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特開 2024-150765出願番号 特願 2024-129040
半導体装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 1,009件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 770件（※）
公報発行日 2024年10月23
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-150765 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高く、かつ、オン電流の大きい半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として、酸素放出量の多い絶
縁層を用い、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する絶縁層として、酸素
放出量の少ない絶縁層を用いる。酸素放出量の多い絶縁層から酸素が放出されることによ
り、チャネル領域中の酸素欠損及び当該絶縁層とチャネル領域の界面準位密度を低減する
ことができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができ
る。ソース領域及びドレイン領域については、酸素放出量の少ない絶縁層に接して設ける
ことで、ソース領域及びドレイン領域の高抵抗化を抑制する。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様により、酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として加熱によ
り酸素を放出する絶縁層を設け、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する
絶縁層として酸素放出量がチャネル領域に接する絶縁層より少ない絶縁層を設けることで
、オフ電流が小さく、しきい値電圧のばらつきが少なく、オン電流が大きい、安定した電
気特性を有するトランジスタが提供される。
または、本発明の一態様により、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する
半導体装置が提供される。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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