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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024154649
(43)【公開日】2024-10-31
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H05B 45/46 20200101AFI20241024BHJP
H05B 45/30 20200101ALI20241024BHJP
【ＦＩ】
H05B45/46
H05B45/30
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023068588
(22)【出願日】2023-04-19
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001933
【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中小原 佑輔
【テーマコード（参考）】
3K273
【Ｆターム（参考）】
3K273AA10
3K273BA27
3K273CA02
3K273EA06
3K273EA07
3K273EA25
3K273EA36
3K273FA07
3K273FA12
3K273FA14
3K273FA30
3K273FA33
3K273FA38
3K273GA05
3K273GA10
3K273GA18
3K273GA28
3K273GA29
(57)【要約】
【課題】回路サイズの低減に寄与する発光装置を提供する。
【解決手段】各々が発光素子（ＬＤ［ｉ，ｊ］）及び発光素子への供給用電荷を蓄積するコンデンサ（Ｃｒ［ｉ，ｊ］）を有する第１～第Ｌ発光単位回路（Ｕ［ｉ，ｊ］）と、第１～第Ｍ充電用スイッチ（ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］）を有する充電切り替え回路（２０）と、第１～第Ｎ発光用スイッチ（ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］）を有する発光切り替え回路（３０）と、各スイッチを制御する制御回路（４０）と、備える。各充電用スイッチは、自身に対応付けられた２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替える。各発光用スイッチは、自身に対応付けられた複数の発光単位回路について、発光素子に対するコンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替える。Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す。
【選択図】図３
【解決手段】各々が発光素子（ＬＤ［ｉ，ｊ］）及び発光素子への供給用電荷を蓄積するコンデンサ（Ｃｒ［ｉ，ｊ］）を有する第１～第Ｌ発光単位回路（Ｕ［ｉ，ｊ］）と、第１～第Ｍ充電用スイッチ（ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］）を有する充電切り替え回路（２０）と、第１～第Ｎ発光用スイッチ（ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］）を有する発光切り替え回路（３０）と、各スイッチを制御する制御回路（４０）と、備える。各充電用スイッチは、自身に対応付けられた２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替える。各発光用スイッチは、自身に対応付けられた複数の発光単位回路について、発光素子に対するコンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替える。Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
各々が、電流の供給を受けて発光するよう構成された発光素子及び前記発光素子への供給用電荷を蓄積するよう構成されたコンデンサを有する第１～第Ｌ発光単位回路と、
第１～第Ｍ充電用スイッチを有し、各コンデンサへの充電電流の供給又は非供給を切り替えるよう構成された充電切り替え回路と、
第１～第Ｎ発光用スイッチを有し、各発光単位回路における前記コンデンサの蓄積電荷の前記発光素子への供給又は非供給を切り替えるよう構成された発光切り替え回路と、
各充電用スイッチ及び各発光用スイッチの状態を制御するよう構成された制御回路と、備え、
各充電用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、２以上の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｍ充電用スイッチにおける２つの充電用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、他方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、は互いに異なり、
第１～第Ｍ充電用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替え、
各発光用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、複数の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｎ発光用スイッチにおける２つの発光用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、他方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、は互いに異なり、
第１～第Ｎ発光用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記複数の発光単位回路について、前記発光素子に対する前記コンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替え、
Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す
、発光装置。
第１～第Ｍ充電用スイッチを有し、各コンデンサへの充電電流の供給又は非供給を切り替えるよう構成された充電切り替え回路と、
第１～第Ｎ発光用スイッチを有し、各発光単位回路における前記コンデンサの蓄積電荷の前記発光素子への供給又は非供給を切り替えるよう構成された発光切り替え回路と、
各充電用スイッチ及び各発光用スイッチの状態を制御するよう構成された制御回路と、備え、
各充電用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、２以上の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｍ充電用スイッチにおける２つの充電用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、他方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、は互いに異なり、
第１～第Ｍ充電用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替え、
各発光用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、複数の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｎ発光用スイッチにおける２つの発光用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、他方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、は互いに異なり、
第１～第Ｎ発光用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記複数の発光単位回路について、前記発光素子に対する前記コンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替え、
Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す
、発光装置。
【請求項2】
各発光単位回路において前記コンデンサは第１端及び第２端を有し、
各発光単位回路において、前記充電切り替え回路を通じて充電電流が前記コンデンサに供給されるとき、前記コンデンサの第２端の電位から見て前記第コンデンサの第１端の電位が高まり、
各発光単位回路において、前記発光素子は第１端及び第２端を有し、前記発光素子の第１端から前記発光素子の第２端に向けて電流が流れることで前記発光素子が発光し、
各発光単位回路において、前記発光素子に対して保護ダイオードを含む並列回路が並列接続され、前記保護ダイオードの順方向は前記発光素子の第２端から前記発光素子の第１端に向かう向きであり、
各発光単位回路において、前記コンデンサの第１端と前記発光素子の第１端との間に逆流阻止ダイオードが挿入され、前記逆流阻止ダイオードの順方向は前記コンデンサの第１端から前記発光素子の第１端に向かう向きである
、請求項１に記載の発光装置。
各発光単位回路において、前記充電切り替え回路を通じて充電電流が前記コンデンサに供給されるとき、前記コンデンサの第２端の電位から見て前記第コンデンサの第１端の電位が高まり、
各発光単位回路において、前記発光素子は第１端及び第２端を有し、前記発光素子の第１端から前記発光素子の第２端に向けて電流が流れることで前記発光素子が発光し、
各発光単位回路において、前記発光素子に対して保護ダイオードを含む並列回路が並列接続され、前記保護ダイオードの順方向は前記発光素子の第２端から前記発光素子の第１端に向かう向きであり、
各発光単位回路において、前記コンデンサの第１端と前記発光素子の第１端との間に逆流阻止ダイオードが挿入され、前記逆流阻止ダイオードの順方向は前記コンデンサの第１端から前記発光素子の第１端に向かう向きである
、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
各発光単位回路において、前記並列回路は前記保護ダイオードに直列接続された抵抗を含む
、請求項２に記載の発光装置。
、請求項２に記載の発光装置。
【請求項4】
各発光単位回路は充電用ダイオードを有し、
各発光単位回路において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
各発光単位回路において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
【請求項5】
各発光単位回路は第１種類の発光単位回路又は第２種類の発光単位回路であって、
第１～第Ｌ発光単位回路は第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路を夫々に２以上含み、
第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路の内、第１種類の発光単位回路のみに充電用ダイオードが設けられ、
２以上の第１種類の発光単位回路の夫々において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
第１～第Ｌ発光単位回路は第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路を夫々に２以上含み、
第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路の内、第１種類の発光単位回路のみに充電用ダイオードが設けられ、
２以上の第１種類の発光単位回路の夫々において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
【請求項6】
各発光単位回路は直列抵抗を有し、
各発光単位回路において、前記直列抵抗は前記コンデンサに直列接続され、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記直列抵抗を通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
各発光単位回路において、前記直列抵抗は前記コンデンサに直列接続され、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記直列抵抗を通じて前記コンデンサに供給される
、請求項２に記載の発光装置。
【請求項7】
Ｌ＞Ｍ＋Ｎが満たされる
、請求項１に記載の発光装置。
、請求項１に記載の発光装置。
【請求項8】
第１～第Ｎ発光用スイッチに流れる電流を個別に検出するための第１～第Ｎシャント抵抗を更に備える
、請求項１に記載の発光装置。
、請求項１に記載の発光装置。
【請求項9】
各発光単位回路は第１～第Ｎ発光グループの何れかに属し、
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路は第ｊ発光用スイッチに対応付けられ、
各発光グループはＭ個の発光単位回路を含み、
第ｉ充電用スイッチに対し、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路が対応付けられ、
ｉはＭ以下の自然数を表し、ｊはＮ以下の自然数を表す
、請求項１～７の何れかに記載の発光装置。
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路は第ｊ発光用スイッチに対応付けられ、
各発光グループはＭ個の発光単位回路を含み、
第ｉ充電用スイッチに対し、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路が対応付けられ、
ｉはＭ以下の自然数を表し、ｊはＮ以下の自然数を表す
、請求項１～７の何れかに記載の発光装置。
【請求項10】
第１～第Ｍ充電用スイッチの第１端は、夫々、第１～第Ｍ入力配線に接続され、
第１～第Ｍ入力配線には夫々第１～第Ｍ入力電圧が加わり、
第１～第Ｍ充電用スイッチの第２端は、夫々、第１～第Ｍ充電用配線に接続され、
各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路は第ｉ充電用配線に接続され、
第ｉ充電用スイッチがオンであるとき、第ｉ入力電圧に基づく充電電流が、第ｉ充電用スイッチ及び第ｉ充電用配線を通じ、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路中の前記コンデンサに供給される充電動作が実行され、第ｉ充電用スイッチがオフであるとき前記充電動作が非実行とされ、
第１～第Ｎ発光用スイッチの第１端は、夫々、第１～第Ｎ発光用配線に接続され、
第１～第Ｎ発光用スイッチの各第２端は基準電位を有する基準配線に接続され、
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路は第ｊ発光用配線に接続され、
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路において前記コンデンサの蓄積電荷による放電電流は、第ｊ発光用スイッチがオンであるときに、対応する前記発光素子と第ｊ発光用配線及び第ｊ発光用スイッチとを通じて流れる
、請求項９に記載の発光装置。
第１～第Ｍ入力配線には夫々第１～第Ｍ入力電圧が加わり、
第１～第Ｍ充電用スイッチの第２端は、夫々、第１～第Ｍ充電用配線に接続され、
各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路は第ｉ充電用配線に接続され、
第ｉ充電用スイッチがオンであるとき、第ｉ入力電圧に基づく充電電流が、第ｉ充電用スイッチ及び第ｉ充電用配線を通じ、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路中の前記コンデンサに供給される充電動作が実行され、第ｉ充電用スイッチがオフであるとき前記充電動作が非実行とされ、
第１～第Ｎ発光用スイッチの第１端は、夫々、第１～第Ｎ発光用配線に接続され、
第１～第Ｎ発光用スイッチの各第２端は基準電位を有する基準配線に接続され、
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路は第ｊ発光用配線に接続され、
第ｊ発光グループに属する各発光単位回路において前記コンデンサの蓄積電荷による放電電流は、第ｊ発光用スイッチがオンであるときに、対応する前記発光素子と第ｊ発光用配線及び第ｊ発光用スイッチとを通じて流れる
、請求項９に記載の発光装置。
【請求項11】
前記制御回路は、第１～第Ｍ単位動作を含む発光制御を実行し、第ｉ単位動作において、第ｉ充電用スイッチを所定時間だけオンとした後、１以上の発光用スイッチをオンとする
、請求項１０に記載の発光装置。
、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項12】
前記制御回路は、第ｉ単位動作において、第ｉ充電用スイッチを前記所定時間だけオンとした後、第１～第Ｎ発光用スイッチを互いに異なるタイミングで順次オンとする
、請求項１１に記載の発光装置。
、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項13】
前記制御回路は、前記発光制御において、前記第１～第Ｍ単位動作を互いに異なるタイミングで順次実行する
、請求項１１に記載の発光装置。
、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項14】
前記制御回路は、前記発光制御において、第１～第Ｍ充電用スイッチの内、２以上の充電用スイッチを同時にオンさせる
、請求項１１に記載の発光装置。
、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項15】
第１～第Ｍ入力電圧は共通の入力電圧であり、
第１～第Ｍ入力配線は前記共通の入力電圧が加わる共通の入力配線である
、請求項１０に記載の発光装置。
第１～第Ｍ入力配線は前記共通の入力電圧が加わる共通の入力配線である
、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項16】
互いに異なる２以上の入力電圧が第１～第Ｍ入力電圧に含まれる
、請求項１０に記載の発光装置。
、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項17】
第１～第Ｎシャント抵抗を更に備え、
第ｊシャント抵抗は第ｊ発光用スイッチに対して直列接続され、
前記制御回路は、第１～第Ｎシャント抵抗で発生する電圧降下に基づき第１～第Ｎ発光用スイッチに流れる電流を個別に検出し、その検出結果に基づき第１～第Ｍ入力電圧の何れかを可変設定する
、請求項１０に記載の発光装置。
第ｊシャント抵抗は第ｊ発光用スイッチに対して直列接続され、
前記制御回路は、第１～第Ｎシャント抵抗で発生する電圧降下に基づき第１～第Ｎ発光用スイッチに流れる電流を個別に検出し、その検出結果に基づき第１～第Ｍ入力電圧の何れかを可変設定する
、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項18】
互いに異なる２以上の入力電圧が第１～第Ｍ入力電圧に含まれ、
前記制御回路は、第ｐ入力電圧が第ｑ入力電圧よりも高いとき、第ｐ充電用スイッチのオンデューティを第ｑ充電用スイッチのオンデューティよりも低く設定し、
ｐ及びｑはＭ以下の互いに異なる自然数を表す
、請求項１０に記載の発光装置。
前記制御回路は、第ｐ入力電圧が第ｑ入力電圧よりも高いとき、第ｐ充電用スイッチのオンデューティを第ｑ充電用スイッチのオンデューティよりも低く設定し、
ｐ及びｑはＭ以下の互いに異なる自然数を表す
、請求項１０に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光装置は電流の供給を受けて発光する発光素子を備える。複数の発光素子を備え、複数の発光素子を個別に発光制御する発光装置もある。この種の発光装置の構成例として、下記特許文献１に記載の構成例が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２１／１８１７３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
複数の発光素子を備える発光装置を構成する際、発光素子ごとに周辺回路を追加すれば発光素子ごとの発光制御が可能となる。但し、発光素子の個数に合わせて単純に周辺回路を追加する方法では、発光装置の回路サイズが大きくなりやすい。回路サイズの増大はコスト増加に繋がる。
【0005】
本開示は、回路サイズの低減に寄与する発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る発光装置は、各々が、電流の供給を受けて発光するよう構成された発光素子及び前記発光素子への供給用電荷を蓄積するよう構成されたコンデンサを有する第１～第Ｌ発光単位回路と、第１～第Ｍ充電用スイッチを有し、各コンデンサへの充電電流の供給又は非供給を切り替えるよう構成された充電切り替え回路と、第１～第Ｎ発光用スイッチを有し、各発光単位回路における前記コンデンサの蓄積電荷の前記発光素子への供給又は非供給を切り替えるよう構成された発光切り替え回路と、各充電用スイッチ及び各発光用スイッチの状態を制御するよう構成された制御回路と、備え、各充電用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、２以上の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｍ充電用スイッチにおける２つの充電用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、他方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、は互いに異なり、第１～第Ｍ充電用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替え、各発光用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、複数の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｎ発光用スイッチにおける２つの発光用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、他方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、は互いに異なり、第１～第Ｎ発光用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記複数の発光単位回路について、前記発光素子に対する前記コンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替え、Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、回路サイズの低減に寄与する発光装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“ＳＷｃ”によって参照される充電用スイッチは（図１参照）、充電用スイッチＳＷｃと表記されることもあるし、スイッチＳＷｃと略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
【0010】
まず、本開示の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。グランドとは、基準となる０Ｖ（ゼロボルト）の電位を有する基準導電部を指す又は０Ｖの電位そのものを指す。基準導電部は金属等の導体を用いて形成されて良い。０Ｖの電位をグランド電位と称することもある。本開示の実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧はグランドから見た電位を表す。レベルとは電位のレベルを指し、任意の注目した信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。
【0011】
ＭＯＳＦＥＴを含むＦＥＴ（電界効果トランジスタ）として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通している状態を指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通となっている状態（遮断状態）を指す。ＦＥＴに分類されないトランジスタについても同様である。ＭＯＳＦＥＴは、特に記述無き限り、エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであると解される。ＭＯＳＦＥＴは“metal-oxide-semiconductor field-effect transistor”の略称である。また、特に記述なき限り、任意のＭＯＳＦＥＴにおいて、バックゲートはソースに短絡されていると考えて良い。
【0012】
任意のスイッチを１以上のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）にて構成することができ、或るスイッチがオン状態のときには当該スイッチの両端間が導通する一方で或るスイッチがオフ状態のときには当該スイッチの両端間が非導通となる。以下、任意のトランジスタ又はスイッチについて、オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。
【0013】
また、任意のトランジスタ又はスイッチについて、トランジスタ又はスイッチがオン状態となっている期間をオン期間と称し、トランジスタ又はスイッチがオフ状態となっている期間をオフ期間と称する。ハイレベル又はローレベルの信号レベルをとる任意の信号について、当該信号のレベルがハイレベルとなる期間をハイレベル期間と称し、当該信号のレベルがローレベルとなる期間をローレベル期間と称する。ハイレベル又はローレベルの電圧レベルをとる任意の電圧についても同様である。
【0014】
任意の回路素子、配線（ライン）、ノードなど、回路を形成する複数の部位間についての接続とは、特に記述なき限り、電気的な接続を指すと解して良い。対比されるべき任意の２つの電圧が電圧ｖ１及びｖ２であるとした場合、“ｖ１＞ｖ２”は電圧ｖ１が電圧ｖ２よりも高いことを表し、“ｖ１＜ｖ２”は電圧ｖ１が電圧ｖ２よりも低いことを表す。電圧以外の物理量を含む他の式についても同様である。
【0015】
図１に本開示の実施形態に係る発光装置１の全体構成を示す。発光装置１は、発光ブロック１０と、充電切り替え回路２０と、発光切り替え回路３０と、制御回路４０と、を備える。
【0016】
発光ブロック１０は計Ｌ個の発光単位回路Ｕを備える。充電切り替え回路２０はＭ個の充電用スイッチＳＷｃを備える。発光切り替え回路３０はＮ個の発光用スイッチＳＷｒを備える。Ｍ及びＮの夫々は２以上の任意の整数を表す。Ｍ及びＮは互いに一致しても良いし、互いに相違しても良い。
【0017】
図２に、１つの発光単位回路Ｕの構成要素を示すと共に、１つの発光単位回路Ｕと充電切り替え回路２０及び発光切り替え回路３０との関係を概略的に示す。発光単位回路ＵはコンデンサＣｒ及び発光素子ＬＤを備える。発光単位回路ＵはコンデンサＣｒ及び発光素子ＬＤ以外の回路素子を有し得るが、図２では、発光単位回路Ｕの構成要素の内、コンデンサＣｒ及び発光素子ＬＤのみが示される。原則として計Ｌ個の発光単位回路Ｕは互いに同一の構成を持ち、以下では特に記述なき限り、計Ｌ個の発光単位回路Ｕは互いに同一の構成を持つものとする。
【0018】
発光素子ＬＤは、電流の供給を受けて発光する任意の発光素子であり、ここではレーザダイオードである。コンデンサＣｒは発光素子ＬＤへの供給用電荷を蓄積する。発光素子ＬＤへの供給用電荷とは、発光素子ＬＤに供給するためにコンデンサＣｒにて蓄積される電荷を指す。コンデンサＣｒの蓄積電荷が発光素子ＬＤに供給される（即ち、コンデンサＣｒの蓄積電荷によるコンデンサＣｒの放電電流が発光素子ＬＤに供給される）ことで発光素子ＬＤが発光する。
【0019】
充電切り替え回路２０は、制御回路４０の制御の下、Ｌ個の発光単位回路Ｕの夫々について、コンデンサＣｒへの充電電流の供給又は非供給を切り替える。或る発光単位回路Ｕにおいて、コンデンサＣｒへ充電電流が供給されることで発光素子ＬＤを発光させるための電荷がコンデンサＣｒにて蓄積される。発光切り替え回路３０は、制御回路４０の制御の下、Ｌ個の発光単位回路Ｕの夫々について、コンデンサＣｒの蓄積電荷の発光素子ＬＤへの供給又は非供給を切り替える。
【0020】
Ｍ個の充電用スイッチＳＷｃを記号ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］にて参照する。以下では、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］の何れかが充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］と表記されることがある。ｉは任意の自然数を表す。計Ｍ個の回路要素（例えば充電用スイッチＳＷｃ）を参照する際にｉが用いられるとき、ｉはＭ以下の自然数を表すと解される。
【0021】
充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］の夫々は、Ｌ個の発光単位回路Ｕの内、２以上の発光単位回路Ｕに対応付けられる。ｐ及びｑが“ｐ≦Ｍ”及び“ｑ≦Ｎ”を満たす互いに異なる任意の自然数であるとした場合、ｐ及びｑの組み合わせの夫々について、充電用スイッチＳＷｃ［ｐ］に対応付けられる２以上の発光単位回路Ｕと、充電用スイッチＳＷｃ［ｑ］に対応付けられる２以上の発光単位回路Ｕと、は互いに異なる。充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］の夫々は、自身に対応付けられた２以上の発光単位回路ＵのコンデンサＣｒに対する充電電流の供給又は非供給を切り替える。
【0022】
Ｎ個の発光用スイッチＳＷｒを記号ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］にて参照する。以下では、発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の何れかが発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］と表記されることがある。ｊは任意の自然数を表す。計Ｎ個の回路要素（例えば発光用スイッチＳＷｒ）を参照する際にｊが用いられるとき、ｊはＮ以下の自然数を表すと解される。
【0023】
発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の夫々は、Ｌ個の発光単位回路Ｕの内、複数の発光単位回路Ｕに対応付けられる。ｐ及びｑが“ｐ≦Ｍ”及び“ｑ≦Ｎ”を満たす互いに異なる任意の自然数であるとした場合、ｐ及びｑの組み合わせの夫々について、発光用スイッチＳＷｒ［ｐ］に対応付けられる複数の発光単位回路Ｕと、発光用スイッチＳＷｒ［ｑ］に対応付けられる複数の発光単位回路Ｕと、は互いに異なる。発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の夫々は、自身に対応付けられた複数の発光単位回路Ｕについて、コンデンサＣｒの蓄積電荷の発光素子ＬＤへの供給又は非供給を切り替える。
【0024】
任意の種類のスイッチング素子にて各スイッチＳＷｃ及びＳＷｒを構成することができる。本実施形態では各スイッチＳＷｃ及びＳＷｒがＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴにて構成されるものとする。故に、各スイッチＳＷｃ及びＳＷｒは、ドレイン、ソース及びゲートを有する。
【0025】
各充電用スイッチＳＷｃのドレインは入力配線ＷＲｉｎに接続される。充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のドレインが接続される入力配線ＷＲｉｎを入力配線ＷＲｉｎ［ｉ］と称する。故に、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］のドレインは夫々入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］に接続される。入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］には夫々入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］が加わる。即ち入力配線ＷＲｉｎ［１］には入力電圧Ｖｉｎ［１］が加わり、入力配線ＷＲｉｎ［２］には入力電圧Ｖｉｎ［２］が加わる。入力配線ＷＲｉｎ［３］等についても同様である。入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］は正の直流電圧値を有する。
【0026】
入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］は共通の入力配線（即ち単一の入力配線）であって良い。この場合、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］は共通の入力電圧（即ち単一の入力電圧）であり、共通の入力電圧が充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］の各ドレインに加わる。
【0027】
入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］は互いに異なるＭ種類の入力電圧であっても良い。この場合、入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］は互いに分離されたＭ本の配線とされる。Ｍ種類未満の直流電圧により入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］が構成されていても良い。例えば、“Ｍ＝４”であるとき、入力電圧Ｖｉｎ［１］及びＶｉｎ［２］は第１直流電圧であって且つ入力電圧Ｖｉｎ［３］及びＶｉｎ［４］は第２直流電圧であっても良い。この際、第１及び第２直流電圧は２つの電圧源から出力される。
【0028】
各充電用スイッチＳＷｃのソースは充電用配線ＷＲｃに接続される。充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のソースが接続される充電用配線ＷＲｃを充電用配線ＷＲｃ［ｉ］と称する。故に、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］のソースは夫々充電用配線ＷＲｃ［１］～ＷＲｃ［Ｍ］に接続される。
【0029】
各発光用スイッチＳＷｒのドレインは発光用配線ＷＲｒに接続される。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のドレインが接続される発光用配線ＷＲｒを発光用配線ＷＲｒ［ｊ］と称する。故に、発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］のドレインは夫々発光用配線ＷＲｒ［１］～ＷＲｒ［Ｎ］に接続される。発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の各ソースはグランド配線ＷＲｇｎｄ（基準配線）に接続される。グランド配線ＷＲｇｎｄはグランド電位（基準電位）を有する。
【0030】
発光ブロック１０におけるＬ個の発光単位回路Ｕは夫々にＮ個の発光グループＧＲＰの何れかに属する。Ｎ個の発光グループＧＲＰを記号ＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］にて参照する。発光グループＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］は夫々発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］に対応する。
【0031】
各発光グループＧＲＰは２以上の発光単位回路Ｕを備える。本実施形態では特に記述なき限り、各発光グループＧＲＰがＭ個の発光単位回路Ｕを備えるものとする。そうすると、発光単位回路Ｕの総数は（Ｍ×Ｎ）である。即ち“Ｌ＝Ｍ×Ｎ”が成立する。ここでＭ及びＮは２以上の整数を表すため、Ｌは４以上の整数を表す。但し、Ｍ個未満の発光単位回路Ｕを備える発光グループＧＲＰが、発光グループＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］に含まれることもあり、この場合、“Ｌ＜Ｍ×Ｎ”である。但し、何れにせよ“Ｌ＞Ｍ＋Ｎ”が成立すると良い。
【0032】
発光グループＧＲＰ［１］に設けられるＭ個の発光単位回路Ｕを記号Ｕ［１，１］～Ｕ［Ｍ，１］にて参照する。同様に、発光グループＧＲＰ［２］に設けられるＭ個の発光単位回路Ｕを記号Ｕ［１，２］～Ｕ［Ｍ，２］にて参照する。他の発光グループＧＲＰについても同様である。自然数ｊを用いて一般化すると、発光グループＧＲＰ［ｊ］に設けられるＭ個の発光単位回路Ｕは記号Ｕ［１，ｊ］～Ｕ［Ｍ，ｊ］にて参照される。発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］は発光グループＧＲＰ［ｊ］における第ｉ番目の発光単位回路Ｕである。充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］に対し、各発光グループＧＲＰにおける第ｉ番目の発光単位回路Ｕが対応付けられる（即ち、発光単位回路Ｕ［ｉ，１］～発光単位回路Ｕ［ｉ，Ｎ］が対応付けられる）。
【0033】
各発光単位回路Ｕは入力ノードＸ及び出力ノードＹを有する。発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における入力ノードＸを記号Ｘ［ｉ，ｊ］にて参照し、発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における出力ノードＹを記号Ｙ［ｉ，ｊ］にて参照する。
【0034】
充電用配線ＷＲｃ［１］は計Ｎ個の入力ノードＸ［１，１］～Ｘ［１，Ｎ］に接続され、従って計Ｎ個の発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［１，Ｎ］に接続される。同様に、充電用配線ＷＲｃ［２］は計Ｎ個の入力ノードＸ［２，１］～Ｘ［２，Ｎ］に接続され、従って計Ｎ個の発光単位回路Ｕ［２，１］～Ｕ［２，Ｎ］に接続される。充電用配線ＷＲｃ［３］等も同様である。自然数ｉを用いて一般化すると、充電用配線ＷＲｃ［ｉ］は計Ｎ個の入力ノードＸ［ｉ，１］～Ｘ［ｉ，Ｎ］に接続され、従って計Ｎ個の発光単位回路Ｕ［ｉ，１］～Ｕ［ｉ，Ｎ］に接続される。各発光グループＧＲＰにおける第ｉ番目の発光単位回路Ｕは充電用配線ＷＲｃ［ｉ］に接続されることになる。
【0035】
充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］がオンであるとき、入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］に基づく充電電流が、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］及び充電用配線ＷＲｃ［ｉ］を通じ、各発光グループＧＲＰにおける第ｉ番目の発光単位回路Ｕ中のコンデンサＣｒに供給される充電動作が実行され、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］がオフであれば当該充電動作が非実行とされる。
【0036】
発光用配線ＷＲｒ［１］は計Ｍ個の出力ノードＹ［１，１］～Ｙ［Ｍ，１］に接続され、従って計Ｍ個の発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［Ｍ，１］に接続される。同様に、発光用配線ＷＲｒ［２］は計Ｍ個の出力ノードＹ［１，２］～Ｙ［Ｍ，２］に接続され、従って計Ｍ個の発光単位回路Ｕ［１，２］～Ｕ［Ｍ，２］に接続される。発光用配線ＷＲｒ［３］等も同様である。自然数ｊを用いて一般化すると、発光用配線ＷＲｒ［ｊ］は計Ｍ個の出力ノードＹ［１，ｊ］～Ｙ［Ｍ，ｊ］に接続され、従って計Ｍ個の発光単位回路Ｕ［１，ｊ］～Ｕ［Ｍ，ｊ］に接続される。発光グループＧＲＰ［ｊ］における全発光単位回路Ｕは発光用配線ＷＲｒ［ｊ］に接続されることを通じて発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］に対応付けられる。
【0037】
発光グループＧＲＰ［ｊ］に属する各発光単位回路Ｕにおいて、コンデンサＣｒの蓄積電荷による放電電流は、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がオンであるときにのみ、対応する発光素子ＬＤと発光用配線ＷＲｒ［ｊ］及び発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］とを通じて流れる。
【0038】
制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］及び発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の状態を個別に制御する。制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］のゲートに対し、夫々、ゲート信号Ｇｃ［１］～Ｇｃ［Ｍ］を供給する。制御回路４０は、発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］のゲートに対し、夫々、ゲート信号Ｇｒ［１］～Ｇｒ［Ｎ］を供給する。各ゲート信号はハイレベル又はローレベルを有する。制御回路４０は、ゲート信号Ｇｃ［１］～Ｇｃ［Ｍ］を充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］に供給するゲートドライブ回路（Ｍ個のゲートドライブ回路と考えて良い）と、ゲート信号Ｇｒ［１］～Ｇｒ［Ｎ］を発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］に供給するゲートドライブ回路（Ｎ個のゲートドライブ回路と考えて良い）と、を備える。
【0039】
ゲート信号Ｇｃ［ｉ］のハイレベル期間において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］はオン状態であり、ゲート信号Ｇｃ［ｉ］のローレベル期間において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］はオフ状態である。ゲート信号Ｇｒ［ｊ］のハイレベル期間において発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］はオン状態であり、ゲート信号Ｇｒ［ｊ］のローレベル期間において発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］はオフ状態である。但し、ゲート信号Ｇｃ［ｉ］のローレベルは充電用配線ＷＲｃ［ｉ］の電位と同電位を有し、ゲート信号Ｇｃ［ｉ］のハイレベルは充電用配線ＷＲｃ［ｉ］の電位よりも第１所定電圧だけ高い。第１所定電圧は充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のゲート閾電圧よりも大きい。ゲート信号Ｇｒ［ｊ］のローレベルはグランド電位を有し、ゲート信号Ｇｒ［ｊ］のハイレベルはグランド電位よりも第２所定電圧だけ高い。第２所定電圧は発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のゲート閾電圧よりも大きい。
【0040】
１つの発光グループＧＲＰに属する全発光素子ＬＤをまとめたモジュールを形成しても良い。この場合、発光グループＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］に対応する第１～第Ｎモジュールが形成される。第ｉモジュールは発光単位回路Ｕ［ｉ，１］～Ｕ［ｉ，Ｍ］内の発光素子ＬＤをまとめて備えた一体の部品である。第ｊモジュールはＭ個の発光素子ＬＤのみを含むものであっても良いし、Ｍ個の発光単位回路Ｕ［１，ｊ］～Ｕ［Ｍ，ｊ］を全て含むものであっても良い。モジュールを形成することなく、発光装置１における複数の発光素子ＬＤを別々のディスクリート部品として設置しても良い。
【0041】
以下、複数の実施例の中で、発光装置１に係る具体的な構成例、動作例、応用技術、変形技術等を説明する。本実施形態にて上述した事項は、特に記述無き限り且つ矛盾無き限り、以下の各実施例に適用される。各実施例において、上述の事項と矛盾する事項がある場合には、各実施例での記載が優先されて良い。また矛盾無き限り、以下に示す複数の実施例の内、任意の実施例に記載した事項を、他の任意の実施例に適用することもできる（即ち複数の実施例の内の任意の２以上の実施例を組み合わせることも可能である）。
【0042】
＜＜第１実施例＞＞
第１実施例を説明する。図３に第１実施例に係る発光装置１である発光装置１Ａの構成を示す。第１実施例では、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”である。また第１実施例では、共通の入力配線（即ち単一の入力配線）が入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［４］として機能し、故に入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］は共通の入力電圧Ｖｉｎ（即ち単一の入力電圧）であり、共通の入力電圧Ｖｉｎが充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］の各ドレインに加わる。発光装置１Ａには８つの発光単位回路Ｕとして、発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［４，１］及びＵ［１，２］～Ｕ［４，２］が設けられる。４つの発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［４，１］は発光グループＧＲＰ［１］に属し、４つの発光単位回路Ｕ［１，２］～Ｕ［４，２］は発光グループＧＲＰ［２］に属する（図１も参照）。
第１実施例を説明する。図３に第１実施例に係る発光装置１である発光装置１Ａの構成を示す。第１実施例では、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”である。また第１実施例では、共通の入力配線（即ち単一の入力配線）が入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［４］として機能し、故に入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］は共通の入力電圧Ｖｉｎ（即ち単一の入力電圧）であり、共通の入力電圧Ｖｉｎが充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］の各ドレインに加わる。発光装置１Ａには８つの発光単位回路Ｕとして、発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［４，１］及びＵ［１，２］～Ｕ［４，２］が設けられる。４つの発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［４，１］は発光グループＧＲＰ［１］に属し、４つの発光単位回路Ｕ［１，２］～Ｕ［４，２］は発光グループＧＲＰ［２］に属する（図１も参照）。
【0043】
電圧源ＶＳが発光装置１Ａに設けられる又は発光装置１Ａに外部接続される。電圧源ＶＳは負側出力端と正側出力端を有する。電圧源ＶＳは負側出力端の電位を基準に正側出力端から正の直流電圧Ｖｉｎを出力する。電圧源ＶＳの負側出力端はグランド電位を有するグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される。尚、電圧源ＶＳの負側出力端及び正側出力端間に入力コンデンサＣｉｎが接続される。電圧源ＶＳの正側出力端は入力抵抗Ｒｉｎを介して上記共通の入力配線に接続される（従って入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［４］に接続される）。入力抵抗Ｒｉｎは、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］に流れる電流が過大にならないように当該電流に制限を加えるものである。入力抵抗Ｒｉｎで生じる電圧降下は十分に小さいとして無視する。そうすると、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］は全て上記共通の入力電圧Ｖｉｎである直流電圧Ｖｉｎと一致する。尚、発光装置１Ａにおいて、入力抵抗Ｒｉｎの代わりに過渡電流を制限するためのインダクタＬｉｎ（不図示）を設けても良いし、入力抵抗Ｒｉｎの代わりに入力抵抗Ｒｉｎ及びインダクタＬｉｎの直列回路を設けても良い（入力抵抗が設けられる後述の他の任意の発光装置においても同様）。
【0044】
充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］のソースは夫々充電用配線ＷＲｃ［１］～ＷＲｃ［４］に接続される。
充電用配線ＷＲｃ［１］が入力ノードＸ［１，１］及びＸ［１，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［１］が発光単位回路Ｕ［１，１］及びＵ［１，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［２］が入力ノードＸ［２，１］及びＸ［２，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［２］が発光単位回路Ｕ［２，１］及びＵ［２，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［３］が入力ノードＸ［３，１］及びＸ［３，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［３］が発光単位回路Ｕ［３，１］及びＵ［３，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［４］が入力ノードＸ［４，１］及びＸ［４，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［４］が発光単位回路Ｕ［４，１］及びＵ［４，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［１］が入力ノードＸ［１，１］及びＸ［１，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［１］が発光単位回路Ｕ［１，１］及びＵ［１，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［２］が入力ノードＸ［２，１］及びＸ［２，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［２］が発光単位回路Ｕ［２，１］及びＵ［２，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［３］が入力ノードＸ［３，１］及びＸ［３，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［３］が発光単位回路Ｕ［３，１］及びＵ［３，２］に対応付けられる。
充電用配線ＷＲｃ［４］が入力ノードＸ［４，１］及びＸ［４，２］に接続されることで、充電用スイッチＳＷｃ［４］が発光単位回路Ｕ［４，１］及びＵ［４，２］に対応付けられる。
【0045】
発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］のドレインは夫々発光用配線ＷＲｒ［１］及びＷＲｒ［２］に接続される。発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］の各ソースはグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される。
発光用配線ＷＲｒ［１］が出力ノードＹ［１，１］、Ｙ［２，１］、Ｙ［３，１］及びＹ［４，１］に接続されることで、発光用スイッチＳＷｒ［１］が発光単位回路Ｕ［１，１］、Ｕ［２，１］、Ｕ［３，１］及びＵ［４，１］に対応付けられる。
発光用配線ＷＲｒ［２］が出力ノードＹ［１，２］、Ｙ［２，２］、Ｙ［３，２］及びＹ［４，２］に接続されることで、発光用スイッチＳＷｒ［２］が発光単位回路Ｕ［１，２］、Ｕ［２，２］、Ｕ［３，２］及びＵ［４，２］に対応付けられる。
発光用配線ＷＲｒ［１］が出力ノードＹ［１，１］、Ｙ［２，１］、Ｙ［３，１］及びＹ［４，１］に接続されることで、発光用スイッチＳＷｒ［１］が発光単位回路Ｕ［１，１］、Ｕ［２，１］、Ｕ［３，１］及びＵ［４，１］に対応付けられる。
発光用配線ＷＲｒ［２］が出力ノードＹ［１，２］、Ｙ［２，２］、Ｙ［３，２］及びＹ［４，２］に接続されることで、発光用スイッチＳＷｒ［２］が発光単位回路Ｕ［１，２］、Ｕ［２，２］、Ｕ［３，２］及びＵ［４，２］に対応付けられる。
【0046】
各発光単位回路Ｕは発光素子ＬＤ、コンデンサＣｒ及び充電用ダイオードＤを備える。発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における発光素子ＬＤ、コンデンサＣｒ及び充電用ダイオードＤを、夫々、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］及び充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］と称する。発光装置１Ａに設けられる８つの発光単位回路Ｕは互いに同じ構成を有するため、８つの発光単位回路Ｕの内、代表して発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］の構成を説明する。
【0047】
充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］はコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に対して直列接続され、充電切り替え回路２０からコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に向かう向きに順方向を有する。具体的には、発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］において、充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］のアノードは入力ノードＸ［ｉ，ｊ］に接続され、充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］のカソードはコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端に接続される。コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第２端はグランドに接続される（換言すればグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される）。コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端は発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端に接続され、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第２端は出力ノードＹ［ｉ，ｊ］に接続される。発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端、第２端は、夫々、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］のアノード、カソードに相当し、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端から第２端に向けて電流が流れることで発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］が発光する。
【0048】
充電切り替え回路２０を通じ充電電流がコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に供給されることでコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に電荷が蓄積され、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第２端から見てコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端の電位が、蓄積電荷に相当する分だけ高くなる。その後、対応する発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がオンとされると、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の蓄積電荷による放電電流が発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］及び発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］を通じて流れ、これによって発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］が発光する。コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］を設けることで、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に対する供給電流の電路のインダクタンス成分を低減することができる。尚、以下の説明において、単に８つの発光素子ＬＤと述べた場合、それは発光素子ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，１］及びＬＤ［１，２］～ＬＤ［４，２］を指すものとする。
【0049】
図４は、発光装置１Ａにおける制御回路４０が実行可能な基本発光制御のフローチャートである。図４を参照して、基本発光制御を説明する。尚、図４の基本発光制御は“（Ｍ，Ｎ）＝（４，２）”であるときに限定されず、２以上の任意の整数Ｍ及び２以上の任意の整数Ｎに対して広く適用できる。
【0050】
基本発光制御では、まずステップＳ１１において制御回路４０にて管理される変数ｉ及びｊに対し夫々１が代入される。ステップＳ１１の後、ステップＳ１２に進む。ステップＳ１２において、制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］の内、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のみを所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンに制御する。ステップＳ１２において、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］以外の充電用スイッチＳＷｃはオフに維持される。ステップＳ１２にて、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］に対応する各発光単位回路ＵのコンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］に対して入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］に基づく充電電流が充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］を通じて供給され、これによってコンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］が充電される。ステップＳ１２において、コンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］の両端子間電圧が実質的に入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］にまで高まるよう、所定時間ｔｃ＿ｏｎを設定しておくと良い（ここで充電用ダイオードＤの順方向電圧を無視）。以下では特に記述無き限り、ステップＳ１２において、コンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］の両端子間電圧が入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］にまで高まるものとする。
【0051】
図５に、発光装置１Ａに係り、“ｉ＝１”でのステップＳ１２において充電用スイッチＳＷｃ［１］がオンであるときの様子を示す。“ｉ＝１”でのステップＳ１２において充電用スイッチＳＷｃ［１］がオンであるとき、コンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［１，２］に対して入力電圧Ｖｉｎ［１］に基づく充電電流が充電用スイッチＳＷｃ［１］を通じて供給され、これによってコンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［１，２］が充電される。
【0052】
ステップＳ１２において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］が所定時間ｔｃ＿ｏｎ分、オンとされた後、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］がオフに切り替えられるとステップＳ１３に進む。
【0053】
ステップＳ１３において、制御回路４０は、発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］の内、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のみを所定時間ｔｒ＿ｏｎだけオンに制御する。ステップＳ１３において、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］以外の発光用スイッチＳＷｒはオフに維持される。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］が所定時間ｔｒ＿ｏｎ分、オンとされた後、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がオフに切り替えられるとステップＳ１４に進む。ステップＳ１４において制御回路４０は“ｊ＝Ｎ”の成否を判断する（発光装置１Ａでは“ｊ＝２”の成否を判断する）。“ｊ＝Ｎ”が成立する場合にはステップＳ１４からステップＳ１６に進み、“ｊ＝Ｎ”が不成立の場合にはステップＳ１４からステップＳ１５に進む。ステップＳ１５において制御回路４０は変数ｊに１を加算し、その後、ステップＳ１３に戻る。
【0054】
図６に、発光装置１Ａに係り、“（ｉ，ｊ）＝（１，１）”でのステップＳ１３において発光用スイッチＳＷｒ［１］がオンである期間の様子を示す。図６の期間では、コンデンサＣｒ［１，１］の蓄積電荷による放電電流が発光素子ＬＤ［１，１］及び発光用スイッチＳＷｒ［１］を通じてグランドに流れることにより、発光素子ＬＤ［１，１］が発光する。
【0055】
図７に、発光装置１Ａに係り、“（ｉ，ｊ）＝（１，２）”でのステップＳ１３において発光用スイッチＳＷｒ［２］がオンである期間の様子を示す。図７の期間では、コンデンサＣｒ［１，２］の蓄積電荷による放電電流が発光素子ＬＤ［１，２］及び発光用スイッチＳＷｒ［２］を通じてグランドに流れることにより、発光素子ＬＤ［１，２］が発光する。
【0056】
図６の期間に対応する発光用スイッチＳＷｒ［１］のオン期間においてコンデンサＣｒ［１，１］の蓄積電荷が概ね全て放電されるよう、且つ、図７の期間に対応する発光用スイッチＳＷｒ［２］のオン期間においてコンデンサＣｒ［１，２］の蓄積電荷が概ね全て放電されるよう、所定時間ｔｒ＿ｏｎを設定しておくと良い。
【0057】
ステップＳ１６において制御回路４０は“ｉ＝Ｍ”の成否を判断する（発光装置１Ａでは“ｉ＝４”の成否を判断する）。“ｉ＝Ｍ”が成立する場合にはステップＳ１６からステップＳ１１に戻る。この際、前回のステップＳ１１の処理時刻と今回のステップＳ１１の処理時刻との差の逆数が一定の周波数を有するよう、ステップＳ１６からステップＳ１１に戻るタイミング制御を行って良い。ステップＳ１６において“ｉ＝Ｍ”が不成立の場合にはステップＳ１６からステップＳ１７に進む。ステップＳ１７において制御回路４０は変数ｉに１を加算し且つ変数ｊに１を代入する。その後、ステップＳ１２に戻る。
【0058】
ステップＳ１２～Ｓ１５の処理にて単位動作が形成される。“ｉ＝１”であるときの単位動作を第１単位動作と称し、“ｉ＝２”であるときの単位動作を第２単位動作と称する。“ｉ≧３”であるときも同様である。そうすると、基本発光制御は第１～第Ｍ単位動作を含む。
【0059】
図８に、基本発光制御における変数ｉの値と各スイッチの状態との関係を示す。発光装置１Ａに係る制御回路４０は、“ｉ＝１”であるときの単位動作において（即ち第１単位動作において）、充電用スイッチＳＷｃ［１］を所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとした後、発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］を互いに異なるタイミングで順次オンとし、これによって発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］を順次発光させる。発光装置１Ａに係る制御回路４０は、“ｉ＝２”であるときの単位動作において（即ち第２単位動作において）、充電用スイッチＳＷｃ［２］を所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとした後、発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］を互いに異なるタイミングで順次オンとし、これによって発光素子ＬＤ［２，１］及びＬＤ［２，２］を順次発光させる。“ｉ≧３”であるときの各単位動作でも同様である。
【0060】
一般化すると、制御回路４０は、第ｉ単位動作において、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］を所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとした後、発光用スイッチＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］を互いに異なるタイミングで順次オンとし、これによって発光素子ＬＤ［ｉ，１］～ＬＤ［ｉ，Ｎ］を順次発光させる。また制御回路４０は基本発光制御において第１～第Ｍ単位動作（発光装置１Ａでは第１～第４単位動作）を互いに異なるタイミングで順次実行する。
【0061】
ここで、参考構成に係る発光装置９０１を図９に示す。発光装置９０１では、発光素子９１０ごとに、発光素子９１０への電流を供給又は遮断するスイッチ９２０とスイッチ９２０を駆動するドライブ回路９３０（ゲートドライブ回路）が必要である。また、発光素子９１０に対する供給電流の電路のインダクタンス成分を低減するべく、発光素子９１０とスイッチ９２０の組み合わせごとにコンデンサ９４０が設けられる。例えば、発光素子９１０が８つ設けられる場合にあっては、スイッチ９２０及びドライブ回路９３０の組が８つ必要となる。加えて、図９に示す如く、スイッチ９２０としてのＭＯＳＦＥＴのソースがグランドに接続されない場合には、スイッチ９２０のオン／オフ用のゲートレベルを得るための電源（専用電源）がスイッチ９２０ごとに必要となる。
【0062】
これに対し、図３の発光装置１Ａでは、８つの発光素子ＬＤを個別に発光させるために必要なスイッチ数が６つで足る。発光装置１Ａにおける制御回路４０は、ゲート信号Ｇｃ［１］～Ｇｃ［４］を充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］に供給する４つのゲートドライブ回路と、ゲート信号Ｇｒ［１］及びＧｒ［２］を発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］に供給する２つのゲートドライブ回路と、を備える。つまり、図３の発光装置１Ａでは、ゲートドライブ回路の個数も６で足る。このように、図３の発光装置１Ａでは、図９の発光装置９０１と比べて、スイッチの必要数及びゲートドライブ回路の必要数を低減することができ、以って回路サイズの低減が図られる。回路サイズの低減はコスト低下に繋がる。加えて、発光装置１Ａでは発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］のソースがグランドに接続されるため、発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］を駆動するための専用電源も不要である。専用電源の不要化も回路サイズの低減に繋がる。
【0063】
図３の発光装置１Ａでは“（Ｍ，Ｎ，Ｌ）＝（４，２，８）”であることを想定しているが、これらの効果は発光素子ＬＤの設置数が多いほど、顕著となる。
【0064】
例えば、発光装置９０１において発光素子９１０が１６個設けられる場合にはスイッチ９２０及びドライブ回路９３０の組が１６組必要となる。これに対し、本実施形態に係る発光装置１（図１参照）において、発光素子ＬＤの総数が１６であるとき（即ち“Ｌ＝１６”であるとき）、“（Ｍ，Ｎ）＝（４，４）”とすることができ、この際、スイッチの必要数は８となる（ゲートドライブ回路の必要数も同様）。尚、発光装置１では“Ｌ＝Ｍ×Ｎ”を成立させるＭ及びＮの任意の組み合わせを採用でき、発光素子ＬＤの総数が１６であるならば、例えば“（Ｍ，Ｎ）＝（２，８）”又は“（Ｍ，Ｎ）＝（８，２）”としても良い。
【0065】
また例えば、発光装置９０１において発光素子９１０が６４個設けられる場合にはスイッチ９２０及びドライブ回路９３０の組が６４組必要となる。これに対し、本実施形態に係る発光装置１（図１参照）において、発光素子ＬＤの総数が６４であるとき（即ち“Ｌ＝６４”であるとき）、“（Ｍ，Ｎ）＝（８，８）”とすることができ、この際、スイッチの必要数は１６となる（ゲートドライブ回路の必要数も同様）。尚、発光装置１では“Ｌ＝Ｍ×Ｎ”を成立させるＭ及びＮの任意の組み合わせを採用でき、発光素子ＬＤの総数が６４であるならば、例えば“（Ｍ，Ｎ）＝（１６，４）”又は“（Ｍ，Ｎ）＝（４，１６）”としても良い。
【0066】
このように、発光装置１では充電用スイッチＳＷｃの個数（Ｍ）と発光用スイッチＳＷｒの個数（Ｎ）の積に相当する個数分の発光素子ＬＤを個別に駆動することができる。但し、既に述べたように、発光グループＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］の内、何れかの発光グループＧＲＰに設けられる発光単位回路Ｕの総数はＭ未満であっても良く、この場合、“Ｌ＜Ｍ×Ｎ”である。例えば、発光装置１（図１参照）において“Ｌ＝１５”であるとき、“（Ｍ，Ｎ）＝（４，４）”とした上で、発光グループＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［３］に４つずつ発光単位回路Ｕを設け且つ発光グループＧＲＰ［４］には３つだけ発光単位回路Ｕを設けるようにしても良い。何れにせよ “Ｌ＞Ｍ＋Ｎ”が成立すると良く、これによってスイッチ数の削減効果が得られる。
【0067】
ここで充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］の存在意義について説明する。仮に各発光単位回路Ｕにおいて充電用ダイオードＤが設けられていない場合、図５の状態にてコンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［１，２］を充電した後、図６の状態に遷移したとき、コンデンサＣｒ［１，２］の蓄積電荷が充電用配線ＷＲｃ［１］及び発光素子ＬＤ［１，１］を通じて放電され、結果、図７の状態にて発光素子ＬＤ［１，２］を適正に発光させることができない。各発光単位回路Ｕに充電用ダイオードＤを設けることで、このような現象を回避できる。
【0068】
図１０に示す如く、発光装置１（本実施例では発光装置１Ａ）を距離センサＤＳＮＳに利用することができる。距離センサＤＳＮＳは発光装置１、受光回路２及び検出回路３を備える。距離センサＤＳＮＳは基準物体に設置され、基準物体と他物体との距離を測定する。基準物体は任意であるが、例えば自動車等の車両であって良い。発光素子ＬＤを微小時間だけ発光させることで生じた発光素子ＬＤからの出射光は、他物体にて反射し、反射光が受光回路２にて受光される。検出回路３は、発光装置１に設けられる発光素子ＬＤごとに、発光素子ＬＤからの光の出射時刻（即ち発光素子ＬＤの発光時刻）と受光回路２による反射光の受光時刻との差を求め、求めた差に基づき基準物体及び他物体間の距離を検出する。
【0069】
距離センサＤＳＮＳに発光装置１として発光装置１Ａが設けられる場合、８つの発光素子ＬＤの光の出射方向を互いに異ならせて良い。この場合、基準物体から見て計８方向における距離測定が可能である。８つの発光素子ＬＤの光の出射方向の内、２以上の出射方向は互いに同じであっても良い。例えば、発光素子ＬＤ［１，１］の光の出射方向と発光素子ＬＤ［１，２］の光の出射方向とを互いに同じにしても良い。
【0070】
＜＜第２実施例＞＞
第２実施例を説明する。図１１に第２実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｂの構成を示す。発光装置１Ｂでは、図３の発光装置１Ａと同様に、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”であることが想定されている。図３の発光装置１Ａから見て、発光装置１Ｂにおける各発光単位回路Ｕには保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂが追加されている。保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂの追加を除き発光装置１Ｂは発光装置１Ａと同じ構成を有し、当該追加を除き第１実施例の記載が発光装置１Ｂにも適用される。
第２実施例を説明する。図１１に第２実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｂの構成を示す。発光装置１Ｂでは、図３の発光装置１Ａと同様に、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”であることが想定されている。図３の発光装置１Ａから見て、発光装置１Ｂにおける各発光単位回路Ｕには保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂが追加されている。保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂの追加を除き発光装置１Ｂは発光装置１Ａと同じ構成を有し、当該追加を除き第１実施例の記載が発光装置１Ｂにも適用される。
【0071】
発光装置１Ｂにおける各発光単位回路Ｕは、発光素子ＬＤ、コンデンサＣｒ及び充電用ダイオードＤに加えて、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂを備える。発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂを、夫々、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］及び逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］と称する。発光装置１Ｂに設けられる８つの発光単位回路Ｕは互いに同じ構成を有するため、８つの発光単位回路Ｕの内、代表して発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］の構成を説明する。
【0072】
まず第１実施例で述べたように、充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］はコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に対して直列接続され、充電切り替え回路２０からコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に向かう向きに順方向を有する。具体的には、発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］において、充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］のアノードは入力ノードＸ［ｉ，ｊ］に接続され、充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］のカソードはコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端に接続される。コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第２端はグランドに接続される（換言すればグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される）。
【0073】
コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端は逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］を通じて発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端に接続される。より具体的には、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端は逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］のアノードに接続され、逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］のカソードが発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端に接続される。発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第２端は出力ノードＹ［ｉ，ｊ］に接続される。発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端、第２端は、夫々、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］のアノード、カソードに相当し、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端から第２端に向けて電流が流れることで発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］が発光する。
【0074】
保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］は発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に対して並列接続される。但し、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］の順方向と発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の順方向は逆である。即ち、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］のアノードは発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第２端（カソード）に接続され、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］のカソードは発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端（アノード）に接続される。
【0075】
充電切り替え回路２０を通じて充電電流がコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に供給されることでコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に電荷が蓄積され、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第２端から見てコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端の電位が、蓄積電荷に相当する分だけ高くなる。その後、対応する発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がオンとされると、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の蓄積電荷による放電電流が逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］及び発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］を通じて流れ、これによって発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］が発光する。
【0076】
図３の発光装置１Ａでは、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の放電後、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］及びグランド配線ＷＲｇｎｄ間のインダクタンス成分にて生じた逆起電力が逆バイアス電圧として発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に加わる。過大な逆バイアス電圧が発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に加わることは好ましくない。図１１の発光装置１Ｂの如く、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］を設けておくことで、過大な逆バイアス電圧が発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に加わることが抑止される。但し、逆バイアス電圧に基づく電荷が保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］を通じてコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に流入すると、その流入電荷に基づき発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］が再発光することがある。このような逆バイアス電圧に基づく電荷の流入及び発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の再発光は、逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］の設置により抑制される。
【0077】
再発光の抑制について説明を加える。例えば、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンによるコンデンサＣｒ［１，１］の充電後、発光用スイッチＳＷｒ［１］をオンすることでコンデンサＣｒ［１，１］の放電により発光素子ＬＤ［１，１］が発光する。コンデンサＣｒ［１，１］の放電完了後、逆起電力による電荷が仮にコンデンサＣｒ［１，１］に流入したならば、その流入により、充電用スイッチＳＷｃ［１］がオフに維持されていたとしてもコンデンサＣｒ［１，１］が再充電され、その後のコンデンサＣｒ［１，１］の再放電により発光素子ＬＤ［１，１］が再発光しうる。発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の再発光は意図されない発光であり、距離センサＤＳＮＳへの利用を想定した場合には距離の検出精度に悪影響を与える。逆流阻止ダイオードＤｂ［１，１］の設置により、出力ノードＹ［１，１］からコンデンサＣｒ［１，１］に向かう電流が阻止されるため、発光素子ＬＤ［１，１］の再発光は抑制される。
【0078】
＜＜第３実施例＞＞
第３実施例を説明する。図１２に第３実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｃの構成を示す。発光装置１Ｃでは、図３の発光装置１Ａ及び図１１の発光装置１Ｂと同様に、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”であることが想定されている。図１１の発光装置１Ｂから見て、発光装置１Ｃにおける各発光単位回路Ｕには抵抗Ｒｐが追加されている。抵抗Ｒｐの追加を除き発光装置１Ｃは発光装置１Ｂと同じ構成を有し、当該追加を除き第２実施例の記載が発光装置１Ｃにも適用される。換言すれば、図３の発光装置１Ａから見て、発光装置１Ｃにおける各発光単位回路Ｕには、抵抗Ｒｐ、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂが追加されている。抵抗Ｒｐ、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂの追加を除き発光装置１Ｃは発光装置１Ａと同じ構成を有し、当該追加を除き第１実施例の記載が発光装置１Ｃにも適用される。
第３実施例を説明する。図１２に第３実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｃの構成を示す。発光装置１Ｃでは、図３の発光装置１Ａ及び図１１の発光装置１Ｂと同様に、“Ｍ＝４”、“Ｎ＝２”且つ“Ｌ＝８”であることが想定されている。図１１の発光装置１Ｂから見て、発光装置１Ｃにおける各発光単位回路Ｕには抵抗Ｒｐが追加されている。抵抗Ｒｐの追加を除き発光装置１Ｃは発光装置１Ｂと同じ構成を有し、当該追加を除き第２実施例の記載が発光装置１Ｃにも適用される。換言すれば、図３の発光装置１Ａから見て、発光装置１Ｃにおける各発光単位回路Ｕには、抵抗Ｒｐ、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂが追加されている。抵抗Ｒｐ、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂの追加を除き発光装置１Ｃは発光装置１Ａと同じ構成を有し、当該追加を除き第１実施例の記載が発光装置１Ｃにも適用される。
【0079】
発光装置１Ｃにおける各発光単位回路Ｕは、発光素子ＬＤ、コンデンサＣｒ及び充電用ダイオードＤ、保護ダイオードＤｐ及び逆流阻止ダイオードＤｂに加えて、抵抗Ｒｐを備える。発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における抵抗Ｒｐを抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］と称する。発光装置１Ｃに設けられる８つの発光単位回路Ｕは互いに同じ構成を有するため、８つの発光単位回路Ｕの内、代表して発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］の構成を説明する。
【0080】
発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］において、抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］は保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］に直列接続され、抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］及び保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］の直列回路が、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に並列接続されている。換言すれば、発光装置１Ｃにおいて、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に対し並列回路が並列接続され、当該並列回路は保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］と、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］に直列接続された抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］を含む。
【0081】
より具体的には、保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］のカソードは発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第１端（アノード）に接続される。保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］のアノードは抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］を介して発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の第２端（カソード）に接続される。保護ダイオードＤｐ［ｉ，ｊ］と抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］との配置位置を逆にしても良い。充電用ダイオードＤ［ｉ，ｊ］、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］、逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］及び発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］間の接続関係は第２実施例で述べた通りである。
【0082】
第２実施例で述べたように、逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］の設置により、逆バイアス電圧に基づく電荷の流入及び発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の再発光を抑制できる。但し、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に対する逆バイアス電圧の発生時において逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］にも逆バイアス電圧が加わることで、逆流阻止ダイオードＤｂ［ｉ，ｊ］でのリカバリ電流がコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の再充電に寄与するおそれがある。コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の再充電は、第２実施例で述べたように発光素子ＬＤ［１，１］の再発光を招き、距離センサＤＳＮＳへの利用を想定した場合には距離の検出精度に悪影響を与える。
【0083】
発光装置１Ｃでは抵抗Ｒｐ［ｉ，ｊ］が設けられることで、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の再充電が発光装置１Ｂよりも更に強く抑制される。
【0084】
＜＜第４実施例＞＞
第４実施例を説明する。発光装置１において、各発光用スイッチＳＷｒに対しシャント抵抗Ｒｓを直列接続しても良い。シャント抵抗Ｒｓを有する発光装置１の例として、図１３に発光装置１Ｄの構成を示す。図１３の発光装置１Ｄは、図１２の発光装置１Ｃに対してシャント抵抗Ｒｓを追加したものである。但し、第１実施例の発光装置１Ａ又は第２実施例の発光装置１Ｂに対してシャント抵抗Ｒｓを追加するようにしても良い。
第４実施例を説明する。発光装置１において、各発光用スイッチＳＷｒに対しシャント抵抗Ｒｓを直列接続しても良い。シャント抵抗Ｒｓを有する発光装置１の例として、図１３に発光装置１Ｄの構成を示す。図１３の発光装置１Ｄは、図１２の発光装置１Ｃに対してシャント抵抗Ｒｓを追加したものである。但し、第１実施例の発光装置１Ａ又は第２実施例の発光装置１Ｂに対してシャント抵抗Ｒｓを追加するようにしても良い。
【0085】
発光装置１Ｄにおいてシャント抵抗Ｒｓは発光用スイッチＳＷｒごとに設けられる。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］に対して設けられるシャント抵抗Ｒｓをシャント抵抗Ｒｓ［ｊ］と称する。シャント抵抗Ｒｓ［ｊ］は発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］に直列接続され、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］に流れる全電流が通過する位置にシャント抵抗Ｒｓ［ｊ］が配置される。
【0086】
図１３の発光装置１Ｄにおいて、シャント抵抗Ｒｓ［１］は発光用配線ＷＲｒ［１］と発光用スイッチＳＷｒ［１］との間に直列に挿入され、シャント抵抗Ｒｓ［２］は発光用配線ＷＲｒ［２］と発光用スイッチＳＷｒ［２］との間に直列に挿入される。即ち、シャント抵抗Ｒｓ［ｊ］の第１端は発光用配線ＷＲｒ［ｊ］に接続され、シャント抵抗Ｒｓ［ｊ］の第２端は発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のドレインに接続される。発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］の各ソースはグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される。
【0087】
制御回路４０は、シャント抵抗Ｒｓ［１］で発生する電圧降下（即ちシャント抵抗Ｒｓ［１］の両端間電圧）を検出することで発光用スイッチＳＷｒ［１］に流れる電流を検出することができ、シャント抵抗Ｒｓ［２］で発生する電圧降下（即ちシャント抵抗Ｒｓ［２］の両端間電圧）を検出することで発光用スイッチＳＷｒ［２］に流れる電流を検出することができる。制御回路４０は、それらの電流の検出結果に基づき、各発光素子ＬＤに適正な電流が供給されているか等を判断することができ、必要に応じて電圧源ＶＳの出力電圧Ｖｉｎを可変設定（変更）することもできる。
【0088】
本実施例に示す方法を図１の発光装置１に適用する場合、特に図示しないが、“１≦ｊ≦Ｎ”を満たす各整数ｊについて、発光用配線ＷＲｒ［ｊ］及び発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］間にシャント抵抗Ｒｓ［ｊ］を挿入すれば良い。
【0089】
＜＜第５実施例＞＞
第５実施例を説明する。上述の第１～第４実施例において入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］は互いに独立した４つの入力電圧であっても良い。図１４に第５実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｅの構成を示す。図１３の発光装置１Ｄを基準に、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を互いに独立した４つの入力電圧とする変形を施すことで、発光装置１Ｅが得られる。同様の変形を発光装置１Ａ、１Ｂ又は１Ｃに適用しても良い。図１５は第５実施例に係る電源ブロックＰＢの構成図である。電源ブロックＰＢは発光装置１Ｅに設けられる又は発光装置１Ｅに対して外部接続される。
第５実施例を説明する。上述の第１～第４実施例において入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］は互いに独立した４つの入力電圧であっても良い。図１４に第５実施例に係る発光装置１である発光装置１Ｅの構成を示す。図１３の発光装置１Ｄを基準に、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を互いに独立した４つの入力電圧とする変形を施すことで、発光装置１Ｅが得られる。同様の変形を発光装置１Ａ、１Ｂ又は１Ｃに適用しても良い。図１５は第５実施例に係る電源ブロックＰＢの構成図である。電源ブロックＰＢは発光装置１Ｅに設けられる又は発光装置１Ｅに対して外部接続される。
【0090】
電源ブロックＰＢは、互いに独立した４つの電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］を有し、電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］の夫々に対して、入力コンデンサＣｉｎ及び入力抵抗Ｒｉｎの組が設けられる。電圧源ＶＳ［ｉ］に対して設けられる入力コンデンサＣｉｎ及び入力抵抗Ｒｉｎを夫々入力コンデンサＣｉｎ［ｉ］及び入力抵抗Ｒｉｎ［ｉ］と称する。“１≦ｉ≦４”満たす各整数ｉについて、電圧源ＶＳ［ｉ］、入力コンデンサＣｉｎ［ｉ］及び入力抵抗Ｒｉｎ［ｉ］の組より、入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］が出力される。
【0091】
電圧源ＶＳ［ｉ］はグランドに接続された負側出力端と正側出力端とを有し、正側出力端から正の直流電圧を出力する。電圧源ＶＳ［ｉ］の負側出力端及び正側出力端間に入力コンデンサＣｉｎ［ｉ］が接続される。電圧源ＶＳ［ｉ］の正側出力端が入力抵抗Ｒｉｎ［ｉ］を介して入力配線ＷＲｉｎ［ｉ］に接続される。入力抵抗Ｒｉｎ［ｉ］は、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］に流れる電流が過大にならないように当該電流に制限を加えるものである。入力抵抗Ｒｉｎ［ｉ］で生じる電圧降下は十分に小さいとして無視する。そうすると、電圧源ＶＳ［ｉ］の出力電圧（即ち電圧源ＶＳ［ｉ］の正側出力端における電圧）が入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］として充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のドレインに印加される。
【0092】
発光装置１Ｅでは、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の調整を通じて各発光素子ＬＤの発光強度を調整することができる。例えば、“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］”とした場合、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオン期間におけるコンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［１，２］の充電電圧は、充電用スイッチＳＷｃ［２］のオン期間におけるコンデンサＣｒ［２，１］及びＣｒ［２，２］の充電電圧よりも高まる。結果、発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］の発光強度を、発光素子ＬＤ［２，１］及びＬＤ［２，２］の発光強度よりも高めることができる。
【0093】
発光装置１Ｅを用いて距離センサＤＳＮＳを構成する場合にあっては、測定されるべき距離の範囲に応じて入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を調整すれば良い。より遠方までの距離を測定するために用いられる発光素子ＬＤには、より高い入力電圧を対応付けるといった利用方法が考えられる。
【0094】
尚、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を全て互いに独立させる必要は無い。例えば、電源ブロックＰＢに第１電圧原及び第２電圧源のみを設け、第１電圧源の出力電圧を入力電圧Ｖｉｎ［１］及びＶｉｎ［２］として用いると共に第２電圧源の出力電圧を入力電圧Ｖｉｎ［３］及びＶｉｎ［４］として用いるようにしても良い。
【0095】
＜＜第６実施例＞＞
第６実施例を説明する。第５実施例に係る発光装置１Ｅにおいて、制御回路４０は、シャント抵抗Ｒｓ［１］及びＲｓ［２］を用いて発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］に流れる電流を検出することができ、それらの電流検出結果に基づき入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定して良い。第６実施例では、電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］が可変電圧源であり、制御回路４０の制御の下、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を個別に変更できるよう電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］が構成されるものとする（他の実施例においても同様であって良い）。
第６実施例を説明する。第５実施例に係る発光装置１Ｅにおいて、制御回路４０は、シャント抵抗Ｒｓ［１］及びＲｓ［２］を用いて発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］に流れる電流を検出することができ、それらの電流検出結果に基づき入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定して良い。第６実施例では、電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］が可変電圧源であり、制御回路４０の制御の下、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を個別に変更できるよう電圧源ＶＳ［１］～ＶＳ［４］が構成されるものとする（他の実施例においても同様であって良い）。
【0096】
【0097】
制御回路４０は、“ｉ＝１”であるときの単位動作（即ち第１単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［１］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［１，１］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［１，１］においてシャント抵抗Ｒｓ［１］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］として検出する。
制御回路４０は、“ｉ＝１”であるときの単位動作（即ち第１単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［１，２］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［１，２］においてシャント抵抗Ｒｓ［２］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［１，２］として検出する。
制御回路４０は、“ｉ＝１”であるときの単位動作（即ち第１単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［１，２］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［１，２］においてシャント抵抗Ｒｓ［２］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［１，２］として検出する。
【0098】
同様に、制御回路４０は、“ｉ＝２”であるときの単位動作（即ち第２単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［１］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［２，１］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［２，１］においてシャント抵抗Ｒｓ［１］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，１］として検出する。
制御回路４０は、“ｉ＝２”であるときの単位動作（即ち第２単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［２，２］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［２，２］においてシャント抵抗Ｒｓ［２］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，２］として検出する。
“ｉ＝３”又は“ｉ＝４”であるときも同様である。
制御回路４０は、“ｉ＝２”であるときの単位動作（即ち第２単位動作）において、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［２，２］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［２，２］においてシャント抵抗Ｒｓ［２］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，２］として検出する。
“ｉ＝３”又は“ｉ＝４”であるときも同様である。
【0099】
一般化すると、制御回路４０は、第ｉ単位動作において、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がオフ状態からオン状態に切り替えられてから所定微小時間ΔＴが経過した時刻をサンプリング時刻Ｔｓ［ｉ，ｊ］に設定する。制御回路４０は、サンプリング時刻Ｔｓ［ｉ，ｊ］においてシャント抵抗Ｒｓ［ｊ］で発生する電圧降下をセンス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，ｊ］として検出する。第１～第４単位期間の組は周期的に発生する。第１～第４単位期間の組ごとに、８つのサンプリング時刻Ｔｓが設定されて８つのセンス電圧Ｖｓｎｓが検出される。８つのサンプリング時刻Ｔｓとは、サンプリング時刻Ｔｓ［１，１］、Ｔｓ［１，２］、Ｔｓ［２，１］、Ｔｓ［２，２］、Ｔｓ［３，１］、Ｔｓ［３，２］、Ｔｓ［４，１］及びＴｓ［４，２］を指す。８つのセンス電圧Ｖｓｎｓとは、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］、Ｖｓｎｓ［１，２］、Ｖｓｎｓ［２，１］、Ｖｓｎｓ［２，２］、Ｖｓｎｓ［３，１］、Ｖｓｎｓ［３，２］、Ｖｓｎｓ［４，１］及びＶｓｎｓ［４，２］を指す。
【0100】
所定微小時間ΔＴは上述の所定時間ｔｒ＿ｏｎより短い（図４のステップＳ１３参照）。故に、サンプリング時刻Ｔｓ［ｉ，ｊ］は発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のオン期間に属し、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の蓄積電荷による放電電流が発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］及び発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］を通じて流れる期間に属する。センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，ｊ］は、サンプリング時刻Ｔｓ［ｉ，ｊ］にて発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］に流れる電流の検出値を表すと共に、発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の発光期間中に発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に流れる電流の検出値を表す。発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］に流れる電流の増大に伴って発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の発光強度は増大するため、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，ｊ］が大きいほど発光素子ＬＤ［ｉ，ｊ］の発光強度は大きい。
【0101】
制御回路４０は、８つのセンス電圧Ｖｓｎｓの全部又は一部に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定できる。
【0102】
例えば制御回路４０は第１電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第１電流指定制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，１］が所定の指定電圧Ｖｓｐｃと一致するよう入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［ｉ，１］の発光強度を指定強度にて発光させることができる。制御回路４０は、“１≦ｉ≦４”を満たす任意の整数ｉについて、第１電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第１電流指定制御において、“Ｖｓｎｓ［ｉ，１］＜Ｖｓｐｃ”であれば入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を増大補正し、“Ｖｓｎｓ［ｉ，１］＞Ｖｓｐｃ”であれば入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を減少補正すれば良い。
【0103】
或いは例えば制御回路４０は第２電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第２電流指定制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，２］が所定の指定電圧Ｖｓｐｃと一致するよう入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［ｉ，２］の発光強度を指定強度にて発光させることができる。制御回路４０は、“１≦ｉ≦４”を満たす任意の整数ｉについて、第２電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第２電流指定制御において、“Ｖｓｎｓ［ｉ，２］＜Ｖｓｐｃ”であれば入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を増大補正し、“Ｖｓｎｓ［ｉ，２］＞Ｖｓｐｃ”であれば入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を減少補正すれば良い。
【0104】
更に或いは例えば制御回路４０は第３電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第３電流指定制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，１］及びＶｓｎｓ［ｉ，２］の平均が所定の指定電圧Ｖｓｐｃと一致するよう入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［ｉ，１］及びＬＤ［ｉ，２］の平均発光強度を指定強度とすることができる。制御回路４０は、“１≦ｉ≦４”を満たす任意の整数ｉについて、第３電流指定制御を行うことができる。制御回路４０は、第３電流指定制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，１］及びＶｓｎｓ［ｉ，２］の平均が指定電圧Ｖｓｐｃより低ければ入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を増大補正し、センス電圧Ｖｓｎｓ［ｉ，１］及びＶｓｎｓ［ｉ，２］の平均が指定電圧Ｖｓｐｃより高ければ入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］を減少補正すれば良い。
【0105】
また例えば制御回路４０は第１均等化制御を行うことができる。制御回路４０は、第１均等化制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］、Ｖｓｎｓ［２，１］、Ｖｓｎｓ［３，１］及びＶｓｎｓ［４，１］が均等（同一）になるよう、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，１］の発光強度を均等にすることができる。発光素子ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，１］をまとめたモジュールを形成する場合に第１均等化制御が採用されたとき、当該モジュールでの熱応力を低く抑えることができる。制御回路４０は、第１均等化制御において、例えば、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］が他のセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，１］、Ｖｓｎｓ［３，１］及びＶｓｎｓ［４，１］より低ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を増大補正し、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］が他のセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，１］、Ｖｓｎｓ［３，１］及びＶｓｎｓ［４，１］より高ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を減少補正すれば良い。
【0106】
また例えば制御回路４０は第２均等化制御を行うことができる。制御回路４０は、第２均等化制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，２］、Ｖｓｎｓ［２，２］、Ｖｓｎｓ［３，２］及びＶｓｎｓ［４，２］が均等（同一）になるよう、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［１，２］～ＬＤ［４，２］の発光強度を均等にすることができる。発光素子ＬＤ［１，２］～ＬＤ［４，２］をまとめたモジュールを形成する場合に第２均等化制御が採用されたとき、当該モジュールでの熱応力を低く抑えることができる。制御回路４０は、第２均等化制御において、例えば、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，２］が他のセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，２］、Ｖｓｎｓ［３，２］及びＶｓｎｓ［４，２］より低ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を増大補正し、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，２］が他のセンス電圧Ｖｓｎｓ［２，２］、Ｖｓｎｓ［３，２］及びＶｓｎｓ［４，２］より高ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を減少補正すれば良い。
【0107】
また例えば制御回路４０は第３均等化制御を行うことができる。制御回路４０は、第３均等化制御において、センス電圧Ｖｓｎｓ［１，１］及びＶｓｎｓ［１，２］の平均である第１平均電圧と、センス電圧Ｖｓｎｓ［２，１］及びＶｓｎｓ［２，２］の平均である第２平均電圧と、センス電圧Ｖｓｎｓ［３，１］及びＶｓｎｓ［３，２］の平均である第３平均電圧と、センス電圧Ｖｓｎｓ［４，１］及びＶｓｎｓ［４，２］の平均である第４平均電圧とを求め、第１～第４平均電圧が均等（同一）になるよう、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］を調整する。これにより、発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］の平均発光強度と、発光素子ＬＤ［２，１］及びＬＤ［２，２］の平均発光強度と、発光素子ＬＤ［３，１］及びＬＤ［３，２］の平均発光強度と、発光素子ＬＤ［４，１］及びＬＤ［４，２］の平均発光強度と、を均等にすることができる。これは発光装置１Ｅ内の発熱分布の均質化に繋がる。制御回路４０は、第３均等化制御において、例えば、第１平均電圧が第２～第４平均電圧より低ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を増大補正し、第１平均電圧が第２～第４平均電圧より高ければ入力電圧Ｖｉｎ［１］を減少補正すれば良い。
【0108】
発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］に流れる電流を検出する代わりに、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］に流れる電流を個別に検出する第１変形検出方法が採用されても良い。この場合例えば、入力配線ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［４］の夫々にシャント抵抗（不図示）を挿入して、各シャント抵抗の電圧降下を検出すれば良い。そして、制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］に流れる電流の検出結果に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定しても良い。この際、第１、第２若しくは第３電流指定制御、又は、第１、第２若しくは第３均等化制御と同等の作用が得られるよう、制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］に流れる電流の検出結果に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定しても良い。
【0109】
発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］に流れる電流を検出する代わりに、８つの発光素子ＬＤに流れる電流を個別に検出する第２変形検出方法が採用されても良い。この場合例えば、各発光単位回路Ｕにおいて、発光素子ＬＤ及び出力ノードＹ間に、又は、発光素子ＬＤ及び充電用ダイオードＤ間に、シャント抵抗（不図示）を挿入して、各シャント抵抗の電圧降下を検出すれば良い。そして、制御回路４０は、８つの発光素子ＬＤに流れる電流の検出結果に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定しても良い。この際、第１、第２若しくは第３電流指定制御、又は、第１、第２若しくは第３均等化制御と同等の作用が得られるよう、制御回路４０は、８つの発光素子ＬＤに流れる電流の検出結果に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定しても良い。
【0110】
各発光素子ＬＤの発光強度を検出する光検出回路（不図示）を、発光装置１（ここでは発光装置１Ｅ）に設けておいても良い。そして、第１、第２若しくは第３電流指定制御、又は、第１、第２若しくは第３均等化制御と同等の作用が得られるよう、制御回路４０は、光検出回路の検出結果に基づき、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］の内、１以上の入力電圧を可変設定しても良い。
【0111】
＜＜第７実施例＞＞
第７実施例を説明する。第５実施例に係る発光装置１Ｅにおいて、制御回路４０は、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］間の高低関係に基づき、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］のオンデューティを可変設定することができる。これについて、以下、説明を加える。尚、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオンデューティとは、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間と充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオフ期間との和に対する充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間の割合を指す。
第７実施例を説明する。第５実施例に係る発光装置１Ｅにおいて、制御回路４０は、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［４］間の高低関係に基づき、充電用スイッチＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［４］のオンデューティを可変設定することができる。これについて、以下、説明を加える。尚、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオンデューティとは、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間と充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオフ期間との和に対する充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間の割合を指す。
【0112】
第７実施例において制御回路４０は上述の第１～第４単位動作を行うことができる（図４及び８参照）。この際、制御回路４０は第１～第４単位動作の夫々を周期的に実行することができる。図４の基本発光制御では、第１単位動作の実行周期、第２単位動作の実行周期、第３単位動作の実行周期及び第４単位動作の実行周期は互いに等しく、基本発光制御の実行周期と一致する。
【0113】
これに対し、第７実施例に係る制御回路４０は、第１単位動作の実行周期と、第２単位動作の実行周期と、第３単位動作の実行周期と、第４単位動作の実行周期と、を個別に設定及び変更できる。第ｉ単位動作の実行周期の長さを記号“ｔＰＥＲＩＯＤ［ｉ］”にて表す。一方、１回分の第ｉ単位動作において充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間の長さは所定時間ｔｃ＿ｏｎである（図４参照）。即ち、制御回路４０は、時間ｔＰＥＲＩＯＤ［ｉ］の内、所定時間ｔｃ＿ｏｎだけ充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］をオン状態とする。すると、充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオンデューティは“ｔｃ＿ｏｎ／ｔＰＥＲＩＯＤ［ｉ］”である。
【0114】
第７実施例に係る制御回路４０は、入力電圧Ｖｉｎ［ｐ］が入力電圧Ｖｉｎ［ｑ］よりも高いとき、充電用スイッチＳＷｃ［ｐ］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［ｑ］のオンデューティよりも低く設定する。ここにおけるｐ及びｑはＭ以下の互いに異なる自然数を表し、発光装置１Ｅでは“Ｍ＝４”である。具体的には例えば、“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］”であるとき、制御回路４０は、“ｔＰＥＲＩＯＤ［１］＞ｔＰＥＲＩＯＤ［２］”とすることで、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［２］のオンデューティよりも低く設定する。この際、“Ｖｉｎ［２］＝Ｖｉｎ［３］＝Ｖｉｎ［４］”の成否は問わない。
【0115】
“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］”であるとき、入力電圧Ｖｉｎ［１］及び充電用スイッチＳＷｃ［１］に対応する発光素子ＬＤ（ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］）の発光強度が、入力電圧Ｖｉｎ［２］及び充電用スイッチＳＷｃ［２］に対応する発光素子ＬＤ（ＬＤ［２，１］及びＬＤ［２，２］）の発光強度よりも高くなり、その分、一度の発光あたりの発熱量は前者の発光素子ＬＤにおいて後者の発光素子ＬＤよりも大きくなる。この際、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［２］のオンデューティよりも低く設定することで（換言すれば、第１単位動作の実行周期を第２単位動作の実行周期よりも低く設定することで）、複数の発光素子ＬＤ間の発熱量の差を低減することができる。
【0116】
例えば“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］＝Ｖｉｎ［３］＝Ｖｉｎ［４］”であるときに、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［２］～ＳＷｃ［４］の各オンデューティよりも低く設定することで、発光素子ＬＤ［１，１］の発熱量と発光素子ＬＤ［２，１］～［４，１］の各発熱量との差を低減することができる。そうすると、発光素子ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，１］をまとめたモジュールを形成する場合に、当該モジュールでの熱応力を低く抑えることができる。発光素子ＬＤ［１，２］～ＬＤ［４，２］をまとめたモジュールを形成する場合も同様である。モジュールを形成しない場合においても、上述の方法によりオンデューティを設定することで複数の発光素子ＬＤ間の発熱量の差を低減することができるので、複数の発光素子ＬＤが実装される基板での熱応力を低減することができる。
【0117】
尚、第７実施例で上述したオンデューティの設定方法の実施は任意である。従って例えば“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］”であるとき、制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［２］のオンデューティと一致させることも可能であるし、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオンデューティを充電用スイッチＳＷｃ［２］のオンデューティよりも高く設定することも可能である。
【0118】
＜＜第８実施例＞＞
第８実施例を説明する。上述の基本発光制御（図４参照）では第１～第４単位動作を互いに異なるタイミングで実行しているが、制御回路４０は、複数の充電用スイッチＳＷｃが同時にオンされる制御を含む発光制御を行うようにしても良い。
第８実施例を説明する。上述の基本発光制御（図４参照）では第１～第４単位動作を互いに異なるタイミングで実行しているが、制御回路４０は、複数の充電用スイッチＳＷｃが同時にオンされる制御を含む発光制御を行うようにしても良い。
【0119】
例えば、上述の基本発光制御において第１単位動作と第３単位動作を同時に実行する変形がされても良い（図８も参照）。当該変形された基本発光制御を第８実施例の発光制御と称する。第８実施例の発光制御では混合単位動作と第２及び第４単位動作が実行される。混合単位動作において、制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］及びＳＷｃ［３］を同時に所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとし、充電用スイッチＳＷｃ［１］及びＳＷｃ［３］をオフに切り替えた後に発光用スイッチＳＷｒ［１］及びＳＷｒ［２］を順次所定時間ｔｒ＿ｏｎだけオンとする。第８実施例の発光制御において、混合単位動作と第２単位動作と第４単位動作とは互いに異なるタイミングで実行される。但し、第２及び第４単位動作も同時に実行するようにしても良い。
【0120】
図１７に、混合単位動作において充電用スイッチＳＷｃ［１］及びＳＷｃ［３］が同時にオンとされるときの充電電流の流れを示す。混合単位動作における充電用スイッチＳＷｃ［１］及びＳＷｃ［３］のオン期間において、コンデンサＣｒ［１，１］、Ｃｒ［１，２］、Ｃｒ［３，１］及びＣｒ［３，２］が同時に充電される。
【0121】
混合単位動作において、発光用スイッチＳＷｒ［１］のオン期間ではコンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［３，１］の蓄積電荷に基づき発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［３，１］が同時に発光し、発光用スイッチＳＷｒ［２］のオン期間ではコンデンサＣｒ［１，２］及びＣｒ［３，２］の蓄積電荷に基づき発光素子ＬＤ［１，２］及びＬＤ［３，２］が同時に発光する。複数の発光素子ＬＤの同時発光により高い発光強度を得ることができる。
【0122】
尚、図１７では例として、発光装置１Ａにおける混合単位動作が示されているが、第８実施例の発光制御は発光装置１Ａ～１Ｅの何れに対しても適用できるし、図１の発光装置１に対して広く適用できる。図１の発光装置１において、２以上且つＭ個以下の任意の個数の充電用スイッチＳＷｃが同時にオンとされても良い。
【0123】
また、発光装置１において、２以上且つＮ個以下の任意の個数の発光用スイッチＳＷｒが同時にオンとされても良い。
【0124】
＜＜第９実施例＞＞
第９実施例を説明する。発光装置１に設けられる全発光単位回路Ｕの内、一部の発光単位回路Ｕにおいて充電用ダイオードＤは省略されても良い。一部の充電用ダイオードＤの省略により部品点数の削減及びコストの低減が図られる。以下、便宜上、充電用ダイオードＤを有する発光単位回路Ｕを第１種類の発光単位回路Ｕと称し、充電用ダイオードＤを有さない発光単位回路Ｕを第２種類の発光単位回路Ｕと称する。
第９実施例を説明する。発光装置１に設けられる全発光単位回路Ｕの内、一部の発光単位回路Ｕにおいて充電用ダイオードＤは省略されても良い。一部の充電用ダイオードＤの省略により部品点数の削減及びコストの低減が図られる。以下、便宜上、充電用ダイオードＤを有する発光単位回路Ｕを第１種類の発光単位回路Ｕと称し、充電用ダイオードＤを有さない発光単位回路Ｕを第２種類の発光単位回路Ｕと称する。
【0125】
図１８に、第１種類の発光単位回路Ｕと第２種類の発光単位回路Ｕとを備える発光装置１の例として、発光装置１Ｅ＿ａを示す。発光装置１Ｅ＿ａは、第５実施例に係る発光装置１Ｅ（図１４参照）から充電用ダイオードＤ［１，１］、Ｄ［２，１］、Ｄ［３，１］及びＤ［４，１］を削除した構成を有し、当該削除を除き、発光装置１Ｅ＿ａは発光装置１Ｅと同じ構成を有する。但し、当該削除に伴い、“１≦ｉ≦４”を満たす各整数ｉについて、コンデンサＣｒ［ｉ，１］の第１端は入力ノードＸ［ｉ，１］に直接接続される（従って充電用配線ＷＲｃ［ｉ］に直接接続される）。尚、充電用ダイオードＤ［１，１］、Ｄ［２，１］、Ｄ［３，１］及びＤ［４，１］を削除する変形は、発光装置１Ａ～１Ｄの何れに対しても適用できる。
【0126】
発光装置１Ｅ＿ａにおいて、発光単位回路Ｕ［１，２］～Ｕ［４，２］は第１種類の発光単位回路Ｕであり、発光単位回路Ｕ［１，１］～Ｕ［４，１］は第２種類の発光単位回路Ｕである。発光装置１Ｅ＿ａにおいて上述の基本発光制御（図４及び図８参照）が実行されることを考える。基本発光制御における第１単位動作において充電用スイッチＳＷｃ［１］が所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとされた後、発光用スイッチＳＷｒ［１］がオンとされたとき（図５及び図６参照）、発光装置１Ｅ＿ａでは、充電用ダイオードＤ［１，２］の存在によりコンデンサＣｒ［１，２］の放電は抑止される。その後、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオンとされると、図７に示されるものと同様にコンデンサＣｒ［１，２］の放電が行われる。つまり、発光装置１Ｅ＿ａでは充電用ダイオードＤ［１，１］が無くとも充電用ダイオードＤ［１，１］が設置された場合と同等の第１単位動作を実行できる。第２～第４単位動作についても同様である。
【0127】
＜＜第１０実施例＞＞
第１０実施例を説明する。上述の任意の発光装置１において各充電用ダイオードＤを抵抗に置換する変形を施しても良い。当該変形が施された発光装置１の例として図１９に発光装置１Ｅ＿ｂを示す。
第１０実施例を説明する。上述の任意の発光装置１において各充電用ダイオードＤを抵抗に置換する変形を施しても良い。当該変形が施された発光装置１の例として図１９に発光装置１Ｅ＿ｂを示す。
【0128】
発光装置１Ｅ＿ｂは、第５実施例に係る発光装置１Ｅ（図１４参照）を基準に各充電用ダイオードＤを直列抵抗Ｒａに置換した構成を持つ。当該置換を除き、発光装置１Ｅ＿ｂは発光装置１Ｅと同じ構成を有する。発光装置１Ｅ＿ｂにおいて発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］における直列抵抗Ｒａを直列抵抗Ｒａ［ｉ，ｊ］と称する。発光装置１Ｅ＿ｂでは、発光単位回路Ｕ［ｉ，ｊ］においてコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に対して直列抵抗Ｒａ［ｉ，ｊ］が直列接続され、コンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端と入力ノードＸ［ｉ，ｊ］との間に（従ってコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］の第１端と充電用配線ＷＲｃ［ｉ］との間に）直列抵抗Ｒａ［ｉ，ｊ］が挿入される。このため、発光装置１Ｅ＿ｂでは、充電切り替え回路２０からコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］への充電電流は直列抵抗Ｒａ［ｉ，ｊ］を通じてコンデンサＣｒ［ｉ，ｊ］に供給される。尚、充電用ダイオードＤを直列抵抗Ｒａに置換する変形は、発光装置１Ａ～１Ｄの何れに対しても適用できる。
【0129】
発光装置１Ｅ＿ｂにおいて上述の基本発光制御（図４及び図８参照）が実行されることを考える。基本発光制御における第１単位動作において充電用スイッチＳＷｃ［１］が所定時間ｔｃ＿ｏｎだけオンとされた後、発光用スイッチＳＷｒ［１］がオンとされたとき（図５及び図６参照）、発光装置１Ｅ＿ｂでは、コンデンサＣｒ［１，１］だけでなくコンデンサＣｒ［１，２］も発光素子ＬＤ［１，１］に向けて放電される。しかしながら、直列抵抗Ｒａ［１，２］及びＲａ［１，１］の存在によりコンデンサＣｒ［１，２］の放電電荷量は軽減され、第１単位動作にて発光用スイッチＳＷｒ［１］がオフとなった後もコンデンサＣｒ［１，２］はある程度充電された状態にある。その後、発光用スイッチＳＷｒ［２］がオンとされると、図７に示されるものと同様にコンデンサＣｒ［１，２］の放電が行われる。但し、発光用スイッチＳＷｒ［１］のオン期間にてコンデンサＣｒ［１，２］が放電された分だけ、コンデンサＣｒ［１，２］の放電電荷量は少なくなり、結果、発光素子ＬＤ［１，１］と比べて発光素子ＬＤ［１，２］の発光強度は小さくなる。
【0130】
故に、発光素子ＬＤ［１，１］と比べて発光素子ＬＤ［１，２］の発光強度を小さくすることが希望される場合に、第１０実施例に係る方法は好適である。各直列抵抗Ｒａの値の調整を通じて、発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］間の発光強度の差を任意に調整できる。発光素子ＬＤ［２，１］及びＬＤ［２，２］の組み合わせ等についても同様である。
【0131】
＜＜第１１実施例＞＞
第１１実施例を説明する。各発光用スイッチＳＷｒは複数のスイッチング素子の並列回路にて構成されていても良い。図２０に、１つの発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］が２つのスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの並列回路にて構成される例を示す。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］について以下に述べる内容は、“１≦ｊ≦Ｎ”を満たす各整数ｊに対して適用される。
第１１実施例を説明する。各発光用スイッチＳＷｒは複数のスイッチング素子の並列回路にて構成されていても良い。図２０に、１つの発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］が２つのスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの並列回路にて構成される例を示す。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］について以下に述べる内容は、“１≦ｊ≦Ｎ”を満たす各整数ｊに対して適用される。
【0132】
スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂはＮチャネルのＭＯＳＦＥＴである。発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］において、スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの各ドレインは発光用配線ＷＲｒ［ｊ］に接続され、スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの各ソースはグランド配線ＷＲｇｎｄに接続される。図２０には示されないが、スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの各ドレインと発光用配線ＷＲｒ［ｊ］との間にシャント抵抗Ｒｓ［ｊ］が挿入され得る。制御回路４０は、スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの各ゲートに対してハイレベル又はローレベルのゲート信号を供給することで、スイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂを個別にオン又はオフに制御する。
【0133】
発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］がスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの並列回路で構成される場合、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のオン状態とは、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］のスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの内、双方がオンとされる状態であっても良いし、何れか一方のみがオンとされる状態であっても良い。
【0134】
図２１に第１１実施例に係る発光装置１Ｅ＿ｃを示す。各発光用スイッチＳＷをスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂにて構成する変形を図１４の発光装置１Ｅに適用することで発光装置１Ｅ＿ｃが得られる。同様の変形を発光装置１Ａ～１Ｄの何れかに適用しても良い。発光装置１Ｅ＿ｃにおいて以下のような発光制御を行うことができる。
【0135】
即ち例えば、制御回路４０は、第１及び第３単位動作において発光用スイッチＳＷｒ［１］をオンに制御するときには発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷａのみをオンとし、第２及び第４単位動作において発光用スイッチＳＷｒ［１］をオンに制御するときには発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷｂのみをオンとする。これにより、発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［３，１］に流れる電流は発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷａを通過し、発光素子ＬＤ［２，１］及びＬＤ［４，１］に流れる電流は発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷｂを通過する。結果、発光用スイッチＳＷｒ［１］での発熱をスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂにて分散することができる。
【0136】
また、発光用スイッチＳＷｒ［１］が単体のスイッチング素子で構成される場合、発光素子ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，１］と当該単体のスイッチング素子との配線長が比較的長くなる可能性がある。配線長の増大はインダクタンス成分の増大を招く。発光用スイッチＳＷｒ［１］を複数のスイッチング素子にて構成することは配線長の短縮に繋がる。発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷａを出力ノードＹ［１，１］及びＹ［３，１］の近辺に配置し、発光用スイッチＳＷｒ［１］のスイッチング素子ＳＷｂを出力ノードＹ［２，１］及びＹ［４，１］の近辺に配置するといったことが可能になるからである。
【0137】
発光用スイッチＳＷｒ［２］についても同様である。即ち制御回路４０は、第１及び第３単位動作において発光用スイッチＳＷｒ［２］をオンに制御するときには発光用スイッチＳＷｒ［２］のスイッチング素子ＳＷａのみをオンとし、第２及び第４単位動作において発光用スイッチＳＷｒ［２］をオンに制御するときには発光用スイッチＳＷｒ［２］のスイッチング素子ＳＷｂのみをオンとすることができる。
【0138】
発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］が２つのスイッチング素子ＳＷａ及びＳＷｂの並列回路にて構成されるときの具体的動作例を説明したが、発光用スイッチＳＷｒ［ｊ］は３以上のスイッチング素子の並列回路にて構成されていても良い。
【0139】
＜＜第１２実施例＞＞
第１２実施例を説明する。上述の各実施例では、基本的に充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間においてコンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］の両端子間電圧が入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］にまで高められることを想定している（充電用ダイオードＤの順方向電圧を無視）。この想定の下、発光装置１Ｅの構成の採用により（図１４及び図１５）、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］を相違させることを通じて複数の発光素子ＬＤ間で発光強度を異ならせることができる。
第１２実施例を説明する。上述の各実施例では、基本的に充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン期間においてコンデンサＣｒ［ｉ，１］～Ｃｒ［ｉ，Ｎ］の両端子間電圧が入力電圧Ｖｉｎ［ｉ］にまで高められることを想定している（充電用ダイオードＤの順方向電圧を無視）。この想定の下、発光装置１Ｅの構成の採用により（図１４及び図１５）、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］を相違させることを通じて複数の発光素子ＬＤ間で発光強度を異ならせることができる。
【0140】
但し、入力電圧Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］が共通とされる発光装置１（例えば発光装置１Ａ～１Ｄの何れか）において、以下の変形充電方法の採用により、複数の発光素子ＬＤ間で発光強度を異ならせても良い。発光装置１Ａ～１Ｄを例にとり、変形充電方法を説明する（例えば図３参照）。
【0141】
第ｉ単位期間における充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］のオン時間を記号“ｔｃ＿ｏｎ［ｉ］”にて表す。オン時間ｔｃ＿ｏｎ［ｉ］は、第ｉ単位期間にて充電用スイッチＳＷｃ［ｉ］がオン状態に保たれる時間（時間の長さ）を表す。上述の第１実施例等では共通の所定時間ｔｃ＿ｏｎがオン時間ｔｃ＿ｏｎ［１］～ｔｃ＿ｏｎ［４］に設定されることが想定されているが、変形充電方法に係る制御回路４０は、オン時間ｔｃ＿ｏｎ［１］～ｔｃ＿ｏｎ［４］を個別に設定でき、オン時間ｔｃ＿ｏｎ［１］～ｔｃ＿ｏｎ［４］の内、２以上のオン時間を互いに異ならせることができる。
【0142】
例えば、発光装置１Ａ～１Ｄにおいて変形充電方法に係る制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［１］のオン期間にてコンデンサＣｒ［１，１］及びＣｒ［１，２］の両端子間電圧が入力電圧Ｖｉｎにまで高められるよう、オン時間ｔｃ＿ｏｎ［１］を十分に長く設定する。これに対し、発光装置１Ａ～１Ｄにおいて変形充電方法に係る制御回路４０は、充電用スイッチＳＷｃ［２］のオン期間にてコンデンサＣｒ［２，１］及びＣｒ［２，２］の両端子間電圧が電圧（Ｖｉｎ／２）までしか高まらないよう、オン時間ｔｃ＿ｏｎ［２］をオン時間ｔｃ＿ｏｎ［１］よりも短く設定する。そうすると、各発光素子ＬＤを発光させる際、発光素子ＬＤ［１，１］及びＬＤ［１，２］の発光強度と比べて、発光素子ＬＤ［２，１］及びＣｒ［２，２］の発光強度を低くすることができる。即ち、発光装置１Ｅにおいて“Ｖｉｎ［１］＞Ｖｉｎ［２］”に設定したときと同様の効果が得られる。
【0143】
＜＜第１３実施例＞＞
第１３実施例を説明する。
第１３実施例を説明する。
【0144】
発光素子ＬＤは電流の供給を受けて発光する任意の種類の発光素子であって良い。従って例えば、発光素子ＬＤは発光ダイオード（ＬＥＤ）であっても良く、有機エレクトロルミネッセンスを実現する有機ＬＥＤでも良い。
【0145】
任意の信号又は電圧に関して、上述の主旨を損なわない形で、それらのハイレベルとローレベルの関係は上述したものの逆とされ得る。
【0146】
各実施形態に示されたＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のチャネルの種類は例示である。上述の主旨を損なわない形で、任意のＦＥＴのチャネルの種類はＰチャネル型及びＮチャネル型間で変更され得る。
【0147】
不都合が生じない限り、上述の任意のトランジスタは、任意の種類のトランジスタであって良い。例えば、ＭＯＳＦＥＴとして上述された任意のトランジスタを、不都合が生じない限り、接合型ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はバイポーラトランジスタに置き換えることも可能である。任意のトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極を有する。ＦＥＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がドレインで他方がソースであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴに属さないバイポーラトランジスタにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がベースである。
【0148】
また、充電用スイッチＳＷｃについては高速動作の必要性が少ないため、半導体によるスイッチング素子ではなく、リレースイッチ（電磁リレー）を充電用スイッチＳＷｃとして用いても良い。
【0149】
本開示の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本開示の実施形態の例であって、本開示ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
【0150】
＜＜付記＞＞
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
【0151】
本開示の一側面に係る発光装置（１；図１及び図２等参照）は、各々が電流の供給を受けて発光するよう構成された発光素子（ＬＤ）及び前記発光素子への供給用電荷を蓄積するよう構成されたコンデンサ（Ｃｒ）を有する第１～第Ｌ発光単位回路（Ｌ個の発光単位回路Ｕ）と、第１～第Ｍ充電用スイッチ（ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］）を有し、各コンデンサへの充電電流の供給又は非供給を切り替えるよう構成された充電切り替え回路（２０）と、第１～第Ｎ発光用スイッチ（ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］）を有し、各発光単位回路における前記コンデンサの蓄積電荷の前記発光素子への供給又は非供給を切り替えるよう構成された発光切り替え回路（３０）と、各充電用スイッチ及び各発光用スイッチの状態を制御するよう構成された制御回路（４０）と、備え、各充電用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、２以上の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｍ充電用スイッチにおける２つの充電用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、他方の充電用スイッチに対応付けられる前記２以上の発光単位回路と、は互いに異なり、第１～第Ｍ充電用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記２以上の発光単位回路中の各コンデンサに対する充電電流の供給又は非供給を切り替え、各発光用スイッチは、第１～第Ｌ発光単位回路の内、複数の発光単位回路に対応付けられ、第１～第Ｎ発光用スイッチにおける２つの発光用スイッチの組み合わせの夫々について、一方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、他方の発光用スイッチに対応付けられる前記複数の発光単位回路と、は互いに異なり、第１～第Ｎ発光用スイッチの夫々は、自身に対応付けられた前記複数の発光単位回路について、前記発光素子に対する前記コンデンサの蓄積電荷の供給又は非供給を切り替え、Ｌは４以上の整数を表し、Ｍ及びＮは２以上の整数を表す構成（第１の構成）である。
【0152】
これにより、図９に示すような構成との比較において、回路サイズを低減することができる。
【0153】
上記第１の構成に係る発光装置において（例えば第２実施例、図１１参照）、各発光単位回路において前記コンデンサは第１端及び第２端を有し、各発光単位回路において、前記充電切り替え回路を通じて充電電流が前記コンデンサに供給されるとき、前記コンデンサの第２端の電位から見て前記第コンデンサの第１端の電位が高まり、各発光単位回路において、前記発光素子は第１端及び第２端を有し、前記発光素子の第１端から前記発光素子の第２端に向けて電流が流れることで前記発光素子が発光し、各発光単位回路において、前記発光素子に対して保護ダイオード（Ｄｐ）を含む並列回路が並列接続され、前記保護ダイオードの順方向は前記発光素子の第２端から前記発光素子の第１端に向かう向きであり、各発光単位回路において、前記コンデンサの第１端と前記発光素子の第１端との間に逆流阻止ダイオード（Ｄｂ）が挿入され、前記逆流阻止ダイオードの順方向は前記コンデンサの第１端から前記発光素子の第１端に向かう向きである構成（第２の構成）であっても良い。
【0154】
保護ダイオードの設置により、発光素子へ過大な逆バイアス電圧が印加されることが抑制される。逆流阻止ダイオードの設置により、保護ダイオードを通じた電荷のコンデンサへの流入が抑制される。
【0155】
上記第２の構成に係る発光装置において（例えば第３実施例、図１２参照）、各発光単位回路において、前記並列回路は前記保護ダイオードに直列接続された抵抗（Ｒｐ）を含む構成（第３の構成）であっても良い。
【0156】
これにより、保護ダイオードを通じた電荷のコンデンサへの流入を更に抑制することができる。
【0157】
上記第２又は第３の構成に係る発光装置において、各発光単位回路は充電用ダイオード（Ｄ）を有し、各発光単位回路において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される構成（第４の構成）であっても良い。
【0158】
上記第２又は第３の構成に係る発光装置において（第９実施例、図１８参照）、各発光単位回路は第１種類の発光単位回路又は第２種類の発光単位回路であって、第１～第Ｌ発光単位回路は第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路を夫々に２以上含み、第１種類の発光単位回路及び第２種類の発光単位回路の内、第１種類の発光単位回路のみに充電用ダイオード（Ｄ）が設けられ、２以上の第１種類の発光単位回路の夫々において、前記充電用ダイオードは前記コンデンサに直列接続され、前記充電用ダイオードは前記充電切り替え回路から前記コンデンサに向かう向きに順方向を有し、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記充電用ダイオードを通じて前記コンデンサに供給される構成（第５の構成）であっても良い。
【0159】
上記第２又は第３の構成に係る発光装置において（第１０実施例、図１９参照）、各発光単位回路は直列抵抗（Ｒａ）を有し、各発光単位回路において、前記直列抵抗は前記コンデンサに直列接続され、前記充電切り替え回路から前記コンデンサへの充電電流は前記直列抵抗を通じて前記コンデンサに供給される構成（第６の構成）であっても良い。
【0160】
上記第１～第６の構成の何れかに係る発光装置において、Ｌ＞Ｍ＋Ｎが満たされる構成（第７の構成）であっても良い。
【0161】
これにより、図９に示すような構成との比較において、スイッチの必要数などを低減することができる。
【0162】
上記第１～第７の構成の何れかに係る発光装置において、第１～第Ｎ発光用スイッチに流れる電流を個別に検出するための第１～第Ｎシャント抵抗（図１３ではＲｓ［１］及びＲｓ［２］）を更に備える構成（第８の構成）であっても良い。
【0163】
上記第１～第７の構成の何れかに係る発光装置において（図１参照）、各発光単位回路は第１～第Ｎ発光グループ（ＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］）の何れかに属し、第ｊ発光グループに属する各発光単位回路は第ｊ発光用スイッチ（ＳＷｒ［ｊ］）に対応付けられ、各発光グループはＭ個の発光単位回路（Ｕ［１，ｊ］～Ｕ［Ｍ，ｊ］）を含み、第ｉ充電用スイッチに対し、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路（Ｕ［ｉ，ｊ］）が対応付けられ、ｉはＭ以下の自然数を表し、ｊはＮ以下の自然数を表す構成（第９の構成）であっても良い。
【0164】
上記第９の構成に係る発光装置において（図１参照）、第１～第Ｍ充電用スイッチの第１端は、夫々、第１～第Ｍ入力配線（ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］）に接続され、第１～第Ｍ入力配線には夫々第１～第Ｍ入力電圧（Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］）が加わり、第１～第Ｍ充電用スイッチの第２端は、夫々、第１～第Ｍ充電用配線（ＷＲｃ［１］～ＷＲｃ［Ｍ］）に接続され、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路（Ｕ［ｉ，ｊ］）は第ｉ充電用配線（ＷＲｃ［ｉ］）に接続され、第ｉ充電用スイッチがオンであるとき、第ｉ入力電圧に基づく充電電流が、第ｉ充電用スイッチ及び第ｉ充電用配線を通じ、各発光グループにおける第ｉ番目の発光単位回路中の前記コンデンサに供給される充電動作が実行され、第ｉ充電用スイッチがオフであるとき前記充電動作が非実行とされ、第１～第Ｎ発光用スイッチの第１端は、夫々、第１～第Ｎ発光用配線（ＷＲｒ［１］～ＷＲｒ［Ｎ］）に接続され、第１～第Ｎ発光用スイッチの各第２端は基準電位を有する基準配線（ＷＲｇｎｄ）に接続され、第ｊ発光グループに属する各発光単位回路（Ｕ［１，ｊ］～Ｕ［Ｍ，ｊ］）は第ｊ発光用配線（ＷＲｒ［ｊ］）に接続され、第ｊ発光グループに属する各発光単位回路において前記コンデンサの蓄積電荷による放電電流は、第ｊ発光用スイッチがオンであるときに、対応する前記発光素子と第ｊ発光用配線及び第ｊ発光用スイッチとを通じて流れる構成（第１０の構成）であっても良い。
【0165】
上記第１０の構成に係る発光装置において（図４及び図８参照）、前記制御回路は、第１～第Ｍ単位動作を含む発光制御を実行し、第ｉ単位動作において、第ｉ充電用スイッチを所定時間だけオンとした後、１以上の発光用スイッチをオンとする構成（第１１の構成）であっても良い。
【0166】
上記第１１の構成に係る発光装置において（図４及び図８参照）、前記制御回路は、第ｉ単位動作において、第ｉ充電用スイッチを前記所定時間だけオンとした後、第１～第Ｎ発光用スイッチを互いに異なるタイミングで順次オンとする構成（第１２の構成）であっても良い。
【0167】
【0168】
上記第１１又は第１２の構成に係る発光装置において（第８実施例、図１７参照）、前記制御回路は、前記発光制御において、第１～第Ｍ充電用スイッチの内、２以上の充電用スイッチを同時にオンさせる構成（第１４の構成）であっても良い。
【0169】
上記第１０～第１４の構成の何れかに係る発光装置において（例えば図３参照）、第１～第Ｍ入力電圧は共通の入力電圧であり、第１～第Ｍ入力配線は前記共通の入力電圧が加わる共通の入力配線である構成（第１５の構成）であっても良い。
【0170】
【0171】
上記第１０～第１４の構成の何れかに係る発光装置において（第６実施例、図１４～図１６参照）、第１～第Ｎシャント抵抗（図１４ではＲｓ［１］及びＲｓ［２］）を更に備え、第ｊシャント抵抗は第ｊ発光用スイッチに対して直列接続され、前記制御回路は、第１～第Ｎシャント抵抗で発生する電圧降下に基づき第１～第Ｎ発光用スイッチに流れる電流を個別に検出し、その検出結果に基づき第１～第Ｍ入力電圧の何れかを可変設定する構成（第１７の構成）であっても良い。
【0172】
これにより、任意の発光素子の発光強度を所望に制御する、又は、任意の複数の発光素子間で発光強度を均等にする、といったことが可能となる。
【0173】
上記第１０～第１４の構成の何れかに係る発光装置において（第７実施例参照）、互いに異なる２以上の入力電圧が第１～第Ｍ入力電圧に含まれ、前記制御回路は、第ｐ入力電圧が第ｑ入力電圧よりも高いとき、第ｐ充電用スイッチのオンデューティを第ｑ充電用スイッチのオンデューティよりも低く設定し、ｐ及びｑはＭ以下の互いに異なる自然数を表す構成（第１８の構成）であっても良い。
【0174】
これにより、第ｐ充電用スイッチ及び第ｑ充電用スイッチに対応する複数の発光素子間で発熱量の差を低減することができる。
【符号の説明】
【0175】
１、１Ａ～１Ｅ、１Ｅ＿ａ～１Ｅ＿ｃ 発光装置
２ 受光回路
３ 検出回路
ＤＳＮＳ 距離センサ
１０ 発光ブロック
２０ 充電切り替え回路
３０ 発光切り替え回路
４０ 制御回路
Ｖｉｎ、Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］ 入力電圧
ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］ 入力配線
ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］ 充電用スイッチ
Ｇｃ［１］～Ｇｃ［Ｍ］ ゲート信号
ＷＲｃ［１］～ＷＲｃ［Ｍ］ 充電用配線
ＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］ 発光グループ
ＷＲｒ［１］～ＷＲｒ［Ｎ］ 発光用配線
ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］ 発光用スイッチ
Ｇｒ［１］～Ｇｒ［Ｎ］ ゲート信号
ＷＲｇｎｄ グランド配線
Ｕ［１，１］～Ｕ［Ｍ，Ｎ］ 単位発光回路
Ｘ［１，１］～Ｘ［Ｍ，Ｎ］ 入力ノード
Ｙ［１，１］～Ｙ［Ｍ，Ｎ］ 出力ノード
ＶＳ、ＶＳ［１］～ＶＳ［４］ 電圧源
Ｃｉｎ、Ｃｉｎ［１］～Ｃｉｎ［４］ 入力コンデンサ
Ｒｉｎ、Ｒｉｎ［１］～Ｒｉｎ［４］ 入力抵抗
Ｄ［１，１］～Ｄ［４，２］ 充電用ダイオード
Ｃｒ［１，１］～Ｃｒ［４，２］ コンデンサ
ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，２］ 発光素子
Ｄｂ［１，１］～Ｄｂ［４，２］ 逆流阻止ダイオード
Ｄｐ［１，１］～Ｄｐ［４，２］ 保護ダイオード
Ｒｐ［１，１］～Ｒｐ［４，２］ 抵抗
ＰＢ 電源ブロック
Ｔｓ［１，１］～Ｔｓ［４，２］ サンプリング時刻
Ｒａ［１，１］～Ｒａ［４，２］ 直列抵抗
ＳＷａ、ＳＷｂ スイッチング素子
９０１ 発光装置
９１０ 発光素子
９２０ スイッチ
９３０ ドライブ回路
９４０ コンデンサ
２ 受光回路
３ 検出回路
ＤＳＮＳ 距離センサ
１０ 発光ブロック
２０ 充電切り替え回路
３０ 発光切り替え回路
４０ 制御回路
Ｖｉｎ、Ｖｉｎ［１］～Ｖｉｎ［Ｍ］ 入力電圧
ＷＲｉｎ［１］～ＷＲｉｎ［Ｍ］ 入力配線
ＳＷｃ［１］～ＳＷｃ［Ｍ］ 充電用スイッチ
Ｇｃ［１］～Ｇｃ［Ｍ］ ゲート信号
ＷＲｃ［１］～ＷＲｃ［Ｍ］ 充電用配線
ＧＲＰ［１］～ＧＲＰ［Ｎ］ 発光グループ
ＷＲｒ［１］～ＷＲｒ［Ｎ］ 発光用配線
ＳＷｒ［１］～ＳＷｒ［Ｎ］ 発光用スイッチ
Ｇｒ［１］～Ｇｒ［Ｎ］ ゲート信号
ＷＲｇｎｄ グランド配線
Ｕ［１，１］～Ｕ［Ｍ，Ｎ］ 単位発光回路
Ｘ［１，１］～Ｘ［Ｍ，Ｎ］ 入力ノード
Ｙ［１，１］～Ｙ［Ｍ，Ｎ］ 出力ノード
ＶＳ、ＶＳ［１］～ＶＳ［４］ 電圧源
Ｃｉｎ、Ｃｉｎ［１］～Ｃｉｎ［４］ 入力コンデンサ
Ｒｉｎ、Ｒｉｎ［１］～Ｒｉｎ［４］ 入力抵抗
Ｄ［１，１］～Ｄ［４，２］ 充電用ダイオード
Ｃｒ［１，１］～Ｃｒ［４，２］ コンデンサ
ＬＤ［１，１］～ＬＤ［４，２］ 発光素子
Ｄｂ［１，１］～Ｄｂ［４，２］ 逆流阻止ダイオード
Ｄｐ［１，１］～Ｄｐ［４，２］ 保護ダイオード
Ｒｐ［１，１］～Ｒｐ［４，２］ 抵抗
ＰＢ 電源ブロック
Ｔｓ［１，１］～Ｔｓ［４，２］ サンプリング時刻
Ｒａ［１，１］～Ｒａ［４，２］ 直列抵抗
ＳＷａ、ＳＷｂ スイッチング素子
９０１ 発光装置
９１０ 発光素子
９２０ スイッチ
９３０ ドライブ回路
９４０ コンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】