特開2024-154112半導体検査装置、半導体ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024154112
(43)【公開日】2024-10-30
(54)【発明の名称】半導体検査装置、半導体ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20241023BHJP
C30B 29/36 20060101ALI20241023BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 N
H01L21/66 J
C30B29/36 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023067755
(22)【出願日】2023-04-18
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】中村 卓誉
(72)【発明者】
【氏名】大木 博文
(72)【発明者】
【氏名】木村 泰広
(72)【発明者】
【氏名】香月 真一郎
【テーマコード（参考）】
4G077
4M106
【Ｆターム（参考）】
4G077BE08
4G077GA02
4G077GA06
4G077HA12
4M106AA01
4M106BA05
4M106CA42
4M106CB19
4M106DB04
4M106DB07
4M106DJ18
4M106DJ20
4M106DJ27
(57)【要約】
【課題】マイクロパイプ欠陥の検出時間の短縮が可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体検査装置は、欠陥検出部２および制御部４を含む。欠陥検出部２は、第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、第１主面６Ａを検査して第１主面６Ａに含まれる結晶欠陥である第１欠陥７Ａを検出し、第２主面６Ｂを検査して第２主面６Ｂに含まれる結晶欠陥である第２欠陥７Ｂを検出する。制御部４は、欠陥検出部２による第２欠陥７Ｂの検出に際し、半導体ウエハの第２主面６Ｂの一部の領域である検査領域を検査するように、欠陥検出部２を制御する。その検査領域は、第１欠陥７Ａの検出位置と半導体ウエハの厚みＴとオフ角θとに基づいて決定される。
【選択図】図１
【解決手段】半導体検査装置は、欠陥検出部２および制御部４を含む。欠陥検出部２は、第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、第１主面６Ａを検査して第１主面６Ａに含まれる結晶欠陥である第１欠陥７Ａを検出し、第２主面６Ｂを検査して第２主面６Ｂに含まれる結晶欠陥である第２欠陥７Ｂを検出する。制御部４は、欠陥検出部２による第２欠陥７Ｂの検出に際し、半導体ウエハの第２主面６Ｂの一部の領域である検査領域を検査するように、欠陥検出部２を制御する。その検査領域は、第１欠陥７Ａの検出位置と半導体ウエハの厚みＴとオフ角θとに基づいて決定される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出し、前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥検出部による前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域を検査するように、前記欠陥検出部を制御する制御部と、を備える半導体検査装置。
前記欠陥検出部による前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域を検査するように、前記欠陥検出部を制御する制御部と、を備える半導体検査装置。
【請求項2】
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項3】
前記検査領域は、前記半導体ウエハの前記第２主面上の前記第１欠陥対応位置だけを含む、請求項２に記載の半導体検査装置。
【請求項4】
前記欠陥検出部によって検出された前記第１欠陥の前記検出位置を記憶する記憶部、をさらに備え、
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記第１欠陥の前記検出位置に基づいて、前記検査領域を決定する、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記第１欠陥の前記検出位置に基づいて、前記検査領域を決定する、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項5】
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する判定部を、さらに備える請求項２に記載の半導体検査装置。
【請求項6】
前記欠陥検出部は、観察部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項7】
前記欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項8】
前記欠陥検出部は、前記半導体ウエハの前記第１主面を検査する第１欠陥検出部と、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査する第２欠陥検出部と、を含む、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項9】
前記第１欠陥検出部は、観察部を含み、
前記第２欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項８に記載の半導体検査装置。
前記第２欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項８に記載の半導体検査装置。
【請求項10】
前記第１欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記第２欠陥検出部は、観察部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項８に記載の半導体検査装置。
前記第２欠陥検出部は、観察部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、請求項８に記載の半導体検査装置。
【請求項11】
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の位置および前記第２主面の位置が入れ替わるように、前記半導体ウエハを反転させる反転手段を含む、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記保持部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の位置および前記第２主面の位置が入れ替わるように、前記半導体ウエハを反転させる反転手段を含む、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項12】
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、３つ以上の把持部を含み、
前記３つ以上の把持部の各々は、前記半導体ウエハの前記第１主面および前記第２主面の両側から前記半導体ウエハを挟み込んで保持する、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記保持部は、３つ以上の把持部を含み、
前記３つ以上の把持部の各々は、前記半導体ウエハの前記第１主面および前記第２主面の両側から前記半導体ウエハを挟み込んで保持する、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項13】
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハを鉛直方向に保持する、請求項１に記載の半導体検査装置。
前記保持部は、前記半導体ウエハを鉛直方向に保持する、請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項14】
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体ウエハの検査方法。
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体ウエハの検査方法。
【請求項15】
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、請求項１４に記載の半導体ウエハの検査方法。
【請求項16】
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える請求項１５に記載の半導体ウエハの検査方法。
【請求項17】
前記半導体ウエハは、鉛直方向に保持される、請求項１４に記載の半導体ウエハの検査方法。
【請求項18】
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
【請求項19】
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項20】
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体検査装置、半導体ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＳｉＣウエハには、マイクロパイプと呼ばれる貫通欠陥が形成されやすい。特許文献１に記載の検査装置は、ＳｉＣウエハの一主面の全面の画像を撮像し、その画像に対して画像処理を行って、ＳｉＣウエハ上の欠陥およびそのアドレスを検出する。そして、その検査装置は、同一のインゴットから隣接して切り出されて製造された２枚のＳｉＣウエハの一主面の全面の、あるいは同一ＳｉＣウエハの一主面と他方主面の全面の、点状の低輝度画像のアドレスを照合して、マイクロパイプ欠陥の存在を判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－１３７２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
同一のインゴットから隣接して切り出されて製造された２枚のウエハの一主面の全面、あるいは同一ウエハの一主面と他方主面の全面、を検査してマイクロパイプ欠陥を検出する検査方法は、その欠陥の検出に時間を要する。
【0005】
本開示は、上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロパイプ欠陥の検出時間の短縮が可能な半導体検査装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体検査装置は、欠陥検出部および制御部を含む。欠陥検出部は、第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、第１主面を検査して第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出し、第２主面を検査して第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する。制御部は、欠陥検出部による第２欠陥の検出に際し、半導体ウエハの第２主面の一部の領域である検査領域を検査するように、欠陥検出部を制御する。その検査領域は、第１欠陥の検出位置と半導体ウエハの厚みとオフ角とに基づいて決定される。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、マイクロパイプ欠陥の検出時間を短縮する半導体検査装置が提供される。
【0008】
本開示の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白になる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】実施の形態１における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図2】ＳｉＣウエハの構成を示す断面図である。
【図3】実施の形態１におけるＳｉＣウエハの検査方法を示すフローチャートである。
【図4】実施の形態２における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図5】実施の形態３における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図6】実施の形態４における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図7】実施の形態５における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図8】実施の形態６における半導体検査装置の保持部の構成を示す図である。
【図9】実施の形態７におけるＳｉＣウエハの保持状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１における半導体検査装置１０１の構成を示す図である。半導体検査装置１０１は、保持部１、欠陥検出部２、記憶部３、制御部４および判定部５を含む。
図１は、実施の形態１における半導体検査装置１０１の構成を示す図である。半導体検査装置１０１は、保持部１、欠陥検出部２、記憶部３、制御部４および判定部５を含む。
【0011】
半導体検査装置１０１は、ＳｉＣウエハ６を検査してそのＳｉＣウエハ６に含まれるマイクロパイプ欠陥を検出する。図２は、ＳｉＣウエハ６の構成を示す断面図である。ＳｉＣウエハ６は、ＳｉＣ結晶を含む。そのＳｉＣ結晶は、予め定められた方向にオフ角θで傾いている。ＳｉＣウエハ６は厚みＴを有する。ＳｉＣウエハ６は、第１主面６Ａおよび第２主面６Ｂを含む。第２主面６Ｂは、第１主面６Ａの反対側の面である。例えば、第１主面６ＡはＳｉＣウエハ６の表面であり、第２主面６ＢはそのＳｉＣウエハ６の裏面である。
【0012】
保持部１は、検査対象のＳｉＣウエハ６を保持する。保持部１は、ＳｉＣウエハ６の外周部を保持することが好ましい。
【0013】
欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査して、その第１主面６Ａに含まれる結晶欠陥を検出する。以下、この第１主面６Ａにおける結晶欠陥を第１欠陥７Ａと言う。また、欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査して、その第２主面６Ｂに含まれる結晶欠陥を検出する。以下、この第２主面６Ｂにおける結晶欠陥を第２欠陥７Ｂと言う。
【0014】
実施の形態１における欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６を光学的に観察する観察部２Ａを含む。観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する際、第１主面６Ａの画像を撮影する。観察部２Ａは、その第１主面６Ａの全面の画像を撮影してもよいし、第１主面６Ａの予め定められた領域を撮影してもよい。観察部２Ａは、その第１主面６Ａの画像に対して画像処理を実行し、第１欠陥７Ａを検出する。このように、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの検査として撮影される第１主面６Ａの画像に基づいて、第１欠陥７Ａを検出する。
【0015】
同様に、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する際、第２主面６Ｂの画像を撮影する。観察部２Ａは、その第２主面６Ｂのうち後述する検査領域の画像を撮影する。観察部２Ａは、その第２主面６Ｂの検査領域の画像に対して画像処理を実行し、第２欠陥７Ｂを検出する。このように、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの検査として撮影される第２主面６Ｂの検査領域の画像に基づいて、第２欠陥７Ｂを検出する。
【0016】
また、実施の形態１における欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する位置と第２主面６Ｂを検査する位置との間を移動するための移動手段（図示せず）を含む。
【0017】
記憶部３は、観察部２Ａによって検出された第１欠陥７Ａの位置情報を記憶する。記憶部３は、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を予め記憶していてもよい。
【0018】
制御部４は、観察部２Ａによる第２欠陥７Ｂの検出に際し、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂにおける検査領域を決定する。その検査領域は、第２主面６Ｂの一部の領域に対応する。例えば、制御部４は、記憶部３に記憶された第１欠陥７Ａの検出位置、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を読み出して、その検査領域を決定する。制御部４は、第２欠陥７Ｂの検出に際し、観察部２Ａがその検査領域を検査するように、観察部２Ａを制御する。
【0019】
検査領域は、平面視において、第１欠陥７Ａの検出位置から予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた第２主面６Ｂ上の位置を含む。以下、この位置を第１欠陥対応位置と言う。予め定められた方向とは、オフ角θによってＳｉＣの結晶が傾いている方向であって、第２主面６Ｂに平行な方向である。
【0020】
判定部５は、第２欠陥７Ｂの検出位置が第１欠陥対応位置と一致する場合に、第１欠陥７Ａと第２欠陥７Ｂとは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する。この場合、そのマイクロパイプ欠陥は、一対の第１欠陥７Ａおよび第２欠陥７Ｂによって形成されている。
【0021】
制御部４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ（図示せず）を含む。制御部４の上記の機能は、プロセッサがメモリ（図示せず）に格納されたプログラムを実行することによって実現される。判定部５の機能も、同様にプロセッサによるプログラムの実行によって実現される。
【0022】
図３は、実施の形態１におけるＳｉＣウエハ６の検査方法を示すフローチャートである。
【0023】
ステップＳ１において、ＳｉＣ基板（図示せず）が製造される。例えば、ｎ型ＳｉＣ基板が製造される。このステップＳ１で、ＳｉＣ基板を貫通するマイクロパイプ欠陥が形成される。
【0024】
ステップＳ２において、ＳｉＣ基板の表面に、ｎ型ＳｉＣエピ層（図示せず）が形成される。ＳｉＣ基板を貫通するマイクロパイプ欠陥は、このエピタキシャル成長においても引き継がれる。ｎ型ＳｉＣエピ層の不純物濃度は、ｎ型ＳｉＣ基板の不純物濃度よりも低い。このステップＳ２により、検査対象である厚みＴのＳｉＣウエハ６が製造される。
【0025】
ステップＳ３において、ＳｉＣウエハ６が保持部１に保持される。
【0026】
ステップＳ４において、欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する。ここでは、観察部２Ａが、そのＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの画像を撮影する。
【0027】
ステップＳ５において、欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの検査結果に基づいて第１欠陥７Ａを検出する。ここでは、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの画像に対して画像処理を実行し、第１欠陥７Ａを検出する。
【0028】
ステップＳ６において、記憶部３は、第１欠陥７Ａの検出位置を記憶する。位置情報は、例えば、座標情報である。
【0029】
ステップＳ７において、制御部４は、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの一部の領域を検査領域に決定する。実施の形態１における検査領域は、第１欠陥対応位置を含む。第１欠陥対応位置は、平面視において、第１欠陥７Ａの検出位置から予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた第２主面６Ｂ上の位置に対応する。制御部４は、観察部２Ａが検査領域を検査するように、観察部２Ａを制御する。
【0030】
ステップＳ８において、欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する。この際、欠陥検出部２である観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する位置から第２主面６Ｂを検査する位置へ移動手段によって移動する。移動後、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂにおける検査領域の画像を撮影する。
【0031】
ステップＳ９において、欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの検査結果に基づいて第２欠陥７Ｂを検出する。ここでは、観察部２Ａが、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの検査領域の画像に対して画像処理を実行し、第２欠陥７Ｂを検出する。
【0032】
ステップＳ１０において、判定部５は、第２欠陥７Ｂの検出位置が第１欠陥対応位置と一致する場合に、第１欠陥７Ａと第２欠陥７Ｂとは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する。
【0033】
以上のステップＳ１からＳ１０が、実施の形態１におけるＳｉＣウエハ６の検査方法である。
【0034】
検査対象のＳｉＣウエハ６は、半導体装置を製造するためのウエハである。この検査の後、ＳｉＣウエハ６に複数の半導体素子が形成されてもよい。半導体素子は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ショットキーバリアダイオード等である。または、半導体素子は、ＩＧＢＴおよび還流ダイオードが１つのチップ内に形成されたＲＣ－ＩＧＢＴ（Reverse-Conducting IGBT）であってもよい。ＳｉＣウエハ６に半導体素子が形成された後、ＳｉＣウエハ６はチップ化され、各々が半導体素子を含む複数の半導体装置が製造される。以上が、半導体装置の製造方法である。
【0035】
まとめると、実施の形態１における半導体検査装置１０１は、欠陥検出部２および制御部４を含む。欠陥検出部２は、第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを有しかつ予め定められた方向にオフ角θで傾いたＳｉＣ結晶を含むＳｉＣウエハ６に対して、第１主面６Ａを検査して第１主面６Ａに含まれる結晶欠陥である第１欠陥７Ａを検出し、第２主面６Ｂを検査して第２主面６Ｂに含まれる結晶欠陥である第２欠陥７Ｂを検出する。制御部４は、欠陥検出部２による第２欠陥７Ｂの検出に際し、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの一部の領域である検査領域を検査するように、欠陥検出部２を制御する。その検査領域は、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて決定される。
【0036】
ＳｉＣウエハ６は、結晶欠陥の制御のため、オフ角θを有するように製造される。そのオフ角θは、例えば、４°である。ＳｉＣ結晶に発生するマイクロパイプ欠陥は、結晶方位の０００１方向に延伸する。言い換えると、ＳｉＣウエハ６を貫通するマイクロパイプ欠陥は、ＳｉＣウエハ６の表面に対してオフ角θで傾く。そのため、マイクロパイプに起因する第１主面６Ａ上の第１欠陥７Ａの位置と第２主面６Ｂ上の第２欠陥７Ｂの位置とは、平面視において厚みＴおよびオフ角θに対応する距離だけずれる。
【0037】
したがって、半導体検査装置１０１がマイクロパイプ欠陥を検出する場合には、第２主面６Ｂの一部の領域を検査すればよい。言い換えると、半導体検査装置１０１は、第１主面６Ａを検査した後、第２主面６Ｂの全面を検査しない。半導体検査装置１０１は、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて決定される検査領域を限定的に検査する。そのため、マイクロパイプ欠陥の検出時間が短縮される。また、同一のインゴットから製造された２枚のＳｉＣウエハを準備する必要がなく、１枚のＳｉＣウエハ６を検査するだけで、マイクロパイプ欠陥の検出が可能である。
【0038】
また、実施の形態１の欠陥検出部２は、ＳｉＣウエハ６を光学的に観察する観察部２Ａを含む。その観察部２Ａは、画像に現れる形状等で欠陥か否かを判別する。そのため、観察部２ＡがＳｉＣウエハ６の表面モホロジーによる陰影等をマイクロパイプ欠陥に起因する貫通穴と誤判定することがない。検査精度が高く、マイクロパイプ欠陥が効率的に検出される。
【0039】
ＳｉＣウエハ６を貫通するマイクロパイプ欠陥は、半導体装置の製造工程において、様々なトラブルを発生させる。例えば、製造装置とＳｉＣウエハ６とのチャッキング不良、ＳｉＣウエハ６の表面からマイクロパイプ欠陥を介したプロセス材料の染み込みによる裏面の汚染などが発生する。予めマイクロパイプ欠陥の位置が明らかであれば、様々な対策を講じることが可能である。例えば、マイクロパイプ欠陥の位置あるいは個数に応じて、ＳｉＣウエハ６を不良品として排除してもよい。または例えば、マイクロパイプ欠陥が存在する位置に形成された半導体装置を不良品として排除することが可能である。
【0040】
（実施の形態１の変形例）
制御部４は、第１欠陥対応位置だけが検査領域に含まれるように、その検査領域を決定してもよい。この場合、観察部２Ａは、第１欠陥対応位置とその周辺を包含する検査領域を検査する。より一層、マイクロパイプ欠陥の検出時間が短縮される。
制御部４は、第１欠陥対応位置だけが検査領域に含まれるように、その検査領域を決定してもよい。この場合、観察部２Ａは、第１欠陥対応位置とその周辺を包含する検査領域を検査する。より一層、マイクロパイプ欠陥の検出時間が短縮される。
【0041】
＜実施の形態２＞
実施の形態２において、実施の形態１と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態２において、実施の形態１と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0042】
図４は、実施の形態２における半導体検査装置１０２の構成を示す図である。半導体検査装置１０２の欠陥検出部２は、第１欠陥検出部２１および第２欠陥検出部２２を含む。第１欠陥検出部２１は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する。第２欠陥検出部２２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する。実施の形態２における第１欠陥検出部２１および第２欠陥検出部２２の各々は、ＳｉＣウエハ６を光学的に観察する観察部２Ａを含む。
【0043】
このような構成によれば、欠陥検出部２が、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する位置と第２主面６Ｂを検査する位置との間を移動するための移動手段を備える必要がない。また、半導体検査装置１０２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査するためにＳｉＣウエハ６を反転させる反転手段を備える必要がない。移動手段および反転手段などの駆動機構が設けられないことから、半導体検査装置１０２のコストは低下する。また、検査工程における、検査対象面の反転に要する時間が削減される。
【0044】
＜実施の形態３＞
実施の形態３において、実施の形態１または２と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態３において、実施の形態１または２と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0045】
図５は、実施の形態３における半導体検査装置１０３の構成を示す図である。半導体検査装置１０３の欠陥検出部２は、変位測定部２Ｂを含む。変位測定部２Ｂは、接触または非接触の手段によってＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａおよび第２主面６Ｂにおける変位を検査する。接触式の手段は、例えば、段差測定器である。非接触の手段は、例えば、レーザー変位計である。
【0046】
変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する際、その第１主面６Ａの変位を測定する。変位測定部２Ｂは、その第１主面６Ａの全面の変位を測定してもよいし、第１主面６Ａの予め定められた領域の変位を測定してもよい。変位測定部２Ｂは、その第１主面６Ａの変位に基づいて、凹部（窪み部）を検出する。この凹部は、第１欠陥７Ａに対応する。このように、変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの検査として測定される第１主面６Ａ内の変位に基づいて第１欠陥７Ａを検出する。
【0047】
同様に、変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する際、その第２主面６Ｂの変位を測定する。変位測定部２Ｂは、その第２主面６Ｂのうち検査領域の変位を測定する。変位測定部２Ｂは、その第２主面６Ｂの検査領域の変位に基づいて、凹部を検出する。この凹部は、第２欠陥７Ｂに対応する。このように、変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの検査として測定される第２主面６Ｂの検査領域内の変位に基づいて第２欠陥７Ｂを検出する。
【0048】
また、実施の形態２における変位測定部２Ｂは、実施の形態１と同様に、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する位置と第２主面６Ｂを検査する位置との間を移動するための移動手段（図示せず）を含む。
【0049】
記憶部３は、変位測定部２Ｂによって検出された第１主面６Ａの凹部の位置、つまり第１欠陥７Ａの位置情報を記憶する。記憶部３は、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を予め記憶していてもよい。
【0050】
制御部４は、変位測定部２Ｂによる第２欠陥７Ｂの検出に際し、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂにおける検査領域を決定する。その検査領域は、第２主面６Ｂの一部の領域に対応する。例えば、制御部４は、記憶部３に記憶された第１欠陥７Ａの検出位置、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を読み出して、その検査領域を決定する。制御部４は、第２欠陥７Ｂの検出に際し、変位測定部２Ｂがその検査領域を検査するように、変位測定部２Ｂを制御する。
【0051】
検査領域は、平面視において、第１欠陥７Ａの検出位置から予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた第２主面６Ｂ上の第１欠陥対応位置を含む。
【0052】
判定部５は、第２欠陥７Ｂの検出位置が第１欠陥対応位置と一致する場合に、第１欠陥７Ａと第２欠陥７Ｂとは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する。
【0053】
このような半導体検査装置１０３の変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａおよび第２主面６Ｂの凹凸の程度を数値で検出する。判定部５は、その数値を用いて直接的に結晶欠陥の判定を実行する。そのため、欠陥判定処理が簡便であり、半導体検査装置１０３の構成が比較的単純であり、そのコストも安価である。
【0054】
＜実施の形態４＞
実施の形態４において、実施の形態１から３のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態４において、実施の形態１から３のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0055】
図６は、実施の形態４における半導体検査装置１０４の構成を示す図である。半導体検査装置１０４の欠陥検出部２は、第１欠陥検出部２１および第２欠陥検出部２２を含む。第１欠陥検出部２１は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する。第２欠陥検出部２２は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する。実施の形態４における第１欠陥検出部２１および第２欠陥検出部２２の各々は、実施の形態３と同様の変位測定部２Ｂを含む。
【0056】
このような構成によれば、欠陥検出部２が、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する位置と第２主面６Ｂを検査する位置との間を移動するための移動手段を備える必要がない。また、半導体検査装置１０４は、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査するためにＳｉＣウエハ６を反転させる反転手段を備える必要がない。移動手段および反転手段などの駆動機構が設けられないことから、半導体検査装置１０４のコストは低減する。また、検査工程における、検査対象面の反転に要する時間が削減される。
【0057】
＜実施の形態５＞
実施の形態５において、実施の形態１から４のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態５において、実施の形態１から４のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0058】
図７は、実施の形態５における半導体検査装置１０５の構成を示す図である。半導体検査装置１０５の欠陥検出部２は、第１欠陥検出部２１および第２欠陥検出部２２を含む。第１欠陥検出部２１は、実施の形態２と同様の観察部２Ａを含み、第２欠陥検出部２２は、実施の形態４と同様の変位測定部２Ｂを含む。
【0059】
観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａを検査する際、その第１主面６Ａの画像を撮影する。観察部２Ａは、その第１主面６Ａの画像に対して画像処理を実行し、第１欠陥７Ａを検出する。このように、観察部２Ａは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの検査として撮影される第１主面６Ａの画像に基づいて、第１欠陥７Ａを検出する。
【0060】
変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂを検査する際、その第２主面６Ｂの変位を測定する。変位測定部２Ｂは、その第２主面６Ｂのうち検査領域の変位を測定する。変位測定部２Ｂは、その第２主面６Ｂの検査領域の変位に基づいて、凹部を検出する。この凹部は、第２欠陥７Ｂに対応する。このように、変位測定部２Ｂは、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの検査として測定される第２主面６Ｂの検査領域内の変位に基づいて第２欠陥７Ｂを検出する。
【0061】
記憶部３は、観察部２Ａによって検出された第１欠陥７Ａの位置の情報を記憶する。記憶部３は、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を予め記憶していてもよい。
【0062】
制御部４は、変位測定部２Ｂによる第２欠陥７Ｂの検出に際し、第１欠陥７Ａの検出位置とＳｉＣウエハ６の厚みＴとオフ角θとに基づいて、ＳｉＣウエハ６の第２主面６Ｂの一部の領域を検査領域に決定する。例えば、制御部４は、記憶部３に記憶された第１欠陥７Ａの検出位置、ＳｉＣウエハ６の厚みＴおよびオフ角θの情報を読み出して、その検査領域を決定する。制御部４は、第２欠陥７Ｂの検出に際し、変位測定部２Ｂがその検査領域を検査するように、変位測定部２Ｂを制御する。
【0063】
検査領域は、平面視において、第１欠陥７Ａの検出位置から予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた第２主面６Ｂ上の第１欠陥対応位置を含む。
【0064】
判定部５は、第２欠陥７Ｂの検出位置が第１欠陥対応位置と一致する場合に、第１欠陥７Ａと第２欠陥７Ｂとは、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａと第２主面６Ｂとを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する。
【0065】
図示は省略するが、観察部２Ａと変位測定部２Ｂとが入れ替わってもよい。つまり、第１欠陥検出部２１が、実施の形態４と同様の変位測定部２Ｂを含み、第２欠陥検出部２２が、実施の形態２と同様の観察部２Ａを含んでもよい。
【0066】
観察部２Ａと変位測定部２Ｂとは、デメリットをメリットで互いに補完する。第１主面６Ａの欠陥の発生傾向および第２主面６Ｂの欠陥の発生傾向に応じて、観察部２Ａおよび変位測定部２Ｂのいずれかが選択的に設けられる。
【0067】
＜実施の形態６＞
実施の形態６において、実施の形態１から５のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態６において、実施の形態１から５のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0068】
図８は、実施の形態６における半導体検査装置の保持部１の構成を示す図である。保持部１は、ＳｉＣウエハ６の外周部を保持する。保持部１は、３つの把持部１Ａを含む。３つの把持部１Ａの各々は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａおよび第２主面６Ｂの両側からＳｉＣウエハ６を挟み込んで保持する。把持部１Ａの個数は、３つに限定されるものではなく、４つ以上であってもよい。
【0069】
また保持部１は、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａの位置および第２主面６Ｂの位置が入れ替わるように、ＳｉＣウエハ６を反転させる反転手段（図示せず）を含む。反転手段が設けられることにより、例えば、１つの欠陥検出部２だけで、ＳｉＣウエハ６の第１主面６Ａおよび第２主面６Ｂの両面の検査が可能である。
【0070】
このような構成により、ＳｉＣウエハ６のハンドリング時間が短縮される。また、異物の発生およびその異物のＳｉＣウエハ６への付着が防止される。
【0071】
＜実施の形態７＞
実施の形態７において、実施の形態１から６のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態７において、実施の形態１から６のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0072】
図９は、実施の形態７におけるＳｉＣウエハ６の保持状態を示す図である。欠陥検出部２がＳｉＣウエハ６を検査する際、保持部１は半導体ウエハを鉛直方向に保持する。このような構成により、ＳｉＣウエハ６の上方から第１主面６Ａまたは第２主面６Ｂへの異物の付着が防止される。
【0073】
本開示は、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【0074】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0075】
（付記１）
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出し、前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥検出部による前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域を検査するように、前記欠陥検出部を制御する制御部と、を備える半導体検査装置。
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出し、前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥検出部による前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域を検査するように、前記欠陥検出部を制御する制御部と、を備える半導体検査装置。
【0076】
（付記２）
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１に記載の半導体検査装置。
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１に記載の半導体検査装置。
【0077】
（付記３）
前記検査領域は、前記半導体ウエハの前記第２主面上の前記第１欠陥対応位置だけを含む、付記２に記載の半導体検査装置。
前記検査領域は、前記半導体ウエハの前記第２主面上の前記第１欠陥対応位置だけを含む、付記２に記載の半導体検査装置。
【0078】
（付記４）
前記欠陥検出部によって検出された前記第１欠陥の前記検出位置を記憶する記憶部、をさらに備え、
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記第１欠陥の前記検出位置に基づいて、前記検査領域を決定する、付記１から付記３のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記欠陥検出部によって検出された前記第１欠陥の前記検出位置を記憶する記憶部、をさらに備え、
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記第１欠陥の前記検出位置に基づいて、前記検査領域を決定する、付記１から付記３のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0079】
（付記５）
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する判定部を、さらに備える付記２から付記４のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する判定部を、さらに備える付記２から付記４のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0080】
（付記６）
前記欠陥検出部は、観察部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記欠陥検出部は、観察部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0081】
（付記７）
前記欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出する、または、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0082】
（付記８）
前記欠陥検出部は、前記半導体ウエハの前記第１主面を検査する第１欠陥検出部と、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査する第２欠陥検出部と、を含む、付記１から付記７のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記欠陥検出部は、前記半導体ウエハの前記第１主面を検査する第１欠陥検出部と、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査する第２欠陥検出部と、を含む、付記１から付記７のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0083】
（付記９）
前記第１欠陥検出部は、観察部を含み、
前記第２欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記８に記載の半導体検査装置。
前記第１欠陥検出部は、観察部を含み、
前記第２欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として撮影される前記第１主面の画像に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として測定される前記第２主面の前記検査領域内の変位に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記８に記載の半導体検査装置。
【0084】
（付記１０）
前記第１欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記第２欠陥検出部は、観察部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記８に記載の半導体検査装置。
前記第１欠陥検出部は、変位測定部を含み、
前記第２欠陥検出部は、観察部を含み、
前記変位測定部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の検査として測定される前記第１主面内の変位に基づいて前記第１欠陥を検出し、
前記観察部は、前記半導体ウエハの前記第２主面の検査として撮影される前記第２主面の前記検査領域の画像に基づいて前記第２欠陥を検出する、付記８に記載の半導体検査装置。
【0085】
（付記１１）
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の位置および前記第２主面の位置が入れ替わるように、前記半導体ウエハを反転させる反転手段を含む、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハの前記第１主面の位置および前記第２主面の位置が入れ替わるように、前記半導体ウエハを反転させる反転手段を含む、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0086】
（付記１２）
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、３つ以上の把持部を含み、
前記３つ以上の把持部の各々は、前記半導体ウエハの前記第１主面および前記第２主面の両側から前記半導体ウエハを挟み込んで保持する、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、３つ以上の把持部を含み、
前記３つ以上の把持部の各々は、前記半導体ウエハの前記第１主面および前記第２主面の両側から前記半導体ウエハを挟み込んで保持する、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0087】
（付記１３）
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハを鉛直方向に保持する、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
前記半導体ウエハの外周部を保持する保持部を、さらに備え、
前記保持部は、前記半導体ウエハを鉛直方向に保持する、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置。
【0088】
（付記１４）
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体ウエハの検査方法。
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体ウエハの検査方法。
【0089】
（付記１５）
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１４に記載の半導体ウエハの検査方法。
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１４に記載の半導体ウエハの検査方法。
【0090】
（付記１６）
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える付記１５に記載の半導体ウエハの検査方法。
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える付記１５に記載の半導体ウエハの検査方法。
【0091】
（付記１７）
前記半導体ウエハは、鉛直方向に保持される、付記１４から付記１６のいずれか１項に記載の半導体ウエハの検査方法。
前記半導体ウエハは、鉛直方向に保持される、付記１４から付記１６のいずれか１項に記載の半導体ウエハの検査方法。
【0092】
（付記１８）
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
第１主面と第２主面とを有しかつ予め定められた方向にオフ角で傾いたＳｉＣ結晶を含む半導体ウエハに対して、前記第１主面を検査して前記第１主面に含まれる結晶欠陥である第１欠陥を検出する工程と、
前記第１欠陥を検出する前記工程の後に、前記半導体ウエハの前記第２主面を検査して前記第２主面に含まれる結晶欠陥である第２欠陥を検出する工程と、
前記第２欠陥の検出に際し、前記第１欠陥の検出位置と前記半導体ウエハの厚みと前記オフ角とに基づいて決定される検査領域であって前記半導体ウエハの前記第２主面の一部の領域である前記検査領域が検査されるように、前記第２欠陥を検出する前記工程を制御する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
【0093】
（付記１９）
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１８に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体ウエハの厚みおよび前記オフ角をそれぞれＴおよびθとした場合に、前記検査領域は、平面視において、前記第１欠陥の前記検出位置から前記予め定められた方向にＴ×ｔａｎθの距離だけ離れた前記半導体ウエハの前記第２主面上の位置である第１欠陥対応位置を含む、付記１８に記載の半導体装置の製造方法。
【0094】
（付記２０）
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える付記１９に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２欠陥の検出位置が前記第１欠陥対応位置と一致する場合に、前記第１欠陥と前記第２欠陥とは、前記半導体ウエハの前記第１主面と前記第２主面とを貫通するマイクロパイプ欠陥であると判定する工程を、さらに備える付記１９に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0095】
１ 保持部、１Ａ 把持部、２ 欠陥検出部、２Ａ 観察部、２Ｂ 変位測定部、３ 記憶部、４ 制御部、５ 判定部、６ ＳｉＣウエハ、６Ａ 第１主面、６Ｂ 第２主面、７Ａ 第１欠陥、７Ｂ 第２欠陥、２１ 第１欠陥検出部、２２ 第２欠陥検出部、１０１～１０５ 半導体検査装置、Ｔ 厚み、θ オフ角。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】