特開 2024-152566 半導体パッケージ構造とそのチップ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024152566

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】半導体パッケージ構造とそのチップ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20241018BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311R

H01L21/92 602G

【審査請求】有

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023183387

(22)【出願日】2023-10-25

(31)【優先権主張番号】112113563

(32)【優先日】2023-04-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】311005208

【氏名又は名称】▲き▼邦科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110003214

【氏名又は名称】弁理士法人服部国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】▲呉▼偉新

(72)【発明者】

【氏名】張谷榜

(72)【発明者】

【氏名】葉峻嘉

【テーマコード（参考）】

5F044

【Ｆターム（参考）】

5F044KK03

5F044KK12

5F044MM25

5F044QQ02

(57)【要約】

【課題】半導体パッケージ構造とそのチップを提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１１０及びチップ１２０を備える。チップ１２０は第１バンプ群１２１及び第２バンプ群１２２を有する。第１バンプ群１２１は複数の第１バンプを含む。第２バンプ群１２２は複数の第２バンプを含む。第１バンプ及び第２バンプはフレキシブル基板１１０の複数のリードにそれぞれ接合されている。各第２バンプの長さを各第１バンプの長さよりも長くし、リードに対する第２バンプの接合力を増加することで、リードが発生させる偏移によりバンプから脱離する或いは接合位置がずれるという問題を防止している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の第１回路線（１１１）及び複数の第２回路線（１１２）を有しているフレキシブル基板（１１０）であって、隣接する前記第１回路線の間には少なくとも１つの前記第２回路線を有し、前記第１回路線の複数の第１リード（１１１ａ）及び前記第２回路線の複数の第２リード（１１２ａ）は前記フレキシブル基板のチップボンディングエリア（１１０ａ）に位置している前記フレキシブル基板と、
表面（１２０ａ）と、第１バンプ群（１２１）と、少なくとも１つの第２バンプ群（１２２）と、を有し、第１方向（Ｘ）に沿って、前記表面には第１エリア（Ａ）及び少なくとも１つの第２エリア（Ｂ）が定義され、前記第１バンプ群は前記第１エリアに設置されていると共に複数の第１内側バンプ（１２１ａ）及び複数の第１外側バンプ（１２１ｂ）を含み、前記第２バンプ群は前記第２エリアに設置されていると共に複数の第２内側バンプ（１２２ａ）及び複数の第２外側バンプ（１２２ｂ）を含み、前記第１方向と交差する第２方向（Ｙ）に沿って、前記第１外側バンプは前記第１内側バンプよりも前記表面の長辺（１２０ｃ）に接近し、前記第２外側バンプは前記第２内側バンプよりも前記長辺に接近し、前記第２方向に沿って、各前記第２内側バンプの第３長さ（Ｈ３）は各前記第１内側バンプの第１長さより長く、各前記第２外側バンプの第４長さ（Ｈ４）は各前記第１外側バンプの第２長さ（Ｈ２）より長く、前記第１内側バンプ及び前記第２内側バンプは前記第１リードにそれぞれ接合され、前記第１外側バンプ及び前記第２外側バンプは前記第２リードにそれぞれ接合され、各前記第２内側バンプと各前記第１リードとの接合面積は各前記第１内側バンプと各前記第１リードとの接合面積より大きく、各前記第２外側バンプと各前記第２リードとの接合面積は各前記第１外側バンプと各前記第２リードとの接合面積より大きいチップ（１２０）と、を備えていることを特徴とする半導体パッケージ構造。

【請求項2】

前記第３長さは前記第２長さ以上であり、前記第４長さは前記第１長さより長く、各前記第２外側バンプと各前記第２リードとの接合面積は各前記第１内側バンプと各前記第１リードとの接合面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項3】

各前記第２内側バンプと各前記第１リードとの接合面積は各前記第１外側バンプと各前記第２リードとの接合面積より大きいことを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項4】

前記第２方向に沿って、前記第１内側バンプに接合されている各前記第１リードは第１リードの長さ（Ｊ１）を有し、前記第２内側バンプに接合されている各前記第１リードは第３リードの長さ（Ｊ３）を有し、前記第１リードの長さは前記長辺から前記第１内側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第３リードの長さは前記長辺から前記第２内側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第３リードの長さは前記第１リードの長さより長いことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項5】

前記第２方向に沿って、前記第１外側バンプに接合されている各前記第２リードは第２リードの長さ（Ｊ２）を有し、前記第２外側バンプに接合されている各前記第２リードは第４リードの長さ（Ｊ４）を有し、前記第２リードの長さは前記長辺から前記第１外側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第４リードの長さは前記長辺から前記第２外側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第４リードの長さは前記第２リードの長さより長いことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項6】

前記第１方向に沿って、前記第２エリアは前記第１エリアよりも前記表面の短辺（１２０ｂ）に接近し、前記第２内側バンプは前記第１内側バンプよりも前記短辺に接近し、前記第２外側バンプは前記第１外側バンプよりも前記短辺に接近していることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項7】

仮想線（Ｌ）は前記第１方向に沿って少なくとも１つの前記第１内側バンプを通過し、前記第２方向に沿って、各前記第１外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第１距離（Ｓ１）を有し、各前記第２外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第２距離（Ｓ２）を有し、前記第１距離は前記第２距離より長いことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項8】

前記表面には少なくとも１つの第３エリア（ｃ）が定義され、前記第１方向に沿って、前記第２エリアは第１エリアと前記第３エリアとの間に位置し、前記チップは少なくとも１つの第３バンプ群（１２３）を更に有し、前記第３バンプ群は前記第３エリアに設置され、前記第１方向に沿って、前記第２バンプ群は前記第１バンプ群と前記第３バンプ群との間に位置し、前記第３バンプ群は複数の第３内側バンプ（１２３ａ）及び複数の第３外側バンプ（１２３ｂ）を含み、前記第２方向に沿って、前記第３外側バンプは前記第３内側バンプよりも前記長辺に接近し、前記第１方向に沿って、前記第２内側バンプは前記第３内側バンプと前記第１内側バンプとの間に位置し、前記第２外側バンプは前記第３外側バンプと前記第１外側バンプとの間に位置し、前記第２方向に沿って、各前記第３内側バンプの第５長さ（Ｈ５）は各前記第２内側バンプの前記第３長さより長く、各前記第３外側バンプの第６長さ（Ｈ６）は各前記第２外側バンプの前記第４長さより長く、前記第３内側バンプは前記第１リードに接合され、前記第３外側バンプは前記第２リードに接合され、各前記第３内側バンプと各前記第１リードとの接合面積は各前記第２内側バンプと各前記第１リードとの接合面積より大きく、各前記第３外側バンプと各前記第２リードとの接合面積は各前記第２外側バンプと各前記第２リードとの接合面積より大きいことを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項9】

前記第５長さは前記第４長さ以上であり、前記第６長さは前記第３長さより長く、各前記第３外側バンプと各前記第２リードとの接合面積は各前記第２内側バンプと各前記第１リードとの接合面積より大きいことを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項10】

各前記第３内側バンプと各前記第１リードとの接合面積は各前記第２外側バンプと各前記第２リードとの接合面積より大きいことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項11】

前記第２方向に沿って、前記第３内側バンプに接合されている各前記第１リードは第５リードの長さ（Ｊ５）を有し、前記第３外側バンプに接合されている各前記第２リードは第６リードの長さ（Ｊ６）を有し、前記第５リードの長さは前記長辺から前記第３内側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第５リードの長さは前記第３リードの長さより長く、前記第６リードの長さは前記長辺から前記第３外側バンプの内側の端部までの距離であり、前記第６リードの長さは前記第４リードの長さより長いことを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項12】

仮想線（Ｌ）は前記第１方向に沿って少なくとも１つの前記第１内側バンプを通過し、前記第２方向に沿って、各前記第１外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第１距離（Ｓ１）を有し、各前記第２外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第２距離（Ｓ２）を有し、各前記第３外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第３距離（Ｓ３）を有し、前記第１距離は前記第２距離より長く、前記第２距離は前記第３距離より長いことを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項13】

前記第１方向に沿って、前記第１エリアの幅は前記チップの総幅の４０～８０％を占め、前記第２エリアの幅は前記チップの前記総幅の５～１５％を占め、前記第３エリアの幅は前記チップの前記総幅の５～１５％を占めていることを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ構造。

【請求項14】

第１方向（Ｘ）に沿って、第１エリア（Ａ）及び少なくとも１つの第２エリア（Ｂ）が定義されている表面（１２０ａ）と、
前記第１エリアに設置されていると共に複数の第１内側バンプ（１２１ａ）及び複数の第１外側バンプ（１２１ｂ）を含み、前記第１方向と交差する第２方向（Ｙ）に沿って、前記第１外側バンプは前記第１内側バンプよりも前記表面の長辺（１２０ｃ）に接近している第１バンプ群（１２１）と、
前記第２エリアに設置されていると共に複数の第２内側バンプ（１２２ａ）及び複数の第２外側バンプ（１２２ｂ）を含み、前記第２方向に沿って、前記第２外側バンプは前記第２内側バンプよりも前記長辺に接近し、前記第２方向に沿って、各前記第２内側バンプの第３長さ（Ｈ３）は各前記第１内側バンプの第１長さ（Ｈ１）より長く、各前記第２外側バンプの第４長さ（Ｈ４）は各前記第１外側バンプの第２長さ（Ｈ２）より長い少なくとも１つの第２バンプ群（１２２）と、を備えていることを特徴とするチップ。

【請求項15】

前記第３長さは前記第２長さ以上であり、前記第４長さは前記第１長さより長いことを特徴とする請求項１４に記載のチップ。

【請求項16】

前記第１方向に沿って、各前記第１内側バンプの第１幅（Ｗ１）は各前記第１外側バンプの第２幅（Ｗ２）より広いことを特徴とする請求項１４に記載のチップ。

【請求項17】

仮想線（Ｌ）は前記第１方向に沿って少なくとも１つの前記第１内側バンプを通過し、前記第２方向に沿って、各前記第１外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第１距離（Ｓ１）を有し、各前記第２外側バンプの内側の端部から前記仮想線までの間には第２距離（Ｓ２）を有し、前記第１距離は前記第２距離より長いことを特徴とする請求項１４に記載のチップ。

【請求項18】

少なくとも１つの第３バンプ群（１２３）を更に備え、前記表面には少なくとも１つの第３エリア（Ｃ）が定義され、前記第１方向に沿って、前記第２エリアは前記第１エリアと前記第３エリアとの間に位置し、前記第３バンプ群は前記第３エリアに設置され、前記第１方向に沿って、前記第２バンプ群は前記第１バンプ群と前記第３バンプ群との間に位置し、前記第３バンプ群は複数の第３内側バンプ（１２３ａ）及び複数の第３外側バンプ（１２３ｂ）を含み、前記第２方向に沿って、前記第３外側バンプは前記第３内側バンプよりも前記長辺に接近し、前記第１方向に沿って、前記第２内側バンプは前記第１内側バンプと前記第３内側バンプとの間に位置し、前記第２外側バンプは前記第１外側バンプと前記第３外側バンプとの間に位置し、前記第２方向に沿って、各前記第３内側バンプの第５長さ（Ｈ５）は各前記第２内側バンプの前記第３長さより長く、各前記第３外側バンプの第６長さ（Ｈ６）は各前記第２外側バンプの前記第４長さより長いことを特徴とする請求項１４に記載のチップ。

【請求項19】

第１方向（Ｘ）に沿って、第１エリア（Ａ）及び少なくとも１つの第２エリア（Ｂ）が定義されている表面（１２０ａ）と、
前記第１エリアに設置されている複数の第１バンプと、
前記第２エリアに設置されている複数の第２バンプであって、前記第１方向と交差する第２方向（Ｙ）に沿って、各前記第２バンプの長さは各前記第１バンプの長さより長い複数の第２バンプと、を備えていることを特徴とするチップ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体パッケージ構造に関し、より詳しくは、リードが偏移する或いはバンプに接合される位置がずれる状況を防止する半導体パッケージ構造に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来の半導体パッケージ構造は、熱圧着プロセスによりチップの複数のバンプを基板の複数のリードに接合することで、チップを基板に電気的に接続している。微細化の趨勢に対応するため、バンプのピッチを縮小し、或いは、バンプを複数配列することで、基板に電気的に接続させやすくしている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、前述した従来の技術では、基板がプロセス温度の影響を受けて変形した場合、バンプをリードに接合する際に、バンプに接合したリードが偏移し、例えば、中間バンプを接合するためのリードやチップの短辺に隣接するバンプのリードが偏移し、リードがバンプから脱離したり、接合位置がずれるという問題があった。

【0004】

そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、以下の構成を採用することによって、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成させるに至った。

【0005】

本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、上述のような問題点を解決することを課題の一例とする。すなわち、本発明は、異なる長さのバンプの設計により、リードに対するバンプの接合力を増加させ、バンプに接合されているリードが偏移してリードがバンプから脱離したり、接合位置がずれるのを防止する半導体パッケージ構造とそのチップを提供することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。本発明の一態様に係る半導体パッケージ構造は、フレキシブル基板及びチップを備えている。前記フレキシブル基板は複数の第１回路線及び複数の第２回路線を有し、隣接する第１回路線の間には少なくとも１つの第２回路線を有し、前記第１回路線の複数の第１リード及び前記第２回路線の複数の第２リードは前記フレキシブル基板のチップボンディングエリアに位置している。前記チップは、表面と、第１バンプ群と、第２バンプ群と、を有し、第１方向に沿って、前記表面には第１エリア及び第２エリアが定義される。前記第１バンプ群は前記第１エリアに設置されていると共に複数の第１内側バンプ及び複数の第１外側バンプを含む。前記第２バンプ群は前記第２エリアに設置されていると共に複数の第２内側バンプ及び複数の第２外側バンプを含む。前記第１方向と交差する第２方向に沿って、前記第１外側バンプは前記第１内側バンプよりも前記表面の長辺に接近し、前記第２外側バンプは前記第２内側バンプよりも前記長辺に接近している。前記第２方向に沿って、各前記第２内側バンプの第３長さは各前記第１内側バンプの第１長さより長く、各前記第２外側バンプの第４長さは各前記第１外側バンプの第２長さより長い。前記第１内側バンプ及び前記第２内側バンプは前記第１リードにそれぞれ接合され、前記第１外側バンプ及び前記第２外側バンプは前記第２リードにそれぞれ接合されている。各前記第２内側バンプと各前記第１リードとの接合面積は各前記第１内側バンプと各前記第１リードとの接合面積より大きく、各前記第２外側バンプと各前記第２リードとの接合面積は各前記第１外側バンプと各前記第２リードとの接合面積より大きい。

【0007】

また、本発明の一実施態様によれば、チップが提供される。本発明に係るチップは、表面と、第１バンプ群と、第２バンプ群と、を含む。第１方向に沿って、前記表面には第１エリア及び第２エリアが定義される。前記第１バンプ群は前記第１エリアに設置されていると共に複数の第１内側バンプ及び複数の第１外側バンプを含む。前記第２バンプ群は前記第２エリアに設置されていると共に複数の第２内側バンプ及び複数の第２外側バンプを含む。前記第１方向と交差する第２方向に沿って、前記第１外側バンプは前記第１内側バンプよりも前記表面の長辺に接近し、前記第２外側バンプは前記第２内側バンプよりも前記長辺に接近している。前記第２方向に沿って、各前記第２内側バンプのそれぞれの第３長さは各前記第１内側バンプの第１長さより長く、各前記第２外側バンプの第４長さは各前記第１外側バンプの第２長さより長い。

【0008】

また、技術的課題を解決する本発明のチップは、表面と、複数の第１バンプと、複数の第２バンプと、を含む。第１方向に沿って、前記表面には第１エリア及び第２エリアが定義されている。前記第１バンプは前記第１エリアに設置され、前記第２バンプは前記第２エリアに設置されている。前記第１方向と交差する第２方向に沿って、前記第２バンプのそれぞれの長さは前記第１バンプのそれぞれの長さより長い。

【発明の効果】

【0009】

このように、本発明によれば、次のような効果がある。
本発明によると、第２バンプ群のバンプの長さが第１バンプ群のバンプの長さより長いため、リードに対する第２バンプ群の接合力が増加し、第２バンプ群に接合されているリードが偏移してバンプから脱離したり、接合位置がずれるという問題を防止している。

【0010】

本発明の他の目的、構成及び効果については、以下の発明の実施の形態の項から明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施例に係る半導体パッケージ構造を示す平面図である。

【図2】図１の部分拡大図である。

【図3】図１の部分拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施形態を通じて半導体パッケージ構造とそのチップを説明する。

【0013】

まず、図１～図２を参照しながら、本発明に係る半導体パッケージ構造１００の実施形態について説明する。

【0014】

本発明に係る半導体パッケージ構造１００は、フレキシブル基板１１０及びチップ１２０を備え、フレキシブル基板１１０は複数の第１回路線１１１及び複数の第２回路線１１２を有している。本実施例では、隣接する第１回路線１１１の間には少なくとも１つの第２回路線１１２を有している。第１回路線１１１の複数の第１リード１１１ａ及び第２回路線１１２の複数の第２リード１１２ａはフレキシブル基板１１０のチップボンディングエリア１１０ａに位置し、チップ１２０はチップボンディングエリア１１０ａに設置されていると共にフレキシブル基板１１０に電気的に接続されている。

【0015】

図２の例では、チップ１２０は、表面１２０ａと、第１バンプ群１２１と、少なくとも１つの第２バンプ群１２２と、を有し、表面１２０ａには第１エリアＡ及び少なくとも１つの第２エリアＢが定義されている。第１方向Ｘに沿って、第２エリアＢは第１エリアＡよりも表面１２０ａの短辺１２０ｂに接近している。本実施例では、チップ１２０は２つの第２バンプ群１２２を有し、第１バンプ群１２１は第２バンプ群１２２の間に位置している。

【0016】

図１及び図２に示すように、第１バンプ群１２１は第１エリアＡに設置されていると共に複数の第１内側バンプ１２１ａ及び複数の第１外側バンプ１２１ｂを含み、第２バンプ群１２２は第２エリアＢに設置されていると共に複数の第２内側バンプ１２２ａ及び複数の第２外側バンプ１２２ｂを含む。第１内側バンプ１２１ａ及び第２内側バンプ１２２ａは第１リード１１１ａにそれぞれ接合され、第１外側バンプ１２１ｂ及び第２外側バンプ１２２ｂは第２リード１１２ａにそれぞれ接合されている。

【0017】

第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿って、第１外側バンプ１２１ｂは第１内側バンプ１２１ａよりも表面１２０ａの長辺１２０ｃに接近し、第２外側バンプ１２２ｂは第２内側バンプ１２２ａよりも長辺１２０ｃに接近している（図１及び図２参照）。第１方向Ｘに沿って、第２内側バンプ１２２ａは第１内側バンプ１２１ａよりも短辺１２０ｂに接近し、第２外側バンプ１２２ｂは第１外側バンプ１２１ｂよりも短辺１２０ｂに接近している。本実施例では、第１方向Ｘは横軸方向であり、第２方向Ｙは縦軸方向である。仮想線Ｌは第１方向Ｘに沿って少なくとも１つの第１内側バンプ１２１ａを通過し、第２方向Ｙに沿って、各第１外側バンプ１２１ｂの内側の端部１２１ｂ１から仮想線Ｌまでの間には第１距離Ｓ１を有し、各第２外側バンプ１２２ｂの内側の端部１２２ｂ１から仮想線Ｌまでの間には第２距離Ｓ２を有し、第１距離Ｓ１は第２距離Ｓ２より長い。

【0018】

第２方向Ｙに沿って、各第２内側バンプ１２２ａの第３長さＨ３は各第１内側バンプ１２１ａの第１長さＨ１より長く、各第２外側バンプ１２２ｂの第４長さＨ４は各第１外側バンプ１２１ｂの第２長さＨ２より長い（図１及び図２参照）。本実施例では、第１方向Ｘに沿って、各第１内側バンプ１２１ａの第１幅Ｗ１は各第１外側バンプ１２１ｂの第２幅Ｗ２より長く、各第２内側バンプ１２２ａの第３幅Ｗ３は各第２外側バンプ１２２ｂの第４幅Ｗ４より長い。

【0019】

図２及び図３に示すように、第２方向Ｙに沿って、第１内側バンプ１２１ａに接合されている各第１リード１１１ａは第１リードの長さＪ１を有し、第２内側バンプ１２２ａに接合されている各第１リード１１１ａは第３リードの長さＪ３を有している。第１リードの長さＪ１は長辺１２０ｃから第１内側バンプ１２１ａの内側の端部１２１ａ１までの距離であり、第３リードの長さＪ３は長辺１２０ｃから第２内側バンプ１２２ａの内側の端部１２２ａ１までの距離であり、第３リードの長さＪ３は第１リードの長さＪ１より長い。

【0020】

第２方向Ｙに沿って、第１外側バンプ１２１ｂに接合されている各第２リード１１２ａは第２リードの長さＪ２を有し、第２外側バンプ１２２ｂに接合されている各第２リード１１２ａは第４リードの長さＪ４を有している（図２及び図３参照）。第２リードの長さＪ２は長辺１２０ｃから第１外側バンプ１２１ｂの内側の端部１２１ｂ１までの距離であり、第４リードの長さＪ４は長辺１２０ｃから第２外側バンプ１２２ｂの内側の端部１２２ｂ１までの距離であり、第４リードの長さＪ４は第２リードの長さＪ２より長い。

【0021】

図１及び図２に示すように、第２内側バンプ１２２ａが第１内側バンプ１２１ａよりも長く、第２外側バンプ１２２ｂが第１外側バンプ１２１ｂより長いため、第２内側バンプ１２２ａと第１リード１１１ａとの接合面積が第１内側バンプ１２１ａと第１リード１１１ａとの接合面積より大きくなり、第２外側バンプ１２２ｂと第２リード１１２ａとの接合面積が第１外側バンプ１２１ｂと第２リード１１２ａとの接合面積より大きくなり、第１リード１１１ａに対する第２内側バンプ１２２ａの接合力が第１リード１１１ａに対する第１内側バンプ１２１ａの接合力よりも強くなり、第２リード１１２ａに対する第２外側バンプ１２２ｂの接合力が第２リード１１２ａに対する第１外側バンプ１２１ｂの接合力よりも強くなっている。フレキシブル基板１１０がプロセス温度により変形したり、反りが発生すると、チップ１２０のバンプを配置することで、変形や反りにより生じる歪み及び応力に抵抗し、第１リード１１１ａまたは第２リード１１２ａが偏移してバンプから脱離したり、接合位置がずれるという問題を防止している。

【0022】

図１及び図２に示すように、本実施例では、各第２内側バンプ１２２ａの第３長さＨ３は各第１外側バンプ１２１ｂの第２長さＨ２より短くない。好ましく、第３長さＨ３が第２長さＨ２より長く、第２内側バンプ１２２ａと第１リード１１１ａとの接合面積は第１外側バンプ１２１ｂと第２リード１１２ａとの接合面積より大きいため、第２内側バンプ１２２ａと第１リード１１１ａとの間に好ましい接合力を有している。また、各第２外側バンプ１２２ｂの第４長さＨ４が各第１内側バンプ１２１ａの第１長さＨ１より長いため、第２外側バンプ１２２ｂと第２リード１１２ａとの接合面積が第１内側バンプ１２１ａと第１リード１１１ａとの接合面積より大きく、よって、第２外側バンプ１２２ｂと第２リード１１２ａとの間に好ましい接合力を有している。

【0023】

図１及び図２に示すように、チップ１２０は少なくとも１つの第３バンプ群１２３を更に有し、表面１２０ａには少なくとも１つの第３エリアＣが定義されている。本実施例では、表面１２０ａは、１つの第１エリアＡと、２つの第２エリアＢと、２つの第３エリアＣと、を有し、第１方向Ｘに沿って、第１エリアＡは第２エリアＢの間に位置し、第２エリアＢは第１エリアＡと第３エリアＣとの間に位置している。第３エリアＣは第２エリアＢよりも短辺１２０ｂに接近している。第３バンプ群１２３が第３エリアＣに設置されることで、第１リード１１１ａ及び第２リード１１２ａに対する第２バンプ群１２２及び第３バンプ群１２３の接合力が増加している。好ましく、第１方向Ｘに沿って、第１エリアＡの幅Ｄ１はチップ１２０の総幅Ｄの４０～８０％を占め、各第２エリアＢの幅Ｄ２はチップ１２０の総幅Ｄの５～１５％を占め、各第３エリアＣの幅Ｄ３はチップ１２０の総幅Ｄの５～１５％を占めている。

【0024】

第１方向Ｘに沿って、第２バンプ群１２２は第１バンプ群１２１と第３バンプ群１２３との間に位置している（図１及び図２参照）。第３バンプ群１２３は複数の第３内側バンプ１２３ａ及び複数の第３外側バンプ１２３ｂを含み、第２方向Ｙに沿って、第３外側バンプ１２３ｂは第３内側バンプ１２３ａよりも長辺１２０ｃに接近している。第１方向Ｘに沿って、第２内側バンプ１２２ａは第３内側バンプ１２３ａと第１内側バンプ１２１ａとの間に位置し、第３内側バンプ１２３ａは第２内側バンプ１２２ａよりも短辺１２０ｂに接近し、第２外側バンプ１２２ｂは第３外側バンプ１２３ｂと第１外側バンプ１２１ｂとの間に位置し、第３外側バンプ１２３ｂは第２外側バンプ１２２ｂよりも短辺１２０ｂに接近している。第３内側バンプ１２３ａは第１リード１１１ａに接合され、第３外側バンプ１２３ｂは第２リード１１２ａに接合されている。本実施例では、第２方向Ｙに沿って、第３外側バンプ１２３ｂのそれぞれの内側の端部１２３ｂ１から仮想線Ｌまでの間には第３距離Ｓ３を有し、第２距離Ｓ２は第３距離Ｓ３より長い。

【0025】

図１及び図２に示すように、第２方向Ｙに沿って、各第３内側バンプ１２３ａの第５長さＨ５は各第２内側バンプ１２２ａの第３長さＨ３より長く、各第３外側バンプ１２３ｂの第６長さＨ６は各第２外側バンプ１２２ｂの第４長さＨ４より長い。本実施例では、第１方向Ｘに沿って、各第３内側バンプ１２３ａの第５幅Ｗ５は各第３外側バンプ１２３ｂの第６幅Ｗ６より長い。

【0026】

図２及び図３に示すように、第２方向Ｙに沿って、第３内側バンプ１２３ａに接合されている各第１リード１１１ａは第５リードの長さＪ５を有し、第３外側バンプ１２３ｂに接合されている各第２リード１１２ａは第６リードの長さＪ６を有している。第５リードの長さＪ５は長辺１２０ｃから各第３内側バンプ１２３ａの内側の端部１２３ａ１までの距離であり、第５リードの長さＪ５は第３リードの長さＪ３より長い。第６リードの長さＪ６は長辺１２０ｃから各第３外側バンプ１２３ｂの内側の端部１２３ｂ１までの距離であり、第６リードの長さＪ６は第４リードの長さＪ４より長い。

【0027】

図１及び図２に示すように、第３内側バンプ１２３ａが第２内側バンプ１２２ａより長く、第３外側バンプ１２３ｂが第２外側バンプ１２２ｂより長いため、第３内側バンプ１２３ａと第１リード１１１ａとの接合面積が第２内側バンプ１２２ａと第１リード１１１ａとの接合面積より大きくなり、第３外側バンプ１２３ｂと第２リード１１２ａとの接合面積が第２外側バンプ１２２ｂと第２リード１１２ａとの接合面積より大きくなり、第１リード１１１ａに対する第３内側バンプ１２３ａの接合力が第１リード１１１ａに対する第２内側バンプ１２２ａの接合力より強くなり、第２リード１１２ａに対する第３外側バンプ１２３ｂの接合力が第２リード１１２ａに対する第２外側バンプ１２２ｂの接合力より強くなっている。これにより、フレキシブル基板１１０が変形や反りにより発生する歪み及び応力に抵抗し、第３内側バンプ１２３ａに接合されている第１リード１１１ａ或いは第３外側バンプ１２３ｂに接合されている第２リード１１２ａが偏移して第３内側バンプ１２３ａまたは第３外側バンプ１２３ｂから脱離する状況を防止し、且つ接合位置がずれるという問題を防止している。

【0028】

図１及び図２に示すように、好ましくは、各第３内側バンプ１２３ａの第５長さＨ５は各第２外側バンプ１２２ｂの第４長さＨ４より短くない。本実施例では、第５長さＨ５が第４長さＨ４より長いため、第３内側バンプ１２３ａと第１リード１１１ａとの接合面積が第２外側バンプ１２２ｂと第２リード１１２ａとの接合面積より大きくなり、第１リード１１１ａに対する第３内側バンプ１２３ａの接合力が増加している。また、各第３外側バンプ１２３ｂの第６長さＨ６が各第２内側バンプ１２２ａの第３長さＨ３より長いため、第３外側バンプ１２３ｂと第２リード１１２ａとの接合面積が第２内側バンプ１２２ａと第１リード１１１ａとの接合面積より大きくなり、第２リード１１２ａに対する第３外側バンプ１２３ｂの接合力が増加している。

【0029】

以上、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

【符号の説明】

【0030】

１００ 半導体パッケージ構造
１１０ フレキシブル基板
１１０ａ チップボンディングエリア
１１１ 第１回路線
１１１ａ 第１リード
１１２ 第２回路線
１１２ａ 第２リード
１２０ チップ
１２０ａ 表面
１２０ｂ 短辺
１２０ｃ 長辺
１２１ 第１バンプ群
１２１ａ 第１内側バンプ
１２１ａ１ 内側の端部
１２１ｂ 第１外側バンプ
１２１ｂ１ 内側の端部
１２２ 第２バンプ群
１２２ａ 第２内側バンプ
１２２ａ１ 内側の端部
１２２ｂ 第２外側バンプ
１２２ｂ１ 内側の端部
１２３ 第３バンプ群
１２３ａ 第３内側バンプ
１２３ａ１ 内側の端部
１２３ｂ 第３外側バンプ
１２３ｂ１ 内側の端部
Ａ 第１エリア
Ｂ 第２エリア
Ｃ 第３エリア
Ｄ 幅
Ｄ１ 幅
Ｄ２ 幅
Ｄ３ 幅
Ｈ１ 第１長さ
Ｈ２ 第２長さ
Ｈ３ 第３長さ
Ｈ４ 第４長さ
Ｈ５ 第５長さ
Ｈ６ 第６長さ
Ｊ１ 第１リードの長さ
Ｊ２ 第２リードの長さ
Ｊ３ 第３リードの長さ
Ｊ４ 第４リードの長さ
Ｊ５ 第５リードの長さ
Ｊ６ 第６リードの長さ
Ｌ 仮想線
Ｓ１ 第１距離
Ｓ２ 第２距離
Ｓ３ 第３距離
Ｗ１ 第１幅
Ｗ２ 第２幅
Ｗ３ 第３幅
Ｗ４ 第４幅
Ｗ５ 第５幅
Ｗ６ 第６幅
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向

【図1】

【図2】

【図3】