特開 2024-152663 試験測定システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024152663

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】試験測定システム

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/26 20200101AFI20241018BHJP

【ＦＩ】

G01R31/26 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024061920

(22)【出願日】2024-04-08

(31)【優先権主張番号】63/458,075

(32)【優先日】2023-04-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/464,143

(32)【優先日】2023-05-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/523,836

(32)【優先日】2023-06-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】18/626,190

(32)【優先日】2024-04-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】505436014

【氏名又は名称】ケースレー・インスツルメンツ・エルエルシー

【氏名又は名称原語表記】Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，ＬＬＣ

(74)【代理人】

【識別番号】100090033

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 博司

(74)【代理人】

【識別番号】100093045

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 良男

(72)【発明者】

【氏名】グレゴレリー・ソボレウスキ

(57)【要約】

【課題】ＤＵＴの静的及び動的の両方の特性を評価する。
【解決手段】試験測定システム３００は、ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合される第１及び第２ＤＵＴに結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェース５８を含む。特性評価回路は、第１及び第２ＤＵＴの静的試験と動的試験を実行するように制御される。特性評価回路には、第１ＤＵＴと、第１ＤＵＴのゲート・ノードにＤＣパルス信号とＡＣ信号を供給することによって第１ＤＵＴに第２ＤＵＴへ電流と電圧信号を供給させて第２ＤＵＴの静的及び動的特性評価を行うための第１駆動電圧発生回路とを有するソリッド・ステート・バイアス・ティーがある。１つの特性評価回路で、一方のＤＵＴのゲート電荷特性評価パラメータと、他方のＤＵＴの逆電流経路（ボディ・ダイオードなど）の特性評価を同時に生成できる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

試験測定システムであって、
ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合される第１及び第２被試験デバイス（ＤＵＴ）に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、
上記第１及び第２ＤＵＴの静的試験及び動的試験を実行するように制御されるように構成された特性評価回路と
を具え、
該特性評価回路が、
上記第１ＤＵＴ及び第１駆動電圧発生回路を含むソリッド・ステート・バイアス・ティーを有し、
上記第１駆動電圧発生回路が、ＤＣパルス信号及びＡＣ信号を上記第１ＤＵＴのゲート・ノードに供給することによって、上記第１ＤＵＴに電流及び電圧信号を上記第２ＤＵＴへ供給させて、上記第２ＤＵＴの静的及び動的特性評価を行う試験測定システム。

【請求項2】

上記第１及び第２ＤＵＴは、第１金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と第２ＭＯＳＦＥＴとから夫々構成される請求項１の試験測定システム。

【請求項3】

上記ソリッド・ステート・バイアス・ティーは、上記第２ＭＯＳＦＥＴの特性評価に必要な電流を供給するための制御された電流源として構成される請求項２の試験測定システム。

【請求項4】

上記ソリッド・ステート・バイアス・ティーは、上記第１ＭＯＳＦＥＴのゲートに第１周波数を有するＡＣ電圧信号を供給するように構成されており、上記第１周波数は、上記ＡＣ電圧信号に応答して上記第１ＭＯＳＦＥＴによって生成されるドレイン電流の第２周波数の半分に等しい値を有する請求項３の試験測定システム。

【請求項5】

上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電源電圧ノードとの間の抵抗と直列に結合された試験インダクタを更に具える請求項１の試験測定システム。

【請求項6】

上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴ夫々のゲート・ソース間電圧と、上記第２ＭＯＳＦＥＴを流れる電流を測定するための上記抵抗の両端間の電圧と、上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴのドレインの電圧と、上記試験インダクタを流れる電流とを測定する複数の測定チャンネルを更に具える請求項５の試験測定システム。

【請求項7】

試験測定システムであって、
ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合された、逆電流経路を夫々有する上側及び下側電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、
上記上側及び下側ＦＥＴのゲート電荷曲線試験を実行するように制御されるように構成された特性評価回路と
を具え、
該特性評価回路が、
上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電圧ノードとの間に結合された試験インダクタと、
上記上側及び下側ＦＥＴのゲートにそれぞれのゲート駆動信号を供給するように構成された上側及び下側ゲート駆動回路とを有し、上記上側又は下側ゲート駆動回路は、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達するまで特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオンにし、その後、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオフにするように構成され、次いで、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方の上記ゲート駆動回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方のゲートに定電流を供給するように構成され、上記特性評価回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方のゲートの電圧を測定してゲート電荷特性を測定するように構成される試験測定システム。

【請求項8】

上記下側ＦＥＴが特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方であるときは、上記電圧ノードを電源電圧ノードに選択的に結合し、上記上側ＦＥＴが特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方であるときは、上記電圧ノードを基準電圧ノードに選択的に結合するように構成されたスイッチを更に具える請求項７の試験測定システム。

【請求項9】

上記電源電圧ノードと上記上側ＦＥＴのドレインとの間に結合された上側電流検出抵抗と、上記基準電圧ノードと上記下側ＦＥＴのソースとの間に結合された下側電流検出抵抗とを更に具え、上記特性評価回路が、上記上側及び下側電流検出抵抗の両端間の電圧に基づいて、上記上側ＦＥＴのドレイン電流と上記下側ＦＥＴのソース電流を検出するように構成される請求項８の試験測定システム。

【請求項10】

特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方がオフになるのに応答して、上記試験インダクタを流れる電流が、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の逆電流経路を流れ、上記特性評価回路は、更に、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の電圧及び電流を測定することで、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の上記逆電流経路の特性評価を可能にするように構成される請求項７の試験測定システム。

【請求項11】

上記特性評価回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方がオンになった時間又は上記試験インダクタを流れる電流の値を直接示す測定値に基づいて、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達したと判断するように構成される請求項１０の試験測定システム。

【請求項12】

試験測定システムであって、
ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合された、逆電流経路を夫々有する上側及び下側電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、
上記上側及び下側ＦＥＴの逆電流経路の特性評価を実行するように制御されるように構成された特性評価回路と
を具え、
該特性評価回路が、
上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電圧ノードとの間に結合された試験インダクタと、
上記上側及び下側ＦＥＴのゲートにそれぞれのゲート駆動信号を供給するように構成された上側及び下側ゲート駆動回路とを有し、上記上側又は下側ゲート駆動回路は、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達するまで特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオンにし、その後、オンだった特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオフにするように構成され、このオフにより、上記試験インダクタの電流が特性評価対象の他方のＦＥＴの逆電流経路を流れるようにさせ、上記特性評価回路は、特性評価対象のＦＥＴの電圧及び電流パラメータを測定し、特性評価対象のＦＥＴの逆電流経路の特性を求めるよう構成される試験測定システム。

【請求項13】

上記特性評価回路は、上記上側及び下側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価する際に、上記試験インダクタの電流に関して複数の異なる閾値を設定するように構成される請求項１２の試験測定システム。

【請求項14】

上記上側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価しているときには、上記電圧ノードを電源電圧ノードに選択的に結合し、上記下側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価しているときには、上記電圧ノードを基準電圧ノードに選択的に結合するように構成されるスイッチを更に具える請求項１２の試験測定システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、試験測定システムに関し、特にデバイスの静的及び動的特性評価を実施するためのシステム及び方法に関連する。

【背景技術】

【0002】

シリコン・カーバイド（ＳｉＣ）金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のような半導体デバイスなど、被試験デバイス（ＤＵＴ）の特性評価には、大まかに言って、電流/電圧（Ｉ/Ｖ）曲線などの静的特性評価と、スイッチング・パラメータなどの動的特性評価の両方が含まれることがある。従来の静的特性評価では、専用の静的測定プラットフォームを使用していた。更に、ＤＵＴの従来の動的特性評価には、別個の測定プラットフォーム（場合によっては専用のカスタム動的プラットフォーム）を伴う。

【0003】

ＦＥＴなどのハイ・パワー・デバイスに関しては、安全動作領域（ＳＯＡ：safe operating area）の制限により、パルス信号で特性評価が行われるため、更に複雑な問題が生じることがある。更に、ＭＯＳＦＥＴなどのＦＥＴの従来のインピーダンス特性評価では、静的及び動的特性評価プラットフォームを別々に使用する必要がある。動的特性評価には、特性評価対象のＦＥＴ又はその他のタイプのＤＵＴのインピーダンスの測定が含まれ、これには、ＦＥＴについて必要なインピーダンス測定を実行するために使用されるバイアス・ティーなど、動的特性評価のための専用回路の使用が含まれることがある。バイアス・ティーは、直流（ＤＣ）バイアス電圧を受ける第１入力ポートと、交流又は無線周波数（ＲＦ）信号を受ける第２入力ポートを含む３ポート・デバイスである。第１入力ポートは、出力ポートに誘導性結合され、第２入力ポートは、出力ポートに容量性結合されて、出力ポートに所望のＤＣ及びＲＦ成分を持つ出力信号を供給する。バイアス・ティー夫々の出力ポートは、特性評価対象のＦＥＴのゲート、ドレイン及びソースに結合される。これらバイアス・ティーは、特定の電圧及び周波数範囲に合わせて設計する必要があり、通常は、誘導性、容量性及び抵抗性のディスクリート部品によって形成されるため、バイアス・ティーの動的特性評価プラットフォームへの統合が複雑になる。更に、バイアス・ティーには、電流と周波数の制限があり、これにより、特性評価対象のＦＥＴ又は他のＤＵＴについて実行できるインピーダンス測定が制限される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－０４６９０７号公報

【非特許文献】

【0005】

【非特許文献1】「テクトロニクス社製オシロスコープ」の紹介サイト、テクトロニクス、［online］、［２０２４年４月４日検索］、インターネット<https://www.tek.com/ja/products/oscＩＬloscopes>

【非特許文献2】「ケースレー製品（半導体検査装置)」の紹介サイト、テクトロニクス／ケースレー、［online］、［２０２４年４月４日検索］、インターネット<https://www.tek.com/ja/products/keithley/semiconductor-testing-systems>

【非特許文献3】「ソース・メジャー・ユニット(SMU)」の紹介サイト、テクトロニクス／ケースレー、［online］、［２０２４年４月５日検索］、インターネット<https://www.tek.com/ja/products/keithley/source-measure-units>

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

従来、被試験デバイス（ＤＵＴ）のハイ・パワー特性の評価には、通常、静的測定プラットフォームが含まれている。図１は、このようなプラットフォーム１０の一例を示している。この例では、プラットフォームには、試験測定装置１２、１つ以上のＤＵＴ（図示せず）が接続されている試験フィクスチャ１４及びパワー拡張回路（power expander）１６を含む。

【0007】

動的（ダイナミック）なパワー（電力）特性の評価を実行するには、別のプラットフォームが必要であり、これは、大規模なフロア・モデル・プラットフォーム又はカスタム・プラットフォームである。図２は、こうしたプラットフォーム２０の例を示し、これは、図示されている構成要素の一部又は全部を有していても良い。試験測定装置２２は、実際には、オシロスコープとインピーダンス・アナライザなど、１つ以上の試験測定装置を含んでもよい。試験測定装置２２は、高電圧プローブ２４により、試験基板２６とＤＵＴとに接続される。試験基板２６は、ドライバ（駆動回路）基板２８を有していてもよく、これは通常、安定して電源スイッチをオン及びオフにするために使用され、場合によっては電源保護を提供するために使用される。ＤＣ回路３２は、ＤＣリンク容量と、ＤＣ電圧源と、負荷インダクタとを有していても良い。電流トランスデューサ３０及び信号発生部３４は、試験基板に接続され、これにより、基板を試験できるようにする。

【0008】

概して、デバイスを静的又は動的に特性評価するには、別々の大型の装置とフィクスチャ・プラットフォームが必要である。

【0009】

開示された装置及び方法の実施形態は、従来技術における欠点に取り組むものである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本願の実施形態は、２つのコンポーネント（オシロスコープ、インピーダンス・アナライザなどのインタラクティブな試験測定装置、これら２つの組み合わせ、又は、１つ以上の多数の他の試験測定装置）を有する複合特性評価システムを提供する。簡単のため、本願では、この試験コンポーネントを試験測定装置と呼ぶ。もう１つのコンポーネントは、試験基板を取り付けるためのＤＵＴインタフェースを備えた電力供給及び測定フロント・エンドであって、この開示ではフィクスチャと呼ばれることもある。本願の実施形態は、概して２つの別々のコンポーネントを含むが、これらを１つのハウジングに取り付けることもできる。

【0011】

本願で使用される「高電圧」という用語は、４２ボルト以上の電圧を指す。

【0012】

本願の実施形態は、２つの目的の特性評価プラットフォームを提供し、いくつかの利点がある。このシステム（つまり、試験装置とフィクスチャの両方）は、１人の個人で運べるサイズになっている。フィクスチャは、安全のために全ての高電圧回路を囲んでおり、システムの障害から生じる可能性がある高電圧システムの不適切な動作を防止するインターロックを備えていても良い。このシステムは、ユーザがＤＵＴをフィクスチャに入れるだけでよいという点で、セットアップが簡単である。システム内の２つのコンポーネントは、単純にケーブルで接続されるため、システムは、様々な試験間で、ケーブルを接続し直す必要がない。測定の構成は、自動的に切り替えられて、ユーザは、試験に必要な全てのパラメータを取得できる。このフィクスチャは、更に、加熱/冷却装置と、デバイスの損傷に備えてデバイスの周囲に設けられた保護バリアとを有していても良い。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、従来の静的特性評価専用の測定プラットフォームの一例を示す。

【図2】図２は、従来の動的特性評価専用の測定プラットフォームの一例を示す。

【図3】図３は、本開示技術の実施形態による試験測定システムの実施形態を示す。

【図4】図４は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システムと連携して１つ以上のＤＵＴのパラメータの特性を評価するための特性評価回路の実施形態を示す。

【図5】図５は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システムと連携して２つのＤＵＴのパラメータの特性を独立して評価するための選択スイッチを含む特性評価回路の実施形態を示す。

【図6】図６は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システムと連携して１つ以上のＤＵＴの静的及び動的特性評価のための特性評価回路の例の概略図である。

【図7】図７は、図６、図８及び図９の特性評価回路において利用できる本開示技術の実施形態によるソリッド・ステート・バイアス・ティーの概略図である。

【図8】図８は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システムと連携して１つ以上のＤＵＴの静的及び動的特性評価のための別の特性評価回路の例の概略図である。

【図9】図９は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システムと連携して１つ以上のＤＵＴのゲート電荷特性評価及びボディ・ダイオード特性評価のための特性評価回路の例の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図３は、試験測定システム３００の実施形態を示し、これは、プラットフォームとも呼ばれ、オシロスコープ又は他の試験測定装置のような試験測定装置４０を有する。説明を簡単にするために、試験測定装置４０は、測定装置と呼ぶことがある。システムのもう１つの部分は、静的及び動的電源及び測定装置５０であって、これは、説明を簡単にするため、電源装置と呼ぶ。これら用語は、いずれかの装置の機能を限定することを意図したものではなく、そのような限定を示唆するものでもない。

【0015】

測定装置４０は、多種多様なコンポーネントを有しても良く、これらの中で、ユーザ・インタフェース４４によれば、ユーザが種々のメニューをインタラクティブに操作できる。ユーザ・インタフェース４４によれば、ユーザが、タッチスクリーンを有するディスプレイ又は種々のボタン及びノブなどにより、実行する試験、パラメータの設定などに関する選択を行うことができる。測定装置４０は、１つ以上のプロセッサ４６を有し、これは、ユーザの入力を受けて、パラメータ及び他の選択を測定装置に送信し、また、電源装置５０からの出力を受信し、そのデータからユーザのための出力を生成しても良い。測定装置４０には、試験を行って、ＤＵＴのパラメータを測定する測定ユニット４７がある。リモート・デバイス４２（例えば、パーソナル・コンピューティング・デバイス又はスマートフォンなどのコンピューティング・デバイスなど）も、測定装置４０又は電源装置５０のいずれかを介して、遠隔操作のために、試験測定プラットフォーム３００にアクセスしても良い。本願で使用する用語「プロセッサ」とは、以下で詳しく説明するように、マイクロコントローラ、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）など、命令を受けてアクションを実行できる電子部品を意味する。

【0016】

測定装置４０は、ケーブルなどの直接の接続部４８を介して電源装置５０と通信する。２つの装置４０、５０及び直接接続部４８は、１人の個人によって携帯可能で、運搬可能に構成される。直接接続部４８は、接続回路（図示せず）を介して各装置に接続し、これにより、装置４０、５０は、ケーブルを再配線することなく試験構成を切り替えることができる。

【0017】

電源装置５０は、また、いくつかの様々な要素を有しても良い。これらには、１つ以上のプロセッサ５２、１つ以上の被試験デバイス（ＤＵＴ）７０に高電圧を供給する高電圧回路５６及び高電圧回路を保護するよう機能するインターロック５４が含まれても良い。ＤＵＴ７０は、測定装置４０及び電源装置５０の試験構成に応じて、１つ以上の別々のＤＵＴを含んでもよい。インターロック５４は、高電圧回路５６によって生成される高電圧に起因する危険な条件によるデバイスの損傷を防止するように設計されている。ＤＵＴ７０は、ＤＵＴインタフェース５８に取り付けられるが、これは、ＤＵＴが装着されるユニバーサルＤＵＴインタフェースであってもよく、これにより、ＤＵＴ７０を電源装置５０内の様々なコンポーネントに接続することが可能になる。

【0018】

ＤＵＴ７０の動作に加えて、高電圧回路５６の動作は、熱を発生することがあり、また、ＤＵＴ７０は、動作に特定の温度範囲を必要とすることがある。このため、電源装置５０は、ＤＵＴ７０の温度を制御するために、温度制御回路６２を有していてもよい。１つ以上のプロセッサ５２は、温度を監視して、温度制御回路６２を動作させる。温度制御回路６２は、ファン、切替可能なヒートシンク、冷却システム、ヒータなどのアイテムから構成されても良い。電源装置５０は、ＤＵＴ７０による損傷から電源装置５０を保護するためのバリア６４を含んでもよい。電源装置５０は、更に、スイッチング回路６０を有しても良く、これは、電源装置５０内の様々なコンポーネントの動作を制御して、ＤＵＴ７０の特性を試験及び測定する。

【0019】

概して、動作中、ユーザは、ＤＵＴ７０の特性を静的又は動的に評価するのに、ユーザ・インタフェース４４を介して入力を与えて、遠隔的に又は直接的に、電源装置５０の動作を制御する。典型的には、動的特性の評価は、図４に示す実施形態における特性評価回路４００のようなハーフ・ブリッジ回路を使用して達成される。概して、特性評価回路４００は、電源装置５０の内部、より具体的にはスイッチング回路６０の内部に収容されるが、本開示技術の実施形態はそのような例に限定されない。

【0020】

特性評価回路４００は、図３の試験測定システム３００中に示されるＤＵＴ７０に対応する２つのＤＵＴ、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botによって形成されるハーフ・ブリッジ回路を含む。なお、添え字「bot」は、「bottom（下側）」を意味することに注意されたい。ＤＵＴのＤＵＴ_topは、本説明では上側デバイスＤＵＴ_topとして言及し、ＤＵＴのＤＵＴ_botは、下側デバイスＤＵＴ_botとして言及することがある。動的特性評価を実行する方法の１つ（本願ではダブル・パルス法に言及する）では、ハーフ・ブリッジ回路を使用する。ダブル・パルス法又は「ダブル・パルス試験」については、図６を参照して以下でより詳細に説明する。特性評価回路４００では、ハーフ・ブリッジ回路の上側デバイスＤＵＴ_topと下側デバイスＤＵＴ_botは、電源電圧ノードと基準電圧ノードとの間に直列に結合されている。ＤＵＴ_bot及びＤＵＴ_topの各デバイスは、図４の実施形態の例では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、より具体的には、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。

【0021】

全般的な動作では、下側デバイスＤＵＴ_botがオンになると、試験インダクタTest_Lを介して所望の電流が得られる。続いて、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになり、上側デバイスＤＵＴ_topがオンになると、Test_Lインダクタからのインダクタ電流は、上側デバイスＤＵＴ_topを通って循環する。これに代えて、１つのＤＵＴ７０のみを試験する場合には、上側デバイスＤＵＴ_topをダイオードに置き換えても良い。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側のＤＵＴ_bot特性に依存する特定の時間が経過した後、上側デバイスＤＵＴ_topがオフになり、下側ＤＵＴ_botデバイスのが再びオンになる。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botを試験及び特性評価するための所望のデータは、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのこれらの遷移及び動作中に収集されても良く、すると、エネルギー損失を計算できる。この同じプラットフォームは、ＤＵＴのデバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botを通した電圧と電流の制御によって、静的パラメータを得るために使用できる。

【0022】

上側デバイスＤＵＴ_topをダイオード又は短絡に置き換えると、下側デバイスＤＵＴ_botのゲート制御が可能になり、これによって、静的な電流－電圧（Ｉ/Ｖ）曲線を得ることができる。上側デバイスＤＵＴ_topが利用可能又は存在する場合は、静的データを取得する追加の方法を使用できる。これら方法には、下側デバイスＤＵＴ_botにおいて、ゲート/ドレインに独立した電位のパルスを与える処理が含まれても良い。そうするために、システムは、下側デバイスＤＵＴ_botのゲートの電圧を制御して、デバイスの伝達特性を適切に測定できるようにする。静的なＩ/Ｖデバイス特性の評価には、試験インダクタTest_Lは必要ないが、試験インダクタTest_Lを含めるか又は存在させることで、同じ回路で静的と動的の両方の特性評価を行うことができる。もし上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方が、特性評価回路２００に存在し、同じタイプのデバイスである場合、最大電力（パワー）は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの間で分割されることになる。これらデバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの一方について、フル・パワー試験が必要な場合は、もう一方のデバイスを短絡（ショート）したものに置き換えると良いだろう。

【0023】

図４は、また、特性評価回路４００内の多数の測定ポイント又はチャンネルを示しており、これらにおいて、電源装置５０は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの試験及び特性評価中に、これらデバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの電気的パラメータ（即ち、電圧又は電流）を検出又は検知する。各測定チャンネルは、角度付きの矢印と関連する記述子で示され、記述子は、その測定チャンネルで検出されるパラメータを示している。例えば、特性評価回路４００には、図示するように、試験インダクタTest_Lと直列に結合された第１電流検出抵抗Ｒ１と、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botと直列に結合された第２及び第３電流検出抵抗Ｒ２及びＲ３がある。第１測定チャンネル（Chan１）は、抵抗Ｒ１を流れる電流を検出する。これは、試験インダクタTest_Lを流れる電流Inductor_iに対応する。第２測定チャンネル（Chan２）は、抵抗Ｒ２を流れる電流を検出する。これは、上側デバイスＤＵＴ_topへのドレイン電流Drain_iに対応する。第３測定チャンネル（Chan３）は、抵抗Ｒ３を流れる電流を検出する。これは、下側デバイスＤＵＴ_botを流れるソース電流Source_iに対応する。各電流検出抵抗の抵抗値は既知であるため、各測定チャンネルは、電流検出抵抗の両端間の電圧を検出し、オームの法則を使用して電流検出抵抗を流れる電流の値を決定できる。

【0024】

特性評価回路４００は、特性評価回路内の様々なポイントで電圧又は電流を検出するための追加の測定チャンネル（Chan４-Chan７）を含み、全ての測定チャンネルは、電源装置５０が上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの動作データを捕捉し、この捕捉された動作データを利用して上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの一方又は両方の特性評価を行うことを可能にする。同様の測定チャンネルが、図５～８の概略図に示されているが、これらの試験ポイント又はチャンネルの機能については、図４に関連した測定チャンネルの上述の説明から理解できるので、これらの図に関連してより詳細な説明は行わない。

【0025】

図５は、上側デバイスＤＵＴ_topと下側デバイスＤＵＴ_botとによって形成されるハーフ・ブリッジ・スイッチング回路を含む特性評価回路５００の実施形態を示しており、これは、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botとの間で選択を可能にするために使用されるスイッチＳＷ１を含む。この選択は、図３の測定装置４０上のユーザ・インタフェース４４を通じて電源装置５０（図３）に入ってもよく、この選択は、直接接続部４８を通じて電源装置に渡される。スイッチＳＷ１の追加により、上側と下側の両方のデバイス、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botが取り付けられている場合、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの両方を静的及び動的な構成で特性評価できる。図５に示す特性評価回路５００の構成は、試験又は特性評価のための下側デバイスＤＵＴ_botの選択を示している。動作中、ユーザは、図３の試験測定システム３００の測定装置４０上のユーザ・インタフェース４４を通して、静的又は動的な特性評価を選択するとともに、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのいずれかを選択する。次に、測定装置４０の１つ以上のプロセッサ４６は、この選択と、その他のパラメータを電源装置５０に送る。次に、電源装置５０の１つ以上のプロセッサ５２は、スイッチＳＷ１を適切に設定するためにスイッチング回路６０に信号を供給する。

【0026】

本開示による試験測定システムの実施形態は、図４及び図５の特性評価回路４００、５００の一方又は両方を含み、複数のセットアップ及び装置を使用する必要なしに又は特定の構成にケーブルを再接続する必要さえなく、静的及び動的測定を組み合わせる能力を提供する。試験測定システムは、試験又は特性評価されるＤＵＴに関する所望の特性評価データを出力する。このデータは、測定装置４０のユーザ・インタフェース４４上に生成されても良いし、分析ソフトウェア・パッケージ用のファイルなど、更なる分析のためのファイルに出力されても良い。これは、電源装置５０又は測定装置４０のいずれかの１つ以上のプロセッサ４６、５２によって実行されても良い。

【0027】

本開示技術の実施形態は、試験測定システム用の特性評価回路に関し、これは、ＤＵＴの静的及び動的特性評価を実行するのに、従来のバイアス・ティーは必要なくなる。以下で詳しく説明するように、ソリッド・ステート・バイアス・ティーには、ＤＵＴとゲート駆動電圧発生回路が含まれており、これは、ＤＣパルス信号とＡＣ信号をＤＵＴのゲートに供給して、このＤＵＴに、特性評価を行う別のＤＵＴに必要な電流信号と電圧信号を供給させるようにする。特性評価回路は、様々なモードで動作するため、ソリッド・ステート・バイアス・ティー中のＤＵＴと、特性評価対象のＤＵＴの機能を逆にすることができる。これにより、従来のバイアス・ティーを使用せずに、両方のＤＵＴの動的及び静的特性評価が可能になる。従来のバイアス・ティーは、特定の電圧及び周波数範囲に合わせて設計する必要があり、また、通常、誘導性、容量性及び抵抗性のディスクリート・コンポーネントを含むため、従来のバイアス・ティーを動的特性評価プラットフォームに統合するのが複雑になるので、従来のバイアス・ティーの必要性を排除することは有益である。従来のバイアス・ティーには、電流と周波数の制限もあり、これは、特性評価対象のＤＵＴに対して実行できるインピーダンス測定を制限する。本開示の更なる実施形態は、第１及び第２ＤＵＴに結合された特性評価回路に関し、この回路は、一方のＤＵＴのゲート電荷特性評価パラメータと、他方のＤＵＴのボディ・ダイオードの特性評価を同時に生成できる。

【0028】

図６は、図３の試験測定システム３００と連動して１つ以上のＤＵＴ、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの静的及び動的特性を評価するための本開示技術の実施形態による特性評価回路６００の例の概略図である。特性評価回路６００は、複数のＤＵＴ、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの静的及び動的特性評価の両方を可能にする。ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botは、図６を参照して、また、以下の説明で図７及び図８のＤＵＴを参照して、再度、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botと呼んでも良い。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの夫々は、図６の実施形態の例におけるＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。更なる実施形態は、他のタイプのパワー・トランジスタを含んでもよい。各ＤＵＴは、ドレイン、ソース及びゲート・ノードを含むとして説明され、これは、各ＤＵＴがＭＯＳＦＥＴである実施形態に適用されるが、これらのノードは、異なるタイプのトランジスタに関する等価のノードにも適用することを意図している。

【0029】

図６の特性評価回路６００では、上側デバイスＤＵＴ_topと下側デバイスＤＵＴ_botは、電源電圧ノードＳＶＮと基準電圧ノードＲＶＮとの間で、電流検出抵抗Ｒs１と直列に結合されたハーフ・ブリッジ回路を形成する。可変ＤＣ電圧源ＤＣ_adjは、電源抵抗Ｒ_supを有し、電圧ノードＳＶＮ、ＲＶＮの両端に結合され、これらのノードに所望のＤＣ電圧を供給する。コンデンサＣは、１つ以上のコンデンサ（即ち、コンデンサ・バンク）を含んでもよく、電圧ノードＳＶＮ、ＲＶＮのノイズをフィルタ処理する。

【0030】

スイッチング・ノードＳＮは、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのソースとドレインの間の相互接続部で定義され、また、試験インダクタTEST_Lは、スイッチング・ノードＳＮと電源電圧ノードＳＶＮの間で、電流検出抵抗Ｒs２と直列に結合される。試験インダクタTEST_Lによって、特性評価回路６００は、信号源素子として機能する上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの一方によって、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの他方の特性を動的（ダイナミック）に評価する一環として、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの他方を通る所望の電流又はその両端間に所望の電圧を供給できる。特性評価対象の上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの一方のことを、この説明では、被測定素子と呼ぶことがある。ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、増幅回路ＡＭＰと共同で動作して、下側デバイスＤＵＴ_botのゲート・ソース間容量Ｃgsを測定する一環として、下側デバイスＤＵＴ_botにＤＣパルスとＡＣ信号を含むゲート駆動信号を供給し、下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電流を検出する。

【0031】

図６は、上側デバイスＤＵＴ_topが信号源素子として機能し、下側デバイスＤＵＴ_botが被測定素子（即ち、特性評価対象のデバイス）である特性評価回路６００の構成を示している。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botは、所望のＡＣ及びＤＣ電圧が下側デバイスＤＵＴ_botに印加されて、下側デバイスＤＵＴ_botの所望の動的及び静的パラメータを測定するように制御され、これによって下側デバイスＤＵＴ_botの特性を評価する。デバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの静的な電流及び電圧のデバイス特性の評価には、試験インダクタTest_Lを必要としないが、このインダクタの存在により、同じ特性評価回路６００で、静的及び動的特性評価の両方を実行することが可能になる。動作においては、上側デバイスＤＵＴ_topが最初はオフになり、下側デバイスＤＵＴ_botが最初はオンになって、下側デバイスＤＵＴ_botを流れる所望のドレイン電流として、所望のインダクタ電流ＩＬを供給する。試験インダクタTEST_Lを流れる電流が所望の値に達すると、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになり、インダクタ電流ＩＬは上側デバイスＤＵＴ_topのボディ・ダイオード（図示せず）を通って再循環する。ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、ＤＣ信号とＡＣ信号を、これらデバイスＤＵＴ_bot及びＤＵＴ_topに供給し、これにより、下側デバイス・ＤＵＴ_botの静的パラメータを測定できるのに加えて、ゲート・ソース間容量Ｃgs、ゲート・ドレイン間容量Ｃgd、ドレイン・ソース間容量Ｃdsなどの動的パラメータを測定できる。

【0032】

特性評価回路６００は、試験インダクタTEST_Lのスイッチング接続及び増幅回路ＡＭＰのスイッチング結合によって、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの夫々の特性を評価できる。下側デバイスＤＵＴ_botを信号源素子として構成し、上側デバイスＤＵＴ_topを特性評価対象の被測定素子として構成するには、電源電圧ノードＳＶＮに結合されている試験インダクタTEST_Lの端子を、代わりに基準電圧ノードＲＶＮに結合する。更に、増幅回路ＡＭＰが、図６で下側デバイスＤＵＴ_botについて示されているのと同じ方法で、上側デバイスＤＵＴ_topのゲートに結合されるか、又は、これに代えて、特性評価回路６００が、上側デバイスＤＵＴ_topのゲートに結合された追加の増幅回路（図示せず）を含んでいてもよい。

【0033】

特性評価回路６００は、複数の測定ポイント又はチャンネルChan１～Chan６を有し、これらにおいて、電源装置５０は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの試験及び特性評価中に、これらデバイスの電気的パラメータ、即ち、電圧又は電流を検出又は検知する。測定チャンネルChan１～Chan６におけるパラメータの検出を通じて、電源装置５０は、特性評価対象の上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの内の一方の動作データを捕捉する。電源装置５０は、この捕捉された動作データを利用して、対応する１つのデバイス（ＤＵＴ_top又はＤＵＴ_bot）の特性を評価する。第１測定チャンネルChan１は、基準電圧ノードｓｒｃＢを基準にして、下側デバイスＤＵＴ_botのドレイン電圧Drain_botを検出する。下側デバイスＤＵＴ_botを流れるドレイン電流は、測定ポイントChan２によって検出され、下側デバイスＤＵＴ_botのゲート・ソース間電圧Ｖgsは、測定チャンネルChan３で検出される。測定チャンネルChan４は、試験インダクタTEST_Lを流れるインダクタ電流ＩＬを測定し、試験チャンネルChan５は、上側デバイスＤＵＴ_topのゲート・ソース間電圧Ｖgsを測定し、試験チャンネルChan６は、上側デバイスＤＵＴ_topのドレイン電圧Drain_topを測定する。

【0034】

特性評価回路６００では、デバイスＤＵＴ_top及びデバイスＤＵＴ_botの一方が、ダブル・パルス試験中に、ソース・バイアス・ティーと等価の動作を実現するように構成されても良い。ダブル・パルス試験は、パワーＦＥＴなどのパワー・スイッチング素子のスイッチング・パラメータなどの動的特性を測定する試験手法である。上側デバイスＤＵＴ_topは、信号源（Source：ソース）素子であって、図６の構成において、ソース・バイアス・ティーと同等のものとして機能する。この構成では、上側デバイスＤＵＴ_topは、被測定素子を適切に刺激するのに必要なＤＣ電圧と必要なＡＣ信号を供給する。この被測定素子は、この場合では、特性評価対象の下側デバイスＤＵＴ_botである。

【0035】

図６の実施形態は、上側デバイスＤＵＴ_topのゲート・ソース間電圧Ｖgsの変調によって、上側デバイスＤＵＴ_topを電流モードで駆動するための構成を示している。このようにして、上側デバイスＤＵＴ_topは、下側デバイスＤＵＴ_botの特性評価のための信号源素子として機能する。上側デバイスＤＵＴ_top（ここでは、上側デバイスＤＵＴ_topは、ＦＥＴである）のゲート・ソース間電圧Ｖgsとドレイン電流ＩＤとの間には、二乗の関係がある（つまり、ＩＤ＝ｆ(Ｖgs²)）ため、ゲート駆動電圧発生ＧＤによって供給されるＡＣ信号成分は、通常、所望の測定周波数の半分で供給される。ＡＣ信号成分のこの二乗処理によって周波数が倍増するため、ゲートに印加されるＡＣ信号成分の２倍の周波数でドレイン電流ＩＤが生じる。このＡＣ信号成分は、ＤＣバイアス電流に重畳されたＡＣ信号（つまり、デバイスＤＵＴ_botを通るドレイン電流ＩＤ）を生成する。上側デバイスＤＵＴ_topによって供給されて下側デバイスＤＵＴ_botのドレイン（Drain_bot）に与えられ、チャンネルChan１で測定されるＡＣ電圧と、増幅回路ＡＭＰによって供給される下側デバイスＤＵＴ_botの測定されるＡＣ電流Gate_iと、そして、チャンネルChan２で測定される下側デバイスＤＵＴ_botのソース電流（Source_i）のベクトル分割によって、下側デバイスＤＵＴ_botのインピーダンスの測定が、ゲート・ソース間容量Ｃgs及びドレイン・ソース間容量Ｃdsを求めるために行われる。

【0036】

特性評価回路６００では、下側デバイスＤＵＴ_botを流れる特定のドレイン電流ＩＤでの下側デバイスＤＵＴ_botの特性を評価するために、上側デバイスＤＵＴ_topが、制御された電流源として利用されても良い。また、上側デバイスＤＵＴ_topが、下側デバイスＤＵＴ_botのドレイン（Chan１）に特定の電圧を設定するために利用されても良い。特性評価回路６００の実施形態では、制御電流源としての又は特定のドレイン電圧を設定するための上側デバイスＤＵＴ_topの使用は、特定のパラメータの広いレンジに渡って、下側デバイスＤＵＴ_botの特性を測定するために、掃引モード又はパルス・モード方式で制御されても良い。制御される電流又は電圧の値は、値をあるレンジに渡って掃引又は変化させると共に、所望の値でＤＣ信号を印加すると、特性評価対象の下側デバイスＤＵＴ_botを破壊又は損傷する可能性がある場合には、パルス状にされる。

【0037】

上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのゲートを駆動するゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、特性評価回路６００に、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方の特性評価を可能にする機能を提供する。更に、下側デバイスＤＵＴ_bot（つまり、特性評価対象のＤＵＴ）のドレインに印加されるＡＣ信号に対する上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの夫々のゲート電流及びソース電流を測定する機能により、下側デバイスＤＵＴ_botに関連する全てのインピーダンスを測定できる。これらの測定能力と、信号源素子及び被測定素子を切り替える能力により、特性評価回路６００は、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの夫々の特性を完全に評価する。

【0038】

図７は、本開示技術の実施形態による図６、図８、９の特性評価回路６００、８００、９００において利用されても良いソリッド・ステート・バイアス・ティー７００の概略図である。ソリッド・ステート・バイアス・ティー７００は、特性評価回路６００、８００及び９００に加えて、ダブル・パルス試験を実行するようには構成されていないものを含む他の特性評価回路において利用されても良い。ソリッド・ステート・バイアス・ティー７００は、ＦＥＴ７０２と、ＦＥＴ７０２のゲートにＤＣパルス信号とＡＣ信号を供給するゲート駆動電圧発生回路ＧＤとを有する。ＦＥＴは、図７の実施形態の例ではＮチャンネルＦＥＴであるが、更なる実施の形態では、他のタイプのトランジスタであっても良い。バイアス・ティー７００には、ＦＥＴ７０２のゲート、ドレイン及びソースにそれぞれ結合された第１ノード７０４、第２ノード７０６及び第３ノード７０８がある。動作中、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、ＦＥＴ７０２が、制御電流源として機能して所望のドレイン電流ＩＤを供給するか又はＦＥＴ７０２のソースに特定の電圧を設定するように制御するための適切なＡＣ及びＤＣパルス成分を含む駆動信号を第１ノード７０４に供給する。このようにして、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤ及びＦＥＴ７０２は、ＦＥＴ７０２のソースＳに、所望のＡＣ及びＤＣ成分を有する所望の電圧又は電流を供給するためのバイアス・ティーとして機能する。図６の実施形態の例では、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤ及び上側デバイスＤＵＴ_topは、図７のバイアス・ティー７００の実装例に対応する。

【0039】

図８は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システム３００と連動して１つ以上のＤＵＴの静的及び動的特性評価のための別の例の特性評価回路８００の概略図である。特性評価回路８００内のコンポーネントは、図６の特性評価回路６００における対応するコンポーネントと同じである。特性評価回路６００とは対照的に、特性評価回路８００は、上側デバイスＤＵＴ_topのゲートを駆動するゲート駆動電圧発生回路ＧＤを制御するための電圧フィードバック抵抗Ｒ_vfを介したドレインDrain_topからの電圧フィードバックがあり、上側デバイスＤＵＴ_topは、図示された実施形態の例において、信号源素子として機能する。特性評価回路８００では、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤによって供給される変調信号（ＡＣ信号）の周波数は、特性評価対象の下側デバイスＤＵＴ_botに供給されるドレイン電流ＩＤの所望の周波数と同じである。

【0040】

特性評価回路６００、８００の両方は、容量Ｃgd及びＣdsを測定するために利用することができる。ゲート・ソース間容量Ｃgsを測定するために、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、下側デバイスＤＵＴ_botのゲートに適切なＤＣバイアス信号と所望のＡＣ刺激信号を供給し、増幅回路ＡＭＰによって検出されるゲート電流Gate_iとチャンネルChan３でのゲート電圧測定値を使用してインピーダンスを測定する。

【0041】

図９は、本開示技術の実施形態による、図３の試験測定システム３００と連動して、１つ以上のＤＵＴのゲート電荷特性評価及びボディ・ダイオード特性評価のための特性評価回路９００の例の概略図である。ＦＥＴのゲート電荷曲線を測定する従来のアプローチとしては、ソース・メジャー・ユニット（ＳＭＵ）又はその他の同等の装置で、ＦＥＴのゲートに定電流を供給し、その結果生じるゲート・ソース間電圧Ｖgsを時間経過と共に測定するというものがある。更に、ＳＭＵ又は同等の装置は、必要なドレイン電圧とドレイン電流を同時にＦＥＴに供給する。このアプローチでは、ゲート電荷曲線を生成し、ＦＥＴの静的特性評価を行うために、ＳＭＵ形式の専用装置が必要である。

【0042】

特性評価回路９００によれば、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの夫々と外部試験装置との間の接続を再配線することなく、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの夫々のゲート電荷曲線の特性評価が可能になる。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botは、これら２つの相互接続部で定められるスイッチング・ノードＳＮで直列に結合される。試験インダクタTEST_Lは、スイッチＳＷとスイッチング・ノードＳＮの間の第１電流検出抵抗Ｒ１と直列に結合されている。可変ＤＣ電源電圧源ＤＣ_adjは、電圧ノードＳＶＮ、ＲＶＮの間に結合されて、これらのノード間に所望のＤＣ電圧を供給し、コンデンサＣは、これら電圧ノード間のノイズをフィルタ処理する。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botを夫々流れる電流Ｉ_top及びＩ_botを測定するために、第２電流抵抗Ｒ２が、電源電圧ノードＳＶＮと上側デバイスＤＵＴ_topのドレインとの間に結合され、第３電流検出抵抗Ｒ３が、下側デバイスＤＵＴ_botのソースと基準電圧ノードＲＶＮとの間に結合される。図９では、スイッチＳＷは、下側デバイスＤＵＴ_botを被測定素子又は特性評価対象のデバイスとし、上側デバイスＤＵＴ_topを信号源素子とするポジション（状態）で示されている。

【0043】

特性評価回路９００の動作において、下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電荷特性は、以下の処理を用いて決定できる。まず、電源ＤＣ_adjは、下側デバイスＤＵＴ_botのドレイン・ソース間の試験電圧に関する所望の開始ＤＣ電圧レベルに設定される。最初は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方がオフになっている。次に、下側デバイスＤＵＴ_botが一定時間オンになり、これによって、所望のインダクタ電流ＩＬが試験インダクタTEST_Lを流れるようになる。インダクタTEST_Lを流れる電流ＩＬは、計算（ｄｉ/ｄｔ＝Ｖ/Ｌ）されても良いし、又は、連続的に測定されても良く、それは、特定の時間が満了するか、又は、測定されたインダクタ電流が所望の電流閾値に達するかに基づいて求められる。

【0044】

インダクタ電流ＩＬが、所望の電流閾値に達すると、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになる。この時点で、インダクタ電流ＩＬは、インダクタTEST_Lを流れ続け、上側デバイスＤＵＴ_topのボディ・ダイオードＢＤ_topも流れることになる。この時点で上側デバイスＤＵＴ_topをオンにすると、ボディ・ダイオードＢＤ_topの損失による電流ＩＬの減衰を減らすことができる。次いで、下側デバイスＤＵＴ_botが確実に十分にオフになるように、ある遅延時間待機する。上側デバイスＤＵＴ_topがオンになっている場合では、上側デバイスＤＵＴ_topがオンになってから、ある遅延時間待機してから下側デバイスＤＵＴ_botが再びオンになる。

【0045】

この時点で、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、下側デバイスＤＵＴ_botのゲートに初期所望電圧Ｖg_botを供給する。この初期電圧は、通常、ゼロ電圧であるが、他のレベルが必要な場合もある。次に、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤは、下側デバイスＤＵＴ_botのゲートに定電流を供給する。実施形態では、ゲート駆動電圧発生回路ＧＤの定電流源は、抵抗器と直列に接続された電圧源で代用されても良い。次に、下側デバイスＤＵＴ_botのゲートの電圧Ｖg_botが、時間経過と共に連続的に測定又はサンプリングされる。

【0046】

測定されたゲート電圧Ｖg_botと電流（ゲート駆動電圧発生回路ＧＤが抵抗器付きの電圧源を含む場合は、計算した電流）により、設定されたドレイン電流と開始ドレイン電圧Drain_botについての下側デバイスＤＵＴ_botの完全なゲート電荷特性を得る。このプロセス全体は、必要に応じて、下側デバイスＤＵＴ_botの異なるドレイン・ソース間ＶＤＳ電圧及び下側デバイスＤＵＴ_botを流れるドレイン電流ＩＤの異なる所望のレベル又は値において、繰り返しても良い。このプロセスにより、様々な電流及び電圧レベルでの下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電荷パラメータが提供される。上側デバイスＤＵＴ_topに関して、これらの同じゲート電荷パラメータを取得するには、スイッチＳＷを下側のポジションに切り替えて、これに関連する試験インダクタTEST_Lの端子を、供給電圧ノードＳＶＮではなく、基準電圧ノードＲＶＮに接続するようにする。ここで、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの動作を、上述したものから逆転又は入れ替えれば、上側デバイスＤＵＴ_topのゲート電荷曲線特性を測定できる。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電荷パラメータの特性を評価する特性評価回路９００のこの動作は、特性評価回路のゲート制御及び測定能力が、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方に対して、同一であると仮定している。

【0047】

上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電荷曲線パラメータに加えて、特性評価回路９００は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botのボディ・ダイオードＢＤ_top及びＢＤ_botの動的特性の測定を可能にする。これらボディ・ダイオードのパラメータは、通常、ダブル・パルス試験によって測定される。特性評価回路９００は、以下のプロセスを通じてボディ・ダイオードのパラメータを測定できる。最初に、可変ＤＣ電源電圧源ＤＣ_adjが、所望の開始ＤＣ電圧レベルに設定され、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方がオフになる。次に、下側デバイスＤＵＴ_botが、インダクタTEST_Lを流れる電流ＩＬが所望の電流閾値に達するまで、一定時間オンになる。上述したように、電流ＩＬの値は、下側デバイスＤＵＴ_botがオンになった時間に基づいて計算しても良いし、又は、連続的に測定しても良い。

【0048】

インダクタTEST_Lを流れる電流ＩＬが所望の閾値に達すると、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになる。この時点で、インダクタ電流ＩＬは、上側デバイスＤＵＴ_topのボディ・ダイオードＢＤ_topを流れる。この間、ボディ・ダイオードＢＤ_topの電流と電圧のパラメータは、ボディ・ダイオードを流れる電流の静的な部分で取得できるのに加えて、この電流の遷移中に動的パラメータも取得できる。その後、下側デバイスＤＵＴ_botがオンになり、インダクタ電流ＩＬを次の所望の値又はレベルに調整するための遅延時間が与えられ、その後、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになり、ボディ・ダイオードＢＤ_topのボディ・ダイオード・パラメータが、インダクタ電流の新しいレベルで再度測定される。このプロセスは、可変ＤＣ電源電圧源ＤＣ_adjによって供給される様々なＤＣ電圧レベルで繰り返され、下側デバイスＤＵＴ_botのターン・オン・タイミングは、インダクタＩＬを通るインダクタ電流ＩＬの変化率の変動を考慮して調整されるか又は閾値に達するまで、この電流を直接測定する。このプロセス全体は、上側デバイスＤＵＴ_topに結合されたゲート駆動電圧発生回路ＧＤに供給される様々なゲート・ソース間電圧Ｖgsにおいて、繰り返しても良い。

【0049】

上述のプロセスを通じて、特性評価回路９００は、上側デバイスＤＵＴ_topのボディ・ダイオードＢＤ_topのボディ・ダイオード・パラメータを取得又は測定する。この処理は、スイッチＳＷの構成が図９に示す第１ポジションに設定されている場合に実行されても良い。下側デバイスＤＵＴ_botのボディ・ダイオードＢＤ_botについて同じパラメータを取得又は測定するには、スイッチＳＷを第２ポジションに設定、つまり、その関連するインダクタTEST_Lの端子を電源電圧ノードＳＶＮではなく、基準電圧ノードＲＶＮに結合するだけである。スイッチＳＷが第２ポジションに設定されたら、上述した上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの制御及び測定により、下側デバイスＤＵＴ_botのボディ・ダイオードＢＤ_botのパラメータを取得又は測定する。

【0050】

特性評価回路９００は、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの両方のボディ・ダイオードの完全な特性評価を行うための負の電源電圧源の必要性を排除する。更に、特性評価回路９００の実施形態では、上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botの一方のボディ・ダイオード・パラメータが測定されている間に、他方のデバイスのゲート電荷曲線パラメータが測定されても良い。例えば、上述のように下側デバイスＤＵＴ_botのゲート電荷曲線特性を測定しながら、このゲート電荷曲線特性評価プロセスの一部の期間中の下側デバイスＤＵＴ_botがオフのときに、上側デバイスＤＵＴ_topのボディ・ダイオードＢＤ_topの特性を測定しても良い。これらパラメータのこの取得は、特性評価回路９００の動作中に同時に行われ、これにより、デバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの一方のゲート電荷曲線及びデバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの他方のボディ・ダイオード特性を特性評価するのに必要な時間が短縮される。

【0051】

図９の実施形態では、上側及び下側の被試験デバイス（ＤＵＴ）であるＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botが、ＭＯＳＦＥＴとして図示され、夫々が対応するボディ・ダイオードＢＤを有している。しかし、特性評価回路９００の実施形態は、ＭＯＳＦＥＴ又はＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴなどのボディ・ダイオードを含む他のタイプのＦＥＴの特性評価に限定されるものではない。より一般的には、特性評価回路９００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ＦＥＴのようなボディ・ダイオードを含まないＦＥＴ中の逆電流経路（reverse current path）の特性を評価しても良い。上側デバイスＤＵＴ_top及び下側デバイスＤＵＴ_botが、ＧａＮ ＦＥＴのようなボディ・ダイオードを含まないＦＥＴの場合の特性評価回路９００の実施形態では、特性評価対象の上側及び下側のＧａＮ ＦＥＴの一方の逆導通状態を測定する場合に、特性評価回路９００は、特性評価対象のＧａＮ ＦＥＴに所望のゲート電圧を印加する点を除けば、特性評価回路は、上述のように動作する。この所望のゲート電圧は、インダクタ電流ＩＬが、特性評価対象のＧａＮ ＦＥＴを通って逆電流として循環すると予想される時間に印可される。

【0052】

本開示技術の態様は、特別に作成されたハードウェア、ファームウェア、デジタル・シグナル・プロセッサ又はプログラムされた命令に従って動作するプロセッサを含む特別にプログラムされた汎用コンピュータ上で動作できる。本願における「コントローラ」又は「プロセッサ」という用語は、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、ＡＳＩＣ及び専用ハードウェア・コントローラ等を意図する。本開示技術の態様は、１つ又は複数のコンピュータ（モニタリング・モジュールを含む）その他のデバイスによって実行される、１つ又は複数のプログラム・モジュールなどのコンピュータ利用可能なデータ及びコンピュータ実行可能な命令で実現できる。概して、プログラム・モジュールとしては、ルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含み、これらは、コンピュータその他のデバイス内のプロセッサによって実行されると、特定のタスクを実行するか、又は、特定の抽象データ形式を実現する。コンピュータ実行可能命令は、ハードディスク、光ディスク、リムーバブル記憶媒体、ソリッド・ステート・メモリ、ＲＡＭなどのコンピュータ可読記憶媒体に記憶しても良い。当業者には理解されるように、プログラム・モジュールの機能は、様々な実施例において必要に応じて組み合わせられるか又は分散されても良い。更に、こうした機能は、集積回路、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）などのようなファームウェア又はハードウェア同等物において全体又は一部を具体化できる。特定のデータ構造を使用して、本開示技術の１つ以上の態様をより効果的に実施することができ、そのようなデータ構造は、本願に記載されたコンピュータ実行可能命令及びコンピュータ使用可能データの範囲内と考えられる。

【0053】

開示された態様は、場合によっては、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はこれらの任意の組み合わせで実現されても良い。開示された態様は、１つ以上のプロセッサによって読み取られ、実行され得る１つ又は複数のコンピュータ可読媒体によって運搬されるか又は記憶される命令として実現されても良い。そのような命令は、コンピュータ・プログラム・プロダクトと呼ぶことができる。本願で説明するコンピュータ可読媒体は、コンピューティング装置によってアクセス可能な任意の媒体を意味する。限定するものではないが、一例としては、コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体及び通信媒体を含んでいても良い。

【0054】

コンピュータ記憶媒体とは、コンピュータ読み取り可能な情報を記憶するために使用することができる任意の媒体を意味する。限定するものではないが、例としては、コンピュータ記憶媒体としては、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリやその他のメモリ技術、コンパクト・ディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ-ＲＯＭ）、ＤＶＤ（Digital Video Disc）やその他の光ディスク記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置やその他の磁気記憶装置、及び任意の技術で実装された任意の他の揮発性又は不揮発性の取り外し可能又は取り外し不能の媒体を含んでいても良い。コンピュータ記憶媒体としては、信号そのもの及び信号伝送の一時的な形態は除外される。

【0055】

通信媒体とは、コンピュータ可読情報の通信に利用できる任意の媒体を意味する。限定するものではないが、例としては、通信媒体には、電気、光、無線周波数（ＲＦ）、赤外線、音又はその他の形式の信号の通信に適した同軸ケーブル、光ファイバ・ケーブル、空気又は任意の他の媒体を含んでも良い。

【0056】

加えて、本願の説明は、特定の特徴に言及している。本明細書における開示には、これらの特定の特徴の全ての可能な組み合わせが含まれると理解すべきである。ある特定の特徴が特定の態様又は実施例に関連して開示される場合、その特徴は、可能である限り、他の態様及び実施例との関連においても利用できる。

【0057】

また、本願において、２つ以上の定義されたステップ又は工程を有する方法に言及する場合、これら定義されたステップ又は工程は、状況的にそれらの可能性を排除しない限り、任意の順序で又は同時に実行しても良い。

実施例

【0058】

以下では、本願で開示される技術の理解に有益な実施例が提示される。この技術の実施形態は、以下で記述する実施例の１つ以上及び任意の組み合わせを含んでいても良い。

【0059】

実施例１は、試験測定システムを含む試験測定装置であって、ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合される第１及び第２被試験デバイス（ＤＵＴ）に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、上記第１及び第２ＤＵＴの静的試験及び動的試験を実行するように制御されるように構成された特性評価回路とを具え、該特性評価回路が、上記第１ＤＵＴ及び第１駆動電圧発生回路を含むソリッド・ステート・バイアス・ティーを有し、上記第１駆動電圧発生回路が、ＤＣパルス信号及びＡＣ信号を上記第１ＤＵＴのゲート・ノードに供給することによって、上記第１ＤＵＴに電流及び電圧信号を上記第２ＤＵＴへ供給させて、上記第２ＤＵＴの静的及び動的特性評価を行う。

【0060】

実施例２は、実施例１の試験測定システムであって、上記第１及び第２ＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴ及び第２ＭＯＳＦＥＴから夫々構成される。

【0061】

実施例３は、実施例２の試験測定システムであって、上記ソリッド・ステート・バイアス・ティーは、制御された電流源として機能するように制御され、上記第２ＭＯＳＦＥＴの特性評価に必要な電流を供給する。

【0062】

実施例４は、実施例４の試験測定システムであって、上記ソリッド・ステート・バイアス・ティーは、上記第１ＭＯＳＦＥＴのゲートに第１周波数を有するＡＣ電圧信号を供給するように構成されており、上記第１周波数は、上記ＡＣ電圧信号に応答して上記第１ＭＯＳＦＥＴによって生成されるドレイン電流の第２周波数の半分に等しい値を有する。

【0063】

実施例５は、実施例２の試験測定システムであって、上記ソリッド・ステート・バイアス・ティーは、上記第２ＭＯＳＦＥＴのドレインに所望の電圧を供給するように制御される。

【0064】

実施例６は、実施例２の試験測定システムであって、上記第２ＭＯＳＦＥＴのゲートに結合され、上記第２ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間容量を決定するために使用する上記第２ＭＯＳＦＥＴのゲート電流を検出する増幅回路を更に具える。

【0065】

実施例７は、実施例２の試験測定システムであって、上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴは、電源電圧ノードと基準電圧ノードとの間の抵抗と直列に結合され、該抵抗は、上記第２ＭＯＳＦＥＴのソースと上記基準電圧ノードとの間に結合され、上記第２ＭＯＳＦＥＴを流れるソース電流を検出する。

【0066】

実施例８は、実施例１の試験測定システムであって、上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電源電圧ノードとの間の抵抗と直列に結合された試験インダクタを更に具える。

【0067】

実施例９は、実施例８の試験測定システムであって、上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴ夫々のゲート・ソース間電圧と、上記第２ＭＯＳＦＥＴを流れる電流を測定するための上記抵抗の両端間の電圧と、上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴのドレインの電圧と、上記試験インダクタを流れる電流とを測定する複数の測定チャンネルを更に具える。

【0068】

実施例１０は、請求項１の試験測定システムであって、上記第２ＤＵＴのゲート・ノードにＤＣパルス信号とＡＣ信号を供給する第２駆動電圧発生回路を更に具える。

【0069】

実施例１１は、試験測定システムであって、ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合された、逆電流経路を夫々有する上側及び下側ＦＥＴに結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、上記上側及び下側ＦＥＴのゲート電荷曲線試験を実行するように制御されるように構成された特性評価回路とを具え、該特性評価回路が、上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電圧ノードとの間に結合された試験インダクタと、上記上側及び下側ＦＥＴのゲートにそれぞれのゲート駆動信号を供給するように構成された上側及び下側ゲート駆動回路とを有し、上記下側ゲート駆動回路は、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達するまで特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオンにし、その後、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオフにするように構成され、次いで、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方の上記ゲート駆動回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方のゲートに定電流を供給するように構成され、上記特性評価回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方のゲートの電圧を測定してゲート電荷特性を測定するように構成される。

【0070】

実施例１２は、実施例１１の試験測定システムであって、上記下側ＦＥＴが特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方であるときは、上記電圧ノードを電源電圧ノードに選択的に結合し、上記上側ＦＥＴが特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方であるときは、上記電圧ノードを基準電圧ノードに選択的に結合するように構成されたスイッチを更に具える。

【0071】

実施例１３は、実施例１２の試験測定システムであって、上記電源電圧ノードと上記上側ＦＥＴのドレインとの間に結合された上側電流検出抵抗と、上記基準電圧ノードと上記下側ＦＥＴのソースとの間に結合された下側電流検出抵抗とを更に具え、上記特性評価回路が、上記上側電流検出抵抗及び上記下側電流検出抵抗の両端間の電圧に基づいて、上記上側ＦＥＴのドレイン電流と上記下側ＦＥＴのソースを検出するように構成される。

【0072】

実施例１４は、実施例１１の試験測定システムであって、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方がオフになるのに応答して、上記試験インダクタを流れる電流が、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の逆電流経路を流れ、上記特性評価回路は、更に、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の電圧及び電流を測定することで、上記上側及び下側ＦＥＴの他方の上記逆電流経路の特性評価を可能にするように構成される。

【0073】

実施例１５は、実施例１４の試験測定システムであって、上記特性評価回路は、特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方がオンになった時間又は上記試験インダクタを流れる電流の値を直接示す測定値に基づいて、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達したと判断するように構成される。

【0074】

実施例１６は、実施例１１の試験測定システムであって、インダクタ電流検出抵抗を上記試験インダクタと直列に結合することによって、上記特性評価回路が上記インダクタ電流検出抵抗の両端間の電圧降下に基づいて上記試験インダクタを流れる電流を測定できるようにする。

【0075】

実施例１７は、試験測定システムであって、ハーフ・ブリッジ回路を形成するように結合された、逆電流経路を夫々有する上側及び下側電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、上記上側及び下側ＦＥＴの逆電流経路の特性評価を実行するように制御されるように構成された特性評価回路とを具え、該特性評価回路が、上記ハーフ・ブリッジ回路のスイッチング・ノードと電圧ノードとの間に結合された試験インダクタと、上記上側及び下側ＦＥＴのゲートにそれぞれのゲート駆動信号を供給するように構成された上側及び下側ゲート駆動回路とを有し、上記下側ゲート駆動回路は、上記試験インダクタを流れる電流が閾値に達するまで特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオンにし、その後、オンだった特性評価対象の上記上側及び下側ＦＥＴの一方をオフにするように構成され、このオフにより、上記試験インダクタの電流が特性評価対象の他方のＦＥＴの逆電流経路を流れるようにさせ、上記特性評価回路は、特性評価対象のＦＥＴの電圧及び電流パラメータを測定し、特性評価対象のＦＥＴの逆電流経路の特性を求めるよう構成される。

【0076】

実施例１８は、実施例１７の試験測定システムであって、上記特性評価回路は、上記上側及び下側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価する際に、上記試験インダクタの電流に関して複数の異なる閾値を設定するように構成される。

【0077】

実施例１９は、実施例１７の試験測定システムであって、上記上側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価しているときには、上記電圧ノードを電源電圧ノードに選択的に結合し、上記下側ＦＥＴの逆電流経路の特性を評価しているときには、上記電圧ノードを基準電圧ノードに選択的に結合するように構成されるスイッチを更に具える。

【0078】

実施例２０は、実施例１９の試験測定システムであって、上記上側及び下側ＦＥＴのそれぞれがＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴのいずれかであって、上記上側及び下側ＦＥＴのそれぞれの逆電流経路がＦＥＴのボディ・ダイオードに対応する。

【0079】

上述の説明は、本開示技術の実施形態の例を示すためだけに記載されているものであって、限定することを意図したものではない。当業者であれば、本発明の要旨を組み込んで、開示された実施形態の変形を考えることは可能なので、本発明は、この発明の範囲内の全てを含むと解釈されるべきである。

【0080】

開示された本件の上述のバージョンは、記述したか又は当業者には明らかであろう多くの効果を有する。それでも、開示された装置、システム又は方法のすべてのバージョンにおいて、これらの効果又は特徴のすべてが要求されるわけではない。

【0081】

加えて、本願の記述は、特定の特徴に言及している。特許請求の範囲、要約及び図面を含め、本明細書に開示される全ての特徴と、開示される全ての方法又は処理における全ての工程は、互いに少なくとも一部分が排他的でない限り、任意に組み合わせても良い。特許請求の範囲、要約及び図面を含め、本明細書に開示される特徴の夫々は、特に明記されていない限り、同じ、等価又は類似の目的に寄与する代替の特徴で置き換えても良い。

【0082】

また、本願において、２つ以上の定義されたステップ又は工程を有する方法に言及する場合、これら定義されたステップ又は工程は、状況的にそれらの可能性を排除しない限り、任意の順序で又は同時に実行しても良い。

【0083】

説明の都合上、本発明の具体的な実施例を図示し、説明してきたが、本発明の要旨と範囲から離れることなく、種々の変更が可能なことが理解できよう。従って、本発明は、添付の請求項以外では、限定されるべきではない。

【符号の説明】

【0084】

４０ 試験測定装置
４２ リモート・デバイス（コンピューティング・デバイス）
４４ ユーザ・インタフェース
４６ プロセッサ
４７ 測定ユニット
４８ 直接接続部
５０ 静的及び動的電力及び測定装置
５２ プロセッサ
５４ インターロック
５６ 高電圧回路
５８ ＤＵＴインタフェース
６０ スイッチング回路
６２ 温度制御回路
６４ バリア
７０ ＤＵＴ
３００ 試験測定システム（プラットフォーム）
４００ 特性評価回路
５００ 特性評価回路
６００ 特性評価回路
７００ ソリッド・ステート・バイアス・ティー
７０２ ＦＥＴ
７０４ 第１ノード
７０６ 第２ノード
７０８ 第３ノード
８００ 特性評価回路
９００ 特性評価回路
ＡＭＰ 増幅回路
Chan１ 第１測定チャンネル
Chan２ 第２測定チャンネル
Chan３ 第３測定チャンネル
Chan４ 第４測定チャンネル
Chan５ 第５測定チャンネル
Chan６ 第６測定チャンネル
Chan７ 第７測定チャンネル
ＤＣ_adj 可変ＤＣ電源電圧源
cap_bank コンデンサ・バンク
Gate_i ゲート電流
ＧＤ ゲート駆動電圧発生回路
ＩＬ インダクタ電流
Ｒ_sup 電源抵抗
Ｒ_vf 電圧帰還抵抗
Ｒ１ 第１電流検出抵抗
Ｒ２ 第２電流検出抵抗
Ｒ３ 第３電流検出抵抗
Ｒs1 電流検出抵抗
Ｒs2 電流検出抵抗
ＲＶＮ 基準電圧ノード
ＳＮ スイッチング・ノード
Source_i ソース電流
ｓｒｃＢ 基準電圧ノード
ＳＶＮ 電源電圧ノード
ＳＷ１ スイッチ
TEST_L 試験インダクタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【外国語明細書】