(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024153714
(43)【公開日】2024-10-29
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/842 20230101AFI20241022BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20241022BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20241022BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20241022BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241022BHJP
【ＦＩ】
H10K50/842 426
H10K59/123
H10K59/124
H10K59/131
H10K50/842 141
G09F9/30 338
G09F9/30 365
【審査請求】有
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024116760
(22)【出願日】2024-07-22
(62)【分割の表示】P 2023014359の分割
【原出願日】2013-07-24
(31)【優先権主張番号】P 2012168388
(32)【優先日】2012-07-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】西戸 祐典
(57)【要約】
【課題】ガラスフリットと重なる第１金属層のパターンに関わらず、気密性の高い封止体
及び有機電界発光装置を提供すること。
【解決手段】共通電源供給ラインとガラスフリットが重なる領域に、第２金属層を設ける
。第２金属層がレーザ光を吸収、反射するため、ガラスフリットを一様に加熱することが
できる。そのため、クラックの生じにくい低融点ガラスで被封止体を封止することができ
る。
【選択図】図１
及び有機電界発光装置を提供すること。
【解決手段】共通電源供給ラインとガラスフリットが重なる領域に、第２金属層を設ける
。第２金属層がレーザ光を吸収、反射するため、ガラスフリットを一様に加熱することが
できる。そのため、クラックの生じにくい低融点ガラスで被封止体を封止することができ
る。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の基板と第２の基板との間に、発光素子を備えた画素部と、前記発光素子と電気的に接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続される、発光装置。
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続される、発光装置。
【請求項2】
第１の基板と第２の基板との間に、発光素子を備えた画素部と、前記発光素子と電気的に接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有する、発光装置。
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有する、発光装置。
【請求項3】
第１の基板と第２の基板との間に、発光素子を備えた画素部と、前記発光素子と電気的に接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の金属層は、前記シール材と前記第１の基板の一辺との間に配置された領域を有する、発光装置。
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の金属層は、前記シール材と前記第１の基板の一辺との間に配置された領域を有する、発光装置。
【請求項4】
第１の基板と第２の基板との間に、発光素子を備えた画素部と、前記発光素子と電気的に接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の金属層は、前記シール材と前記第１の基板の一辺との間に配置された領域を有し、
前記第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有する、発光装置。
前記第１の基板上に配置され、且つ、電源供給線としての機能を有する第１の金属層と、
前記第１の金属層の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有し、且つ平面視において前記画素部と前記第１の基板の少なくとも一辺との間に配置された領域を有する第２の金属層と、
前記第２の金属層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上面と接する領域を有するシール材と、を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の絶縁層と重なりを有する複数の開口部を有し、
前記シール材は、前記第２の絶縁層を介して前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記複数の開口部の少なくとも一と重なる領域と、前記第２の金属層を介して前記シール材と重なる領域と、を有し、
前記第１の金属層は、前記発光素子の第１の電極層、前記トランジスタのゲート電極層、前記トランジスタのソース電極層、又は前記トランジスタのドレイン電極層の一と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の金属層は、前記シール材と前記第１の基板の一辺との間に配置された領域を有し、
前記第２の絶縁層は、無機絶縁材料を有する、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、封止体及び有機電界発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
有機電界発光素子の研究開発が盛んに行われている。有機電界発光素子の基本的な構成
は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧
を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧
を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
【0003】
有機電界発光素子が適用された発光装置としては、例えば照明装置や、薄膜トランジス
タを組み合わせた画像表示装置などが挙げられる。有機電界発光素子は膜状に形成可能で
、大面積の素子を容易に形成できるため、面光源の照明装置を実現できる。また、有機電
界発光素子が適用された画像表示装置は、液晶表示装置等で必要であるバックライトが不
要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
タを組み合わせた画像表示装置などが挙げられる。有機電界発光素子は膜状に形成可能で
、大面積の素子を容易に形成できるため、面光源の照明装置を実現できる。また、有機電
界発光素子が適用された画像表示装置は、液晶表示装置等で必要であるバックライトが不
要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
【0004】
ところで、有機電界発光素子は大気（水分、酸素などを含む）に曝されると急速にその
性能が低下してしまうことが知られている。そのため、有機電界発光素子が大気に触れな
いように高いガスバリア性を有する材料で気密性高く封止することが求められている。
性能が低下してしまうことが知られている。そのため、有機電界発光素子が大気に触れな
いように高いガスバリア性を有する材料で気密性高く封止することが求められている。
【0005】
高いガスバリア性を実現する封止方法として、低融点ガラスを含むガラスフリットを用
いた封止方法が知られている。特許文献１に記載された技術は、ガラス基板上に低融点ガ
ラスを含むフリット材とバインダとを含むペーストを塗布し、仮焼成を行ってバインダを
除去した後、対向するガラス基板を重ね合わせてガラスフリットにレーザ光を照射し、基
板とガラスフリットを溶着させ、封止させるものである。このようなガラスフリットによ
り有機電界発光素子が適用されたデバイスを封止することにより、有機電界発光素子を外
部の雰囲気と隔離し、信頼性の高い発光装置とすることができる。
いた封止方法が知られている。特許文献１に記載された技術は、ガラス基板上に低融点ガ
ラスを含むフリット材とバインダとを含むペーストを塗布し、仮焼成を行ってバインダを
除去した後、対向するガラス基板を重ね合わせてガラスフリットにレーザ光を照射し、基
板とガラスフリットを溶着させ、封止させるものである。このようなガラスフリットによ
り有機電界発光素子が適用されたデバイスを封止することにより、有機電界発光素子を外
部の雰囲気と隔離し、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【0006】
ところで、有機電界発光素子が適用された発光装置では、基板とガラスフリットの間に
共通電源供給ラインがあるが、場所によりガラスフリットと重なる共通電源供給ラインの
数が異なる。例えば、封止体の一辺において、端部ではガラスフリットと基板の間には、
複数の共通電源供給ラインが存在するが、中央部ではガラスフリットと基板の間には一本
の共通電源供給ラインが存在する場合がある。ガラスフリットにレーザ光を照射する時、
共通電源供給ラインはレーザ光を吸収、反射するため、場所によって共通電源供給ライン
とガラスフリットの重なり方が異なると、ガラスフリットの温度分布に差が生じて、ガラ
スフリットを十分溶融できず気密性の高い封止体及び有機電界発光装置を作製できない問
題がある。
共通電源供給ラインがあるが、場所によりガラスフリットと重なる共通電源供給ラインの
数が異なる。例えば、封止体の一辺において、端部ではガラスフリットと基板の間には、
複数の共通電源供給ラインが存在するが、中央部ではガラスフリットと基板の間には一本
の共通電源供給ラインが存在する場合がある。ガラスフリットにレーザ光を照射する時、
共通電源供給ラインはレーザ光を吸収、反射するため、場所によって共通電源供給ライン
とガラスフリットの重なり方が異なると、ガラスフリットの温度分布に差が生じて、ガラ
スフリットを十分溶融できず気密性の高い封止体及び有機電界発光装置を作製できない問
題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０１１－６５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
従って、本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は
、ガラスフリットと重なる共通電源供給ラインのパターンに関わらず、気密性の高い封止
体及び有機電界発光装置を提供することにある。
、ガラスフリットと重なる共通電源供給ラインのパターンに関わらず、気密性の高い封止
体及び有機電界発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
目的を達成するため、本発明の一態様は、第１金属層、第１金属層を被覆する第１絶縁
層、第１絶縁層を介して第１金属層の少なくとも一部と重なる第２金属層、及び第２金属
層上の第２絶縁層を第１の面上に有する第１基板と、第１基板と間隙をもって第１の面と
対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間の空間を密封するシール材とを有
し、第１金属層はシール材と交差するパターンであり、シール材は、第１基板側において
第２絶縁層と接するとともに、第１金属層との交差部においては第２金属層と重なること
を特徴とする封止体である。
層、第１絶縁層を介して第１金属層の少なくとも一部と重なる第２金属層、及び第２金属
層上の第２絶縁層を第１の面上に有する第１基板と、第１基板と間隙をもって第１の面と
対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間の空間を密封するシール材とを有
し、第１金属層はシール材と交差するパターンであり、シール材は、第１基板側において
第２絶縁層と接するとともに、第１金属層との交差部においては第２金属層と重なること
を特徴とする封止体である。
【0010】
上記構成において、シール材の材質は、低融点ガラスであることが好ましい。
【0011】
上記構成において、第１金属層は、線状パターンであることが好ましい。
【0012】
また、本発明の一態様は、画素領域及び画素領域以外の領域である非画素領域を備えた
第１基板と、第１基板と間隙をもって対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板と
の間の空間を密封するシール材とを有し、画素領域には、半導体層、ゲート絶縁層、ゲー
ト電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジス
タのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続される第１電極層と、第１電極層の端部
を覆う隔壁と、第１電極層及び隔壁上に位置する発光層と、発光層上に位置する第２電極
層とを有し、非画素領域には、第１金属層と、第１金属層を被覆するゲート絶縁層と、ゲ
ート絶縁層を介して第１金属層の少なくとも一部と重なる第２金属層と、第２金属層上の
第２絶縁層とを有し、第１金属層はシール材と交差するパターンであり、シール材は、第
１基板側において第２絶縁層と接するとともに、第１金属層との交差部においては第２金
属層と重なることを特徴とする有機電界発光装置である。
第１基板と、第１基板と間隙をもって対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板と
の間の空間を密封するシール材とを有し、画素領域には、半導体層、ゲート絶縁層、ゲー
ト電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジス
タのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続される第１電極層と、第１電極層の端部
を覆う隔壁と、第１電極層及び隔壁上に位置する発光層と、発光層上に位置する第２電極
層とを有し、非画素領域には、第１金属層と、第１金属層を被覆するゲート絶縁層と、ゲ
ート絶縁層を介して第１金属層の少なくとも一部と重なる第２金属層と、第２金属層上の
第２絶縁層とを有し、第１金属層はシール材と交差するパターンであり、シール材は、第
１基板側において第２絶縁層と接するとともに、第１金属層との交差部においては第２金
属層と重なることを特徴とする有機電界発光装置である。
【0013】
上記構成において、シール材の材質は、低融点ガラスであることが好ましい。
【0014】
上記構成において、第１金属層は、共通電源供給ラインであることが好ましい。
【0015】
上記構成において、第１金属層は、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層又は
第１電極層のうちいずれか１つに電気的に接続することが好ましい。
第１電極層のうちいずれか１つに電気的に接続することが好ましい。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一態様の封止体及び有機電界発光装置の構成により、気密性の高い封止体及び
有機電界発光装置を得ることができる。また、共通電源供給ラインとして機能する第１金
属層のレイアウトに、自由度を高くすることが可能となる。
有機電界発光装置を得ることができる。また、共通電源供給ラインとして機能する第１金
属層のレイアウトに、自由度を高くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一態様の封止体を示す上面図及び断面図。
【図2】本発明の一態様の封止体を示す上面図及び断面図。
【図3】本発明の一態様の有機電界発光装置を示す上面図及び断面図。
【図4】本発明の一態様の有機電界発光装置を示す上面図及び断面図。
【図5】本発明の一態様の有機電界発光装置に用いることができる発光素子を示す断面図。
【図6】本発明の一態様の有機電界発光装置を応用した電子機器の図。
【図7】本発明の一態様の有機電界発光装置を応用した電子機器の図。
【図8】本発明の一態様の封止体の変形例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する
。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々
に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明
は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々
に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明
は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0019】
（実施の形態１）
以下では、本発明の一態様である封止体の構成について詳細に説明する。
以下では、本発明の一態様である封止体の構成について詳細に説明する。
【0020】
【0021】
＜封止体の構成＞
図１（Ｂ）に示す封止体では、第１基板９０１、第２基板９０２、及びシール材５００
によって、発光素子１３１が封止されている。第１基板９０１上に、第１金属層１０７が
設けられ、第１金属層１０７と接するように第１絶縁層１０５が設けられている。シール
材５００と重なり、第１絶縁層１０５と接するように第２金属層１１３が設けられている
。第２絶縁層１１４は第１絶縁層１０５と接するように設けられ、シール材５００と接し
て設けられる。第１金属層１０７は、第１絶縁層１０５を介して第２金属層１１３に覆わ
れており、第１金属層１０７とシール材５００が重なる領域では、第１金属層１０７とシ
ール材５００の間に、第２金属層１１３が存在する。
図１（Ｂ）に示す封止体では、第１基板９０１、第２基板９０２、及びシール材５００
によって、発光素子１３１が封止されている。第１基板９０１上に、第１金属層１０７が
設けられ、第１金属層１０７と接するように第１絶縁層１０５が設けられている。シール
材５００と重なり、第１絶縁層１０５と接するように第２金属層１１３が設けられている
。第２絶縁層１１４は第１絶縁層１０５と接するように設けられ、シール材５００と接し
て設けられる。第１金属層１０７は、第１絶縁層１０５を介して第２金属層１１３に覆わ
れており、第１金属層１０７とシール材５００が重なる領域では、第１金属層１０７とシ
ール材５００の間に、第２金属層１１３が存在する。
【0022】
＜封止体を構成する部材＞
以下に本発明の一態様の封止体を構成する部材について説明する。
以下に本発明の一態様の封止体を構成する部材について説明する。
【0023】
（第１基板及び第２基板）
第１基板９０１及び第２基板９０２としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板
、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。第１基板９０１又は第２基板９
０２の少なくとも一方には、シール材５００を形成する際に用いるレーザの光を透過する
基板を用いる。
第１基板９０１及び第２基板９０２としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板
、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。第１基板９０１又は第２基板９
０２の少なくとも一方には、シール材５００を形成する際に用いるレーザの光を透過する
基板を用いる。
【0024】
（第１金属層）
第１金属層１０７は、シール材５００と重なる領域を有する。第１金属層１０７の材料
は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて形成すること
が好ましい。第１金属層１０７は、枠状のシール材５００の内側から外側に引き出され、
シール材５００と交差している。そのため、封止体の一辺において、端では、複数の第１
金属層１０７がシール材５００と交差している（図１（Ｂ））。一方、中央では、シール
材５００と交差する第１金属層１０７の数は端に比べて少なくなる（図２（Ｂ））。
第１金属層１０７は、シール材５００と重なる領域を有する。第１金属層１０７の材料
は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて形成すること
が好ましい。第１金属層１０７は、枠状のシール材５００の内側から外側に引き出され、
シール材５００と交差している。そのため、封止体の一辺において、端では、複数の第１
金属層１０７がシール材５００と交差している（図１（Ｂ））。一方、中央では、シール
材５００と交差する第１金属層１０７の数は端に比べて少なくなる（図２（Ｂ））。
【0025】
後述する第２金属層１１３が無い場合、シール材形成領域に配置されたガラスフリット
にレーザ光を照射すると、シール材形成領域と重なる第１金属層１０７は、レーザ光を吸
収又は反射する。そのため、シール材形成領域と交差する第１金属層１０７のレイアウト
により、ガラスフリットに加えられる熱が変化する。ガラスフリットに加えられる熱に差
が生じると、シール材５００を構成する低融点ガラスにクラックが生じやすい。そのため
、第１金属層１０７のピッチや幅は、レーザ光の吸収、反射等を考慮しなければならなか
った。しかし、後述する第２金属層１１３を設けると、第２金属層１１３がレーザ光を吸
収、反射するので、ガラスフリットを一様に加熱することができる。そのため、シール材
形成領域と重なる第１金属層１０７のレイアウト、例えばピッチや幅を自由にすることが
できる。
にレーザ光を照射すると、シール材形成領域と重なる第１金属層１０７は、レーザ光を吸
収又は反射する。そのため、シール材形成領域と交差する第１金属層１０７のレイアウト
により、ガラスフリットに加えられる熱が変化する。ガラスフリットに加えられる熱に差
が生じると、シール材５００を構成する低融点ガラスにクラックが生じやすい。そのため
、第１金属層１０７のピッチや幅は、レーザ光の吸収、反射等を考慮しなければならなか
った。しかし、後述する第２金属層１１３を設けると、第２金属層１１３がレーザ光を吸
収、反射するので、ガラスフリットを一様に加熱することができる。そのため、シール材
形成領域と重なる第１金属層１０７のレイアウト、例えばピッチや幅を自由にすることが
できる。
【0026】
（第１絶縁層）
第１絶縁層１０５は、第１金属層１０７と第２金属層１１３の電気的短絡を防止するた
めに設けられる。第１絶縁層１０５は、プラズマＣＶＤ法を用いて、シラン（ＳｉＨ４）
と窒素（Ｎ２）の混合ガスを供給して成膜する窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
第１絶縁層１０５には、その他の無機絶縁膜も用いることができ、例えば、実施の形態２
にて説明するバッファ層に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
第１絶縁層１０５は、第１金属層１０７と第２金属層１１３の電気的短絡を防止するた
めに設けられる。第１絶縁層１０５は、プラズマＣＶＤ法を用いて、シラン（ＳｉＨ４）
と窒素（Ｎ２）の混合ガスを供給して成膜する窒化シリコン膜を用いることが好ましい。
第１絶縁層１０５には、その他の無機絶縁膜も用いることができ、例えば、実施の形態２
にて説明するバッファ層に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
【0027】
（第２金属層）
第２金属層１１３は、レーザ光によってガラスフリットを一様に加熱し溶融させるため
に設ける。第２金属層１１３を設けることにより、シール材形成領域と重なる第１金属層
１０７のレイアウトを自由にすることができる。第２金属層１１３は、第１絶縁層１０５
と接して設けられ、シール材５００と重なるように形成される。第２金属層１１３の材料
としては、第１金属層１０７に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
第２金属層１１３は、レーザ光によってガラスフリットを一様に加熱し溶融させるため
に設ける。第２金属層１１３を設けることにより、シール材形成領域と重なる第１金属層
１０７のレイアウトを自由にすることができる。第２金属層１１３は、第１絶縁層１０５
と接して設けられ、シール材５００と重なるように形成される。第２金属層１１３の材料
としては、第１金属層１０７に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
【0028】
（第２絶縁層）
シール材５００と、シール材５００と接する層と、の密着性を高めるため、封止体では
、第２絶縁層１１４とシール材５００が接する構造にすることが好ましい。第２絶縁層１
１４は、プラズマＣＶＤ法を用いて、シラン（ＳｉＨ４）と窒素（Ｎ２）の混合ガスを供
給して成膜する窒化シリコン膜を用いることが好ましい。第２絶縁層１１４には、その他
の無機絶縁膜も用いることができ、例えば、実施の形態２にて説明するバッファ層やゲー
ト絶縁層に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
シール材５００と、シール材５００と接する層と、の密着性を高めるため、封止体では
、第２絶縁層１１４とシール材５００が接する構造にすることが好ましい。第２絶縁層１
１４は、プラズマＣＶＤ法を用いて、シラン（ＳｉＨ４）と窒素（Ｎ２）の混合ガスを供
給して成膜する窒化シリコン膜を用いることが好ましい。第２絶縁層１１４には、その他
の無機絶縁膜も用いることができ、例えば、実施の形態２にて説明するバッファ層やゲー
ト絶縁層に用いることができる材料と同様の材料を適用できる。
【0029】
（シール材）
シール材５００は、第１基板９０１と第２基板９０２とともに被封止体を封止し、気密
性の高い封止体を形成する。シール材５００は、第２絶縁層１１４に接して設けられる。
シール材５００は、第２金属層１１３と重なるように形成される。シール材５００は低融
点ガラスで構成されることが好ましい。低融点ガラスは、ガラスフリットにレーザ光を照
射して形成されるが、レーザ光はガラスフリット及び第２金属層で吸収、反射される。第
２金属層１１３はガラスフリットを含むペーストが塗布される領域と第１金属層１０７と
が重なる領域に重なるように形成されるので、レーザ光の熱を均一にガラスフリットに与
え、質が均一な低融点ガラスを形成することができる。そのため、気密性の高い封止体を
得ることができる。ガラスフリットとして用いることのできる材料は、例えば、酸化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シ
リコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅
、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リ
ン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１
以上の化合物を含むことが望ましい。
シール材５００は、第１基板９０１と第２基板９０２とともに被封止体を封止し、気密
性の高い封止体を形成する。シール材５００は、第２絶縁層１１４に接して設けられる。
シール材５００は、第２金属層１１３と重なるように形成される。シール材５００は低融
点ガラスで構成されることが好ましい。低融点ガラスは、ガラスフリットにレーザ光を照
射して形成されるが、レーザ光はガラスフリット及び第２金属層で吸収、反射される。第
２金属層１１３はガラスフリットを含むペーストが塗布される領域と第１金属層１０７と
が重なる領域に重なるように形成されるので、レーザ光の熱を均一にガラスフリットに与
え、質が均一な低融点ガラスを形成することができる。そのため、気密性の高い封止体を
得ることができる。ガラスフリットとして用いることのできる材料は、例えば、酸化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シ
リコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅
、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リ
ン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１
以上の化合物を含むことが望ましい。
【0030】
本発明の一態様の封止体の構成では、シール材５００と第１金属層１０７との間に第２
金属層１１３を設けているので、シール材５００と重なる第１金属層１０７のレイアウト
を自由に行うことができる。また、レーザ光は第２金属層１１３で、吸収、反射されるの
で、質が均一な低融点ガラスを形成することができ、気密性の高い封止体を得ることがで
きる。
金属層１１３を設けているので、シール材５００と重なる第１金属層１０７のレイアウト
を自由に行うことができる。また、レーザ光は第２金属層１１３で、吸収、反射されるの
で、質が均一な低融点ガラスを形成することができ、気密性の高い封止体を得ることがで
きる。
【0031】
＜変形例＞
図８は、図２（Ｂ）の変形であり、第２金属層１１３は穴が開けられている。第２金属
層１１３と接するように設けられた第２絶縁層１１４は、上記穴に従い凹凸を生じる。シ
ール材５００は、第２絶縁層１１４に設けられた上記凹凸を埋めて、アンカー効果を生じ
る。そのため、シール材５００と第２絶縁層１１４の密着性が向上し、気密性の高い封止
体を得ることができる。
図８は、図２（Ｂ）の変形であり、第２金属層１１３は穴が開けられている。第２金属
層１１３と接するように設けられた第２絶縁層１１４は、上記穴に従い凹凸を生じる。シ
ール材５００は、第２絶縁層１１４に設けられた上記凹凸を埋めて、アンカー効果を生じ
る。そのため、シール材５００と第２絶縁層１１４の密着性が向上し、気密性の高い封止
体を得ることができる。
【0032】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
とができる。
【0033】
（実施の形態２）
以下では、本発明の一態様である有機電界発光装置の構成について詳細に説明する。
以下では、本発明の一態様である有機電界発光装置の構成について詳細に説明する。
【0034】
＜有機電界発光装置の構成＞
図３（Ａ）、図４（Ａ）は、有機電界発光装置の上面図、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）は、
有機電界発光装置の一部を概略的に示す断面図であり、封止部４５０１、画素部４５０２
、信号線回路部４５０３の具体的な構成を示している。
図３（Ａ）、図４（Ａ）は、有機電界発光装置の上面図、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）は、
有機電界発光装置の一部を概略的に示す断面図であり、封止部４５０１、画素部４５０２
、信号線回路部４５０３の具体的な構成を示している。
【0035】
図３（Ｂ）に示すように、有機電界発光装置は、画素部４５０２に、第１基板９０１、
バッファ層１０３、複数のトランジスタ、第２絶縁層１１４、平坦化層１１６、発光素子
１３０、隔壁１２４、及び第２基板９０２を有する。
バッファ層１０３、複数のトランジスタ、第２絶縁層１１４、平坦化層１１６、発光素子
１３０、隔壁１２４、及び第２基板９０２を有する。
【0036】
図３（Ｂ）に示すように、第１基板９０１上に複数のトランジスタが備わっており、ト
ランジスタ１５０及びトランジスタ１５１の上部には、それぞれ発光素子１３０が備わっ
ている。各トランジスタは、ゲート電極層１０６、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電
極層１１２ｂ、半導体層１１０、並びにゲート絶縁層１０８を備える。トランジスタ１５
０及びトランジスタ１５１は、発光素子を駆動するトランジスタである。発光素子１３０
は、平坦化層１１６上に配され、発光素子１３０の第１電極層１１８は平坦化層１１６に
備わったコンタクトホールを介してトランジスタに電気的に接続されている。発光素子１
３０は、第１基板９０１、シール材５００及び第２基板９０２によって封止される。第２
基板９０２の第１基板９０１側の面に、カラーフィルタやタッチパネルを備えてもよい。
ランジスタ１５０及びトランジスタ１５１の上部には、それぞれ発光素子１３０が備わっ
ている。各トランジスタは、ゲート電極層１０６、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電
極層１１２ｂ、半導体層１１０、並びにゲート絶縁層１０８を備える。トランジスタ１５
０及びトランジスタ１５１は、発光素子を駆動するトランジスタである。発光素子１３０
は、平坦化層１１６上に配され、発光素子１３０の第１電極層１１８は平坦化層１１６に
備わったコンタクトホールを介してトランジスタに電気的に接続されている。発光素子１
３０は、第１基板９０１、シール材５００及び第２基板９０２によって封止される。第２
基板９０２の第１基板９０１側の面に、カラーフィルタやタッチパネルを備えてもよい。
【0037】
本実施の形態では、トップエミッション構造（上面射出構造）の有機電界発光装置につ
いて例示するが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）やデュアルエミッション構造
（両面射出構造）としてもよい。
いて例示するが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）やデュアルエミッション構造
（両面射出構造）としてもよい。
【0038】
発光素子１３０は、トランジスタに電気的に接続された第１電極層１１８と、第１電極
層１１８上の有機化合物を含む層１２０と、有機化合物を含む層１２０上の第２電極層１
２２と、を有する。第１電極層１１８の端部は、隔壁１２４で覆われている。第２電極層
１２２は、画素部４５０２の全面にわたって形成されている。
層１１８上の有機化合物を含む層１２０と、有機化合物を含む層１２０上の第２電極層１
２２と、を有する。第１電極層１１８の端部は、隔壁１２４で覆われている。第２電極層
１２２は、画素部４５０２の全面にわたって形成されている。
【0039】
図３（Ｂ）に示すように、有機電界発光装置は、信号線回路部４５０３に、トランジス
タ１５２を有する。
タ１５２を有する。
【0040】
＜有機電界発光装置を構成する部材＞
以下に本発明の一態様の有機電界発光装置を構成する部材について説明する。
以下に本発明の一態様の有機電界発光装置を構成する部材について説明する。
【0041】
（バッファ層）
バッファ層１０３は、半導体層１１０に可動イオン等の不純物の拡散を防止する機能を
有することが好ましい。バッファ層１０３は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ハ
フニウム膜、酸化イットリウム膜、若しくは酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜、又は
、窒化シリコン膜、若しくは窒化アルミニウム膜などの窒化絶縁膜、又は、酸化窒化シリ
コン膜、若しくは酸化窒化アルミニウム膜などの酸化窒化絶縁膜、又は、窒化酸化シリコ
ン膜などの窒化酸化絶縁膜から選ばれた一の絶縁膜、又は、複数が積層された絶縁膜で形
成できる。なお、「窒化酸化物」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
ものをいい、「酸化窒化物」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いもの
をいう。
バッファ層１０３は、半導体層１１０に可動イオン等の不純物の拡散を防止する機能を
有することが好ましい。バッファ層１０３は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ハ
フニウム膜、酸化イットリウム膜、若しくは酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜、又は
、窒化シリコン膜、若しくは窒化アルミニウム膜などの窒化絶縁膜、又は、酸化窒化シリ
コン膜、若しくは酸化窒化アルミニウム膜などの酸化窒化絶縁膜、又は、窒化酸化シリコ
ン膜などの窒化酸化絶縁膜から選ばれた一の絶縁膜、又は、複数が積層された絶縁膜で形
成できる。なお、「窒化酸化物」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
ものをいい、「酸化窒化物」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いもの
をいう。
【0042】
（ゲート電極層）
ゲート電極層１０６は、トランジスタのゲート電極として機能する。ゲート電極層１０
６の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム
、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて形成
することができる。また、ゲート電極層１０６としてリン等の不純物元素をドーピングし
た多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサイド膜を用
いてもよい。ゲート電極層１０６は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
ゲート電極層１０６は、トランジスタのゲート電極として機能する。ゲート電極層１０
６の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム
、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて形成
することができる。また、ゲート電極層１０６としてリン等の不純物元素をドーピングし
た多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサイド膜を用
いてもよい。ゲート電極層１０６は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【0043】
（第１金属層）
第１金属層１０７は、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層又
は第１電極層１１８のうちいずれか１つに電気的に接続され、共通電源供給ラインとして
機能する。第１金属層１０７は、シール材５００と重なる領域を有する。第１金属層１０
７の材料は、ゲート電極層１０６と同様の材料を用いることが好ましい。第１金属層１０
７は共通電源供給ラインとして、引き回されている。そのため、有機電界発光装置の一辺
において、端では、複数の第１金属層１０７がシール材５００と交差している（図３（Ｂ
））。一方、中央では、シール材５００と交差する第１金属層１０７の数は少なくなる（
図４（Ｂ））。
第１金属層１０７は、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層又
は第１電極層１１８のうちいずれか１つに電気的に接続され、共通電源供給ラインとして
機能する。第１金属層１０７は、シール材５００と重なる領域を有する。第１金属層１０
７の材料は、ゲート電極層１０６と同様の材料を用いることが好ましい。第１金属層１０
７は共通電源供給ラインとして、引き回されている。そのため、有機電界発光装置の一辺
において、端では、複数の第１金属層１０７がシール材５００と交差している（図３（Ｂ
））。一方、中央では、シール材５００と交差する第１金属層１０７の数は少なくなる（
図４（Ｂ））。
【0044】
後述する第２金属層１１３が無い場合、シール材形成領域に配置されたガラスフリットに
レーザ光を照射すると、シール材形成領域と重なる第１金属層１０７は、レーザ光を吸収
又は反射する。そのため、シール材形成領域と交差する第１金属層１０７のレイアウトに
より、ガラスフリットに加えられる熱が変化する。ガラスフリットに加えられる熱に差が
生じると、シール材５００を構成する低融点ガラスにクラックが生じやすい。そのため、
第１金属層１０７のピッチや幅は、レーザ光の吸収、反射等を考慮しなければならなかっ
た。しかし、後述する第２金属層１１３を設けると、第２金属層１１３がレーザ光を吸収
、反射するので、ガラスフリットを一様に加熱することができる。そのため、シール材形
成領域と重なる第１金属層１０７のレイアウト、例えばピッチや幅を自由にすることがで
きる。
レーザ光を照射すると、シール材形成領域と重なる第１金属層１０７は、レーザ光を吸収
又は反射する。そのため、シール材形成領域と交差する第１金属層１０７のレイアウトに
より、ガラスフリットに加えられる熱が変化する。ガラスフリットに加えられる熱に差が
生じると、シール材５００を構成する低融点ガラスにクラックが生じやすい。そのため、
第１金属層１０７のピッチや幅は、レーザ光の吸収、反射等を考慮しなければならなかっ
た。しかし、後述する第２金属層１１３を設けると、第２金属層１１３がレーザ光を吸収
、反射するので、ガラスフリットを一様に加熱することができる。そのため、シール材形
成領域と重なる第１金属層１０７のレイアウト、例えばピッチや幅を自由にすることがで
きる。
【0045】
（ゲート絶縁層）
ゲート絶縁層１０８には、バッファ層に用いることができる材料と同様の材料を適用で
きる。
ゲート絶縁層１０８には、バッファ層に用いることができる材料と同様の材料を適用で
きる。
【0046】
ゲート絶縁層１０８は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法で形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、特にマ
イクロ波の電界エネルギーを利用してプラズマを発生させ、プラズマによりゲート絶縁膜
の原料ガスを励起させ、励起させた原料ガスを被形成物上で反応させて反応物を堆積させ
るプラズマＣＶＤ法（マイクロ波プラズマＣＶＤ法ともいう。）を用いて形成することが
好ましい。ゲート絶縁層１０８の膜厚は、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
ｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法で形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、特にマ
イクロ波の電界エネルギーを利用してプラズマを発生させ、プラズマによりゲート絶縁膜
の原料ガスを励起させ、励起させた原料ガスを被形成物上で反応させて反応物を堆積させ
るプラズマＣＶＤ法（マイクロ波プラズマＣＶＤ法ともいう。）を用いて形成することが
好ましい。ゲート絶縁層１０８の膜厚は、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
【0047】
（半導体層）
半導体層１１０はシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。当該発明の作製方
法において、第１基板９０１上に半導体層１１０を形成する。そのため、半導体層１１０
を５００℃以上の温度で成膜、又はアニール処理を行うことができる。そのため、電界効
果移動度、オン電流の高いトランジスタを作製することができる。なお、当該半導体層１
１０に用いることができる酸化物半導体の詳細は実施の形態３で説明する。
半導体層１１０はシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。当該発明の作製方
法において、第１基板９０１上に半導体層１１０を形成する。そのため、半導体層１１０
を５００℃以上の温度で成膜、又はアニール処理を行うことができる。そのため、電界効
果移動度、オン電流の高いトランジスタを作製することができる。なお、当該半導体層１
１０に用いることができる酸化物半導体の詳細は実施の形態３で説明する。
【0048】
（ソース電極層及びドレイン電極層）
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂは、半導体層１１０のソース及びド
レイン形成領域と電気的に接続している。ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１
２ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選
ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モ
リブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金
属膜の下側又は上側の一方又は双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜又はそれらの金
属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成
としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜
としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イン
ジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ等）、又はこれらの金属
酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂは、半導体層１１０のソース及びド
レイン形成領域と電気的に接続している。ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１
２ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選
ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モ
リブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金
属膜の下側又は上側の一方又は双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜又はそれらの金
属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成
としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜
としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イン
ジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ等）、又はこれらの金属
酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【0049】
（第２金属層）
第２金属層１１３は、レーザ光によってガラスフリットを一様に加熱し溶融させるため
に設ける。第２金属層１１３を設けることにより、シール材形成領域と重なる第１金属層
１０７のレイアウトを自由にすることができる。第２金属層１１３は、ゲート絶縁層１０
８と接して設けられ、シール材５００と重なるように形成される。第２金属層１１３の材
料としては、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂと同じ材料を用いること
ができる。
第２金属層１１３は、レーザ光によってガラスフリットを一様に加熱し溶融させるため
に設ける。第２金属層１１３を設けることにより、シール材形成領域と重なる第１金属層
１０７のレイアウトを自由にすることができる。第２金属層１１３は、ゲート絶縁層１０
８と接して設けられ、シール材５００と重なるように形成される。第２金属層１１３の材
料としては、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂと同じ材料を用いること
ができる。
【0050】
（第２絶縁層）
第２絶縁層１１４は、トランジスタを保護するために設けられる。第２絶縁層１１４は
、実施の形態１に示した材料や、ゲート絶縁層に用いることができる材料を用いて形成で
きる。シール材５００と、シール材５００と接する層と、の密着性を高めるため、有機電
界発光装置では、第２絶縁層１１４とシール材５００が接する構造にすることが好ましい
。
第２絶縁層１１４は、トランジスタを保護するために設けられる。第２絶縁層１１４は
、実施の形態１に示した材料や、ゲート絶縁層に用いることができる材料を用いて形成で
きる。シール材５００と、シール材５００と接する層と、の密着性を高めるため、有機電
界発光装置では、第２絶縁層１１４とシール材５００が接する構造にすることが好ましい
。
【0051】
（平坦化層）
平坦化層１１６は、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂにより生じた凹
凸を少なくするために設ける。平坦化層１１６は、ポリイミド又はアクリルなどの有機樹
脂材料又は、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜等で形成することができる。シール材形成領
域の平坦化層１１６は、取り除かれている（つまり、シール材５００と平坦化層１１６は
重ならない）ことが好ましい。シール材５００と、シール材５００と接する第１基板９０
１上の層との密着性を高め、気密性の高い有機電界発光装置を形成するためである。
平坦化層１１６は、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂにより生じた凹
凸を少なくするために設ける。平坦化層１１６は、ポリイミド又はアクリルなどの有機樹
脂材料又は、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜等で形成することができる。シール材形成領
域の平坦化層１１６は、取り除かれている（つまり、シール材５００と平坦化層１１６は
重ならない）ことが好ましい。シール材５００と、シール材５００と接する第１基板９０
１上の層との密着性を高め、気密性の高い有機電界発光装置を形成するためである。
【0052】
（発光素子）
本発明の一態様の有機電界発光装置では、発光素子１３０から発光を得る。発光素子１
３０は、第１電極層１１８と第２電極層１２２に挟持された有機化合物を含む層１２０を
有する。有機化合物を含む層１２０は、少なくとも発光層を含むものであり、複数の層を
有する。有機化合物を含む層１２０については実施の形態４で説明する。
本発明の一態様の有機電界発光装置では、発光素子１３０から発光を得る。発光素子１
３０は、第１電極層１１８と第２電極層１２２に挟持された有機化合物を含む層１２０を
有する。有機化合物を含む層１２０は、少なくとも発光層を含むものであり、複数の層を
有する。有機化合物を含む層１２０については実施の形態４で説明する。
【0053】
本実施の形態では、トップエミッション構造の有機電界発光装置について例示するため
、第２電極層１２２には、可視光を透過する導電膜を用いる。第１電極層１１８には、可
視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。可視光を反射する導電膜を用いることで
、発光素子からの光の取り出し効率を向上できる。なお、第１電極層１１８と第２電極層
１２２は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。
、第２電極層１２２には、可視光を透過する導電膜を用いる。第１電極層１１８には、可
視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。可視光を反射する導電膜を用いることで
、発光素子からの光の取り出し効率を向上できる。なお、第１電極層１１８と第２電極層
１２２は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。
【0054】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物
、ＺｎＯ、ガリウムを添加したＺｎＯなどを用いて形成することができる。また、金、白
金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、も
しくはチタン等の金属材料、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、
透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、グラフェン等を用
いても良い。
、ＺｎＯ、ガリウムを添加したＺｎＯなどを用いて形成することができる。また、金、白
金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、も
しくはチタン等の金属材料、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、
透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、グラフェン等を用
いても良い。
【0055】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、ア
ルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの
合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、又は、銀と銅の合金等の銀を含
む合金を用いて形成することができる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。ま
た、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていて
も良い。
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、ア
ルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの
合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、又は、銀と銅の合金等の銀を含
む合金を用いて形成することができる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。ま
た、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていて
も良い。
【0056】
（隔壁）
隔壁１２４は、無機絶縁材料、又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂
材料などを用いることができ、具体的には、ポリイミド樹脂、又はアクリル樹脂等で形成
することができる。隔壁１２４は、その上面に形成される膜が途切れないように、順テー
パ形状を有していることが好ましい。なお、順テーパ形状とは、下地となる層に他の層が
なだらかな角度で厚みを増して接する構成を言う。
隔壁１２４は、無機絶縁材料、又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂
材料などを用いることができ、具体的には、ポリイミド樹脂、又はアクリル樹脂等で形成
することができる。隔壁１２４は、その上面に形成される膜が途切れないように、順テー
パ形状を有していることが好ましい。なお、順テーパ形状とは、下地となる層に他の層が
なだらかな角度で厚みを増して接する構成を言う。
【0057】
（シール材）
シール材５００は、第１基板９０１と第２基板９０２とともに発光素子１３０を封止し
、気密性の高い有機電界発光装置を形成する。シール材５００は、第２絶縁層１１４に接
して設けられる。シール材５００は、第２金属層１１３と重なるように形成される。シー
ル材５００は、低融点ガラスで構成されることが好ましい。低融点ガラスは、ガラスフリ
ットにレーザ光を照射して形成されるが、レーザ光はガラスフリット及び第２金属層で吸
収、反射される。第２金属層１１３はガラスフリットを含むペーストが塗布される領域と
第１金属層１０７とが重なる領域に重なるように形成されるので、レーザ光の熱を均一に
ガラスフリットに与え、質が均一な低融点ガラスを形成することができる。そのため、気
密性の高い有機電界発光装置を得ることができる。
シール材５００は、第１基板９０１と第２基板９０２とともに発光素子１３０を封止し
、気密性の高い有機電界発光装置を形成する。シール材５００は、第２絶縁層１１４に接
して設けられる。シール材５００は、第２金属層１１３と重なるように形成される。シー
ル材５００は、低融点ガラスで構成されることが好ましい。低融点ガラスは、ガラスフリ
ットにレーザ光を照射して形成されるが、レーザ光はガラスフリット及び第２金属層で吸
収、反射される。第２金属層１１３はガラスフリットを含むペーストが塗布される領域と
第１金属層１０７とが重なる領域に重なるように形成されるので、レーザ光の熱を均一に
ガラスフリットに与え、質が均一な低融点ガラスを形成することができる。そのため、気
密性の高い有機電界発光装置を得ることができる。
【0058】
本発明の一態様の有機電界発光装置の構成では、シール材５００と第１金属層１０７と
の間に第２金属層１１３を設けているので、シール材５００と重なる第１金属層１０７の
レイアウトを自由に行うことができる。また、レーザ光は第２金属層１１３で、吸収、反
射されるので、質が均一なシール材５００を形成することができ、気密性の高い有機電界
発光装置を得ることができる。
の間に第２金属層１１３を設けているので、シール材５００と重なる第１金属層１０７の
レイアウトを自由に行うことができる。また、レーザ光は第２金属層１１３で、吸収、反
射されるので、質が均一なシール材５００を形成することができ、気密性の高い有機電界
発光装置を得ることができる。
【0059】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
とができる。
【0060】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２における半導体層に用いることのできる酸化物半導体
について詳細を説明する。
本実施の形態では、実施の形態２における半導体層に用いることのできる酸化物半導体
について詳細を説明する。
【0061】
上記酸化物半導体としては、例えばＩｎ系金属酸化物、Ｚｎ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ
系金属酸化物、又はＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などを適用できる。また、上記Ｉｎ－
Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物に含まれるＧａの一部若しくは全部の代わりに他の金属元素を含
む金属酸化物を用いてもよい。
系金属酸化物、又はＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などを適用できる。また、上記Ｉｎ－
Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物に含まれるＧａの一部若しくは全部の代わりに他の金属元素を含
む金属酸化物を用いてもよい。
【0062】
上記他の金属元素としては、例えばガリウムよりも多くの酸素原子と結合が可能な金属
元素を用いればよく、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、及び錫
のいずれか一つ又は複数の元素を用いればよい。また、上記他の金属元素としては、ラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、
テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及
びルテチウムのいずれか一つ又は複数の元素を用いればよい。これらの金属元素は、スタ
ビライザーとしての機能を有する。なお、これらの金属元素の添加量は、金属酸化物が半
導体として機能することが可能な量である。ガリウムよりも多くの酸素原子と結合が可能
な金属元素を用い、さらには金属酸化物中に酸素を供給することにより、金属酸化物中の
酸素欠陥を少なくできる。
元素を用いればよく、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、及び錫
のいずれか一つ又は複数の元素を用いればよい。また、上記他の金属元素としては、ラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、
テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及
びルテチウムのいずれか一つ又は複数の元素を用いればよい。これらの金属元素は、スタ
ビライザーとしての機能を有する。なお、これらの金属元素の添加量は、金属酸化物が半
導体として機能することが可能な量である。ガリウムよりも多くの酸素原子と結合が可能
な金属元素を用い、さらには金属酸化物中に酸素を供給することにより、金属酸化物中の
酸素欠陥を少なくできる。
【0063】
また、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の原子比である第１の酸化物半導体層、Ｉｎ：Ｇ
ａ：Ｚｎ＝３：１：２の原子比である第２の酸化物半導体層、及びＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１
：１：１の原子比である第３の酸化物半導体層の積層により、半導体層１１０を構成して
もよい。上記積層により半導体層１１０を構成することで、例えばトランジスタの電界効
果移動度を高めることができる。
ａ：Ｚｎ＝３：１：２の原子比である第２の酸化物半導体層、及びＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１
：１：１の原子比である第３の酸化物半導体層の積層により、半導体層１１０を構成して
もよい。上記積層により半導体層１１０を構成することで、例えばトランジスタの電界効
果移動度を高めることができる。
【0064】
また、上記酸化物半導体を、Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＣＡＡＣ－ＯＳともいう）としてもよい。
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＣＡＡＣ－ＯＳともいう）としてもよい。
【0065】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、複数の結晶部を有する酸化物半導体の一つである。結晶部では、ｃ
軸が酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃
い、且つａｂ面に垂直な方向から見て金属原子が三角形状又は六角形状に配列を有し、ｃ
軸に垂直な方向から見て金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列している
。なお、本明細書において、単に垂直と記載する場合、８５°以上９５°以下の範囲も含
まれる。また、単に平行と記載する場合、－５°以上５°以下の範囲も含まれる。
軸が酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトル又は表面の法線ベクトルに平行な方向に揃
い、且つａｂ面に垂直な方向から見て金属原子が三角形状又は六角形状に配列を有し、ｃ
軸に垂直な方向から見て金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列している
。なお、本明細書において、単に垂直と記載する場合、８５°以上９５°以下の範囲も含
まれる。また、単に平行と記載する場合、－５°以上５°以下の範囲も含まれる。
【0066】
例えば、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用いたスパッタリン
グ法によってＣＡＡＣ－ＯＳを形成できる。スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突
すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ－ｂ面から劈開し、ａ－ｂ
面に平行な面を有する平板状又はペレット状のスパッタリング粒子として剥離することが
ある。この場合、平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達す
ることにより、スパッタリング用ターゲットの結晶状態が基板に転写される。これにより
、ＣＡＡＣ－ＯＳが形成される。
グ法によってＣＡＡＣ－ＯＳを形成できる。スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突
すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ－ｂ面から劈開し、ａ－ｂ
面に平行な面を有する平板状又はペレット状のスパッタリング粒子として剥離することが
ある。この場合、平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達す
ることにより、スパッタリング用ターゲットの結晶状態が基板に転写される。これにより
、ＣＡＡＣ－ＯＳが形成される。
【0067】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳを形成するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【0068】
例えば、不純物濃度を低減してＣＡＡＣ－ＯＳを形成することにより、不純物による酸
化物半導体の結晶状態の崩壊を抑制できる。例えば、成膜室内に存在する不純物（水素、
水、二酸化炭素、及び窒素など）を低減することが好ましい。また、成膜ガス中の不純物
を低減することが好ましい。例えば、成膜ガスとして露点が－８０℃以下、好ましくは－
１００℃以下である成膜ガスを用いることが好ましい。
化物半導体の結晶状態の崩壊を抑制できる。例えば、成膜室内に存在する不純物（水素、
水、二酸化炭素、及び窒素など）を低減することが好ましい。また、成膜ガス中の不純物
を低減することが好ましい。例えば、成膜ガスとして露点が－８０℃以下、好ましくは－
１００℃以下である成膜ガスを用いることが好ましい。
【0069】
また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、基板付着後にスパッタリング粒子のマイ
グレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を１００℃以上７４０℃以下として成
膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平板状のスパッタリング粒子が基板に到
達した場合、基板上でマイグレーションし、平らな面を向けて基板に付着する。
グレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を１００℃以上７４０℃以下として成
膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平板状のスパッタリング粒子が基板に到
達した場合、基板上でマイグレーションし、平らな面を向けて基板に付着する。
【0070】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化して成膜時のプラズマダメージを軽
減させることが好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
減させることが好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
【0071】
上記スパッタリング用ターゲットの一例として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ化合物ターゲッ
トについて以下に示す。
トについて以下に示す。
【0072】
ＩｎＯｘ粉末、ＧａＯｙ粉末、及びＺｎＯｚ粉末を所定の比率で混合し、加圧処理後、
１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることにより、多結晶であるＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ化合物ターゲットを形成する。なお、ｘ、ｙ、及びｚは任意の正数である
。ここで、所定の比率は、例えば、ＩｎＯｘ粉末、ＧａＯｙ粉末、及びＺｎＯｚ粉末が、
２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３又は３：１：２のｍｏｌ
数比である。なお、粉末の種類、及びその混合する比率は、作製するスパッタリング用タ
ーゲットによって適宜変更すればよい。
１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることにより、多結晶であるＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ化合物ターゲットを形成する。なお、ｘ、ｙ、及びｚは任意の正数である
。ここで、所定の比率は、例えば、ＩｎＯｘ粉末、ＧａＯｙ粉末、及びＺｎＯｚ粉末が、
２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３又は３：１：２のｍｏｌ
数比である。なお、粉末の種類、及びその混合する比率は、作製するスパッタリング用タ
ーゲットによって適宜変更すればよい。
【0073】
チャネル形成領域が上記ＣＡＡＣ－ＯＳであるトランジスタは、可視光や紫外光の照射
による電気特性の変動が低いため、信頼性が高い。
による電気特性の変動が低いため、信頼性が高い。
【0074】
上記酸化物半導体を含むトランジスタは、バンドギャップが広いため熱励起によるリー
ク電流が少ない。さらに、正孔の有効質量が１０以上と重く、トンネル障壁の高さが２．
８ｅＶ以上と高い。これにより、トンネル電流が少ない。さらに、半導体層中のキャリア
が極めて少ない。よって、オフ電流を低くできる。例えば、オフ電流は、室温（２５℃）
でチャネル幅１μｍあたり１×１０－１９Ａ（１００ｚＡ）以下である。より好ましくは
１×１０－２２Ａ（１００ｙＡ）以下である。トランジスタのオフ電流は、低ければ低い
ほどよいが、トランジスタのオフ電流の下限値は、約１×１０－３０Ａ／μｍであると見
積もられる。
ク電流が少ない。さらに、正孔の有効質量が１０以上と重く、トンネル障壁の高さが２．
８ｅＶ以上と高い。これにより、トンネル電流が少ない。さらに、半導体層中のキャリア
が極めて少ない。よって、オフ電流を低くできる。例えば、オフ電流は、室温（２５℃）
でチャネル幅１μｍあたり１×１０－１９Ａ（１００ｚＡ）以下である。より好ましくは
１×１０－２２Ａ（１００ｙＡ）以下である。トランジスタのオフ電流は、低ければ低い
ほどよいが、トランジスタのオフ電流の下限値は、約１×１０－３０Ａ／μｍであると見
積もられる。
【0075】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
とができる。
【0076】
（実施の形態４）
本実施の形態では、先の実施の形態１における発光素子について詳細を説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態１における発光素子について詳細を説明する。
【0077】
図５（Ａ）に示す発光素子１３０は、一対の電極（第１電極層１１８、第２電極層１２
２）間に有機化合物を含む層１２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態
の説明においては、例として、第１電極層１１８を陽極として用い、第２電極層１２２を
陰極として用いるものとする。
２）間に有機化合物を含む層１２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態
の説明においては、例として、第１電極層１１８を陽極として用い、第２電極層１２２を
陰極として用いるものとする。
【0078】
また、有機化合物を含む層１２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく
、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い
物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いること
ができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を
適宜組み合わせて用いることができる。
、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い
物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いること
ができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を
適宜組み合わせて用いることができる。
【0079】
図５（Ａ）に示す発光素子１３０は、第１電極層１１８と第２電極層１２２との間に生
じた電位差により電流が流れ、有機化合物を含む層１２０において正孔と電子とが再結合
し、発光するものである。つまり有機化合物を含む層１２０に発光領域が形成されるよう
な構成となっている。
じた電位差により電流が流れ、有機化合物を含む層１２０において正孔と電子とが再結合
し、発光するものである。つまり有機化合物を含む層１２０に発光領域が形成されるよう
な構成となっている。
【0080】
本発明において、発光素子１３０からの発光は、第１電極層１１８、又は第２電極層１
２２側から外部に取り出される。従って、第１電極層１１８、又は第２電極層１２２のい
ずれか一方は透光性を有する物質で形成される。
２２側から外部に取り出される。従って、第１電極層１１８、又は第２電極層１２２のい
ずれか一方は透光性を有する物質で形成される。
【0081】
なお、有機化合物を含む層１２０は図５（Ｂ）のように第１電極層１１８と第２電極層
１２２との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有
する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ－１以下）番目の有機化合物を含む層１２
０と、（ｍ＋１）番目の有機化合物を含む層１２０との間には、それぞれ電荷発生層１２
０ａを設けることが好ましい。
１２２との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有
する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ－１以下）番目の有機化合物を含む層１２
０と、（ｍ＋１）番目の有機化合物を含む層１２０との間には、それぞれ電荷発生層１２
０ａを設けることが好ましい。
【0082】
電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物
とアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物との複合材料の他、これらを適
宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例
えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物
を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素等の低分子化合物、又は、それらの低分子化合物のオリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性
有機化合物として正孔移動度が１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好
ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いて
もよい。なお、電荷発生層１２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア
輸送性に優れているため、発光素子１３０の低電流駆動、及び低電圧駆動を実現すること
ができる。
とアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物との複合材料の他、これらを適
宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例
えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物
を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素等の低分子化合物、又は、それらの低分子化合物のオリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性
有機化合物として正孔移動度が１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好
ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いて
もよい。なお、電荷発生層１２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア
輸送性に優れているため、発光素子１３０の低電流駆動、及び低電圧駆動を実現すること
ができる。
【0083】
なお、電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
【0084】
このような構成を有する発光素子１３０は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こ
り難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子と
することが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容
易である。
り難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子と
することが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容
易である。
【0085】
なお、電荷発生層１２０ａとは、第１電極層１１８と第２電極層１２２に電圧を印加し
たときに、電荷発生層１２０ａに接して形成される一方の有機化合物を含む層１２０に対
して正孔を注入する機能を有し、他方の有機化合物を含む層１２０に電子を注入する機能
を有する。
たときに、電荷発生層１２０ａに接して形成される一方の有機化合物を含む層１２０に対
して正孔を注入する機能を有し、他方の有機化合物を含む層１２０に電子を注入する機能
を有する。
【0086】
図５（Ｂ）に示す発光素子１３０は、有機化合物を含む層１２０に用いる発光物質の種
類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の
異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得
ることもできる。
類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の
異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得
ることもできる。
【0087】
図５（Ｂ）に示す発光素子１３０を用いて、白色発光を得る場合、複数の有機化合物を
含む層１２０の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成で
あればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色
の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の
発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の
発光層とを有する構成とすることもできる。又は、補色の関係にある光を発する発光層を
有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において
、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補
色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙
げられる。
含む層１２０の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成で
あればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色
の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の
発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の
発光層とを有する構成とすることもできる。又は、補色の関係にある光を発する発光層を
有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において
、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補
色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙
げられる。
【0088】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置
することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現すること
ができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な
発光が可能となる。
することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現すること
ができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な
発光が可能となる。
【0089】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
能である。
【0090】
【0091】
有機電界発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又
はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。
はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。
【0092】
図６（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、
筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示
することが可能であり、有機電界発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また
、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示
することが可能であり、有機電界発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また
、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【0093】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キ
ー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作
機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
モコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キ
ー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作
機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【0094】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【0095】
図６（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、コンピュータは、有機電界発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作
製される。
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、コンピュータは、有機電界発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作
製される。
【0096】
図６（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成さ
れており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部
７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図
６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７
、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３
１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化
学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動
、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えて
いる。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３
０４及び表示部７３０５の両方、又は一方に有機電界発光装置を用いていればよく、その
他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は
、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や
、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図６（Ｃ）
に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる
。
れており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部
７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図
６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７
、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３
１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化
学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動
、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えて
いる。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３
０４及び表示部７３０５の両方、又は一方に有機電界発光装置を用いていればよく、その
他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は
、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や
、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図６（Ｃ）
に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる
。
【0097】
図６（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、有機
電界発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、有機
電界発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【0098】
図６（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【0099】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表
示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【0100】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好
ましい。
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好
ましい。
【0101】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出する
センサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断
して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
センサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断
して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【0102】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操
作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【0103】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【0104】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７
４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【0105】
図６（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光
源として本発明の一態様が適用された発光装置７５０３ａ、７５０３ｂ、７５０３ｃ、７
５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能
である。
源として本発明の一態様が適用された発光装置７５０３ａ、７５０３ｂ、７５０３ｃ、７
５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能
である。
【0106】
また、長時間使用しても目が疲労し難い明度が高く淡い色を呈する光と、鮮やかな赤色
と、異なる鮮やかな色を呈する光を発する発光パネルを備える。発光素子を駆動する条件
を発光色ごとに調整することで、使用者が色相を調節できる照明装置を実現できる。
と、異なる鮮やかな色を呈する光を発する発光パネルを備える。発光素子を駆動する条件
を発光色ごとに調整することで、使用者が色相を調節できる照明装置を実現できる。
【0107】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図７（Ａ）は、
開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６
３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切
り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。なお、当
該タブレット端末は、有機電界発光装置を表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂの一方又
は両方に用いることにより作製される。
開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６
３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切
り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。なお、当
該タブレット端末は、有機電界発光装置を表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂの一方又
は両方に用いることにより作製される。
【0108】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示さ
れた操作キー９６３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６
３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６
３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９
６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表
示画面として用いることができる。
れた操作キー９６３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６
３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６
３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９
６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表
示画面として用いることができる。
【0109】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一
部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【0110】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時に
タッチ入力することもできる。
タッチ入力することもできる。
【0111】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示又は横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出
装置を内蔵させてもよい。
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出
装置を内蔵させてもよい。
【0112】
また、図７（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示し
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。
【0113】
図７（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６
３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有
する。なお、図７（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、
ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有
する。なお、図７（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、
ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
【0114】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【0115】
また、この他にも図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを
表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力
機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有すること
ができる。
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを
表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力
機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有すること
ができる。
【0116】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル
、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に
行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に
行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【0117】
また、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図７（Ｃ）
にブロック図を示し説明する。図７（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１～ＳＷ３、表示部
９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コン
バータ９６３８、スイッチＳＷ１～ＳＷ３が、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４
に対応する箇所となる。
にブロック図を示し説明する。図７（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１～ＳＷ３、表示部
９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コン
バータ９６３８、スイッチＳＷ１～ＳＷ３が、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４
に対応する箇所となる。
【0118】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣ
ＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太
陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９
６３８で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９
６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンに
してバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣ
ＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太
陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９
６３８で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９
６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンに
してバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【0119】
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、
圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送
受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構
成としてもよい。
圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送
受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構
成としてもよい。
【0120】
【0121】
上述した電子機器や照明装置などは、本発明の一態様が適用された封止体又は有機電界
発光装置を有する。そのため、信頼性の高い電子機器や照明装置などを作製することがで
きる。
発光装置を有する。そのため、信頼性の高い電子機器や照明装置などを作製することがで
きる。
【0122】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
とができる。
【符号の説明】
【0123】
１０５ 第１絶縁層
１０６ ゲート電極層
１０７ 第１金属層
１０８ ゲート絶縁層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１３ 第２金属層
１１４ 第２絶縁層
１１６ 平坦化層
１０３ バッファ層
１１０ 半導体層
１１８ 第１電極層
１２０ 有機化合物を含む層
１２０ａ 電荷発生層
１２２ 第２電極層
１２４ 隔壁
１３０ 発光素子
１３１ 発光素子
１５０ トランジスタ
１５１ トランジスタ
１５２ トランジスタ
５００ シール材
９０１ 第１基板
９０２ 第２基板
４５０１ 封止部
４５０２ 画素部
４５０３ 信号線回路部
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ 操作キー
９６３８ コンバータ
９６３９ キーボード表示切り替えボタン
９０３３ 留め具
９０３４ 表示モード切り替えスイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ 省電力モード切り替えスイッチ
９０３８ 操作スイッチ
１０６ ゲート電極層
１０７ 第１金属層
１０８ ゲート絶縁層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１３ 第２金属層
１１４ 第２絶縁層
１１６ 平坦化層
１０３ バッファ層
１１０ 半導体層
１１８ 第１電極層
１２０ 有機化合物を含む層
１２０ａ 電荷発生層
１２２ 第２電極層
１２４ 隔壁
１３０ 発光素子
１３１ 発光素子
１５０ トランジスタ
１５１ トランジスタ
１５２ トランジスタ
５００ シール材
９０１ 第１基板
９０２ 第２基板
４５０１ 封止部
４５０２ 画素部
４５０３ 信号線回路部
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ 操作キー
９６３８ コンバータ
９６３９ キーボード表示切り替えボタン
９０３３ 留め具
９０３４ 表示モード切り替えスイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ 省電力モード切り替えスイッチ
９０３８ 操作スイッチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】