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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024150916
(43)【公開日】2024-10-24
(54)【発明の名称】メモリ制御装置
(51)【国際特許分類】
G06F 12/00 20060101AFI20241017BHJP
G06F 8/654 20180101ALI20241017BHJP
【ＦＩ】
G06F12/00 550Z
G06F8/654
G06F12/00 597U
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023063961
(22)【出願日】2023-04-11
(71)【出願人】
【識別番号】324003048
【氏名又は名称】三菱電機モビリティ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】片山 昌彦
【テーマコード（参考）】
5B160
5B376
【Ｆターム（参考）】
5B160NA03
5B376CA49
5B376CA86
5B376CA88
5B376GA07
(57)【要約】
【課題】プログラムを追加・更新する前に、不揮発性メモリの寿命を推測できるメモリ制御装置を得る。
【解決手段】不揮発性メモリ１０２に記憶されるとともに不揮発性メモリ１０２へ書き込むアプリＡ２０１ａ～アプリＣ２０１ｃを有し、各アプリからの書き込みを制御するメモリ制御部２０２が、不揮発性メモリ１０２の寿命を算出する構成であり、メモリ制御部２０２は、不揮発性メモリ１０２に記憶された各アプリの変更に当たって、第一の期間における不揮発性メモリ１０２へ要求した書き込み量と、不揮発性メモリ１０２に実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、不揮発性メモリ１０２に実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、不揮発性メモリ１０２の寿命を算出する。
【選択図】図２
【解決手段】不揮発性メモリ１０２に記憶されるとともに不揮発性メモリ１０２へ書き込むアプリＡ２０１ａ～アプリＣ２０１ｃを有し、各アプリからの書き込みを制御するメモリ制御部２０２が、不揮発性メモリ１０２の寿命を算出する構成であり、メモリ制御部２０２は、不揮発性メモリ１０２に記憶された各アプリの変更に当たって、第一の期間における不揮発性メモリ１０２へ要求した書き込み量と、不揮発性メモリ１０２に実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、不揮発性メモリ１０２に実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、不揮発性メモリ１０２の寿命を算出する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
不揮発性メモリに記憶されるとともに、上記不揮発性メモリへの書き込みを行うアプリケーションプログラム、
このアプリケーションプログラムによる不揮発性メモリへの書き込みを制御するとともに、上記不揮発性メモリの寿命を算出するメモリ制御部を備え、
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリに記憶された上記アプリケーションプログラムの変更に当たって、予め定められた第一の期間における上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における上記不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、上記不揮発性メモリの寿命を算出することを特徴とするメモリ制御装置。
このアプリケーションプログラムによる不揮発性メモリへの書き込みを制御するとともに、上記不揮発性メモリの寿命を算出するメモリ制御部を備え、
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリに記憶された上記アプリケーションプログラムの変更に当たって、予め定められた第一の期間における上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における上記不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、上記不揮発性メモリの寿命を算出することを特徴とするメモリ制御装置。
【請求項2】
上記メモリ制御部は、上記変更するアプリケーションプログラムのサイズ、更新頻度を加味して、第二の期間における上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値を推測することを特徴とする請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項3】
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリの書き込み可能量を算出し、この書き込み可能量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを用いて、上記寿命を算出することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項4】
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、対応する上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値との比である書き込み効率を用いて、第二の期間における上記書き込み量の実際値を推測することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項5】
上記アプリケーションプログラムは、複数であり、
上記メモリ制御部は、変更されるアプリケーションプログラムを含む複数のアプリケーションプログラムの組み合わせに応じて、上記不揮発性メモリの書き込み効率を推測することを特徴とする請求項４に記載のメモリ制御装置。
上記メモリ制御部は、変更されるアプリケーションプログラムを含む複数のアプリケーションプログラムの組み合わせに応じて、上記不揮発性メモリの書き込み効率を推測することを特徴とする請求項４に記載のメモリ制御装置。
【請求項6】
上記メモリ制御部は、電源状態が変化した場合に、上記不揮発性メモリの書き込み効率を算出することを特徴とする請求項４に記載のメモリ制御装置。
【請求項7】
上記不揮発性メモリの寿命をユーザーに通知する表示部を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項8】
車両に搭載されていることを特徴とするから請求項１または請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項9】
ＯＴＡ機能を保有する機器に搭載されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、メモリ制御装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、ＯＴＡ（Ｏｖｅｒ Ｔｈｅ Ａｉｒ）で、車載ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）のプログラムを更新・追加する方法が考案されている。（特許文献１）
一方、車載ＥＣＵに搭載される不揮発性メモリの書き込み回数には制限があり、不揮発性メモリを搭載した車載ＥＣＵに、上述のように、ＯＴＡでプログラムを追加・更新する場合、不揮発性メモリの書き込み回数が増加し、自動車のような長寿命の製品においては、自動車が寿命を迎える前に不揮発性メモリの寿命を超過することがある。
一方、車載ＥＣＵに搭載される不揮発性メモリの書き込み回数には制限があり、不揮発性メモリを搭載した車載ＥＣＵに、上述のように、ＯＴＡでプログラムを追加・更新する場合、不揮発性メモリの書き込み回数が増加し、自動車のような長寿命の製品においては、自動車が寿命を迎える前に不揮発性メモリの寿命を超過することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１９７０７９号公報（第７～１０頁、第２図）
【特許文献2】特開２０２０－１５４６７４号公報（第８～１９頁、第４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この問題に関し、特許文献２には、インストール済みのプログラムに対して、単位時間あたりのメモリの書き込み回数から所定期間におけるメモリの書き込み回数を予測し、書き込み頻度を調整することで、メモリの書き込み回数の制限を超過することを防止する方法が記載されている。
しかしながら、引用文献２の方法では、プログラムを追加・更新する前に、不揮発性メモリの寿命を予測できない、という問題があった。
しかしながら、引用文献２の方法では、プログラムを追加・更新する前に、不揮発性メモリの寿命を予測できない、という問題があった。
【0005】
本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、プログラムを追加・更新する前に、不揮発性メモリの寿命を推測できるメモリ制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本願に開示されるメモリ制御装置は、不揮発性メモリに記憶されるとともに、不揮発性メモリへの書き込みを行うアプリケーションプログラム、このアプリケーションプログラムによる不揮発性メモリへの書き込みを制御するとともに、不揮発性メモリの寿命を算出するメモリ制御部を備え、メモリ制御部は、不揮発性メモリに記憶されたアプリケーションプログラムの変更に当たって、予め定められた第一の期間における不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、不揮発性メモリの寿命を算出するものである。
【発明の効果】
【0007】
本願に開示されるメモリ制御装置によれば、プログラムを追加・更新する前に、不揮発性メモリの寿命を推測することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態１によるメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図2】実施の形態１によるメモリ制御装置のＣＰＵが実行する制御プログラムの構成を示すブロック図である。
【図3】実施の形態１によるメモリ制御装置の制御部の不揮発性メモリの寿命算出動作を示すシーケンス図である。
【図4】実施の形態１によるメモリ制御装置における制御プログラムのアプリＡ～Ｃの書き込み効率と書き込み量を示す図である。
【図5】実施の形態１によるメモリ制御装置における制御プログラムのアプリＤのサイズ、更新頻度および書き込み効率を示す図である。
【図6】実施の形態１によるメモリ制御装置における制御プログラムのアプリＤの書き込み効率と書き込み量を示す図である。
【図7】実施の形態２によるメモリ制御装置のメモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作を示すシーケンス図である。
【図8】実施の形態３によるメモリ制御装置のメモリ制御部２０２の電源状態変化時の書き込み効率算出動作を示すシーケンス図である。
【図9】実施の形態３によるメモリ制御装置のメモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作を示すシーケンス図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
実施の形態１．
以下に、実施の形態１を図に基づいて説明する。
図１は、実施の形態１によるメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。
図１において、メモリ制御装置１００は、後述するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１０１、不揮発性メモリ１０２、通信Ｉ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１０３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１０４、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１０５、表示部１０６、電源１０７を有する。
このメモリ制御装置１００は、車両のような長寿命で、ユーザーにより使用方法が異なる製品、およびプログラムの追加・更新頻度が高いＯＴＡ機能を有する機器への搭載に適している。
以下に、実施の形態１を図に基づいて説明する。
図１は、実施の形態１によるメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。
図１において、メモリ制御装置１００は、後述するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１０１、不揮発性メモリ１０２、通信Ｉ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１０３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１０４、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１０５、表示部１０６、電源１０７を有する。
このメモリ制御装置１００は、車両のような長寿命で、ユーザーにより使用方法が異なる製品、およびプログラムの追加・更新頻度が高いＯＴＡ機能を有する機器への搭載に適している。
【0010】
ＣＰＵ１０１は、メモリ制御装置１００の全体を制御する。このため、ＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１０４に置かれた命令コードを逐次実行、不揮発性メモリ１０２およびＲＯＭ１０５へのアクセス制御、通信Ｉ／Ｆ１０３を介したメモリ制御装置１００の外部との通信、表示部１０６を介したユーザーへの通知を行う。
通信Ｉ／Ｆ１０３は、メモリ制御装置１００の外部との通信を行うものであり、例えば、ＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）、ＰＣＩｅ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ－Ｅｘｐｒｅｓｓ）が使用される。
通信Ｉ／Ｆ１０３は、メモリ制御装置１００の外部との通信を行うものであり、例えば、ＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）、ＰＣＩｅ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ－Ｅｘｐｒｅｓｓ）が使用される。
【0011】
ＲＯＭ１０５は、不揮発性メモリ１０２とは別の不揮発性メモリであり、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＮＯＲフラッシュメモリであり、不揮発性メモリ１０２とは別の、消えてしまってはいけない重要なデータ、および書き換え回数の多いデータを保持するために用いられる。
表示部１０６は、スピーカ等の音声出力装置、ディスプレイ、アイコン等のユーザーに通知を行う表示装置である。
電源１０７は、メモリ制御装置１００に供給される電源であり、例えば、車両の＋Ｂ電源またはスマートフォンのバッテリーである。
表示部１０６は、スピーカ等の音声出力装置、ディスプレイ、アイコン等のユーザーに通知を行う表示装置である。
電源１０７は、メモリ制御装置１００に供給される電源であり、例えば、車両の＋Ｂ電源またはスマートフォンのバッテリーである。
【0012】
不揮発性メモリ１０２は、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリまたはｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｍｕｌｔｉ Ｍｅｄｉａ Ｃａｒｄ）またはＵＦＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ）またはＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）であり、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）等のプログラム、ユーザーあるいはプログラムの実行に基づいて作成されたデータ等を格納する。
ＲＡＭ１０４は、不揮発性メモリ１０２から読み出されたプログラムおよびデータを格納し、ＣＰＵ１０１が実行する制御プログラム２００の記憶、またはワーク領域として使用される。
ＲＡＭ１０４は、不揮発性メモリ１０２から読み出されたプログラムおよびデータを格納し、ＣＰＵ１０１が実行する制御プログラム２００の記憶、またはワーク領域として使用される。
【0013】
また、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、メモリセルに設けられた浮遊ゲート内に注入される電荷によってデータを記憶する構成を有しており、データの保持には電源供給が不要である。
しかしながら、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、セルのデータ書き換え時にゲート絶縁膜に電荷トラップ等による劣化が生じるため、書き換え回数が有限であることが知られている。
しかしながら、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、セルのデータ書き換え時にゲート絶縁膜に電荷トラップ等による劣化が生じるため、書き換え回数が有限であることが知られている。
【0014】
ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいては、新しいデータを書き込むときの状態によって、プログラムから書き込まれるデータサイズと、実際にＮＡＮＤフラッシュメモリに書き込まれるデータサイズが異なる場合がある。
ＮＡＮＤフラッシュメモリへのデータの書き込みは、ページ単位（例えば４ＫＢｙｔｅ）で実行される。一方で、ＮＡＮＤフラッシュメモリのデータの消去は、複数のページから成るブロック単位（例えば、６４ＫＢｙｔｅ）で実行される。
ＮＡＮＤフラッシュメモリへのデータの書き込みは、ページ単位（例えば４ＫＢｙｔｅ）で実行される。一方で、ＮＡＮＤフラッシュメモリのデータの消去は、複数のページから成るブロック単位（例えば、６４ＫＢｙｔｅ）で実行される。
【0015】
すでにデータの書き込まれているページに新しいデータを書き込む場合、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、当該ページを含むブロック全体を消去し、消去したデータとともに新しく書き込みたいデータを書き込む。
このため、プログラムが書き込みを指示したデータサイズに対して、ＮＡＮＤフラッシュメモリでの実際の書き込みデータサイズが多くなる。
アプリケーションプログラム（以下、アプリと略称する）により書き込みが指示されたデータサイズに対する、ＮＡＮＤフラッシュメモリの実際の書き込みデータサイズの比をＷＡＦ（Ｗｒｉｔｅ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ）という。
このため、プログラムが書き込みを指示したデータサイズに対して、ＮＡＮＤフラッシュメモリでの実際の書き込みデータサイズが多くなる。
アプリケーションプログラム（以下、アプリと略称する）により書き込みが指示されたデータサイズに対する、ＮＡＮＤフラッシュメモリの実際の書き込みデータサイズの比をＷＡＦ（Ｗｒｉｔｅ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ）という。
【0016】
また、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、近年、大容量化を進めるために、１つのセルの浮遊ゲートが蓄積する電荷量を制御することにより、１セル当たり２ビット以上のデータを記憶させるＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）技術が採用されている。
ＭＬＣ技術を適用したＭＬＣセルを有するＮＡＮＤフラッシュメモリでは、書き込み速度を向上させるため、一度、１つのセル当たり１ビットのデータを記憶させた後、２ビット以上のデータは、ＭＬＣセルに書き直す動作をするものもある。
その場合、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、プログラムからの要求なしにデータを消去・書き込むためＮＡＮＤフラッシュメモリでの実際の書き込みデータサイズが多くなる。
ＭＬＣ技術を適用したＭＬＣセルを有するＮＡＮＤフラッシュメモリでは、書き込み速度を向上させるため、一度、１つのセル当たり１ビットのデータを記憶させた後、２ビット以上のデータは、ＭＬＣセルに書き直す動作をするものもある。
その場合、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、プログラムからの要求なしにデータを消去・書き込むためＮＡＮＤフラッシュメモリでの実際の書き込みデータサイズが多くなる。
【0017】
さらに、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、書き換え回数が有限であるため、全領域の書き込み回数を均一化するため、全領域の書き込み回数を監視し、領域毎の書き込み回数が平均化されるように制御するウェアレベリングという技術が用いられている（ウェアレベリングについては、特許第５６２５８８８号参照）。
【0018】
図２は、実施の形態１によるメモリ制御装置のＣＰＵが実行する制御プログラムの構成を示すブロック図である。
図２において、符号１０２、１０３、１０６、１０７は図１におけるものと同一のものである。
図２は、メモリ制御装置１００のＣＰＵ１０１が実行する制御プログラム２００の全体構成を示すとともに、制御プログラム２００を構成する各プログラムが行う処理に関連するハードウェアを示している。
制御プログラム２００は、車外のサーバー等からネットワークを介して更新データを取得し、取得した更新データに基づいて、それぞれプログラムの更新処理等を行うアプリＡ２０１ａ、アプリＢ２０１ｂ、アプリＣ２０１ｃおよび後述する通信部２０３を制御するメモリ制御部２０２、通信Ｉ／Ｆ１０３を介して外部の装置と通信を行う通信部２０３を有する。
ただし、アプリは、上述の機能に制限されるものではなく、他の機能を有するアプリであってもよい。
図２において、符号１０２、１０３、１０６、１０７は図１におけるものと同一のものである。
図２は、メモリ制御装置１００のＣＰＵ１０１が実行する制御プログラム２００の全体構成を示すとともに、制御プログラム２００を構成する各プログラムが行う処理に関連するハードウェアを示している。
制御プログラム２００は、車外のサーバー等からネットワークを介して更新データを取得し、取得した更新データに基づいて、それぞれプログラムの更新処理等を行うアプリＡ２０１ａ、アプリＢ２０１ｂ、アプリＣ２０１ｃおよび後述する通信部２０３を制御するメモリ制御部２０２、通信Ｉ／Ｆ１０３を介して外部の装置と通信を行う通信部２０３を有する。
ただし、アプリは、上述の機能に制限されるものではなく、他の機能を有するアプリであってもよい。
【0019】
制御プログラム２００は、不揮発性メモリ１０２に記憶されて、ＲＡＭ１０４に展開され、ＣＰＵ１０１により実行される。
また、制御プログラム２００は、メモリ制御装置１００上で動作するレーダー、カメラ等の車両に備えられたセンサから、車両の周囲の物体等の状況を取得し、これに基づいて車両の操舵、加速、減速等の制御内容を表す制御出力を算出する。
また、ステアリング、エンジン、ブレーキ等に制御出力を出力して、制御出力に基づく操舵、加速、減速等を実行させる。
また、制御プログラム２００は、メモリ制御装置１００上で動作するレーダー、カメラ等の車両に備えられたセンサから、車両の周囲の物体等の状況を取得し、これに基づいて車両の操舵、加速、減速等の制御内容を表す制御出力を算出する。
また、ステアリング、エンジン、ブレーキ等に制御出力を出力して、制御出力に基づく操舵、加速、減速等を実行させる。
【0020】
次に、動作について説明する。
図３のシーケンス図を用いて、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作について説明する。図３では、追加するプログラムとして、アプリＤを追加する場合についてのものである。
図３において、まず、通信部２０３から、通信Ｉ／Ｆ１０３を介してアプリの追加・変更の要求があるかどうかを確認する（ステップＳ３０１）。
要求がない場合は、処理を終了する。
図３のシーケンス図を用いて、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作について説明する。図３では、追加するプログラムとして、アプリＤを追加する場合についてのものである。
図３において、まず、通信部２０３から、通信Ｉ／Ｆ１０３を介してアプリの追加・変更の要求があるかどうかを確認する（ステップＳ３０１）。
要求がない場合は、処理を終了する。
【0021】
要求がある場合は、アプリＡ２０１ａ、アプリＢ２０１ｂ、アプリＣ２０１ｃ（以下、既存アプリ）から、それぞれのアプリの所定期間（第一の期間）での書き込み量の見込み値を取得する（ステップＳ３０２）。
所定期間での書き込み量の見込み値は、例えば図４に記載の値であり、アプリ毎の値を保有している。この値は、特定のユースケースにおいて事前に取得した値となっている。
また、所定期間は、予め定められた期間であり、例えば１分でも１時間でも１日でもよい。
所定期間での書き込み量の見込み値は、例えば図４に記載の値であり、アプリ毎の値を保有している。この値は、特定のユースケースにおいて事前に取得した値となっている。
また、所定期間は、予め定められた期間であり、例えば１分でも１時間でも１日でもよい。
【0022】
次いで、ステップＳ３０３で、メモリ制御部２０２が、不揮発性メモリ１０２に要求した書き込み量（ＷＤ＿１１）を取得する。
メモリ制御部２０２は、既存アプリからの書き込み要求があった場合、不揮発性メモリ１０２に書き込み要求するとともに書き込み量を積算し、ＲＯＭ１０５に保存する。
また、メモリ制御部２０２は、ＲＯＭ１０５に記録しているメモリ制御装置１００の稼働時間を取得し、次の計算式（１）により、所定期間の不揮発性メモリ１０２に要求した書き込み量（ＷＤ＿１２）を算出する。
ＷＤ＿１２＝ＷＤ＿１１÷稼働時間×所定期間 ・・・・・（１）
メモリ制御部２０２は、既存アプリからの書き込み要求があった場合、不揮発性メモリ１０２に書き込み要求するとともに書き込み量を積算し、ＲＯＭ１０５に保存する。
また、メモリ制御部２０２は、ＲＯＭ１０５に記録しているメモリ制御装置１００の稼働時間を取得し、次の計算式（１）により、所定期間の不揮発性メモリ１０２に要求した書き込み量（ＷＤ＿１２）を算出する。
ＷＤ＿１２＝ＷＤ＿１１÷稼働時間×所定期間 ・・・・・（１）
【0023】
次に、ステップＳ３０４で、不揮発性メモリ１０２に設けられたレジスタを参照し、メモリ制御部２０２が書き込み要求したデータ量（ＷＤ＿１１）に対して、不揮発性メモリ１０２内のセルが実際に平均、または、最大で何回書き換えられているかを取得する。
【0024】
次いで、ステップＳ３０５で、次の計算式（２）により、不揮発性メモリ１０２内での書き込み量の実際値（ＷＤ＿１３）を算出する。
不揮発性メモリ１０２の全容量は、不揮発性メモリ１０２の公称値を用いてもよいし、不揮発性メモリ１０２の公称値に不揮発性メモリ１０２のスペア容量を含んだ値を用いてもよい。
ＷＤ＿１３＝不揮発性メモリ１０２の全容量×ステップＳ３０４で取得した書き換え回数 ・・・・・（２）
不揮発性メモリ１０２の全容量は、不揮発性メモリ１０２の公称値を用いてもよいし、不揮発性メモリ１０２の公称値に不揮発性メモリ１０２のスペア容量を含んだ値を用いてもよい。
ＷＤ＿１３＝不揮発性メモリ１０２の全容量×ステップＳ３０４で取得した書き換え回数 ・・・・・（２）
【0025】
次いで、ステップＳ３０６で、計算式（３）により、不揮発性メモリ１０２への書き込み可能量（ＷＤ＿１４）を算出する。
ＷＤ＿１４＝不揮発性メモリ１０２の全容量×（不揮発性メモリ１０２のスペック上の書き換え可能回数－ステップＳ３０４で取得した書き換え回数） ・・・・・（３）
ＷＤ＿１４＝不揮発性メモリ１０２の全容量×（不揮発性メモリ１０２のスペック上の書き換え可能回数－ステップＳ３０４で取得した書き換え回数） ・・・・・（３）
【0026】
さらに、ステップＳ３０７で、追加・変更するプログラム（アプリＤ）のサイズ（ＵＳ＿Ｄ）、更新頻度（ＵＦ＿Ｄ）、書き込み効率（ＵＷＡＦ＿Ｄ）を取得する。
ここで、更新頻度は、例えば、定期的にプログラムを更新する場合の見込み頻度であり、毎月または隔月、毎年といった情報となる。
また、書き込み効率は、変更するプログラムはまとめて不揮発性メモリ１０２に書き込まれ、アプリＤが動作する際の書き込み効率とは異なることから、アプリＤの書き込み効率とは別の書き込み効率を有する。
ここで、更新頻度は、例えば、定期的にプログラムを更新する場合の見込み頻度であり、毎月または隔月、毎年といった情報となる。
また、書き込み効率は、変更するプログラムはまとめて不揮発性メモリ１０２に書き込まれ、アプリＤが動作する際の書き込み効率とは異なることから、アプリＤの書き込み効率とは別の書き込み効率を有する。
【0027】
次いで、ステップＳ３０８で、アプリＤの所定期間での書き込み量（ＷＤ＿Ｄ）を取得する。ステップＳ３０７とステップＳ３０８で取得する値は、特定のユースケースにおいて事前に取得した値となっており、例えば、図５、図６に記載された値である。
【0028】
次に、ステップＳ３０９で、計算式（４）により、不揮発性メモリ１０２の書き込み効率の実際値（ＷＡＦ＿１）を算出する。
ＷＡＦ＿１＝ＷＤ＿１３÷ＷＤ＿１１＋Ａ１ ・・・・・（４）
ここで、Ａ１は不揮発性メモリ１０２の空き容量に応じた所定値であり、不揮発性メモリ１０２は空き容量が少なくなると不揮発性メモリ１０２の特定のセルに対して書き換えが頻発することを防止するため、ウェアレベリングにより不揮発性メモリ１０２のセル内でデータの書き換えが発生し、結果としてＷＡＦが増加することが知られており、例えば空き容量が１０％あるいは５％以下となった際に加算される値である。また、Ａ１は加算に限定したものでなく、乗算でもよい。
ＷＡＦ＿１＝ＷＤ＿１３÷ＷＤ＿１１＋Ａ１ ・・・・・（４）
ここで、Ａ１は不揮発性メモリ１０２の空き容量に応じた所定値であり、不揮発性メモリ１０２は空き容量が少なくなると不揮発性メモリ１０２の特定のセルに対して書き換えが頻発することを防止するため、ウェアレベリングにより不揮発性メモリ１０２のセル内でデータの書き換えが発生し、結果としてＷＡＦが増加することが知られており、例えば空き容量が１０％あるいは５％以下となった際に加算される値である。また、Ａ１は加算に限定したものでなく、乗算でもよい。
【0029】
次いで、ステップＳ３１０で、計算式（５）により、アプリＤを追加した場合の所定期間での不揮発性メモリ１０２における実際の書き込み量の推測値（ＷＤ＿１５）（実際値）を算出する。
ＷＤ＿１５＝（ＷＤ＿１２×（１＋ＷＤ＿Ｄ÷（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ））×ＷＡＦ＿１＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（５）
ＷＤ＿１５＝（ＷＤ＿１２×（１＋ＷＤ＿Ｄ÷（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ））×ＷＡＦ＿１＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（５）
【0030】
続いて、ステップＳ３１１で、計算式（６）を用いて、アプリＤを追加した場合の第二の所定期間（第二の期間）での不揮発性メモリ１０２における実際の書き込み量の推測値（ＷＤ＿１６）（実際値）を算出する。
ＷＤ＿１６＝ＷＤ＿１５×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（６）
ここで、第二の所定期間は、例えば製品寿命までの期間、メンテナンスまでの期間である。
ＷＤ＿１６＝ＷＤ＿１５×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（６）
ここで、第二の所定期間は、例えば製品寿命までの期間、メンテナンスまでの期間である。
【0031】
次いで、ステップＳ３１２で、ＷＤ＿１６とＷＤ＿１４を比較する。
ＷＤ＿１６がＷＤ＿１４以下の場合、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤが追加可能である旨を通知する（ステップＳ３１３）。
一方、ＷＤ＿１６がＷＤ＿１４を超過する場合、アプリＤを追加すると製品寿命またはメンテナンスまでの期間で、不揮発性メモリ１０２の寿命に達する可能性があるため、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤを追加できない、または、装置の交換が必要である旨を通知する（ステップＳ３１４）。
ＷＤ＿１６がＷＤ＿１４以下の場合、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤが追加可能である旨を通知する（ステップＳ３１３）。
一方、ＷＤ＿１６がＷＤ＿１４を超過する場合、アプリＤを追加すると製品寿命またはメンテナンスまでの期間で、不揮発性メモリ１０２の寿命に達する可能性があるため、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤを追加できない、または、装置の交換が必要である旨を通知する（ステップＳ３１４）。
【0032】
実施の形態１によれば、メモリ制御装置は、上述の動作を行うことで、プログラムの追加、変更時に不揮発性メモリ１０２の寿命を精度よく推定できる。
なお、本実施の形態１では、プログラムを追加する場合について説明したが、プログラムを更新する場合でも同様の効果を実現することができる。
なお、本実施の形態１では、プログラムを追加する場合について説明したが、プログラムを更新する場合でも同様の効果を実現することができる。
【0033】
実施の形態２．
以下、実施の形態２を図に基づいて説明する。
実施の形態２のメモリ制御装置、制御プログラムの構成は、実施の形態１の図１、図２と同じである。
実施の形態２では、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作が、実施の形態１と異なっている。
実施の形態２は、書き込み効率の推測値を不揮発性メモリの実使用状態に合わせて補正して、不揮発性メモリの寿命を算出するようにしたものである。
以下、実施の形態２を図に基づいて説明する。
実施の形態２のメモリ制御装置、制御プログラムの構成は、実施の形態１の図１、図２と同じである。
実施の形態２では、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作が、実施の形態１と異なっている。
実施の形態２は、書き込み効率の推測値を不揮発性メモリの実使用状態に合わせて補正して、不揮発性メモリの寿命を算出するようにしたものである。
【0034】
次に、図７を用いて、実施の形態２における、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作について説明する。図７では、追加するプログラムとして、アプリＤを追加する場合についてのものである。
なお、図７では、図３のステップＳ３０２をステップＳ４０１に、ステップＳ３０８をステップＳ４０２に、ステップＳ３１０－Ｓ３１２をステップＳ４０３－Ｓ４０６に、それぞれ代えている。
なお、図７では、図３のステップＳ３０２をステップＳ４０１に、ステップＳ３０８をステップＳ４０２に、ステップＳ３１０－Ｓ３１２をステップＳ４０３－Ｓ４０６に、それぞれ代えている。
【0035】
以下、変更したステップについて説明する。
ステップＳ３０１に続くステップＳ４０１で、図４に記載の既存アプリの所定期間での書き込み量の見込み値（ＷＤ＿Ａ～Ｃ）と、書き込み効率の見込み値（ＷＡＦ＿ＡＢＣ）を取得する。
ステップＳ３０１に続くステップＳ４０１で、図４に記載の既存アプリの所定期間での書き込み量の見込み値（ＷＤ＿Ａ～Ｃ）と、書き込み効率の見込み値（ＷＡＦ＿ＡＢＣ）を取得する。
【0036】
次いで、ステップＳ３０３－ステップＳ３０７を実行し、書き込み量の実際値、不揮発性メモリへの書き込み可能量を算出し、変更するアプリのサイズ、更新頻度を取得したのち、ステップＳ４０２で、図６に記載の、変更するアプリの所定期間での書き込み量の見込み値（ＷＤ＿Ｄ）と、書き込み効率の見込み値（ＷＡＦ＿ＡＢＣＤ）を取得する。
【0037】
次に、ステップＳ３０９を実行し、書き込み効率の実際値（ＷＡＦ＿１）を算出したのち、ステップＳ４０３で、計算式（７）により、書き込み効率の推測値（ＷＡＦ＿２）を算出する。
ＷＡＦ＿２＝ＷＡＦ＿１×ＷＡＦ＿ＡＢＣＤ÷ＷＡＦ＿ＡＢＣ ・・・・・（７）
ＷＡＦ＿２＝ＷＡＦ＿１×ＷＡＦ＿ＡＢＣＤ÷ＷＡＦ＿ＡＢＣ ・・・・・（７）
【0038】
次いで、ステップＳ４０４で、計算式（８）により、アプリＤを追加した場合の実使用における所定期間での実際の書き込み量の推測値（ＷＤ＿２１）（実際値）を算出する。
ＷＤ＿２１＝ＷＡＦ＿２×（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ＋ＷＤ＿Ｄ）＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（８）
ＷＤ＿２１＝ＷＡＦ＿２×（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ＋ＷＤ＿Ｄ）＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（８）
【0039】
次に、ステップＳ４０５で、計算式（９）により、アプリＤを追加した場合の第二の所定期間での不揮発性メモリ１０２への実際の書き込み量の推測値（ＷＤ＿２２）（実際値）を算出する。
ここで、第二の所定期間は、例えば、製品寿命までの期間、またはメンテナンスまでの期間である。
ＷＤ＿２２＝ＷＤ＿２１×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（９）
ここで、第二の所定期間は、例えば、製品寿命までの期間、またはメンテナンスまでの期間である。
ＷＤ＿２２＝ＷＤ＿２１×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（９）
【0040】
さらに、ステップＳ４０６で、ＷＤ＿２２とＷＤ＿１４を比較する。
ＷＤ＿２２がＷＤ＿１４以下の場合、ステップＳ３１３で、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤが追加可能である旨を通知する。
一方、ＷＤ＿２２がＷＤ＿１４を超過する場合、ステップＳ３１４で、アプリＤを追加すると製品寿命またはメンテナンスまでの期間で、不揮発性メモリ１０２の寿命に達する可能性があるため、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤを追加できない、または、装置の交換が必要である旨を通知する。
ＷＤ＿２２がＷＤ＿１４以下の場合、ステップＳ３１３で、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤが追加可能である旨を通知する。
一方、ＷＤ＿２２がＷＤ＿１４を超過する場合、ステップＳ３１４で、アプリＤを追加すると製品寿命またはメンテナンスまでの期間で、不揮発性メモリ１０２の寿命に達する可能性があるため、表示部１０６を介して、ユーザーにアプリＤを追加できない、または、装置の交換が必要である旨を通知する。
【0041】
実施の形態２によれば、ＷＡＦを不揮発性メモリ１０２の実使用状態に合わせて補正するため、不揮発性メモリ１０２の寿命をより精度よく推定することができる。
【0042】
実施の形態３．
以下、実施の形態３を図に基づいて説明する。
実施の形態３のメモリ制御装置、制御プログラムの構成は、実施の形態１の図１、図２と同じである。
実施の形態３では、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作が、実施の形態１と異なっている。
実施の形態３は、電源状態に変化がある場合の不揮発性メモリの寿命を算出についてのものであり、図８、図９を用いて説明する。実施の形態３でも、追加するプログラムとして、アプリＤを追加する場合について説明している。
以下、実施の形態３を図に基づいて説明する。
実施の形態３のメモリ制御装置、制御プログラムの構成は、実施の形態１の図１、図２と同じである。
実施の形態３では、メモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作が、実施の形態１と異なっている。
実施の形態３は、電源状態に変化がある場合の不揮発性メモリの寿命を算出についてのものであり、図８、図９を用いて説明する。実施の形態３でも、追加するプログラムとして、アプリＤを追加する場合について説明している。
【0043】
以下、図８を用いて、実施の形態３における、メモリ制御部２０２の電源状態変化時の書き込み効率算出動作について説明する。
なお、図８のステップＳ３０３とステップＳ３０４は、図３のステップＳ３０３とステップＳ３０４と同じであり、図８の他のステップは、図３から変更されている。
独自のものである。
なお、図８のステップＳ３０３とステップＳ３０４は、図３のステップＳ３０３とステップＳ３０４と同じであり、図８の他のステップは、図３から変更されている。
独自のものである。
【0044】
図８で、メモリ制御部２０２は、電源状態に変化があるかどうかを確認する（ステップＳ５０１）。
ここで、電源状態とは、電源１０７の供給開始、供給遮断された状態のことを意味する。
また、供給遮断状態には電源１０７の電圧が下がり、供給遮断される直前の状態も含む。
ステップＳ５０１で電源状態に変化がある場合、ステップＳ５０２に進む。
ステップＳ５０１で電源状態に変化がない場合は、処理を終了する。
ここで、電源状態とは、電源１０７の供給開始、供給遮断された状態のことを意味する。
また、供給遮断状態には電源１０７の電圧が下がり、供給遮断される直前の状態も含む。
ステップＳ５０１で電源状態に変化がある場合、ステップＳ５０２に進む。
ステップＳ５０１で電源状態に変化がない場合は、処理を終了する。
【0045】
次に、ステップＳ５０２で、ＲＯＭ１０５に記憶済みの不揮発性メモリ１０２の書き込み量（ＷＤ＿ＰＲＥ）、書き込み回数（ＣＮＴ＿ＰＲＥ）、書き込み効率（ＷＡＦ＿ＰＲＥ）を取得する。
【0046】
次いで、ステップＳ３０３、ステップＳ３０４を実行したのち、ステップＳ５０３で、計算式（１０）により、電源状態が変化した期間の書き込み効率の実際値（ＷＡＦ＿３１）を算出する。
ＷＡＦ＿３１＝不揮発性メモリ１０２の全容量×（ステップＳ３０４で取得した書き換え回数－ＣＮＴ＿ＰＲＥ）÷（ＷＤ＿１１－ＷＤ＿ＰＲＥ） ・・・・・（１０）
ＷＡＦ＿３１＝不揮発性メモリ１０２の全容量×（ステップＳ３０４で取得した書き換え回数－ＣＮＴ＿ＰＲＥ）÷（ＷＤ＿１１－ＷＤ＿ＰＲＥ） ・・・・・（１０）
【0047】
次いで、ステップＳ５０４で、ステップＳ５０３で算出された書き込み効率と、ステップＳ５０２で取得された書き込み効率の差分を算出する。
ステップＳ５０４で、差分の絶対値が所定値以上であるときは、ユーザーが代わった、または、使用温度が大きく変わった等、メモリ制御装置１００の使用環境が大きく変わったものと判定し、ステップＳ５０３で算出した書き込み効率をＲＯＭ１０５に記憶する（ステップＳ５０５）。
ステップＳ５０４で、差分の絶対値が所定値未満である場合、同じユーザーが同じ使い方をしていると判定し、ステップＳ５０３で算出した書き込み効率とステップＳ５０２で取得した書き込み効率の平均（算術平均でもよいし、荷重平均でもよい）を算出し、ＲＯＭ１０５に記憶する（ステップＳ５０６）。
ステップＳ５０４で、差分の絶対値が所定値以上であるときは、ユーザーが代わった、または、使用温度が大きく変わった等、メモリ制御装置１００の使用環境が大きく変わったものと判定し、ステップＳ５０３で算出した書き込み効率をＲＯＭ１０５に記憶する（ステップＳ５０５）。
ステップＳ５０４で、差分の絶対値が所定値未満である場合、同じユーザーが同じ使い方をしていると判定し、ステップＳ５０３で算出した書き込み効率とステップＳ５０２で取得した書き込み効率の平均（算術平均でもよいし、荷重平均でもよい）を算出し、ＲＯＭ１０５に記憶する（ステップＳ５０６）。
【0048】
次いで、ステップＳ５０７で、ステップＳ３０３で取得された書き込み量とステップＳ３０４で取得された書き込み回数をＲＯＭ１０５に記憶し、処理を終了する。
【0049】
次に、図９を用いて、実施の形態３によるメモリ制御装置のメモリ制御部２０２の不揮発性メモリ１０２の寿命算出動作について説明する。
図９は、図８でＲＯＭ１０５に記憶された新しいＷＡＦを用いて、電源状態変化時の使用環境が大きく変わった場合に、不揮発性メモリ１０２の寿命を推定するようにしたものである。
ここで、使用環境が大きく変わる場合とは、例えば、ユーザーが変わる、温度が大幅に変わるなどである。
なお、図９では、図３のステップＳ３０９－ステップＳ３１２を、ステップＳ６０１－ステップＳ６０４に変更し、図３のステップＳ３０４、ステップＳ３０５を削除している。
図９の他のステップは、図３におけるものと同一のものである。
図９は、図８でＲＯＭ１０５に記憶された新しいＷＡＦを用いて、電源状態変化時の使用環境が大きく変わった場合に、不揮発性メモリ１０２の寿命を推定するようにしたものである。
ここで、使用環境が大きく変わる場合とは、例えば、ユーザーが変わる、温度が大幅に変わるなどである。
なお、図９では、図３のステップＳ３０９－ステップＳ３１２を、ステップＳ６０１－ステップＳ６０４に変更し、図３のステップＳ３０４、ステップＳ３０５を削除している。
図９の他のステップは、図３におけるものと同一のものである。
【0050】
図９において、ステップＳ３０８に続くステップＳ６０１で、計算式（１１）により、書き込み効率の実際値（ＷＡＦ＿３２）を算出する。
ここで、Ａ１について説明する。
不揮発性メモリ１０２の空き容量に応じた所定値であり、不揮発性メモリ１０２の空き容量が少なくなると、特定の不揮発性メモリ１０２のセルに対して書き換えが頻発する。これを防止するため、ウェアレベリングにより、不揮発性メモリ１０２のセル内でデータの書き換えが発生し、結果としてＷＡＦが増加することが知られている。
Ａ１は、例えば、空き容量が１０％または５％以下となった際に加算される値である。また、Ａ１は加算に限定したものでなく、乗算でもよい。
ＷＡＦ＿３２＝ＲＯＭ１０５に記録済の実使用における書き込み効率＋Ａ１
・・・・・（１１）
ここで、Ａ１について説明する。
不揮発性メモリ１０２の空き容量に応じた所定値であり、不揮発性メモリ１０２の空き容量が少なくなると、特定の不揮発性メモリ１０２のセルに対して書き換えが頻発する。これを防止するため、ウェアレベリングにより、不揮発性メモリ１０２のセル内でデータの書き換えが発生し、結果としてＷＡＦが増加することが知られている。
Ａ１は、例えば、空き容量が１０％または５％以下となった際に加算される値である。また、Ａ１は加算に限定したものでなく、乗算でもよい。
ＷＡＦ＿３２＝ＲＯＭ１０５に記録済の実使用における書き込み効率＋Ａ１
・・・・・（１１）
【0051】
次に、ステップＳ６０２で、計算式（１２）により、アプリＤを追加した場合の所定期間での不揮発性メモリ１０２への書き込み量の推測値（ＷＤ＿３１）（実際値）を算出する。
ＷＤ＿３１＝（ＷＤ＿１２×（１＋ＷＤ＿Ｄ÷（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ））×ＷＡＦ＿３２＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（１２）
ＷＤ＿３１＝（ＷＤ＿１２×（１＋ＷＤ＿Ｄ÷（ＷＤ＿Ａ＋ＷＤ＿Ｂ＋ＷＤ＿Ｃ））×ＷＡＦ＿３２＋ＵＷＡＦ＿Ｄ×ＵＳ＿Ｄ×ＵＦ＿Ｄ÷所定期間 ・・・・・（１２）
【0052】
次いで、ステップＳ６０３で、計算式（１３）により、第二の所定期間での不揮発性メモリ１０２への書き込み量の推測値（ＷＤ＿３２）（実際値）を算出する。
ここで、第二の所定期間は、例えば、製品寿命までの期間またはメンテナンスまでの期間である。
ＷＤ＿３２＝ＷＤ＿３１×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（１３）
ここで、第二の所定期間は、例えば、製品寿命までの期間またはメンテナンスまでの期間である。
ＷＤ＿３２＝ＷＤ＿３１×第二の所定期間÷所定期間 ・・・・・（１３）
【0053】
次に、ステップＳ６０４で、ＷＤ＿３２とＷＤ＿１４とを比較する。
ＷＤ＿３２が、ＷＤ＿１４以下であれば、ステップＳ３１３を実行し、ＷＤ＿３２が、ＷＤ＿１４を超えていれば、ステップＳ３１４を実行する。
ＷＤ＿３２が、ＷＤ＿１４以下であれば、ステップＳ３１３を実行し、ＷＤ＿３２が、ＷＤ＿１４を超えていれば、ステップＳ３１４を実行する。
【0054】
実施の形態３によれば、電源状態の変化時に書き込み効率ＷＡＦを算出し、書き込み効率ＷＡＦの変化が大きい場合にユーザーが代わった、または、使用温度が大きく変わった等、メモリ制御装置１００の使用環境が大きく変わったと判定し、新しい書き込み効率ＷＡＦで不揮発性メモリ１０２の寿命を推定するため、使用環境が変わった場合でも不揮発性メモリ１０２の寿命をより精度よく推定することができる。
【0055】
本開示は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【0056】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限される
ことはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態
等に種々の変形及び置換を加えることができる。
ことはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態
等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【0057】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0058】
（ 付記１ ）
不揮発性メモリに記憶されるとともに、上記不揮発性メモリへの書き込みを行うアプリケーションプログラム、
このアプリケーションプログラムによる不揮発性メモリへの書き込みを制御するとともに、上記不揮発性メモリの寿命を算出するメモリ制御部を備え、
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリに記憶された上記アプリケーションプログラムの変更に当たって、予め定められた第一の期間における上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における上記不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、上記不揮発性メモリの寿命を算出することを特徴とするメモリ制御装置。
（ 付記２ ）
上記メモリ制御部は、上記変更するアプリケーションプログラムのサイズ、更新頻度を加味して、第二の期間における上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値を推測することを特徴とする付記１に記載のメモリ制御装置。
（ 付記３ ）
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリの書き込み可能量を算出し、この書き込み可能量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを用いて、上記寿命を算出することを特徴とする付記１または付記２に記載のメモリ制御装置。
（ 付記４ ）
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、対応する上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値との比である書き込み効率を用いて、第二の期間における上記書き込み量の実際値を推測することを特徴とする付記１から付記３のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記５ ）
上記アプリケーションプログラムは、複数であり、
上記メモリ制御部は、変更されるアプリケーションプログラムを含む複数のアプリケーションプログラムの組み合わせに応じて、上記不揮発性メモリの書き込み効率を推測することを特徴とする付記４に記載のメモリ制御装置。
（ 付記６ ）
上記メモリ制御部は、電源状態が変化した場合に、上記不揮発性メモリの書き込み効率を算出することを特徴とする付記４に記載のメモリ制御装置。
（ 付記７ ）
上記不揮発性メモリの寿命をユーザーに通知する表示部を備えたことを特徴とする付記１から付記６のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記８ ）
車両に搭載されていることを特徴とするから付記１から付記７のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記９ ）
ＯＴＡ機能を保有する機器に搭載されていることを特徴とする付記１から付記７のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
不揮発性メモリに記憶されるとともに、上記不揮発性メモリへの書き込みを行うアプリケーションプログラム、
このアプリケーションプログラムによる不揮発性メモリへの書き込みを制御するとともに、上記不揮発性メモリの寿命を算出するメモリ制御部を備え、
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリに記憶された上記アプリケーションプログラムの変更に当たって、予め定められた第一の期間における上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値に基づき、第一の期間とは別の第二の期間における上記不揮発性メモリへ要求する書き込み量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを推測して、上記不揮発性メモリの寿命を算出することを特徴とするメモリ制御装置。
（ 付記２ ）
上記メモリ制御部は、上記変更するアプリケーションプログラムのサイズ、更新頻度を加味して、第二の期間における上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値を推測することを特徴とする付記１に記載のメモリ制御装置。
（ 付記３ ）
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリの書き込み可能量を算出し、この書き込み可能量と、上記不揮発性メモリに実際に書き込まれる書き込み量の実際値とを用いて、上記寿命を算出することを特徴とする付記１または付記２に記載のメモリ制御装置。
（ 付記４ ）
上記メモリ制御部は、上記不揮発性メモリへ要求した書き込み量と、対応する上記不揮発性メモリに実際に書き込まれた書き込み量の実際値との比である書き込み効率を用いて、第二の期間における上記書き込み量の実際値を推測することを特徴とする付記１から付記３のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記５ ）
上記アプリケーションプログラムは、複数であり、
上記メモリ制御部は、変更されるアプリケーションプログラムを含む複数のアプリケーションプログラムの組み合わせに応じて、上記不揮発性メモリの書き込み効率を推測することを特徴とする付記４に記載のメモリ制御装置。
（ 付記６ ）
上記メモリ制御部は、電源状態が変化した場合に、上記不揮発性メモリの書き込み効率を算出することを特徴とする付記４に記載のメモリ制御装置。
（ 付記７ ）
上記不揮発性メモリの寿命をユーザーに通知する表示部を備えたことを特徴とする付記１から付記６のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記８ ）
車両に搭載されていることを特徴とするから付記１から付記７のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
（ 付記９ ）
ＯＴＡ機能を保有する機器に搭載されていることを特徴とする付記１から付記７のいずれか一項に記載のメモリ制御装置。
【符号の説明】
【0059】
１００ メモリ制御装置、１０１ ＣＰＵ、１０２ 不揮発性メモリ、
１０３ 通信Ｉ／Ｆ、１０４ ＲＡＭ、１０５ ＲＯＭ、１０６ 表示部、
１０７ 電源、２００ 制御プログラム、２０１ａ アプリＡ、２０１ｂ アプリＢ、
２０１ｃ アプリＣ、２０２ メモリ制御部、２０３ 通信部
１０３ 通信Ｉ／Ｆ、１０４ ＲＡＭ、１０５ ＲＯＭ、１０６ 表示部、
１０７ 電源、２００ 制御プログラム、２０１ａ アプリＡ、２０１ｂ アプリＢ、
２０１ｃ アプリＣ、２０２ メモリ制御部、２０３ 通信部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】