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特開2024-147507データ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置および記憶媒体
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024147507
(43)【公開日】2024-10-16
(54)【発明の名称】データ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置および記憶媒体
(51)【国際特許分類】
   H04L 7/033 20060101AFI20241008BHJP
   H04L 7/00 20060101ALI20241008BHJP
【FI】
H04L7/033 700
H04L7/00 370
【審査請求】有
【請求項の数】7
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2024040163
(22)【出願日】2024-03-14
(31)【優先権主張番号】202310341628.7
(32)【優先日】2023-04-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】520412486
【氏名又は名称】深▲セン▼市紫光同創電子有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100205936
【弁理士】
【氏名又は名称】崔 海龍
(74)【代理人】
【識別番号】100132805
【弁理士】
【氏名又は名称】河合 貴之
(72)【発明者】
【氏名】呉 思遠
(72)【発明者】
【氏名】張 ▲き▼彦
(72)【発明者】
【氏名】張 晋
(72)【発明者】
【氏名】包 朝偉
(72)【発明者】
【氏名】楊 運良
【テーマコード(参考)】
5K047
【Fターム(参考)】
5K047AA03
5K047GG09
5K047JJ06
5K047MM38
(57)【要約】      (修正有)
【課題】プロトコルで指定された時間内にリカバリデータの位相ロックを安定して完了させ、コストを削減するデータ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得するステップと、各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するステップと、変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、かつ、第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、有効データをサンプリングするように、隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得するステップと、を含む。
【選択図】図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
S110、GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含むステップと、
S120、各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するステップと、
S130、変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相であるステップと、
S140、前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングするステップと、を含み、
前記変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させるステップは、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定すること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置する場合、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジに位置しない場合、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得すること、
前記ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、前記ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを取得すること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しい場合、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくない場合、第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、を含み、
前記の前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得する前に、前記方法は、
各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得するステップと、
隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行うステップと、
前記隣接する2つの初期サンプリングデータのXOR値が1である場合、前記隣接する2つの初期サンプリングデータに対応する初期サンプリング位相間のホッピングエッジを、前記ターゲットホッピングエッジとするステップと、をさらに含み、
前記の前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得するステップは、
前記ホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する初期サンプリング位相を、第2基準サンプリング位相とすること、
各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後の各最終サンプリング位相を取得すること、
最終基準位相に隣接する最終サンプリング位相を前記最適サンプリング位相とし、前記最終基準位相は前記第2基準サンプリング位相を変位させた後に対応する最終サンプリング位相であること、を含む、ことを特徴とするデータ二重オーバーサンプリング方法。
【請求項2】
前記第1所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.25ビットずつ後方に変位させることであり、
前記第2所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ前方に変位させることであり、
前記第3所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ後方に変位させることである、ことを特徴とする請求項1に記載のデータ二重オーバーサンプリング方法。
【請求項3】
前記ステップS110~S130は、少なくとも1回同時に実行される、ことを特徴とする請求項1または2に記載のデータ二重オーバーサンプリング方法。
【請求項4】
前記各初期サンプリングの位相を変位させるステップは、
各初期サンプリング位相を0.25ビットずつ前方に変位させることを含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載のデータ二重オーバーサンプリング方法。
【請求項5】
GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含む受信モジュールと、
各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するための第1変位モジュールと、
変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相である第2変位モジュールと、
前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングするためのサンプリングモジュールと、を備え、
前記変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させるステップは、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定すること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置する場合、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジに位置しない場合、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得すること、
前記ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、前記ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを取得すること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しい場合、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくない場合、第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、を含み、
前記の前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得する前に、前記方法は、
各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得するステップと、
隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行うステップと、
前記隣接する2つの初期サンプリングデータのXOR値が1である場合、前記隣接する2つの初期サンプリングデータに対応する初期サンプリング位相間のホッピングエッジを、前記ターゲットホッピングエッジとするステップと、をさらに含み、
前記の前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得するステップは、
前記ホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する初期サンプリング位相を、第2基準サンプリング位相とすること、
各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後の各最終サンプリング位相を取得すること、
最終基準位相に隣接する最終サンプリング位相を前記最適サンプリング位相とし、前記最終基準位相は前記第2基準サンプリング位相を変位させた後に対応する最終サンプリング位相であること、を含む、ことを特徴とするデータ二重オーバーサンプリングシステム。
【請求項6】
メモリ、プロセッサおよび前記メモリに記憶され前記プロセッサ上で実行可能なコンピュータプログラムを含むコンピュータ装置であって、前記プロセッサが前記コンピュータプログラムを実行すると請求項1~4のいずれか1項に記載のデータ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する、ことを特徴とするコンピュータ装置。
【請求項7】
コンピュータプログラムが記憶されるコンピュータ記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されると、請求項1~4のいずれか1項に前記データ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する、ことを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子技術の分野に関し、特にデータ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
GPON(Gigabit-Capable Passive Optical Network、ギガビット受動光ネットワーク)技術は、高帯域幅、高効率、広いカバーエリア、豊富なユーザーインターフェースなど、多くの利点を有し、GPONプロトコルのアップリングレートが1.24416Gbps、ダウンリンクレートが2.48832Gbpsであり、現在、受信側CDR(Clock Data Recovery、クロックデータリカバリ)のデータ受信スキームは、FPGA(Field Programmable Gate Array、フィールドプログラマブルロジックゲートアレイ)中のSERDESの4重オーバーサンプリングスキームであり、該スキームでは、送信側はGPONアップリングレート1.24416Gbps速度でデータを送信し、受信側SERDESは線形速度4.97664Gでサンプリングし、4重オーバーサンプリング方法を用いて受信したデータをサンプリングし、まず正しいサンプリングポイントを見つけ、次にサンプリングポイントのドリフトを追跡することで、プロトコルで指定された時間内に位相ロックを実現することができる。
【0003】
しかしながら、FTTR(Fiber to The Room、ファイバーから部屋へ)は何千もの家庭に導入され、ユーザ側の光モデムは通常複数のONU(Optical Network Unit、光ネットワークユニット)に接続されるため、アップリングレートを2.48832Gbps速度にアップグレードしてデータを送信するスキームが必要とされ、送信側GPONがアップリングレート2.488Gbps速度でデータを送信する場合、受信側SERDESのクロック周波数が要件を満たすことができない。
【0004】
したがって、送信側がアップリングレート2.48832Gbps速度でデータを送信するシナリオのためのデータサンプリング方法が急務である。
【発明の概要】
【0005】
本発明は、データ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置および記憶媒体を提供し、その主な目的は、アップリングレート2.48832Gbps速度で送信するシナリオに対してデータ二重オーバーサンプリング方法を提供することである。
【0006】
第1側面によれば、本発明の実施例はデータ二重オーバーサンプリング方法を提供し、
S110、GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含むステップと、
S120、各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するステップと、
S130、変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相であるステップと、
S140、前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングするステップと、を含む。
【0007】
さらに、前記変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させるステップは、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定すること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置する場合、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジに位置しない場合、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得すること、
前記ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、前記ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを取得すること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しい場合、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、
前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくない場合、第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、を含む。
【0008】
さらに、前記第1所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.25ビットずつ後方に変位させることであり、
前記第2所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ前方に変位させることであり、
前記第3所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ後方に変位させることである。
【0009】
さらに、前記の前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得する前に、前記方法は、
各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得するステップと、
隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行うステップと、
前記隣接する2つの初期サンプリングデータのXOR値が1である場合、前記隣接する2つの初期サンプリングデータに対応する初期サンプリング位相間のホッピングエッジを、前記ターゲットホッピングエッジとするステップと、をさらに含む。
【0010】
さらに、前記の前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得するステップは、
前記ホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する初期サンプリング位相を、第2基準サンプリング位相とすること、
各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後の各最終サンプリング位相を取得すること、
最終基準位相に隣接する最終サンプリング位相を前記最適サンプリング位相とし、前記最終基準位相は前記第2基準サンプリング位相を変位させた後に対応する最終サンプリング位相であること、を含む。
【0011】
さらに、前記ステップS110~S130は、少なくとも1回同時に実行される。
【0012】
さらに、前記各初期サンプリングの位相を変位させるステップは、
各初期サンプリング位相を0.25ビットずつ前方に変位させることを含む。
【0013】
第2側面によれば、本発明の実施例はデータ二重オーバーサンプリングシステムを提供し、
GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含む受信モジュールと、
各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するための第1変位モジュールと、
変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相である第2変位モジュールと、
前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングするためのサンプリングモジュールと、を備える。
【0014】
第3側面によれば、本発明の実施例は、メモリ、プロセッサおよび前記メモリに記憶され前記プロセッサ上で実行可能なコンピュータプログラムを含むコンピュータ装置を提供し、前記プロセッサが前記コンピュータプログラムを実行すると上記データ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する。
【0015】
第4側面によれば、本発明の実施例は、コンピュータプログラムが記憶されるコンピュータ記憶媒体を提供し、前記コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されると上記データ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する。
【0016】
本発明が提供するデータ二重オーバーサンプリング方法、システム、装置および記憶媒体によれば、リードコードビットの初期サンプリング位相を2回変位させた後、最適サンプリング位相を抽出し、2回変位により最適サンプリング位相が対応のリードコードの中間位相に近く、十分なウィンドウサンプリングマージンを確保し、サンプリング正確率が高いほどサンプリング精度が高くなる。リードコードで決定された最適サンプリング位相から、有効データをサンプリングし、プロトコルで指定された時間内にリカバリデータの位相ロックを安定して完了することができ、ハードウェア装置を変更する必要がないため、コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
図1】本発明の実施例が提供するデータ二重オーバーサンプリング方法のフローチャートである。
図2】本発明の実施例の隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相の概略図である。
図3】本発明の実施例の隣接する位相ラベルからの変位決定方法の具体的なフローチャートである。
図4】本発明の実施例のD2の第1区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図である。
図5】本発明の実施例のD2の第2区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図である。
図6】本発明の実施例のD2の第3区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図である。
図7】本発明の実施例のD2の第4区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図である。
図8】本発明の実施例が提供するデータ二重オーバーサンプリングシステムの構造概略図である。
図9】本発明の実施例が提供するコンピュータ装置の構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
本発明の目的の実現、機能特徴および利点は、実施例と併せて、添付図面を参照しながら詳細に説明される。
以下、本出願の実施形態を詳細に説明し、実施形態の例は添付図面に示され、最初から最後まで同一または類似の符号は同一または類似の要素または同一または類似機能を有する要素を示す。以下、添付図面を参照して説明される実施形態は例示的なものであり、本出願を解釈する目的でのみ使用され、本出願を限定するものではない。
【0019】
当業者が本出願の解決策をより良く理解するために、以下、本出願の実施例中の添付図面を参照して、本出願の実施例中の技術的解決策を明確かつ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は本出願の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本出願中の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をすることなく得られた他の実施例は、すべて本出願の保護範囲に含まれる。
【0020】
本出願の実施例では、少なくとも1つとは1つまたは複数を意味し、複数とは2つまたは2つ以上を意味する。本出願の説明において、「第1」、「第2」、「第3」などの用語は区別して説明する目的でのみ使用され、相対的な重要性や順序を指示または暗示するものとして理解されない。
【0021】
本明細書で説明される「一実施形態」または「いくつかの実施形態」などへの言及は、本出願の1つまたは複数の実施形態が該実施例に関連して記載される特定の特徴、構造または特性を含むことを意味する。したがって、本明細書において、「含む」、「備える」、「有する」という用語およびそれらの変形は、特に強調しない限り、「含むが、これに限定されない」を意味する。
【0022】
本実施例では、対象とする適用シナリオは、光調整復調器下に複数の光ネットワークユニットを実装することであり、本実施例では、送信側は光調整復調器であり、受信側は光ネットワークユニットである。光調整復調器はGPONプロトコルに従って光ネットワークユニットにGPONフレームを送信し、光ネットワークユニットは該GPONフレームを受信した後にデータ二重オーバーサンプリング方法を実行し、該GPONフレームをサンプリングして送信されたデータを取得する。
【0023】
本実施例では、送信側からGPONフレームを送信する速度が2.48832Gbpsであり、受信側が4倍周波数でGPONフレームをサンプリングすると、現在FPGA中の6.6Gクロック周波数のSERDESが要件を満たすことができないため、本実施例では、受信側が2倍周波数でGPONフレームをサンプリングする。GPONプロトコルアップリングレートデータがバースト割込みとバースト転送が行われ、アップリングレートデータが2.48832Gbpsにアップグレードされた場合、受信側がプロトコルで指定された時間内にリカバリデータの位相ロックを安定して完了することが要求される。
【0024】
なお、SERDESは、Serializer(シリアライザ)とDeserializer(デシリアライザ)を含む通信システムであり、Serializerは、パラレルデータをシリアルデータにするデバイスであり、Deserializerはシリアルデータをパラレルデータに回復させるためのデバイスである。実際の適用シナリオでは、受信側がFPGAを通じて対応のデータ受信機能を実現し、FPGAは通常SERDESが内蔵されているため、受信側はFPGAに内蔵されたSERDESを通じてデータ受信を実現する。
【0025】
送信側が受信側と通信するとき、GPONプロトコルに基づいて、送信側はSerializerを通じてGPONフレームを送信し、受信側がGPONフレームを受信すると、割り当てられたタイムスロットに従い、このとき光モデムが非照射状態にあり、受信側がGPONフレームの光信号を受信した後、GPONフレームの光信号をGPONフレームの電気信号に変換し、Deserializerに送信する。
【0026】
図1は、本発明の実施例が提供するデータ二重オーバーサンプリング方法のフローチャートであり、図1に示すように、該方法は、以下のステップを含む。
【0027】
S110、GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含み、
受信側がアイドル状態にあるとき、受信側がGPONフレームを受信し、ここでのGPONフレームとはGPONフレームの光信号から変換されて得られたGPONフレームの電気信号であり、GPONフレームはリードコードおよび有効データの2つの部分を含み、リードコードの作用は主に送信側と受信側のビットを同期させることであり、有効データとは該GPONフレームに含まれる有効情報を意味する。
【0028】
本技術的解決策を容易に説明するために、本実施例では、リードコードが4’b1010である場合を例にして説明し、4はリードコードのビット数を示し、bはリードコードが2進数であることを示し、1010はリードコードの具体値を示し、本実施例では、リードコードが合計4つのビットを含み、これらの4つのビット中の任意の隣接する2つのビット、例えば「10」、「01」などについて、「01」が隣接する2つのビットである場合を例にして説明する。
【0029】
まず該隣接する2つのビットに対応する初期サンプリング位相を取得し、本実施例では、2倍周波数でサンプリングを行い、すなわち、リードコードの各ビットに対して二重オーバーサンプリングを行う。したがって、各ビットはそれぞれ異なる2つの初期サンプリング位相に対応し、図2は本発明の実施例の隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相の概略図であり、図2に示すように、図におけるD1およびD2はリードコードの隣接する2つのビットを示し、本実施例では、D1が「0」、D2が「1」である例にして説明する。図におけるs1、s2で示される点線はD1の2つの初期サンプリング位相であり、それぞれ第1初期サンプリング位相および第2初期サンプリング位相と呼ばれ、s3、s4で示される点線はD2の2つの初期サンプリング位相であり、それぞれ第3初期サンプリング位相および第4初期サンプリング位相と呼ばれ、s1、s2、s3、s4はそれぞれ第1初期サンプリング位相、第2初期サンプリング位相、第3初期サンプリング位相および第4初期サンプリング位相の位相ラベルであり、図におけるs1’はD2以降のビットの初期サンプリング位相である。
【0030】
S120、各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得し、
次に、各初期サンプリング位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得し、各初期サンプリング位相を変位させ、具体的な変位方向および変位大きさは実際状況に応じて設定され、本発明の実施例では特に限定されない。各初期サンプリング位相を変位させるとは、各初期サンプリング位相をある方向に一定の大きさだけ移動させることを意味し、移動後の各初期サンプリング位相は変位後のサンプリング位相と呼ばれ、それに対応して、変位後のサンプリング位相は第1変位後のサンプリング位相、第2変位後のサンプリング位相、第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相を含み、第1変位後のサンプリング位相は第1初期サンプリング位相を変位させて得られ、第2変位後のサンプリング位相は第2初期サンプリング位相を変位させて得られ、第3変位後のサンプリング位相は第3初期サンプリング位相を変位させて得られ、第4変位後のサンプリング位相は第4初期サンプリング位相を変位させて得られる。
【0031】
初期サンプリング位相および対応する変位後のサンプリング位相について、変位後のサンプリング位相の位相ラベルは変更されず、変位前の初期サンプリング位相の位相ラベルと同じであり、すなわち、第1変位後のサンプリング位相、第2変位後のサンプリング位相、第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相はそれぞれs1、s2、s3、s4であることは容易に理解される。
【0032】
本実施例では、各初期サンプリング位相を変位させるとは、各初期サンプリング位相を0.25ビットだけ前方に移動させること意味し、すなわち第1初期サンプリング位相、第2初期サンプリング位相、第3初期サンプリング位相および第4初期サンプリング位相をそれぞれ0.25ビットだけ前方に移動させる。
【0033】
なお、本実施例中の前方移動とはタイミングを基準として、前方の時間に移動させることを意味し、後方移動とは時間を基準として、後方の時間に移動させることを意味し、図2を参照すると、前方移動とは左方に移動させることを意味し、後方移動とは右方に移動させることを意味する。
【0034】
S130、変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相であり、
次に、変位前と変位後ターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定し、各変位後のサンプリング位相を再度変位させる。具体的に、ターゲットホッピングエッジとはD1ビットとD2ビット間のホッピングエッジを指し、図2から分かるように、第2初期サンプリング位相と第3初期サンプリング位相間のホッピングエッジはターゲットホッピングエッジである。
【0035】
ターゲットホッピングエッジを決定した後、第1変位後のサンプリング位相、第2変位後のサンプリング位相、第3変位後のサンプリング位相、第4変位後のサンプリング位相とターゲットホッピングエッジ間の位置関係に従って、第1変位後のサンプリング位相、第2変位後のサンプリング位相、第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相から、第1基準サンプリング位相を選択する必要がある。具体的な選択方法は、ターゲットホッピングエッジに隣接し、ターゲットホッピングエッジの後にある変位サンプリング位相を第1基準サンプリング位相とすることである。
【0036】
第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジにあるとき、すべての変位後のサンプリング位相は比較的特殊な位置にあり、該特殊位置の処理規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させる。
【0037】
なお、ここでの第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジにあるとは、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジにあってもよく、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジの前後に予め設定された区間にあってもよく、具体的に実際状況に応じて設定すればよい。該予め設定された区間はターゲットホッピングエッジを基準点として、それぞれ前方および後方へ延伸して得られ、予め設定された区間の具体的な長さは実際状況に応じて設定すればよい。第1基準サンプリング位相が該予め設定された区間にあると、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジにあることを意味し、逆に、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置しないことを意味する。
【0038】
ターゲットホッピングエッジに隣接する2つの初期サンプリング位相は第2初期サンプリング位相および第3初期サンプリング位相であるため、変位前の該ターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルはs2およびs3である。変位後のターゲットホッピングエッジの位置は変更されず、D2における第3初期サンプリング位相の相対位置に応じて、ターゲットホッピングエッジの隣接する変位が変更する可能性があり、変位後のターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相は第2変位後のサンプリング位相および第3変位後のサンプリング位相であってもよく、第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相であってもよく、すなわちターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルはs2およびs3、またはs3およびs4であってもよい。
【0039】
変位前および変位後ターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、すなわち変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが変更したかどうかに基づいて、各変位後のサンプリング位相の変位方向を決定する。すなわち、変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが変更したかどうかに基づいて、第1変位後のサンプリング位相、第2変位後のサンプリング位相、第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相を再度変位させ、最終サンプリング位相、すなわち第1最終サンプリング位相、第2最終サンプリング位相、第3最終サンプリング位相および第4最終サンプリング位相を取得する。
【0040】
本実施例では、最適サンプリング位相については、第1最終サンプリング位相、第2最終サンプリング位相、第3最終サンプリング位相および第4最終サンプリング位相からいくつかのサンプリング位相を最適サンプリング位相として選択し、選択された最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、具体的な選択方法は実際状況に応じて決定すればよく、本実施例では特に限定されない。
【0041】
例えば、さらに2回変位した後、D1リードコード中の最終サンプリング位相は第1最終サンプリング位相および第2最終サンプリング位相に対応し、D1リードコードの中間位相を基準として、第1最終サンプリング位相と該中間位相の距離が第2最終サンプリング位相と該中間位の距離よりも短いと、第1最終サンプリング位相がD1の最適サンプリング位相となり、第2最終サンプリング位相と該中間位相の距離が第1最終サンプリング位相と該中間位の距離よりも短いと、第2最終サンプリング位相がD1の最適サンプリング位相となる。
【0042】
D2リードコード中の最終サンプリング位相が第3最終サンプリング位相および第4最終サンプリング位相に対応し、D2リードコードの中間位相を基準として、第3最終サンプリング位相と該中間位相の距離が第4最終サンプリング位相と該中間位相の距離よりも短いと、第3最終サンプリング位相がD2の最適サンプリング位相となり、第4最終サンプリング位相と該中間位相の距離が第3最終サンプリング位相と該中間位相の距離よりも短いと、第4最終サンプリング位相がD2の最適サンプリング位相となる。
【0043】
本実施例中の最適サンプリング位相はリードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相を含み、リードコードをサンプリングする過程中、一般的にサンプリング位相の移動回数が多いほど、サンプリング位相がリードコードの中間位相に近くなり、十分なウィンドウサンプリングマージンを確保し、サンプリング正確率が高いほど、本実施例でリードコード数に影響され、サンプリング位相が最大2回変位できなく、最終的に決定された最適サンプリング位相は対応のリードコード中間位相に近く、十分なウィンドウサンプリングマージンが確保され、サンプリング位相が中間に近いほど、サンプリング正確率が高くなり、サンプリング精度向上させることができる。
【0044】
S140、前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングする。
【0045】
最後に、リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、該GPONフレームの有効データをサンプリングして、GPONプロトコルで指定された時間内にデータをロックする。
【0046】
具体的に実施する過程中、本実施例のハードウェア装置は、アップリングレート1.24416Gbps速度でデータを送信する既存のハードウェア装置と同じであり、アップリングレート速度が2.48832Gbpsにアップグレードされた場合、ソフトウエアコードを直接修正してアップリングレート2.48832Gbpsでデータを送信するスキームを実現し、ハードウェア装置を変更する必要がないため、コストを削減することができる。
【0047】
本実施例はデータ二重オーバーサンプリング方法を提供し、リードコードビットの初期サンプリング位相を2回変位させ、最後に最適サンプリング位相を抽出し、2回変位により、最適サンプリング位相が対応のリードコードの中間位相に近く、十分なウィンドウサンプリングマージンが確保され、サンプリング正確率が高いほど、サンプリング精度が高くなる。リードコードで決定された最適サンプリング位相から、有効データをサンプリングし、プロトコルで指定された時間内にリカバリデータの位相ロックを安定して完了することができ、ハードウェア装置を変更する必要がないため、コストを削減することができる。
【0048】
いくつかの実施例では、図3は本発明の実施例の隣接する位相ラベルからの変位決定方法の具体的なフローチャートである、図3に示すように、ステップS130では、前記変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させるステップは、
S131、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定すること、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置する場合、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させること、を含み、
まず第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置するかどうかを判定し、具体的な判定方法は上記実施例を参照すればよく、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置する場合、このときサンプリング位相が特殊の位置にあり、該状況を個別に処理し、具体的に、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、第1所定の変位規則は実際状況に応じて設定すればよく、本実施例では特に限定されない。
【0049】
選択可能に、前記第1所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.25ビットずつ後方に変位させることである。選択可能な態様として、本実施例では第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置する場合、図2を参照すると、第3変位後のサンプリング位相を第1基準サンプリング位相として、第3変位後のサンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置し、これは、第2初期サンプリング位相および第4初期サンプリング位相がすべて対応のリードコードの中間位相に位置し、すなわち第2初期サンプリング位相がD1の中間位相に位置し、第4初期サンプリング位相がD2の中間位相に位置することを意味し、最初の変位のとき、各初期サンプリング位相を0.25ビットだけ前方に移動させるため、第2回の変位のとき、0.25ビットだけ後方に移動させるだけで、最適サンプリング位相が対応のリードコードの中間位相に位置する。したがって、第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置する場合、第2回の変位のとき、直接に各変位後のサンプリング位相を0.25ビットだけ後方に移動すればよく、ターゲットホッピングエッジの変位前と変位後の隣接する位相ラベルを判定する必要がなくなる。
【0050】
S132、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジに位置しない場合、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得し、
第1基準サンプリング位相がターゲットホッピングエッジに位置しない場合、ターゲットホッピングエッジの隣接する初期位相と位相ラベルに従って、第1隣接位相ラベルを決定する。図2を例にすると、上記実施例の説明から分かるように、本実施例の第1隣接位相ラベルはs2とs3である。
【0051】
S133、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、前記ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを取得し、
ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを決定し、D2における第3初期サンプリング位相の位置が異なるため、ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルが影響を受け、第2隣接位相ラベルが第3初期サンプリング位相の位置に従って変化する。
【0052】
本実施例では、第3初期サンプリング位相とD2間の位置関係に応じて、それぞれ分析し、最後に総括した上で、再度変位という結論に至る。本実施例では、第3初期サンプリング位相とD2の位置関係は以下の4つに分けられ:
ターゲットホッピングエッジが第2初期サンプリング位相と第3初期サンプリング位相間に位置し、ターゲットホッピングエッジ後の第1初期サンプリング位相が第3初期サンプリング位相であるため、第3初期サンプリング位相を基準として位相をサンプリングし、基準サンプリング位相に基づいて変位を行う。
【0053】
(1)、第3初期サンプリング位相がD2の第1区間セグメントにあり、D2が所在する区間全体が1bitであり、第1区間セグメントが0~1/8bitであり、図4は本発明の実施例のD2の第1区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図であり、図4に示すように、第3初期サンプリング位相が0~1/8bitである場合、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2初期サンプリング位相および第3初期サンプリング位相であり、目標位相の第1隣接位相ラベルがs2とs3である。最初に0.25bitだけ左側に移動させた後、第3変位後のサンプリング位相がD1の3/4bit~7/8bitの位置にあり、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相であり、目標位相の第2隣接位相ラベルがs3とs4である。
【0054】
(2)、第3初期サンプリング位相がD2の第2区間セグメントにあり、第1区間セグメントが1/8~1/4bitであり、図5は本発明の実施例のD2の第2区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図であり、図5に示すように、第3初期サンプリング位相が1/8~1/4bitの場合、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2初期サンプリング位相および第3初期サンプリング位相であり、目標位相の第1隣接位相ラベルがs2とs3である。最初に0.25bitだけ左側に移動させた後、第3変位後のサンプリング位相がD1の7/8bit~1bitの位置にあり、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第3変位後のサンプリング位相および第4変位後のサンプリング位相であり、目標位相の第2隣接位相ラベルがs3とs4である。
【0055】
(3)、第3初期サンプリング位相がD2の第3区間セグメントであり、第3区間セグメントが1/4~3/8bitであり、図6は本発明の実施例のD2の第3区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図であり、図6に示すように、第3初期サンプリング位相が1/4~3/8bbitの場合、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2初期サンプリング位相および第3初期サンプリング位相であり、目標位相の第1隣接位相ラベルがs2とs3である。最初に0.25bitだけ左側に移動させた後、第3変位後のサンプリング位相がD2の0bit~1/8bitの位置にあり、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2変位後のサンプリング位相および第3変位後のサンプリング位相であり、目標位相の第2隣接位相ラベルがs2とs3である。
【0056】
(4)、第3初期サンプリング位相がD2の第4区間セグメントにあり、第3区間セグメントが3/8~1/2bitであり、図7は本発明の実施例のD2の第4区間セグメントにおける第3初期サンプリング位相の概略図であり、図7に示すように、第3初期サンプリング位相が3/8~1/2bitの場合、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2初期サンプリング位相および第3初期サンプリング位相であり、目標位相の第1隣接位相ラベルがs2とs3である。最初に0.25bitだけ左側に移動させた後、第3変位後のサンプリング位相がD2の1/8bit~1/4bit間の位置にあり、ターゲットホッピングエッジの隣接するサンプリング位相が第2変位後のサンプリング位相および第3変位後のサンプリング位相であり、目標位相の第2隣接位相ラベルがs2とs3である。
【0057】
S134、前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しい場合、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくない場合、第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させる。
【0058】
以上の分析から分かるように、第3初期サンプリング位相がD2の1/4~1/2bitにあるとき、第2隣接サンプリング位相がs2とs3であり、第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しく、このとき、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、第3初期サンプリング位相がD2の0~1/4bitにあるとき、第2隣接サンプリング位相がs3とs4であり、第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくなく、このとき第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させる。
【0059】
選択可能に、前記第2所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ前方に変位させることであり、前記第3所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ後方に変位させることである。
【0060】
本実施例では、第3初期サンプリング位相がD2の0~1/4bitにあるとき、第2隣接サンプリング位相がs3とs4であり、第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくなく、各変位後のサンプリング位相を0.125bitだけ後方に移動させ、第3初期サンプリング位相がD2の1/4~1/2bitにあるとき、第2隣接サンプリング位相がs2とs3であり、第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しく、各変位後のサンプリング位相を0.125bitだけ前方に移動させる。
【0061】
具体的な実施過程中、上記方法に従って初期サンプリング位相を2回変位させ、シミュレーションと実際のテストを行った結果、GPONプロトコルで指定された時間内に位相ロックが完了できることが実験結果から判明した。決定された最適サンプリング位相を使用して有効データをサンプリングする。
【0062】
いくつかの実施例では、前記の前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得する前に、前記方法は、
各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得するステップと、
隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行うステップと、
前記隣接する2つの初期サンプリングデータのXOR値が1である場合、前記隣接する2つの初期サンプリングデータに対応する初期サンプリング位相間のホッピングエッジを、前記ターゲットホッピングエッジとするステップと、をさらに含む。
【0063】
本実施例はターゲットホッピングエッジの決定方法をさらに提供し、まず各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得し、該初期サンプリングデータは、それぞれd1、d2、d3およびd4で示される第1初期サンプリングデータ、第2初期サンプリングデータ、第3初期サンプリングデータおよび第4初期サンプリングデータを含む。具体的に、第1初期サンプリング位相、第2初期サンプリング位相を使用してD1をサンプリングして第1初期サンプリングデータおよび第2初期サンプリングデータを取得し、第3初期サンプリング位相、第4初期サンプリング位相対D2を使用してサンプリングし、第3初期サンプリングデータおよび第4初期サンプリングデータを取得する。
【0064】
4つの初期サンプリングデータ中の任意の隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行った結果、
【数1】
これは、ターゲットホッピングエッジが第2初期サンプリング位相と第3初期サンプリング位相間にあることを示すため、第2初期サンプリング位相と第3初期サンプリング位相間のホッピングエッジをターゲットホッピングエッジとする。
【0065】
いくつかの実施例では、前記の前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得するステップは、
前記ホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジ後の初期サンプリング位相を第2基準サンプリング位相とすること、
各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後の各最終サンプリング位相を取得すること、
最終基準位相に隣接する最終サンプリング位相を前記最適サンプリング位相とし、前記最終基準位相は前記第2基準サンプリング位相を変位させた後に対応する最終サンプリング位相であることを含む。
【0066】
本実施例では、各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後、最終サンプリング位相を取得し、最終サンプリング位相は第1最終サンプリング位相、第2最終サンプリング位相、第3最終サンプリング位相および第4最終サンプリング位相を含む。
【0067】
第3初期サンプリングデータはターゲットホッピングエッジ後の第1ビットデータであるため、第3初期サンプリング位相を第2基準サンプリング位相として選択し、該第2基準サンプリング位相を第3最終サンプリング位相に対応させ、第3最終サンプリング位相の隣接する2つの最終サンプリング位相を最適サンプリング位相とし、すなわち第2最終サンプリング位相および第4最終サンプリング位相を最適サンプリング位相とする。
【0068】
いくつかの実施例では、前記ステップS110~S130は、少なくとも1回同時に実行される。
【0069】
具体的に、上記ステップS110~S130は、少なくとも1回同時に実行され、該データ二重オーバーサンプリング方法は複数回同時に実行され、すなわち同じステップを複数回実行し、すなわちある実行に異常エラーが発生しても、他の実行結果に影響を与えることがなく、最終的に決定された最適サンプリング位相に影響を与えることもなく、X状態の影響を回避することができる。
【0070】
図8は、本発明の実施例が提供するデータ二重オーバーサンプリングシステムの構造概略図であり、図8に示すように、該システムは、受信モジュール810、第1変位モジュール820、第2変位モジュール830、およびサンプリングモジュール840を備え、
受信モジュール810は、GPONフレーム中のリードコードの隣接する2つのビットに対して、前記隣接する2つのビットのそれぞれに対応する初期サンプリング位相と各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルを取得し、前記GPONフレームは前記リードコードおよび有効データを含み、
第1変位モジュール820は、各初期サンプリングの位相を変位させ、各変位後のサンプリング位相を取得するために使用され、
第2変位モジュール830は、変位前と変位後のターゲットホッピングエッジの隣接する位相ラベルが等しいかどうか、および第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかに応じて、各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記隣接する2つのビットに対応する最適サンプリング位相を取得し、前記最適サンプリング位相は対応のリードコードの中間位相に近く、前記第1基準サンプリング位相は、前記ターゲットホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジの後に位置する変位後のサンプリング位相であり、
サンプリングモジュール840は、前記リードコードの各ビットに対応する最適サンプリング位相に従って、前記有効データをサンプリングするために使用される。
【0071】
さらに、前記第2変位モジュールは、メイン判定ユニット、第1変位ユニット、第1隣接ユニット、第2隣接ユニットおよびサブ判定ユニットを備え、
前記メイン判定ユニットは、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置するかどうかを判定するために使用され、
前記第1変位ユニットは、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジ上に位置する場合、第1所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させるために使用され、
前記第1隣接ユニットは、前記第1基準サンプリング位相が前記ターゲットホッピングエッジに位置しない場合、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する初期サンプリング位相および各初期サンプリング位相に対応する位相ラベルに従って、前記ターゲットホッピングエッジの第1隣接位相ラベルを取得するために使用され、
前記第2隣接ユニットは、前記ターゲットホッピングエッジの隣接する変位後のサンプリング位相に従って、前記ターゲットホッピングエッジの第2隣接位相ラベルを取得するために使用され、
前記判定ユニットは、前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しい場合、第2所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させ、前記第1隣接位相ラベルと前記第2隣接位相ラベルが等しくない場合、第3所定の変位規則に従って各変位後のサンプリング位相を再度変位させるために使用される。
【0072】
さらに、前記第1所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.25ビットずつ後方に変位させることであり、
前記第2所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ前方に変位させることであり、
前記第3所定の変位規則は、各変位後のサンプリング位相を0.125ビットずつ後方に変位させることである。
【0073】
さらに、前記データ二重オーバーサンプリングシステムは、初期モジュール、XORモジュールおよび決定モジュールをさらに備え、
前記初期モジュールは、各初期サンプリング位相を通じて対応のビットをサンプリングし、初期サンプリングデータを取得するために使用され、
前記XORモジュールは、隣接する2つの初期サンプリングデータに対してXORを行うために使用され、
前記決定モジュールは、前記隣接する2つの初期サンプリングデータのXOR値が1である場合、前記隣接する2つの初期サンプリングデータに対応する初期サンプリング位相間のホッピングエッジを、前記ターゲットホッピングエッジとするために使用される。
【0074】
さらに、前記第2変位モジュールは、基準ユニット、取得ユニットおよび最適化ユニットをさらに備え、
前記基準ユニットは、前記ホッピングエッジに隣接し、前記ターゲットホッピングエッジ後の初期サンプリング位相を第2基準サンプリング位相とするために使用され、
前記取得ユニットは、各変位後のサンプリング位相を再度変位させた後の各最終サンプリング位相を取得するために使用され、
前記最適化ユニットは、最終基準位相に隣接する最終サンプリング位相を前記最適サンプリング位相とし、前記最終基準位相は前記第2基準サンプリング位相を変位させた後に対応する最終サンプリング位相である。
【0075】
さらに、前記第1変位モジュールは第1変位ユニットを備え、
前記第1変位ユニットは、各初期サンプリング位相を0.25ビットずつ前方に変位させるために使用される。
【0076】
上記データ二重オーバーサンプリングシステム中の各モジュールの全部または一部がソフトウエア、ハードウェアおよびそれらの組み合わせによって実現され得る。上記各モジュールはハードウェアの形でコンピュータ装置中のプロセッサに組み込まれてもよく、プロセッサから独立していてもよく、ソフトウエアの形でコンピュータ装置中のメモリに記憶されてもよく、プロセッサによって以上の各モジュールに対応する操作が呼び出されて実行されてもよい。
【0077】
図9は、本発明の実施例が提供するコンピュータ装置の構造概略図であり、該コンピュータ装置はサーバーであってもよく、その内部構造は図9に示される。該コンピュータ装置はシステムバスを介して接続されたプロセッサ、メモリ、ネットワークインタフェースおよびデータベースを含む。ここで、該コンピュータ装置のプロセッサは計算および制御能力を提供する。該コンピュータ装置のメモリはコンピュータ記憶媒体、内部メモリを含む。該コンピュータ記憶媒体にオペレーティングシステム、コンピュータプログラムおよびデータベースが記憶される。該内部メモリはコンピュータ記憶媒体中のオペレーティングシステムおよびコンピュータプログラムの動作のための環境を提供する。該コンピュータ装置のデータベースは、データ二重オーバーサンプリング方法の実行過程で生成または取得されたデータ、例えばリードコード、有効データが記憶される。該コンピュータ装置のネットワークインタフェースは外部の端末とネットワークを介して通信可能に接続される。該コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されるとデータ二重オーバーサンプリング方法を実施する。
【0078】
一実施例では、メモリ、プロセッサおよびメモリに記憶されてプロセッサ上で動作可能なコンピュータプログラムを含むコンピュータ装置を提供し、プロセッサがコンピュータプログラムを実行すると上記実施例のデータ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する。または、プロセッサがコンピュータプログラムを実行すると、データ二重オーバーサンプリングシステムの実施例中の各モジュール/ユニットの機能を実現する。
【0079】
一実施例では、コンピュータプログラムが記憶されるコンピュータ記憶媒体を提供し、該コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されると上記実施例中のデータ二重オーバーサンプリング方法のステップを実施する。または、該コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されると、上記データ二重オーバーサンプリングシステムの実施例中の各モジュール/ユニットの機能を実現する。
【0080】
当業者であれば、上記実施例の方法中の全部または一部を実現する流れは、コンピュータプログラムを用いて関連するハードウェアによって実行され、前記のコンピュータプログラムは不揮発性コンピュータ可読記憶媒体に記憶され、該コンピュータプログラムが実行されるとき、上記各方法の実施例の流れを含んでもよいことを理解されたい。ここで、本出願が提供する各実施例で使用されるメモリ、記憶、データベースまたは他の媒体のあらゆる言及は、不揮発性および/または揮発性メモリを含み得る。不揮発性メモリは読み出し専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的に消去可能なプログラマブルROM(EEPROM)またはフラッシュメモリを含み得る。揮発性メモリは、ランダムアクセスメモリ(RAM)または外部キャッシュメモリを含み得る。限定ではなく例示すると、RAMは、静的RAM(SRAM)、動的RAM(DRAM)、同期DRAM(SDRAM)、デュアルデータレートSDRAM(DDRSDRAM)、エンハンスドSDRAM(ESDRAM)、同期リンク(Synchlink) DRAM(SLDRAM)、メモリバス(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接メモリバス動的RAM(DRDRAM)、およびメモリバス動的RAM(RDRAM)などがある。
【0081】
説明の便宜および簡略化のために、上記各機能ユニット、モジュールの分割を例として説明したが、実際の応用において、必要に応じて上記機能を異なる機能ユニット、モジュールによって実行されるように割り当てることができ、すなわち前記装置の内部構造を異なる機能ユニットまたはモジュールに分割して以上の全部または一部の機能を実行することは、当業者にとって明らかである。
【0082】
以上の実施例は、本発明の技術的解決策を説明するために使用され、限定するものではなく、上記の実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、上記の各実施例に記載の技術的解決策を修正し、または一部の技術特徴に対して等価置換を行うことができ、これらの修正や置換は、関連する技術的解決策の本質を本発明の各実施例の技術的解決策の精神および範囲から逸脱させるものではなく、すべて本発明の保護範囲内に含まれるものとする。
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9