(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024148300
(43)【公開日】2024-10-18
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241010BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20241010BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20241010BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643D
H01L21/304 643A
H01L21/304 647Z
H01L21/306 R
H01L21/30 572B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023061320
(22)【出願日】2023-04-05
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】吉原 直彦
【テーマコード（参考）】
5F043
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA02
5F043BB30
5F043CC16
5F043DD19
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE10
5F146MA02
5F146MA07
5F157AA64
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC13
5F157BA02
5F157BA04
5F157BA07
5F157BA31
5F157BB23
5F157BB44
5F157BB66
5F157BC12
5F157BE23
5F157BE43
5F157BH18
5F157CF10
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF60
5F157CF62
5F157CF92
5F157CF99
5F157DA21
5F157DB02
5F157DB03
(57)【要約】
【課題】基板の損傷を抑制しながら、基板のレジスト層を効率良く剥離することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部２０と、剥離液供給部３０と、超音波発生部７０とを備える。基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。剥離液供給部３０は、基板保持部２０によって保持される基板Ｗに、レジスト層２０３を剥離する剥離液Ｌａを供給する。超音波発生部７０は、超音波を発生する。超音波発生部７０は、超音波を発生する超音波振動子７１と、超音波振動子７１が発生させた超音波を伝播する伝播部７２とを有する。伝播部７２は、樹脂製の接触部７３を有する。接触部７３は、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに接触して超音波を伝播する。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部２０と、剥離液供給部３０と、超音波発生部７０とを備える。基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。剥離液供給部３０は、基板保持部２０によって保持される基板Ｗに、レジスト層２０３を剥離する剥離液Ｌａを供給する。超音波発生部７０は、超音波を発生する。超音波発生部７０は、超音波を発生する超音波振動子７１と、超音波振動子７１が発生させた超音波を伝播する伝播部７２とを有する。伝播部７２は、樹脂製の接触部７３を有する。接触部７３は、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに接触して超音波を伝播する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持される前記基板に、レジスト層を剥離する剥離液を供給する剥離液供給部と、
超音波を発生する超音波発生部と
を備え、
前記超音波発生部は、
超音波を発生する超音波振動子と、
前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部と
を有し、
前記伝播部は、前記基板上の前記剥離液に接触して前記超音波を伝播する樹脂製の接触部を有する、基板処理装置。
前記基板保持部によって保持される前記基板に、レジスト層を剥離する剥離液を供給する剥離液供給部と、
超音波を発生する超音波発生部と
を備え、
前記超音波発生部は、
超音波を発生する超音波振動子と、
前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部と
を有し、
前記伝播部は、前記基板上の前記剥離液に接触して前記超音波を伝播する樹脂製の接触部を有する、基板処理装置。
【請求項2】
前記接触部は、可撓性を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる移動部を備え、
前記接触部は、前記移動部によって前記接触部と前記基板とが相対的に移動する際に、前記剥離液からの反力によって上方に撓むように、構成されている、請求項２に記載の基板処理装置。
前記接触部は、前記移動部によって前記接触部と前記基板とが相対的に移動する際に、前記剥離液からの反力によって上方に撓むように、構成されている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記接触部の最下部は、湾曲形状を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記接触部は、シート形状、ブラシ形状またはスポンジ形状を有する、請求項２または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる移動部を備え、
前記接触部は、シート形状またはブラシ形状を有し、
前記伝播部は、前記接触部の最下部に対して、前記接触部が前記基板に対して相対的に移動する移動方向の下流側に配置される傾斜部を有し、
前記傾斜部は、前記移動方向の下流側に向かって上方に傾斜する、請求項５に記載の基板処理装置。
前記接触部は、シート形状またはブラシ形状を有し、
前記伝播部は、前記接触部の最下部に対して、前記接触部が前記基板に対して相対的に移動する移動方向の下流側に配置される傾斜部を有し、
前記傾斜部は、前記移動方向の下流側に向かって上方に傾斜する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記接触部は、袋状または円筒状に形成されている、請求項２または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記接触部の内部には、液が充填されている、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる移動部を備え、
前記移動部は、前記剥離液供給部から前記基板に供給される前記剥離液の着液位置に対して前記接触部が近づく方向に、前記接触部と前記基板とを相対的に移動させる、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
前記移動部は、前記剥離液供給部から前記基板に供給される前記剥離液の着液位置に対して前記接触部が近づく方向に、前記接触部と前記基板とを相対的に移動させる、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記剥離液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液を含み、
前記剥離液供給部は、前記基板に前記硫酸を供給する硫酸供給部と、前記基板に前記過酸化水素水を供給する過水供給部とを有し、
前記硫酸供給部および前記過水供給部は、前記硫酸および前記過酸化水素水を前記基板上で混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記剥離液供給部は、前記基板に前記硫酸を供給する硫酸供給部と、前記基板に前記過酸化水素水を供給する過水供給部とを有し、
前記硫酸供給部および前記過水供給部は、前記硫酸および前記過酸化水素水を前記基板上で混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記過水供給部は、前記伝播部に配置される、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記剥離液供給部が前記基板に前記剥離液を供給し、前記超音波発生部が前記基板上の前記剥離液に前記超音波を伝播した後、前記剥離液に対する前記超音波の伝播を停止した状態で、前記剥離液供給部が前記基板に前記剥離液を供給する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板に、レジスト層を剥離する剥離液を供給する第１剥離液供給工程と、
超音波を発生する超音波発生部により前記基板上の前記剥離液に超音波を伝播する超音波伝播工程と
を含み、
前記超音波発生部は、
超音波を発生する超音波振動子と、
前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部と
を有し、
前記超音波伝播工程において、前記伝播部のうち樹脂製の接触部を前記基板上の前記剥離液に接触させて前記超音波を伝播する、基板処理方法。
超音波を発生する超音波発生部により前記基板上の前記剥離液に超音波を伝播する超音波伝播工程と
を含み、
前記超音波発生部は、
超音波を発生する超音波振動子と、
前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部と
を有し、
前記超音波伝播工程において、前記伝播部のうち樹脂製の接触部を前記基板上の前記剥離液に接触させて前記超音波を伝播する、基板処理方法。
【請求項14】
前記接触部は、可撓性を有する、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記超音波伝播工程において、前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させることによって、前記接触部が前記剥離液からの反力により上方に撓んだ状態で、前記剥離液に前記超音波を伝播する、請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記接触部の最下部は、湾曲形状を有する、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記超音波伝播工程において、前記基板に供給される前記剥離液の着液位置に対して前記接触部が近づく方向に、前記接触部と前記基板とを相対的に移動させる、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記剥離液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液を含み、
前記第１剥離液供給工程において、前記基板に前記硫酸および前記過酸化水素水を供給し、前記基板上で前記硫酸および前記過酸化水素水を混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記第１剥離液供給工程において、前記基板に前記硫酸および前記過酸化水素水を供給し、前記基板上で前記硫酸および前記過酸化水素水を混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記第１剥離液供給工程において、前記伝播部を介して前記過酸化水素水を前記基板に供給する、請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項20】
前記超音波伝播工程の後、前記剥離液に対する前記超音波の伝播を停止した状態で、前記基板に前記剥離液を供給する第２剥離液供給工程をさらに含む、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の製造に好適に用いられる。基板処理装置は、薬液等の処理液を用いて基板を処理する（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、基板に脱イオン水等の洗浄用溶液を供給し、基板上の洗浄用溶液にメガソニックエネルギーを与える洗浄装置が記載されている。特許文献１に記載の洗浄装置は、水晶、サファイア、炭化珪素または窒化ホウ素からなるプローブを備える。プローブは、基板上の洗浄用溶液に接触する一方、基板の上面から離隔して配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０００－５０８２３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１の洗浄装置では、プローブを、基板上の洗浄用溶液に接触させる。しかしながら、基板上の洗浄用溶液の厚みは薄く、プローブと基板の上面との間の距離が小さいため、プローブが基板に接触するおそれがある。この場合、プローブが基板に接触することによって、基板が損傷する。
【0005】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の損傷を抑制しながら、基板のレジスト層を効率良く剥離することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、剥離液供給部と、超音波発生部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持する。前記剥離液供給部は、前記基板保持部によって保持される前記基板に、レジスト層を剥離する剥離液を供給する。前記超音波発生部は、超音波を発生する。前記超音波発生部は、超音波を発生する超音波振動子と、前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部とを有する。前記伝播部は、樹脂製の接触部を有する。前記接触部は、前記基板上の前記剥離液に接触して前記超音波を伝播する。
【0007】
ある実施形態では、前記接触部は、可撓性を有する。
【0008】
ある実施形態では、基板処理装置は、移動部を備える。前記移動部は、前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる。前記接触部は、前記移動部によって前記接触部と前記基板とが相対的に移動する際に、前記剥離液からの反力によって上方に撓むように、構成されている。
【0009】
ある実施形態では、前記接触部の最下部は、湾曲形状を有する。
【0010】
ある実施形態では、前記接触部は、シート形状、ブラシ形状またはスポンジ形状を有する。
【0011】
ある実施形態では、前記基板処理装置は、移動部を備える。前記移動部は、前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる。前記接触部は、シート形状またはブラシ形状を有する。前記伝播部は、傾斜部を有する。前記傾斜部は、前記接触部の最下部に対して、前記接触部が前記基板に対して相対的に移動する移動方向の下流側に配置される。前記傾斜部は、前記移動方向の下流側に向かって上方に傾斜する。
【0012】
ある実施形態では、前記接触部は、袋状または円筒状に形成されている。
【0013】
ある実施形態では、前記接触部の内部には、液が充填されている。
【0014】
ある実施形態では、前記基板処理装置は、移動部を備える。前記移動部は、前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させる。前記移動部は、前記剥離液供給部から前記基板に供給される前記剥離液の着液位置に対して前記接触部が近づく方向に、前記接触部と前記基板とを相対的に移動させる。
【0015】
ある実施形態では、前記剥離液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液を含む。前記剥離液供給部は、前記基板に前記硫酸を供給する硫酸供給部と、前記基板に前記過酸化水素水を供給する過水供給部とを有する。前記硫酸供給部および前記過水供給部は、前記硫酸および前記過酸化水素水を前記基板上で混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する。
【0016】
ある実施形態では、前記過水供給部は、前記伝播部に配置される。
【0017】
ある実施形態では、前記剥離液供給部が前記基板に前記剥離液を供給し、前記超音波発生部が前記基板上の前記剥離液に前記超音波を伝播した後、前記剥離液に対する前記超音波の伝播を停止した状態で、前記剥離液供給部が前記基板に前記剥離液を供給する。
【0018】
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、基板に、レジスト層を剥離する剥離液を供給する第１剥離液供給工程と、超音波を発生する超音波発生部により前記基板上の前記剥離液に超音波を伝播する超音波伝播工程とを含む。前記超音波発生部は、超音波を発生する超音波振動子と、前記超音波振動子が発生させた前記超音波を伝播する伝播部とを有する。前記超音波伝播工程において、前記伝播部のうち樹脂製の接触部を前記基板上の前記剥離液に接触させて前記超音波を伝播する。
【0019】
ある実施形態では、前記接触部は、可撓性を有する。
【0020】
ある実施形態では、前記超音波伝播工程において、前記接触部と前記基板とを前記基板の上面に沿った方向に相対的に移動させることによって、前記接触部が前記剥離液からの反力により上方に撓んだ状態で、前記剥離液に前記超音波を伝播する。
【0021】
ある実施形態では、前記接触部の最下部は、湾曲形状を有する。
【0022】
ある実施形態では、前記超音波伝播工程において、前記基板に供給される前記剥離液の着液位置に対して前記接触部が近づく方向に、前記接触部と前記基板とを相対的に移動させる。
【0023】
ある実施形態では、前記剥離液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液を含む。前記第１剥離液供給工程において、前記基板に前記硫酸および前記過酸化水素水を供給し、前記基板上で前記硫酸および前記過酸化水素水を混合して前記硫酸過酸化水素水混合液を生成する。
【0024】
ある実施形態では、前記第１剥離液供給工程において、前記伝播部を介して前記過酸化水素水を前記基板に供給する。
【0025】
ある実施形態では、前記基板処理方法は、前記超音波伝播工程の後、前記剥離液に対する前記超音波の伝播を停止した状態で、前記基板に前記剥離液を供給する第２剥離液供給工程をさらに含む。
【発明の効果】
【0026】
本発明によれば、基板の損傷を抑制しながら、基板のレジスト層を効率良く剥離することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】第１実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】第１実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。
【図3】第１実施形態の基板処理装置のブロック図である。
【図4】基板の構造を模式的に示す拡大断面図である。
【図5】第１実施形態の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図6】接触部と基板とを相対的に移動させている状態を模式的に示す拡大図である。
【図7】第１実施形態の基板処理方法のフロー図である。
【図8】接触部と基板とが周方向に相対的に移動している状態を模式的に示す平面図である。
【図9】第１変形例による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図10】第２変形例による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図11】第２実施形態による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図12】第３変形例による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図13】第４変形例による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図14】第３実施形態による基板処理装置の超音波発生部および基板を模式的に示す平面図である。
【図15】第３実施形態による基板処理装置の基板保持部周辺の構造を示す模式図である。
【図16】第３実施形態による基板処理装置の基板保持部周辺の構造を示す模式図である。
【図17】第３実施形態の基板処理方法のフロー図である。
【図18】第５変形例による基板処理装置の超音波発生部周辺の構造を示す模式図である。
【図19】第４実施形態の基板処理方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。本実施形態では、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【0029】
【0030】
基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去、および、洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
【0031】
基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。
【0032】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液キャビネット１１０と、処理液ボックス１２０と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。
【0033】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液、リンス液、除去液および／または撥水剤を含む。処理液キャビネット１１０は、処理液を収容する。なお、処理液キャビネット１１０は、ガスを収容してもよい。
【0034】
具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１２０は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット１１０内の液体は、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。また、処理液キャビネット１１０内のガスは、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。
【0035】
典型的には、処理液キャビネット１１０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１１０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１１０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルタを有する。
【0036】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１により、基板処理ユニット１０は基板Ｗを処理する。
【0037】
制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。
【0038】
記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
【0039】
記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
【0040】
【0041】
図２に示すように、基板処理ユニット１０は、チャンバー１１と、送風ユニット１２と、基板保持部２０と、剥離液供給部３０と、リンス液供給部６０とを備える。
【0042】
チャンバー１１は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１内に収容され、チャンバー１１内で処理される。チャンバー１１には、基板保持部２０、剥離液供給部３０およびリンス液供給部６０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
【0043】
送風ユニット１２は、チャンバー１１の上部または上方に配置される。例えば、送風ユニット１２は、チャンバー１１の天面に配置される。送風ユニット１２は、チャンバー１１内に空気を送る。送風ユニット１２は、例えば、ファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）を含む。送風ユニット１２および排気装置（図示しない）により、チャンバー１１内にダウンフロー（下降流）が形成される。
【0044】
基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの下面（裏面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。例えば、基板Ｗの上面Ｗａには、リセスの形成された積層構造が設けられている。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。
【0045】
例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを下面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの下面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
【0046】
例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、スピンモーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。
【0047】
シャフト２３は、回転軸ＡＸに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。
【0048】
スピンベース２１は、円板状である。チャック部材２２は、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。スピンモーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。スピンモーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸ＡＸを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３およびスピンモーター２４を収容する。
【0049】
剥離液供給部３０は、基板Ｗに、レジスト層を剥離する剥離液を供給する。典型的には、剥離液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに剥離液を供給する。剥離液供給部３０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
【0050】
剥離液は、特に限定されるものではないが、例えば、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）を含む。ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水とが混合された硫酸過酸化水素水混合液である。基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度は、特に限定されるものではないが、例えば、８０℃以上１２０℃未満である。なお、基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度は、１２０℃以上であってもよいし、１５０℃以上であってもよい。また、基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度は、１８０℃以上であってもよいし、２００℃以上であってもよい。
【0051】
剥離液供給部３０は、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）が貯留されたタンクに接続され、タンク内のＳＰＭを基板Ｗに供給してもよい。また、剥離液供給部３０は、硫酸と過酸化水素水とを流路の途中で合流させ、ＳＰＭをノズルから基板Ｗに供給してもよい。第１実施形態では、剥離液供給部３０は、硫酸と過酸化水素水とを別々に基板Ｗに供給し、基板Ｗ上で硫酸と過酸化水素水とを混合させる。具体的には、剥離液供給部３０は、基板Ｗに硫酸を供給する硫酸供給部４０と、基板Ｗに過酸化水素水を供給する過水供給部５０とを有する。
【0052】
硫酸供給部４０は、基板Ｗに硫酸を供給する。典型的には、硫酸供給部４０は、基板Ｗの上面Ｗａに硫酸を供給する。硫酸供給部４０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
【0053】
硫酸供給部４０は、配管４２と、バルブ４４と、ノズル４６とを含む。ノズル４６は、基板Ｗの上面Ｗａに硫酸を吐出する。ノズル４６は、配管４２に接続される。配管４２には、供給源から硫酸が供給される。
【0054】
バルブ４４は、配管４２内の流路を開閉する。バルブ４４は、配管４２の開度を調節して、配管４２に供給される硫酸の流量を調整する。具体的には、バルブ４４は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0055】
ノズル４６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されてもよい。硫酸供給部４０は、ノズル移動部４８をさらに有してもよい。ノズル移動部４８は、ノズル４６を昇降してもよく、ノズル４６を回動軸線の周りに水平回動させてもよい。ノズル移動部４８は、ノズル４６を昇降させる。例えば、ノズル移動部４８は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。また、ノズル移動部４８は、ノズル４６を水平回動させる。例えば、ノズル移動部４８は、電動モーターを含む。
【0056】
第１実施形態では、硫酸がノズル４６から基板Ｗに供給される間、ノズル移動部４８は、ノズル４６を水平方向に往復させる。具体的には、ノズル移動部４８は、基板Ｗに対する硫酸の着液位置が基板Ｗの中央部と縁部との間で往復するように、ノズル４６を移動させる。これにより、基板Ｗに対する硫酸の着液位置が移動する。なお、硫酸がノズル４６から基板Ｗに供給される間、ノズル４６は固定されていてもよい。
【0057】
過水供給部５０は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する。典型的には、過水供給部５０は、基板Ｗの上面Ｗａに過酸化水素水を供給する。過水供給部５０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
【0058】
過水供給部５０は、配管５２と、バルブ５４と、ノズル５６とを有する。ノズル５６は、基板Ｗの上面Ｗａに過酸化水素水を吐出する。ノズル５６は、配管５２に接続される。配管５２には、供給源から過酸化水素水が供給される。バルブ５４は、配管５２内の流路を開閉する。バルブ５４は、配管５２の開度を調節して、配管５２に供給される過酸化水素水の流量を調整する。具体的には、バルブ５４は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0059】
ノズル５６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されてもよい。例えば、ノズル５６は、ノズル４６と一体で移動するように構成されてもよい。第１実施形態では、ノズル５６は、ノズル４６と一体で移動するように構成される。つまり、ノズル移動部４８は、ノズル４６およびノズル５６の両方を移動させる。この場合、ノズル４６とノズル５６とは、互いに固定されていてもよい。また、この場合、剥離液供給部３０は、ノズル４６とノズル５６とを保持する保持部材を有してもよい。
【0060】
また、例えば、ノズル５６は、ノズル４６とは別々に移動するように構成されてもよい。この場合、過水供給部５０は、ノズル移動部（図示せず）をさらに有してもよい。ノズル移動部（図示せず）は、ノズル５６を昇降してもよく、ノズル５６を回動軸線の周りに水平回動させてもよい。ノズル移動部（図示せず）は、例えば、ノズル移動部４８と同様に構成される。
【0061】
リンス液供給部６０は、基板Ｗにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部６０は、基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を供給する。リンス液供給部６０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
【0062】
例えば、リンス液として、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）が挙げられる。第１実施形態では、リンス液は、脱イオン水（ＤＩＷ）である。
【0063】
リンス液供給部６０は、配管６２と、バルブ６４と、ノズル６６とを含む。ノズル６６は、基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を吐出する。ノズル６６は、配管６２に接続される。配管６２には、供給源からリンス液が供給される。
【0064】
バルブ６４は、配管６２内の流路を開閉する。バルブ６４は、配管６２の開度を調節して、配管６２に供給されるリンス液の流量を調整する。具体的には、バルブ６４は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
【0065】
ノズル６６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されてもよい。リンス液供給部６０は、ノズル移動部６８をさらに有してもよい。ノズル移動部６８は、ノズル６６を昇降してもよく、ノズル６６を回動軸線の周りに水平回動させてもよい。ノズル移動部６８は、例えば、ノズル移動部４８と同様に構成される。
【0066】
第１実施形態では、基板処理ユニット１０は、超音波を発生する超音波発生部７０を備える。超音波発生部７０は、超音波を発生する超音波振動子７１と、超音波振動子７１が発生させた超音波を伝播する伝播部７２とを有する。超音波振動子７１は、特に限定されるものではないが、例えば、ピエゾ素子（圧電素子）を含む。伝播部７２は、超音波振動子７１が発生させた超音波を対象物に伝播する。第１実施形態では、対象物は、基板Ｗ上の剥離液を含む。
【0067】
伝播部７２は、基板Ｗ上の剥離液に接触して超音波を伝播する接触部７３（図５参照）を有する。接触部７３は、樹脂製である。伝播部７２は、全体が樹脂によって形成されていてもよいし、樹脂と樹脂以外の材料とによって形成されていてもよい。接触部７３を構成する樹脂としては、例えば、耐薬品性および耐熱性を有する樹脂が挙げられる。具体的には、接触部７３を構成する樹脂としては、例えば、ＰＦＡ等のフッ素を含有する樹脂が挙げられる。樹脂以外の材料としては、耐薬品性および耐熱性を有し、且つ、超音波を伝播する効率の高い材料が挙げられる。具体的には、樹脂以外の材料としては、例えば、石英が挙げられる。
【0068】
接触部７３は、基板Ｗに対して移動可能に構成されてもよい。例えば、接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６と一体で移動するように構成されてもよいし、ノズル４６およびノズル５６とは別々に移動するように構成されてもよい。第１実施形態では、接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６と一体で移動するように構成される。つまり、ノズル移動部４８は、ノズル４６、ノズル５６および接触部７３の全てを移動させる。この場合、ノズル４６、ノズル５６および接触部７３は、互いに固定されていてもよい。また、この場合、剥離液供給部３０は、ノズル４６、ノズル５６および接触部７３等を保持する保持部材を有してもよい。
【0069】
基板処理ユニット１０は、カップ９０をさらに備える。カップ９０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ９０は昇降する。例えば、カップ９０は、硫酸供給部４０、過水供給部５０および／またはリンス液供給部６０が基板Ｗに硫酸、過酸化水素水および／またはリンス液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ９０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する硫酸、過酸化水素水および／またはリンス液を回収する。また、カップ９０は、硫酸供給部４０、過水供給部５０および／またはリンス液供給部６０が基板Ｗに硫酸、過酸化水素水および／またはリンス液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。
【0070】
上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、送風ユニット１２、基板保持部２０、剥離液供給部３０（硫酸供給部４０、過水供給部５０）、リンス液供給部６０、超音波発生部７０および／またはカップ９０を制御する。一例では、制御部１０２は、送風ユニット１２、スピンモーター２４、バルブ４４、５４、６４、ノズル移動部４８、６８、超音波発生部７０および／またはカップ９０を制御する。
【0071】
第１実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。
【0072】
【0073】
図３に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、送風ユニット１２、基板保持部２０、剥離液供給部３０（硫酸供給部４０、過水供給部５０）、リンス液供給部６０、超音波発生部７０およびカップ９０を制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、送風ユニット１２、基板保持部２０、剥離液供給部３０（硫酸供給部４０、過水供給部５０）、リンス液供給部６０、超音波発生部７０およびカップ９０に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、送風ユニット１２、基板保持部２０、剥離液供給部３０（硫酸供給部４０、過水供給部５０）、リンス液供給部６０、超音波発生部７０およびカップ９０を制御する。
【0074】
また、記憶部１０４は、コンピュータプログラムおよびデータを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容、処理手順および基板処理条件を規定する。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
【0075】
制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。
【0076】
制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数のチャンバー１１のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗをチャンバー１１から受け取って、基板Ｗを搬出する。
【0077】
制御部１０２は、送風ユニット１２を制御して、チャンバー１１内に空気を送る。例えば、制御部１０２は、送風ユニット１２および排気装置（図示せず）を制御して、チャンバー１１内にダウンフローを形成する。
【0078】
制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板Ｗの脱着、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板保持部２０の回転速度を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０のスピンモーター２４の回転速度を変更することによって、基板Ｗの回転速度を変更できる。
【0079】
制御部１０２は、硫酸供給部４０のバルブ４４を制御して、バルブ４４の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、硫酸供給部４０のバルブ４４を制御して、バルブ４４を開状態にすることによって、ノズル４６に向かって配管４２内を流れる硫酸を通過させることができる。また、制御部１０２は、硫酸供給部４０のバルブ４４を制御して、バルブ４４を閉状態にすることによって、ノズル４６に向かって配管４２内を流れる硫酸の供給を停止させることができる。
【0080】
制御部１０２は、バルブ５４を制御して、バルブ５４の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、バルブ５４を制御して、バルブ５４を開状態にすることによって、ノズル５６に向かって配管５２内を流れる過酸化水素水を通過させることができる。また、制御部１０２は、バルブ５４を制御して、バルブ５４を閉状態にすることによって、ノズル５６に向かって配管５２内を流れる過酸化水素水の供給を停止させることができる。
【0081】
制御部１０２は、リンス液供給部６０のバルブ６４を制御して、バルブ６４の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、リンス液供給部６０のバルブ６４を制御して、バルブ６４を開状態にすることによって、ノズル６６に向かって配管６２内を流れるリンス液を通過させることができる。また、制御部１０２は、リンス液供給部６０のバルブ６４を制御して、バルブ６４を閉状態にすることによって、ノズル６６に向かって配管６２内を流れるリンス液の供給を停止させることができる。
【0082】
制御部１０２は、超音波発生部７０の超音波振動子７１を制御して、超音波を発生させたり、超音波の発生を停止させたりすることができる。具体的には、制御部１０２は、超音波振動子７１を制御して、超音波を発生させることによって、伝播部７２を介して対象物に超音波を伝播することができる。また、制御部１０２は、超音波振動子７１を制御して、超音波の発生を停止させることによって、対象物に対する超音波の伝播を停止させることができる。
【0083】
制御部１０２は、カップ９０を制御して基板Ｗに対してカップ９０を移動させてもよい。具体的には、制御部１０２は、硫酸供給部４０、過水供給部５０および／またはリンス液供給部６０が基板Ｗに硫酸、過酸化水素水および／またはリンス液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方にカップ９０を上昇させる。また、制御部１０２は、硫酸供給部４０、過水供給部５０および／またはリンス液供給部６０が基板Ｗに硫酸、過酸化水素水および／またはリンス液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方にカップ９０を下降させる。
【0084】
【0085】
図４に示すように、基板Ｗは、基材２０１と、基材２０１上に配置されるレジスト層２０３とを有する。なお、基板Ｗは、基材２０１とレジスト層２０３との間に配置される接着層（図示せず）等をさらに有してもよい。この場合、接着層（図示せず）は、基材２０１とレジスト層２０３とを接着する、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ：Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）等の樹脂であってもよい。
【0086】
基材２０１は、例えば、シリコンウエハなどの半導体ウエハである。第１実施形態では、基材２０１は、シリコンウエハである。
【0087】
レジスト層２０３は、樹脂からなる。レジスト層２０３は、特に限定されるものではないが、例えば、フォトレジスト材料からなる。レジスト層２０３は、少なくとも基材２０１とは反対側（上側）に配置される硬化層２０３ａを有する。具体的には、半導体素子の製造工程は、例えば、基板Ｗの上面Ｗａにリン、ヒ素、ホウ素などの不純物（イオン）を注入するイオン注入工程を含む。イオン注入工程では、イオン注入が不要な部分にマスクとしてのレジスト層２０３を形成した後、基板Ｗに対してイオン注入が行われる。このとき、レジスト層２０３の上面側の部分には、イオン注入によって硬化した硬化層２０３ａが形成される。
【0088】
第１実施形態では、レジスト層２０３は、例えば、硬化層２０３ａと、非硬化層２０３ｂとを含む。硬化層２０３ａは、非硬化層２０３ｂよりも硬い。硬化層２０３ａは、イオン注入によって硬化された層である。非硬化層２０３ｂは、レジスト層２０３のうち基材２０１側（下側）に配置される。
【0089】
次に、図５および図６を参照して、超音波発生部７０周辺の構造について説明する。図５は、第１実施形態の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。図６は、接触部７３と基板Ｗとを相対的に移動させている状態を模式的に示す拡大図である。なお、第１実施形態では、ノズル４６、ノズル５６および伝播部７２が互いに固定される例について説明する。
【0090】
図５に示すように、超音波発生部７０は、ノズル４６およびノズル５６に固定される。具体的には、剥離液供給部３０は、ノズル４６とノズル５６とを保持する保持部材３１を有する。ノズル移動部４８（図２参照）は、保持部材３１を移動させることによって、ノズル４６およびノズル５６を移動させる。
【0091】
超音波発生部７０は、例えば、保持部材３１に固定される。超音波発生部７０の保持部材３１に対する固定方法は特に限定されるものではないが、例えば、超音波発生部７０の超音波振動子７１は、ねじ等の固定部材（図示せず）を用いて保持部材３１に固定される。
【0092】
伝播部７２は、超音波振動子７１の下方に配置される。第１実施形態では、伝播部７２は、接触部７３と、接続部７４とを有する。接続部７４は、超音波振動子７１と接触部７３とを接続する。接続部７４は、例えば、石英によって形成される。なお、伝播部７２は、接続部７４を有しなくてもよい。
【0093】
第１実施形態では、接触部７３は、可撓性を有する。具体的には、接触部７３は、シート形状、ブラシ形状またはスポンジ形状を有する。第１実施形態では、接触部７３は、シート形状を有する。接触部７３は、例えば、数１０μｍ以上、数ｍｍ以下の厚みを有する。接触部７３は、例えば、０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下の厚みを有することが好ましい。接触部７３の厚みを０．１ｍｍ以上にすることによって、超音波が接触部７３を伝播しにくくなることを抑制できる。また、接触部７３の厚みを１ｍｍ以下にすることによって、接触部７３が撓みにくくなることを抑制できる。
【0094】
接触部７３は、例えば、レジスト層２０３に比べて低い硬度を有する。具体的には、接触部７３は、レジスト層２０３の硬化層２０３ａに比べて低い硬度を有する。
【0095】
接触部７３の幅は、特に限定されるものではないが、例えば、数ｍｍ以上、１０ｍｍ以下である。接触部７３の幅とは、図５において紙面に対して垂直な方向である。なお、接触部７３の幅は、例えば、１ｍｍ以下であってもよいし、１０ｍｍより大きくてもよい。また、接触部７３の幅は、基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径より大きくてもよい。
【0096】
また、接触部７３の最下部７３ａは、湾曲形状を有する。接触部７３の最下部７３ａは、接触部７３を基板Ｗの上方から下降させた際に、基板Ｗに最初に接触する部分である。
【0097】
また、接触部７３は、接触部７３と基板Ｗとが基板Ｗの上面Ｗａに沿った方向（水平方向）に相対的に移動する際に、剥離液からの反力によって上方に撓むように、構成されている。具体的には、図６に示すように、例えば、超音波発生部７０の位置を固定した状態で、スピンモーター２４およびシャフト２３が回転して基板保持部２０上の基板Ｗを回転させた場合、接触部７３は、剥離液Ｌａからの反力によって上方に撓む。これにより、接触部７３と基板Ｗとが相対的に移動する際に、接触部７３が基板Ｗの上面Ｗａに接触することを抑制できる。つまり、接触部７３と基板Ｗとが相対的に移動していない状態で接触部７３が基板Ｗの上面Ｗａに接触するように、接触部７３が配置された場合であっても、接触部７３と基板Ｗとを相対的に移動させることによって、接触部７３が撓むので、接触部７３が基板Ｗに接触することを抑制できる。ただし、接触部７３と基板Ｗとが相対的に移動していない状態で接触部７３が基板Ｗの上面Ｗａに接触しないように、接触部７３が配置されることが望ましい。なお、第１実施形態では、スピンモーター２４およびシャフト２３は、本発明の「移動部」の一例である。
【0098】
また、図５に示すように、伝播部７２は、傾斜部７６を有する。傾斜部７６は、接触部７３が基板Ｗに対して相対的に移動する移動方向（図５および図６において左方向）の下流側に向かって上方に傾斜する。傾斜部７６は、接触部７３の最下部７３ａに対して、接触部７３が基板Ｗに対して相対的に移動する方向の下流側に配置される。傾斜部７６は、接触部７３の一部によって構成されてもよいし、接続部７４の一部によって構成されてもよい。第１実施形態では、傾斜部７６は、接触部７３の一部と、接続部７４の一部とによって構成される。
【0099】
なお、第１実施形態では、移動部（スピンモーター２４およびシャフト２３）は、剥離液供給部３０から基板Ｗに供給された剥離液Ｌａの着液位置に対して接触部７３が近づく方向（図５および図６において左方向）に、接触部７３と基板Ｗとを相対的に移動させる。第１実施形態では、剥離液Ｌａの着液位置は、ノズル４６およびノズル５６の真下の位置を含む。
【0100】
以上、図１～図６を参照して説明したように、第１実施形態では、超音波発生部７０の伝播部７２は、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに接触して超音波を伝播する接触部７３を有する。従って、接触部７３を剥離液Ｌａに接触させる際に接触部７３が基板Ｗに接触した場合であっても、接触部７３は樹脂製であるため、基板Ｗが損傷することを抑制できる。また、基板Ｗのレジスト層２０３上の剥離液Ｌａに超音波を付与するため、剥離液Ｌａによる化学的作用と、超音波による物理的作用との両方によって、レジスト層２０３を剥離できる。よって、レジスト層２０３を効率良く剥離することができる。これらの結果、基板Ｗの損傷を抑制しながら、基板Ｗのレジスト層２０３を効率良く剥離することができる。
【0101】
また、上記のように、接触部７３は、可撓性を有する。従って、接触部７３が基板Ｗに接触した場合であっても、接触部７３が撓むので、基板Ｗが損傷することをより抑制できる。
【0102】
また、上記のように、接触部７３は、接触部７３と基板Ｗとが基板Ｗの上面Ｗａに沿った方向に相対的に移動する際に、剥離液Ｌａからの反力によって上方に撓むように、構成されている。従って、接触部７３と基板Ｗとを相対的に移動させることによって、接触部７３が基板Ｗに接触することを抑制できる。よって、基板Ｗが損傷することをさらに抑制できる。
【0103】
また、上記のように、接触部７３の最下部７３ａは、湾曲形状を有する。従って、接触部７３が基板Ｗに接触した場合であっても、基板Ｗが損傷することをさらに抑制できる。
【0104】
また、上記のように、接触部７３は、シート形状、ブラシ形状またはスポンジ形状を有する。従って、可撓性を有するように、容易に接触部７３を形成できる。
【0105】
また、上記のように、接触部７３は、シート形状を有し、伝播部７２は、接触部７３の最下部７３ａに対して、接触部７３が基板Ｗに対して相対的に移動する移動方向の下流側に配置される傾斜部７６を有し、傾斜部７６は、上記移動方向の下流側に向かって上方に傾斜する。従って、接触部７３と基板Ｗとを基板Ｗの上面Ｗａに沿った方向に相対的に移動させた際に、接触部７３を、剥離液Ｌａからの反力によって上方に撓みやすくできる。よって、基板Ｗが損傷することをさらに抑制できる。なお、接触部７３がブラシ形状を有する場合も、同様の効果が得られる。
【0106】
また、上記のように、移動部（スピンモーター２４およびシャフト２３）は、剥離液供給部３０から基板Ｗに供給された剥離液Ｌａの着液位置に対して接触部７３が近づくように、接触部７３と基板Ｗとを相対的に移動させる。従って、基板Ｗに供給された直後の剥離液Ｌａに超音波を付与することができるので、レジスト層２０３をより効率良く剥離できる。
【0107】
また、上記のように、硫酸供給部４０および過水供給部５０は、硫酸および過酸化水素水を基板Ｗ上で混合してＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）を生成する。従って、基板Ｗ上でカロ酸が生成されるので、レジスト層２０３に対する剥離力をさらに向上させることができる。
【0108】
次に、図７および図８を参照して、第１実施形態の基板処理方法を説明する。図７は、第１実施形態の基板処理方法のフロー図である。図８は、接触部７３と基板Ｗとが周方向に相対的に移動している状態を模式的に示す平面図である。第１実施形態の基板処理装置１００による基板処理方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０９を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０９は、制御部１０２によって実行される。なお、ステップＳ１０３は、本発明の「第１剥離液供給工程」の一例である。また、ステップＳ１０４は、本発明の「超音波伝播工程」の一例である。
【0109】
図７に示すように、ステップＳ１０１において、基板Ｗをチャンバー１１に搬入する。制御部１０２の制御により、センターロボットＣＲは、基板Ｗをチャンバー１１に搬入し、基板保持部２０は、搬入された基板Ｗを保持する。
【0110】
次に、ステップＳ１０２において、基板Ｗの回転を開始する。制御部１０２の制御により、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗの回転を開始する。なお、第１実施形態では、基板Ｗの回転速度は、特に限定されるものではないが、例えば、基板Ｗの回転速度は、ステップＳ１０３においてアルカリ液が基板Ｗの上面Ｗａの全体に広がることが可能な速度である。第１実施形態では、基板Ｗの回転速度は、低速度（例えば、１０ｒｐｍ）である。なお、基板Ｗの回転速度は、高速度（例えば、５００ｒｐｍ以上、２０００ｒｐｍ以下）であってもよい。
【0111】
次に、ステップＳ１０３において、剥離液Ｌａを基板Ｗに供給して、基板Ｗを剥離処理する。制御部１０２の制御により、基板保持部２０によって回転する基板Ｗに対して、剥離液供給部３０は、ノズル４６から硫酸を供給し、ノズル５６から過酸化水素水を供給する。これにより、基板Ｗ上で硫酸と過酸化水素水とが混合され、ＳＰＭが生成される。なお、基板Ｗに供給される過酸化水素水の温度は、特に限定されるものではないが、例えば、室温（約２５℃）である。また、基板Ｗに供給される硫酸の温度は、特に限定されるものではないが、例えば、８０℃以上、１２０℃以下である。
【0112】
次に、ステップＳ１０４において、超音波を発生させて、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。制御部１０２の制御により、超音波発生部７０の超音波振動子７１で超音波を発生させて、基板Ｗの剥離液Ｌａに超音波を伝播する。
【0113】
具体的には、ステップＳ１０３でノズル４６およびノズル５６から基板Ｗに剥離液Ｌａを供給する際に、ノズル４６およびノズル５６は、基板Ｗの上方に配置される。第１実施形態では、超音波発生部７０の伝播部７２は、保持部材３１に固定されているため、伝播部７２も基板Ｗの上方に配置される。そして、ノズル４６およびノズル５６が基板Ｗに剥離液Ｌａを供給することにより、伝播部７２の接触部７３は、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに接触する。ただし、ノズル４６およびノズル５６が基板Ｗに剥離液Ｌａを供給した際に、接触部７３が基板Ｗ上の剥離液Ｌａから離隔する高さに配置されている場合は、ステップＳ１０４で接触部７３が基板Ｗ上の剥離液Ｌａに接触するように、ノズル移動部４８によって接触部７３を下降させる。なお、ステップＳ１０３およびステップＳ１０４において、接触部７３は、基板Ｗの上面Ｗａに接触しない高さに配置される。つまり、ステップＳ１０３およびステップＳ１０４において、接触部７３が基板Ｗの上面Ｗａに接触しないように、接触部７３の高さが設定されている。
【0114】
そして、超音波振動子７１が超音波を発生させることにより、超音波は、伝播部７２を介して基板Ｗ上の剥離液Ｌａに伝播する。なお、超音波振動子７１が超音波の発生を開始するタイミングは、伝播部７２が剥離液Ｌａに接触した後でもよいし、接触する前でもよい。
【0115】
また、図８に示すように、接触部７３は、基板Ｗに対して相対的に移動しながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。第１実施形態では、基板Ｗは回転している一方、接触部７３は、基板Ｗの回転方向に移動しない。よって、接触部７３は、基板Ｗの回転方向において、基板Ｗに対して相対的に移動する。なお、図８の破線矢印で示すように、接触部７３は、ノズル移動部４８によって、剥離液Ｌａに対する接触位置が基板Ｗの中央部と縁部との間で往復するように、移動される。
【0116】
そして、制御部１０２は、超音波の発生を開始してから所定時間が経過すると、超音波の発生を停止する。
【0117】
次に、ステップＳ１０５において、過酸化水素水を基板Ｗに供給する。制御部１０２の制御により、基板保持部２０によって回転する基板Ｗに対して、過水供給部５０は、ノズル５６から過酸化水素水を供給する。具体的には、硫酸供給部４０は、ノズル４６から基板Ｗへの硫酸の供給を停止する。これにより、基板Ｗの上面Ｗａの剥離液Ｌａが過酸化水素水に置換される。なお、ステップＳ１０５における基板Ｗの回転速度は、低速度（例えば、１０ｒｐｍ）であってもよいし、高速度（例えば、５００ｒｐｍ以上、２０００ｒｐｍ以下）であってもよい。第１実施形態では、基板Ｗの回転速度は、高速度である。
【0118】
そして、制御部１０２は、過酸化水素水の供給を開始してから所定時間が経過すると、過酸化水素水の供給を停止する。言い換えると、制御部１０２は、硫酸の供給を停止してから所定時間が経過すると、過酸化水素水の供給を停止する。
【0119】
次に、ステップＳ１０６において、基板Ｗにリンス液を供給して基板Ｗをリンス処理する。制御部１０２の制御により、リンス液供給部６０は、ノズル６６から基板Ｗにリンス液を供給する。例えば、リンス液供給部６０は、リンス液としてＤＩＷを供給する。そして、制御部１０２は、リンス液の供給を開始してから所定時間が経過すると、リンス液の供給を停止する。
【0120】
なお、第１実施形態では、ステップＳ１０５およびステップＳ１０６で、超音波の発生を停止している例について説明したが、例えば、ステップＳ１０５またはステップＳ１０６が終了するまで、超音波を発生させてもよい。
【0121】
次に、ステップＳ１０７において、基板Ｗを乾燥する。制御部１０２の制御により、基板保持部２０は、基板Ｗの回転速度を増加させて基板Ｗ上のリンス液を遠心力によって吹き飛ばす。
【0122】
次に、ステップＳ１０８において、基板Ｗの回転を停止する。制御部１０２の制御により、基板保持部２０は、基板Ｗの回転を停止する。
【0123】
次に、ステップＳ１０９において、基板処理ユニット１０から基板Ｗを取り出す。制御部１０２の制御により、基板保持部２０は基板Ｗの保持を解除し、センターロボットＣＲは、チャンバー１１から基板Ｗを取り出す。その後、基板Ｗは、インデクサーロボットＩＲを介して基板処理装置１００の外部に搬送される。
【0124】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0125】
（第１変形例）
次に、図９を参照して、本発明の第１変形例による基板処理装置１００について説明する。図９は、第１変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第１変形例では、第１実施形態とは異なり、接触部７３がノズル４６およびノズル５６とは別々に移動する例について説明する。
次に、図９を参照して、本発明の第１変形例による基板処理装置１００について説明する。図９は、第１変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第１変形例では、第１実施形態とは異なり、接触部７３がノズル４６およびノズル５６とは別々に移動する例について説明する。
【0126】
図９に示すように、超音波発生部７０の接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６とは別々に移動するように構成されている。具体的には、接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６に対して固定されていない。基板処理装置１００は、超音波発生部７０を移動させる移動部７８をさらに有する。移動部７８は、超音波発生部７０の接触部７３を昇降してもよく、接触部７３を回動軸線の周りに水平回動させてもよい。また、移動部７８は、接触部７３を水平に往復直線移動させてもよい。
【0127】
第１変形例では、上記のように、接触部７３をノズル４６およびノズル５６とは別々に移動させる。従って、制御部１０２の制御により、例えば、硫酸および過酸化水素水が混合されてから所定時間経過後に、着液位置（硫酸と過酸化水素水とが混合される位置）に接触部７３を配置できる。これにより、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるカロ酸が最も活性化するタイミングで、着液位置に接触部７３を配置して超音波を付与できる。よって、レジスト層２０３をより効果的に剥離できる。
【0128】
第１変形例のその他の構成、基板処理方法および効果は、第１実施形態と同様である。
【0129】
（第２変形例）
次に、図１０を参照して、本発明の第２変形例による基板処理装置１００について説明する。図１０は、第２変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第２変形例では、第１実施形態とは異なり、過水供給部５０が伝播部７２に配置される例について説明する。
次に、図１０を参照して、本発明の第２変形例による基板処理装置１００について説明する。図１０は、第２変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第２変形例では、第１実施形態とは異なり、過水供給部５０が伝播部７２に配置される例について説明する。
【0130】
図１０に示すように、過水供給部５０は、伝播部７２に配置される。ノズル５６は、超音波振動子７１および／または伝播部７２に固定される。第２変形例では、過水供給部５０のノズル５６は、伝播部７２に配置される。過水供給部５０は、伝播部７２を介して基板Ｗに過酸化水素水を供給する。具体的には、ノズル５６は、例えば、伝播部７２に向けて過酸化水素水を吐出する。
【0131】
第２変形例では、ノズル５６から吐出された過酸化水素水は、伝播部７２を伝って基板Ｗに供給される。そして、接触部７３の近傍において、硫酸と過酸化水素水とが混合される。なお、過水供給部５０から吐出される過酸化水素水の温度は、硫酸供給部４０から吐出される硫酸の温度よりも低い。第２変形例では、過水供給部５０から吐出される過酸化水素水の温度は、例えば、室温（約２５℃）である。
【0132】
第２変形例では、上記のように、過水供給部５０は、伝播部７２に配置される。そして、過水供給部５０は、伝播部７２を介して基板Ｗに過酸化水素水を供給する。ここで、過水供給部５０から基板Ｗに供給される過酸化水素水の温度は、例えば、室温（約２５℃）であり、硫酸供給部４０が供給する硫酸の温度、および、ＳＰＭの温度よりも低い。従って、高温の薬液（硫酸および／またはＳＰＭ）が伝播部７２に接触することを、過水供給部５０または過酸化水素水によって抑制できる。よって、伝播部７２が劣化することを抑制できる。
【0133】
なお、第２変形例では、伝播部７２がノズル４６およびノズル５６と一体で移動するように構成される例について示した。しかしながら、例えば、第１変形例と同様、伝播部７２は、ノズル４６および／またはノズル５６とは別々に移動するように構成されてもよい。
【0134】
また、第２変形例では、基板Ｗに対して過酸化水素水を直接供給する過水供給部５０を設けない例について示した。しかしながら、第１実施形態および第１変形例と同様、基板Ｗに対して過酸化水素水を直接供給する過水供給部５０を設けてもよい。つまり、伝播部７２を介して基板Ｗに過酸化水素水を供給する過水供給部５０と、基板Ｗに対して過酸化水素水を直接供給する過水供給部５０との両方を設けてもよい。
【0135】
第２変形例のその他の構成、基板処理方法および効果は、第１実施形態と同様である。
【0136】
（第２実施形態）
次に、図１１を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１１は、第２実施形態による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、接触部７３が袋状または円筒状に形成されている例について説明する。
次に、図１１を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１１は、第２実施形態による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、接触部７３が袋状または円筒状に形成されている例について説明する。
【0137】
図１１に示すように、接触部７３は、袋状または円筒状に形成されている。接触部７３は、第１実施形態と同様、可撓性を有する。また、接触部７３は、第１実施形態と同様、例えば、ＰＦＡ等のフッ素を含有する樹脂によって形成されている。接触部７３の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、数μｍ以上、１ｍｍ以下である。接触部７３の厚みは、数１００μｍ以下であることが好ましい。
【0138】
接触部７３が袋状である場合、接触部７３の直径は、例えば、数１００μｍ以上、１０ｍｍ以下である。接触部７３が袋状である場合、接触部７３の直径は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であってもよい。
【0139】
接触部７３が円筒状である場合、接触部７３の直径は、例えば、数１００μｍ以上、１０ｍｍ以下である。接触部７３が円筒状である場合、接触部７３の直径は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であってもよい。また、接触部７３が円筒状である場合、接触部７３の幅は、第１実施形態と同様、特に限定されるものではないが、例えば、数ｍｍ以上、１０ｍｍ以下である。なお、接触部７３の幅は、１ｍｍ以下であってもよいし、１０ｍｍより大きくてもよい。また、接触部７３の幅は、基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径より大きくてもよい。
【0140】
接触部７３は、例えば、中空であってもよい。つまり、接触部７３の内部は、空気等のガスが入っていてもよい。または、接触部７３の内部には、液Ｌｂが充填されていてもよい。第２実施形態では、接触部７３の内部には、液Ｌｂが充填されている。接触部７３の内部に充填される液Ｌｂの種類は、特に限定されるものではないが、例えば、純水、過酸化水素水または硫酸であってもよい。なお、接触部７３が円筒状であり、かつ、接触部７３の内部に液Ｌｂを充填する場合、接触部７３の両端は、塞がっていてもよい。
【0141】
第２実施形態では、上記のように、接触部７３は、袋状または円筒状に形成されている。従って、可撓性を有するように、容易に接触部７３を形成できる。また、接触部７３を袋状または円筒状に形成することによって、最下部７３ａが湾曲形状を有するように、容易に接触部７３を形成できる。
【0142】
また、上記のように、接触部７３の内部には、液Ｌｂが充填されている。従って、超音波振動子７１から接触部７３に伝播した超音波を、接触部７３内の液Ｌｂを介して、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに伝播させることができる。よって、接触部７３が中空である場合に比べて、超音波を効率良く剥離液Ｌａに伝播できる。
【0143】
第２実施形態のその他の構成、基板処理方法および効果は、第１実施形態と同様である。
【0144】
（第３変形例）
次に、図１２を参照して、本発明の第３変形例による基板処理装置１００について説明する。図１２は、第３変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第３変形例では、第２実施形態とは異なり、接触部７３がノズル４６およびノズル５６とは別々に移動する例について説明する。
次に、図１２を参照して、本発明の第３変形例による基板処理装置１００について説明する。図１２は、第３変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第３変形例では、第２実施形態とは異なり、接触部７３がノズル４６およびノズル５６とは別々に移動する例について説明する。
【0145】
図１２に示すように、図９に示した第１変形例と同様、超音波発生部７０の接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６とは別々に移動するように構成されている。具体的には、接触部７３は、ノズル４６およびノズル５６に対して固定されていない。基板処理装置１００は、超音波発生部７０を移動させる移動部７８をさらに有する。
【0146】
第３変形例のその他の構成、基板処理方法および効果は、第２実施形態および第１変形例と同様である。
【0147】
（第４変形例）
次に、図１３を参照して、本発明の第４変形例による基板処理装置１００について説明する。図１３は、第４変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第４変形例では、第２実施形態とは異なり、過水供給部５０が伝播部７２に配置される例について説明する。
次に、図１３を参照して、本発明の第４変形例による基板処理装置１００について説明する。図１３は、第４変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第４変形例では、第２実施形態とは異なり、過水供給部５０が伝播部７２に配置される例について説明する。
【0148】
図１３に示すように、過水供給部５０は、伝播部７２に配置される。過水供給部５０は、伝播部７２を介して基板Ｗに過酸化水素水を供給する。具体的には、第４変形例では、袋状または円筒状の接触部７３の内部には、過酸化水素水が供給される。第４変形例では、接触部７３の少なくとも一部には、接触部７３の内部と外部とを連通する連通孔７３ｂが形成されている。従って、接触部７３の内部に供給された過酸化水素水は、連通孔７３ｂを介して基板Ｗに供給される。つまり、第４変形例では、接触部７３は、過水供給部５０のノズルとして機能する。このように、第４変形例では、接触部７３は、過水供給部５０の一部を構成する。
【0149】
第４変形例では、過酸化水素水は、接触部７３から基板Ｗに供給される。そして、接触部７３の近傍において、硫酸と過酸化水素水とが混合される。
【0150】
なお、第４変形例では、接触部７３がノズル４６およびノズル５６と一体で移動するように構成される例について示した。しかしながら、例えば、第３変形例と同様、接触部７３は、ノズル４６および／またはノズル５６とは別々に移動するように構成されてもよい。
【0151】
また、第４変形例では、基板Ｗに対して過酸化水素水を直接供給する過水供給部５０を設けない例について示した。しかしながら、第２実施形態および第３変形例と同様、基板Ｗに対して過酸化水素水を直接供給する過水供給部５０を設けてもよい。
【0152】
第４変形例のその他の構成、基板処理方法および効果は、第２実施形態と同様である。
【0153】
（第３実施形態）
次に、図１４～図１６を参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１４は、第３実施形態による基板処理装置１００の超音波発生部７０および基板Ｗを模式的に示す平面図である。図１５および図１６は、第３実施形態による基板処理装置１００の基板保持部２０周辺の構造を示す模式図である。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態とは異なり、接触部７３の幅が基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径よりも大きい場合について説明する。
次に、図１４～図１６を参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１４は、第３実施形態による基板処理装置１００の超音波発生部７０および基板Ｗを模式的に示す平面図である。図１５および図１６は、第３実施形態による基板処理装置１００の基板保持部２０周辺の構造を示す模式図である。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態とは異なり、接触部７３の幅が基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径よりも大きい場合について説明する。
【0154】
図１４に示すように、接触部７３の幅は、基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径よりも大きい。第３実施形態では、接触部７３の幅は、基板Ｗの直径よりも少しだけ大きい。
【0155】
第３実施形態では、後述するように、接触部７３を基板Ｗの一方端（図１４において基板Ｗの右端）から他方端（図１４において基板Ｗの左端）まで移動させながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。この場合、第１実施形態および第２実施形態のように、基板保持部２０により基板Ｗの端部を挟持した状態で接触部７３を移動させると、接触部７３がチャック部材２２（図２参照）に接触する。このため、接触部７３とチャック部材２２との接触を回避するために、基板Ｗを下面Ｗｂから保持することが好ましい。そこで、第３実施形態では、基板処理装置１００は、基板Ｗを下面Ｗｂから保持する基板保持部８０（図１５参照）をさらに備える。
【0156】
図１５および図１６に示すように、基板保持部８０は、保持部材８１と、昇降軸８２と、昇降部８３とを有する。保持部材８１は、略円板形状を有する。保持部材８１は、例えば、基板Ｗの直径よりも小さい直径を有する。保持部材８１は、例えば、基板Ｗの下面Ｗｂを吸着することによって、基板Ｗを水平に保持する。
【0157】
保持部材８１は、基板Ｗを加熱する機能を有してもよいし、基板Ｗを加熱する機能を有しなくてもよい。第３実施形態では、保持部材８１は、基板Ｗを加熱する機能を有する。具体的には、保持部材８１には、ヒータ（図示せず）が埋め込まれている。ヒータは、例えば、抵抗体を含む。基板保持部８０は、給電部８４を有する。給電部８４は、保持部材８１に埋め込まれたヒータに通電して、保持部材８１を加熱する。給電部８４は、制御部１０２によって制御される。
【0158】
昇降軸８２は、略棒状の部材であり、略鉛直方向に延びる。昇降軸８２は、保持部材８１に連結される。昇降部８３は、昇降軸８２を昇降させることにより、基板Ｗを昇降させる。具体的には、昇降部８３は、制御部１０２によって制御される。昇降部８３は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を付与する電動モーターとを有してもよい。
【0159】
制御部１０２は、基板保持部２０および基板保持部８０を制御することによって、基板保持部２０と基板保持部８０との間で基板Ｗを受け渡しすることが可能である。
【0160】
第３実施形態では、ノズル４６およびノズル５６は、接触部７３の長手方向の中央部に１つずつ配置されていてもよい。また、ノズル４６およびノズル５６は、接触部７３の長手方向に沿って複数個ずつ（例えば、３個ずつ、５個ずつ、または、７個ずつ）配置されていてもよい。また、ノズル４６およびノズル５６の各々は、接触部７３の長手方向に沿って延びる液吐出口を有する、スリット状のノズルであってもよい。
【0161】
第３実施形態のその他の構造は、第１実施形態、第１変形例、第２変形例、第２実施形態、第３変形例および第４変形例と同様である。
【0162】
次に、図１７を参照して、第３実施形態の基板処理方法を説明する。図１７は、第３実施形態の基板処理方法のフロー図である。第３実施形態の基板処理装置１００による基板処理方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３、ステップＳ１１１、ステップＳ１０４、ステップＳ１１２、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０３、ステップＳ１１１、ステップＳ１０４、ステップＳ１１２、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９は、制御部１０２によって実行される。
【0163】
図１７に示すように、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３は、第１実施形態と同様である。
【0164】
次に、ステップＳ１１１において、基板保持部８０により、基板Ｗの下面Ｗｂを保持する。具体的には、制御部１０２の制御により、基板保持部２０と基板保持部８０との間で基板Ｗを受け渡す。このとき、基板保持部２０の回転を停止した状態で、基板保持部２０と基板保持部８０との間で基板Ｗを受け渡す。なお、基板保持部８０を基板保持部２０と同じ回転速度で回転させた状態で、基板保持部２０と基板保持部８０との間で基板Ｗを受け渡してもよい。
【0165】
また、第３実施形態では、制御部１０２の制御により、保持部材８１が加熱されているため、基板保持部８０に保持された基板Ｗも加熱される。なお、基板Ｗの温度は、特に限定されるものではないが、基板Ｗは、例えば、８０℃以上、１２０℃以下に加熱される。
【0166】
次に、ステップＳ１０４において、超音波を発生させて、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。制御部１０２の制御により、超音波発生部７０の超音波振動子７１で超音波を発生させて、基板Ｗの剥離液Ｌａに超音波を伝播する。
【0167】
第３実施形態では、接触部７３を基板Ｗの一方端（図１４において基板Ｗの右端）から他方端（図１４において基板Ｗの左端）まで移動させながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。このとき、基板Ｗの回転を停止した状態で、剥離液Ｌａに超音波を伝播する。なお、基板Ｗを例えば低速度（例えば、１０ｒｐｍ）で回転させた状態で、剥離液Ｌａに超音波を伝播してもよい。
【0168】
第３実施形態では、例えば図１１に示したように、接触部７３をノズル４６およびノズル５６と一体で移動させてもよい。この場合、ノズル移動部４８は、本発明の「移動部」の一例である。また、例えば図１２に示したように、接触部７３をノズル４６およびノズル５６とは別々に移動させてもよい。この場合、移動部７８は、本発明の「移動部」の一例である。
【0169】
また、ステップＳ１０４で、接触部７３を基板Ｗの一方端と他方端との間で往復移動させながら、剥離液Ｌａに超音波を伝播してもよい。
【0170】
また、第３実施形態では、基板Ｗに剥離液Ｌａを供給しながら、剥離液Ｌａに超音波を伝播してもよいし、基板Ｗへの剥離液Ｌａの供給を停止した状態で、剥離液Ｌａに超音波を伝播してもよい。
【0171】
そして、制御部１０２は、超音波の発生を停止する。
【0172】
次に、ステップＳ１１２において、基板保持部２０により、基板Ｗの端部を保持する。具体的には、制御部１０２の制御により、基板保持部２０と基板保持部８０との間で基板Ｗを受け渡す。このとき、保持部材８１は、下降され、基板Ｗの下面Ｗｂから離隔する。
【0173】
第３実施形態では、保持部材８１は、基板Ｗの下面Ｗｂに近接した高さに配置される。これにより、保持部材８１によって、基板Ｗが加熱される。なお、ステップＳ１１２で、基板Ｗは、保持部材８１によって加熱されなくてもよい。
【0174】
次に、第１実施形態および第２実施形態と同様にして、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９が実行される。
【0175】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0176】
第３実施形態のその他の基板処理方法および効果は、第１実施形態、第１変形例、第２変形例、第２実施形態、第３変形例および第４変形例と同様である。
【0177】
（第５変形例）
次に、図１８を参照して、本発明の第５変形例による基板処理装置１００について説明する。図１８は、第５変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第５変形例では、第２実施形態等とは異なり、接触部７３の両側に剥離液Ｌａが供給される例について説明する。
次に、図１８を参照して、本発明の第５変形例による基板処理装置１００について説明する。図１８は、第５変形例による基板処理装置１００の超音波発生部７０周辺の構造を示す模式図である。第５変形例では、第２実施形態等とは異なり、接触部７３の両側に剥離液Ｌａが供給される例について説明する。
【0178】
図１８に示すように、接触部７３と基板Ｗとが相対的に移動する方向（図１８の左右方向）において、接触部７３の両側に剥離液Ｌａが供給される。具体的には、硫酸供給部４０のノズル４６は、上記移動する方向において、接触部７３の両側に配置される。また、過水供給部５０のノズル５６は、上記移動する方向において、接触部７３の両側に配置される。
【0179】
第３実施形態では、図１４に示したように、接触部７３の幅は、基板Ｗの直径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの直径よりも大きい。
【0180】
第３実施形態では、接触部７３は、往復移動されながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。具体的には、接触部７３は、基板Ｗの一方端から他方端まで移動されながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。また、接触部７３は、基板Ｗの他方端から一方端まで移動されながら、基板Ｗ上の剥離液Ｌａに超音波を伝播する。接触部７３は、基板Ｗ上を一往復以上、移動される。
【0181】
例えば、接触部７３が基板Ｗ上を一方側から他方側に向かって移動する際に、接触部７３の移動方向下流側に配置されるノズル４６およびノズル５６だけが硫酸および過酸化水素水を基板Ｗに供給してもよい。つまり、例えば、接触部７３が基板Ｗ上を一方側から他方側に向かって移動する際に、接触部７３の移動方向上流側に配置されるノズル４６およびノズル５６は、硫酸および過酸化水素水を基板Ｗに供給しなくてもよい。なお、接触部７３が基板Ｗ上を他方側から一方側に向かって移動する場合も同様である。
【0182】
第５変形例では、上記のように、接触部７３の両側に剥離液Ｌａが供給される。従って、基板Ｗ上を往復するように接触部７３を移動させる場合、往路であっても復路であっても、接触部７３の移動方向下流側に、剥離液Ｌａを供給できる。よって、剥離液Ｌａの活性が高い状態で、剥離液Ｌａに超音波を付与できる。
【0183】
第５変形例のその他の構成、基板処理方法および効果は、第２実施形態、第３変形例、第４変形例、および、第３実施形態と同様である。
【0184】
（第４実施形態）
次に、図１９を参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１９は、第４実施形態の基板処理方法のフロー図である。第４実施形態では、第１実施形態～第３実施形態等とは異なり、超音波伝播工程（ステップＳ１０４）の後に、基板Ｗに剥離液Ｌａを供給する工程を含む例について説明する。なお、第４実施形態では、図７に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、例えば図１７に示した第３実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。
次に、図１９を参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１９は、第４実施形態の基板処理方法のフロー図である。第４実施形態では、第１実施形態～第３実施形態等とは異なり、超音波伝播工程（ステップＳ１０４）の後に、基板Ｗに剥離液Ｌａを供給する工程を含む例について説明する。なお、第４実施形態では、図７に示した第１実施形態の基板処理方法の一部を変更して説明するが、例えば図１７に示した第３実施形態の基板処理方法の一部を変更してもよい。
【0185】
第４実施形態の基板処理装置１００による基板処理方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０４、ステップＳ１２１、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０４、ステップＳ１２１、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９は、制御部１０２によって実行される。なお、ステップＳ１２１は、本発明の「第２剥離液供給工程」の一例である。
【0186】
図１９に示すように、ステップＳ１０１～ステップＳ１０４は、第１実施形態と同様である。
【0187】
次に、ステップＳ１２１において、剥離液Ｌａに対する超音波の伝播を停止した状態で、基板Ｗに剥離液Ｌａを供給する。具体的には、硫酸供給部４０による基板Ｗへの硫酸の供給、および、過水供給部５０による基板Ｗへの過酸化水素水の供給を維持する。なお、ステップＳ１０３またはステップＳ１０４で硫酸供給部４０による基板Ｗへの硫酸の供給、および、過水供給部５０による基板Ｗへの過酸化水素水の供給を停止した場合は、ステップＳ１２１において、硫酸供給部４０による基板Ｗへの硫酸の供給、および、過水供給部５０による基板Ｗへの過酸化水素水の供給を再開する。
【0188】
ステップＳ１２１で基板Ｗに剥離液Ｌａを供給することによって、例えば基板Ｗ上にレジスト層２０３の残渣等が残っていた場合であっても、レジスト層２０３の残渣等を除去できる。
【0189】
なお、ステップＳ１２１で、ステップＳ１０３に比べて高温の剥離液Ｌａを基板Ｗに供給してもよい。または、基板Ｗを加熱しながら、基板Ｗに剥離液Ｌａを供給してもよい。
【0190】
次に、第１実施形態等と同様にして、ステップＳ１０５～ステップＳ１０９が実行される。
【0191】
以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
【0192】
第４実施形態のその他の構造、基板処理方法および効果は、第１実施形態、第１変形例、第２変形例、第２実施形態、第３変形例、第４変形例、第３実施形態および第５変形例と同様である。
【0193】
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0194】
例えば、第１実施形態および第２実施形態等において、ノズル４６から真下に硫酸を吐出し、ノズル５６から真下に過酸化水素水を吐出する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ノズル４６から斜め下方に硫酸を吐出したり、ノズル５６から斜め下方に過酸化水素水を吐出したりしてもよい。
【0195】
また、例えば、第１実施形態において、接触部７３を、基板Ｗの中央部と縁部との間で往復するように移動させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、接触部７３の幅が基板Ｗの半径と略同じ大きさ、または、基板Ｗの半径よりも大きい場合、接触部７３を移動させることなく、基板Ｗを回転させてもよい。この場合にも、接触部７３は、基板Ｗの上面Ｗａの全域上を通過可能である。
【0196】
また、例えば、第３実施形態において、基板処理装置１００が基板保持部２０および基板保持部８０を備える例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、基板処理装置１００は、基板保持部２０および基板保持部８０のうち、基板保持部８０のみを備えてもよい。
【0197】
また、第１実施形態～第４実施形態等において、硫酸をノズル４６から、例えば噴出してもよい。具体的には、例えば、高温の霧状の硫酸をノズル４６から噴出してもよいし、硫酸と不活性ガスとの混合物をノズル４６から噴出してもよい。また、シャワー状の硫酸を基板Ｗに供給してもよい。
【0198】
同様に、第１実施形態～第４実施形態等において、過酸化水素水をノズル５６から、例えば噴出してもよい。具体的には、例えば、高温の霧状の過酸化水素水をノズル５６から噴出してもよいし、過酸化水素水と不活性ガスとの混合物をノズル５６から噴出してもよい。また、シャワー状の過酸化水素水を基板Ｗに供給してもよい。
【産業上の利用可能性】
【0199】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【0200】
２０、８０ ：基板保持部
２３ ：シャフト（移動部）
２４ ：スピンモーター（移動部）
３０ ：剥離液供給部
４０ ：硫酸供給部
４８ ：ノズル移動部（移動部）
５０ ：過水供給部
７０ ：超音波発生部
７１ ：超音波振動子
７２ ：伝播部
７３ ：接触部
７３ａ ：最下部
７６ ：傾斜部
７８ ：移動部
１００ ：基板処理装置
２０３ ：レジスト層
Ｌａ ：剥離液
Ｌｂ ：液
Ｓ１０３ ：ステップ（第１剥離液供給工程）
Ｓ１０４ ：ステップ（超音波伝播工程）
Ｓ１２１ ：ステップ（第２剥離液供給工程）
Ｗ ：基板
Ｗａ ：上面
２３ ：シャフト（移動部）
２４ ：スピンモーター（移動部）
３０ ：剥離液供給部
４０ ：硫酸供給部
４８ ：ノズル移動部（移動部）
５０ ：過水供給部
７０ ：超音波発生部
７１ ：超音波振動子
７２ ：伝播部
７３ ：接触部
７３ａ ：最下部
７６ ：傾斜部
７８ ：移動部
１００ ：基板処理装置
２０３ ：レジスト層
Ｌａ ：剥離液
Ｌｂ ：液
Ｓ１０３ ：ステップ（第１剥離液供給工程）
Ｓ１０４ ：ステップ（超音波伝播工程）
Ｓ１２１ ：ステップ（第２剥離液供給工程）
Ｗ ：基板
Ｗａ ：上面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】