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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024153304
(43)【公開日】2024-10-29
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20241022BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241022BHJP
H10K 50/828 20230101ALI20241022BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20241022BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241022BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20241022BHJP
H10K 50/842 20230101ALI20241022BHJP
H10K 102/10 20230101ALN20241022BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348Z
H10K50/10
H10K50/828
H10K59/121
H10K59/122
H10K50/824
G09F9/30 365
G09F9/30 338
H10K50/842
H10K102:10
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023067107
(22)【出願日】2023-04-17
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 英幸
(72)【発明者】
【氏名】木村 裕之
(72)【発明者】
【氏名】田畠 弘志
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC33
3K107DD23
3K107DD27
3K107DD37
3K107DD89
3K107EE06
3K107EE07
3K107FF04
3K107FF15
3K107HH05
5C094AA21
5C094AA60
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094CA20
5C094DA13
5C094DB04
5C094EA07
5C094FA10
5C094FB12
5C094HA03
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】 改善された配線構造を有する表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、導電性の下部と前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁と、前記第１隔壁から前記第２隔壁に向けて延び、前記第２隔壁と離間した複数の突出部と、を含む。
【選択図】 図５
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、導電性の下部と前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁と、前記第１隔壁から前記第２隔壁に向けて延び、前記第２隔壁と離間した複数の突出部と、を含む。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁と、
前記第１隔壁から前記第２隔壁に向けて延び、前記第２隔壁と離間した複数の突出部と、
を含む、
表示装置。
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁と、
前記第１隔壁から前記第２隔壁に向けて延び、前記第２隔壁と離間した複数の突出部と、
を含む、
表示装置。
【請求項2】
前記複数の突出部は、丸められた平面形状の先端部を有している、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記複数の副画素は、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間で前記第２方向に並ぶ複数の第１副画素を含み、
前記複数の突出部は、前記第２方向に隣り合う前記第１副画素の間に配置されている、
請求項１に記載の表示装置。
前記複数の突出部は、前記第２方向に隣り合う前記第１副画素の間に配置されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第２方向に隣り合う２つの前記突出部の間に複数の前記第１副画素が配置されている、
請求項３に記載の表示装置。
請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記複数の第１副画素の各々の前記上電極は、前記第１隔壁の前記下部に接触し、前記第２隔壁の前記下部に接触していない、
請求項３に記載の表示装置。
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記複数の第１副画素の各々の前記上電極は、前記第１隔壁の前記下部に接触し、前記第２隔壁の前記下部に接触していない、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項6】
前記隔壁および前記複数の副画素の前記上電極により、前記複数の副画素が配置された表示領域と重なる共通電極が構成され、
前記共通電極は、前記第１隔壁を含む第１セグメントと前記第２隔壁を含む第２セグメントとにスリットによって分断されている、
請求項５に記載の表示装置。
前記共通電極は、前記第１隔壁を含む第１セグメントと前記第２隔壁を含む第２セグメントとにスリットによって分断されている、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項7】
前記スリットの少なくとも一端が前記共通電極の外縁に達している、
請求項６に記載の表示装置。
請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記隔壁は、前記表示領域の周囲の周辺領域において前記第１セグメントと前記第２セグメントを接続し、前記第１セグメントおよび前記第２セグメントよりも高い抵抗を有した高抵抗部をさらに備えている、
請求項７に記載の表示装置。
請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記高抵抗部は、前記下部および前記上部を含み、平面視において蛇行した形状を有している、
請求項８に記載の表示装置。
請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記複数の副画素にそれぞれ配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当する、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当する、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項11】
前記複数の副画素にそれぞれ配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当する、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当する、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項12】
第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁を含み、
前記複数の副画素は、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間で前記第２方向に並ぶ複数の第１副画素を含み、
隣り合う前記第１副画素の間に前記隔壁が配置されていない、
表示装置。
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁を含み、
前記複数の副画素は、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間で前記第２方向に並ぶ複数の第１副画素を含み、
隣り合う前記第１副画素の間に前記隔壁が配置されていない、
表示装置。
【請求項13】
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記複数の第１副画素の各々の前記上電極は、前記第１隔壁の前記下部に接触し、前記第２隔壁の前記下部に接触していない、
請求項１２に記載の表示装置。
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記下部に接触し、前記有機層を覆う上電極と、
を含み、
前記複数の第１副画素の各々の前記上電極は、前記第１隔壁の前記下部に接触し、前記第２隔壁の前記下部に接触していない、
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記複数の副画素は、前記第１副画素と異なる色をそれぞれ表示する第２副画素および第３副画素をさらに含み、
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きい、
請求項１３に記載の表示装置。
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きい、
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項15】
前記隔壁および前記複数の副画素の前記上電極により、前記複数の副画素が配置された表示領域と重なる共通電極が構成され、
前記共通電極は、前記第１隔壁を含む第１セグメントと前記第２隔壁を含む第２セグメントとにスリットによって分断されている、
請求項１３に記載の表示装置。
前記共通電極は、前記第１隔壁を含む第１セグメントと前記第２隔壁を含む第２セグメントとにスリットによって分断されている、
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項16】
前記スリットの少なくとも一端が前記共通電極の外縁に達している、
請求項１５に記載の表示装置。
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項17】
前記隔壁は、前記表示領域の周囲の周辺領域において前記第１セグメントと前記第２セグメントを接続し、前記第１セグメントおよび前記第２セグメントよりも高い抵抗を有した高抵抗部をさらに備えている、
請求項１６に記載の表示装置。
請求項１６に記載の表示装置。
【請求項18】
前記高抵抗部は、前記下部および前記上部を含み、平面視において蛇行した形状を有している、
請求項１７に記載の表示装置。
請求項１７に記載の表示装置。
【請求項19】
前記複数の副画素にそれぞれ配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当する、
請求項１２乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当する、
請求項１２乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項20】
前記複数の副画素にそれぞれ配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当する、
請求項１２乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数の画素回路に走査信号を供給する複数の走査線と、
前記複数の画素回路に映像信号を供給する複数の信号線と、
をさらに備え、
前記第１方向は、前記複数の信号線の延出方向に相当し、
前記第２方向は、前記複数の走査線の延出方向に相当する、
請求項１２乃至１８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。各表示素子の上電極には、表示領域に配置された配線を通じて共通電圧が印加される。これら上電極および配線は、表示領域と全体的に重なる共通電極を構成する。
【0003】
表示装置を備える電子機器に対し、近距離無線通信（ＮＦＣ）のための電波を送受信するアンテナが表示装置に重ねた状態で組み込まれることがある。この場合においては、アンテナが発する磁界に起因した渦電流が共通電極に発生し得る。共通電極が低抵抗であると、渦電流により生じる磁界が強まり、アンテナによる通信を阻害する一因となる。
【0004】
また、表示装置に透光性が求められることがある。しかしながら、上記配線が金属などの遮光性を有する材料で形成されていると、表示装置の透光性が大幅に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、改善された配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態に係る表示装置は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、導電性の下部と前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁と、前記第１隔壁から前記第２隔壁に向けて延び、前記第２隔壁と離間した複数の突出部と、を含む。
【0008】
他の実施形態に係る表示装置は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の副画素と、導電性の下部と前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記第１方向に間隔を空けて並び、前記第２方向にそれぞれ延びる第１隔壁および第２隔壁を含む。前記複数の副画素は、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間で前記第２方向に並ぶ複数の第１副画素を含み、隣り合う前記第１副画素の間に前記隔壁が配置されていない。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向と称する。Ｚ方向は、Ｘ方向ＸとＹ方向を含む平面に対して法線方向である。また、Ｚ方向と平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0012】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0013】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、異なる色を表示する複数の副画素ＳＰを含む。本実施形態においては、画素ＰＸが青色の副画素ＳＰ１と、緑色の副画素ＳＰ２と、赤色の副画素ＳＰ３とを含む場合を想定する。ただし、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線Ｇと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線Ｓと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線Ｇおよび電源線ＰＬがＸ方向に延び、信号線ＳがＹ方向に延びている。
【0018】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0019】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0020】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１とＸ方向に並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３がＹ方向に並んでいる。
【0021】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＹ方向に交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、Ｘ方向に交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。すなわち、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も大きく、副画素ＳＰ３の開口率が最も小さい。
【0023】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0024】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0025】
リブ５の上には、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、平面視において格子状であり、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれを囲っている。
【0026】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0027】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。図３の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。
【0028】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0029】
図３の例において、下部６１は、リブ５の上に配置されたボトム部６３と、ボトム部６３の上に配置された軸部６４とを有している。例えば、ボトム部６３は軸部６４よりも薄く形成されているが、この例に限られない。また、図３の例においてはボトム部６３と軸部６４の側面が揃っているが、ボトム部６３の両端部が軸部６４の側面から突出してもよい。
【0030】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0031】
表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0032】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0033】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0034】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0035】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0036】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0037】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0038】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0039】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0040】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0041】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0042】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら薄膜の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0043】
隔壁６のボトム部６３および軸部６４は、金属材料によって形成されている。ボトム部６３の金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。軸部６４の金属材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。なお、軸部６４が絶縁性の材料で形成されてもよい。
【0044】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。さらに、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。
【0045】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線Ｓの映像信号に応じた画素電圧が供給される。
【0046】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0047】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0048】
図４は、表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３に共通電圧を印加する共通電極ＣＥを構成する。図４中に拡大して示すように、表示領域ＤＡに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が配置され、さらに上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の隙間には隔壁６が配置されている。したがって、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡと全体的に重なっている。
【0049】
周辺領域ＳＡには、複数のパッドを含む端子部Ｔが配置されている。端子部Ｔには、例えば導電性の接着材によってフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）が接続される。これらフレキシブル回路基板および端子部Ｔを通じて画像表示に必要な電圧や信号が供給される。
【0050】
さらに、周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷが配置されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔから共通電圧が印加されている。図４の例において、給電線ＰＷは、端子部Ｔと表示領域ＤＡの間でＸ方向に延びている。
【0051】
共通電極ＣＥは、複数のスリットＳＬを有している。図４の例においては、共通電極ＣＥが５本のスリットＳＬを有しているが、スリットＳＬの数はこの例に限られない。共通電極ＣＥは、これらスリットＳＬによって複数のセグメントＳＧに分割されている。
【0052】
本実施形態においては、各スリットＳＬがＹ方向に延びている。他の観点からいうと、各スリットＳＬは、図１に示した信号線Ｓと平行に延びている。Ｘ方向におけるスリットＳＬの間隔は、例えば一定である。この場合においては、各セグメントＳＧのＸ方向における幅が同等である。
【0053】
各セグメントＳＧは、Ｙ方向（スリットＳＬの延出方向）における第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有している。各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１は、端子部Ｔ側に位置し、給電線ＰＷに接続されている。
【0054】
図４の例において、共通電極ＣＥは、隣り合うセグメントＳＧの第１端部Ｅ１を接続する複数の接続部ＣＮを有している。接続部ＣＮは、隔壁６によって形成されている。一方、隣り合うセグメントＳＧの第２端部Ｅ２は、スリットＳＬを介して離間している。すなわち、第２端部Ｅ２側のスリットＳＬの端部は、共通電極ＣＥの外縁（平面視における輪郭）に達している。
【0055】
図４の例においては、隣り合うセグメントＳＧの第２端部Ｅ２が高抵抗部ＨＲによって接続されている。高抵抗部ＨＲは、セグメントＳＧよりも高い抵抗を有している。高抵抗部ＨＲは、周辺領域ＳＡに配置されている。
【0056】
図５は、スリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。以下の説明においては、図５中のスリットＳＬの左方に位置するセグメントＳＧを第１セグメントＳＧ１と呼び、右方に位置するセグメントＳＧを第２セグメントＳＧ２と呼ぶ。第１セグメントＳＧ１の隔壁６と第２セグメントＳＧ２の隔壁６は、スリットＳＬにより分断されている。
【0057】
上述のとおり、表示領域ＤＡには副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＹ方向に交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列とが形成される。スリットＳＬは、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列に沿って設けられている。以下の説明においては、スリットＳＬに沿う複数の副画素ＳＰ１の列を、副画素列ＣＭと呼ぶ。
【0058】
副画素列ＣＭを除く副画素ＳＰ１や副画素ＳＰ２，ＳＰ３は、隔壁６により全周を囲われている。一方、副画素列ＣＭの副画素ＳＰ１は、完全には隔壁６により囲われていない。
【0059】
第１セグメントＳＧ１は、スリットＳＬに隣接する第１隔壁６ｙ１を有している。第２セグメントＳＧ２は、スリットＳＬに隣接する第２隔壁６ｙ２を有している。これら隔壁６ｙ１，６ｙ２は、いずれもＹ方向に延びるとともに、副画素列ＣＭを挟んでＸ方向に並んでいる。
【0060】
第１セグメントＳＧ１は、複数の突出部ＰＴを有している。突出部ＰＴは、第１隔壁６ｙ１から第２隔壁６ｙ２に向けて延びるとともに、第２隔壁６ｙ２と離間している。本実施形態においては、副画素列ＣＭを構成する複数の副画素ＳＰ１同士の境界のそれぞれに対して突出部ＰＴが配置されている。他の観点から言えば、Ｙ方向に隣り合う２つの突出部ＰＴの間に１つの副画素ＳＰ１が配置されている。
【0061】
図６は、突出部ＰＴ付近を拡大した概略的な平面図である。この図においては、リブ５および下電極ＬＥ１の概略的な平面形状も示している。ドット模様を付した部分が隔壁６に相当し、斜線模様を付した部分が下電極ＬＥ１に相当する。
【0062】
突出部ＰＴは、隔壁６の他の部分と同じく下部６１および上部６２を有している。突出部ＰＴは、隣り合う副画素ＳＰ１の間においてリブ５の上に配置されている。
【0063】
突出部ＰＴの近傍には、透過領域ＴＡが形成されている。透過領域ＴＡは、Ｙ方向に並ぶ２つの下電極ＬＥ１、突出部ＰＴの先端部Ｅａおよび第２隔壁６ｙ２によって囲われている。
【0064】
突出部ＰＴは、Ｘ方向において幅Ｗ１を有している。幅Ｗ１は、突出部ＰＴの根本における上部６２の端部から、突出部ＰＴの先端部Ｅａにおける上部６２の端部までのＸ方向における距離に相当する。透過領域ＴＡは、Ｘ方向において幅Ｗ２を有している。幅Ｗ２は、先端部Ｅａにおける上部６２の端部と、突出部ＰＴに対向する隔壁６の上部６２の端部との間のＸ方向における距離に相当する。図６の例においては、幅Ｗ１が幅Ｗ２よりも大きい。この例に限られず、幅Ｗ１が幅Ｗ２以下であってもよい。
【0065】
突出部ＰＴの先端部Ｅａは、丸められた平面形状を有している。具体的には、先端部Ｅａの両端に位置する角部において、上部６２が曲率半径Ｒの円弧状である。下部６１も上部６２に沿った円弧状である。曲率半径Ｒは、例えば２～４μｍである。先端部Ｅａは、全体が半円状に丸められていてもよい。
【0066】
図７は、図６におけるＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図８は、図６におけるＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図９は、図６におけるＩＸ－ＩＸ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。これらの図においては、基板１０、回路層１１、封止層１４および樹脂層１５の図示を省略している。
【0067】
図７に示す副画素ＳＰ１（表示素子ＤＥ１）の構成は、図３に示したものと概ね同様である。ただし、図７の断面においては、上電極ＵＥ１が第１隔壁６ｙ１の下部６１の側面に接触しているが、第２隔壁６ｙ２の下部６１の側面には接触していない。これにより、上電極ＵＥ１による隔壁６ｙ１，６ｙ２の電気的な接続が抑制され、スリットＳＬの実効性が確保される。
【0068】
図８の例においては、突出部ＰＴを介して隣り合う副画素ＳＰ１（表示素子ＤＥ１）の上電極ＵＥ１が、いずれも突出部ＰＴの下部６１の側面に接触している。ただし、これら上電極ＵＥ１の少なくとも一方が下部６１の側面に接触していなくてもよい。
【0069】
突出部ＰＴの上部６２は、全体的に積層膜ＦＬ１（有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１）により覆われている。さらに、突出部ＰＴを介して隣り合う副画素ＳＰ１の各積層膜ＦＬ１および上部６２の上に位置する積層膜ＦＬ１が、封止層ＳＥ１によって連続的に覆われている。
【0070】
図９に示すように、透過領域ＴＡにおいては、積層膜ＦＬ１が分断されることなくリブ５の上を横切っている。透過領域ＴＡには下電極ＬＥ１および隔壁６が配置されていない。したがって、透過領域ＴＡに入射する外光Ｌは、下電極ＬＥ１および隔壁６によって遮られることなく表示装置ＤＳＰの下方へと透過することが可能である。
【0071】
図１０は、上電極ＵＥ１を蒸着する工程を示す概略的な断面図である。この図においては、図７と同様に隔壁６ｙ１，６ｙ２を含む断面を示している。上電極ＵＥ１は、蒸着によって形成される。具体的には、有機層ＯＲ１が形成された後の基板は、上電極ＵＥ１を形成するためのチャンバに搬送される。このチャンバには、蒸着源１００が配置されている。蒸着源１００のノズル１１０からは、蒸着材料Ｍが放たれる。
【0072】
蒸着材料Ｍは、ノズル１１０から拡がりをもって放射される。基板に付着した蒸着材料Ｍにより形成される上電極ＵＥ１は、オーバーハング状の隔壁６ｙ１，６ｙ２によって分断される。
【0073】
図１０の断面において、蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤは、第１隔壁６ｙ１に向かうようにＺ方向に対して傾いている。これにより、第１隔壁６ｙ１の下部６１の側面に蒸着材料Ｍが良好に付着する。一方で、第２隔壁６ｙ２の下部６１の側面に向かう蒸着材料Ｍは、第２隔壁６ｙ２の上部６２により遮られる。そのため、第２隔壁６ｙ２の下部６１への蒸着材料Ｍの付着が抑制される。
【0074】
このように蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤを傾けることで、図７乃至図９に示したように、第１隔壁６ｙ１および突出部ＰＴの下部６１の側面に接触するとともに、第２隔壁６ｙ２の下部６１の側面に接触していない上電極ＵＥ１を形成することができる。なお、図５においては、隔壁６の輪郭のうち、上電極ＵＥ１が下部６１の側面に接触するコンタクト辺ＣＳに相当する部分を太線にて示している。
【0075】
【0076】
周辺領域ＳＡには、ダミー画素ＤＰＸが配置されている。ダミー画素ＤＰＸは、画素ＰＸと同じく副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含む。ただし、ダミー画素ＤＰＸの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、発光しないように構成されている。一例では、ダミー画素ＤＰＸの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においては、リブ５に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が設けられていない。そのため、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の間に電位差が形成されたとしても、これらの間の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発光しない。
【0077】
図１１の例では、周辺領域ＳＡにおいてＹ方向に２つのダミー画素ＤＰＸが並んでいるが、ダミー画素ＤＰＸの配置態様はこの例に限られない。なお、表示領域ＤＡの他の辺においても同様のダミー画素ＤＰＸが配置されている。
【0078】
高抵抗部ＨＲは、隔壁６によって形成されている。すなわち、高抵抗部ＨＲは、下部６１と、下部６１の側面から突出した上部６２とを含む。高抵抗部ＨＲは、複数回にわたり蛇行した形状を有し、セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第２端部Ｅ２を接続している。このような蛇行した形状においては、高抵抗部ＨＲを介してセグメントＳＧ１，ＳＧ２を接続する経路が長くなり、当該経路を含む回路の抵抗を上げることができる。
【0079】
ここで、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図１２および図１３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果を説明するための図である。表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナＡＴ１を備えることがある。アンテナＡＴ１は、例えば表示装置ＤＳＰの裏面（図３に示す基板１０の下面）に対向するように配置され、表示装置ＤＳＰを通じて他の電子機器のアンテナＡＴ２と無線通信する。
図１２および図１３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果を説明するための図である。表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナＡＴ１を備えることがある。アンテナＡＴ１は、例えば表示装置ＤＳＰの裏面（図３に示す基板１０の下面）に対向するように配置され、表示装置ＤＳＰを通じて他の電子機器のアンテナＡＴ２と無線通信する。
【0080】
アンテナＡＴ１，ＡＴ２間の無線通信時には、アンテナＡＴ１が形成する磁界Ｍ１により共通電極ＣＥに渦電流Ｉが発生する。渦電流Ｉにより、磁界Ｍ１を打ち消す磁界Ｍ２が形成され、信号強度が減衰する。そのため、表示装置ＤＳＰを介して無線通信を行う場合には、通信感度が低下し得る。特に、主に金属材料で形成された格子状の隔壁６が表示領域ＤＡの全体に形成されている場合には、共通電極ＣＥが低抵抗となる。これにより、大きい渦電流Ｉとそれに伴う強い磁界Ｍ２が生じ、通信感度が低下しやすい。
【0081】
これに対し、本実施形態においては、共通電極ＣＥがスリットＳＬによって複数のセグメントＳＧに分割されている。この場合には、共通電極ＣＥに大きい渦電流が生じにくくなるので、通信感度の低下を抑制することができる。なお、各セグメントＳＧには渦電流が生じ得るが、これら渦電流による通信感度への影響は、分割されていない共通電極ＣＥの全体に生じる渦電流Ｉに比べれば軽微である。
【0082】
また、表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、外光を検知する照度センサなどの光学センサを備えることがある。このような光学センサが表示装置ＤＳＰの裏面側に配置される場合には、表示装置ＤＳＰに透光性が必要となる。
【0083】
しかしながら、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、いずれも上述の反射層を含む。また、少なくとも一部が金属材料で形成された隔壁６は、遮光性を有している。そのため、仮に表示領域ＤＡの全体に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および隔壁６が形成されていると、表示装置ＤＳＰの表示面に入射する殆どの光が裏面側に透過することなく反射または遮光され得る。
【0084】
これに対し、本実施形態においては、図６および図９に示した透過領域ＴＡが表示領域ＤＡに形成されている。そのため、図９を用いて説明したように、表示面に入射する外光の一部がスリットＳＬを通じて表示装置ＤＳＰの裏面側に透過する。これにより、表示装置ＤＳＰの透光性を高めることができる。
【0085】
なお、隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電するための配線としての役割を有するとともに、表示装置ＤＳＰの製造時に蒸着で形成される積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断する役割も有している。このように積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断することで、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３により個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。
【0086】
ただし、スリットＳＬにおいては、隔壁６が分断されている。したがって、図５に示した副画素列ＣＭを構成する複数の副画素ＳＰ１については、個別に封止することが困難である。仮に、スリットＳＬの両端が完全にオープンであると、これら副画素ＳＰ１の積層膜ＦＬ１の端部が封止層ＳＥ１から露出し得る。この場合において封止層ＳＥ１から露出した積層膜ＦＬ１から水分が浸入すれば、副画素列ＣＭを構成する副画素ＳＰ１が全体的に劣化し、ライン状の表示不良を生じる可能性がある。
【0087】
これに対し、本実施形態においては、セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第１端部Ｅ１が隔壁６により形成された接続部ＣＮ（図４参照）で接続されるとともに、セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第２端部Ｅ２が隔壁６により形成された高抵抗部ＨＲ（図１１参照）で接続されている。すなわち、副画素列ＣＭを構成する複数の副画素ＳＰ１は、隔壁６によって囲われている。そのため、これら副画素ＳＰ１の積層膜ＦＬ１の端部を封止層ＳＥ１によって良好に被覆し、当該積層膜ＦＬ１への水分浸入を抑制することが可能となる。
【0088】
また、本実施形態においては、副画素列ＣＭを構成する複数の副画素ＳＰ１の間に突出部ＰＴが設けられている。これにより、スリットＳＬと表示領域ＤＡの他の箇所とで隔壁６の反射による見栄えの変化を抑制し、表示品位を高めることができる。
【0089】
仮に、突出部ＰＴの先端部Ｅａが角張った平面形状であると、上部６２が破損したり、封止層ＳＥ１による積層膜ＦＬ１の被覆が不十分な箇所が生じたりする可能性がある。これに対し、図６に示したように突出部ＰＴの先端部Ｅａが丸められていれば、上部６２の破損を抑制するとともに、封止層ＳＥ１により積層膜ＦＬ１を良好に被覆することができる。
【0090】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。以下の第２乃至第７実施形態においては、隔壁６および共通電極ＣＥに適用し得る構成の他の例を開示する。これらの実施形態において、特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0091】
［第２実施形態］
図１４は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。
図１４は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。
【0092】
本実施形態においては、第１セグメントＳＧ１が突出部ＰＴを有していない。他の観点から言えば、副画素列ＣＭにおいて隣り合う副画素ＳＰ１の間に隔壁６が配置されていない。このような構成であれば、透過領域ＴＡ（図６参照）が大きくなるため、表示装置ＤＳＰの透過率を一層高めることができる。
【0093】
［第３実施形態］
図１５は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。本実施形態においては、第１実施形態と同じく第１セグメントＳＧ１が突出部ＰＴを有している。ただし、図５の例に比べて突出部ＰＴの数が減らされている。
図１５は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。本実施形態においては、第１実施形態と同じく第１セグメントＳＧ１が突出部ＰＴを有している。ただし、図５の例に比べて突出部ＰＴの数が減らされている。
【0094】
図１５の例においては、Ｙ方向に並ぶ２つの突出部ＰＴの間に２つの副画素ＳＰ１が配置されている。これに限らず、２つの突出部ＰＴの間に３つ以上の副画素ＳＰ１が配置されてもよい。
【0095】
本実施形態によれば、第２実施形態と同様に表示装置ＤＳＰの透過率を高めることができる。また、仮に第２実施形態のように突出部ＰＴが全く設けられていない場合、スリットＳＬに沿う副画素列ＣＭの見栄えが他の副画素列と異なってしまう可能性がある。これに対し、本実施形態の構成であれば、副画素列ＣＭの見栄え改善の効果が期待できる。
【0096】
［第４実施形態］
図１６は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。
図１６は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合うセグメントＳＧ１，ＳＧ２を拡大して示す概略的な平面図である。
【0097】
本実施形態において、表示領域ＤＡは、Ｙ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ１で構成された副画素列ＣＭ１と、Ｙ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ２で構成された副画素列ＣＭ２と、Ｙ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ３で構成された副画素列ＣＭ３とを有している。これら副画素列ＣＭ１，ＣＭ２，ＣＭ３は、Ｘ方向に交互に並んでいる。
【0098】
例えば、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のＹ方向における幅（画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３のＹ方向における幅）は同じである。一方、図１６の例においては、副画素ＳＰ１のＸ方向における幅（画素開口ＡＰ１のＸ方向における幅）が副画素ＳＰ２，ＳＰ３のＸ方向における幅（画素開口ＡＰ２，ＡＰ３のＸ方向における幅）よりも大きい。これにより、副画素ＳＰ１の開口率は、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の開口率よりも大きい。なお、この例に限られず、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のＸ方向における幅が同じであってもよい。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかのＸ方向における幅が副画素ＳＰ１のＸ方向における幅より大きくてもよい。
【0099】
副画素列ＣＭ１，ＣＭ２，ＣＭ３は、それぞれ隔壁６によって囲われている。スリットＳＬは、副画素列ＣＭ１に沿って設けられている。セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第１端部Ｅ１は、隔壁６の一部である接続部ＣＮによって接続されている。セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第２端部Ｅ２は、第１実施形態と同様の高抵抗部ＨＲによって接続されている。
【0100】
図１６の例においては、Ｙ方向に並ぶ副画素ＳＰ１の間、Ｙ方向に並ぶ副画素ＳＰ２の間、および、Ｙ方向に並ぶ副画素ＳＰ３の間に隔壁６が設けられていない。これにより、スリットＳＬ以外の箇所にも上述の透過領域ＴＡが形成されるので、表示装置ＤＳＰの透過率を一層高めることができる。
【0101】
［第５実施形態］
図１７は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１実施形態と同じくＹ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＸ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。スリットＳＬの近傍には、図５、図１１、図１４、図１５または図１６と同様の構成を適用し得る。
図１７は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１実施形態と同じくＹ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＸ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。スリットＳＬの近傍には、図５、図１１、図１４、図１５または図１６と同様の構成を適用し得る。
【0102】
図１７の例においては、各スリットＳＬの給電線ＰＷ側の端部Ｅｓが表示領域ＤＡに位置している。これにより、各セグメントＳＧと給電線ＰＷの間に、各セグメントＳＧよりもＸ方向における幅が大きいセグメントＳＧ０が形成されている。
【0103】
セグメントＳＧ０のＹ方向における一端は、各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１に接続されている。セグメントＳＧ０のＹ方向における他端は、給電線ＰＷに接続されている。
【0104】
図１７の例においては、各スリットＳＬの端部ＥｓのＹ方向における位置が揃っている。さらに、これら端部Ｅｓは、共通電極ＣＥのＹ方向における中心ＣＬｙよりも給電線ＰＷ側に位置している。この例に限られず、各端部ＥｓのＹ方向における位置がずれていてもよい。また、端部Ｅｓは、中心ＣＬｙよりも第２端部Ｅ２側に位置してもよい。
【0105】
本実施形態のように、スリットＳＬが表示領域ＤＡにおいて共通電極ＣＥを完全には分断しない場合であっても、上述した渦電流を抑制する効果や、表示装置ＤＳＰの透過率を高める効果が得られる。
【0106】
［第６実施形態］
上述の各実施形態においては、スリットＳＬがＹ方向に延びる構成を開示した。本実施形態においては、スリットＳＬがＸ方向に延びる構成を開示する。
上述の各実施形態においては、スリットＳＬがＹ方向に延びる構成を開示した。本実施形態においては、スリットＳＬがＸ方向に延びる構成を開示する。
【0107】
図１８は、第６実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。この図の例においては、Ｘ方向に延びる複数のスリットＳＬが共通電極ＣＥに設けられ、これにより共通電極ＣＥがＹ方向に並ぶ複数のセグメントＳＧに分割されている。他の観点からいうと、本実施形態におけるスリットＳＬは、図１に示した走査線Ｇと平行に延びている。
【0108】
各セグメントＳＧは、Ｘ方向に長尺な形状を有し、Ｙ方向に並んでいる。図１８の例においては、隣り合うセグメントＳＧの第１端部Ｅ１が接続部ＣＮによって接続され、第２端部Ｅ２が高抵抗部ＨＲによって接続されている。
【0109】
給電線ＰＷは、Ｘ方向に延びる第１部分Ｐ１と、Ｙ方向に延びる第２部分Ｐ２とを有している。第１部分Ｐ１は、表示領域ＤＡと端子部Ｔの間に位置している。第２部分Ｐ２は、表示領域ＤＡの図中左辺に沿って配置されている。各セグメントＳＧの第１端部Ｅ１は、第２部分Ｐ２に接続されている。
【0110】
図１９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいてスリットＳＬを介して隣り合う２つのセグメントＳＧを拡大して示す概略的な平面図である。本実施形態においては、図１９中のスリットＳＬの下方に位置するセグメントＳＧを第１セグメントＳＧ１と呼び、上方に位置するセグメントＳＧを第２セグメントＳＧ２と呼ぶ。
【0111】
画素ＰＸは、第１実施形態と同じく副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含む。図１９の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＸ方向に並んでいる。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がＹ方向に並ぶとともに、副画素ＳＰ１，ＳＰ３もＹ方向に並んでいる。第１実施形態と同じく、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も大きく、副画素ＳＰ３の開口率が最も小さい。
【0112】
第１セグメントＳＧ１は、スリットＳＬに隣接する第１隔壁６ｘ１を有している。第２セグメントＳＧ２は、スリットＳＬに隣接する第２隔壁６ｘ２を有している。これら隔壁６ｘ１，６ｘ２は、いずれもＸ方向に延びている。隔壁６ｘ１，６ｘ２の間に位置する副画素列ＣＭは、Ｘ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成されている。
【0113】
第１セグメントＳＧ１は、複数の突出部ＰＴを有している。突出部ＰＴは、第１隔壁６ｘ１から第２隔壁６ｘ２に向けて延びるとともに、第２隔壁６ｘ２と離間している。図１９の例においては、副画素列ＣＭを構成する複数の副画素ＳＰ１のうち、隣り合う２つの間に突出部ＰＴが位置している。他の観点から言えば、Ｙ方向に隣り合う２つの突出部ＰＴの間に１つの副画素ＳＰ１が配置されている。
【0114】
上電極ＵＥ１が下部６１の側面に接触するコンタクト辺ＣＳは、例えば図１９において太線で示したとおりである。すなわち、副画素列ＣＭの上電極ＵＥ１は、第１隔壁６ｘ１の下部６１に接触し、第２隔壁６ｘ２の下部６１と離間している。
【0115】
図２０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１セグメントＳＧ１が突出部ＰＴを有していない。これにより、第２実施形態と同じく表示装置ＤＳＰの透過率を高めることができる。
【0116】
図２１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得るさらに他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第１セグメントＳＧ１が突出部ＰＴを有しているが、図１９の例に比べてその数が減らされている。これにより、第３実施形態と同じく透過率の向上と副画素列ＣＭの見栄えの改善を両立させることができる。
【0117】
図２１の例においては、Ｘ方向に並ぶ２つの突出部ＰＴの間に２つの副画素ＳＰ１が配置されている。これに限らず、２つの突出部ＰＴの間に３つ以上の副画素ＳＰ１が配置されてもよい。
【0118】
図２２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得るさらに他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第４実施形態と同じく、複数の副画素ＳＰ１で構成された副画素列ＣＭ１と、複数の副画素ＳＰ２で構成された副画素列ＣＭ２と、複数の副画素ＳＰ３で構成された副画素列ＣＭ３とが表示領域ＤＡに形成されている。ただし、これら副画素列ＣＭ１，ＣＭ２，ＣＭ３は、Ｘ方向に延びている。
【0119】
例えば、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のＸ方向における幅（画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３のＸ方向における幅）は同じである。一方、図２２の例においては、副画素ＳＰ１のＹ方向における幅（画素開口ＡＰ１のＹ方向における幅）が副画素ＳＰ２，ＳＰ３のＹ方向における幅（画素開口ＡＰ２，ＡＰ３のＹ方向における幅）よりも大きい。これにより、副画素ＳＰ１の開口率は、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の開口率よりも大きい。なお、この例に限られず、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のＹ方向における幅が同じであってもよい。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかのＹ方向における幅が副画素ＳＰ１のＹ方向における幅より大きくてもよい。
【0120】
副画素列ＣＭ１，ＣＭ２，ＣＭ３は、それぞれ隔壁６によって囲われている。スリットＳＬは、副画素列ＣＭ１に沿って設けられている。セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第１端部Ｅ１は、隔壁６の一部である接続部ＣＮによって接続されている。セグメントＳＧ１，ＳＧ２の第２端部Ｅ２は、第１実施形態と同様の高抵抗部ＨＲによって接続されている。
【0121】
図２２の例においては、Ｘ方向に並ぶ副画素ＳＰ１の間、Ｘ方向に並ぶ副画素ＳＰ２の間、および、Ｘ方向に並ぶ副画素ＳＰ３の間に隔壁６が設けられていない。これにより、表示装置ＤＳＰの透過率を一層高めることができる。
【0122】
［第７実施形態］
図２３は、第７実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。本実施形態においては、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。
図２３は、第７実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の要素を示す概略的な平面図である。本実施形態においては、表示領域ＤＡおよび共通電極ＣＥが円形である。
【0123】
図２３の例において、共通電極ＣＥは、上述の各実施形態と同じく複数のスリットＳＬによって複数のセグメントＳＧに分割されている。各スリットＳＬは、Ｙ方向と平行に延びている。隣り合うセグメントＳＧの第１端部Ｅ１は、接続部ＣＮにより接続されている。一方、隣り合うセグメントＳＧの第２端部Ｅ２は、高抵抗部ＨＲによって接続されている。
【0124】
図２４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る構成の他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、各スリットＳＬがＸ方向と平行に延びている。
【0125】
【0126】
図２３の例において、スリットＳＬの近傍には、図５、図１１、図１４、図１５または図１６と同様の構成を適用し得る。また、図２４の例において、スリットＳＬの近傍には、図１９、図２０、図２１または図２２と同様の構成を適用し得る。
【0127】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0128】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0129】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0130】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＣＥ…共通電極、ＳＬ…スリット、ＳＧ…セグメント、ＰＷ…給電線、Ｔ…端子部、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…下部、６２…上部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】