特開 2024-149374 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024149374

(43)【公開日】2024-10-18

(54)【発明の名称】発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/54 20100101AFI20241010BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20241010BHJP

   H01L 33/56 20100101ALI20241010BHJP

【ＦＩ】

H01L33/54

H01L33/62

H01L33/56

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024001388

(22)【出願日】2024-01-09

(31)【優先権主張番号】112113070

(32)【優先日】2023-04-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】517370630

【氏名又は名称】晶呈科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(74)【代理人】

【識別番号】100194881

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 俊弘

(74)【代理人】

【識別番号】100215142

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 徹

(72)【発明者】

【氏名】劉 埃森

(72)【発明者】

【氏名】陳 筱儒

(72)【発明者】

【氏名】黄 乙川

(72)【発明者】

【氏名】馮 祥▲アン▼

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA82

5F142AA86

5F142CB23

5F142CG03

5F142CG13

5F142CG32

5F142FA14

5F142FA30

5F142FA32

(57)【要約】

【課題】発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、発光ダイオードとダミープラグを基板に設ける配置工程と、パターン化可能な材料を基板にコーティングし、且つ発光ダイオードとダミープラグを被覆するコーティング工程と、パターン化可能な材料をパターン化するパターン化工程と、導電層をパターン化可能な材料の一面に形成し、且つ発光ダイオードとダミープラグに接触させて電気的に接続する堆積工程と、保護層を導電層の一面に形成する保護層形成工程と、発光ダイオードのパッケージ構造を形成する剥離工程と、を含み、導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。これにより、プロセス効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減することができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を提供する工程と、
少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを前記基板の表面に設ける配置工程と、
パターン化可能な材料を前記基板の前記表面にコーティングし、且つ前記パターン化可能な材料で前記少なくとも１つの発光ダイオードと前記少なくとも１つのダミープラグを被覆するコーティング工程と、
前記パターン化可能な材料をパターン化することで、前記少なくとも１つの発光ダイオードの一部と前記少なくとも１つのダミープラグの一部を前記パターン化可能な材料から露出させるパターン化工程と、
導電層を前記パターン化可能な材料の前記基板から離れた側の一面に形成し、且つ前記導電層を前記少なくとも１つの発光ダイオードの露出した部分と前記少なくとも１つのダミープラグの露出した部分に接触させて電気的に接続する堆積工程と、
保護層を前記導電層の前記基板から離れた側の一面に形成する保護層形成工程と、
発光ダイオードのパッケージ構造を形成するように、前記基板を、前記パターン化可能な材料、前記少なくとも１つの発光ダイオード、及び前記少なくとも１つのダミープラグから分離させる剥離工程と、
を含み、
前記導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項2】

前記堆積工程において、室温でスパッタリングによって前記導電層を前記パターン化可能な材料に形成する請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項3】

前記酸化インジウムスズ材料は、酸化インジウムスズ成分と遷移金属成分を含む請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項4】

前記導電層は、それぞれ前記酸化インジウムスズ成分又は前記遷移金属成分で製造される少なくとも３つの膜層を有し、且つ前記酸化インジウムスズ成分で製造された前記膜層と前記遷移金属成分で製造された前記膜層は、交互に積層される請求項３に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項5】

前記導電層の前記基板に最も近い前記膜層と前記基板に最も遠い前記膜層は、何れも前記酸化インジウムスズ成分で製造された膜層である請求項４に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項6】

前記酸化インジウムスズ成分で製造された各前記膜層の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍであり、且つ前記遷移金属成分で製造された各前記膜層の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍである請求項４に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項7】

前記導電層の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍである請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項8】

前記基板の前記表面は、前記基板と、前記少なくとも１つの発光ダイオード、前記少なくとも１つのダミープラグ、及び前記パターン化可能な材料との間に位置する剥離可能な層を有し、且つ前記剥離工程において、前記基板に対し、光照射、加熱、又は冷却を行うことで、前記剥離可能な層を、前記少なくとも１つの発光ダイオード、前記少なくとも１つのダミープラグ、及び前記パターン化可能な材料から分離させる請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。

【請求項9】

請求項１～８の何れか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法により製造された発光ダイオードのパッケージ構造。

【請求項10】

上面及び下面を含むパターン化可能な材料層と、
前記パターン化可能な材料層に埋設され、第１の表面が前記パターン化可能な材料層の前記下面から露出する少なくとも１つの発光ダイオードと、
前記パターン化可能な材料層に埋設され、且つ第３の表面が前記パターン化可能な材料層の前記下面から露出する少なくとも１つのダミープラグと、
前記パターン化可能な材料層の前記上面を覆い、且つ前記少なくとも１つの発光ダイオード及び前記少なくとも１つのダミープラグに接触して電気的に接続される導電層と、
前記導電層を覆う保護層と、
を含み、
前記パターン化可能な材料層は、少なくとも２つの貫通孔を含み、前記少なくとも１つの発光ダイオードは、前記第１の表面に対向する第２の表面を有し、前記少なくとも１つのダミープラグは、前記第３の表面に対向する第４の表面を有し、前記貫通孔は、前記パターン化可能な材料層の前記上面から前記少なくとも１つの発光ダイオードの前記第２の表面及び前記少なくとも１つのダミープラグの前記第４の表面まで延伸し、且つ前記導電層は、前記貫通孔を介して前記少なくとも１つの発光ダイオードの前記第２の表面及び前記少なくとも１つのダミープラグの前記第４の表面に接触し、
前記導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光ダイオードのパッケージ構造に関し、特に、プロセス効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減することができる発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法は、発光ダイオードとダミープラグ（ｄｕｍｍｙ ｐｌｕｇ）を基板に固定した後に、ワイヤボンディングを行うことで、発光ダイオードとダミープラグを電気的接続して、コロイドパッケージを行うことである。しかしながら、上記製造方法の工程は、煩雑であり、プロセス効率及び歩留まりに影響を与え、且つ前述の基板を繰り返して使用することができず、製造コストが大幅に増加する。

【0003】

これに鑑みて、如何に発光ダイオードのパッケージ効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減するかは、依然として関連業者が努力する目標である。

【発明の概要】

【0004】

本発明の一態様は、基板を提供する工程と、少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを基板の表面に設ける配置工程と、パターン化可能な材料を基板の表面にコーティングし、且つパターン化可能な材料で少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを被覆するコーティング工程と、パターン化可能な材料をパターン化することで、少なくとも１つの発光ダイオードの一部と少なくとも１つのダミープラグの一部をパターン化可能な材料から露出させるパターン化工程と、導電層をパターン化可能な材料の基板から離れた側の一面に形成し、且つ導電層を少なくとも１つの発光ダイオードの露出した部分と少なくとも１つのダミープラグの露出した部分に接触させて電気的に接続する堆積工程と、保護層を導電層の基板から離れた側の一面に形成する保護層形成工程と、発光ダイオードのパッケージ構造を形成するように、基板を、パターン化可能な材料、少なくとも１つの発光ダイオード、及び少なくとも１つのダミープラグから分離させる剥離工程と、を含み、導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法を提供する。

【0005】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、堆積工程において、室温でスパッタリングによって導電層をパターン化可能な材料に形成してよい。

【0006】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、酸化インジウムスズ材料は、酸化インジウムスズ成分と遷移金属成分を含んでよい。

【0007】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層は、それぞれ酸化インジウムスズ成分又は遷移金属成分で製造される少なくとも３つの膜層を有してよく、且つ酸化インジウムスズ成分で製造された膜層と遷移金属成分で製造された膜層は、交互に積層されてよい。

【0008】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層の基板に最も近い膜層と基板に最も遠い膜層は、何れも酸化インジウムスズ成分で製造された膜層であってよい。

【0009】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、酸化インジウムスズ成分で製造された各膜層の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍであってよく、且つ遷移金属成分で製造された各膜層の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍであってよい。

【0010】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍであってよい。

【0011】

前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、基板の表面は、剥離可能な層を有してよく、剥離可能な層は、基板と、少なくとも１つの発光ダイオード、少なくとも１つのダミープラグ、及びパターン化可能な材料との間に位置してよく、且つ剥離工程において、紫外光で基板を照射することで、剥離可能な層を、少なくとも１つの発光ダイオード、少なくとも１つのダミープラグ、及びパターン化可能な材料から分離させる。

【0012】

本発明の別の態様は、前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法により製造された発光ダイオードのパッケージ構造を提供する。

【0013】

本発明の別の態様は、上面及び下面を含むパターン化可能な材料層と、パターン化可能な材料層に埋設され、且つ第１の表面がパターン化可能な材料層の下面から露出する少なくとも１つの発光ダイオードと、パターン化可能な材料層に埋設され、且つ第３の表面がパターン化可能な材料層の下面から露出する少なくとも１つのダミープラグと、パターン化可能な材料層の上面を覆い、且つ少なくとも１つの発光ダイオード及び少なくとも１つのダミープラグに接触して電気的に接続される導電層と、導電層を覆う保護層と、を含み、パターン化可能な材料層は、少なくとも２つの貫通孔を含み、少なくとも１つの発光ダイオードは、第１の表面に対向する第２の表面を有し、少なくとも１つのダミープラグは、第３の表面に対向する第４の表面を有し、貫通孔は、パターン化可能な材料層の上面から少なくとも１つの発光ダイオードの第２の表面及び少なくとも１つのダミープラグの第４の表面まで延伸し、且つ導電層は、貫通孔を介して少なくとも１つの発光ダイオードの第２の表面及び少なくとも１つのダミープラグの第４の表面に接触し、導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態による発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法の工程フローチャートである。

【図2A】図１の工程１１０の構造模式図である。

【図2B】図１の工程１２０の構造模式図である。

【図2C】図１の工程１３０の構造模式図である。

【図2D】図１の工程１４０の構造模式図である。

【図2E】図１の工程１５０の構造模式図である。

【図2F】図１の工程１６０の構造模式図である。

【図2G】図１の工程１７０の構造模式図である。

【図2H】図１の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法による完成品の構造模式図である。

【図3A】本発明の一実施形態による発光ダイオードのパッケージ構造を模式的に示す上面図である。

【図3B】図３Ａの発光ダイオードのパッケージ構造を模式的に示す底面図である。

【図3C】図３Ａの発光ダイオードのパッケージ構造の３Ｃ－３Ｃ線に沿った模式的に示す断面図である。

【図4】第１の実施例、第２の実施例、第１の比較例、及び第２の比較例のシート抵抗と導電層の厚さとの関係図である。

【図5】第１の実施例、第２の実施例、第１の比較例、及び第２の比較例の透過率と導電層の厚さとの関係図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の各実施形態をより詳しく説明する。しかしながら、この実施形態は、様々な発明概念の応用であってよく、様々な特定の範囲内に具体的に実施されてよい。特定の実施形態は、説明のみを目的とするものであり、開示された範囲に限定されない。

【0016】

図１を参照されたい。図１は、本発明の一実施形態による発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法１００の工程フローチャートである。発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法１００は、工程１１０、工程１２０、工程１３０、工程１４０、工程１５０、工程１６０、及び工程１７０を含む。

【0017】

図２Ａを参照されたい。図２Ａは、図１の工程１１０の構造模式図である。工程１１０では基板２１０を提供し、基板２１０はガラス基板であってよく、且つその表面に剥離可能な層２１１があってよく、剥離可能な層２１１は、基板２１０と後に形成される発光ダイオードのパッケージ構造とを分離することができ、詳細な製造過程は、以下の段落で説明し、ここで説明を省略する。

【0018】

図２Ｂを参照されたい。図２Ｂは、図１の工程１２０の構造模式図である。工程１２０は、少なくとも１つの発光ダイオード２２０と少なくとも１つのダミープラグ２３０を基板２１０の表面に設ける配置工程である。

【0019】

図２Ｃを参照されたい。図２Ｃは、図１の工程１３０の構造模式図である。工程１３０は、パターン化可能な材料２４０を基板２１０の表面にコーティングし、且つパターン化可能な材料２４０で発光ダイオード２２０及びダミープラグ２３０を被覆するコーティング工程である。また、前述の剥離可能な層２１１は、基板２１０と、発光ダイオード２２０、ダミープラグ２３０、及びパターン化可能な材料２４０との間に位置してよい。

【0020】

図２Ｄを参照されたい。図２Ｄは、図１の工程１４０の構造模式図である。工程１４０は、パターン化可能な材料２４０をパターン化することで、発光ダイオード２２０の一部とダミープラグ２３０の一部をパターン化可能な材料２４０から露出させるパターン化工程である。具体的には、パターン化可能な材料２４０の上方にフォトマスクＭを配置した後に、パターン化可能な材料２４０をエッチングしてよく、このように、フォトマスクＭに遮断されないパターン化可能な材料２４０が除去されることによって、発光ダイオード２２０とダミープラグ２３０が露出される。

【0021】

具体的には、パターン化可能な材料２４０は、フォトレジスト又は接着材を含んでよい。パターン化可能な材料２４０がフォトレジストを含むと、前述のフォトレジストは、紫外光又は電子ビームによって照射されて局所的な未硬化の状態となり、それにより、未硬化のフォトレジストを除去することで発光ダイオード２２０及びダミープラグ２３０を露出させることができる。パターン化可能な材料２４０が接着材を含むと、前述の接着材にレーザーエッチングを行ってよく、発光ダイオード２２０とダミープラグ２３０の頂部の電極が金属で、レーザーの金属と接着材に対する選択性が高いため、接着材を効果的に除去することができ、且つレーザーエッチングの採用は製造コストの削減にも役立つ。

【0022】

図２Ｅを参照されたい。図２Ｅは、図１の工程１５０の構造模式図である。工程１５０は、導電層２５０をパターン化可能な材料２４０の基板２１０から離れた側の一面に形成し、且つ導電層２５０を発光ダイオード２２０の露出した部分とダミープラグ２３０の露出した部分に接触させて電気的に接続する堆積工程である。

【0023】

詳しくは、導電層２５０の材質は、酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）材料又は透明導電性材料を含み、且つ酸化インジウムスズ材料は、酸化インジウムスズ成分及び遷移金属成分を含んでよい。導電層２５０は、それぞれ酸化インジウムスズ成分又は遷移金属成分で製造されてよい少なくとも３つの膜層（図示せず）を有してよく、且つ酸化インジウムスズ成分で製造された膜層と遷移金属成分で製造された膜層は、交互に積層されてよく、導電層２５０の基板２１０に最も近い膜層と基板２１０に最も遠い膜層は、何れも酸化インジウムスズ成分で製造された膜層であってよい。上記材質を採用することで、室温でスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によって導電層２５０をパターン化可能な材料２４０に形成することができ、且つ導電層２５０を形成したら、アニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行う必要がなく、低シート抵抗（ｓｈｅｅｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）の要求を満たすことができる。本発明でいう遷移金属成分は、遷移金属元素又は後遷移金属元素、特に低融点の遷移金属元素又は後遷移金属元素であってよい。遷移金属成分は、スズ、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、及び銀からなる群から選択されてよいが、本発明は上記材料の種類に限定されない。

【0024】

なお、酸化インジウムスズ成分で製造された各膜層の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍであり、且つ遷移金属成分で製造された各膜層の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍである。又は、導電層２５０の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍであってよい。これにより、導電層２５０の厚さが適切であり、良好な導電性を提供し、プロセス時間を短縮し、且つ適度な透過率を有することができる。

【0025】

図２Ｆを参照されたい。図２Ｆは、図１の工程１６０の構造模式図である。工程１６０は、保護層２６０を導電層２５０の基板２１０から離れた側の一面に形成する保護層形成工程である。

【0026】

図２Ｇ及び図２Ｈを参照されたい。図２Ｇは、図１の工程１７０の構造模式図であり、図２Ｈは、図１の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法１００による完成品の構造模式図である。工程１７０は、発光ダイオードのパッケージ構造３００を形成するように、基板２１０を、パターン化可能な材料２４０、発光ダイオード２２０、及びダミープラグ２３０から分離させる剥離工程である。剥離工程では、基板２１０に対し、光照射、加熱、又は冷却を行うことで、剥離可能な層２１１を、発光ダイオード２２０、ダミープラグ２３０、及びパターン化可能な材料２４０から分離する。この工程では、例えば、紫外光Ｌが基板２１０に照射される。また、加熱又は機械的方法のような方法によって、基板２１０を他の素子から分離することも可能であり、本発明は上記剥離方法に限定されない。

【0027】

本発明の別の態様は、前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法１００により製造された発光ダイオードのパッケージ構造３００を提供する。

【0028】

図３Ａ～図３Ｃを参照されたい。図３Ａは、本発明の一実施形態による発光ダイオードのパッケージ構造４００を模式的に示す上面図であり、図３Ｂは、図３Ａの発光ダイオードのパッケージ構造４００を模式的に示す底面図であり、図３Ｃは、図３Ａの発光ダイオードのパッケージ構造４００の３Ｃ－３Ｃ線に沿った模式的に示す断面図である。発光ダイオードのパッケージ構造４００は、パターン化可能な材料層４１０、少なくとも１つの発光ダイオード４２０、少なくとも１つのダミープラグ４３０、導電層４４０、及び保護層４５０を含み、それらはそれぞれ、前述のパターン化可能な材料２４０、発光ダイオード２２０、ダミープラグ２３０、導電層２５０、及び保護層２６０と同じ性質を有するため、ここで説明を省略する。

【0029】

パターン化可能な材料層４１０は、上面４１１及び下面４１２を含む。発光ダイオード４２０とダミープラグ４３０は、パターン化可能な材料層４１０に埋設され、且つ発光ダイオード４２０の第１の表面４２１とダミープラグ４３０の第３の表面４３１はそれぞれ、パターン化可能な材料層４１０の下面４１２から露出し、第１の表面４２１と第３の表面４３１は、電流伝達に用いられてよい。

【0030】

導電層４４０は、パターン化可能な材料層４１０の上面４１１を覆い、且つ導電層４４０は、発光ダイオード４２０及びダミープラグ４３０に接触して電気的に接続され、保護層４５０は、導電層４４０を覆う。詳しくは、パターン化可能な材料層４１０は、少なくとも２つの貫通孔４１３を含み、発光ダイオード４２０は、第１の表面４２１に対向する第２の表面４２２を有し、ダミープラグ４３０は、第３の表面４３１に対向する第４の表面４３２を有し、貫通孔４１３は、パターン化可能な材料層４１０の上面４１１から発光ダイオード４２０の第２の表面４２２とダミープラグ４３０の第４の表面４３２まで延伸し、且つ導電層４４０は、貫通孔４１３を介して発光ダイオード４２０の第２の表面４２２とダミープラグ４３０の第４の表面４３２に接触する。

【0031】

以下の具体的な実施例で本発明を更に例示的に説明することで、当業者が、過度に解読する必要がない状況で本発明を完全に利用して実施することができることに役立ち、これらの実施例を、本発明の材料及び方法を如何に実施するかを説明するために用いるが、本発明の範囲を限定するものと見なすべきではない。

【0032】

第１の実施例、第２の実施例、第１の比較例、及び第２の比較例は、異なる構造の導電層が備える電気的性質と光学的性質を開示する。上記実施例及び比較例に係る導電層の構成は、下記の表１に示される。

【0033】

上記表１の膜層１～膜層５は順に、基板に最も近い膜層から基板に最も遠い膜層である。上記実施例及び比較例のシート抵抗と透過率の測定結果は、下記の表２に示される。

【0034】

図４及び図５を併せて参照されたい。図４は、第１の実施例、第２の実施例、第１の比較例、及び第２の比較例のシート抵抗と導電層の厚さとの関係図であり、図５は、第１の実施例、第２の実施例、第１の比較例、及び第２の比較例の透過率と導電層の厚さとの関係図である。実験結果から分かるように、第１の実施例と第２の実施例のシート抵抗は、第１の比較例と第２の比較例よりも明らかに小さく、これは、本発明に使用される導電層構造及び関連する製造方法が導電性を明らかに改善することができることを示す。なお、第１の実施例の透過率は、第１の比較例と第２の比較例よりも明らかに高く、第２の実施例の透過率は低下するが、依然として第２の比較例と同等で、且つ７０％を超え、これは、本発明に使用される導電層構造及び関連する製造方法が良好な透過率をもたらすことができることを示す。

【0035】

以上より、本発明は、発光ダイオードとダミープラグに導電層を堆積することで、ワイヤボンディングせずに回路を配置することができ、それによりプロセス効率と歩留まりを向上させる。更に、本発明は、基板剥離によって発光ダイオードのパッケージ構造を製造し、基板を繰り返して使用してよく、それによりコストを削減し、発光ダイオードのパッケージ構造の小型化にもつながる。

【0036】

本発明は、実施例に基づいて以上のように開示されたが、実施例は本発明を制限するものではなく、当業者であれば、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な変更及び修正を行うことができ、よって、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲に定義されたものを基準とする。

【符号の説明】

【0037】

１００ 発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法
１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０ 工程
２１０ 基板
２１１ 剥離可能な層
２２０、４２０ 発光ダイオード
２３０、４３０ ダミープラグ
２４０ パターン化可能な材料
２５０、４４０ 導電層
２６０、４５０ 保護層
３００、４００ 発光ダイオードのパッケージ構造
４１０ パターン化可能な材料層
４１１ 上面
４１２ 下面
４１３ 貫通孔
４２１ 第１の表面
４２２ 第２の表面
４３１ 第３の表面
４３２ 第４の表面
Ｍ フォトマスク
Ｌ 紫外光

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】

【図5】