特開 2024-148433 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024148433

(43)【公開日】2024-10-18

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20241010BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023061554

(22)【出願日】2023-04-05

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】足立 武馬

【テーマコード（参考）】

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317BB15

5E317CC08

5E317CC32

5E317CC33

5E317GG14

5E317GG20

(57)【要約】

【課題】導体層の厚さのむらが抑制される配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、対向する２つの表面を有していて、２つの表面の間を貫く複数の貫通孔４ａを備える絶縁層２と、２つの表面の一方及び他方にそれぞれ形成されている第１導体層３１及び第２導体層３２と、複数の貫通孔４ａそれぞれの内側に形成され、第１導体層３１と第２導体層３２とを接続する複数の層間導体４と、を含んでいる。配線基板１は、それぞれに複数の層間導体４の一部が形成されている第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有し、複数の層間導体４は、第１領域Ａ１における貫通孔４ａの壁面に沿って膜状に形成されている第１層間導体４１と、第２領域Ａ２における貫通孔４ａに挿通される柱状金属部品からなる第２層間導体４２と、を含み、第２領域Ａ２における貫通孔４ａの密度は、第１領域Ａ１における貫通孔４ａの密度よりも高い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対向する２つの表面を有していて、前記２つの表面の間を貫く複数の貫通孔を備える絶縁層と、
前記２つの表面の一方及び他方にそれぞれ形成されている第１導体層及び第２導体層と、
前記複数の貫通孔それぞれの内側に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の層間導体と、
を含む配線基板であって、
前記配線基板は、それぞれに前記複数の層間導体の一部が形成されている第１領域及び第２領域を有し、
前記複数の層間導体は、前記第１領域における貫通孔の壁面に沿って膜状に形成されている第１層間導体と、前記第２領域における貫通孔に挿通される柱状金属部品からなる第２層間導体と、を含み、
前記第２領域における貫通孔の密度は、前記第１領域における貫通孔の密度よりも高い。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記柱状金属部品は前記貫通孔内を充填している。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１領域における前記第１層間導体の密度は、１個／ｍｍ²以上、９個／ｍｍ²以下であり、
前記第２領域における前記第２層間導体の密度は、１０個／ｍｍ²以上、２５個／ｍｍ²以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層の厚さは、０．７ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記貫通孔の内径は、１００μｍ以上、１５０μｍ以下である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間導体は、前記壁面に接する下層膜と、前記下層膜上に形成されていて電解めっき膜からなる上層膜とを含んでいる。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記貫通孔における前記第１層間導体の内側は、絶縁性樹脂で充填されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、３つのスルーホール群が互いに異なる配列密度でコア基板のそれぞれの領域に配列されている配線基板が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１９２４３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、スルーホール群の配列密度の高い領域と低い領域との間で、スルーホールによって接続されるコア基板の表面に形成されている導体層の厚さに差異が生じることがあると考えられる。配線基板表面の導体層における平坦性が損なわれ、配線基板と配線基板に搭載され得る素子との接続不良が生じる場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、対向する２つの表面を有していて、前記２つの表面の間を貫く複数の貫通孔を備える絶縁層と、前記２つの表面の一方及び他方にそれぞれ形成されている第１導体層及び第２導体層と、前記複数の貫通孔それぞれの内側に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の層間導体と、を含んでいる。前記配線基板は、それぞれに前記複数の層間導体の一部が形成されている第１領域及び第２領域を有し、前記複数の層間導体は、前記第１領域における貫通孔の壁面に沿って膜状に形成されている第１層間導体と、前記第２領域における貫通孔に挿通される柱状金属部品からなる第２層間導体と、を含み、前記第２領域における貫通孔の密度は、前記第１領域における貫通孔の密度よりも高い。

【0006】

本発明の実施形態によれば、貫通孔の配置密度（層間導体の配置密度）に差がある領域間での導体層の厚さの差異が抑制された配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１の配線基板の平面図。

【図3A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3F】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3G】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3H】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図3I】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１の配線基板１の平面図が示されている。図１は、配線基板１の図２に示されるＩ－Ｉ線での断面図である。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。すなわち、実施形態の配線基板は、配線基板１が有する絶縁層及び導体層に加えて、任意の数の絶縁層及び導体層を含み得る。なお、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の表面にそれぞれ形成されている導体層３１（第１導体層）及び導体層３２（第２導体層）と、導体層３１と導体層３２とを接続する複数の層間導体４と、を含んでいる。絶縁層２は、配線基板１の厚さ方向と略直交すると共に互いに対向する２つの表面として第１面２ａ及び第２面２ｂを有している。導体層３１は第１面２ａ上に形成されており、導体層３２は第２面２ｂ上に形成されている。絶縁層２は、その内側に層間導体４が形成される、第１面２ａと第２面２ｂとの間を貫く複数の貫通孔４ａを備えている。

【0010】

絶縁層２を貫通して２つの導体層（図１の例において導体層３１と導体層３２）同士を接続する層間導体４は、所謂スルーホール導体であり得る。層間導体４はビア導体と称されることもある。層間導体４は、厚さ方向と交差する絶縁層２の２つの表面それぞれの上に直接形成されている導体層同士を接続する導電体である。

【0011】

なお、図示される配線基板１の説明においては、絶縁層２から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、絶縁層２に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各構成要素において、絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層２を向く表面は「下面」とも称される。従って、配線基板１を構成する各要素の説明において、絶縁層２から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、又は単に「上」もしくは「外」とも称され、絶縁層２に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、又は単に「下」もしくは「内」とも称される。

【0012】

図１に示される配線基板１は、絶縁層２と、導体層３１及び導体層３２と、層間導体４だけを含んでいるが、前述したように、実施形態の配線基板は、絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに、さらに１組以上の絶縁層及び導体層を備えていてもよい。その場合、絶縁層２及び導体層３１、３２は、実施形態の配線基板のコア基板として形成されてコア基板として機能してもよい。その場合、層間導体４は、コア基板の絶縁層を貫通してその両面の導体層同士を接続するスルーホール導体であり得る。

【0013】

配線基板１は、図１及び図２に示されるように、それぞれに複数の層間導体４の一部が形成されている第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有している。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは別個の領域である。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２は、平面視における各領域内での貫通孔４ａの配置密度が互いに異なっている領域である。なお「平面視」は、実施形態の配線基板の厚さ方向に沿った視線で対象物を見ることを意味している。

【0014】

第１領域Ａ１に位置する層間導体と第２領域Ａ２に位置する層間導体４とは異なる形態を有している。複数の層間導体４は、第１領域Ａ１に位置する貫通孔４ａの内壁に沿って膜状に形成されている第１層間導体４１と、第２領域Ａ２に位置する貫通孔４ａ内に挿通される柱状金属部品から構成されている第２層間導体４２とを含んでいる。すなわち、層間導体４のうち、第１領域Ａ１に位置する第１層間導体４１は、部分的に膜状の形体を有していて全体的には中空部を有する筒状の形体を有しており、第２領域Ａ２に位置する第２層間導体４２は、柱状の形態を有する金属部品から構成されている。筒状の第１層間導体４１の中空部は、例えばエポキシ樹脂のような任意の樹脂からなる充填体５で充填されている。図示の例では、第２層間導体４２は中空部を有さず貫通孔４ａを充填している。

【0015】

絶縁層２は、例えば絶縁性樹脂を用いて形成されている。絶縁層２を構成する絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂が例示される。しかし、絶縁層２の材料は、これら例示の熱硬化性樹脂に限定されず、例えば熱可塑性樹脂など、適切な絶縁性と剛性とを有し得る任意の材料を用いて形成され得る。図１の例において絶縁層２は、例えばガラス繊維やアラミド繊維などで構成される補強材（芯材）２１を含んでいる。絶縁層２は、さらに、シリカやアルミナなどからなる無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。絶縁層２は、例えば０．７ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の厚さを有し得る。

【0016】

導体層３１、導体層３２、並びに層間導体４１、４２は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。導体層３１、３２、及び、第１層間導体４１は、それぞれ、無電解めっき、電解めっき、又はスパッタリングなどによって形成される金属膜で構成されている。導体層３１、３２は、さらに、銅箔やニッケル箔などの金属箔も構成要素として含み得る。すなわち、導体層３１及び導体層３２、並びに第１層間導体４１は、２つ以上の金属膜を含む多層構造を有し得る。また、第２層間導体４２を構成する柱状金属部品は、例えば銅を含むスルーホールピンであり得る。

【0017】

図１及び図２の例において導体層３１及び導体層３２は、それぞれ、層間導体４に接続されている導体パッド３０１だけを含んでいる。導体パッド３０１は、層間導体４が前述したようにスルーホール導体である場合、所謂スルーホールパッドであり得る。しかし、本実施形態の配線基板１において導体層３１、３２は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。

【0018】

図１の例の配線基板１において導体パッド３０１、すなわち、導体層３１及び導体層３２それぞれは５層構造を有している。具体的には、導体層３１及び導体層３２それぞれは、絶縁層２の第１面２ａ又は第２面２ｂ上に順に積層されている第１層３０ａ、第２層３０ｂ、第３層３０ｃ、第４層３０ｄ、及び第５層３０ｅによって構成されている。

【0019】

第１層３０ａは、例えば銅箔やニッケル箔などからなる金属箔層であり得、第２層３０ｂ及び第４層３０ｄは、例えば無電解めっき膜又はスパッタ膜からなる金属膜層であり得、第３層３０ｃ及び第５層３０ｅは電解めっき膜からなる金属膜層であり得る。なお、導体層３１及び導体層３２は、５層構造有さずともよく、例えば、導体層３１及び導体層３２は、金属箔層であり得る第１層３０ａを含んでいなくてもよい。さらに、導体層３１及び導体層３２は、第４層３０ｄ及び第５層３０ｅを含んでいない場合も有り得る。

【0020】

第１層間導体４１は、貫通孔４ａを囲む絶縁層２の壁面に接する下層膜４０ａと、下層膜４０ａ上に形成されている上層膜４０ｂとを含んでいてこれら２つの膜体によって構成されている。下層膜４０ａは、例えば無電解めっき膜又はスパッタ膜からなる金属膜であり得、上層膜４０ｂは、電解めっき膜からなる金属膜であり得る。下層膜４０ａは、導体層３１、３２それぞれの第２層３０ｂと一体的に形成されていて第２層３０ｂと連続している。上層膜４０ｂは、導体層３１、３２それぞれの第３層３０ｃと一体的に形成されていて第３層３０ｃと連続している。すなわち、下層膜４０ａを構成する金属膜は、第１領域Ａ１に位置する貫通孔４ａの内部だけでなく、導体層３１、３２それぞれの第１層３０ａの上にも形成されている。同様に、上層膜４０ｂを構成する金属膜は、第１領域Ａ１に位置する貫通孔４ａの内部だけでなく、導体層３１、３２それぞれの第２層３０ｂ上にも形成されている。

【0021】

貫通孔４ａは、絶縁層２をその厚さ方向において貫いている。貫通孔４ａは、さらに、導体層３１、３２それぞれの第１層３０ａも貫いていて、第１層３０ａの上面３ａａ（絶縁層２側と反対側の表面）に開口している。層間導体４１の下層膜４０ａは、絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれにおける貫通孔４ａの開口部を介して、導体層３１、３２それぞれの第２層３０ｂと連続的に形成されている。同様に、層間導体４１の上層膜４０ｂは、貫通孔４ａの各開口部を介して、導体層３１、３２それぞれの第３層３０ｃと連続的に形成されている。

【0022】

一方、第２層間導体４２は、貫通孔４ａに挿通される柱状金属部品によって構成されている。第２層間導体４２を構成する柱状金属部品は、導体層３１、３２それぞれの第１層３０ａも貫通している。図示されるように、層間導体４２を構成する柱状金属部品は、その長さ方向における２つの端部において、一部が第１層３０ａの上面を覆うように形成され得る。層間導体４２を構成する柱状金属部品の２つの端部それぞれの上面は第２層３０ｂに被覆されている。さらに、第２層間導体４２の上部には第２層３０ｂを介して第３層３０ｃが形成されている。図示されるように、第２層間導体４２の上部を含む、第２領域Ａ２に形成されている第３層３０ｃは、その上面の高さ（第１面２ａ又は第２面２ｂからの最短距離）が第１領域Ａ１における第３層３０ｃの上面の高さと略等しくなるように形成されている。換言すれば、第３層３０ｃの上面は略均一な平坦面として形成されている。

【0023】

図１に示されるように、配線基板１には、部品Ｅが実装され得る。図２に示されるように、第２領域Ａ２は平面視で配線基板１の中央部を占めている。そして第１領域Ａ１は、平面視で第２領域Ａ２の外側の領域を占めていて第２領域Ａ２を囲んでいる。第２領域Ａ２は、図１に示される部品Ｅが配置される領域である部品領域ＥＲと、平面視で全体的に重なっている。一方、第１領域Ａ１は、平面視で部分的に部品領域ＥＲと重なっている。しかし、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２それぞれが平面視において配線基板１内で占める位置、大きさ、及び形状は、図１及び図２の例に限定されない。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は、それぞれ、平面視における配線基板１内の任意の位置において任意の大きさ及び形状を占めることができる。なお、部品Ｅは、例えばマイコンやメモリなどの任意の半導体集積回路装置の他、個別半導体素子や、抵抗アレイなどの受動素子などであり得る。

【0024】

このように配線基板１では、複数の層間導体４が、第１領域Ａ１に形成されている第１層間導体４１と、第２領域Ａ２に形成されている第２層間導体４２と、を含んでいる。第２層間導体４２は、第１領域Ａ１における第１層間導体４１の密度よりも高い密度で第２領域Ａ２に形成されている。すなわち、第２領域Ａ２における複数の層間導体４が形成される貫通孔４ａの配置密度は、第１領域Ａ１における複数の層間導体４が形成される貫通孔４ａの配置密度よりも高い。例えば、第１領域Ａ１における第１層間導体４１の密度は、１個／ｍｍ²以上、９個／ｍｍ²以下であり得る。一方、第２領域Ａ２における第２層間導体４２の密度は、１０個／ｍｍ²以上、２５個／ｍｍ²以下であり得る。

【0025】

上述のように、実施形態の配線基板では、層間導体の配置密度が比較的低い領域においては貫通孔の壁面を覆う膜状の導体で層間導体が構成され、層間導体の配置密度が比較的高い領域においては貫通孔に挿通される柱状金属部品で層間導体が構成されている。この構成により、すべての層間導体が貫通孔の壁面を覆う膜状の導体で構成される場合と比較して、導体層３１、３２それぞれの厚さの均一性が向上する場合がある。

【0026】

具体的には、配線基板における層間導体のすべてを、第１層間導体４１と同様の膜状の導体で構成する場合、形成されるべき層間導体の密度が比較的高い領域（貫通孔の密度が比較的高い領域）では、電解めっきによって形成される第３層３０ｃの厚さが他の領域よりも小さくなる場合がある。形成されるべき層間導体の密度が高い領域では、下層膜４０ａを給電層として形成される上層膜４０ｂの面積が比較的大きい。従って、形成されるべき層間導体の密度が高い領域では、上層膜４０ｂ及び第３層３０ｃを形成する際の電解めっきにおける電流密度が比較的低くなり得る。形成されるべき層間導体の密度が高い領域では、形成される層間導体の密度が低い領域と比較して上層膜４０ｂ及び第３層３０ｃの厚さが薄く形成される場合がある。従って、配線基板が備える導体層３１、３２が、層間導体（貫通孔）の密度が比較的低い領域においては厚さが比較的大きく、層間導体（貫通孔）の密度が比較的高い領域においては厚さが比較的小さく形成される場合がある。この場合、配線基板表面における導体層の平坦性が損なわれ、配線基板と配線基板表面に搭載され得る部品との接続に不良が生じる場合があると考えられる。

【0027】

実施形態の配線基板では、貫通孔４ａの密度が比較的高い第２領域Ａ２において、層間導体４２が貫通孔４ａに挿通される柱状金属部品から構成されていることにより、貫通孔４ａの内側に電解めっきによって導体層を形成する必要がない。従って、第２領域Ａ２において電解めっきによって形成されるべき層は第３層３０ｃに限られ、電解めっきによって形成されるべき層の領域は比較的小さく限られている。すなわち、前述された、電解めっきにおける電流密度の、領域による差異が低減される構成が採用されている。貫通孔４ａの密度が比較的高い第２領域Ａ２において第３層３０ｃの厚さが他の領域よりも小さく形成されることが抑制され得る。

【0028】

実施形態の配線基板では、このように第３層３０ｃが部分的に薄く形成される虞が低減され、従って、均一な厚さを有する平坦性の良好な導体層をその表面に有し得る。導体層３１及び導体層３２それぞれにおいて、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間で厚さの差が生じ難く、各導体層の表面の起伏も生じ難いと考えられる。従って、実施形態の配線基板１には部品が適切に搭載され、高い実装品質が得られることがあると考えられる。

【0029】

貫通孔４ａは、第１面２ａから第２面２ｂまでの全長に渡って略一定の内径を有している。そのため第１及び第２層間導体４１、４２は、それぞれ、第１面２ａから第２面２ｂまでの全長に渡って略一定の外径を有している。貫通孔４ａの内径、並びに第１及び第２層間導体４１、４２の外径は、例えば、それぞれ、１００μｍ以上、１５０μｍ以下である。なお、便宜上、「内径」及び「外径」という用語が用いられるが、貫通孔４ａ、並びに第１及び第２層間導体４１、４２の断面（絶縁層２の厚さ方向と直交する断面）の形状は、円形や楕円形に限定されない。貫通孔４ａの「内径」、並びに第１及び第２層間導体４１、４２の「外径」は、貫通孔４ａ又は各層間導体における軸方向（絶縁層２の厚さ方向）と直交する断面の外周上の任意の２点間の最長距離である。

【0030】

つぎに、図１の配線基板１が製造される場合を例に、一実施形態の配線基板を製造する方法の一例が、図３Ａ～図３Ｉを参照して説明される。

【0031】

図３Ａに示されるように、配線基板１の絶縁層２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３ａを含む両面銅張積層板１０が用意され、複数の貫通孔４ａが形成される。両面銅張積層板１０の絶縁層は、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成されており、ガラス繊維などによって構成される補強材２１を含んでいる。複数の貫通孔４ａは、貫通孔４ａの密度が互いに異なる２つの領域（第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２）を生じさせる位置であって、複数の層間導体４（図１参照）が形成されるべき所定の位置に形成される。図３Ａの例において、貫通孔４ａについて第１領域Ａ１の密度よりも高い密度を有する第２領域Ａ２が生じている。貫通孔４ａは、例えば、ドリル加工によって形成される。

【0032】

次いで、図３Ｂに示されるように、第２領域Ａ２に位置する貫通孔４ａ内に、柱状金属部品ＭＰが挿通される。貫通孔４ａに挿通された柱状金属部品ＭＰの両端部は金属箔３ａの上面から突出し、柱状金属部品ＭＰの両端面は金属箔３ａの上面の外側に露出する。

【0033】

次いで、図３Ｃに示されるように、押圧部材ＰＳが、絶縁層２の両面側から、柱状金属部品ＭＰの両端面に接触して柱状金属部品ＭＰを挟むように配置される。柱状金属部品ＭＰは、押圧部材ＰＳによって絶縁層２の厚さ方向における中心部に向かって押圧される。これにより、柱状金属部品ＭＰの両端部は、図示されるように、貫通孔４ａの内径よりも大きい径を有する形状に変形し、貫通孔４ａの周縁部における金属箔３ａの上面を覆うように形成される。柱状金属部品ＭＰが貫通孔４ａ内に固定される。第２領域Ａ２内の貫通孔４ａ内に柱状金属部品ＭＰによって構成される第２層間導体４２が形成される。

【0034】

次いで、図３Ｄに示されるように、第１領域Ａ１に位置する貫通孔４ａの内壁上、及び金属箔３ａの表面上、及び、柱状金属部品ＭＰの露出面上に、例えば銅などからなる金属膜３ｂが形成される。金属膜３ｂは、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって形成される。金属膜３ｂの一部が、第１層間導体４１の下層膜４０ａ（図１参照）、及び、導体層３１、３２の第２層３０ｂ（図１参照）を構成する。

【0035】

そして、図３Ｅに示されるように、金属膜３ｂ上の全面に、例えば銅などからなる金属膜３ｃが形成される。すなわち、金属膜３ｃは、貫通孔４ａ内の金属膜３ｂの表面、並びに、金属箔３ａ及び柱状金属部品ＭＰの表面上の金属膜３ｂの表面の全面に形成される。第１領域Ａ１内の貫通孔４ａ内に金属膜３ｂの一部及び金属膜３ｃの一部からなり、中空部を有する筒状の形体の複数の第１層間導体４１が形成される。金属膜３ｃの一部は、第１層間導体４１の上層膜４０ｂ（図１参照）を構成する。金属膜３ｃの他の一部は、導体層３１、３２の第３層３０ｃ（図１参照）を構成する。

【0036】

金属膜３ｃは、金属膜３ｂを給電層として用いる電解めっきによって形成される。上述されたように、貫通孔４ａが比較的高い密度で形成される第２領域Ａ２においては、貫通孔４ａ内に柱状金属部品ＭＰが挿通されている。従って、第２領域Ａ２において金属膜３ｃが形成されるべき領域は、金属箔３ａ及び柱状金属部品ＭＰの表面上の金属膜３ｂの表面に限られている。第２領域Ａ２における金属膜３ｃが形成されるべき領域が比較的広いことによる、電解めっきでの電流密度が小さくなる現象は抑制され得る。従って、金属膜３ｃは、金属膜３ｂ上の全域に亘って比較的均一な厚さで形成され得る。

【0037】

次いで、図３Ｆに示されるように、複数の第１層間導体４１それぞれの中空部が充填体５で充填される。例えば、エポキシ樹脂などの樹脂が、絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側のいずれか又は両方から各層間導体４の中空部に注入される。層間導体４の中空部に注入された樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。充填体５の端面、及び、金属膜３ｃの上面が化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。この研磨により、金属膜３ｃの上面に起伏があっても、その上面は、金属膜３ｃが形成されている領域の全域に亘って比較的均一な高さ（第１面２ａ又は第２面２ｂからの最短距離）を有するように形成される。

【0038】

次いで、図３Ｇに示されるように、金属膜３ｃのうちの絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂのそれぞれの上の部分、複数の柱状金属部品ＭＰそれぞれの両端面の上の部分、並びに、充填体５の両端面の上の部分に、例えば銅などからなる金属膜３ｄが形成される。金属膜３ｄは、例えば、無電解めっきやスパッタリングによって形成される。さらに金属膜３ｄ上に、例えば銅などからなる金属膜３ｅが、金属膜３ｄを給電層として用いる電解めっきによって形成される。

【0039】

金属膜３ｄ、３ｅの形成の結果、それぞれ５層構造の導体層３１及び導体層３２が形成される。導体層３１は、絶縁層２の第１面２ａ上に形成され、導体層３２は第２面２ｂ上に形成される。金属膜３ｄは導体層３１、３２それぞれの第４層３０ｄ（図１参照）を構成し、金属膜３ｅは導体層３１、３２それぞれの第５層３０ｅ（図１参照）を構成する。

【0040】

次いで、図３Ｈに示されるように、導体層３１、３２が、それそれ、所望の導体パターンを含むようにパターニングされる。例えば、適切な開口を有するエッチングマスクが導体層３１、３２上に設けられ、導体３１、３２の不要部分がウェットエッチングやドライエッチングによって除去される。その結果、図１に示される配線基板１が完成する。

【0041】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。第１層間導体４１の中空部は必ずしも充填体５で充填されず、空洞のままであってもよい。前述したように、実施形態の配線基板は、図１の例の絶縁層２及び導体層３１、３２以外に、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は、例えば、図３Ｉに示される配線基板１ａのように、第１面２ａ上に交互に積層される絶縁層１０及び導体層１１、並びに、第２面２ｂ上に交互に積層される絶縁層２０及び導体層２１を有し得る。配線基板１ａにおいては、最も外側の導体層１１、２１の上には、例えばソルダーレジストであり得る被覆絶縁層１０Ｒ、２０Ｒが形成されている。被覆絶縁層１０Ｒ、２０Ｒに形成されている開口１０Ｒｏ、２０Ｒｏからは、外部の電子部品との接続に用いられ得る導体パッド１１ｐ、２１ｐが露出している。

【符号の説明】

【0042】

１ 配線基板
２ 絶縁層
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
３１ 導体層
３２ 導体層
４ 層間導体
４１ 層間導体（第１層間導体）
４２ 層間導体（第２層間導体）
４ａ 貫通孔
４０ａ 下層膜
４０ｂ 上層膜
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
ＭＰ 柱状金属部品

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】