特開 2024-155329 保持装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024155329

(43)【公開日】2024-10-31

(54)【発明の名称】保持装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241024BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241024BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H01L21/302 101R

【審査請求】有

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023069973

(22)【出願日】2023-04-21

(11)【特許番号】

(45)【特許公報発行日】2024-09-17

(71)【出願人】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001036

【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山口 貴司

(72)【発明者】

【氏名】松丸 郁子

(72)【発明者】

【氏名】上松 秀樹

(72)【発明者】

【氏名】高橋 和幸

(72)【発明者】

【氏名】井上 志郎

【テーマコード（参考）】

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA16

5F004BB22

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004CA04

5F004DA22

5F131AA02

5F131BA19

5F131CA09

5F131CA18

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB14

5F131EB18

5F131EB54

5F131EB57

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】対象物に気体が勢いよく当たることを抑制できる保持装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを保持する第１表面Ｓ１と、第１の方向において第１表面Ｓ１の反対側に位置する第２表面Ｓ２と、第１表面Ｓ１と第２表面Ｓ２とに通じ気体が流通する基板側ガス流路１２と、を有するセラミック基板１０と、基板側ガス流路１２に配される多孔部７０と、を備え、多孔部７０は、疎領域７１と、疎領域７１よりも低い気孔率である密領域７５と、を備え、疎領域７１は、第１の方向に貫通する貫通部７２を備え、密領域７５は、第１の方向において疎領域７１と第１表面Ｓ１との間に配される表面部７６と、貫通部７２に配される内側部７７と、を備える、保持装置１００。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象物を保持する第１表面と、第１の方向において前記第１表面の反対側に位置する第２表面と、前記第１表面と前記第２表面とに通じ気体が流通するガス流路と、を有する板状部材と、
前記ガス流路に配される多孔部と、を備え、
前記多孔部は、
疎領域と、
前記疎領域よりも低い気孔率である密領域と、を備え、
前記疎領域は、前記第１の方向に貫通する貫通部を備え、
前記密領域は、
前記第１の方向において前記疎領域と前記第１表面との間に配される表面部と、
前記貫通部に配される内側部と、を備える、保持装置。

【請求項2】

前記多孔部において前記第１表面側に臨む面が、前記第１表面よりも前記第２表面側に位置している、請求項１に記載の保持装置。

【請求項3】

前記ガス流路は、
前記第１表面の方向に延び、前記多孔部が配された縦ガス流路と、
前記縦ガス流路と前記第２表面との間に配され、前記縦ガス流路に対し交差する形で接続した横ガス流路と、を備える、請求項１または請求項２に記載の保持装置。

【請求項4】

前記第１の方向の断面視にて、前記貫通部の前記表面部に接する縁部がラウンド状をなしている、請求項１または請求項２に記載の保持装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、保持装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、保持装置として、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に記載の保持装置（静電チャック）は、裏面とチャック面とを有するチャック本体と、裏面とチャック面との間で伸びた複数の管路と、を備え、各管路が、その内部にチャック本体と一体化された多孔領域を備える。チャック面に保持されたウェハのプラズマ処理等を行う際には、チャック面の温度制御性を高めるため、熱伝導流体であるヘリウムガス等のガスが、管路を通じて、裏面から多孔領域を通ってチャック面に送られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第４９５９９０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に開示の構成では、管路を通った気体（ガス）が対象物（ウェハ）に対して勢いよく当たった場合、対象物が持ち上がってしまう可能性がある。一方、各管路が多孔部（多孔領域）で詰まっている場合、チャック本体や多孔部の乾燥や脱脂時に、気化した物質の逃げ道が無いため、多孔部が膨らんで変形する可能性がある。この場合、保持装置の使用時に異常放電が生ずることが懸念される。

【0005】

本開示は上記のような事情に基づいて完成された技術であって、対象物に気体が勢いよく当たることを抑制できる保持装置を提供することを目的の一つとする。また、異常放電が抑制できる保持装置を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示は、対象物を保持する第１表面と、第１の方向において前記第１表面の反対側に位置する第２表面と、前記第１表面と前記第２表面とに通じ気体が流通するガス流路と、を有する板状部材と、前記ガス流路に配される多孔部と、を備え、前記多孔部は、疎領域と、前記疎領域よりも低い気孔率である密領域と、を備え、前記疎領域は、前記第１の方向に貫通する貫通部を備え、前記密領域は、前記第１の方向において前記疎領域と前記第１表面との間に配される表面部と、前記貫通部に配される内側部と、を備える、保持装置である。

【0007】

上記構成では、前記多孔部において前記第１表面側に臨む面が、前記第１表面よりも前記第２表面側に位置していてもよい。

【0008】

上記構成において、前記ガス流路は、前記第１の方向に延び、前記多孔部が配された縦ガス流路と、前記縦ガス流路と前記第２表面との間に配され、前記縦ガス流路に対し交差する形で接続した横ガス流路と、を備えていてもよい。

【0009】

上記構成において、前記第１の方向の断面視にて、前記貫通部の前記表面部に接する縁部がラウンド状をなしていてもよい。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、対象物に気体が勢いよく当たることを抑制できる保持装置の提供が可能となる。また、異常放電が抑制できる保持装置の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施形態１に係る保持装置の概略構成を模式的に表した説明図

【図2】保持装置の内部構造を模式的に表した断面図

【図3】多孔部付近の断面図

【図4】実施形態２に係る多孔部付近の断面図

【図5】実施形態３に係る多孔部付近の断面図

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜実施形態１＞
本開示の実施形態１を図１から図３によって説明する。本開示は以下の例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。尚、各図において、Ｚ軸方向を、保持装置の上下方向（第１の方向）とし、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を、保持装置の水平方向（第１の方向に直交する第２の方向）とする。

【0013】

図１及び図２に示すように、保持装置１００は、対象物（例えば、半導体ウェハＷ）を所定の処理温度（例えば、５０℃～４００℃）に加熱しながら、静電引力によって吸着し保持する静電チャックである。静電チャックは、例えば減圧されたチャンバー内でプラズマを用いてエッチングを行うプロセスにおいて、ウェハＷを載置するテーブルとして使用される。

【0014】

保持装置１００は、円板状のセラミック基板（板状部材）１０と、セラミック基板１０の下側に配され、円板状のベース部材２０と、を備える。ベース部材２０の径は、セラミック基板１０よりも大きく、例えばセラミック基板１０が直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの円板状をなす場合、ベース部材２０は直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの円板状とすることができる。セラミック基板１０とベース部材２０は、接合材３０によって接合されている。

【0015】

セラミック基板１０は、保持装置１００の上面の一部を構成した略円形状をなし、ウェハＷを吸着し保持する吸着面である第１表面Ｓ１と、上下方向において第１表面Ｓ１の反対側に位置する面であって、ベース部材２０に対向する略円形状の第２表面Ｓ２と、を備える。ベース部材２０は、第２表面Ｓ２に対向する略円形状の第３表面Ｓ３と、上下方向において第３表面Ｓ３の反対側に位置する略円形状の第４表面Ｓ４と、を備える。接合材３０は、セラミック基板１０の第２表面Ｓ２とベース部材２０の第３表面Ｓ３との間で挟まれつつ、層状に広がった状態となっている。

【0016】

セラミック基板１０は、絶縁性の基板とされ、その材料として、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とするセラミックスにより形成されている。尚、主成分とは、材料全体のうち含有割合（重量割合）の最も多い成分とする。

【0017】

セラミック基板１０において第１表面Ｓ１の外周縁部１０Ｂは、それよりも内側の部分１０Ａと比べて僅かに上方に突出しつつ、円環状に形成されている。そのため、第１表面Ｓ１にウェハＷが吸着保持されると、図２に示されるように、ウェハＷと第１表面Ｓ１の内側の部分１０Ａとの間に隙間（ギャップ）Ｇが形成される。

【0018】

また、セラミック基板１０は、チャック電極４０、ヒータ電極（不図示）を備える。チャック電極４０は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により層状（平面状）に形成される。チャック電極４０は、セラミック基板１０の内部において、第１表面Ｓ１側に配されている。チャック電極４０に電源（不図示）から直流高電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷが、セラミック基板１０の第１表面Ｓ１に吸着固定される。尚、チャック電極４０には、図示されない周知の給電用端子が電気的に接続されている。

【0019】

また、図３に示すように、セラミック基板１０は、第１表面Ｓ１と第２表面Ｓ２とに通じる形で延びた貫通孔とされ、気体としての不活性ガス（例えば、熱伝導流体であるヘリウムガス）が流通する複数の基板側ガス流路（ガス流路）１２を備える。基板側ガス流路１２は、気体を流すための流路６０の一部を構成する。基板側ガス流路１２は、セラミック基板１０の内部に形成される。

【0020】

基板側ガス流路１２は、上下方向に延びた縦ガス流路１３と、水平方向に延び、縦ガス流路１３に対し交差する形で接続した横ガス流路１４と、を備えている。縦ガス流路１３は、第１縦ガス流路１５と、第１縦ガス流路１５の上方に配された第２縦ガス流路１６と、を備える。第１縦ガス流路１５は、セラミック基板１０の第２表面Ｓ２に開口し、接合側ガス流路３１の上側の開口部に接続した入口１５Ａを備える。横ガス流路１４は、第２表面Ｓ２と第２縦ガス流路１６との間であって、第１縦ガス流路１５と第２縦ガス流路１６との間に配されている。横ガス流路１４は、第１縦ガス流路１５と複数の第２縦ガス流路１６（図３では、便宜上、１つの第２縦ガス流路１６のみを示している）とを接続する形で水平方向に延びている。第２縦ガス流路１６は、横ガス流路１４に開口した入口１６Ａと、第１表面Ｓ１に開口した出口１６Ｂと、を備える。出口１６Ｂは、第１表面Ｓ１（内側の部分１０Ａ）において複数設けられている（図１参照）。出口１６Ｂは、流路６０全体の出口をなす。第１縦ガス流路１５の入口１５Ａから不活性ガスが供給されると、不活性ガスは、基板側ガス流路１２において、第１縦ガス流路１５、横ガス流路１４、及び第２縦ガス流路１６を順次通過し、第２縦ガス流路１６の出口１６Ｂから外部に排出される。

【0021】

セラミック基板１０は、第１層１０Ｑと、第１層１０Ｑの上面に対し図示しない接着剤を介して接着した第２層１０Ｐと、が積層した積層体であってもよい。図３では、第１層１０Ｑと第２層１０Ｐの境界を鎖線Ｌで示している。この場合、第１層１０Ｑは、第１縦ガス流路１５及び横ガス流路１４等を備えている。第２層１０Ｐは、第２縦ガス流路１６等を備えている。

【0022】

図１及び図２に示すように、ベース部材２０は、例えば、金属（アルミニウム、アルミニウム合金等）、金属とセラミックスの複合体（Ａｌ－ＳｉＣ）、又はセラミックス（ＳｉＣ）を主成分として構成される。

【0023】

ベース部材２０の内部には、冷媒流路２１が設けられている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体、水等）が流されることで、プラズマ熱の冷却が行われる。また、冷媒流路２１に冷媒が流されると、ベース部材２０が冷却され、接合材３０を介したベース部材２０とセラミック基板１０との間の伝熱（熱引き）により、セラミック基板１０が冷却される。その結果、セラミック基板１０の第１表面Ｓ１で保持されたウェハＷが冷却される。冷媒流路２１における冷媒の流量を適宜、調整することにより、第１表面Ｓ１で保持されたウェハＷの温度を制御することができる。

【0024】

ベース部材２０の内部には、第３表面Ｓ３と第４表面Ｓ４とに通じる形で上下方向に延びた貫通孔とされ、気体が流通する複数のベース側ガス流路２２が設けられている。ベース側ガス流路２２は、流路６０の一部を構成している。ベース側ガス流路２２は、ベース部材２０の第４表面Ｓ４に開口した入口２２Ａと、第３表面Ｓ３に開口した出口２２Ｂとを備える。入口２２Ａは、保持装置１００に設けられた流路６０全体の入口をなす。

【0025】

接合材３０は、例えば、シリコーン系の有機接合剤、無機接合剤、又はＡｌ系の金属接着剤を含むボンディングシート等により構成される。接合材３０としては、セラミック基板１０及びベース部材２０の双方に対して高い接着力を備えつつ、高い耐熱性及び熱伝導性を備えるものが好ましい。接合材３０にも、流路６０の一部を構成する接合側ガス流路３１が形成されている。接合側ガス流路３１は、層状の接合材３０を厚み方向に貫通する孔からなる。

【0026】

流路６０は、保持装置１００の第１表面Ｓ１側に、不活性ガスを供給する。流路６０は、上述したように、ベース側ガス流路２２と、接合側ガス流路３１と、基板側ガス流路１２と、を備える。流路６０の各入口２２Ａから不活性ガスが供給されると、その不活性ガスは、ベース側ガス流路２２、接合側ガス流路３１及び基板側ガス流路１２を順次通過し、最終的に、第１表面Ｓ１に設けられた複数の出口１２Ｂから排出される。ベース側ガス流路２２の出口２２Ｂは、接合側ガス流路３１の下側（ベース部材２０側）の開口部と接続する。また、接合側ガス流路３１の上側（セラミック基板１０側）の開口部は、第１縦ガス流路１５の入口１５Ａと接続する。

【0027】

図３に示すように、保持装置１００は、基板側ガス流路１２の第２縦ガス流路１６により構成される円柱状の内部空間に配される多孔部７０を備える。多孔部７０は、絶縁性のセラミックスを主成分とするガス透過性の部材である。本実施形態では、多孔部７０は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とする。本実施形態では、多孔部７０のセラミックスと、セラミック基板１０のセラミックスとが、互いに同じ種類のセラミックスからなる。多孔部７０は、全体的には、上下方向を高さ方向とする円柱状をなしている。

【0028】

多孔部７０は、内部に複数の空隙を有することで、不活性ガスを通過させる通気経路が網目状に形成されてなるものとされる。多孔部７０の空隙の形状・寸法・配置は、特に限定されるものではなく、様々な大きさで不定形状の空隙がランダムに配置されていてもよい。多孔部７０において空隙が占める割合を、気孔率と呼ぶ。この気孔率は、例えば多孔部７０の断面の電子顕微鏡画像を解析し、単位面積あたりに占める空隙の面積に基づいて算出可能とされる。

【0029】

多孔部７０は、疎領域７１と、疎領域７１よりも低い気孔率である密領域７５と、を備える。疎領域７１の気孔率は、６５％以上９０％以下としてもよく、７０％以上８５％以下としてもよい。密領域７５の気孔率は、６０％以上８０％以下としてもよく、６５％以上７５％以下としてもよく、６８％以上７３％以下としてもよい。密領域７５の気孔率は、疎領域７１の気孔率に対し、０．６７倍以上０．９２倍以下でもよく、０．７６倍以上０．８７倍以下でもよい。

【0030】

疎領域７１は、上下方向を高さ方向とする円管状をなしている。疎領域７１は、上下方向に貫通する貫通部７２を備える。貫通部７２は、上下方向を高さ方向とする円柱状の内部空間を構成している。貫通部７２は、第２縦ガス流路１６内において（多孔部７０において）、水平方向における中央部分に位置している。疎領域７１の上面７１Ｂは、円環状であって水平方向に平坦状をなしている。疎領域７１の下面７１Ａは、円環状であって水平方向に平坦状をなしており、横ガス流路１４に臨んでいる。下面７１Ａは、横ガス流路１４の上側の内壁１４Ｂと面一をなしており、第２縦ガス流路１６の入口１６Ａに接触している。疎領域７１において水平方向における外側を向く外面（側面）７１Ｃは、第２縦ガス流路１６に接触しており、互いに固相接合により一体化されている。本実施形態では、外面７１Ｃは、第２縦ガス流路１６に対して、接着剤（例えば、シリコーン系接着剤）を使用せずに固定されている。

【0031】

密領域７５は、上下方向の断面視（第１方向の断面視）にてＴ字状をなしている。密領域７５は、上下方向において、疎領域７１の上面７１Ｂと第１表面Ｓ１との間に配される表面部７６と、上下方向において表面部７６の下側の位置であって貫通部７２に配される内側部７７と、を備える。表面部７６は、上下方向を高さ方向とする円柱状をなしている。表面部７６の上面７６Ｂは、円形状であって平坦状をなしており（図１参照）、第１表面Ｓ１に対し面一となっている。表面部７６の上面７６Ｂは、第２縦ガス流路１６の出口１６Ｂに接触している。表面部７６の下面７６Ａは、水平方向に平坦状をなしており、疎領域７１の上面７１Ｂに接触し、互いに固相接合により一体化されている。

【0032】

内側部７７は、上下方向を高さ方向とする円柱状をなしている。内側部７７において水平方向を向く側面７７Ｃは、疎領域７１の貫通部７２に接触しており、互いに固相接合により一体化されている。内側部７７は、第２縦ガス流路１６に対し疎領域７１によって水平方向に隔てられており、第２縦ガス流路１６に接触していない。内側部７７の下面７７Ａは、円形状であって平坦状をなしており、横ガス流路１４に臨んでいる。下面７７Ａは、横ガス流路１４の上側の内壁１４Ｂ及び疎領域７１の下面７１Ａに対して面一となっている。下面７７Ａは、第２縦ガス流路１６の入口１６Ａに接触していない。

【0033】

内側部７７の上下方向における長さは、表面部７６の上下方向における長さに比して長く、疎領域７１の上下方向における長さに等しい。内側部７７の直径（Ｙ軸方向における長さ）は、表面部７６の直径に比して小さく、疎領域７１の直径に比して小さい。表面部７６の上下方向における長さは、特に限定されないが、例えば１００μｍ以上としてもよい。このような構成によれば、気体が多孔部７０を通過し易く、また、多孔部７０の強度を向上することが可能となる。

【0034】

本実施形態の多孔部７０を備える保持装置１００の製造方法は、特に限定されないが、例えば、第１層１０Ｑと第２層１０Ｐをそれぞれ準備する工程と、第１層１０Ｑに第１縦ガス流路１５と横ガス流路１４を形成し、第２層１０Ｐに第２縦ガス流路１６を形成する流路形成工程と、第２縦ガス流路１６に疎領域７１を形成する疎領域形成工程と、第１層１０Ｑの上面に対し接着剤を介して第２層１０Ｐを接着する接着工程と、第２縦ガス流路１６に密領域７５を形成する密領域形成工程と、を含む方法を例示することができる。疎領域形成工程では、第２縦ガス流路１６に疎領域７１の材料を押し込んだ後に、貫通部７２を貫通形成する。接着工程では、第１層１０Ｑの上面に接着剤を塗布して第２層１０Ｐを圧着した後に、この接着剤や疎領域７１の材料に含まれる溶剤等を気化させて、第１層１０Ｑと第２層１０Ｐとを接着する。密領域形成工程では、密領域７５の材料を第１表面Ｓ１側から第２縦ガス流路１６に押し込んだ後に、密領域７５の材料に含まれる溶剤を気化させて、密領域７５を形成する。

【0035】

続いて、本実施形態の効果について説明する。本実施形態では、ウェハＷを保持する第１表面Ｓ１と、第１の方向において第１表面Ｓ１の反対側に位置する第２表面Ｓ２と、第１表面Ｓ１と第２表面Ｓ２とに通じ気体が流通する基板側ガス流路１２と、を有するセラミック基板１０と、基板側ガス流路１２に配される多孔部７０と、を備え、多孔部７０は、疎領域７１と、疎領域７１よりも低い気孔率である密領域７５と、を備え、疎領域７１は、第１の方向に貫通する貫通部７２を備え、密領域７５は、第１の方向において疎領域７１と第１表面Ｓ１との間に配される表面部７６と、貫通部７２に配される内側部７７と、を備える、保持装置１００を示した。

【0036】

このような保持装置１００によると、疎領域７１と第１表面Ｓ１との間に、密領域７５の一部である表面部７６が配されているので、気体が基板側ガス流路１２を通り疎領域７１に素早く充満した場合であっても、この気体が、疎領域７１よりも低い気孔率である表面部７６を通って第１表面Ｓ１に向かうことで、ウェハＷに対して勢いよく当たることを抑制できる。これにより、基板側ガス流路１２に流す気体の流量を十分に確保しつつ、気体が勢いよく当たってウェハＷが持ち上がることを抑制できる。また、多孔部７０のうち、第１表面Ｓ１側の部分（表面部７６）において、強度を向上させることができる。さらに、疎領域７１は、貫通部７２を備えるので、セラミック基板１０や疎領域７１の乾燥や脱脂時に、気化した物質が貫通部７２を通って保持部材の外部に逃げることができる。これにより、多孔部７０が膨らんで変形することを防ぎ、異常放電を抑制できる保持装置１００とすることができる。上記乾燥や脱脂後は、貫通部７２に内側部７７が配された構成とすることで、実用的な保持装置１００とすることができる。

【0037】

基板側ガス流路１２は、第１の方向に延び、多孔部７０が配された第２縦ガス流路１６と、第２縦ガス流路１６と第２表面Ｓ２との間に配され、第２縦ガス流路１６に対し交差する形で接続した横ガス流路１４と、を備えている。

【0038】

このような構成によると、多孔部７０が配された第２縦ガス流路１６に対して、交差する形で接続した横ガス流路１４を、保持装置１００が備えることにより、第２縦ガス流路１６が複数存在する場合でも、気体を効率よく各第２縦ガス流路１６に通して多孔部７０へ流すことができる。

【0039】

＜実施形態２＞
次に、本開示の実施形態２を図４によって説明する。本実施形態では、上記実施形態と同じ部位には、同一の符号を用い、構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。尚、図４は、保持装置２００の多孔部２７０付近において、上下方向における断面視（第１方向の断面視）を示した図である。

【0040】

保持装置２００において、多孔部２７０は、疎領域２７１と、疎領域２７１よりも低い気孔率である密領域２７５と、を備える。疎領域２７１は、上下方向を高さ方向とする円管状をなしている。疎領域２７１は、上下方向に貫通する貫通部２７２を備える。貫通部２７２は、上下方向を高さ方向とする円柱状の内部空間を構成している。貫通部２７２は、上側に臨む開口を構成する縁部２７３であって、密領域２７５の表面部２７６に接する縁部２７３を備える。縁部２７３は、上方に向かうほど水平方向に曲がったラウンド状をなしている。密領域２７５の内側部２７７における上部は、上方に向かうほど直径（Ｙ軸方向における長さ）が長くなる拡径状をなしている。このような保持装置２００によると、貫通部２７２と表面部２７６（及び内側部２７７）を強固に接合させ、多孔部２７０の強度を向上させることができる。

【0041】

＜実施形態３＞
次に、本開示の実施形態３を図５によって説明する。尚、本実施形態では、上記実施形態と同じ部位には、同一の符号を用い、構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0042】

保持装置３００において、セラミック基板３１０の基板側ガス流路３１２は、上下方向に延びた縦ガス流路３１３を備えている。縦ガス流路３１３は、第１縦ガス流路１５と、第１縦ガス流路１５の上方に配された第２縦ガス流路３１６と、を備える。第２縦ガス流路３１６は、上下方向に延びた円柱状の内部空間を有し、この内部空間に、上記実施形態１における多孔部７０が配された下側ガス流路３１７と、下側ガス流路３１７の上側に配され、下側ガス流路３１７に連通した上側ガス流路３１８と、を備える。下側ガス流路３１７は、横ガス流路１４に開口した入口３１７Ａを備える。

【0043】

多孔部７０の上面７６Ｂ（多孔部７０において第１表面Ｓ１側に臨む面）は、第１表面Ｓ１よりも下方（第２表面Ｓ２側）に位置している。第１表面Ｓ１と上面７６Ｂとの間には、セラミック基板３１０の一部（介在部）３１１が介在している。介在部３１１には、上側ガス流路３１８が上下方向に延びる形で貫通形成されている。

【0044】

上側ガス流路３１８は、複数のガス流路３１８Ａ，３１８Ｂを備える。複数のガス流路３１８Ａ，３１８Ｂは、内側ガス流路３１８Ａと、内側ガス流路３１８Ａの水平方向における外側に配された外側ガス流路３１８Ｂと、を含む。複数のガス流路３１８Ａ，３１８Ｂは、それぞれ、セラミック基板３１０の第１表面Ｓ１に開口した出口３１８Ｃを備える。内側ガス流路３１８Ａは、密領域７５における内側部７７の上方に配されている。内側ガス流路３１８Ａの下端部は、表面部７６に接触している。外側ガス流路３１８Ｂは、疎領域７１の上方に配されている。外側ガス流路３１８Ｂの下端部は、表面部７６に接触している。

【0045】

このような保持装置３００によると、多孔部７０が第１表面Ｓ１から離れる構造となるので、例えば多孔部７０に他部材が接触し、多孔部７０が削れることを抑制できる。

【0046】

＜他の実施形態＞
本開示は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も本開示の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。

【0047】

（１）上記実施形態以外にも、ガス流路の形は適宜変更可能である。例えば、ガス流路は、第２縦ガス流路が第２表面に至るまで上下方向に延びた形をなしており、横ガス流路や第１縦ガス流路を備えていなくてもよい。

【0048】

（２）貫通部及び内側部の水平方向における位置や形は適宜変更可能である。例えば、貫通部及び内側部は、第２縦ガス流路において、Ｙ軸方向における一方側、又はＸ軸方向における一方側に偏った位置に配されていてもよい。貫通部及び内側部は、三角柱状や四角柱状等の角柱状であってもよい。

【0049】

（３）多孔部は、接着部を介して第２縦ガス流路に接着されていてもよい。このような接着部の材料としては、例えば、シリコーン系接着剤を採用することができる。

【0050】

（４）上記実施形態以外にも、保持装置の各部材を形成する材料は適宜変更可能である。

【0051】

（５）本開示は、上記実施形態で例示した静電チャックに限定されず、セラミック基板の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、加熱装置等）にも同様に適用可能である。

【符号の説明】

【0052】

１０，３１０…セラミック基板（板状部材）、１２，３１２…基板側ガス流路（ガス流路）、１４…横ガス流路、１６，３１６…第２縦ガス流路（縦ガス流路）、７０，２７０…多孔部、７１，２７１…疎領域、７２，２７２…貫通部、２７３…縁部、７５，２７５…密領域、７６，２７６…表面部、７７，２７７…内側部、１００，２００，３００…保持装置、Ｓ１…第１表面、Ｓ２…第２表面、Ｗ…ウェハ（対象物）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【手続補正書】

【提出日】2024-06-19

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象物を保持する第１表面と、第１の方向において前記第１表面の反対側に位置する第２表面と、前記第１表面と前記第２表面とに通じ気体が流通するガス流路と、を有する板状部材と、
前記ガス流路に配される多孔部と、を備え、
前記多孔部は、
疎領域と、
前記疎領域よりも低い気孔率である密領域と、を備え、
前記疎領域は、前記第１の方向に貫通する貫通部を備え、
前記密領域は、
前記第１の方向において前記疎領域と前記第１表面との間に配される表面部と、
前記貫通部に配される内側部と、を備え、
前記貫通部は、前記密領域の前記表面部に接する縁部を備え、前記第１の方向と直交する方向を第２の方向と定義した場合に、前記縁部は、前記第１の方向の断面視にて、前記第１表面に向かうほど前記第２の方向に曲がったラウンド状をなしている、保持装置。

【請求項2】

前記多孔部において前記第１表面側に臨む面が、前記第１表面よりも前記第２表面側に位置している、請求項１に記載の保持装置。

【請求項3】

前記ガス流路は、
前記第１表面の方向に延び、前記多孔部が配された縦ガス流路と、
前記縦ガス流路と前記第２表面との間に配され、前記縦ガス流路に対し交差する形で接続した横ガス流路と、を備える、請求項１または請求項２に記載の保持装置。