特開 2024-155314 半導体装置、半導体装置の製造方法及びＸ線コンピュータ断層撮像装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024155314

(43)【公開日】2024-10-31

(54)【発明の名称】半導体装置、半導体装置の製造方法及びＸ線コンピュータ断層撮像装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/768 20060101AFI20241024BHJP

   G01T 1/20 20060101ALI20241024BHJP

   A61B 6/42 20240101ALI20241024BHJP

【ＦＩ】

H01L21/90 M

G01T1/20 E

A61B6/03 320R

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023069942

(22)【出願日】2023-04-21

(71)【出願人】

【識別番号】594164542

【氏名又は名称】キヤノンメディカルシステムズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 達也

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 信彦

【テーマコード（参考）】

2G188

4C093

5F033

【Ｆターム（参考）】

2G188AA02

2G188BB02

2G188CC21

2G188CC22

2G188CC24

2G188DD05

2G188DD16

2G188DD30

2G188DD42

2G188DD44

2G188EE32

2G188EE36

2G188EE37

2G188FF12

2G188FF20

4C093AA22

4C093EB12

4C093EB13

4C093EB20

5F033GG01

5F033GG02

5F033GG03

5F033HH08

5F033HH09

5F033HH11

5F033HH12

5F033JJ18

5F033JJ19

5F033JJ33

5F033KK08

5F033KK09

5F033KK11

5F033KK12

5F033RR04

5F033RR06

5F033RR08

5F033RR09

5F033RR15

5F033SS11

5F033SS15

5F033TT02

5F033XX17

5F033XX18

(57)【要約】

【課題】保護膜クラックによる配線層の腐食を抑制することである。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、基板と、基板上に形成された最上層の配線層と、配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された第２の保護膜と、を備え、第１の保護膜と第２の保護膜は、平坦化膜より厚いことを特徴とする。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に形成された最上層の配線層と、
前記配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、
前記第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成された第２の保護膜と、を備え、
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、前記平坦化膜より厚いことを特徴とする、
半導体装置。

【請求項2】

前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、シリコン酸窒化膜又はシリコン窒化膜であり、
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜の厚みは、４２０ｎｍから７００ｎｍの範囲であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記平坦化膜は、シリコン酸化膜であり、
前記平坦化膜の厚みは、１００ｎｍから４００ｎｍの範囲であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第２の保護膜上に、有機膜が形成されることを特徴とする、
請求項２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記有機膜の厚みは、１μｍから３μｍの範囲であることを特徴とする、
請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第２の保護膜又は前記有機膜上に、光学透明粘着シートが設けられ、前記光学透明粘着シート上にシンチレータが設けられることを特徴とする、
請求項４に記載の半導体装置。

【請求項7】

半導体基板上に配線層を形成する工程と、
最上層の前記配線層上に第１の保護膜を形成する工程と、
前記第１の保護膜上に平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜上に第２の保護膜を形成する工程を有し、
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は４２０ｎｍから７００ｎｍの範囲の厚みに形成されたシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜であり、
前記平坦化膜は１００ｎｍから４００ｎｍの範囲の厚みに形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記第２の保護膜の上に有機膜を形成する工程を有し、
前記有機膜は１μｍから３μｍの範囲の厚みに形成されたことを特徴とする、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】

前記第２の保護膜、又は前記第２の保護膜の上に形成された有機膜の上に、
光学透明粘着シートとシンチレータを備える工程を有することを特徴とする、
請求項７又は請求項８に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項10】

前記光学透明粘着シートと前記シンチレータを備える工程の前に、前記第２の保護膜又は前記有機膜に圧力がかかることを特徴とする、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項11】

Ｘ線を照射するＸ線管と、前記Ｘ線管により照射されたＸ線を検出するＸ線検出器と、を備えるＸ線コンピュータ断層撮像装置であって、
前記Ｘ線検出器は、
基板と、
前記基板上に形成された最上層の配線層と、
前記配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、
前記第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成された第２の保護膜と、を備え、
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、前記平坦化膜より厚いことを特徴とする、
Ｘ線コンピュータ断層撮像装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書及び図面に開示の実施形態は、半導体装置、半導体装置の製造方法及びＸ線コンピュータ断層撮像装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に設けられた配線層と、その配線層を保護するために設けられた保護膜とを有する半導体装置が知られている。

【0003】

実装工程において、圧力が配線層上の保護膜に集中することや、異物を挟み込んだ時の圧力によって保護膜にクラックが生じることがある。クラックが配線層まで到達してしまう場合、使用環境により配線層の腐食を促進してしまう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８－２９４１２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本明細書及び図面に開示の実施形態が解決しようとする課題の一つは、保護膜クラックによる配線層の腐食を抑制することである。ただし、本明細書及び図面に開示の実施形態により解決しようとする課題は上記課題に限られない。後述する実施形態に示す各構成による各効果に対応する課題を他の課題として位置づけることもできる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本実施形態の半導体装置は、基板と、基板上に形成された最上層の配線層と、配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された第２の保護膜と、を備え、第１の保護膜と第２の保護膜は、平坦化膜より厚いことを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、比較例の半導体装置の構成を示す断面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る保護膜の構成例を示す図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図5】図５は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図7】図７は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図11】図１１は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図12】図１２は、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置に用いる半導体装置の一例を示す断面図である。

【図13】図１３は、第２実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図14】図１４は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図15】図１５は、第３実施形態に係るＸ線コンピュータ断層撮像装置の構成の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面を相互に参照する場合がある。複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付しており、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。

【0009】

また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表されている場合もある。また、例えば、図面の視認性を確保する観点から、各図面の説明において主要又は代表的な構成要素だけに参照符号を付し、同一又は略同一の機能を有する構成要素であっても参照符号を付していない場合もある。

【0010】

図１は、比較例の半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。図１に示される半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ－Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｅｃｔ－Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０２や層間絶縁膜１０３が設けられた半導体基板であるシリコン基板１０１と、層間絶縁膜１０３を介してシリコン基板上に設けられた配線層１０８とを備えている。配線層１０８は、層間絶縁膜１０３や保護膜１０９によって被覆されている。

【0011】

（第１実施形態）
図２は、第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置は、シリコン基板１０１、ＭＯＳトランジスタ１０２、層間絶縁膜１０３、コンタクト１０４、配線層１０５、層間絶縁膜１０６、ビア１０７、配線層１０８、保護膜１０９（第１の保護膜１０９１及び第２の保護膜１０９２）及び平坦化膜１１０を備える。なお、半導体基板としてはシリコン基板の他に、ＧａＰ（リン化ガリウム）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、ＩｎＰ（リン化インジウム）、ＧａＮ（窒化ガリウム）などの化合物半導体基板であっても良く、さらには、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）基板、サファイア基板であっても良い。

【0012】

ＭＯＳトランジスタ１０２、層間絶縁膜１０３及びコンタクト１０４は、シリコン基板１０１に形成されている。配線層１０５、層間絶縁膜１０６及びビア１０７は、層間絶縁膜１０３上に形成されている。配線層１０８は、シリコン基板１０１上に形成されている。また、配線層１０８は、層間絶縁膜１０６上に形成されている。第１の保護膜１０９１は、配線層１０８を被覆するように形成されている。平坦化膜１１０は、第１の保護膜１０９１上に形成されている。第２の保護膜１０９２は、平坦化膜１１０上に形成されている。

【0013】

図３は、本実施形態の第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２のそれぞれの構成例である。本実施形態の第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２は同じ構造とすることができる。よって、図３では、第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２が同じ構造を持つものとして説明している。本実施形態の第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２のそれぞれは３層構造となっている。

【0014】

第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２のそれぞれは、例えば、シリコン酸窒化膜２０１、シリコン窒化膜２０２及びシリコン酸窒化膜２０３を有する。シリコン酸窒化膜２０１及びシリコン酸窒化膜２０３は反射防止膜として用いられる。このような反射防止構造を採ることにより、入射光の透過率を向上させ、ひいては感度を向上させることができる。このように、第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２のそれぞれの構成により、外部からの水分、不純物などの浸入を防ぎ、半導体装置の信頼性を確保している。

【0015】

図４は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。また、図５から図１１は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

【0016】

ステップＳ３０１では、図５から図８に示されるように、半導体装置のシリコン基板１０１にはＭＯＳトランジスタ１０２、層間絶縁膜１０３、コンタクト１０４が形成される。また、層間絶縁膜１０３上には、配線層１０５、層間絶縁膜１０６、ビア１０７を形成させる。さらに、層間絶縁膜１０６上には、配線層１０８を形成させる。

【0017】

配線層１０５及び配線層１０８としては、例えば、アルミニウム、銅又はそれらの合金膜を用いる。コンタクト１０４、ビア１０７、としては、例えば、タングステン、窒化チタン、チタン等の金属膜やその積層を用いる。層間絶縁膜１０３は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によるＮＳＧ（Ｎｏｎ－Ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ－Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）により形成されたシリコン酸化膜を用いるとする。層間絶縁膜１０６は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜を用いるものとする。

【0018】

ステップＳ３０２では、図９に示されるように、第１の保護膜１０９１は、配線層１０８を被覆するように形成させる。保護膜１０９（第１の保護膜１０９１、後述する第２の保護膜１０９２）は使用環境から内部素子を保護するための絶縁膜であり、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜からなる保護膜（パッシベーション膜）等の膜が用いられる。

【0019】

これらのシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜は、プラズマＣＶＤ法により形成される。これらの膜によって形成される第１の保護膜１０９１及び第２の保護膜１０９２のそれぞれの膜の厚みは、例えば、４２０ｎｍから７００ｎｍである。

【0020】

ステップＳ３０３では、図１０に示されるように、平坦化膜１１０は、第１の保護膜１０９１上に形成させる。平坦化膜１１０は、第１の保護膜１０９１上に形成された凹凸を平坦化させるように設けられている。平坦化膜１１０は、プラズマＣＶＤ法により形成された膜で、本実施形態では、例えば、シリコン酸化膜を用いる。配線層１０８上の第１の保護膜１０９１から後述する第２の保護膜１０９２までの平坦化膜１１０の厚みは１００ｎｍから４００ｎｍである。

【0021】

ステップ３０４では、図１１に示されるように、第２の保護膜１０９２は、平坦化膜１１０上に形成させる。第２の保護膜１０９２は、第１の保護膜１０９１と同様、プラズマＣＶＤ法によって形成された膜で、本実施形態では、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜からなる保護膜（パッシベーション膜）を用いる。第２の保護膜１０９２の厚みは４２０ｎｍから７００ｎｍである。つまり、第１の保護膜１０９１と第２の保護膜１０９２は、平坦化膜１１０より厚い。

【0022】

また、図１１では、複数の膜の厚さをｔ１からｔ４として示している。厚みｔ１は、第１の保護膜１０９１の厚みであり、４２０ｎｍから７００ｎｍである。厚みｔ２は、第２の保護膜１０９２の厚みであり、４２０ｎｍから７００ｎｍである。厚みｔ３は、平坦化膜１１０のうち、配線層１０８の上部に位置する部分の厚みであり、１００ｎｍから４００ｎｍである。厚みｔ４は、平坦化膜１１０のうち、シリコン基板１０１を上面視した場合に配線層１０８とは重ならない部分の厚みである。

【0023】

この部分の厚みｔ４は、第１の保護膜１０９１、第２の保護膜１０９２よりも厚くなり得るが、厚みｔ１及び厚みｔ２が厚みｔ４よりも厚く構成されても良い。平坦化膜１１０を形成した後の平坦化の工程において、平坦化膜１１０のうち、配線層１０８の上部に位置する部分は、シリコン基板１０１を上面視した場合に配線層１０８とは重ならない部分よりも多く削られる。

【0024】

これにより、平坦化膜１１０のうち、配線層１０８の上部に位置する部分と、シリコン基板１０１を上面視した場合に配線層１０８とは重ならない部分とが連続的に平坦な面として形成される。本実施形態では、平坦化膜１１０のうち、配線層１０８の上部に位置する部分の厚みｔ３よりも、第１の保護膜１０９１の厚みｔ１及び第２の保護膜１０９２の厚みｔ２を大きくしている。また、厚みｔ３に対して、厚みｔ１、厚みｔ２のそれぞれを５０ｎｍ以上大きくすることにより、配線層１０８に対する保護をより強固なものとすることができる。

【0025】

以上のステップＳ３０１～ステップＳ３０４の工程により、本実施形態の半導体装置（ＩＣチップ）が製造される。

【0026】

続いて、本実施形態の作用について説明する。一般的に、配線層上に形成される保護膜は、配線層が熱処理により溶解しないように、４００℃以下という低温でのプラズマＣＶＤ法により形成される。そのため、高温の熱処理をした場合に比べ保護膜の強度は低くなる。

【0027】

半導体装置（ＩＣチップ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）をセラミック基板などに圧着する実装工程において、実装工程で使用する装置（例えば、バックグラインド工程やダイシング工程、ダイボンディング工程等）の半導体装置への圧力が配線層上の保護膜に荷重集中する場合や、実装工程で使用する装置と半導体装置の間に異物などが挟まり、挟み込んだ異物による圧力が半導体装置にかかった場合、半導体装置の上層の保護膜にクラックが生じ、半導体装置の長期信頼性を落とすことになる。

【0028】

例えば、バックグラインド工程では、図１に示した構成の場合、保護膜１０９の上部に貼り付けた接着テープによって、バックグラインド工程を行う装置の基台に固定する。そして、シリコン基板１０１の裏面側を研磨することで、シリコン基板１０１の厚みを低減させる。このシリコン基板１０１を研磨する際に、接着テープが貼り付けられた保護膜１０９に荷重集中が生じ得る。この結果、保護膜１０９にクラックが生じ、配線層１０８の保護が不十分になる。

【0029】

これに対して、本実施形態では、最上層の配線層を被覆するように形成された第１の保護膜１０９１と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜１１０と、平坦化膜１１０上に形成された第２の保護膜１０９２を形成している。保護膜１０９は防水性に優れたシリコン窒化膜であり、平坦化膜１１０より十分に厚い４２０ｎｍから７００ｎｍで配置しているため、第２の保護膜１０９２にクラックが生じた場合にも、保護膜１０９でクラックを止め、配線層１０８まで到達することなく配線層の腐食を防止することができる。

【0030】

また、ナノインデンテーションによる押し込み硬さ評価において、保護膜が１層で十分に厚い場合よりも、平坦化膜と保護膜の組み合わせにより絶縁膜に界面がある方が、同じ厚さでも押し込み荷重に対して効果があることを確認した。

【0031】

また、本実施形態の半導体装置において、図１２のように半導体装置と光学透明粘着シート（ＯＣＡ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）１１１とシンチレータ１１２と、を用いた構成にすることで、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置に使用されるＸ線ＣＴ用検出器に用いる、放射線の強弱を可視化した画像を得る撮像装置とすることができる。この時、半導体装置にかかる圧力は光学透明粘着シート１１１とシンチレータ１１２を用いる前のタイミングとなる。

【0032】

このように、基板上に形成された最上層の配線層に対し、配線層を被覆するように第１の保護膜１０９１を形成し、第１の保護膜１０９１上に平坦化膜１１０、平坦化膜上に第２の保護膜１０９２を形成し、第１の保護膜１０９１及び第２の保護膜１０９２のそれぞれを平坦化膜より厚い半導体装置にすることで、クラックに対する耐性が向上し、配線層の腐食を防止することができる。

【0033】

以上説明したように、本実施形態の半導体装置は、基板と、基板上に形成された最上層の配線層と、配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された第２の保護膜と、を備え、第１の保護膜と第２の保護膜は、平坦化膜より厚いことを特徴とする。

【0034】

これにより、本実施形態によれば、基板上に形成された最上層の配線層と、配線層を被覆するように形成された第１の保護膜と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された第２の保護膜を備えることで、配線層の腐食を防止することができる。

【0035】

なお、本実施形態は、Ｘ線ＣＴ用検出器に搭載される半導体装置のように、フォトダイオードの面積が大きく半導体装置の配線密度が低いものにおいてより効果的である。

【0036】

なお、上述した実施形態は、半導体装置が有する構成又は機能の一部を変更することで、適宜に変形して実施することも可能である。そこで、以下では、上述した実施形態に係るいくつかの変形例を他の実施形態として説明する。なお、以下では、上述した実施形態と異なる点を主に説明することとし、既に説明した内容と共通する点については同一の符号を付与しえ詳細な説明を省略する。また、以下で説明する他の実施形態は、個別に実施されてもよいし、適宜組み合わせて実施されてもよい。

【0037】

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図１３を用いて説明する。図１３は、第２の実施形に係る半導体装置の構成を示す断面図である。第２実施形態では、上述した第１実施形態に係る半導体装置と概ね同様の構成を備えており、共通する部分は共通の符号を付与し説明は省略する。第２実施形態の半導体装置において、図１３のように第２の保護膜１０９２上の上に有機膜２１１を用いてもよい。

【0038】

図１４は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１４に示すステップＳ３０１からＳ３０４は、図４に示すステップＳ３０１からステップＳ３０４まで共通であるため、詳細の説明は省略する。

【0039】

ステップＳ３０５では、図１３に示されるように、第２の保護膜１０９２上に有機膜２１１を形成させる。有機膜２１１は、有機系材料を用いた有機系材料膜であり、本実施形態では少なくとも１層の有機系材料膜が１μｍから３μｍ程度の厚みで形成される。

【0040】

また、上記第１の実施形態の図１２のように、有機膜２１１の上に光学透明粘着シート１１１が設けられ、光学透明粘着シート１１１上にシンチレータ１１２を設けられる構成にすることで、Ｘ線検出器に用いるＸ線コンピュータ断層撮像装置とすることができる。この時、半導体装置にかかる圧力は、第１の実施形態同様に光学透明粘着シート１１１とシンチレータ１１２を用いる前のタイミングとなる。

【0041】

このように、基板上に形成された最上層の配線層に対し、配線層を被覆するように第１の保護膜を形成し、第１の保護膜上に平坦化膜、平坦化膜上に第２の保護膜を形成し、第２の保護膜上に有機膜を形成し、保護膜と有機膜を平坦化膜より十分厚い半導体装置にすることで、クラックに対する耐性が向上し、半導体装置と光学透明粘着シート１１１とシンチレータ１１２を用いた構成にする場合には光学透明粘着シート１１１との密着性も向上することができる。

【0042】

（第３実施形態）
続いて、第１実施形態及び第２実施形態の半導体装置をＸ線コンピュータ断層撮像装置が備えるＸ線検出器に適用する形態について説明する。

【0043】

図１５は、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１の構成の一例を示す図である。図１５に示すように、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１は、架台１０、寝台３０及びコンソール４０を有する。なお、図１５では説明の都合上、架台１０が複数描画されている。架台１０は、被検体ＰをＸ線ＣＴ撮像するための構成を有するスキャン装置である。寝台３０は、Ｘ線ＣＴ撮像の対象となる被検体Ｐを載置し、被検体Ｐを位置決めするための搬送装置である。

【0044】

コンソール４０は、架台１０、寝台３０を制御するコンピュータである。例えば、架台１０及び寝台３０はＣＴ検査室に設置され、コンソール４０はＣＴ検査室に隣接する制御室に設置される。架台１０、寝台３０及びコンソール４０は、互いに通信可能に有線又は無線で接続されている。

【0045】

なお、コンソール４０は、必ずしも制御室に設置されなくてもよい。例えば、コンソール４０は、架台１０及び寝台３０と共に同一の部屋に設置されてもよい。また、コンソール４０が架台１０に組み込まれてもよい。

【0046】

なお、本実施形態では、非チルト状態での回転フレーム１３の回転軸又は寝台３０の天板３３の長手方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に直交し床面に対し水平である軸方向をＸ軸方向、Ｚ軸方向に直交し床面に対し垂直である軸方向をＹ軸方向と定義する。

【0047】

図１５に示すように、架台１０は、Ｘ線管１１、Ｘ線検出器１２、回転フレーム１３、Ｘ線高電圧装置１４、制御装置１５、ウェッジ１６、コリメータ１７及びデータ収集回路（Ｄａｔａ Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ：ＤＡＳ）１８を有する。

【0048】

Ｘ線管１１は、熱電子を発生する陰極（フィラメント）と、熱電子の衝突を受けてＸ線を発生する陽極（ターゲット）とを有する真空管である。Ｘ線管１１は、Ｘ線高電圧装置１４から供給される高電圧を用いて、陰極から陽極に向けて熱電子を照射することにより、被検体Ｐに対してＸ線を照射する。

【0049】

なお、Ｘ線を発生させるハードウェアはＸ線管１１に限られない。例えば、Ｘ線管１１に代えて、第５世代方式を用いてＸ線を発生させることにしても構わない。第５世代方式は、電子銃から発生した電子ビームを集束させるフォーカスコイルと、電磁偏向させる偏向コイルと、被検体Ｐの半周を囲い偏向した電子ビームが衝突することによってＸ線を発生させるターゲットリングとを含む。

【0050】

Ｘ線検出器１２は、Ｘ線管１１から照射され被検体Ｐを通過したＸ線を検出し、検出されたＸ線の線量に対応した電気信号をデータ収集回路１８に出力する。Ｘ線検出器１２は、例えば、Ｘ線管１１の焦点を中心として１つの円弧に沿ってチャネル方向に複数のＸ線検出素子が配列されたＸ線検出素子列を有する。

【0051】

Ｘ線検出器１２は、例えば、チャネル方向に複数のＸ線検出素子がスライス方向（列方向，ｒｏｗ方向）に複数配列された構造を有する。また、Ｘ線検出器１２は、例えば、グリッド、シンチレータアレイ及び光センサアレイを有する間接変換型の検出器である。シンチレータアレイは、複数のシンチレータを有する。シンチレータは、入射Ｘ線量に応じた光量の光を出力するシンチレータ結晶を有する。グリッドは、シンチレータアレイのＸ線入射面側の面に配置され、散乱Ｘ線を吸収する機能を有するＸ線遮蔽板を有する。

【0052】

Ｘ線検出器１２は、上述した第１実施形態及び第２実施形態の半導体装置をＸ線検出素子に適用する。例えば、Ｘ線検出器１２は、基板と、基板上に形成された配線層１０５と、配線層１０５を被覆するように形成された第１の保護膜１０９１と、第１の保護膜上に形成された平坦化膜１１０と、平坦化膜上に形成された第２の保護膜１０９２と、を備え、第１の保護膜１０９１と第２の保護膜１０９２は、平坦化膜１１０より厚い。

【0053】

なお、グリッドは、コリメータ（１次元コリメータ又は２次元コリメータ）と呼ばれる場合もある。光センサアレイは、シンチレータからの光の光量に応じた電気信号に変換する機能を有する。光センサとしては、例えば、光電子増倍管（フォトマルチプアイヤー：ＰＭＴ）等が用いられる。なお、Ｘ線検出器１２は、入射したＸ線を電気信号に変換する半導体素子を有する直接変換型の検出器であっても構わない。ここで、Ｘ線検出器１２は、検出部の一例である。

【0054】

回転フレーム１３は、Ｘ線管１１とＸ線検出器１２とを対向支持し、後述する制御装置１５によってＸ線管１１とＸ線検出器１２とを回転させる円環状のフレームである。回転フレーム１３の開口部１９には、画像視野（ＦＯＶ）が設定される。例えば、回転フレーム１３は、アルミニウムを材料とした鋳物である。

【0055】

なお、回転フレーム１３は、Ｘ線管１１及びＸ線検出器１２に加えて、Ｘ線高電圧装置１４やウェッジ１６、コリメータ１７及びデータ収集回路１８等をさらに支持することもできる。また、回転フレーム１３は、図１５において図示しない種々の構成をさらに支持することもできる。

【0056】

Ｘ線高電圧装置１４は、高電圧発生装置及びＸ線制御装置を有する。高電圧発生装置は、変圧器（トランス）及び整流器等の電気回路を有し、Ｘ線管１１に印加する高電圧及びＸ線管１１に供給するフィラメント電流を発生する。Ｘ線制御装置は、Ｘ線管１１が照射するＸ線に応じた出力電圧の制御を行う。

【0057】

高電圧発生装置は、変圧器方式であってもよいし、インバータ方式であっても構わない。Ｘ線高電圧装置１４は、架台１０内の回転フレーム１３に設けられてもよいし、架台１０内の固定フレーム（図示しない）に設けられても構わない。なお、固定フレームは、回転フレーム１３を回転可能に支持するフレームである。

【0058】

制御装置１５は、モータ及びアクチュエータ等の駆動機構と、この駆動機構を制御するプロセッサ及びメモリ等を有する処理回路とを含む。制御装置１５は、入力インターフェース４３や架台１０に設けられた入力インターフェース等からの入力信号を受けて、架台１０及び寝台３０の動作制御を行う。

【0059】

制御装置１５による動作制御としては、例えば、回転フレーム１３を回転させる制御、架台１０をチルトさせる制御及び寝台３０を動作させる制御等がある。なお、架台１０をチルトさせる制御は、架台１０に取り付けられた入力インターフェースによって入力される傾斜角度（チルト角度）情報により、制御装置１５がＸ軸方向に平行な軸を中心に回転フレーム１３を回転させることによって実現される。

【0060】

なお、制御装置１５は架台１０に設けられてもよいし、コンソール４０に設けられてもよい。ここで、制御装置１５は、医用寝台制御装置の一例であり得る。

【0061】

ウェッジ１６は、Ｘ線管１１から照射されたＸ線量を調節するためのフィルタである。具体的には、ウェッジ１６は、Ｘ線管１１から被検体Ｐへ照射されるＸ線が、予め定められた分布になるように、Ｘ線管１１から照射されたＸ線を透過して減衰するフィルタである。

【0062】

例えば、ウェッジ１６は、ウェッジフィルタ（ｗｅｄｇｅ ｆｉｌｔｅｒ）やボウタイフィルタ（ｂｏｗ－ｔｉｅ ｆｉｌｔｅｒ）であり、所定のターゲット角度や所定の厚みとなるようにアルミニウム等を加工して構成される。

【0063】

コリメータ１７は、ウェッジ１６を透過したＸ線の照射範囲を限定する。コリメータ１７は、Ｘ線を遮蔽する複数の鉛板をスライド可能に支持し、複数の鉛板により形成されるスリットの形態を調節する。なお、コリメータ１７は、Ｘ線絞りと呼ばれる場合もある。

【0064】

データ収集回路１８は、Ｘ線検出器１２により検出されたＸ線の線量に応じた電気信号をＸ線検出器１２から読み出す。データ収集回路１８は、読み出した電気信号を増幅し、ビュー期間に亘り電気信号を積分（加算）することにより当該ビュー期間に亘るＸ線の線量に応じたデジタル値を有する検出データを収集する。検出データは、投影データと呼ばれる。

【0065】

データ収集回路１８は、例えば、投影データを生成可能な回路素子を搭載した特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）により実現される。投影データは、非接触データ伝送装置等を介してコンソール４０に伝送される。ここで、データ収集回路１８は、検出部の一例である。

【0066】

なお、データ収集回路１８が生成した検出データは、回転フレーム１３に設けられた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ： ＬＥＤ）を有する送信機から光通信によって架台１０の非回転部分（例えば、固定フレーム。図１５での図示は省略している。）に設けられた、フォトダイオードを有する受信機に送信され、コンソール４０へと転送される。なお、回転部分の回転フレーム１３から架台１０の非回転部分への検出データの送信方法は、前述の光通信に限らず、非接触型のデータ転送であれば如何なる方式を採用しても構わない。

【0067】

寝台３０は、スキャン対象の被検体Ｐを載置、架台１０の中空へ天板３３を移動させる装置である。寝台３０は、基台３１、寝台駆動装置３２、天板３３及び支持フレーム３４を有する。基台３１は、支持フレーム３４を鉛直方向に移動可能に支持する筐体である。寝台駆動装置３２は、被検体Ｐが載置された天板３３を、天板３３の長手方向に移動する駆動機構である。寝台駆動装置３２は、モータ及びアクチュエータ等を含む。

【0068】

天板３３は、被検体Ｐを載置する板である。天板３３は、支持フレーム３４の上面に設けられる。天板３３は、被検体Ｐの全身が撮像可能となるように、寝台３０から架台１０側へ突出する（長手方向に移動可能である）ことが可能である。天板３３は、例えば、Ｘ線の透過性と、剛性及び強度等の物理特性とが良好な炭素繊維強化樹脂（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃ；ＣＦＲＰ）により形成される。また、例えば、天板３３の内部は、空洞である。

【0069】

支持フレーム３４は、天板３３を、天板３３の長手方向に移動可能に支持する。なお、寝台駆動装置３２は、天板３３に加え、支持フレーム３４を天板３３の長手方向に移動させてもよい。なお、寝台３０は、医用寝台装置の一例である。

【0070】

コンソール４０は、メモリ４１、ディスプレイ４２、入力インターフェース４３及び処理回路４４を有する。メモリ４１とディスプレイ４２と入力インターフェース４３と処理回路４４との間のデータ通信は、バス（ＢＵＳ）を介して行われる。なお、コンソール４０は架台１０とは別体として説明するが、架台１０にコンソール４０又はコンソール４０の各構成要素の一部が含まれてもよい。ここで、コンソール４０は、医用寝台制御装置の一例である。

【0071】

メモリ４１は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等により実現される。また、例えば、メモリ４１は、各種のプログラムを記憶する。なお、メモリ４１の保存領域は、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１内にあってもよいし、ネットワークで接続された外部記憶装置内にあってもよい。ここで、メモリ４１は、記憶部の一例である。

【0072】

ディスプレイ４２は、各種の情報を表示する。例えば、ディスプレイ４２は、処理回路４４によって生成された医用画像（ＣＴ画像）や、操作者からの各種操作を受け付けるためのＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）等を表示する。ディスプレイ４２に表示される情報は、実施形態に係る寝台制御における通知情報を含む。ディスプレイ４２としては、種々の任意のディスプレイが、適宜、使用可能となっている。

【0073】

例えば、ディスプレイ４２として、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ（ＣＲＴ）ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＥＬＤ）又はプラズマディスプレイが使用可能である。

【0074】

なお、ディスプレイ４２は、制御室の如何なる場所に設けられてもよい。また、ディスプレイ４２は、架台１０に設けられてもよい。また、ディスプレイ４２は、デスクトップ型でもよいし、コンソール４０の本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されることにしても構わない。また、ディスプレイ４２として、１又は２以上のプロジェクタが用いられてもよい。ここで、ディスプレイ４２は、表示部の一例である。

【0075】

入力インターフェース４３は、操作者からの各種の入力操作を受け付け、受け付けた入力操作を電気信号に変換して処理回路４４に出力する。例えば、入力インターフェース４３は、撮像条件や、ＣＴ画像データを再構成する際の再構成条件、ＣＴ画像データに対する画像処理条件等を操作者から受け付ける。

【0076】

入力インターフェース４３としては、例えば、マウス、キーボード、トラックボール、スイッチ、ボタン、ジョイスティック、タッチパッド及びタッチパネルディスプレイ等が適宜、使用可能となっている。

【0077】

なお、本実施形態において、入力インターフェース４３は、これらの物理的な操作部品を備えるものに限られない。例えば、装置とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、この電気信号を処理回路４４へ出力する電気信号の処理回路も入力インターフェース４３の例に含まれる。

【0078】

また、入力インターフェース４３は、架台１０及び／又は寝台３０に設けられてもよい。また、入力インターフェース４３は、コンソール４０本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されることにしても構わない。ここで、入力インターフェース４３は、入力部の一例である。

【0079】

処理回路４４は、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１全体の動作を制御する。処理回路４４は、ハードウェア資源として、プロセッサと、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリとを有する。処理回路４４は、メモリにロードされたプログラムを実行するプロセッサにより、システム制御機能４４１、画像生成機能４４２、画像処理機能４４３及び表示制御機能４４４等を実行する。ここで、処理回路４４は、処理部の一例である。

【0080】

システム制御機能４４１において処理回路４４は、入力インターフェース４３を介して操作者から受け付けた入力操作に基づいて、処理回路４４の各種機能を制御する。例えば、処理回路４４は、寝台３０の天板３３の位置を制御する。処理回路４４は、架台１０で行われるＣＴスキャンを制御する。また、処理回路４４は、ＣＴスキャンで得られた検出データを取得する。なお、処理回路４４は、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１の外部から被検体Ｐに関する検出データを取得してもよい。

【0081】

画像生成機能４４２において処理回路４４は、データ収集回路１８から出力された検出データに対して対数変換処理やオフセット補正処理、チャネル間の感度補正処理、ビームハードニング補正等の前処理を施したデータを生成する。処理回路４４は、生成されたデータをメモリ４１に格納する。

【0082】

なお、前処理前のデータ（検出データ）及び前処理後のデータを総称して投影データと称する場合もある。処理回路４４は、生成された投影データ（前処理後の投影データ）に対して、フィルタ補正逆投影法や逐次近似再構成法、機械学習等を用いた再構成処理を行ってＣＴ画像データを生成する。処理回路４４は、生成されたＣＴ画像データをメモリ４１に格納する。

【0083】

画像処理機能４４３において処理回路４４は、入力インターフェース４３を介して操作者から受け付けた入力操作に基づいて、画像生成機能４４２によって生成されたＣＴ画像データを公知の方法により、任意断面の断層像データや３次元画像データに変換する。例えば、処理回路４４は、当該ＣＴ画像データにボリュームレンダリングや、サーフェスレンダリング、画像値投影処理、ＭＰＲ（Ｍｕｌｔｉ－Ｐｌａｎａｒ Ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）処理、ＣＰＲ（Ｃｕｒｖｅｄ ＭＰＲ）処理等の３次元画像処理を施して、任意視点方向のレンダリング画像データを生成する。

【0084】

なお、任意視点方向のレンダリング画像データ等の３次元画像データ、すなわちボリュームデータの生成は、画像生成機能４４２が直接行っても構わない。処理回路４４は、断層像データや３次元画像データをメモリ４１に格納する。

【0085】

表示制御機能４４４において処理回路４４は、画像処理機能４４３により生成された各種画像データに基づいて、画像をディスプレイ４２に表示させる。また、ディスプレイ４２に表示させる画像は、ＣＴ画像データに基づくＣＴ画像、任意断面の断面画像データに基づく断面画像、任意視点方向のレンダリング画像データに基づく任意視点方向のレンダリング画像等を含む。また、ディスプレイ４２に表示させる画像は、操作画面を表示するための画像や操作者への通知及び警告を表示するための画像を含む。ここで、表示制御機能４４４を実現する処理回路４４は、表示制御部の一例である。

【0086】

なお、各機能４４１～４４４は、単一の処理回路で実現される場合に限らない。複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路４４を構成し、各プロセッサが各プログラムを実行することにより各機能４４１～４４４を実現するものとしても構わない。ここで、各機能４４１～４４４は、単一又は複数の処理回路に適宜に分散又は統合されて実現されてもよい。

【0087】

なお、コンソール４０は、単一のコンソールにて複数の機能を実行するものとして説明したが、複数の機能を別々のコンソールが実行することにしても構わない。例えば、画像生成機能４４２及び画像処理機能４４３等の処理回路４４の機能を分散して有しても構わない。

【0088】

なお、処理回路４４の一部又は全部は、コンソール４０に含まれる場合に限らず、複数の医用画像診断装置にて取得された検出データに対する処理を一括して行う統合サーバに含まれてもよい。

【0089】

なお、後処理及び表示処理のうちの少なくとも１の処理は、コンソール４０又は外部のワークステーションのどちらで実施することにしても構わない。また、コンソール４０とワークステーションの両方で同時に処理することにしても構わない。ワークステーションとしては、例えば、各処理に対応する機能を実現するプロセッサと、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリとをハードウェア資源として有するコンピュータ等が適宜利用可能である。

【0090】

上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＡＳＩＣ、プログラマブル論理デバイス（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＰＬＤ）等の回路を意味する。ＰＬＤは、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ）を含む。プロセッサは記憶回路に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。プログラムが保存された記憶回路は、コンピュータ読取可能な非一時的記録媒体である。

【0091】

なお、記憶回路にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。また、プログラムを実行するのではなく、論理回路の組み合わせにより当該プログラムに対応する機能を実現してもよい。なお、本実施形態の各プロセッサは、プロセッサごとに単一の回路として構成される場合に限らず、複数の独立した回路を組み合わせて１つのプロセッサとして構成し、その機能を実現するようにしてもよい。さらに、図１５における複数の構成要素を１つのプロセッサへ統合してその機能を実現するようにしてもよい。

【0092】

なお、Ｘ線ＣＴ画像データの再構成においては、フルスキャン再構成方式及びハーフスキャン再構成方式のいずれの再構成方式が適用されてもよい。例えば、画像生成機能４４２において処理回路４４は、フルスキャン再構成方式では、被検体Ｐの周囲一周、３６０度分の投影データを用いる。また、処理回路４４は、ハーフスキャン再構成方式では、１８０度＋ファン角度分の投影データを用いる。以下では、説明の簡単のため、処理回路４４は、被検体Ｐの周囲一周、３６０度分の投影データを用いて再構成するフルスキャン再構成方式を用いるものとする。

【0093】

なお、本実施形態に係る技術は、一管球型のＸ線コンピュータ断層撮像装置にも、Ｘ線管と検出器との複数のペアを回転リングに搭載した、いわゆる多管球型のＸ線コンピュータ断層撮像装置にも適用可能である。

【0094】

なお、本実施形態に係る技術は、デュアルエネルギー方式で撮像できるように構成されたＸ線コンピュータ断層撮像装置１にも適用可能である。このとき、Ｘ線高電圧装置１４は、例えば２種の電圧値の高速スイッチングにより、Ｘ線管１１から射出されるＸ線のエネルギースペクトルを交互に切り替えることができる。つまり、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１は、管電圧変調の制御信号に従うタイミングで管電圧を変調しながら各収集ビューで投影データを収集できるように構成されている。被検体Ｐを異なる管電圧で撮像することにより、Ｘ線のエネルギースペクトルごとの物質のエネルギー透過性に基づいて、ＣＴ画像における濃淡のコントラストを向上させることができる。

【0095】

なお、本実施形態に係るＸ線コンピュータ断層撮像装置１は、逐次読み出し方式でＸ線検出器１２から電気信号を読み出すように構成されているとする。

【0096】

なお、本実施形態に係るＸ線コンピュータ断層撮像装置１は、架台１０及び寝台３０が移動可能な移動型ＣＴとして構成されていても構わない。

【0097】

なお、実施形態に係る寝台制御は、例えば、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置１のコンソール４０により実現されるが、制御装置１５により実現されてもよいし、架台１０又は寝台３０に搭載されたコンピュータにより実現されても構わない。

【0098】

例えば、Ｘ線コンピュータ断層撮像装置には、第３世代ＣＴ（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）、第４世代ＣＴ等様々なタイプがあるが、いずれのタイプでも各実施形態へ適用可能である。ここで、第３世代ＣＴは、Ｘ線管と検出器とが一体として被検体の周囲を回転するＲｏｔａｔｅ／Ｒｏｔａｔｅ－Ｔｙｐｅである。第４世代ＣＴは、リング状にアレイされた多数のＸ線検出素子が固定され、Ｘ線管のみが被検体の周囲を回転するＳｔａｔｉｏｎａｒｙ／Ｒｏｔａｔｅ－Ｔｙｐｅである。

【0099】

いくつかの実施形態を参照して本開示を説明したが、これらの実施形態は、本開示の原理と用途の例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、実施形態同士の組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0100】

１ Ｘ線コンピュータ断層撮像装置
１２ Ｘ線検出器
１０１ シリコン基板（基板）
１０２ ＭＯＳトランジスタ
１０３ 層間絶縁膜
１０４ コンタクト
１０５ 配線層
１０６ 層間絶縁膜
１０７ ビア
１０８ 配線層
１０９ 保護膜
１１０ 平坦化膜
１１１ 光学透明粘着シート（ＯＣＡ）
１１２ シンチレータ
２１１ 有機膜
１０９１ 第１の保護膜
１０９２ 第２の保護膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】