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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024149326
(43)【公開日】2024-10-18
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20241010BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241010BHJP
H10K 50/80 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/80 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/82 20230101ALI20241010BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20241010BHJP
H10K 59/19 20230101ALI20241010BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348Z
G09F9/30 365
G09F9/30 338
H10K59/35
H10K59/122
H10K50/80
H10K59/131
H10K59/80
H10K59/82
H10K50/844
H10K59/121
H10K59/19
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023112912
(22)【出願日】2023-07-10
(31)【優先権主張番号】P 2023062837
(32)【優先日】2023-04-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 英幸
(72)【発明者】
【氏名】木村 裕之
(72)【発明者】
【氏名】田畠 弘志
(72)【発明者】
【氏名】森田 哲生
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC05
3K107CC33
3K107DD39
3K107DD89
3K107EE07
3K107EE08
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF15
3K107HH05
5C094AA60
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA13
5C094DB01
5C094EA04
5C094EA07
5C094FA01
5C094JA01
(57)【要約】
【課題】 改善された配線構造を有する表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、複数の副画素をそれぞれ含み第１方向に並ぶ第１乃至第３画素と、導電性の下部および下部の側面から突出する上部を含み、第１乃至第３画素をそれぞれ囲う隔壁とを備える。複数の副画素の各々は、下電極と、下電極を覆う有機層と、下部に接触し有機層を覆う上電極とを含む。隔壁は、第１画素と第２画素の間に位置し第１画素に沿って第２方向に延びる第１隔壁と、第１画素と第２画素の間に位置し第２画素に沿って第２方向に延びる第２隔壁と、第２画素と第３画素の間に位置し第２方向に延びる第３隔壁と含む。第１隔壁および第２隔壁は、第２方向に延びるスリットを介して第１方向に離間し、第３隔壁は、第２画素と第３画素の間にわたり連続的に形成されている。
【選択図】 図５
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、複数の副画素をそれぞれ含み第１方向に並ぶ第１乃至第３画素と、導電性の下部および下部の側面から突出する上部を含み、第１乃至第３画素をそれぞれ囲う隔壁とを備える。複数の副画素の各々は、下電極と、下電極を覆う有機層と、下部に接触し有機層を覆う上電極とを含む。隔壁は、第１画素と第２画素の間に位置し第１画素に沿って第２方向に延びる第１隔壁と、第１画素と第２画素の間に位置し第２画素に沿って第２方向に延びる第２隔壁と、第２画素と第３画素の間に位置し第２方向に延びる第３隔壁と含む。第１隔壁および第２隔壁は、第２方向に延びるスリットを介して第１方向に離間し、第３隔壁は、第２画素と第３画素の間にわたり連続的に形成されている。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
異なる色の複数の副画素をそれぞれ含み、第１方向に並ぶ第１画素、第２画素および第３画素と、
導電性の下部および前記下部の側面から突出する上部を含み、前記第１画素、前記第２画素および前記第３画素をそれぞれ囲う隔壁と、
を備え、
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記隔壁は、
前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第１画素に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延びる第１隔壁と、
前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第２画素に沿って前記第２方向に延びる第２隔壁と、
前記第２画素と前記第３画素の間に位置し、前記第２方向に延びる第３隔壁と、
を含み、
前記第１隔壁および前記第２隔壁は、前記第２方向に延びるスリットを介して前記第１方向に離間し、
前記第３隔壁は、前記第２画素と前記第３画素の間にわたり連続的に形成されている、
表示装置。
導電性の下部および前記下部の側面から突出する上部を含み、前記第１画素、前記第２画素および前記第３画素をそれぞれ囲う隔壁と、
を備え、
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記隔壁は、
前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第１画素に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延びる第１隔壁と、
前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第２画素に沿って前記第２方向に延びる第２隔壁と、
前記第２画素と前記第３画素の間に位置し、前記第２方向に延びる第３隔壁と、
を含み、
前記第１隔壁および前記第２隔壁は、前記第２方向に延びるスリットを介して前記第１方向に離間し、
前記第３隔壁は、前記第２画素と前記第３画素の間にわたり連続的に形成されている、
表示装置。
【請求項2】
前記第１方向における前記第３隔壁の幅は、前記第１方向における前記第１隔壁および前記第２隔壁の各々の幅よりも大きい、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１方向における前記第３隔壁の幅は、前記第１方向における前記第１隔壁、前記第２隔壁および前記スリットの合計幅と同じである、
請求項２に記載の表示装置。
請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１方向における前記第１隔壁、前記第２隔壁および前記第３隔壁の各々の幅が同じである、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１方向における前記スリットの幅は、前記第１方向における前記第１隔壁および前記第２隔壁の各々の幅よりも小さい、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１画素、前記第２画素および前記第３画素の各々は、前記第１方向に並ぶ第１副画素および第２副画素を含み、
前記隔壁は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に位置し前記第２方向に延びる第４隔壁をさらに含み、
前記第１方向における前記第４隔壁の幅は、前記第１方向における前記第３隔壁の幅以下である、
請求項１に記載の表示装置。
前記隔壁は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に位置し前記第２方向に延びる第４隔壁をさらに含み、
前記第１方向における前記第４隔壁の幅は、前記第１方向における前記第３隔壁の幅以下である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１方向における前記第１隔壁、前記第２隔壁および前記第４隔壁の各々の幅が同じである、
請求項６に記載の表示装置。
請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記下電極に接続された画素回路と、
前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、
前記画素回路に映像信号を供給する信号線と、
をさらに備え、
前記スリットは、前記信号線と平行に延びている、
請求項１に記載の表示装置。
前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、
前記画素回路に映像信号を供給する信号線と、
をさらに備え、
前記スリットは、前記信号線と平行に延びている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記下電極に接続された画素回路と、
前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、
前記画素回路に映像信号を供給する信号線と、
をさらに備え、
前記スリットは、前記走査線と平行に延びている、
請求項１に記載の表示装置。
前記画素回路に走査信号を供給する走査線と、
前記画素回路に映像信号を供給する信号線と、
をさらに備え、
前記スリットは、前記走査線と平行に延びている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記スリットには、前記有機層および前記上電極が配置されていない、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
前記複数の副画素の各々は、無機絶縁材料で形成された封止層をさらに備え、
前記封止層は、前記有機層および前記上電極を含む積層体と、前記隔壁とを連続的に覆い、
前記スリットには、前記封止層が配置されていない、
請求項１に記載の表示装置。
前記封止層は、前記有機層および前記上電極を含む積層体と、前記隔壁とを連続的に覆い、
前記スリットには、前記封止層が配置されていない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項12】
前記封止層を覆う樹脂層をさらに備え、
前記樹脂層は、前記スリットを満たしている、
請求項１１に記載の表示装置。
前記樹脂層は、前記スリットを満たしている、
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記下電極および前記隔壁により、前記第１画素、前記第２画素および前記第３画素を含む複数の画素が配列された表示領域と重なる共通電極が構成され、
前記スリットの少なくとも一端が前記共通電極の外縁に達している、
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記スリットの少なくとも一端が前記共通電極の外縁に達している、
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項14】
前記共通電極は、前記スリットにより分断された複数のセグメントを有し、
前記複数のセグメントは、電気的に接続されている、
請求項１３に記載の表示装置。
前記複数のセグメントは、電気的に接続されている、
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項15】
前記複数のセグメントは、前記スリットの延出方向と交差する配列方向に並び、
前記複数のセグメントのうちの少なくとも２つは、前記配列方向において互いに異なる幅を有している、
請求項１４に記載の表示装置。
前記複数のセグメントのうちの少なくとも２つは、前記配列方向において互いに異なる幅を有している、
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項16】
前記表示領域および前記共通電極の各々は、前記配列方向における中心から離れるにつれて前記延出方向における幅が減少する平面形状を有し、
前記複数のセグメントは、第１セグメントと、前記第１セグメントよりも前記中心に近い第２セグメントと、を含み、
前記第１セグメントの前記配列方向における幅は、前記第２セグメントの前記配列方向における幅よりも大きい、
請求項１５に記載の表示装置。
前記複数のセグメントは、第１セグメントと、前記第１セグメントよりも前記中心に近い第２セグメントと、を含み、
前記第１セグメントの前記配列方向における幅は、前記第２セグメントの前記配列方向における幅よりも大きい、
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項17】
前記表示領域および前記共通電極の平面形状は、円形である、
請求項１６に記載の表示装置。
請求項１６に記載の表示装置。
【請求項18】
前記表示領域の周囲の周辺領域に配置され、前記複数のセグメントの各々に接続された給電線と、
共通電圧を供給するための端子を含む端子部と、
前記端子部と前記給電線を接続する接続部と、
をさらに備え、
前記複数のセグメントは、第１セグメントと、前記給電線に沿う前記接続部からの距離が前記第１セグメントよりも短い第２セグメントと、を含み、
前記第１セグメントの前記配列方向における幅は、前記第２セグメントの前記配列方向における幅よりも小さい、
請求項１５に記載の表示装置。
共通電圧を供給するための端子を含む端子部と、
前記端子部と前記給電線を接続する接続部と、
をさらに備え、
前記複数のセグメントは、第１セグメントと、前記給電線に沿う前記接続部からの距離が前記第１セグメントよりも短い第２セグメントと、を含み、
前記第１セグメントの前記配列方向における幅は、前記第２セグメントの前記配列方向における幅よりも小さい、
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項19】
前記複数のセグメントのうち隣り合う２つのセグメントの一方と重なる画素の数と、他方と重なる画素の数との差が１０％以内である、
請求項１５に記載の表示装置。
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項20】
前記複数のセグメントのうち、最も面積が大きいセグメントと重なる画素の数と、最も面積が小さいセグメントと重なる画素の数との差が３０％以内である、
請求項１５に記載の表示装置。
請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。各表示素子の上電極には、表示領域に配置された配線を通じて共通電圧が印加される。これら上電極および配線は、表示領域と全体的に重なる共通電極を構成する。
【0003】
表示装置を備える電子機器に対し、近距離無線通信（ＮＦＣ）のための電波を送受信するアンテナが表示装置に重ねた状態で組み込まれることがある。この場合においては、アンテナが発する磁界に起因した渦電流が共通電極に発生し得る。共通電極が低抵抗であると、渦電流により生じる磁界が強まり、アンテナによる通信を阻害する一因となる。
【0004】
また、表示装置に透光性が求められることがある。しかしながら、上記配線が金属などの遮光性を有する材料で形成されていると、表示装置の透光性が大幅に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、改善された配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態に係る表示装置は、異なる色の複数の副画素をそれぞれ含み第１方向に並ぶ第１画素、第２画素および第３画素と、導電性の下部および前記下部の側面から突出する上部を含み、前記第１画素、前記第２画素および前記第３画素をそれぞれ囲う隔壁と、を備えている。前記複数の副画素の各々は、下電極と、前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、を含む。前記隔壁は、前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第１画素に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延びる第１隔壁と、前記第１画素と前記第２画素の間に位置し、前記第２画素に沿って前記第２方向に延びる第２隔壁と、前記第２画素と前記第３画素の間に位置し、前記第２方向に延びる第３隔壁と、含む。前記第１隔壁および前記第２隔壁は、前記第２方向に延びるスリットを介して前記第１方向に離間し、前記第３隔壁は、前記第２画素と前記第３画素の間にわたり連続的に形成されている。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向と称する。Ｚ方向は、Ｘ方向ＸとＹ方向を含む平面に対して法線方向である。また、Ｚ方向と平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0011】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0012】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0013】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0014】
表示領域ＤＡは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0015】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0016】
表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線Ｇと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線Ｓと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線Ｇおよび電源線ＰＬがＸ方向に延び、信号線ＳがＹ方向に延びている。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１とＸ方向に並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３がＹ方向に並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＹ方向に交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、Ｘ方向に交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0022】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0023】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0024】
リブ５の上には、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、平面視において格子状であり、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれを囲っている。
【0025】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0026】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。図３の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。
【0027】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0028】
図３の例において、下部６１は、リブ５の上に配置されたボトム部６３と、ボトム部６３の上に配置された軸部６４とを有している。ボトム部６３は、軸部６４よりも薄く形成されている。図３の例においてはボトム部６３と軸部６４の側面が揃っているが、ボトム部６３の両端部が軸部６４の側面から突出してもよい。
【0029】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0030】
表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0031】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0032】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0033】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0034】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0035】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0036】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0037】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0038】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0039】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0040】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0041】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら薄膜の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0042】
隔壁６のボトム部６３および軸部６４は、金属材料によって形成されている。ボトム部６３の金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。軸部６４の金属材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。なお、軸部６４が絶縁性の材料で形成されてもよい。
【0043】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。さらに、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。
【0044】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線Ｓの映像信号に応じた画素電圧が供給される。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0046】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0047】
図４は、表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３に共通電圧を印加する共通電極ＣＥを構成する。図４中に拡大して示すように、表示領域ＤＡに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が配置され、さらに上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の隙間には隔壁６が配置されている。したがって、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡと全体的に重なっている。
【0048】
周辺領域ＳＡには、複数のパッドを含む端子部Ｔが配置されている。端子部Ｔには、例えば導電性の接着材によってフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）が接続される。これらフレキシブル回路基板および端子部Ｔを通じて画像表示に必要な電圧や信号が供給される。
【0049】
さらに、周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷが配置されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔから共通電圧が印加されている。図４の例において、給電線ＰＷは、端子部Ｔと表示領域ＤＡの間でＸ方向に延びている。
【0050】
共通電極ＣＥは、少なくとも一端が共通電極ＣＥの外縁（平面視における輪郭）に達したスリットＳＬを有している。図４の例においては、共通電極ＣＥが５本のスリットＳＬを有しているが、スリットＳＬの数はこの例に限られない。
【0051】
図４の例においては、各スリットＳＬの両端が共通電極ＣＥの外縁に達している。これにより、共通電極ＣＥは、各スリットＳＬを介して離間した６つのセグメントＳＧに分割されている。
【0052】
各スリットＳＬは、Ｙ方向に延びている。他の観点からいうと、各スリットＳＬは、図１に示した信号線Ｓと平行に延びている。Ｘ方向におけるスリットＳＬの間隔は、例えば一定である。この場合においては、各セグメントＳＧのＸ方向における幅が同等である。
【0053】
各セグメントＳＧは、Ｙ方向（スリットＳＬの延出方向）における第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有している。各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１は、給電線ＰＷに接続されている。すなわち、各セグメントＳＧは、給電線ＰＷを介して電気的に接続されている。各セグメントＳＧの第２端部Ｅ２は、スリットＳＬを介して離間しており、給電線ＰＷのような導電性の部材によって接続されていない。
【0054】
図５は、スリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。以下の説明においては、図５中のスリットＳＬの左方に位置するセグメントＳＧを第１セグメントＳＧ１と呼び、右方に位置するセグメントＳＧを第２セグメントＳＧ２と呼ぶ。
【0055】
また、スリットＳＬに隣接する第１セグメントＳＧ１の画素ＰＸを第１画素ＰＸ１と呼び、画素ＰＸ１とＸ方向に並ぶ第２セグメントＳＧ２の２つの画素ＰＸをそれぞれ第２画素ＰＸ２および第３画素ＰＸ３と呼ぶ。画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３は、いずれも副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含み、隔壁６によって囲われている。
【0056】
スリットＳＬは、第１セグメントＳＧ１の副画素ＳＰ１と、第２セグメントＳＧ２の副画素ＳＰ２，ＳＰ３との間に位置している。スリットＳＬに隣接するこれら副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、スリットＳＬに隣接しない他の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３と同じく隔壁６によって囲われている。
【0057】
隔壁６は、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の間に位置する第１隔壁６ｙ１および第２隔壁６ｙ２と、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間に位置する第３隔壁６ｙ３とを含む。第１隔壁６ｙ１は、第１画素ＰＸ１に沿ってＹ方向に延びている。第２隔壁６ｙ２は、第２画素ＰＸ２に沿ってＹ方向に延びている。第１隔壁６ｙ１および第２隔壁６ｙ２は、スリットＳＬを介してＸ方向に離間している。第３隔壁６ｙ３は、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間でＹ方向に延びている。また、第３隔壁６ｙ３は、スリットで分断されることなく、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間にわたりＸ方向に連続的に形成されている。
【0058】
隔壁６は、Ｙ方向に延びる複数の第４隔壁６ｙ４をさらに含む。第４隔壁６ｙ４は、画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３において副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２，ＳＰ３との間に位置している。第４隔壁６ｙ４は、第３隔壁６ｙ３と同じくスリットで分断されていない。
【0059】
Ｘ方向において、第１隔壁６ｙ１は幅Ｗｙ１を有し、第２隔壁６ｙ２は幅Ｗｙ２を有し、第３隔壁６ｙ３は幅Ｗｙ３を有し、第４隔壁６ｙ４は幅Ｗｙ４を有し、スリットＳＬは幅Ｗｓを有している。ここで、幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ３，Ｗｙ４は、それぞれ隔壁６ｙ１，６ｙ２，６ｙ３，６ｙ４の上部６２のＸ方向における幅である。また、幅Ｗｓは、隔壁６ｙ１，６ｙ２の上部６２の端部間のＸ方向における距離である。本実施形態においては、幅Ｗｙ３が幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ４の各々よりも大きい（Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ４＜Ｗｙ３）。幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ４は、例えば同じである。
【0060】
さらに、本実施形態においては、幅Ｗｙ３が第１隔壁６ｙ１、第２隔壁６ｙ２およびスリットＳＬの合計幅と同じである（Ｗｙ１＋Ｗｙ２＋Ｗｓ＝Ｗｙ３）。これにより、画素ＰＸ１，ＰＸ２のＸ方向における間隔と、画素ＰＸ２，ＰＸ３のＸ方向における間隔とが一致する。
【0061】
また、図５の例においては、幅Ｗｓが幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ３，Ｗｙ４の各々よりも小さい（Ｗｓ＜Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ３，Ｗｙ４）。ただし、幅Ｗｓは、幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ４の少なくとも１つと同じであってもよいし、幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ４の少なくとも１つより大きくてもよい。
【0062】
【0063】
隔壁６ｙ１，６ｙ２、６ｙ３、６ｙ４は、いずれも上述の下部６１（ボトム部６３および軸部６４）と、下部６１の側面から突出する上部６２とを有している。スリットＳＬにおいては、下部６１および上部６２がいずれも配置されていない。すなわち、スリットＳＬにおいては、リブ５の上面が隔壁６から露出している。
【0064】
また、スリットＳＬには、積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がいずれも配置されていない。図６の例においては、スリットＳＬが樹脂層１３によって満たされている。
【0065】
ここで、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図７および図８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果を説明するための図である。表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナＡＴ１を備えることがある。アンテナＡＴ１は、例えば表示装置ＤＳＰの裏面（図３に示す基板１０の下面）に対向するように配置され、表示装置ＤＳＰを通じて他の電子機器のアンテナＡＴ２と無線通信する。
図７および図８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果を説明するための図である。表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナＡＴ１を備えることがある。アンテナＡＴ１は、例えば表示装置ＤＳＰの裏面（図３に示す基板１０の下面）に対向するように配置され、表示装置ＤＳＰを通じて他の電子機器のアンテナＡＴ２と無線通信する。
【0066】
アンテナＡＴ１，ＡＴ２間の無線通信時には、アンテナＡＴ１が形成する磁界Ｍ１により共通電極ＣＥに渦電流Ｉが発生する。渦電流Ｉにより、磁界Ｍ１を打ち消す磁界Ｍ２が形成され、信号強度が減衰する。そのため、表示装置ＤＳＰを介して無線通信を行う場合には、通信感度が低下し得る。特に、主に金属材料で形成された格子状の隔壁６が表示領域ＤＡの全体に形成されている場合には、共通電極ＣＥが低抵抗となる。これにより、大きい渦電流Ｉとそれに伴う強い磁界Ｍ２が生じ、通信感度が低下しやすい。
【0067】
これに対し、本実施形態においては、共通電極ＣＥがスリットＳＬによって複数のセグメントＳＧに分割されている。この場合には、共通電極ＣＥに大きい渦電流が生じにくくなるので、通信感度の低下を抑制することができる。なお、各セグメントＳＧには渦電流が生じ得るが、これら渦電流による通信感度への影響は、分割されていない共通電極ＣＥの全体に生じる渦電流Ｉに比べれば軽微である。
【0068】
また、表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、外光を検知する照度センサなどの光学センサを備えることがある。このような光学センサが表示装置ＤＳＰの裏面側に配置される場合には、表示装置ＤＳＰに透光性が必要となる。
【0069】
しかしながら、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、いずれも上述の反射層を含む。また、少なくとも一部が金属材料で形成された隔壁６は、遮光性を有している。そのため、図６に示す外光Ｌ１のように、表示装置ＤＳＰの表示面に入射する殆どの光が、裏面側に透過することなく反射または遮光され得る。
【0070】
これに対し、本実施形態のように隔壁６にスリットＳＬが設けられている場合、図６に示す外光Ｌ２のように、表示面に入射する光の一部がスリットＳＬを通じて表示装置ＤＳＰの裏面側に透過する。これにより、表示装置ＤＳＰの透光性を高めることができる。
【0071】
また、本実施形態においては、スリットＳＬを介さずに隣り合う画素ＰＸ２，ＰＸ３の間に配置される隔壁６ｙ３の幅Ｗｙ３が、スリットＳＬを介して隣り合う画素ＰＸ１，ＰＸ２の間に配置される隔壁６ｙ１，６ｙ２の幅Ｗｙ１，Ｗｙ２よりも大きい。これにより、スリットＳＬ付近の領域と、スリットＳＬから離れた領域とで画素ＰＸのＸ方向におけるピッチの変動を抑制し、表示品位を高めることができる。図５に示したように、幅Ｗｙ３が第１隔壁６ｙ１、第２隔壁６ｙ２およびスリットＳＬの合計幅（Ｗｙ１＋Ｗｙ２＋Ｗｓ）と同じであれば、画素ＰＸのＹ方向におけるピッチが表示領域ＤＡの全体において一定となるため一層好適である。
【0072】
なお、隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電するための配線としての役割を有するとともに、表示装置ＤＳＰの製造時に蒸着で形成される積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断する役割も有している。このように積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断することで、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３により個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。
【0073】
仮に、スリットＳＬを設けたことにより隔壁６で囲われていない副画素が生じた場合、その副画素の積層膜を隔壁６によって完全には分断できなくなる。この場合には、当該副画素ＳＰにおいて表示素子の封止不良が生じ得る。
【0074】
これに対し、本実施形態においては、スリットＳＬに隣接する副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がいずれも隔壁６によって囲われている。これにより、スリットＳＬに隣接する副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においても表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を個別に封止することが可能となる。
【0075】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。以下の第２乃至第６実施形態においては、隔壁６および共通電極ＣＥに適用し得る構成の他の例を開示する。これらの実施形態において、特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0076】
［第２実施形態］
図９は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。図１０は、図９におけるＸ－Ｘ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
図９は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。図１０は、図９におけるＸ－Ｘ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
【0077】
隔壁６は、第１実施形態と同じく、第１隔壁６ｙ１、第２隔壁６ｙ２、第３隔壁６ｙ３および第４隔壁６ｙ４を含む。ただし、本実施形態においては、第３隔壁６ｙ３の幅Ｗｙ３が、第１隔壁６ｙ１、第２隔壁６ｙ２およびスリットＳＬの合計幅よりも小さい（Ｗｙ１＋Ｗｙ２＋Ｗｓ＞Ｗｙ３）。一例では、幅Ｗｙ１，Ｗｙ２，Ｗｙ３，Ｗｙ４が同じである。幅Ｗｙ３は、例えば幅Ｗｓよりも大きいが、この例に限られない。
【0078】
本実施形態の構成においては、画素ＰＸ１，ＰＸ２のＸ方向における間隔が、画素ＰＸ２，ＰＸ３のＸ方向における間隔よりも大きくなる。そのため、画像を表示する際にスリットＳＬに沿う筋むらが視認される可能性がある。そこで、スリットＳＬに隣接する画素ＰＸの輝度を調整することにより、当該筋むらの発生を抑制することが好ましい。一例では、スリットＳＬに隣接する画素ＰＸ（画素ＰＸ１，ＰＸ２等）に含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の輝度を、スリットと隣接しない画素ＰＸ（第３画素ＰＸ３等）に含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の輝度よりも高めてもよい。
【0079】
［第３実施形態］
図１１は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１実施形態と同じくＹ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＸ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。
図１１は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１実施形態と同じくＹ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＸ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。
【0080】
ただし、図１１の例においては、各スリットＳＬの給電線ＰＷ側の端部Ｅｓが共通電極ＣＥの外縁に達していない。これにより、各セグメントＳＧと給電線ＰＷの間に、各セグメントＳＧよりもＸ方向における幅が大きいセグメントＳＧ０が形成されている。
【0081】
セグメントＳＧ０のＹ方向における一端は、各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１に接続されている。セグメントＳＧ０のＹ方向における他端は、給電線ＰＷに接続されている。
【0082】
図１１の例においては、各スリットＳＬの端部ＥｓのＹ方向における位置が揃っている。さらに、これら端部Ｅｓは、共通電極ＣＥのＹ方向における中心ＣＬｙよりも給電線ＰＷ側に位置している。この例に限られず、各端部ＥｓのＹ方向における位置がずれていてもよい。また、端部Ｅｓは、中心ＣＬｙよりも第２端部Ｅ２側に位置してもよい。
【0083】
本実施形態のように、スリットＳＬが共通電極ＣＥを完全には分断しない場合であっても、上述した渦電流を抑制する効果や、表示装置ＤＳＰの透過率を高める効果が得られる。
【0084】
［第４実施形態］
上述の各実施形態においては、スリットＳＬがＹ方向に延びる構成を開示した。本実施形態においては、スリットＳＬがＸ方向に延びる構成を開示する。
上述の各実施形態においては、スリットＳＬがＹ方向に延びる構成を開示した。本実施形態においては、スリットＳＬがＸ方向に延びる構成を開示する。
【0085】
図１２は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、Ｘ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＹ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。他の観点からいうと、本実施形態におけるスリットＳＬは、図１に示した走査線Ｇと平行に延びている。
【0086】
図１２の例においては、各スリットＳＬのＸ方向における両端がいずれも共通電極ＣＥの外縁に達している。他の例として、第３実施形態と同じく、各スリットＳＬのＸ方向における一端が共通電極ＣＥの外縁に達していなくてもよい。
【0087】
各セグメントＳＧは、Ｘ方向に長尺な形状を有し、Ｙ方向に並んでいる。図１２においては、各セグメントＳＧのＹ方向における幅（各スリットＳＬの間隔）が同じであるが、この例に限られない。
【0088】
給電線ＰＷは、Ｘ方向に延びる第１部分Ｐ１と、Ｙ方向に延びる第２部分Ｐ２とを有している。第１部分Ｐ１は、表示領域ＤＡと端子部Ｔの間に位置している。第２部分Ｐ２は、表示領域ＤＡの図中左辺に沿って配置され、第１部分Ｐ１に接続されている。
【0089】
各セグメントＳＧは、Ｘ方向（スリットＳＬの延出方向）における第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有している。各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１は、第２部分Ｐ２に接続されている。
【0090】
図１３は、本実施形態におけるスリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。本実施形態においては、図１３中のスリットＳＬの上方に位置するセグメントＳＧを第１セグメントＳＧ１と呼び、下方に位置するセグメントＳＧを第２セグメントＳＧ２と呼ぶ。
【0091】
また、スリットＳＬに隣接する第１セグメントＳＧ１の画素ＰＸを第１画素ＰＸ１と呼び、画素ＰＸ１とＹ方向に並ぶ第２セグメントＳＧ２の２つの画素ＰＸをそれぞれ第２画素ＰＸ２および第３画素ＰＸ３と呼ぶ。
【0092】
スリットＳＬは、第１セグメントＳＧ１の副画素ＳＰ１，ＳＰ２と、第２セグメントＳＧ２の副画素ＳＰ１，ＳＰ３との間に位置している。スリットＳＬに隣接するこれら副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、スリットＳＬに隣接しない他の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３と同じく隔壁６によって囲われている。
【0093】
隔壁６は、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の間に位置する第１隔壁６ｘ１および第２隔壁６ｘ２と、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間に位置する第３隔壁６ｘ３とを含む。第１隔壁６ｘ１は、第１画素ＰＸ１に沿ってＸ方向に延びている。第２隔壁６ｘ２は、第２画素ＰＸ２に沿ってＸ方向に延びている。第１隔壁６ｘ１および第２隔壁６ｘ２は、スリットＳＬを介して離間している。第３隔壁６ｘ３は、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間でＸ方向に延びている。また、第３隔壁６ｘ３は、スリットで分断されることなく、第２画素ＰＸ２と第３画素ＰＸ３の間にわたりＹ方向に連続的に形成されている。
【0094】
隔壁６は、Ｘ方向に延びる複数の第４隔壁６ｘ４をさらに含む。第４隔壁６ｘ４は、画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３において副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３の間に位置している。第４隔壁６ｘ４は、第３隔壁６ｘ３と同じくスリットで分断されていない。
【0095】
Ｙ方向において、第１隔壁６ｘ１は幅Ｗｘ１を有し、第２隔壁６ｘ２は幅Ｗｘ２を有し、第３隔壁６ｘ３は幅Ｗｘ３を有し、第４隔壁６ｘ４は幅Ｗｘ４を有し、スリットＳＬは幅Ｗｓを有している。ここで、幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ３，Ｗｘ４は、それぞれ隔壁６ｘ１，６ｘ２，６ｘ３，６ｘ４の上部６２のＹ方向における幅である。また、幅Ｗｓは、隔壁６ｘ１，６ｘ２の上部６２の端部間のＹ方向における距離である。図１３の例においては、幅Ｗｘ３が幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ４の各々よりも大きい（Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ４＜Ｗｘ３）。幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ４は、例えば同じである。
【0096】
さらに、図１３の例においては、幅Ｗｘ３が第１隔壁６ｘ１、第２隔壁６ｘ２およびスリットＳＬの合計幅と同じである（Ｗｘ１＋Ｗｘ２＋Ｗｓ＝Ｗｘ３）。これにより、画素ＰＸ１，ＰＸ２のＹ方向における間隔と、画素ＰＸ２，ＰＸ３のＹ方向における間隔とが一致する。
【0097】
例えば、幅Ｗｓは、幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ３，Ｗｘ４の各々よりも小さい（Ｗｓ＜Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ３，Ｗｘ４）。ただし、幅Ｗｓは、幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ４の少なくとも１つと同じであってもよいし、幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ４の少なくとも１つより大きくてもよい。
【0098】
図１４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る他の例を示す概略的な平面図であり、図１３と同じくスリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示している。この図の例においては、第３隔壁６ｘ３の幅Ｗｘ３が、第１隔壁６ｘ１、第２隔壁６ｘ２およびスリットＳＬの合計幅よりも小さい（Ｗｘ１＋Ｗｘ２＋Ｗｓ＞Ｗｘ３）。一例では、幅Ｗｘ１，Ｗｘ２，Ｗｘ３，Ｗｘ４が同じである。幅Ｗｘ３は、例えば幅Ｗｓよりも大きいが、この例に限られない。
【0099】
図１４の構成においては、画素ＰＸ１，ＰＸ２のＹ方向における間隔が、画素ＰＸ２，ＰＸ３のＹ方向における間隔よりも大きくなる。そのため、画像を表示する際にスリットＳＬに沿う筋が視認される可能性がある。そこで、第２実施形態と同じく、スリットＳＬに隣接する画素ＰＸの輝度を調整することにより、当該筋の発生を抑制することが好ましい。
【0100】
本実施形態のように、スリットＳＬがＸ方向（走査線Ｇの延出方向）と平行に延びる場合であっても、上述した渦電流を抑制する効果や、表示装置ＤＳＰの透過率を高める効果が得られる。
【0101】
［第５実施形態］
図１５は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。本実施形態においては、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。
図１５は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。本実施形態においては、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。
【0102】
図１５の例において、共通電極ＣＥは、複数のスリットＳＬによって複数のセグメントＳＧに分割されている。各スリットＳＬは、Ｙ方向と平行に延びている。各スリットＳＬのＹ方向における両端は、いずれも共通電極ＣＥの外縁に達している。各セグメントＳＧは、Ｙ方向に長尺な形状を有し、Ｘ方向に並んでいる。図１５においては各セグメントＳＧのＸ方向における幅（各スリットＳＬの間隔）が同じであるが、この例に限られない。
【0103】
図１６は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る構成の他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、各スリットＳＬがＸ方向と平行に延びている。各スリットＳＬのＸ方向における両端は、いずれも共通電極ＣＥの外縁に達している。各セグメントＳＧは、Ｘ方向に長尺な形状を有し、Ｙ方向に並んでいる。図１６においては各セグメントＳＧのＹ方向における幅（各スリットＳＬの間隔）が同じであるが、この例に限られない。
【0104】
【0105】
図１５の例において、スリットＳＬの近傍には図５または図９と同様の構成を適用し得る。また、図１６の例において、スリットＳＬの近傍には図１３または図１４と同様の構成を適用し得る。第３実施形態と同じく各スリットＳＬの給電線ＰＷ側の端部が共通電極ＣＥの外縁に達していなくてもよい。
【0106】
［第６実施形態］
図４、図１１、図１２、図１５および図１６においては、共通電極ＣＥのセグメントが、これらセグメントの配列方向（スリットの延出方向と直交する方向）において同等の幅を有する例を示した。本実施形態においては、これらセグメントの幅を異ならせた構成を例示する。上述の各実施形態にて開示した構成は、適宜に本実施形態にも適用可能である。
図４、図１１、図１２、図１５および図１６においては、共通電極ＣＥのセグメントが、これらセグメントの配列方向（スリットの延出方向と直交する方向）において同等の幅を有する例を示した。本実施形態においては、これらセグメントの幅を異ならせた構成を例示する。上述の各実施形態にて開示した構成は、適宜に本実施形態にも適用可能である。
【0107】
図１７は、第６実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例において、共通電極ＣＥは、Ｙ方向と平行に延びる７本のスリットＳＬ（スリットＳＬ１～ＳＬ７）によって、Ｘ方向に並ぶ８つのセグメントＳＧ（セグメントＳＧ１～ＳＧ８）に分割されている。この場合、Ｙ方向がスリットＳＬ１～ＳＬ７の延出方向に相当し、Ｘ方向がセグメントＳＧ１～ＳＧ８の配列方向に相当する。
【0108】
図１７の例においては、第５実施形態と同じく表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。すなわち、共通電極ＣＥは、セグメントＳＧ１～ＳＧ８の配列方向における中心ＣＬから離れるに連れてスリットＳＬ１～ＳＬ７の延出方向における幅が減少する平面形状を有している。表示領域ＤＡの平面形状についても同様のことが言える。なお、このような表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥの構成は、例えば楕円形などの他の平面形状であっても実現され得る。
【0109】
図１７の例においては、セグメントＳＧ１，ＳＧ８が中心ＣＬから最も離れており、セグメントＳＧ４，ＳＧ５が中心ＣＬに最も近い。中心ＣＬは、例えばセグメントＳＧ４，ＳＧ５の間に位置し、スリットＳＬ４と重なっている。
【0110】
セグメントＳＧ１～ＳＧ８は、それぞれＸ方向において幅Ｗ１～Ｗ８を有している。これら幅Ｗ１～Ｗ８は、例えばセグメントＳＧ１～ＳＧ８のＸ方向における最大幅に相当する。
【0111】
ここで、セグメントＳＧ１～ＳＧ８と重なる画素ＰＸの数をそれぞれ重畳画素数Ｐｎ１～Ｐｎ８と定義する。仮に、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが図１７に示す平面形状を有し、かつ幅Ｗ１～Ｗ８が同等である場合、重畳画素数Ｐｎ１～Ｐｎ８が不均一となる。より具体的には、重畳画素数Ｐｎ４，Ｐｎ５が最も多く、重畳画素数Ｐｎ３，Ｐｎ６が２番目に多く、重畳画素数Ｐｎ２，Ｐｎ７が３番目に多く、重畳画素数Ｐｎ１，Ｐｎ８が最も少なくなる。
【0112】
セグメントＳＧ１～ＳＧ８の共通電圧は、重畳画素数が多いほど低下する傾向にある。共通電圧が低下すると、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の輝度が低下する。そのため、重畳画素数に応じた不所望な輝度傾斜が表示領域ＤＡに生じ得る。
【0113】
このような輝度傾斜は、重畳画素数Ｐｎ１～Ｐｎ８の差が低減されるように幅Ｗ１～Ｗ８の少なくとも一部を異ならせることで抑制することが可能である。具体的には、中心ＣＬから離れた第１セグメント（セグメントＳＧ１～ＳＧ８のいずれか）と、第１セグメントよりも中心ＣＬに近い第２セグメント（セグメントＳＧ１～ＳＧ８の他のいずれか）とを比較した場合に、第１セグメントの幅が第２セグメントの幅よりも大きいことが好ましい。これにより、第１セグメントと第２セグメントの重畳画素数の差が低減され、結果としてこれらセグメントに対応する領域の輝度差も低減される。
【0114】
図１７の例においては、幅Ｗ１，Ｗ８が最も大きく、幅Ｗ２，Ｗ７が２番目に大きく、幅Ｗ３，Ｗ６が３番目に大きく、幅Ｗ４，Ｗ５が最も小さい。これにより、重畳画素数Ｐｎ１～Ｐｎ８の差が全体的に低減される。
【0115】
幅Ｗ１～Ｗ８は、セグメントＳＧ１～ＳＧ８のうち隣り合う２つのセグメントの重畳画素数の差が１０％以内となるように定めることが好ましい。また、幅Ｗ１～Ｗ８は、セグメントＳＧ１～ＳＧ８のうち最も面積が大きいセグメントの重畳画素数と、最も面積が小さいセグメントの重畳画素数との差が３０％以内となるように定めることが好ましい。ここで、「重畳画素数の差がＸＸ％以内」とは、これら重畳画素数のうち小さい方の－ＸＸ％～＋ＸＸ％の範囲にこれら重畳画素数の差が収まることを意味する。
【0116】
セグメントＳＧ１～ＳＧ８の抵抗は、セグメントＳＧ１～ＳＧ８の形状や給電線ＰＷとの接続態様などに応じて変動する。このような抵抗によっても、セグメントＳＧ１～ＳＧ８における共通電圧が異なり得る。そこで、重畳画素数に加え、セグメントＳＧ１～ＳＧ８の抵抗をさらに考慮して幅Ｗ１～Ｗ８を定めてもよい。
【0117】
具体的には、セグメントにおける共通電圧の低下幅ΔＶは、当該セグメントの重畳画素数Ｐｎと抵抗Ｒの積（Ｐｎ×Ｒ）に比例する。そこで、セグメントＳＧ１～ＳＧ８のそれぞれについての積（Ｐｎ×Ｒ）が実質的に同等とみなせるように幅Ｗ１～Ｗ８を定め得る。なお、「実質的に同等」とは、比較対象の複数の数値が互いに一致する場合だけでなく、これらの数値に例えば数％のばらつきがある場合も含む。
【0118】
図１８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの他の例を示す概略的な平面図である。この図においても、図１７と同じく表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。ただし、共通電極ＣＥは、Ｘ方向と平行に延びるスリットＳＬ１～ＳＬ７によって、Ｙ方向に並ぶセグメントＳＧ１～ＳＧ８に分割されている。この場合、Ｘ方向がスリットＳＬ１～ＳＬ７の延出方向に相当し、Ｙ方向がセグメントＳＧ１～ＳＧ８の配列方向に相当する。このような構成においても、図１７の例と同様にセグメントＳＧ１～ＳＧ８の幅Ｗ１～Ｗ８を調整することで、表示領域ＤＡの輝度差を均一化することが可能である。
【0119】
図１９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰのさらに他の例を示す概略的な平面図である。この図においては、第１実施形態（図４）と同じく、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥの平面形状が長方形である。さらに、共通電極ＣＥは、Ｙ方向と平行に延びるスリットＳＬ１～ＳＬ５によって、Ｘ方向に並ぶセグメントＳＧ１～ＳＧ６に分割されている。
【0120】
周辺領域ＳＡに配置された端子部Ｔは、表示装置ＤＳＰに共通電圧を供給するための端子を含む。給電線ＰＷは、このような端子を含む端子部Ｔに対し、接続部ＣＮを介して接続されている。図１９の例においては、２つの接続部ＣＮがセグメントＳＧ２，ＳＧ５の近傍にそれぞれ設けられている。
【0121】
セグメントＳＧ１～ＳＧ６の共通電圧は、接続部ＣＮとの位置関係によって変動する。すなわち、接続部ＣＮから離れたセグメントの共通電圧は、接続部ＣＮに近いセグメントの共通電圧よりも低下し得る。
【0122】
このような共通電圧の低下によって生じる輝度傾斜は、セグメントＳＧ１～ＳＧ６の幅Ｗ１～Ｗ６の少なくとも一部を異ならせることで抑制することが可能である。具体的には、給電線ＰＷに沿う接続部ＣＮからの距離が長い第１セグメントと、給電線ＰＷに沿う接続部ＣＮからの距離が第１セグメントよりも短い第２セグメントとを比較した場合に、第１セグメントの幅が第２セグメントの幅よりも小さいことが好ましい。他の観点からいうと、第１セグメントの重畳画素数が第２セグメントの重畳画素数よりも少ないことが好ましい。これにより、第１セグメントの電圧低下が抑制され、第１セグメントおよび第２セグメントのそれぞれに対応する領域の輝度差も低減される。
【0123】
図１９の例においては、接続部ＣＮに近いセグメントＳＧ２，ＳＧ５の幅Ｗ１，Ｗ５が最も大きく、表示領域ＤＡの両端に位置するセグメントＳＧ１，ＳＧ６の幅Ｗ１，Ｗ６が最も小さい。Ｘ方向において２つの接続部ＣＮの間に位置するセグメントＳＧ３，ＳＧ４の幅Ｗ３，Ｗ４は、幅Ｗ１，Ｗ６よりも大きく、幅Ｗ２，Ｗ５よりも小さい。
【0124】
図２０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰのさらに他の例を示す概略的な平面図である。この図においても、図１９と同じく表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが長方形である。ただし、共通電極ＣＥは、Ｘ方向と平行に延びるスリットＳＬ１～ＳＬ７によって、Ｙ方向に並ぶセグメントＳＧ１～ＳＧ８に分割されている。この場合、Ｘ方向がスリットＳＬ１～ＳＬ７の延出方向に相当し、Ｙ方向がセグメントＳＧ１～ＳＧ８の配列方向に相当する。
【0125】
第４実施形態（図１２）と同じく、給電線ＰＷは、Ｘ方向に延びる第１部分Ｐ１と、Ｙ方向に延びる第２部分Ｐ２とを有している。第１部分Ｐ１は、接続部ＣＮに接続されている。第２部分Ｐ２は、セグメントＳＧ１～ＳＧ８の第１端部Ｅ１に接続されている。
【0126】
このような構成においては、給電線ＰＷに沿う接続部ＣＮからの距離は、セグメントＳＧ１が最も遠く、セグメントＳＧ８が最も近くなる。そこで、図２０の例においては、セグメントＳＧ１～ＳＧ８の幅Ｗ１～Ｗ８が順に大きくなるようにスリットＳＬ１～ＳＬ７が設けられている。
【0127】
図１９および図２０を用いて説明したように接続部ＣＮからの距離に応じてセグメントの幅を異ならせる構成は、図１７および図１８の例にも適用できる。
本実施形態において例示した図１７乃至図２０の構成以外にも、共通電極ＣＥのセグメントの幅は種々の態様に異ならせ得る。共通電極ＣＥが備える複数のセグメントは、必ずしも全てが隣接するセグメントと異なる幅を有する必要はない。すなわち、複数のセグメントのうちの少なくとも２つが異なる幅を有することで、上述の輝度傾斜を抑制する効果を得ることができる。
本実施形態において例示した図１７乃至図２０の構成以外にも、共通電極ＣＥのセグメントの幅は種々の態様に異ならせ得る。共通電極ＣＥが備える複数のセグメントは、必ずしも全てが隣接するセグメントと異なる幅を有する必要はない。すなわち、複数のセグメントのうちの少なくとも２つが異なる幅を有することで、上述の輝度傾斜を抑制する効果を得ることができる。
【0128】
なお、図４、図１１および図１９においては共通電極ＣＥに５本のスリットＳＬが設けられる例を示し、図１２、図１５乃至図１８および図２０においては共通電極ＣＥに７本のスリットＳＬが設けられる例を示した。共通電極ＣＥに設けられるスリットＳＬの数はこれらの例に限られず、２～４本、６本あるいは８本以上であってもよい。また、スリットおよびセグメントの形状も種々の態様に変形し得る。
【0129】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0130】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0131】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0132】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＣＥ…共通電極、ＳＬ…スリット、ＳＧ…セグメント、ＰＷ…給電線、Ｔ…端子部、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…下部、６２…上部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】