特開 2024-147883 電力変換装置、過電流検出回路、および、半導体モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147883

(43)【公開日】2024-10-17

(54)【発明の名称】電力変換装置、過電流検出回路、および、半導体モジュール

(51)【国際特許分類】

   H02M 7/48 20070101AFI20241009BHJP

   H02M 1/00 20070101ALI20241009BHJP

【ＦＩ】

H02M7/48 M

H02M1/00 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023060589

(22)【出願日】2023-04-04

(71)【出願人】

【識別番号】000233273

【氏名又は名称】ミネベアパワーデバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】三間 彬

(72)【発明者】

【氏名】紺野 哲豊

(72)【発明者】

【氏名】新井 大夏

(72)【発明者】

【氏名】松元 大輔

【テーマコード（参考）】

5H740

5H770

【Ｆターム（参考）】

5H740BA11

5H740BA12

5H740BB05

5H740BB08

5H740MM11

5H770DA01

5H770DA44

5H770HA02X

5H770HA19X

5H770LA02X

5H770LA05Y

(57)【要約】

【課題】
シンプルな回路構成で、負荷短絡の場合でも高精度に検出できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】
電力変換装置が、上アームスイッチング素子３０ａと、下アームスイッチング素子３０ｂと、高電位側端子Ｐと、低電位側端子Ｎと、出力端子ＡＣと、第１の検出端子１１と、第２の検出端子１２と、高電位側端子Ｐと上アームスイッチング素子３０ａとの間の高電位側配線インダクタンスＬｐに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと、上下アーム接続ノード４０と出力端子ＡＣとの間の出力側配線インダクタンスＬａｃに電磁結合された出力側検出用インダクタンスＬｄａｃと、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との電位差により過電流を検出する過電流検出部１０とを有し、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との間に、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと出力側検出用インダクタンスＬｄａｃとが直列接続されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上アームスイッチング素子と、
前記上アームスイッチング素子に直列接続された下アームスイッチング素子と、
前記上アームスイッチング素子に接続された高電位側端子と、
前記下アームスイッチング素子に接続された低電位側端子と、
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに接続された出力端子と、
第１の検出端子と、
第２の検出端子と、
前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、
前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスと、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との電位差により過電流を検出する過電流検出部とを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする電力変換装置。

【請求項2】

請求項１において、
前記低電位側端子と前記下アームスイッチング素子との間の低電位側配線インダクタンスに電磁結合された低電位側検出用インダクタンスを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスと前記低電位側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする電力変換装置。

【請求項3】

請求項１において、
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子とを内部に収納するケースと、
前記ケースの外部に配置され、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子と前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが設けられた回路基板とを有することを特徴とする電力変換装置。

【請求項4】

高電位側端子と低電位側端子との間に上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子とが直列接続され、前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに出力端子が接続された電力変換回路に流れる過電流を検出する過電流検出回路であって、
第１の検出端子と、
第２の検出端子と、
前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、
前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスと、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との電位差により過電流を検出する過電流検出部とを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする過電流検出回路。

【請求項5】

請求項４において、
前記低電位側端子と前記下アームスイッチング素子との間の低電位側配線インダクタンスに電磁結合された低電位側検出用インダクタンスを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスと前記低電位側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする過電流検出回路。

【請求項6】

上アームスイッチング素子と、
前記上アームスイッチング素子に直列接続された下アームスイッチング素子と、
前記上アームスイッチング素子に接続された高電位側端子と、
前記下アームスイッチング素子に接続された低電位側端子と、
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに接続された出力端子と、
第１の検出端子と、
第２の検出端子と、
前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、
前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスとを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする半導体モジュール。

【請求項7】

請求項６において、
前記低電位側端子と前記下アームスイッチング素子との間の低電位側配線インダクタンスに電磁結合された低電位側検出用インダクタンスを有し、
前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスと前記低電位側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする半導体モジュール。

【請求項8】

請求項６において、
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子と前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとを内部に収納するケースを有することを特徴とする半導体モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電力変換装置、過電流検出回路、および、半導体モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

電力変換装置は、直流電源から供給された直流電力を回転電機などの交流電気負荷に供給するための交流電力に変換する機能、あるいは回転電機により発電された交流電力を直流電源に供給するための直流電力に変換する電力変換機能を備えている。電力変換機能を果すため、電力変換装置はパワー半導体で構成されたスイッチング素子を有する電力変換回路を有しており、スイッチング素子が導通動作や遮断動作を繰り返すことにより直流電力から交流電力へあるいは交流電力から直流電力への電力変換を行う。

【0003】

電力変換回路では、スイッチング素子を２つ直列接続して、直流電源に接続する。直流電源の高電位側に接続されたスイッチング素子を上アーム、直流電源の低電位側に接続されたスイッチング素子を下アームと称す。また、上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに出力端子が接続される。上アームスイッチング素子および下アームスイッチング素子が交互にＯＮ／ＯＦＦを繰り返すことにより、出力端子から交流電力を取り出すことが可能である。

【0004】

ここで、複数のスイッチング素子によって構成された電力変換回路において、１個のスイッチング素子が運転動作中にゲートノイズもしくは素子寿命で破壊された場合は、直流電源の高電位側から、破壊されたスイッチング素子に向かって過大な短絡電流が流れる。この短絡電流が流れることにより正常なスイッチング素子までも破壊され、電力変換装置全体が破壊されることを防ぐために、過電流検出回路でこの短絡電流を検出し、正常なスイッチング素子をオフ動作とする保護信号を生成することが行われている。

【0005】

また、短絡には、アーム短絡という電力変換回路の上下アーム間で短絡して大電流が流れるモードと、負荷短絡という上下アーム間の出力端子を介して電力変換回路の外へ大電流が流れるモードがある。負荷短絡は一般的に、電力変換回路から負荷に至る間の配線が地絡してしまう現象がほとんどである。この負荷短絡の場合でも、大電流がスイッチング素子に流れてしまうため、短絡検知してスイッチング素子を保護する必要がある。

【0006】

アーム短絡の場合は、スイッチング素子の破壊で生じるものであるが、一方、負荷短絡の場合は、スイッチング素子がまだ健常であり、電力変換装置に接続された負荷の破壊で生じる。したがって、負荷短絡を検出してスイッチング素子を保護する意義は大きい。

【0007】

アーム短絡および負荷短絡を検出する方法として、例えば特許文献１が知られている。特許文献１の実施の形態２（図１０、図１１、段落００２９～００３８）には、ＩＧＢＴのエミッタに流れる電流の時間変化率であるｄｉ／ｄｔを検出し、マスク期間経過後に、ｄｉ／ｄｔが第１の閾値を超えていればアーム短絡が発生したと判定し、第１の閾値を超えず第２の閾値を超えた場合には負荷短絡が発生したと判定する方法が記載されている。なお、このマスク期間を設ける理由は、特許文献１の図５、段落００２３、００２７に記載の通り、ゲートオン直後に現れる急峻且つピーク値大の電流の検知を回避するためである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】国際公開第２０１８／１９３５２７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、負荷短絡を検知しようとすると、通常のスイッチング時に発生するピーク電流の検知を回避するためのマスク期間の設定と、負荷短絡を検知するための第２の閾値が必要になり、回路が複雑になるという問題がある。

【0010】

本発明が解決しようとする課題は、シンプルな回路構成で、負荷短絡の場合でも高精度に検出することができる電力変換装置、過電流検出回路、および、半導体モジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0011】

上記した課題を解決するために、本発明の電力変換装置は、上アームスイッチング素子と、前記上アームスイッチング素子に直列接続された下アームスイッチング素子と、前記上アームスイッチング素子に接続された高電位側端子と、前記下アームスイッチング素子に接続された低電位側端子と、前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに接続された出力端子と、第１の検出端子と、第２の検出端子と、前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスと、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との電位差により過電流を検出する過電流検出部とを有し、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする。

【0012】

また、本発明の過電流検出回路は、高電位側端子と低電位側端子との間に上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子とが直列接続され、前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに出力端子が接続された電力変換回路に流れる過電流を検出する過電流検出回路であって、第１の検出端子と、第２の検出端子と、前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスと、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との電位差により過電流を検出する過電流検出部とを有し、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする。

【0013】

また、本発明の半導体モジュールは、上アームスイッチング素子と、前記上アームスイッチング素子に直列接続された下アームスイッチング素子と、前記上アームスイッチング素子に接続された高電位側端子と、前記下アームスイッチング素子に接続された低電位側端子と、前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子との間の上下アーム接続ノードに接続された出力端子と、第１の検出端子と、第２の検出端子と、前記高電位側端子と前記上アームスイッチング素子との間の高電位側配線インダクタンスに電磁結合された高電位側検出用インダクタンスと、前記上下アーム接続ノードと前記出力端子との間の出力側配線インダクタンスに電磁結合された出力側検出用インダクタンスとを有し、前記第１の検出端子と前記第２の検出端子との間に、前記高電位側検出用インダクタンスと前記出力側検出用インダクタンスとが直列接続されていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、シンプルな回路構成で、負荷短絡の場合でも高精度に検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】実施例１の電力変換装置および過電流検出回路の回路構成を示す回路図。

【図2】比較例の過電流検出方法の一例を示す回路図。

【図3】比較例の過電流検出方法の検出電圧のイメージ図。

【図4】実施例１の検出電圧のイメージ図。

【図5】実施例２の電力変換装置および過電流検出回路の回路構成を示す回路図。

【図6】実施例３の電力変換装置の回路構成を示す回路図。

【図7】実施例４の電力変換装置の回路構成を示す回路図。

【図8】実施例５の半導体モジュールと過電流検出回路の構成を示す上面図および側面図。

【図9】実施例６の半導体モジュールと過電流検出回路の構成を示す上面図および側面図。

【図10】実施例７の電力変換装置の構成を示す上面図および側面図。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。各図、各実施例において、同一または類似の構成要素については同じ符号を付け、重複する説明は省略する。

【実施例0017】

図１は、実施例１の電力変換装置および過電流検出回路の回路構成を示す回路図である。

【0018】

実施例１の電力変換装置１は、電力変換回路２と、過電流検出回路３とを有する。

【0019】

電力変換回路２は、上アームスイッチング素子３０ａと、上アームスイッチング素子３０ａに直列接続された下アームスイッチング素子３０ｂと、上アームスイッチング素子３０ａに接続された高電位側端子Ｐと、下アームスイッチング素子３０ｂに接続された低電位側端子Ｎと、上アームスイッチング素子３０ａと下アームスイッチング素子３０ｂとの間の上下アーム接続ノード４０に接続された出力端子ＡＣとを有する。換言すれば、電力変換回路２は、高電位側端子Pと低電位側端子Ｎとの間に上アームスイッチング素子３０ａと下アームスイッチング素子３０ｂとが直列接続され、上アームスイッチング素子３０ａと下アームスイッチング素子３０ｂとの間の上下アーム接続ノードに出力端子ＡＣが接続された構成となっている。

【0020】

ここで、上アームスイッチング素子３０ａおよび下アームスイッチング素子３０ｂとしては、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を用いることができる。この場合、電力変換回路２は、上アームスイッチング素子３０ａおよび下アームスイッチング素子３０ｂのそれぞれに対して逆並列に接続されたダイオード３１を有する。なお、上アームスイッチング素子３０ａおよび下アームスイッチング素子３０ｂとしては、これに限られず、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などの他のスイッチング素子を用いてもよい。ＭＯＳＦＥＴを用いる場合、ダイオード３１はＭＯＳＦＥＴに内蔵されたボディダイオードを用いることができる。

【0021】

上アームスイッチング素子３０ａおよび下アームスイッチング素子３０ｂとしてＩＧＢＴを用いる場合は、上アームスイッチング素子３０ａの一方の主電極であるコレクタ電極が高電位側端子Ｐに接続され、上アームスイッチング素子３０ａの他方の主電極であるエミッタ電極と下アームスイッチング素子３０ｂの一方の主電極であるコレクタ電極とが接続され、下アームスイッチング素子３０ｂの他方の主電極であるエミッタ電極が低電位側端子Ｎに接続される。なお、ＭＯＳＦＥＴの場合は、コレクタをドレインに読み替え、エミッタをソースに読み替えればよい。

【0022】

電力変換回路２は、高電位側端子Ｐと上アームスイッチング素子３０ａとの間の高電位側配線インダクタンスＬｐと、上下アーム接続ノード４０と出力端子ＡＣとの間の出力側配線インダクタンスＬａｃと、下アームスイッチング素子３０ｂと低電位側端子Ｎとの間の低電位側配線インダクタンスＬｎとを有する。

【0023】

ここで、本実施例の過電流検出回路３は、第１の検出端子１１と、第２の検出端子１２と、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との電位差により過電流を検出する過電流検出部１０と、高電位側配線インダクタンスＬｐに近接配置されて電磁結合された高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと、出力側配線インダクタンスＬａｃに近接配置されて電磁結合された出力側検出用インダクタンスＬｄａｃとを有する。そして、本実施例の過電流検出回路３は、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との間に、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと出力側検出用インダクタンスＬｄａｃとが直列接続されている構成となっている。

【0024】

アーム短絡時においては、アーム短絡電流Ｉｓｃ＿ａｒｍが、高電位側端子Ｐから高電位側配線インダクタンスＬｐ、上アームスイッチング素子３０ａ、下アームスイッチング素子３０ｂ、低電位側配線インダクタンスＬｎ、低電位側端子Ｎの順番に流れる。

【0025】

この時、高電位側配線インダクタンスＬｐにはアーム短絡電流Ｉｓｃ＿ａｒｍが流れたことによる起電力が生じる。一方、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと高電位側配線インダクタンスＬｐとの間は結合係数ｋｐで電磁結合されており、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との間には、起電力２０が発生する。起電力２０の電圧であるＶｄｉｄｔ＿ａｒｍは、式（１）のように表すことができる。

【0026】

【数1】

【0027】

負荷短絡時においては、負荷短絡電流Ｉｓｃ＿ｌｏａｄが、高電位側端子Ｐから高電位側配線インダクタンスＬｐ、上アームスイッチング素子３０ａ、出力側配線インダクタンスＬａｃ、出力端子ＡＣの順番に流れる。

【0028】

この時、第１の検出端子１１と第２の検出端子１２との間に生じる起電力２０は、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐで生じる起電力に加え、出力側配線インダクタンスＬａｃとの間に結合係数ｋａｃで電磁結合された出力側検出用インダクタンスＬｄａｃで生じる起電力も加わるため、起電力２０の電圧であるＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄは、式（２）のように表すことができる。

【0029】

【数2】

【0030】

過電流検出部１０は、この起電力２０を検出し、起電力２０が所定のしきい値を超えた場合は、短絡電流が流れたと判断し、電力変換回路２の動作を停止させる。本実施例の構成によれば、式（２）における結合係数ｋａｃ、出力側配線インダクタンスＬａｃ、出力側検出用インダクタンスＬｄａｃの大きさを調整することで、検出の感度を調整することができる。したがって、負荷短絡の場合でも高精度に検出することができる。

【0031】

このように、本実施例によれば、シンプルな回路構成で、負荷短絡の場合でも高精度に検出することができる。

【0032】

図２は、比較例の過電流検出方法の一例を示す回路図である。

【0033】

図２に示す比較例の過電流検出方法では、高電位側配線インダクタンスＬｐを使って過電流を検出しており、実施例１とは異なり、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐおよび出力側検出用インダクタンスＬｄａｃを有していない。

【0034】

図３は、比較例の過電流検出方法の検出電圧のイメージ図である。図３において、縦軸は検出電圧、横軸は時刻を示す。

【0035】

比較例の過電流検出方法では、アーム短絡時において検出できる起電力２０の電圧であるＶｄｉｄｔ＿ａｒｍは、式（３）のように表すことができる。

【0036】

【数3】

【0037】

一方、負荷短絡時において検出できる起電力２０の電圧であるＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄは、式（４）のように表すことができる。

【0038】

【数4】

【0039】

通常、電力変換回路２は、動作中の電圧の跳ね上がりを抑制するために、高電位側配線インダクタンスＬｐは小さくなっている。一方、出力側配線インダクタンスＬａｃは小さくすることを考慮する必要はなく、Ｌｐ＜Ｌａｃとなっている。

【0040】

この場合において、出力側配線インダクタンスＬａｃの値が大きければ、電流が流れにくくなり、電流の傾きが小さくなる。したがって、短絡発生時のアーム短絡電流Ｉｓｃ＿ａｒｍと負荷短絡電流Ｉｓｃ＿ｌｏａｄの傾きを比べると、ｄＩｓｃ＿ａｒｍ／ｄｔ＞ｄＩｓｃ＿ｌｏａｄ／ｄｔとなる、そのため、式（３）および式（４）によれば、アーム短絡時に検出できる起電力２０のＶｄｉｄｔ＿ａｒｍと負荷短絡時に検出できる起電力２０のＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄを比べると、Ｖｄｉｄｔ＿ａｒｍ＞Ｖｄｉｄｔ＿ｌｏａｄとなる。このため、負荷短絡時に発生する起電力２０のＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄはアーム短絡時の検出のために設けられた検知閾値より小さくなってしまい、負荷短絡電流を検知できない。仮に検知閾値をＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄよりも小さく設定すると、通常スイッチング時に発生する検出電圧と区別がつかなくなってしまうので、検知閾値を通常スイッチング時に発生する検出電圧より小さく設定することができないからである。

【0041】

図４は、実施例１の検出電圧のイメージ図である。図４において、縦軸は検出電圧、横軸は時刻を示す。

【0042】

本実施例の方法では、アーム短絡時の起電力２０のＶｄｉｄｔ＿ａｒｍは式（１）のようになり、電磁結合された高電位側検出用インダクタンスＬｄｐと結合係数ｋｐの値により検出電圧を変化させることができる。

【0043】

また、負荷短絡時において、ｄＩｓｃ＿ａｒｍ／ｄｔ＞ｄＩｓｃ＿ｌｏａｄ／ｄｔのように負荷短絡時の負荷短絡電流Ｉｓｃ＿ｌｏａｄの傾きが小さくなった場合では、出力側配線インダクタンスＬａｃに電磁結合された出力側検出用インダクタンスＬｄａｃと結合係数ｋａｃにより発生する起電力も加わるため、検出できる起電力は図２および図３の比較例に比べて大きくなり、アーム短絡時のＶｄｉｄｔ＿ａｒｍと同程度に負荷短絡時のＶｄｉｄｔ＿ｌｏａｄを大きく設定すれば、アーム短絡時と同様に検知閾値電圧以上の検出電圧を得ることが可能となる。これにより、負荷短絡時の短絡電流も検出可能となる。

【実施例0044】

図５は、実施例２の電力変換装置および過電流検出回路の回路構成を示す回路図である。

【0045】

実施例２は、実施例１の変形例であり、実施例１との相違点は、低電位側検出用インダクタンスＬｄｎを有することである。

【0046】

本実施例の過電流検出回路３は、実施例１の構成に加え、低電位側配線インダクタンスＬｎに電磁結合された低電位側検出用インダクタンスＬｄｎを有する。ここで、低電位側検出用インダクタンスＬｄｎと低電位側配線インダクタンスＬｎの結合係数はｋｎである。

【0047】

また、低電位側検出用インダクタンスＬｄｎは、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐおよび出力側検出用インダクタンスＬｄａｃと、直列接続構造となっている。

【0048】

本実施例によれば、アーム短絡時において、高電位側検出用インダクタンスＬｄｐによる起電力に加え、低電位側検出用インダクタンスＬｄｎの起電力も検出可能な電圧として加わるため、アーム短絡時の検出感度を増加させることができる。