特開2024-148148IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

LSIなどの半導体デバイスの製造などに使用される反射型マスクの素材である反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクから反射型マスクを製造する方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【解決手段】基板と、多層反射膜と、ルテニウムを含有する材料で形成された保護膜と、保護膜に接する吸収体膜と、吸収体膜に接し、クロムを含有する材料で形成されたハードマスク膜とを有し、吸収体膜が、タンタルを含有する材料で形成され、基板側から第1の層及び第2の層、又は第1の層、第2の層及び第3の層からなり、第1の層が、タンタルを含有し、窒素を含有しない組成を有し、かつ厚さが0.5nm以上2nm以下であり、第2の層が、タンタル及び窒素を含有し、窒素の含有率が10原子%以上、酸素の含有率が5原子%以下である組成を有し、第3の層が、タンタル、窒素及び酸素を含有し、酸素の含有率が30原子%以上70原子%以下である組成を有し、かつ厚さが20nm以下である反射型マスクブランク。
【効果】吸収体膜の反射防止膜側に形成されている、ルテニウム(Ru)を含有する材料で形成された保護膜のダメージが軽減される。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

保護膜には、反射膜を保護する機能が求められる。具体的には、吸収体膜のパターン加工において、多層反射膜がエッチングガスや、洗浄液に曝されないように、多層反射膜を保護する機能や、反射型マスクを用いた露光の際に、露光を繰り返すにつれて反射率が低下することを抑える機能などが挙げられる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、反射型マスクブランクにおいて、ルテニウム(Ru)を含有する材料で形成された保護膜に対して、タンタル(Ta)を含有する材料で形成された吸収体膜を形成し、吸収体膜を、基板側からタンタル(Ta)を含有し、窒素(N)を含有しない組成を有する第1の層と、タンタル(Ta)及び窒素(N)を含有する組成を有する第2の層を含むように構成することにより・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、タンタル(Ta)を含有する材料で形成された吸収体膜の、塩素を含み酸素を含まないガスを用いたドライエッチングにおけるオーバーエッチングによる保護膜のダメージを軽減できる。また、本発明の反射型マスクブランクは、塩素と酸素を含むガスを用いたドライエッチングや、硫酸過水(SPM)を用いた洗浄による保護膜の厚さの減少が抑制される。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の反射型マスクブランクの一例を示す断面図である。
【図2】 本発明の反射型マスクブランクの他の例を示す断面図である。
【図3】 実験例及び比較実験例で用いたエッチング装置の概略図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 基板 2 多層反射膜 3 保護膜 4 吸収体膜 41 第1の層 42 第2の層 43 第3の層 5 ハードマスク膜 11、12 反射型マスクブランク 100 ドライエッチング装置 101 チャンバー 102 アース 103 下部電極 104 アンテナコイル、 105 被処理基板(評価用膜付き基板) RF1、RF2 高周波電源

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