特開 2024-147478 吸収膜を備えた極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク及びこれを用いて製造されたフォトマスク

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147478

(43)【公開日】2024-10-16

(54)【発明の名称】吸収膜を備えた極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク及びこれを用いて製造されたフォトマスク

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/24 20120101AFI20241008BHJP

   G03F 1/58 20120101ALI20241008BHJP

【ＦＩ】

G03F1/24

G03F1/58

【審査請求】有

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023137276

(22)【出願日】2023-08-25

(31)【優先権主張番号】10-2023-0043334

(32)【優先日】2023-04-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0097937

(32)【優先日】2023-07-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】514205126

【氏名又は名称】エスアンドエス テック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】ミン－キュ・パク

(72)【発明者】

【氏名】ミ－キュン・ウ

(72)【発明者】

【氏名】ミン－クワン・パク

(72)【発明者】

【氏名】チュル－キュ・ヤン

【テーマコード（参考）】

2H195

【Ｆターム（参考）】

2H195BA02

2H195BA10

2H195BB31

2H195BC05

2H195BC11

2H195CA01

2H195CA22

2H195CA24

(57)【要約】

【課題】極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー用ブランクマスクを提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィー用ブランクマスクは、基板上に形成された反射膜、及び反射膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びアンチモン（Ｓｂ）を含む吸収膜を備える。吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝２：８～６：４ａｔ％の組成比を有する。高い消滅係数（ｋ）を有する吸収膜によって吸収膜の薄膜化が可能であり、シャドーイング効果及び３Ｄ効果を減少させることができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に形成された反射膜と、
前記反射膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びアンチモン（Ｓｂ）を含む吸収膜と、
を含むことを特徴とする極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項2】

前記吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝２：８～６：４ａｔ％の組成比を有することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項3】

前記吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝３：７～５：５ａｔ％の組成比を有することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項4】

前記吸収膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）のうち一つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項5】

前記吸収膜は、窒素（Ｎ）５～３０ａｔ％をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項6】

前記吸収膜は、
前記反射膜上に形成される第１層と、
前記第１層上に形成され、酸素（Ｏ）をさらに含む第２層と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項7】

前記第２層は、酸素（Ｏ）１～５０ａｔ％を含むことを特徴とする請求項６に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項8】

前記第１層は、窒素（Ｎ）５～３０～ａｔ％をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項9】

前記吸収膜は、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して０．０５以上の消滅係数（ｋ）を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項10】

請求項１から８のいずれか一項に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクを用いて製造されたフォトマスク。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ブランクマスク（Ｂｌａｎｋｍａｓｋ）及びフォトマスク（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）に関し、極端紫外線を吸収する吸収膜を備えた極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク及びこれを用いて製造されるフォトマスクに関する。

【背景技術】

【0002】

極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，ＥＵＶ）リソグラフィーに用いられるブランクマスクは、一般に、基板上にＥＵＶ光を反射する反射膜、及びＥＵＶ光を吸収する吸収膜の２つの薄膜を含んでなる。フォトマスクは、このようなブランクマスクの吸収膜をパターニングすることによって製造され、反射膜の反射率と吸収膜の反射率との明暗比（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）の差を用いてウエハーにパターンを形成する原理を理由する。

【0003】

図１は、一般的な極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクの構造を示す図である。極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクは、基板１０２、基板１０２上に形成された反射膜１０４、反射膜１０４上に形成されたキャッピング膜１０５、及びキャッピング膜１０５上に形成された吸収膜１０８で構成される。吸収膜１０８上にはハードマスク膜（図示せず）及びレジスト膜（図示せず）が形成されてよい。

【0004】

反射膜１０４は、Ｍｏ材質の層とＳｉ材質の層とが４０～６０回交互に積層された多層構造で形成される。キャッピング膜１０５は、反射膜１０４の上部に形成され、吸収膜１０８のパターニングのためのエッチング時に反射膜１０４を保護する機能を担う。吸収膜１０８は、キャッピング膜１０５の上部に形成され、フォトマスクの製造のためにパターニングされ、パターニングされた形状に従って入射するＥＵＶ光を吸収する。

【0005】

このような従来のブランクマスクにおいて、吸収膜１０８は、ＥＵＶ光に対する吸収率を高めるために、一般に、高い消滅係数（ｋ）を有するタンタル（Ｔａ）を含む材質で形成される。具体的には、吸収膜１０８は、タンタル（Ｔａ）にホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）のうち一つ以上を含む材質で形成される。吸収膜１０８は、第１層１０８ａ及び第２層１０８ｂの２層構造で形成されてよい。第２層１０８ｂは酸素（Ｏ）を含み、これによって第２層１０８ｂは低い反射率を有する。このような第２層１０８ｂは、ＤＵＶ検査光に対する検査感度が高い検査膜の機能を担う。

【0006】

上記のようなブランクマスクを用いて製造されたフォトマスクを用いたウエハーの露光時に、露光光はフォトマスクに垂直方向に対して約５～６゜程度傾斜した角度で入射する。これにより、吸収膜１０８が厚いほど吸収膜１０８のパターンの高さが高くてシャドーイング効果（Ｓｈａｄｏｗｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ）が大きくなり、露光の精密度が低下する。Ｌｏｇｉｃ ３ｎｍ以下の微細パターン、特に、Ｌｏｇｉｃ ２ｎｍ以下のパターンを形成しようとする場合には、これによる問題点がより大きくなる。したがって、吸収膜１０８は、極力薄い厚さを有することが好ましい。しかしながら、タンタル（Ｔａ）は１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して０．４程度の消滅係数（ｋ）を有するため、高い消滅係数（ｋ）、例えば、０．５以上の消滅係数（ｋ）を有する吸収膜１０８が製造できない。このため、従来のＴａ吸収膜１０８は、ＥＵＶ光に対する吸収率の確保のために少なくとも５５ｎｍの厚さが要求され、厚い吸収膜１０８の厚さによってシャドーイング効果が発生してしまう。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、上記の問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は、従来の吸収膜に比べて高い消滅係数（ｋ）を有する物質で吸収膜を形成することにより、吸収膜の薄膜化が可能であり、よって、吸収膜の厚さに起因する３Ｄ効果（３Ｄ Ｅｆｆｅｃｔ）を減少させ得るブランクマスクを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明に係るＥＵＶリソグラフィー用ブランクマスクは、基板上に形成された反射膜、及び前記反射膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びアンチモン（Ｓｂ）を含む吸収膜を含む。

【0009】

前記吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝２：８～６：４ａｔ％の組成比を有し、好ましくは、Ｔａ：Ｓｂ＝３：７～５：５ａｔ％の組成比を有する。

【0010】

前記吸収膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）のうち一つ以上をさらに含んでよい。

【0011】

前記吸収膜は、窒素（Ｎ）５～３０ａｔ％をさらに含んでよい。

【0012】

前記吸収膜は、前記反射膜上に形成される第１層、及び前記第１層上に形成され、酸素（Ｏ）をさらに含む第２層を含んでよい。

【0013】

前記第２層は、酸素（Ｏ）１～５０ａｔ％を含む。

【0014】

前記第１層は、窒素（Ｎ）５～３０～ａｔ％をさらに含んでよい。

【0015】

前記吸収膜は、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して０．０５以上の消滅係数（ｋ）を有する。

【0016】

本発明の他の側面によれば、上記のような構成の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクを用いて製造されたフォトマスクが提供される。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、高い消滅係数（ｋ）を有する吸収膜によって吸収膜の薄膜化が可能であり、シャドーイング効果及び３Ｄ効果を減少させることができる。これにより、優れたウエハー性能（Ｗａｆｅｒ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）が実現可能である。

【0018】

また、本発明によれば、吸収膜のエッチング速度が増加することにより、フォトマスク製造の生産性が高く、吸収膜パターンの側面傾斜が改善される。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】従来の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクの構造を示す図である。

【図2】本発明に係る極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクの構造を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下では、図面を参照して本発明をより詳しく説明する。

【0021】

図２は、本発明に係る極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクの構造を示す図である。

【0022】

本発明に係る極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクは、基板２０２、基板２０２上に形成された反射膜２０４、反射膜２０４上に形成されたキャッピング膜２０５、キャッピング膜２０５上に形成された吸収膜２０８、及び吸収膜２０８上に形成されたハードマスク膜２０９を含んで構成される。ハードマスク膜２０９上にはレジスト膜（図示せず）が形成されてよい。

【0023】

基板２０２は、ＥＵＶ露光光を用いる反射型ブランクマスク用グラス基板として適合するように、露光時の熱によるパターンの変形及びストレスを防止するために０±１．０×１０^－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有し、好ましくは、０±０．３×１０^－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するＬＴＥＭ（Ｌｏｗ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌ）基板で構成される。基板２０２の素材としては、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２系ガラス、多成分系ガラスセラミックなどを用いることができる。

【0024】

反射膜２０４は、ＥＵＶ露光光を反射する機能を有し、各層の屈折率が互いに異なる多層膜構造を有する。具体的には、反射膜２０４は、Ｍｏ材質の層とＳｉ材質の層を交互に４０～６０層積層して形成する。

【0025】

キャッピング膜２０５は、反射膜２０４の酸化膜形成を防止して反射膜２０４のＥＵＶ露光光に対する反射率を維持し、吸収膜２０８のパターニング進行時に反射膜２０４を保護する。一般に、キャッピング膜２０５は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む材質で形成される。キャッピング膜２０５は、２～５ｎｍの厚さ、好ましくは２．５ｎｍの厚さで形成される。キャッピング膜２０５の厚さが２ｎｍ以下であれば、キャッピング膜２０５としての機能を発揮し難く、５ｎｍ以上であれば、ＥＵＶ露光光に対する反射率が低下する問題がある。

【0026】

吸収膜２０８は、ブランクマスクをフォトマスクとして製造する工程でパターニングされ、パターニングによって除去された部分からキャッピング膜２０５が露出される。吸収膜２０８は、露光光を吸収する物質で形成され、このような物質として白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）、コバルト（Ｃｏ）などが考慮されてよい。しかし、白金（Ｐｔ）及びニッケル（Ｎｉ）は、エッチング速度が非常に遅く、テルル（Ｔｅ）は、化学耐性が弱く、コバルト（Ｃｏ）は、薄膜の欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が多く発生するという欠点がある。このような点を考慮して、本発明では、吸収膜２０８の構成物質としてタンタル（Ｔａ）とアンチモン（Ｓｂ）が採用される。アンチモン（Ｓｂ）は、適切なエッチング速度が確保でき、薄膜の欠陥が少ない。アンチモン（Ｓｂ）は、消滅係数が０．０６以上と高く、これによって吸収膜２０８の薄膜化が可能である。タンタル（Ｔａ）は、優れたエッチング特性及び耐化学性を有する。これにより、ＴａＳｂ吸収膜２０８は、フォトマスク製造時の性能（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）が高く、吸収膜２０８の薄膜化によって３Ｄ効果の改善が可能である。

【0027】

吸収膜２０８は、Ｔａ：Ｓｂ＝２：８～６：４ａｔ％の組成比を有することが好ましい。タンタル（Ｔａ）の含有量がこの範囲を超える場合には、高い消滅係数（ｋ）が確保し難い。また、アンチモン（Ｓｂ）は化学耐性が多少弱いため、アンチモン（Ｓｂ）の含有量が上記の範囲を超える場合に、洗浄工程において化学耐性が確保し難い。より好ましくは、Ｔａ：Ｓｂ＝３：７～５：５ａｔ％の組成比を有する。

【0028】

吸収膜２０８は、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して０．０５以上の消滅係数（ｋ）を有し、好ましくは、０．０６以上の消滅係数（ｋ）を有する。

【0029】

吸収膜２０８は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）のうち一つ以上をさらに含んでよい。酸素（Ｏ）は吸収膜２０８の反射率を下げる機能を有する。これにより、ＤＵＶ波長での反射率を下げることができ、ＤＵＶ検査光を用いた吸収膜２０８の検査が可能である。窒素（Ｎ）は、吸収膜２０８のパターニング時にＬＥＲ（Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を向上させる機能を有する。しかし、窒素（Ｎ）の含有量が高い場合に消滅係数（ｋ）が低くなるため、窒素（Ｎ）は１～３０ａｔ％を含有することが好ましい。

【0030】

吸収膜２０８は単層又は２層以上で構成されてよい。吸収膜２０８が単層で構成される場合には、ＴａＳｂ又はＴａＳｂＮで形成されることが好ましい。ＴａＳｂ吸収膜２０８に酸素（Ｏ）が含まれない場合に、吸収膜２０８は塩素（Ｃｌ_２）系エッチングガスによってエッチングされる。特に、ＴａＳｂ又はＴａＳｂＮは、酸素（Ｏ_２）不含の塩素（Ｃｌ_２）ガスによってエッチングされる。したがって、吸収膜２０８のエッチング工程で酸素（Ｏ_２）がキャッピング膜２０５に触れず、これによってキャッピング膜２０５の損傷が防止される。

【0031】

吸収膜２０８は、図２に示すように、２層構造で構成される場合に、吸収膜２０８は、反射膜２０４とキャッピング膜２０５上に形成される第１層２０８ａ、及び第１層２０８ａ上に形成された第２層２０８ｂを含む。このとき、第１層２０８ａには酸素（Ｏ）が含まれなく、第２層２０８ｂには酸素（Ｏ）が含まれる。具体的には、第１層２０８ａは、タンタル（Ｔａ）及びアンチモン（Ｓｂ）を含み、第２層２０８ｂは、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、及び酸素（Ｏ）を含む。第１層２０８ａは、窒素（Ｎ）をさらに含んでよい。好ましくは、第１層２０８ａは窒素（Ｎ）５～３０ａｔ％を含み、第２層２０８ｂは酸素（Ｏ）１～５０ａｔ％を含む。第２層２０８ｂに酸素（Ｏ）が含まれることによって第２層２０８ｂは反射率が減少し、これにより、第２層２０８ｂはＤＵＶ検査光に対する検査感度が高くなり、検査膜として働く。吸収膜２０８の第２層２０８ｂは、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して２％以下、好ましくは１．５％以下の反射率を有する。

【0032】

第２層２０８ｂは、酸素（Ｏ）を含むことからフッ素（Ｆ）系エッチングガスによってエッチングされ、第１層２０８ａは、酸素（Ｏ）を含まないことから塩素（Ｃｌ_２）系ガスによってエッチングされる。特に、第１層２０８ａは、酸素（Ｏ_２）不含の塩素（Ｃｌ_２）系ガスによってエッチングされる。したがって、吸収膜２０８のエッチング工程においてフッ素（Ｆ）又は酸素（Ｏ_２）がキャッピング膜２０５に触れず、よって、キャッピング膜２０５の損傷が防止される。

【0033】

吸収膜２０８は、４０ｎｍ以下の厚さを有し、好ましくは、３０ｎｍ以下の厚さを有する。前述したように、消滅係数（ｋ）がタンタル（Ｔａ）に比べて高いアンチモン（Ｓｂ）を含むので、吸収膜２０８は、図１の従来の吸収膜１０８に比べて薄膜化が可能である。

【0034】

本発明の吸収膜２０８は、０．０５以上、さらには０．０６以上の消滅係数（ｋ）を有するので、図１の従来の吸収膜１０８に比べて高い消滅係数（ｋ）を確保することができる。これにより、４０ｎｍ以下、さらには３０ｎｍ以下の厚さの吸収膜２０８によっても十分な露光光の吸収が可能である。また、本発明の吸収膜２０８は、エッチング速度が２０．１Å／ｓであり、図１の吸収膜１０８が１４．０Å／ｓのエッチング速度を有することに比べて４０％以上も増加したエッチング速度を有する。これによって吸収膜２０８のパターニング速度が増加し、フォトマスク製造工程の生産性が増大する。また、増加したエッチング速度により、本発明の吸収膜２０８のパターンは断面傾斜が８６゜以上であり、顕著に改善された断面傾斜を示す。

【0035】

ハードマスク膜２０９は、吸収膜２０８をパターニングするためのエッチングマスクの機能を担う。そのために、ハードマスク膜２０９は、吸収膜２０８に対してエッチング選択比を有する物質で構成される。図２に示すように、吸収膜２０８の第２層２０８ｂがＴａＳｂＯで構成される場合に、第２層２０８ｂは、フッ素（Ｆ）系エッチングガスによってエッチングされる。したがって、ハードマスク膜２０９は、塩素（Ｃｌ_２）系エッチングガスによってエッチングされる物質で構成される。好ましい一例として、ハードマスク膜２０９は、クロム（Ｃｒ）及びニオビウム（Ｎｂ）を含む。ＣｒＮｂハードマスク膜２０９は、酸素（Ｏ_２）不含の塩素（Ｃｌ_２）系エッチングガスによってエッチングされ、これにより、第１層２０８ａのエッチング工程でハードマスク膜２０９がエッチングされて除去され、この過程で酸素（Ｏ_２）によるキャッピング膜２０５の損傷（ｄａｍａｇｅ）が発生しない。

【0036】

上記のような構成を有する本発明のブランクマスクを用いてフォトマスクを製造する過程は次の通りである。

【0037】

まず、基板２０２上に反射膜２０４、キャッピング膜２０５、吸収膜２０８、及びハードマスク膜２０９を順に形成し、ハードマスク膜２０９上にレジスト膜（図示せず）を形成する。レジスト膜を露光させてパターニングした後、パターニングされたレジスト膜をエッチングマスクとして用いてハードマスク膜２０９をパターニングする。このとき、ハードマスク膜２０９のエッチング工程には塩素（Ｃｌ_２）系エッチングガスが使用される。

【0038】

ハードマスク膜２０９のパターニングが完了した後、レジスト膜を除去する。レジスト膜は、別の除去工程無しでハードマスク膜２０９のオーバーエッチング（ｏｖｅｒ‐ｅｔｃｈｉｎｇ）によって除去されてもよい。レジスト膜が除去された後、ハードマスク膜２０９をエッチングマスクとして用いて吸収膜２０８の第２層２０８ｂをエッチングしてパターニングし、ハードマスク膜２０９と第２層２０８ｂをエッチングマスクとして用いて第１層２０８ａをパターニングする。第２層２０８ｂのパターニングにはフッ素（Ｆ）系エッチングガスが使用され、第１層２０８ａのパターニングには酸素（Ｏ_２）不含の塩素（Ｃｌ_２）系エッチングガスが使用される。第１層２０８ａがエッチングされる間にハードマスク膜２０９は共にエッチングされて除去される。

【0039】

このような工程によって本発明のブランクマスクを用いたフォトマスクの製造工程が完了する。

【0040】

以上では、図面を参照して本発明の実施例を用いて本発明を具体的に説明したが、実施例は、単に、本発明の例示及び説明をするための目的で挙げられただけで、意味限定や特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定するためのものではない。したがって、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、実施例から様々な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点が理解できよう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲の技術的事項によって定められるべきである。

【図1】

【図2】

【手続補正書】

【提出日】2024-08-28

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に形成された反射膜と、
前記反射膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びアンチモン（Ｓｂ）を含む吸収膜と、
を含み、
前記吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝２：８～６：４ａｔ％の組成比を有し、
前記吸収膜は、
前記反射膜上に形成される第１層と、
前記第１層上に形成され、酸素（Ｏ）をさらに含む第２層と、
を含むことを特徴とする極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項2】

前記吸収膜は、Ｔａ：Ｓｂ＝３：７～５：５ａｔ％の組成比を有することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項3】

前記第２層は、酸素（Ｏ）１～５０ａｔ％を含むことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項4】

前記第１層は、窒素（Ｎ）５～３０～ａｔ％をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項5】

前記吸収膜は、１３．５ｎｍ波長のＥＵＶ露光光に対して０．０５以上の消滅係数（ｋ）を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスク。

【請求項6】

請求項１から４のいずれか一項に記載の極端紫外線リソグラフィー用ブランクマスクを用いて製造されたフォトマスク。