▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024153528
(43)【公開日】2024-10-29
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241022BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201L
H01G4/30 515
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 512
H01G4/30 201K
H01G4/30 201D
H01G4/30 201C
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023127368
(22)【出願日】2023-08-03
(31)【優先権主張番号】10-2023-0050241
(32)【優先日】2023-04-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ヨーン、セオク ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】クォン、ヒョン スン
(72)【発明者】
【氏名】ジェオン、イン ホ
(72)【発明者】
【氏名】リー、ビュン ホ
(72)【発明者】
【氏名】キム、ミ ヤン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC10
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF06
5E001AH01
5E001AH05
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ02
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE04
5E082EE05
5E082EE18
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG03
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】信頼性が向上し、高温・高圧加速寿命のＭＴＴＦが向上し、静電容量が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体と、本体上に配置される外部電極とを含む。誘電体層１１１は、希土類元素、希土類元素の二次相１４１及び誘電体結晶粒を含み、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄ、希土類元素の二次相１４１の誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、誘電体層１１１は、Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相１４１を２つ以上含み、誘電体結晶粒は、コア部及び上記コア部の少なくとも一部上に配置されたシェル部を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する上記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、第１誘電体結晶粒のシェル部は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含む。
【選択図】図５
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体と、本体上に配置される外部電極とを含む。誘電体層１１１は、希土類元素、希土類元素の二次相１４１及び誘電体結晶粒を含み、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄ、希土類元素の二次相１４１の誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、誘電体層１１１は、Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相１４１を２つ以上含み、誘電体結晶粒は、コア部及び上記コア部の少なくとも一部上に配置されたシェル部を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する上記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、第１誘電体結晶粒のシェル部は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含む。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、希土類元素、希土類元素の二次相及び誘電体結晶粒を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記希土類元素の二次相の前記誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、前記誘電体層はＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含み、
前記誘電体結晶粒は、コア部及び前記コア部の少なくとも一部上に配置されたシェル部を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する前記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、前記第１誘電体結晶粒のシェル部は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含む、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、希土類元素、希土類元素の二次相及び誘電体結晶粒を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記希土類元素の二次相の前記誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、前記誘電体層はＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含み、
前記誘電体結晶粒は、コア部及び前記コア部の少なくとも一部上に配置されたシェル部を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する前記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、前記第１誘電体結晶粒のシェル部は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含む、積層型電子部品。
【請求項2】
前記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に前記Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含む領域を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記第１誘電体結晶粒の中心を通る直線Ｌを基準に、前記第１誘電体結晶粒の長さをＧ、前記第１誘電体結晶粒のシェル部のうち１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域の長さをｄと定義するとき、
２．５％≦ｄ／Ｇ≦４７．０％を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
２．５％≦ｄ／Ｇ≦４７．０％を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記ｄは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記誘電体層は、１μｍ×１μｍの領域内に前記第１誘電体結晶粒を３つ以上含む領域を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記希土類元素の二次相は、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する希土類元素のモル数に関する比率が３０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記誘電体層はＴｉを含む主成分、及び副成分を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記副成分は、原子価可変アクセプタ元素を含む第１副成分を含み、
前記原子価可変アクセプタ元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含み、
前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記原子価可変アクセプタ元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含み、
前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記副成分はＭｇを含む第２副成分を含み、
前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記副成分は、希土類元素を含む第３副成分を含み、
前記希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含み、
前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含み、
前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含む第４副成分を含み、
前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記副成分はＳｉを含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記副成分はＳｉを含む第５副成分を含み、前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満であり、
前記Ｔｉ１００モルを基準に、前記第５副成分の含量に対する前記第４副成分の含量に関する比率は１．６０以下である、請求項１１に記載の積層型電子部品。
前記Ｔｉ１００モルを基準に、前記第５副成分の含量に対する前記第４副成分の含量に関する比率は１．６０以下である、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さは３．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さは３．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記内部電極は複数の内部電極を含み、
前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さは１．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さは１．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項16】
前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、前記内部電極は複数の内部電極を含み、
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さをｔｄ１、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さをｔｅ１と定義するとき、
ｔｅ１×２＜ｔｄ１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さをｔｄ１、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さをｔｅ１と定義するとき、
ｔｅ１×２＜ｔｄ１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項17】
前記誘電体層は、Ｔｉを含む主成分、及び第１～第６副成分を含み、
前記第１副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含む原子価可変アクセプタ元素を含み、前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であり、
前記第２副成分はＭｇを含み、前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であり、
前記第３副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含む希土類元素を含み、前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であり、
前記第４副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含み、前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であり、
前記第５副成分はＳｉを含み、前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含む原子価可変アクセプタ元素を含み、前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であり、
前記第２副成分はＭｇを含み、前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であり、
前記第３副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含む希土類元素を含み、前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であり、
前記第４副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含み、前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であり、
前記第５副成分はＳｉを含み、前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項18】
前記誘電体層は、Ｔｉを含む主成分、及び第１～第６副成分を含み、
前記第１副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含む原子価可変アクセプタ元素を含み、前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であり、
前記第２副成分はＭｇを含み、前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であり、
前記第３副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含む希土類元素を含み、前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であり、
前記第４副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含み、前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であり、
前記第５副成分はＳｉを含み、前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項３に記載の積層型電子部品。
前記第１副成分は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち少なくとも一つを含む原子価可変アクセプタ元素を含み、前記第１副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であり、
前記第２副成分はＭｇを含み、前記第２副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であり、
前記第３副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含む希土類元素を含み、前記第３副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であり、
前記第４副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含み、前記第４副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であり、
前記第５副成分はＳｉを含み、前記第５副成分の含量は、前記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話等の様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器等、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同一容量帯で定格電圧が高く信頼性に優れた製品の需要が増加している。一般に、結晶粒のサイズが小さく粒界が多いほど、誘電体の信頼性が向上することが知られている。ＭＬＣＣ誘電体組成の添加剤元素の中で、原子価固定アクセプタ、原子価可変アクセプタである遷移金属元素、及び希土類元素が信頼性に与える影響は既知であり、一般にこれらを含む誘電体添加元素の組成比の最適化により良好な信頼性を有する条件を選定する。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ＭＬＣＣが産業化されてから３０年以上が経過する間に、信頼性を向上させるための組成の最適化作業が継続的に進められており、そのような事例が多くの特許として既に報告されている。最近、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布と固溶の程度、そして工程条件によって信頼性に大きな差があることが報告されており、これに対する研究が活発に進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】日本公開特許公報第２００１－００６９６６号
【特許文献2】日本公開特許公報第２０１１－１６２４０１号
【特許文献3】韓国公開特許公報第１０－２０１５－０１２１５６９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、Ｘ７Ｒ又はＸ７Ｓ特性を満たす積層型電子部品を提供することである。
【0008】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高温・高圧加速寿命のＭＴＴＦが向上した積層型電子部品を提供することである。
【0009】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、静電容量が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0010】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、希土類元素、希土類元素の二次相及び誘電体結晶粒を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記希土類元素の二次相の上記誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、上記誘電体層は、Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含み、上記誘電体結晶粒は、コア部及び上記コア部の少なくとも一部上に配置されたシェル部を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する上記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、上記第１誘電体結晶粒のシェル部は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むことができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。
【0013】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品のＸ７Ｒ又はＸ７Ｓ特性を満たすことである。
【0014】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の高温・高圧加速寿命のＭＴＴＦを向上させることである。
【0015】
本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の静電容量を向上させることである。
【0016】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。
【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。
【図6】コア－シェル構造の第１誘電体結晶粒の構造とそれに含まれる領域別希土類元素の原子百分率を概略的に示すものである。
【図7】本発明の一実施形態の容量形成部を撮影してマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したＳＴＥＭ／ＥＤＳイメージである。
【図8】（ａ）は、本発明の一実施形態であるコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を撮影したＳＴＥＭイメージであり、（ｂ）は、同じ第１誘電体結晶粒に表記されたＡＢ直線にラインプロファイルを施したＲＥの含量を示すグラフである。
【図9】（ａ）は、本発明の一実施形態であるコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒を撮影したＳＴＥＭイメージであり、（ｂ）は、同じ第１誘電体結晶粒に表記されたＣＤ直線にラインプロファイルを施してＲＥの含量を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0019】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成のサイズ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0020】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0021】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図６は、コア－シェル構造の第１誘電体結晶粒の構造とそれに含まれる領域別希土類元素の原子百分率を概略的に示すものである。
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図６は、コア－シェル構造の第１誘電体結晶粒の構造とそれに含まれる領域別希土類元素の原子百分率を概略的に示すものである。
【0022】
以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0023】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は、希土類元素、希土類元素の二次相１４１及び誘電体結晶粒を含み、上記誘電体層１１１の平均厚さをｔｄ、上記希土類元素の二次相１４１の上記誘電体層の厚さ方向の最大距離をＤと定義するとき、上記誘電体層１１１は、Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相１４１を２つ以上含み、上記誘電体結晶粒は、コア部１１及び上記コア部１１の少なくとも一部上に配置されたシェル部分１２を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒１０を含み、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する上記希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、上記第１誘電体結晶粒のシェル部１２は１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むことができる。
【0024】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。
【0025】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。
【0026】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0027】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0028】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0029】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料としては、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0030】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などと副成分が添加されることができる。
【0031】
誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。
【0032】
但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、誘電体層の厚さｔｄは５．０μｍ以下、好ましくは４．０μｍ以下、より好ましくは３．０μｍ以下であってもよい。また、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層の厚さｔｄは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0033】
ここで、誘電体層の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層の厚さｔｄを意味することができる。
【0034】
一方、誘電体層の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向の距離を意味することができる。なお、誘電体層の厚さｔｄは、誘電体層の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均距離を意味することができる。
【0035】
誘電体層１１１の第１方向の平均距離は、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均距離は、一つの誘電体層１１１において、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向の距離を測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均距離をさらに一般化することができる。
【0036】
一方、積層型電子部品は、ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同一容量帯で定格電圧が高く信頼性に優れた製品の需要が増加している。一般に、結晶粒のサイズが小さく粒界が多いほど、誘電体の信頼性が向上することが知られている。ＭＬＣＣ誘電体組成の添加剤元素の中で、原子価固定アクセプタ、原子価可変アクセプタである遷移金属元素、及び希土類元素が信頼性に与える影響は既知であり、一般にこれらを含む誘電体添加元素の組成比の最適化により良好な信頼性を有する条件を選定する。ＢＭＥ ＭＬＣＣが産業化されてから３０年以上経過している間、信頼性を向上させるための組成の最適化作業が継続的に進められており、そのような事例が多くの特許として既に報告されている。最近、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布と固溶の程度、そして工程条件によって信頼性に大きな差があることが報告されており、これに対する研究が活発に進められている。
【0037】
現在のＸ５Ｒ、Ｘ７Ｒ、Ｘ８Ｒ、Ｙ５Ｖなどの高容量ＢＭＥ ＭＬＣＣの誘電体は、ＢａＴｉＯ３母材、あるいはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶して修正された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ ｙＺｒｙ）Ｏ３、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３などの母材に、Ｍｇ、Ａｌなどのような原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒなどのようなドナー（ｄｏｎｏｒ）としての役割を果たす希土類元素とを共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）し、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒのような原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素、及び余分なＢａ、並びにＳｉＯ２又はこれを含む焼結助剤などをさらに添加して焼結された材料に基づいている。還元雰囲気で焼成する場合に高容量ＭＬＣＣの正常な容量及び絶縁特性を実現するためには、粒成長の抑制及び耐還元性を実現しなければならず、Ｍｇのような原子価固定アクセプタを適正量添加することにより、この２つの効果を実現できると知られている。しかし、Ｍｇのような原子価固定アクセプタのみが添加された場合には、誘電体の耐電圧特性と信頼性が悪く、Ｍｎ及びＶのような原子価可変アクセプタである遷移金属元素と希土類元素とを共に添加することで、耐電圧及び信頼性の向上効果が得られるようになる。これらの元素のほとんどは共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）されており、ＢａＴｉＯ３母材結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）領域に固溶してコア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造を形成し、ＭＬＣＣの温度による安定した容量特性及び信頼性を実現する。
【0038】
ここで、希土類元素は加速寿命あるいは信頼性を向上させる役割を果たすことが知られており、これら元素がＢａＴｉＯ３格子内に多く固溶するほど、その特性は向上することが観察されている。しかし、希土類元素の添加量が多すぎる場合には、パイロクロア（Ｐｙｒｏｃｈｌｏｒｅ、例えば、Ｒｅ２Ｔｉ２Ｏ７、ここでＲｅは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ、ｅｔｃ．）やＲＥ２Ｓｉ２Ｏ７のように、希土類元素の含量が高い巨大な二次相が生成され、加速寿命が顕著に悪くなるおそれがある。
【0039】
しかし、本発明によれば、希土類元素の含量が高い二次相のサイズが誘電体層の厚さに比べて特定サイズ以下に小さく均一に分布し、同時に、主成分であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）誘電体結晶粒のシェル部位に含まれる希土類元素の含量が特定の分布を有する場合、Ｘ７Ｒ－ＴＣＣ温度特性を満たすことができ、誘電容量及び信頼性を向上できる効果がある。
【0040】
具体的に、誘電率≧２０００、温度１５０℃で電界４３Ｖ／μｍを印加する加速試験条件で平均故障寿命（ＭＴＴＦ：Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）が１５０時間以上、ＲＣ値≧１０００ΩＦ、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下である特性のうち少なくとも一つの特性を満たすことを目標特性とすることができ、好ましくは、全ての特性を満たす場合を目標特性とすることができる。
【0041】
誘電体層１１１は、希土類元素及び希土類元素の二次相１４１を含むことができ、このとき、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄ、希土類元素の二次相１４１の上記誘電体層１１１の厚さ方向の距離をＤと定義するとき、上記誘電体層は、Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むことができる。
【0042】
ここで、希土類元素の二次相１４１は、酸素元素を除く全ての元素のモル数に対する希土類元素のモル数に関する比率又は百分率（％）は３０％以上であることができる。
【0043】
このとき、誘電体層１１１は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に上記Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むことができる。
【0044】
ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内にＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相の個数の上限値は特に制限されるものではなく、誘電体層の厚さｔｄが５μｍ以下の場合には７つ以下が好ましく、誘電体層の厚さｔｄが５μｍを超える場合には７つを超えて含むことができる。
【0045】
ここで、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域は、誘電体層の厚さ方向への距離が誘電体層の平均厚さであるｔｄμｍと同じ距離であることができ、誘電体層の厚さ方向に垂直な方向のサイズが誘電体層の平均厚さであるｔｄμｍと同じサイズであることができ、誘電体層の厚さ方向への距離ｔｄμｍと誘電体層の厚さ方向に垂直な方向への距離ｔｄμｍを乗じた面積を有する四角形領域を意味することができる。例えば、誘電体層１１１の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１方向の距離がｔｄμｍであり、第２方向の距離がｔｄμｍである四角形領域を意味することができる。
【0046】
また、Ｄは希土類元素の二次相１４１の誘電体層の厚さ方向への最大距離を意味することができる。例えば、ＳＥＭ、ＴＥＭ及びＳＴＥＭを介して誘電体層１１１の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）で観察される希土類元素の二次相１４１の領域のうち、第１方向の両終点を含むように任意の二つの直線を第２方向にそれぞれ描いた後、二つの直線の間の第１方向の距離を測定した値を意味することができる。
【0047】
そして、希土類元素の二次相１４１に含まれた元素の種類及び含量も、ＳＥＭ、ＴＥＭ及びＳＴＥＭのＥＤＳ分析モードを通じて希土類元素の二次相１４１内部の領域又は地点（ｐｏｉｎｔｓ）の平均値を計算して測定することができる。
【0048】
一方、誘電体層のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に上記Ｄ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むとは、誘電体層のうちｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内にＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含む領域を少なくとも一領域だけでも含めばよく、全ての誘電体層において上記条件を満たすことを意味するものではない。但し、誘電体層のうちＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域を複数領域として含むことが好ましく、誘電体層１１１の全てのｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内でＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むことがより好ましい。
【0049】
誘電体層１１１がＤ／ｔｄ≦０．２を満たす希土類元素の二次相を２つ以上含むことにより、誘電率≧２０００、温度１５０℃で電界４３Ｖ／μｍを印加する加速試験条件で平均故障寿命が１５０時間以上、ＲＣ値≧１０００ΩＦ、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下である特性のうち、少なくとも一つの特性を満たすことができる。
【0050】
誘電体層１１１は誘電体結晶粒を含むことができ、誘電体結晶粒は内側のコア部１１、及び上記コア部１１の少なくとも一部上に配置されたシェル部１２を含むコア－シェル構造の第１誘電体結晶粒１０を含むことができる。但し、特にこれに限定されず、コア－シェル構造を有さない第２誘電体結晶粒を含むことができる。
【0051】
このとき、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する希土類元素のモル数に関する比率をＲＥと定義するとき、第１誘電体結晶粒のシェル部１２は、１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むことができる。ここで、酸素元素を除いた全元素とは、希土類元素を含むことを意味する場合がある。
【0052】
シェル部１２に含まれた各元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、ＴＥＭ－ＥＤＳ又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いてチップの中央部で誘電体結晶粒内部の成分を分析することができる。まず、焼結が完了した本体の断面のうち、誘電体層を含む領域において集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をＡｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後、（Ｓ）ＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。
【0053】
さらに他の方法としては、チップを粉砕して内部電極を除去した後、誘電体層部分を選別し、このように選別された誘電体層を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体層の成分を分析することができる。
【0054】
例えば、ＲＥは、以下のような方法で測定することができる。まず、ＳＴＥＭ装備を用いて加速電圧２００ｋＶ、ＨＡＡＤＦモード、５０，０００倍の倍率で誘電体層１１１の任意の２．５μｍ×２．５μｍの領域を撮影した後、再度任意の１μｍ×１μｍの領域にＥＤＳマッピング分析を行う。この時の解像度は、５１２×５１２ピクセルに各ピクセル当たり３０ｍｓの間シグナルを受けてイメージを形成した。その後、上記１μｍ×１μｍの領域に含まれた任意の一誘電体結晶粒を選定した後、中心を通るようにラインプロファイルを行う。一つのラインから２００ポイントのデータを得ることができ、各ポイントでの ｉｎｔｅｎｓｉｔｙは、１０秒間５回繰り返して得られたシグナルに該当する。ラインプロファイルで測定された元素のうち、酸素元素（Ｏ）を除く全ての元素の総モル数に対する希土類元素の総モル数に関する比率又は百分率（％）を計算してＲＥを取得することができる。
【0055】
酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する希土類元素のモル数に関する比率又は百分率（％）は、実質的に原子百分率（ａｔ％）と同じ意味であることができ、酸素元素を除く全ての元素には希土類元素も含まれることができる。より詳細な例を挙げると、［希土類元素］／（［Ｂａ］＋［Ｔｉ］＋［希土類元素］＋［Ｍｇ］＋［Ｍｎ］＋［Ｖ］＋［Ｓｉ］＋［Ｃａ］＋［Ｚｒ］＋・・・）の百分率（％）値を意味することができる。ここで、角括弧（［ ］）は、 測定された各元素の原子百分率（ａｔ％）を意味することができる。
【0056】
そして、シェル部１２が１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むというのは、シェル部１２の全ての領域が１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たすべきものではなく、１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含めばよいことを意味することができる。
【0057】
一方、第１誘電体結晶粒１０の中心を通る直線Ｌを基準に、第１誘電体結晶粒１０の長さをＧ、第１誘電体結晶粒のシェル部１２のうち１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域の長さをｄと定義するとき、２．５％≦ｄ／Ｇ≦４７．０％を満たすことができる。
【0058】
ここで、図６を参照して説明すると、前述したように、シェル部１２はコア部１１の少なくとも一部を囲んでいてもよいため、第１誘電体結晶粒１４１の中心を通る直線Ｌを基準に、１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域は二つ以上の領域であってもよく、二つの領域の長さはｄ１、ｄ２などと定義することができる。このとき、各領域が２．５％≦ｄ１／Ｇ≦４７．０％及び２．５％≦ｄ２／Ｇ≦４７．０％を満たすことができる。
【0059】
ｄ／Ｇが２．５％未満の場合、信頼性が低下するおそれがあり、ｄ／Ｇが４７．０％を超える場合は、誘電特性が低下するおそれがある。
【0060】
ここで、ｄ又はＧを測定する方法は、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＳＴＥＭ装備などを介して測定することができるが、特に限定されるものではない。例えば、ＳＴＥＭ装備を介して測定しようとする第１誘電体結晶粒１０を選定し、その中心を通るように直線を描いた後、プログラムによって計算することができる。ここで、中心を通る直線は、前述のラインプロファイルを意味することができる。
【0061】
誘電体結晶粒１０の長さＧは、１７０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であってもよく、第１誘電体結晶粒のシェル部１２のうち、１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域の長さｄは、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であってもよい。
【0062】
Ｇが１７０ｎｍ未満の場合、目標とする誘電特性を満たしにくく、４００ｎｍを超える場合、誘電体層の薄層化の達成が難しくなる可能性がある。
【0063】
ｄが１０ｎｍ未満の場合、シェル部の領域が相対的に少なく信頼性が低下するおそれがあり、ｄが８０ｎｍを超える場合、シェル部の領域が相対的に多く誘電特性が低下するおそれがある。
【0064】
また、本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は、１μｍ×１μｍの領域内に１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むシェル部１２を有する第１誘電体結晶粒１０を３つ以上含むことができる。
【0065】
ここで、１μｍ×１μｍの領域とは、誘電体層の厚さ方向へのサイズが１μｍであることができ、誘電体層の厚さ方向に垂直な方向へのサイズが１μｍである四角形領域を意味することができる。例えば、第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１方向の距離が１μｍであり、第２方向の距離が１μｍである四角形領域を意味することができる。
【0066】
誘電体層１１１の１μｍ×１μｍの領域内に１．５％≦ＲＥ≦３．０％を満たす領域を含むシェル部１２を有する第１誘電体結晶粒１０を３つ以上含むことにより、誘電率≧２０００、温度１５０℃で電界４３Ｖ／μｍを印加する加速試験条件で平均故障寿命が１５０時間以上、ＲＣ値≧１０００ΩＦ、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下である特性のうち少なくとも一つの特性を満たすことができる。
【0067】
本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、Ｔｉを含む主成分及び副成分を含むことができ、Ｔｉは主成分（例えば、ＢａＴｉＯ３）に由来するものであってもよく、副成分は添加剤に由来するものであってもよい。
【0068】
本発明において誘電体組成物は、焼成前の誘電体の主成分及び副成分を含むことを基準として説明し、誘電体結晶粒は、焼成後の誘電体の主成分及び副成分の含量を含むことを基準として説明するが、誘電体の主成分及び副成分において説明する各元素の含量は焼成前後において大きな誤差なく残存することができる。
【0069】
本発明において「主成分」とは、他の成分に比べて相対的に多くの比率を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の含量を基準に５０ａｔ％以上の成分を意味することができる。
【0070】
なお、本発明において「副成分」とは、主成分に比べて相対的に少ない比率を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の含量を基準として５０ａｔ％未満の成分を意味することができる。
【0071】
以下では、誘電体層１１１に含まれ得る副成分について具体的に説明する。本発明で説明する副成分は、元素のモル数を基準として説明し、焼成前の添加剤の酸化物又は炭酸塩の投入含量に換算して計算することができる。前述のように焼成前後において元素の含量は、特別な事情がない限り、大きな誤差値を有さない可能性があり、前述したように焼成後のチップ（ｃｈｉｐ）状態でＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ及びＳＴＥＭ－ＥＤＳなど、様々な測定方法で誘電体層１１１に含まれた元素の種類及び含量を測定することができる。
【0072】
誘電体層１１１に含まれた各元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、ＴＥＭ－ＥＤＳ又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いてチップの中央部で誘電体結晶粒内部の成分を分析することができる。まず、焼結が完了した本体の断面のうち、誘電体層を含む領域で集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をＡｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後、（Ｓ）ＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。
【0073】
さらに他の方法としては、チップを粉砕して内部電極を除去した後、誘電体層部分を選別し、このように選別された誘電体層を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体層の成分を分析することができる。
【0074】
ａ）第１副成分
本発明の一実施形態によれば、上記副成分は原子価可変アクセプタ元素を含む第１副成分を含むことができ、上記原子価可変アクセプタ元素はＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち一つ以上を含むことができ、上記第１副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であることができる。
本発明の一実施形態によれば、上記副成分は原子価可変アクセプタ元素を含む第１副成分を含むことができ、上記原子価可変アクセプタ元素はＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ及びＺｎのうち一つ以上を含むことができ、上記第１副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して０．２モル以上１．４モル以下であることができる。
【0075】
第１副成分は、原子価可変アクセプタ元素の酸化物あるいは炭酸塩のうち一つ以上を添加したものであってもよく、複数個の第１副成分元素が添加された場合、これらを合わせた総含量を第１副成分の含量と定義することができる。
【0076】
第１副成分に含まれた原子価可変アクセプタ元素は、誘電体組成物が適用された積層型電子部品の焼成温度の低下、誘電特性及び高温加速寿命特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0077】
第１副成分の含量がＴｉ１００モルに対して０．２モル未満の場合には高温加速寿命が劣るおそれがあり、Ｔｉ１００モルに対して１．４モルを超える場合には誘電率が劣るおそれがある。
【0078】
ｂ）第２副成分
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＭｇを含む第２副成分を含むことができ、上記第２副成分の含量は上記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であることができる。
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＭｇを含む第２副成分を含むことができ、上記第２副成分の含量は上記Ｔｉ１００モルに対して２．０モル以下であることができる。
【0079】
第２副成分は、Ｍｇの酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を添加したものであってもよい。
【0080】
第２副成分のＭｇは耐還元性を付与し、ＲＣ値を高める役割を果たすことができる。
【0081】
ここで、第２副成分は必須成分ではなく、添加されない場合でも他の成分の適正投入含量によって目標とする特性を満たすことができる。
【0082】
但し、第２副成分の含量がＴｉ１００モルに対して２．０モルを超える場合、ＴＣＣがＸ７Ｒ特性を満たさないおそれがある。
【0083】
ｃ）第３副成分
本発明の一実施形態によれば、上記副成分は希土類元素を含む第３副成分を含むことができ、上記希土類元素はＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含むことができ、上記第３副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であることができる。
本発明の一実施形態によれば、上記副成分は希土類元素を含む第３副成分を含むことができ、上記希土類元素はＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含むことができ、上記第３副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して２．５モル以上８．０モル以下であることができる。
【0084】
第３副成分は、希土類元素の酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を添加したものであってもよい。
【0085】
第３副成分に含まれた希土類元素は、目標とする高温加速寿命を向上させる役割を果たすことができる。
【0086】
第３副成分の含量がＴｉ１００モルに対して２．５モル未満又は８．０モル超過の場合、常温誘電率又は絶縁抵抗特性が劣るおそれがある。
【0087】
ｄ）第４副成分
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＢａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含む第４副成分を含むことができ、上記第４副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であることができる。
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＢａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素を含む第４副成分を含むことができ、上記第４副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して４．８モル以下であることができる。
【0088】
第４副成分は、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つの元素の酸化物及び炭酸塩のうち少なくとも一つを添加したものであってもよい。
【0089】
一方、Ｂａ及びＣａは、母材主成分として使用できるＢａＴｉＯ３、（Ｂａ、Ｃａ）ＴｉＯ３等により、誘電体層から検出できる副成分の含量が不正確であることがあり、焼成前の誘電体組成物の投入含量を基準として説明する。
【0090】
ここで、第４副成分は必須成分ではなく、添加されない場合でも他の成分の適正投入含量によって目標とする特性を満たすことができる。
【0091】
第４副成分の含量がＴｉ１００モルに対して４．８モルを超える場合は、常温誘電率と高温耐電圧が低下するおそれがある。
【0092】
ｅ）第５副成分
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＳｉを含む第５副成分を含むことができる。上記第５副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満であってもよく、好ましい下限値は１．５モル以上、より好ましい下限値は１．６５モル以上であってもよく、好ましい上限値は３．５モル以下、より好ましい上限値は３．０モル以下であってもよい。
本発明の一実施形態によれば、上記副成分はＳｉを含む第５副成分を含むことができる。上記第５副成分の含量は、上記Ｔｉ１００モルに対して１．０モル以上４．０モル未満であってもよく、好ましい下限値は１．５モル以上、より好ましい下限値は１．６５モル以上であってもよく、好ましい上限値は３．５モル以下、より好ましい上限値は３．０モル以下であってもよい。
【0093】
第５副成分は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの炭酸塩及びＳｉを含むガラスのうち少なくとも一つを添加したものであってもよい。
【0094】
第５副成分の含量がＴｉ１００モルに対して１．０モル未満の場合は、焼成緻密度が低く、高温寿命特性が低下するおそれがあり、４．０モル以上の場合には、二次相が過剰に生成され、常温誘電率と高温寿命特性が低下するおそれがある。
【0095】
また、第４副成分及び第５副成分が同時に添加される場合に、Ｔｉ１００モルを基準に、第５副成分の含量に対する第４副成分の含量に関する比率は１．６０以下であることができる。
【0096】
第５副成分の含量に対する第４副成分の含量に関する比率が１．６０を超える場合には、常温誘電率と高温耐電圧が低下するおそれがある。
【0097】
次に、内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。
【0098】
内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0099】
より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。
【0100】
このとき、本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0101】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。
【0102】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0103】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0104】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0105】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0106】
但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために内部電極の厚さｔｅは１．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために内部電極の厚さｔｅは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0107】
ここで、内部電極の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の距離を意味することができる。なお、内部電極の厚さｔｅは、内部電極の平均厚さｔｅを意味し、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均距離を意味することができる。
【0108】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均距離は、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均距離は、一つの内部電極のうち、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向の距離を測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均距離をさらに一般化することができる。
【0109】
一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄ１と、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅ１は、ｔｅ１＜ｔｄ１を満たすことができ、より好ましくはｔｅ１×２＜ｔｄ１を満たすことができる。
【0110】
言い換えれば、一つの誘電体層の平均厚さｔｄ１は、第１及び第２内部電極１２１、１２２のうちいずれか一つの平均厚さｔｅ１よりも大きくてもよく、好ましくは、一つの誘電体層の平均厚さｔｄ１は、第１及び第２内部電極１２１、１２２のうちいずれか一つの平均厚さｔｅ１の２倍よりも大きくてもよい。
【0111】
一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。
【0112】
したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅよりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。
【0113】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅ以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄いため、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。
【0114】
高電圧電子部品において、内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ以下であってもよく、誘電体層の平均厚さｔｄは３．０μｍ以下であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0115】
一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0116】
より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0117】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0118】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0119】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。
【0120】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するためにカバー部の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0121】
ここで、カバー部の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の距離を意味することができる。なお、カバー部の厚さｔｃは、カバー部の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均距離を意味することができる。
【0122】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均距離は、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向の距離を測定して計算した平均値を意味することができる。
【0123】
また、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均距離は、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としたカバー部の第１方向の平均距離と実質的に同じサイズを有することができる。
【0124】
一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。
【0125】
より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。
【0126】
サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0127】
サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。
【0128】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0129】
第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0130】
一方、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。
【0131】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するためにサイドマージン部の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0132】
ここで、サイドマージン部の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の距離を意味することができる。なお、サイドマージン部の幅ｗｍは、サイドマージン部の平均幅ｗｍを意味し、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均距離を意味することができる。
【0133】
サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均距離は、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向の距離を測定して計算した平均値を意味することができる。
【0134】
本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0135】
外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。
【0136】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0137】
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。
【0138】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。
【0139】
電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができ、第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0140】
ここで、第１導電性金属は第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一又は異なってもよく、同じ金属物質を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。
【0141】
また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。
【0142】
なお、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0143】
電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。
【0144】
本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0145】
第１電極層１３１ａ、１３２ａはガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たすことができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
【0146】
第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。
【0147】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結させる役割を果たすことができる。
【0148】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【0149】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなってもよく、球状粒子のみからなってもよく、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0150】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。
【0151】
また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0152】
このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲む。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0153】
例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成する。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。
【0154】
したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。
【0155】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0156】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0157】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0158】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。
【0159】
高容量化を達成するために、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）以下のサイズであってもよい。また、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有してもよい。
【0160】
以下、実施例を挙げて本発明についてより詳細に説明するが、これは、本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。
【0161】
（実施例）
主成分の母材としては、平均粒子サイズが１５０ｎｍであるＢａＴｉＯ３粒子を使用した。ジルコニアビーズ（ｂｅａｄｓ）を混合／分散媒介体（ｍｅｄｉａ）として用い、表１、３、及び５に明示された組成に該当する副成分がまれた原料粉末と主成分ＢａＴｉＯ３粒子をエタノール／トルエン溶媒、そして分散剤と共に混合して１０時間ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）し、バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）を混合した後、５時間追加ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）した。このようにして製造されたスラリーは、シート（ｓｈｅｅｔ）製造用成形機を用いて７．０μｍと１０μｍの厚さで成形シートを製造した。成形シートにニッケル（Ｎｉ）内部電極印刷を行った。上下部のカバー部は、カバー部用シート（１０μｍ以上１３μｍ以下の厚さ）を２５層でそれぞれ積層して作製し、２１層の印刷されたシートを加圧した後、積層してバー（ｂａｒ）を作製した。圧着バーは、切断機を用いて３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのチップ（ｃｈｉｐ）に切断した。作製が完了した３２１６サイズのＭＬＣＣチップは、か焼を行った後、還元雰囲気０．１％Ｈ２／９９．９％Ｎ２～０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２（Ｈ２Ｏ／Ｈ２／Ｎ２雰囲気）で１２４０～１２８０℃の温度で保持時間２時間の条件で焼成した後、１０００℃のＮ ２雰囲気で３時間の間、再酸化を行った。ここで、０．１％の水素濃度は酸素分圧測定器において８５０℃の測定環境で起電力６７０ｍＶ、そして０．５％の水素濃度は起電力７６０ｍＶの条件に該当する。焼成されたチップに対して銅（Ｃｕ）ペースト（ｐａｓｔｅ）でターミネーション（ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。これにより、焼成後に誘電体層の厚さが約２．０μｍであり、誘電体層の数が２０層である３２１６サイズのＭＬＣＣチップを作製した。
主成分の母材としては、平均粒子サイズが１５０ｎｍであるＢａＴｉＯ３粒子を使用した。ジルコニアビーズ（ｂｅａｄｓ）を混合／分散媒介体（ｍｅｄｉａ）として用い、表１、３、及び５に明示された組成に該当する副成分がまれた原料粉末と主成分ＢａＴｉＯ３粒子をエタノール／トルエン溶媒、そして分散剤と共に混合して１０時間ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）し、バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）を混合した後、５時間追加ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）した。このようにして製造されたスラリーは、シート（ｓｈｅｅｔ）製造用成形機を用いて７．０μｍと１０μｍの厚さで成形シートを製造した。成形シートにニッケル（Ｎｉ）内部電極印刷を行った。上下部のカバー部は、カバー部用シート（１０μｍ以上１３μｍ以下の厚さ）を２５層でそれぞれ積層して作製し、２１層の印刷されたシートを加圧した後、積層してバー（ｂａｒ）を作製した。圧着バーは、切断機を用いて３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのチップ（ｃｈｉｐ）に切断した。作製が完了した３２１６サイズのＭＬＣＣチップは、か焼を行った後、還元雰囲気０．１％Ｈ２／９９．９％Ｎ２～０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２（Ｈ２Ｏ／Ｈ２／Ｎ２雰囲気）で１２４０～１２８０℃の温度で保持時間２時間の条件で焼成した後、１０００℃のＮ ２雰囲気で３時間の間、再酸化を行った。ここで、０．１％の水素濃度は酸素分圧測定器において８５０℃の測定環境で起電力６７０ｍＶ、そして０．５％の水素濃度は起電力７６０ｍＶの条件に該当する。焼成されたチップに対して銅（Ｃｕ）ペースト（ｐａｓｔｅ）でターミネーション（ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。これにより、焼成後に誘電体層の厚さが約２．０μｍであり、誘電体層の数が２０層である３２１６サイズのＭＬＣＣチップを作製した。
【0162】
ＭＬＣＣチップの常温静電容量及び誘電損失は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの条件で容量を測定した。静電容量とＭＬＣＣチップの誘電体の厚さ、内部電極の面積、積層数からＭＬＣＣチップ誘電体の誘電率を計算した。常温絶縁抵抗は１０個ずつサンプルを取り、ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で６０秒が経過した後に測定した。温度による静電容量の変化は、－５５℃～１４５℃の温度範囲で測定された。加速寿命の評価（ＨＡＬＴ：Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ Ｔｅｓｔ）は、各種類当たり４０個のサンプルに対して、１５０℃で電界４３Ｖ／μｍに該当する電圧を印加し、故障が発生する時間を測定して平均時間を（ＭＴＴＦ：Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）計算した。表２、４及び６は、表１、３及び５に明示された実施例に該当するプロトタイプチップ（Ｐｒｏｔｏ－ｔｙｐｅ ｃｈｉｐ）の特性を示す。
【0163】
図７は、誘電体層の厚さをＴ、希土類元素のモル数を３０％（酸素元素を除く）以上含む希土類元素の二次相の誘電体層の厚さ方向へのサイズをＤと定義するとき、任意の全てのｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域において希土類元素の二次相の個数が２つ以上かつＤ／ｔｄ≦０．２の条件を満たすことを確認し、加速寿命の高い誘電体材料をＳＴＥＭ／ＥＤＳ分析したＮｉ及びＤｙ成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）した微細構造の例を示す。
【0164】
誘電体層内の希土類元素の二次相は、ＳＴＥＭ／ＥＤＳ分析で希土類元素の二次相の成分を確認し、希土類元素の分率（％）は、酸素元素を除く全ての元素の総モル数に対する希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）であるＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｄのうち一つ以上の元素のモル数に関する比率［希土類元素］／（［Ｂａ］＋［Ｔｉ］＋［希土類元素］＋［Ｍｇ］＋［Ｍｎ］＋［Ｖ］＋［Ｓｉ］＋［Ｃａ］＋［Ｚｒ］等）が３０％以上であると限定した。
【0165】
図８（ａ）、図８（ｂ）及び図９（ａ）、図９（ｂ）は、誘電体層内の任意の１μｍ×１μｍの領域を選定し、その領域のうち、コア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造からなる主成分ＢａＴｉＯ３誘電体結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）部位において、希土類元素の含量が酸素元素を除く全元素に対する希土類元素Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｄのうち一つ以上の元素の合計比率が１．５％～３．０％の範囲で存在する領域の厚さが１０ｎｍ～８０ｎｍの範囲を有する結晶粒を検出して測定したものである。
【0166】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、ニッケル（Ｎｉ）内部電極を適用できる還元雰囲気の焼成条件でＸ７Ｒ又はＸ７Ｓ容量－温度（ＴＣＣ）特性、及び高い高温信頼性など、これら全ての特性を実現することができる誘電体及びこれを適用したＭＬＣＣの作製を目標とした。このための特性判定の基準として、誘電率≧２０００、温度１５０℃で電界４３Ｖ／μｍを印加する加速試験条件で平均故障寿命が１５０時間以上、ＲＣ値≧１０００ΩＦ、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下の特性であるこれらの全ての特性が実現可能な実施例を好ましい目標特性とし、これを達成した実施例について以下で説明する。
【0167】
添加される副成分の種類又は含量に応じて、上記特性のうち少なくとも一つを満たすことができ、列挙した特性を全て満たす場合、特性評価において「Ｏ」と表記し、特性のうち一つでも満たさない場合は「Ｘ」と表記した。すなわち、「Ｘ」と表記しても、複数の特性のうち目標とする特性を少なくとも一つ満たす場合があり得る。
【0168】
各副成分の添加含量は、添加剤を基準にモル（ｍｏｌ）と表記し、ＢａＴｉＯ３母材１００モル（又はＴｉ１００モル）に対する添加含量のモル数を意味する。例えば、実施例１－１において、第１副成分であるＭｎＯ２は０．２ｍｏｌ、Ｖ２Ｏ５は０．１ｍｏｌ添加したが、これはＢａＴｉＯ３１００ｍｏｌに対してＭｎＯ２を０．２ｍｏｌ、ＢａＴｉＯ３１００ｍｏｌに対してＶ２Ｏ５を０．１ｍｏｌ添加したことを意味し、元素のモル数を基準として換算する場合、それぞれＭｎは０．２ｍｏｌ、Ｖは０．２ｍｏｌと計算することができる。以下、ＲＥ２Ｏ３またはＲＥリッチ相のＲＥは、希土類元素（ＲＥ）を意味する場合があり、本発明において再定義する必要はない。当業者であれば、ＲＥと、本発明において再定義される希土類元素（ＲＥ）とを区別することができるであろう。
【0169】
【表1】
【0170】
【表2】
【0171】
表１の実施例１－１～実施例１－７は、主成分１５０ｎｍのＢａＴｉＯ３ 母材１００ｍｏｌに対して、第１副成分の原子価可変元素（Ｍｎ、Ｖ）の合計が０．３ｍｏｌ、第２副成分Ｍｇの含量が１．０ｍｏｌ、第３副成分の希土類ＲＥ２Ｏ３の含量が２．５ｍｏｌ（Ｄｙ元素基準で５．０ｍｏｌ）、第４副成分のＢａ又はＣａの含量が１．０ｍｏｌ、第５副成分のＳｉＯ２の含量が１．２５ｍｏｌであるとき、第３副成分の希土類元素の種類による実施例を示し、表２の実施例１－１～実施例１－７は、これらの実施例に該当するプロトタイプＭＬＣＣサンプルの特性を示す。第３副成分がＬａ及びＹｂの場合には（実施例１－１～実施例１－２）、Ｄ／ｔｄが０．２以上となり、ＭＴＴＦが１５０時間未満の低い特性を示す。一方、第３副成分がＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｇｄの場合には、当該焼成条件で任意の誘電体厚さｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域においてＤ／ｔｄが０．２以下かつＲＥ－ｒｉｃｈ二次相（ＲＥ－ｒｉｃｈ相、ＲＥ－ｒｉｃｈ二次相は、希土類元素の二次相を意味し、以下同じ）の個数が２つ以上の微細構造が実現され、このとき、ＭＴＴＦが１５０時間以上に大きく向上し、本発明の目標特性である誘電率２０００以上、ＭＴＴＦが１５０時間以上、ＲＣ値１０００ΩＦ以上、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下である本発明の全ての目標特性が実現されることが確認できる。
【0172】
ＲＥ－ｒｉｃｈ二次相のサイズと分布は、希土類元素の種類や焼成条件によって変わり得るが、第３副成分の希土類元素がＹである場合、焼成雰囲気の水素濃度が０．１％と低く８５０℃のＥＭＦ値が６７０ｍＶと低い条件であるか、又は焼成温度が１２８０℃と高い場合には（実施例２－１、実施例２－２）Ｄ／ｔｄが０．２以上となり、ＭＴＴＦが１００時間未満と非常に低くなる。一方、第３副成分の希土類元素がＤｙの場合には（実施例２－３、実施例２－４）第３副成分がＹであったとき、Ｄ／ｔｄが０．２以上となる焼成条件でも、任意の誘電体層ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域でＤ／ｔｄが０．２以下かつＲＥ－ｒｉｃｈ二次相の個数が２つ以上の微細構造が実現され、このとき、ＭＴＴＦが１５０時間以上に大きく向上しながら、本発明の全ての目標特性が実現される。したがって、第３副成分の種類にかかわらず、誘電体層ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域においてＤ／ｔｄが０．２以下かつＲＥ－ｒｉｃｈ二次相の個数が２つ以上の微細構造が実現されると、ＭＴＴＦが１５０時間以上に大きく向上することが確認できる。
【0173】
上記実施例１－１～実施例２－４において、本発明の全ての目標特性が実現されるサンプルから、誘電体層の任意の１μｍ×１μｍの領域内でコア－シェル構造からなる主成分ＢａＴｉＯ３結晶粒のシェル部位で希土類元素の含量を確認してみると、酸素元素を除く全元素に対する希土類元素Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｄのうち１種又は２種以上の合計比率が１．５ａｔ％～３．０ａｔ％を満たす領域の長さが１０ｎｍ～８０ｎｍの範囲を有する結晶粒が存在し、その個数が常に３つ以上であることが確認できた。これは、本発明の目標特性を得るための主結晶粒の満足条件と言える。
【0174】
表１の実施例２－５は、実施例２－４と同じ組成と焼成条件を適用しており、バッチミリング時間を１／４に減らして添加剤の分散状態が良くない条件の実施例を示し、表２の実施例２－５はその電気的特性を示す。この場合には、誘電体層のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域においてＤ／ｔｄが０．２以下かつＲＥ－ｒｉｃｈ二次相の個数が２つ以上の微細構造が実現されたが、主結晶粒における希土類元素の含量及び分布が上記主結晶粒の満足条件に該当せず、ＭＴＴＦが１５０時間未満となり、目標特性が実現されない。また、実施例１－２のように、主結晶粒における希土類元素の含量及び分布が上記主結晶粒の満足条件に該当しても、誘電体層ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域においてＤ／ｔｄが０．２以下かつＲＥ－ｒｉｃｈ二次相の個数が２つ以上の微細構造が実現されないと、本発明の目標特性を実現することができなくなる。
【0175】
したがって、本発明の目標特性を実現するためには、二次相の条件である希土類元素Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｄのうち１種又は２種以上の合計が３０ａｔ％以上である二次相の誘電体の厚さ方向へのサイズ（長さ）をＤとするとき、任意のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内で、この二次相の個数が常に２つ以上かつＤ／ｔｄ≦０．２である条件を満たし、さらに、主結晶粒の条件である誘電体層の任意の１μｍ×１μｍの領域内でコア－シェル構造からなる主成分ＢａＴｉＯ３結晶粒のシェル部位における希土類元素の含量が酸素元素を除く全元素に対して希土類元素Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、 Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｄのうち１種又は２種以上の合計比率が１．５％～３．０％の範囲を満たす領域の長さが１０ｎｍ～８０ｎｍの範囲を有する結晶粒が存在し、その個数が３つ以上である誘電体が同時に実現されたとき、本発明の目標特性が実現されることが分かる。
【0176】
【表3】
【0177】
【表4】
【0178】
表３の実施例３－１～実施例５－６は、主成分１５０ｎｍのＢａＴｉＯ３母材１００ｍｏｌについて、第３副成分、第２副成分、及び第１副成分の含量変化による実施例を示し、表４はこれらの実施例に該当する試料の特性を示す。第３副成分であるＤｙ２Ｏ３の含量が１．０ｍｏｌあるいは元素比で２．０ａｔ％と相対的に少ない場合には（実施例３－１～実施例３－２）、本発明の主結晶粒の満足条件に該当しないか、主結晶粒の満足条件には該当しても、ＲＥ－ｒｉｃｈ二次相が存在せず、高温ＴＣＣ（１２５℃）特性が規格から外れたり、ＭＴＴＦ特性が本発明の目標値である１５０時間未満と低いため、目標特性が実現されない。また、Ｄｙ２Ｏ３の含量が４．５ｍｏｌあるいは元素比で９．０ａｔ％と相対的に多い場合には（実施例３－８～実施例３－９）、主結晶粒のシェル領域の希土類含量が３．０ａｔ％を超えて、本発明の主結晶粒の満足条件に該当せず、誘電率が２０００未満と低くなったり、ＲＥ－ｒｉｃｈ二次相のサイズが過度に大きくなり、任意の誘電体層ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域でＤ／ｔｄが０．２以上となり、ＭＴＴＦ特性が１５０時間未満であり、本発明の目標特性が実現されない。Ｄｙ２Ｏ３の含量が１．２５ｍｏｌ～４．０ｍｏｌあるいはＤｙ元素比で２．５ａｔ％～８．００ａｔ％の範囲に属する場合（実施例３－３～実施例３－７）、本発明の主結晶粒の満足条件と二次相条件をいずれも満たし、このとき、誘電率≧２０００、１５０℃、ＤＣ４３Ｖ／μｍでのＨＡＬＴ ＭＴＴＦ≧１５０時間、ＲＣ値≧１０００ΩＦ、－５５℃～１２５℃の温度範囲でのＴＣＣ特性が－１５％以上＋１５％以下である全ての特性を満たすことができることを確認できる。
【0179】
実施例４－１～実施例４－４において、第２副成分であるＭｇが添加されると、ＲＣ値を高める効果があるが、過剰な量である３．０ｍｏｌあるいは３．０ａｔ％の場合には、ＭＴＴＦ特性が本発明の目標値である１００時間より未満となり、特性が実現されない。第２副成分のＭｇＣＯ３の含量が０ｍｏｌ（未添加）～２．０ｍｏｌあるいはＭｇ元素比で０ａｔ％（未添加）～２．０ａｔ％の範囲に属するとき（実施例４－１～実施例４－３）、本発明の全ての特性が実現可能である。実施例５－１～実施例５－６において、遷移金属であるＭｎ及びＶの含量の合計が元素比０．１ａｔ％と少なすぎる場合には（実施例５－１）、ＭＴＴＦ特性が本発明の目標値である１００時間未満となり、特性が実現されず、また、遷移金属であるＭｎ及びＶの含量の合計が元素比２．０ａｔ％と過剰である場合には（実施例５－４）、ＲＣ値が１０００未満、ＭＴＴＦが１５０時間未満となり、本発明の目標特性を満たすことができない。実施例５－５～実施例５－６は、Ｍｎ単独あるいはＶ単独で元素比率で０．５ａｔ％が添加された場合であるが、いずれの場合も本発明の目標特性が実現できる。したがって、本発明の目標特性を実現するための第１副成分の含量は、元素比率で０．２ａｔ％～１．４ａｔ％と言える。
【0180】
【表5】
【0181】
【表6】
【0182】
表５は、主成分１５０ｎｍのＢａＴｉＯ３母材１００ｍｏｌに対して第４副成分及び第５副成分の含量変化による実施例を示し、表６は、これらの実施例に該当する試料の特性を示す。第５副成分ＳｉＯ２の含量が０．５ｍｏｌと少ない場合には（実施例６－１～実施例６－３）、第４副成分の含量にかかわらず、焼成緻密度が低く、常温誘電率及びＭＴＴＦが低いという問題がある。それぞれのＳｉＯ２の含量において第４副成分であるＢａが適正量添加され（Ｂａ＋Ｃａ）／Ｓｉの比率が０．４８となる条件では（実施例７－２、実施例８－３、実施例９－２）、その比率が０である条件に比べて（実施例７－１、実施例８－１、実施例９－１）本発明の全ての特性を満たしながらも常温誘電率が上昇する効果が確認できる。しかし、ＳｉＯ２が過剰に添加され（Ｂａ＋Ｃａ）／Ｓｉの比率が１．８８となる条件では（実施例７－４、実施例８－５、実施例９－４）、常温誘電率が２０００未満、又はＭＴＴＦが１００時間未満となり、本発明の目標特性を満たすことができない。実施例６－１～実施例９－４から、第４副成分及び第５副成分の比率（Ｂａ＋Ｃａ）／Ｓｉが１．６０以下の範囲に属するとき、本発明の目標特性が実現されることが確認できる。実施例１０－１～実施例１０－２は、第５副成分ＳｉＯ２の含量が４．０ｍｏｌあるいは元素比で４．０ａｔ％と過剰である場合、ＢａＣＯ３の含量変化による実施例を示すが、この場合には、第４副成分及び第５副成分の比率（Ｂａ＋Ｃａ）／Ｓｉが１．６０以下の範囲に属するとしても、常温誘電率とＭＴＴＦが本発明の目標値より低く、目標特性の実現が不可能であることが確認できる。したがって、第４副成分及び第５副成分の変化実施例を要約すると、第４副成分の含量が４．８ｍｏｌ又は元素比で４．８ａｔ％以下の範囲であり、第５副成分であるＳｉＯ２の含量が０．８ｍｏｌ～３．０ｍｏｌ又は元素比で０．８ａｔ％～３．０ａｔ％の範囲でありながら、第４副成分と第５副成分の比率（Ｂａ＋Ｃａ）／Ｓｉが１．６０以下の範囲に属するとき、本発明の目標特性が実現可能である。
【0183】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0184】
また、本明細書で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。
【0185】
本明細書で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0186】
１０：第１誘電体結晶粒
１１：コア部
１２：シェル部
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１４１：希土類元素の二次相
１１：コア部
１２：シェル部
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１４１：希土類元素の二次相
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
