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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024154994
(43)【公開日】2024-10-31
(54)【発明の名称】半導体装置、および、半導体モジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20241024BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20241024BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20241024BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L21/60 321E
H01L23/36 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023069291
(22)【出願日】2023-04-20
(71)【出願人】
【識別番号】000233273
【氏名又は名称】ミネベアパワーデバイス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000925
【氏名又は名称】弁理士法人信友国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】浜名 英明
(72)【発明者】
【氏名】沼田 敦
(72)【発明者】
【氏名】恩田 智弘
(72)【発明者】
【氏名】江上 善光
【テーマコード（参考）】
5F136
【Ｆターム（参考）】
5F136BB13
5F136DA21
5F136DA22
5F136DA27
5F136EA13
5F136FA02
5F136FA03
5F136FA04
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置、および、半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた第１の導電性接合部材と、第１の導電性接合部材上に設けられた半導体素子と、半導体素子上に設けられた第２の導電性接合部材と、第２の導電性接合部材上に設けられた電極端子とを備える半導体装置を構成する。電極端子は、第１の金属部材と、第１の金属部材よりも熱伝導率が低い第２の金属部材とが一体化された構成を有し、電極端子の第１の導電性接合部材と接触する面の全てが第１の金属部材によって構成される。
【選択図】図１
【解決手段】基板と、基板上に設けられた第１の導電性接合部材と、第１の導電性接合部材上に設けられた半導体素子と、半導体素子上に設けられた第２の導電性接合部材と、第２の導電性接合部材上に設けられた電極端子とを備える半導体装置を構成する。電極端子は、第１の金属部材と、第１の金属部材よりも熱伝導率が低い第２の金属部材とが一体化された構成を有し、電極端子の第１の導電性接合部材と接触する面の全てが第１の金属部材によって構成される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられた第１の導電性接合部材と、
前記第１の導電性接合部材上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子上に設けられた第２の導電性接合部材と、
前記第２の導電性接合部材上に設けられた電極端子と、を備え、
前記電極端子は、第１の金属部材と、前記第１の金属部材と隣接して配置された前記第１の金属部材よりも熱伝導率が低い第２の金属部材とが一体化された構成を有し、
前記電極端子の前記第１の導電性接合部材と接触する面の全てが前記第１の金属部材によって構成される
半導体装置。
前記基板上に設けられた第１の導電性接合部材と、
前記第１の導電性接合部材上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子上に設けられた第２の導電性接合部材と、
前記第２の導電性接合部材上に設けられた電極端子と、を備え、
前記電極端子は、第１の金属部材と、前記第１の金属部材と隣接して配置された前記第１の金属部材よりも熱伝導率が低い第２の金属部材とが一体化された構成を有し、
前記電極端子の前記第１の導電性接合部材と接触する面の全てが前記第１の金属部材によって構成される
半導体装置。
【請求項2】
前記電極端子は、
前記第１の金属部材のみによって構成される下層部と、
前記下層部上に設けれらた、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材とが接合されて一体化した上層部と、有し、
前記下層部と前記上層部とが接合されて一体化されている
請求項１に記載の半導体装置。
前記第１の金属部材のみによって構成される下層部と、
前記下層部上に設けれらた、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材とが接合されて一体化した上層部と、有し、
前記下層部と前記上層部とが接合されて一体化されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記上層部において前記第２の金属部材が、前記第１の金属部材よりも積層方向の投影視における前記第１の導電性接合部材の重心位置側に配置される
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第２の金属部材は、前記第１の金属部材よりも比重が高い
請求項３に記載の半導体装置。
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１の金属部材が銅を含み、前記第２の金属部材がタングステンを含む
請求項４に記載の半導体装置。
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記上層部において前記第２の金属部材が、前記第１の金属部材よりも積層方向の投影視における前記第１の導電性接合部材の重心位置側と反対側に配置される
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第２の金属部材は、前記第１の金属部材よりも比重が低い
請求項６に記載の半導体装置。
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１の金属部材が銅を含み、前記第２の金属部材がアルミニウムを含む
請求項７に記載の半導体装置。
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
請求項１に記載の第１の半導体装置と、前記第１の半導体装置に配線によって電気的に接続された第２の半導体装置と、を備え、
前記第２の半導体装置は、
第２の基板と、
前記第２の基板上に設けられた導電性接合部材と、
前記導電性接合部材上に設けられた第２の半導体素子と、を備える
半導体モジュール。
前記第２の半導体装置は、
第２の基板と、
前記第２の基板上に設けられた導電性接合部材と、
前記導電性接合部材上に設けられた第２の半導体素子と、を備える
半導体モジュール。
【請求項10】
前記第１の半導体装置と前記第２の半導体装置とを封止する封止樹脂を備え、
前記封止樹脂から前記電極端子を構成する前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の上部が露出する
請求項９に記載の半導体モジュール。
前記封止樹脂から前記電極端子を構成する前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の上部が露出する
請求項９に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置、および、半導体モジュールに係わる。
【背景技術】
【0002】
第１のはんだ層を介して半導体素子が基板に実装され、さらに電極を取り出すための電極端子が第２のはんだ層によって半導体素子に接続された構成の半導体装置が知られている。このような構成の半導体装置において、半導体素子上に電極端子以外の複数の電極パッドが設けられている場合、半導体素子や第１のはんだ層の重心位置と電極端子の重心位置とがずれた状態で、第２のはんだ層によって電極端子が接続される。しかし、半導体素子や第１のはんだ層と電極端子との重心位置がずれた状態では、半導体素子に傾きが発生しやすい。
この対策として、比重の異なる素材を組み合わせて電極端子を構成し、はんだ層や半導体素子の重心位置と電極端子の重心位置とのずれを抑制する構成の半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
この対策として、比重の異なる素材を組み合わせて電極端子を構成し、はんだ層や半導体素子の重心位置と電極端子の重心位置とのずれを抑制する構成の半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６-１５２３４４号公報
【特許文献2】特開２０１５－１５６４７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述の特許文献１、および、特許文献２に記載された半導体装置の構成では、比重の異なる２種の素材がそれぞれはんだ層に接触している。このため、いずれか一方の素材の熱伝導率が他方の素材の熱伝導率よりも低くなり、熱伝導率の低い素材が接触する部分では半導体素子の放熱性が低下してしまい、半導体装置の耐熱性が低下しやすくなる。この結果、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
【0005】
上述した問題の解決のため、本発明においては、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置、および、半導体モジュールを提供するものである。
【0006】
また、本発明の上記の目的およびその他の目的と本発明の新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の半導体装置は、基板と、基板上に設けられた第１の導電性接合部材と、第１の導電性接合部材上に設けられた半導体素子と、半導体素子上に設けられた第２の導電性接合部材と、第２の導電性接合部材上に設けられた電極端子とを備える。そして、電極端子は、第１の金属部材と、第１の金属部材と隣接して配置された第１の金属部材よりも熱伝導率が低い第２の金属部材とが一体化された構成を有し、電極端子の第１の導電性接合部材と接触する面の全てが第１の金属部材によって構成される。
【0008】
また、本発明の半導体モジュールは、上記構成の第１の半導体装置と、第２の半導体装置とを備える。第２の半導体装置は、第２の基板と、第２の基板上に設けられた導電性接合部材と、導電性接合部材上に設けられた第２の半導体素子とを備える。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置、および、半導体モジュールを提供することができる。
【0010】
なお、上述した以外の課題、構成および効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】半導体モジュールの概略構成を示す図である。
【図2】第１の半導体装置の重心位置の説明をするための図である。
【図3】第１の半導体装置の重心位置による傾きの説明をするための図である。
【図4】電極端子の構成を示す図である。
【図5】電極端子の構成を示す図である。
【図6】電極端子の構成と重心位置との関係を説明するための図である。
【図7】電極端子の構成と重心位置との関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施形態に係る半導体モジュール、および、半導体装置の一例を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。以下で説明する各図において、共通の部材には同一の符号を付している。また、本明細書で用いる図面において、同一のまたは対応する構成要素には同一の符号を付け、これらの構成要素については繰り返しの説明を省略する場合がある。
【0013】
［半導体モジュール］
本実施形態の半導体モジュールの構成について説明する。図１に、半導体モジュールの概略構成を示す。
図１に示す半導体モジュール１は、第１の半導体装置１０と、第２の半導体装置２０とから構成される。
第１の半導体装置１０は、第１の基板１１、第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、第２のはんだ層１４、および、電極端子１５がこの順に積層された構成を有する。電極端子１５は、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とによって構成されている。電極端子１５は、第２のはんだ層１４に接触面の全てが第１の金属部材１６によって構成されている。
本実施形態の半導体モジュールの構成について説明する。図１に、半導体モジュールの概略構成を示す。
図１に示す半導体モジュール１は、第１の半導体装置１０と、第２の半導体装置２０とから構成される。
第１の半導体装置１０は、第１の基板１１、第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、第２のはんだ層１４、および、電極端子１５がこの順に積層された構成を有する。電極端子１５は、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とによって構成されている。電極端子１５は、第２のはんだ層１４に接触面の全てが第１の金属部材１６によって構成されている。
【0014】
第２の半導体装置２０は、第２の基板２１と、第３のはんだ層２２を介して第２の基板２１に実装された第２の半導体素子２３とコンデンサ２４とを備える。また、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０とは、配線２によって電気的に接続されている。配線２は、例えばワイヤーボンディング（ＷＢ）であり、第１の半導体素子１３上に設けられた図示しない電極パッドと、第２の基板２１上に設けられた図示しない電極パッドとに接続されている。
【0015】
さらに、半導体モジュール１は、電極を取り出すための電極端子１５の一部を除き、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０との全面が、封止樹脂３によって封止されている。図１に示す半導体モジュール１では、第１の基板１１の下面側と、電極端子１５の上面とが全て封止樹脂３から露出されている。封止樹脂３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂から構成される。
【0016】
第１の基板１１、第２の基板２１は、例えば、半導体パッケージ用のリードフレームから構成される。
第１のはんだ層１２、第２のはんだ層１４、および、第３のはんだ層２２は、第１の半導体装置１０および第２の半導体装置２０を構成する導電性接合部材の一例である。導電性接合部材は、第１の半導体素子１３、第２の半導体素子２３、コンデンサ２４、および、電極端子１５を接合することが可能な導電性部材により構成される。例えば、導電性接合部材は、ソルダーペーストや銀ペースト等の導電性ペーストを用いて形成される。ソルダーペーストの種類や導電性ペーストの種類、および、ソルダーペーストに用いられるはんだの組成については特に限定されず、半導体装置の実装に用いられる公知のソルダーペーストや導電性ペーストを用いることができる。
第１のはんだ層１２は、第１の半導体素子１３の一方の主面（裏面）側の全面に形成されている。第２のはんだ層１４は、第１の半導体素子１３の他方の主面（表面）側において、ボンディングパッド等の配線２が接続される電極を除く位置であり、電極端子１５の一方の面側の全面に形成されている。
第１のはんだ層１２、第２のはんだ層１４、および、第３のはんだ層２２は、第１の半導体装置１０および第２の半導体装置２０を構成する導電性接合部材の一例である。導電性接合部材は、第１の半導体素子１３、第２の半導体素子２３、コンデンサ２４、および、電極端子１５を接合することが可能な導電性部材により構成される。例えば、導電性接合部材は、ソルダーペーストや銀ペースト等の導電性ペーストを用いて形成される。ソルダーペーストの種類や導電性ペーストの種類、および、ソルダーペーストに用いられるはんだの組成については特に限定されず、半導体装置の実装に用いられる公知のソルダーペーストや導電性ペーストを用いることができる。
第１のはんだ層１２は、第１の半導体素子１３の一方の主面（裏面）側の全面に形成されている。第２のはんだ層１４は、第１の半導体素子１３の他方の主面（表面）側において、ボンディングパッド等の配線２が接続される電極を除く位置であり、電極端子１５の一方の面側の全面に形成されている。
【0017】
第１の半導体素子１３は、一定の厚さを有する素子であり、第１の基板１１よりも小さい面積で形成されている。第１の半導体素子１３は、例えば、スイッチング用の素子であるパワーＭＯＳＦＥＴ（Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を備え、内部の半導体チップに絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）や、ＤＭＯＳ（Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor）等が形成されている。
第２の半導体素子２３は、例えば、コンデンサ２４等の制御用ＩＣ（Integrated Circuit）によって構成されている。
第２の半導体素子２３は、例えば、コンデンサ２４等の制御用ＩＣ（Integrated Circuit）によって構成されている。
【0018】
（半導体モジュールの製造方法）
半導体モジュール１は、例えば、以下の工程によって製造される。まず、第１の基板１１上に、第１のはんだ層１２となるソルダーペーストを塗布し、このソルダーペースト上に第１の半導体素子１３を配置する。さらに、第１の半導体素子１３上に第２のはんだ層１４となるソルダーペーストを塗布し、このソルダーペースト上に電極端子１５を配置する。そして、第１の基板１１から電極端子１５までを積層した状態でリフロー処理を行い、第１のはんだ層１２および第２のはんだ層１４を溶融し、各構成を接合する。以上の工程で第１の半導体装置１０が形成される。
次に、第２の基板２１上に第３のはんだ層２２を塗布し、この第３のはんだ層２２上に第２の半導体素子２３とコンデンサ２４とを配置する。そして、リフロー処理を行い、第３のはんだ層２２を溶融し、各構成を接合する。以上の工程で第２の半導体装置２０が形成される。
次に、第１の半導体素子１３上に設けられた電極パッドと、第２の基板２１上に設けられた電極パッドとを、ボンディングワイヤで接続し、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０とを配線２で電気的に接続する。
次に、配線２で接続した第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０との全体を、封止樹脂３で封止する。
以上の工程により、半導体モジュール１を製造することができる。
半導体モジュール１は、例えば、以下の工程によって製造される。まず、第１の基板１１上に、第１のはんだ層１２となるソルダーペーストを塗布し、このソルダーペースト上に第１の半導体素子１３を配置する。さらに、第１の半導体素子１３上に第２のはんだ層１４となるソルダーペーストを塗布し、このソルダーペースト上に電極端子１５を配置する。そして、第１の基板１１から電極端子１５までを積層した状態でリフロー処理を行い、第１のはんだ層１２および第２のはんだ層１４を溶融し、各構成を接合する。以上の工程で第１の半導体装置１０が形成される。
次に、第２の基板２１上に第３のはんだ層２２を塗布し、この第３のはんだ層２２上に第２の半導体素子２３とコンデンサ２４とを配置する。そして、リフロー処理を行い、第３のはんだ層２２を溶融し、各構成を接合する。以上の工程で第２の半導体装置２０が形成される。
次に、第１の半導体素子１３上に設けられた電極パッドと、第２の基板２１上に設けられた電極パッドとを、ボンディングワイヤで接続し、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０とを配線２で電気的に接続する。
次に、配線２で接続した第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０との全体を、封止樹脂３で封止する。
以上の工程により、半導体モジュール１を製造することができる。
【0019】
［電極端子］
次に、第１の半導体装置１０を構成する電極端子１５について説明する。
電極端子１５は、上部側において第１の金属部材１６と、第１の金属部材と隣接して配置された第２の金属部材１７とが接合され、一体化した構成を有する。また、電極端子１５は、第１の半導体素子１３の電極に第２のはんだ層１４によって接続されている。電極端子１５が接続される電極としては、例えば、第１の半導体素子１３を構成するＭＯＳＦＥＴのソース電極である。そして、電極端子１５は、少なくとも一部が封止樹脂３の外部に露出されている。このため、電極端子１５によって、第１の半導体素子１３の電極が封止樹脂３の外部に取り出される。図１に示す構成では、電極端子１５は、第１の半導体装置１０の積層方向の上部に露出されている。
次に、第１の半導体装置１０を構成する電極端子１５について説明する。
電極端子１５は、上部側において第１の金属部材１６と、第１の金属部材と隣接して配置された第２の金属部材１７とが接合され、一体化した構成を有する。また、電極端子１５は、第１の半導体素子１３の電極に第２のはんだ層１４によって接続されている。電極端子１５が接続される電極としては、例えば、第１の半導体素子１３を構成するＭＯＳＦＥＴのソース電極である。そして、電極端子１５は、少なくとも一部が封止樹脂３の外部に露出されている。このため、電極端子１５によって、第１の半導体素子１３の電極が封止樹脂３の外部に取り出される。図１に示す構成では、電極端子１５は、第１の半導体装置１０の積層方向の上部に露出されている。
【0020】
（重心位置）
図２に示すように、第１の半導体装置１０は、積層方向からの投影視において、第１のはんだ層１２の重心位置１２ｇ、および、第１の半導体素子１３の重心位置１３ｇと、電極端子１５の重心位置１５ｇとが一致するように実装されている。すなわち、第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、および、電極端子１５は、いずれかの重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇを通る積層方向の断面において、各構成の重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが鉛直方向の直線５上に配置される。各構成の重心位置が直線５に配置されることにより、直線５は、第１の半導体装置１０において、第１のはんだ層１２から電極端子１５までの積層構造の重心位置を通る鉛直方向の垂線となる。
図２に示す構成では、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３は、中心位置に重心位置１２ｇ，１３ｇが配置されている。これに対し、電極端子１５は、積層方向の断面において中心位置１５ｃからずれた位置であり、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３は、中心位置に重心位置１２ｇ，１３ｇ側にずれた位置に重心位置１５ｇが配置されている。電極端子１５のに重心位置１５ｇの配置方法については後述する。
図２に示すように、第１の半導体装置１０は、積層方向からの投影視において、第１のはんだ層１２の重心位置１２ｇ、および、第１の半導体素子１３の重心位置１３ｇと、電極端子１５の重心位置１５ｇとが一致するように実装されている。すなわち、第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、および、電極端子１５は、いずれかの重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇを通る積層方向の断面において、各構成の重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが鉛直方向の直線５上に配置される。各構成の重心位置が直線５に配置されることにより、直線５は、第１の半導体装置１０において、第１のはんだ層１２から電極端子１５までの積層構造の重心位置を通る鉛直方向の垂線となる。
図２に示す構成では、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３は、中心位置に重心位置１２ｇ，１３ｇが配置されている。これに対し、電極端子１５は、積層方向の断面において中心位置１５ｃからずれた位置であり、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３は、中心位置に重心位置１２ｇ，１３ｇ側にずれた位置に重心位置１５ｇが配置されている。電極端子１５のに重心位置１５ｇの配置方法については後述する。
【0021】
なお、本形態の第１の半導体装置１０において、重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが一致するとは、各構成の重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが積層方向の投影視において完全に一致している必要はない。例えば、第１の基板１１から電極端子１５までを積層した第１の半導体装置１０において、第１のはんだ層１２と第２のはんだ層１４とを加熱溶融した際に、上記積層構造に傾きが生じない程度に、重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが近似している状態であればよい。
【0022】
第１の半導体装置１０のような積層構造を有る場合、上述のように第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、および、電極端子１５の重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが一致していないと、図３に示すように、上記積層構造に傾きが生じやすい。例えば、第１の基板１１から電極端子１５までを積層配置した状態の第１の半導体装置１０において、第１のはんだ層１２と第２のはんだ層１４とをリフロー等によって溶融した際に、第１の半導体装置１０の積層構造に傾きが発生する。この積層構造の傾きは、第１のはんだ層１２の重心位置１２ｇ、および、第１の半導体素子１３の重心位置１３ｇを通る鉛直方向の直線６と、電極端子１５の重心位置１５ｇを通るが鉛直方向の直線７とのずれによって発生する。また、第１の半導体装置１０における傾きは、第１のはんだ層１２が溶融した状態で発生する。従って、第１の半導体装置１０における傾きは、電極端子１５の重心位置１５ｇと、第１のはんだ層１２、および、第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇとのずれ量が大きいほど発生しやすい。このため、第１のはんだ層１２が溶融した際に、上記積層構造に傾きが生じない程度に、第１のはんだ層１２、第１の半導体素子１３、および、電極端子１５の重心位置１２ｇ，１３ｇ，１５ｇが近似している状態であればよい。
【0023】
（熱伝導部材）
電極端子１５は、第１の半導体素子１３からの熱を半導体モジュール１の外部に伝達するための熱伝導部材としても機能する。このため、電極端子１５は、放熱断面積が極力大きくなるように、第１の半導体素子１３の上面の範囲内において可能な限り大きくなるように形成される。
電極端子１５は、第１の半導体素子１３からの熱を半導体モジュール１の外部に伝達するための熱伝導部材としても機能する。このため、電極端子１５は、放熱断面積が極力大きくなるように、第１の半導体素子１３の上面の範囲内において可能な限り大きくなるように形成される。
【0024】
半導体モジュール１は、例えば、自動車用のオルタネータの整流に用いられる半導体装置を含んで構成される。このような用途では、第１の半導体装置１０に対して過大な熱を伴う電流が供給される場合がある。この場合、第１の半導体装置１０、特に第１の半導体素子１３の内部が発熱する。内部に熱が蓄積され、内部の温度が例えば３００℃を超えると、第１の半導体素子１３を構成するシリコンチップ等の半導体チップのＰＮ接合が破壊され、第１の半導体素子１３が性能を維持できなくなる。
このため、第１の半導体素子１３の熱を電極端子１５から放熱する必要がある。そこで、第１の半導体素子１３から電極端子１５への放熱性を高めるため、電極端子１５の熱伝導率を高めることが求められる。
このため、第１の半導体素子１３の熱を電極端子１５から放熱する必要がある。そこで、第１の半導体素子１３から電極端子１５への放熱性を高めるため、電極端子１５の熱伝導率を高めることが求められる。
【0025】
一方で電極端子１５のように、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７のような複数の金属材料を組み合わせた構成では、電極端子１５内での各金属の熱伝導率が異なる。このため、電極端子１５は、金属材料に起因する部分的に熱伝導率が高い部分と熱伝導率が低い部分とが含まれた構成となる。
【0026】
上述の複数の金属部材から構成される電極端子１５において、第１の半導体素子１３から第２のはんだ層１４を介して電極端子１５に効率よく熱を伝達させるためには、第２のはんだ層１４と接する面が、熱伝導率の高い素材によって構成されることが好ましい。特に、熱伝導率の高い金属材料と第２のはんだ層１４とが接する面が大きいほど、第１の半導体素子１３内の熱が、電極端子１５に効率よく伝達される。
【0027】
このため、電極端子１５は、少なくとも第２のはんだ層１４と接する面の全てが、熱伝達率の高い金属材料によって形成されていることが好ましい。また、電極端子１５では、第１の金属部材１６の熱伝導率が第２の金属部材１７よりも高い。したがって、電極端子１５は、第２のはんだ層１４に接触する全面が、熱伝導率の高い第１の金属部材１６によって構成されている。
さらに、熱伝導率の高い第１の金属部材１６が、封止樹脂３（図１）から露出する電極端子１５の上面まで連続して形成されている。このため、第１の半導体装置１０、および、半導体モジュールは、電極端子１５から外部への放熱性が高まる。
また、電極端子１５において、熱伝導率の高い第１の金属部材１６の体積比率が大きい方が、第１の半導体素子１３の放熱性を高めることができる。このため、電極端子１５は、第１の金属部材１６の比率が、第２の金属部材１７を含む他の金属部材の比率よりも大きいことが好ましい。
さらに、熱伝導率の高い第１の金属部材１６が、封止樹脂３（図１）から露出する電極端子１５の上面まで連続して形成されている。このため、第１の半導体装置１０、および、半導体モジュールは、電極端子１５から外部への放熱性が高まる。
また、電極端子１５において、熱伝導率の高い第１の金属部材１６の体積比率が大きい方が、第１の半導体素子１３の放熱性を高めることができる。このため、電極端子１５は、第１の金属部材１６の比率が、第２の金属部材１７を含む他の金属部材の比率よりも大きいことが好ましい。
【0028】
（第１の金属部材、第２の金属部材）
上述のように、電極端子１５は、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３と重心位置を一致させ、且つ、第１の半導体素子１３からの放熱性を向上させるための構成が求められる。このため、図４に示すように、電極端子１５は、熱伝導率の高い第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも熱伝導率が低く、且つ、第１の金属部材１６よりも比重が大きい重い第２の金属部材１７Ｈとから構成される。或いは、図５に示すように、電極端子１５は、熱伝導率の高い第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも熱伝導率が低く、且つ、第１の金属部材１６よりも比重が小さい第２の金属部材１７Ｌとから構成される。
上述のように、電極端子１５は、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３と重心位置を一致させ、且つ、第１の半導体素子１３からの放熱性を向上させるための構成が求められる。このため、図４に示すように、電極端子１５は、熱伝導率の高い第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも熱伝導率が低く、且つ、第１の金属部材１６よりも比重が大きい重い第２の金属部材１７Ｈとから構成される。或いは、図５に示すように、電極端子１５は、熱伝導率の高い第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも熱伝導率が低く、且つ、第１の金属部材１６よりも比重が小さい第２の金属部材１７Ｌとから構成される。
【0029】
図４および図５では、第１の半導体装置１０の積層方向をｚ方向として示している。また、ｚ方向に直行する電極端子１５の第１の金属部材１６および第２の金属部材１７の延伸方向をｙ方向として示している。さらに、ｚ方向およびｙ方向の両方に直行する第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との接合方向をｘ方向として示している。
なお、以下の説明では、第１の金属部材１６よりも比重が大きい第２の金属部材１７Ｈと、第１の金属部材１６よりも比重が小さい第２の金属部材１７Ｌとを区別して説明する必要が無い場合には、単に第２の金属部材１７と記載する。
なお、以下の説明では、第１の金属部材１６よりも比重が大きい第２の金属部材１７Ｈと、第１の金属部材１６よりも比重が小さい第２の金属部材１７Ｌとを区別して説明する必要が無い場合には、単に第２の金属部材１７と記載する。
【0030】
第１の金属部材１６と、第２の金属部材１７Ｈ，１７Ｌは、図４および図５に示すように、それぞれ所定の形状のブロックを組み合わせて一体化させた構成を有する。例えば、電極端子１５は、断面がＬ字型の第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６の内面側を満たす直方体状の第２の金属部材１７とから構成される。
【0031】
また、電極端子１５は、ｚ方向において、第１の金属部材１６のみによって構成される下層部１５ｄと、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とから構成される上層部１５ｕとが一体化された構成を有する。なお、電極端子１５は、下層部１５ｄ側が第２のはんだ層１４に接触する側であり、上層部１５ｕ側が封止樹脂３から上面が露出される側である。
第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とは、電極端子１５の上層部１５ｕにおいてｘ方向で接合面を有し、この接合面がｙ方向に延伸している。また、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とは、電極端子１５の上層部１５ｕと下層部１５ｄとの界面においてｚ方向で接合面を有し、この接合面がｙ方向に延伸している。電極端子１５は、例えば、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との表面同士を重ね合わせて圧延することにより、材料間の境界面を拡散接合（元素拡散によって合金化）させる方法によって一体化されている。
第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とは、電極端子１５の上層部１５ｕにおいてｘ方向で接合面を有し、この接合面がｙ方向に延伸している。また、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とは、電極端子１５の上層部１５ｕと下層部１５ｄとの界面においてｚ方向で接合面を有し、この接合面がｙ方向に延伸している。電極端子１５は、例えば、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との表面同士を重ね合わせて圧延することにより、材料間の境界面を拡散接合（元素拡散によって合金化）させる方法によって一体化されている。
【0032】
なお、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との形状は特に限定されない。後述のように、第２のはんだ層１４に接する面が第１の金属部材１６によって形成されていればよい。すなわち、電極端子１５は、第１の金属部材１６によって形成された下層部を有していればよい。このため、電極端子１５は、第２のはんだ層１４に接する下層部１５ｄ以外の構成は、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とが一体化した構成であれば特に限定されない。例えば、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との接合面が局面であったり、接合面が３以上あってもよい。また、第２の金属部材１７がｙ方向の全体にわたって延伸されていなくてもよい。さらに、第２の金属部材１７の一部または全部が第１の金属部材１６に埋め込まれた構成であってもよい。生産性や信頼性の観点から図４および図５に示すように断面がＬ字型の第１の金属部材１６と、直方体状の第２の金属部材１７とを組み合わせることが好ましい。
【0033】
電極端子１５は、第２のはんだ層１４に接続される側、すなわち第１の半導体素子１３側の全面に熱伝導率の高い第１の金属部材１６を配置される。この構成により、第２の金属部材１７が第２のはんだ層１４に接する構成に比べ、第１の半導体素子１３から電極端子１５への熱伝達を向上させることができる。このため、第１の半導体装置１０の耐熱性の向上、および、半導体モジュール１の信頼性の向上が可能となる。
電極端子１５において下層部１５ｄの厚さは特に限定されない。電極端子１５による放熱性や、電極端子１５の重心位置１５ｇの設計等に応じて、下層部１５ｄの厚さや電極端子１５内での比率を任意に設計することができる。
電極端子１５において下層部１５ｄの厚さは特に限定されない。電極端子１５による放熱性や、電極端子１５の重心位置１５ｇの設計等に応じて、下層部１５ｄの厚さや電極端子１５内での比率を任意に設計することができる。
【0034】
また、図４に示すように、電極端子１５は、積層方向の断面において重心位置１５ｇが、中心位置１５ｃよりも第２の金属部材１７Ｈ側、且つ、上方に移動している。これは、第２の金属部材１７Ｈが第１の金属部材１６よりも比重が大きいためである。このように、第１の金属部材１６よりも比重の大きい第２の金属部材１７Ｈを用いる場合には、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇに近い方に第２の金属部材１７Ｈを配置する。すなわち、電極端子１５において、第２の金属部材１７Ｈは、第１の半導体装置１０の積層構造の重心位置を通る鉛直方向の直線５（図２）に近い方に配置される。
【0035】
一方、図５に示すように、電極端子１５は、積層方向の断面において重心位置１５ｇが、中心位置１５ｃよりも第１の金属部材１６側、且つ、下方側に移動している。これは、第２の金属部材１７Ｌが第１の金属部材１６よりも比重が小さいためである。このように、第１の金属部材１６よりも比重の小さい第２の金属部材１７Ｌを用いる場合には、第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇから遠い方に第２の金属部材１７Ｈを配置する。すなわち、電極端子１５において、第２の金属部材１７Ｌは、第１の半導体装置１０の積層構造の重心位置を通る鉛直方向の直線５（図２）から遠い方に配置される。
【0036】
図４および図５に示すように、比重の異なる第１の金属部材１６と第２の金属部材１７とを用いることにより、電極端子１５の重心位置１５ｇを中心位置１５ｃからずらすことが可能となる。このため、後述するように、電極端子１５の重心位置１５ｇを、第１のはんだ層１２、および、第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇと一致させることが可能となる。この結果、第１の半導体装置１０の積層構造の傾きを抑制することができる。
【0037】
（材料）
第１の金属部材１６は、第２の金属部材１７よりの熱伝導率の高い金属材料から構成される。第１の金属部材１６は、例えば、熱伝導率が高く、且つ、導電性に優れる銅、銀によって構成される。
また、第２の金属部材１７は、熱伝導率が第１の金属部材１６よりも低く、導電性に優れる材料によって構成される。第１の金属部材１６が銀で構成される場合には、第２の金属部材１７は、銀よりも熱伝導率の低い銅で形成してもよい。
銅および銀よりも比重の大きい金属としては、例えば、タングステン、タンタル、金、および、鉛白金等が挙げられる。また、銅および銀よりも比重の小さい金属としては、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、および、錫等が挙げられる。また、第１の金属部材１６および第２の金属部材１７を構成する金属は、合金であってもよく、また、金属以外の添加物を含んでいてもよい。電極端子１５は、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との比重の差が大きいほど設計自由度が向上する。このため、比重、導電性、および熱伝導率等を考慮すると、第１の金属部材１６として、銅又は銅を含む合金を用いることが好ましい。そして、第２の金属部材１７として、比重の大きい金属の場合はタングステン又はタングステンを含む合金、比重の小さい金属の場合はアルミニウム又はアルミニウムを含む合金を用いることが好ましい。
また、電極端子１５は、３種以上の金属、合金等の部材を組み合わせてもよい。この場合にも、第２のはんだ層１４と接触する面の全てに最も熱伝導率の高い金属部材を用いることが好ましい。
第１の金属部材１６は、第２の金属部材１７よりの熱伝導率の高い金属材料から構成される。第１の金属部材１６は、例えば、熱伝導率が高く、且つ、導電性に優れる銅、銀によって構成される。
また、第２の金属部材１７は、熱伝導率が第１の金属部材１６よりも低く、導電性に優れる材料によって構成される。第１の金属部材１６が銀で構成される場合には、第２の金属部材１７は、銀よりも熱伝導率の低い銅で形成してもよい。
銅および銀よりも比重の大きい金属としては、例えば、タングステン、タンタル、金、および、鉛白金等が挙げられる。また、銅および銀よりも比重の小さい金属としては、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、および、錫等が挙げられる。また、第１の金属部材１６および第２の金属部材１７を構成する金属は、合金であってもよく、また、金属以外の添加物を含んでいてもよい。電極端子１５は、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との比重の差が大きいほど設計自由度が向上する。このため、比重、導電性、および熱伝導率等を考慮すると、第１の金属部材１６として、銅又は銅を含む合金を用いることが好ましい。そして、第２の金属部材１７として、比重の大きい金属の場合はタングステン又はタングステンを含む合金、比重の小さい金属の場合はアルミニウム又はアルミニウムを含む合金を用いることが好ましい。
また、電極端子１５は、３種以上の金属、合金等の部材を組み合わせてもよい。この場合にも、第２のはんだ層１４と接触する面の全てに最も熱伝導率の高い金属部材を用いることが好ましい。
【0038】
（重心位置）
また、第１の半導体装置１０において、電極端子１５に要求される重心位置１５ｇは、第１の半導体素子１３の大きさ（面積）や、第１の半導体素子１３上に設けられる電極パッドの位置、電極端子１５の大きさに応じて異なる。さらに、電極端子１５において、中心位置１５ｃから重心位置１５ｇのずれ量は、適用する第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との比重の差、電極端子１５中の第２の金属部材１７の体積比率、第２の金属部材１７の位置等によって変化する。このため、第１の半導体装置１０では、電極端子１５に要求される重心位置１５ｇに応じて、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７の素材、第２の金属部材１７の配置等を任意に設計する必要がある。
また、第１の半導体装置１０において、電極端子１５に要求される重心位置１５ｇは、第１の半導体素子１３の大きさ（面積）や、第１の半導体素子１３上に設けられる電極パッドの位置、電極端子１５の大きさに応じて異なる。さらに、電極端子１５において、中心位置１５ｃから重心位置１５ｇのずれ量は、適用する第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との比重の差、電極端子１５中の第２の金属部材１７の体積比率、第２の金属部材１７の位置等によって変化する。このため、第１の半導体装置１０では、電極端子１５に要求される重心位置１５ｇに応じて、第１の金属部材１６と第２の金属部材１７の素材、第２の金属部材１７の配置等を任意に設計する必要がある。
【0039】
図６および図７に、電極端子１５における第１の金属部材１６と第２の金属部材１７Ｈ，１７Ｌとの組み合わせによって設定される重心位置１５ｇの例を示す。
図６および図７では、第１の半導体装置１０の積層方向をｚ方向として示している。また、ｚ方向に直行する電極端子１５の第１の金属部材１６および第２の金属部材１７の延伸方向をｙ方向として示している。さらに、ｚ方向およびｙ方向の両方に直行する第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との接合方向をｘ方向として示している。また、図６および図７に示す電極端子１５は、ｘ方向、ｙ方向、および、ｚ方向をそれぞれ４分割した領域を示している。
なお、図６および図７において、第１の半導体装置１０の第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇは、電極端子１５の中心位置１５ｃよりもｘ方向のマイナス方向に配置されているものとする。
図６および図７では、第１の半導体装置１０の積層方向をｚ方向として示している。また、ｚ方向に直行する電極端子１５の第１の金属部材１６および第２の金属部材１７の延伸方向をｙ方向として示している。さらに、ｚ方向およびｙ方向の両方に直行する第１の金属部材１６と第２の金属部材１７との接合方向をｘ方向として示している。また、図６および図７に示す電極端子１５は、ｘ方向、ｙ方向、および、ｚ方向をそれぞれ４分割した領域を示している。
なお、図６および図７において、第１の半導体装置１０の第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇは、電極端子１５の中心位置１５ｃよりもｘ方向のマイナス方向に配置されているものとする。
【0040】
図６は、第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも比重の大きい第２の金属部材１７Ｈを用いた場合の重心位置１５ｇの配置の例である。図６に示すように、第２の金属部材１７Ｈの配置を変更することにより電極端子１５に要求される重心位置１５ｇを調整することができる。具体的には、比重の大きい第２の金属部材１７Ｈを、上層部１５ｕにおいて、第１の金属部材１６よりも第１の半導体装置１０の第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇ側に配置する。
【0041】
図６は、第１の金属部材１６として銅（Ｃｕ）、第１の金属部材１６よりも比重の大きい第２の金属部材１７Ｈとしてタングステン（Ｗ）を用いた例である。
図６に示す重心位置（１）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，７／１２）の位置に配置されている。
重心位置（２）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の１／２の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，８／１２）の位置に配置されている。
重心位置（３）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／３、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（４／１２，１／２，７／１２）の位置に配置されている。
図６に示す重心位置（１）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，７／１２）の位置に配置されている。
重心位置（２）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の１／２の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，８／１２）の位置に配置されている。
重心位置（３）の例では、第２の金属部材１７Ｈの配置を、ｘ方向の１／３、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（４／１２，１／２，７／１２）の位置に配置されている。
【0042】
上述のように、電極端子１５において、第２の金属部材１７Ｈの配置を調整することにより、重心位置１５ｇをｘ，ｙ，ｚ方向で調整することができる。このため、第１の半導体装置１０において要求される電極端子１５の重心位置１５ｇを、第２の金属部材１７Ｈの配置、体積等の調整によって調整することができる。このように、第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも比重の大きい第２の金属部材１７Ｈとを一体化させた電極端子１５を用いることにより、電極端子１５の重心位置１５ｇに起因する第１の半導体装置１０の積層構造の傾きを抑制することができる。
【0043】
次に、図７に示すように、第１の金属部材１６よりも比重の小さい第２の金属部材１７Ｌを用いた場合でも、第２の金属部材１７の配置を変更することにより電極端子１５に要求される重心位置１５ｇを調整することができる。具体的には、比重の小さい第２の金属部材１７Ｌを、上層部１５ｕにおいて、第１の金属部材１６よりも第１の半導体装置１０の第１のはんだ層１２および第１の半導体素子１３の重心位置１２ｇ，１３ｇ側と反対側に配置する。
【0044】
図７は、第１の金属部材１６として銅（Ｃｕ）、第１の金属部材１６よりも比重の小さい第２の金属部材１７Ｌとしてアルミニウム（Ａｌ）を用いた例である。
図７に示す重心位置（１）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，５／１２）の位置に配置されている。
重心位置（２）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の１／２の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，４／１２）の位置に配置されている。
重心位置（３）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／３、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（４／１２，１／２，５／１２）の位置に配置されている。
図７に示す重心位置（１）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，５／１２）の位置に配置されている。
重心位置（２）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／２、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の１／２の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（５／１２，１／２，４／１２）の位置に配置されている。
重心位置（３）の例では、第２の金属部材１７Ｌの配置を、ｘ方向の１／３、ｙ方向の全体（１／１）およびｚ方向の３／４の領域に配置している。この結果電、電極端子１５の重心位置１５ｇが、座標（ｘ，ｙ，ｚ）＝（４／１２，１／２，５／１２）の位置に配置されている。
【0045】
上述のように、電極端子１５において、第２の金属部材１７Ｌの配置を調整することにより、重心位置１５ｇをｘ，ｙ，ｚ方向で調整することができる。このため、第１の半導体装置１０において要求される電極端子１５の重心位置１５ｇを、第２の金属部材１７Ｌの配置、体積等の調整によって調整することができる。このように、第１の金属部材１６と、第１の金属部材１６よりも比重の小さい第２の金属部材１７Ｌとを一体化させた電極端子１５を用いることにより、電極端子１５の重心位置１５ｇに起因する第１の半導体装置１０の積層構造の傾きを抑制することができる。
【0046】
なお、第２の金属部材１７のｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の長さは、特に限定されず、電極端子１５に要求される重心位置１５ｇに応じて任意に設計される。また、第２の金属部材１７の形状や第１の金属部材１６と第２の金属部材１７の接合面の形状も特に限定されず、直方体以外の形状や、長方形以外の接合面であってもよい。第２の金属部材１７の形状を変更することにより、より精密な重心位置１５ｇの調整が可能となる。
【0047】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記の実施形態は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、本発明は、必ずしも説明した全ての構成を備える態様に限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能である。また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、削除したり、他の構成を追加・置換したりすることが可能である。
【符号の説明】
【0048】
１ 半導体モジュール、１ 半導体装置、２ 配線、３ 封止樹脂、５，６，７ 直線、１０ 第１の半導体装置、１１ 第１の基板、１２ 第１のはんだ層、１２ｇ，１３ｇ，１５ｇ 重心位置、１３ 第１の半導体素子、１４ 第２のはんだ層、１５ 電極端子、１５ｃ 中心位置、１５ｄ 下層部、１５ｕ 上層部、１６ 第１の金属部材、１７，１７Ｈ，１７Ｌ 第２の金属部材、２０ 第２の半導体装置、２１ 第２の基板、２２ 第３のはんだ層、２３ 第２の半導体素子、２４ コンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】