(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024151803
(43)【公開日】2024-10-25
(54)【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20241018BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023065524
(22)【出願日】2023-04-13
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】沖 和史
(72)【発明者】
【氏名】横山 脩平
【テーマコード（参考）】
5F136
【Ｆターム（参考）】
5F136BB18
5F136DA04
5F136EA03
(57)【要約】
【課題】半導体装置の小型化を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置１００は、ダイパッド１２，１３，１４およびダイパッド１２，１３，１４と電気的に接続された端子１１，１５を含むリードフレーム１０と、ダイパッド１２，１３，１４上に搭載された半導体素子１～４と、ダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に表面を向けた状態で配置されたヒートシンク５０と、端子１１，１５およびヒートシンク５０における表面とは反対側の底面を露出させた状態で、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を封止する封止樹脂４０とを備えている。ヒートシンク５０は、上面視において、ヒートシンク５０の全体が封止樹脂４０と重なるように、封止樹脂４０の内側に配置され、ヒートシンク５０には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が設けられている。
【選択図】図２
【解決手段】半導体装置１００は、ダイパッド１２，１３，１４およびダイパッド１２，１３，１４と電気的に接続された端子１１，１５を含むリードフレーム１０と、ダイパッド１２，１３，１４上に搭載された半導体素子１～４と、ダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に表面を向けた状態で配置されたヒートシンク５０と、端子１１，１５およびヒートシンク５０における表面とは反対側の底面を露出させた状態で、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を封止する封止樹脂４０とを備えている。ヒートシンク５０は、上面視において、ヒートシンク５０の全体が封止樹脂４０と重なるように、封止樹脂４０の内側に配置され、ヒートシンク５０には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が設けられている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、
前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置。
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、
前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置。
【請求項2】
前記ヒートシンクの前記第２主面は、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する面から突出し、かつ、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する前記面よりも面積が小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体素子の材料は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記ねじ穴は、前記ヒートシンクの前記第２主面側に設けられた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
放熱フィンが取り付けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレーム、半導体素子、およびヒートシンクを準備する工程と、
前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し組み立て体を製作する工程と、
金型内に、前記組み立て体、および前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で前記ヒートシンクを配置する工程と、
前記金型内において、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記組み立て体および前記ヒートシンクを封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置の製造方法。
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレーム、半導体素子、およびヒートシンクを準備する工程と、
前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し組み立て体を製作する工程と、
金型内に、前記組み立て体、および前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で前記ヒートシンクを配置する工程と、
前記金型内において、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記組み立て体および前記ヒートシンクを封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来の半導体装置では、パッケージ（封止樹脂に相当する）の底面全体に放熱板（ヒートシンクに相当する）が固定され、放熱板と放熱フィンとをねじ固定することで、半導体装置に放熱フィンが取り付けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平１１－２７４３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、放熱板がパッケージの底面全体と同じ面積を有しており、かつ、放熱板の全体がパッケージの底面から突出しているため、半導体装置の小型化を実現することは難しかった。
【0005】
そこで、本開示は、半導体装置の小型化を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置は、放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂とを備え、前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、ヒートシンクは封止樹脂内に収容されているため、上面視において、ヒートシンクが封止樹脂から突出しない。その結果、半導体装置の小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態に係る半導体装置の内部配線図である。
【図4】実施の形態に係る半導体装置の上面図である。
【図5】実施の形態に係る半導体装置の底面図である。
【図6】実施の形態に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す正面図である。
【図7】実施の形態に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す側面図である。
【図8】実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図9】実施の形態の変形例に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す正面図である。
【図10】実施の形態の変形例に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
＜実施の形態＞
＜半導体装置の構成＞
実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態に係る半導体装置１００の内部配線図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。
＜半導体装置の構成＞
実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態に係る半導体装置１００の内部配線図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。
【0010】
【0011】
リードフレーム１０は、ダイパッド１２，１３，１４と、端子１１，１５とを含んでいる。ダイパッド１２，１３，１４は板状に形成され、かつ、上面視において矩形状に形成されている。また、ダイパッド１２，１３，１４は、図１において左側からダイパッド１２，１３，１４の順に配置されている。
【0012】
ダイパッド１２は３つ設けられ、端子１１は１６本設けられている。１６本の端子１１のうちの３本の端子１１は、３つのダイパッド１２とそれぞれ接続されている。ダイパッド１４は４つ設けられ、端子１５は７本設けられている。７本の端子１５のうちの４本の端子１５は、４つのダイパッド１４とそれぞれ接続されている。リードフレーム１０の材料として、例えば、銅（Ｃｕ）が採用される。
【0013】
３つのダイパッド１２の表面には、半導体素子１が１つずつ搭載されている。ダイパッド１３の表面には、２つの半導体素子２が搭載されている。４つのダイパッド１４のうちの１つのダイパッド１４は、残りの３つのダイパッド１４よりも面積が大きく形成されている。大きな面積を有する１つのダイパッド１４の表面には、半導体素子３と半導体素子４が３組搭載されている。残りの３つのダイパッド１４の表面には、半導体素子３と半導体素子４が１組ずつ搭載されている。
【0014】
半導体素子１，２と端子１１、半導体素子２と半導体素子３、半導体素子３と半導体素子４、および半導体素子４と端子１５は、ワイヤ２０により電気的に接続されている。ワイヤ２０を構成する材料は、電気伝導率の高い銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）である。
【0015】
半導体素子１～４は、例えばスイッチング素子または整流素子として機能する素子である。スイッチング素子は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、またはＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等である。整流素子は、ダイオード素子である。
【0016】
半導体素子１～４を構成する材料は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。なお、半導体素子１～４を構成する材料は、シリコンに限定されず、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、またはダイヤモンド（Ｃ）等のワイドバンドギャップ半導体材料であってもよい。ワイドバンドギャップ半導体材料は、シリコンのバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する材料である。ワイドバンドギャップ半導体材料で構成される半導体素子１～４は、大電流を使用した動作、および高温環境下における動作等を行うことが可能になる。そのため、半導体素子１～４を構成する材料は、ワイドバンドギャップ半導体材料であることが好ましい。
【0017】
図２と図３に示すように、ヒートシンク５０は、ダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に第１主面である表面を向けた状態で配置されている。具体的には、ヒートシンク５０はダイパッド１２，１３，１４の下側に配置され、ヒートシンク５０とダイパッド１２，１３，１４との間には封止樹脂４０が存在している。
【0018】
封止樹脂４０は、端子１１，１５およびヒートシンク５０における表面とは反対側の第２主面である裏面を露出させた状態で、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を封止している。これにより、封止樹脂４０は、半導体装置１００のパッケージを構成している。
【0019】
封止樹脂４０は、複合材であってもよい。複合材は、例えば主成分として、フィラー等の充填材と樹脂とを含む材料である。充填材は、封止樹脂４０の熱膨張率または機械的性質を調整するために使用される。複合材に含まれる樹脂は、例えば電気抵抗率の高い熱硬化性の樹脂であり、例えばエポキシ樹脂である。封止樹脂４０は、高い絶縁性、良好な成型性、および信頼性を有していることが好ましい。
【0020】
次に、ヒートシンク５０の詳細について説明する。図４は、実施の形態に係る半導体装置１００の上面図である。図５は、実施の形態に係る半導体装置１００の底面図である。図６は、実施の形態に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す正面図である。図７は、実施の形態に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す側面図である。
【0021】
図４と図５に示すように、端子１１，１５は、封止樹脂４０の側面から突出している。図５～図７に示すように、ヒートシンク５０は、上面視において、矩形状に形成された厚みのある板状部材である。また、ヒートシンク５０は、上面視において、ヒートシンク５０の全体が封止樹脂４０と重なるように、封止樹脂４０の内側に配置されている。具体的には、ヒートシンク５０の裏面は、封止樹脂４０における放熱フィン６０と対向する底面よりも面積が小さく形成されており、ヒートシンク５０の全体は、封止樹脂４０から突出することなく、封止樹脂４０内に収容されている。これにより、半導体装置１００の小型化を実現することが可能となる。また、ヒートシンク５０の裏面は封止樹脂４０から露出しているため、ヒートシンク５０の裏面に放熱フィン６０を取り付けることが可能となる。
【0022】
また、ヒートシンク５０の裏面における長手方向の両端部には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が１つずつ設けられている。２つのねじ穴５１は、ヒートシンク５０の裏面側に設けられている。具体的には、２つのねじ穴５１は、ヒートシンク５０を貫通することなく、ヒートシンク５０の裏面から厚み方向の途中部まで設けられている。
【0023】
放熱フィン６０におけるヒートシンク５０のねじ穴５１に対向する箇所には、ねじ穴６２が設けられている。放熱フィン６０を封止樹脂４０の底面に配置した状態で、放熱フィン６０側からねじ６１をねじ穴６２とねじ穴５１に螺合させることで、放熱フィン６０が半導体装置１００に取り付けられる。
【0024】
ヒートシンク５０を構成する材料は、例えば合金である。合金は、例えばアルミニウム（Ａｌ）に、金属としてのマグネシウム（Ｍｇ）およびマンガン（Ｍｎ）の少なくともいずれかの金属が添加されたものである。
【0025】
なお、ヒートシンク５０を構成する材料は、例えば合金に限定されず、合金と異なる金属であってもよい。ヒートシンク５０を構成する材料は、例えば銅（Ｃｕ）であってもよい。また、ヒートシンク５０は、アルミニウム（Ａｌ）で構成された板状部材であってもよい。
【0026】
また、ヒートシンク５０を構成する材料は、金属以外の材料であってもよい。ヒートシンク５０を構成する材料は、例えば、熱伝導率が高い無機物または有機物であってもよい。
【0027】
【0028】
まず、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を準備する（ステップＳ１）。このとき、ヒートシンク５０には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が設けられている。
【0029】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１２，１３，１４上に半導体素子１～４を搭載し、組み立て体（図示しない）を製作する（ステップＳ２）。
【0030】
次に、金型（図示しない）内に、組み立て体、およびダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に表面を向けた状態でヒートシンク５０を配置する（ステップＳ３）。具体的には、金型内にヒートシンク５０を配置した後、その上から例えば高熱伝導率を有する顆粒樹脂（図示しない）を配置し、その上に組み立て体を配置する。さらにその上から顆粒樹脂を配置する。
【0031】
最後に、金型の型締め動作を実行し金型を加熱することで、溶融した顆粒樹脂により封止樹脂４０が形成され、組み立て体およびヒートシンク５０が封止樹脂４０により封止される。
【0032】
＜効果＞
以上のように、実施の形態に係る半導体装置１００は、ダイパッド１２，１３，１４およびダイパッド１２，１３，１４と電気的に接続された端子１１，１５を含むリードフレーム１０と、ダイパッド１２，１３，１４上に搭載された半導体素子１～４と、ダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に表面を向けた状態で配置されたヒートシンク５０と、端子１１，１５およびヒートシンク５０における表面とは反対側の裏面を露出させた状態で、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を封止する封止樹脂４０とを備えている。ヒートシンク５０は、上面視において、ヒートシンク５０の全体が封止樹脂４０と重なるように、封止樹脂４０の内側に配置され、ヒートシンク５０には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が設けられている。
以上のように、実施の形態に係る半導体装置１００は、ダイパッド１２，１３，１４およびダイパッド１２，１３，１４と電気的に接続された端子１１，１５を含むリードフレーム１０と、ダイパッド１２，１３，１４上に搭載された半導体素子１～４と、ダイパッド１２，１３，１４に対して半導体素子１～４とは反対側に表面を向けた状態で配置されたヒートシンク５０と、端子１１，１５およびヒートシンク５０における表面とは反対側の裏面を露出させた状態で、リードフレーム１０、半導体素子１～４、およびヒートシンク５０を封止する封止樹脂４０とを備えている。ヒートシンク５０は、上面視において、ヒートシンク５０の全体が封止樹脂４０と重なるように、封止樹脂４０の内側に配置され、ヒートシンク５０には、放熱フィン６０を取り付けるためのねじ穴５１が設けられている。
【0033】
したがって、ヒートシンク５０は封止樹脂４０内に収容されているため、上面視において、ヒートシンク５０が封止樹脂４０から突出しない。その結果、半導体装置１００の小型化を実現することができる。
【0034】
また、ねじ穴５１は、ヒートシンク５０の裏面側に設けられており、ヒートシンク５０を貫通していないため、ねじ締め時にねじ６１が封止樹脂４０に接触しない。これにより、封止樹脂４０にクラックが発生することを抑制できる。
【0035】
また、ねじ穴５１をヒートシンク５０の中央部、つまり、半導体装置１００の底面の中央部に設けることが可能となる。このようにねじ締め箇所の自由度が増すことから、放熱フィン６０の取り付けに必要なねじ６１の本数を削減することが可能となる。
【0036】
また、半導体素子１～４の材料は、ワイドバンドギャップ半導体を含んでいる。したがって、半導体素子１～４は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、半導体素子１～４の小型化が可能であり、小型化された半導体素子１～４が組み込まれた半導体装置１００の小型化も可能となる。また、半導体素子１～４の耐熱性が高いため、半導体装置１００に取り付けられる放熱フィン６０の小型化が可能になる。さらに半導体素子１～４の電力損失が低いため、半導体素子１～４の高効率化が可能であり、ひいては半導体装置１００の高効率化が可能となる。
【0037】
なお、半導体素子３，４の両方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることが望ましいが、いずれか一方がワイドバンドギャップ半導体よって形成されていてもよく、この場合にも上記の効果を得ることができる。
【0038】
＜実施の形態の変形例＞
次に、実施の形態の変形例について説明する。図９は、実施の形態の変形例に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す正面図である。図１０は、実施の形態の変形例に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す側面図である。
次に、実施の形態の変形例について説明する。図９は、実施の形態の変形例に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す正面図である。図１０は、実施の形態の変形例に係る半導体装置１００に放熱フィン６０を取り付けた状態を示す側面図である。
【0039】
図９と図１０に示すように、実施の形態の変形例では、ヒートシンク５０の厚みが実施の形態のヒートシンク５０よりも厚く形成されている。実施の形態の変形例におけるそれ以外の構成は、実施の形態の場合と同様である。
【0040】
ヒートシンク５０の裏面は、封止樹脂４０における放熱フィン６０と対向する面である封止樹脂４０の底面から突出している。具体的には、ヒートシンク５０の裏面側の部分は、封止樹脂４０の底面から突出している。また、実施の形態の場合と同様に、ヒートシンク５０の裏面は、封止樹脂４０の底面よりも面積が小さく形成されている。その結果、上面視において、ヒートシンク５０は封止樹脂４０から突出しないため、実施の形態の場合と同様に、半導体装置１００の小型化を実現することができる。
【0041】
２つのねじ穴５１は、ヒートシンク５０を貫通することなく、ヒートシンク５０の裏面から厚み方向の途中部まで設けられている。実施の形態の場合よりもヒートシンク５０の厚みが厚いため、実施の形態の場合よりも２つのねじ穴５１の深さも深くなる。これにより、実施の形態の場合よりも半導体装置１００と放熱フィン６０とを強固に接続することが可能となる。
【0042】
また、端子１１，１５には高電圧が印加されるため、端子１１，１５と放熱フィン６０との間には一定の絶縁距離が必要となるが、ヒートシンク５０の厚みを厚くすることで、絶縁距離を長くすることが可能となる。このとき、ヒートシンク５０の裏面を、封止樹脂４０の底面よりも面積を小さくすることで、絶縁距離をさらに長くすることが可能となる。
【0043】
なお、実施の形態を適宜、変形することが可能である。
【0044】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0045】
（付記１）
放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、
前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置。
放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、
前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置。
【0046】
（付記２）
前記ヒートシンクの前記第２主面は、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する面から突出し、かつ、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する前記面よりも面積が小さい、付記１に記載の半導体装置。
前記ヒートシンクの前記第２主面は、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する面から突出し、かつ、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する前記面よりも面積が小さい、付記１に記載の半導体装置。
【0047】
（付記３）
前記半導体素子の材料は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、付記１または付記２に記載の半導体装置。
前記半導体素子の材料は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、付記１または付記２に記載の半導体装置。
【0048】
（付記４）
前記ねじ穴は、前記ヒートシンクの前記第２主面側に設けられた、付記１から付記３のいずれかに記載の半導体装置。
前記ねじ穴は、前記ヒートシンクの前記第２主面側に設けられた、付記１から付記３のいずれかに記載の半導体装置。
【0049】
（付記５）
放熱フィンが取り付けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレーム、半導体素子、およびヒートシンクを準備する工程と、
前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し組み立て体を製作する工程と、
金型内に、前記組み立て体、および前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で前記ヒートシンクを配置する工程と、
前記金型内において、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記組み立て体および前記ヒートシンクを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置の製造方法。
放熱フィンが取り付けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレーム、半導体素子、およびヒートシンクを準備する工程と、
前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し組み立て体を製作する工程と、
金型内に、前記組み立て体、および前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で前記ヒートシンクを配置する工程と、
前記金型内において、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記組み立て体および前記ヒートシンクを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0050】
１，２，３，４ 半導体素子、１０ リードフレーム、１１，１５ 端子、１２，１３，１４ ダイパッド、４０ 封止樹脂、５０ ヒートシンク、５１ ねじ穴、６０ 放熱フィン、１００ 半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】