特開 2024-152321 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024152321

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241018BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023066444

(22)【出願日】2023-04-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001542

【氏名又は名称】弁理士法人銀座マロニエ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA15

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC16

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316HH40

(57)【要約】

【課題】ビア導体における内壁面と接する部分の粗度を小さくでき、高周波信号が伝送される際の伝送損失を低減する。
【解決手段】コア基板ＣＳと、第１ビルドアップ部ＢＵ１と、第２ビルドアップ部ＢＵ２と、第３ビルドアップ部ＢＵ３と、第４ビルドアップ部ＢＵ４と、を有する配線基板であって、第３ビルドアップ部ＢＵ３が含む第３絶縁層は、第３面と、第３面と反対側の第４面と、第３面から第４面に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層とビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、ビア開口の内壁面を被覆するシード層は、略平滑な表面を有する第１部分及び第２部分を有しており、第１部分と第２部分とは電気的に接続されており、第１部分の一部が第２部分よりもビア開口の中心側に位置している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、
前記第３導体層に含まれる信号配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる信号配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第３絶縁層は、第３面と、前記第３面と反対側の第４面と、前記第３面から前記第４面に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、
前記第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、
前記ビア開口の内壁面を被覆する前記シード層は、略平滑な表面を有する第１部分及び第２部分を有しており、
前記第１部分と前記第２部分とは電気的に接続されており、
前記第１部分の一部が前記第２部分よりも前記ビア開口の中心側に位置している。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板において、前記コア基板がガラスコアである。

【請求項3】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる信号配線の最小の配線幅が３μｍ以下であり、最小の配線間隔が３μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる信号配線のアスペクト比は２以上４以下である。

【請求項5】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる信号配線の上面は研磨面である。

【請求項6】

請求項１に記載の配線基板において、前記ビア開口の内壁面を覆う前記シード層の断面形状が階段状である。

【請求項7】

請求項１に記載の配線基板において、前記ビア開口の内壁面は、前記第３絶縁層の上面から下層の第３導体層に向けて傾斜している。

【請求項8】

請求項７に記載の配線基板において、前記ビア開口の内壁面の下層の第３導体層の上面に対する角度は７０°以上９０°以下である。

【請求項9】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３絶縁層は樹脂と無機粒子とを含み、前記 ビア開口の内壁面は、前記樹脂と前記無機粒子の平坦部の境界部付近で前記開口方向に向かって凸量が０．５μｍ以下の階段部を有する。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板において、前記第１部分に含まれる先端部が、前記第２部分の後端部よりも、前記ビア開口の中心側に位置している。

【請求項11】

請求項１記載の配線基板において、前記シード層は、前記内壁面を被覆する第１層と前記第１層上の第２層を含み、前記第１層は、前記第１部分に含まれる第１層第１部分、及び、前記第２部分に含まれる第１層第２部分を有する。

【請求項12】

請求項１１記載の配線基板において、前記第１層第１部分の第１層層先端部が前記第１層第２部分の第１層後端部よりも、前記ビア開口の中心側に位置している。

【請求項13】

請求項１１記載の配線基板において、前記第１層の断面形状が階段状である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数のビルドアップ部を有する配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、プリント配線板の一例を開示している。特許文献１に開示されている技術では、図６に示すように、第１導体層５１と、第１導体層５１上に形成されている絶縁層５２と、絶縁層５２に形成されている、第１導体層５１の一部を露出するビア開口５３と、を有する。絶縁層５２は樹脂５４と無機粒子５５とを含む。図６に示す中間体において、絶縁層５２の上面５２ａ、ビア開口５３の内壁面５３ａおよび第１導体層５１の露出部５１ａに対し、シード層（図示せず）が形成される。そして、シード層上において、ビア開口５３の内壁面５３ａおよび第１導体層５１の露出部５１ａにビア導体（図示せず）を形成するとともに、ビア導体および絶縁層５２の上面５２ａに第２導体層（図示せず）を形成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１２６１０３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この場合、ビア開口５３をレーザ加工で形成するため、図６の拡大部に示すように、ビア開口５３の内壁面５３ａから無機粒子５５が突出する場合がある。そして、無機粒子５５が突出したビア開口５３の内壁面５３ａ上に、シード層が形成され、シード層上にビア導体が形成される。その結果、ビア導体のビア開口５３の内壁面５３ａと接する部分の粗度が大きくなり、高周波信号が伝送される際の伝送損失が大きくなる場合があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係る配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、前記第３導体層に含まれる信号配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる信号配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３絶縁層は、第３面と、前記第３面と反対側の第４面と、前記第３面から前記第４面に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、前記ビア開口の内壁面を被覆する前記シード層は、略平滑な表面を有する第１部分及び第２部分を有しており、前記第１部分と前記第２部分とは電気的に接続されており、前記第１部分の一部が前記第２部分よりも前記ビア開口の中心側に位置している。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図2】本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す断面図である。

【図3】本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す拡大断面図である。

【図4】本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を示す断面写真である。

【図5A】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5B】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5C】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5D】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5E】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5F】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す拡大断面図である。

【図5G】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5H】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5I】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図5J】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図6】従来のプリント配線板の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図５に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。

【0008】

図１は、本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を説明するための断面図である。図１において、ＣＳは、例えば図中上側の第１面ＣＳ１および下側の第２面ＣＳ２を有するコア基板である。ＢＵ１は、コア基板ＣＳの第１面ＣＳ１上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１を含む第１ビルドアップ部である。ＢＵ２は、コア基板ＣＳの第２面ＣＳ２上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１を含む第２ビルドアップ部である。ＢＵ３は、第１ビルドアップ部ＢＵ１上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層３２及び複数の第３導体層３１を含む第３ビルドアップ部である。ＢＵ４は、第２ビルドアップ部ＢＵ２上に形成され、交互に積層される少なくとも1層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１を含む第４ビルドアップ部である。本実施形態では、上記構成の配線基板１の第３ビルドアップ部ＢＵ３上に、チップ１およびチップ２が搭載されている。

【0009】

図１に示す本発明に係る配線基板においては、コア基板ＣＳとしてガラスコアを用いることが好ましい。コア基板としてガラスコアを用いると、他の材料のコア基板を用いた配線基板と比べて、高密度配線が形成し易くなる。ガラスコアとしては、従来から知られているいずれの材料をも使用できる。例えば、耐熱性と耐衝撃性に優れ、熱膨張係数がシリコンに近い、ホウ珪酸ガラスを用いることができる。

【0010】

本発明に係る配線基板の特徴は、第３ビルドアップ部ＢＵ３の構造にある。すなわち、第３導体層に含まれる信号配線における配線幅の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、第３導体層に含まれる信号配線における配線間距離の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、第３絶縁層は、第３面と、第３面と反対側の第４面と、第３面から第４面に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層とビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、ビア開口の内壁面を被覆するシード層は、略平滑な表面を有する第１部分及び第２部分を有しており、第１部分と第２部分とは電気的に接続されており、第１部分の一部が第２部分よりもビア開口の中心側に位置している。

【0011】

本発明に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３が上記構成を備えることで、第３ビルドアップ部ＢＵ３において、ビア導体における内壁面と接する部分の粗度を小さくでき、高周波信号が伝送される際の伝送損失を低減することができる。

【0012】

図２は、本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部ＢＵ３の各層の一実施形態における特徴部分を説明するための模式図である。図３は、図２の部分を拡大して示す模式図である。図２および図３において、説明の対象となる層Ｌ１の下層Ｌ２は、層Ｌ１と同じ構成となっている。説明の対象となる層Ｌ１は下層Ｌ２上に連続して形成されている。

【0013】

本発明に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における各層が、図２および図３に示す構成を含んでいる。図２および図３において、下層Ｌ２の第３導体層３１と、この第３導体層３１上に形成されている層Ｌ１の第３絶縁層３２と、第３絶縁層３２に形成されている、下層Ｌ２の第３導体層３１の一部を導体パッド３１ａとして露出するビア開口３７と、を示している。

【0014】

図２および図３に示されるように、無機粒子３４は、ビア開口３７の内壁面３７ａを形成する第１無機粒子３４－１と、第３絶縁層３２の樹脂３３内に埋まっている第２無機粒子３４－２とを含む。そして、第１無機粒子３４－１の形状は、第２無機粒子３４－２の形状と異なっている。好ましい実施形態として、ビア開口３７の内壁面３７ａは、第１無機粒子３４－１と樹脂３３とによって形成されており、第１無機粒子３４－１の平坦部と樹脂３３により、平坦な面となっている。

【0015】

図２および図３に示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａはほとんど樹脂３３で形成されている。上面３２ａから第２無機粒子３４－２は少量露出する。第３絶縁層３２の上面３２ａには凹凸が形成されていない。上面３２ａは荒らされていない。上面３２ａは平滑に形成されている。上面３２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。また、図３に示されるように、ビア開口３７の内壁面３７ａは、第３絶縁層３２の上面３２ａから下層Ｌ２の第３導体３１の導体パ ッド３１ａの上面に向けて傾斜している。内壁面３７ａの導体パッド３１ａの上面に対する角度（傾斜角度）θは７０°以上９０°以下である。

【0016】

図２および図３に示されているように、ビア導体３１ｄは、ビア開口３７内に形成されている。ビア導体３１ｄは、下層Ｌ２の導体パッド３１ａと対象となる層Ｌ１の導体パッド３１ａとを接続する。ビア導体３１ｄは、シード層３１ｃとシード層３１ｃ上の電解めっき層で形成されている。 ビア導体３１ｄを形成するシード層３１ｃと信号配線３１ｂを形成するシード層３１ｃとは共通である。ビア導体３１ｄを形成するシード層３０ｃは、ビア開口３７内（即ち開口３７の内壁面３７ａとビア開口３７から露出する下層Ｌ２の導体パッド３１ａの上面）を覆う第１層３１ｃ－１と第１層３１ｃ－１上の第２層３１ｃ－２とで形成されている。第１層３１ｃ－１は下層Ｌ２の導体パッド３１ａの上面と内壁面３７ａに接して いる。

【0017】

図２に示されるように、第３導体層３１は第３絶縁層３２の上面３２ａ上に形成されて いる。第３導体層３１は信号配線３１ｂと導体パッド３１ａとを含む。図に示されていないが、第３導体層３１は信号配線３１ｂと導体パッド３１ａ以外の導体回路も含んでいる。第３導体層３１は主に銅によって形成される。第３導体層３１は、第３絶縁層３２の上面３２ａ上のシード層３１ｃとシード層３１ｃ上の電解めっき層３１ｄで形成されている。シード層３１ｃの第１層３１ｃ－１は、銅とケイ素とアルミニウムを含む銅合金で形成されている。銅合金は、 銅の含有量が全重量の９０％以上である。シード層３１ｃの第２層３１ｃ－２は、銅で形成されている。電解めっき層３１ｄは銅で形成されている。

【0018】

本発明の特徴となる一実施形態では、シード層３１ｃの形状にある。すなわち、図４に示されるように、ビア開口３７の内壁面３７ａを被覆するシード層３１ｃは、略平滑な表面を有する第１部分及び第２部分を有しており、第１部分と第２部分とは電気的に接続されており、第１部分の一部が第２部分よりもビア開口３７の中心側に位置している。

【0019】

図３に示す一実施形態における好適例では、第１部分に含まれる先端部が、第２部分の後端部よりも、ビア開口３７の中心側に位置している。具体的には、ビア開口３７の内壁面３７ａを被覆する第１層３１ｃ－１は、略平滑な表面を有する第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２を有している。第１部分１３１－１と第２部分１３１－２とは電気的に接続されている。第１部分１３１－１の先端部１３１－３が第２部分１３１－２の後端部１３１－４よりもビア開口３７の中心側に位置している。同様に、第１層３１ｃ－１上に形成される第２層３１ｃ－２は、略平滑な表面を有する第１部分１３２－１及び第２部分１３２－２を有している。第１部分１３２－１と第２部分１３２－２とは電気的に接続されている。第１部分１３２－１の先端部１３２－３が第２部分１３２－２の後端部１３２－４よりもビア開口３７の中心側に位置している。そして、第１層３１ｃ－１を構成する第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２の断面形状が階段状である。

【0020】

図４は、ビア開口３７の内壁面３７ａとシード層３０ｃの一例を示す断面写真図である。図４に示されるように、ビア開口３７の内壁面３７ａは樹脂３３と第１無機粒子３４－１及び第２無機粒子３４－２とで形成されている。シード層３１ｃは第１層３１ｃ－１と第２層３１ｃ－２とから形成されている（図４において境界は明確には示されていないが）。第１層３１ｃ－１は、第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２を有している。第２層３１ｃ－２は、第１部分１３２－１及び第２部分１３２－２を有している。第１部分１３１－１（１３２－１）の先端部１３１－３（１３２－３）が、第２部分１３１－２（１３２－２）の後端部１３１－４（１３２－４）よりもビア開口３７の中心側に位置している。そして、第１層３１ｃ－１を構成する第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２の断面形状が階段状である。

【0021】

＜本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について＞
第１ビルドアップ部ＢＵ１、第２ビルドアップ部ＢＵ２、および、第４ビルドアップ部ＢＵ４については、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１の形成、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１の形成、および、交互に積層される少なくとも1層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１の形成を、従来から公知の方法で行うことができる。ここでは、それらの詳細については説明を省いている。

【0022】

図５Ａ～図５Ｊを参照にして、本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について説明する。

【0023】

まず、図５Ａに示すように、下層Ｌ２上に、対象となる層Ｌ１の樹脂３３と無機粒子３４とからなる第３絶縁層３２および保護膜３６を形成する。第３絶縁層３２の上面３２ａは樹脂３３のみで形成されており、無機粒子３４は露出していない。そのため、第３絶縁層３２の上面３２ａには凹凸が形成されていない。保護膜３６は第３絶縁層３２の上面３２ａを完全に覆っている。保護膜３６の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜３６と第３絶縁層３２の上面３２ａとの間に離型剤が形成されている。

【0024】

次に、図５Ｂに示されるように、保護膜３６の上からレーザ光が照射される。レーザ光は保護膜３６と第３絶縁層３２とを同時に貫通する。これにより、下層Ｌ２の第３導体層３１と上層Ｌ１の導体パッド３１ａとを接続するビア導体形成用のビア開口３７が形成される。ビア開口３７において、第１無機粒子３４－１は内壁面３７ａから突出している。レーザ光は、例えばＵＶレーザ光、ＣＯ_２レーザ光である。ビア開口３７により下層の第３導体層３１が露出される。ビア開口３７が形成される時、第３絶縁層３２の上面３２ａは保護膜３６で覆われている。そのため、ビア開口３７が形成される時、樹脂３３が飛散しても、第３絶縁層３２の上面３２ａへの樹脂３３の付着が抑制される。

【0025】

次に、図５Ｃに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａを保護膜３６で覆った状態で、ビア開口３７内に対しドライプロセス（プラズマ）でデスミア処理を行う。これにより、ビア開口３７の内壁面３７ａは粗化されるが、第３絶縁層３２の上面３２ａは粗化されない。第３絶縁層３２の上面３２ａは粗化されないため、第３絶縁層３２の上面３２ａは樹脂３３のみで形成される。デスミア処理は、例えばフルオロカーボン系ガスを含む反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、第３絶縁層３２内において樹脂３３より無機粒子３４を優先的にエッチングする条件で行うことができる。これにより、ビア開口３７の内壁面３７ａから突出している第１無機粒子３４－１の部分をエッチングして、平坦化することができる。その結果、ビア開口３７の内壁面３７ａを、第１無機粒子３４－１の平坦部３４－１ａと樹脂３３とからなる平面とすることができる。

【0026】

次に、図５Ｄに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａから保護膜３６が除去される。保護膜３６の除去後、第３絶縁層３２の上面３２ａを荒らすことは行われない。

【0027】

次に、図５Ｅに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａ上にシード層３１ｃが形成される。シード層３１ｃはスパッタによって形成される。シード層３１ｃの形成はドライプロセスで行われる。シード層３１ｃはビア開口３７から露出する下層の第３導体層３１の上面とビア開口３７の内壁面３７ａにも形成される。本実施形態では、シード層３１ｃは、銅とケイ素とアルミニウムを含む合金をスパッタすることにより形成される第１層３１ｃ－１と、その上に銅をスパッタすることで形成される第２層３１ｃ－２とで、構成されている。スパッタ装置におけるターゲットと基板表面との距離は５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下の範囲、電圧は１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下の範囲、ガス濃度は０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下の範囲でスパッタ条件を調整することが好ましい。

【0028】

ここで、図５Ｆに拡大図を示すように、以下に示す本発明の特徴となる一実施形態に係る構成が形成される。具体的には、ビア開口３７の内壁面３７ａを被覆する第１層３１ｃ－１は、略平滑な表面を有する第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２を有している。第１部分１３１－１と第２部分１３１－２とは電気的に接続されている。第１部分１３１－１の先端部１３１－３が第２部分１３１－２の後端部１３１－４よりもビア開口３７の中心側に位置している。同様に、第１層３１ｃ－１上に形成される第２層３１ｃ－２は、略平滑な表面を有する第１部分１３２－１及び第２部分１３２－２を有している。第１部分１３２－１と第２部分１３２－２とは電気的に接続されている。第１部分１３２－１の先端部１３２－３が第２部分１３２－２の後端部１３２－４よりもビア開口３７の中心側に位置している。そして、第１層３１ｃ－１を構成する第１部分１３１－１及び第２部分１３１－２の断面形状が階段状である。

【0029】

内壁面３７ａを覆う第１層３１ｃ－１上に形成される第２層３１ｃ－２は、導体が柱状に成長することで形成される複数の第２柱部１３１－２を有している。第２柱部１３１－２は、第１柱部１３１－１上に さらに導体が成長することで形成される。第２柱部１３１－２は導体パッド３１ａの上面に対して垂直に延びている。第２層３１ｃ－２は、第２柱部１３１－２が第１層３１ｃ－１に連なって存在することで形成されている。第２層３１ｃ－２は銅で形成される。以上のように第１層３１ｃ－１と第２層３１ｃ－２が形成されることでシード層３１ｃが形成される。図５Ｆに示されるように、シード層３１ｃは、柱部１３０が内壁面３７ａに連なって存在することで形成されている。また、 内壁面３７ａを覆うシード層３１ｃの断面形状は階段状である。ビア導体のビア開口３７の内壁面３７ａと接する部分の粗度が小さい。高周波信号が伝送される際の伝送損失が小さい。

【0030】

次に、図５Ｇに示されるように、シード層３１ｃ上にめっきレジスト３８が形成される。めっきレジスト３８は、導体パッド３１ａと信号配線３１ｂとからなる第３導体層３１を形成するためのビア開口を有する。

【0031】

次に、図５Ｈに示されるように、めっきレジスト３８から露出するシード層３１ｃ上に電解めっき層３１ｄが形成される。電解めっき層３１ｄはビア開口３７も充填する。電解めっき層３１ｄは、めっきレジスト３８の高さより高く形成される。すなわち、例えば、図５Ｈに示されるように、電解めっき層３１ｄが、めっきレジスト３８の上面よりも外側に、上面が凸球面状を有するように形成される。

【0032】

次に、図５Ｉに示されるように、電解めっき層３１ｄ、及び、めっきレジスト３８の上側の一部が、研磨によって除去される。研磨は、電解めっき層３１ｄの厚さが求められる所望の厚さとなるまで行われる。研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により実施される。この研磨によって、電解めっき層３１ｄの上面は、算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下の値を有するように形成される。

【0033】

その後、めっきレジスト３８が除去される。また、導体パッド３１ａおよび信号配線３１ｂから露出するシード層３１ｃが除去される。これにより、図５Ｊに示されるように、本発明の一実施形態に係る配線基板が得られる。

【0034】

以下、本発明に係る配線基板において、好適な実施形態について説明する。

【0035】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層３１に含まれる信号配線３１ｂの最小の配線幅が３μｍ以下であり、最小の配線間隔が３μｍ以下であることが好ましい。また、第３導体層３１に含まれる信号配線３１ｂは、アスペクト比が２．０以上、且つ、４．０以下となるように形成されていることが好ましい。このように、第３ビルドアップ部ＢＵ３が、比較的小さい配線幅及び配線間隔を有するとともに、比較的高いアスペクト比を有する信号配線３１ｂを有していることにより、表層部に比較的高密度の信号配線３１ｂを有する配線基板が実現され得る。配線基板の表層部において搬送される電気信号に対応した、より適切な配線が提供され得る。

【0036】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面であることが好ましい。第３導体層に含まれる配線の上面を研磨面とすることで、第３導体層３１の上面は粗さが比較的小さく平坦であり、よって、第３導体層３１は比較的均一な厚さとされている。具体的には、第３導体層３１の上面は、算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下、とされている。信号配線３１ｂの厚さが比較的均一に形成されていることで、信号配線３１ｂによって搬送される信号の挿入損失（インサーションロス）は小さく抑えられる。信号配線３１ｂによる良好な信号伝送が実現され得る。

【0037】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、シード層は、柱部がビア開口の内壁面に連なって存在することで形成されていること、ビア開口の内壁面を覆うシード層の断面形状が階段状であること、ビア開口の内壁面は、第３絶縁層の上面から下層の第３導体層に向けて傾斜していること、ビア開口の内壁面の下層の第３導体層の上面に対する角度は７０°以上９０°以下であること、第３絶縁層は樹脂と無機粒子とを含み、ビア開口の内壁面は、樹脂と無機粒子の平坦部の境界部付近で開口方向に向かって凸量が０．５μｍ以下の階段部を有すること、がある。いずれも本発明をより好適に実施できるため好ましい実施形態となる。

【符号の説明】

【0038】

１ 配線基板
１１ 第１導体層
１２ 第１絶縁層
２１ 第２導体層
２２ 第２絶縁層
３１ 第３導体層
３１ａ 導体パッド
３１ｂ 信号配線
３１ｃ シード層
３１ｃ－１ 第１層
３１ｃ－２ 第２層
３１ｄ 電解めっき層（ビア導体）
３２ 第３絶縁層
３２ａ 上面
３３ 樹脂
３４ 無機粒子
３４－１ 第１無機粒子
３４－１ａ 平坦部
３４－２ 第２無機粒子
３６ 保護膜
３７ ビア開口
３７ａ 内壁面
３８ めっきレジスト
４１ 第４導体層
４２ 第４絶縁層
１３１－１、１３２－１ 第１部分
１３１－２、１３２－２ 第２部分
１３１－３、１３２－３ 先端部
１３１－４、１３２－４ 後端部
ＢＵ１ 第１ビルドアップ部
ＢＵ２ 第２ビルドアップ部
ＢＵ３ 第３ビルドアップ部
ＢＵ４ 第４ビルドアップ部
ＣＳ コア基板
ＣＳ１ 第１面
ＣＳ２ 第２面
Ｌ１ 対象となる層
Ｌ２ 下層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図6】