▶ ＨＯＹＡ株式会社の特許一覧 ▶ 韓国ホーヤ電子株式会社の特許一覧 ▶ 台湾豪雅光電股▲ふん▼有限公司の特許一覧 ▶ 重慶邁特光電有限公司の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024152280
(43)【公開日】2024-10-25
(54)【発明の名称】転写用マスク、および、表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/38 20120101AFI20241018BHJP
G03F 1/28 20120101ALI20241018BHJP
【ＦＩ】
G03F1/38
G03F1/28
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023066386
(22)【出願日】2023-04-14
(71)【出願人】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】507066644
【氏名又は名称】韓国ホーヤ電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＨＯＹＡ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＫＯＲＥＡ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】５５，Ｈｙｅｏｎｇｏｋｓａｎｄａｎ－ｒｏ，Ｃｈｅｏｎｇｂｕｋ－ｍｙｅｏｎ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(71)【出願人】
【識別番号】523117959
【氏名又は名称】台湾豪雅光電股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＨＯＹＡ ＭＩＣＲＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＡＩＷＡＮ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ３６， Ｋｅｄｕｎｇ ３ｒｄ Ｒｏａｄ， Ｓｃｉｅｎｃｅ－Ｂａｓｅｄ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ， Ｃｈｕｎａｎ， Ｍｉａｏｌｉ Ｃｏｕｎｔｙ ３５０， Ｔａｉｗａｎ
(71)【出願人】
【識別番号】523117960
【氏名又は名称】重慶邁特光電有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＯＮＧＱＩＮＧ ＭＡＳＴＥＫ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １０２１， ｆｌｏｏｒ １０， Ｎｏ． ３９， Ｙｏｎｇｈｅ Ｒｏａｄ， Ｙｕｚｕｉ ｔｏｗｎ， Ｊｉａｎｇ Ｂｅｉ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ， Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100145872
【弁理士】
【氏名又は名称】福岡 昌浩
(74)【代理人】
【識別番号】100091362
【弁理士】
【氏名又は名称】阿仁屋 節雄
(74)【代理人】
【識別番号】100161034
【弁理士】
【氏名又は名称】奥山 知洋
(74)【代理人】
【識別番号】100187632
【弁理士】
【氏名又は名称】橘高 英郎
(72)【発明者】
【氏名】橋本 憲尚
(72)【発明者】
【氏名】今敷 修久
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BA07
2H195BA12
2H195BB12
2H195BC05
2H195BC09
(57)【要約】
【課題】開口部および柱状部の周囲の傾斜角が小さいＰＤＬを実現することができる、転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透光部、第１透過部、第２透過部、および遮光部を含む転写用パターンを備えた転写用マスクであって、透光部は、透光性基板が露出したホール形状を有し、第１透過部は、透光部の外周に沿って、環状に設けられ、第２透過部は、第１透過部の外周に接して設けられ、露光光に対する第１透過部の透過率Ｔ１は、露光光に対する第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、遮光部は、第２透過部に隣接して設けられ、遮光部は、主パターンと、主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、主パターンと副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備えることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】透光性基板上に、透光部、第１透過部、第２透過部、および遮光部を含む転写用パターンを備えた転写用マスクであって、透光部は、透光性基板が露出したホール形状を有し、第１透過部は、透光部の外周に沿って、環状に設けられ、第２透過部は、第１透過部の外周に接して設けられ、露光光に対する第１透過部の透過率Ｔ１は、露光光に対する第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、遮光部は、第２透過部に隣接して設けられ、遮光部は、主パターンと、主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、主パターンと副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備えることを特徴とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性基板上に、透光部、第１透過部、第２透過部、および遮光部を含む転写用パターンを備えた転写用マスクであって、
前記透光部は、前記透光性基板が露出したホール形状を有し、
前記第１透過部は、前記透光部の外周に沿って、環状に設けられ、
前記第２透過部は、前記第１透過部の外周に接して設けられ、
露光光に対する前記第１透過部の透過率Ｔ１は、前記露光光に対する前記第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、
前記遮光部は、前記第２透過部に隣接して設けられ、
前記遮光部は、主パターンと、前記主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、前記主パターンと前記副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備える
ことを特徴とする転写用マスク。
前記透光部は、前記透光性基板が露出したホール形状を有し、
前記第１透過部は、前記透光部の外周に沿って、環状に設けられ、
前記第２透過部は、前記第１透過部の外周に接して設けられ、
露光光に対する前記第１透過部の透過率Ｔ１は、前記露光光に対する前記第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、
前記遮光部は、前記第２透過部に隣接して設けられ、
前記遮光部は、主パターンと、前記主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、前記主パターンと前記副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備える
ことを特徴とする転写用マスク。
【請求項2】
前記透過率Ｔ１と前記透過率Ｔ２との差ΔＴは、１０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項3】
前記透過率Ｔ１は、２０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項4】
前記透過率Ｔ２は、１０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項5】
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記露光光に対する光学濃度が２．０よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項6】
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第２透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記第２透過部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
前記第２透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記第２透過部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項7】
前記露光光は、３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長の光を含むことを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項8】
前記第１透過部は、前記透光性基板上に設けられた第１半透過膜からなり、
前記第２透過部は、前記透光性基板上に前記第１半透過膜と第２半透過膜とが順不同に積層されてなり、
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記透光性基板上に前記第１半透過膜、前記第２半透過膜および遮光膜が順不同に積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
前記第２透過部は、前記透光性基板上に前記第１半透過膜と第２半透過膜とが順不同に積層されてなり、
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記透光性基板上に前記第１半透過膜、前記第２半透過膜および遮光膜が順不同に積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の転写用マスク。
【請求項9】
前記第２半透過膜は、前記第１半透過膜および前記遮光膜とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることを特徴とする請求項８に記載の転写用マスク。
【請求項10】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の転写用マスクを準備する工程と、
基板上に、前記露光光に対して感光する感光性樹脂膜を形成する工程と、
露光装置を用いて前記転写用マスクを透過させた前記露光光を、前記感光性樹脂膜に照射し、前記転写用パターンを露光転写する工程と、
前記露光転写された前記感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
基板上に、前記露光光に対して感光する感光性樹脂膜を形成する工程と、
露光装置を用いて前記転写用マスクを透過させた前記露光光を、前記感光性樹脂膜に照射し、前記転写用パターンを露光転写する工程と、
前記露光転写された前記感光性樹脂膜に対して現像処理を行う工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項11】
前記現像処理後の前記感光性樹脂膜には開口部と柱状部とが形成され、
前記露光転写する工程では、前記開口部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成され、かつ、前記柱状部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成されるように、前記転写用パターンを露光転写することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
前記露光転写する工程では、前記開口部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成され、かつ、前記柱状部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成されるように、前記転写用パターンを露光転写することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、転写用マスク、および、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、露光により、複数の異なる残膜値をもつレジストパターンを被転写体上に形成するために、透光部、遮光部、および半透光部を含む転写用パターンをもつ、表示装置製造用のフォトマスクが開示されている。このフォトマスクにおいて、透光部は、透明基板が露出してなり、遮光部は、透明基板上に少なくとも遮光膜が形成された完全遮光部と、完全遮光部の外縁に接して形成され、透明基板上に半透光性のリム形成膜が形成されてなる幅γのリム部とを有する。半透光部は、遮光部に挟まれ、透明基板が、所定幅αで露出してなり、幅αは、半透光部の露光光透過率が、透光部の露光光透過率よりも小さくなるように設定されている。リム形成膜は、露光光の代表波長の光に対する透過率Ｔｒが５～６０（％）、かつ代表波長の光に対する位相シフト量が９０度以下である。
【0003】
また、特許文献２には、表示領域に画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置であって、各画素に配置された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の縁を囲み、隣接する画素間に配置された分離層と、表示領域の全面を覆うことで有機ＥＬ層を封止する樹脂層と、樹脂層の縁を囲む枠状バンクと、を含み、分離層のテーパー角度と、枠状バンクのテーパー角度とが異なっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２０－１４０２０７号公報
【特許文献2】国際公開第２０１８／０６１１９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
スマートフォン、タブレット、テレビ等、薄型ディスプレイを有する表示装置において、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置を用いた製品が多く開発されている。一般に、有機ＥＬ表示装置には、発光素子の画素間を分割するため、画素分割層（ＰＤＬ、Pixel Defining Layer）という絶縁層が形成される。
【0006】
本発明の一実施形態は、開口部および柱状部の周囲の傾斜角が小さいＰＤＬを実現することができる、転写用マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第１の態様は、
透光性基板上に、透光部、第１透過部、第２透過部、および遮光部を含む転写用パターンを備えた転写用マスクであって、
前記透光部は、前記透光性基板が露出したホール形状を有し、
前記第１透過部は、前記透光部の外周に沿って、環状に設けられ、
前記第２透過部は、前記第１透過部の外周に接して設けられ、
露光光に対する前記第１透過部の透過率Ｔ１は、前記露光光に対する前記第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、
前記遮光部は、前記第２透過部に隣接して設けられ、
前記遮光部は、主パターンと、前記主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、前記主パターンと前記副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備える
ことを特徴とする転写用マスクである。
透光性基板上に、透光部、第１透過部、第２透過部、および遮光部を含む転写用パターンを備えた転写用マスクであって、
前記透光部は、前記透光性基板が露出したホール形状を有し、
前記第１透過部は、前記透光部の外周に沿って、環状に設けられ、
前記第２透過部は、前記第１透過部の外周に接して設けられ、
露光光に対する前記第１透過部の透過率Ｔ１は、前記露光光に対する前記第２透過部の透過率Ｔ２よりも高く、
前記遮光部は、前記第２透過部に隣接して設けられ、
前記遮光部は、主パターンと、前記主パターンの外周の少なくとも一部に設けられ、解像しない線幅を有する副パターンと、前記主パターンと前記副パターンとの間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターンとを備える
ことを特徴とする転写用マスクである。
【0008】
本発明の第２の態様は、
前記透過率Ｔ１と前記透過率Ｔ２との差ΔＴは、１０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記透過率Ｔ１と前記透過率Ｔ２との差ΔＴは、１０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0009】
本発明の第３の態様は、
前記透過率Ｔ１は、２０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記透過率Ｔ１は、２０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0010】
本発明の第４の態様は、
前記透過率Ｔ２は、１０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記透過率Ｔ２は、１０％以上であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0011】
本発明の第５の態様は、
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記露光光に対する光学濃度が２．０よりも大きいことを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記露光光に対する光学濃度が２．０よりも大きいことを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0012】
本発明の第６の態様は、
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第２透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記第２透過部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第２透過部を透過した前記露光光と、前記透光部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、
前記第１透過部を透過した前記露光光と、前記第２透過部を透過した前記露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0013】
本発明の第７の態様は、
前記露光光は、３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長の光を含むことを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記露光光は、３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長の光を含むことを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0014】
本発明の第８の態様は、
前記第１透過部は、前記透光性基板上に設けられた第１半透過膜からなり、
前記第２透過部は、前記透光性基板上に前記第１半透過膜と第２半透過膜とが順不同に積層されてなり、
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記透光性基板上に前記第１半透過膜、前記第２半透過膜および遮光膜が順不同に積層されてなることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
前記第１透過部は、前記透光性基板上に設けられた第１半透過膜からなり、
前記第２透過部は、前記透光性基板上に前記第１半透過膜と第２半透過膜とが順不同に積層されてなり、
前記主パターンおよび前記副パターンは、前記透光性基板上に前記第１半透過膜、前記第２半透過膜および遮光膜が順不同に積層されてなることを特徴とする上記第１の態様に記載の転写用マスクである。
【0015】
本発明の第９の態様は、
前記第２半透過膜は、前記第１半透過膜および前記遮光膜とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることを特徴とする上記第８の態様に記載の転写用マスクである。
前記第２半透過膜は、前記第１半透過膜および前記遮光膜とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることを特徴とする上記第８の態様に記載の転写用マスクである。
【0016】
本発明の第１０の態様は、
上記第１から上記第９の態様のいずれか１つに記載の転写用マスクを準備する工程と、
基板上に、前記露光光に対して感光する感光性樹脂膜を形成する工程と、
露光装置を用いて前記転写用マスクを透過させた前記露光光を、前記感光性樹脂膜に照射し、前記転写用パターンを露光転写する工程と、
前記露光転写された前記感光性樹脂膜に対して、現像処理を行う工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
上記第１から上記第９の態様のいずれか１つに記載の転写用マスクを準備する工程と、
基板上に、前記露光光に対して感光する感光性樹脂膜を形成する工程と、
露光装置を用いて前記転写用マスクを透過させた前記露光光を、前記感光性樹脂膜に照射し、前記転写用パターンを露光転写する工程と、
前記露光転写された前記感光性樹脂膜に対して、現像処理を行う工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。
【0017】
本発明の第１１の態様は、
前記現像処理後の前記感光性樹脂膜には開口部と柱状部とが形成され、
前記露光転写する工程では、前記開口部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成され、かつ、前記柱状部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成されるように、前記転写用パターンを露光転写することを特徴とする上記第１０の態様に記載の表示装置の製造方法である。
前記現像処理後の前記感光性樹脂膜には開口部と柱状部とが形成され、
前記露光転写する工程では、前記開口部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成され、かつ、前記柱状部の周囲に、断面の傾斜角が３０度以下である傾斜部が形成されるように、前記転写用パターンを露光転写することを特徴とする上記第１０の態様に記載の表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【0018】
本発明の一実施形態によれば、開口部および柱状部の周囲の傾斜角が小さいＰＤＬを実現することができる、転写用マスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【発明を実施するための形態】
【0020】
＜発明者の得た知見＞
まず、発明者が得た知見について説明する。図１２は、有機ＥＬ表示装置のＰＤＬの断面模式図である。ＰＤＬは、例えば、感光性ポリイミドからなり、図１２に示すように、発光層を形成するための開口部２００と、発光層を形成する際のマスクを支えるための柱状部２０２と、開口部２００と柱状部２０２との中間の高さの平坦部２０３と、を備えている。開口部２００の周囲には傾斜角θの第１傾斜部２０１が形成され、柱状部２０２の周囲には傾斜角φの第２傾斜部２０４が形成されている。
まず、発明者が得た知見について説明する。図１２は、有機ＥＬ表示装置のＰＤＬの断面模式図である。ＰＤＬは、例えば、感光性ポリイミドからなり、図１２に示すように、発光層を形成するための開口部２００と、発光層を形成する際のマスクを支えるための柱状部２０２と、開口部２００と柱状部２０２との中間の高さの平坦部２０３と、を備えている。開口部２００の周囲には傾斜角θの第１傾斜部２０１が形成され、柱状部２０２の周囲には傾斜角φの第２傾斜部２０４が形成されている。
【0021】
ＰＤＬの開口部２００に発光層を形成した後、発光効率を維持するために、ポリイミド等の封止材によって発光層を封止する必要がある。この際、封止材の濡れ広がり、および、封止材の平坦性を改善することで、製造歩留まりを向上させることができる。したがって、ＰＤＬの第１傾斜部２０１の傾斜角θおよび第２傾斜部２０４の傾斜角φは、小さいことが好ましい。具体的には、傾斜角θおよび傾斜角φは、例えば、３０度以下であることが好ましく、２０度以下であることがより好ましい。また、傾斜角θおよび傾斜角φの下限値は、特に限定されないが、平坦部２０３の厚みを十分（例えば、０．８μｍ以上１．５μｍ以下）に確保しやすくする観点から、１０度以上であることが好ましい。
【0022】
次に、本発明の一実施形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0023】
＜本発明の第１実施形態＞
（１）転写用マスク１の構成
まず、本実施形態の転写用マスク１の構成について説明する。図１は、本実施形態の転写用マスク１を模式的に示す平面図であり、図２は、図１のＡ－Ａ線の断面模式図である。図１に示すように、本実施形態の転写用マスク１は、透光性基板１００上に、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０とを含む転写用パターンを備えている。本実施形態の転写用マスク１は、例えば、有機ＥＬ表示装置のＰＤＬを形成するために用いることができる。特に、本実施形態の転写用マスク１は、ＰＤＬの開口部２００と柱状部２０２とを同時に形成することができる。
（１）転写用マスク１の構成
まず、本実施形態の転写用マスク１の構成について説明する。図１は、本実施形態の転写用マスク１を模式的に示す平面図であり、図２は、図１のＡ－Ａ線の断面模式図である。図１に示すように、本実施形態の転写用マスク１は、透光性基板１００上に、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０とを含む転写用パターンを備えている。本実施形態の転写用マスク１は、例えば、有機ＥＬ表示装置のＰＤＬを形成するために用いることができる。特に、本実施形態の転写用マスク１は、ＰＤＬの開口部２００と柱状部２０２とを同時に形成することができる。
【0024】
透光部１０は、透光性基板１００が露出しているホール形状の領域である。図１においては、一例として、透光部１０が四角形（長方形）のホール形状である場合を示しているが、例えば、円形や四角形以外の多角形のホール形状であってもよい。透光部１０は、ＰＤＬを形成する際、ＰＤＬの開口部２００に相当する領域であり、その大きさは特に限定されず、製造する表示装置の設計に応じて決定すればよい。なお、本明細書において、転写用マスク１を露光する露光光（以下、単に露光光ともいう）に対する透過率とは、透光部１０（つまり、透光性基板１００）を基準（１００％）としたものである。
【0025】
第１透過部２０は、図１に示すように、透光部１０の外周に沿って、環状に設けられた領域である。なお、本明細書において、「環状」とは円形だけでなく、四角形等の多角形のホールを囲む形状も含むものとする。第１透過部２０は、露光光を一部透過するように構成されている。第１透過部２０は、ＰＤＬを形成する際、ＰＤＬの開口部２００の周囲に位置する第１傾斜部２０１の傾斜角θを小さくするために必要な領域である。なお、第１透過部２０は、透光部１０の外周のすべてを囲むことが好ましいが、発明の効果が得られる範囲であれば、第１透過部２０は、環状の領域の一部が欠けた形状（欠けた部分は第２透過部３０の一部になる。）であってもよい。また、第１透過部２０は、透光部１０の外周の８０％以上を囲んでいれば、一部が欠けていても環状に設けられているというものとする。第１透過部２０は、透光部１０の外周の９０％以上を囲むことが好ましく、１００％（全周）を囲むとより好ましい。
【0026】
第２透過部３０は、図１に示すように、第１透過部２０の外周に接するように設けられた領域である。第２透過部３０は、ＰＤＬを形成する際、ＰＤＬの平坦部２０３に相当する領域である。また、第２透過部３０は、図１に示すように、透光部１０、第１透過部２０、第２透過部３０、遮光部４０の中で、最も大きな面積を有する領域である。
【0027】
遮光部４０は、図１に示すように、第２透過部３０に隣接するように設けられた領域であり、主パターン４１と、主パターン４１の外周の少なくとも一部（本実施形態では環状）に設けられ、解像しない線幅を有する副パターン４２と、主パターン４１と副パターン４２との間に設けられ、解像しない線幅を有するスリットパターン４３とを備えている。遮光部４０は、ＰＤＬを形成する際、ＰＤＬの柱状部２０２に相当する領域であり、副パターン４２およびスリットパターン４３は、ＰＤＬの柱状部２０２の周囲に位置する第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくするために必要な領域である。主パターン４１および副パターン４２は、実質的に露光光が透過しない（遮光される。例えば、露光光に対する光学濃度ＯＤが２．０より大きい。好ましくはＯＤが２．５以上、より好ましくはＯＤが３．０以上）ように構成されており、スリットパターン４３は、露光光を一部透過するように構成されている。なお、副パターン４２は、主パターン４１の外周の８０％以上を囲むことが好ましく、９０％以上を囲むことがより好ましく、１００％（全周）を囲むとさらに好ましい。
【0028】
転写用マスク１において、第１透過部２０の透過率Ｔ１は、第２透過部３０の透過率Ｔ２よりも高くなっている。これにより、ＰＤＬを形成する際、開口部２００の周囲に位置する第１傾斜部２０１の傾斜角θを小さくすることができる。
【0029】
転写用マスク１は、透光部１０、第１透過部２０、および第２透過部３０のそれぞれを透過する露光光間の位相差によって、露光光の光量が減衰する現象の発生が抑制されていることが好ましい。具体的には、第１透過部２０を透過した露光光と、透光部１０を透過した露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、かつ、第２透過部３０を透過した露光光と、透光部１０を透過した露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であり、かつ、第１透過部２０を透過した露光光と、第２透過部３０を透過した露光光との位相差の絶対値は、９０度以下であることが好ましい。転写用マスク１の透光部１０、第１透過部２０、および第２透過部３０のそれぞれを透過する露光光間の位相差が上記の各範囲を超える場合、ＰＤＬの第１傾斜部２０１の傾斜角θが大きくなってしまう可能性がある。これに対し、転写用マスク１の透光部１０、第１透過部２０、および第２透過部３０のそれぞれを透過する露光光間の位相差が上記の各範囲内とすることで、第１傾斜部２０１の傾斜角θを小さくすることが可能となる。第１透過部２０を透過した露光光と、透光部１０を透過した露光光との位相差の絶対値は、８０度以下であるとより好ましく、６０度以下であるとさらに好ましい。第２透過部３０を透過した露光光と、透光部１０を透過した露光光との位相差の絶対値は、８０度以下であるとより好ましく、６０度以下であるとさらに好ましい。第１透過部２０を透過した露光光と、第２透過部３０を透過した露光光との位相差の絶対値は、８０度以下であるとより好ましく、６０度以下であるとさらに好ましい。
【0030】
第１透過部２０の幅Ｄ（つまり、透光部１０と第１透過部２０との境界と、第１透過部２０と第２透過部３０との境界との間の距離）は、例えば、１．５μｍ以上であることが好ましい。幅Ｄが１．５μｍ未満では、第１傾斜部２０１の傾斜角θを十分に小さくできない可能性がある。これに対し、幅Ｄを１．５μｍ以上とすることで、第１傾斜部２０１の傾斜角θを十分に小さくすることができる。幅Ｄは、１．５μｍよりも大きいことがより好ましく、１．７μｍ以上であるとさらに好ましい。一方、幅Ｄは、１０μｍ以下であることが好ましい。幅Ｄが１０μｍを超えると、第１透過部２０と遮光部４０とが接触、または近接しすぎる可能性がある。これに対し、幅Ｄを１０μｍ以下とすることで、第１透過部２０と遮光部４０との間隔を十分に確保することができる。幅Ｄは、７μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であるとさらに好ましい。幅Ｄが５μｍを超えると、第１傾斜部２０１の傾斜角θを小さくする効果が飽和する可能性がある。
【0031】
第１透過部２０の幅Ｄは、略一定の値（例えば、平均値±５％の範囲内）であることが好ましい。例えば、透光部１０の中心からの方向によって、幅Ｄが異なる値となっている場合、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θが該方向によって異なってしまう可能性がある。これに対し、幅Ｄを略一定の値とすることで、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θを略一定の値にすることができる。これにより、表示装置を製造する際の歩留まりをより向上させることができる。
【0032】
遮光部４０における、副パターン４２の線幅Ｄ１およびスリットパターン４３の線幅Ｄ２は、例えば、それぞれ０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。Ｄ１およびＤ２が０．５μｍ未満では、副パターン４２とスリットパターン４３を遮光部４０に形成し難い。これに対し、Ｄ１およびＤ２を０．５μｍ以上とすることで、副パターン４２とスリットパターン４３を遮光部４０に形成しやすくなり、第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくする効果が得られやすい。一方、Ｄ１およびＤ２が２．０μｍを超えると、第１透過部２０と遮光部４０とが接触、または近接しすぎる可能性がある。これに対し、Ｄ１およびＤ２を２．０μｍ以下とすることで、第１透過部２０と遮光部４０との間隔を十分に確保することができる。また、この転写用マスク１を用いて、表示装置を構成する基板上にＰＤＬを形成するときに行われる、感光性樹脂に対する転写用マスク１の転写パターンの露光転写を行ったときに、副パターン４２とスリットパターン４３が、その感光性樹脂上で解像しないようにすることができる。
【0033】
副パターン４２の線幅Ｄ１に対するスリットパターン４３の線幅Ｄ２の割合（Ｄ２／Ｄ１）は、例えば、０．５以上１．５以下であることが好ましく、０．８以上１．２以下であることがより好ましい。これにより、第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくする効果が得られやすくなる。
【0034】
副パターン４２の線幅Ｄ１およびスリットパターン４３の線幅Ｄ２は、それぞれ略一定の値（例えば、平均値±５％の範囲内）であることが好ましい。例えば、遮光部４０の中心からの方向によって、線幅Ｄ１または線幅Ｄ２が異なる値となっている場合、ＰＤＬを形成する際、第２傾斜部２０４の傾斜角φが該方向によって異なってしまう可能性がある。これに対し、線幅Ｄ１および線幅Ｄ２をそれぞれ略一定の値とすることで、ＰＤＬを形成する際、第２傾斜部２０４の傾斜角φを略一定の値にすることができる。これにより、表示装置を製造する際の歩留まりをより向上させることができる。
【0035】
第１透過部２０の透過率Ｔ１［％］と第２透過部３０の透過率Ｔ２［％］との差ΔＴ［％］（＝Ｔ１－Ｔ２）は、例えば、１０％以上であることが好ましい。透過率差ΔＴが１０％未満では、第１傾斜部２０１の傾斜角θを十分に小さくできない可能性がある。これに対し、透過率差ΔＴを１０％以上とすることで、第１傾斜部２０１の傾斜角θを十分に小さくすることができる。一方、透過率差ΔＴは３０％以下とすることが好ましく、２５％以下であるとより好ましい。透過率差ΔＴが２５％を超えると、第１傾斜部２０１の傾斜角θを小さくする効果が得られにくくなる可能性がある。これに対し、透過率差ΔＴを２５％以下とすることで、第１傾斜部２０１の傾斜角θを十分に小さくすることができる。
【0036】
第１透過部２０の幅Ｄ［μｍ］と、透過率Ｔ１［％］と透過率Ｔ２［％］との差ΔＴ［％］は、例えば、Ｄ≧－３．１４×ΔＴ／１００＋２．３２の関係を満たすことが好ましい。これにより、第１傾斜部２０１の傾斜角θをより小さく（例えば、３０度以下に）することができる。上記関係式については、後述の実施例において詳細を説明する。
【0037】
第１透過部２０の透過率Ｔ１は、２０％以上であることが好ましく、３０％以上であるとより好ましく、３０％よりも大きいとさらに好ましい。一方、透過率Ｔ１は、６０％以下であることが好ましく、５０％以下であるとより好ましい。
第２透過部３０の透過率Ｔ２は、１０％以上であると好ましく、１５％以上であるとより好ましく、２０％以上であるとさらに好ましい。一方、透過率Ｔ２は、４０％以下であると好ましく、３０％以下であるとより好ましい。
スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、１０％以上であると好ましく、１５％以上であるとより好ましく、２０％以上であるとさらに好ましい。一方、スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、透光部１０の透過率以下であることが好ましい。
また、スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、第２透過部３０の透過率Ｔ２と同じあるいはそれ以上であることが好ましい。
第２透過部３０の透過率Ｔ２は、１０％以上であると好ましく、１５％以上であるとより好ましく、２０％以上であるとさらに好ましい。一方、透過率Ｔ２は、４０％以下であると好ましく、３０％以下であるとより好ましい。
スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、１０％以上であると好ましく、１５％以上であるとより好ましく、２０％以上であるとさらに好ましい。一方、スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、透光部１０の透過率以下であることが好ましい。
また、スリットパターン４３の透過率Ｔ３は、第２透過部３０の透過率Ｔ２と同じあるいはそれ以上であることが好ましい。
【0038】
露光光とは、表示装置製造用の露光装置が備える光源が照射する光である。本実施形態の露光光は、例えば、３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長の光を含む。露光光としては、単一波長光（例えば、波長が３６５ｎｍのｉ線）を用いてもよいし、複数の波長を含むブロード波長光を用いても良い。なお、本明細書における、透過率や位相差は、露光光が単一波長からなる場合はその波長に対するものとし、ブロード波長光を用いる場合は、３１３ｎｍ以上４３６ｎｍ以下の波長域に含まれるいずれかの波長（代表波長）に対するものとする。
【0039】
第１透過部２０は、例えば、透光性基板１００上に設けられた第１半透過膜１０１からなり、第２透過部３０は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２とが順不同に積層されてなることが好ましい。特に、図２に示すように、第２透過部３０は、透光性基板１００上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上に第１半透過膜１０１が形成されてなることがより好ましい。この構成により、第１透過部２０の透過率Ｔ１は、第１半透過膜１０１が有する透過率ＨＴ１と等しくなる。一方、第２透過部３０の透過率Ｔ２は、第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２の積層構造での透過率となる。第２半透過膜１０２の透過率ＨＴ２は、第２透過部３０の透過率Ｔ２と第１半透過膜１０１の透過率ＨＴ１から、光学設計する必要がある。
【0040】
主パターン４１および副パターン４２は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２、および、遮光性を有する遮光膜１０３が順不同に積層されてなることが好ましい。特に、図２に示すように、透光性基板１００上に遮光膜１０３が形成され、遮光膜１０３上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上に第１半透過膜１０１が形成されてなることがより好ましい。この構成により、図２に示すような転写用マスク１の製造を容易に行うことができる。主パターン４１および副パターン４２は、クロム系材料や金属シリサイド系材料で形成してもよい。
また、スリットパターン４３は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２とが順不同に積層されてなることが好ましい。特に、図２に示すように、スリットパターン４３は、透光性基板１００上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上に第１半透過膜１０１が形成されてなることがより好ましい。この構成により、スリットパターン４３の透過率は、第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２の積層構造での透過率（つまり、第２透過部３０と同じ透過率）となる。なお、スリットパターン４３は、第１半透過膜１０１のみ、あるいは第２半透過膜１０２のみで構成されていてもよく、透光性基板１００上に、いずれの薄膜も形成されていない構成としてもよい。
また、スリットパターン４３は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２とが順不同に積層されてなることが好ましい。特に、図２に示すように、スリットパターン４３は、透光性基板１００上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上に第１半透過膜１０１が形成されてなることがより好ましい。この構成により、スリットパターン４３の透過率は、第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２の積層構造での透過率（つまり、第２透過部３０と同じ透過率）となる。なお、スリットパターン４３は、第１半透過膜１０１のみ、あるいは第２半透過膜１０２のみで構成されていてもよく、透光性基板１００上に、いずれの薄膜も形成されていない構成としてもよい。
【0041】
第１半透過膜１０１の膜厚ｄ１は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であるとより好ましい。また、膜厚ｄ１は、８０ｎｍ以下であることが好ましく、６０ｎｍ以下であるとより好ましい。
第２半透過膜１０２の膜厚ｄ２は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であるとより好ましい。また、膜厚ｄ２は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、４０ｎｍ以下であるとより好ましい。
遮光膜１０３の膜厚ｄ３は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であるとより好ましく、１００ｎｍ以上であるとさらに好ましい。また、膜厚ｄ３は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以下であるとより好ましく、１５０ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
第２半透過膜１０２の膜厚ｄ２は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であるとより好ましい。また、膜厚ｄ２は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、４０ｎｍ以下であるとより好ましい。
遮光膜１０３の膜厚ｄ３は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であるとより好ましく、１００ｎｍ以上であるとさらに好ましい。また、膜厚ｄ３は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以下であるとより好ましく、１５０ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
【0042】
第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２および遮光膜１０３は、クロム（Ｃｒ）、又は、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つを含有する材料（クロム系材料）で形成してもよい。このクロム系材料としては、例えば、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＦ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＣＯＮＦが挙げられる。一方、第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２および遮光膜１０３は、金属およびケイ素からなる材料、または金属およびケイ素に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうちの少なくともいずれか１つを含有する材料（金属シリサイド系材料）で形成してもよい。金属シリサイドの金属としては、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などの遷移金属が好適である。金属シリサイド系材料における金属とケイ素の合計含有量（Ｍ＋Ｓｉ）［原子％］に対する金属の含有量［原子％］の比率（以下、「Ｍ／［Ｍ＋Ｓｉ］比率」という。）は、０．５以下であることが好ましく、１／３以下であるとより好ましく、０．３以下であるとさらに好ましい。一方、Ｍ／［Ｍ＋Ｓｉ］比率は、０．０５以上であると好ましく、０．１以上であるとより好ましい。
【0043】
第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることが好ましい。この構成により、図２に示すような転写用マスク１の製造を容易に行うことができる。例えば、クロム系材料の薄膜と金属シリサイド系の薄膜は、互いにエッチング選択性を有する。第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２のうち、いずれか一方をクロム系材料で形成し、他方を金属シリサイド系材料で形成することで上記の効果を得ることができる。
第２半透過膜１０２と遮光膜１０３とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることが好ましい。この構成により、図２に示すような転写用マスク１の製造を容易に行うことができる。例えば、第２半透過膜１０２と遮光膜１０３のうち、いずれか一方をクロム系材料で形成し、他方を金属シリサイド系材料で形成することで上記の効果を得ることができる。
つまり、第２半透過膜１０２は、第１半透過膜１０１および遮光膜１０３とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることがより好ましい。
第２半透過膜１０２と遮光膜１０３とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることが好ましい。この構成により、図２に示すような転写用マスク１の製造を容易に行うことができる。例えば、第２半透過膜１０２と遮光膜１０３のうち、いずれか一方をクロム系材料で形成し、他方を金属シリサイド系材料で形成することで上記の効果を得ることができる。
つまり、第２半透過膜１０２は、第１半透過膜１０１および遮光膜１０３とは、互いにエッチング選択性を有する材料からなることがより好ましい。
【0044】
透光性基板１００は、露光光に対して透明である。透光性基板１００は、表面反射ロスが無いとしたときに、露光光に対して８５％以上の透過率、好ましくは９０％以上の透過率を有するものである。透光性基板１００は、ケイ素と酸素を含有する材料からなり、合成石英ガラス、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス（ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等）などのガラス材料で構成することができる。表示装置用途で使用される転写用マスクの透光性基板１００は、一般に矩形状の基板であって、該透光性基板の短辺の長さは３００ｍｍ以上であるものが使用される。
【0045】
（２）転写用マスク１の製造方法
次に、本実施形態の転写用マスク１の製造方法について、図３（ａ）～図３（ｅ）を用いながら説明する。本実施形態の転写用マスク１は、例えば、以下に説明する方法によって製造することができる。
次に、本実施形態の転写用マスク１の製造方法について、図３（ａ）～図３（ｅ）を用いながら説明する。本実施形態の転写用マスク１は、例えば、以下に説明する方法によって製造することができる。
【0046】
まず、透光性基板１００上に遮光膜１０３を成膜する。成膜方法は、公知の手段（例えば、スパッタリング法による成膜。）を適用できる。
【0047】
透光性基板１００上に遮光膜１０３を成膜した後、図３（ａ）に示すように、遮光部４０の形状に合わせて、遮光膜１０３をパターニングする。パターニングは、公知の手段（例えば、遮光部４０のパターンを有するレジスト膜を遮光膜１０３上に設け、レジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、遮光膜１０３に遮光部４０のパターンを形成する。）を適用できる。
【0048】
遮光膜１０３をパターニングした後、図３（ｂ）に示すように、透光性基板１００および遮光膜１０３上に、第２半透過膜１０２を成膜する。成膜方法は、公知の手段（例えば、スパッタリング法による成膜。）を適用できる。
【0049】
第２半透過膜１０２を成膜した後、図３（ｃ）に示すように、第１透過部２０および透光部１０の形状に合わせて、第２半透過膜１０２をパターニングする。パターニングは、公知の手段（例えば、第１透過部２０および透光部１０のパターンを有するレジスト膜を第２半透過膜１０２上に設け、そのレジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、第２半透過膜１０２に第１透過部２０および透光部１０のパターンを形成する。）を適用できる。
【0050】
第２半透過膜１０２をパターニングした後、図３（ｄ）に示すように、透光性基板１００および第２半透過膜１０２上に、第１半透過膜１０１を成膜する。成膜方法は、公知の手段（例えば、スパッタリング法による成膜。）を適用できる。
【0051】
第１半透過膜１０１を成膜した後、図３（ｅ）に示すように、透光部１０の形状に合わせて、第１半透過膜１０１をパターニングする。パターニングは、公知の手段（例えば、透光部１０のパターンを有するレジスト膜を第１半透過膜１０１上に設け、そのレジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、第１半透過膜１０１に透光部１０のパターンを形成する。）を適用できる。
【0052】
以上の方法により、本実施形態の転写用マスク１を製造することができる。本実施形態の転写用マスク１は、第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２および遮光膜１０３を同じエッチャントでエッチングされる材料で形成することができる。なお、転写用マスク１の効果を損なわない範囲で、上述の説明以外の付加的な膜を形成しても構わない。
【0053】
（３）表示装置の製造方法
本発明は、有機ＥＬ等の表示装置の製造方法としても適用可能である。本実施形態の表示装置の製造方法は、例えば、本実施形態の転写用マスク１を準備する工程と、基板上に、露光光に対して感光する感光性樹脂膜（例えば、感光性ポリイミドからなる薄膜）を形成する工程と、露光装置を用いて転写用マスク１を透過させた露光光を、感光性樹脂膜に照射し、転写用パターンを露光転写する工程と、露光転写された感光性樹脂膜に対して、現像処理を行う工程と、を有する、表示装置の製造方法である。
本発明は、有機ＥＬ等の表示装置の製造方法としても適用可能である。本実施形態の表示装置の製造方法は、例えば、本実施形態の転写用マスク１を準備する工程と、基板上に、露光光に対して感光する感光性樹脂膜（例えば、感光性ポリイミドからなる薄膜）を形成する工程と、露光装置を用いて転写用マスク１を透過させた露光光を、感光性樹脂膜に照射し、転写用パターンを露光転写する工程と、露光転写された感光性樹脂膜に対して、現像処理を行う工程と、を有する、表示装置の製造方法である。
【0054】
本実施形態の表示装置の製造方法において、転写用パターンを露光転写する工程では、現像処理後の感光性樹脂膜の開口部２００の周囲に、断面の傾斜角θが３０度以下（より好ましくは２０度以下）である第１傾斜部２０１が形成され、かつ、柱状部２０２の周囲に、断面の傾斜角φが３０度以下（より好ましくは２０度以下）である第２傾斜部２０４が形成されるように、転写用パターンを露光転写することが好ましい。上述したように、転写用マスク１は、傾斜角θおよび傾斜角φを小さくするための構成を有しているため、露光装置や露光条件を適切に選択することで、傾斜角θおよび傾斜角φを３０度以下（または２０度以下）とすることが可能である。これにより、表示装置を製造する際の歩留まりをさらに向上させることができる。
【0055】
本実施形態の転写用マスク１は、傾斜角θを小さくするための構成として、透光部１０と第２透過部３０の間に、第２透過部３０よりも透過率の高い第１透過部２０を環状に設けた構成を用い、傾斜角φを小さくするための構成として、副パターン４２とスリットパターン４３の微細スリット構造をそれぞれ用いている。
傾斜角θを小さくするために、透光部１０の外周に微細スリット構造を用いることを考えた場合、その副パターンとスリットパターンの幅は、副パターン４２の幅Ｄ１およびスリットパターン４３の幅Ｄ２よりも大幅に小さくする必要がある。また、第２透過部３０を形成する薄膜の厚さ（第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２の合計の厚さ）は、遮光膜１０３に比べて薄く、ウェットエッチングによるパターニングの制御が難しい。これらの事情から、ウェットエッチングによって、そのような小さい線幅を精度よく形成することは困難である。このため、傾斜角θを小さくするための構成は、上述のように第１透過部２０を設ける（例えば、第１半透過膜１０１のような透過率の高い薄膜を設ける）構成とする方がよい。
傾斜角θを小さくするために、透光部１０の外周に微細スリット構造を用いることを考えた場合、その副パターンとスリットパターンの幅は、副パターン４２の幅Ｄ１およびスリットパターン４３の幅Ｄ２よりも大幅に小さくする必要がある。また、第２透過部３０を形成する薄膜の厚さ（第１半透過膜１０１と第２半透過膜１０２の合計の厚さ）は、遮光膜１０３に比べて薄く、ウェットエッチングによるパターニングの制御が難しい。これらの事情から、ウェットエッチングによって、そのような小さい線幅を精度よく形成することは困難である。このため、傾斜角θを小さくするための構成は、上述のように第１透過部２０を設ける（例えば、第１半透過膜１０１のような透過率の高い薄膜を設ける）構成とする方がよい。
【0056】
一方、傾斜角φを小さくする構成として、第２透過部３０と遮光部４０の間に第２透過部３０と遮光部４０の間の透過率を有する第３の透過部を設けることを考えた場合、第３の透過部を形成するために、第２透過部３０を形成する薄膜（第２半透過膜１０２）と遮光部４０を形成する遮光膜１０３との間に第３の半透過膜を設ける必要が生じる。この場合、透光性基板１００上の薄膜の積層構造がより複雑になり（４つの薄膜の積層構造）、転写用マスクを精度よく製造することが難しくなる。他方、傾斜角φを小さくする構成として設ける副パターン４２の幅Ｄ１とスリットパターン４３の幅Ｄ２は、比較的に大きくすることができ、ウェットエッチングでも遮光膜１０３に精度よく形成することができる。このため、傾斜角φを小さくするための構成は、副パターン４２とスリットパターン４３の微細スリット構造とする方がよい。
以上のように、本実施形態の転写用マスク１は、傾斜角θを小さくするための構成と傾斜角φを小さくするための構成を、それぞれに好適なものを使い分けることにより、ＰＤＬの傾斜角θおよび傾斜角φを高精度に制御することができる。
以上のように、本実施形態の転写用マスク１は、傾斜角θを小さくするための構成と傾斜角φを小さくするための構成を、それぞれに好適なものを使い分けることにより、ＰＤＬの傾斜角θおよび傾斜角φを高精度に制御することができる。
【0057】
（４）第１実施形態の変形例
上述の実施形態は、必要に応じて、以下に示す変形例のように変更することができる。以下、上述の実施形態と異なる要素についてのみ説明し、上述の実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
上述の実施形態は、必要に応じて、以下に示す変形例のように変更することができる。以下、上述の実施形態と異なる要素についてのみ説明し、上述の実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【0058】
（４－１）第１実施形態の変形例１
図４は、本変形例１の転写用マスク２の断面模式図である。本変形例１の転写用マスク２も、上述の第１実施形態と同様に、透光性基板１００上に転写用パターンを備えており、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０と、を有している。したがって、本変形例１の転写用マスク２も、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θおよび第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくすることができる。
図４は、本変形例１の転写用マスク２の断面模式図である。本変形例１の転写用マスク２も、上述の第１実施形態と同様に、透光性基板１００上に転写用パターンを備えており、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０と、を有している。したがって、本変形例１の転写用マスク２も、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θおよび第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくすることができる。
【0059】
図４に示すように、本変形例１の遮光部４０は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１が形成され、第１半透過膜１０１上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上に遮光膜１０３が形成された構成を有している。また、本変形例１の第２透過部３０は、例えば、透光性基板１００上に第１半透過膜１０１が形成され、第１半透過膜１０１上に第２半透過膜１０２が形成された構成を有している。
【0060】
本変形例１の転写用マスク２は、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、透光性基板１００上に、第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２、遮光膜１０３の順に成膜してマスクブランクを準備する。成膜後、図５（ａ）に示すように、遮光部４０の形状に合わせて、遮光膜１０３をパターニングする（例えば、遮光部４０のパターンを有するレジスト膜を遮光膜１０３上に設け、そのレジスト膜をマスクとし、第２半透過膜１０２との間で十分なエッチング選択性を有するエッチャントを用いたウェットエッチングやドライエッチングを行って、遮光部４０のパターンを形成する。）。さらに、図５（ｂ）に示すように、第１透過部２０および透光部１０の形状に合わせて、第２半透過膜１０２をパターニングする（例えば、第１透過部２０および透光部１０のパターンを有するレジスト膜を遮光膜１０３および第２半透過膜１０２上に設け、そのレジスト膜をマスクとし、第１半透過膜１０１との間で十分なエッチング選択性を有するエッチャントを用いたウェットエッチングやドライエッチングを行って、第２半透過膜１０２に第１透過部２０および透光部１０のパターンを形成する。）。その後、透光部１０の形状に合わせて、第１半透過膜１０１をパターニングする（例えば、透光部１０のパターンを有するレジスト膜を遮光膜１０３、第２半透過膜１０２および第１半透過膜１０１上に設け、そのレジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、第１半透過膜１０１に透光部１０のパターンを形成する。）ことで、図４に示すような転写用マスク２を製造することができる。
【0061】
（４－２）第１実施形態の変形例２
図６は、本変形例２の転写用マスク３の断面模式図である。本変形例２の転写用マスク３も、上述の第１実施形態と同様に、透光性基板１００上に転写用パターンを備えており、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０と、を有している。したがって、本変形例２の転写用マスク３も、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θおよび第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくすることができる。
図６は、本変形例２の転写用マスク３の断面模式図である。本変形例２の転写用マスク３も、上述の第１実施形態と同様に、透光性基板１００上に転写用パターンを備えており、透光部１０と、第１透過部２０と、第２透過部３０と、遮光部４０と、を有している。したがって、本変形例２の転写用マスク３も、ＰＤＬを形成する際、第１傾斜部２０１の傾斜角θおよび第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくすることができる。
【0062】
図６に示すように、本変形例２の遮光部４０は、例えば、透光性基板１００上に第２半透過膜１０２が形成され、第２半透過膜１０２上にエッチングストッパ膜１０４が形成され、エッチングストッパ膜１０４上に遮光膜１０３が形成され、遮光膜１０３上に第１半透過膜１０１が形成された構成を有している。エッチングストッパ膜１０４は、遮光膜１０３および第２半透過膜１０２とエッチング選択性を有する材料からなる。エッチングストッパ膜１０４の光学特性は基本的に不問である。第２半透過膜１０２、エッチングストッパ膜１０４、遮光膜１０３および第１半透過膜１０１の積層構造で、遮光部４０に求められる光学特性を満たすことができればよい。なお、本変形例２の転写用マスク３は、第１半透過膜１０１、第２半透過膜１０２および遮光膜１０３を同じエッチャントでエッチングされる材料で形成することができる。
【0063】
本変形例２の転写用マスク３は、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、透光性基板１００上に、第２半透過膜１０２、エッチングストッパ膜１０４、遮光膜１０３の順に成膜してマスクブランクを準備する。成膜後、図７（ａ）に示すように、遮光部４０の形状に合わせて、遮光膜１０３およびエッチングストッパ膜１０４をパターニングする（例えば、遮光部４０のパターンを有するレジスト膜を遮光膜１０３上に設け、そのレジスト膜をマスクとし、異なるエッチャントを用いたウェットエッチングやドライエッチングを行って、遮光膜１０３およびエッチングストッパ膜１０４のそれぞれに遮光部４０のパターンを形成する。）。次に、図７（ｂ）に示すように、第１透過部２０および透光部１０の形状に合わせて、第２半透過膜１０２をパターニングする（例えば、第１透過部２０および透光部１０のパターンを有するレジスト膜を、遮光膜１０３および第２半透過膜１０２上に設け、そのレジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、第２半透過膜１０２に第１透過部２０および透光部１０のパターンを形成する。）。その後、透光性基板１００、第２半透過膜１０２、および遮光膜１０３上に、第１半透過膜１０１を成膜し、透光部１０の形状に合わせて、第１半透過膜１０１をパターニングする（例えば、透光部１０のパターンを有するレジスト膜を第１半透過膜１０１上に設け、そのレジスト膜をマスクとするウェットエッチングやドライエッチングを行って、第１半透過膜１０１に透光部１０のパターンを形成する。）ことで、図６に示すような転写用マスク３を製造することができる。
【0064】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0065】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、本発明の他の実施形態に係る、遮光部４０を模式的に示す平面図である。例えば、上述の実施形態では、副パターン４２が、主パターン４１を囲むように環状に設けられている場合について説明したが、副パターン４２は、図８（ａ）に示すように、一部が繋がっていなくてもよいし、図８（ｂ）に示すように、一部が主パターン４１と繋がっていてもよい。このような場合でも、ＰＤＬの柱状部２０２の周囲に位置する第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくすることが可能である。
【実施例0066】
次に、本発明に係る実施例を説明する。これらの実施例は本発明の一例であって、本発明はこれらの実施例により限定されない。
【0067】
（１）実施例１
以下の条件により、転写用マスク１を用いて、基板上の感光性ポリイミド膜に対する露光転写でＰＤＬを形成した際の第１傾斜部２０１の傾斜角θを、シミュレーションにより算出した。その結果を図９に示す。
第１透過部２０の透過率Ｔ１：３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％
第２透過部３０の透過率Ｔ２：３０％
透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差ΔＴ：０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％
第１透過部２０の幅Ｄ：０～５．０μｍ
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１１
露光光：ｉ線
以下の条件により、転写用マスク１を用いて、基板上の感光性ポリイミド膜に対する露光転写でＰＤＬを形成した際の第１傾斜部２０１の傾斜角θを、シミュレーションにより算出した。その結果を図９に示す。
第１透過部２０の透過率Ｔ１：３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％
第２透過部３０の透過率Ｔ２：３０％
透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差ΔＴ：０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％
第１透過部２０の幅Ｄ：０～５．０μｍ
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１１
露光光：ｉ線
【0068】
図９に示すように、実質的に第１透過部２０を設けていない状態（差ΔＴが０％）の傾斜角θと比べて、第１透過部２０を設けた状態（差ΔＴが５％、１０％、１５％、２０％）では、傾斜角θが小さくなることを確認した。特に、差ΔＴが１０％以上で、幅Ｄが１．５μｍ以上の時に、実質的に第１透過部２０を設けていない状態と比べて、傾斜角θを５度以上小さくできることを確認した。
【0069】
（２）実施例２
また、以下の条件により、転写用マスク１を用いてＰＤＬを形成した際の第１傾斜部２０１の傾斜角θを、シミュレーションにより算出した。その結果を図１０に示す。
第１透過部２０の透過率Ｔ１：３０％、３５％、４０％、４５％、５０％
第２透過部３０の透過率Ｔ２：３０％
透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差ΔＴ：０％、５％、１０％、１５％、２０％
第１透過部２０の幅Ｄ：０～５．０μｍ
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
また、以下の条件により、転写用マスク１を用いてＰＤＬを形成した際の第１傾斜部２０１の傾斜角θを、シミュレーションにより算出した。その結果を図１０に示す。
第１透過部２０の透過率Ｔ１：３０％、３５％、４０％、４５％、５０％
第２透過部３０の透過率Ｔ２：３０％
透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差ΔＴ：０％、５％、１０％、１５％、２０％
第１透過部２０の幅Ｄ：０～５．０μｍ
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
【0070】
図１０に示すように、実質的に第１透過部２０を設けていない状態（差ΔＴが０％）の傾斜角θと比べて、第１透過部２０を設けた状態（差ΔＴが５％、１０％、１５％、２０％）では、傾斜角θが小さくなることを確認した。特に、差ΔＴが１０％以上で、幅Ｄが１．５μｍ以上の時に、実質的に第１透過部２０を設けていない状態と比べて、傾斜角θを５度以上小さくできることを確認した。
【0071】
（３）実施例３
以下の遮光部４０を設けた転写用マスク１を用いて、実施例２と同様の露光条件でＰＤＬを形成した際の第２傾斜部２０４の傾斜角φを、シミュレーションにより算出した。その結果、傾斜角φは、１７．２度であった。
副パターン４２の線幅Ｄ１：０．９μｍ
スリットパターン４３の線幅Ｄ２：０．９μｍ
スリットパターン４３の透過率：３０％
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
以下の遮光部４０を設けた転写用マスク１を用いて、実施例２と同様の露光条件でＰＤＬを形成した際の第２傾斜部２０４の傾斜角φを、シミュレーションにより算出した。その結果、傾斜角φは、１７．２度であった。
副パターン４２の線幅Ｄ１：０．９μｍ
スリットパターン４３の線幅Ｄ２：０．９μｍ
スリットパターン４３の透過率：３０％
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
【0072】
同様に、以下の条件でのシミュレーションによって、第２傾斜部２０４の傾斜角φを算出した。その結果、傾斜角φは、１９．３度であった。
副パターン４２の線幅Ｄ１：０．６μｍ
スリットパターン４３の線幅Ｄ２：０．８μｍ
スリットパターン４３の透過率：３０％
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
副パターン４２の線幅Ｄ１：０．６μｍ
スリットパターン４３の線幅Ｄ２：０．８μｍ
スリットパターン４３の透過率：３０％
露光装置の開口数（ＮＡ）：０．１
露光光：ｇ線－ｈ線－ｉ線を含む複合光
【0073】
一方、比較のために、副パターン４２およびスリットパターン４３を備えない遮光部（主パターン４１のみを備える）を設けた転写用マスクを用いて、実施例２と同様の露光条件でＰＤＬを形成した際の第２傾斜部２０４の傾斜角φを、シミュレーションにより算出した。その結果、傾斜角φは、２８．８度であった。
【0074】
以上より、主パターン４１、副パターン４２およびスリットパターン４３を備える遮光部４０を設けることで、第２傾斜部２０４の傾斜角φを小さくできることを確認した。
【0075】
（４）実施例１および実施例２のまとめ
実施例１および実施例２の結果から、特に、傾斜角θを３０度以下とすることができた条件、傾斜角θを２５度以下とすることができた条件、および、傾斜角θを２０度以下とすることができた条件をピックアップして、図１１にまとめた。図１１に示す破線は、ピックアップした条件のうち、差ΔＴが１０％、１５％、２０％のそれぞれにおいて、最も幅Ｄが小さい条件の３点を直線で近似したものである。
実施例１および実施例２の結果から、特に、傾斜角θを３０度以下とすることができた条件、傾斜角θを２５度以下とすることができた条件、および、傾斜角θを２０度以下とすることができた条件をピックアップして、図１１にまとめた。図１１に示す破線は、ピックアップした条件のうち、差ΔＴが１０％、１５％、２０％のそれぞれにおいて、最も幅Ｄが小さい条件の３点を直線で近似したものである。
【0076】
図１１に示すように、差ΔＴが１０％、１５％、２０％のそれぞれにおいて、最も幅Ｄが小さい条件の３点を直線で近似した結果、その式は、Ｄ＝－３．１４×ΔＴ／１００＋２．３２であった。したがって、第１透過部２０の幅Ｄと、透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差ΔＴを、Ｄ≧－３．１４×ΔＴ／１００＋２．３２の関係を満たすようにすることで、第１傾斜部２０１の傾斜角θをより小さく（例えば、３０度以下に）することができることを確認した。
【符号の説明】
【0077】
１、２、３ 転写用マスク
１０ 透光部
２０ 第１透過部
３０ 第２透過部
４０ 遮光部
４１ 主パターン
４２ 副パターン
４３ スリットパターン
１００ 透光性基板
１０１ 第１半透過膜
１０２ 第２半透過膜
１０３ 遮光膜
１０４ エッチングストッパ膜
２００ 開口部
２０１ 第１傾斜部
２０２ 柱状部
２０３ 平坦部
２０４ 第２傾斜部
１０ 透光部
２０ 第１透過部
３０ 第２透過部
４０ 遮光部
４１ 主パターン
４２ 副パターン
４３ スリットパターン
１００ 透光性基板
１０１ 第１半透過膜
１０２ 第２半透過膜
１０３ 遮光膜
１０４ エッチングストッパ膜
２００ 開口部
２０１ 第１傾斜部
２０２ 柱状部
２０３ 平坦部
２０４ 第２傾斜部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】