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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024154216
(43)【公開日】2024-10-30
(54)【発明の名称】配線基板、発光装置及びそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/11 20060101AFI20241023BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20241023BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20241023BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20241023BHJP
【ＦＩ】
H05K1/11 N
H05K1/03 610D
H05K3/40 K
H01L33/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】26
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023067931
(22)【出願日】2023-04-18
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】勝又 雅昭
(72)【発明者】
【氏名】湊 永子
(72)【発明者】
【氏名】藏岡 賢
(72)【発明者】
【氏名】細川 敦志
【テーマコード（参考）】
5E317
5F142
【Ｆターム（参考）】
5E317AA24
5E317BB04
5E317BB12
5E317BB14
5E317BB22
5E317CC17
5E317CC25
5E317CC52
5E317CD27
5E317GG03
5F142AA42
5F142BA32
5F142CA11
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD16
5F142CD18
5F142CD32
5F142CD44
5F142CD47
5F142CF13
5F142DB14
(57)【要約】
【課題】放熱板との熱結合性の向上を図る配線基板、その配線基板を用いる発光装置及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを有し、第２面１０Ｂの側に設けられる溝部１４と、第２面１０Ｂの溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ貫通孔１８と、を有する絶縁性の基材１０と、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される金属部材４０と、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように配置される絶縁部材５０と、を有する。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】配線基板１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを有し、第２面１０Ｂの側に設けられる溝部１４と、第２面１０Ｂの溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ貫通孔１８と、を有する絶縁性の基材１０と、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される金属部材４０と、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように配置される絶縁部材５０と、を有する。
【選択図】図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第２面の側に設けられる溝部と、前記第２面の溝部の底面と前記第１面とを繋ぐ貫通孔と、を有する絶縁性の基材と、
前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される金属部材と、
前記溝部の開口を塞ぐように配置される絶縁部材と、を有する配線基板。
前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される金属部材と、
前記溝部の開口を塞ぐように配置される絶縁部材と、を有する配線基板。
【請求項2】
前記絶縁部材は、前記溝部内に配置されており、前記絶縁部材の表面と前記第２面とは同一平面の平坦な面である請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記溝部に配置された前記金属部材は、湾曲面を有する請求項１に記載の配線基板。
【請求項4】
前記溝部は、開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続し、
前記絶縁部材は、前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置される請求項１に記載の配線基板。
前記絶縁部材は、前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置される請求項１に記載の配線基板。
【請求項5】
前記基材は、前記第１面に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える請求項１に記載の配線基板。
【請求項6】
前記配線基板は、前記第１面の側に回路部品が接続される位置に配置されるパッド部と、外部配線が接続される位置に配置される端子部と、を有し、
前記パッド部及び前記端子部は、前記貫通孔に配置される前記金属部材と電気的に接続される請求項１に記載の配線基板。
前記パッド部及び前記端子部は、前記貫通孔に配置される前記金属部材と電気的に接続される請求項１に記載の配線基板。
【請求項7】
前記絶縁部材は、セラミックス又は樹脂を材料とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項8】
前記基材は、セラミックスを材料とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項9】
前記基材は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１種を含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項10】
前記金属部材は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項11】
前記金属部材は、前記基材と前記金属部材との界面に金属化合物層を有する請求項１に記載の配線基板。
【請求項12】
請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の前記第１面の側に配置されている、素子電極を有する発光素子と、を備え、
前記配線基板の前記金属部材は、前記素子電極と電気的に接続されている発光装置。
前記配線基板の前記第１面の側に配置されている、素子電極を有する発光素子と、を備え、
前記配線基板の前記金属部材は、前記素子電極と電気的に接続されている発光装置。
【請求項13】
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔、及び、前記貫通孔と繋がり前記第２面にある溝部を有する基材を準備することと、
前記溝部及び前記貫通孔に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペーストを配置することと、
前記導電ペーストを焼成して金属部材を得ることと、
前記溝部の開口を塞ぐように絶縁部材を配置することと、を含む配線基板の製造方法。
前記溝部及び前記貫通孔に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペーストを配置することと、
前記導電ペーストを焼成して金属部材を得ることと、
前記溝部の開口を塞ぐように絶縁部材を配置することと、を含む配線基板の製造方法。
【請求項14】
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記導電ペーストに含まれる前記金属粉体は重量百分率で６０％以上９０％以下であり、前記活性金属粉体は１％以上１０％以下であり、前記有機溶剤は５％以上３０％以下である請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項15】
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項16】
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は、湾曲面となるように形成する請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項17】
前記金属部材を得ることの後に、前記溝部が開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続するように、前記基材及び前記金属部材の一部を除去して前記溝部の開口を広げることをさらに含み、
前記絶縁部材を配置することにおいて、前記絶縁部材を前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置する請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
前記絶縁部材を配置することにおいて、前記絶縁部材を前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置する請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項18】
前記溝部の開口を広げることにおいて、ブラスト加工によって前記基材及び前記金属部材の一部を除去する請求項１７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項19】
前記金属部材を得ることにおいて、前記基材と前記金属部材との界面に前記活性金属粉体から変わる金属化合物層を有する請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項20】
前記基材を準備することにおいて、前記第１面は更に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項21】
前記基材を準備することにおいて、前記溝部及び前記貫通孔は、レーザ加工により形成される請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項22】
前記基材を準備することにおいて、前記溝部はブラスト加工によって形成され、前記貫通孔はレーザ加工により形成される請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項23】
前記金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７８０℃以上１１００℃以下である請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項24】
前記金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項25】
前記金属部材を得ることの後、さらに前記基材の前記第１面と前記金属部材とが同一平面の平坦な面をなすように前記金属部材を研磨することを含む請求項２０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項26】
請求項１３から請求項２５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、
前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記配線基板の前記金属部材と、前記素子電極と、を電気的に接続する発光装置の製造方法。
前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記配線基板の前記金属部材と、前記素子電極と、を電気的に接続する発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、配線基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、Ｓｉ３Ｎ４基板等の高熱伝導性に優れたセラミックス基板では、活性金属ろう材がビア材や配線に使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第５６９３９４０号公報
【特許文献2】特許第６５４１５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示に係る実施形態は、放熱板等との熱結合性の向上を図る配線基板、その配線基板を用いる発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に開示される配線基板は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第２面の側に設けられる溝部と、前記第２面の溝部の底面と前記第１面とを繋ぐ貫通孔と、を有する絶縁性の基材と、前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される金属部材と、前記溝部の開口を塞ぐように配置される絶縁部材と、を有する。
【0006】
また、実施形態に開示される発光装置は、実施形態に開示される配線基板と、前記配線基板の前記第１面の側に配置されている、素子電極を有する発光素子と、を備え、前記配線基板の前記金属部材は、前記素子電極と電気的に接続されている。
【0007】
また、実施形態に開示される配線基板の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔、及び、前記貫通孔と繋がり前記第２面にある溝部を有する基材を準備することと、前記溝部及び前記貫通孔に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペーストを配置することと、前記導電ペーストを焼成して金属部材を得ることと、前記溝部の開口を塞ぐように絶縁部材を配置することと、を含む。
【0008】
さらに、実施形態に開示される発光装置の製造方法は、実施形態に開示される配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記配線基板の前記金属部材と、前記素子電極と、を電気的に接続する。
【発明の効果】
【0009】
本開示の実施形態によれば、放熱板等との熱結合性の向上を図る配線基板、その配線基板を用いる発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1A】実施形態に係る配線基板の概略を例示する平面図である。
【図1B】実施形態に係る配線基板の概略を例示する底面図である。
【図2C】実施形態に係る配線基板において、金属部材と基材との界面の概略を拡大して例示する断面図である。
【図3】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示するフローチャートである。
【図4A】実施形態に係る配線基板の製造方法における加工前の基材の概略を例示する断面図である。
【図4B】実施形態に係る配線基板の製造方法において、溝部を形成した基材の概略を例示する断面図である。
【図4C】実施形態に係る配線基板の製造方法において、貫通孔を形成した基材の概略を例示する断面図である。
【図4D】実施形態に係る配線基板の製造方法において、導電ペーストが配置された基材の概略を例示する断面図である。
【図4E】実施形態に係る配線基板の製造方法において、導電ペーストを焼成した基材の概略を例示する断面図である。
【図4F】実施形態に係る配線基板の製造方法において、溝部の開口を湾曲面に形成した基材の概略を例示する断面図である。
【図4G】実施形態に係る配線基板の製造方法において、溝部に絶縁部材を配置した基材の概略を例示する断面図である。
【図4H】実施形態に係る配線基板の製造方法において、絶縁部材を研磨した基材の概略を例示する断面図である。
【図5A】配線基板の変形例の概略を例示する断面図である。
【図5B】配線基板の変形例の製造方法において、導電ペーストを焼成した基材の概略を例示する断面図である。
【図6】配線基板の応用例の概略を例示する断面図である。
【図7】実施形態に係る発光装置の概略を例示する平面図である。
【図9】実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。
【図10A】実施形態に係る発光装置の製造方法において、準備した配線基板の概略を例示する断面図である。
【図10B】実施形態に係る発光装置の製造方法において、配線基板に発光素子を配置した状態の概略を例示する断面図である。
【図10C】実施形態に係る発光装置の製造方法において、配線基板に放熱板を接合した状態の概略を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。
【0012】
［配線基板］
実施形態に係る配線基板１を、図１Ａから図２Ｃを参照しながら説明する。図１Ａは、配線基板１の概略を例示する平面図である。図１Ｂは、配線基板１の概略を例示する底面図である。図２Ａは、図１ＡのＩＩＡ－ＩＩＡ線における断面図である。図２Ｂは、図１ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図である。図２Ｃは、金属部材と基材との界面の概略を拡大して例示する断面図である。
実施形態に係る配線基板１を、図１Ａから図２Ｃを参照しながら説明する。図１Ａは、配線基板１の概略を例示する平面図である。図１Ｂは、配線基板１の概略を例示する底面図である。図２Ａは、図１ＡのＩＩＡ－ＩＩＡ線における断面図である。図２Ｂは、図１ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図である。図２Ｃは、金属部材と基材との界面の概略を拡大して例示する断面図である。
【0013】
配線基板１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを有し、第２面１０Ｂの側に設けられる溝部１４と、第２面１０Ｂの溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ貫通孔１８と、を有する絶縁性の基材１０と、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される金属部材４０と、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように配置される絶縁部材５０と、を有する。以下、配線基板１の各構成について説明する。
【0014】
（基材）
基材１０は、配線基板１の土台となる板状の部材である。基材１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂと、第２面１０Ｂに設けられる溝部１４と、溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ貫通孔１８と、を有している。基材１０の平面視形状は、例えば矩形状であり、特に限定されない。基材１０の厚さは、例えば０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とすることができる。
基材１０は、配線基板１の土台となる板状の部材である。基材１０は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂと、第２面１０Ｂに設けられる溝部１４と、溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ貫通孔１８と、を有している。基材１０の平面視形状は、例えば矩形状であり、特に限定されない。基材１０の厚さは、例えば０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とすることができる。
【0015】
基材１０は、絶縁性であり、放熱性に優れることが好ましい。基材１０はセラミックスを材料とすることができ、焼成済のセラミックスであることが好ましい。配線基板１は、基材１０を焼成済のセラミックスとすることで、溝部１４や貫通孔１８の加工精度を高めることができる。基材１０は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１種を含むセラミックスとすることができ、窒化ケイ素又は窒化アルミニウムを含むことが好ましい。なお、基材１０は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物系セラミックスが好ましいが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウムなどの酸化物系セラミックスを使用してもよい。また、基材１０は、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等も使用してもよい。
【0016】
（溝部）
溝部１４は、第２面１０Ｂに設けられ、第２面１０Ｂから凹み、金属部材４０が埋設される溝である。後記するように、溝部１４に埋設される金属部材４０は埋設配線４２を構成し、１つの溝部１４に１本の埋設配線４２が配置される。
溝部１４は、第２面１０Ｂに設けられ、第２面１０Ｂから凹み、金属部材４０が埋設される溝である。後記するように、溝部１４に埋設される金属部材４０は埋設配線４２を構成し、１つの溝部１４に１本の埋設配線４２が配置される。
【0017】
溝部１４の底面１４Ｂの第２面１０Ｂからの深さは、基材１０の厚みに対して、１／８以上７／８以下とすることができ、１／４以上３／４以下が好ましく、３／８以上５／８以下が特に好ましい。溝部１４の底面１４Ｂの第２面１０Ｂからの深さは、３０μｍ以上８０μｍとすることができ、５０μｍ以上６０μｍ以下が好ましい。配線基板１は、この深さを３０μｍ以上とすることで埋設される金属部材４０と第２面１０Ｂとを離隔させ、８０μｍ以下とすることで底面１４Ｂの位置で基材１０の強度を保つことができる。なお、溝部１４の深さは、幅方向の断面において、底面１４Ｂの最も深い位置と第２面１０Ｂとの距離とする。また、溝部１４の幅方向は、板状の基材１０における水平方向であって、かつ、埋設配線４２の伸びる方向に対して垂直な方向である。
【0018】
ここでは、底面１４Ｂは平坦面であるものとして説明するが、貫通孔１８を形成している場合は貫通孔１８部分を除いた部分が平坦面であったものと仮定して説明する。ただし、底面１４Ｂは、平坦面でなく湾曲面であってもよい。底面１４Ｂの幅Ｗ２は、例えば１５μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。なお、底面１４Ｂの幅Ｗ２は、底面１４Ｂにおける幅を指すが、底面１４Ｂが加工等により荒れていたり、底面１４Ｂが湾曲面であったりすることもあり、底面１４Ｂから５μｍ以上１０μｍ以下程度離れた位置、若しくは、第２面１０Ｂから溝部１４の深さ方向に深さの１／２離れた位置において測定した長さを溝部１４の幅とすることもある。
【0019】
溝部１４は、開口１４Ａ側に向かって広がる湾曲面ＣＳを介して第２面１０Ｂに連続している。湾曲面ＣＳは、幅方向の断面において、例えば半径が０．１μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下の円弧状とすることができる。溝部１４の開口１４Ａの幅Ｗ１は、底面１４Ｂの幅Ｗ２よりも広い。なお、開口１４Ａの幅Ｗ１は、第２面１０Ｂにおける幅を指すが、底面１４Ｂが加工等により荒れていたり、底面１４Ｂが湾曲面であったりすることもあり、第２面１０Ｂから溝部１４の深さ方向に深さの１／１０離れた位置において測定した長さを溝部１４の幅とすることもある。
【0020】
（貫通孔）
貫通孔１８は、第２面１０Ｂの溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ孔である。ここでは、平面視において貫通孔１８は円形状であり、底面１４Ｂから第１面１０Ａまで同じ径である。貫通孔１８の径は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。貫通孔１８の径は、第１面１０Ａ側で大きく、底面１４Ｂ側で小さいテーパ状であってもよく、その逆でもよい。なお、平面視における貫通孔１８の形状は、円形状に限られず、例えば矩形状を含む多角形形状、楕円形状であってもよい。
貫通孔１８は、第２面１０Ｂの溝部１４の底面１４Ｂと第１面１０Ａとを繋ぐ孔である。ここでは、平面視において貫通孔１８は円形状であり、底面１４Ｂから第１面１０Ａまで同じ径である。貫通孔１８の径は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。貫通孔１８の径は、第１面１０Ａ側で大きく、底面１４Ｂ側で小さいテーパ状であってもよく、その逆でもよい。なお、平面視における貫通孔１８の形状は、円形状に限られず、例えば矩形状を含む多角形形状、楕円形状であってもよい。
【0021】
（金属部材）
金属部材４０は、配線基板１における電極材や配線材となる部材である。金属部材４０は、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される。
金属部材４０は、配線基板１における電極材や配線材となる部材である。金属部材４０は、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される。
【0022】
金属部材４０は、電子部品等の回路部品が接続されるパッド部４５、外部配線が接続される端子部４６及びパッド部４５同士の間やパッド部４５と端子部４６との間を接続する少なくとも２つの配線層を有する。２つの配線層の一方は配線基板１に埋設される埋設配線４２であり、他方は配線基板１から露出する露出配線４１である。露出配線４１と埋設配線４２とは、貫通孔１８に配置されるビア配線４３で接続されている。パッド部４５及び端子部４６は、貫通孔１８に配置される金属部材４０と電気的に接続されている。なお、図面において、露出配線４１は一部を除き記載が省略されている。また、端子部４６は、一部の領域にまとめて配置されており、電源線や信号線等の個々の端子の記載は省略している。
【0023】
ここでは、パッド部４５、端子部４６及び露出配線４１は、配線基板１の第１面１０Ａ上に、ほぼ均一な厚さで配置されている。パッド部４５、端子部４６及び露出配線４１の第１面１０Ａからの厚さは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。
【0024】
埋設配線４２は、溝部１４の底面１４Ｂ側に配置されている。溝部１４に配置された金属部材４０は、少なくとも絶縁部材５０との界面に、湾曲面を有している。ここでは、埋設配線４２は、溝部１４の幅方向の中心側で、底面１４Ｂからの厚さが薄くなっている。埋設配線４２の溝部１４の幅方向の中心における底面１４Ｂからの厚さは、例えば１μｍ以上２００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。
【0025】
ビア配線４３は、貫通孔１８を満たすように配置されている。ここでは、ビア配線４３は円柱状である。ビア配線４３の径は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下とすることができ、１００μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。
【0026】
平面視におけるパッド部４５の形状は、例えば矩形状である。一部のパッド部４５は、平面視における各パッド部４５の中心に貫通孔１８が配置され、ビア配線４３を介して埋設配線４２に接続されている。そして、埋設配線４２は、別のビア配線４３を介して露出配線４１に接続され、露出配線４１から端子部４６に接続されている。
【0027】
金属部材４０は主成分を金属とし、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む。また、金属部材４０は、さらにＴｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、及び、Ｍｇ等の活性金属元素を含むことが好ましい。
【0028】
金属部材４０は、基材１０との界面に金属化合物層６０を有し、金属化合物層６０を介して基材１０に配置されることが好ましい。すなわち、パッド部４５、端子部４６、露出配線４１、埋設配線４２及びビア配線４３は、金属化合物層６０を介して基材１０に配置されることが好ましい。金属部材４０が基材１０との界面に金属化合物層６０を有することで、金属部材４０と基材１０との接合を強化することができる。
【0029】
図２Ｃに例示するように、金属化合物層６０は、金属部材４０に含まれる活性金属元素と、基材１０に含まれる非金属無機元素であるＮ、Ｏ等との化合物６１を多く含む層である。化合物６１は例えばＴｉＮやＴｉＯ２である。なお、図２Ｃ以外では金属化合物層６０の図示を省略しているが、本開示において、金属部材４０は金属化合物層６０を介して基材１０に配置されている。
【0030】
（絶縁部材）
絶縁部材５０は、金属部材４０が第２面１０Ｂから露出しないように金属部材４０を覆い絶縁する部材である。絶縁部材５０は、溝部１４内に配置されており、絶縁部材５０の表面と第２面１０Ｂとは同一平面の平坦な面であることが好ましい。絶縁部材５０は、溝部１４の湾曲面ＣＳに対面する湾曲面を有していることが好ましい。これにより、絶縁部材５０と基材１０との界面に沿った金属部材４０と第２面１０Ｂとの距離を大きくすることができ、絶縁性を高めることができる。
絶縁部材５０は、金属部材４０が第２面１０Ｂから露出しないように金属部材４０を覆い絶縁する部材である。絶縁部材５０は、溝部１４内に配置されており、絶縁部材５０の表面と第２面１０Ｂとは同一平面の平坦な面であることが好ましい。絶縁部材５０は、溝部１４の湾曲面ＣＳに対面する湾曲面を有していることが好ましい。これにより、絶縁部材５０と基材１０との界面に沿った金属部材４０と第２面１０Ｂとの距離を大きくすることができ、絶縁性を高めることができる。
【0031】
絶縁部材５０は、セラミックス又は樹脂を材料とすることができる。絶縁部材５０の材料は、絶縁性で熱伝導性の高いものが好ましく、例えばＢＮ等を含むセメントやガラス、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂等の熱硬化性樹脂やポリビニルピロリドン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレングリコール樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂等が好ましい。
【0032】
上記のような構成を有する配線基板１は、２つの配線層の一方を第２面１０Ｂ側に埋設して絶縁部材５０で絶縁し、第２面１０Ｂ側を平坦な面としている。これにより、配線基板１は、導電性を有する接合部材を介して放熱板等と接合することができ、熱結合性を向上させ、放熱性を高めることができる。
【0033】
［配線基板の製造方法］
次に、実施形態に係る配線基板の製造方法Ｓ１について、図面を参照しながら説明する。図３は、配線基板の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図４Ａは、加工前の基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｂは、溝部１４を形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｃは、貫通孔１８を形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｄは、導電ペースト８０が配置された基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｅは、導電ペースト８０を焼成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｆは、溝部１４の開口１４Ａを湾曲面ＣＳに形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｇは、溝部１４に絶縁部材５０を配置した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｈは、絶縁部材５０を研磨した基材１０の概略を例示する断面図である。
次に、実施形態に係る配線基板の製造方法Ｓ１について、図面を参照しながら説明する。図３は、配線基板の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図４Ａは、加工前の基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｂは、溝部１４を形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｃは、貫通孔１８を形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｄは、導電ペースト８０が配置された基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｅは、導電ペースト８０を焼成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｆは、溝部１４の開口１４Ａを湾曲面ＣＳに形成した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｇは、溝部１４に絶縁部材５０を配置した基材１０の概略を例示する断面図である。図４Ｈは、絶縁部材５０を研磨した基材１０の概略を例示する断面図である。
【0034】
配線基板の製造方法Ｓ１は、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１８、及び、貫通孔１８と繋がり第２面１０Ｂにある溝部１４を有する基材１０を準備することＳ１０と、溝部１４及び貫通孔１８に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペースト８０を配置することＳ２０と、導電ペースト８０を焼成して金属部材４０を得ることＳ３０と、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように絶縁部材５０を配置することＳ５０と、を含む。また、ここでは、配線基板の製造方法Ｓ１は、金属部材４０を得ることＳ３０の後、絶縁部材５０を配置することＳ５０の前に、溝部１４の開口１４Ａを広げることＳ４０をさらに含む。
【0035】
すなわち、配線基板の製造方法Ｓ１は、基材１０を準備することＳ１０と、導電ペースト８０を配置することＳ２０と、金属部材４０を得ることＳ３０と、溝部１４の開口１４Ａを広げることＳ４０と、絶縁部材を配置することＳ５０と、を含む。以下、配線基板の製造方法Ｓ１の各構成について説明する。
【0036】
（基材を準備すること）
基材を準備することＳ１０（以下、工程Ｓ１０という）において、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１８、及び、貫通孔１８と繋がり第２面１０Ｂにある溝部１４を有する基材１０を準備する。
基材を準備することＳ１０（以下、工程Ｓ１０という）において、第１面１０Ａ及び第１面１０Ａの反対側となる第２面１０Ｂを持ち、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとを繋ぐように貫通する貫通孔１８、及び、貫通孔１８と繋がり第２面１０Ｂにある溝部１４を有する基材１０を準備する。
【0037】
準備する基材１０は、窒化ケイ素又は窒化アルミニウムを含む焼成済のセラミックスであることが好ましい。また、第２面１０Ｂは、例えばＪＩＳＢ０６０１に規定される算術平均粗さＲａが０．０１μｍ以上１．５μｍ以下であるように、平滑化されていることが好ましい。平滑化は、例えば研磨によって行うことができる。第２面１０Ｂが平滑化されていることで、配線基板が外部の放熱板等と接合される場合に、密着性を高めることができる。
【0038】
焼成済のセラミックス基板１０Ｐは、板状の部材である。貫通孔１８の形成は、溝部１４の底面１４Ｂの深さまで行い、貫通孔１８と溝部１４とでセラミックス基板１０Ｐを貫通させることができる。貫通孔１８及び溝部１４は、どちらを先に形成してもよい。ここでは、溝部１４を形成した後に貫通孔１８を形成している。
【0039】
工程Ｓ１０において、溝部１４及び貫通孔１８はレーザ加工によって形成することができる。ここでは、貫通孔１８は、第１面１０Ａから底面１４Ｂまで同じ径となるように形成されている。貫通孔１８は、例えば、ＣＯ２レーザを第１面１０Ａ側から照射して、第１面１０Ａから底面１４Ｂに向かって径が小さくなるように形成してもよい。
【0040】
（導電ペーストを配置すること）
導電ペーストを配置することＳ２０（以下、工程Ｓ２０という）において、溝部１４及び貫通孔１８に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペースト８０を配置する。導電ペースト８０は、さらに第１面１０Ａにも配置する。なお、導電ペースト８０は、焼成されて金属部材４０となる。
導電ペーストを配置することＳ２０（以下、工程Ｓ２０という）において、溝部１４及び貫通孔１８に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペースト８０を配置する。導電ペースト８０は、さらに第１面１０Ａにも配置する。なお、導電ペースト８０は、焼成されて金属部材４０となる。
【0041】
金属粉体は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくとも何れか１種を含む粉体である。これらの中で、７８０℃以上８５０℃以下のように比較的低温で焼成できることから、Ａｇ－Ｃｕ合金が好ましい。また、高い電気伝導性を有することから、Ｃｕ、Ａｇが好ましい。ここでは、金属粉体は、ＡｇとＣｕの混合比が７２：２８であるＡｇ－Ｃｕ共晶に近い混合比のＡｇ－Ｃｕ合金を主成分としている。金属粉体のメジアン径は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。そして、Ａｇ－Ｃｕ合金と共に、Ａｇ－Ｃｕ合金よりも融点の高い金属粉体、例えばＣｕ、Ｃｒ、及び、Ｎｉの少なくともいずれか１種を含んでもよい。これによりＡｇ－Ｃｕ合金を焼成する際の温度、例えば８００℃から８５０℃付近で焼成する場合に、焼成温度よりも高い融点を有する金属粉体を含めることにより、当該金属粉体が溶融することがない。そのため、導電ペースト８０の体積収縮を抑えるとともに、導電ペースト８０の熱伝導性や電気伝導性を高くすることができる。
【0042】
活性金属粉体は、活性金属元素を含む粉体であり、ＴｉＨ２、ＣｅＨ２、ＺｒＨ２、及び、ＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１種を含む粉体とすることができる。ここでは、工程Ｓ１０で準備した基材１０に含まれる窒素と反応するように、活性金属粉体はＴｉＨ２を含むことが好ましい。
【0043】
有機溶剤は、金属粉体及び活性金属粉体のバインダとなる溶剤であり、例えばアクリル、エポキシ、ウレタン、エチルセルロース、シリコーン、フェノール、ポリイミド、ポリウレタン、メラミン、ウレア等の樹脂とすることができる。有機溶剤の種類や量によって導電ペースト８０の粘度を調節することができる。
【0044】
一例として、導電ペースト８０に含まれる金属粉体は重量百分率で６０％以上９０％以下であり、活性金属粉体は１％以上１０％以下であり、有機溶剤は５％以上３０％以下である。好ましくは、金属粉体は７０％以上８５％以下であり、活性金属粉体は１％以上１０％以下である。そして、金属粉体と活性金属粉体とを合わせた金属成分は、重量百分率で９０％以下とし、溝部１４に配置する導電ペースト８０の有機溶剤は１０％以上とすることが好ましい。有機溶剤の含有比率を大きくすることで、焼成時の乾燥に伴う体積収縮率を大きくすることができ、導電ペースト８０の焼成後の金属部材４０の表面を凹ませることができる。
【0045】
導電ペースト８０は、例えばスクリーン印刷によって配置することができる。第１面１０Ａ側に配置する導電ペースト８０Ａは、第２面１０Ｂ側に配置する導電ペースト８０Ｂと同じであっても良いが異なる方が好ましい。第１面１０Ａ側に配置する導電ペースト８０Ａは、第２面１０Ｂ側に配置する導電ペースト８０Ｂより、有機溶剤の含有比率が低い方が好ましく、焼成時の乾燥に伴う体積収縮率が小さい方が好ましい。第１面１０Ａに配置する導電ペースト８０Ａは、第１面１０Ａから均一な厚さとなるように配置することが好ましい。
【0046】
（金属部材を得ること）
金属部材を得ることＳ３０（以下、工程Ｓ３０という）において、導電ペースト８０を焼成して金属部材４０を得る。焼成温度は７８０℃以上１１００℃以下とすることができ、７８０℃以上８５０℃以下が好ましい。焼成雰囲気は、１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気とすることが好ましい。
金属部材を得ることＳ３０（以下、工程Ｓ３０という）において、導電ペースト８０を焼成して金属部材４０を得る。焼成温度は７８０℃以上１１００℃以下とすることができ、７８０℃以上８５０℃以下が好ましい。焼成雰囲気は、１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気とすることが好ましい。
【0047】
溝部１４に配置された導電ペースト８０は金属部材４０の埋設配線４２となり、貫通孔１８に配置された導電ペースト８０はビア配線４３となり、第１面１０Ａに配置された導電ペースト８０は露出配線４１、パッド部４５及び端子部４６となる。
【0048】
導電ペースト８０の焼成によって、有機溶剤は分解され、揮発して除去される。有機溶剤が除去されることによって、金属部材４０の体積は、導電ペースト８０の体積に対して収縮する。この収縮によって、金属部材４０は、溝部１４の開口１４Ａから離れて溝部１４の底面１４Ｂ側及び貫通孔１８に配置される。すなわち、溝部１４において、金属部材４０は底面１４Ｂ側に寄せて配置され、第２面１０Ｂ側の絶縁性の向上を図ることができる。また、この収縮によって、金属部材４０の第２面１０Ｂ側の面は、第１面１０Ａ側に凹むように湾曲する。すなわち、金属部材４０は、第２面１０Ｂ側の面が、湾曲面となるように形成される。
【0049】
また、焼成によって、基材１０に含まれる非金属元素と金属部材４０に含まれる活性金属元素との反応物を含む金属化合物層が形成される。すなわち、金属部材４０は、基材１０と金属部材４０との界面に活性金属粉体から変わる金属化合物層を有する。ここでは、金属化合物層は、基材１０に含まれる窒素と導電ペースト８０の活性金属粉体に含まれるＴｉＨ２との反応物であるＴｉＮを含む。基材１０及び金属部材４０は、界面に金属化合物層を有することで、接合の信頼性を高めることができる。
【0050】
（溝部の開口を広げること）
溝部の開口を広げることＳ４０（以下、工程Ｓ４０という）において、溝部１４が開口１４Ａ側に向かって広がる湾曲面ＣＳを介して第２面１０Ｂに連続するように、基材１０及び金属部材４０の一部を除去して溝部１４の開口１４Ａを広げるように形成する。ここでは、ブラスト加工によって基材１０及び金属部材４０の一部を除去している。ブラスト加工によって、金属部材４０の開口１４Ａ側の端部を除去し、開口１４Ａにおける基材１０の角部を除去して、丸みを帯びた湾曲面ＣＳを形成することができる。
溝部の開口を広げることＳ４０（以下、工程Ｓ４０という）において、溝部１４が開口１４Ａ側に向かって広がる湾曲面ＣＳを介して第２面１０Ｂに連続するように、基材１０及び金属部材４０の一部を除去して溝部１４の開口１４Ａを広げるように形成する。ここでは、ブラスト加工によって基材１０及び金属部材４０の一部を除去している。ブラスト加工によって、金属部材４０の開口１４Ａ側の端部を除去し、開口１４Ａにおける基材１０の角部を除去して、丸みを帯びた湾曲面ＣＳを形成することができる。
【0051】
湾曲面ＣＳは、幅方向の断面において、例えば円弧状に形成することができる。金属部材４０は、湾曲面ＣＳよりも底面１４Ｂ側に配置されている。工程Ｓ４０は、セラミックファイバーブラシによる研磨、エッチング、レーザ加工等によって行ってもよい。
【0052】
（絶縁部材を配置すること）
絶縁部材を配置することＳ５０（以下、工程Ｓ５０という）において、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように絶縁部材５０を配置する。絶縁性の絶縁部材５０によって、第２面１０Ｂ側に露出している金属部材４０が覆われて、金属部材４０は第２面１０Ｂ側に対して絶縁される。
絶縁部材を配置することＳ５０（以下、工程Ｓ５０という）において、溝部１４の開口１４Ａを塞ぐように絶縁部材５０を配置する。絶縁性の絶縁部材５０によって、第２面１０Ｂ側に露出している金属部材４０が覆われて、金属部材４０は第２面１０Ｂ側に対して絶縁される。
【0053】
絶縁部材５０は、金属部材４０よりも広い幅で溝部１４に配置することが好ましい。工程Ｓ４０において、溝部１４の開口１４Ａの幅Ｗ１は、底面１４Ｂの幅Ｗ２よりも広く形成されている。このため、絶縁部材５０は、底面１４Ｂ側よりも開口１４Ａ側で幅が広くなるように配置することができる。これにより絶縁性を高めることができる。
【0054】
絶縁部材５０は、例えば未硬化又は乾燥前の絶縁部材５０の材料を塗布し、加熱等によって固化させて配置することができる。絶縁部材５０の材料は、ＢＮ等を含有するセラミックセメントやエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂、ガラス等とすることができる。絶縁部材５０は、ポッティング、スプレー、インクジェット、スクリーン印刷等によって配置することができる。
【0055】
絶縁部材５０は、第２面１０Ｂと同一平面の平坦な面をなすように配置することが好ましい。ここでは、絶縁部材５０が第２面１０Ｂから突出するように固化又は硬化させて、第２面１０Ｂと絶縁部材５０とが同一平面の平坦な面をなすように、突出する絶縁部材５０を研磨している。絶縁部材５０と第２面１０Ｂとが平坦な面をなすことで、配線基板１と外部の放熱板等とを密着させて空気の層の発生を抑え、伝熱の効率を高めることができる。
【0056】
また、配線基板１の第２面側における絶縁部材５０の面積は、できるだけ小さいことが好ましい。絶縁部材５０の面積を小さくすることで、熱伝導性の高い基材１０が外部の放熱板等と対面する面積を大きくして放熱性の向上を図ることができる。
【0057】
上記のような構成を含む配線基板の製造方法Ｓ１は、基材１０の第２面１０Ｂに設ける溝部１４の底面１４Ｂ側に金属部材４０を配置し、溝部１４を塞ぐように絶縁部材５０を配置することで、基材の材料となるシート等を積層することなく、第２面１０Ｂ側と絶縁された配線を設けることができる。また、基材１０及び金属部材４０の一部を除去し、開口１４Ａを広げて湾曲面に形成することで絶縁性を高めることができる。
【0058】
なお、工程Ｓ１０において、溝部１４はブラスト加工によって形成し、貫通孔１８はレーザ加工により形成してもよい。溝部１４をブラスト加工によって形成することで、底面１４Ｂを溝部１４の中心側で深くなる湾曲形状に形成することができる。これにより、金属部材４０と基材１０とが対面する面積を大きくし、さらなる放熱性及び接合性の向上を図ることができる。また、溝部１４及び貫通孔１８は、ブラスト加工、パンチング、エッチング等によって形成してもよい。
【0059】
［配線基板の変形例］
次に、配線基板の変形例について説明する。図５Ａは、変形例の配線基板１Ａの概略を例示する断面図である。
次に、配線基板の変形例について説明する。図５Ａは、変形例の配線基板１Ａの概略を例示する断面図である。
【0060】
変形例の配線基板１Ａは、基材１０が第１面１０Ａに凹部１６を備え、凹部１６の位置に貫通孔１８を備える点が配線基板１と異なる。変形例の配線基板１Ａにおいて、金属部材４０は、第１面１０Ａ上ではなく凹部１６に配置される。金属部材４０を凹部１６に配置することで、配線基板の薄型化を図ることができる。また、凹部１６に配置される金属部材４０と基材１０の第１面１０Ａとは、同一平面の平坦な面をなすことが好ましい。これにより、配線基板のさらなる薄型化が可能となる。
【0061】
変形例の配線基板１Ａにおいて、パッド部４５、端子部４６及び露出配線４１は、凹部１６に配置される。凹部１６の第１面１０Ａからの深さは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。
【0062】
［配線基板の変形例の製造方法］
次に、配線基板の変形例の製造方法について説明する。図５Ｂは、変形例の配線基板１Ａの製造方法において、導電ペースト８０を焼成した基材１０の概略を例示する断面図である。
次に、配線基板の変形例の製造方法について説明する。図５Ｂは、変形例の配線基板１Ａの製造方法において、導電ペースト８０を焼成した基材１０の概略を例示する断面図である。
【0063】
変形例の配線基板１Ａの製造方法は、準備する基材が第１面１０Ａに凹部１６を備え、導電ペースト８０を第１面１０Ａ上ではなく凹部１６に配置する点が製造方法Ｓ１と異なる。そして、第１面１０Ａ側の金属部材４０を研磨することを含む。
【0064】
変形例の配線基板１Ａの製造方法は、基材を準備することＳ１０において、第１面１０Ａは更に凹部１６を備え、凹部１６の位置に貫通孔１８を備える。凹部１６は、第１面１０Ａにおける露出配線４１、パッド部４５及び端子部４６を設ける領域に形成する。凹部１６の深さは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。凹部１６は、エッチングやブラスト加工、レーザ加工によって形成することができる。なお、貫通孔１８の形成と凹部１６の形成との順序は、どちらが先でもよい。
【0065】
そして、導電ペーストを配置することＳ２０において、導電ペースト８０を溝部１４及び貫通孔１８と共に形成した凹部１６に配置する。工程Ｓ３０は、製造方法Ｓ１と同様に行うことができる。
【0066】
変形例の配線基板１Ａの製造方法は、工程Ｓ３０の後、さらに基材１０の第１面１０Ａと金属部材４０とが同一平面の平坦な面をなすように金属部材４０を研磨することを含む。金属部材を研磨することは、工程Ｓ３０の後であれば、どの段階で行ってもよい。ここでは、先に工程Ｓ４０及び工程Ｓ５０を行っている。研磨は、酸化アルミニウムやダイヤモンド、シリコンカーバイド等によって行うことができる。なお、工程Ｓ４０及び工程Ｓ５０は、製造方法Ｓ１と同様に行うことができる。
【0067】
［配線基板の応用例］
次に、配線基板の応用例について説明する。図６は、配線基板の応用例の概略を例示する断面図である。
次に、配線基板の応用例について説明する。図６は、配線基板の応用例の概略を例示する断面図である。
【0068】
配線基板の応用例は、配線基板１の第２面１０Ｂ側に接合部材９５を介して放熱板９０を接合した装置である。第２面１０Ｂ側に接合される放熱板９０の面は、平坦な面となっている。ここでは、放熱板９０は板状の部材である。放熱板９０は、配線基板１に接合される面以外について、例えば表面積を大きくするように凹凸が設けられていてもよい。放熱板９０の材料は、銅やアルミニウム等の金属とすることができる。
【0069】
接合部材９５は、配線基板１と放熱板９０とを接合又は接着する部材である。接合部材９５が配線基板１と放熱板９０との隙間を埋めることで、空気が追い出されて伝熱の効率を高めることができる。配線基板１は、第２面１０Ｂ側が絶縁されていることで、はんだやろう材、Ａｇを含有するペースト等が硬化した導電性の接合部材９５を使用することができ、放熱性を高めることができる。
【0070】
なお、配線基板の応用例において、配線基板１に替えて変形例の配線基板１Ａを用いることができる。変形例の配線基板１Ａは、第２面１０Ｂ側が配線基板１と同様の構成であり、配線基板１と同様に、接合部材９５を介して放熱板９０が接合されることで、放熱性を高めることができる。
【0071】
【0072】
発光装置１００は、配線基板の応用例と発光素子２０とを組み合わせた装置であり、端子部４６を介して、各発光素子２０の点消灯及び明るさを外部から制御することができる。ここでは１５個の発光素子２０が第１面１０Ａ側に整列して配置されている。発光素子２０の個数に特に制限はない。
【0073】
発光装置１００は、配線基板１と、配線基板１の第１面１０Ａの側に配置されている、素子電極２１を有する発光素子２０と、を備え、配線基板１の金属部材４０は、素子電極２１と電気的に接続されている。ここでは、発光素子２０の上面に透光性部材３０が配置されている。以下、発光装置１００の各構成について説明する。
【0074】
（配線基板）
配線基板１には、第１面１０Ａ側を上面として、発光素子２０が配置されている。金属部材４０のパッド部４５は、発光素子２０の素子電極２１を配置できる大きさ及び形状を有している。配線基板１は、上記の配線基板の応用例のように、第２面１０Ｂ側に接合部材９５を介して放熱板９０が接合されている。
配線基板１には、第１面１０Ａ側を上面として、発光素子２０が配置されている。金属部材４０のパッド部４５は、発光素子２０の素子電極２１を配置できる大きさ及び形状を有している。配線基板１は、上記の配線基板の応用例のように、第２面１０Ｂ側に接合部材９５を介して放熱板９０が接合されている。
【0075】
（発光素子）
発光素子２０は、電力を供給されて発光する部材である。発光素子２０は一例として矩形状である。発光素子２０は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極２１を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができ、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
発光素子２０は、電力を供給されて発光する部材である。発光素子２０は一例として矩形状である。発光素子２０は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極２１を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができ、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。
【0076】
一対の素子電極２１は一例として矩形状であり、発光素子２０の下面に露出している。素子電極２１は、例えば、金、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロム、チタン等の金属又はこれらの合金の単層膜あるいは積層膜によって構成することができる。
【0077】
ここでは、素子電極２１は、導電部材７０を介して金属部材４０のパッド部４５に電気的に接続されている。導電部材７０は、例えば金、はんだ等の金属や、粉末状の金属と樹脂バインダとの混合物である導電性のペースト材を硬化させたものとすることができる。
【0078】
（透光性部材）
透光性部材３０は、発光素子２０の上面を保護し、発光装置１００の光取出し面に位置する部材である。ここでは、透光性部材３０は、一例として矩形状であり、平面視において発光素子２０と同じ大きさ及び形状を有している。透光性部材３０は、平面視において発光素子２０を包含する形状及び大きさであってもよい。
透光性部材３０は、発光素子２０の上面を保護し、発光装置１００の光取出し面に位置する部材である。ここでは、透光性部材３０は、一例として矩形状であり、平面視において発光素子２０と同じ大きさ及び形状を有している。透光性部材３０は、平面視において発光素子２０を包含する形状及び大きさであってもよい。
【0079】
透光性部材３０は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材３０は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。また、透光性部材３０は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。
【0080】
透光性部材３０は、蛍光体、量子ドット等の発光材料を更に含んでいてもよい。このような蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム（ガリウムドープ）・ガーネット、ユウロピウムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ストロンチウム）、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム、βサイアロン系蛍光体等を挙げることができる。蛍光体として具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ、ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体等を挙げることができる。量子ドットとしては、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３、ここで、ＦＡはホルムアミジニウムを、ＭＡはメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、カルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を挙げることができる。
【0081】
発光装置１００は、配線基板１の上面で発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆う被覆部材を備えてもよい。被覆部材は、配線基板１の上面、発光素子２０及び透光性部材３０を保護する部材であり、透光性部材３０の上面を露出させて配置される。
【0082】
被覆部材は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質を含有した樹脂等によって形成することができる。被覆部材は、光反射性及び遮光性の少なくとも何れかを有することが好ましい。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化珪素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。被覆部材は、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有してもよい。
【0083】
上記のような構成を備える発光装置１００は、上面に発光素子２０が配置され、下面に放熱板９０が接合される配線基板１を備えている。素子電極２１の一方は、上面のパッド部４５からビア配線４３を経由して埋設配線４２に接続され、別のビア配線４３を経由して上面に戻り、端子部４６に向かう露出配線４１に接続される。これにより、発光装置１００は、外部配線と接続される端子部４６を第１面１０Ａに配置して、発光素子２０の配置の自由度を高めることができる。また、配線基板１の下面は、埋設配線４２と絶縁されると共に平坦に形成されており、導電性の接合部材９５で放熱板９０の平坦な面と接合させることができる。これにより、発光装置１００は、配線基板１と放熱板９０との熱結合性を高めることができ、放熱性の向上を図ることができる。
【0084】
［発光装置の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法Ｓ１００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光装置の製造方法Ｓ１００を例示するフローチャートである。図１０Ａは、準備した配線基板１の概略を例示する断面図である。図１０Ｂは、配線基板１に発光素子２０を配置した状態の概略を例示する断面図である。図１０Ｃは、配線基板１に放熱板９０を接合した状態の概略を例示する断面図である。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法Ｓ１００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光装置の製造方法Ｓ１００を例示するフローチャートである。図１０Ａは、準備した配線基板１の概略を例示する断面図である。図１０Ｂは、配線基板１に発光素子２０を配置した状態の概略を例示する断面図である。図１０Ｃは、配線基板１に放熱板９０を接合した状態の概略を例示する断面図である。
【0085】
発光装置の製造方法Ｓ１００は、配線基板の製造方法Ｓ１によって製造される配線基板を準備することＳ１１０と、配線基板に発光素子を配置することＳ１２０と、を含む。配線基板に発光素子を配置することＳ１２０において、配線基板１の金属部材４０と、素子電極２１と、を電気的に接続する。ここでは、発光素子を配置することＳ１２０の後に、放熱板９０を接合することＳ１３０をさらに含む。以下、発光装置の製造方法Ｓ１００の各構成について説明する。
【0086】
（配線基板を準備すること）
配線基板を準備することＳ１１０（以下、工程Ｓ１１０という）において、配線基板の製造方法Ｓ１によって製造される配線基板１を準備する。配線基板１は、発光素子２０を配置する第１面１０Ａ側を上面とし、発光素子２０の大きさや並べ方、一対の素子電極２１の間隔等に合わせて金属部材４０のパッド部４５が形成される。
配線基板を準備することＳ１１０（以下、工程Ｓ１１０という）において、配線基板の製造方法Ｓ１によって製造される配線基板１を準備する。配線基板１は、発光素子２０を配置する第１面１０Ａ側を上面とし、発光素子２０の大きさや並べ方、一対の素子電極２１の間隔等に合わせて金属部材４０のパッド部４５が形成される。
【0087】
（発光素子を配置すること）
発光素子を配置することＳ１２０（以下、工程Ｓ１２０という）において、素子電極２１を配線基板１側にして、発光素子２０を配置する。発光素子２０は、配線基板１上に行方向及び列方向に整列させて配置することができる。素子電極２１は、導電部材７０によって金属部材４０のパッド部４５に固定し、電気的に接続する。導電部材７０による接続は、金やはんだ等のバンプを素子電極２１又はパッド部４５に配置して加圧及び加熱して行ってもよく、導電性のペースト材を塗布して硬化させてもよい。
発光素子を配置することＳ１２０（以下、工程Ｓ１２０という）において、素子電極２１を配線基板１側にして、発光素子２０を配置する。発光素子２０は、配線基板１上に行方向及び列方向に整列させて配置することができる。素子電極２１は、導電部材７０によって金属部材４０のパッド部４５に固定し、電気的に接続する。導電部材７０による接続は、金やはんだ等のバンプを素子電極２１又はパッド部４５に配置して加圧及び加熱して行ってもよく、導電性のペースト材を塗布して硬化させてもよい。
【0088】
発光素子２０の上面には透光性部材３０が予め配置されている。透光性部材３０は、例えばポッティング、スプレー、インクジェット、印刷等により未硬化の透光性部材３０の材料の塗布等を行い、その後硬化させることによって配置することができる。透光性部材３０は、シート状又は板状に形成された部材を発光素子２０の上面に透光性の接着剤等を介して配置してもよく、透光性部材３０が予め配置されていない発光素子２０を配線基板１に配置した後に、発光素子２０の上面に透光性部材３０を配置するようにしてもよい。
【0089】
（放熱板を接合すること）
放熱板を接合することＳ１３０（以下、工程Ｓ１３０という）において、発光素子２０を配置した配線基板１の第２面１０Ｂ側に、接合部材９５を介して放熱板９０を接合する。放熱板９０は、配線基板１に接合する面が平坦であることが好ましい。
放熱板を接合することＳ１３０（以下、工程Ｓ１３０という）において、発光素子２０を配置した配線基板１の第２面１０Ｂ側に、接合部材９５を介して放熱板９０を接合する。放熱板９０は、配線基板１に接合する面が平坦であることが好ましい。
【0090】
工程Ｓ１３０は、ペースト状のはんだやろう材、粉末状のＡｇを含有するペースト等である硬化前の接合部材９５を配線基板１及び放熱板９０の一方又は両方に塗布し、加圧しながら加熱して行うことができる。配線基板１は、第２面１０Ｂ側が絶縁されていることで、導電性の接合部材９５を使用することができる。
【0091】
発光装置の製造方法Ｓ１００は、工程Ｓ１２０の後で、工程Ｓ１３０の前又は後に、被覆部材を配置することをさらに含んでもよい。被覆部材は、例えばディスペンサノズルから未硬化の樹脂材料を吐出させて塗布し、その後硬化させることによって配置することができる。被覆部材の上面は、透光性部材３０の上面と同一平面となるように形成することが好ましい。被覆部材を配置することにおいて、さらに被覆部材を研磨してもよく、被覆部材及び透光性部材３０を研磨してもよい。
【0092】
上記のような構成を備える発光装置の製造方法Ｓ１００は、放熱板９０との熱結合性を向上させた配線基板１に発光素子２０を配置することで、放熱性の高い発光装置１００を製造することができる。
【0093】
本開示は、次の各項の実施形態を含む。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第２面の側に設けられる溝部と、前記第２面の溝部の底面と前記第１面とを繋ぐ貫通孔と、を有する絶縁性の基材と、
前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される金属部材と、
前記溝部の開口を塞ぐように配置される絶縁部材と、を有する配線基板。
［項２］
前記絶縁部材は、前記溝部内に配置されており、前記絶縁部材の表面と前記第２面とは同一平面の平坦な面である項１に記載の配線基板。
［項３］
前記溝部に配置された前記金属部材は、湾曲面を有する項１又は項２に記載の配線基板。
［項４］
前記溝部は、開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続し、
前記絶縁部材は、前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置される項１から項３の何れか一項に記載の配線基板。
［項５］
前記基材は、前記第１面に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える項１から項４の何れか一項に記載の配線基板。
［項６］
前記配線基板は、前記第１面の側に回路部品が接続される位置に配置されるパッド部と、外部配線が接続される位置に配置される端子部と、を有し、
前記パッド部及び前記端子部は、前記貫通孔に配置される前記金属部材と電気的に接続される項１から項５の何れか一項に記載の配線基板。
［項７］
前記絶縁部材は、セラミックス又は樹脂を材料とする項１から項６の何れか一項に記載の配線基板。
［項８］
前記基材は、セラミックスを材料とする項１から項７の何れか一項に記載の配線基板。
［項９］
前記基材は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１種を含む項１から項８の何れか一項に記載の配線基板。
［項１０］
前記金属部材は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む項１から項９の何れか一項に記載の配線基板。
［項１１］
前記金属部材は、前記基材と前記金属部材との界面に金属化合物層を有する項１から項１０の何れか一項に記載の配線基板。
［項１２］
項１から項１１の何れか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の前記第１面の側に配置されている、素子電極を有する発光素子と、を備え、
前記配線基板の前記金属部材は、前記素子電極と電気的に接続されている発光装置。
［項１３］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔、及び、前記貫通孔と繋がり前記第２面にある溝部を有する基材を準備することと、
前記溝部及び前記貫通孔に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペーストを配置することと、
前記導電ペーストを焼成して金属部材を得ることと、
前記溝部の開口を塞ぐように絶縁部材を配置することと、を含む配線基板の製造方法。
［項１４］
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記導電ペーストに含まれる前記金属粉体は重量百分率で６０％以上９０％以下であり、前記活性金属粉体は１％以上１０％以下であり、前記有機溶剤は５％以上３０％以下である項１３に記載の配線基板の製造方法。
［項１５］
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される項１３又は項１４に記載の配線基板の製造方法。
［項１６］
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は、湾曲面となるように形成する項１３から項１５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項１７］
前記金属部材を得ることの後に、前記溝部が開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続するように、前記基材及び前記金属部材の一部を除去して前記溝部の開口を広げることをさらに含み、
前記絶縁部材を配置することにおいて、前記絶縁部材を前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置する項１３から項１６の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項１８］
前記溝部の開口を広げることにおいて、ブラスト加工によって前記基材及び前記金属部材の一部を除去する項１７に記載の配線基板の製造方法。
［項１９］
前記金属部材を得ることにおいて、前記基材と前記金属部材との界面に前記活性金属粉体から変わる金属化合物層を有する項１３から項１８の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２０］
前記基材を準備することにおいて、前記第１面は更に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える項１３から項１９の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２１］
前記基材を準備することにおいて、前記溝部及び前記貫通孔は、レーザ加工により形成される項１３から項２０の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２２］
前記基材を準備することにおいて、前記溝部はブラスト加工によって形成され、前記貫通孔はレーザ加工により形成される項１３から項２０の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２３］
前記金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７８０℃以上１１００℃以下である項１３から項２２の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２４］
前記金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である項１３から項２３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２５］
前記金属部材を得ることの後、さらに前記基材の前記第１面と前記金属部材とが同一平面の平坦な面をなすように前記金属部材を研磨することを含む項２０に記載の配線基板の製造方法。
［項２６］
項１３から項２５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、
前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記配線基板の前記金属部材と、前記素子電極と、を電気的に接続する発光装置の製造方法。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を有し、前記第２面の側に設けられる溝部と、前記第２面の溝部の底面と前記第１面とを繋ぐ貫通孔と、を有する絶縁性の基材と、
前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される金属部材と、
前記溝部の開口を塞ぐように配置される絶縁部材と、を有する配線基板。
［項２］
前記絶縁部材は、前記溝部内に配置されており、前記絶縁部材の表面と前記第２面とは同一平面の平坦な面である項１に記載の配線基板。
［項３］
前記溝部に配置された前記金属部材は、湾曲面を有する項１又は項２に記載の配線基板。
［項４］
前記溝部は、開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続し、
前記絶縁部材は、前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置される項１から項３の何れか一項に記載の配線基板。
［項５］
前記基材は、前記第１面に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える項１から項４の何れか一項に記載の配線基板。
［項６］
前記配線基板は、前記第１面の側に回路部品が接続される位置に配置されるパッド部と、外部配線が接続される位置に配置される端子部と、を有し、
前記パッド部及び前記端子部は、前記貫通孔に配置される前記金属部材と電気的に接続される項１から項５の何れか一項に記載の配線基板。
［項７］
前記絶縁部材は、セラミックス又は樹脂を材料とする項１から項６の何れか一項に記載の配線基板。
［項８］
前記基材は、セラミックスを材料とする項１から項７の何れか一項に記載の配線基板。
［項９］
前記基材は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、及び、酸化アルミニウムの少なくとも１種を含む項１から項８の何れか一項に記載の配線基板。
［項１０］
前記金属部材は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ａｇ－Ｃｕ合金の少なくともいずれか１種を含む項１から項９の何れか一項に記載の配線基板。
［項１１］
前記金属部材は、前記基材と前記金属部材との界面に金属化合物層を有する項１から項１０の何れか一項に記載の配線基板。
［項１２］
項１から項１１の何れか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の前記第１面の側に配置されている、素子電極を有する発光素子と、を備え、
前記配線基板の前記金属部材は、前記素子電極と電気的に接続されている発光装置。
［項１３］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面と前記第２面とを繋ぐように貫通する貫通孔、及び、前記貫通孔と繋がり前記第２面にある溝部を有する基材を準備することと、
前記溝部及び前記貫通孔に、金属粉体と、活性金属粉体と、有機溶剤と、を少なくとも含む導電ペーストを配置することと、
前記導電ペーストを焼成して金属部材を得ることと、
前記溝部の開口を塞ぐように絶縁部材を配置することと、を含む配線基板の製造方法。
［項１４］
前記導電ペーストを配置することにおいて、前記導電ペーストに含まれる前記金属粉体は重量百分率で６０％以上９０％以下であり、前記活性金属粉体は１％以上１０％以下であり、前記有機溶剤は５％以上３０％以下である項１３に記載の配線基板の製造方法。
［項１５］
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は前記溝部の開口から離れて前記溝部の底面側及び前記貫通孔に配置される項１３又は項１４に記載の配線基板の製造方法。
［項１６］
前記金属部材を得ることにおいて、前記金属部材は、湾曲面となるように形成する項１３から項１５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項１７］
前記金属部材を得ることの後に、前記溝部が開口側に向かって広がる湾曲面を介して前記第２面に連続するように、前記基材及び前記金属部材の一部を除去して前記溝部の開口を広げることをさらに含み、
前記絶縁部材を配置することにおいて、前記絶縁部材を前記金属部材よりも広い幅で前記溝部に配置する項１３から項１６の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項１８］
前記溝部の開口を広げることにおいて、ブラスト加工によって前記基材及び前記金属部材の一部を除去する項１７に記載の配線基板の製造方法。
［項１９］
前記金属部材を得ることにおいて、前記基材と前記金属部材との界面に前記活性金属粉体から変わる金属化合物層を有する項１３から項１８の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２０］
前記基材を準備することにおいて、前記第１面は更に凹部を備え、前記凹部の位置に前記貫通孔を備える項１３から項１９の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２１］
前記基材を準備することにおいて、前記溝部及び前記貫通孔は、レーザ加工により形成される項１３から項２０の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２２］
前記基材を準備することにおいて、前記溝部はブラスト加工によって形成され、前記貫通孔はレーザ加工により形成される項１３から項２０の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２３］
前記金属部材を得ることにおいて、焼成温度は７８０℃以上１１００℃以下である項１３から項２２の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２４］
前記金属部材を得ることにおいて、焼成雰囲気は１０－５Ｐａ以下の真空雰囲気または９９．９％以上のＡｒ雰囲気である項１３から項２３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２５］
前記金属部材を得ることの後、さらに前記基材の前記第１面と前記金属部材とが同一平面の平坦な面をなすように前記金属部材を研磨することを含む項２０に記載の配線基板の製造方法。
［項２６］
項１３から項２５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、
前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記配線基板の前記金属部材と、前記素子電極と、を電気的に接続する発光装置の製造方法。
【符号の説明】
【0094】
１ 配線基板
１Ａ 配線基板（変形例）
１０ 基材
１０Ａ 第１面
１０Ｂ 第２面
１４ 溝部
１４Ａ 開口
１４Ｂ 底面
１６ 凹部
１８ 貫通孔
２０ 発光素子
２１ 素子電極
３０ 透光性部材
４０ 金属部材
４１ 露出配線
４２ 埋設配線
４３ ビア配線
４５ パッド部
４６ 端子部
５０ 絶縁部材
６０ 金属化合物層
６１ 化合物
７０ 導電部材
８０ 導電ペースト
９０ 放熱板
９５ 接合部材
１００ 発光装置
１Ａ 配線基板（変形例）
１０ 基材
１０Ａ 第１面
１０Ｂ 第２面
１４ 溝部
１４Ａ 開口
１４Ｂ 底面
１６ 凹部
１８ 貫通孔
２０ 発光素子
２１ 素子電極
３０ 透光性部材
４０ 金属部材
４１ 露出配線
４２ 埋設配線
４３ ビア配線
４５ パッド部
４６ 端子部
５０ 絶縁部材
６０ 金属化合物層
６１ 化合物
７０ 導電部材
８０ 導電ペースト
９０ 放熱板
９５ 接合部材
１００ 発光装置
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】