における外側の領域に側面電極２４及びメッキ２６が形成されている。製造されたチップ抵抗器１において、突状保護膜２０は、保護膜１８から上方に突出した状態となっているが、突状保護膜２０の外側の領域が側面電極２４及びメッキ２６に覆われているので、突状保護膜２０を保護膜１８に対して十分固定することができる。

【0053】

上記のように、本実施例のチップ抵抗器の製造方法によれば、突状保護膜を設ける工程を追加するのみで、保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができ、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行なったり、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行なう必要もなく、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができる。

【0054】

なお、上記の説明において、上面電極１２の形成後に抵抗体１４を形成し、抵抗体１４が上面電極１２の上面に重なるものとして説明したが、抵抗体１４の形成後に上面電極１２を形成して、上面電極１２が抵抗体１４の上面に形成された構成としてもよい。この場合も、上面電極と抵抗体を形成する工程が形成部材形成工程となる。

【0055】

また、上記の説明においては、アルミナ基板５の下面に二次スリットＪ２のみを形成するとしたが、アルミナ基板５の下面に一次スリットと二次スリットを設けてもよく、また、上記の説明では、レーザースクライブにより一次スリットや二次スリットを形成するとしたが、予め上面と下面に一次スリットと二次スリットが形成されたアルミナ基板を用いてもよい。

【符号の説明】

【0056】

１ チップ抵抗器
１’ 短冊状基板
５ アルミナ基板
５’ アルミナ基板
１０ 絶縁基板
１２ 上面電極
１４ 抵抗体
１６ カバーコート
１７ トリミング溝
１８ 保護膜
２０ 突状保護膜
２２ 下面電極
２４ 側面電極
２６ メッキ
２８ ニッケルメッキ
３０ 錫メッキ
Ｇ１２ 上面電極
Ｇ１８ 保護膜
Ｇ２０ 突状保護膜
Ｇ２２ 下面電極
Ｇ２４ 金属薄膜
Ｊ１ 一次スリット
Ｊ２ 二次スリット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】