特開 2024-149325 半導体アレイ素子および半導体光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024149325

(43)【公開日】2024-10-18

(54)【発明の名称】半導体アレイ素子および半導体光装置

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/042 20060101AFI20241010BHJP

   H01S 5/22 20060101ALI20241010BHJP

   H01S 5/023 20210101ALI20241010BHJP

   H01S 5/02345 20210101ALI20241010BHJP

【ＦＩ】

H01S5/042 612

H01S5/22 610

H01S5/023

H01S5/02345

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023101753

(22)【出願日】2023-06-21

(31)【優先権主張番号】P 2023062198

(32)【優先日】2023-04-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】515288122

【氏名又は名称】ルーメンタム オペレーションズ エルエルシー

【氏名又は名称原語表記】Ｌｕｍｅｎｔｕｍ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｓ ＬＬＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】胡 匡洋

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173AA05

5F173AA08

5F173AD04

5F173AH14

5F173AK22

5F173AK23

5F173AR72

5F173MC12

5F173MD16

5F173MD53

5F173MD59

5F173MD62

5F173MD63

5F173MD65

5F173ME63

(57)【要約】

【課題】特性差を小さくすることを目的とする。
【解決手段】半導体アレイ素子１００は、複数のメサストライプ構造１２の対応する１つの活性層１６に電気的に接続する複数の個別電極２６と、半導体基板１０に電気的に接続する複数の共通電極２８と、を有する。複数のメサストライプ構造１２は、第１メサストライプ構造１２Ａを挟む一対の第２メサストライプ構造１２Ｂを含む。複数の共通電極２８は、第１電極２８Ａを挟む一対の第２電極２８Ｂを含む。第１電極２８Ａは、複数のメサストライプ構造１２の中で、第１メサストライプ構造１２Ａに最も近い。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、複数のメサストライプ構造１２の中で、一対の第２メサストライプ構造１２Ｂの対応する１つに最も近い。第２電極２８Ｂは、面積において、第１電極２８Ａよりも小さい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板と、
第１方向にそれぞれが延び、前記第１方向に直交する第２方向に隣り合って等間隔で並び、前記半導体基板に電気的に接続する活性層をそれぞれが有する複数のメサストライプ構造と、
前記第２方向に隣り合って並び、前記複数のメサストライプ構造の対応する１つの前記活性層にそれぞれが電気的に接続する複数の個別電極と、
前記第２方向に隣り合って並び、前記半導体基板にそれぞれが電気的に接続する複数の共通電極と、
を有し、
前記複数のメサストライプ構造は、第１メサストライプ構造と、前記第１メサストライプ構造を挟む一対の第２メサストライプ構造と、を含み、
前記複数の共通電極は、第１電極と、前記第１電極を挟む一対の第２電極と、を含み、
前記第１電極は、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記第１メサストライプ構造に最も近く、
前記一対の第２電極のそれぞれは、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記一対の第２メサストライプ構造の対応する１つに最も近く、
前記一対の第２電極のそれぞれは、面積において、前記第１電極よりも小さい半導体アレイ素子。

【請求項2】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記一対の第２電極のそれぞれは、前記第１方向の長さにおいて、前記第１電極と同じであり、
前記一対の第２電極のそれぞれは、前記第２方向の幅において、前記第１電極よりも小さい半導体アレイ素子。

【請求項3】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数の個別電極は、面積において相互に等しい半導体アレイ素子。

【請求項4】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記第１メサストライプ構造は、複数の第１メサストライプ構造であり、
前記第１電極は、１つの第１電極であり、
前記１つの第１電極は、前記複数の第１メサストライプ構造と同じ個数で均等な大きさの複数の部分を有し、
前記一対の第２電極のそれぞれは、面積において、前記複数の部分のそれぞれよりも小さい半導体アレイ素子。

【請求項5】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記第１メサストライプ構造は、複数の第１メサストライプ構造であり、
前記第１電極は、分離された複数の第１電極である半導体アレイ素子。

【請求項6】

請求項５に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数の第１電極は、面積において相互に等しい半導体アレイ素子。

【請求項7】

請求項５に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数の第１電極は、前記一対の第２電極のいずれかに近いほど、面積において小さい半導体アレイ素子。

【請求項8】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数のメサストライプ構造は、前記半導体基板の上面にあり、
前記複数の共通電極は、前記半導体基板の下面にあり、
前記第１電極は、前記第１メサストライプ構造に重なり、
前記一対の第２電極のそれぞれは、前記一対の第２メサストライプ構造の近い方の１つに重なる半導体アレイ素子。

【請求項9】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数のメサストライプ構造は、前記半導体基板の上面にあり、
前記複数の共通電極は、前記半導体基板の前記上面に接触し、
前記第１電極は、前記第１メサストライプ構造に隣り合い、
前記一対の第２電極のそれぞれは、前記一対の第２メサストライプ構造の近い方の１つの隣にある半導体アレイ素子。

【請求項10】

請求項９に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数の共通電極のそれぞれは、前記半導体基板の前記上面から上方に屈曲し、前記上面に接触する最下部と、前記最下部よりも高い位置にある最上部と、を含み、
前記一対の第２電極のそれぞれの前記最上部は、面積において、前記第１電極の前記最上部よりも小さい半導体アレイ素子。

【請求項11】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数のメサストライプ構造のそれぞれを両側で埋め込む埋め込み層をさらに有する半導体アレイ素子。

【請求項12】

請求項１に記載された半導体アレイ素子であって、
前記複数のメサストライプ構造は、前記第１メサストライプ構造および前記一対の第２メサストライプ構造を挟む一対の第３メサストライプ構造をさらに含み、
前記複数の共通電極は、前記第１電極および前記一対の第２電極を挟む一対の第３電極をさらに含み、
前記一対の第３電極は、面積において、前記一対の第２電極以上である半導体アレイ素子。

【請求項13】

請求項１から１２のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子と、
前記半導体アレイ素子が搭載されるサブマウントと、
を有し、
前記サブマウントは、複数の個別端子および複数の共通端子を有し、
前記複数の個別端子のそれぞれは、前記複数の個別電極の対応する１つに電気的に接続され、
前記複数の共通端子のそれぞれは、前記複数の共通電極の対応する１つに電気的に接続される半導体光装置。

【請求項14】

請求項１３に記載された半導体光装置であって、
前記複数の共通端子は、前記第１電極に対向して接合される第１端子と、前記一対の第２電極にそれぞれ対向して接合される一対の第２端子と、を含み、
前記一対の第２端子のそれぞれは、面積において、前記第１端子よりも小さい半導体光装置。

【請求項15】

請求項１４に記載された半導体光装置であって、
前記一対の第２端子のそれぞれは、前記共通電極の対応する前記１つとの接合面積において、前記第１端子よりも小さい半導体光装置。

【請求項16】

請求項１３に記載された半導体光装置であって、
前記複数の個別端子のそれぞれと前記複数の個別電極の前記対応する１つを電気的に接続するワイヤをさらに有し、
前記複数の共通端子のそれぞれと前記複数の共通電極の前記対応する１つは、対向して電気的に接続される半導体光装置。

【請求項17】

請求項１３に記載された半導体光装置であって、
前記複数の個別端子のそれぞれと前記複数の個別電極の前記対応する１つは、対向して電気的に接続され、
前記複数の共通端子のそれぞれと前記複数の共通電極の前記対応する１つは、対向して電気的に接続される半導体光装置。

【請求項18】

請求項１３に記載された半導体光装置であって、
前記複数のメサストライプ構造は、前記第１メサストライプ構造および前記一対の第２メサストライプ構造を挟む一対の第３メサストライプ構造をさらに含み、
前記複数の共通電極は、前記第１電極および前記一対の第２電極を挟む一対の第３電極をさらに含み、
前記一対の第３電極のそれぞれは、面積において、前記一対の第２電極のいずれよりも大きく、
前記複数の個別端子は、前記一対の第３メサストライプ構造の前記活性層には電気的に接続されない半導体光装置。

【請求項19】

請求項１８に記載された半導体光装置であって、
前記複数の共通端子は、前記第１電極に対向して接合される第１端子と、前記一対の第２電極にそれぞれ対向して接合される一対の第２端子と、前記一対の第３電極に対向して接合される第３端子と、を含む半導体光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体アレイ素子および半導体光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の発光部が集積された半導体アレイ素子が知られている（特許文献１）。発光部の特性は、温度変化によって変化する。温度変化は、隣の発光部で生じる熱の影響を受ける。例えば、３つの発光部が一列に並ぶ半導体アレイ素子では、中央の発光部は両側から熱の影響を受けるが、両側の発光部のそれぞれは片側のみから熱の影響を受ける。熱量が違うので３つの発光部の実効的な動作温度に差が生じ、特性が不均一になる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－４４７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１では、発光部ごとの個別電極の幅が配列位置によって異なっている。詳しくは、内側の個別電極は、最も外側の個別電極よりも広い。これによって、個別電極からの放熱量を異ならせて、動作温度の差を小さくすることができる。しかし、個別電極の幅が異なると寄生容量も異なるので、特性のばらつきが生じる。

【0005】

本発明は、特性差を小さくすることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

半導体アレイ素子は、半導体基板と、第１方向にそれぞれが延び、前記第１方向に直交する第２方向に隣り合って等間隔で並び、前記半導体基板に電気的に接続する活性層をそれぞれが有する複数のメサストライプ構造と、前記第２方向に隣り合って並び、前記複数のメサストライプ構造の対応する１つの前記活性層にそれぞれが電気的に接続する複数の個別電極と、前記第２方向に隣り合って並び、前記半導体基板にそれぞれが電気的に接続する複数の共通電極と、を有し、前記複数のメサストライプ構造は、第１メサストライプ構造と、前記第１メサストライプ構造を挟む一対の第２メサストライプ構造と、を含み、前記複数の共通電極は、第１電極と、前記第１電極を挟む一対の第２電極と、を含み、前記第１電極は、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記第１メサストライプ構造に最も近く、前記一対の第２電極のそれぞれは、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記一対の第２メサストライプ構造の対応する１つに最も近く、前記一対の第２電極のそれぞれは、面積において、前記第１電極よりも小さい。

【0007】

半導体光装置は、半導体アレイ素子と、前記半導体アレイ素子が搭載されるサブマウントと、を有し、前記サブマウントは、複数の個別端子および複数の共通端子を有し、前記複数の個別端子のそれぞれは、前記複数の個別電極の対応する１つに電気的に接続され、前記複数の共通端子のそれぞれは、前記複数の共通電極の対応する１つに電気的に接続される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。

【図2】図１に示す半導体アレイ素子のII－II線断面図である。

【図3】第１の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。

【図4】図３に示す半導体光装置のIV－IV線断面図である。

【図5】第２の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。

【図6】第３の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。

【図7】チャネル間のピッチを変えて動作温度がどう変化するかのシミュレーション結果の図である。

【図8】第４の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。

【図9】第５の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。

【図10】第５の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。

【図11】図１０に示す半導体光装置のXI－XI線断面図である。

【図12】第６の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。

【図13】図１２に示す半導体アレイ素子のXIII－XIII線断面図である。

【図14】第６の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。

【図15】図１４に示す半導体光装置のXV－XV線断面図である。

【図16】第７の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。

【図17】図１６に示す半導体アレイ素子のXVII－XVII線断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

【0010】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。図２は、図１に示す半導体アレイ素子のII－II線断面図である。半導体アレイ素子１００は、リッジ型であり、マルチチャネル（例えば４チャネル）に対応する。

【0011】

半導体アレイ素子１００は、半導体基板１０を有する。半導体アレイ素子１００は、複数のメサストライプ構造１２を有する。複数のメサストライプ構造１２は、半導体基板１０の上面にある。複数のメサストライプ構造１２は、第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に隣り合って等間隔で並ぶ。

【0012】

メサストライプ構造１２は、第１導電型の半導体基板１０上の半導体多層を有する。半導体多層は、半導体基板１０から、第１導電型のバッファ層１４、活性層１６、第２導電型のメサエッチング停止層１８、第２導電型のクラッド層２０、そして第２導電型のコンタクト層２２を含む。半導体基板１０およびバッファ層１４はｎ型のＩｎＰである。バッファ層１４は無くしても構わない。活性層１６は、ＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰを含む多重量子井戸構造であり、ここではアンドープ層である。活性層１６の上下に光閉じ込め層を配置してもよい。メサエッチング停止層１８は、ｐ型のＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰである。クラッド層２０は、ｐ型のＩｎＰである。メサエッチング停止層１８とクラッド層２０の間に回折格子層を配置してもよい。コンタクト層２２は、ｐ型のＩｎＧａＡｓである。なお、ここで挙げた材料は一例に過ぎない。

【0013】

メサストライプ構造１２は、一対の分離溝２４に挟まれている。一対の分離溝２４の間の間隔がメサストライプ構造１２の幅である。複数のメサストライプ構造１２の幅は同一である。メサストライプ構造１２および分離溝２４は、半導体アレイ素子１００の両端面に至るように延伸している。分離溝２４は、少なくともバッファ層１４に至る深さ（例えば、半導体基板１０に至る深さ）を有する。

【0014】

メサストライプ構造１２は、半導体基板１０に電気的に接続する活性層１６を有する。電気信号が入力されることで、メサストライプ構造１２の下部にある、一対の分離溝２４で挟まれた活性層１６が発光する。半導体アレイ素子１００は、第１方向Ｄ１の先端にある端面から光を出力するようになっており、出力光が光通信に用いられる。

【0015】

半導体アレイ素子１００の表面には、絶縁膜のパッシベーション膜２５が形成されている。パッシベーション膜２５は、分離溝２４の内側にも配置されている。パッシベーション膜２５はメサストライプ構造１２の上面には配置されていない。パッシベーション膜２５は例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜である。

【0016】

複数のメサストライプ構造１２は、第１メサストライプ構造１２Ａを含む。第１メサストライプ構造１２Ａは、複数の第１メサストライプ構造１２Ａである。複数のメサストライプ構造１２は、第１メサストライプ構造１２Ａを挟む一対の第２メサストライプ構造１２Ｂを含む。

【0017】

［個別電極］
半導体アレイ素子１００は、複数の個別電極２６を有する。複数の個別電極２６は、第２方向Ｄ２に隣り合って並ぶ。複数の個別電極２６のそれぞれは、複数のメサストライプ構造１２の対応する１つの活性層１６に電気的に接続する。複数の個別電極２６は、面積において相互に等しく、形状も同一である。

【0018】

個別電極２６はメサストライプ構造１２に接する。個別電極２６とコンタクト層２２が電気的に接続されている。個別電極２６は、メサストライプ構造１２を介して活性層１６と導通する。個別電極２６は、メサストライプ構造１２および分離溝２４の一部を覆うように第１方向Ｄ１に延びる領域と、第２方向Ｄ２にメサストライプ構造１２の一方側に配置された領域と、両者をつなぐ領域を含む。

【0019】

［共通電極］
半導体アレイ素子１００は、複数の共通電極２８を有する。複数の共通電極２８は、半導体基板１０の下面にある。複数の共通電極２８は、第２方向Ｄ２に隣り合って並ぶ。共通電極２８は、半導体基板１０に電気的に接続する。共通電極２８は、半導体基板１０を介して、活性層１６に導通する。共通電極２８は半導体基板１０に接する。複数の共通電極２８は、第１方向Ｄ１の長さにおいて同一である。

【0020】

［第１電極］
複数の共通電極２８は、第１電極２８Ａを含む。第１電極２８Ａは、分離された複数の第１電極２８Ａである。複数の第１電極２８Ａは、幅において同一である。複数の第１電極２８Ａは、面積において相互に等しい。第１電極２８Ａは、第１メサストライプ構造１２Ａに重なる。それぞれの第１電極２８Ａは、複数の第１メサストライプ構造１２Ａの対応する１つに最も近い。

【0021】

［第２電極］
複数の共通電極２８は、複数の第１電極２８Ａを挟む一対の第２電極２８Ｂを含む。それぞれの第２電極２８Ｂは最も外側の共通電極２８であり、それぞれの第１電極２８Ａは内側の共通電極２８である。一対の第２電極２８Ｂは幅において同一である。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、一対の第２メサストライプ構造１２Ｂの対応する１つに最も近い。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、一対の第２メサストライプ構造１２Ｂの近い方の１つに重なる。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、第１方向Ｄ１の長さにおいて、第１電極２８Ａと同じである。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、第２方向Ｄ２の幅において、第１電極２８Ａよりも小さい。一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、面積において、第１電極２８Ａよりも小さい。

【0022】

［半導体光装置］
図３は、第１の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。図４は、図３に示す半導体光装置のIV－IV線断面図である。半導体光装置は、半導体アレイ素子１００およびサブマウント３０を有する。半導体アレイ素子１００はサブマウント３０に搭載されている。搭載方式はジャンクションアップである。サブマウント３０の基板は、ＡｌＮなどのセラミックで形成されている。

【0023】

［個別端子］
サブマウント３０は、複数の個別端子３２を有する。複数の個別端子３２のそれぞれは、複数の個別電極２６の対応する１つに電気的に接続されている。電気的接続は、ワイヤ３４によってなされている。

【0024】

［共通端子］
サブマウント３０は、複数の共通端子３６を有する。複数の共通端子３６のそれぞれは、複数の共通電極２８の対応する１つに電気的に接続され、例えば対向して電気的に接続される。電気的接続には、はんだや導電性接着剤などの接合剤が使用される。複数の共通端子３６は、共通電極２８の対応する１つの幅に応じた大きさの幅を有しているが、すべての幅が同一であっても構わない。

【0025】

複数の共通端子３６は、複数の第１電極２８Ａにそれぞれ対向して接合される複数の第１端子３６Ａを含む。複数の共通端子３６は、一対の第２電極２８Ｂに対向して接合される一対の第２端子３６Ｂを含む。一対の第２端子３６Ｂのそれぞれは、面積において、第１端子３６Ａよりも小さい。一対の第２端子３６Ｂのそれぞれは、共通電極２８の対応する１つとの接合面積において、第１端子３６Ａよりも小さい。

【0026】

［動作］
図示しない外部の電気回路より、電気信号が共通端子３６および個別端子３２に入力され、半導体アレイ素子１００の共通電極２８および個別電極２６に伝達され、活性層１６にて光が発生し、光信号が生成される。それぞれの共通電極２８および対応する１つの個別電極２６の重複領域が発光部３８である。分離溝２４は、隣同士の発光部３８の電気的および光学的な分離のためにある。

【0027】

電気信号が半導体アレイ素子１００に入力されると、発光部３８で熱が生じる。それぞれの発光部３８で生じる熱は、隣接する発光部３８にも伝わる。内側の発光部３８Ａは、両側で他の発光部３８に隣接するので、両側から熱が伝わる。一方、最も外側の発光部３８Ｂは、片側だけで他の発光部３８に隣接するので、片側から熱が伝わる。

【0028】

従来技術では、内側の発光部３８Ａと最も外側の発光部３８Ｂとでは実効的な動作温度に違いが生じていた。具体的には、最も外側の発光部３８Ｂの動作温度は、内側の発光部３８Ａの動作温度より低かった。動作温度の差は、発光部３８の特性差を生じる原因となる。ここで、動作温度とは、発光部３８に電気信号が入力されて、駆動された状態の活性層１６の温度を示す。

【0029】

発光部３８の特性は、一般的に、動作温度が高いほど低下する傾向にある。放熱量を大きくするためには、複数の共通電極２８は、いずれもできるだけ大きい方が好ましい。しかし、複数の共通電極２８を同じように大きくした場合、放熱量が同じとなるので、動作温度の差が変わらず、発光部３８の特性差を引き起こす。

【0030】

本実施形態では、最も外側の発光部３８Ｂに対する放熱性を意図的に低減させている。具体的には、第２電極２８Ｂを第１電極２８Ａよりも面積（例えば幅）において小さくした。面積（例えば幅）は、大きい方が放熱量は大きい。そのため、第２電極２８Ｂより第１電極２８Ａの方が放熱量において大きい。これにより、実効的な動作温度の差を低減させ、発光部３８間の特性のばらつきを低減する。

【0031】

半導体基板１０に接する共通電極２８の幅は、放熱性には強く影響を与えるが、寄生容量や抵抗値への影響はほとんどない。そのため、幅を変えることによる特性のばらつきを最小限に抑えつつ、放熱量の調整が可能となる。共通電極２８は、サブマウント３０の共通端子３６と接続されており、発光部３８で発生した熱はサブマウント３０に伝達され放熱される。

【0032】

これに対して、複数の個別電極２６は、面積（幅）において同一である。個別電極２６の幅は、特に寄生容量に影響を与える。そのため、個別電極２６の面積（幅）を変えることで放熱性を調整した場合、寄生容量が変わるために周波数応答特性のばらつきを引き起こし、むしろ発光部３８間の特性差を大きくする恐れがある。半導体アレイ素子１００を連続波レーザ(ＣＷレーザ)として使用した場合であっても、個別電極２６の面積（幅）を変えると、コンタクト層２２との接触抵抗値に影響を与える。抵抗値のばらつきも特性のばらつきを引き起こす要因であり、好ましくない。

【0033】

［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。断面図の切断位置は、第１の実施形態と同じである。第１の実施形態との違いは、発光部２３８の数にあり、半導体アレイ素子２００は８チャネルに対応する。

【0034】

複数の個別電極２２６の幅（面積）は同一である。共通電極２２８は、最も外側の第２電極２２８Ｂと、内側の第１電極２２８Ａを含み、第２電極２２８Ｂは第１電極２２８Ａよりも幅（面積）において小さい。その他の構成は、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。本実施形態でも第１の実施形態の効果が得られる。

【0035】

［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。断面図の切断位置は、第１の実施形態と同じである。半導体アレイ素子３００は、８チャネル（Ｃｈ１～Ｃｈ８）に対応しているが、第２の実施形態よりもチャネル間の距離（ピッチ）が狭い。チャネル間のピッチとは、隣接するメサストライプ構造３１２の中央間の距離で定義される。チャネル間のピッチは、第２の実施形態では２５０μｍであるのに対し、本実施形態では１２５μｍである。

【0036】

チャネル間のピッチが狭いと、隣接する発光部３３８のみならず、さらに離れた発光部３３８からも熱が伝わる。そのため、発光部３３８は、配列の中央に近いほど、熱の影響が大きい。逆に、発光部３３８は、最も外側に近いほど、熱の影響が小さい。

【0037】

図７は、チャネル間のピッチを変えて動作温度がどう変化するかのシミュレーション結果の図である。ピッチは、２５０μｍおよび１２５μｍである。動作温度は、チャネルでの活性層３１６の温度である。シミュレーションでは、共通電極３２８の幅は全て同じとした。

【0038】

シミュレーション結果より明らかなように、２５０μｍピッチの場合は、Ｃｈ２～Ｃｈ７の動作温度はほぼ同一で、Ｃｈ１およびＣｈ８でのみ動作温度が低い。この場合、動作温度の差を低減するためには、第２の実施形態のように、第２電極３２８Ｂの幅を狭くすればよい。一方、チャネル間のピッチが１２５μｍの場合、動作温度は、Ｃｈ４およびＣｈ５で最も高く、Ｃｈ１およびＣｈ８に向かって徐々に低くなっている。

【0039】

そこで、本実施形態では、熱による影響の程度に応じて、複数の第１電極３２８Ａの幅を変えることで、内側のチャネル間でも動作温度の差を低減し、特性差を低減させている。具体的には、複数の第１電極３２８Ａは、一対の第２電極３２８Ｂのいずれかに近いほど、面積（幅）において小さい。

【0040】

一対の第２電極３２８Ｂの一方に最も近い第１電極３２８Ａは、面積（幅）において、一対の第２電極３２８Ｂの他方に最も近い第１電極３２８Ａと同じである。同様に、一対の第２電極３２８Ｂの一方にｎ番目に最も近い第１電極３２８Ａは、面積（幅）において、一対の第２電極３２８Ｂの他方にｎ番目に最も近い第１電極３２８Ａと同じである。

【0041】

［第４の実施形態］
図８は、第４の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。断面図の切断位置は、第１の実施形態と同じである。半導体アレイ素子４００は、第２の実施形態と同様に、８チャネルに対応し、チャネル間のピッチは２５０μｍである。

【0042】

従来の２５０μｍピッチでは、図７に示されるように、動作温度は、Ｃｈ１およびＣｈ８で低くなり、Ｃｈ２～Ｃｈ７では同等であった。Ｃｈ２～Ｃｈ７の全体の放熱性を向上させるためには、第１電極４２８Ａは幅において広い方が好ましく、隣同士の第１電極４２８Ａの間隔を無くすことが好ましい。

【0043】

本実施形態では、第１電極４２８Ａは、１つの第１電極４２８Ａである。１つの第１電極４２８Ａは、複数の第１メサストライプ構造４１２Ａ（発光部４３８）と同じ個数で均等な大きさの複数の部分４４０を有する。複数の部分４４０の境目は、隣同士の発光部４３８の中間点の直下にある。それぞれの部分４４０の幅Ｗは、発光部４３８のピッチＰと等しい。つまり、幅Ｗは、隣同士の発光部４３８の中間点から、両側に、半ピッチＰ／２の大きさを有する。

【0044】

一対の第２電極４２８Ｂのそれぞれは、面積において、複数の部分４４０のそれぞれよりも小さい。その結果、チャネル間の温度差を低減できる。複数の部分４４０が一体になっていても、複数の発光部４３８の温度差はないので、特性差は発生しない。その他の内容については、第２の実施形態で説明した内容を適用可能である。

【0045】

［第５の実施形態］
図９は、第５の実施形態に係る半導体アレイ素子の断面図である。断面図の切断位置は、第１の実施形態と同じである。半導体アレイ素子５００は、第２の実施形態と同様に、８チャネルに対応している。

【0046】

複数のメサストライプ構造５１２は、一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃをさらに含む。一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃは、第１メサストライプ構造５１２Ａおよび一対の第２メサストライプ構造５１２Ｂを挟む。第３メサストライプ構造５１２Ｃが最も外側のメサストライプ構造５１２であり、片側でのみ他のメサストライプ構造５１２に隣接する。一対の第２メサストライプ構造５１２Ｂは、内側のメサストライプ構造５１２であり、両側で他のメサストライプ構造５１２に隣接する。複数のメサストライプ構造５１２の間隔は均一である。

【0047】

複数の共通電極５２８は、一対の第３電極５２８Ｃをさらに含む。一対の第３電極５２８Ｃは、第１電極５２８Ａおよび一対の第２電極５２８Ｂを挟む。一対の第３電極５２８Ｃのそれぞれは、面積において、一対の第２電極５２８Ｂのいずれよりも大きい。あるいは、第３電極５２８Ｃは、幅において第２電極５２８Ｂと同じであってもよい。第３電極５２８Ｃは、幅において第１電極５２８Ａと同じであってもよい。なお、第３の実施形態で説明したように、複数の第１電極５２８Ａの幅を徐々に変化させても構わない。

【0048】

図１０は、第５の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。図１１は、図１０に示す半導体光装置のXI－XI線断面図である。

【0049】

サブマウント５３０は、複数の共通端子５３６を有する。複数の共通端子５３６は、第１電極５２８Ａに対向して接合される第１端子５３６Ａと、一対の第２電極５２８Ｂにそれぞれ対向して接合される一対の第２端子５３６Ｂと、一対の第３電極５２８Ｃに対向して接合される第３端子５３６Ｃを含む。

【0050】

サブマウント５３０は、複数の個別端子５３２を有する。複数の個別端子５３２のそれぞれ（最も外側の個別端子５３２を除く）は、第１メサストライプ構造５１２Ａおよび一対の第２メサストライプ構造５１２Ｂの活性層５１６に、ワイヤ５３４によって電気的に接続されている。

【0051】

最も外側の一対の個別端子５３２には、ワイヤがボンディングされていない。一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃの活性層５１６は、複数の個別端子５３２のいずれにも電気的に接続されない。したがって、最も外側の第３メサストライプ構造５１２Ｃはダミー構造であり、最も外側のチャネルは、駆動しないダミーチャネルである。ダミーチャネルは、構造において、駆動されるチャネルと同一だが、電気信号は入力されない。ダミーチャネルには発光が生じないので熱が生じない。そのため、最も外側のダミーチャネルの内側にあるチャネルは、片側からのみ熱の影響を受けるので、駆動されるチャネルのうちでは最も外側にある。本実施形態でも、一対の第２電極５２８Ｂは、片側からのみ熱の影響を受けるという意味で、他の実施形態の一対の第２電極５２８Ｂと変わりない。

【0052】

［第６の実施形態］
図１２は、第６の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。図１３は、図１２に示す半導体アレイ素子のXIII－XIII線断面図である。

【0053】

半導体アレイ素子６００は、リッジ型であり、半導体基板６１０上の４つの発光部６３８を有し、４チャネルに対応している。発光部６３８にはメサストライプ構造６１２がある。

【0054】

複数のメサストライプ構造６１２は、長さおよび一対の分離溝６２４で挟まれる幅も同一である。メサストライプ構造６１２は、第１導電型の半導体基板６１０上の半導体多層により構成されている。半導体多層は、半導体基板６１０から、第１導電型のバッファ層６１４、活性層６１６、第２導電型のメサエッチング停止層６１８、第２導電型のクラッド層６２０、そして第２導電型のコンタクト層６２２で構成されている。

【0055】

半導体基板６１０およびバッファ層６１４は、ｎ型のＩｎＰである。バッファ層６１４は、半導体基板６１０の上に広く配置されてもよい。あるいは、バッファ層６１４は無くしても構わない。活性層６１６は、ＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰを含む多重量子井戸構造であり、ここではアンドープ層である。活性層６１６の上下に光閉じ込め層を配置してもよい。メサエッチング停止層６１８とクラッド層６２０の間に、回折格子層を配置してもよい。メサエッチング停止層６１８は、ｐ型のＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰである。クラッド層６２０は、ｐ型のＩｎＰである。コンタクト層６２２は、ｐ型のＩｎＧａＡｓである。なお、ここで挙げた材料は一例に過ぎない。

【0056】

半導体アレイ素子６００の表面には、絶縁膜であるパッシベーション膜６２５が形成されている。パッシベーション膜６２５は例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜である。パッシベーション膜６２５は分離溝６２４の内側にも配置されている。パッシベーション膜６２５はメサストライプ構造６１２の上面には配置されない。

【0057】

半導体基板６１０の、半導体多層が配置されている側に、半導体基板６１０に接する共通電極６２８と、メサストライプ構造６１２に接する個別電極６２６が配置されている。

【0058】

個別電極６２６とコンタクト層６２２は電気的に接続されている。個別電極６２６は、メサストライプ構造６１２を介して活性層６１６に導通する。個別電極６２６は、メサストライプ構造６１２および分離溝６２４の一部を覆うように第１方向Ｄ１に延びる領域と、第２方向Ｄ２にメサストライプ構造６１２の隣に配置された領域と、その間をつなぐ領域を含む。４つの個別電極６２６の面積はすべて同じであり、かつ形状も同一である。４つの共通電極６２８は、第１方向Ｄ１の長さにおいて同一である。

【0059】

パッシベーション膜６２５は、半導体基板６１０の、複数の共通電極６２８と接する複数の領域には配置されない。共通電極６２８は、バッファ層６１４または半導体基板６１０を介して活性層６１６に導通する。共通電極６２８がバッファ層６１４と接してもよい。バッファ層６１４は、半導体基板６１０と同一の導電型であり、同一材料から形成され、両者は実質的に一体的なものである。一対の第２電極６２８Ｂのそれぞれは、幅において、隣接する第１電極６２８Ａより狭い。一対の第２電極６２８Ｂの幅は同一である。第１電極６２８Ａの幅は同一である。

【0060】

複数の共通電極６２８のそれぞれは、図１３に示すように、半導体基板６１０の上面から上方に屈曲し、半導体基板６１０の上面に接触する最下部６４２を含み、最下部６４２よりも高い位置にある最上部６４４を含む。

【0061】

第１電極６２８Ａは、第１メサストライプ構造６１２Ａの隣にある。一対の第２電極６２８Ｂのそれぞれは、一対の第２メサストライプ構造６１２Ｂの近い方の１つの隣にある。一対の第２電極６２８Ｂのそれぞれの最上部６４４は、面積において、第１電極６２８Ａの最上部６４４よりも小さい。

【0062】

半導体基板６１０の上面には、複数のメサストライプ構造６１２に加えて、複数のスペーサ６４６がある。複数のスペーサ６４６も、第１方向Ｄ１に延びており、第２方向Ｄ２に隣同士が並び、複数のメサストライプ構造６１２と同じ材料の複数層からなる。

【0063】

複数のスペーサ６４６は、第１電極６２８Ａが載る第１スペーサ６４６Ａと、第２電極６２８Ｂが載る第２スペーサ６４６Ｂを含む。第１スペーサ６４６Ａおよび第２スペーサ６４６Ｂは、複数のメサストライプ構造６１２の、第２方向Ｄ２に沿った同じ側（図１３では右側）にある。

【0064】

複数のスペーサ６４６は、複数の個別電極６２６がそれぞれ載る複数の個別スペーサ６４８を含む。複数の個別スペーサ６４８は、それぞれ、複数のメサストライプ構造６１２の、第２方向Ｄ２に沿った同じ側（図１３では左側）にある。個別電極６２６は、メサストライプ構造６１２の上にある部分と、個別スペーサ６４８の上にある部分と、両者を接続する部分を含む。

【0065】

図１４は、第６の実施形態に係る半導体光装置の概略平面図である。図１５は、図１４に示す半導体光装置のXV－XV線断面図である。半導体アレイ素子６００はサブマウント６３０にジャンクションダウン搭載されている。サブマウント６３０は、ＡｌＮなどのセラミックで形成された基板６５０を有する。サブマウント６３０は、複数の個別端子６３２および複数の共通端子６３６を有する。

【0066】

複数の個別端子６３２のそれぞれと複数の個別電極６２６の対応する１つは、対向して電気的に接続される。両者は機械的にも接続される。個別端子６３２は、半導体アレイ素子６００の個別電極６２６とはんだや導電性接着剤などを介して接続される。

【0067】

複数の共通端子６３６のそれぞれと複数の共通電極６２８の対応する１つは、対向して電気的に接続される。両者は機械的にも接続される。共通端子６３６は、半導体アレイ素子６００の共通電極６２８とはんだや導電性接着剤などの接合剤を介して接続される。

【0068】

図示しない外部の電気回路より、電気信号が、共通端子６３６および個別端子６３２に入力され、共通電極６２８および個別電極６２６に伝達され、活性層６１６にて光が発生し、光信号が生成される。

【0069】

本実施形態においても、最も外側の発光部６３８Ｂは、内側の発光部６３８Ａよりも熱の影響が小さいので、第２電極６２８Ｂを第１電極６２８Ａよりも幅を小さくすることで、他の実施形態と同様の効果を得ることができる。第２電極６２８Ｂが面積において第１電極６２８Ａより小さければ、両者の第１方向Ｄ１の長さは、同一であってもよいし異なっていてもよい。

【0070】

共通電極６２８は、共通端子６３６に接する接触領域６５２と、共通端子６３６に接しない非接触領域６５４を含む。内側の第１電極６２８Ａは、最も外側の第２電極６２８Ｂよりも、接触領域６５２の面積において大きい。非接触領域６５４においても放熱は行われるが、放熱量が多いのは接触領域６５２である。そのため、接触領域６５２の面積を調整することで、各発光部６３８間の実効的な動作温度のばらつきを抑制する効果が高くなる。なお、個別電極６２６と個別端子６３２が接する領域の面積はすべて同一としている。これは上述したように寄生容量などの特性のばらつきを発生させないためである。

【0071】

本実施形態で示したように、個別電極６２６および共通電極６２８は、半導体基板６１０の同じ側に配置してもよい。なお、同一側に共通電極６２８を配置する構造を他の実施形態に適用しても同様の効果が得られる。

【0072】

［第７の実施形態］
図１６は、第７の実施形態に係る半導体アレイ素子の概略平面図である。図１７は、図１６に示す半導体アレイ素子のXVII－XVII線断面図である。

【0073】

半導体アレイ素子７００は、埋め込み型であり、複数のメサストライプ構造７１２のそれぞれは両側で埋め込み層７５６によって埋め込まれている。埋め込み層７５６は、例えば半絶縁性のＩｎＰである。

【0074】

半導体アレイ素子７００は、半導体基板７１０上の複数の発光部７３８を有し、例えば４チャネルに対応している。発光部７３８にはメサストライプ構造７１２がある。発光部７３８には、半導体基板７１０に接する共通電極７２８と、メサストライプ構造７１２に接する個別電極７２６が配置されている。発光部７３８は、共通電極７２８および個別電極７２６の重複領域で定義される。電気信号が入力されることで、メサストライプ構造７１２に含まれる活性層７１６が発光する。

【0075】

個別電極７２６は、メサストライプ構造７１２より幅広で第１方向Ｄ１に延びる領域と、第２方向Ｄ２にメサストライプ構造７１２の隣に配置された領域と、その間をつなぐ領域を含む。４つの個別電極７２６の面積はすべて同じであり、かつ形状も同一である。

【0076】

メサストライプ構造７１２は、半導体アレイ素子７００の両端面に至るように延伸している。複数のメサストライプ構造７１２は幅において同一である。メサストライプ構造７１２は、第１導電型の半導体基板７１０上の半導体多層により構成されている。半導体多層は、半導体基板７１０から、第１導電型の光閉じ込め層７５８、活性層７１６、第２導電型の光閉じ込め層７６０、第２導電型のクラッド層７２０、そして第２導電型のコンタクト層７２２で構成されている。

【0077】

半導体基板７１０は、ｎ型のＩｎＰである。光閉じ込め層７５８、活性層７１６，光閉じ込め層７６０は、ＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰである。活性層７１６は、アンドープの多重量子井戸層である。クラッド層７２０は、ｐ型のＩｎＰである。コンタクト層７２２は、ｐ型のＩｎＧａＡｓである。半導体基板７１０と光閉じ込め層７５８との間にバッファ層を配置してもよい。光閉じ込め層７６０とクラッド層７２０の間に回折格子層を配置してもよい。なお、ここで挙げた材料は一例に過ぎない。

【0078】

半導体アレイ素子７００の表面には、絶縁膜のパッシベーション膜７２５が形成されている。パッシベーション膜７２５は、メサストライプ構造７１２の上面を除いて配置されている。パッシベーション膜７２５は、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜である。

【0079】

本実施形態でも、内側の発光部７３８Ａは、最も外側の発光部７３８Ｂよりも熱の影響が大きい。そこで、１つの発光部７３８のみに隣接する発光部７３８Ｂの第２電極７２８Ｂが、面積（幅）において、一対の発光部７３８に挟まれる発光部７３８Ａの第１電極７２８Ａよりも小さくなっている。これにより、複数の発光部７３８の動作温度の差を低減し、特性差を低減することができる。なお、他の実施形態を組み合わせても同様の効果が得られる。

【0080】

第２電極７２８Ｂが面積（幅）において第１電極７２８Ａより小さくなるのであれば、両者の第１方向Ｄ１の長さは、同一であってもよいし異なっていてもよい。第１電極７２８Ａおよび第２電極７２８Ｂは、いずれも半導体基板７１０に導通する。一方、メサストライプ構造７１２に接続される複数の個別電極７２６の面積は、特性に強く影響を与えるので同じである。

【0081】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態を説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【0082】

［実施形態の概要］
（１）半導体基板１０と、第１方向Ｄ１にそれぞれが延び、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に隣り合って等間隔で並び、前記半導体基板１０に電気的に接続する活性層１６をそれぞれが有する複数のメサストライプ構造１２と、前記第２方向Ｄ２に隣り合って並び、前記複数のメサストライプ構造の対応する１つの前記活性層１６にそれぞれが電気的に接続する複数の個別電極２６と、前記第２方向Ｄ２に隣り合って並び、前記半導体基板１０にそれぞれが電気的に接続する複数の共通電極２８と、を有し、前記複数のメサストライプ構造１２は、第１メサストライプ構造１２Ａと、前記第１メサストライプ構造１２Ａを挟む一対の第２メサストライプ構造１２Ｂと、を含み、前記複数の共通電極２８は、第１電極２８Ａと、前記第１電極２８Ａを挟む一対の第２電極２８Ｂと、を含み、前記第１電極２８Ａは、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記第１メサストライプ構造１２Ａに最も近く、前記一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、前記複数のメサストライプ構造の中で、前記一対の第２メサストライプ構造１２Ｂの対応する１つに最も近く、前記一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、面積において、前記第１電極２８Ａよりも小さい半導体アレイ素子１００。

【0083】

第２電極２８Ｂが面積において第１電極２８Ａよりも小さいので、熱に起因する特性差を小さくすることができる。いずれも複数の共通電極２８に含まれるので、熱以外の要因による特性のばらつきを引き起こさない。

【0084】

（２）（１）に記載された半導体アレイ素子１００であって、前記一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、前記第１方向Ｄ１の長さにおいて、前記第１電極２８Ａと同じであり、前記一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、前記第２方向Ｄ２の幅において、前記第１電極２８Ａよりも小さい半導体アレイ素子１００。

【0085】

（３）（１）又は（２）に記載された半導体アレイ素子１００であって、前記複数の個別電極２６は、面積において相互に等しい半導体アレイ素子１００。

【0086】

（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子４００であって、前記第１メサストライプ構造４１２Ａは、複数の第１メサストライプ構造４１２Ａであり、前記第１電極４２８Ａは、１つの第１電極４２８Ａであり、前記１つの第１電極４２８Ａは、前記複数の第１メサストライプ構造４１２Ａと同じ個数で均等な大きさの複数の部分４４０を有し、前記一対の第２電極４２８Ｂのそれぞれは、面積において、前記複数の部分４４０のそれぞれよりも小さい半導体アレイ素子４００。

【0087】

（５）（１）から（３）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子１００であって、前記第１メサストライプ構造１２Ａは、複数の第１メサストライプ構造１２Ａであり、前記第１電極２８Ａは、分離された複数の第１電極２８Ａである半導体アレイ素子１００。

【0088】

（６）（５）に記載された半導体アレイ素子１００であって、前記複数の第１電極２８Ａは、面積において相互に等しい半導体アレイ素子１００。

【0089】

（７）（５）に記載された半導体アレイ素子３００であって、前記複数の第１電極３２８Ａは、前記一対の第２電極３２８Ｂのいずれかに近いほど、面積において小さい半導体アレイ素子３００。

【0090】

（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子１００であって、前記複数のメサストライプ構造１２は、前記半導体基板１０の上面にあり、前記複数の共通電極２８は、前記半導体基板１０の下面にあり、前記第１電極２８Ａは、前記第１メサストライプ構造１２Ａに重なり、前記一対の第２電極２８Ｂのそれぞれは、前記一対の第２メサストライプ構造１２Ｂの近い方の１つに重なる半導体アレイ素子１００。

【0091】

（９）（１）から（７）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子６００であって、前記複数のメサストライプ構造６１２は、前記半導体基板６１０の上面にあり、前記複数の共通電極６２８は、前記半導体基板６１０の前記上面に接触し、前記第１電極６２８Ａは、前記第１メサストライプ構造６１２Ａに隣り合い、前記一対の第２電極６２８Ｂのそれぞれは、前記一対の第２メサストライプ構造６１２Ｂの近い方の１つの隣にある半導体アレイ素子６００。

【0092】

（１０）（９）に記載された半導体アレイ素子６００であって、前記複数の共通電極６２８のそれぞれは、前記半導体基板６１０の前記上面から上方に屈曲し、前記上面に接触する最下部６４２と、前記下端部よりも高い位置にある最上部６４４と、を含み、前記一対の第２電極６２８Ｂのそれぞれの前記最上部６４４は、面積において、前記第１電極６２８Ａの前記最上部６４４よりも小さい半導体アレイ素子６００。

【0093】

（１１）（１）から（１０）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子７００であって、前記複数のメサストライプ構造７１２のそれぞれを両側で埋め込む埋め込み層７５６をさらに有する半導体アレイ素子７００。

【0094】

（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子５００であって、前記複数のメサストライプ構造５１２は、前記第１メサストライプ構造５１２Ａおよび前記一対の第２メサストライプ構造５１２Ｂを挟む一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃをさらに含み、前記複数の共通電極５２８は、前記第１電極５２８Ａおよび前記一対の第２電極５２８Ｂを挟む一対の第３電極５２８Ｃをさらに含み、前記一対の第３電極５２８Ｃは、面積において、前記一対の第２電極５２８Ｂ以上である半導体アレイ素子５００。

【0095】

（１３）（１）から（１２）のいずれか１項に記載された半導体アレイ素子１００と、前記半導体アレイ素子１００が搭載されるサブマウント３０と、を有し、前記サブマウント３０は、複数の個別端子３２および複数の共通端子３６を有し、前記複数の個別端子３２のそれぞれは、前記複数の個別電極２６の対応する１つに電気的に接続され、前記複数の共通端子３６のそれぞれは、前記複数の共通電極２８の対応する１つに電気的に接続される半導体光装置。

【0096】

（１４）（１３）に記載された半導体光装置であって、前記複数の共通端子３６は、前記第１電極２８Ａに対向して接合される第１端子３６Ａと、前記一対の第２電極２８Ｂにそれぞれ対向して接合される一対の第２端子３６Ｂと、を含み、前記一対の第２端子３６Ｂのそれぞれは、面積において、前記第１端子３６Ａよりも小さい半導体光装置。

【0097】

（１５）（１４）に記載された半導体光装置であって、前記一対の第２端子３６Ｂのそれぞれは、前記共通電極２８の対応する前記１つとの接合面積において、前記第１端子３６Ａよりも小さい半導体光装置。

【0098】

（１６）（１３）から（１５）のいずれか１項に記載された半導体光装置であって、前記複数の個別端子３２のそれぞれと前記複数の個別電極２６の前記対応する１つを電気的に接続するワイヤ３４をさらに有し、前記複数の共通端子３６のそれぞれと前記複数の共通電極２８の前記対応する１つは、対向して電気的に接続される半導体光装置。

【0099】

（１７）（１３）から（１５）のいずれか１項に記載された半導体光装置であって、前記複数の個別端子６３２のそれぞれと前記複数の個別電極６２６の前記対応する１つは、対向して電気的に接続され、前記複数の共通端子６３６のそれぞれと前記複数の共通電極６２８の前記対応する１つは、対向して電気的に接続される半導体光装置。

【0100】

（１８）（１３）から（１５）のいずれか１項に記載された半導体光装置であって、前記複数のメサストライプ構造５１２は、前記第１メサストライプ構造５１２Ａおよび前記一対の第２メサストライプ構造５１２Ｂを挟む一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃをさらに含み、前記複数の共通電極５２８は、前記第１電極５２８Ａおよび前記一対の第２電極５２８Ｂを挟む一対の第３電極５２８Ｃをさらに含み、前記一対の第３電極５２８Ｃのそれぞれは、面積において、前記一対の第２電極５２８Ｂのいずれよりも大きく、前記複数の個別端子５３２は、前記一対の第３メサストライプ構造５１２Ｃの前記活性層５１６には電気的に接続されない半導体光装置。

【0101】

（１９）（１８）に記載された半導体光装置であって、前記複数の共通端子５３６は、前記第１電極５２８Ａに対向して接合される第１端子５３６Ａと、前記一対の第２電極５２８Ｂにそれぞれ対向して接合される一対の第２端子５３６Ｂと、前記一対の第３電極５２８Ｃに対向して接合される第３端子５３６Ｃと、を含む半導体光装置。

【符号の説明】

【0102】

１０ 半導体基板、１２ メサストライプ構造、１２Ａ 第１メサストライプ構造、１２Ｂ 第２メサストライプ構造、１４ バッファ層、１６ 活性層、１８ メサエッチング停止層、２０ クラッド層、２２ コンタクト層、２４ 分離溝、２５ パッシベーション膜、２６ 個別電極、２８ 共通電極、２８Ａ 第１電極、２８Ｂ 第２電極、３０ サブマウント、３２ 個別端子、３４ ワイヤ、３６ 共通端子、３６Ａ 第１端子、３６Ｂ 第２端子、３８ 発光部、３８Ａ 発光部、３８Ｂ 発光部、１００ 半導体アレイ素子、２００ 半導体アレイ素子、２２６ 個別電極、２２８ 共通電極、２２８Ａ 第１電極、２２８Ｂ 第２電極、２３８ 発光部、３００ 半導体アレイ素子、３１２ メサストライプ構造、３１６ 活性層、３２８ 共通電極、３２８Ａ 第１電極、３２８Ｂ 第２電極、３３８ 発光部、４００ 半導体アレイ素子、４１２Ａ 第１メサストライプ構造、４２８Ａ 第１電極、４２８Ｂ 第２電極、４３８ 発光部、４４０ 部分、５００ 半導体アレイ素子、５１２ メサストライプ構造、５１２Ａ 第１メサストライプ構造、５１２Ｂ 第２メサストライプ構造、５１２Ｃ 第３メサストライプ構造、５１６ 活性層、５２８ 共通電極、５２８Ａ 第１電極、５２８Ｂ 第２電極、５２８Ｃ 第３電極、５３０ サブマウント、５３２ 個別端子、５３４ ワイヤ、５３６ 共通端子、５３６Ａ 第１端子、５３６Ｂ 第２端子、５３６Ｃ 第３端子、６００ 半導体アレイ素子、６１０ 半導体基板、６１２ メサストライプ構造、６１２Ａ 第１メサストライプ構造、６１２Ｂ 第２メサストライプ構造、６１４ バッファ層、６１６ 活性層、６１８ メサエッチング停止層、６２０ クラッド層、６２２ コンタクト層、６２４ 分離溝、６２５ パッシベーション膜、６２６ 個別電極、６２８ 共通電極、６２８Ａ 第１電極、６２８Ｂ 第２電極、６３０ サブマウント、６３２ 個別端子、６３６ 共通端子、６３８ 発光部、６３８Ａ 発光部、６３８Ｂ 発光部、６４２ 最下部、６４４ 最上部、６４６ スペーサ、６４６Ａ 第１スペーサ、６４６Ｂ 第２スペーサ、６４８ 個別スペーサ、６５０ 基板、６５２ 接触領域、６５４ 非接触領域、７００ 半導体アレイ素子、７１０ 半導体基板、７１２ メサストライプ構造、７１６ 活性層、７２０ クラッド層、７２２ コンタクト層、７２５ パッシベーション膜、７２６ 個別電極、７２８ 共通電極、７２８Ａ 第１電極、７２８Ｂ 第２電極、７３８ 発光部、７３８Ａ 発光部、７３８Ｂ 発光部、７５６ 埋め込み層、７５８ 光閉じ込め層、７６０ 光閉じ込め層、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｐ ピッチ、Ｗ 幅。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】