特開 2024-149466 マイクロＬＥＤピクセルおよびマイクロＬＥＤパネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024149466

(43)【公開日】2024-10-18

(54)【発明の名称】マイクロＬＥＤピクセルおよびマイクロＬＥＤパネル

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20241010BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20241010BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241010BHJP

【ＦＩ】

H01L33/48

G09F9/33

G09F9/30 338

【審査請求】有

【請求項の数】26

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024061559

(22)【出願日】2024-04-05

(31)【優先権主張番号】PCT/CN2023/086882

(32)【優先日】2023-04-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】520510771

【氏名又は名称】ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シュイ， チュンチャオ

(72)【発明者】

【氏名】タン， ウェイシン

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

【Ｆターム（参考）】

5C094AA05

5C094AA15

5C094BA23

5C094DA13

5C094DB01

5C094EA05

5C094FA01

5C094FA04

5C094FB12

5F142AA56

5F142BA32

5F142CA16

5F142CB14

5F142CD02

5F142CG07

5F142GA02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】マイクロＬＥＤピクセルの寸法を低減し、マイクロＬＥＤピクセルの発光領域を増加させるマイクロＬＥＤピクセルおよびマイクロＬＥＤパネルを提供する。
【解決手段】マイクロＬＥＤピクセル１００は、第１の発光メサ１１０と、第１の発光メサの上に設けられ、第１の発光メサの一部を覆う、第２の発光メサ１２０と、第２の発光メサの上に設けられ、第２の発光メサの一部を覆う、第３の発光メサ１３０とを含み、第１の発光メサの上部表面の形状が三角形である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の発光メサと、
前記第１の発光メサの上に設けられ、前記第１の発光メサの一部を覆う、第２の発光メサと、
前記第２の発光メサの上に設けられ、前記第２の発光メサの一部を覆う、第３の発光メサと
を備え、前記第１の発光メサの上部表面の形状が三角形である、マイクロＬＥＤピクセル。

【請求項2】

前記第２の発光メサの上部表面の形状が、細長いストリップであり、前記第２の発光メサが、前記第１の発光メサの前記三角形の側部に沿って設けられる、請求項１に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項3】

前記第３の発光メサの上部表面の形状が円形であり、前記第３の発光メサが、前記第２の発光メサの端部の上に設けられる、請求項２に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項4】

前記第１の発光メサ、前記第２の発光メサ、および前記第３の発光メサの各々を、それぞれ、集積回路（ＩＣ）バックプレーンに接続するように構成された、複数の下部導電性構造をさらに備える、請求項１に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項5】

前記下部導電性構造のうちの第１の下部導電性構造が、前記第１の発光メサと前記ＩＣバックプレーンとの間に設けられたボンディング層である、請求項４に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項6】

前記下部導電性構造のうちの第２の下部導電性構造が、前記第２の発光メサの下部において設けられ、前記第２の下部導電性構造が、第１の下部接続構造によって前記ＩＣバックプレーンに接続される、請求項５に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項7】

前記第１の下部接続構造がスルービアである、請求項６に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項8】

前記第２の下部導電性構造が導電性層である、請求項６に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項9】

前記下部導電性構造のうちの第３の下部導電性構造が、前記第３の発光メサの下部において設けられ、前記第３の下部導電性構造が、第２の下部接続構造によって前記ＩＣバックプレーンに接続される、請求項６に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項10】

前記マイクロＬＥＤピクセルの上部に設けられた上部導電性層と、
前記第１の発光メサを前記上部導電性層に接続するように構成された第１の上部導電性構造と、
前記第２の発光メサを前記上部導電性層に接続するように構成された第２の上部導電性構造と
をさらに備える、請求項１に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項11】

前記第１の上部導電性構造が、透明導電性層であり、前記第１の発光メサの前記上部表面を覆う、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項12】

前記第１の上部導電性構造がドット導電性構造である、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項13】

前記ドット導電性構造は、前記第１の発光メサの前記上部表面の部分上に形成され、そこで、前記表面が前記第２の発光メサによって覆われない、請求項１２に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項14】

前記第１の上部導電性構造が、上部接続構造によって前記上部導電性層に接続される、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項15】

前記第２の上部導電性構造が、透明導電性層であり、前記第２の発光メサの前記上部表面を覆う、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項16】

前記第２の上部導電性構造がドット導電性構造である、請求項１５に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項17】

前記第２の上部導電性構造は、前記第２の発光メサの表面の部分上に形成され、そこで、前記表面が前記第３の発光メサによって覆われない、請求項１６に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項18】

前記第２の上部導電性構造が、上部接続構造によって前記上部導電性層に接続される、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項19】

前記上部導電性層が、前記第３の発光メサに直接接続される、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項20】

前記上部導電性層の上部表面上に設けられた上部パッドをさらに備える、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項21】

前記上部パッドが、前記上部導電性層のエッジにおいて、および前記マイクロＬＥＤピクセルの周りに設けられる、請求項２０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項22】

前記上部導電性層と集積回路（ＩＣ）バックプレーンとの間に充填された誘電体材料をさらに備える、請求項１０に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項23】

前記マイクロＬＥＤピクセルのコーナーにおいて設けられた光学分離構造をさらに備える、請求項１に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項24】

前記第１の発光メサが赤色発光メサである、請求項１に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項25】

前記第３の発光メサが緑色発光メサである、請求項２４に記載のマイクロＬＥＤピクセル。

【請求項26】

２つまたはそれ以上のマイクロＬＥＤピクセルを備えるマイクロＬＥＤパネルであって、前記マイクロＬＥＤピクセルのうちの少なくとも１つが、
第１の発光メサと、
前記第１の発光メサの上に設けられ、前記第１の発光メサの一部を覆う、第２の発光メサと、
前記第２の発光メサの上に設けられ、前記第２の発光メサの一部を覆う、第３の発光メサと
を備え、前記第１の発光メサの上部表面の形状が三角形である、マイクロＬＥＤパネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２３年４月７日に出願されたＰＣＴ出願第ＰＣＴ／ＣＮ２０２３／０８６８８２号の優先権および利益を主張する。

【0002】

本開示は、一般に、マイクロディスプレイ技術に関し、より詳細には、マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）およびマイクロＬＥＤパネルに関する。

【背景技術】

【0003】

概して、旧来のマイクロＬＥＤピクセルは、マイクロＬＥＤパネルを形成するために並べて配設された３つまたはそれ以上のマイクロＬＥＤメサを含む。３つまたはそれ以上のマイクロＬＥＤメサは、異なる色光を発し得る。しかしながら、それは、マイクロＬＥＤピクセルの寸法を減少させることに寄与しない。

【0004】

マイクロＬＥＤピクセルの体積を低減するために、マイクロＬＥＤピクセルは、同じ非対称軸で垂直方向に形成されたいくつかのマイクロＬＥＤ層を含み得る。それらのマイクロＬＥＤ層は発光領域を画定し、マイクロＬＥＤ層の電極が、マイクロＬＥＤピクセルの発光領域の外側の外部パネル上に形成される。しかしながら、外部パネルは、マイクロＬＥＤピクセルの寸法を増加させ得る。

【0005】

したがって、マイクロＬＥＤピクセル構造は、マイクロＬＥＤピクセルの寸法を低減し、マイクロＬＥＤピクセルの発光領域を増加させるようにさらに改善される必要がある。

【発明の概要】

【0006】

本開示の実施形態は、マイクロＬＥＤピクセルを提供する。マイクロＬＥＤピクセルは、第１の発光メサと、第１の発光メサの上に設けられ、第１の発光メサの一部を覆う、第２の発光メサと、第２の発光メサの上に設けられ、第２の発光メサの一部を覆う、第３の発光メサとを含み、第１の発光メサの上部表面の形状が三角形である。

【0007】

本開示の実施形態は、マイクロＬＥＤパネルを提供する。マイクロＬＥＤパネルは、２つまたはそれ以上の上記で説明されたマイクロＬＥＤピクセルを含む。

【0008】

本開示の実施形態および様々な態様が、以下の発明を実施するための形態および添付図において示される。図に示されている様々な特徴は、一定の縮尺で描かれていない。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示のいくつかの実施形態による、マイクロＬＥＤピクセルの平面図を示す構造図である。

【図2】本開示のいくつかの実施形態による、図１に示されている断面線Ａ－Ａ’に沿ったマイクロＬＥＤピクセルの断面図を示す構造図である。

【図3】本開示のいくつかの実施形態による、図１に示されている断面線Ｂ－Ｂ’に沿ったマイクロＬＥＤピクセルの断面図を示す構造図である。

【図4】本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマイクロＬＥＤパネルの平面図を示す構造図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

次に、その例が添付の図面において示されている例示的な実施形態への参照が詳細に行われる。以下の説明は添付の図面を参照し、別段に表されない限り、異なる図面における同じ番号は同じまたは同様の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明に記載される実装形態は、本発明に従うすべての実装形態を表すとは限らない。代わりに、それらの実装形態は、添付の特許請求の範囲に記載の本発明に関する態様に従う装置および方法の例にすぎない。本開示の特定の態様が、以下でより詳細に説明される。参照により組み込まれる用語および／または定義と矛盾する場合、本明細書で与えられる用語および定義が支配する。

【0011】

マイクロＬＥＤピクセルの寸法を低減し、マイクロＬＥＤピクセルの発光領域を増加させるために、本開示の実施形態は、改善されたマイクロＬＥＤピクセルを提供する。

【0012】

図１は、本開示のいくつかの実施形態による、マイクロＬＥＤピクセル１００の平面図を示す構造図を示す。図２は、本開示のいくつかの実施形態による、図１に示されている断面線Ａ－Ａ’に沿ったマイクロＬＥＤピクセルの断面図を示す構造図を示す。図３は、本開示のいくつかの実施形態による、図１に示されている断面線Ｂ－Ｂ’に沿ったマイクロＬＥＤピクセルの断面図を示す構造図を示す。

【0013】

図１～図３を参照すると、マイクロＬＥＤピクセル１００は、３つまたはそれ以上の発光メサ、たとえば、第１の発光メサ１１０と、第２の発光メサ１２０と、第３の発光メサ１３０とを含む。図２および図３において見られるように、垂直方向において、第１の発光メサ１１０と、第２の発光メサ１２０と、第３の発光メサ１３０とは、下部から上部まで、異なる位置において設けられる。たとえば、第１の発光メサ１１０は、第２の発光メサ１２０よりも低く設けられ、第２の発光メサ１２０は、第３の発光メサ１３０よりも低く設けられる。いくつかの実施形態では、発光メサ１１０、１２０、１３０の各々が、柱状構造を有する。すなわち、発光メサの上部表面の形状と発光メサの下部表面の形状とが同じである。いくつかの実施形態では、発光メサの上部表面の領域が、発光メサの下部表面の領域よりも小さい。

【0014】

マイクロＬＥＤピクセル１００は、マイクロＬＥＤピクセル１００のベースとして設けられた集積回路（ＩＣ）バックプレーン１９０をさらに含む。３つまたはそれ以上の発光メサは、ＩＣバックプレーン１９０の上に設けられる。各発光メサは、それぞれ上部電極および下部電極に接続される。第１の下部パッド１１１、第２の下部パッド１２１、および第３の下部パッド１３１が、それぞれ、各下部電極（図示せず）を接続するためにＩＣバックプレーン１９０上に設けられる。いくつかの実施形態では、下部パッド１１１、１２１、１３１は、正のパッド（Ｐパッド）である。

【0015】

いくつかの実施形態では、第１の発光メサ１１０は、最下部位置において設けられる。第２の発光メサ１２０は第１の発光メサ１１０の一部を覆い、第３の発光メサ１３０は第２の発光メサ１２０の一部を覆う。図１を参照すると、この例では、第１の発光メサ１１０の上部表面の形状が、三角形であり、より詳細には、丸いコーナーをもつ三角形である。第２の発光メサ１２０の上部表面の形状が、細長いストリップであり、第２の発光メサ１２０は、第１の発光メサ１１０の三角形の１つの側部に沿って設けられる。第３の発光メサ１３０の上部表面の形状が円形であり、第３の発光メサ１３０は、第２の発光メサ１２０の一方の端部の上に設けられる。第１の発光メサ１１０の上部表面は、第２の発光メサ１２０の下部表面よりも低く、第２の発光メサ１２０の上部表面は、第３の発光メサ１３０の下部表面よりも低い。すなわち、各発光メサは、他の発光メサから離間され、すなわち、他の発光メサとは接触がない。

【0016】

いくつかの実施形態では、３つまたはそれ以上の発光メサは、少なくとも、赤色光を発する赤色発光メサと、緑色光を発する緑色発光メサと、青色光を発する青色発光メサとを含む。たとえば、第１の発光メサ１１０は赤色発光メサであり、第２の発光メサ１２０は緑色発光メサであり、第３の発光メサ１３０は青色発光メサである。いくつかの実施形態では、第１の発光メサ１１０は赤色発光メサであり、第２の発光メサ１２０は青色発光メサであり、第３の発光メサ１３０は緑色発光メサである。

【0017】

いくつかの実施形態では、下部導電性構造が、各発光メサの下部表面において設けられて、発光メサを下部パッドと接続する。図１～図３を参照すると、この例では、第１の発光メサ１１０の第１の下部導電性構造１１４が、第１の発光メサ１１０とＩＣバックプレーン１９０との間に設けられたボンディング層である。第１の下部導電性構造１１４は、第１の下部パッド１１１に直接接続され得る。いくつかの実施形態では、導電性膜１１６が、第１の下部導電性構造１１４と第１の発光メサ１１０との間にさらに設けられる。導電性膜１１６は、第１の発光メサ１１０の正の側（Ｐ側）上にオーミック伝導を提供し得、第１の下部導電性構造１１４の上部表面と一緒の導電性膜１１６は、高い反射率をもつＯＤＲ（全方向反射体（ｏｍｎｉ－ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ））構造を形成することができる。いくつかの実施形態では、導電性膜１１６は、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）薄膜、たとえば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜、ＡＺＯ（アンチモンドープ酸化亜鉛）膜、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）膜、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）膜などである。いくつかの実施形態では、第２の発光メサ１２０の第２の下部導電性構造１２４と第３の発光メサ１３０の第３の下部導電性構造１３４とが導電性層であり、これらは、発光メサの外側に延ばされ得る。

【0018】

いくつかの実施形態では、下部接続構造が、下部導電性構造の各々を対応する下部パッドに接続するためにさらに設けられる。図１～図３を参照すると、この例では、第２の下部接続構造１２２が、第２の発光メサ１２０の横に設けられ、第２の下部パッド１２１に接続される。第２の下部導電性構造１２４は、延ばされ、第２の下部接続構造１２２と接続される。したがって、第２の発光メサ１２０の下部は、第２の下部導電性構造１２４と第２の下部接続構造１２２とを通して第２の下部パッド１２１に接続される。第３の下部接続構造１３２が、第３の発光メサ１３０の横に設けられ、第３の下部パッド１３１に接続される。第３の下部導電性構造１３４は、延ばされ、第３の下部接続構造１３２と接続される。したがって、第３の発光メサ１３０の下部は、第３の下部導電性構造１３４と第３の下部接続構造１３２とを通して第３の下部パッド１３１に接続される。いくつかの実施形態では、第２の下部接続構造１２２および第３の下部接続構造１３２は、金属から製造され、中空構造をもつ、スルービアである。

【0019】

下部接続構造の各々の形状に対する制限はない。いくつかの実施形態では、発光メサと一緒の下部接続構造のプロファイルは矩形であり得、これは、マイクロＬＥＤパネルの配置に好都合であり得る。

【0020】

いくつかの実施形態では、上部導電性構造が、発光メサの上部表面上に設けられて、発光メサを上部パッドと接続する。図２を参照すると、この例では、第１の上部導電性構造１１５が、第１の発光メサ１１０の上部表面上に設けられる。いくつかの実施形態では、第１の上部導電性構造１１５は、第１の発光メサ１１０の上部表面全体を覆う第１の透明導電性層である。いくつかの実施形態では、第１の発光メサ１１０の第１の上部導電性構造１１５は、第１の発光メサ１１０の上部表面上に形成された第１のドット導電性構造である。ドット導電性構造は、発光メサの上部表面上に形成された複数の導電性ドット（またはパッド）を含む。いくつかの実施形態では、第１のドット導電性構造は、第１の発光メサ１１０の上部表面の一部分上に形成され、そこで、その上部表面は第２の発光メサ１２０によって覆われない。すなわち、第１のドット導電性構造は、第１の発光メサ１１０の上部表面の一部を覆う。図３を参照すると、第２の上部導電性構造１２５が、第２の発光メサ１２０の上部表面上に設けられる。いくつかの実施形態では、第２の上部導電性構造１２５は、第２の発光メサ１２０の上部表面全体を覆う第２の透明導電性層である。いくつかの実施形態では、第２の上部導電性構造１２５は、第２の発光メサ１２０の上部表面上に形成された第２のドット導電性構造である。いくつかの実施形態では、第２のドット導電性構造は、第２の発光メサ１２０の上部表面の一部分上に形成され、そこで、その上部表面は第３の発光メサ１３０によって覆われない。すなわち、第２のドット導電性構造は、第２の発光メサ１２０の上部表面の一部を覆う。

【0021】

図２および図３を参照すると、マイクロＬＥＤピクセル１００は、マイクロＬＥＤピクセル１００の上部表面上に形成され、マイクロＬＥＤピクセル１００を覆う、上部導電性層１６０をさらに含む。上部導電性層１６０は、各発光メサを上部電極（図示せず）に接続するように構成される。いくつかの実施形態では、マイクロＬＥＤピクセル１００は、発光メサを上部導電性層１６０に接続するための上部接続構造をさらに含む。この例では、第１の上部接続構造１１３が、第１の発光メサ１１０の第１の上部導電性構造１１５上に設けられ、上部導電性層１６０に接続するためにマイクロＬＥＤピクセル１００の上部まで上方へ延びる。第２の上部接続構造１２３が、第２の発光メサ１２０の第２の上部導電性構造１２５上に設けられ、上部導電性層１６０に接続するためにマイクロＬＥＤピクセル１００の上部まで上方へ延びる。上部導電性層１６０は、第３の発光メサ１３０に直接接続することができる。いくつかの実施形態では、上部導電性層１６０は、第３の発光メサ１３０と接続されるためのくぼんだ部分１６１を有する。いくつかの実施形態では、第１の上部接続構造１１３および第２の上部接続構造１２３は、金属から製造され、中空構造をもつ、スルービアである。いくつかの実施形態では、上部導電性層１６０は、たとえば、外部ワイヤによって、上部電極と接続され得る。

【0022】

いくつかの実施形態では、上部導電性層１６０は、７０％以上の光透過率を伴って透明である。いくつかの実施形態では、マイクロＬＥＤピクセル１００は、上部導電性層１６０の上部表面上に設けられ、上部電極（図示せず）に接続するための接触を提供するように構成された、上部パッド１８０をさらに含む。いくつかの実施形態では、上部パッド１８０は、マイクロＬＥＤピクセル１００のエッジにおいて、およびマイクロＬＥＤピクセル１００の周りに設けられる。いくつかの実施形態では、上部パッド１８０は、負のパッド（Ｎパッド）である。いくつかの実施形態では、上部電極は、ＩＣバックプレーン１９０上に設けられ得、外部ワイヤが、上部電極を上部パッド１８０と接続するためにさらに設けられる。

【0023】

図１～図３を参照すると、隣接するマイクロＬＥＤピクセル間の光学分離が、第２の下部接続構造１２２と第３の下部接続構造１３２とによって実施され得る。いくつかの実施形態では、光学分離を改善するために、マイクロＬＥＤピクセル１００は、第３の発光メサ１３０がそこに位置しない、第１の発光メサ１１０の三角形に対応するコーナーにおいて設けられた、光学分離構造１４０をさらに含む。いくつかの実施形態では、第２の下部接続構造１２２と第３の下部接続構造１３２との間のギャップＧ１と、第２の下部接続構造１２２と光学分離構造１４０との間、第３の下部接続構造１３２と光学分離構造１４０との間のギャップＧ２との各々が、１ミクロン以下であり、たとえば、Ｇ１およびＧ２の各々が、０．１ミクロンに等しいかまたはそれよりも小さい。したがって、光学分離は、さらに改善され得る。

【0024】

いくつかの実施形態では、光学分離構造１４０は、上部導電性層１６０とＩＣバックプレーン１９０との間に延びるように設けられる。たとえば、光学分離構造１４０の上部が、第３の発光メサ１３０の上部表面に等しいかまたはそれよりも高く、光学分離構造１４０の下部が、第１の発光メサ１１０の下部表面に等しいかまたはそれよりも低い。光学分離構造１４０は、（導電性構造と導電性膜とを含む）発光メサ、上部導電性層１６０、またはＩＣバックプレーン１９０と接続しない。

【0025】

いくつかの実施形態では、光学分離構造１４０は反射性のものである。いくつかの実施形態では、光学分離構造１４０の材料が金属である。

【0026】

第２の下部接続構造１２２と第３の下部接続構造１３２とが正のパッドと接続されるので、第２の下部接続構造１２２と第３の下部接続構造１３２とは、互いに電気的に分離されるべきである。いくつかの実施形態では、ギャップＧ１は、第２の下部接続構造１２２と第３の下部接続構造１３２との間の電気的分離をも提供することができる。

【0027】

マイクロＬＥＤピクセル１００は、マイクロＬＥＤピクセル１００内の空間、すなわち、ＩＣバックプレーン１９０と上部導電性層１６０との間の空間を充填する、誘電体材料をさらに含む。いくつかの実施形態では、誘電体材料は、第１の発光メサ１１０、第２の発光メサ１２０、第３の発光メサ１３０、第２の下部接続構造１２２、第３の下部接続構造１３２、ＩＣバックプレーン１９０、上部導電性層１６０、および光学分離構造１４０の間の空間を満たす。いくつかの実施形態では、誘電体材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＳｉＣＮ、ＳｉＮＯ、またはＡｌ_２Ｏ_３のうちの１つまたは複数から選択される。いくつかの実施形態では、誘電体材料は透明である。

【0028】

上記で説明された構造では、本開示の実施形態によって提供されるマイクロＬＥＤピクセルは、高い透過率と寸法との間の良好なバランスを有し得る。

【0029】

図４は、本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマイクロＬＥＤパネル４００の平面図を示す構造図を示す。マイクロＬＥＤパネル４００は、アレイで配置された２つまたはそれ以上のマイクロＬＥＤピクセル１００を含む。図４に示されているように、この例では、２×２のアレイが示されており、各マイクロＬＥＤピクセル４１０、４２０、４３０、および４４０が、矩形形状を有することができる。したがって、２つまたはそれ以上のマイクロＬＥＤピクセル１００は、密に配置され得る。２つの隣接するマイクロＬＥＤピクセル４１０および４３０間を横断する光の大部分が、マイクロＬＥＤピクセル４１０の下部接続構造４１１とマイクロＬＥＤピクセル４３０の下部接続構造４３１とによって防がれ得る。さらに、マイクロＬＥＤピクセル４４０の光学分離構造４４４が、光が横断するのを防ぐために、２つの隣接するマイクロＬＥＤピクセル４２０および４４０間に設けられる。

【0030】

異なるタイプのマイクロＬＥＤパネルが提供され得る。たとえば、ディスプレイパネルの解像度は、典型的には、８×８から３８４０×２１６０にわたることができる。一般的なディスプレイ解像度は、３２０×２４０の解像度および４：３のアスペクト比をもつＱＶＧＡ（クォータービデオグラフィックスアレイ）と、１０２４×７６８の解像度および４：３のアスペクト比をもつＸＧＡ（エクステンデッドグラフィックスアレイ）と、１２８０×７２０の解像度および１６：９のアスペクト比をもつＤ（ディフィニション）と、１９２０×１０８０の解像度および１６：９のアスペクト比をもつＦＨＤ（フルハイディフィニション）と、３８４０×２１６０の解像度および１６：９のアスペクト比をもつＵＨＤ（ウルトラハイディフィニション）と、４０９６×２１６０の解像度をもつ４Ｋとを含む。サブミクロン以下から１０ｍｍ以上にわたる、多種多様なピクセルサイズもあり得る。全表示領域のサイズも、広く変動することができ、数十ミクロン以下程度の小さい対角線から数百インチ以上にわたる。

【0031】

マイクロＬＥＤパネル４００は、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、マイクロＬＥＤ画像パネルなどとして使用され得る。

【0032】

マイクロＬＥＤパネルは、上記で開示された構造によって限定されず、示されているものよりも多いまたは少ない構成要素を含み得るか、あるいはいくつかの構成要素が組み合わせられ得るか、あるいは異なる構成要素が利用され得ることが、当業者によって理解される。

【0033】

「第１の」および「第２の」などの本明細書の関係語は、あるエンティティまたは動作を別のエンティティまたは動作と区別するためにのみ使用され、これらのエンティティまたは動作間の実際の関係またはシーケンスを必要としないかまたは暗示しないことに留意されたい。その上、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含んでいる（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、および「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語、ならびに他の同様の形態は、意味において等価であり、これらの単語のいずれか１つに続く１つまたは複数の項目が、そのような１つまたは複数の項目の網羅的な列挙であることを意味しないか、または列挙された１つまたは複数の項目のみに限定されることを意味しないという点で、オープンエンドであるものとする。

【0034】

別段に明記されていない限り、本明細書で使用される「ｏｒ（または、あるいは）」という用語は、実現不可能な場合を除き、すべての可能な組合せを包含する。たとえば、データベースがＡまたはＢを含み得ると述べられる場合、別段に明記されていないかまたは実現不可能でない限り、データベースは、Ａ、またはＢ、またはＡおよびＢを含み得る。第２の例として、データベースがＡ、Ｂ、またはＣを含み得ると述べられる場合、別段に明記されていないかまたは実現不可能でない限り、データベースは、Ａ、またはＢ、またはＣ、またはＡおよびＢ、またはＡおよびＣ、またはＢおよびＣ、またはＡおよびＢおよびＣを含み得る。

【0035】

上記の本明細書では、実施形態が、実装形態ごとに変動することがある多数の具体的な詳細に関して説明された。説明された実施形態のいくつかの適応および変更が、行われ得る。他の実施形態は、本明細書の考慮および本明細書で開示された発明の実践により、当業者に明らかであり得る。本明細書および例は例示的なものとしてのみ考慮されることが意図されており、本発明の真の範囲および趣旨は以下の特許請求の範囲によって示される。また、図に示されているステップのシーケンスは、単に説明のためのものであり、ステップの特定のシーケンスに限定されることを意図されないものとする。したがって、当業者は、同じ方法を実装しながら、これらのステップが、異なる順序で実施され得ることを諒解することができる。

【0036】

図面および本明細書では、例示的な実施形態が開示された。しかしながら、多くの変形および変更が、これらの実施形態に対して行われ得る。したがって、特定の用語が採用されるが、それらの用語は、一般的および説明的な意味において使用されるにすぎず、限定の目的で使用されない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【外国語明細書】