特開 2024-154857 半導体発光素子、露光装置、画像形成装置および画像表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024154857

(43)【公開日】2024-10-31

(54)【発明の名称】半導体発光素子、露光装置、画像形成装置および画像表示装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/10 20100101AFI20241024BHJP

   H01L 33/44 20100101ALI20241024BHJP

   B41J 2/447 20060101ALI20241024BHJP

   B41J 2/45 20060101ALI20241024BHJP

   H01L 33/08 20100101ALN20241024BHJP

【ＦＩ】

H01L33/10

H01L33/44

B41J2/447 101A

B41J2/45

H01L33/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023069014

(22)【出願日】2023-04-20

(71)【出願人】

【識別番号】000000295

【氏名又は名称】沖電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100116964

【弁理士】

【氏名又は名称】山形 洋一

(74)【代理人】

【識別番号】100120477

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 賢改

(74)【代理人】

【識別番号】100135921

【弁理士】

【氏名又は名称】篠原 昌彦

(72)【発明者】

【氏名】宮里 瑠衣

【テーマコード（参考）】

2C162

5F241

【Ｆターム（参考）】

2C162AE21

2C162AE28

2C162AE40

2C162AE47

2C162AE73

2C162FA04

2C162FA17

2C162FA24

2C162FA45

2C162FA50

5F241AA03

5F241CA03

5F241CA12

5F241CA36

5F241CA72

5F241CB15

5F241CB23

5F241FF06

5F241FF13

(57)【要約】

【課題】半導体発光素子の放熱性の低下を抑制しつつ、光の取り出し効率を高める。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１の面１０ａを有する半導体積層部１０と、第１の面１０ａを覆い、光を透過する有機材料膜１９とを有する。半導体積層部１０は、第１の面１０ａから半導体積層部１０の内部にかけて形成された第１導電型の半導体領域であるp型領域１７と、第２導電型の発光層１４とを有し、ｐ型領域１７と発光層１４との間に発光領域１８が形成される。半導体積層部１０は、第１の面１０ａから半導体積層部１０の内部に形成され、第１の面１０ａと平行な方向においてｐ型領域１７に対向する溝部２１を有する。溝部２１には下地層２２が形成され、下地層２２は、ｐ型領域１７に近づくほど第１の面１０ａからの深さが深くなるように傾斜する傾斜面２２１を有する。下地層２２の傾斜面２２１には、光を反射する反射層２３が形成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面を有する半導体積層部であって、前記第１の面から前記半導体積層部の内部にかけて形成された第１導電型の半導体領域と、第２導電型の発光層とを有し、前記半導体領域と前記発光層との間に発光領域が形成された半導体積層部と、
前記第１の面を覆い、光を透過する有機材料膜と
を有し、
前記半導体積層部は、
前記第１の面から前記半導体積層部の内部に形成され、前記第１の面と平行な方向において前記半導体領域に対向する溝部と、
前記溝部に形成された下地層であって、前記半導体領域に近づくほど前記第１の面からの深さが深くなるように傾斜する傾斜面を有する下地層と、
前記下地層の傾斜面に形成され、光を反射する反射層と
を有することを特徴とする半導体発光素子。

【請求項2】

前記溝部の前記第１の面からの深さは、前記発光領域の前記第１の面からの深さ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項3】

前記半導体積層部は、前記第１の面と反対側に半導体基板を有し、
前記溝部は、前記第１の面から前記半導体基板に到達するように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項4】

前記下地層は、前記第１の面に直交する方向において、前記発光領域と重なり合わない位置に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項5】

前記下地層は、前記溝部の内部に形成された第１の部分と、前記第１の面上で前記溝部に対して前記発光領域と反対側に形成された第２の部分とを有し、
前記反射層は、前記第１の部分および前記第２の部分に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項6】

前記第１の面上で前記半導体領域に形成された電極をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項7】

前記反射層は、前記第１の面上の前記半導体領域から、前記溝部を経由して配線部まで延在し、電極として機能する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項8】

前記下地層は、前記第１の面上において、前記溝部と前記半導体領域との間で延在する第３の部分を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。

【請求項9】

前記第１導電型は、ｐ型であり、
前記第２導電型は、ｎ型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項10】

前記半導体領域に拡散されている不純物はＺｎであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項11】

請求項１から１０までの何れか１項に記載の半導体発光素子を有することを特徴とする露光装置。

【請求項12】

像担持体と、
前記像担持体を露光する、請求項１１に記載の露光装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。

【請求項13】

請求項１から１０までの何れか１項に記載の半導体発光素子を有することを特徴とする画像表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体発光素子、露光装置、画像形成装置および画像表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子において、光の取り出し効率を高めるため、発光部の周囲に樹脂製の壁状構造を形成し、その表面に反射面を形成したものがある（例えば、特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－８０３６１号公報（図４，段落００４５～００４６参照）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した従来の技術では、反射面の面積を大きくするためには壁状構造を大きくしなければならず、発光素子の放熱性が低下するという問題がある。

【0005】

本開示は、半導体発光素子の放熱性の低下を抑制しつつ、光の取り出し効率を高めることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の半導体発光素子は、第１の面を有する半導体積層部であって、第１の面から半導体積層部の内部にかけて形成された第１導電型の半導体領域と、第２導電型の発光層とを有し、半導体領域と発光層との間に発光領域が形成された半導体積層部と、第１の面を覆い、光を透過する有機材料膜とを有する。半導体積層部は、第１の面から半導体積層部の内部に形成され、第１の面と平行な方向において半導体領域に対向する溝部と、溝部に形成された下地層であって、半導体領域に近づくほど第１の面からの深さが深くなるように傾斜する傾斜面を有する下地層と、下地層の傾斜面に形成され、光を反射する反射層とを有する。

【発明の効果】

【0007】

本開示の半導体発光素子によれば、溝部に形成された反射層で光を反射し、効率的に外部に取り出すことができるため、放熱性の低下を抑制しながら、光の取り出し効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施の形態１の半導体発光素子を示す断面図である。

【図2】実施の形態１の半導体発光素子を示す平面図である。

【図3】実施の形態１の半導体発光素子の溝部とその周囲を示す図である。

【図4】実施の形態１の半導体発光素子の製造方法を示すフローチャートである。

【図5】比較例の半導体発光素子を示す断面図である。

【図6】実施の形態１の半導体発光素子の他の構成例を示す断面図である。

【図7】変形例の発光素子アレイを示す断面図である。

【図8】変形例の発光素子アレイの２つの半導体発光素子を示す断面図である。

【図9】実施の形態２の半導体発光素子を示す断面図である。

【図10】実施の形態２の半導体発光素子の溝部とその周囲を示す図である。

【図11】実施の形態２の発光素子アレイを示す断面図である。

【図12】実施の形態３の露光装置を示す断面図である。

【図13】実施の形態４の画像形成装置を示す図である。

【図14】実施の形態５の画像表示装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、実施の形態の半導体発光素子、露光装置、画像形成装置および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は、例にすぎず、種々の変更が可能である。

【0010】

実施の形態１．
＜半導体発光素子の構造＞
図１は、実施の形態１の半導体発光素子１を示す断面図である。図２は、半導体発光素子１を示す平面図である。半導体発光素子１は、ＬＥＤ（発光ダイオード）である。

【0011】

図１に示すように、半導体発光素子１は、第１の面１０ａと第２の面１０ｂとを有する半導体積層部１０と、第１の面１０ａに形成された第１導電型の電極としてのｐ側電極３１と、第１の面１０ａに形成された有機材料膜１９と、第２の面１０ｂに形成された第２の導電型の電極としてのｎ側電極３２とを備える。

【0012】

半導体積層部１０は、ｎ－ＧａＡｓ基板などの半導体基板１６と、半導体基板１６上に設けられた第２導電型の半導体層としての複数のｎ型半導体層１０１（エピタキシャル層）とを有する。ｎ型半導体層１０１は、半導体基板１６上でエピタキシャル成長させてもよく、図示しない成長基板上でエピタキシャル成長させて半導体基板１６上に転写してもよい。

【0013】

ｎ型半導体層１０１は、例えば、第１の面１０ａから第２の面１０ｂに向かって、ｎ－ＧａＡｓ層であるコンタクト層１１と、ｎ－Ａｌ_０．４Ｇａ_０．６Ａｓ層である横方向電流拡散層（電流拡散層とも称する）１２と、ｎ－Ａｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓ層である逆方向拡散電流阻止層（拡散電流阻止層とも称する）１３と、ｎ－Ａｌ_０．２２Ｇａ_０．２２Ａｓ層である発光層（活性層とも称する）１４と、ｎ－Ａｌ_０．４Ｇａ_０．６Ａｓ層である電流拡散阻止層１５とを備える。

【0014】

コンタクト層１１、電流拡散層１２および拡散電流阻止層１３の３層は、第１の半導体層１０２を構成する。第１の半導体層１０２は、発光層１４とｐ側電極３１との間に挟まれた半導体層である。発光層１４のバンドギャップは、第１の半導体層１０２を構成する各層のバンドギャップよりも小さい。

【0015】

半導体積層部１０には、第１の面１０ａから第１の半導体層１０２を介して発光層１４内に達する不純物拡散領域としてのｐ型領域１７が形成されている。ｐ型領域１７は、ｐ型不純物としてＺｎ（亜鉛）が拡散された領域である。ｐ型領域１７は、第１導電型の半導体領域とも称する。

【0016】

ｐ型不純物であるＺｎの拡散処理は、例えば、固相拡散によって行われる。固相拡散は、半導体積層部１０の第１の面１０ａにＺｎＯ（酸化亜鉛）の薄膜を形成し、加熱することにより、不純物であるＺｎを半導体層内に拡散させる方法である。

【0017】

固相拡散では、厳密には半導体材料の組成および不純物の濃度などの各種条件によって拡散速度が変化するが、概ね等方的に同じ速度で不純物の拡散が進行する。また、ＬＥＤでは、発光領域は、一般的に、表面から１μｍ程度の深さの位置に形成される。従って、拡散処理によって、１μｍ程度の深さの不純物拡散領域を形成した場合、深さ方向（すなわち、厚み方向）に直交する横方向の拡散も１μｍ程度発生する。ここで、深さとは、第１の面１０ａから半導体積層部１０の内部に向かう方向（厚み方向）の長さである。

【0018】

このような拡散処理によってｐ型領域１７を形成することで、ｐ型領域１７と発光層１４との境界面（すなわち、ｐｎ接合）の近傍における発光領域１８の大きさを制限することができる。言い換えれば、拡散処理によってｐ型領域１７を形成することで、発光領域１８の位置および大きさを所望の位置および大きさにすることができる。

【0019】

なお、半導体積層部１０は、ｐ型領域１７と、その周囲のｎ型半導体層１０１（拡散処理が及んでいない領域）とを含む。

【0020】

第１の面１０ａの垂線方向、すなわち半導体積層部１０の半導体層の積層方向を、Ｚ方向とする。Ｚ方向については、第２の面１０ｂから第１の面１０ａに向かう方向を＋Ｚ方向とし、第１の面１０ａから第２の面１０ｂに向かう方向を－Ｚ方向とする。

【0021】

また、図２に示すように、半導体積層部１０の第１の面１０ａの平行な面を、ＸＹ面とする。Ｘ方向は、後述する発光素子アレイ５（図７）における半導体発光素子１の配列方向である。半導体積層部１０のｐ型領域１７は、ＸＹ面において、例えば、Ｘ方向の２辺とＹ方向の２辺を有する矩形状に形成される。

【0022】

ｐ側電極３１は、第１の面１０ａ上で且つｐ型領域１７に配置される。ｐ側電極３１は、ｐ型領域１７からＹ方向に延在して、アノード配線５１に接続されている。なお、ｐ側電極３１と、第１の面１０ａのｐ型領域１７以外の部分とは、絶縁膜５３によって絶縁されている。

【0023】

＜溝部、下地層および反射層＞
図１に示すように、半導体積層部１０には、第１の面１０ａからＺ方向に深さを有する溝部２１が形成されている。溝部２１は、例えば、フォトリソグラフィによるパターニングおよびドライエッチングにより形成される。溝部２１は、ここでは、Ｙ方向に延在している。

【0024】

図３は、半導体積層部１０の溝部２１とその周囲を拡大して示す断面図である。図３に示すように、溝部２１は、ｐ型領域１７から、第１の面１０ａに平行な方向（この例ではＸ方向）に間隔を開けて形成されている。例えば、ｐ型領域１７のＸ方向の幅が１５μｍ、Ｙ方向の長さが２７μｍ、第１の面１０ａからの深さが１．０μｍの場合、溝部２１はｐ型領域１７からＸ方向に６．５μｍの間隔を開けて形成することが望ましい。

【0025】

溝部２１の第１の面１０ａからの深さＤ１は、ｐ型領域１７の深さＤ２以上であることが望ましく、発光領域１８の深さＤ３以上であることがより望ましい。一例としては、溝部２１の深さは、２．５～３．０μｍである。なお、深さとは、上記の通り、第１面１０ａから半導体積層部１０（図１）の内部に向かう方向（厚み方向）の長さである。

【0026】

１つのｐ型領域１７に対し、１つの溝部２１を形成してもよく、複数の溝部２１を形成してもよい。図１，２に示した例では、ｐ型領域１７のＸ方向の一方の側に溝部２１を形成しているが、ｐ型領域１７のＸ方向両側に溝部２１を形成してもよく、ｐ型領域１７を三方または四方から囲むように溝部２１を形成していてもよい。

【0027】

溝部２１には、下地層２２が形成されている。下地層２２は、有機材料、より具体的にはポジ型の感光性有機材料で形成された薄膜である。

【0028】

下地層２２は、溝部２１内だけでなく、第１の面１０ａ上にも形成されている。すなわち、下地層２２は、溝部２１内に位置する溝内部分２２ａと、第１の面１０ａ上に位置する面上部分２２ｂとを有する。面上部分２２ｂは、溝部２１に対してｐ型領域１７と反対側に配置されている。

【0029】

下地層２２は、ｐ型領域１７側を向く傾斜面２２１を有する。傾斜面２２１は、ｐ型領域１７に接近するほど深さが深くなるように傾斜している。傾斜面２２１は、下地層２２の溝内部分２２ａから面上部分２２ｂの一部にかけて形成されている。下地層２２の傾斜面２２１は、第１の面１０ａ（すなわちＸＹ面）に対して、傾斜角度αをなしている。

【0030】

下地層２２の傾斜面２２１の下端部の第１の面１０ａからの深さは、ｐ型領域１７の深さＤ２以上であることが望ましく、発光領域１８の深さＤ３以上であることがより望ましい。

【0031】

下地層２２の面上部分２２ｂには、傾斜面２２１につながる頂面２２２が形成されている。この頂面２２２の第１の面１０ａに対する傾斜角度は、傾斜面２２１の傾斜角度αよりも小さい。なお、頂面２２２は必ずしも傾斜していなくてもよく、第１の面１０ａと平行であってもよい。

【0032】

下地層２２の傾斜面２２１および頂面２２２には、反射層２３が形成されている。反射層２３は、光を反射する材料、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕで形成される。なお、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕとは、Ａｕ薄膜上にＡｕＧｅＮｉ薄膜を積層した２層構造を有する電極である。

【0033】

反射層２３は、下地層２２の傾斜面２２１上に形成された第１の部分２３ａと、頂面２２２上に形成された第２の部分２３ｂとを有する。第１の部分２３ａの下端２３ｅの第１の面１０ａからの深さは、ｐ型領域１７の深さＤ２以上であることが望ましく、発光領域１８の深さＤ３以上であることがより望ましい。

【0034】

有機材料膜１９は、半導体積層部１０の第１の面１０ａおよびｐ側電極３１を覆うように形成される。有機材料膜１９は、半導体積層部１０の第１の面１０ａの全体を覆うように形成してもよく、ｐ側電極３１の接続部分を覆わないように形成してもよい。有機材料膜１９の一部は、溝部２１の一部にも入り込む。

【0035】

有機材料膜１９は、光を透過させる有機材料で形成された薄膜であり、厚さは１．１μｍである。有機材料膜１９は、例えばポジ型の感光性有機材料で形成される。より具体的には、有機材料膜１９は、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＣＯＡＴ（登録商標）ＣＰ１０１０－１４」で形成される。この材料の透明性は９７％であり、１Ｍｈｚでの比誘電率は３．４％であり、破壊電圧特性は７．４ＭＶ／ｃｍである。なお、有機材料膜１９と下地層２２とは、同一の材料で形成してもよい。

【0036】

＜製造方法＞
図４は、半導体発光素子１の製造方法を示すフローチャートである。ステップＳ１では、ｎ－ＧａＡｓ基板である半導体基板１６に、コンタクト層１１、電流拡散層１２、拡散電流阻止層１３、発光層１４および電流拡散阻止層１５からなるｎ型半導体層１０１（エピタキシャル層）を形成する。別の成長基板で成長したエピタキシャル層を半導体基板１６に転写してもよい。これにより、半導体積層部１０が形成される。

【0037】

ステップＳ２では、半導体積層部１０にｐ型領域１７を形成する。具体的には、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上にマスクを形成したのち、スパッタ法によりＺｎＯの薄膜であるｐ型領域１７を形成する。その後、加熱（アニール）により不純物の固相拡散を行った後、マスクを除去する。

【0038】

ステップＳ３では、ｐ側電極３１を、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上で且つｐ型領域１７上に形成する。

【0039】

ステップＳ４では、半導体積層部１０の第１の面１０ａに、溝部２１を形成する。溝部２１は、フォトリソグラフィによって第１の面１０ａ上に溝部２１の形成部分以外を覆うパターンを形成した後、ドライエッチングによって形成する。

【0040】

ステップＳ５では、溝部２１に下地層２２を形成する。下地層２２は、第１の面１０ａ上にスピンコート等によりポジ型感光性有機材料の膜を成膜し、下地層２２の形成部分を露光により硬化させ、それ以外の部分を現像により除去することによって形成する。このとき、露光時間あるいは現像時間の調整によって、下地層２２の傾斜面２２１の傾斜角度を制御することができる。

【0041】

ステップＳ６では、下地層２２の傾斜面２２１および頂面２２２上に、例えば金属蒸着により、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを用いて反射層２３を形成する。反射層２３は金属であるため、ｐ側電極３１およびコンタクト層１１と導通しないように形成する必要がある。そのため、例えばフォトリソグラフィにより下地層２２以外を覆うパターンを形成し、このパターンをマスクとして金属蒸着を行うことによって反射層２３を形成する。

【0042】

ステップＳ７では、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上に、ポジ型感光性有機材料からなる有機材料膜１９を成膜する。有機材料膜１９の成膜方法は、例えば、スピンコートによる塗布である。有機材料膜１９は、第１の面１０ａ上のｐ側電極３１も覆う。有機材料膜１９は、溝部２１の反射層２３上にも充填される。

【0043】

以上の工程によって、図１に示す半導体発光素子１が製造される。なお、半導体発光素子１のｎ側電極３２は、ステップＳ１の前に半導体基板１６に形成してもよく、ステップＳ７の後に形成してもよい。

【0044】

＜作用＞
実施の形態１の半導体発光素子１の作用について、図３を参照して説明する。半導体発光素子１のｐ側電極３１からｎ側電極３２に向かって流れる電流は、半導体積層部１０の各半導体層を通過する。このとき、発光領域１８に生じているバンドギャップにより、発光領域１８で光Ｌ１が発生する。

【0045】

発光領域１８で発生した光Ｌ１は全方向に伝搬し、有機材料膜１９側（すなわち＋Ｚ側）に伝搬した光は有機材料膜１９を透過し、出力光Ｌ２として半導体発光素子１から取り出される。

【0046】

有機材料膜１９は空気よりも屈折率が大きいため、有機材料膜１９と空気との界面に入射する光Ｌ１の入射角θが臨界角ｉを超えると、光Ｌ１は当該界面で全反射される。有機材料膜１９と空気との誘電率の差による臨界角ｉは、例えば２９．４度である。

【0047】

有機材料膜１９と空気との界面で全反射された光は、有機材料膜１９の内部で反射を繰り返しながら伝搬する膜内伝搬光Ｌ３となる。

【0048】

有機材料膜１９の比誘電率が高いほど、臨界角ｉが大きくなるため、膜内伝搬光Ｌ３の割合が増加し、出力光Ｌ２の割合が低下する。また、有機材料膜１９の透明度によっては、膜内伝搬光Ｌ３の伝搬距離に応じた光の減衰が生じる。

【0049】

そこで、実施の形態１では、半導体積層部１０に、膜内伝搬光Ｌ３を反射する反射層２３を設けている。反射層２３は膜内伝搬光Ｌ３を、その伝搬方向が第１の面１０ａの法線方向（すなわちＺ方向）にできるだけ近くなるように反射する。

【0050】

反射層２３で反射された反射光Ｌ４が、有機材料膜１９と空気との界面に臨界角ｉ以下の入射角で入射することにより、反射光Ｌ４が有機材料膜１９から出力光Ｌ２として取り出される。

【0051】

有機材料膜１９と空気との界面に臨界角ｉ以下の入射角で入射する光が増加することにより、出力光Ｌ２の割合を増加させることができ、光の取り出し効率を向上することができる。

【0052】

上述した臨界角ｉが２９．４度の場合、反射層２３の傾斜角度αは、例えば、２９．４度から５８．８度の範囲が望ましい。上述した臨界角ｉを用いると、ｉ≦α≦２×ｉで表される範囲が望ましい。

【0053】

また、反射層２３の下端２３ｅがｐ型領域１７と同じ深さ（より望ましくは発光領域１８と同じ深さ）まで達していれば、発光領域１８から出て半導体積層部１０内を伝搬する積層部内伝搬光Ｌ５を、有機材料膜１９に向けて反射することができる。

【0054】

また、反射層２３は、溝部２１に設けられた下地層２２上に形成されているため、下地層２２の体積が比較的小さくても、反射層２３の面積を大きくすることができる。そのため、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上に下地層２２を形成した場合（後述する図５参照）と比較して、放熱性を向上することができる。

【0055】

なお、下地層２２を形成せずに、半導体積層部１０にＶ字状の溝部を加工し、その溝部の内面に反射層２３を形成することも考えられるが、Ｖ字状の溝形状を正確に制御することは難しい。この実施の形態１のように溝部２１内に下地層２２を形成することで、傾斜面２２１の傾斜角度を含む正確な形状の制御が可能になる。

【0056】

また、下地層２２を形成することにより、溝部２１内だけでなく、第１の面１０ａ上にも反射層２３を延在させることが可能になる。これにより、より多くの膜内伝搬光Ｌ３を反射層２３で反射することができ、光の取り出し効率を向上することができる。

【0057】

図５は、比較例の半導体発光素子６の構成を概略的に示す断面図である。図５の半導体発光素子６では、半導体積層部１０に溝部が形成されておらず、第１の面１０ａ上に下地層６２が形成され、下地層６２の傾斜面に反射層６３が形成されている。この場合も、膜内伝搬光Ｌ３を反射層６３で反射することにより、出力光Ｌ２の割合を増加させることができる。

【0058】

しかしながら、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上に下地層６２および反射層６３が形成されているため、反射層６３の面積を確保するためには下地層６２の体積を大きくしなければならない。

【0059】

下地層６２は有機材料で形成されるため、下地層６２の体積を大きくするほど、半導体発光素子６の放熱性が低下する。また、有機材料膜１９の表面に、下地層６２の形状に沿った凹凸が生じるため、有機材料膜１９と空気との界面で反射される光が増加し、光の取り出し効率が低下する可能性がある。

【0060】

これに対し、実施の形態１では、図３に示したように、下地層２２および反射層２３が溝部２１に形成されているため、下地層２２の体積が比較的小さくても、反射層２３の面積を大きくすることができる。そのため、放熱性を低下させずに光の取り出し効率を向上することができる。

【0061】

また、下地層２２のうち、第１の面１０ａ上に位置する部分（すなわち面上部分２２ｂ）は一部のみであるため、有機材料膜１９の表面を平坦化することができ、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0062】

また、溝部２１は、第１の面１０ａに平行な方向（ここではＸ方向）においてｐ型領域１７から離間しているため、下地層２２は、第１の面１０ａに直交する方向（すなわちＺ方向）において発光領域１８と重なり合わない位置に形成される。そのため、下地層２２が発光領域１８を流れる電流を遮ることがない。

【0063】

ここでは、溝部２１の第１の面１０ａからの深さは、ｐ型領域１７の深さ以上であることが望ましく、発光領域１８の深さ以上であることがより望ましいと説明した。しかしながら、図６に示す構成例のように、溝部２１の第１の面１０ａからの深さが、発光層１４の深さ以上であってもよい。

【0064】

図６に示す構成例では、下地層２２の傾斜面２２１の下端および反射層２３の下端２３ｅを、発光層１４よりも深い位置まで形成している。そのため、発光領域１８からｎ側電極３２側（－Ｚ側）に伝播する光を、反射層２３によって有機材料膜１９に向けて反射することができ、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0065】

＜実施の形態１の効果＞
以上説明したように、実施の形態１の半導体発光素子１は、第１の面１０ａを有する半導体積層部１０と、第１の面１０ａを覆い、光を透過する有機材料膜１９とを有する。半導体積層部１０は、第１の面１０ａから半導体積層部１０の内部にかけて形成されたｐ型領域１７（第１導電型の半導体領域）と、第２導電型の発光層１４とを有し、ｐ型領域１７と発光層１４との間に発光領域１８が形成される。半導体積層部１０は、第１の面１０ａから半導体積層部１０の内部に形成され、第１の面１０ａと平行な方向においてｐ型領域１７に対向する溝部２１を有する。溝部２１には下地層２２が形成され、下地層２２は、ｐ型領域１７に近づくほど第１の面１０ａからの深さが深くなるように傾斜する傾斜面２２１を有する。下地層２２の傾斜面２２１には、光を反射する反射層２３が形成されている。

【0066】

このように構成されているため、反射層２３により、有機材料膜１９内を伝搬する膜内伝搬光Ｌ３を反射し、出力光Ｌ２の割合を増加させることができる。また、反射層２３が、溝部２１内に形成された下地層２２上に設けられているため、下地層２２の体積が比較的小さくても、反射層２３の面積を大きくすることができる。その結果、放熱性の低下を抑制しながら、光の取り出し効率を向上することができる。

【0067】

また、溝部２１の第１の面１０ａからの深さＤ１が、ｐ型領域１７の第１の面１０ａからの深さＤ２以上であるため、反射層２３の下端２３ｅをｐ型領域１７と同じかより深い位置まで形成することができる。そのため、発光領域１８から出た光を、より多く有機材料膜１９に向けて反射することができ、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0068】

また、溝部２１の第１の面１０ａからの深さＤ１が、発光領域１８の第１の面１０ａからの深さＤ３以上であれば、反射層２３の下端２３ｅを発光領域１８と同じかより深い位置まで形成することができる。そのため、発光領域１８から第１の面１０ａと平行な方向に出た光を有機材料膜１９に向けて反射することができ、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0069】

また、下地層２２は、第１の面１０ａに直交する方向（すなわちＺ方向）において、発光領域１８と重なり合わない位置に形成されているため、下地層２２が発光領域１８を流れる電流を遮ることがない。そのため、半導体発光素子１の特性に影響を与えずに、光の取り出す効率を向上することができる。

【0070】

また、下地層２２は、溝部２１の内部に形成された溝内部分（第１の部分）２２ａと、第１の面１０ａ上で溝部２１に対して発光領域１８と反対側に形成された面上部分（第２の部分）２２ｂとを有し、反射層２３は、下地層２２の溝内部分２２ａおよび面上部分２２ｂに形成されている。そのため、有機材料膜１９の内部を伝搬するより多くの膜内伝搬光Ｌ３を反射層２３で反射し、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0071】

なお、ここでは、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である例について説明したが、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型であってもよい。また、半導体積層部１０を構成する半導体材料および組成の比率は上記例に限定されず、種々の変更が可能である。

【0072】

変形例．
図７は、変形例の発光素子アレイ５を示す平面図である。図７に示すように、発光素子アレイ５は、Ｘ方向に配列された複数の半導体発光素子１を有する。それぞれの半導体発光素子１のｐ側電極３１はＹ方向に延在し、共通のアノード配線５１に接続されている。

【0073】

図８は、変形例の発光素子アレイ５における２つの半導体発光素子１を示す断面図である。図８に示すように、隣り合う２つの半導体発光素子１は、溝部２１を共有している。溝部２１は、半導体積層部１０の第１の面１０ａから半導体基板１６に到達する深さまで形成されており、素子分離溝としても機能する。

【0074】

溝部２１には、下地層２２が形成されている。下地層２２は、Ｘ方向の両側に傾斜面２２１を有する。各傾斜面２２１は、ｐ型領域１７に対向している。また、下地層２２は、各傾斜面２２１につながる頂面２２２を有する。下地層２２の傾斜面２２１および頂面２２２には、反射層２３が形成されている。

【0075】

この変形例では、２つのｐ型領域１７の間に設けられた反射層２３により、２つの発光領域１８から出た膜内伝搬光Ｌ３（図３）を反射することができるため、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0076】

なお、下地層２２の内側には、コンタクト層１１、電流拡散層１２、拡散電流阻止層１３、発光層１４および電流拡散阻止層１５の積層体２４が凸部として形成されていてもよい。言い換えると、溝部２１は、積層体２４を挟んだ２列の溝で形成されていてもよい。この場合には、下地層２２の体積を小さくし、放熱性を向上することができる。

【0077】

この変形例では、２つのｐ型領域１７の間に設けられた反射層２３により、２つの発光領域１８から出た膜内伝搬光Ｌ３（図３）を反射することができるため、光の取り出し効率をさらに向上することができる。

【0078】

また、溝部２１が、第１の面１０ａから半導体基板１６に到達する深さまで形成されているため、素子分離溝を溝部２１として利用することができ、製造工程を簡単にすることができる。

【0079】

実施の形態２．
図９は、実施の形態２の半導体発光素子４の構成を示す断面図である。図９に示すように、半導体発光素子４は、半導体積層部１０と、有機材料膜１９と、ｎ側電極３２とを備える。半導体積層部１０、有機材料膜１９およびｎ側電極３２のそれぞれの構成は、実施の形態１で説明した通りである。

【0080】

図１０は、半導体積層部１０の溝部４１とその周囲を拡大して示す断面図である。半導体積層部１０には、第１の面１０ａからＺ方向に深さを有する溝部４１が形成されている。溝部４１は、延在方向がＸ方向である点で実施の形態１の溝部２１と異なるが、その他の点では実施の形態１の溝部２１と同様に形成されている。

【0081】

溝部４１には、下地層４２が形成されている。下地層４２の材質は、実施の形態１の下地層２２の材質と同様である。

【0082】

下地層４２は、溝部４１内に位置する溝内部分４２ａと、第１の面１０ａ上に位置する面上部分４２ｂ，４２ｃとを有する。第２の部分としての面上部分４２ｂは、第１の部分としての溝内部分４２ａに対して、ｐ型領域１７と反対側に配置されている。第３の部分としての面上部分４２ｃは、溝部４１からｐ型領域１７まで延在している。

【0083】

下地層４２の溝内部分４２ａから面上部分４２ｂの一部にかけて、ｐ型領域１７側を向く傾斜面４２１が形成されている。傾斜面４２１は、ｐ型領域１７に接近するほど深さが深くなるように傾斜している。傾斜面４２１の傾斜角度αは、実施の形態１の傾斜面２２１の傾斜角度α（図３）と同様である。

【0084】

下地層４２の面上部分４２ｂには、傾斜面４２１につながる頂面４２２が形成されている。この頂面４２２の第１の面１０ａに対する傾斜角度は、上述した傾斜面４２１の傾斜角度αよりも小さい。また、頂面４２２は、第１の面１０ａと平行であってもよい。

【0085】

下地層４２の傾斜面４２１の下端から面上部分４２ｃにかけて、逆傾斜面４２３が形成されている。逆傾斜面４２３は、ｐ型領域１７に接近するほど深さが浅くなるように、すなわち傾斜面４２１と逆方向に傾斜している。

【0086】

下地層４２上には、反射層４３が形成されている。反射層４３は、半導体積層部１０のｐ型領域１７から、溝部４１を経て、後述するアノード配線５１（図１１）までＹ方向に延在している。すなわち、反射層４３は、ｐ側電極を兼ねている。反射層４３は、実施の形態１の反射層２３と同様、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕで形成される。

【0087】

反射層４３は、下地層４２の傾斜面４２１に形成された第１の部分４３ａと、頂面４２２に形成された第２の部分４３ｂと、逆傾斜面４２３に形成された第３の部分４３ｃと、面上部分４２ｃ上に形成された第４の部分４３ｄとを有する。また、第４の部分４３ｄは、第１の面１０ａ上でｐ型領域１７に接続された接続部４３ｅを有する。

【0088】

実施の形態２の半導体発光素子４においても、発光領域１８で発生し、有機材料膜１９と空気との界面で反射された膜内伝搬光Ｌ３は、反射層４３の第１の部分４３ａで反射され、その反射光Ｌ４は有機材料膜１９から出力光Ｌ２として出射される。そのため、光の取り出し効率を向上することができる。

【0089】

図１１は、実施の形態２の半導体発光素子４を備えた発光素子アレイ５Ａを示す平面図である。図１１に示すように、発光素子アレイ５Ａは、Ｘ方向に配列された複数の半導体発光素子４を有する。隣り合う半導体発光素子４の間には、素子分離溝４５が形成されている。

【0090】

それぞれの半導体発光素子４をＸ方向に横切るように、溝部４１が形成されている。ｐ側電極としての反射層４３は、半導体発光素子４のｐ型領域１７からＹ方向に延在し、溝部４１を通過してアノード配線５１に到達している。反射層４３は、下地層４２によって、第１の面１０ａのｐ型領域１７以外の部分から絶縁される。

【0091】

反射層４３がｐ側電極の機能を有するため、反射層４３とｐ側電極とを別々に形成した場合と比較して、半導体発光素子４の製造コストを低減することができる。

【0092】

以上の点を除き、実施の形態２の半導体発光素子４は、実施の形態１の半導体発光素子１と同様に構成されている。

【0093】

以上説明したように、実施の形態２の半導体発光素子４では、反射層４３が、ｐ型領域１７から溝部４１を経由してアノード配線（配線部）５１まで延在し、ｐ側電極３１として機能する。また、下地層４２は、ｐ型領域１７に近づくほど第１の面１０ａからの深さが深くなるように傾斜する傾斜面４２１を有し、下地層４２の傾斜面４２１には反射層４３が形成されている。そのため、放熱性の低下を抑制しながら、光の取り出し効率を向上することができる。さらに、反射層４３がｐ側電極の機能を有するため、半導体発光素子４の製造コストを低減することができる。

【0094】

また、下地層４２が、半導体積層部１０の第１の面１０ａ上で溝部４１とｐ型領域１７との間で延在する面上部（第３の部分）４２ｃを有するため、反射層４３とｐ型領域１７以外の部分とを面上部分４２ｃによって絶縁することができる。

【0095】

実施の形態３．
図１２は、実施の形態３の光プリントヘッド７を示す断面図である。光プリントヘッド７は、電子写真プロセスを用いる画像形成装置の露光装置である。図１２に示すように、光プリントヘッド７は、ベース部材７４と、発光素子基板７１と、レンズアレイ７２と、レンズホルダ７３と、バネ部材であるクランパ７５とを備えている。

【0096】

発光素子基板７１上には、実施の形態２で説明した発光素子アレイ５Ａ（図１１）と、発光素子アレイ５Ａを駆動する駆動回路とが搭載されている。発光素子アレイ５Ａは、図１１に示したようにＸ方向に配列された複数の半導体発光素子４を有する。

【0097】

レンズアレイ７２は、発光素子アレイ５Ａから出射された光を像担持体としての感光体ドラム上に結像させる光学レンズ群であり、複数の正立等倍結像レンズを含む。レンズホルダ７３は、レンズアレイ７２の所定の位置に保持する。クランパ７５は、ベース部材７４の開口部７４ａおよびレンズホルダ７３の開口部７３ａを介して、各構成部品を挟み付けて保持する。

【0098】

ベース部材７４は、発光素子基板７１を固定するための部材である。ベース部材７４の側面には、クランパ７５を用いて、発光素子基板７１およびレンズホルダ７３をベース部材７４に固定するための開口部７４ａが設けられている。

【0099】

光プリントヘッド７では、イメージデータに応じて、複数の半導体発光素子１の何れかが発光し、半導体発光素子１から出射された光はレンズアレイ７２により像担持体としての感光体ドラム（後述する図１３参照）上で結像される。これにより、感光体ドラムに静電潜像が形成され、その後、現像工程、転写工程、定着工程を経て、記録媒体（例えば用紙）上に現像剤からなる画像が形成される。

【0100】

なお、ここでは発光素子基板７１に発光素子アレイ５Ａを配置したが、変形例の発光素子アレイ５（図７）を配置しても良い。

【0101】

実施の形態３の光プリントヘッド７は、光の取り出し効率の高い実施の形態１または２の半導体発光素子を備えているため、これを画像形成装置に搭載することで、印字品質を向上させることができる。

【0102】

実施の形態４．
図１３は、実施の形態４の画像形成装置８の基本構成を示す図である。画像形成装置８は、露光装置として光プリントヘッド７を用いた電子写真式プリンタである。図１３に示されるように、画像形成装置８は、記録媒体Ｐを供給する媒体供給部８１と、電子写真方式により画像を形成する４つのプロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋと、転写部材としての転写ローラ８２と、画像を記録媒体Ｐに定着する定着装置８３と、記録媒体Ｐを排出する媒体排出部８４とを有する。

【0103】

媒体供給部８１は、記録媒体Ｐを収納する媒体カセット８１１と、媒体カセット８１１の記録媒体Ｐを１枚ずつ送り出すホッピングローラ８１２と、記録媒体Ｐの搬送方向においてホッピングローラ８１２の下流に配置された搬送ローラ８１３およびピンチローラ８１４と、記録媒体Ｐの斜行を修正してプロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋに搬送するレジストローラ８１５，８１６とを有する。

【0104】

プロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋは、記録媒体Ｐの搬送経路に沿って順に配置されている。プロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋは、電子写真方式を用いて、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）およびブラック（Ｋ）の画像を形成する。プロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋは、画像形成ユニットとも称する。

【0105】

プロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋは、トナーを除き、互いに同じ構成を有するため、プロセスユニット８０として説明する。プロセスユニット８０は、像担持体としての感光体ドラム８０１を有する。感光体ドラム８０１には、露光装置としての光プリントヘッド７が対向するように配置されている。プロセスユニット８０は、また、帯電部材としての帯電ローラ８０２と、現像部８０３とを有する。

【0106】

帯電ローラ８０２は、感光体ドラム８０１の表面を一様に帯電する。光プリントヘッド７は、帯電された感光体ドラム８０１の表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する。現像部８０３は、現像剤担持体としての現像ローラ８０４と、供給部材としての供給ローラ８０５とを有し、感光体ドラム８０１の表面の静電潜像にトナー（現像剤）を供給して現像する。

【0107】

プロセスユニット８０には、現像部８０３にトナーを補給するための現像剤収容器としてのトナーカートリッジ８０６が着脱可能に取り付けられている。プロセスユニット８０は、また、感光体ドラム８０１上の残留トナーを除去するクリーニング部材８０７を有する。

【0108】

転写ローラ８２は、プロセスユニット８０の感光体ドラム８０１に対向して配置され、感光体ドラム８０１のトナー像（現像剤像）を記録媒体Ｐに転写する。

【0109】

定着装置８３は、定着ローラ８３１と加圧ローラ８３２とを有し、記録媒体Ｐ上のトナー像を加熱・加圧して定着させる。媒体排出部８４は、排出ローラ８４１，８４３と、排出ローラ８４１，８４３とそれぞれ対をなすピンチローラ８４２，８４４と、媒体スタッカ部８４５とを有する。

【0110】

なお、画像形成装置８は、記録媒体Ｐの印刷面を反転させる反転経路を含む反転部８５を有してもよい。

【0111】

画像形成装置８の画像形成動作（印刷動作）は、以下の通りである。まず媒体供給部８１のホッピングローラ８１２が回転し、媒体カセット８１１内の記録媒体Ｐを搬送路に送り出す。搬送路では、搬送ローラ８１３およびピンチローラ８１４が記録媒体Ｐを一枚ずつ分離して搬送する。さらに、レジストローラ８１５，８１６が所定のタイミングで回転し、記録媒体Ｐをプロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋに搬送する。

【0112】

各プロセスユニット８０では、帯電ローラ８０２が感光体ドラム８０１の表面を一様に帯電させ、光プリントヘッド７が各色のイメージデータに応じて光を出射する。光プリントヘッド７の発光素子アレイ５Ａ（図１２）から出射された光は、レンズアレイ７２（図１２）を通過して感光体ドラム８０１の表面に収束し、感光体ドラム８０１の表面の感光層に静電潜像が形成される。

【0113】

感光体ドラム８０１の表面に形成された静電潜像は、現像部８０３によってトナーで現像され、トナー像となる。記録媒体Ｐは、感光体ドラム８０１と転写ローラ８２との間を通過し、その際に、感光体ドラム８０１上のトナー像が記録媒体Ｐに転写される。記録媒体Ｐがプロセスユニット８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋを通過することにより、記録媒体Ｐ上に各色のトナー像が転写される。

【0114】

トナー像が転写された記録媒体Ｐは、定着装置８３に送られる。定着装置８３では、定着ローラ８３１および加圧ローラ８３２によりトナー像が加熱および加圧され、トナー像が溶融して記録媒体Ｐに定着する。トナー像が定着した記録媒体Ｐは、排出ローラ８４１，８４３によって画像形成装置８の外部に排出され、媒体スタッカ部８４５に積載される。これにより、記録媒体Ｐへの画像形成が完了する。

【0115】

実施の形態４の画像形成装置８は、露光装置として光プリントヘッド７を用いているため、印字品質を向上させることができる。

【0116】

実施の形態５．
図１４は、実施の形態５の画像表示装置９の基本構成を示す図である。画像表示装置９は、実施の形態２で説明した半導体発光素子４を有する発光素子アレイ９０を有する。発光素子アレイ９０では、半導体発光素子４がＸ方向（行方向）とＹ方向（列方向）にマトリクス状に配置されている。

【0117】

画像表示装置９は、また、Ｘ方向に延在するアノード配線５１と、Ｙ方向に延在するカソード配線５２とを有する。各列の半導体発光素子４は、共通のカソード配線５２上に配置されている。各行の半導体発光素子４は、共通のアノード配線５１で接続されている。

【0118】

各半導体発光素子４では、ｐ型領域１７とアノード配線５１とが、ｎ側電極としての反射層４３で接続されている。

【0119】

各アノード配線５１は、アノード配線引き出しパッド５５に接続されており、このアノード配線引き出しパッド５５を介して、駆動回路に電気的に接続されている。各カソード配線５２は、カソード配線引き出しパッド５６に接続されており、このカソード配線引き出しパッド５６を介して、駆動回路に電気的に接続されている。

【0120】

駆動回路からの信号に応じて、特定の行および特定の列の半導体発光素子４に、アノード配線５１およびカソード配線５２を介して駆動電流が流れ、当該半導体発光素子４の発光領域１８において光が発生する。

【0121】

半導体発光素子４は、反射層４３を有することで光の取り出し効率が改善されているため、画像表示装置９における光の取り出し効率を向上することができる。

【0122】

ここでは、実施の形態２の半導体発光素子４を用いたが、実施の形態１の半導体発光素子１を用いてもよい。

【0123】

以上、望ましい実施の形態について具体的に説明したが、本開示は上記の実施の形態に限定されるものではなく、各種の改良または変形を行なうことができる。

【0124】

以下に、本開示の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
（付記１）
第１の面を有する半導体積層部であって、前記第１の面から前記半導体積層部の内部にかけて形成された第１導電型の半導体領域と、第２導電型の発光層とを有し、前記半導体領域と前記発光層との間に発光領域が形成された半導体積層部と、
前記第１の面を覆い、光を透過する有機材料膜と
を有し、
前記半導体積層部は、
前記第１の面から前記半導体積層部の内部に形成され、前記第１の面と平行な方向において前記半導体領域に対向する溝部と、
前記溝部に形成された下地層であって、前記半導体領域に近づくほど前記第１の面からの深さが深くなるように傾斜する傾斜面を有する下地層と、
前記下地層の傾斜面に形成され、光を反射する反射層と
を有することを特徴とする半導体発光素子。
（付記２）
前記溝部の前記第１の面からの深さは、前記発光領域の前記第１の面からの深さ以上である
ことを特徴とする付記１に記載の半導体発光素子。
（付記３）
前記半導体積層部は、前記第１の面と反対側に半導体基板を有し、
前記溝部は、前記第１の面から前記半導体基板に到達するように形成されている
ことを特徴とする付記１または２に記載の半導体発光素子。
（付記４）
前記下地層は、前記第１の面に直交する方向において、前記発光領域と重なり合わない位置に形成されている
ことを特徴とする付記１から３までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記５）
前記下地層は、前記溝部の内部に形成された第１の部分と、前記第１の面上で前記溝部に対して前記発光領域と反対側に形成された第２の部分とを有し、
前記反射層は、前記第１の部分および前記第２の部分に形成されている
ことを特徴とする付記１から４までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記６）
前記第１の面上で前記半導体領域に形成された電極をさらに有する
ことを特徴とする付記１から５までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記７）
前記反射層は、前記第１の面上の前記半導体領域から、前記溝部を経由して配線部まで延在し、電極として機能する
ことを特徴とする付記１から５までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記８）
前記下地層は、前記第１の面上において、前記溝部と前記半導体領域との間で延在する第３の部分を有する
ことを特徴とする付記７に記載の半導体発光素子。
（付記９）
前記第１導電型は、ｐ型であり、
前記第２導電型は、ｎ型である
ことを特徴とする付記１から８までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記１０）
前記半導体領域に拡散されている不純物はＺｎであることを特徴とする付記１から９までの何れか１項に記載の半導体発光素子。
（付記１１）
付記１から１０までの何れか１項に記載の半導体発光素子を有することを特徴とする露光装置。
（付記１２）
像担持体と、
前記像担持体を露光する、付記１１に記載の露光装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
（付記１３）
付記１から１０までの何れか１項に記載の半導体発光素子を有することを特徴とする画像表示装置。

【符号の説明】

【0125】

１，４ 半導体発光素子、 ５ 発光素子アレイ、 ６ 半導体発光素子、 ７ 光プリントヘッド、 ８ 画像形成装置、 ９ 画像表示装置、 １０ 半導体積層部、 １０ａ 第１の面、 １０ｂ 第２の面、 １１ コンタクト層、 １２ 電流拡散層、 １３ 拡散電流阻止層、 １４ 発光層、 １５ 拡散阻止層、 １５ 電流拡散阻止層、 １６ 半導体基板、 １７ ｐ型領域（半導体領域）、 １８ 発光領域、 １９ 有機材料膜、 ２１ 溝部、 ２２ 下地層、 ２２ａ 溝内部分（第１の部分）、 ２２ｂ 面上部分（第２の部分）、 ２３ 反射層、 ２３ａ 第１の部分、 ２３ｂ 第２の部分、 ２３ｅ 下端、 ２４ 積層体、 ３１ ｐ側電極（電極）、 ３２ ｎ側電極、 ４１ 溝部、 ４２ 下地層、 ４２ａ 溝内部分（第１の部分）、 ４２ｂ 面上部分（第２の部分）、 ４２ｃ 面上部分（第３の部分）、 ４３ 反射層、 ４３ａ 第１の部分、 ４３ｂ 第２の部分、 ４３ｃ 第３の部分、 ４３ｄ 第４の部分、 ４３ｅ 接続部、 ４５ 分離溝、 ５１ アノード配線（配線部、第１の配線部）、 ５２ カソード配線（第２の配線部）、 ７１ 発光素子基板、 ７２ レンズアレイ、 ７３ レンズホルダ、 ８０，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ，８０Ｋ プロセスユニット、 ８１ 媒体供給部、 ８２ 転写ローラ、 ８３ 定着装置、 ８４ 媒体排出部、 ８５ 反転部、 ９０ 発光素子アレイ、 １０１ ｎ型半導体層（エピタキシャル層）、 １０２ 第１の半導体層、 ２２１ 傾斜面、 ２２２ 頂面、 ４２１ 傾斜面、 ４２２ 頂面、 ４２３ 逆傾斜面、 Ｌ１ 光、 Ｌ２ 出力光、 Ｌ３ 膜内伝搬光、 Ｌ４ 反射光、 Ｌ５ 積層部内伝搬光。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】