特開 2024-147502 積層セラミックキャパシタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147502

(43)【公開日】2024-10-16

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241008BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 201K

H01G4/30 201C

H01G4/30 512

H01G4/30 201F

H01G4/30 513

H01G4/30 516

H01G4/30 201G

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024035061

(22)【出願日】2024-03-07

(31)【優先権主張番号】10-2023-0043344

(32)【優先日】2023-04-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】パク、チャエ ミン

(72)【発明者】

【氏名】セオ、ヨン－ウォン

(72)【発明者】

【氏名】チャ、ヨウンジュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、セオンホ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC10

5E001AD04

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E001AH01

5E001AH05

5E001AH06

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ01

5E001AJ02

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE05

5E082EE23

5E082EE35

5E082FG03

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG11

5E082JJ02

5E082JJ06

(57)【要約】      （修正有）

【課題】外部電極を直接メッキ法で形成して外部電極の厚み精度を改善する積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】積層セラミックキャパシタ１０は、セラミック本体と、両端部面１２８、１２９夫々の一部を覆う接続部１３３、１４３から延びて第２方向の一面の一部を覆うバンド部１３５、１４５を夫々含む第１、第２外部電極と、セラミック本体内で誘電体層を挟んで積層され両端部から交互に引出されて第１および第２外部電極に夫々連結される複数の第１、第２内部電極２１、２２と、第２方向に沿って複数の第１、第２内部電極の外側に両側に夫々配置されてセラミック本体の外面をなす第１、第２カバー層１２３，１２５と、セラミック本体の両端部面と第１距離だけ離隔したアクティブ領域Ａと、第１ダミー電極１５３、１６３とシード電極層１３７，１４７とを含み、シード電極層の長さは、第１距離より大きくて第１ダミー電極の長さより大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に対向する第１面および第２面と、第２方向に対向し、前記第１面と前記第２面とを連結する第３面および第４面とを有するセラミック本体と、
前記第１方向に沿って互いに離隔した両端部面それぞれの一部を覆う接続部と、前記接続部から延びて、前記第２方向の一面の一部を覆うバンド部とをそれぞれ含む第１および第２外部電極と、
前記セラミック本体内で誘電体層を挟んで積層され、両端部から交互に引出されて前記第１および第２外部電極にそれぞれ連結される複数の第１および第２内部電極と、
前記第２方向に沿って前記複数の第１および第２内部電極の外側に両側にそれぞれ配置されて前記セラミック本体の外面をなす第１および第２カバー層と、
前記複数の第１および第２内部電極が前記第２方向に沿って重畳する領域であって、前記セラミック本体の両端部面と第１距離だけ離隔したアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）領域と、
前記第１カバー層内に備えられる第１ダミー電極と、
前記バンド部と前記第１カバー層との間に備えられるシード（ｓｅｅｄ）電極層と
を含み、
前記シード電極層の長さは、前記第１距離より大きくて前記第１ダミー電極の長さより大きい、積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記シード電極層の厚さＴ１は、０．０５ｕｍ以上かつ１．０ｕｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記シード電極層の長さは、前記セラミック本体の長さの１／４以上かつ１／２未満である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記接続部の周縁のうち前記第２カバー層側周縁は、前記第２カバー層の外面から第２距離だけ離隔し、
前記第２距離は、前記第２カバー層の厚さより小さい、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記第１ダミー電極は、前記端部面に接するか、前記端部面から引出される、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

前記第１ダミー電極の長さは、前記第１方向に沿った前記第１ダミー電極の両端部間の距離であり、
前記第１ダミー電極の前記長さは、前記第１距離より小さい、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項7】

前記第１ダミー電極は、複数の層からなる、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記第１ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に互いに離隔する、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

前記第１ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に沿って均一な間隔で配置される、請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項10】

前記第２カバー層内に備えられる第２ダミー電極をさらに含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項11】

前記接続部の周縁のうち前記第２カバー層側周縁は、前記第２カバー層の外面から第２距離だけ離隔し、
前記第２ダミー電極は、前記端部面に接するか、前記端部面から引出され、
前記第２ダミー電極は、前記第２カバー層の外面から第３距離だけ離隔し、
前記第３距離は、前記第２距離より大きくて前記第２カバー層の厚さより小さい、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項12】

前記第２ダミー電極の長さは、前記第１方向に沿った前記第２ダミー電極の両端部間の距離であり、
前記第２ダミー電極の長さは、前記第１距離より小さい、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項13】

前記第２ダミー電極は、複数の層からなる、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項14】

前記第２ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に互いに離隔する、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項15】

前記第２ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に沿って均一な間隔で配置される、請求項１３に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項16】

前記第１および第２外部電極は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項17】

前記第１および第２外部電極は、複数のメッキ層を含む、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項18】

前記第１および第２外部電極は、前記シード電極層と前記セラミック本体の両端部面の一部を覆う第１メッキ層と、前記第１メッキ層を覆う第２メッキ層とを含む、請求項１７に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項19】

前記第１および第２外部電極は、前記第２メッキ層を覆う第３メッキ層をさらに含む、請求項１８に記載の積層セラミックキャパシタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層セラミックキャパシタに関する。

【背景技術】

【0002】

セラミック材料を用いる電子部品として、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうち、積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は、小型でかつ高容量が保障され、実装が容易であるというメリットによって、多様な電子装置に使用可能である。

【0003】

例えば、積層セラミックキャパシタは、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末およびスマートフォンのような様々な電子製品の基板に装着されて、電気を充電させたり放電させる役割を果たすチップ状のコンデンサに使用できる。

【0004】

最近、電子製品の小型化および薄膜化の傾向により、既存の積層セラミックキャパシタより厚さが薄い積層セラミックキャパシタへの需要が増加している。特に、幅が厚さの１．５倍または２倍以上になるほど薄膜化された積層セラミックキャパシタは、実装信頼性を高めるための外部電極形成技術が重要である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例の一側面は、均一な外部電極を形成しながらも、外部電極が覆う面積を容易に制御できる積層セラミックキャパシタを提供する。

【0006】

しかし、本発明の実施例が解決しようとする課題は上述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的思想の範囲で多様に拡張可能である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施例による積層セラミックキャパシタは、第１方向に対向する第１面および第２面と、第２方向に対向し、前記第１面と前記第２面とを連結する第３面および第４面とを有するセラミック本体と、前記第１方向に沿って互いに離隔した両端部面それぞれの一部を覆う接続部と、前記接続部から延びて、前記第２方向の一面の一部を覆うバンド部とをそれぞれ含む第１および第２外部電極と、前記セラミック本体内で誘電体層を挟んで積層され、両端部から交互に引出されて前記第１および第２外部電極にそれぞれ連結される複数の第１および第２内部電極と、前記第２方向に沿って前記複数の第１および第２内部電極の外側に両側にそれぞれ配置されて前記セラミック本体の外面をなす第１および第２カバー層と、前記複数の第１および第２内部電極が前記第２方向に沿って重畳する領域であって、前記セラミック本体の両端部面と第１距離だけ離隔したアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）領域と、前記第１カバー層内に備えられる第１ダミー電極と、前記バンド部と前記第１カバー層との間に備えられるシード（ｓｅｅｄ）電極層とを含み、前記シード電極層の長さは、前記第１距離より大きくて前記第１ダミー電極の長さより大きい。

【0008】

また、前記シード電極層の厚さＴ１は、０．０５ｕｍ以上かつ１．０ｕｍ以下であってもよい。

【0009】

また、前記シード電極層の長さは、前記セラミック本体の長さの１／４以上かつ１／２未満であってもよい。

【0010】

また、前記接続部の周縁のうち前記第２カバー層側周縁は、前記第２カバー層の外面から第２距離だけ離隔し、前記第２距離は、前記第２カバー層の厚さより小さい。

【0011】

また、前記第１ダミー電極は、前記端部面に接するか、前記端部面から引出される。

【0012】

また、前記第１ダミー電極の長さは、前記第１方向に沿った前記第１ダミー電極の両端部間の距離であり、前記第１ダミー電極の前記長さは、前記第１距離より小さい。

【0013】

また、前記第１ダミー電極は、複数の層からなる。

【0014】

また、前記第１ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に互いに離隔できる。

【0015】

また、前記第１ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に沿って均一な間隔で配置される。

【0016】

また、前記積層セラミックキャパシタは、前記第２カバー層内に備えられる第２ダミー電極をさらに含むことができる。

【0017】

また、前記接続部の周縁のうち前記第２カバー層側周縁は、前記第２カバー層の外面から第２距離だけ離隔し、前記第２ダミー電極は、前記端部面に接するか、前記端部面から引出され、前記第２ダミー電極は、前記第２カバー層の外面から第３距離だけ離隔し、前記第３距離は、前記第２距離より大きくて前記第２カバー層の厚さより小さい。

【0018】

また、前記第２ダミー電極の長さは、前記第１方向に沿った前記第２ダミー電極の両端部間の距離であり、前記第２ダミー電極の長さは、前記第１距離より小さい。

【0019】

また、前記第２ダミー電極は、複数の層からなる。

【0020】

また、前記第２ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に互いに離隔できる。

【0021】

また、前記第２ダミー電極のそれぞれの層は、前記第２方向に沿って均一な間隔で配置される。

【0022】

また、前記第１および第２外部電極は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含むことができる。

【0023】

また、前記第１および第２外部電極は、複数のメッキ層を含むことができる。

【0024】

また、前記第１および第２外部電極は、前記シード電極層と前記セラミック本体の両端部面の一部を覆う第１メッキ層と、前記第１メッキ層を覆う第２メッキ層とを含むことができる。

【0025】

また、前記第１および第２外部電極は、前記第２メッキ層を覆う第３メッキ層をさらに含むことができる。

【発明の効果】

【0026】

実施例による積層セラミックキャパシタによれば、外部電極を直接メッキ法で形成されるメッキ薄膜で構成して外部電極の厚み精度を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】一実施例による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。

【図3】図２の点線領域Ｓを拡大した概略断面図である。

【図4】図２の点線領域Ｓの他の形態を示す概略断面図である。

【図5】図２の部分拡大図である。

【図6】図２の他の部分拡大図である。

【図7】図１に示した積層セラミックキャパシタが回路基板に実装された形態を示す概略斜視図である。

【図8】図７のＩＩＩＶ－ＩＩＩＶ'線に沿った断面図である。

【図9】他の実施例による積層セラミックキャパシタを示す概略断面図である。

【図10】図９の部分拡大図である。

【図11】図９の他の部分拡大図である。

【図12】比較例による積層セラミックキャパシタを示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、添付した図面を参照して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施例を詳細に説明する。図面において本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において一部の構成要素は誇張されたり省略されたりまたは概略的に示され、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0029】

添付した図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物あるいは代替物を含むことが理解されなければならない。

【0030】

第１、第２などのような序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。

【0031】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは、他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上」にあるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向の「上」に位置することを意味するのではない。

【0032】

明細書全体において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないことが理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

【0033】

また、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0034】

さらに、明細書全体において、「連結される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能により異なる名称で称されたものの一切を意味することができる。

【0035】

図１は、一実施例による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図３は、図２の点線領域Ｓを拡大した概略断面図であり、図４は、図２の点線領域Ｓの他の形態を示す概略断面図であり、図５は、図２の部分拡大図であり、図６は、図２の他の部分拡大図である。

【0036】

図１～図６を参照すれば、本実施例による積層セラミックキャパシタ１０は、セラミック本体１２と、第１および第２外部電極１３、１４と、複数の第１および第２内部電極２１、２２と、ダミー電極１５３、１６３とを含む。

【0037】

まず、本実施例を明確に説明するために方向を定義すれば、図面に表示されたＬ、ＷおよびＴはそれぞれ、セラミック本体１２の長手方向、幅方向および厚さ方向を示す軸を指す。

【0038】

厚さ方向（Ｔ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であってもよい。例えば、厚さ方向（Ｔ軸方向）は、誘電体層１２４が積層される方向であってもよい。

【0039】

長手方向（Ｌ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に並ぶ方向であって、厚さ方向（Ｔ軸方向）と交差（または直交）する方向であってもよい。例えば、長手方向（Ｌ軸方向）は、第１外部電極１３と第２外部電極１４との対向する方向であってもよい。

【0040】

幅方向（Ｗ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に並ぶ方向に厚さ方向（Ｔ軸方向）および長手方向（Ｌ軸方向）と同時に交差（または直交）することができる。

【0041】

セラミック本体１２は、略六面体形状からなるが、本実施例がこれに限定されるものではない。焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時の収縮によって、セラミック本体１２は、完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。例えば、セラミック本体１２は、略直方体形状であるが、角部や頂点に相当する部分が丸い形状を有することができる。

【0042】

本実施例では、説明の便宜のために、厚さ方向（Ｔ軸方向）の互いに向かい合う面を上面１２１および下面１２２と定義し、上面１２１と下面１２２とを連結する長手方向（Ｌ軸方向）の互いに向かい合う面を第１および第２端部面１２８、１２９と定義し、第１および第２端部面１２８、１２９と交差する幅方向（Ｗ軸方向）の互いに向かい合う面を第１および第２側面１２６、１２７と定義する。

【0043】

セラミック本体１２の長さは、セラミック本体１２の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、長手方向（Ｌ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最大値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の長さは、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、長手方向（Ｌ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最小値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の長さは、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、長手方向（Ｌ軸方向）に平行な複数の線分の少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0044】

セラミック本体１２の厚さは、セラミック本体１２の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最大値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の厚さは、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最小値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の厚さは、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な複数の線分の少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0045】

セラミック本体１２の幅は、セラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）中央部での長手方向（Ｌ軸方向）－幅方向（Ｗ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、幅方向（Ｗ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最大値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の幅は、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、幅方向（Ｗ軸方向）に平行な複数の線分の長さのうち最小値を意味することができる。あるいは、セラミック本体１２の幅は、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し、幅方向（Ｗ軸方向）に平行な複数の線分の少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0046】

セラミック本体１２は、複数の誘電体層１２４を厚さ方向（Ｔ軸方向）に積層した後、焼成して形成される。ここで、セラミック本体１２の互いに隣接する複数の誘電体層１２４それぞれは、互いに境界が不明確な状態で一体化される。例えば、キャパシタ本体１２の互いに隣接するそれぞれの誘電体層１２４間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずに確認しにくいほど一体化される。

【0047】

一方、セラミック本体１２内において厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って複数の第１および第２内部電極２１、２２の外側に両側に第１および第２カバー層１２３、１２５がそれぞれ配置される。

【0048】

つまり、セラミック本体１２内において最上部にある内部電極の上部に所定厚さの第１カバー層１２３が備えられ、最下部にある内部電極の下部に第２カバー層１２５が備えられる。第１カバー層１２３および第２カバー層１２５は、誘電体層１２４と同一の組成を有することができ、内部電極を含まない誘電体層をセラミック本体１２の最上部の内部電極の上部と最下部の内部電極の下部にそれぞれ１つ以上積層して形成される。

【0049】

第１および第２カバー層１２３、１２５は、物理的または化学的ストレスによる第１および第２内部電極２１、２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0050】

第１カバー層１２３内に第１ダミー電極１５３、１６３が備えられる。第１ダミー電極１５３、１６３は、セラミック本体１２の両端部面１２８、１２９に接するか、両端部面１２８、１２９から突出してもよい。第１および第２ダミー電極については、以下、より詳しく説明する。

【0051】

誘電体層１２４は、高誘電率のセラミック材料を含むことができる。例えば、セラミック材料は、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、またはＣａＺｒＯ_３などの成分を含む誘電体セラミックを含むことができる。また、これらの成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの補助成分をさらに含むことができる。例えば、誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３などがあるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0052】

また、誘電体層１２４には、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤および分散剤の１つ以上がさらに含まれてもよい。セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などであってもよい。

【0053】

一例として、誘電体層１１１の平均厚さは、０．１μｍ～１０μｍであってもよいが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0054】

第１および第２外部電極１３、１４は、導電性金属をセラミック本体１２に直接メッキして形成される。つまり、第１および第２外部電極１３、１４は、メッキ電極であってもよい。導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。言い換えれば、第１および第２外部電極１３、１４は、直接メッキ法で形成されるメッキ薄膜で構成される。第１および第２外部電極１３、１４の厚さは、５ｕｍ以上１０ｕｍ以下であってもよく、３ｕｍ以上であってもよいが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0055】

一方、第１および第２外部電極を直接メッキ法でない方法、例えば、セラミック本体を導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）する方式で形成すれば、導電性ペーストのレオロジー（ｒｈｅｏｌｏｇｙ）特性のため、外部電極が形成される位置によって厚さの差が生じて平坦度が低下する問題が発生しうる。

【0056】

第１および第２外部電極１３、１４は、セラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）の両端部に配置され、第１および第２接続部１３３、１４３と、第１および第２バンド部１３５、１４５とをそれぞれ含む。

【0057】

第１接続部１３３は、セラミック本体１２の第１端部面１２８の一部を覆い、第１内部電極２１の露出した端部と接続されて電気的に連結される部分である。

【0058】

第２接続部１４３は、セラミック本体１２の第２端部面１２９の一部を覆い、第２内部電極２２の露出した端部と接続されて電気的に連結される部分である。

【0059】

第１および第２バンド部１３５、１４５は、第１および第２接続部１３３、１４３から延びて、セラミック本体１２の上面１２１の一部と、第１および第２側面１２６、１２７の一部とを覆うようにそれぞれ延びる部分である。

【0060】

第１および第２バンド部１３５、１４５の厚さ、つまり、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示された第１および第２バンド部１３５、１４５の外面とシード電極層１３７の外面との間の距離は、第１および第２バンド部１３５、１４５の周縁へいくほど大きくなる。これは、第１および第２バンド部１３５、１４５がメッキで形成される時、シード電極層１３７の端部に電流が集中して、シード電極層１３７のセラミック本体１２の上面１２１側端部にメッキ層が相対的に厚く形成されるからである。

【0061】

第１バンド部１３５は、第１接続部１３３から長手方向（Ｌ軸方向）に沿って延び、セラミック本体１２の上面のうち両端部側の一部と、セラミック本体１２の第１および第２側面１２６、１２７のうちセラミック本体１２の両端部側の一部とを覆うことができる。

【0062】

第２バンド部１４５は、第２接続部１４３から長手方向（Ｌ軸方向）に沿って延び、セラミック本体１２の上面のうち両端部側の一部と、セラミック本体１２の第１および第２側面１２６、１２７のうちセラミック本体１２の両端部側の一部とを覆うことができる。

【0063】

第１および第２バンド部１３５、１４５とセラミック本体１２の上面１２１との間には、シード（ｓｅｅｄ）電極層１３７、１４７が備えられる。つまり、第１バンド部１３５とセラミック本体１２の上面１２１との間には、シード（ｓｅｅｄ）電極層１３７が印刷されていてもよく、第２バンド部１４５とセラミック本体１２の上面１２１との間には、シード電極層１３７が印刷されていてもよい。

【0064】

シード電極層１３７、１４７は、導電性金属（例えば、ニッケル（Ｎｉ））を含むペーストを印刷する方法で形成される。したがって、シード電極層１３７、１４７は、導電性金属以外に共材（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）を含んでいる領域である。第１および第２バンド部１３５、１４５は、導電性金属をシード電極層１３７、１４７にメッキして形成される。第１および第２バンド部１３５、１４５は、シード電極層１３７、１４７とは異なり、導電性金属以外の成分はほとんど含まない領域である。

【0065】

このように、シード電極層１３７、１４７に導電性金属をメッキして第１および第２バンド部１３５、１４５を形成するので、シード電極層１３７、１４７を用いて第１および第２外部電極１３、１４の厚さと長さを選択的に制御可能である。

【0066】

図２、図５と図６を参照すれば、シード電極層１３７、１４７の長さＬ１は、セラミック本体１２の長さＬ０の１／４以上かつ１／２未満であってもよいが、本発明がこれに限定されるものではない。ここで、Ｌ０は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の第１端部面１２８の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点と第２端部面１２９の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点とを連結する線分の長さを意味することができる。また、Ｌ１は、セラミック本体１２の第１端部面１２８（または第２端部面１２９）の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点を経て長手方向（Ｌ軸方向）に垂直な直線からシード電極層１３７（またはシード電極層１４７）の周縁までの距離を意味することができる。

【0067】

シード電極層１３７、１４７の長さＬ１を調節することによって、外部電極１３、１４の第１および第２バンド部１３５、１４５の長さＬ４を調節することができる。

【0068】

シード電極層１３７、１４７の厚さＴ１は、０．０５ｕｍ以上かつ１．０ｕｍ以下であってもよいが、本発明がこれに限定されるものではない。ここで、Ｔ１は、積層セラミックキャパシタ１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の上面１２１からシード電極層１３７、１４７の外周面までの最大距離を意味する。

【0069】

シード電極層１３７、１４７の厚さＴ１は、外部電極１３、１４のバンド部１３５、１４５の長さＬ４の設計により異なる値であってもよい。シード電極層１３７、１４７の厚さＴ１は、例えば、シード電極層１３７、１４７の長さＬ１の１／２であってもよいが、これに限定されるものではない。

【0070】

シード電極層１３７、１４７の厚さＴ１が０．０５ｕｍ未満であれば、熱処理（焼成）過程で金属のかたまりが激しくなってシード電極層の均一性が低下し、以後、直接メッキ法で成長する第１および第２外部電極１３、１４の電着層の均一性を確保しにくい。逆に、シード電極層１３７、１４７が過度に厚ければ（例えば、数ｕｍ以上）、シード電極層を形成するペースト段階で拡散性が低下して、シード電極層の中央地点と周縁との間に厚さの差が発生する。つまり、この場合、シード電極層の位置によって厚さの差が大きく発生して、積層セラミックキャパシタの平坦度を確保しにくいことがある。

【0071】

第１接続部１３３は、セラミック本体１２の第１端部面１２８の一部を覆う。第１接続部１３３は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って第１端部面１２８の上端から下側に延びるものの、第１端部面１２８の下端までは延びない。つまり、第１接続部１３３の下端と第１端部面１２８の下端との間には間隔がある。したがって、第１接続部１３３によって第１端部面１２８の下側の一部分が露出する。つまり、第１端部面１２８は、第１接続部１３３によって覆われない第１露出面１７３を含む。

【0072】

第２接続部１４３は、セラミック本体の第２端部面１２９の一部を覆う。第２接続部１４３は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って第２端部面１２９の上端から下側に延びるものの、第２端部面１２９の下端までは延びない。つまり、第２接続部１４３の下端と第２端部面１２９の下端との間には間隔がある。したがって、第２接続部１４３によって第２端部面１２９の下側の一部分が露出する。つまり、第２端部面１２９は、第２接続部１４３によって覆われない第２露出面１８３を含む。

【0073】

第１および第２外部電極１３、１４は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含むことができる。一方、第１および第２外部電極１３、１４は、複数のメッキ層を含むことができる。つまり、第１および第２外部電極１３、１４は、第１メッキ層１３２、１４２と、第２メッキ層１３４、１４４と、第３メッキ層１３６、１４６とを含むことができる。例えば、第１および第２外部電極１３、１４は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル／銅（Ｎｉ／Ｃｕ）、パラジウム／ニッケル（Ｐｄ／Ｎｉ）、パラジウム／ニッケル／銅（Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ）、銅／ニッケル／銅（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ）形態の組み合わせからなる。

【0074】

場合によっては、最外メッキ層をスズ（Ｓｎ）で構成してもよい。スズメッキ層は、相対的に低い溶融点を有するので、第１および第２外部電極１３、１４の基板実装容易性を向上させることができる。

【0075】

一般に、スズメッキ層は、スズ（Ｓｎ）－銅（Ｃｕ）－銀（Ａｇ）の合金ペーストを含むソルダ（ｓｏｌｄｅｒ）により基板上の電極パッドに結合される。つまり、スズメッキ層は、熱処理（ｒｅｆｌｏｗ）工程時、ソルダと互いに溶融して結合される。

【0076】

第１メッキ層１３２、１４２は、シード電極層１３７、１４７を覆い、セラミック本体１２の両端部面１２８、１２９の一部を覆う。例えば、シード電極層１３７、１４７、第１ダミー電極１５３、１６３の端部および内部電極２１、２２の端部をシード（ｓｅｅｄ）として導電性金属を直接メッキすることによって、第１メッキ層１３２、１４２を形成することができる。

【0077】

第２メッキ層１３４、１４４は、第１メッキ層１３２、１４２を覆うように導電性金属をメッキして形成され、第３メッキ層１３６、１４６は、第２メッキ層１３４、１４４を覆うように導電性金属をメッキして形成される。

【0078】

このように、第１ダミー電極１５３、１６３の端部は、メッキ成長用シード（ｓｅｅｄ）としても機能することができる。つまり、第１および第２外部電極１３、１４は、シード電極層１３７、１４７、第１ダミー電極１５３、１６３の端部および内部電極２１、２２の端部をシードとして導電性金属を成長させる直接メッキ法で形成される。第１ダミー電極１５３、１６３をシードとして導電性金属が成長することによって、第１および第２外部電極１３、１４の第１メッキ層１３２、１４２をなすので、第１および第２外部電極１３、１４がガラス（ｇｌａｓｓ）を含まない場合にも、第１および第２外部電極１３、１４は、セラミック本体１２と接触力を維持できる。

【0079】

複数の第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を介在して交互に積層される。第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を形成するセラミックシート上に形成されて積層された後、焼成によって１つの誘電体層１２４を挟んでセラミック本体１２の内部に厚さ方向に交互に配置される。このような第１および第２内部電極２１、２２は、互いに異なる極性を有する電極であって、誘電体層１２４の積層方向に沿って互いに対向して配置され、中間に配置された誘電体層１２４によって互いに電気的に絶縁できる。

【0080】

複数の第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を挟んで互いに長手方向にずれるように配置され、その一端がセラミック本体１２の長手方向の第１および第２端部面１２８、１２９を介してそれぞれ露出する。このように、セラミック本体１２の長手方向の第１および第２端部面１２８、１２９を介して交互に露出した第１および第２内部電極２１、２２の端部は、セラミック本体１２の長手方向の第１および第２端部面１２８、１２９で第１および第２外部電極１３、１４の第１および第２接続部１３３、１４３とそれぞれ接続されて電気的に連結可能である。また、第１および第２内部電極２１、２２は、導電性金属で形成され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金などを含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0081】

上記の構成により、第１および第２外部電極１３、１４に所定の電圧を印加すれば、互いに対向する第１および第２内部電極２１、２２の間に電荷が蓄積される。この時、積層セラミックキャパシタ１０の静電容量は、誘電体層１２４の積層方向に沿って互いに重畳する第１および第２内部電極２１、２２の重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）した面積に比例する。

【0082】

言い換えれば、本実施例による積層セラミックキャパシタ１０は、アクティブ領域Ａと、マージン領域Ｍとを含む（図２参照）。アクティブ領域Ａは、複数の第１および第２内部電極２１、２２がセラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って重畳する領域であり、マージン領域Ｍは、アクティブ領域Ａとセラミック本体１２の両端部面１２８、１２９との間の領域である。

【0083】

第１カバー層１２３と第２カバー層１２５は、セラミック本体１２内でセラミック本体の厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って複数の第１および第２内部電極２１、２２の外側に両側にそれぞれ配置される。

【0084】

第１カバー層１２３の両端部面は、第１および第２外部電極１３、１４によって覆われる。

【0085】

第２カバー層１２５は、第１露出面１７３と、第２露出面１８３とを含む。第１露出面１７３は、セラミック本体１２の第１端部面１２８のうち第１外部電極１３によって覆われない部分であり、第２露出面１８３は、セラミック本体１２の第２端部面１２９のうち第２外部電極１４によって覆われない部分である。言い換えれば、第１露出面１７３は、第１端部面１２８の一部分であって第１外部電極１３によって露出した面であり、第２露出面１８３は、第２端部面１２９の一部分であって第２外部電極１４によって露出した面である。

【0086】

このように、第１カバー層１２３の両端部面は、第１および第２外部電極１３、１４によって全部覆われるのに対し、第２カバー層１２５の両端部面は、第１および第２外部電極１３、１４によって部分的に覆われ、露出面１７３、１８３を有する。

【0087】

露出面１７３、１８３の高さＨ１は、第２カバー層１２５の厚さＴ２より小さい。ここで、Ｈ１は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の下面１２２の長手方向（Ｌ軸方向）の中央地点を経て厚さ方向（Ｔ軸方向）に垂直な直線から、接続部１３３、１４３の周縁までの距離を意味することができる。Ｔ２は、セラミック本体１２の下面１２２の長手方向（Ｌ軸方向）の中央地点を経て厚さ方向（Ｔ軸方向）に垂直な直線から最も近い内部電極までの距離を、均等な間隔を有する１０個の地点（端部面１２８、１２９と下面１２２との出会う部分は除く）で測定した値の算術平均値を意味することができる。

【0088】

露出面１７３、１８３の高さＨ１が第２カバー層１２５の厚さＴ２より大きい場合、最下部の内部電極、つまり、第２カバー層１２５の厚さ方向（Ｔ軸方向）の外周面に最も近い内部電極が露出面１７３、１８３から引出されるが、外部電極１３、１４の接続部１３３、１４３には連結されない。

【0089】

一方、セラミック本体１２はセラミック材質であるのに対し、外部電極１３、１４は金属（例えば、ニッケル（Ｎｉ））材質であるので、焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時、セラミックと金属との収縮率の差によってセラミック本体１２に応力が集中する区域が生じて反りが発生しうる。反りが発生すれば、積層セラミックキャパシタを回路基板に実装する時、クラック（ｃｒａｃｋ）が生成されることもある。

【0090】

本実施例では、セラミック本体１２の第１カバー層１２３内に第１ダミー電極１５３、１６３を配置することによって、焼成時に発生する収縮率の差を制御し、反りの発生を抑制する。

【0091】

第１ダミー電極１５３、１６３は、第１カバー層１２３内に備えられる。第１ダミー電極１５３、１６３は、複数の第１および第２内部電極２１、２２と同様に、誘電体層１２４上に導電性金属を含む導電性ペーストを印刷することによって形成される。

【0092】

第１ダミー電極１５３、１６３は、セラミック本体１２の第１および第２端部面１２８、１２９に接するか、第１および第２端部面１２８、１２９から突出してもよい。例えば、図３を参照すれば、第１ダミー電極１５３の端部は、セラミック本体１２の第１端部面１２８に接し、図４を参照すれば、第１ダミー電極１５３の端部がセラミック本体１２の第１端部面１２８から突出する。いずれの場合も、第１ダミー電極１５３、１６３は、セラミック本体１２の第１および第２端部面１２８、１２９から長手方向（Ｌ軸方向）に沿って延びるように配置される。

【0093】

第１ダミー電極１５３、１６３の長さＬ３は、マージン領域Ｍの長さＬ２より小さい。言い換えれば、マージン領域Ｍの長さＬ２が、第１ダミー電極１５３、１６３の長さＬ３より大きい。ここで、Ｌ３は、積層セラミックキャパシタ１０の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示された第１ダミー電極１５３、１６３の長手方向（Ｌ軸方向）の両端部間の距離の算術平均値を意味することができる。Ｌ２は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の第１端部面１２８（または第２端部面１２９）の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点を経て長手方向（Ｌ軸方向）に垂直な直線から、厚さ方向（Ｔ軸方向）の最上位にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離、最下位にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離、および中央にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離の算術平均値を意味することができる。

【0094】

セラミック本体１２の外部から流入する水分や水素などは、セラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）の最外側内部電極に優先して到達しやすい。本実施例では、マージン領域Ｍの長さＬ２を第１ダミー電極１５３、１６３の長さＬ３より大きくすることによって、最外側内部電極が隣接する反対極性の内部電極と構造的に遠ざけることができ、それによって素子が劣化するのを防止することができる。

【0095】

第１ダミー電極１５３、１６３の長さＬ３は、バンド部１３５、１４５の長さＬ４より小さい。ここで、Ｌ３は、積層セラミックキャパシタ１０の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示された第１ダミー電極１５３、１６３の長手方向（Ｌ軸方向）の両端部間の距離の算術平均値を意味することができ、Ｌ４は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の第１端部面１２８（または第２端部面１２９）の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点を経て長手方向（Ｌ軸方向）に垂直な直線からバンド部１３５（またはバンド部１４５）の周縁までの距離を意味することができる。

【0096】

第１ダミー電極１５３、１６３は、複数の層からなり、第１ダミー電極１５３、１６３のそれぞれの層は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に互いに離隔できる。第１ダミー電極１５３、１６３の複数の層は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って均一な間隔で配置されてもよい。

【0097】

第１ダミー電極１５３、１６３は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0098】

図７は、図１に示した積層セラミックキャパシタが基板に実装された形態を示す概略斜視図であり、図８は、図７のＩＩＩＶ－ＩＩＩＶ'線に沿った断面図である。

【0099】

図７および図８を参照すれば、積層セラミックキャパシタ１０は、回路基板２００の上面に備えられた第１および第２電極パッド２１１、２１３に導電性接合部材２１５を介して連結される。つまり、積層セラミックキャパシタ１０は、回路基板２００上で第１および第２電極パッド２１１、２１３を介して実装できる。

【0100】

第１および第２電極パッド２１１、２１３は、回路基板２００の上面で互いに離隔して配置される。積層セラミックキャパシタ１０の第１および第２外部電極１３、１４のバンド部１３５、１４５は、第１および第２電極パッド２１１、２１３と接触するように配置された状態で、導電性接合部材２１５を用いて回路基板２００に固定される。一方、第１および第２外部電極１３、１４の第１および第２接続部１３３、１４３にも導電性接合部材２１５が覆われる。これによって、積層セラミックキャパシタ１０は、回路基板２００の第１および第２電極パッド２１１、２１３に電気的に接続可能である。導電性接合部材２１５は、一例として、ソルダ（ｓｏｌｄｅｒ）を含むことができる。

【0101】

本実施例において、積層セラミックキャパシタ１０の第１および第２外部電極１３、１４それぞれは、導電性接合部材２１５によって第１および第２電極パッド２１１、２１３に固定されることによって、回路基板２００に実装される。

【0102】

図９は、他の実施例による積層セラミックキャパシタを示す概略断面図であり、図１０は、図９の部分拡大図であり、図１１は、図９の他の部分拡大図である。

【0103】

図９、図１０および図１１を参照すれば、第２カバー層１２５の内側に第２ダミー電極１５５、１６５が備えられる。第２ダミー電極１５５、１６５は、第１および第２内部電極２１、２２と同様に、誘電体層１２４上に導電性金属を含む導電性ペーストを印刷することによって形成される。

【0104】

第２ダミー電極１５３、１６３は、第１および第２露出面１７３、１８３に接するか、第１および第２露出面１７３、１８３から突出してもよい。いずれの場合も、第２ダミー電極１５５、１６５は、第１および第２露出面１７３、１８３からセラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）に沿って延びるように配置される。

【0105】

第１および第２外部電極１３、１４は、シード電極層１３７、１４７、第１ダミー電極１５３、１６３の端部および内部電極２１、２２の端部をシードとして導電性金属を成長させる直接メッキ法で形成される。本実施例のように、第２ダミー電極１５５、１６５が追加された場合には、第２ダミー電極１５５、１６５の端部もメッキ成長用シードとして機能する。したがって、第２ダミー電極１５５、１６５の位置と個数などを調節して第１および第２外部電極１３、１４の形成範囲を調節することができる。

【0106】

第２ダミー電極１５５、１６５の長さＬ５は、マージン領域Ｍの長さＬ２より小さい。言い換えれば、マージン領域Ｍの長さＬ２が、第２ダミー電極１５５、１６５の長さＬ５より大きい。ここで、Ｌ５は、積層セラミックキャパシタ１０の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示された第２ダミー電極の長手方向（Ｌ軸方向）の両端部間の距離の算術平均値を意味することができる。Ｌ２は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の第１端部面１２８（または第２端部面１２９）の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点を経て長手方向（Ｌ軸方向）に垂直な直線から、厚さ方向（Ｔ軸方向）の最上位にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離、最下位にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離、および中央にある３つの内部電極の長手方向（Ｌ軸方向）の端部までの距離の算術平均値を意味することができる。

【0107】

第２ダミー電極１５５、１６５の長さＬ５は、バンド部１３５、１４５の長さＬ４より小さい。ここで、Ｌ５は、積層セラミックキャパシタ１０の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示された第２ダミー電極１５５、１６５の長手方向（Ｌ軸方向）の両端部間の距離の算術平均値を意味することができる。Ｌ４は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の第１端部面１２８（または第２端部面１２９）の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中央地点を経て長手方向（Ｌ軸方向）に垂直な直線からバンド部１３５（またはバンド部１４５）の周縁までの距離を意味することができる。

【0108】

第２ダミー電極１５５、１６５の高さＨ２は、露出面１７３、１８３の高さＨ１より高い。Ｈ１は、セラミック本体１２の幅の中央地点での長手方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準として、前述した断面写真に示されたセラミック本体１２の下面１２２の長手方向Ｔの中央地点を経て厚さ方向（Ｔ軸方向）に垂直な直線から接続部１３３、１４３の周縁までの距離を意味することができる。Ｈ２は、セラミック本体１２の下面１２２の長手方向（Ｌ軸方向）の中央地点を経て厚さ方向（Ｔ軸方向）に垂直な直線から第２ダミー電極１５５、１６５までの距離を意味することができる。

【0109】

第２ダミー電極１５５、１６５は、複数の層からなり、第２ダミー電極１５５、１６５のそれぞれの層は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に互いに離隔できる。一方、第２ダミー電極１５５、１６５の複数の層は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って均一な間隔で配置される。

【0110】

第２ダミー電極１５５、１６５は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金を含むことができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0111】

以上を除けば、図９に示された実施例による積層セラミックキャパシタは、図１に示された実施例による積層セラミックキャパシタと同一であるので、重複または同一の部分に関する説明は省略する。

【0112】

一方、図１２は、比較例による積層セラミックキャパシタを示す概略断面図である。

【0113】

図１２を参照すれば、第１および第２外部電極１３、１４がセラミック本体１２の厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って端部面１２８、１２９を経てセラミック本体１２の下面１２２まで成長した。

【0114】

第１および第２外部電極１３、１４は、シード電極層１３７、１４７、第１ダミー電極１５３、１６３の端部および内部電極２１、２２の端部をシードとして導電性金属を成長させる直接メッキ法で形成される。本比較例のように、第２ダミー電極１５５、１６５が追加された場合には、第２ダミー電極１５５、１６５の端部もメッキ成長用シードとして機能する。

【0115】

ところが、第２ダミー電極１５５、１６５がセラミック本体１２の下面１２２（または第２カバー層１２５の下面）に近く配置される場合、直接メッキ法を利用すれば、第１外部電極１３、１４は、セラミック本体１２の下面１２２まで、または下面１２２を越えてまで成長することがある。直接メッキ法を利用する時、導電性金属は、セラミック本体１２の長手方向（Ｌ軸方向）のみならず、厚さ方向（Ｔ軸方向）にも成長するからである。結局、比較例では、第１および第２外部電極１３、１４がセラミック本体１２の下面１２２から突出するので、積層セラミックキャパシタの平坦度が低下しうる。

【0116】

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは言うまでもない。

【符号の説明】

【0117】

１０：積層セラミックキャパシタ
１２：セラミック本体
１３：第１外部電極
１４：第２外部電極
１３２、１４２：第１メッキ層
１３４、１４４：第２メッキ層
１３６、１４６：第３メッキ層
１５３、１６３：第１ダミー電極
１５５、１６５：第２ダミー電極
１２１：上面
１２２：下面
Ａ：アクティブ領域
Ｍ：マージン領域
２１、２２：内部電極
１２３：第１カバー層
１２４：誘電体層
１２５：第２カバー層
１２６：第１側面
１２７：第２側面
１３３：第１接続部
１４３：第２接続部
１３５：第１バンド部
１４５：第２バンド部
１３７、１４７：シード電極層
１２８：第１端部面
１２９：第２端部面
１７３：第１露出面
１８３：第２露出面
２００：回路基板
２１１、２１３：第１および第２電極パッド
２１５：導電性接合部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】