特開 2024-151193 ガラスインターポーザ及びガラスインターポーザの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024151193

(43)【公開日】2024-10-24

(54)【発明の名称】ガラスインターポーザ及びガラスインターポーザの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/15 20060101AFI20241017BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20241017BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20241017BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20241017BHJP

【ＦＩ】

H01L23/14 C

H05K1/02 C

H05K1/11 H

H05K1/11 N

H05K3/40 E

H05K3/40 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023064403

(22)【出願日】2023-04-11

(71)【出願人】

【識別番号】391012729

【氏名又は名称】株式会社ミクロ技術研究所

(74)【代理人】

【識別番号】110002516

【氏名又は名称】弁理士法人白坂

(72)【発明者】

【氏名】吉川 実

(72)【発明者】

【氏名】玉置 勝也

【テーマコード（参考）】

5E317

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E317AA24

5E317BB01

5E317BB12

5E317BB13

5E317BB14

5E317BB15

5E317BB22

5E317BB25

5E317CC17

5E317CC25

5E317CD21

5E317GG16

5E338AA02

5E338AA03

5E338AA18

5E338BB14

5E338BB19

5E338BB25

5E338EE32

(57)【要約】

【課題】ガラスインターポーザの構成において基板となるガラス材と配線部の導電性材料以外の材料を使用せず、製造が簡便であり導電性の良好なガラスインターポーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板を複数積層し接合してなり、ガラス基板は、ガラス基板の主面の所定位置に形成される複数の配線用凹部と、配線用凹部に形成されガラス基板を貫通する複数の微細貫通孔と、配線用凹部及び微細貫通孔に配置される導電性材料からなる配線部とを備え、微細貫通孔のそれぞれは、２つの半球状の窪部からなり半球状の曲面部位同士を接合した形状であり、配線用凹部に配置される配線部の上面部は、ガラス基板の主面より１～５０μｍ低い位置の配置であり、ガラス基板同士の接合が真空下である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス基板を複数積層し接合してなるガラスインターポーザであって、
前記ガラス基板は、
前記ガラス基板の主面の所定位置に形成される複数の配線用凹部と、
前記配線用凹部に形成され前記ガラス基板を貫通する複数の微細貫通孔と、
前記配線用凹部及び前記微細貫通孔に配置される導電性材料からなる配線部とを備え、
前記微細貫通孔のそれぞれは、２つの半球状の窪部からなり前記半球状の曲面部位同士を接合した形状であり、
前記配線用凹部に配置される配線部の上面部は、前記ガラス基板の主面より１～５０μｍ低い位置の配置であり、
前記ガラス基板同士の接合が真空下である
ことを特徴とするガラスインターポーザ。

【請求項2】

前記ガラス基板の厚さは、１０～１００μｍである請求項１に記載のガラスインターポーザ。

【請求項3】

前記微細貫通孔の半球状の窪部の半径は前記ガラス基板の厚さの２／３～３／４である請求項１に記載のガラスインターポーザ。

【請求項4】

前記導電性材料が金属の微粒子を含有する導電樹脂ペーストである請求項１に記載のガラスインターポーザ。

【請求項5】

請求項１に記載のガラスインターポーザの製造方法であって、
前記配線部の配置に際し、前記導電性材料が微量吐出機により前記ガラス基板に形成された前記配線用凹部内及び前記微細貫通孔内に充填される
ことを特徴とするガラスインターポーザの製造方法。

【請求項6】

前記ガラス基板同士の真空下の接合に際し、前記ガラス基板同士は常温下において接合、または前記ガラス基板同士は常温ないし２００℃の加熱下において接合される請求項４に記載のガラスインターポーザの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はガラスインターポーザ及びガラスインターポーザの製造方法に関し、特に製造が簡便であり導電性の良好なガラスインターポーザ及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

回路基板に実装される各種のメモリ、ＣＰＵ、ＧＰＵ等の半導体素子は、電気的接続用の端子を有する。その接続用端子のピッチと、半導体素子と電気的に接続される回路基板の接続部のピッチは、通常、数倍から数十倍程度異なる。そのため、半導体素子と回路基板を電気的に接続するため、インターポーザと称される接続のための仲介用基板が使用される。インターポーザの一方の面に半導体素子が実装され、他方の面に回路基板が接続される。

【0003】

インターポーザの材質としては、有機樹脂材料が使用されてきた。しかしながら、半導体素子の処理能力の向上、高度集積化に対応するため、インターポーザの微細な配線形成が求められている。しかしながら、従来の有機樹脂材料を使用したインターポーザでは、樹脂の吸湿、温度による伸縮が大きく微細配線への対応は困難であった。

【0004】

そこで、現在では有機樹脂材料の問題に対処するべく、ケイ素（シリコン）、ガラスを基材に用いたインターポーザが開発されている。これらの無機材料によると吸湿の影響が少なく、また、半導体素子との熱膨張率が近似し、温度による伸縮の影響は軽減されている。

【0005】

ただし、ケイ素（シリコン）を基材に用いたインターポーザは表面保護の必要性があり、材料、加工経費等が高価である。このことから、現在、ガラス製のインターポーザが趨勢である（特許文献１、２等参照）。

【0006】

ところが、従前のガラス製のインターポーザの場合、ガラス以外の材料の部材層を有しており、依然として配線の微細化は容易ではない。またガラスと他の材料との熱膨張率の相違から反り等の変形不良のおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１６－０４６３６１号公報

【特許文献2】特開２０１９－０４４２１２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

その後、発明者は鋭意検討を重ねた結果、ガラス製のインターポーザにおいて、基板となるガラス材と配線部の導電性材料以外の材料を用いないガラスインターポーザを開発するに至った。

【0009】

本発明は前記の点に鑑みなされたものであり、ガラスインターポーザの構成において基板となるガラス材と配線部の導電性材料以外の材料を使用せず、製造が簡便であり導電性の良好なガラスインターポーザ及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0010】

すなわち、実施形態のガラスインターポーザは、ガラス基板を複数積層し接合してなり、ガラス基板は、ガラス基板の主面の所定位置に形成される複数の配線用凹部と、配線用凹部に形成されガラス基板を貫通する複数の微細貫通孔と、配線用凹部及び微細貫通孔に配置される導電性材料からなる配線部とを備え、微細貫通孔のそれぞれは、２つの半球状の窪部からなり半球状の曲面部位同士を接合した形状であり、配線用凹部に配置される配線部の上面部は、ガラス基板の主面より１～５０μｍ低い位置の配置であり、ガラス基板同士の接合が真空下であることを特徴とする。

【0011】

さらに、ガラスインターポーザにおいて、ガラス基板の厚さは１０～１００μｍであることとしてもよい。

【0012】

さらに、ガラスインターポーザにおいて、微細貫通孔の半球状の窪部の半径はガラス基板の厚さの２／３～３／４であることとしてもよい。

【0013】

さらに、ガラスインターポーザにおいて、導電性材料が金属の微粒子を含有する導電樹脂ペーストであることとしてもよい。

【0014】

すなわち、実施形態のガラスインターポーザの製造方法は、配線部の配置に際し、導電性材料が微量吐出機によりガラス基板に形成された配線用凹部内及び微細貫通孔内に充填されることを特徴とする。

【0015】

さらに、ガラスインターポーザの製造方法において、ガラス基板同士の真空下の接合に際し、ガラス基板同士は常温下において接合、またはガラス基板同士は常温ないし２００℃の加熱下において接合されることとしてもよい。

【発明の効果】

【0016】

本発明のガラスインターポーザによると、ガラス基板を複数積層し接合してなり、ガラス基板は、ガラス基板の主面の所定位置に形成される複数の配線用凹部と、配線用凹部に形成されガラス基板を貫通する複数の微細貫通孔と、配線用凹部及び微細貫通孔に配置される導電性材料からなる配線部とを備え、微細貫通孔のそれぞれは、２つの半球状の窪部からなり半球状の曲面部位同士を接合した形状であり、配線用凹部に配置される配線部の上面部は、ガラス基板の主面より１～５０μｍ低い位置の配置であり、ガラス基板同士の接合が真空下であるため、基板となるガラス材と配線部の導電性材料以外の材料を使用せず、製造が簡便であり導電性の良好なガラスインターポーザを得ることができる。

【0017】

また、本発明のガラスインターポーザの製造方法によると、配線部の配置に際し、導電性材料が微量吐出機によりガラス基板に形成された配線用凹部内及び微細貫通孔内に充填されるため、製造が簡便かつ安価とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】実施形態のガラスインターポーザの実装状態を示す概略断面図である。

【図2】ガラスインターポーザとして積層されるガラス基板の（Ａ）微細貫通孔の断面模式図、（Ｂ）配線部の断面模式図である。

【図3】ガラスインターポーザとして積層される他の形態のガラス基板の（Ａ）微細貫通孔の断面模式図、（Ｂ）配線部の断面模式図である。

【図4】ガラス基板の製造工程を示す（Ａ）第１断面模式図、（Ｂ）第２断面模式図、（Ｃ）第３断面模式図である。

【図5】ガラス基板の製造工程を示す（Ａ）第４断面模式図、（Ｂ）第５断面模式図、（Ｃ）第６断面模式図である。

【図6】ガラス基板の配線部の形成を示す（Ａ）第１模式図、（Ｂ）第２模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

実施形態のガラスインターポーザは、主に、回路基板に実装される各種のメモリ、ＣＰＵ、ＧＰＵ等の半導体素子と、当該回路基板とを電気的に配線接続するための中継用の基板となる部材である。特に、ガラスインターポーザ自体はガラスと配線のための導電性材料のみにより形成されているため、樹脂等の熱膨張率の異なる材料を備えず、使用時の熱曝露に伴う変形が軽減される。

【0020】

図１は実施形態のガラスインターポーザ１の実装状態を示す概略断面図である。ガラスインターポーザ１は複数枚のガラス基板２（積層用ガラス配線基板）が積層されて互いに接合して一体化している。図示では、ガラスインターポーザ１の直下にベース基板３が配置され、当該ベース基板３にはベース基板側配線４、接続パッド５が設けられている。ベース基板３には電子機器の回路基板、プリント基板等（図示せず）が配置され、電気的に接続されている。また、ガラスインターポーザ１の直上には各種のメモリ、ＣＰＵ、ＧＰＵ等の半導体素子（図示せず）が装着される。

【0021】

ガラスインターポーザ１の各ガラス基板２には、当該ガラス基板２を厚さ方向に貫通する複数の配線部８が配置される。そして、ガラス基板２を積層した際に、ガラス基板２の配線部８は積層方向に沿って接合可能となる。結果、電子機器の回路基板からガラスインターポーザ１に装着される半導体素子までは電気的に接続される。

【0022】

ガラスインターポーザ１を構成するガラス基板２には、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、石英ガラス等のガラス材が使用され、フロート法等により、薄板状物として製造される。ガラス基板２の厚さは１０ないし１００μｍの範囲であることが好ましい。ガラス基板２の厚さが増えると、ガラスインターポーザ１自体の導電性が低下する。加えて、後述のエッチングの処理により微細貫通孔６を形成する際、微細貫通孔６の上下の面積が大きくなる。そのため、ガラス基板２の表面に展開可能な配線のための領域が減少することになる。すると、ガラスインターポーザ１の面積を大きくしなければならず、回路の設計を大きくする必要がある。そこで、ガラス基板２には、回路設計の小型化と導電性の観点から薄層のガラス板（ガラスシート）が使用される。

【0023】

ガラスインターポーザ１において、ガラス基板２同士は互いに積層され接合するため、ガラス基板２の表面は極力平滑であることが望ましい。前述のとおりガラス板はフロート法により製造されるため、表面の平滑さ（凹凸の程度）は１０ないし１００ｎｍ程度である。なお、表面の平滑性の調整のため、別途表面研磨をすることができる。研磨には、通常酸化セリウムの研磨剤（微粒子）が使用される。

【0024】

図２はガラスインターポーザ１を構成するガラス基板２の１枚の部分拡大断面模式図である。ガラス基板２の主面１１（第１面）の所定位置には複数の配線用凹部７が形成される。同時にガラス基板２の主面１１（第１面）と反対側の従面１２（第２面）の所定位置には複数の配線用凹部７が形成される。ここでいう所定位置とは、ガラス基板２における配線形成予定位置である。そして、ガラス基板２に複数の微細貫通孔６が形成される。各微細貫通孔６は主面１１（第１面）の配線用凹部７と従面１２（第２面）の配線用凹部７とを接続し、各微細貫通孔６は当該ガラス基板２を主面１１から従面１２にかけて貫通する。図２（Ａ）はガラス基板２に微細貫通孔６が形成された状態の断面模式図である。図示に都合上、微細貫通孔６は１箇所のみの表示としている。

【0025】

主面１１及び従面１２の配線用凹部７と微細貫通孔６には導電性材料９が配置（充填）される。そこで、配線部８において、ガラス基板２の主面１１（第１面）と従面１２（第２面）との間の導電性は確保される。図２（Ｂ）は配線部８付近を拡大して示す断面模式図である。図示に都合上、微細貫通孔６と配線部８は１箇所のみの表示としている。そして、１枚目のガラス基板２の従面１２に、２枚目のガラス基板２の主面１１が積層されて接合されると１枚目のガラス基板２の従面１２の配線用凹部７に２枚目のガラス基板２の主面１１の配線用凹部７が接合し、複数枚のガラス基板２での導電性が確保される（図１参照）。

【0026】

ガラス基板２に形成される微細貫通孔６のそれぞれは２つの半球状の窪部６ｋを組み合わせてなり、半球状の窪部６ｋの曲面部位同士を接合した形状として形成される。微細貫通孔６は、縦断面視においておおよそ数字の「８」に近似した形状である。そして、半球状の窪部６ｋの開口部６ｐ側に配線用凹部７が形成される。配線用凹部７は他のガラス基板２との積層時の導電性を確保するため、つまり配線用凹部７同士が接触可能な大きさである。

【0027】

配線部８に使用される導電性材料９は、銅、銀、金、白金、ニッケル、鉛等の金属の微粒子を含有する導電樹脂ペーストであることが好ましい。また、導電樹脂ペーストはアクリル樹脂、ウレタン樹脂、各種有機溶剤を主剤とし、当該主剤中に重量割合において６０ないし９０重量％の比率で金属の微粒子が分散されている。この導電樹脂ペーストは、導電樹脂インクを含む。配線部８の形成に際しては、後述の製造方法の説明から理解されるように樹脂塗材の塗工の手法が使用される。むろん、従前の金属のめっきの手法が採用される場合もある。そこで、導電性材料９として、金属の微粒子を含有する塗材は配線用凹部７と微細貫通孔６に注入される。配線用凹部７と微細貫通孔６は金属の微粒子を含有する塗材により満たされ、金属の微粒子が導電材として作用する。

【0028】

ここで、配線用凹部７に配置される配線部８の上面部１５は、ガラス基板２の主面１１（及び従面１２）よりも、１ないし５０μｍ低い位置の配置である。前述のとおり、配線部８は導電性材料９により形成される。そこで、ガラスインターポーザ１の使用環境における発熱から導電性材料９の樹脂成分及び金属微粒子は熱膨張すると考えられる。

【0029】

仮に、導電性材料９が配線用凹部７に配置される配線部８の上面部１５をガラス基板２の主面１１（及び従面１２）と同等の高さとすると、導電性材料９の熱膨張により、配線用凹部７または微細貫通孔６から漏出する可能性がある。また、漏出した導電性材料９がガラス基板２同士の隙間に浸入してガラス基板２同士の密着性を低下させる可能性がある。そのため、意図的に配線用凹部７に配置される配線部８の上面部１５は、ガラス基板２の主面１１（及び従面１２）よりも、低い位置とされ、ガラスインターポーザ１の組み立てに際してちょうど互いに接合するように導電性材料９の量は調整される。

【0030】

ここで、ガラス基板２の微細貫通孔６の半球状の窪部６ｋにおいて、窪部６ｋを球と見立てたときの半径Ｒは、ガラス基板２の厚さの２／３ないし３／４の範囲に規定される。図２に開示の形態では、窪部６ｋを球と見立てたときの中心はガラス基板２内に存在する。窪部６ｋの半径Ｒがガラス基板２の厚さＴの半分程度のとき、ガラス基板２の主面１１及び従面１２に形成される窪部６ｋは互いに接触せず、微細貫通孔６の意味をなさない。また、窪部６ｋの半径Ｒを大きく過ぎると、微細貫通孔６の形成に時間を要し生産性が低下する。つまり、半球状の窪部６ｋは、その半球状の曲面部位同士が適度に接触し合って連通し、充填された導電性材料９が主面１１から従面１２にかけて貫通可能であればよい。

【0031】

さらに、図３はガラスインターポーザとして積層される他の形態のガラス基板２の断面模式図である。図３（Ａ）のとおり、図示のガラス基板２では、窪部６ｋを球と見立てたときの半球状の窪部６ｋの中心がガラス基板２の外側に存在する。図示から把握されるように、微細貫通孔６の窪部６ｋの形状は比較的自由であり、必ずしも厳密でなくてもよい。当該形態のガラス基板２であっても図３（Ｂ）のとおり、微細貫通孔６への配線部８の配置は可能である。むろん、窪部６ｋの半径Ｒは、図２の場合と同様にガラス基板２の厚さの２／３ないし３／４の範囲に規定される。

【0032】

図１のガラスインターポーザ１において、個々のガラス基板２の接合は、真空下で行われる。ガラスの特性として、同種のガラスが面接触すると接合しやすくなることが経験上知られている。そこで、ガラスインターポーザ１の製造時、個々のガラス基板２は真空チャンバ（図示せず）内に搬入され、同真空チャンバ内において個々のガラス基板２同士は積層される。なお、真空度は実生産を加味した数値に調整される。真空状態とすると、ガラス基板２の主面１１及び従面１２付近の窒素、酸素等の分子が減少してガラス基板２のガラス質そのものが露出するため、空気中よりも接合しやすくなる。特にガラス基板２の表面の平滑さ（凹凸の程度）は１０ないし１００ｎｍであるとしても、真空状態によりガラス基板２同士の密着性は向上するため、接合は強固となりやすい。

【0033】

さらに、真空下での接合に際し、ガラス基板２同士は常温下の接合としてもよく、または、ガラス基板２同士は常温ないし２００℃の加熱下の接合としてもよい。加熱を伴うことにより、微弱ながらガラス基板２の表面同士の反応性を高めることができる。なお、加熱はガラス材の溶融目的ではないため、ガラス点移転等の温度よりは温和である。

【0034】

図４ないし図６の断面模式図を用い、ガラスインターポーザ１を構成する個々のガラス基板２の製造方法を説明する。図示の製造方法は一例であり、必ずしも図示に限定はされない。

【0035】

図４（Ａ）よりガラス基板２となる薄層のガラス板（ガラスシート）が用意され、図４（Ｂ）のとおり、配線形成予定位置を除く部位にフォトレジスト、クロムマスク等の保護部２０が形成される。配線形成予定位置は露出部２１である。そして、図４（Ｃ）のとおり、フォトレジストの処理を施していない部位、つまり配線形成予定位置となる露出部２１に対してエッチングが行われる。エッチングでは、ガラス基板２が、例えばフッ酸及び塩酸の混合酸液と接触することにより、混合酸液に直接曝露されるガラス基板２のガラス質は腐食、溶解する。エッチングにより、ガラス基板２のガラス質が局所的に溶解することにより所定の深さの除去部２２が形成される。この除去部２２が配線用凹部７となる。

【0036】

図５（Ａ）では、除去部２２に対してさらにエッチングが継続され、ガラス基板２のガラス質の溶解が進行している様子である。図５（Ｂ）のように、除去部２２からさらにガラス基板２の内部側に腐食が入り込むことによって半球状の窪部６ｋが形成される。そして、ガラス基板２の主面１１及び従面１２からそれぞれ形成される窪部６ｋは、ガラス基板２の厚さ方向の中央部分において接触し主面１１から従面１２にかけての貫通し、微細貫通孔６が形成される。図５（Ｃ）では、フォトレジスト、クロムマスク等の保護部２０がレーザ照射等により除去、分解、洗浄され、当初のガラス基板２の主面１１及び従面１２が露出した状態となる。

【0037】

レーザをガラス基板２の穿設に使用する場合、照射位置の制御から細かく、高密度に微細貫通孔６の形成が可能である。これに対し、図４及び図５のガラス基板２における微細貫通孔６の形成によると、炭酸ガスレーザ等の加工機器を用いることなく、ガラス材のエッチングのみにより微細貫通孔６の形成が可能である。結果、製造に要する装置類の設備投資を抑制することができる。また、微細貫通孔６はエッチングにより形成される窪部６ｋ同士の接合により形成されるため、微細貫通孔６はガラス基板２の主面１１から従面１２にかけておおむねまっすぐに形成可能である。このため、レーザによるガラス基板２の穿設と同程度の密度による微細貫通孔６の形成が可能である。

【0038】

図６の模式図は、ガラス基板２に形成された微細貫通孔６に対する導電性材料９、具体的には導電樹脂ペーストの充填の様子を示す。実施形態にあっては、配線部８の配置に際し、導電性材料９が微量吐出機３０によりガラス基板２に形成された配線用凹部７内及び微細貫通孔６内に充填される。

【0039】

図６（Ａ）では、微量吐出機３０としてマイクロシリンジ３１が使用され、導電樹脂ペーストはマイクロシリンジ３１に貯留され、当該マイクロシリンジ３１から配線用凹部７及び微細貫通孔６内に所定量ずつ吐出される。図示ではガラス基板２の主面１１側にマイクロシリンジ３１を配置している。これに加えて、ガラス基板２の主面１１側と従面１２側の両方にマイクロシリンジが配置され、導電樹脂ペーストは双方のマイクロシリンジから吐出させてもよい。

【0040】

図６（Ｂ）では、インクジェットプリンタ等の印刷機に用いられる噴出機３６（インクジェット機構）が使用される。インクタンク等（図示せず）に貯留された導電樹脂ペーストは噴出機３６から所定量ずつ吐出されて配線用凹部７及び微細貫通孔６に吹き付けられる。むろん、噴出機３６はガラス基板２の主面１１側と従面１２側の両方に配置してもよい。

【0041】

導電樹脂ペーストの粘度、流動性は溶媒量に応じて調整が可能であるため、金属の微粒子を含有しているとしても、微量吐出機３０からの吐出は可能である。また、微細貫通孔６は半球状の窪部６ｋを重ねた形状であるため、微細貫通孔６の内表面積はレーザによる穿設により形成される円筒体よりも大きくなる。そのため、導電樹脂ペーストの表面張力により導電樹脂ペーストは微細貫通孔６の内部に広がりやすいと考えられる。

【0042】

さらに、微細貫通孔６への配線部８の配置に際しては、公知の電解めっき等のめっきの手法も用いないため、めっきしない部分の保護膜の設置と剥離の必要はない。また、めっき液等の廃液処理の負担が軽減される。

【0043】

その後、微細貫通孔６及び配線用凹部７に配線部８が配置された複数枚のガラス基板２は、配線用凹部７の位置を確認しながらそれぞれ正確に積層される。複数枚のガラス基板２同士の積層は、真空チャンバ内等の真空下において行われる。なお、積層は常温としても、常温ないし２００℃までの加熱下において行われることとしてもよい。複数枚のガラス基板２同士は真空下の積層を通じて相互に密着して接合する。

【符号の説明】

【0044】

１ ガラスインターポーザ
２ ガラス基板
３ ベース基板
４ ベース基板側配線
５ 接続パッド
６ 微細貫通孔
６ｋ 窪部
７ 配線用凹部
８ 配線部
９ 導電性材料
１１ 主面（第１面）
１２ 従面（第２面）
１５ 上面部
２０ 保護部
２１ 露出部
２２ 除去部
３０ 微量吐出機
３１ マイクロシリンジ
３６ 噴出機
Ｒ 窪部の半径
Ｔ ガラス基板の厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】