特開 2024-150426 フラックスレス熱圧着接合システム及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024150426

(43)【公開日】2024-10-23

(54)【発明の名称】フラックスレス熱圧着接合システム及び方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20241016BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241016BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311T

H01L21/304 645C

【審査請求】有

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024062660

(22)【出願日】2024-04-09

(31)【優先権主張番号】18/132,482

(32)【優先日】2023-04-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】504133796

【氏名又は名称】エーエスエムピーティー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】ゼタオ・マ

(72)【発明者】

【氏名】ミン・リ

(72)【発明者】

【氏名】チュン・ホ・ファン

(72)【発明者】

【氏名】キン・イク・フン

(72)【発明者】

【氏名】シウ・ウィン・ラウ

【テーマコード（参考）】

5F044

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F044KK01

5F044LL01

5F044PP15

5F044QQ01

5F157AA16

5F157AA46

5F157BG13

5F157BG14

5F157BG15

5F157BG33

5F157BG35

5F157BG85

5F157BG86

5F157BH18

5F157CF30

5F157CF34

5F157CF42

(57)【要約】

【課題】接合プロセスの前または間に金属酸化物が生成されるのを防止するフラックスレス熱圧着接合システム及び方法を提供する。
【解決手段】電子部品をベース部材に接合するための接合システムは、電子部品の接合中にベース部材が配置可能な第１の不活性環境を形成するための第１の容器を含む。第１のプラズマ洗浄装置は、第１の容器内に配置され、金属酸化物を除去することによって、電子部品及び／またはベース部材を洗浄する。また、第２のプラズマ洗浄装置は、電子部品が第１の容器内に移送される前に、電子部品から有機汚染物質を除去することによって電子部品を洗浄するために提供される。接合ヘッドは、第１の容器内に移動可能に設置されており、電子部品及び／又はベース部材が第１のプラズマ洗浄装置によって洗浄された後に、電子部品をベース部材に接合する。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品をベース部材に接合するための接合システムであって、
前記電子部品の接合中に前記ベース部材が配置可能な第１の不活性ガス環境を形成するための第１の容器と、
前記第１の容器内に配置され、前記電子部品及び／または前記ベース部材から金属酸化物を除去することによって、前記電子部品及び／または前記ベース部材を洗浄するように動作する第１のプラズマ洗浄装置と、
前記電子部品が前記第１の容器に移送される前に、前記電子部品から有機汚染物質を除去することによって前記電子部品を洗浄するように動作する第２のプラズマ洗浄装置と、
前記第１の容器内に移動可能に設置され、前記電子部品及び／または前記ベース部材が前記第１のプラズマ洗浄装置によって洗浄された後に、前記電子部品を前記ベース部材に接合するように動作する接合ヘッドと、
を備えた接合システム。

【請求項2】

前記第１のプラズマ洗浄装置は、前記電子部品を洗浄するように配置されて動作する第１のプラズマヘッドと、前記ベース部材を洗浄するように配置されて動作する第２のプラズマヘッドと、を備えた、請求項１に記載の接合システム。

【請求項3】

前記第１及び第２のプラズマヘッドの少なくとも一方は、前記電子部品及び／または前記ベース部材を洗浄するために、前記第１の容器内の洗浄位置に移動可能なように、前記第１の容器内の移動テーブルに取り付けられている、請求項２に記載の接合システム。

【請求項4】

前記接合ヘッドは、前記第１のプラズマヘッドが前記電子部品を洗浄している間、前記電子部品を保持するように更に構成されている、請求項３に記載の接合システム。

【請求項5】

前記第１及び第２のプラズマヘッドは、前記第１のプラズマヘッドが前記電子部品を洗浄するために前記電子部品と位置合わせされる第１の洗浄位置に移動されると同時に、前記第２のプラズマヘッドが前記第１の容器内に配置された前記ベース部材と位置合わせされる第２の洗浄位置に移動されるように、前記移動テーブルに取り付けられている、請求項３に記載の接合システム。

【請求項6】

前記第１のプラズマヘッドは、前記電子部品を洗浄するために、前記第１の容器内の第１の洗浄位置に固定的に取り付けられている、請求項２に記載の接合システム。

【請求項7】

前記第１のプラズマヘッドが前記電子部品を洗浄しているときに前記電子部品を保持するように構成された保持装置を更に備え、該保持装置は、前記第１のプラズマヘッドが前記保持装置によって前記第１の洗浄位置に保持された前記電子部品を洗浄するように動作し、前記第１のプラズマヘッドと位置合わせされるように配置されている、請求項６に記載の接合システム。

【請求項8】

前記第１のプラズマヘッドが前記電子部品を洗浄している際に前記電子部品を加熱するための加熱部材を更に備え、該加熱部材は、前記保持装置に結合されている、請求項７に記載の接合システム。

【請求項9】

前記第２のプラズマヘッドは、前記ベース部材を洗浄するために、前記第１の容器内の第２の洗浄位置に固定的に取り付けられている、請求項２に記載の接合システム。

【請求項10】

前記第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された前記電子部品を前記第１の容器に移送し、前記第１の容器内に前記電子部品を位置決めするように構成された移送システムを更に備えている、請求項１に記載の接合システム。

【請求項11】

第２の不活性ガス環境を形成するための第２の容器を更に備え、前記第２のプラズマ洗浄装置は、前記電子部品が前記第２の容器に搬送されるときに前記電子部品を洗浄するために前記第２の容器内に配置されている、請求項１０に記載の接合システム。

【請求項12】

前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された前記電子部品を前記第２の容器から輸送通路を介して前記第１の容器に移送できるようにするための輸送通路を介して互いに連通されている、請求項１１に記載の接合システム。

【請求項13】

前記輸送通路上に設置された第１の不活性ガスディフューザを更に備え、前記第１の容器と前記第２の容器との間のガスの流体連通を妨げるための第１の流体カーテンを前記輸送通路内に形成している、請求項１２に記載の接合システム。

【請求項14】

前記第２の容器は、入口通路であって、該入口通路を介して前記第２の容器内に前記電子部品を搬送するための入口通路と、第２の不活性ガスディフューザであって、前記入口通路上に設置され、前記第２の容器と前記第２の容器の外部の周囲環境との間のガスの流体連通を妨げるために、前記入口通路内に第２の流体カーテンを形成している、第２の不活性ガスディフューザと、を更に備えている、請求項１３に記載の接合システム。

【請求項15】

前記第１の容器内に配置され、前記第１の容器内の前記第１の不活性ガス環境の濃度を検出する不活性ガスセンサを更に備えている、請求項１に記載の接合システム。

【請求項16】

前記接合ヘッドは、前記第１の容器内に位置する内部チャンバ内に移動可能に設置され、前記不活性ガスセンサは、前記内部チャンバ内の内壁に設置されている、請求項１５に記載の接合システム。

【請求項17】

前記第１の容器内に配置され、前記第１の容器内の水素濃度を検出する水素センサを更に備えている、請求項１に記載の接合システム。

【請求項18】

前記第２の容器からのオゾンの漏洩を検出するために、前記第２の容器上に配置されたオゾンセンサを更に備えている、請求項１に記載の接合システム。

【請求項19】

接合ヘッドと、第１のプラズマ洗浄装置と、第２のプラズマ洗浄装置とを含む接合システムを用いて、電子部品をベース部材に接合する接合方法であって、前記第１のプラズマ洗浄装置は、第１の容器内に形成された第１の不活性ガス環境内に配置され、前記方法は、
前記第２のプラズマ洗浄装置で前記電子部品から有機汚染物を除去することによって、前記電子部品を洗浄するステップと、
前記第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された電子部品を第１の容器に搬送するステップと、
前記第１のプラズマ洗浄装置によって、前記第１の容器内に配置された前記電子部品及び／または前記ベース部材から金属酸化物を除去することによって、前記電子部品及び／または前記ベース部材を洗浄するステップと、
前記接合ヘッドによって前記電子部品を前記ベース部材に接合するステップと、
を含む方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、熱圧着接合（thermocompression bonding）に関し、特に、電子部品及びこの電子部品が接合されるベース部材上の有機汚染物質や金属酸化物等の不純物を積極的に除去することができるフラックスレス熱圧着接合システム及び方法に関する。

【背景技術】

【0002】

熱圧着接合（ＴＣＢ）は、フリップチップ接合プロセスを実施することができる１つのプロセスである。接合プロセスの間、シリコンウェハからのダイは、ダイ上のバンプ（bump）が下向きになった状態で接合ヘッドに転送される。次に、接合ヘッドによって担持されたダイを基板の接合位置に配置する。次に、ダイに圧縮力を加えてダイを基板に押し付け、ダイと基板との間の良好な接触を確保する。当技術分野で良く知られているように、ダイと基板との接合面上の不純物は、それらの間の良好な接触を妨げ、最終的に接合されたパッケージの性能に著しい影響を及ぼす可能性がある。不純物には、ダイ及び基板の接合面を覆う有機汚染物質、及びＴＣＢプロセスの前またはＴＣＢプロセスの間の接合材料及び接合面の酸化から生じる金属酸化物が含まれるが、これらに限定されない。

【0003】

１つの従来技術のＴＣＢプロセスでは、液体フラックスをダイと基板の接合面に適用して、接合前にその上の金属酸化物を除去することができる。ダイと基板とが互いに接合された後、フラックス除去プロセス（deflux process）が行われて、最終的な接合パッケージ上のフラックス残留物が除去される。しかしながら、フラックス及びフラックス除去プロセスの適用は、接合プロセスのコストの大幅な増加をもたらす。更に、金属酸化物は、上述の酸化物除去プロセスの後、接合プロセスの前または間に更に生成される場合がある。更に、酸化物除去プロセスは有機汚染物質を除去するのに適していないので、有機汚染物質が存在する場合には、ダイと基板との間の接合部の品質が依然として影響を受ける可能性がある。

【0004】

従って、ダイを基板に接合する前に、ダイ及び基板上の金属酸化物及び有機汚染物質の両方を効果的且つ実質的に除去し、接合プロセスの前または接合プロセスの間に金属酸化物が生成されるのを防止することが有益であろう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４－１８７１１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

従って、本発明の目的は、電子部品がベース部材に接合される前に、電子部品及びベース部材上に存在する金属酸化物及び有機汚染物質の両方を効果的に除去または低減し、接合プロセスの前または間に金属酸化物が生成されるのを防止するフラックスレス熱圧着接合システム及び方法を提供することである。そうすることは、電子部品及びベース部材上に存在し得るそのような不純物によって引き起こされる最終的な接合パッケージの性能劣化を回避するのに役立つであろう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の第１の態様によれば、ダイまたはチップ等の電子部品を基板等のベース部材に接合するための接合システムが提供される。このシステムは、電子部品の接合中にベース部材が配置可能な第１の不活性ガス環境を形成するための第１の容器と、金属酸化物を除去することによって電子部品及び／またはベース部材を洗浄するように動作する第１のプラズマ洗浄装置であって、第１の容器内に配置される第１のプラズマ洗浄装置と、電子部品が第１の容器に移送される前に有機汚染物質を除去することによって電子部品を洗浄するように動作する第２のプラズマ洗浄装置と、第１の容器内に移動可能に設置され、電子部品及び／またはベース部材が第１のプラズマ洗浄装置によって洗浄された後に電子部品をベース部材に接合するように動作する接合ヘッドと、を含む。

【0008】

上記接合システムによれば、まず、第２のプラズマ洗浄装置によって電子部品から有機汚染物質を除去する第１の洗浄処理を行い、その後、第１の容器内に電子部品を搬送した後、第１のプラズマ洗浄装置によって電子部品上の金属酸化物を除去する第２の洗浄処理を行うことができる。同時に、第１のプラズマ洗浄装置は、電子部品がベース部材に接合される前に、第１の容器内に配置されたベース部材を洗浄するために使用されても良い。これにより、接合工程前に、電子部品上の有機汚染物質と、電子部品及びベース部材上に存在する金属酸化物とを効果的に除去することができる。また、第１の容器内に不活性ガス環境が形成されるため、第２の洗浄工程後、及び第１の容器内でのその後の接合工程において、電子部品及びベース部材に金属酸化物が形成されることが無い。これにより、電子部品及びベース部材上に存在する不純物に起因する最終接合パッケージの性能劣化を効果的に回避することができる。これにより、電子部品とベース部材との接合品質を大幅に向上させることができる。

【0009】

第１のプラズマ洗浄装置は、電子部品を洗浄するように配置されて動作する第１のプラズマヘッドと、ベース部材を洗浄するように配置されて動作する第２のプラズマヘッドとを含むことができる。一実施形態では、第１のプラズマ洗浄装置は、一体的に形成された単一部品装置、すなわち、第１のプラズマヘッド及び第２のプラズマヘッドを含むデュアルヘッドプラズマ洗浄装置であっても良い。これにより、省スペース化を図ることができると共に、電子部品とベース部材との同時洗浄を容易に行うことができる。あるいは、別の実施形態では、第１及び第２のプラズマヘッドは、電子部品及びベース部材を別々に洗浄するために独立して動作する２つの別個の装置であっても良い。

【0010】

第１及び第２のプラズマヘッドの少なくとも一方は、電子部品及び／またはベース部材を洗浄するために、第１の容器内の洗浄位置に移動可能なように、第１の容器内の移動テーブル（motion table）に取り付けられても良い。第１及び第２のプラズマヘッドは、共通の移動テーブルまたは異なる移動テーブルに取り付けられても良い。第１のプラズマヘッドは、第１のプラズマヘッドから放出されたプラズマで電子部品を洗浄するために、第１のプラズマヘッドが、接合ヘッドまたは他の保持装置によって保持され得る電子部品と位置合わせされる第１の洗浄位置に移動可能であり得る。第２のプラズマヘッドは、第２のプラズマヘッドから放出されたプラズマでベース部材を洗浄するために、第２のプラズマヘッドが、第１の容器内に配置されたベース部材と位置合わせされる第２の洗浄位置に移動可能であっても良い。

【0011】

よりコンパクトな接合システムを提供するために、接合システムの接合ヘッドは、第１のプラズマヘッドが電子部品を洗浄している間、電子部品をピックアップして保持するように更に構成されても良い。これにより、電子部品の洗浄時に電子部品を第１の容器内に保持するための保持装置を別途設ける必要が無く、第１の容器のコンパクト性を維持することができる。更に、第１及び第２のプラズマヘッドの両方は、共通の移動テーブルに取り付けられても良く、共通の移動テーブルと共に移動しても良い。好ましくは、第１及び第２のプラズマヘッドは、第１のプラズマヘッドが第１の洗浄位置に移動して電子部品をプラズマで洗浄するとき、第２のプラズマヘッドが同時に第２の洗浄位置に移動してベース部材をプラズマで洗浄するように、第１及び第２の洗浄位置に同時に位置決め可能に構成されても良い。例えば、第１及び第２のプラズマヘッドは、第１のプラズマヘッドの第１の排出端が接合ヘッドに保持された電子部品に対向して位置するとき、第２のプラズマヘッドの第２の排出端が第１の容器内に位置するベース部材に対向するように、互いに直接対向して配置されても良い。

【0012】

あるいは、第１のプラズマヘッドは、電子部品を洗浄するために、第１の容器内の第１の洗浄位置に固定的に取り付けられても良い。従って、接合システムは、第１のプラズマヘッドが電子部品を洗浄しているときに電子部品を保持するように構成された保持装置を更に含むことができる。保持装置は、第１のプラズマヘッドが保持装置によって第１の洗浄位置に保持された電子部品を洗浄するように動作し、第１の容器内の第１のプラズマヘッドと位置合わせされるように配置されても良い。加熱部材は、洗浄プロセス中に電子部品を加熱するために保持装置に結合されても良い。これは、洗浄プロセスを加速し、第１のプラズマヘッドの効率を改善するのに役立つ。第２のプラズマヘッドはまた、ベース部材を洗浄するために、第１の容器内の第２の洗浄位置に固定して取り付けられても良い。

【0013】

接合システムは、第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された電子部品を第１の容器に移送し、第１の容器内に電子部品を位置決めするように構成された移送システムを更に含むことができる。

【0014】

第２のプラズマ洗浄装置の性能を向上させるために、接合システムは、第２の不活性ガス環境を形成するための第２の容器を更に含むことができ、第２のプラズマ洗浄装置は、電子部品が第２の容器に搬送されるときに電子部品を洗浄するために第２の容器内に配置されている。

【0015】

第１の容器と第２の容器とは、第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された電子部品を第２の容器から輸送通路を介して第１の容器に移送できるようにするための輸送通路を介して互いに連通していても良い。第１の不活性ガスディフューザを輸送通路上に設置して、第１の容器と第２の容器との間のガスの流体連通を妨げるための第１の流体カーテンを輸送通路内に形成することができる。

【0016】

第２の容器は、入口通路を介して第２の容器内に電子部品を搬送するための入口通路を更に含むことができる。第２の容器と第２の容器の外部の周囲環境との間のガスの流体連通を妨げるために、第２の不活性ガスディフューザを入口通路上に設置して、入口通路内に第２の流体カーテンを形成することができる。

【0017】

接合システムは、第１の容器内の第１の不活性ガス環境の濃度を検出するために、第１の容器内に配置された不活性ガスセンサを更に含むことができる。好ましくは、不活性ガスセンサは、第１の容器の内部チャンバ内の内壁に設置され、接合ヘッドは、内部チャンバ内に移動可能に設置されている。

【0018】

接合システムは、第１の容器内の水素濃度を検出するために第１の容器内に配置された水素センサ、及び／または第２の容器からのオゾンの漏洩を検出するために第２の容器上に配置されたオゾンセンサを更に含むことができる。

【0019】

本発明の第２の側面によれば、第１の容器内に形成された第１の不活性ガス環境内に配置された、接合ヘッドと、第１のプラズマ洗浄装置と、第２のプラズマ洗浄装置とを含む接合システムを用いて、電子部品をベース部材に接合する接合方法が提供される。この方法は、第２のプラズマ洗浄装置によって電子部品から有機汚染物質を除去することによって電子部品を洗浄するステップと、第２のプラズマ洗浄装置によって洗浄された電子部品を第１の容器に搬送するステップと、第１のプラズマ洗浄装置によって、第１の容器内に配置された電子部品及び／またはベース部材から金属酸化物を除去することによって電子部品及び／またはベース部材を洗浄するステップと、接合システムの接合ヘッドによって電子部品をベース部材に接合するステップと、を含む。

【0020】

これら及び他の特徴、態様、及び利点は、説明セクション、添付の特許請求の範囲、及び添付の図面に関してより良く理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1A】本発明の第１の実施形態によるダイを基板に接合するための熱圧着接合システムの概略側面図である。

【図1B】本発明の第１の実施形態による接合システムの移送システムの概略平面図である。

【図2】本発明の第１の実施形態による接合システムを用いてダイを基板に接合する熱圧着接合方法を示すフローチャートである。

【図3A】本発明の第２の実施形態によるダイを基板に接合するための熱圧着接合システムの概略側面図である。

【図3B】本発明の第２の実施形態による接合システムの移送システムの概略平面図である。

【図4】本発明の第２の実施形態による接合システムを用いてダイを基板に接合する熱圧着接合方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を例示的に説明する。

【0023】

図中、同様の部分には同様の参照符号を付している。

【0024】

実施形態をより詳細に説明する前に、まず概要を説明する。いくつかの実施形態は、接合ヘッド及び第１のプラズマ洗浄装置が第１の不活性環境（inert environment）内に取り付けられる構成を提供している。接合ヘッドは、電子部品をベース部材に接合するように構成され、第１のプラズマ洗浄装置は、接合前に金属酸化物を除去することによって電子部品及び／またはベース部材を洗浄するように構成されている。これにより、接合前に電子部品及び／またはベース部材上の金属酸化物を効果的に除去することができる。また、第１の不活性環境は、除去工程後及び接合工程中に金属酸化物が生成するのを効果的に防止することができる。更に、電子部品を第１の不活性環境に搬送する前に、電子部品から有機汚染物質を除去することによって電子部品を洗浄するための第２のプラズマ洗浄装置を設けることもできる。第１のプラズマ洗浄装置は、第１の不活性環境内の接合システムの配置に応じて、第１の不活性環境内に移動可能または固定的に取り付けられても良い。金属酸化物の除去プロセスを加速するために、除去プロセス中に加熱部材によって電子部品及び／またはベース部材を加熱することができる。

【0025】

図１Ａは、本発明の第１の実施形態による、ダイ２００を基板３００に接合するための熱圧着接合システム１００の概略側面図である。接合システム１００は、第１の不活性ガス環境が形成される第１のまたは主容器１１０と、ダイ２００及び基板３００から金属酸化物を除去するために主容器１１０内に移動可能に取り付けられた第１のプラズマ洗浄装置１３０と、第２のまたは二次容器１２０と、ダイ２００から有機汚染物質を除去するために二次容器１２０内に取り付けられた第２のプラズマ洗浄装置１４０とを含む。

【0026】

図１Ａを参照すると、主容器１１０は、接合ヘッド１０１を保持するための上部内部チャンバ１１２と、基板３００が配置可能な接合ステージ１２２を保持するための下部内部チャンバ１１４とを含む。上部内部チャンバ１１２は、接合ヘッド１０１が基板３００に向かって、または基板３００から離れるように移動することを可能にするように構成された底部開口部を含む。下部内部チャンバ１１４は、上部内部チャンバ１１２の底部開口部に実質的に位置合わせされた開口部を有する上部プレート１１５を含むことができ、その結果、接合ヘッド１０１は、接合プロセス中にダイ２００が基板３００に接触するまで下方に移動するように動作している。上部プレート１１５は、冷却プレートを更に含んでも良い。

【0027】

接合システム１００は、主容器１１０内に第１の不活性環境を形成するために、主容器１１０上に設置された少なくとも１つの第１の不活性ガスディフューザ１１３を更に含むことができる。第１の不活性ガスは、窒素及び／または他の不活性ガス、例えばヘリウム及びアルゴンを含むことができる。各々の第１の不活性ガスディフューザ１１３は、第１の不活性ガスを主容器１１０内に導入するように構成されている。この実施形態では、上部内部チャンバ１１２の上面に取り付けられた２つの第１の不活性ガスディフューザ１１３がある。あるいは、第１の不活性ガスディフューザ１１３は、主容器１１０の外側に取り付けられても良い。主容器１１０は、第１の不活性ガスディフューザ１１３からの第１の不活性ガスが第１の不活性ガス入口を通って主容器１１０内に入ることを可能にするために、第１の不活性ガスディフューザ１１３に流体的に接続された少なくとも１つの第１の不活性ガス入口を含むことができる。主容器１１０は、必要に応じて、例えば、主容器１１０内の不活性ガスの濃度を調整する必要がある場合に、主容器１１０内の空気を排出するための少なくとも１つの排気口１１９を更に含むことができる。

【0028】

この実施形態では、第１のプラズマ洗浄装置１３０は、第１のプラズマヘッド１３１と第２のプラズマヘッド１３２とを含むデュアルヘッドを有している。第１のプラズマ洗浄装置１３０は、第１及び第２のプラズマヘッド１３１、１３２が互いに直接対向して配置されるように、移動テーブル１１６に取り付けられている。具体的には、第１のプラズマ洗浄装置１３０が、水平方向、例えば、デカルト座標系のＸ軸またはＹ軸に沿った方向に沿って移動テーブル１１６によって移動されると、第１のプラズマヘッド１３１は、第１のプラズマヘッド１３１の第１の排出端が接合ヘッド１０１によって保持されたダイ２００に対向するように位置決め可能な第１の洗浄位置に移動可能であり、これにより、第１の排出端から排出されたプラズマを伴う第１のプラズマヘッド１３１によってダイ２００が洗浄される。第２のプラズマヘッド１３２は、第２のプラズマヘッド１３２の第２の排出端が接合ステージ１２２上に位置する基板３００に対向するように位置決め可能な第２の洗浄位置に移動可能であり、第２の排出端から排出されたプラズマを伴う第２のプラズマヘッド１３２によって、基板３００が洗浄される。この構成では、第１のプラズマ洗浄装置１３０は、接合ヘッド１０１によって保持されたダイ２００と接合ステージ１２２上の基板３００との間の第１のプラズマ洗浄装置１３０の洗浄位置に移動させることができ、これにより第１及び第２のプラズマヘッド１３１、１３２は、ダイ２００及び基板３００を同時に洗浄するように動作している。第１のプラズマ洗浄装置１３０の洗浄位置とは、第１のプラズマヘッド１３１が第１の洗浄位置にあり、第２のプラズマヘッド１３２が第２の洗浄位置にあることをいう。

【0029】

第１のプラズマヘッド１３１は、ダイ２００上の金属酸化物を除去するために、接合ヘッド１０１によって保持されたダイ２００に向けてプラズマを放出するための少なくとも１つのノズルを含むノズル型（nozzle-type）のプラズマヘッドであっても良い。第２のプラズマヘッド１３２は、接合ステージ１２２上に位置する基板３００に向けてプラズマを放出するための少なくとも１つのノズルを含むポイント型（point-type）プラズマヘッドとすることができる。あるいは、第１及び第２のプラズマヘッド１３１、１３２は、他の型のプラズマヘッド、例えば、ライン型（line-type）のプラズマヘッドを備えても良い。当業者であれば、他の実施形態では、２つのプラズマヘッド１３１、１３２がそれぞれダイ２００及び基板３００上の金属酸化物を効果的に除去するように動作する限り、２つのプラズマヘッド１３１、１３２は別々の装置であっても良く、同じまたは異なる移動テーブルに取り付けられても良いことを理解されたい。

【0030】

第１のプラズマ洗浄装置１３０は、活性ガスとして水素を使用して、ダイ２００と基板３００の両方の上の金属酸化物を除去することができる。従って、主容器１１０内のガスは、第１のプラズマ洗浄装置１３０で使用される活性水素ガスと、主容器１１０内に導入される不活性ガス、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴンとの混合物を含む。

【0031】

第１のプラズマヘッド１３１によってダイ２００から金属酸化物を効率的且つ効果的に除去するために、接合ヘッド１０１は、第１のプラズマヘッド１３１によってダイ２００から金属酸化物を除去するときにダイ２００を加熱するための加熱要素（heating element）１０２を更に含むことができる。同様に、接合ステージ１２２は、基板３００から金属酸化物を効率的且つ効果的に除去するために、第２のプラズマヘッド１３２を用いて基板３００から金属酸化物を除去する際に基板を加熱する加熱部材（heating member）１１１を更に含むことができる。

【0032】

二次容器１２０は、二次容器１２０に取り付けられた第２のプラズマ洗浄装置１４０の性能を向上させるために、第２の不活性ガス環境を形成するように構成されている。接合システム１００は、第２の不活性ガスを発生させて第２の不活性ガス環境を形成するために第２の不活性ガスを第２の容器１２０内に供給する少なくとも１つの第２の不活性ガスディフューザ１２３を更に含むことができる。第２の不活性ガスディフューザ１２３は、二次容器１２０の内壁に設置しても良いし、二次容器１２０の外部に設置しても良い。第２の不活性ガスディフューザ１２３が第２の容器１２０の外側に取り付けられる場合、第２の容器１２０は、第２の不活性ガスが第２の容器１２０に入ることを可能にするために、第２の不活性ガスディフューザ１２３に流体的に接続された少なくとも１つの第２の不活性ガス入口を更に含むことができる。第２の不活性ガスは、窒素または他の不活性ガスを含むことができる。この実施形態では、２つの第２の不活性ガスディフューザ１２３が、第２の容器１２０の上部内面に取り付けられる。二次容器１２０は、ダイ２００を二次容器１２０内に移送するための入口通路１２４を更に含む。二次容器１２０と二次容器１２０の外部の周囲環境との間の空気連通を防止するか又は少なくとも減少させるために、少なくとも１つの第３の不活性ガスディフューザ１２５を入口通路１２４に設置して、入口通路１２４内に流体カーテンのような障壁を形成することができる。

【0033】

二次容器１２０に取り付けられた第２のプラズマ洗浄装置１４０は、ダイ２００が主容器１１０に移送される前に、二次容器１２０内のダイ２００から有機汚染物質を除去するように構成されている。この実施形態では、接合システム１００は、ダイ２００のバンプ側が第２のプラズマ洗浄装置１４０に面するようにダイ２００を保持するように構成されたダイ保持装置すなわちアーム１２１を更に含むことができる。本実施形態では、ダイ保持装置１２１は、二次容器１２０の上部に取り付けられている。第２のプラズマ洗浄装置１４０は、二次容器１２０の下部に配置され、ダイ保持装置１２１によって保持されたダイ２００が第２のプラズマ洗浄装置１４０によって洗浄されるように、ダイ保持装置１２１と位置合わせされている。これにより、第２のプラズマ洗浄装置１４０の排出端をダイ２００のバンプ側に対向させ、第２のプラズマ洗浄装置１４０の排出端から排出されるプラズマにより、有機汚染物質をダイ２００のバンプ側から除去することができる。第２のプラズマ洗浄装置１４０は、活性ガスとして酸素を使用して、ダイ２００上の有機汚染物質を除去することができる。従って、二次容器１２０内のガスは、二次容器１２０内に入った活性ガス酸素と第２の不活性ガスとの混合物を含む。ダイ２００上の有機汚染物質には、ダイ２００のはんだバンプ（solder bump）や金属製ピラー（metal pillar）等、ダイ２００の相互接続部の表面上の有機物残留物が含まれるが、これに限定されない。典型的には、金属製ピラーは、銅、ニッケルまたは金のピラーを含む場合がある。尚、第２のプラズマ洗浄装置１４０及びダイ保持装置１２１の構成は、説明のためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。他の実施形態では、これらの装置は、異なる方法で配置されても良く、例えば、ダイ保持装置１２１は、二次容器１２０の下部に配置されても良く、第２のプラズマ洗浄装置１４０は、二次容器１２０の上部に取り付けられて、ダイ保持装置１２１と位置合わせされても良い。特定の実施形態では、ダイ保持装置１２１または第２のプラズマ洗浄装置１４０は、二次容器１２０内に移動可能に設置されても良い。これにより、ダイ保持装置１２１によって保持されたダイ２００は、洗浄のために第２のプラズマ洗浄装置１４０を起動する前に、第２のプラズマ洗浄装置１４０と位置合わせすることができる。例えば、ダイ保持装置１２１または第２のプラズマ洗浄装置１４０は、場合によっては、移動テーブル上に取り付けられても良い。

【0034】

接合システム１００は、主容器１１０と二次容器１２０とを接続するように構成された輸送通路１５０を更に含むことができる。輸送通路１５０は、ダイ２００が移送システム１６０によって二次容器１２０から主容器１１０に移送されることを可能にするように配置されている。第１のチャンバと第２のチャンバとの間のガス連通を回避または低減するために、少なくとも１つの更なる不活性ガスディフューザ１５１を輸送通路１５０に設置して、輸送通路１５０に沿って流体カーテンを形成することができる。移送システム１６０は、ダイ２００を二次容器１２０から主容器１１０内の所定の位置に移送するように構成された可動ダイ移送アームを含むことができ、ここで、接合ヘッド１０１は、移送システム１６０からダイ２００をピックアップするように動作している。ダイ２００がダイ保持装置１２１から移送システム１６０によって受け取られると、ダイ２００のバンプ側は移送システム１６０と接触し、接合ヘッド１０１が移送システム１６０からダイ２００をピックアップすると、ダイ２００のバンプ側は再び下向きになる。

【0035】

接合システム１００は、主容器１１０内の第１の不活性ガス環境の濃度またはｐｐｍレベルを検出するために、上部内部チャンバ１１２内に配置された不活性ガスセンサ１１７を更に含むことができる。不活性ガスセンサ１１７は、上部内部チャンバ１１２の内面に設置されても良い。図１を参照すると、不活性ガスセンサ１１７は、好ましくは、上部内部チャンバ１１２の底部開口の近くの位置に配置され得る。主容器１１０の排気口１１９は、不活性ガスセンサ１１７が第１の不活性ガス環境のｐｐｍレベルが所定のレベルを超えたことを検出した場合に、過剰な不活性ガスを主容器１１０から排出するために使用することができる。

【0036】

活性水素ガスの濃度が所定の安全レベルを超えないことを確認するために、主容器１１０内の水素濃度を検出する水素センサ１１８を主容器１１０内に更に設置しても良い。更に、接合システム１００は、二次容器１２０からのオゾン（Ｏ_３）のいかなる漏洩も検出するために、二次容器１２０上に配置されたオゾンセンサ１２６を更に含んでも良い。

【0037】

図１Ｂは、本発明の第１の実施形態による接合システム１００の移送システム１６０の概略平面図である。図１Ｂに示すように、移送システム１６０は、ダイ移送アーム（ＤＴＡ：die transfer arm）１６１、ダイ・フィーダ１６２、及びダイ・ピックアーム（ＤＰＡ：die pick arm）１６３を含むことができる。この実施形態では、ダイ保持装置１２１は、ダイ２００を第２のプラズマ洗浄装置１４０と直接位置合わせされた位置に移動させることを可能にする移動テーブル上に取り付けることができる。第２のプラズマ洗浄装置１４０がダイ２００を洗浄すると、ダイ保持装置１２１は、洗浄されたダイ２００をダイ・フィーダ１６２に移送するように動作している。ダイ・フィーダ１６２は、第２のプラズマ洗浄装置１４０によって洗浄されたダイ２００をダイ保持装置１２１から受け取るように構成されている。ダイ２００は、そのバンプ／前面がダイ・フィーダ１６２と接触するように、ダイ・フィーダ１６２上に配置されている。次に、ＤＰＡ１６３を動作させてダイ・フィーダ１６２からダイ２００をピックアップし、ダイ２００のバンプ側をＤＴＡ１６１のパッドに接触させてダイ２００をパッドに移送する。ＤＴＡ１６１は、ダイ２００を所定の位置に移動させるように動作しており、これにより接合ヘッド１０１は、ＤＴＡ１６１からダイ２００をピックアップするように動作している。次に、第１の洗浄装置１３０の第１のプラズマヘッド１３１を用いてダイ２００上の金属酸化物を除去する工程の前に、接合ヘッド１０１を動作させて、ダイ２００のバンプ側を下にしてダイ２００をＤＴＡ１６１からピックアップしている。

【0038】

図２は、本発明の第１の実施形態による接合システム１００を用いてダイ２００を基板３００に接合する熱圧着接合方法２０を示すフローチャートである。

【0039】

ステップ２０１では、ダイ２００のバンプ側を下にしてダイ保持装置１２１でダイ２００を二次容器１２０に移送して保持し、二次容器１２０内の第２のプラズマ洗浄装置１４０でダイ２００のバンプ側を洗浄して、ダイ２００のバンプ側から有機汚染物を除去している。

【0040】

図１Ｂを参照すると、ダイ２００は、ダイ保持装置１２１によって保持され、これによって、第２のプラズマ洗浄装置１４０が、ダイ２００のバンプ側に向けてプラズマを放出し、有機汚染物質をダイ２００から除去することが可能になる。あるいは、ダイ保持装置１２１は、ダイ２００をその上に配置することができるダイ支持ステージと置き換えることができる。この設定では、第２のプラズマ洗浄装置１４０は、ダイ支持ステージの真上に配置され、ダイ２００のバンプ側に向けてプラズマを下方に放出するように構成されても良い。更に、ダイ保持装置１２１は、移動テーブル上に設置されて、洗浄プロセスが開始する前に、ダイ２００を第２のプラズマ洗浄装置１４０と直接位置合わせされた位置に移動させることができる。

【0041】

ステップ２０２では、第２のプラズマ洗浄装置１４０を動作させて、二次容器１２０内のダイ２００から有機汚染物質を除去している。第２のプラズマ洗浄装置１４０が使用する活性ガスは、酸素を含む。

【0042】

ステップ２０３において、ダイ２００は、移送システム１６０によって二次容器１２０から主容器１１０に移送され、移送システム１６０から接合ヘッド１０１によってピックアップされる。

【0043】

具体的には、この実施形態では、図１Ｂを参照すると、移送システム１６０は、ＤＴＡ１６１、ダイ・フィーダ１６２、及びＤＰＡ１６３を含むことができる。ダイ２００が第２のプラズマ洗浄装置１４０によって洗浄された後、ダイ保持装置１２１を更に移動させて、ダイ２００をダイ・フィーダ１６２に移送することができる。ダイ２００は、そのバンプ側がダイ・フィーダ１６２と接触するように、ダイ・フィーダ１６２上に配置することができる。次に、ダイ２００は、ダイ・フィーダ１６２からＤＰＡ１６３によってピックアップされる。ＤＰＡ１６３は、ダイ２００のバンプ側をパッドに接触させて、ダイ２００をＤＴＡ１６１のパッドに移送するように動作している。次に、ＤＴＡ１６１によってダイ２００を接合ヘッド１０１直下の所定位置に移動させ、接合ヘッド１０１を動作させて、ダイ２００のバンプ側を下にしてＤＴＡ１６１からダイ２００をピックアップしている。

【0044】

ステップ２０４において、第１のプラズマ洗浄装置１３０は、移動テーブル１１６によって洗浄位置に移動され、ダイ２００及び基板３００から金属酸化物を同時に除去するように動作される。洗浄位置は、第１のプラズマヘッド１３１がダイ２００を洗浄するように動作し、第２のプラズマヘッド１３２が基板３００を洗浄するように動作するように、ダイ２００及び基板３００と位置合わせされるように配置されても良い。

【0045】

ステップ２０５において、接合ヘッド１０１は、ダイ２００を主容器１１０内の基板３００に接合している。

【0046】

第１の実施形態では、第１のプラズマ洗浄装置１３０は、ダイ２００が接合ヘッド１０１によって保持されているときに金属酸化物の洗浄プロセスを行うことができるように移動可能である。あるいは、他の実施形態では、第１のプラズマ洗浄装置１３０または第１のプラズマ洗浄装置１３０の少なくとも１つのプラズマヘッドは、主容器１１０内に固定的に設置されても良く、ダイ２００は、第１のプラズマ洗浄装置１３０の第１のプラズマヘッド１３１で金属酸化物を除去するための所定の位置に移動可能であっても良い。

【0047】

図３Ａは、本発明の第２の実施形態による、ダイ２００を基板３００に接合するための熱圧着接合システム１００Ａの概略断面図である。接合システム１００と同様に、接合システム１００Ａは、主容器１１０と、二次容器１２０と、主容器１１０に取り付けられた第１のプラズマ洗浄装置１３０と、二次容器１２０に取り付けられた第２のプラズマ洗浄装置１４０とを含む。接合システム１００Ａと接合システム１００との主な構造上の違いは、第１のプラズマ洗浄装置１３０の配置が異なることと、主容器１１０内に追加のダイ保持装置１１９が設けられていることである。更に、接合システム１００Ａは、ダイ２００を二次容器１２０から主容器１１０に移送し、ダイ２００を主容器１１０内に位置決めする移送システム１６０Ａも含む。移送システム１６０Ａの機能は、第１実施形態の移送システム１６０とは若干異なっている。

【0048】

図３Ａを参照すると、この実施形態では、第１のプラズマ洗浄装置１３０は、主容器１１０内に固定して取り付けられた第１のプラズマヘッド１３１Ａ及び第２のプラズマヘッド１３２Ａを含む。ダイ保持装置１１９は、ダイ保持装置１１９に保持されたダイ２００が第１のプラズマヘッド１３１Ａによって洗浄されるように、第１のプラズマヘッド１３１Ａと位置合わせされるように位置決めされている。

【0049】

移送システム１６０Ａは、ダイ２００を二次容器１２０から主容器１１０に移送し、ダイ２００を第１の所定の位置に位置決めするように構成されている。この位置は、第１のプラズマヘッド１３１Ａがダイ２００から金属酸化物を除去するように動作する前に、ダイ保持装置１１９が移送システム１６０Ａからダイ２００をピックアップすることを可能にしている。ダイ保持装置１１９は、移動テーブル上に設置され、第１の所定位置に移動されて、移送システム１６０Ａからダイ２００をピックアップすることができる。ダイ保持装置１１９がダイ２００をピックアップした後、第１のプラズマヘッド１３１Ａを使用してダイ２００を洗浄することができる。洗浄プロセスが完了すると、ダイ保持装置１１９は、ダイ２００を移送システム１６０Ａに戻すように動作している。第１の所定位置は、ダイ保持装置１１９の直下であっても良いし、第１のプラズマヘッド１３１Ａの直上であっても良い。

【0050】

ダイ保持装置１１９は、ダイ２００が第１のプラズマヘッド１３１Ａによって洗浄されるときにダイ２００を加熱するように構成された加熱部材１１９ａを更に含むことができる。加熱部材１１９ａは、ダイ２００の表面を活性化するために更に使用されても良い。第２のプラズマヘッド１３２Ａは、ダイ２００が基板３００に接合される前に、基板３００から金属酸化物を除去するために、主容器１１０の下部内部チャンバ１１４内に固定して取り付けることができる。好ましくは、第２のプラズマヘッド１３２Ａは、上部プレート１１５の冷却プレート等、下部内部チャンバ１１４の上部プレート１１５に結合されても良い。

【0051】

ダイ２００が第１のプラズマヘッド１３１Ａによって洗浄された後、ダイ２００は、移送システム１６０Ａによって第２の所定の位置に更に移送され、その結果、接合ヘッド１０１は、移送システム１６０Ａからダイ２００をピックアップし、ダイ２００を基板３００に接合することができる。好ましくは、第２の所定の位置は、接合ヘッド１０１の真下である。第１の実施形態とは異なり、第２の実施形態における接合ヘッド１０１は、ダイ２００から金属酸化物を除去するプロセス中にダイ２００を保持するために使用されない。破線の矢印は、全プロセス中のダイ２００の可能な移送経路を示している。

【0052】

図３Ｂは、本発明の第２の実施形態による接合システム１００Ａの移送システム１６０Ａの概略平面図である。図３Ｂを参照すると、移送システム１６０Ａは、ダイ・フィーダ１６２Ａ、ＤＰＡ１６３Ａ、及びＤＴＡ１６１Ａを含むことができる。ダイ・フィーダ１６２Ａは、ダイ２００が第２のプラズマ洗浄装置１４０によって洗浄された後、ダイのバンプ側がダイ・フィーダ１６２Ａと接触した状態でダイ２００を受け取るように構成されている。ＤＰＡ１６３Ａは、ダイ２００のバンプ側を第１のパッドＰ１に接触させた状態で、ダイ２００をダイ・フィーダ１６２Ａから取り出し、ダイ２００をＤＴＡ１６１Ａの第１のパッドＰ１に移送するように動作している。ＤＴＡ１６１Ａは、ダイ２００を第１の所定の位置に移動させ、ダイ保持装置１１９を第１の所定の位置に移動させて、ダイ２００のバンプ側を下にしてＤＴＡ１６１Ａの第１のパッドＰ１からダイ２００をピックアップする。次に、ダイ保持装置１１９は、第１のプラズマヘッド１３１Ａと直接位置合わせされた位置に移動される。第１のプラズマヘッド１３１Ａによってダイ２００が洗浄された後、ダイ保持装置１１９が移動してダイ２００をＤＴＡ１６１Ａの第２のパッドＰ２上に配置する。次に、ＤＴＡ１６１Ａは、ダイ２００が接合ヘッド１０１によってＤＴＡ１６１Ａからピックアップされるように、ダイ２００を接合ヘッド１０１の下の第２の所定の位置に移送するように動作している。

【0053】

図４は、本発明の第２の実施形態によるダイ２００を基板３００に接合するための熱圧着接合方法４０を示すフローチャートである。

【0054】

ステップ４０１では、第２のプラズマ洗浄装置１４０によってダイ２００のバンプ側の有機汚染物を除去できるように、ダイ２００のバンプ側を下にしてダイ保持装置１２１によってダイ２００を二次容器１２０に移して保持している。

【0055】

図３Ｂを参照すると、ダイ２００は、第２のプラズマ洗浄装置１４０がプラズマをダイ２００のバンプ側に向けて放出してその上の有機汚染物質を除去することができるように、ダイ保持装置１２１によって保持されている。

【0056】

ステップ４０２では、第２のプラズマ洗浄装置１４０を動作させて、ダイ２００上の有機汚染物質を除去している。第２のプラズマ洗浄装置１４０が使用する活性ガスは、酸素を含む。

【0057】

ステップ４０３において、ダイ２００は、二次容器１２０から主容器１１０に移送され、移送システム１６０Ａによって第１の所定位置に位置決めされ、ダイ保持装置１１９は、移送システム１６０Ａからダイ２００をピックアップするように動作している。

【0058】

具体的には、本実施形態では、第２のプラズマ洗浄装置１４０によってダイ２００を洗浄した後、ダイ２００は、ダイのバンプ側をダイ・フィーダ１６２Ａに接触させた状態で、ダイ保持装置１１９によってダイ・フィーダ１６２Ａ上に移送され、載置される。そして、ＤＰＡ１６３Ａは、ダイ・フィーダ１６２Ａからダイ２００を取り出し、ダイ２００のバンプ側をＤＴＡ１６１Ａの第１のパッドＰ１に接触させた状態で、ダイ２００を第１のパッドＰ１に移送する。次に、ＤＴＡ１６１Ａは、ダイ２００を第１の所定位置に移動させて、ダイ保持装置１１９がダイ２００のバンプ側を下にしてＤＴＡ１６１Ａからダイ２００をピックアップする。第１のプラズマヘッド１３１によってダイ２００を洗浄した後、更にダイ保持装置１１９を動作させて、ダイ２００をＤＴＡ１６１Ａの第２のパッドＰ２上に載置する。次に、ＤＴＡ１６１Ａを動作させて、ダイ２００を接合ヘッド１０１の下の第２の所定の位置に移動させ、接合ヘッド１０１がダイ２００をＤＴＡ１６１Ａからピックアップし、後続の接合プロセス中にダイ２００を保持するように動作している。第１の所定位置は、ダイ保持装置１１９の直下であっても良いし、第１のプラズマヘッド１３１Ａの直上であっても良い。

【0059】

図２Ｂ及び図３Ｂに示される移送システム１６０及び１６０Ａの実施例は、例示の目的のみであり、本発明の範囲を限定することを意図していないことに留意されたい。他の実施形態では、移送システム１６０または１６０Ａは、異なる装置を含むことができ、異なる方法で配置することができる。

【0060】

ステップ４０４において、第１のプラズマヘッド１３１Ａは、ダイ２００から金属酸化物を除去するように動作している。

【0061】

特定の実施形態では、ダイ保持装置１１９は、第１のプラズマヘッド１３１Ａがダイ２００を洗浄するために起動される前に、第１のプラズマヘッド１３１Ａと直接位置合わせされた位置に移動されても良い。

【0062】

ステップ４０５において、第２のプラズマヘッド１３２は、基板３００から金属酸化物を除去するように動作している。

【0063】

この実施形態では、基板３００から金属酸化物を除去するステップは、ダイ２００から金属酸化物を除去するステップの後に行われる。しかしながら、他の実施形態では、２つのステップを同時に行っても良いし、基板３００から金属酸化物を除去するステップを、ダイ２００から金属酸化物を除去するステップの前に行っても良い。基板３００は、接合プロセスの前の任意の時点で、第２のプラズマヘッド１３２Ａによって更に洗浄されても良い。

【0064】

ステップ４０６では、ダイ移送システム１６０Ａによってダイ２００を接合ヘッド１０１の直下の接合位置に移送し、接合ヘッド１０１を動作させてダイ移送システム１６０Ａからダイ２００をピックアップしている。

【0065】

ステップ４０７において、接合ヘッド１０１は、ダイ２００を主容器内の基板３００に接合するように動作している。

【0066】

以上説明した実施形態に対して種々の変形が可能である。いくつかの実施形態では、接合システムは、第２の不活性環境を形成するための第２の容器を含まなくても良い。いくつかの実施形態では、接合ヘッドを主容器の下部に設置し、基板を主容器の上部に取り付けられた保持装置によって保持し、それに応じて第１のプラズマ洗浄装置及び移送装置の機能を変更して、主容器内で洗浄プロセスを実行することができる。異なる数の不活性ガスディフューザが、主容器、二次容器、それらの間の移送通路、または二次容器の入口通路に設けられても良い。いくつかの実施形態において、移送システムは、第１及び第２の容器及びその中の装置の配置に応じて、異なる方法で配置された異なる装置を含むことができる。第１及び第２の不活性環境は、同じ不活性ガスまたは異なる不活性ガスの混合物を使用して形成することができる。

【0067】

本明細書に記載された発明は、具体的に記載されたもの以外の変形、修正及び／または追加を行うことが可能であり、本発明は、上記の説明の趣旨及び範囲内にある全てのそのような変形、修正及び／または追加を含むことが理解されるべきである。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【外国語明細書】